JP4686122B2 - アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法に関する。
発光ダイオード表示装置や液晶表示装置などの表示装置は、薄型である等の有利な特徴から、事務機器やコンピュータなどで利用されている。また、近年では、液晶表示装置と比較して以下の点で優れた有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置の開発が盛んに行われている。
１）有機ＥＬ表示装置は、高輝度であり且つ自己発光型であるため、明るく鮮明な表示、広い視野角、バックライトレスによる低消費電力化・軽量化・薄型化を実現可能である。
２）有機ＥＬ表示装置は、直流定電圧駆動のためノイズに強い。
３）液晶表示装置の応答速度はｍｓｅｃオーダーであるのに対し、有機ＥＬ表示装置の応答速度はμｓｅｃオーダーと速いため、滑らかな動画表示が可能である。
４）有機ＥＬ表示装置は、表示素子を固体のみで構成可能であるため、使用温度範囲がより広くなる可能性がある。
２）有機ＥＬ表示装置は、直流定電圧駆動のためノイズに強い。
３）液晶表示装置の応答速度はｍｓｅｃオーダーであるのに対し、有機ＥＬ表示装置の応答速度はμｓｅｃオーダーと速いため、滑らかな動画表示が可能である。
４）有機ＥＬ表示装置は、表示素子を固体のみで構成可能であるため、使用温度範囲がより広くなる可能性がある。
ところで、上記の表示装置のなかでも、各画素に多結晶シリコン薄膜トランジスタを使用したアクティブマトリクス型表示装置は、特に優れた表示特性を実現可能である。
しかしながら、そのようなアクティブマトリクス型表示装置では、各画素間で多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性がばらつくことに起因して表示ムラが視認され易い。これは、表示素子が有機ＥＬ素子のように流れる電流の大きさに応じて光学特性が変化する素子であり且つ先の多結晶シリコン薄膜トランジスタが表示素子に直列に接続された駆動トランジスタである場合に特に顕著である。
なお、本発明に関連した技術を記載した文献として、以下の特許文献１がある。この文献には、表示部の周辺に配置される駆動回路を正規回路と冗長回路とで構成するとともに、或る正規回路に含まれる多結晶シリコン薄膜トランジスタを形成するためのレーザアニールと、それと対を成す冗長回路に含まれる多結晶シリコン薄膜トランジスタを形成するためのレーザアニールとを別々のレーザショットで行うことが記載されている。また、この文献には、レーザアニールに際し、線状ビームを画素の配列に対して斜め方向に走査させることが記載されている。しかしながら、この文献には、多結晶シリコン薄膜トランジスタの画素に対する相対位置を画素間で異ならしめることは記載されていない。
特開平１１−３４４７２３号公報
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、表示ムラが視認され難いアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、マトリクス状に配列するとともにそれぞれが表示素子及び多結晶シリコン薄膜トランジスタを備えた複数の画素を具備し、前記複数の画素は表示色が異なる第１乃至第３画素を複数組含み、それら第１乃至第３画素の前記表示素子はストライプ状に配列し、前記複数の画素のうち、前記表示素子が前記ストライプ状の配列の同一列を構成している複数の前記画素は、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行な第１直線上で配列したものからなる第１画素群と、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行であり且つ前記第１直線から離間した第２直線上で配列したものからなる第２画素群と、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行であり且つ前記第１及び第２直線から離間した第３直線上で配列したものからなる第３画素群とを構成し、前記第１乃至第３画素群のそれぞれにおける前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの移動度のばらつきは、各列における前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの移動度のばらつきと比較してより小さいことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
また、本発明は、マトリクス状に配列するとともにそれぞれが表示素子及び多結晶シリコン薄膜トランジスタを備えた複数の画素を具備し、前記複数の画素は表示色が異なる第１乃至第３画素を複数組含み、それら第１乃至第３画素の前記表示素子はストライプ状に配列し、前記複数の画素のうち、前記表示素子が前記ストライプ状の配列の同一列を構成している複数の前記画素は、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行な第１直線上で配列したものからなる第１画素群と、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行であり且つ前記第１直線から離間した第２直線上で配列したものからなる第２画素群と、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行であり且つ前記第１及び第２直線から離間した第３直線上で配列したものからなる第３画素群とを構成したアクティブマトリクス型表示装置の製造方法であって、非晶質シリコン層にレーザ光を線状ビームとして照射するとともに前記線状ビームの照射位置を前記列と交差する走査方向へ前記画素の前記走査方向の長さよりも狭いピッチで段階的にずらすことにより前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの多結晶シリコン層を形成する工程を含み、前記線状ビームが照射される領域の長手方向と前記列とを互いに平行とすることにより、前記第１乃至第３画素群のそれぞれにおける前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの移動度のばらつきを、各列における前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの移動度のばらつきと比較してより小さくすることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を提供する。
なお、ここで、用語「線状ビーム」は、一般に使用されるように、平面に対して法線方向から放射したときに先の平面内の直線状或いは帯状の領域全体を同時に照射し得る光ビームを意味する。
複数の画素のそれぞれにおいて、表示素子はそれに流れる電流の大きさに応じて光学特性が変化する素子であってもよい。また、多結晶シリコン薄膜トランジスタは第１電源端子と第２電源端子との間で表示素子と直列に接続された駆動トランジスタであってもよい。この場合、複数の画素のそれぞれは、映像信号線と駆動トランジスタのゲートとの間に接続されるとともにそれらの間の導通／非導通を走査信号線から供給される走査信号に基づいて制御する画素スイッチと、駆動トランジスタのゲートと第１電源端子との間に接続されたキャパシタとをさらに備えていてもよい。
マトリクス状に配列した複数の画素が形成する各列において、第１画素群を構成した画素と第２画素群を構成した画素とはその列に平行な方向に交互に配列していてもよい。
本発明によると、表示ムラが視認され難いアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法が提供される。
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似の機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
図１は、本発明の一態様に係るアクティブマトリクス型表示装置を概略的に示す平面図である。図１には、本態様に係るアクティブマトリクス型表示装置の一例として、有機ＥＬ表示装置１を描いている。
この有機ＥＬ表示装置１は、ガラス基板のような絶縁基板１０を備えている。基板１０の一主面上には、画素ＰＸがマトリクス状に配置されている。基板１０上には、さらに、走査信号線ドライバ１１に接続された走査信号線１２と、映像信号線ドライバ１３に接続された映像信号線１４とが互いに交差するように配置されている。
画素ＰＸは、駆動制御素子である駆動トランジスタＴｒと、キャパシタＣと、画素スイッチＳｗと、表示素子である有機ＥＬ素子Ｄとで構成されている。これらのうち、駆動トランジスタＴｒとキャパシタＣと画素スイッチＳｗとは駆動回路を構成している。なお、ここでは、一例として、駆動用トランジスタＴｒはｐチャネル多結晶シリコン薄膜トランジスタ（ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴ）であり、画素スイッチＳｗはｎチャネルｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴであることとする。また、ここでは、画素ＰＸ（３×Ｍ−２）ａ，ＰＸ（３×Ｍ−２）ｂ，ＰＸ（３×Ｍ−２）ｃの発光色が赤色であり、画素ＰＸ（３×Ｍ−１）ａ，ＰＸ（３×Ｍ−１）ｂ，ＰＸ（３×Ｍ−１）ｃの発光色が青色であり、画素ＰＸ（３×Ｍ）ａ，ＰＸ（３×Ｍ）ｂ，ＰＸ（３×Ｍ）ｃの発光色が緑色であるとする。
駆動トランジスタＴｒと有機ＥＬ素子Ｄとは、高電位の第１電源端子Ｖｄｄと低電位の第２電源端子Ｖｓｓとの間に直列に接続されている。画素スイッチＳｗは、映像信号線１４と駆動トランジスタＴｒのゲートとの間に接続されており、その制御端子であるゲートは走査信号線１２に接続されている。また、キャパシタＣは、第１電源端子Ｖｄｄと駆動トランジスタＴｒのゲートとの間に接続されている。
本態様において、画素ＰＸが形成する各列において、画素ＰＸＮａで構成された画素群と、画素ＰＸＮｂで構成された画素群と、画素ＰＸＮｃで構成された画素群とは、当該列に対する駆動トランジスタＴｒのｘ方向に関する相対位置が互いに異なっている。なお、ｘ方向は、画素ＰＸが形成する各列と交差する方向であって、後述する走査方向と等しい。また、ｙ方向は、画素ＰＸが形成する各列に平行な方向であって、後述する線状ビームが照射される領域の長手方向と等しい。
次に、この有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。
図２は、図１に示す表示装置の製造に利用可能な方法の一例を示す平面図である。図２において、参照符号ＳＩは、基板１０上に形成されたシリコン層のうち、駆動トランジスタＴｒのチャネル領域及びソース・ドレイン領域が形成される半導体層として使用される部分（以下、トランジスタ形成部という）を示している。また、参照符号５０は、レーザアニールの際にシリコン層に照射するレーザ光である線状ビームを示している。
図２は、図１に示す表示装置の製造に利用可能な方法の一例を示す平面図である。図２において、参照符号ＳＩは、基板１０上に形成されたシリコン層のうち、駆動トランジスタＴｒのチャネル領域及びソース・ドレイン領域が形成される半導体層として使用される部分（以下、トランジスタ形成部という）を示している。また、参照符号５０は、レーザアニールの際にシリコン層に照射するレーザ光である線状ビームを示している。
なお、トランジスタ形成部ＳＩに付した添え字は、図１に示す画素ＰＸに付した添え字と対応している。また、図２において、線状ビーム５０よりも右側に位置したシリコン層は非晶質シリコン層であり、線状ビーム５０よりも左側に位置したシリコン層は結晶質シリコン層である。
本態様では、レーザアニールに際し、図２に示すように、線状ビーム５０の長手方向をｙ方向と平行とするとともに、基板１０上で線状ビーム５０をｘ方向に所定のピッチＰで走査させる。すなわち、線状ビーム５０を基板１０に対してｘ方向にピッチＰで相対移動させる。典型的には、線状ビーム５０の位置はアニール装置内で固定し、ステージ上の基板１０を線状ビーム５０に対して連続的に移動させ、所定のタイミングで線状ビーム５０をパルス照射する。
なお、線状ビーム５０を走査するピッチＰは、画素ＰＸのｘ方向の長さ，すなわち画素ピッチ，よりも狭くする。例えば、ピッチＰは、画素ピッチの１／３程度とする。また、線状ビーム５０のｘ方向の長さは、線状ビーム５０を走査するピッチＰよりも長くする。
このような方法でレーザアニールを行うと、表示ムラが視認され難くなる。これについては、図３に示す構造と対比しながら説明する。
図３は、比較例に係るレーザアニール法を示す平面図である。
図３に示す構造では、トランジスタ形成部ＳＩＮａ，ＳＩＮｂ，ＳＩＮｃは、ｙ方向に一列に並んでいる。そのため、図３に示す方法では、１回のレーザショットで、ｙ方向に並んだトランジスタ形成部ＳＩＮａ，ＳＩＮｂ，ＳＩＮｃの全てが同時に線状ビーム５０を照射されることとなる。
図３に示す構造では、トランジスタ形成部ＳＩＮａ，ＳＩＮｂ，ＳＩＮｃは、ｙ方向に一列に並んでいる。そのため、図３に示す方法では、１回のレーザショットで、ｙ方向に並んだトランジスタ形成部ＳＩＮａ，ＳＩＮｂ，ＳＩＮｃの全てが同時に線状ビーム５０を照射されることとなる。
ところで、本発明者の調査により、同一のレーザショットでシリコン層のレーザアニールを行ったトランジスタ間では、別々のレーザショットでシリコン層のレーザアニールを行ったトランジスタ間と比較して、移動度のばらつきが極めて小さいことが判明している。そのため、図３の方法により製造した有機ＥＬ表示装置１では、ｙ方向に並んだ画素ＰＸ間における駆動トランジスタＴｒの移動度のばらつきは、ｘ方向に並んだ画素ＰＸ間における駆動トランジスタＴｒの移動度のばらつきに比べて小さくなる。
駆動トランジスタＴｒの移動度が設計値よりも小さいと、有機ＥＬ素子Ｄの輝度は、画素ＰＸに供給する映像信号の大きさから期待される値よりも低くなる。他方、駆動トランジスタＴｒの移動度が設計値よりも大きいと、有機ＥＬ素子Ｄの輝度は、画素ＰＸに供給する映像信号の大きさから期待される値よりも高くなる。
そのため、図３の方法によると、ｘ方向に並んだ画素ＰＸ間では輝度がばらつき、ｙ方向に並んだ画素ＰＸ間では輝度のばらつきは殆んど生じない。それゆえ、図３の方法により製造した有機ＥＬ表示装置１では、各画素ＰＸの輝度のばらつきがｙ方向に隣接した画素ＰＸによって補償されることはなく、したがって、ｙ方向に延在した筋状の表示ムラ，具体的には輝度ムラ，が視認され易い。
これに対し、図２の方法によると、ｘ方向に並んだ画素ＰＸ間では輝度がばらつくのに加え、ｙ方向に並んだ画素ＰＸのうち画素ＰＸＮａからなる画素群と画素ＰＸＮｂからなる画素群と画素ＰＸＮｃからなる画素群との間で輝度がばらつく。このようなばらつきはランダムに生じるので、各画素ＰＸの輝度のばらつきは、ｘ方向及びｙ方向に隣接した画素ＰＸにより補償される。したがって、本態様によると、表示ムラが視認され難くなる。
なお、図２の方法を採用した場合、得られる有機ＥＬ表示装置１には、画素ＰＸＮａからなる画素群、画素ＰＸＮｂからなる画素群、及び画素ＰＸＮｃからなる画素群のそれぞれにおける駆動トランジスタＴｒの移動度のばらつきが、それら画素ＰＸＮａ乃至ＰＸＮｃを含む列における駆動トランジスタＴｒの移動度のばらつきと比較してより小さいという特徴がある。
本態様において、有機ＥＬ素子Ｄには様々な配置が可能である。これについては、図４及び図５を参照しながら説明する。
図４は、図１の有機ＥＬ表示装置に採用可能な有機ＥＬ素子の配置の一例を概略的に示す平面図である。また、図５は、参考例に係る有機ＥＬ表示装置に採用可能な有機ＥＬ素子の配置の一例を概略的に示す平面図である。なお、図４及び図５において、有機ＥＬ素子Ｄ及び駆動トランジスタＴｒに付した添え字は、図１に示す画素ＰＸに付した添え字と対応している。
図４及び図５に示す構造では、例えば、有機ＥＬ素子Ｄ（３×ｍ−２）ａ，Ｄ（３×ｍ−２）ｂ，Ｄ（３×ｍ−２）ｃの発光色は赤色であり、有機ＥＬ素子Ｄ（３×ｍ−１）ａ，Ｄ（３×ｍ−１）ｂ，Ｄ（３×ｍ−１）ｃの発光色は青色であり、有機ＥＬ素子Ｄ（３×ｍ）ａ，Ｄ（３×ｍ）ｂ，Ｄ（３×ｍ）ｃの発光色は緑色である。
図４に示す構造では、発光色が赤、青、緑色の有機ＥＬ素子Ｄは、ｘ方向にこの順に繰り返し配列している。すなわち、それら有機ＥＬ素子Ｄはストライプ状に配列している。他方、図５に示す構造では、発光色が赤、青、緑色の有機ＥＬ素子Ｄは、Ｌ字型に配列している。このように、有機ＥＬ素子Ｄには様々な配置が可能である。
本態様では、上記の通り、画素ＰＸがｙ方向に形成する各列を３つの画素群，すなわち、画素ＰＸＮａからなる画素群、画素ＰＸＮｂからなる画素群、及び画素ＰＸＮｃからなる画素群，で構成したが、各列を構成する画素群の数は３つ以上であれば特に制限はない。
また、本態様では、それら画素群間で駆動トランジスタＴｒのｘ方向に関する位置を異ならしめたが、それら画素群間で、画素ＰＸに含まれる他のトランジスタのｘ方向に関する位置を異ならしめてもよい。例えば、それら画素群間で、画素スイッチＳｗとして使用するトランジスタのｘ方向に関する位置を異ならしめてもよい。或いは、画素ＰＸに他の回路構成を採用した場合には、それら画素群間で、画素ＰＸに含まれるさらに他のトランジスタのｘ方向に関する位置を異ならしめてもよい。但し、上述した効果は、第１電源端子Ｖｄｄと第２電源端子Ｖｓｓとの間で有機ＥＬ素子Ｄと直列に接続されたトランジスタのｘ方向に関する位置を先の画素群間で異ならしめた場合に最も顕著である。
さらに、本態様では、アクティブマトリクス表示装置として有機ＥＬ表示装置１を例示したが、上述した効果は他のアクティブマトリクス表示装置でも得ることができる。先の技術は、特に、表示素子としてそれに流れる電流の大きさに応じて光学特性が変化するものを使用したアクティブマトリクス表示装置に極めて有効である。
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
図６乃至図１１は、図１に示す表示装置の製造に利用可能な方法の一例を示す断面図である。
（実施例）
図６乃至図１１は、図１に示す表示装置の製造に利用可能な方法の一例を示す断面図である。
本例では、図１に示す有機ＥＬ表示装置１を、図６乃至図１１を参照しながら以下に説明する方法により製造した。なお、この有機ＥＬ表示装置１には、トランジスタ形成部ＳＩに図２の配置を採用するとともに、有機ＥＬ素子Ｄ及び駆動トランジスタＴｒに図４の配置を採用した。
まず、ガラス基板１０上に、アンダーコート層として、例えば、ＳｉＮx層２５とＳｉＯ2層２６とを形成した後、その上に、例えば厚さ５０ｎｍの非晶質シリコン層を形成した。次いで、非晶質シリコン層を例えばＸｅＣｌエキシマレーザを用いてレーザアニールすることにより、多結晶シリコン層とした。さらに、この多結晶シリコン層を図２に示すトランジスタ形成部ＳＩに対応した部分が残留するようにパターニングすることにより、図６に示す形状の多結晶シリコン層１５１を形成した。
なお、ここでは、ｘ方向に並んだ３つの画素ＰＸでトリプレットを構成し、このトリプレットのｘ方向の長さは１９８μｍとした。すなわち、画素ＰＸのｘ方向の長さは６６μｍとした。また、レーザアニールに際しては、１回のレーザショットで線状ビーム５０が照射される領域の走査方向（ｘ方向）の長さは４４０μｍとし、線状ビーム５０は２２μｍのピッチで走査した。すなわち、１箇所当りのレーザショット数を２０回とした。さらに、トランジスタ形成部ＳＩＮｂはトランジスタ形成部ＳＩＮａに対してｘ方向に２２μｍだけずらして配置し、トランジスタ形成部ＳＩＮｃはトランジスタ形成部ＳＩＮａに対してｘ方向に４４μｍだけずらして配置した。
次に、図７に示すように、基板１０の多結晶シリコン層１５１を形成した面に、ゲート絶縁膜１５２を形成した。続いて、イオンドーピング法により、多結晶シリコン層１５１内にｎ+領域１５１ａを形成した。
次いで、図８に示すように、ゲート絶縁膜１５２上にゲート電極１５３を形成した。さらに、このゲート電極１５３をマスクとして用いたイオンドーピング法により、多結晶シリコン層１５１内にｐ+領域１５１ｂを形成した。このようにして、駆動トランジスタＴｒとしてｐチャネルｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴ１５を作製した。なお、これと同時に、画素スイッチＳｗとして用いられるトランジスタや走査信号線ドライバ１１及び映像信号線ドライバ１３内のトランジスタも作製した。また、ゲート電極１５３を形成する際、映像信号線１４なども同時に形成した。
その後、図９に示すように、基板１０のｐチャネルｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴ１５を形成した面に、厚さ７００ｎｍの層間絶縁膜１６を形成した。次いで、層間絶縁膜１６及びゲート絶縁膜１５２に貫通孔を形成した。
次に、図１０に示すように、映像信号線１４及びパッシベーション膜１７を順次形成した。パッシベーション膜１７に貫通孔を形成した後、陽極としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極１８を形成した。次いで、透明電極１８の中央部に対応した位置に開口を有する親水性層１９を形成し、親水性層１９上に隔壁２０を形成した。その後、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）を含有したバッファ層２１及びルミネッセンス性有機化合物を含有した発光層２２を順次形成した。さらに、発光層２２上に陰極２３を形成した。以上のようにして、アレイ基板２を完成した。
その後、図１１に示すように、封止基板３であるガラス基板の一方の主面の周縁部に紫外線硬化型樹脂を塗布してシール層４を形成した。また、封止基板３のアレイ基板２との対向面に設けられた凹部に、シート状の乾燥剤５を貼り付けた。次いで、封止基板３とアレイ基板２とを、封止基板３のシール層４を設けた面とアレイ基板２の陰極２３を設けた面とが対向するように乾燥窒素ガスのような不活性ガス中で貼り合せた。さらに、紫外線照射によりシール層を硬化させることにより、図１１に示す有機ＥＬ表示装置１を完成した。なお、ここでは、封止基板３を用いてアレイ基板２を封止したが、樹脂フィルムを貼り付けることによりアレイ基板２を封止してもよい。
以上の方法により得られた有機ＥＬ表示装置１を外部駆動回路及び電源と接続した。さらに、これをベゼルで支持するとともに、アレイ基板２の外側表面上に反射防止膜として円偏光板を設けた。この状態で表示特性を調べたところ、表示ムラが視認されることはなかった。
なお、この例では、有機ＥＬ表示装置１をアレイ基板２側から表示光を取り出す下面発光型としたが、封止基板３側から表示光を取り出す上面発光型としてもよい。この場合も、表示ムラが視認されるのを防止することができる。
（比較例）
トランジスタ形成部ＳＩＮａ乃至ＳＩＮｃのｘ方向に関する位置を互いに等しくしたこと以外は上記実施例で説明したのと同様の方法により有機ＥＬ表示装置１を作製した。すなわち、本例では、トランジスタ形成部ＳＩに図３の配置を採用した。
この有機ＥＬ表示装置１の表示特性を調べたところ、ｙ方向に延在した筋状の輝度ムラが視認された。
トランジスタ形成部ＳＩＮａ乃至ＳＩＮｃのｘ方向に関する位置を互いに等しくしたこと以外は上記実施例で説明したのと同様の方法により有機ＥＬ表示装置１を作製した。すなわち、本例では、トランジスタ形成部ＳＩに図３の配置を採用した。
この有機ＥＬ表示装置１の表示特性を調べたところ、ｙ方向に延在した筋状の輝度ムラが視認された。
１…表示装置、２…アレイ基板、３…封止基板、４…シール層、５…乾燥剤、１０…絶縁基板、１１…走査信号線ドライバ、１２…走査信号線、１３…映像信号線ドライバ、１４…映像信号線、１５…ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴ、１６…層間絶縁膜、１７…パッシベーション膜、１８…陽極、１９…親水性層、２０…隔壁、２１…バッファ層、２２…発光層、２３…陰極、２５…アンダーコート層、２６…アンダーコート層、５０…線状ビーム、１５１…多結晶シリコン層、１５２…ゲート絶縁膜、１５１ａ…ｎ+領域、１５３…ゲート電極、１５１ｂ…ｐ+領域、ＰＸ…画素、Ｔｒ…駆動トランジスタ、Ｃ…キャパシタ、Ｓｗ…画素スイッチ、Ｄ…表示素子、Ｖｄｄ…第１電源端子、Ｖｓｓ…第２電源端子、ＳＩ…トランジスタ形成部。
Claims (5)
- マトリクス状に配列するとともにそれぞれが表示素子及び多結晶シリコン薄膜トランジスタを備えた複数の画素を具備し、
前記複数の画素は表示色が異なる第１乃至第３画素を複数組含み、それら第１乃至第３画素の前記表示素子はストライプ状に配列し、
前記複数の画素のうち、前記表示素子が前記ストライプ状の配列の同一列を構成している複数の前記画素は、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行な第１直線上で配列したものからなる第１画素群と、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行であり且つ前記第１直線から離間した第２直線上で配列したものからなる第２画素群と、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行であり且つ前記第１及び第２直線から離間した第３直線上で配列したものからなる第３画素群とを構成し、前記第１乃至第３画素群のそれぞれにおける前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの移動度のばらつきは、各列における前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの移動度のばらつきと比較してより小さいことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。 - 前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記表示素子はそれに流れる電流の大きさに応じて光学特性が変化する素子であり、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタは第１電源端子と第２電源端子との間で前記表示素子と直列に接続された駆動トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 前記複数の画素のそれぞれは、映像信号線と前記駆動トランジスタのゲートとの間に接続されるとともにそれらの間の導通／非導通を走査信号線から供給される走査信号に基づいて制御する画素スイッチと、前記駆動トランジスタのゲートと前記第１電源端子との間に接続されたキャパシタとをさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- 各列において、前記第１画素群を構成した前記画素と前記第２画素群を構成した前記画素と前記第３画素群を構成した前記画素とは前記列に平行な方向にこの順番で繰り返し配列したことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
- マトリクス状に配列するとともにそれぞれが表示素子及び多結晶シリコン薄膜トランジスタを備えた複数の画素を具備し、前記複数の画素は表示色が異なる第１乃至第３画素を複数組含み、それら第１乃至第３画素の前記表示素子はストライプ状に配列し、前記複数の画素のうち、前記表示素子が前記ストライプ状の配列の同一列を構成している複数の前記画素は、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行な第１直線上で配列したものからなる第１画素群と、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行であり且つ前記第１直線から離間した第２直線上で配列したものからなる第２画素群と、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが前記列と平行であり且つ前記第１及び第２直線から離間した第３直線上で配列したものからなる第３画素群とを構成したアクティブマトリクス型表示装置の製造方法であって、
非晶質シリコン層にレーザ光を線状ビームとして照射するとともに前記線状ビームの照射位置を前記列と交差する走査方向へ前記画素の前記走査方向の長さよりも狭いピッチで段階的にずらすことにより前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの多結晶シリコン層を形成する工程を含み、
前記線状ビームが照射される領域の長手方向と前記列とを互いに平行とすることにより、前記第１乃至第３画素群のそれぞれにおける前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの移動度のばらつきを、各列における前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの移動度のばらつきと比較してより小さくすることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
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