JP5581954B2 - 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Description
図20に、基板を貫通する縦型ゲート電極を有する固体撮像装置105の概略断面構成図を示す。図20に示すように、固体撮像装置105では、基板106の水平面に対して縦方向に貫通する縦型ゲート電極108を有する。この縦型ゲート電極108は、基板106を貫通する貫通孔を形成し、ゲート絶縁膜107を介して電極材料を埋めこむことにより形成されている。図20の固体撮像装置107では、基板106の深さ方向に深い位置に形成されたフォトダイオードPDの信号電荷を、基板106の光入射側とは反対側に形成されたフローティングディフュージョン部FDに読み出すことができる。
1. 第1の実施形態:CMOS型の裏面照射型固体撮像装置の例
1−1 全体構成
1−2 要部の構成
1−3 製造方法(バルク基板を用いる例)
2. 第2の実施形態:裏面照射型のCMOS固体撮像装置の製造方法の例(SOI基板を用いる例)
3. 第3の実施形態:裏面照射型のCMOS固体撮像装置の例(SOI基板を用いる例)
3−1 用部の断面構成
3−2 製造方法
4. 第4の実施形態:裏面照射型のCMOS固体撮像装置の例(縦分光の例)
5. 第5の実施形態:裏面照射型のCMOS固体撮像装置の例(縦分光の例)
6. 第6の実施形態:電子機器
本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。本実施形態例は、裏面照射型のCMOS型固体撮像装置を例にしたものである。
まず、要部の構成の説明に先立ち、本実施形態例の固体撮像装置の全体構成について説明する。図1は、本実施形態例に係る固体撮像装置の全体を示す概略構成図である。
固体撮像装置1は、図1に示すように、シリコンからなる基板11に、複数の画素2からなる撮像領域3と、垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8等を備えて構成される。
図2に、本実施形態例の固体撮像装置1の要部の断面構成図を示す。本実施形態例の固体撮像装置1は、フォトダイオードPDからなる複数の光電変換部と、縦型トランジスタTra及び表面型トランジスタTrbを含む画素トランジスタとが形成された基板12と、配線層25と、支持基板30とを備える。さらに、基板12の裏面側には、電荷固定膜17と、遮光膜18と、平坦化膜19と、カラーフィルタ層20と、オンチップレンズ21とを備える。
また、フォトダイオードPDは、高濃度のp型半導体領域35からなる画素分離領域により囲まれている。これにより、フォトダイオードPDで生成、蓄積された信号電荷が他の画素に移動することを防ぐことができる。
また、負の固定電荷を有する膜としては、上述した膜中に、絶縁性を損なわない範囲で、シリコン(Si)や窒素(N)が添加されていてもよい。その濃度は、膜の絶縁性が損なわれない範囲で適宜決定される。このように、シリコン(Si)や窒素(N)が添加されることによって、膜の耐熱性やプロセスの中でイオン注入の阻止能力を上げることが可能になる。
次に、本実施形態例の固体撮像装置の製造方法を説明する。図3〜図7は、本実施形態例の固体撮像装置1の製造工程図である。なお、以下の製造方法の説明では、ゲート絶縁膜として、シリコン酸化膜を用いた例を示す。
チャンバー内圧力:20〜200(mTorr)
バイアス電圧:200〜1000(W)
HBrガスの流量:0〜400(sccm)
NF3ガスの流量:0〜50(sccm)
O2ガスの流量:5〜50(sccm)
本実施形態例では、埋め込み部28aの形成と、張り出し部28bの形成を別工程で行う例としたが、同工程で行っても良い。その場合には、まず、開口部31aの底部及び内壁にゲート絶縁膜24を形成すると共に基板12の表面にゲート絶縁膜24を形成する。次に、開口部31a内部に電極材料を埋めこむと共に基板12表面に電極材料を形成した後、パターニングする。これにより、埋め込み部28a及び張り出し部28bを同時に形成することができ、また、縦型ゲート電極28と表面型ゲート電極32を同時に形成することができる。
チャンバー内圧力:20〜200(mTorr)
バイアス電圧:200〜1000(W)
HBrガスの流量:0〜400(sccm)
NF3ガスの流量:0〜50(sccm)
O2ガスの流量:5〜50(sccm)
研磨圧力:50〜500Pa
定盤の回転数/研磨ヘッドの回転数:10〜120rpm
研磨スラリー:シリカ、又はセリア系スラリー
なお、このゲート絶縁膜24を除去する工程は、図5Gに示した基板12の薄肉化の工程と同時に行ってもよい。
その後、ゲート絶縁膜24が除去された貫通孔31内に負の固定電荷を有する電荷固定膜17を埋め込んで形成すると共に、基板12の裏面全面に電荷固定膜17を形成する。
その後、遮光膜18を埋めこむ平坦化膜19を形成した後、通常と同様の工程で、カラーフィルタ層20、及びオンチップレンズ21を形成することで、図2に示す本実施形態例の固体撮像装置1が完成する。
このように、基板12の裏面に対して、埋め込み部28aの底部が凹状であっても、凸状であっても本実施形態例は好適に適用可能である。
次に、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。本実施形態例で形成される固体撮像装置の全体の構成、及び断面構成は、図1及び図2と同様であるので、製造方法のみ説明する。
その他、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置、及びその製造方法について説明する。図11は、本実施形態例に係る固体撮像装置40の概略断面構成である。図11において図2に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。また、本実施形態例の固体撮像装置40の全体構成は、図1と同様であるから重複説明を省略する。
図11に示すように、本実施形態例の固体撮像装置40では、縦型ゲート電極28を構成する埋め込み部28aの底部が、貫通孔31内において基板(本実施形態例ではSOI基板36の単結晶シリコン層36a)の裏面よりも下がった位置に形成されている。
図12〜図14に、本実施形態例の固体撮像装置40の製造工程図を示す。図12〜図14において、図8〜図10に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
その後、第1の実施形態における図6H〜図7Jと同様の工程により、図11に示す固体撮像装置40が完成する。
次に、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図16は、本実施形態例の固体撮像装置50の概略断面構成図である。図16において、図12に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
さらに、基板12の表面側に形成されたp型半導体領域55は、基板12の界面で発生する暗電流を抑制する。
その他、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図17は、本実施形態例の固体撮像装置60の概略断面構成図である。図17において、図2に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
その他、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、画素部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
次に、本発明の第6の実施形態に係る電子機器について説明する。図18は、本発明の第6の実施形態に係る電子機器200の概略構成図である。
本実施形態例の電子機器200は、上述した本発明の第1の実施形態における固体撮像装置1を電子機器(カメラ)に用いた場合の実施形態を示す。
シャッタ装置211は、固体撮像装置1への光照射期間および遮光期間を制御する。
駆動回路212は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置211のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路212から供給される駆動信号(タイミング信号)により、固体撮像装置1の信号転送を行なう。信号処理回路213は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。
Claims (13)
- 受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部が形成された基板と、
前記基板の表面から裏面側に貫通して形成された貫通孔と、
前記貫通孔内にゲート絶縁膜を介して形成された縦型ゲート電極であって、前記光電変換部で生成された信号電荷を電荷読み出し部に読み出すための縦型ゲート電極と、
前記基板の裏面側を被覆すると共に、前記基板裏面側の貫通孔の内周面の一部を被覆するように形成された負の固定電荷を有する電荷固定膜と、
を備える固体撮像装置。 - 前記基板では、前記光電変換部から前記読み出し部にかけて、前記縦型ゲート電極に沿うようにチャネル形成層が形成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷固定膜上に、さらに、一層又は複数層の絶縁膜を有する
請求項1又は2に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷固定膜は、2種以上の積層構造とされる
請求項1〜3のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、基板の深さ方向に形成された複数層のフォトダイオードで構成されている
請求項1〜4に記載の固体撮像装置。 - 基板の表面から裏面側にかけて所望の深さの開口部を形成する工程と、
前記開口部にゲート絶縁膜を介して電極材料を埋めこむことにより、前記基板の光電変換部に蓄積された信号電荷を前記基板の表面側に形成された読み出し部に読み出すため縦型ゲート電極を形成する工程と、
前記基板表面に、層間絶縁膜を介して複数層の配線が積層した配線層を形成する工程、
前記配線層上に支持基板を貼り合わせ、前記基板を反転する工程と、
前記開口部が前記基板の裏面側に貫通するまで前記基板を薄肉化して貫通孔を形成すると共に、前記貫通孔内に形成された前記ゲート絶縁膜を所定の深さまで除去する工程と、
前記ゲート絶縁膜が除去された貫通孔内を埋め込むと共に、前記基板の裏面全面を被覆する負の固定電荷を有する電荷固定膜を形成する工程と、
を含む固体撮像装置の製造方法。 - 前記基板はバルク基板で構成される
請求項6に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記基板は、シリコン基板上に、酸化シリコン層を介して形成された単結晶シリコン層を有するSOI基板で構成される
請求項6に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記開口部は、前記単結晶シリコン層の表面から前記酸化シリコン層が露出する深さまで形成される
請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記基板を薄肉化する工程は、複数回のウェットエッチングによって行われる
請求項6〜9のいずれか一項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記電荷固定膜を形成した後、電荷固定膜上に、さらに、一層又は複数層の絶縁膜を形成する
請求項6〜10のいずれか一項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記電荷固定膜は、2種以上の積層構造とする
請求項6〜11のいずれか一項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 光学レンズと、
受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部が形成された基板と、前記基板の表面から裏面側に貫通して形成された貫通孔と、前記貫通孔内にゲート絶縁膜を介して形成された縦型ゲート電極であって、前記光電変換部で生成された信号電荷を電荷読み出し部に読み出すための縦型ゲート電極と、前記基板の裏面側を被覆すると共に、前記基板裏面側の貫通孔の内周面の一部を被覆するように形成された負の固定電荷を有する電荷固定膜と、
を備える固体撮像装置であって、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
を含む電子機器。
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JP6079502B2 (ja) * | 2013-08-19 | 2017-02-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
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JP2015079848A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | シナプティクス・ディスプレイ・デバイス株式会社 | 表示装置駆動用半導体集積回路装置 |
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JP6387743B2 (ja) * | 2013-12-16 | 2018-09-12 | 株式会社リコー | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR20150077528A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 트랜지스터 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 이미지센서 |
KR102209097B1 (ko) * | 2014-02-27 | 2021-01-28 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
JP6300662B2 (ja) * | 2014-06-20 | 2018-03-28 | オリンパス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR102268712B1 (ko) * | 2014-06-23 | 2021-06-28 | 삼성전자주식회사 | 자동 초점 이미지 센서 및 이를 포함하는 디지털 영상 처리 장치 |
JP2016100347A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
US9564493B2 (en) * | 2015-03-13 | 2017-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Devices having a semiconductor material that is semimetal in bulk and methods of forming the same |
KR102471593B1 (ko) * | 2015-06-09 | 2022-11-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 수직 전송 게이트를 갖는 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR102398125B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2022-05-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
JP2017163010A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | ソニー株式会社 | 撮像装置、電子機器 |
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US11522098B2 (en) * | 2016-04-01 | 2022-12-06 | Trustees Of Dartmouth College | UV/VIS/IR backside-illuminated photon-counting sensor |
KR102569811B1 (ko) * | 2016-04-08 | 2023-08-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
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CN109997229B (zh) * | 2016-12-01 | 2023-06-20 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态成像元件及其制造方法以及成像设备 |
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KR20240010101A (ko) * | 2017-03-22 | 2024-01-23 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 장치 및 신호 처리 장치 |
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WO2020054282A1 (ja) * | 2018-09-11 | 2020-03-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
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TW202129936A (zh) * | 2019-07-19 | 2021-08-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像裝置 |
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JPWO2021149380A1 (ja) * | 2020-01-24 | 2021-07-29 | ||
US11362121B2 (en) * | 2020-01-28 | 2022-06-14 | Omnivision Technologies, Inc. | Light attenuation layer fabrication method and structure for image sensor |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH01256168A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP2005056998A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP4341421B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2009-10-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
US7541627B2 (en) | 2004-03-08 | 2009-06-02 | Foveon, Inc. | Method and apparatus for improving sensitivity in vertical color CMOS image sensors |
JP4384198B2 (ja) * | 2007-04-03 | 2009-12-16 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 |
TWI436474B (zh) * | 2007-05-07 | 2014-05-01 | Sony Corp | A solid-state image pickup apparatus, a manufacturing method thereof, and an image pickup apparatus |
KR101531055B1 (ko) * | 2007-10-11 | 2015-06-23 | 소니 주식회사 | 촬상 장치, 고체 촬상 장치, 및 그 제조방법 |
KR101541544B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2015-08-03 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법 및 촬상 장치 |
JP5369505B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-12-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
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