JP7013209B2 - 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Description
2.第1の実施の形態
3.画素の製造工程
4.第2の実施の形態
5.上部電極に電圧を印加する構成の製造工程
6.第3の実施の形態
7.貫通電極と固定電荷膜が接触しない構成の製造工程
8.第4の実施の形態
9.貫通電極を基板表面から形成する製造工程
10.電子機器の構成例
11.イメージセンサの使用例
図1は、本技術の固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。
図2は、本技術の第1の実施の形態に係る固体撮像装置10の断面図である。
次に、図3乃至図15を参照して、画素20の製造工程について説明する。
図18は、本技術の第2の実施の形態に係る固体撮像装置10の断面図である。
次に、図19乃至図23を参照して、上部電極82に電圧を印加する構成の製造工程について説明する。
図26は、本技術の第3の実施の形態に係る固体撮像装置10の断面図である。
(例1)
次に、図27乃至図33を参照して、貫通電極58と固定電荷膜171が接触しない構成の製造工程の一例について説明する。
上述した図30の工程で、貫通孔181を配線層61まで開口する際、例えば、希フッ酸洗浄を用いたエッチングを行うと、図34に示されるように、固定電荷膜171が横方向にエッチングされることで後退し、溝181eが形成される。
上述した図30の工程では、プラズマエッチングにより、貫通孔181が配線層61まで達するように開口されるものとしたが、図38に示されるように、配線層61まで達する前に加工を停止するようにしてもよい。
上述した図28の工程の後、図29の工程では、固定電荷膜171が成膜された貫通孔181内に、絶縁膜70が成膜されるようにした。これに限らず、貫通孔181内に固定電荷膜171が成膜された(図28の工程)後、図42に示されるように、プラズマエッチングにより、貫通孔181の底部の固定電荷膜171が除去されるようにしてもよい。
以上においては、貫通電極58が、多層配線層60中の配線層に接触する構造について説明したが、図46に示されるように、貫通電極58が、多層配線層60中の配線層に接触しない構造を採るようにしてもよい。
図49は、本技術の第4の実施の形態に係る固体撮像装置10の断面図である。
次に、図50乃至図61を参照して、貫通電極253を半導体基板50の表面50Aから形成する製造工程について説明する。
そこで、図62を参照して、本技術を適用した電子機器の構成例について説明する。
最後に、本技術を適用したイメージセンサの使用例について説明する。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
(1)
半導体基板の第1の面側に形成された配線層と、
前記半導体基板の第2の面側に形成された光電変換素子と、
一端が前記第1の面を貫通して前記配線層に接続され、他端が前記光電変換素子に接続されるように形成された貫通電極と
を備える固体撮像装置。
(2)
前記貫通電極は、画素毎に形成され、前記貫通電極の他端は、前記光電変換素子において画素毎に設けられた電極に接続され、
前記配線層は、画素毎に形成され、フローティングディフュージョンおよび増幅トランジスタに接続される
(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記配線層は、他の配線層よりも前記第2の面に近い側に形成される
(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記配線層は、WまたはTiで形成される
(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(5)
少なくとも1つの光電変換部が、前記半導体基板内で画素毎に形成される
(2)に記載の固体撮像装置。
(6)
前記貫通電極の他端は、前記光電変換素子において各画素に共通して設けられた電極に接続され、
前記配線層は、電源配線に接続される
(1)に記載の固体撮像装置。
(7)
前記配線層は、ゲート電極を介して、前記電源配線に接続される
(6)に記載の固体撮像装置。
(8)
前記ゲート電極は、素子分離膜上に形成される
(7)に記載の固体撮像装置。
(9)
前記貫通電極は、W,Cu,Al,Ti,Co,Hf、またはTaにより形成される
(1)乃至(8)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(10)
前記貫通電極の前記配線層側の先端は、テーパー形状に形成される
(1)乃至(9)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(11)
前記貫通電極が形成される貫通孔には、固定電荷膜が成膜された上に絶縁膜が成膜され、
前記絶縁膜は、前記貫通孔の前記第1の面側の開口部分の側面において、前記貫通電極と前記固定電荷膜とが接触しないように成膜される
(1)に記載の固体撮像装置。
(12)
前記貫通孔には、前記固定電荷膜上に第1の絶縁膜が成膜され、前記貫通孔の前記第1の面側の底部の一部が開口された上に第2の絶縁膜が成膜され、
前記第2の絶縁膜は、前記開口部分の側面において、前記貫通電極と前記固定電荷膜とが接触しないように成膜される
(11)に記載の固体撮像装置。
(13)
前記第2の絶縁膜は、前記固定電荷膜より高い絶縁性を有する
(12)に記載の固体撮像装置。
(14)
前記貫通孔には、前記固定電荷膜が成膜され、前記貫通孔の前記第1の面側の底部が開口された上に前記絶縁膜が成膜される
(11)に記載の固体撮像装置。
(15)
半導体基板の第1の面側に、配線層を形成し、
一端が前記第1の面を貫通して前記配線層に接続されるように貫通電極を形成し、
前記半導体基板の第2の面側に、前記貫通電極の他端が接続されるように光電変換素子を形成する
ステップを含む固体撮像装置の製造方法。
(16)
ボッシュプロセスを用いて、一端が前記第1の面を貫通して前記配線層に接続されるように前記貫通電極を形成する
(15)に記載の固体撮像装置の製造方法。
(17)
前記半導体基板における前記貫通電極の形成予定領域に、高濃度の不純物領域を形成する
(15)または(16)に記載の固体撮像装置の製造方法。
(18)
前記貫通電極は、前記半導体基板の前記第2の面側から形成される
(15)に記載の固体撮像装置の製造方法。
(19)
前記貫通電極は、前記半導体基板の前記第1の面側から形成される
(15)に記載の固体撮像装置の製造方法。
(20)
半導体基板の第1の面側に形成された配線層と、
前記半導体基板の第2の面側に形成された光電変換素子と、
一端が前記第1の面を貫通して前記配線層に接続され、他端が前記光電変換素子に接続されるように形成された貫通電極とを有する固体撮像装置
を備える電子機器。
Claims (16)
- 半導体基板の第1の面側に形成された配線層と、
前記半導体基板の第2の面側に形成された光電変換素子と、
一端が前記第1の面を貫通して前記配線層に接続され、他端が前記光電変換素子に接続されるように形成された貫通電極と
を備え、
前記貫通電極が形成される貫通孔は、前記貫通孔の側面および前記第1の面側の底部において、固定電荷膜が成膜された上に第1の絶縁膜が成膜され、さらに、前記底部の一部が開口された上に第2の絶縁膜が成膜されてなり、
前記第2の絶縁膜は、前記底部の開口部分の側面において露出する前記固定電荷膜と、前記貫通電極とが接触しないように成膜される
固体撮像装置。 - 前記貫通電極は、画素毎に形成され、前記貫通電極の他端は、前記光電変換素子において画素毎に設けられた電極に接続され、
前記配線層は、画素毎に形成され、フローティングディフュージョンおよび増幅トランジスタに接続される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記配線層は、他の配線層よりも前記第2の面に近い側に形成される
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記配線層は、WまたはTiで形成される
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 少なくとも1つの光電変換部が、前記半導体基板内で画素毎に形成される
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記貫通電極の他端は、前記光電変換素子において各画素に共通して設けられた電極に接続され、
前記配線層は、電源配線に接続される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記配線層は、ゲート電極を介して、前記電源配線に接続される
請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記ゲート電極は、素子分離膜上に形成される
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記貫通電極は、W,Cu,Al,Ti,Co,Hf、またはTaにより形成される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記貫通電極の前記配線層側の先端は、テーパー形状に形成される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の絶縁膜は、前記固定電荷膜より高い絶縁性を有する
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 半導体基板の第1の面側に、配線層を形成し、
一端が前記第1の面を貫通して前記配線層に接続されるように貫通電極を形成し、
前記半導体基板の第2の面側に、前記貫通電極の他端が接続されるように光電変換素子を形成する固体撮像装置の製造方法において、
前記貫通電極が形成される貫通孔を、前記貫通孔の側面および前記第1の面側の底部において、固定電荷膜を成膜した上に第1の絶縁膜を成膜し、さらに、前記底部の一部を開口した上に第2の絶縁膜を成膜して形成し、
前記第2の絶縁膜を、前記底部の開口部分の側面において露出する前記固定電荷膜と、前記貫通電極とが接触しないように成膜する
固体撮像装置の製造方法。 - ボッシュプロセスを用いて、一端が前記第1の面を貫通して前記配線層に接続されるように前記貫通電極を形成する
請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記半導体基板における前記貫通電極の形成予定領域に、高濃度の不純物領域を形成する
請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記貫通電極は、前記半導体基板の前記第2の面側から形成される
請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板の第1の面側に形成された配線層と、
前記半導体基板の第2の面側に形成された光電変換素子と、
一端が前記第1の面を貫通して前記配線層に接続され、他端が前記光電変換素子に接続されるように形成された貫通電極とを有し、
前記貫通電極が形成される貫通孔は、前記貫通孔の側面および前記第1の面側の底部において、固定電荷膜が成膜された上に第1の絶縁膜が成膜され、さらに、前記底部の一部が開口された上に第2の絶縁膜が成膜されてなり、
前記第2の絶縁膜は、前記底部の開口部分の側面において露出する前記固定電荷膜と、前記貫通電極とが接触しないように成膜された固体撮像装置
を備える電子機器。
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