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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung,
worin der Betrieb eines Dünnfilmlumineszenzelements,
wie etwa eines Elektrolumineszenzelements (nachfolgend als „EL Element" bezeichnet) oder
eines lichtemittierenden Diodenelements (nachfolgend als „LED Element" bezeichnet), das
Licht emittiert, wenn ein Treiberstrom durch einen lumineszenten
Dünnfilm
wie etwa einem organischen Halbleiterfilm hindurchtritt, durch einen Dünnfilmtransistor
gesteuert wird (nachfolgend als „TFT" bezeichnet).
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Technischer
Hintergrund
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Eine
Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung ist vorgeschlagen worden, die ein
stromgesteuertes Lumineszenzelement wie etwa ein EL Element oder
ein LED Element verwendet. Alle diese Lumineszenzelemente sind selbstleuchtend,
was dahingehend vorteilhaft macht, dass sie kein Hintergrundlicht
benötigen,
das im Falle einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
erforderlich ist, und dass sie weniger von Blickwinkeln abhängig sind.
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4 ist
ein Blockdiagramm einer Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung, die ein
EL Element anwendet, das Licht mittels eines organischen Halbleiterdünnfilms
vom Ladungsinjektionstyp verwendet. Auf einem transparenten Substrat 10 einer
Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1A sind angeordnet eine Mehrzahl
von Abtastleitungen gate, eine Mehrzahl von Datenleitungen sig,
die sich in einer derartigen Richtung erstrecken, dass sie sich
mit der Richtung schneiden, in der sich die Abtastleitungen gate erstrecken,
eine Mehrzahl gemeinsamer Speiseleitungen com parallel zu den Datenleitungen
sig, sowie Pixel 7, die in einem Matrixmuster durch die
Datenleitungen sig und die Abtastleitungen gate gebildet sind. Eine
datenseitige Treiberschaltung 3 und eine abtastseitige
Treiberschaltung 4 sind für die Datenleitungen sig und
die Abtastleitungen gate konfiguriert. Für jeden Pixel 7 vorgesehen
sind eine Durchlasssteuerschaltung 50, der Abtastsignale über die
Abtastleitungen gate zugeführt
werden, sowie ein Dünnfilmlumineszenzelement 40,
das Licht entsprechend Bildsignalen abgibt, die durch die Datenleitungen
sig über
die Durchlasssteuerschaltungen 50 zugeführt werden. Die Durchlasssteuerschaltung 50 ist
durch einen ersten TFT 20 gebildet, in dem Abtastsignale einer
Gateelektrode davon über
die Abtastleitungen gate zugeführt
werden, einen Rückhaltekondensator cap,
der Bildsignale zurückhält, die
durch die Datenleitungen sig über
den ersten TFT 20 zugeführt
werden, sowie einen zweiten TFT 30, in dem die durch den
Rückhaltekondensator
cap zurückgehaltenen Bildsignale
einer Gateelektrode davon zugeführt
werden. Der zweite TFT 30 und das Dünnfilmlumineszenzelement 40 sind
in Serie zwischen einer entgegengesetzten Elektrode op und den gemeinsamen Speiseleitungen
com angeschlossen, wie nachfolgend zu diskutieren ist. Wenn dieser
TFT 30 in einen EIN-Zustand versetzt wird, fließt der Treiberstrom durch
die gemeinsamen Speiseleitungen com mit der Folge, dass das Dünnfilmlumineszenzelement 40 Licht
emittiert und der Lumineszenzzustand durch den Rückhaltekondensator cap für eine vorbestimmte
Zeitdauer gehalten wird.
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5 ist
eine Draufsicht, die eines der Pixel zeigt, die in der in 4 gezeigten
Aktivmatrixanzeigevorrichtung enthalten sind. Die 6(A), (B) und (C) sind
Schnittansichten entlang der Linie A-A', eine Schnittansicht entlang der Linie
B-B' und eine Schnittansicht
entlang der Linie C-C' jeweils
von 5.
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In
der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1A mit dieser Konfiguration
werden der erste TFT 20 und der zweite TFT 30 in
dem gleichen Prozess gebildet, unter Verwendung inselartiger Halbleiterfilme
in jedem Pixel 7, wie in 5 und in 6(A) und 6(B) gezeigt.
Der erste TFT 20 hat eine Gateelektrode 21, die
als Teil der Abtastleitung gate konfiguriert ist. In dem ersten
TFT 20 ist die Datenleitung sig über ein Kontaktloch eines ersten
Zwischenlagenisolierfilms 51 mit einem Ende eines source
und drain Bereichs elektrisch verbunden, während eine Drainelektrode 22 mit
dem anderen Ende davon elektrisch verbunden ist. Die Drainelektrode 22 ist
zu dem Bereich hin verlängert,
wo der zweite TFT 30 ausgebildet ist. Eine Gateelektrode 31 des
zweiten TFT 30 ist mit dem verlängerten Abschnitt über ein
Kontaktloch des ersten Zwischenlagenisolierfilms 51 elektrisch
verbunden. Eine Relaiselektrode 35 ist mit einem Ende des
Source- und Drainbereichs des zweiten TFT 30 über das Kontaktloch
des ersten Zwischenlagenisolierfilms 51 elektrisch verbunden.
Eine Pixelelektrode 41 des Dünnfilmlumineszenzelements 40 ist
mit der Relaiselektrode 35 über ein Kontaktloch des zweiten
Zwischenlagenisolierfilms 52 elektrisch verbunden.
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Wie
aus 5 und den 6(B) und 6(C) ersichtlich, ist die Pixelelektrode 41 für jedes
Pixel 7 unabhängig
ausgebildet. Auf die Oberlagenseite der Pixelelektrode 41 sind
ein organischer Halbleiterfilm 43 und die entgegengesetzte
Elektrode op in dieser Reihenfolge laminiert. Die entgegengesetzte
Elektrode op ist so ausgebildet, dass sie zumindest den Anzeigeabschnitt 11 überdeckt.
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Zurück zu 5 und 6(A), ist die gemeinsame Speiseleitung
com mit dem anderen Ende des Source- und Drainbereichs des zweiten
TFT 30 über
das Kontaktloch des ersten Zwischenlagenisolierfilms 51 elektrisch
verbunden. Ein verlängerter Abschnitt 39 der
gemeinsamen Speiseleitung com ist gegenüber einem verlängerten
Abschnitt 36 der Gateelektrode 31 des zweiten
TFT 30 angeordnet, wobei der erste Zwischenlagenisolierfilm 51 als
dielektrischer Film dazwischen aufgenommen ist, um den Rückhaltekondensator
cap zu bilden.
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Die
Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1A bietet einen großen Vorteil
darin, dass die entgegengesetzte Elektrode op, die auf dem transparenten
Substrat 10 aufgelagert ist, ohne ein Laminieren eines entgegengesetzten
Substrats auskommt, was sie selbst von einer Aktiv-Matrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
unterscheidet. Jedoch ist das Dünnfilmlumineszenzelement 40 einfach
durch die dünne
entgegengesetzte Elektrode op abgedeckt, so dass Feuchtigkeit oder
Sauerstoff durch Diffusion und Durchlass durch die entgegengesetzte
Elektrode op in den organischen Halbleiterfilm 43 eindringt,
was zu einer Gefahr verschlechterter Leuchtwirkung, einer höheren Treiberspannung
(Verschiebung einer Schwellenspannung zu einer höheren Spannungsseite) und einer
verschlechterten Zuverlässigkeit
des Dünnfilmlumineszenzelements 40 führt. Um
den Eintritt von Feuchtigkeit oder Sauerstoff zu verhindern, ist
in der herkömmlichen
Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1A ein Verfahren entwickelt
worden, worin zumindest der Anzeigeabschnitt 11 mit einem
entgegengesetzten Substrat abgedeckt, und der Außenumfang des entgegengesetzten
Substrats versiegelt wurde. Dieses Verfahren opfert jedoch unvermeidlich den
Vorteil gegenüber
der Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
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Dementsprechend
ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung
anzugeben, die in der Lage ist, ein Dünnfilmlumineszenzelement vor
Feuchtigkeit etc. mittels einer einfachen Struktur zu schützen.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird eine Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung
angegeben, umfassend: einen Anzeigeabschnitt auf einem Substrat, wobei
der Anzeigeabschnitt gebildet ist durch eine Mehrzahl von Abtastleitungen,
eine Mehrzahl von die Abtastleitungen schneidenden Datenleitungen
sowie eine Mehrzahl von Pixeln, die in einem Matrixmuster durch
die Datenleitungen und die Abtastleitungen gebildet sind, wobei
jedes der Pixel eine Durchlasssteuerschaltung mit einem Dünnfilmtransistor
aufweist, dessen Gateelektrode über
die Abtastleitungen ein Abtastsignal zugeführt wird, eine Pixelelektrode,
die mit der Durchlasssteuerschaltung verbunden und für jedes
Pixel ausgebildet ist, einen lumineszenten Dünnfilm, der auf der Oberlagenseite
der Pixelelektrode aufgelagert ist, sowie ein Dünnfilm-Lumineszenz-Element,
das mit einer entgegengesetzten Elektrode ausgestattet ist, die
zumindest auf der gesamten Oberfläche des Anzeigeabschnitts auf
der Oberlagenseite des lumineszenten Dünnfilms ausgebildet ist, wobei
das Dünnfilm-Lumineszenz-Element Licht
entsprechend Bildsignalen abgibt, die von den Datenleitungen über die
Durchlasssteuerschaltung zugeführt
werden, worin:
die Durchlasssteuerschaltung und der lumineszente Dünnfilm in
einer derartigen Positionsbeziehung angeordnet sind, dass sie einander
nicht überlappen, und
worin:
die entgegengesetzte Elektrode und eine Schutzschicht
aufeinanderfolgend über
den lumineszenten Dünnfilm
ausgebildet sind.
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Gemäß der Konfiguration
kann das Dünnfilmlumineszenzelement
gegen Feuchtigkeit geschützt
werden, die durch die entgegengesetzte Elektrode diffundiert oder
hindurchgeht, da der Schutzfilm auf der Oberlagenseite der entgegengesetzte
Elektrode des Dünnfilmlumineszenzelements ausgebildet
ist. Daher ist es möglich,
eine verschlechterte Leuchtwirkung, einen Anstieg der Treiberspannung
(die Verschiebung der Schwellenspannung zu der höheren Spannungsseite), eine
verschlechterte Zuverlässigkeit
etc. in dem Dünnfilmlumineszenzelement
zu verhindern. Darüber
hinaus kann der Schutzfilm mittels eines Halbleiterprozesses leicht
ausgebildet werden, so dass er die Herstellungskosten der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung nicht
erhöht.
Daher kann die Zuverlässigkeit
der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung verbessert werden, während der
Vorteil der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung verhält, die das Dünnfilmlumineszenzelement verwendet,
in der kein entgegengesetztes Substrat abgelagert zu werden braucht.
Da ferner der Schutzfilm das Dünnfilmlumineszenzelement
schützt,
kann das für
die entgegengesetzte Elektrode verwendete Material hauptsächlich aus
dem im Hinblick auf die Leuchtwirkung oder die Treiberspannung des
Dünnfilmlumineszenzelements
ausgewählt
werden, um einen anderen Vorteil darin zu erlangen, dass das Material
nicht auf ein solches beschränkt
ist, dass eine hohe Leistung zum Schützen des Dünnfilmlumineszenzelements hat.
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In
der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass der lumineszente
Dünnfilm
durch einen Isolierfilm unterteilt ist, der auf der Unterlagenseite der
entgegengesetzten Elektrode ausgebildet ist, so dass er dicker als
der organische Halbleiterfilm ist. In der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung,
welche das Dünnfilmlumineszenzelement
verwendet, ist die entgegengesetzte Elektrode zumindest über der
Gesamtoberfläche
des Anzeigeabschnitts und der entgegengesetzten Datenleitung ausgebildet;
daher wird ein großer
parasitischer Kondensator auf der Datenleitung wie sie ist hergestellt.
Gemäß der vorliegenden
Erfindung macht es jedoch das Vorhandensein des dicken Isolierfilms
zwischen der Datenleitung und der entgegengesetzten Elektrode möglich, zu
verhindern, dass der parasitische Kondensator auf der Datenleitung
hergestellt wird. Im Ergebnis kann die Last auf eine datenseitige
Treiberschaltung reduziert werden, was einen reduzierten Stromverbrauch
oder einen schnelleren Anzeigebetrieb ermöglicht. Zusätzlich kann der, wie oben erwähnt, ausgebildete
Isolierfilm als Bankschicht verwendet werden, um zu verhindern,
dass Entladungsflüssigkeit
austritt, wenn der lumineszente Dünnfilm durch einen Tintenstrahlprozess
in einem durch den Isolierfilm unterteilten Bereich ausgebildet
wird.
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In
der vorliegenden Erfindung ist die entgegengesetzte Elektrode z.
B. aus einem ein Alkalimetall enthaltenden Aluminiumfilm gebildet.
Wenn die entgegengesetzte Elektrode aus einem solchen Film gebildet
ist, ist die Möglichkeit
der Diffussion oder Durchtritt von Feuchtigkeit etc. höher; daher
ist die Wirkung der Bildung des Schutzfilms deutlich.
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In
der vorliegenden Erfindung kann der Schutzfilm aus einem Isolierfilm
wie etwa einem Siliciumnitridfilm gebildet sein, oder kann aus einem
leitenden Film aus Metall mit hohem Schmelzpunkt oder einer Legierung
davon gebildet sein. Ferner kann alternativ der Schutzfilm aus einem
leitenden Film wie etwa einem Reinaluminiumfilm, einem siliciumhaltigen
Aluminiumfilm oder einem kupferhaltigen Aluminiumfilm gebildet sein.
Ferner kann der Schutzfilm aus zwei Lagen gebildet sein, die aus
einem leitenden Film und einem isolierenden Film bestehen. Wenn
der auf der entgegengesetzten Elektrode ausgebildete Schutzfilm
als leitender Film ausgebildet ist, kann der gleiche Effekt erreicht
werden, wie er aus dem Absenken des elektrischen Widerstands der elektrischen
Elektrode erhalten werden kann. Wenn der dicke Isolierfilm, der
den Bereich dort unterteilt, wo der organische Halbleiterfilm gebildet
ist, ausgebildet wird, kann die durch den Isolierfilm erzeugte große Höhendifferenz
eine Trennung von der entgegengesetzten Elektrode verursachen, die
auf der Oberlagenseite davon ausgebildet ist. Die Bildung des Schutzfilms,
der auf der entgegengesetzten Elektrode eines leitenden Films abgelagert
ist, macht es möglich,
die Trennung der entgegengesetzten Elektrode zu verhindern, weil
der leitende Film eine redundante Aderstruktur bildet. Auch wenn
dementsprechend der dicke Isolierfilm um den organischen Halbleiterfilm
herum ausgebildet wird, um eine parasitische Kapazität in einer
Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung
zu unterdrücken,
tritt die Trennung der auf der Oberlage des Isolierfilms gebildeten
entgegengesetzten Elektrode nicht auf, was ermöglicht, dass eine verbesserte
Anzeigequalität
und Zuverlässigkeit der
Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung erreicht wird.
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In
der vorliegenden Erfindung ist die Durchlasssteuerschaltung bevorzugt
mit dem ersten TFT versehen, worin die Abtastsignale dessen Gateelektrode
zugeführt
werden, sowie dem zweiten TFT, worin dessen Gateelektrode mit den
Datenleitungen über
den ersten TFT verbunden ist, und wobei der zweite TFT und das Dünnfilmlumineszenzelement
in Serie zwischen der gemeinsamen Speiseleitung zum Zuführen des
Treiberstroms, die separat von den Datenleitungen in den Abtastleitungen
konfiguriert ist und deren entgegengesetzten Elektroden verbunden sind.
In anderen Worten, die Durchlasssteuerschaltung könnte durch
einen TFT und einen Rückhaltekondensator
aufgebaut werden; jedoch ist es bevorzugt, die Durchlasssteuerschaltung
jedes Pixels durch zwei TFTs und einem Rückhaltekondensator zu konfigurieren,
um eine höhere
Anzeigequalität
zu erreichen.
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Kurzbeschreibung
der Zeichnungen
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1 ist
ein Blockdiagramm mit schematischer Darstellung eines Gesamtlayouts
einer Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung, auf die die vorliegende Erfindung
angewendet worden ist.
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2 ist
eine Draufsicht eines der Pixel, die in der in 1 gezeigten
Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung enthalten sind.
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3(A), (B) und (C) sind jeweils eine Schnittansicht entlang
der Linie A-A', eine Schnittansicht
entlang der Linie B-B' und
eine Schnittansicht entlang der Linie C-C' jeweils von 2.
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4 ist
ein Blockdiagramm mit schematischer Darstellung des Gesamtlayouts
einer herkömmlichen
Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung.
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5 ist
eine Draufsicht eines der Pixel, die in der in 4 gezeigten
Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung enthalten sind.
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6(A), (B) und (C) sind jeweils eine Schnittansicht entlang
der Linie A-A', eine Schnittansicht
entlang der Linie B-B' und
eine Schnittansicht entlang der Linie C-C' jeweils von 5.
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Beschreibung
der Bezugszahlen
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- 1
- Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung
- 2
- Anzeigeabschnitt
- 3
- datenseitige
Treiberschaltung
- 4
- abtastseitige
Treiberschaltung
- 7
- Pixel
- 10
- transparentes
Substrat
- 12
- Anschluss
- 20
- erster
TFT
- 21
- Gateelektrode
des ersten TFT
- 30
- zweiter
TFT
- 31
- Gateelektrode
des zweiten TFT
- 40
- Lumineszenzelement
- 41
- Pixelelektrode
- 43
- organischer
Halbleiter
- 60
- Schutzfilm
- bank
- Bankschicht
(Isolierfilm)
- cap
- Rückhaltekondensator
- com
- gemeinsame
Speiseleitung
- gate
- Abtastleitung
- op
- entgegengesetzte
Elektrode
- sig
- Datenleitungen
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Beste Art
zur Ausführung
der Erfindung
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Eine
Ausführung
der vorliegenden Erfindung wird nun in Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
In der folgenden Beschreibung werden die gleichen Bezugszahlen jenen
Komponenten zugeordnet, die den in Bezug auf die 1 bis 6 beschriebenen
Elementen gemeinsam sind.
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Gesamtkonfiguration
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1 ist
ein Blockdiagramm, das schematisch das Gesamtlayout einer Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung
zeigt; 2 ist eine Draufsicht eines der darin enthaltenen
Pixel; und 3(A), (B) und (C) sind eine Schnittansicht entlang der
Linie A-A', eine Schnittansicht
entlang der Linie B-B' bzw.
eine Schnittansicht entlang der Linie C-C' jeweils von 2.
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In
einer in 1 gezeigten Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1 sieht
der Mittelabschnitt eines transparenten Substrats 10, das
die Basis der Vorrichtung ist, einen Anzeigeabschnitt 11 vor.
In dem Außenumfangsabschnitt
des transparenten Substrats 10 ist eine datenseitige Treiberschaltung 3,
welche Bildsignale ausgibt, an den Enden von Datenleitungen sig
ausgebildet, und eine abtastseitige Treiberschaltung 4,
die Abtastsignale ausgibt, ist an den Enden der Abtastleitungen
gate ausgebildet. In diesen Treiberschaltungen 3 und 4 sind
komplementäre TFTs
vom N-Typ und TFTs vom P-Typ gebildet, wobei die komplementären TFTs
eine Schieberegisterschaltung, eine Pegelschiebeschaltung, eine
Analogumschaltschaltung etc. darstellt. Wie in dem Aktiv-Matrix-Substrat
einer Aktiv-Matrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
hat der Anzeigeabschnitt 11 auf dem transparenten Substrat 10 eine
Mehrzahl von Pixeln 7, die in einem Matrixmuster durch
eine Mehrzahl von Abtastleitungen gate und eine Mehrzahl von Datenleitungen
sig gebildet sind, die sich in der Richtung erstrecken, um sich
mit der Richtung zu schneiden, in der sich die Abtastleitungen gate
erstrecken.
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Jedes
der Pixel 7 enthält
eine Durchlasssteuerschaltung 50, der Abtastsignale über die
Abtastleitungen gate zugeführt
werden, sowie ein Dünnfilmlumineszenzelement 40,
das Licht gemäß Bildsignalen emittiert,
die von den Datenleitungen sig über
die Durchlasssteuerschaltung 50 zugeführt werden. Das hierin gezeigte
Beispiel ist gebildet durch einen ersten TFT 20, worin
die Abtastsignale seiner Gateelektrode über die Abtastleitungen zugeführt werden,
einen Rückhaltekondensator
cap, der die von den Datenleitungen sig über den ersten TFT 20 zugeführten Bildsignale
rückhält, sowie
einen zweiten TFT 30, in dem die durch den Rückhaltekondensator
cap rückgehaltenen
Bildsignale seiner Gateelektrode zugeführt werden. Der zweite TFT 30 und
das Dünnfilmlumineszenzelement 40 sind
in Serie zwischen einer entgegengesetzten Elektrode op und den gemeinsamen
Speiseleitungen com geschaltet, wie im Detail nachfolgend diskutiert
wird.
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In
der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1, die eine solche
Konfiguration hat, sind der erste TFT 20 und der zweite
TFT 30 durch Verwendung inselartiger Halbleiterfilme (Siliciumfilme)
in jedem Pixel 7 gebildet, wie in 2 und 3(A) und (B) gezeigt.
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Der
erste TFT 20 hat eine Gateelektrode 21, der als
Teil der Abtastleitungen gate konfiguriert ist. In dem ersten TFT 20 ist
die Datenleitung sig über
ein Kontaktloch eines ersten Zwischenlagenisolierfilms 51 mit
einem Ende eines Source- und Drainbereichs elektrisch verbunden,
während
eine Drainelektrode 22 mit dem anderen Ende davon elektrisch
verbunden ist. Die Drainelektrode 22 ist zu dem Bereich
hin verlängert,
wo der zweite TFT 30 gebildet ist. Eine Gateelektrode 31 des
zweiten TFT 30 ist elektrisch mit dem verlängerten
Abschnitt über
ein Kontaktloch des ersten Zwischenlagenisolierfilms 51 elektrisch verbunden.
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Eine
Relaiselektrode 35, die gleichzeitig mit den Datenleitungen
sig gebildet ist, ist mit einem Ende des Source- und Drainbereichs
des zweiten TFTs 30 über
das Kontaktloch des ersten Zwischenlagenisolierfilms 51 elektrisch
verbunden. Eine transparente Pixelelektrode 41, die auf
einem ITO Film des Dünnfilmlumineszenzelements
gebildet ist, ist mit der Relaiselektrode 35 über ein
Kontaktloch eines zweiten Zwischenlagenisolierfilms 52 elektrisch
verbunden.
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Wie
aus 2 und 3(B) und (C) ersichtlich, ist die Pixelelektrode 41 für jedes
Pixel 7 unabhängig
ausgebildet. Auf der Oberlagenseite der Pixelelektrode 41 sind
ein organischer Halbleiterfilm 43, der aus Polyphenylenvinylen
(PPV) oder dergleichen gebildet ist, und die entgegengesetzte Elektrode
op, die aus einem Metallfilm gebildet ist, der aus Aluminium und
Kalzium, das ein Alkalimetall wie etwa Lithium enthält, zusammengesetzt
ist, ist in dieser Reihenfolge aufeinandergeschichtet, um das Dünnfilmlumineszenzelement 40 zu
bilden. Der organische Halbleiterfilm 43 ist für jedes
Pixel 7 ausgebildet; jedoch kann er in einigen Fällen in
Streifen über eine
Mehrzahl von Pixeln 7 ausgebildet sein. Die entgegengesetzten
Elektroden op sind über
den gesamten Anzeigeabschnitt 11 und dem Bereich, außer zumindest
dem Umfangsbereich des Abschnitts ausgebildet, wo die Anschlüsse 12 ausgebildet
sind.
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Das
Dünnfilmlumineszenzelement 40 kann eine
Struktur haben, die die Leuchtwirkung (Lochinjektionswirkung) verbessert,
indem eine Lochinjektionsschicht vorgesehen wird, eine Struktur,
die die Leuchtwirkung (Elektroneninjektionswirkung) verbessert,
indem eine Elektroneninjektionsschicht vorgesehen wird, oder eine
Struktur, worin sowohl die Lochinjektionsschicht als auch die Elektroneninjektionsschicht
ausgebildet sind.
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Zurück zu 2 und 3(A), ist die gemeinsame Speiseleitung
com mit dem anderen Ende des Source- und Drainbereichs des zweiten
TFT 30 über
das Kontaktloch des ersten Zwischenlagenisolierfilms 51 elektrisch
verbunden. Ein verlängerter Abschnitt 39 der
gemeinsamen Speiseleitung com steht einem verlängerten Abschnitt 36 der
Gateelektrode 31 des zweiten TFT 30 gegenüber, wobei
der erste Zwischenlagenisolierfilm 51 dazwischen als dielektrischer
Film aufgenommen ist, um hierdurch den Rückhaltekondensator cap zu bilden.
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Wenn
in der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1, die wie oben
diskutiert konfiguriert ist, der erste TFT 20 durch ein
Abtastsignal ausgewählt
wird und in einen EIN-Zustand versetzt wird, wird das Bildsignal von
der Datenleitung sig an die Gateelektrode 31 des zweiten
TFT 30 über
den ersten TFT 20 angelegt, und das Bildsignal wird über den
ersten TFT 20 in den Rückhaltekondensator
cap geschrieben. Im Ergebnis wird, wenn der zweite TFT 30 in
den EIN-Zustand versetzt ist, eine Spannung angelegt, wobei die
entgegengesetzte Elektrode op und die Pixelelektrode 41 jeweils
als der negative Pol bzw. der positive Pol dient. In einem Bereich,
wo die angelegte Spannung eine Schwellenspannung überschreitet,
nimmt plötzlich
der Strom (Treiberstrom), der durch den organischen Halbleiterfilm 43 hindurchtritt,
plötzlich
zu. Daher emittiert das Lumineszenzelement 40 als elektrolumineszentes
Element oder LED Element Licht, und das Licht von dem Lumineszenzelement 40 wird durch
die entgegengesetzte Elektrode op reflektiert und durch die transparente
Pixelelektrode 41 und das transparente Substrat 10 durchgelassen,
bevor es austritt. Der Treiberstrom zum Emittieren des Lichts fließt durch
einen Stromweg, der aufgebaut ist durch die entgegengesetzte Elektrode
op, den organischen Halbleiterfilm 43, die Pixelelektrode 41,
den zweiten TFT 30 und die gemeinsamen Speiseleitungen
com. Wenn daher der zweite TFT 30 in einen AUS-Zustand versetzt
wird, fließt
kein Strom mehr. Auch wenn der erste TFT 20 in den AUS-Zustand
versetzt ist, wird jedoch die Gateelektrode des zweiten TFT 30 durch den
Rückhaltekondensator
op auf einem Potential gehalten, das dem Bildsignal äquivalent
ist, um hierdurch den zweiten TFT 30 in dem EIN-Zustand zu halten.
Dementsprechend fließt
der Treiberstrom weiterhin durch das Lumineszenzelement 40 und
das Pixel wird eingehalten. Dieser Zustand wird beibehalten, bis
neue Bilddaten in den Rückhaltekondensator cap
geschrieben werden und der zweite TFT 30 in den AUS-Zustand
versetzt wird.
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Schutzstruktur des Dünnfilmlumineszenzelements
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Daher
bietet die Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1, die das Dünnfilmlumineszenzelement 40 verwendet,
einen großen
Vorteil darin, dass die auf dem transparenten Substrat selbst aufgelagerte
entgegengesetzte Elektrode op ohne das Laminieren eines entgegengesetzten
Substrats auskommt, wodurch sie sich selbst von der Aktiv-Matrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
unterscheidet. Jedoch besteht eine Gefahr, dass Feuchtigkeit oder
Sauerstoff in das Dünnfilmlumineszenzelement 40 durch
Diffusion und Transmission durch die dünne entgegengesetzte Elektrode
op eindringt. Insbesondere wird in dieser Ausführung ein Aluminiumfilm, der
ein Alkalimetall wie etwa Lithium enthält, für die entgegengesetzte Elektrode
op verwendet, um die Elektroneninjektionswirkung in dem Dünnfilmlumineszenzelement 40 zu
verbessern, um die Treiberspannung abzusenken, während daran gedacht wird, dass
der ein Alkalimetall enthaltende Aluminiumfilm eine Diffusion und Transmission
von Feuchtigkeit und Sauerstoff leichter zulässt als sein Aluminium. Insbesondere
zeigt der ein Alkalimetall enthaltende Aluminiumfilm eine geringere
Zähigkeit
als ein Reinaluminiumfilm, ein siliziumhaltiger Aluminiumfilm oder
ein kupferhaltiger Aluminiumfilm, so dass er zum Bruch neigt, wenn
er einer Belastung ausgesetzt wird, was zu einer Möglichkeit
des Eindringens von Feuchtigkeit oder Sauerstoff durch einen Bruch
oder dergleichen führt.
Ferner zeigt eine Bruchstruktur eines ein Alkalimetall enthaltenden
Aluminiumfilms eine Säulentextur,
und es ist denkbar, dass Feuchtigkeit oder Sauerstoff durch die
Textur leichter difundiert und durchgelassen wird.
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Aus
dem oben beschriebenen Grund ist der aus Reinaluminium zusammengesetzte
Schutzfilm 60 auf der oberen Schicht der entgegengesetzten Elektrode
op ausgebildet. Der aus Reinaluminium gebildete Schutzfilm 60 hat
eine Zähigkeit,
die ausreichend hoch ist, um einer Belastung um ein gewisses Ausmaß zu überleben,
so dass er das Auftreten eines Bruchs verhindert, was zu einem Weg
für den Eintritt
von Feuchtigkeit oder Sauerstoff führt. Ferner zeigt die Bruchoberfläche von
Reinaluminium keine Säulentextur,
die in dem ein Alkalimetall enthaltenden Aluminiumfilm zu beobachten
ist, was die Möglichkeit
beseitigt, dass Feuchtigkeit oder Sauerstoff durch die Textur eindringt.
Daher ist die Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1 dieser
Ausführung
in der Lage, das Dünnfilmlumineszenzelement 40 vor Feuchtigkeit
etc. zu schützen,
um hierdurch die Verschlechterung der Leuchtwirkung, einen Anstieg
der Treiberspannung (Verschiebung der Schwellenspannung zur Seite
der höheren
Spannung hin), eine schlechtere Zuverlässigkeit etc. des Dünnfilmlumineszenzelement 40 zu
unterbinden. Darüber
hinaus kann der aus dem Reinaluminiumfilm gebildete Schutzfilm 60 durch
Anwendung eines Halbleiterprozesses leicht ausgebildet werden; daher
kommen keine Herstellungskosten zu der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1 hinzu.
Dies macht es möglich,
die Zuverlässigkeit
der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1 zu verbessern, während der
Vorteil der das Dünnfilmlumineszenzelement 40 verwendenden
Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1 erhalten bleibt, worin
es nicht erforderlich ist, ein entgegengesetztes Substrat aufzulagern.
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Da
zusätzlich
der Schutzfilm 60 das Dünnfilmlumineszenzelement 40 schützt, kann
das für
die entgegengesetzte Elektrode op verwendete Material aus dem Blickpunkt
hauptsächlich
der Leuchtewirkung oder der Treiberspannung des Dünnfilmlumineszenzelement 40 ausgewählt werden,
um hierdurch einen anderen Vorteil zu erzielen, dass das Material
nicht auf ein solches mit hoher Leistung zum Schutz des Dünnfilmlumineszenzelements 40 beschränkt ist.
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Ferner
ist in dieser Ausführung
der auf der entgegengesetzten Elektrode op aufgelagerte Schutzfilm 60 aus
einem leitenden Film gebildet, der aus dem Reinaluminiumfilm zusammengesetzt
ist, so dass der gleiche Vorteil erhalten werden kann, wie er durch
Absenken des elektrischen Widerstands der entgegengesetzten Elektrode
op erhalten wird.
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Struktur der Bankschicht
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In
der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1, die wie oben beschrieben
konfiguriert ist, ist, zum Schutze der Datenleitungen sig vor einer
großen
parasitischen Kapazität,
die Ausführung
mit einem dicken Isolierfilm versehen (Bankschicht bankschraffierte Fläche), der
aus einem Resistfilm oder einem Polyimidfilm entlang den Datenleitungen
sig und den Abtastleitungen gate ausgebildet ist, wie in 1, 2 und 3(A), (B) und (C) gezeigt, und die entgegengesetzte Elektrode
op ist in der Oberlagenseite der Bankschicht bank ausgebildet. Daher
steuert das Vorhandensein eines zweiten Zwischenlagenisolierfilms 52 und
der dicken Bankschicht bank zwischen den Datenleitungen sig und
der entgegengesetzten Elektrode op die parasitische Kapazität zu den
Datenleitungen sig auf einen extrem kleinen Wert. Dies macht es
möglich,
die Last auf die Treiberschaltungen 3 und 4 zu
reduzieren und einen reduzierten Stromverbrauch und einen schnelleren
Anzeigevorgang zu erreichen.
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Ferner
ist, wie in 1 gezeigt, die Bankschicht bank
(die Formierungsfläche
ist schraffiert) auch in einem Umfangsbereich des transparenten Substrats 10 ausgebildet
(Fläche
außerhalb
des Anzeigeabschnitts 11). Dementsprechend sind sowohl die
datenseitige Treiberschaltung 3 als auch die abtastseitige
Treiberschaltung 4 mit der Bankschicht bank überdeckt.
Die entgegengesetzte Elektrode op ist zumindest in dem Anzeigeabschnitt 11 ausgebildet,
und braucht nicht in dem Bereich ausgebildet werden, wo die Treiberschaltungen
ausgebildet sind. Jedoch ist die entgegengesetzte Elektrode op normalerweise
durch Maskenaufstäubung
gebildet, und eine schlechte Ausrichtungsgenauigkeit bewirkt in
einigen Fällen,
dass die entgegengesetzte Elektrode op auf den Treiberschaltungen
aufgelagert ist. Auch wenn die entgegengesetzte Elektrode op die
Fläche überlappen
sollte, wo die Treiberschaltungen ausgebildet sind, wie oben erwähnt, verhindert
das Vorhandensein der Bankschicht bank zwischen den Aderschichten
der Treiberschaltungen und der entgegengesetzten Elektrode op, da
der Kondensator für
die Treiberschaltungen 3 und 4 parasitisch ist.
Dies macht es möglich,
die Last auf die Treiberschaltungen 3 und 4 zu
reduzieren und einen reduzierten Stromverbrauch und einen schnelleren
Anzeigebetrieb zu erreichen.
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Ferner
ist in dieser Ausführung
die Bankschicht bank auch in einer Fläche des Bereichs ausgebildet,
wo die Pixelelektrode 41 ausgebildet ist, wobei die Fläche die
Relaiselektrode 35 der Durchlasssteuerschaltung 50 überlappt.
Daher ist, der organische Halbleiterfilm 43 nicht in der
die Relaiselektrode 35 überlappenden
Fläche
ausgebildet. Dies bedeutet, dass der organische Halbleiterfilm 43 nur
in der flachen Fläche
des Bereichs ausgebildet ist, wo die Pixelelektrode 41 ausgebildet
ist, so dass der organische Halbleiterfilm 43 mit einer
konstanten Dicke hergestellt wird, um eine ungleichmäßige Anzeige
zu verhindern. Das Fehlen der Bankschicht bank in der die Relaiselektrode 35 überlappenden
Fläche
bewirkt, dass der Treiberstrom zwischen der Relaiselektrode 35 und
der entgegengesetzten Elektrode op in der Fläche hindurchtritt, und der
organische Halbleiterfilm 43 Licht emittiert. Das Licht
tritt jedoch nicht aus der Vorrichtung aus, weil es zwischen der
Relaiselektrode 35 und der entgegengesetzten Elektrode op
gehalten wird und daher nicht zur Anzeige beiträgt. Der Treiberstrom, der durch
die Fläche
hindurchgetreten ist, die nicht zu der Anzeige beiträgt, kann
aus Sicht der Anzeige her als ungültiger Strom angesehen werden.
Jedoch ist in dieser Ausführung die
Bankschicht bank in dem Bereich ausgebildet, wo ein solcher ungültiger Strom
normalerweise hindurchtritt, um zu verhindern, dass der Treiberstrom dorthin
durchtritt. Hierdurch lässt
sich verhindern, dass ein nutzloser Strom durch die gemeinsamen Speiseleitungen
com hindurchtritt; daher kann die Breite der gemeinsamen Speiseleitungen
com dementsprechend kleiner gemacht werden. Im Ergebnis kann die
Lumineszenzfläche
vergrößert werden,
was ermöglicht,
dass eine verbesserte Anzeigeleistung einschließlich Luminenz und Kontrastverhältnis erreicht
wird.
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Wenn
die dicke Bankschicht bank gebildet wird, besteht eine Gefahr darin,
dass eine große
Stufe bb, die durch die in 3 gezeigte
Bankschicht bank gebildet ist, die Trennung der entgegengesetzten
Elektrode op hervorruft, die auf der Oberlagenseite ausgebildet
ist. In dieser Ausführung
ist jedoch der auf der entgegengesetzten Elektrode op aufgelagerte
Schutzfilm 60 aus einem leitenden Film gebildet, und eine
redundante Aderstruktur ist durch den leitenden Film (Schutzfilm 60)
konfiguriert. Auch wenn daher die dicke Bankschicht bank gebildet
wird, um eine parasitische Kapazität oder dergleichen zu verhindern,
wird die entgegengesetzte Elektrode op, die auf der oberen Schicht
der Bankschicht bank gebildet ist, keine Trennung verursachen, was
eine verbesserte Anzeigequalität
und Zuverlässigkeit
der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1 ermöglicht.
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Wenn
die Bankschicht bank mittels schwarzem Resist gebildet wird, dann
fungiert die Bankschicht bank als schwarze Matrix, die die Anzeigequalität einschließlich des
Kontrastverhältnisses
verbessert. In anderen Worten wird in der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1 gemäß der Ausführung die entgegengesetzte
Elektrode op auf der Gesamtoberfläche des Pixels 7 auf
der Oberflächenseite
des transparenten Substrats 10 ausgebildet, und das durch
die entgegengesetzte Elektrode op reflektierte Licht verschlechtert
das Kontrastverhältnis.
Durch Verwendung des schwarzen Resists wird die Bankschicht bank,
die zum Verhindern des parasitischen Kondensators dient, bewirkt,
dass die Bankschicht bank als die schwarze Matrix fungiert und das
von der entgegengesetzten Elektrode op reflektierte Licht blockiert,
was zu einem höheren
Kontrastverhältnis führt.
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Herstellungsverfahren
der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung
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Die
wie oben beschrieben gebildete Bankschicht bank umgibt den Bereich,
wo der organische Halbleiterfilm 43 gebildet ist; daher
staut sich eine Entladungsflüssigkeit
auf, um zu verhindern, dass sie seitlich vorsteht, wenn der organische
Halbleiterfilm 43 durch ein flüssiges Material hergestellt
wird, das beim Herstellungsprozess der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung
aus einem Tintenstrahlkopf (Entladungsflüssigkeit) entladen wird. In
den unten zu beschreibenden Herstellungsverfahren der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1 sind
die Schritte zum Bilden der ersten TFT 20 und des zweiten
TFT 30 auf dem transparenten Substrat 10 nahezu
die gleichen wie jene zur Herstellung eines Aktiv-Matrix-Substrats
der Flüssigkristall-Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1. Daher
wird der Umriss des Prozesses in Bezug auf die 3(A), (B) und (C) kurz
erläutert.
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Zuerst
wird ein Gründungsschutzfilm
(nicht gezeigt), der aus einem etwa 2.000 bis etwa 5.000 Angström dicken
Siliziumoxidfilm zusammengesetzt ist, auf dem transparenten Substrat 10 durch
die Plasma CVD Technik ausgebildet, unter Verwendung von TEOS (Tetraethylorthosilikat)
oder Sauerstoffgas als dem Materialgas wie erforderlich. Dann wird
ein Halbleiterfilm, der aus einem amorphen Siliziumfilm mit einer
Dicke von etwa 300 bis 700 Angström zusammengesetzt ist, auf
der Oberfläche
des Gründungsschutzfilms
durch Plasma CVD Technik ausgebildet. Anschließend wird der aus dem amorphen
Siliziumfilm gebildete Halbleiterfilm einem Kristallisierungsprozess
unterzogen, wie etwa Lasertempern oder Festphasenwachstumstechnik,
um den Halbleiterfilm in einem Polysiliziumfilm zu kristallisieren.
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Als
nächstes
wird der Halbleiterfilm gemustert, um ihn zu einem inselartigen
Halbleiterfilm zu bilden, und einem Gateisolierfilm 37,
der aus einem Siliziumoxidfilm oder einem Nitridfilm mit einer Dicke von
etwa 600 bis 1.500 Angström
zusammengesetzt ist, wird auf der Oberfläche des inselartigen Halbleiterfilms
durch die Plasma CVD Technik unter Verwendung von TEOS (Tetraethylorthosilikat)
oder Sauerstoffgas als dem Materialgas ausgebildet.
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Anschließend wird
ein Halbleiterfilm, der aus einem Metallfilm gebildet ist, der aus
Aluminium, Tantal, Molybdän,
Titan oder Wolfram zusammengesetzt ist, durch die Aufstäubung der
Technik gebildet, dann wird die Musterung ausgeführt, um die Gateelektroden 21 und 31 sowie
den verlängert
vorgesehenen Abschnitt 36 der Gateelektrode 31 zu
bilden (Gate-Eelektroden-Bildungsschritt).
In diesem Schritt werden auch die Abtastleitungen gate gebildet.
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In
diesem Zustand werden hoch konzentrierte Phosphorionen implantiert,
um die Source- und Drainbereiche einer selbstausrichtenden Weise
in Bezug auf die Gateelektroden 21 und 31 herzustellen.
Ein Abschnitt, wo keine Verunreinigung eingeführt worden ist, bildet einen
Kanalbereich.
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Als
nächstes
werden, nachdem der erste Zwischenlagenisolierfilm 51 gebildet
ist, die jeweiligen Kontaktlöcher
gebildet, und die Datenleitung sig, die Drainelektrode 22,
die gemeinsame Speiseleitung com, der verlängerte Abschnitt 39 der
gemeinsamen Speiseleitung com und die Relaiselektrode 35 werden
gebildet. Im Ergebnis werden der erste TFT 20, der zweite
TFT 30 und der Rückhaltekondensator cap
gebildet.
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Dann
wird der zweite Zwischenlagenisolierfilm 52 gebildet, und
wird ein Kontaktloch in einem Abschnitt des Zwischenlagenisolierfilms
gebildet, der der Relaiselektrode 35 entspricht. Nachdem
ein ITO Film auf der Gesamtoberfläche des zweiten Zwischenlagenisolierfilms 52 ausgebildet
ist, wird eine Musterung ausgeführt,
um die Pixelelektrode 41 für jedes Pixel 7 zu
bilden, wobei die Pixelelektrode 41 mit dem Source- und
Drainbereich des zweiten TFT 30 über das Kontaktloch elektrisch
verbunden wird.
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In
dem folgenden Schritt wird eine Resistschicht auf der Oberfläche des
zweiten Zwischenlagenisolierfilms 52 ausgebildet, und wird
dann gemustert, so dass das Resist entlang der Abtastleitung gate
und der Datenleitung sig verbleibt, um die Bankschicht bank zu bilden.
Hierbei sollte der entlang der Datenleitung sig verbleibende Resistabschnitt
breit genug sein, um die gemeinsame Speiseleitung com zu überdecken.
Im Ergebnis ist der Bereich, worin der organische Halbleiterfilm 43 des
Lumineszenzelements 40 aufzulagern ist, von der Bankschicht
bank umgeben. Dann werden die organischen Halbleiterfilme 43 entsprechend
R, G bzw. B in dem Bereich ausgebildet, der in dem Matrixmuster
durch die Bankschicht bank definiert ist, unter Verwendung des Tintenstrahlprozesses.
Für diesen
Zweck wird ein Flüssigmaterial
(Vorläufer)
zur Herstellung des organischen Halbleiterfilms 43 aus
einem Tintenstrahlkopf auf den Bereich innerhalb der Bankschicht
bank entladen, und das entladene flüssige Material wird in dem
Bereich innerhalb der Bankschicht bank fixiert, um den organischen
Halbleiterfilm 43 zu bilden. Die Bankschicht bank ist aus
Resist gebildet, so dass sie wasserabstoßend ist, während der Vorläufer des
organischen Halbleiterfilms 43 ein hydrophiles Lösungsmittel
verwendet. Daher wird der Auftragebereich des organischen Halbleiterfilms 43 durch
die Bankschicht bank sicher aufgeteilt, und steht nicht zu den benachbarten
Pixel 7 vor. Dies ermöglicht, dass der
organische Halbleiterfilm 43 nur in einem vorbestimmten
Bereich ausgebildet wird. In diesem Schritt dehnt sich der von dem
Tintenstrahlkopf entladene Vorläufer
aufgrund der Oberflächenspannung
aus, so dass er eine Dicke von etwa 2 μm bis etwa 4 μm hat; daher
muss die Bankschicht bank eine Dicke von etwa 1 μm bis etwa 3 μm haben.
Die Dicke des organischen Halbleiterfilms 43, nachdem er
fixiert worden ist, reicht von etwa 0,05 μm bis etwa 0,2 μm. Wenn die
durch die Bankschicht bank gebildete Unterteilung von Beginn an
eine Höhe
von 1 μm
oder mehr hat, dann fungiert die Bankschicht bank zufriedenstellend
als die Unterteilung, auch wenn die Bankschicht bank nicht wasserabstoßend ist.
Das vorgezogene Bilden der dicken Bankschicht bank macht es möglich, den
Bereich zu definieren, worin der organische Halbleiterfilm 43 auszubilden
ist, wenn der organische Halbleiterfilm 43 durch Aufbringen
eines anderen Prozesses an Stelle des Tintenstrahlprozesses ausgebildet
wird.
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Danach
wird die entgegengesetzte Elektrode op auf nahezu der Gesamtoberfläche des
transparenten Substrats 10 ausgebildet, und der Schutzfilm 60 wird
auf die obere Schicht der entgegengesetzten Elektrode op aufgeladen.
Der Schutzfilm 60 sorgt sicher für eine ausreichende Feuchtigkeitsbeständigkeit,
wenn er eine Dicke von etwa 2.000 Angström bis etwa 1 μm hat.
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Gemäß dem Herstellungsverfahren
können die
jeweiligen organischen Halbleiterfilme 43 entsprechend
R, G und B in vorbestimmten Bereichen unter Verwendung des Tintenstrahlprozesses
gebildet werden, was die Herstellung der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung 1 mit
einer Vollfarben-Eigenschaft mit
höherer
Produktivität
gestattet.
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Die
TFTs werden auch in der datenseitigen Treiberschaltung 3 und
der abtastseitigen Treiberschaltung 4 gebildet, wie in 1 gezeigt.
Diese TFTs werden mittels aller oder einiger der Schritte zur Bildung
der TFTs in den Pixeln 7 gebildet. Dies bedeutet, dass
die die Treiberschaltungen darstellenden TFTs zwischen den gleichen
Schichten gebildet werden wie die TFTs der Pixel 7. In
Bezug auf den ersten TFT 20 und dem zweiten TFT 30,
können
beide vom N-Typ oder P-Typ sein, oder einer von ihnen kann vom N-Typ
sein, während
der andere vom P-Typ sein kann. Unabhängig von den Kombinationen
des N-Typs und des P-Typs können
die TFT durch einen gut bekannten Prozess gebildet werden; daher
wird die Beschreibung davon weggelassen.
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Andere Ausführungen
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Der
Schutzfilm 60 kann in der gleichen Weise wie in der oben
beschriebenen Ausführung
hergestellt werden, indem abgesehen von dem Reinaluminiumfilm andere
Metallfilme, die aus einem siliziumhaltigen Aluminiumfilm oder einem
Kupfer oder ein anderes Metall enthaltenden Aluminiumfilm gebildet sind,
angewendet werden, solange es ein leitender Film ist, der wenig
Feuchtigkeit oder Sauerstoff durchlässt. Ferner kann der Schutzfilm 60 ein
Metall verwenden, das einen hohen Schmelzpunkt hat oder eine Legierung
oder dergleichen davon. Ferner gestattet die Verwendung eines Isolierfilms,
wie etwa eines Siliziumnitridfilms als Schutzfilm 60, dass
die Verschlechterung des Dünnfilmlumineszenzelements 40 unterbunden
wird. Zusätzlich
kann der Schutzfilm 60 eine Doppelschichtstruktur haben,
die aus einem Isolierfilm und einem leitenden Film besteht. In diesem
Fall gestattet das Auflagern des Schutzfilms auf die entgegengesetzte
Elektrode op das Implementieren der vorstehenden redundanten Aderstruktur.
In jedem Fall ist der Schutzfilm in der Lage, eine zufriedenstellende
Feuchtigkeitsbeständigkeit
sicherzustellen, so lange er eine Dicke von etwa 2.000 Angström bis etwa
1 μm hat.
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Wenn
ein Resistfilm oder ein Polyimidfilm, der aus einem organischen
Material gebildet ist, für die
Bankschicht bank verwendet wird (Isolierfilm) kann leicht ein dicker
Film ausgebildet werden. Wenn die Bankschicht bank (Isolierfilm)
aus einem Siliziumoxidfilm oder einem Siliziumnitridfilm gebildet
wird, der aus einem anorganischen Material hergestellt und durch Verwendung
des CVD Prozesses oder des SOG Prozesses gebildet wird, kann die
Verschlechterung des organischen Halbleiterfilms 43 unterbunden
werden, auch wenn die Bankschicht bank mit dem organischen Halbleiterfilm 43 in
Kontakt steht.
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Ferner
kann, abgesehen von der Konfiguration, in der der Rückhaltekondensator
cap in Bezug auf die gemeinsame Speiseleitung com gebildet ist, der
Rückhaltekondensator
cap so konfiguriert werden, dass er in Bezug auf eine kapazitive
Leitung gebildet wird, die parallel zu der Abtastleitung gate vorgesehen
ist, oder kann durch Verwendung des Drainbereichs des ersten TFT 20 und
der Gateelektrode 31 des zweiten TFT 30 konfiguriert
sein.
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Wie
oben beschrieben, weist die Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung einen
Schutzfilm auf, der auf der Oberschicht einer entgegengesetzten
Elektrode eines Dünnfilmlumineszenzelements
ausgebildet ist und ermöglicht,
dass das Dünnfilmlumineszenzelement
gegen Feuchtigkeit geschützt
wird. Daher besteht keine Möglichkeit
der Verschlechterung des Dünnfilmlumineszenzelements.
Darüber
hinaus kann der Schutzfilm leicht durch Verwendung eines Halbleiterprozesses
ausgebildet werden, so dass er die Herstellungskosten der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung
nicht erhöht.
Daher kann die Zuverlässigkeit
der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung verbessert werden, während der
Vorteil der Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung unter Verwendung des
Dünnfilmlumineszenzelements,
worin kein entgegengesetztes Substrat aufgelagert zu werden braucht,
erhalten bleibt. Da ferner der Schutzfilm das Dünnfilmlumineszenzelement schützt, kann
das für
die entgegengesetzte Elektrode verwendete Material aus hauptsächlich aus
der Sicht der Leuchtwirkung oder der Treiberspannung des Dünnfilmlumineszenzelements
ausgewählt
werden, um hierdurch einen anderen Vorteil darin zu erreichen, dass
das Material nicht auf ein solches beschränkt ist, das eine hohe Leistung
zum Schutz des Dünnfilmlumineszenzelements
hat.
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Industrielle
Anwendbarkeit
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Mit
den oben beschriebenen Vorteilen ist die vorliegende Erfindung ideal
als Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung verwendbar, worin der Betrieb
des Dünnfilmlumineszenzelements,
wie etwa eines elektrolumineszenten Elements oder eines Licht emittierenden
Diodenelements durch Dünnfilmtransistoren
gesteuert wird. Ferner kann eine Aktiv-Matrix-Anzeigevorrichtung, auf die die vorliegende
Erfindung angewendet worden ist, extensiv nicht nur für einen
Personal Computer, ein tragbares Informationsterminal verwendet
werden, sondern auch für
ein Informationsanzeigegerät,
das eine große
Bekanntmachungstafel im Freien und eine Werbezeichentafel einschließt.