DE102009044334A1

DE102009044334A1 - Doppeltafel-OELD sowie Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number: DE102009044334A1
Application number: DE102009044334A
Authority: DE
Inventors: Kyung-Hee Min; Sung-Joon Bae; Joon-Suk Lee; Do-Hyung Kim
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2008-11-03
Filing date: 2009-10-27
Publication date: 2010-05-12
Anticipated expiration: 2029-10-28
Also published as: US20100110048A1; GB2464804A; DE102009044334B4; KR101236243B1; KR20100049427A; CN101728374B; GB2464804B; CN101728374A; US8395569B2; GB0917768D0

Abstract

Es wird eine Doppeltafel-OELD angegeben, das mit Folgendem versehen ist: einem ersten und einem zweiten Substrat (110, 150), die einander zugewandt sind und einen Pixelbereich (P) und einen Grenzbereich an der Grenze desselben aufweisen, einer ersten Elektrode (115) im Pixelbereich und im Grenzbereich auf dem ersten Substrat; einer ersten und einer zweiten Wand (118a und 118b) im Grenzbereich und auf der ersten Elektrode, wobei diese Wände voneinander beabstandet sind und beide eine umgekehrt veisen, wobei sie jeweils über eine erste und eine zweite Seitenfläche verfügen, wobei die zweite Seitenfläche der ersten Wand der zweiten Seitenfläche der zweiten Wand zugewandt ist und die ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand jeweils von ihren zweiten Seitenflächen abgewandt sind; einem ersten Muster (123a), das die ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand bedeckt und ausgehend von der ersten Elektrode eine erste Höhe aufweist, einem zweiten Muster (123b), das die Oberseite der ersten und/oder der zweiten Wand bedeckt und ausgehend von der ersten Elektrode eine zweite Höhe aufweist, die größer als die erste Höhe ist; einer organischen Emissionsschicht (126) auf der ersten Elektrode; einer zweiten Elektrode (130) auf der organischen Emissionsschicht, wobei ein Teil der zweiten Elektrode die Oberseite der organischen Emissionsschicht auf dem zweiten Muster bedeckt; einem Schalt-TFT (STr) im Pixelbereich ...

Description

Die Erfindung betrifft ein organisches Elektrolumineszenzdisplay (OELD), insbesondere ein Doppeltafel-OELD sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Ein OELD ist ein neuartiges Flachtafeldisplay mit Selbstemission; es zeigt hervorragende Eigenschaften betreffend einen großen Betrachtungswinkel, ein hohes Kontrastverhältnis, eine hohe Ansprechrate sowie niedrige Herstellkosten. Auch ist es leicht und zeigt einen niedrigen Energieverbrauch, da es keine Hinterleuchtung benötigt.
Die 1 ist ein Schaltbild, das einen Pixelbereich P eines OELD gemäß dem Stand der Technik zeigt. Wie dargestellt, sind eine Gateleitung GL, eine Datenleitung DL, eine Spannungsversorgungsleitung PL, ein Schalt-TFT (Dünnschichttransistor) STr, ein Speicherkondensator StgC, ein Treiber-TFT DTr und eine OLED E in einem Pixelbereich P ausgebildet. Die Gateleitung GL und die Datenleitung DL schneiden einander, wodurch der Pixelbereich P definiert ist, und die Spannungsversorgungsleitung PL ist so ausgebildet, dass sie parallel zur Datenleitung DL verläuft. Der Schalt-TFT STr ist im Schnittbereich zwischen einer Gateleitung GL und einer Datenleitung DL ausgebildet. Der Treiber-TFT DTr ist elektrisch mit dem Schalt-TFT STr verbunden.
Der Treiber-TFT DTr ist elektrisch mit der OLED E verbunden. Genauer gesagt, ist eine erste Elektrode der OLED E mit der Drainelektrode des Treiber-TFT DTr verbunden, und eine zweite Elektrode der OLED E ist mit der Spannungsversorgungsleitung PL verbunden, die eine Sourcespannung an die OLED E liefert. Der Speicherkondensator Cst ist zwischen der Gateelektrode und der Sourceelektrode des Treiber-TFT DTr angeordnet.
Wenn über die Gateleitung GL ein Signal an den Schalt-TFT STr angelegt wird, wodurch er einschaltet, wird ein Signal von der Datenleitung DL an die Gateelektrode des Treiber-TFT DTr geliefert, so dass dieser einschaltet. Im Ergebnis wird von der OLED E Licht emittiert. In diesem Fall wird, wenn der Treiber-TFT DTr eingeschaltet ist, die Stärke eines von der Spannungsversorgungsleitung PL an die OLED E gelieferten elektrischen Stroms so bestimmt, dass die OLED E eine Grauskala erzeugen kann. Der Speicherkondensator StgC dient dazu, die Spannung an der Gateelektrode des Treiber-TFT DTr aufrechtzuerhalten, wenn der Schalt-TFT STr ausgeschaltet ist. Demgemäß wird selbst dann, wenn der Schalt-TFT STr ausgeschaltet ist, die Stärke des von der Spannungsversorgungsleitung PL an die OLED E gelieferten elektrischen Stroms bis zum nächsten Rahmen aufrechterhalten.
Arrayelemente, beispielsweise die TFTs und die OELD mit einer Anode, einer Kathode und einer organischen Emissionsschicht sind auf einem einzelnen Substrat ausgebildet. Alternativ sind die Arrayelemente und die OELD auf verschiedenen Substraten ausgebildet, und es ist ferner eine Verbindungselektrode zum Verbinden der Arrayelemente und der OELD ausgebildet. Ein derartiges OELD mit zwei Substraten wird als Doppeltafel-OELD bezeichnet.
Die 2 ist eine Schnittansicht, die einen Pixelbereich eines Doppeltafel-OELD gemäß dem Stand der Technik zeigt. Wie dargestellt, sind eine Gateleitung (nicht dargestellt) und eine Datenleitung 15 auf einem ersten Substrat 10 ausgebildet. Die Gateleitung und die Datenleitung 15 schneiden einander, um einen Pixelbereich P zu definieren, in dem ein Schalt-TFT (nicht dargestellt) und ein Treiber-TFT DTr ausgebildet sind, die von einer Passivierungsschicht 25 bedeckt sind. Diese Passivierungsschicht 25 enthält ein Kontaktloch 27, das die Drainelek trode 20 des Treiber-TFT DTr freilegt. Auf der Passivierungsschicht 25 ist eine Verbindungselektrode 35 ausgebildet, die mit der Drainelektrode 20 des Treiber-TFT DTr durch das Kontaktloch 27 hindurch verbunden ist.
Außerdem ist auf dem zweiten Substrat 50 eine erste Elektrode 53 ausgebildet, auf der wiederum ein Puffermuster 57 ausgebildet ist, das Grenzen des Pixelbereichs entspricht. Auf einem Teil des Pixelbereichs ist ein säulenförmiger Abstandshalter 55 ausgebildet. Auf dem Puffermuster 57 ist eine Wand 60 mit umgekehrt verjüngter Form in Bezug auf die Innenseite des zweiten Substrats 50 ausgebildet. Darüber hinaus sind eine organische Emissionsschicht 65 und eine zweite Elektrode 70 auf der ersten Elektrode 53 ausgebildet. Die organische Emissionsschicht 65 und die zweite Elektrode 70 sind jeweils gegen diejenigen in einem benachbarten Pixelbereich isoliert. Die erste Elektrode 53, die organische Emissionsschicht 65 und die zweite Elektrode 70 bilden eine OLED E. Die zweite Elektrode 70 steht mit der Verbindungselektrode 35 auf dem ersten Substrat 10 in Kontakt, so dass die OLED E elektrisch mit dem Treiber-TFT DTr verbunden ist.
An Rändern des ersten oder zweiten Substrats 10 bzw. 50 wird ein Abdichtungsmuster (nicht dargestellt) ausgebildet, um den Innenraum zwischen diesen beiden Substraten abzudichten, der dann mit einem Inertgas gefüllt wird oder evakuiert wird, um Schäden durch Feuchtigkeit oder Luft zu verhindern.
Beim Herstellprozess für ein solches Doppeltafel-OELD 1 sollte insbesondere die zweite Elektrode 70 in einem Pixelbereich gegen diejenige in einem benachbarten Pixelbereich isoliert werden. Um eine solche Struktur zu erhalten, wird die Wand 60 mit der umgekehrt verjüngten Form aus einem organischen Isoliermaterial auf dem zweiten Substrat 50 so hergestellt, dass sie jeden Pixelbereich umgibt. Das eine Ende der Wand 60, das näher am zweiten Substrat 50 als das andere Ende liegt, zeigt eine erste Querschnittsfläche, die kleiner als eine zweite Querschnittsfläche am anderen Ende ist. Auf das zweite Substrat 50 werden dort, wo die Wand 60 ausgebildet wurde, ein organisches Emissionsmaterial und ein metallisches Material sequenziell aufgetragen oder abgeschieden, um die organische Emissionsschicht 65 und die zweite Elektrode 70 auszubilden.
Jedoch werden die Wand 60 und der säulenförmige Abstandshalter 55 bei diesem Doppeltafel-OELD durch verschiedene Prozesse hergestellt, so dass ein zusätzlichen Maskenprozess benötigt wird. Weiterhin besteht auf Grund des durchgehenden Metallmusters 73 auf der Wand 60 ein Helligkeitsproblem auf Grund von Teilchen. Darüber hinaus ist die Möglichkeit eines Kontaktproblems erhöht, da der Treiber-TFT DTr auf dem ersten Substrat 10 und die OLED E nur in Punktkontakt mit dem säulenförmigen Abstandshalter 55 stehen.
Um diese Probleme zu überwinden, wird ein von Abstandshaltern freies OELD mit einer doppelstrukturierten Wand, die ohne säulenförmigen Abstandshalter als Verbindungselektrode dient, eingeführt. Unglücklicherweise besteht weiterhin das folgende Problem. Da die durchgehend auf der doppelstrukturierten Wand ausgebildete zweite Elektrode der OELD als Verbindungselektrode verwendet wird, ist über dem zweiten Substrat eine Einebnungsschicht erforderlich, um eine gleichmäßige Höhe der doppelstrukturierten Wand zu erzielen. Wenn die aus einem organischen Isoliermaterial hergestellte Einebnungsschicht erwärmt wird, erzeugt sie Gas. Wenn das organische Emissionsmaterial der organischen Emissionsschicht diesem Gas ausgesetzt wird, wird sie thermisch beeinträchtigt, wodurch die Lebensdauer des OELD abnimmt. Zusätzlich ist eine Kontrolle der Kontaktfläche zwischen Elementen auf dem ersten und dem zweiten Substrat bei einem OELD ohne Abstandshalter unmöglich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Doppeltafel-OELD und ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, bei dem auch ohne säulenförmige Abstandshalter ein sicherer Kontakt zwischen einem jeweiligen TFT auf dem einen Substrat und einer jeweiligen OELD auf dem anderen Substrat erzielt werden kann.
Diese Aufgabe ist durch die Doppeltafel-OELDs gemäß den beigefügten unabhängigen Ansprüchen 1 und 9 sowie die Verfahren gemäß den beigefügten unabhängigen Ansprüchen 10 und 18 gelöst.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsformen näher erläutert.
1 ist ein Schaltbild, das einen Pixelbereich eines OELD gemäß dem Stand der Technik zeigt.
2 ist eine Schnittansicht, die einen Pixelbereich eines Doppeltafel-OELD gemäß dem Stand der Technik zeigt.
3A bis 3E sind Draufsichten eines Teils eines Doppeltafel-OELD gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
4 ist eine Schnittansicht, die einen Pixelbereich eines Doppeltafel-OELD gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
5A bis 5F sind Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für ein Doppeltafel-OELD gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
Die 3A bis 3F dienen zum speziellen Veranschaulichen einer Wand und eines als Abstandshalter dienenden zweiten Musters auf einem oberen Substrat eines Doppeltafel-OELD gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, auf dem eine OLED ausgebildet ist. Das zweite Muster ist als Punkt markiert. Die 3A und 3E zeigen zweite Muster in benachbarten Pixelbereichen mit verschiedenen Formen. Jedoch können sie über dieselbe Form verfügen.
Gemäß den 3A bis 3E werden eine erste und eine zweite Wand 118a und 118b voneinander beabstandet auf einem oberen Substrat 110 hergestellt. Jede dieser Wände verfügt über eine umgekehrt verjüngte Form. Die erste Wand 118a umgibt einen ersten Pixelbereich 21 und die zweite Wand 118b umgibt einen zweiten Pixelbereich 22. Das heißt, dass die erste und die zweite Wand 118a und 118b jeweils benachbarte Pixelbereiche P umgeben. Jede dieser Wände kann eine rechteckige Form, wie es in den 3A bis 3C dargestellt ist oder eine Wabenform, wie es in den 3D und 3E dargestellt ist, aufweisen. Beide Wänden können in einem die Pixelbereiche umgebenden Teil dieselbe Breite aufweisen, während ein anderer Teil eine größere Breite aufweisen kann, wie es in den 3B bis 3D dargestellt ist, gemäß denen sowohl die erste als auch die zweite Wand 118a und 118b in einen Bereich verzweigt, in dem eine erste Verbindungselektrode ausgebildet werden soll, um so einen Vorsprungsabschnitt 190 zu bilden.
Gemäß den 3B bis 3D zeigen, da die erste Verbindungselektrode im Bereich ausgebildet ist, in dem der Vorsprungsabschnitt 190 ausgebildet ist, das obere Substrat 110 und das untere Substrat (nicht dargestellt) einen Punktkontakt. Indessen zeigen in den 3A und 3E, da zum Verbinden des oberen Substrats 110 und des unteren Substrats ein zweites Muster 123b mit Linienform verwendet ist, das obere Substrat 110 und das untere Substrat Linienkontakt. Demgemäß wird bei der Struktur gemäß den 3A und 3E der Vorsprungsabschnitt nicht benötigt.
Bei der Struktur gemäß der Schnittansicht der 4 ist auf der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b ein Wandmuster 123 mit einem ersten und einem zweiten Muster 123a und 123b ausgebildet. Das erste Muster 123a, das als Puffermuster dient, bedeckt die Außenseite der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b. Das zweite Muster 123b, das als Abstandshalter dient, bedeckt die Oberseite der ersten und/oder der zweiten Wand 118a und 118b.
Gemäß erneuter Bezugnahme auf die 3A bis 3E kann das zweite Muster 123b verschiedene Formen zeigen. Beispielsweise kann ein Pixelbereich P vollständig vom zweiten 23b umgeben sein. Alternativ können Seiten mit Ausnahme mindestens einer Seite des rechteckigen oder sechseckigen Pixelbereichs P durch das zweite Muster 123b umgeben sein. Wenn die erste und die zweite Wand 118a und 118b den Vorsprungsabschnitt 190 aufweisen, kann das zweite Muster 123b auf diesem, mit Ausnahme anderer Abschnitte, ausgebildet sein. In diesem Fall zeigt das zweite Muster 123b Säulen- oder Stabform. Da das zweite Muster 123b auf der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b verschiedene Formen einnehmen kann, kann die Verbindungsfläche einer ersten Verbindungselektrode (nicht dargestellt) auf dem zweiten Muster 123b und einer zweiten Verbindungselektrode, die mit einem Treiber-TFT (nicht dargestellt) auf dem unteren Substrat verbunden ist, kontrolliert werden. Beispielsweise kann, wie es in der 3 dargestellt ist, wenn der Pixelbereich P Wabenform zeigt, der Vorsprungsabschnitt 190 als sorgenförmiger Bereich angeordnet sein, der zwischen vier benachbarten Pixelbereichen P positioniert ist.
Obwohl es nicht dargestellt ist, ist auf dem oberen Substrat 110 eine erste Elektrode aus einem transparenten, leitenden Material ausgebildet. Auf dieser ersten Elektrode ist eine organische Elektrode ausgebildet, die in den Farben Rot, Grün und Blau emittiert; sie ist in einem Bereich positioniert, der durch das erste Muster 123a (4) umgeben ist, so dass die organische Emissionsschicht in einem Pixelbereich P von derje nigen in einem benachbarten Pixelbereich P isoliert ist. Außerdem ist auf der organischen Emissionsschicht eine zweite Elektrode ausgebildet. Die organische Emissionsschicht und die zweite Elektrode in einem Pixelbereich P sind auf Grund der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b sowie des ersten und des zweiten Musters 123a und 123b auf natürliche Weise von der organischen Emissionsschicht und der zweiten Elektrode in einem benachbarten Pixelbereich P isoliert. Die erste Elektrode, die organische Emissionsschicht und die zweite Elektrode bilden eine OLED. Ein Teil der zweiten Elektrode des zweiten Musters 123b dient als erste Verbindungselektrode. Außerdem kann unter der ersten Elektrode eine Zusatzelektrode aus einem Material mit niedrigem Widerstand ausgebildet sein, um die Leitfähigkeit der ersten Elektrode zu verbessern. Die Zusatzelektrode ist Grenzen des Pixelbereichs P positioniert.
Auf dem dem oberen Substrat 110 zugewandten unteren Substrat sind eine Anzahl von Gateleitungen und eine Anzahl von Datenleitungen ausgebildet, die einander schneiden, um einen jeweiligen Pixelbereich P zu bilden. Auf dem unteren Substrat ist eine Spannungsversorgungsleitung parallel zur Datenleitung ausgebildet. Im Schnittabschnitt zwischen einer jeweiligen Gateleitung und Datenleitung ist ein Schalt-TFT STr ausgebildet, mit dem ein Treiber-TFT DTr verbunden ist.
Wenn das obere Substrat 110 und das untere Substrat aneinander befestigt werden, tritt die Verbindungselektrode auf dem oberen Substrat mit der mit dem Treiber-TFT DTr verbundenen zweiten Verbindungselektrode auf dem unteren Substrat in Kontakt, so dass die OLED auf dem oberen Substrat elektrisch mit dem Treiber-TFT DTr auf dem unteren Substrat verbunden wird. Das obere Substrat 110 und das untere Substrat werden durch ein Abdichtungsmittel entlang Rändern des oberen und/oder unteren Substrats abgedichtet, um das Doppeltafel-OELD gemäß der hier beschriebenen Ausführungsform zu erhalten. Bei der Erfindung ste hen die OLED und der Treiber-TFT abhängig von der Form des zweiten Musters 123b in Punkt- oder Linienkontakt.
Unter erneuter Bezugnahme auf die 4 wird nun die Querschnittsstruktur dieses Doppeltafel-OELD 101 erläutert. Es verfügt über das obere Substrat 110 und das untere Substrat 150. Auf dem transparenten oberen Substrat 110 wird an Grenzen eines Pixelbereich P die Zusatzelektrode 113 aus einem Material mit niedrigem Widerstand hergestellt. Auf der gesamten Oberfläche des oberen Substrats 110 wird die erste Elektrode 115 aus einem transparenten, leitenden Material mit relativ hoher Arbeitsfunktion ausgebildet, so dass die Zusatzelektrode 113 bedeckt ist.
Dann werden die erste und die zweite Wand 118a und 118b an Grenzen des Pixelbereichs P auf der ersten Elektrode 115 hergestellt. Gemäß der 4 sind die erste und die zweite Wand 118a und 118b an den Enden der Zusatzelektrode 113 positioniert. Die erste und die zweite Wand 118a und 118b verfügen über eine umgekehrt verjüngte Form in Bezug auf die Innenseite des oberen Substrats 110. Das heißt, dass dasjenige Ende der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b, das näher am oberen Substrat 110 als das andere Ende liegt, eine erste Querschnittsfläche aufweist, die kleiner als eine zweite Querschnittsfläche am anderen Ende ist. Die erste und die zweite Wand 118a und 118b sind um eine vorbestimmte Entfernung voneinander beabstandet.
Das Wandmuster 123 mit dem ersten und dem zweiten Muster 123a und 123b wird so auf der ersten Elektrode 115 hergestellt, dass es teilweise über der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b liegt. Das erste Muster 123a bedeckt eine erste Seitenfläche der ersten Wand 118a und eine erste Seitenfläche der zweiten Wand 118b. Eine zweite Seitenfläche der ersten Wand 118a und eine zweite Seitenfläche der zweiten Wand 118b können durch das Wandmuster 123 bedeckt sein. Die zweite Seitenfläche der ersten Wand 118a ist der zweiten Seitenfläche der zweiten Wand 118b zugewandt, und die ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b sind jeweils von den zweiten Seitenflächen derselben abgewandt. Das zweite Muster 123b bedeckt die Oberseite der ersten und/oder zweiten Wand 118a und 118b. Das zweite Muster 123b erstreckt sich ausgehend vom ersten Muster 123a. Die zweiten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b verfügen über eine umgekehrt verjüngte Form, während eine Fläche entlang den ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b vollständig eine verjüngte Form aufweisen. Das zweite Muster 123b mit der ersten und/oder zweiten Wand 118a und 118b, wo das zweite Muster 123b ausgebildet ist, dient als Abstandshalter. Wie oben erläutert, kann das zweite Muster 123b die gesamte Fläche der ersten und/oder der zweiten Wand 118a und 118b oder eine Teilfläche der ersten und/oder zweiten Wand 118a und 118b bedecken. Außerdem ist, da das zweite Muster 123b verschiedene Formen einnehmen kann, die Fläche desselben steuerbar, so dass auch die Kontaktfläche zwischen der ersten Verbindungselektrode 131 auf dem oberen Substrat 110 und der zweiten Verbindungselektrode 175 auf dem unteren Substrat 150 kontrollierbar ist.
Die organische Emissionsschicht 126 wird auf der ersten Elektrode 115 des Wandmusters 123 hergestellt. Die Emissionsschicht 126 in einem Pixelbereich P ist auf Grund der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b und des Wandmusters 123 gegen die organische Emissionsschicht 126 in einem benachbarten Pixelbereich P isoliert. Beispielsweise emittieren die organischen Emissionsschichten 126 in drei benachbarten Pixelbereichen P die Farben Rot, Grün bzw. Blau. Die 4 zeigt eine einschichtige organische Emissionsschicht 126. Um jedoch die Emissionseffizienz zu verbessern, kann die organische Emissionsschicht 126 über mehrere Schichten verfügen, nämlich eine Elektroneninjektionsschicht, eine Elektronentransport, eine Schicht aus einem organischen Emissionsmaterial, eine Löchertransportschicht und eine Löcherinjektionsschicht.
Die zweite Elektrode 130 wird auf der organischen Emissionsschicht 126 hergestellt, wobei die zweite Elektrode 130 in einem Pixelbereich P ebenfalls durch die erste und die zweite Wand 118a und 118b und das Wandmuster 123 gegen die zweite Elektrode 130 in einem benachbarten Pixelbereich P isoliert ist. Die zweite Elektrode 130 kann aus einem metallischen Material mit relativ hoher Arbeitsfunktion, z. B. Aluminium (Al) oder einer Al-Legierung hergestellt werden. Die erste Elektrode 115, die organische Emissionsschicht 126 und die zweite Elektrode 130 bilden die OLED E. Die zweite Elektrode 130 ist auf die erste und die zweite Wand 118a und 118b sowie das erste und das zweite Muster 123a und 123b geschichtet. Ein Teil der zweiten Elektrode 130, der auf das zweite Muster 123b aufgeschichtet ist, dient als erste Verbindungselektrode 131. Die erste Verbindungselektrode 131 steht mit der zweiten Verbindungselektrode 175 auf dem unteren Substrat 150 in Kontakt, so dass die zweite Elektrode 130 der OLED E elektrisch mit dem Treiber-TFT DTr verbunden ist. Während eines Schritts zum Ausbilden der organischen Emissionsschicht 126 und der zweiten Elektrode 130 befinden sich ein Muster 127 aus einem organischen Material sowie ein Muster 132 aus einem metallischen Material zwischen der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b.
Auf dem unteren Substrat 150 werden die Gateleitungen (nicht dargestellt) und die Datenleitungen 162 mit einer dazwischen eingefügten Gateisolierschicht 155 ausgebildet. Die Gateleitung und die Datenleitung 162 schneiden einander, wodurch ein jeweiliger Pixelbereich P definiert ist. Der mit der Gateleitung und der Datenleitung 162 verbundene Schalt-TFT (nicht dargestellt) ist im Schnittabschnitt zwischen den genannten Leitungen ausgebildet. Mit dem Schalt-TFT ist mindestens ein Treiber-TFT elektrisch verbunden. Die 4 zeigt einen einzelnen Treiber-TFT.
Sowohl der Schalt-TFT als auch der Treiber-TFT verfügen über eine Gateelektrode 153, eine Halbleiterschicht 158 mit einer aktiven Schicht 158a und einer ohmschen Kontaktschicht 158b, eine Sourceelektrode 164 und eine Drainelektrode 166, die sequenziell aufeinandergeschichtet sind. Dies kann als Struktur mit untenliegendem Gate bezeichnet werden. Alternativ können sowohl der Schalt-TFT als auch der Treiber-TFT eine Struktur mit oben liegendem Gate aufweisen.
Auf dem Schalt-TFT und dem Treiber-TFT wird eine Passivierungsschicht 170 mit einem Kontaktloch 172 hergestellt. Das Kontaktloch 172 legt eine Elektrode, beispielsweise die Drainelektrode 166, des Treiber-TFT frei. Die Passivierungsschicht 170 wird aus einem organischen Isoliermaterial so hergestellt, dass eine ebene Oberfläche gebildet wird. Alternativ kann die Passivierungsschicht 170 aus einem anorganischen Isoliermaterial hergestellt werden, wobei eine unebene Oberfläche gebildet wird, was von der darunter liegenden Struktur abhängt.
Die mit der Drainelektrode 166 des Treiber-TFT verbundene zweite Verbindungselektrode 175 wird auf der Passivierungsschicht 170 hergestellt. Das obere und das untere Substrat 110 und 150 werden so einander befestigt, dass die erste Verbindungselektrode 131 auf dem oberen Substrat 110 mit der zweiten Verbindungselektrode 175 auf dem unteren Substrat 150 in Kontakt tritt. Obwohl es nicht dargestellt ist, wird entlang Rändern des oberen und/oder unteren Substrats 110 und 150 ein Abdichtungsmuster ausgebildet, um die beiden Substrate gegeneinander abzudichten. Der Innenraum zwischen den beiden Substraten wird in einen Vakuumzustand oder einen mit Inertgas gefüllten Zustand gebracht. Ferner kann ein Gettermuster zum Absorbieren von Feuchtigkeit ausgebildet werden.
Unter Bezugnahme auf die 5A bis 5F wird nun ein Herstellprozess für ein Doppeltafel-OELD gemäß einer Ausführungsform der Erfindung erläutert. Ein Bereich, in dem die genannten Wände ausgebildet werden, wird als Grenzbereich CA bezeichnet.
Gemäß der 5A wird die Zusatzelektrode 113 im Grenzbereich CA auf dem oberen Substrat 110 dadurch hergestellt, dass eine erste Metallschicht (nicht dargestellt) durch einen Maskenprozess abgeschieden und strukturiert wird. Die erste Metallschicht kann aus einem metallischen Material mit niedrigem Widerstand bestehen, wie Al, einer Al-Legierung, Kupfer (Cu), einer Cu-Legierung oder Chrom (Cr). Der Maskenprozess kann folgende Schritte beinhalten: einen Schritt zum Herstellen einer Fotoresist(PR)schicht, einen Schritt zum Belichten der PR-Schicht unter Verwendung einer Maske, einen Schritt zum Entwickeln der belichteten PR-Schicht zum Ausbilden eines PR-Musters sowie einen Schritt zum Ätzen der ersten Metallschicht unter Verwendung des PR-Musters als Ätzmaske. Die Zusatzelektrode 113 kann entlang Grenzen des Pixelbereichs P Gitterform oder entlang einer Seite desselben eine lineare Form aufweisen.
Auf der gesamten Fläche des oberen Substrats 110 wird die erste Elektrode 115 aus transparentem, leitendem Material mit relativ hoher Arbeitsfunktion wie Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO) so hergestellt, dass die Zusatzelektrode 113 bedeckt wird. Die Zusatzelektrode 113 wird hergestellt, um die Leitfähigkeit der ersten Elektrode 115 zu verbessern; daher kann die Zusatzelektrode 113 weggelassen werden.
Gemäß der 5B werden die erste und die zweite Wand 118a und 118b im Grenzbereich CA durch Beschichten und Strukturieren einer Schicht (nicht dargestellt) aus einem organischen Isoliermaterial auf der ersten Elektrode 115 hergestellt. Beide Wände haben umgekehrt verjüngte Form. Das organische Isoliermaterial zeigt die Eigenschaft negativer Fotoempfindlichkeit, so dass die Schicht aus diesem Material mit umgekehrt verjüngter Form erhalten werden kann. Ein Teil der Schicht aus dem organischen Isoliermaterial mit der Eigenschaft negativer Fotoempfindlichkeit erfährt beim Belichten mit Licht eine chemische Veränderung, wodurch der belichtete Teil bei einem Belichtungsprozess verbleibt. Wenn die Schicht aus dem organischen Isoliermaterial Licht ausgesetzt wird, unterscheidet sich die Lichtmenge an der Oberfläche der Schicht von der Lichtmenge am Boden derselben. Die belichtete Schicht aus dem organischen Isoliermaterial wird entwickelt, wobei die umgekehrt verjüngte Form erhalten wird.
Gemäß der 5C wird auf der gesamten Fläche des oberen Substrats 110, wo die erste und die zweite Wand 118a und 118b ausgebildet, sind, durch Auftragen eines Polymermaterials, beispielsweise Polyimid, eine Polymermaterialschicht (nicht dargestellt) hergestellt. Ferner wird auf dieser Polymermaterialschicht eine PR-Schicht (nicht dargestellt) hergestellt, die dann unter Verwendung eines Beugungsbelichtungsverfahrens oder eines Halbtonbelichtungsverfahrens belichtet und entwickelt wird, um ein erstes PR-Muster 181a mit einer ersten Dicke und ein zweites PR-Muster 181b mit einer zweiten Dicke, die größer als die erste Dicke ist, auszubilden. Beim Beugungsbelichtungsverfahren oder beim Halbtonbelichtungsverfahren wird eine Belichtungsmaske mit einem transmissiven Teil, einem halbtransmissiven Teil und einem ausblendenden Teil verwendet. Der halbtransmissive Teil weist ein geringeres Transmissionsvermögen als der transmissive Teil, aber ein größeres als der ausblendende Teil auf. Das erste PR-Muster 181a wird in einem ersten Bereich ausgebildet, in dem das erste Muster 123a auszubilden ist und das zweite PR-Muster 181b wird in einem zweiten Bereich ausgebildet, in dem das zweite Muster 123b auszubilden ist.
Als Nächstes wird ein Teil der Polymermaterialschicht, der durch das erste und zweite PR-Muster 181a und 181b freigelegt wurde, geätzt, um ein Polymermuster 122 auszubilden, das die ersten Seitenflächen der ersten und zweiten Wand 118a und 118b sowie die Oberseite mindestens einer derselben bedeckt. Das der ersten Wand 118a entsprechende Polymermuster 122 weist ausgehend von der ersten Elektrode 115 dieselbe Höhe wie das der zweiten Wand 118b entsprechende Polymermuster 122 auf.
Als Nächstes werden, gemäß der 5D, das erste und das zweite PR-Muster 181a und 181b (5C) verascht, um das erste PR-Muster 181a zu entfernen und aus dem zweiten PR-Muster 181b ein drittes PR-Muster 181c auszubilden. Das durch Entfernen des ersten PR-Musters 181a freigelegte Polymermuster 122 wird so trockengeätzt, dass es dieselbe Höhe wie die erste Wand 118a aufweist. Das der zweiten Wand 118b entsprechende Polymermuster 122 ist so mit dem dritten PR-Muster 181c bedeckt, dass das der ersten Wand 118a entsprechende Polymermuster 122 eine andere Höhe ausgehend von der ersten Elektrode 115 wie das der zweiten Wand 118b entsprechende Polymermuster 122 aufweist. Das der ersten Wand 118a entsprechende Polymermuster 122 bedeckt die erste Seitenfläche dieser Wand, also nicht die Oberseite derselben. Das der ersten Wand 118a entsprechende Polymermuster 122 wird als erstes Muster 123a des Wandmusters 123 bezeichnet.
Das der zweiten Wand 118b entsprechende Polymermuster 122 bedeckt nicht nur die erste Seitenfläche dieser Wand, sondern auch die Oberseite derselben. Derjenige Teil des Polymusters 122, der die erste Seitenfläche der zweiten Wand 118b bedeckt, wird als erstes Muster 123a bedeckt, während der die Oberseite der zweiten Wand 118b bedeckende Teil des Polymermusters 122 als zweites Muster 123b des Wandmusters 123 bezeichnet wird. Im Ergebnis weist das zweite Muster 123b ausgehend von der ersten Elektrode 115 eine größere Höhe als das erste Muster 123a auf. Das erste Muster 123a dient beim Doppeltafel-OELD gemäß dem Stand der Technik als Puffermuster, und das zweite Muster 123b dient im vorliegenden Fall als Abstandshalter.
Als Nächstes wird, gemäß der 5E, das dritte PR-Muster 181c (5D) auf dem zweiten Muster 123b durch einen Abziehprozess entfernt, und dann wird die organische Emissionsschicht 126 durch Abscheiden eines organischen Emissionsmaterials oder durch Auftragen eines solchen durch ein Düsenbeschichtungsgerät oder ein Tintenstrahlgerät auf dem ersten und zweiten Muster 123a und 123b sowie der ersten Elektrode 115 im Pixelbereich P hergestellt. Die organische Emissionsschicht 126 emittiert in den Farben Rot, Grün und Blau; sie bedeckt auch die Oberseite des zweiten Musters 123b. Gleichzeitig wird in einem Raum zwischen dem ersten und dem zweiten Muster 123a und 123b ein Muster 127 aus einem organischen Material ausgebildet.
Als Nächstes wird, gemäß der 5F, die zweite Elektrode 130 durch Abscheiden eines metallischen Materials mit relativ niedriger Arbeitsfunktion, z. B. Al oder einer Al-Legierung, auf der organischen Emissionsschicht 126 hergestellt. Das metallische Material der zweiten Elektrode 130 zeigt eine kleinere Arbeitsfunktion als dasjenige der ersten Elektrode 115. Gleichzeitig wird auf dem Muster 127 aus einem organischen Material ein Muster 132 aus einem metallischen Material hergestellt, wodurch beide Muster im Grenzbereich CA positioniert sind. Das Muster 127 aus einem organischen Material und das Muster 132 aus einem metallischen Material sind wegen der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b jeweils von der organischen Emissionsschicht 126 und der zweiten Elektrode 130 getrennt. Die organische Emissionsschicht 126 und die zweite Elektrode 130 in einem Pixelbereich P sind auf Grund der ersten und der zweiten Wand 118a und 118b auf natürliche Weise gegen die in einem benachbarten Pixelbereich P isoliert. Derjenige Teil der zweiten Elektrode 130, der die organische Emissionsschicht auf dem zweiten Muster 123b bedeckt, dient als erste Verbindungselektrode 131. Die erste Elektrode 115, die organische Emissionsschicht 126 und die zweite Elektrode 130 bilden die OLED E.
Gemäß erneuter Bezugnahme auf die 4 sind das obere Substrat 110 und das untere Substrat 150, wo der Schalt-TFT, der Treiber-TFT und die zweite Verbindungselektrode 175 ausgebildet sind, einander so zugewandt, dass die erste Verbindungselektrode 131 auf dem zweiten Muster 123b mit der mit dem Treiber-TFT verbundenen zweiten Verbindungselektrode 175 in Kontakt tritt. Außerdem ist ein Abdichtungsmuster (nicht dargestellt) entlang Rändern des oberen und des unteren Substrats 110 und 150 ausgebildet und der Zwischenraum zwischen ihnen ist in einen Vakuumzustand oder einen Zustand mit Inertgasfüllung verbracht, wodurch das Doppeltafel-OELD 101 erhalten ist.

Claims

Doppeltafel-OELD mit: einem ersten und einem zweiten Substrat (110, 150), die einander zugewandt sind und einen Pixelbereich (P) und einen Grenzbereich an der Grenze desselben aufweisen, einer ersten Elektrode (115) im Pixelbereich und im Grenzbereich auf dem ersten Substrat; einer ersten und einer zweiten Wand (118a und 118b) im Grenzbereich und auf der ersten Elektrode, wobei diese Wände voneinander beabstandet sind und beide eine umgekehrt verjüngte Form in Bezug auf das erste Substrat aufweisen, wobei sie jeweils über eine erste und eine zweite Seitenfläche verfügen, wobei die zweite Seitenfläche der ersten Wand der zweiten Seitenfläche der zweiten Wand zugewandt ist und die ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand jeweils von ihren zweiten Seitenflächen abgewandt sind; einem ersten Muster (123a), das die ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand bedeckt und ausgehend von der ersten Elektrode eine erste Höhe aufweist, einem zweiten Muster (123b), das die Oberseite der ersten und/oder der zweiten Wand bedeckt und ausgehend von der ersten Elektrode eine zweite Höhe aufweist, die größer als die erste Höhe ist; einer organischen Emissionsschicht (126) auf der ersten Elektrode; einer zweiten Elektrode (130) auf der organischen Emissionsschicht, wobei ein Teil der zweiten Elektrode die Oberseite der organischen Emissionsschicht auf dem zweiten Muster bedeckt; einem Schalt-TFT (STr) im Pixelbereich und auf dem zweiten Substrat; einem Treiber-TFT (DTr) im Pixelbereich und auf dem zweiten Substrat, der mit dem Schalt-TFT verbunden ist; und einer Verbindungselektrode (175) auf dem zweiten Substrat, die mit dem Treiber-TFT und dem Teil der zweiten Elektrode verbunden ist.
Doppeltafel-OELD nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Muster (123a, 123b) aus einem Polyimid besteht.
Doppeltafel-OELD nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Muster (123b) teilweise die Oberseite der ersten und der zweiten Wand (118a und 118b) bedeckt.
Doppeltafel-OELD nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Muster (123b) die Oberseite der ersten oder zweiten Wand (118a bzw. 118b) vollständig bedeckt.
Doppeltafel-OELD nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Muster (123b) die Oberseite der ersten oder zweiten Wand (118a bzw. 118b) ganz bedeckt.
Doppeltafel-OELD nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und die zweite Wand (118a und 118b) jeweils einen Vorsprungsabschnitt (190) aufweisen, der von ihnen zur Innen- oder zur Außenseite des Pixelbereichs (P) vorsteht, wobei das zweite Muster (123a) die Oberseite dieses Vorsprungsabschnitts bedeckt.
Doppeltafel-OELD nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Pixelbereich (P9) wabenförmig ist und der Vorsprungsabschnitt (190) in einem rautenförmigen Bereich angeordnet ist, der zwischen vier benachbarten Pixelbereichen angeordnet ist, und dass ein Teil der zweiten Elektrode (130) auf dem Vorsprungsabschnitt angeordnet ist und die Verbindungselektrode mit dem Teil der zweiten Elektrode auf dem Vorsprungsabschnitt in Kontakt steht.
Doppeltafel-OELD nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Grenzbereich sowie zwischen dem ersten Substrat (110) und der ersten Elektrode (115) eine Zusatzelektrode (113) aus einem metallischen Material mit niedrigem Widerstand vorhanden ist.
Doppeltafel-OELD mit: einem ersten und einem zweiten Substrat (110, 150), die einander zugewandt sind und einen Pixelbereich (P) und einen Grenzbereich an der Grenze desselben aufweisen, einer ersten Elektrode (115) im Pixelbereich und im Grenzbereich auf dem ersten Substrat; einer ersten und einer zweiten Wand (118a und 118b) im Grenzbereich und auf der ersten Elektrode, wobei diese Wände voneinander beabstandet sind und beide eine umgekehrt verjüngte Form in Bezug auf das erste Substrat aufweisen, wobei sie jeweils über eine erste und eine zweite Seitenfläche verfügen, wobei die zweite Seitenfläche der ersten Wand der zweiten Seitenfläche der zweiten Wand zugewandt ist und die ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand jeweils von ihren zweiten Seitenflächen abgewandt sind; einem Vorsprungsabschnitt (190), der sich ausgehend von der ersten Wand in den Pixelbereich erstreckt; einem ersten Muster (123a), das die ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand bedeckt und ausgehend von der ersten Elektrode eine erste Höhe aufweist, einem zweiten Muster (123b), das die Oberseite der ersten und/oder der zweiten Wand bedeckt und ausgehend von der ersten Elektrode eine zweite Höhe aufweist, die größer als die erste Höhe ist; einer organischen Emissionsschicht (126) auf der ersten Elektrode und dem Vorsprungsabschnitt; einer zweiten Elektrode (130) auf der organischen Emissionsschicht auf dem Vorsprungsabschnitt, wobei ein Teil der zweiten Elektrode die Oberseite der organischen Emissionsschicht auf dem zweiten Muster bedeckt; einem Schalt-TFT (STr) im Pixelbereich und auf dem zweiten Substrat; einem Treiber-TFT (DTr) im Pixelbereich und auf dem zweiten Substrat, der mit dem Schalt-TFT verbunden ist; und einer Verbindungselektrode (175) auf dem zweiten Substrat, die mit dem Treiber-TFT und dem Teil der zweiten Elektrode verbunden ist.
Verfahren zum Herstellen eines Doppeltafel-OELD, das Folgendes beinhaltet: Herstellen einer ersten Elektrode auf der gesamten Fläche eines ersten Substrats mit einem Pixelbereich und einem Grenzbereich an der Grenze des Pixelbereichs; Herstellen einer ersten und einer zweiten Wand aus einem isolierenden Material im Grenzbereich und auf der ersten Elektrode in solcher Weise, dass sie voneinander beabstandet sind, wobei jede der Wände eine umgekehrt verjüngte Form in Bezug auf das erste Substrat aufweist und jede über eine erste und eine zweite Seitenfläche verfügt, wobei die zweite Seitenfläche der ersten Wand der zweiten Seitenfläche der zweiten Wand zugewandt ist und die ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand jeweils von ihren zweiten Seitenflächen abgewandt sind; Herstellen einer Polymermaterialschicht auf der ersten und der zweiten Wand mit einer ebenen Oberseite; Herstellen eines ersten und eines zweiten Fotoresistmusters auf der Polymermaterialschicht in solcher Weise, dass sie der ersten und der zweiten Wand entsprechen, wobei die Dicke des ersten Fotoresistmusters kleiner als diejenige des zweiten Fotoresistmusters ist; Entfernen eines Teils der durch das erste und zweite Fotoresistmuster freigelegten Polymermaterialschicht, um ein Polymermuster auszubilden, das die ersten Seitenflächen des ersten und des zweiten Musters sowie die Oberseite der ersten und der zweiten Wand bedeckt; Freilegen eines Teils der Oberseite der ersten und der zweiten Wand durch vollständiges Entfernen des ersten Fotoresistmusters und durch Ausbilden eines dritten Fotoresistmusters durch teilweises Entfernen des zweiten Fotoresistmusters; Entfernen des anderen Teils des Polymermusters, der durch das dritte Muster freigelegt ist, um ein erstes Muster auszubilden, das die ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand bedeckt und ausgehend von der ersten Elektrode eine erste Höhe aufweist, und ein zweites Muster auszubilden, das die Oberseite der ersten und/oder der zweiten Wand bedeckt und ausgehend von der ersten Elektrode eine zweite Höhe aufweist, die größer als die erste Höhe ist; Herstellen einer organischen Emissionsschicht auf der ersten Elektrode sowie dem ersten und dem zweiten Muster; und Herstellen einer zweiten Elektrode auf der organischen Emissionsschicht, wobei ein Teil dieser zweiten Elektrode die Oberseite der organischen Emissionsschicht auf dem zweiten Muster bedeckt.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Herstellens der ersten und der zweiten Wand das Ausbilden eines Vorsprungsabschnitts beinhaltet, der von der ersten und der zweiten Wand zur Innen- oder zur Außenseite des Pixelbereichs vorspringt.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Pixelbereich wabenförmig ausgebildet wird und der Vorsprungsabschnitt in einem Rautenbereich angeordnet wird, der zwischen vier benachbarten Pixelbereichen positioniert ist, und dass ein Teil der zweiten Elektrode auf dem Vorsprungsabschnitt positioniert wird.
Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Muster so hergestellt wird, dass es die Oberseite des Vorsprungsabschnitts bedeckt.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Muster so hergestellt wird, dass es die Oberseite der ersten und der zweiten Wand teilweise bedeckt.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Muster so hergestellt wird, dass es die Oberseite der ersten oder zweiten Wand vollständig bedeckt.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass im Grenzbereich auf dem ersten Substrat vor dem Schritt des Herstellens der ersten Elektrode eine Zusatzelektrode aus einem metallischen Material mit niedrigem Widerstand hergestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Herstellen von Gateleitungen und Datenleitungen auf einem zweiten Substrat in solcher Weise, dass sie einander schneiden, um Pixelbereiche zu bilden; Herstellen eines mit einer jeweiligen Gate- und Datenleitung verbundenen Schalt-TFT auf dem zweiten Substrat; Herstellen eines mit dem Schalt-TFT verbundenen Treiber-TFT auf dem zweiten Substrat; Herstellen einer Verbindungselektrode auf dem zweiten Substrat, die mit dem Treiber-TFT verbunden ist; und Befestigen des ersten und des zweiten Substrats in solcher Weise aneinander, dass die Verbindungselektrode mit einem dem zweiten Muster entsprechenden Teil der zweiten Elektrode in Kontakt tritt.
Verfahren zum Herstellen eines Doppeltafel-OELD, das Folgendes beinhaltet: Herstellen einer ersten Elektrode auf der gesamten Fläche eines ersten Substrats mit einem Pixelbereich und einem Grenzbereich an der Grenze des Pixelbereichs; Herstellen einer ersten und einer zweiten Wand aus einem isolierenden Material im Grenzbereich und auf der ersten Elektrode und einem Vorsprungsabschnitt des isolierenden Materials, der sich ausgehend von der ersten Wand in den Pixelbereich erstreckt, in solcher Weise, dass sie voneinander beabstandet sind, wobei jede der Wände eine umgekehrt verjüngte Form in Bezug auf das erste Substrat aufweist und jede über eine erste und eine zweite Seitenfläche verfügt, wobei die zweite Seitenfläche der ersten Wand der zweiten Seitenfläche der zweiten Wand zugewandt ist und die ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand jeweils von ihren zweiten Seitenflächen abgewandt sind; Herstellen eines ersten Musters, das die ersten Seitenflächen der ersten und der zweiten Wand bedeckt und gegenüber der ersten Elektrode eine erste Höhe aufweist, und eines zweiten Musters, das die Oberseite des Vorsprungsabschnitts bedeckt und gegenüber der ersten Elektrode eine zweite Höhe aufweist, die größer als die erste Höhe ist; Herstellen einer organischen Emissionsschicht auf der ersten Elektrode und dem Vorsprungsabschnitt; Herstellen einer zweiten Elektrode auf der organischen Emissionsschicht, wobei ein Teil dieser zweiten Elektrode die Oberseite der organischen Emissionsschicht auf dem Vorsprungsabschnitt bedeckt; Herstellen eines Schalt-TFT im Pixelbereich und auf dem zweiten Substrat; Herstellen eines Treiber-TFT im Pixelbereich und auf dem zweiten Substrat, wobei dieser Treiber-TFT mit dem Schalt-TFT verbunden ist; Herstellen einer Verbindungselektrode auf dem zweiten Substrat in Verbindung mit dem Treiber-TFT; und Befestigen des ersten und zweiten Substrats in solcher Weise aneinander, dass die Verbindungselektrode mit einem dem zweiten Muster entsprechenden Teil der zweiten Elektrode in Kontakt tritt.