JP2007286111A - 有機ｅｌ表示装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ表示装置の光利用効率を向上させる。
【解決手段】保護膜ＰＡＳの上に画素電極ＰＸＥが形成され、第１絶縁層で第１バンクＢＮＫＡが凸状に形成されている。一対の第１バンクＢＮＫＡ（Ａ１領域、Ａ２領域）のＢ１領域とＢ２領域における画素電極ＰＸＥの上に第２絶縁層で若干盛り上がった第２−１バンクＢＮＫＢ−１が形成され、さらにこの第２−１バンクＢＮＫＢ−１の上に第２絶縁層で第２−２バンクＢＮＫＢ−２が形成される。第２−２バンクＢＮＫＢ−２の断面は逆台形の形状となっており、第１バンクＢＮＫＡと対向する側の面が基板側に逆のテーパを持つ。一対の第１バンクＢＮＫＡの間で、Ｃ１領域、Ｃ２領域、Ｃ３領域の画素電極ＰＸＥの上に有機ＥＬ発光素子を構成する機能層ＯＬＥ１、ＯＬＥ３、ＯＬＥ５が、Ｂ１領域とＢ２領域では第２−２バンクＢＮＫＢ−２の上にそれぞれＯＬＥ２、ＯＬＥ４が形成されている。これらの機能層を全て覆って、かつ複数の画素に対して共通に対向電極ＣＯＵＮＴが形成されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置とその製造方法に係り、特に有機ＥＬ発光層の発光光の利用効率を向上させた画素構造に特徴を有する。

フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないしは実用化研究段階にある。中でも、有機ＥＬ表示装置は薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。有機ＥＬ表示装置には、所謂ボトム・エミッション型とトップ・エミッション型とがある。なお、ここでは、本発明をアクティブ・マトリクス方式の有機ＥＬ表示装置について説明するが、発光層構造に関しては単純マトリクス方式などの有機ＥＬ表示装置にも同様に適用できる。

本発明は、特に、トップ・エミッション型のアクティブ・マトリクス有機ＥＬ表示装置に好適なものである。従来のトップ・エミッション型のアクティブ・マトリクス有機ＥＬ表示装置として、各画素に、ガラスを好適とする基板上に形成されたアクティブ素子と、該アクティブ素子上に形成された第１絶縁膜と、その第１絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して該アクティブ素子と接続される第１電極（通常、反射性の金属電極、不透明電極）と、第１電極上に形成された有機発光層を含む機能層と、該機能層上の面全体を被う第２電極（通常、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる電極）と、第１電極の周縁上及び隣接する第１電極の間上に形成されたバンクと称される絶縁膜とを有する構造を持つものがある。特許文献１には、走査線の延伸方向のバンクの上面に機能層を形成していない領域を設けるものが記載されている。
特開２００４‐１９２９７７号公報

有機ＥＬ表示装置の発光構造を構成する機能層は、屈折率が異なる層に挟まれているため、発光領域で発生した光は機能層内に閉じ込められ、非発光領域へ伝播する。特許文献１に開示された内容では、機能層の非形成領域（画素分離部）をバンクの上面に設けているため、伝播光はその非形成領域で出射するまでの経路で熱エネルギーに変換されたり、基板方向に出射する等、表示に寄与しない伝播光が多い。この伝播光を画素の中央領域で表示光として取り出すことができれば、発光層で発光した光量の光利用効率が向上する。

本発明の目的は、光利用効率を向上させための画素構造を備えた有機ＥＬ表示装置とその製造方法を提供することにある。

本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板の一方の面に複数の画素を有し、前記画素の各々は、第１電極と第２電極の間に有機発光層を備えた有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子に流れる電流を制御するアクティブ素子と、前記有機ＥＬ素子と前記アクティブ素子との間に形成された第１絶縁層とを備えている。

そして、上記目的を達成するため、本発明は、前記第１電極を画素毎に分離して形成し、前記第２電極を複数の画素に共通に形成し、前記第１絶縁層により前記第１電極の周縁を覆っている。前記第１電極の周縁を除いた該第１の電極の上に、前記第１絶縁層と同層の第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁膜に前記基板面に対して形成した段差を設け、前記段差によって前記第２電極及び前記有機発光層を各画素内で分離した。

また、本発明は、前記段差を形成する前記第２絶縁層の前記基板から遠い側の角を鋭角とし、前記段差を前記基板の面に対して順テーパを持つ面と逆テーパを持つ面とで形成することができる。

また、本発明は、前記第２絶縁層は前記第１絶縁層に挟まれた領域に、前記基板の面に対して順テーパを持つ面を形成し、前記第２電極及び前記有機発光層の縁を前記順テーパを持つ面の上に配置することができる。

また、本発明は、前記順テーパを持つ面の下層に逆テーパを持つ面を設け、前記第１電極の周縁を除いた領域上に該第１電極の面に対して逆テーパを持つ面を有する第２絶縁層を形成し、前記逆テーパを持つ面に、前記第２電極及び前記有機発光層の縁を設けることができる。

また、本発明は、前記第２絶縁層に前記第１絶縁層に挟まれた領域に逆テーパを持つ面を設け、前記第２電極及び前記有機発光層の縁を前記逆テーパを持つ面の上に配置することができる。

本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、画素毎に分離された第１電極を形成する工程と、前記第１電極の形成後に、隣接する第１電極との間上と、前記第１電極の周縁上及びその中央の一部上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の形成後に、該絶縁層の上に有機発光材料と第２電極とをこの順で形成する工程とを含むものとする。

画素内で発光領域を分離したことにより、基板面に平行な方向で非発光部に伝播する光を表示光として利用でき、光の利用効率が向上し、高輝度の表示を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。先ず、始めに有機ＥＬ表示装置の回路構成例とトップ・エミッション型の有機ＥＬ表示装置の構造について説明する

図１は、有機ＥＬ表示装置の回路構成の１例を説明する図である。基板上に複数の画素回路ＰＸＣがマトリクス状に配置されて、表示エリアＡＲを構成している。画素回路ＰＸＣは、有機ＥＬ素子ＥＬＥ、スイッチング用薄膜トランジスタＴＦＴ１（例えば、ｐ-ＭＯＳ）、データ保持容量Ｃadd、有機ＥＬ素子ＥＬＥを駆動する駆動用薄膜トランジスタＴＦＴ２（例えば、ｎ-ＭＯＳ）とで構成される。

薄膜トランジスタＴＦＴ１のゲートは走査線ＧＬで走査線駆動回路（ゲート・ドライバ）に接続して、水平走査のタイミングで選択され、信号線ＤＬからのデータ信号をデータ保持容量Ｃaddに蓄積する。薄膜トランジスタＴＦＴ２は表示タイミングで導通し、データ保持容量Ｃaddに蓄積されたデータ信号の大きさに応じた電流を電源線ＰＬから有機ＥＬ素子ＥＬＥのカソードを介してアノードに流す。電源線ＰＬには、電源ＰＳから所要の電流が供給される。なお、信号線ＤＬはアナログ加算回路ＡＡＣを介して信号線駆動回路（データドライバ）ＤＤに接続している。有機ＥＬ素子ＥＬＥのアノードはアノードバスラインＡＢＬに接続されている。

図２は、トップ・エミッション型有機ＥＬ表示装置の１画素付近の断面構成を説明する図である。基板ＳＵＢは、石英ガラスあるいは無アルカリガラスが好適である。この基板ＳＵＢの一方の面（主面）には下地膜ＵＣを有している。下地膜ＵＣはプラズマＣＶＤで成膜されたＳiＮ/ＳiＯの積層膜である。下地膜ＵＣの上には、プラズマＣＶＤで成膜したアモルファスシリコンａ-Ｓｉ膜をエキシマレーザで結晶化してポリシリコンｐ-Ｓｉ膜とし、ウエットプロセスで島状に加工したＬＬＤ構造のポリシリコンｐ-Ｓｉ膜ｐ-Ｓｉが形成されている。このポリシリコンｐ-Ｓｉ膜ｐ-Ｓｉで構成される薄膜トランジスタは、図１の駆動用薄膜トランジスタＴＦＴ２に対応する。

ポリシリコンｐ-Ｓｉ膜ｐ-Ｓｉを覆ってゲート絶縁膜ＩＮＳ１が成膜されている。ゲート絶縁膜ＩＮＳ１はＴＥＯＳ製で、プラズマＣＶＤプロセスで成膜される。ポリシリコンｐ-Ｓｉ膜ｐ-Ｓｉの上層で、ゲート絶縁膜ＩＮＳ１上にゲート電極ＧＴが形成されている。ゲート電極ＧＴは金属電極（ＭｏＷ製）で、プラズマＣＶＤで成膜後、ウエットプロセスで加工される。その上に層間絶縁膜ＩＮＳ２が形成されている。層間絶縁膜ＩＮＳ２はＳｉＯ製で、プラズマＣＶＤで成膜される。

ゲート絶縁膜ＩＮＳ１と層間絶縁膜ＩＮＳ２を通してコンタクトホールが開けられ、層間絶縁膜ＩＮＳ２の上にソース・ドレイン電極ＳＤが成膜される。ソース・ドレイン電極ＳＤはコンタクトホールを通してポリシリコンｐ-Ｓｉ膜ｐ-Ｓｉに接続している。ソース・ドレイン電極ＳＤはＭｏＷ/Ａｌ‐Ｓｉ/ＭｏＷの積層構造で、プラズマＣＶＤで成膜後、ウエットプロセスで加工される。

ソース・ドレイン電極ＳＤを覆って保護膜（パッシベーション膜）ＰＡＳが成膜され、この保護膜ＰＡＳの上に画素電極（下部電極、ここではカソード）ＰＸＥが成膜され、保護膜ＰＡＳに開けられたコンタクトホールを通してソース・ドレイン電極ＳＤに接続している。画素電極ＰＸＥは金属電極で構成され、ここではアルミニウムＡｌ製としている。この画素電極ＰＸＥも、プラズマＣＶＤで成膜後、ウエットプロセスで加工される。

薄膜トランジスタの情報にはＳiＮからなる堤状部（バンク）ＢＮＫＡが形成されている。このバンクＢＮＫＡは隣接する画素を区画する如く形成される画素区画用バンクである。互いに隣接する画素区画用バンクＢＮＫＡの間に形成される凹部で、画素電極ＰＸＥの上に有機ＥＬ素子を構成する機能層ＯＬＥが蒸着等で形成されている。この機能層ＯＬＥは、画素電極ＰＸＥ側から、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、五酸化バナジウム層の順で積層されている。

そして、機能層ＯＬＥを覆い、画素区画用バンクＢＮＫＡを覆って対向電極（上部電極）ＣＯＵＮＴが形成されている。この対向電極ＣＯＵＮＴは透明電極であり、ここではＩＺＯを用いているが、ＩＴＯや他の透明導電膜でよい。対向電極ＣＯＵＮＴはスパッタにより複数の画素を共通に覆って成膜され、ここではアノードとして機能する。

このように構成された基板ＳＵＢの主面は封止基板ＣＡＰで封止される。この構成例では、封止基板ＣＡＰは基板ＳＵＢと同様の材料からなり、周辺が凸形状で、中央部が凹形状となっている。そして、周辺の凸形状部分にシール剤を塗布し、不活性雰囲気中で紫外線を照射してシール剤を硬化させ、密封して固定する。この密封空間に防湿剤あるいは吸湿剤を収容することもできる。

図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する１画素付近の断面模式図である。図３は図２の基板ＳＵＢの主面に成膜された保護膜ＰＡＳよりも上層に形成された構造を示し、薄膜トランジスタ等の回路構造は図示を省略した。図３において、保護膜ＰＡＳの上に画素電極ＰＸＥが形成され、第１絶縁層で第１バンクＢＮＫＡが凸状に形成されている。一対の第１バンクＢＮＫＡの間に形成される凹部が１画素領域を区画している。実施例１では、この画素領域をＣ１領域、Ｂ１領域、Ｃ２領域、Ｂ２領域、Ｃ３領域に分けて示してある。なお、一対の第１バンクＢＮＫＡの領域はそれぞれＡ１領域、Ａ２領域と表示してある。

Ｂ１領域とＢ２領域における画素電極ＰＸＥの上に第２絶縁層で若干盛り上がった第２−１バンクＢＮＫＢ−１が形成され、さらにこの第２−１バンクＢＮＫＢ−１の上に第２絶縁層で第２−２バンクＢＮＫＢ−２が形成されている。第２絶縁層で第２−２バンクＢＮＫＢ−２の上面は第１バンクＢＮＫＡの上面と略々同一の高さとなっている。そして、第２−２バンクＢＮＫＢ−２は、その断面が逆台形の形状となっており、第１バンクＢＮＫＡと対向する側の面が基板側に逆のテーパを持つ。

一対の第１バンクＢＮＫＡの間で、Ｃ１領域、Ｂ１領域、Ｃ２領域、Ｂ２領域、Ｃ３領域で、Ｃ１領域、Ｃ２領域、Ｃ３領域の画素電極ＰＸＥの上に有機ＥＬ発光素子を構成する機能層ＯＬＥ１、ＯＬＥ３、ＯＬＥ５が、Ｂ１領域とＢ２領域では第２−２バンクＢＮＫＢ−２の上にそれぞれＯＬＥ２、ＯＬＥ４が形成されている。なお、Ａ１領域、Ｂ１領域、Ｂ２領域、Ａ２領域では隣接する領域の機能層が若干越境して形成されている。そして、これらの機能層を全て覆って、かつ複数の画素に対して共通に対向電極ＣＯＵＮＴが形成されている。図３では、対向電極ＣＯＵＮＴが、Ａ１領域とＣ１領域でＣＯＵＮＴ１に、Ｂ１領域でＣＯＵＮＴ２に、Ｃ２領域でＣＯＵＮＴ３に、Ｂ２領域でＣＯＵＮＴ４に、Ｃ３領域とＡ２領域でＣＯＵＮＴ５に分離して示されているが、これらの対向電極は図示しない部分で電気的に接続されていることは言うまでもない。

このように、発光領域を画素内で分離した画素構造において、例えば機能層ＯＬＥ１の発光の一部が基板面に略沿って伝播したとき、図３の太い矢印で示したように、この光は対向電極と第２−１バンクＢＮＫＢ−１、第２−２バンクＢＮＫＢ−２と機能層などの界面あるいは斜面で反射し、最終的には表示光として出射する。

このように、実施例１によれば、画素内で発光領域を分離したことにより、基板面の方向でバンク等の非発光部に伝播する光を表示光として利用でき、光の利用効率が向上し、高輝度の表示を得ることができる。

図４は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明する図３のＡ部分の断面模式図である。実施例２では、図３のＣ１領域とＣ２領域の間にあるＢ１領域を、Ｂ１−１領域、Ｃ１−２領域、Ｂ１−２領域に分割し、Ｂ１−１領域とＢ1−２領域とに図４に示したような断面が翼型配置でそれぞれが略台形の第２バンクＢＮＫＢ−２を形成したものである。そして、これら第２バンクＢＮＫＢ−２とＣ１−２領域にわたって機能層ＯＬＥ２と対向電極ＣＯＵＮＴ２が形成されている。

実施例２によっても、画素内で発光領域を分離したことにより、基板面の方向でバンク等の非発光部に伝播する光を表示光として利用でき、光の利用効率が向上し、高輝度の表示を得ることができる。

次に、図５Ａ乃至図５Ｊを用いて本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施例３として説明する。なお、ここでは、図４で説明した有機ＥＬ表示装置の製造を例として説明する。先ず、薄膜トランジスタＴＦＴ、ソース・ドレインＳＤ、保護膜ＰＡＳおよび画素電極ＰＸＥまで形成した基板ＳＵＢの該画素電極ＰＸＥの上に、第２-1バンクＢＮＫＢ−1を形成する（図５Ａ）。この第２-1バンクＢＮＫＢ−1は、ＰＣＶＤでＳｉＮを成膜した後にウエットプロセスでパターン形成される。

第２-1バンクＢＮＫＢ−1を覆って窒化シリコンＳｉＮを成膜し、第２−２バンクとなるバンク層ＢＮＫを形成する（図５Ｂ）。このバンク層ＢＮＫはＰＣＶＤ(プラズマＣＶＤ)で成膜する。このとき、下層の酸素濃度を高くし、Ｓｉ/Ｎ比一定の窒化シリコンＳｉＮとなるようにする。

バンク層ＢＮＫの上に感光性レジストＲを塗布し、ホトリソプロセスで第２-1バンクＢＮＫＢ−1間に開口ＡＰを形成する（図５Ｃ）。この開口ＡＰを通してバンク層ＢＮＫにドライエッチングを施す（図５Ｄ）。このとき、オーバエッチングで開口ＡＰを中心とした略逆台形状の除去部分を形成する。その後、感光性レジストＲを剥離除去する（図５Ｅ）。

次に、感光性レジストＲを塗布し、ホトリソプロセスで略逆台形状の除去部分と第２−２バンクの形成領域に感光性レジストＲを残す（図５Ｆ）。この感光性レジストＲを介してウエットエッチングする。このとき、感光性レジストＲの側部分をオーバエッチングする（図５Ｇ）。その後、感光性レジストＲを剥離除去して翼状配置された略台形状の（図５Ｇ）第２-２バンクＢＮＫＢ−２を得る（図５Ｈ）。

画素電極ＰＸＥ、第２-1バンクＢＮＫＢ−1、第２-２バンクＢＮＫＢ−２の上に有機ＥＬ発光層を構成する機能膜ＯＬＥを蒸着する（図５Ｉ）。そして、さらに対向電極ＣＯＵＮＴを成膜する（図５Ｊ）。機能膜ＯＬＥと対向電極ＣＯＵＮＴの一部は翼状のオーバハングした第２-２バンクＢＮＫＢ−２に隠される部分にも形成される。これにより、図４に示した画素構造が得られる。

図６は、本発明における光取り出し用バンクの第１形状を説明する１画素の平面模式図である。図６における外枠は第１バンクＢＮＫＡ(図３のＡ領域（Ａ-1領域、Ａ-２領域）)、縦の細線は第２バンクＢＮＫＢ（第２-1バンクＢＮＫＢ−1、第２-２バンクＢＮＫＢ−２）、斜線を付した部分は発光エリア（発光領域、Ｃ領域）を示す。この例では第２バンクＢＮＫＢは４つで、その端部は第１バンクＢＮＫＡと離れている。

図７は、本発明における光取り出し用バンクの第２形状を説明する１画素の平面模式図である。図７における第１バンクＢＮＫＡ、第２バンクＢＮＫＢ、発光エリア、第２バンクＢＮＫＢの数は図６と同じで、図６との違いは第２バンクＢＮＫＢの端部が第１バンクＢＮＫＡと接している点である。

図８は、本発明における光取り出し用バンクの他の各種形状を説明する１画素の平面模式図である。図８（a）〜図８（h）における外枠、細線は図６、図７と同じ機能部分を示す。外枠内の白地部分は発光領域（発光エリア）である。図８（a）〜図８（h）に示された画素構造のうち、図８（h）に示した第２バンクＢＮＫＢはサークル状につながっており、電気的導通が断たれるため、サークル内が発光せず、円形の非発光パターンを矩形の発光パターンで囲む画素パターンである。

図９は、図６あるいは図７のＺ1−Ｚ２線に沿ったバンクの各種断面形状を示す模式図である。Ａ１、Ａ２は１画素を区画する第１バンクで、Ｂ１〜Ｂ４は第２バンク（光取り出し用バンク）、Ｃ１〜Ｃ５は発光領域を示す。ここでは、第２バンクを４つとしてあるが、これに限らない。

有機ＥＬ表示装置の回路構成の１例を説明する図である。 トップ・エミッション型有機ＥＬ表示装置の１画素付近の断面構成を説明する図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する１画素付近の断面模式図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明する図３のＡ部分の断面模式図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図５Ａに続く図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図５Ｂに続く図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図５Ｃに続く図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図５Ｄに続く図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図５Ｅに続く図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図５Ｆに続く図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図５Ｇに続く図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図５Ｈに続く図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図５Ｉに続く図である。 本発明における光取り出し用バンクの第１形状を説明する１画素の平面模式図である。 本発明における光取り出し用バンクの第２形状を説明する１画素の平面模式図である。 本発明における光取り出し用バンクの他の各種形状を説明する１画素の平面模式図である。 図６あるいは図７のＺ1−Ｚ２線に沿ったバンクの各種断面形状を示す模式図である。

符号の説明

ＳＵＢ・・・基板、ＰＡＳ・・・保護膜、ＰＸＥ・・・画素電極、ＢＮＫＡ・・・第１バンク、ＢＮＫＢ−１・・・第２−１バンク、ＢＮＫＢ−２・・・第２−２バンク。

Claims (8)

1. 基板の一方の面に複数の画素を有し、
   前記画素の各々は、第１電極と第２電極の間に有機発光層を備えた有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子に流れる電流を制御するアクティブ素子と、前記有機ＥＬ素子と前記アクティブ素子との間に形成された第１絶縁層とを備えた有機ＥＬ表示装置において、
   前記第１電極は画素毎に分離して形成され、
   前記第２電極は複数の画素で共通に形成され、
   前記第１絶縁層により前記第１電極の周縁が覆われており、
   前記第１電極の周縁を除いた該第１の電極の上に、前記第１絶縁層と同層の第２絶縁層が形成されており、
   前記第２絶縁膜は、前記基板面に対して段差を有し、
   前記段差によって前記第２電極及び前記有機発光層が各画素内で分離されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 請求項１において、
   前記段差を形成する前記第２絶縁層の前記基板から遠い側の角は鋭角であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
3. 請求項２において、
   前記段差は、前記基板の面に対して順テーパを持つ面と逆テーパを持つ面とで形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
4. 基板の一方の面に複数の画素を有し、
   前記各画素は、第１電極と第２電極の間に有機発光層を備えた有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子に流れる電流を制御するアクティブ素子と、前記有機ＥＬ素子と前記アクティブ素子との間に形成された第１絶縁層とを備えた有機ＥＬ表示装置において、
   前記第１電極は画素単位に分離して形成され、
   前記第２電極は複数の画素で共通に形成され、
   前記第１絶縁層により該第１電極の周縁が覆われており、
   前記第１電極の周縁を除いた該第１電極上に、前記第１絶縁膜と同層の第２絶縁層を有し、
   前記第２絶縁層は前記第１絶縁層に挟まれた領域に、前記基板の面に対して順テーパを持つ面を有し、
   前記第２電極及び前記有機発光層の縁が、前記順テーパを持つ面の上にあることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
5. 請求項４において、
   前記順テーパを持つ面の下層に逆テーパを持つ面があることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
6. 請求項４において、
   前記第１電極の周縁を除いた領域上に該第１電極の面に対して逆テーパを持つ面を有する第２絶縁層を有し、
   前記逆テーパを持つ面に、前記第２電極及び前記有機発光層の縁があることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
7. 基板の一方の面に複数の画素を有し、
   前記各画素は、第１電極と第２電極の間に有機発光層を備えた有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子に流れる電流を制御するアクティブ素子と、前記有機ＥＬ素子と前記アクティブ素子との間に形成された第１絶縁層とを備えた有機ＥＬ表示装置において、
   前記第１電極は画素毎に分離して形成され、
   前記第２電極は複数の画素で共通に形成され、
   前記第１絶縁層により該第１電極の周縁が覆われており、
   前記第１電極の周縁を除いた該第１の電極上に、前記第１絶縁層と同層の第２絶縁層を有し、
   前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層に挟まれた領域に逆テーパを持つ面を有し、
   前記第２電極及び前記有機発光層の縁が、前記逆テーパを持つ面の上にあることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
8. 画素毎に分離された第１電極を形成する工程と、
   前記第１電極の形成後に、隣接する第１電極との間上と、前記第１電極の周縁上及びその中央の一部上に絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層の形成後に、該絶縁層の上に有機発光材料と第２電極とをこの順で形成する工程とを含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。

Images