KR20150077528A - 트랜지스터 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 이미지센서 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예들이 해결하려는 과제는, 플리커 노이즈를 저감시킬 수 있는 트랜지스터 및 그의 제조방법과 이를 포함하는 이미지 센서를 제공하고자 하는 것으로, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 매립채널을 유도하는 고정된 음전하를 갖는 음전하 보유층을 포함하는 게이트 절연층; 및 상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극을 포함할 수 있다. 본 기술은 음전하보유층을 포함하는 게이트 절연층이 포함된 트랜지스터 및 이를 포함하는 이미지 센서를 형성하여 트랩에 의한 플리커 노이즈를 방지하는 효과가 있다.

Description

트랜지스터 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 이미지센서{TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, IMAGE SENSOR WITH THE SAME}
본 실시예는 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 음전하보유층을 포함하는 트랜지스터 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 이미지센서에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학적 영상을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 크게 전하 결합 소자(Charge Coupled Device : CCD)와 씨모스 이미지 센서(CMOS Image Sensor : CIS)로 구분된다.
이들 중 씨모스 이미지 센서의 단위 화소(Unit pixel)는 이미지를 센싱하기 위하여 광감지 소자(Photo Sensitive Device; PSD)를 포함한다. 또한, 대부분의 단위 화소는 광감지 소자(PSD)와 함께 광감지 소자에서 감지된 신호를 신호 처리 회로에 전달하기 위한 트랜지스터들, 예를 들어 트랜스퍼 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터 등을 포함한다.
그런데, 이러한 구조의 씨모스 이미지 센서는 실리콘(Si)/실리콘 산화물(SiO2) 계면의 트랩 작용으로 인한 플리커 노이즈(flicker noise)가 문제된다. 플리커 노이즈의 가장 주된 원인은 드라이브 트랜지스터에서의 계면으로 알려져 있다. 이에 플리커 노이즈를 저감시킬 수 있는 씨모스 이미지 센서의 개발이 요구된다.
본 발명의 실시예들이 해결하려는 과제는, 플리커 노이즈를 저감시킬 수 있는 트랜지스터 및 그의 제조방법과 이를 포함하는 이미지 센서를 제공하고자 하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 매립채널을 유도하는 고정된 음전하를 갖는 음전하 보유층을 포함하는 게이트 절연층; 및 상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극을 포함할 수 있다.
특히, 상기 음전하보유층은 알루미늄산화막, 하프늄산화막, 지르코늄산화막, 탄탈륨산화막 및 티타늄산화막으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 금속산화물을 포함할 수 있고, 상기 음전하보유층은 막 내에 1×1014 ∼ 1×1019 ions/cm2의 고정된 음전하를 포함할 수 있다.
또한, 상기 게이트 절연층은 상기 기판에 인접하여 형성된 배리어층을 더 포함할 수 있고, 상기 배리어층은 실리콘산화물을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는, 광전변환영역 및 플로팅 확산영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 형성되고, 게이트 절연층을 포함하는 트랜스퍼 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터, 및 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서에 있어서, 상기 드라이브 트랜지스터의 게이트 절연층은 매립채널을 유도하는 고정된 음전하를 갖는 음전하 보유층을 포함할 수 있다.
특히, 상기 전송 트랜지스터 및/또는 선택 트랜지스터의 게이트 절연층은 매립채널을 유도하는 고정된 음전하를 갖는 음전하 보유층을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터 제조 방법은 기판 상에 막 내에 고정된 음전하를 갖는 음전하보유층을 포함하는 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층 상에 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 도전층 및 게이트 절연층을 식각하여 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
특히, 상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 금속산화물을 형성하는 단계; 및 상기 금속산화물에 N타입의 이온주입을 진행하는 단계를 포함할 수 있다.
또는, 상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 금속산화물을 형성하는 단계; 및 상기 금속산화물에 열처리를 진행하는 단계를 포함할 수 있다.
또는, 상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는, 원자층증착법으로 진행할 수 있다.
또는, 상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는, 원자층증착법으로 진행하고, 상기 원자층증착 공정시 플라즈마를 이용한 N타입 이온주입을 진행할 수 있다.
또한, 상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 배리어층을 형성하는 단계; 및 상기 배리어층 상에 상기 음전하보유층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 기술은 음전하보유층을 포함하는 게이트 절연층이 포함된 트랜지스터 및 이를 포함하는 이미지 센서를 형성하여 트랩에 의한 플리커 노이즈를 방지하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 레이이아웃도이다.
도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터를 나타낸 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시예들이 상세히 설명된다.
도면은 반드시 일정한 비율로 도시된 것이라 할 수 없으며, 몇몇 예시들에서, 실시예들의 특징을 명확히 보여주기 위하여 도면에 도시된 구조물 중 적어도 일부의 비례는 과장될 수도 있다. 도면 또는 상세한 설명에 둘 이상의 층을 갖는 다층 구조물이 개시된 경우, 도시된 것과 같은 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 특정 실시예를 반영할 뿐이어서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 달라질 수도 있다. 또한, 다층 구조물의 도면 또는 상세한 설명은 특정 다층 구조물에 존재하는 모든 층들을 반영하지 않을 수도 있다(예를 들어, 도시된 두 개의 층 사이에 하나 이상의 추가 층이 존재할 수도 있다). 예컨대, 도면 또는 상세한 설명의 다층 구조물에서 제1 층이 제2 층 상에 있거나 또는 기판 상에 있는 경우, 제1 층이 제2 층 상에 직접 형성되거나 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있음을 나타낼 뿐만 아니라, 하나 이상의 다른 층이 제1 층과 제2 층 사이 또는 제1 층과 기판 사이에 존재하는 경우도 나타낼 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 회로도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 레이아웃도이다. 도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위화소는 포토다이오드(PD, Photo Diode), 전송 트랜지스터(Tx, Transfer transistor), 부유확산영역(FD, Floating diffusion), 리셋 트랜지스터(Rx, Reset transistor), 드라이브 트랜지스터(Dx, Drive transistor) 및 선택 트랜지스터(Sx, Selection transistor)를 포함할 수 있다.
포토다이오드(PD)는 빛 에너지를 수신하여 광 전하를 생성하고 축적하는 광전변환영역에 포함될 수 있다.
전송 트랜지스터(Tx)는 게이트로 입력되는 전송 제어신호에 응답하여 포토다이오드에 의해서 축적된 전하(또는 광전류)를 부유확산영역(FD)으로 전송하는 역할을 할 수 있다.
부유확산영역(FD)은 전송 트랜지스터를 통해 포토다이오드로부터 생성된 전하를 수신하고 저장하는 역할을 할 수 있다.
리셋 트랜지스터(Rx)는 전원전압(Vdd)과 부유확산영역 사이에 접속되고, 리셋 신호(RST)에 응답하여 부유확산영역에 저장된 전하를 전원전압으로 드레인 시킴으로써, 부유확산영역을 리셋시키는 역할을 할 수 있다.
드라이브 트랜지스터(Dx)는 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source follower buffer amplifier) 역할을 하며, 부유확산영역에 충전된 전하에 따른 신호를 버퍼링(Buffering)하는 역할을 할 수 있다.
선택 트랜지스터(Sx)는 단위 화소를 선택하기 위한 스위칭(switching) 및 어드레싱(addressing) 역할을 할 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(110)에 포토 다이오드(PD)가 형성되고, 포토 다이오드(PD)의 일측면에 접하여 전송 트랜지스터(Tx)가 형성될 수 있다. 그리고, 활성영역을 따라 전송 트랜지스터(Tx), 리셋 트랜지스터(Rx), 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 선택 트랜지스터(Sx)가 각각 활성영역의 상부를 가로지르는 형태로 배치될 수 있다.
기판(110)의 활성영역 상에는 각각 전송 트랜지스터(Tx), 리셋 트랜지스터(Rx), 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 선택 트랜지스터(Sx)의 게이트들(120, 130, 140, 150)이 위치할 수 있다. 전송 게이트(120), 리셋 게이트(130), 드라이브 게이트(140) 및 선택 게이트(150)는 각각의 게이트 절연층(121, 131, 141, 151)과 각각의 게이트 전극들(122, 132, 142, 152)을 구비할 수 있다.
전송 게이트(120), 리셋 게이트(130) 및 선택 게이트(150)의 게이트 절연층(121, 131, 151)은 서로 동일한 물질로 형성될 수 있고, 예컨대 실리콘산화물을 포함할 수 있다. 한편, 드라이브 게이트(140)의 게이트 절연층(141)은 매립채널을 유도하는 고정된 음전하가 막 내에 포함된 게이트 절연층(141)을 포함할 수 있다. 드라이브 게이트(140)의 게이트 절연층(141)은 매립 채널을 유도하는 고정된 음전하를 포함하는 음전하보유층(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 게이트 절연층(141)은 음전하보유층(미도시)의 배리어역할을 위하여 기판에 인접하게 형성된 배리어층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 이에 대하여는 후속 도면을 통해 자세히 설명하기로 한다.
전송 게이트(120), 리셋 게이트(130), 드라이브 게이트(140) 및 선택 게이트(150)의 게이트전극들(122, 132, 142, 152)은 서로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 폴리실리콘, 텅스텐, 티타늄질화물, 탄탈륨 및 탄탈륨질화물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 이들의 복합층을 포함할 수 있다.
전송 게이트(120), 리셋 게이트(130), 드라이브 게이트(140) 및 선택 게이트(150) 사이에 위치하는 기판(110)에는 소스영역 및 드레인영역(111, 112, 113, 114)이 위치할 수 있다. 전송 게이트(120)의 소스영역은 포토 다이오드(PD)에 해당하며, 전송 게이트(120)의 드레인영역(111)은 부유확산영역(FD)에 연결될 수 있다. 리셋 게이트(130)는 전송 게이트(120)의 드레인영역(111)을 공유하고, 드라이브 게이트(140)의 소스영역(112)을 공유할 수 있다. 이때, 전송 게이트(120)의 드레인영역(111)은 리셋 게이트(130)에 대해서는 소스영역(111)에 해당하고, 드라이브 게이트(140)의 소스영역(112)은 리셋 게이트(130)에 대해서는 드레인영역(112)에 해당할 수 있다. 드라이브 게이트(140)는 리셋 게이트(130)의 드레인영역(112)을 공유하고, 선택 게이트(150)의 소스 영역(113)을 공유할 수 있다. 이때, 선택 게이트(150)의 소스 영역(113)은 드라이브 게이트(140)에 대해서는 드레인 영역(113)에 해당할 수 있다. 리셋 게이트(130)의 드레인영역(112)과 드라이브 게이트(140)의 소스영역(112)은 입력 전원(Vdd)에 연결될 수 있다. 선택 게이트(150)의 드레인영역(114)은 출력전압(Vout)에 연결될 수 있다. 여기서, 소스영역과 드레인영역(111, 112, 113, 114)은 편의상 구분한 것으로, 서로 바뀌어 불릴 수 있다.
한편, 드라이브 게이트(140)와 기판(110) 계면의 트랩작용 즉, 실리콘(Si)/실리콘 산화물(SiO2) 계면의 댕글링본드(dangling bond)에 의해 이동중인 전자(electron)이 트랩 및 릴리즈(trap and release)를 반복하며 해당 노드에 전압변화(Voltage variance)를 일으켜 플리커 노이즈(flicker noise)가 발생할 수 있다.
따라서, 본 실시예에서는 드라이브 게이트(140)의 게이트 절연층(141)이 매립채널을 유도하는 고정된 음전하가 막 내에 포함된 음전하보유층(미도시)을 포함하도록 형성함으로써, 플리커 노이즈를 개선할 수 있으며, 이에 대하여는 후속 도면을 통해 자세히 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터를 나타낸 단면도이다. 도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다. 이해를 돕기 위해 도 4 및 도 5에서는 동일한 도면부호를 사용하여 설명하기로 한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 기판(11) 상에 게이트 절연층(13) 및 게이트전극(14)이 적층된 게이트패턴을 형성할 수 있다. 그리고, 게이트패턴의 양측 기판에 이온주입을 통해 접합영역(12) 즉, 소스영역과 드레인영역을 형성할 수 있다. 게이트 절연층(13)은 음전하보유층을 포함할 수 있다.
이를 형성하기 위해, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(11) 상에 게이트 절연층(13)을 형성한다. 게이트 절연층(13)은 매립채널을 유도하는 고정된 음전하를 갖는 음전하 보유층을 포함할 수 있다. 그리고, 음전하보유층과 기판(11) 사이에 배리어층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
배리어층(미도시)은 음전하보유층과 기판(11)의 계면에 실리사이드(Silicide) 형성을 방지하는 역할 및/또는 고정된 음전하의 이동을 방지하기 위한 배리어 역할을 할 수 있다. 예컨대, 배리어층은 실리콘산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, 실리콘산화물은 플라즈마 산화(Plasma oxidation) 또는 리모트 인시튜 산화(Remote Insitu Oxidation) 공정 또는 화합물(Ⅲ-Ⅳ)을 결합하여 라미네이트(Laminate) 구조로 형성할 수 있다.
음전하보유층은 매립채널을 유도하는 고정된 음전하가 막 내에 포함된 절연층을 포함할 수 있다. 예컨대, 음전하보유층(13B)은 알루미늄산화막(Al2O3), 하프늄산화막(HfO2), 지르코늄산화막(ZrO2), 탄탈륨산화막(Ta2O5) 및 티타늄산화막(TiO2)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 금속산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, 음전하보유층은 원자층증착법(Atomic Layer Deposition)으로 형성할 수 있다.
음전하보유층은 막 내에 매립채널을 유도할 만큼의 충분한 고정된 음전하를 포함할 수 있으며, 예컨대 1×1014ions/cm2∼1×1016ions/cm2의 전하량을 포함할 수 있다. 음전하보유층은 예컨대, 1nm∼10nm의 두께를 포함할 수 있다. 그러나, 두께 및 전하량은 이에 한정되지 않으며 소자의 필요에 따라 그 두께 및 필요 전하량이 변경될 수 있다.
매립채널을 유도할 만큼의 고정된 음전하를 포함하는 음전하보유층을 형성하는 공정은 인시튜 공정과 후처리 공정으로 각각 나누어 진행할 수 있다. 인시튜 공정은 음전하보유층 증착시 막 내에 산소공공(Oxygen Vacancy)을 증가시키는 방향으로 진행할 수 있고, 후처리 공정은 막 내에 고정된 전하를 인위적으로 증가시키는 방향으로 진행할 수 있다.
인시튜 공정은 예컨대, 증착온도를 낮추는 방법, 증착사이클을 감소시키는 방법, 또는 플라즈마 이온주입 방법 중에서 어느 하나 또는 둘 이상의 방법으로 진행할 수 있다. 예컨대, 음전하보유층의 증착온도를 200℃∼350℃로 유지하는 방법, 음전하보유층의 증착 사이클을 적어도 100cycle 이내로 한정하는 방법, 플라즈마를 이용하여 막 증착 사이에 이온주입을 진행하는 방법 등을 진행할 수 있다.
후처리 공정은 예컨대, 이온주입 공정 또는 열처리 공정으로 진행할 수 있다.예컨대, 금속산화층 형성 후 N타입 이온(예컨대, 인(Ph) 또는 비소(As))을 도핑하는 공정을 진행할 수 있다. 또는, H2N2 또는 N2 분위기에서 퍼니스 열처리를 통해 금속산화물 내의 결합을 분해하여 공공(Vacancy)을 증가시키는 공정을 진행할 수 있다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 게이트 절연층(13) 상에 도전층(미도시)을 형성하고, 도전층(미도시) 및 게이트 절연층(13)을 패터닝하여 게이트패턴을 형성할 수 있다. 패터닝된 도전층은 게이트전극(14)이 된다. 게이트전극(14)은 전극 역할이 가능한 물질 예컨대, 폴리실리콘, 금속층 또는 금속함유층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 형성된 트랜지스터는 게이트패턴 및 양 기판의 접합영역(12)에 전압이 걸림에 따라 게이트절연층(13) 내의 음전하가 계면 쪽에 정렬되고, 정렬된 음전하에 의해 정공 역시 계면에 축적되어 축적층(15, Accumulation layer)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 채널(16)은 축적층(15) 하부에 배리드 채널(Buried channel) 형태로 형성될 수 있다. 더욱이, 기판(11)과 게이트 절연층(13) 사이의 계면 즉, 댕글링본드(Dangling bond) 영역에 축적층(15)이 형성되어 채널(16) 내의 전자들이 이동시 트랩(trap)되는 문제를 원천적으로 차단할 수 있으며, 따라서 드라이브 트랜지스터 적용시 트랩에 의한 플리커 노이즈를 제거할 수 있다.
본 실시예에서는 드라이브 트랜지스터를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며, 트랩에 의한 플리커 노이즈가 제거된 트랜지스터는 노이즈가 중요한 영역에서 모두 적용이 가능하며, 예컨대 ADC(Analog to Digital Convertor), RAMP 증폭기 등에 적용할 수 있다. 또한, 상기의 트랜지스터를 전송 트랜지스터에 적용하여 암전류 특성을 개선할 수 있으며, 선택 트랜지스터에 적용하여 스위칭 속도를 개선할 수 있다.
이상으로 해결하고자 하는 과제를 위한 다양한 실시예들이 기재되었으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자진 자라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 이루어질 수 있음은 명백하다.
11: 기판 12 : 접합영역
13 : 게이트 절연층 14 : 게이트전극
15 : 축적층 16 : 채널

Claims (19)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성되며, 매립채널을 유도하는 고정된 음전하를 갖는 음전하 보유층을 포함하는 게이트 절연층; 및
    상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 음전하보유층은 알루미늄산화막, 하프늄산화막, 지르코늄산화막, 탄탈륨산화막 및 티타늄산화막으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 금속산화물을 포함하는 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 음전하보유층은 막 내에 1×1014 ∼ 1×1019 ions/cm2의 고정된 음전하를 포함하는 트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 절연층은 상기 기판에 인접하여 형성된 배리어층을 더 포함하는 트랜지스터.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 배리어층은 실리콘산화물을 포함하는 트랜지스터.
  6. 광전변환영역 및 플로팅 확산영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 형성되고, 게이트 절연층을 포함하는 트랜스퍼 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터, 및 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서에 있어서,
    상기 드라이브 트랜지스터의 게이트 절연층은 매립채널을 유도하는 고정된 음전하를 갖는 음전하 보유층을 포함하는 이미지 센서.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 음전하보유층은 알루미늄산화막, 하프늄산화막, 지르코늄산화막, 탄탈륨산화막 및 티타늄산화막으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 금속산화물을 포함하는 이미지 센서.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 음전하보유층은 막 내에 1×1014 ∼ 1×1019 ions/cm2의 고정음전하를 포함하는 이미지 센서.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 게이트 절연층은 상기 기판에 인접하여 형성된 배리어층을 더 포함하는 이미지 센서.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 배리어층은 실리콘산화물을 포함하는 이미지 센서.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 전송 트랜지스터 및/또는 선택 트랜지스터의 게이트 절연층은 매립채널을 유도하는 고정된 음전하를 갖는 음전하 보유층을 포함하는 이미지 센서.
  12. 기판 상에 막 내에 고정된 음전하를 갖는 음전하보유층을 포함하는 게이트 절연층을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연층 상에 도전층을 형성하는 단계; 및
    상기 도전층 및 게이트 절연층을 식각하여 트랜지스터를 형성하는 단계
    를 포함하는 트랜지스터 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 음전하보유층은 알루미늄산화막, 하프늄산화막, 지르코늄산화막, 탄탈륨산화막 및 티타늄산화막으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 금속산화물을 포함하는 트랜지스터 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 음전하보유층은 막 내에 1×1014 ∼ 1×1019ions/cm2의 고정음전하를 포함하는 트랜지스터 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 금속산화물을 형성하는 단계; 및
    상기 금속산화물에 N타입의 이온주입을 진행하는 단계
    를 포함하는 트랜지스터 제조 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 금속산화물을 형성하는 단계; 및
    상기 금속산화물에 열처리를 진행하는 단계를 포함하는 트랜지스터 제조 방법.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는,
    원자층증착법으로 진행하는 트랜지스터 제조 방법.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는,
    원자층증착법으로 진행하고, 상기 원자층증착 공정시 플라즈마를 이용한 N타입 이온주입을 진행하는 트랜지스터 제조 방법.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 배리어층을 형성하는 단계; 및
    상기 배리어층 상에 상기 음전하보유층을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터 제조 방법.
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