DE102009057821A1

DE102009057821A1 - OELD und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number: DE102009057821A1
Application number: DE102009057821A
Authority: DE
Inventors: Fengjin Gumi Li; Jaeyoung Lee; Taeyeon Yoo
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2009-05-06
Filing date: 2009-12-10
Publication date: 2010-11-18
Anticipated expiration: 2029-12-11
Also published as: KR101254748B1; TWI489910B; US8003417B2; TW201041430A; US20110266535A1; CN101882601B; US20100283071A1; KR20100120478A; CN101882601A; DE102009057821B4; US8237159B2

Abstract

Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines OELD angegeben, das die folgenden Schritte aufweist: a) auf einem Substrat (110) hergestellten Transistoren (T); b) einer Isolierschicht (113) auf den Transistoren; c) einer auf der Isolierschicht ausgebildeten unteren Elektrode (117), die mit der jeweiligen Source oder dem jeweiligen Drain der Transistoren verbunden ist; d) einer Abgrenzschicht (118) mit Öffnungen zum Freilegen eines Teils der unteren Elektrode; e) einer auf der Abgrenzschicht ausgebildeten Buselektrode (119); f, g) einer organischen Lichtemissionsschicht (120), die so ausgebildet ist, dass sie die untere Elektrode, die Abgrenzschicht und die Buselektrode bedeckt, wobei sie so strukturiert ist, dass sie zumindest einen Teil der Buselektrode freilegt; und h) einer oberen Elektrode (121), die auf der organischen Lichtemissionsschicht ausgebildet ist und so konfiguriert ist, dass sie mit der freigelegten Buselektrode in Kontakt steht.

Description

Die Erfindung betrifft ein OELD (organisches Lumineszenzdisplay) und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Ein OELD verfügt über eine Licht emittierende Emissionsschicht, die zwischen zwei auf einem Substrat angeordneten Elektroden ausgebildet ist. Es arbeitet abhängig von der Richtung, in der Licht emittiert wird, entweder als nach oben, als nach unten oder als nach in beiden Richtungen emittierendes Display. OELDs werden auch abhängig vom Ansteuerungsverfahren in solche vom Passivmatrix- und solche vom Aktivmatrixtyp eingeteilt.
Jedes Unterpixel, wie es bei einem OELD vorhanden ist, verfügt über eine Transistoreinheit, eine untere Elektrode und eine OLED (organische Leuchtdiode). Die Transistoreinheit verfügt über einen Schalttransistor, einen Treibertransistor und einen Kondensator. Die untere Elektrode ist mit dem in der Transistoreinheit vorhandenen Treibertransistor verbunden. Die OLED verfügt über eine organische Lichtemissionsschicht und eine obere Elektrode. Wenn bei diesem OELD ein Scansignal, ein Datensignal, Spannung usw. an die mehreren in einer Matrix angeordneten Unterpixel angelegt werden, emittieren ausgewählte Unterpixel Licht, wodurch ein Bild angezeigt werden kann.
Bei einem herkömmlichen OELD ist jedoch der Widerstand von in einer Displaytafel ausgebildeten Elektroden relativ hoch. Demgemäß entstehen im Betrieb Probleme wie ein Anstieg der Ansteuerspannung sowie Unregelmäßigkeiten der Leuchtstärke.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein OELD mit niedrigem Widerstand seiner Elektroden sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung zu schaffen.
Diese Aufgabe ist durch das OELD gemäß den Ansprüchen 1 und 2 sowie das Verfahren gemäß den Ansprüchen 4 und 5 gelöst.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsformen näher erläutert.
1 ist ein schematisches Blockdiagramm eines OELD gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
2 ist ein Ersatzschaltbild des in der 1 dargestellten Unterpixels;
3 bis 16 sind Diagramme zum Veranschaulichen eines Verfahrens zum Herstellen des OELDs gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;
17 ist ein schematisches Blockdiagramm eines OELD gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
18 ist ein Ersatzschaltbild eines in der 17 dargestellten Unterpixels; und
19 bis 30 sind Diagramme zum Veranschaulichen eines Verfahren zum Herstellen des OELD gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung.
Das Blockschaltbild und das Ersatzschaltbild eines Unterpixels, wie sie in den 1 und 2 für die erste Ausführungsform und in den 17 und 18 für die zweite Ausführungsform dargestellt sind, sind jeweils gleich. Jedoch unterscheiden sich die beiden Ausführungsformen dadurch, dass das OELD der ersten Ausführungsform ein solches vom Typ mit untenliegendem Gate ist, während dasjenige der zweiten Ausführungsform ein solches vom Typ mit oben liegendem Gate ist. So ist es aus der 4 erkennbar, dass das Gate 112 unter der aktiven Schicht 114 liegt, während bei der in der 20 dargestellten zweiten Ausführungsform das Gate 212 über der aktiven Schicht 214 liegt. Einhergehend mit diesem Unterschied sind verschiedene Kontaktierungen unterschiedlich ausgeführt.
Erste Ausführungsform
Gemäß den 1 und 2 verfügt das OELD gemäß der ersten Ausführungsform über eine Tafel PNL mit in einer Matrix angeordneten Unterpixeln SP, einen Scantreiber SDRV, der so konfiguriert ist, dass er Scanleitungen SL1, ... SLm der Unterpixel SP mit Scansignalen versorgt, und einen Datentreiber DDRV, der so konfiguriert ist, dass er Datenleitungen DL1, ..., DLn der Unterpixel SP mit Datensignalen versorgt.
Jedes der Unterpixel SP verfügt über eine 2T(Transistor)1C-(Kondensator)-Struktur mit einem Schalttransistor S1, einem Treibertransistor T1, einem Kondensator CST und einer OLED D, oder eine Struktur, bei der ein anderer Transistor oder Kondensator zur 2T1C-Struktur hinzugefügt ist.
Bei der 2T1C-Struktur sind die in einem Unterpixel SP enthaltenen Elemente wie folgt miteinander verbunden. Das Gate des Schalttransistors S1 ist mit der Scanleitung SL1 verbunden, von der ein Scansignal SCAN zugeführt wird, ein Anschluss ist mit der Datenleitung DL1 verbunden, von der ein Datensignal DATA zugeführt wird, und der andere Anschluss ist mit einem ersten Knoten A1 verbunden. Das Gate des Treibertransistors T1 ist mit dem ersten Knoten A verbunden, ein Anschluss ist mit einem zweiten Knoten B und einer ersten Spannungsversorgungsleitung VDD, die ein hohes elektrisches Potenzial liefert, verbunden, und der andere Anschluss mit einem dritten Knoten C verbunden. Ein Anschluss des Kondensators CST ist mit dem ersten Knoten A verbunden, und sein anderer Anschluss ist mit dem zweiten Kno ten B verbunden. Die Anode der OLED D ist mit dem ersten Knoten C verbunden, und die andere Kathode ist mit einer zweiten Spannungsversorgungsleitung VSS verbunden, die ein niedriges elektrisches Potenzial liefert.
Vorstehend ist ein Beispiel beschrieben, bei dem die Transistoren S1 und T1 im Unterpixel SP eine n-Konfiguration aufweisen, jedoch besteht keine Einschränkung hierauf. Ferner ist das von der ersten Spannungsversorgungsleitung VDD gelieferte hohe elektrische Potenzial höher als das von der zweiten Spannungsversorgungsleitung VSS gelieferte niedrige elektrische Potenzial, jedoch kann dies abhängig vom Ansteuerungsverfahren gerade umgekehrt sein.
Das oben beschriebene Unterpixel arbeitet wie folgt. Wenn über die Scanleitung SL1 ein Scansignal SCAN zugeführt wird, schaltet der Schalttransistor S1 ein. Wenn ein über die Datenleitung DL1 zugeführtes Datensignal DATA über den eingeschalteten Schalttransistor S an den ersten Knoten A gelegt wird, wird es in Form einer Datenspannung im Kondensator CST eingespeichert. Wenn die Zufuhr des Scansignals gestoppt wird und der Schalttransistor S1 ausschaltet, wird der Treibertransistor T1 entsprechend der im Kondensator CST gespeicherten Datenspannung angesteuert. Wenn das durch die erste Spannungsversorgungsleitung VDD angelegte hohe elektrische Potenzial zu einem Strom durch die zweite Spannungsversorgungsleitung VSS führt, emittiert die OLED D Licht. Dieses Ansteuerungsverfahren bildet ebenfalls nur ein Beispiel, so dass keine Einschränkung hierauf besteht.
Das OELD dieser ersten Ausführungsform kann wie folgt hergestellt werden.
Gemäß den 3 und 4 werden Transistoren T auf einem Substrat 110 hergestellt. Diese Transistoren T sind hier solche mit un tenliegendem Gate, während sie bei der zweiten Ausführungsform, wie oben bereits angegeben, solche mit oben liegendem Gate sind.
Ein jeweiliger Transistor T entspricht dem in einem Unterpixel enthaltenen Treibertransistor. Dieser Transistor T wird auf dem Substrat 110 hergestellt, das aus einem Material mit hervorragender mechanischer Festigkeit oder Messwertestabilität besteht. Es ist beispielsweise eine Glasplatte, eine Metallplatte, eine Keramikplatte oder eine Kunststoffplatte (Polycarbonatharz, Acrylharz, Vinylchloridharz, Polyethylenterephthalatharz, Polyimidharz, Polyesterharz, Epoxyharz, Siliconharz, Fluoridharz usw.). Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen dieses Transistors mit untenliegendem Gate beschrieben.
Auf dem Substrat 110 wird eine Pufferschicht 111 hergestellt, was dazu erfolgt, den in einem folgenden Prozess hergestellten Dünnschichttransistor vor Fremdstoffen, wie aus dem Substrat 110 austretenden Alkaliionen, zu schützen. Die Pufferschicht 111 kann aus Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumnitrid (SiNx) hergestellt werden.
Auf der Pufferschicht 111 wird ein Gate 112 außer beispielsweise Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) oder Kupfer (Cu) oder einer Legierung hiervon hergestellt. Ferner kann es aus einer Einzelschicht dieser Materialien oder einer Mehrfachschicht aus einer Legierung derselben hergestellt werden. Alternativ kann es als Doppelschicht aus Mo/Al-Nd oder Mo/Al hergestellt werden.
Auf dem Gate 112 wird eine erste Isolierschicht 113 als Einzelschicht aus Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumnitrid (SiNx) oder als Mehrfachschicht hiervon hergestellt, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht.
Auf der ersten Isolierschicht 113 wird eine aktive Schicht 114 aus amorphem Silicium oder polykristallinem Silicium, das kristallisiertes amorphes Silicium ist, hergestellt. Obwohl es in der Zeichnung nicht dargestellt ist, verfügt die aktive Schicht 114 über einen Kanalbereich, einen Sourcebereich und einen Drainbereich. Die letzteren beiden sind mit einem Fremdstoff vom p- oder n-Typ dotiert. Ferner verfügt die aktive Schicht 114 vorteilhafterweise über eine ohmsche Kontaktschicht, um den Kontaktwiderstand zu senken.
Auf der aktiven Schicht 114 werden eine Source 115a und ein Drain 115b als Einzelschicht oder Mehrfachschicht ausgebildet. Wenn sie als Einfachschicht ausgebildet werden, erfolgt dies unter Verwendung der für das Gate genannten Materialien. Wenn sie als Mehrfachschicht hergestellt werden, werden sie beispielsweise als Doppelschicht aus Mo/Al-Nd oder als Dreifachschicht aus Mo/Al/Mo oder Mo/Al-Nd/Mo hergestellt.
Auf der Source 115a und dem Drain 115b wird eine zweite Isolierschicht 116a mit entsprechendem Aufbau wie dem der ersten Isolierschicht hergestellt. Diese zweite Isolierschicht 116a wird vorzugsweise als Passivierungsschicht ausgebildet. Auf der zweiten Isolierschicht 116a wird eine dritte Isolierschicht 116b als Einzelschicht aus Siliciumoxid (SiOx) oder Siliciumnitrid (SiNx) oder als Mehrfachschicht hiervon hergestellt, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht. Diese dritte Isolierschicht 116b ist eine Polierschicht zum Erhöhen der Ebenheit der Fläche.
Der vorstehend beschriebene Transistor bildet lediglich eine mögliche Ausführungsform, wobei abhängig vom verwendeten Maskenprozess andere Strukturen möglich sind.
Gemäß der 5 wird eine untere Elektrode 117 mit der Source 115a oder dem Drain 115b des Transistors T verbunden. Anders gesagt, wird die untere Elektrode 117 in solcher Weise auf der dritten Isolierschicht 116b hergestellt, dass sie mit der Source 115a oder dem Drain 115b des Transistors T verbunden ist. Bei dieser Ausführungsform ist die untere Elektrode 117 als Anode ausgewählt, weswegen sie vorzugsweise, wie hier, aus einem transparenten, leitenden Material, wie Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Indiumzinnzinkoxid (ITZO) oder aus mit ZnO dotiertem Al₂O₃ (AZO) besteht, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht.
Gemäß der 6 wird eine Abgrenzschicht 118 mit Öffnungen OPN, durch den ein Teil der unteren Elektrode 117 freigelegt wird, hergestellt. Diese Abgrenzschicht 118 wird vorzugsweise aus einem organischen Material, wie Benzocyclobuten (BCB)-Harz, Acrylharz oder Polyimidharz, hergestellt, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht. Da die Öffnungen OPN, durch den ein Teil der unteren Elektrode 117 freigelegt wird, ausgebildet werden, wenn die Abgrenzschicht 118 hergestellt wird, kann der Lichtemissionsbereich eines Unterpixels definiert werden.
Gemäß der 7 wird auf der Abgrenzschicht 118 eine Gusselektrode 119 hergestellt, und zwar vorzugsweise aus demselben Material wie dem der unteren Elektrode 117, oder auch einem anderen Material. Diese Buselektrode 119 wird mit Einzelschicht- oder Mehrfachschichtstruktur aus mindestens einem der Metalle hergestellt, die oben für die anderen Elektroden genannt sind. Indessen kann, wie es in den 8 und 9 dargestellt ist, die Buselektrode 119 als Gitter (siehe die 8) oder in Form von Bändern (siehe die 9) hergestellt werden, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht. Gemäß der 10 kann, wenn die Buselektrode 119 auf der Abgrenzschicht 118 hergestellt wird, das Strukturieren der Letzteren so ausgeführt werden, dass ein Teil der Abgrenzschicht 118 Vertiefungen aufweist, wobei die Buselektrode 119 in den vertieften Abschnitten DEP ausgebildet wird. In diesem Fall kann eine Buselektrode 119 mit niedrigem Widerstand realisiert werden, da sie dick ausgebildet werden kann.
Gemäß der 11 wird eine organische Lichtemissionsschicht 120 auf solche Weise hergestellt, dass sie die untere Elektrode 117, die Abgrenzschicht 118 und die Buselektrode 119, die auf dem Substrat 110 ausgebildet sind, bedeckt. Gemäß der 12 verfügt die organische Lichtemissionsschicht 120 über eine Löcherinjektionsschicht 120a, eine Löchertransportschicht 120b, eine Emissionsschicht 120c, eine Elektronentransportschicht 120d und eine Elektroneninjektionsschicht 120e.
Die Löcherinjektionsschicht 120a fungiert so, dass sie die Injektion von Löchern erleichtert; sie wird aus einem der folgenden Materialien hergestellt: CuPc (Kupferphthalocyanin), PEDOT (Poly(3,4)-ehtylendioxythiophen), PANI (Polyanilin) und NPD (N,N-dinaphthyl-N,N'-Diphenylbenzidin), wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht.
Die Löchertransportschicht 120b fungiert dahingehend, dass sie den Transport von Löchern erleichtert; sie wird aus mindestens einem der folgenden Materialien hergestellt: NPD (N,N-dinaphthyl-N,N'-Diphenylbenzidin), TPD (N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-Benzidin), s-TAD und MTDATA (4,4',4''-Tris(N-3-methylphenyl-N-pheny-amino)-triphenylamin), wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht.
Die Emissionsschicht 120c besteht aus einem Material, das rotes, grünes, blaues oder weißes Licht emittiert, so dass sie aus einem Phosphoreszenz- oder Fluoreszenzmaterial hergestellt wird. Wenn die Emissionsschicht 120c rotes Licht emittieren soll, wird sie aus einem Phosphoreszenzmaterial hergestellt, das aus Carbazolbiphenyl (CBP) oder 1,3-bis(carbazol-9-yl) (mCP) als Wirtsmaterial und einem Dotierstoff besteht, wie PIQir(acac)(bis(1-phenyllisochinolin)acetylacetonatiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylchinolin)acetylacetonatiridium), PQIr((acac)(tris(1-phenylchinolin)iridium) und PtOEP(octaethylporphyrinplatin). Alternativ wird die Emissionsschicht 120c aus einem Fluoreszenzmaterial hergestellt, wie PBD:Eu(DBM)3(Phen) oder Perylen, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht. Wenn die Emissionsschicht 120c grünes Licht emittieren soll, wird sie aus einem Phosphoreszenzmaterial mit CBP der mCP als Wirtsmaterial und einem Dotierstoff wie Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridin)iridium) hergestellt. Alternativ wird sie für grüne Emission aus einem Fluoreszenzmaterial wie Alq3(tris(8-hydroxychinolino)aluminium) hergestellt, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht. Wenn die Emissionsschicht 120c blaues Licht emittieren soll, wird sie aus einem Phosphoreszenzmaterial mit CBP oder mCP als Wirt und einem Dotierstoff wie (4,6-F2ppy)2Irpic hergestellt. Alternativ kann sie in diesem Fall aus einem Fluoreszenzmaterial wie einem der folgenden hergestellt werden, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht: Spiro-DPVBi, Spiro-6P, Distyrylbenzen (DSB), Distyrylarylen (DSA), einem FPO-Polymer oder einem PPV-Polymer.
Die Elektronentransportschicht 120d fungiert dahingehend, den Transport von Elektronen zu erleichtern; sie kann aus einem oder mehreren der folgenden Materialien hergestellt werden, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht: Alq3(tris(8-hydroxychinolino)aluminium), PBD, TAZ, Spiro-PBD, BALq und Salq.
Die Elektroneninjektionsschicht 120e fungiert dahingehend, die Injektion von Elektronen zu erleichtern; sie kann aus einem der folgenden Materialien hergestellt werden, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht: LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 oder RaF2.
Es ist zu beachten, dass keine Einschränkung auf die angegebenen Beispiele besteht und dass betreffend die Löcherinjektions schicht 120a, die Löchertransportschicht 120b, die Elektronentransportschicht 120d und die Elektroneninjektionsschicht 120e mindestens eine weggelassen werden kann.
Gemäß der 13 wird die organische Lichtemissionsschicht 120 so strukturiert, dass die auf der Abgrenzschicht 118 ausgebildete Buselektrode 119 freigelegt wird. Das Strukturieren erfolgt unter Verwendung eines Lasers L. Wenn die organische Lichtemissionsschicht 120 unter Verwendung eines Lasers L strukturiert wird, wird von diesem emittierte Lichtenergie in Wärmeenergie gewandelt, wodurch ein Grenzabschnitt von ihr und der Buselektrode 119 sublimiert. Dabei kann, wie es in der 14 dargestellt ist, ein Bereich, in dem die Buselektrode 119 ausgebildet ist, vollständig strukturiert werden, oder er kann, wie es in der 15 dargestellt ist, lokal strukturiert werden.
Gemäß der 16 wird auf der organischen Lichtemissionsschicht 120 eine obere Elektrode 121 so hergestellt, dass sie mit der freigelegten Buselektrode 119 in Kontakt gelangt. Diese obere Elektrode 121 wird als Kathode gewählt, und sie wird als Einzelschicht oder Mehrfachschicht aus einem einzelnen Material, wie Al, AlNd oder Ag, oder als Einzelschicht oder Mehrfachschicht aus einem zusammengesetzten Material, wie Mg:Ag oder Al/Ag hergestellt. Alternativ wird die obere Elektrode 121 als Einzelschicht oder Mehrfachschicht aus einem Metalloxid, wie ITO, IZO oder ITZO, oder aus einem organischen, leitenden Material hergestellt, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht. Die obere Elektrode 121 wird vorzugsweise dünn ausgebildet, um ihre Transparenz zu verbessern. Dadurch kann das von der organischen Lichtemissionsschicht 120 emittierte Licht in der Richtung der oberen Elektrode 121 laufen.
Wie eben genannt, kann bei diesem nach oben emittierenden OELD die als Kathode ausgewählte obere Elektrode 121 dünn ausgebil det werden, um ihre Transmission zu verbessern. Dies kann insbesondere deswegen erfolgen, da ihr Widerstand verringert ist, da die auf der Abgrenzschicht 118 ausgebildete Buselektrode 119 und die obere Elektrode 121 elektrisch miteinander verbunden werden können, ohne dass dazu ein zusätzlicher Maskenprozess erforderlich wäre. Beim OELD mit dieser Struktur ist die Antriebsspannung absenkbar und es treten keine Unregelmäßigkeiten der Helligkeit auf, und zwar auch dann nicht, wenn es sich um ein OELD mit sehr großen Abmessungen handelt.
Zweite Ausführungsform
Wie bereits unmittelbar im Anschluss an die Figurenkurzbeschreibung angegeben, unterscheidet sich die zweite Ausführungsform von der ersten im Wesentlichen dadurch, dass bei der ersten Ausführungsform, gemäß der 4, das Gate 112 unter der aktiven Schicht 114 lag, während nun, gemäß der 20, das Gate 212 über der aktiven Schicht 214 liegt. Daher wird betreffend die 17 auf die Beschreibung zur 1 verwiesen, und betreffend die 18 wird auf die Beschreibung zur 2 verwiesen.
Nun wird ein Verfahren zum Herstellen des OELD gemäß der zweiten Ausführungsform beschrieben.
Bei diesem Verfahren werden dieselben Materialien wie beim zur ersten Ausführungsform beschriebenen Verfahren verwendet, so dass hierauf verwiesen wird.
Gemäß den 19 und 20 werden auf einem Substrat 210 Transistoren T mit oben liegendem Gate hergestellt, die einem jeweiligen Treibertransistor in einem Unterpixel entsprechen.
Auf dem Substrat 210 wird aus den oben genannten Gründen 211 eine Pufferschicht hergestellt, auf der wiederum eine aktive Schicht 214 hergestellt wird, der eine erste Isolierschicht 213 folgt.
Auf dieser ersten Isolierschicht 213 wird ein oben liegendes Gate 212 hergestellt, woraufhin eine zweite Isolierschicht 216a in solcher Weise aufgebracht wird, dass sie die erste Isolierschicht 213 und das Gate 212 bedeckt. Auf dieser zweiten Isolierschicht 216a werden wiederum eine Source 215a und ein Drain 215b ausgebildet, die dann von einer dritten Isolierschicht 216b abgedeckt wird.
Gemäß der 21 wird mit der Source 215a oder dem Drain 215b des Transistors T eine untere Elektrode 217 verbunden, d. h., dass diese in solcher Weise auf der dritten Isolierschicht 216b hergestellt wird, dass sie mit der Source 215a oder dem Drain 215b des Transistors T verbunden ist. Bei dieser Ausführungsform wird die untere Elektrode 217 als Kathode ausgewählt, und sie wird aus Al, AlNd oder Ag dick hergestellt, um ihr Reflexionsvermögen zu erhöhen.
Gemäß der 21 wird auf derselben Schicht, auf der die untere Elektrode 217 hergestellt wird, eine von ihr getrennte Buselektrode 219 mit dem oben genannten Aufbau hergestellt. Dabei sind wiederum die Gitterform, siehe die 22, und die Streifenform, siehe die 23, dargestellt.
Gemäß der 24 wird eine Abgrenzschicht 218 mit Öffnungen OPN1 und OPN2 hergestellt, durch die die untere Elektrode 217 bzw. die Buselektrode 219 freigelegt werden. Da die Öffnungen OPN1, durch die ein Teil der unteren Elektrode 217 freigelegt wird, ausgebildet werden, wenn die Abgrenzschicht 218 hergestellt wird, kann der Lichtemissionsbereich eines Unterpixels definiert werden, und gleichzeitig können die Öffnungen OPN2 ausgebildet werden, durch die die Buselektrode 219 freigelegt wird.
Gemäß der 25 wird eine organische Lichtemissionsschicht 220 so hergestellt, dass sie die untere Elektrode 217, die Abgrenzschicht 218 und die Buselektrode 219 bedeckt. Diese organische Lichtemissionsschicht 220 wird so hergestellt, dass sie die untere Elektrode 217, die Abgrenzschicht 218 und die auf dem Substrat 210 ausgebildete Buselektrode 219 bedeckt. Diese organische Lichtemissionsschicht 220 wird wie die organische Lichtemissionsschicht 120 vorzugsweise mit verschiedenen Unterschichten ausgebildet, nämlich einer Elektroneninjektionsschicht 220a, einer Elektronentransportschicht 220b, einer Emissionsschicht 220c, einer Löchertransportschicht 220d und einer Löcherinjektionsschicht 220e.
Gemäß der 27 wird die organische Lichtemissionsschicht 220 strukturiert, was auf dieselbe Weise erfolgt, wie es oben unter Bezugnahme auf die 13 beschrieben ist. Dabei ist nun die vollständige Strukturierung in der 28 dargestellt, während die lokale Strukturierung in der 29 dargestellt ist.
Gemäß der 30 wird auf der organischen Lichtemissionsschicht 220 eine obere Elektrode 221 so hergestellt, dass sie mit der freigelegten Buselektrode 219 in Kontakt steht. Diese obere Elektrode 221 wird nun als Anode ausgewählt; sie wird aus ITO, IZO, ITZO oder AZO (mit ZnO dotiertes Al₂O₃) hergestellt, wobei jedoch keine Einschränkung hierauf besteht.
Wenn dieses nach oben emittierende OELD unter Verwendung des eben beschriebenen Verfahrens hergestellt wird, kann die als Kathode ausgewählte obere Elektrode 221 dünn ausgebildet werden, um ihre Transparenz zu erhöhen. Durch das beschriebene Verfahren wird vermieden, dass die organische Lichtemissionsschicht 220 durch Sputtern oder dergleichen beschädigt wird.
Wesentlich ist, dass der Widerstand der oberen Elektrode 221 gesenkt werden kann, da die Buselektrode 219 und die auf der Abgrenzschicht 218 ausgebildete obere Elektrode 221 elektrisch miteinander verbunden werden können, ohne dass dazu ein gesonderter Maskierungsprozess erforderlich wäre. Bei diesem OELD kann daher die Ansteuerspannung gesenkt werden, und es entstehen keine Unregelmäßigkeiten der Helligkeit, und zwar auch dann nicht, wenn es sich um ein großflächiges OELD handelt.

Claims

OELD mit: a) auf einem Substrat (110) hergestellten Transistoren (T); b) einer Isolierschicht (113) auf den Transistoren; c) einer auf der Isolierschicht ausgebildeten unteren Elektrode (117), die mit der jeweiligen Source oder dem jeweiligen Drain der Transistoren verbunden ist; d) einer Abgrenzschicht (118) mit Öffnungen zum Freilegen eines Teils der unteren Elektrode; e) einer auf der Abgrenzschicht ausgebildeten Buselektrode (119); f, g) einer organischen Lichtemissionsschicht (120), die so ausgebildet ist, dass sie die untere Elektrode, die Abgrenzschicht und die Buselektrode bedeckt, wobei sie so strukturiert ist, dass sie zumindest einen Teil der Buselektrode freilegt; und h) einer oberen Elektrode (121), die auf der organischen Lichtemissionsschicht ausgebildet ist und so konfiguriert ist, dass sie mit der freigelegten Buselektrode in Kontakt steht.
OELD mit: a) auf einem Substrat (210) hergestellten Transistoren (T); b) einer Isolierschicht (213) auf den Transistoren; c) einer auf der Isolierschicht ausgebildeten unteren Elektrode (217), die mit der jeweiligen Source oder dem jeweiligen Drain der Transistoren verbunden ist; e') einer Buselektrode (219), die auf der Isolierschicht ausgebildet ist und von der unteren Elektrode getrennt ist; d') einer Abgrenzschicht (218) mit ersten Öffnungen zum Freilegen eines Teils der unteren Elektrode und zweiten Öffnungen zum Freilegen zumindest eines Teils der Buselektrode; f, g) einer organischen Lichtemissionsschicht (220), die so ausgebildet ist, dass sie die untere Elektrode, die Abgrenzschicht und die Buselektrode bedeckt, wobei sie so strukturiert ist, dass sie zumindest einen Teil der Buselektrode freilegt; und h) einer oberen Elektrode (221), die auf der organischen Lichtemissionsschicht ausgebildet ist und so konfiguriert ist, dass sie mit der freigelegten Buselektrode in Kontakt steht.
OELD nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Buselektrode (119; 219) in Gitter- oder Streifenform vorliegt.
Verfahren zum Herstellen eines OELD, mit den folgenden Schritten: A) Herstellen von Transistoren auf einem Substrat; B) Herstellen einer Isolierschicht auf den Transistoren; C) Herstellen einer unteren Elektrode auf der Isolierschicht in solcher Weise, dass sie mit der jeweiligen Source oder dem jeweiligen Drain der Transistoren verbunden ist; D) Herstellen einer Abgrenzschicht auf der unteren Elektrode mit Öffnungen zum Freilegen eines Teils der unteren Elektrode; E) Herstellen einer Buselektrode auf der Abgrenzschicht; F) Herstellen einer organischen Lichtemissionsschicht in solcher Weise, dass sie die untere Elektrode, die Abgrenzschicht und die Buselektrode bedeckt; G) Strukturieren der organischen Lichtemissionsschicht unter Verwendung eines Lasers, um dadurch zumindest einen Teil der auf der Abgrenzschicht platzierten Buselektrode freizulegen; und H) Herstellen einer oberen Elektrode auf der organischen Lichtemissionsschicht in solcher Weise, dass sie mit der freigelegten Buselektrode in Kontakt gelangt.
Verfahren zum Herstellen eines OELD, mit den folgenden Schritten: A) Herstellen von Transistoren auf einem Substrat; B) Herstellen einer Isolierschicht auf den Transistoren; C) Herstellen einer unteren Elektrode auf der Isolierschicht in solcher Weise, dass sie mit der jeweiligen Source oder dem jeweiligen Drain der Transistoren verbunden ist; E') Herstellen einer von der unteren Elektrode getrennten Buselektrode auf der Isolierschicht; D') Herstellen einer Abgrenzschicht auf der unteren Elektrode mit ersten Öffnungen zum Freilegen eines Teils der unteren Elektrode sowie zweiten Öffnungen zum Freilegen zumindest eines Teils der Buselektrode; F) Herstellen einer organischen Lichtemissionsschicht in solcher Weise, dass sie die untere Elektrode, die Abgrenzschicht und die Buselektrode bedeckt; G) Strukturieren der organischen Lichtemissionsschicht unter Verwendung eines Lasers, um dadurch zumindest einen Teil der auf der Abgrenzschicht platzierten Buselektrode freizulegen; und H) Herstellen einer oberen Elektrode auf der organischen Lichtemissionsschicht in solcher Weise, dass sie mit der freigelegten Buselektrode in Kontakt gelangt.
Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass im Schritt des Herstellens der Buselektrode dieselbe in Gitter- oder Streifenform hergestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die obere Elektrode als Einzelschicht aus einem Metall, einem Metalloxid oder einem organischen, leitenden Material oder als Mehrfachschicht aus mindestens zweien der eben genannten Materialien hergestellt wird.