DE102018132631A1 - Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung - Google Patents

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Sungmoo KIM
Jinah KWAK
Sejin KIM
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LG Display Co Ltd
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Abstract

Offenbart ist eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, um zu verhindern, dass die Leistung, der Wirkungsgrad und die Lebensdauer einer Vorrichtung verringert werden. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung umfasst ein Substrat (100),das einen aktiven Bereich (AA) umfasst, wo eine Vielzahl von Pixeln (P) vorgesehen sind, eine Schaltungselementschicht (200), die auf dem Substrat (100) angeordnet ist, eine erste Elektrode (310), die auf der Schaltungselementschicht (200) vorgesehen ist, eine Hilfselektrode (320), die auf der Schaltungselementschicht (200) angeordnet und von der ersten Elektrode (310) beabstandet ist, eine erste lichtemittierende Schicht (510), die auf der ersten Elektrode (310) angeordnet ist, eine Pufferschicht (520), die auf der ersten lichtemittierenden Schicht (510) angeordnet ist, eine zweite lichtemittierende Schicht (530), die auf der Pufferschicht (520) und der Hilfselektrode (320) angeordnet ist, und eine zweite Elektrode (600), die auf der zweiten lichtemittierenden Schicht (530) angeordnet ist. In der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, da die Pufferschicht (520) durch einen Tintenstrahlprozess auf der ersten Lichtemissionsschicht (510) gebildet wird, kann die Pufferschicht (520) nur auf der ersten Lichtemissionsschicht (510) vorgesehen sein, und somit kann die Pufferschicht (520) aus einem organischen Material gebildet sein, wodurch die Leistung der Vorrichtung eines blauen Pixels verbessert wird.

Description

  • HINTERGRUND
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung und insbesondere eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, um zu verhindern, dass die Leistung, Effizienz und Lebensdauer einer Vorrichtung verringert werden.
  • Diskussion der verwandten Technik
  • Elektrolumineszenzanzeigevorrichtungen sind Vorrichtungen, wo eine lichtemittierende Schicht zwischen zwei Elektroden vorgesehen ist, und Licht mit einem elektrischen Feld zwischen den zwei Elektroden emittiert, wodurch ein Bild angezeigt wird.
  • Die lichtemittierende Schicht kann aus einem organischen Material oder einem anorganischen Material wie einem Quantenpunkt gebildet sein. In der lichtemittierenden Schicht wird durch eine Kombination eines Elektrons und eines Lochs ein Exziton erzeugt, und wenn das Exziton von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand verschoben wird, wird Licht emittiert.
  • Im Folgenden wird eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben.
  • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik.
  • Wie in 1 gesehen umfasst die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Stands der Technik ein Substrat 10, eine Schaltungselementschicht 20, eine erste Elektrode 30, eine Hilfselektrode 35, einen Damm 40, eine lichtemittierende Schicht 50 und eine zweite Elektrode 60.
  • Die Schaltungselementschicht 20 ist auf dem Substrat 10 vorgesehen. In der Schaltungselementschicht 20 sind verschiedene Signalleitungen, ein Dünnfilmtransistor (TFT), ein Kondensator und eine Planarisierungsschicht vorgesehen.
  • Die erste Elektrode 30 ist auf der Schaltungselementschicht 20 vorgesehen. Die erste Elektrode 30 ist in jedem von einer Vielzahl von Pixeln strukturiert und wirkt als Anode der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik.
  • Die Hilfselektrode 35 ist von der ersten Elektrode 30 beabstandet und ist auf der Schaltungselementschicht 20 vorgesehen. Die Hilfselektrode 35 ist elektrisch mit der zweiten Elektrode 60 verbunden und verringert einen Widerstand der zweiten Elektrode 60.
  • Der Damm 40 ist in einer Matrixstruktur vorgesehen, um einen Emissionsbereich zu definieren.
  • Die lichtemittierende Schicht 50 ist auf der ersten Elektrode 30 vorgesehen und beinhaltet eine erste lichtemittierende Schicht 51 und eine zweite lichtemittierende Schicht 52. Die erste lichtemittierende Schicht 51 und die zweite lichtemittierende Schicht 52 wirken zusammen, um Licht zu emittieren wenn ein elektrisches Feld über beide Schichten angelegt wird. Wenn die erste lichtemittierende Schicht 51 in einem Bereich nicht vorhanden ist, wird kein Licht von diesem Bereich emittiert.
  • Die erste lichtemittierende Schicht 51 wird in dem Emissionsbereich, der durch den Damm 40 definiert ist, durch einen Tintenstrahlprozess gebildet. Schichten, die durch ein Tintenstrahlverfahren aufgebracht werden, können in der Mitte eine Dicke haben, die geringer ist als eine Dicke am Rand. Dies kann zu einer gekrümmten oberen Oberfläche auf einer durch Tintenstrahl aufgebrachten Schicht oder Merkmal führen. Beispielsweise kann eine Tintenstrahl-aufgebrachte Schicht oder Merkmal aufgebracht auf einer flachen Oberfläche innerhalb eines von einem Damm definierten Bereichs eine geringere Höhe von der Mitte des Bereichs im Vergleich zu der Höhe an dem Damm aufweisen. Die erste lichtemittierende Schicht 51 umfasst eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine Lochtransportschicht (HTL) und eine lichtemittierende Materialschicht (EML).
  • Die zweite lichtemittierende Schicht 52 ist durch einen Abscheidungsprozess über das gesamte Substrat 10 aufgebracht. Die zweite lichtemittierende Schicht 52 umfasst eine Elektronentransportschicht (ETL) und eine Elektroneninjektionsschicht (EIL).
  • Die zweite Elektrode 60 ist auf der zweiten lichtemittierenden Schicht 52 vorgesehen. Die zweite Elektrode 60 ist als eine gemeinsame Schicht einer Vielzahl von Pixeln vorgesehen und wirkt als Kathode der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik.
  • In der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik wird die ETL der zweiten lichtemittierenden Schicht 52 durch einen Abscheidungsprozess über das gesamte Substrat 10 aus Metall gebildet und ist somit sowohl auf der Hilfselektrode 35 als auch auf der ersten Elektrode vorgesehen 30.
  • Die ETL, die zwischen der Hilfselektrode 35 und der zweiten Elektrode 60 vorgesehen ist, kann aus einem leitfähigen Material gebildet sein, um die Hilfselektrode 35 mit der zweiten Elektrode 60 elektrisch zu verbinden.
  • Darüber hinaus tritt bei der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik ein Problem an einer Grenzfläche zwischen der EML und der ETL auf, da die ETL durch einen Ablagerungsprozess auf der EML gebildet ist, die durch einen Tintenstrahlprozess gebildet wird, was eine Verringerung der Effizienz und Lebensdauer eines Geräts verursacht.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Dementsprechend ist die vorliegende Offenbarung darauf gerichtet, eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung bereitzustellen, die im Wesentlichen eines oder mehrere Probleme aufgrund von Einschränkungen und Nachteilen der verwandten Technik vermeidet.
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist darauf gerichtet, eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung bereitzustellen, um zu verhindern, dass die Leistung, Effizienz und Lebensdauer einer Vorrichtung verringert wird.
  • Weitere Vorteile und Merkmale der Offenbarung werden zum Teil in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden zum Teil für den Durchschnittsfachmann bei Prüfung des Folgenden offensichtlich oder können aus der Praxis der Offenbarung gelernt werden. Die Ziele und andere Vorteile der Offenbarung können durch die Struktur verwirklicht und erreicht werden, die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen sowie den beigefügten Zeichnungen dargelegt ist.
  • Um diese und andere Vorteile zu erreichen und in Übereinstimmung mit dem Zweck der Offenbarung, wie hierin verkörpert und ausführlich beschrieben, werden Elektrolumineszenzanzeigevorrichtungen und Verfahren zur Herstellung derselben bereitgestellt, wie sie in den unabhängigen Ansprüchen beschrieben sind. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung bereitgestellt, die ein Substrat einschließlich einem aktiven Bereich beinhaltet, wo eine Vielzahl von Pixeln vorgesehen ist, eine auf dem Substrat angeordnete Schaltungselementschicht, eine auf der Schaltungselementschicht angeordnete erste Elektrode, eine Hilfselektrode, die auf der Schaltungselementschicht angeordnet ist und von der ersten Elektrode beabstandet ist, eine erste lichtemittierende Schicht, die auf der ersten Elektrode angeordnet ist, eine Pufferschicht, die auf der ersten lichtemittierenden Schicht angeordnet ist, eine zweite lichtemittierende Schicht, die auf der Pufferschicht Schicht und der Hilfselektrode angeordnet ist, und eine zweite Elektrode, die auf der zweiten lichtemittierenden Schicht angeordnet ist.
  • Es versteht sich, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung der vorliegenden Offenbarung beispielhaft und erklärend sind und dazu beabsichtigt sind, eine weitere Erläuterung der beanspruchten Offenbarung zu liefern.
  • Figurenliste
  • Die beiliegenden Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Offenbarung zu ermöglichen und in diese Anmeldung aufgenommen sind und einen Teil dieser Anmeldung bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, das Prinzip der Offenbarung zu erläutern. In den Zeichnungen:
    • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik;
    • 2 ist eine schematische Draufsicht einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 3 ist eine schematische Draufsicht, die Pixel in einem aktiven Bereich und einem Blindbereich einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 4 ist eine Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung und ist eine Querschnittsansicht die entlang der Linie I-I' von 3 genommen ist;
    • 5A ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine organische lichtemittierende Vorrichtung einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 5B ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine organische lichtemittierende Vorrichtung einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 6 ist eine Grafik, die eine Ansteuerspannung einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik mit einer Ansteuerspannung einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergleicht;
    • 7 ist eine Grafik, die eine Stromeffizienz einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik mit einer Stromeffizienz einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergleicht;
    • 8 ist eine Graphik, die die Lebensdauer einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik mit der Lebensdauer einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergleicht; und
    • 9 ist eine Grafik, die eine normalisierte Lichtintensität einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik mit einer normalisierten Lichtintensität einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in Bezug auf eine Wellenlänge vergleicht.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER OFFENBARUNG
  • Nun wird detailliert auf die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung Bezug genommen, von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Wo immer möglich, werden in den Zeichnungen durchweg die gleichen Bezugszeichen verwendet, um auf dieselben oder ähnliche Teile Bezug zu nehmen.
  • Die in der Beschreibung beschriebenen Ausdrücke sind wie folgt zu verstehen.
  • Wie hier verwendet, sollen die Singularformen „ein“, „eine“ und „der/die/das“ die „Pluralformen“ ebenfalls einschließen, sofern der Zusammenhang nicht eindeutig etwas anderes angibt. Die Ausdrücke „erster/erste/erstes“ und „zweiter/zweite/zweites“ sollen ein Element von dem anderen Element unterscheiden, und diese Elemente sollten nicht durch diese Ausdrücke beschränkt sein. Es versteht sich ferner, dass die Ausdrücke „umfassen“, „umfassend“, „haben“, „habend“, „einschließen“ und/oder „einschließend“, wenn sie hier verwendet werden, das Vorhandensein der angegebenen Merkmale, ganzen Zahlen, Schritte, Operationen, Elemente und / oder Komponenten angeben, jedoch nicht das Vorhandensein oder die Zufügung von einem oder mehreren anderen Merkmalen, ganzen Zahlen, Schritten, Operationen, Elementen, Komponenten und/oder Gruppen davon ausschließen. Der Begriff „mindestens ein“ sollte so verstanden werden, dass er beliebige und alle Kombinationen von einem oder mehreren der zugehörigen aufgelisteten Elemente umfasst. Zum Beispiel bedeutet die Bedeutung von „mindestens einem von einem ersten Element, einem zweiten Element und einem dritten Element“ die Kombination aller Elemente, die von zwei oder mehr von dem ersten Element, dem zweiten Element und dem dritten Element vorgeschlagen werden ebenso wie das erste Element, das zweite Element oder das dritte Element. Der Begriff „auf“ sollte so ausgelegt werden, dass er einen Fall umfasst, bei dem ein Element an der Oberseite eines anderen Elements ausgebildet ist, und darüber hinaus einen Fall, bei dem ein drittes Element dazwischen angeordnet ist.
  • Nachfolgend werden beispielhafte Ausführungsformen einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Einzelnen beschrieben. In der Beschreibung ist beim Hinzufügen von Bezugszahlen für Elemente in jeder Zeichnung zu beachten, dass gleiche Bezugszahlen, die bereits zum Bezeichnen gleicher Elemente in anderen Zeichnungen verwendet werden, für Elemente wenn immer möglich verwendet werden. In der folgenden Beschreibung wird, wenn die detaillierte Beschreibung der relevanten bekannten Funktion oder Konfiguration bestimmt ist, die detaillierte Beschreibung weggelassen, um den wichtigen Punkt der vorliegenden Offenbarung unnötig zu verschleiern.
  • Nachfolgend werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen im Detail beschrieben.
  • 2 ist eine schematische Draufsicht einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Wie in 2 gezeigt, kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen aktiven Bereich AA, einen Blindbereich DA und einen Kontaktfleckbereich PA enthalten.
  • Der aktive Bereich AA kann als ein Anzeigebereich dienen, der ein Bild anzeigt. In dem aktiven Bereich AA kann eine Vielzahl von Pixeln vorgesehen sein, und ein Emissionsbereich kann in jeder der Vielzahl von Pixeln vorgesehen sein.
  • Im Detail können Signalleitungen, wie eine Gateleitung, eine Datenleitung, eine Stromleitung und eine Referenzleitung, in jeder der Vielzahl von Pixeln vorgesehen sein, die in dem aktiven Bereich AA vorgesehen sind. In jedem Pixel, das in dem aktiven Bereich AA vorgesehen ist, kann auch eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren (TFTs) zum Schalten der Übertragungen der durch die Signalleitungen angelegten Signale vorgesehen sein, und eine lichtemittierende Vorrichtung, die von der Vielzahl von TFTs angesteuert wird, um Licht zu emittieren kann in jedem Pixel vorgesehen sein.
  • Der Blindbereich DA kann so angeordnet sein, dass er den aktiven Bereich AA umgibt.
  • Im Einzelnen kann der Blindbereich DA außerhalb der oberen, unteren, linken und rechten Seiten des aktiven Bereichs AA angeordnet sein. In dem Blindbereich DA kann eine Vielzahl von Bildpixeln vorgesehen sein, und ein Blindemissionsbereich kann in jeder der Vielzahl von Blindpixeln vorgesehen sein. Da der Blindbereich DA nicht der Anzeigebereich ist, der ein Bild anzeigt, können die in dem Blindbereich DA vorgesehenen Blindpixel eine Struktur haben, die sich von der jedes im aktiven Bereich AA vorgesehenen Pixels unterscheidet. Zum Beispiel kann eine Signalleitung, ein TFT und/oder eine lichtemittierende Vorrichtung nicht in jedem der in dem Blindbereich DA vorgesehenen Dummy-Pixel vorgesehen oder unvollständig vorgesehen sein, und daher kann kein Licht von jedem Blindpixel emittiert werden, das in dem Dummy-Bereich DA vorgesehen ist. Wenn Licht in dem Blindbereich DA emittiert wird, verschlechtert sich die Bildqualität der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung aufgrund von in dem Blindbereich DA auftretendem Streulicht.
  • Der Blindbereich DA verhindert, dass ein Prozessfehler zwischen einem Zentrum und einem äußeren Abschnitt des aktiven Bereichs AA auftritt. Dies wird nachstehend ausführlich beschrieben.
  • Eine Vielzahl von Stapelprozessen und eine Vielzahl von Maskenprozessen können zum Bilden der Vielzahl von Pixeln in dem aktiven Bereich AA durchgeführt werden. Jeder der Stapelprozesse kann ein Prozess zum Bilden einer Isolierschicht, einer Metallschicht oder einer organischen Schicht durch einen physikalischen Abscheidungsprozess, einen chemischen Abscheidungsprozess, einen Beschichtungsprozess oder einen Tintenstrahlprozess sein, und jeder der Maskenprozesse kann ein Verfahren zum Strukturieren der Isolierschicht, der Metallschicht oder der organischen Schicht sein, die durch die Stapelprozesse gebildet werden, um unter Verwendung eines Photolithographieprozesses eine bestimmte Form zu haben der denen bekannt ist die in der Technik bewandert sind.
  • Wenn, wie oben beschrieben, die Vielzahl von Stapelprozessen und die Vielzahl von Maskenprozessen auf dem aktiven Bereich AA durchgeführt werden, besteht die Möglichkeit, dass ein Prozessfehler zwischen der Mitte und einem Rand des aktiven Bereichs AA aufgrund einer Prozesscharakterstik auftritt. Aus diesem Grund kann der Blindbereich DA in dem Rand des aktiven Bereichs AA vorgesehen sein, und daher tritt in einem Fall, in dem ein Fehler auftritt, der Fehler im Blindbereich DA auf, ohne dass er im aktiven Bereich AA auftritt.
  • Insbesondere wenn eine lichtemittierende Schicht der lichtemittierenden Vorrichtung durch einen Tintenstrahlprozess gebildet wird, kann ein Unterschied beim Trocknen der lichtemittierenden Schicht zwischen einer Mitte und einem Rand eines Substrats auftreten, und in diesem Fall, wenn der Blindbereich DA nicht vorgesehen ist, ist die Lichtemission zwischen der Mitte und dem Rand des aktiven Bereichs AA ist nicht gleichförmig.
  • Daher kann der Blindbereich DA außerhalb des aktiven Bereichs AA vorgesehen sein, und somit ist, in einem Fall, in dem die lichtemittierende Schicht der lichtemittierenden Vorrichtung durch den Tintenstrahlprozess gebildet wird, das Trocknen der lichtemittierenden Schicht nicht gleichförmig zwischen dem aktiven Bereich AA und dem Blindbereich DA, aber das Trocknen der lichtemittierenden Schicht ist im aktiven Bereich AA vollständig gleichförmig.
  • Der Kontaktfleckbereich PA kann außerhalb des Blindbereichs DA angeordnet sein
  • Ein Schaltungstreiber, wie beispielsweise ein Gate-Treiber oder ein Datentreiber, kann in dem Kontaktfleckbereich PA vorgesehen sein. Der Schaltungstreiber kann außerhalb wenigstens der oberen, der unteren, der linken und der rechten Seiten des Blindbereichs DA angeordnet sein. Der im Kontaktfleckbereich PA vorgesehene Schaltungstreiber kann über den Blindbereich DA mit dem im aktiven Bereich AA angeordneten Schaltungselement verbunden sein.
  • 3 ist eine schematische Draufsicht, die Pixel in einem aktiven Bereich und einem Blindbereich einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Wie in 3 gesehen, kann ein aktiver Bereich AA auf einem Substrat 100 vorgesehen sein, und ein Blindbereich DA kann außerhalb des aktiven Bereichs AA vorgesehen sein. Ein Kontaktfleckbereich PA kann außerhalb des Blindbereichs DA vorgesehen sein, und eine Vielzahl von Kontaktflecken kann in dem Kontaktfleckbereich PA angeordnet sein. 3 zeigt schematisch einen linken oberen Bereich des Substrats 100
  • In dem aktiven Bereich AA kann eine Vielzahl von Pixeln P vorgesehen sein. Die Vielzahl von Pixeln P kann ein rotes Pixel enthalten, das rotes Licht emittiert, ein grünes Pixel, das grünes Licht emittiert, und ein blaues Pixel, das blaues Licht emittiert, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • In der Vielzahl von Pixeln P kann ein Emissionsbereich durch einen Damm 400 definiert sein. Der Damm 400 kann so angeordnet sein, dass er einen Rand jedes der Vielzahl von Pixeln P umgibt. In diesem Fall kann ein Kontaktteil CNT zum elektrischen Verbinden einer zweiten Elektrode mit einer Hilfselektrode zwischen benachbarten Pixeln der Vielzahl von Pixeln P vorgesehen sein. Das Kontaktteil CNT kann ein Bereich sein, der die Hilfselektrode durch ein in dem Damm 400 vorgesehenes Loch freilegt.
  • Die Vielzahl von Pixeln P kann in einem Matrixtyp angeordnet sein, wie in 3 dargestellt, sind aber nicht darauf beschränkt. In anderen Ausführungsformen kann die Vielzahl von Pixeln P in verschiedenen Arten angeordnet sein, die dem Fachmann bekannt sind.
  • In dem Blindbereich DA kann eine Vielzahl von Blindpixeln DP vorgesehen sein. Einige der Vielzahl der Blindpixel DP können in einer Spalte angeordnet sein, die sich von einer Spalte unterscheidet, in der Pixel P angeordnet sind. Einige der Vielzahl der Blindpixel DP können auch in einer Spalte angeordnet sein, die mit der Spalte gleich ist, in der die Pixel P angeordnet sind.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung und ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 3, und jede der 5A und 5B ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine organische lichtemittierende Vorrichtung der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Wie in 4 gesehen kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen aktiven Bereich AA, einen Blindbereich DA und einen Kontaktfleckbereich PA enthalten, die auf einem Substrat 100 vorgesehen sind.
  • Das Substrat 100 kann aus Glas, Kunststoff und / oder dergleichen gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Das Substrat 100 kann aus einem transparenten Material gebildet sein oder kann aus einem undurchsichtigen Material gebildet sein.
  • Eine Lichtsperrschicht 110 kann auf dem Substrat 100 angeordnet sein. Die Lichtsperrschicht 110 kann zusätzlich zwischen dem Substrat 100 und einer aktiven Schicht 210 vorgesehen sein und kann die Wanderung von Licht zu der aktiven Schicht 210 blockieren, wodurch eine Verschlechterung der aktiven Schicht 210 verhindert wird. Die Lichtsperrschicht 110 kann eine untere Lichtsperrschicht 111 und eine obere Lichtsperrschicht 112 enthalten.
  • Die untere Lichtsperrschicht 111 kann zwischen dem Substrat 100 und der oberen Lichtsperrschicht 112 vorgesehen sein und kann eine Adhäsionskraft zwischen dem Substrat 100 und der oberen Lichtsperrschicht 112 erhöhen. Die untere Lichtsperrschicht 111 kann auch eine untere Oberfläche der oberen Lichtsperrschicht 112 schützen, wodurch verhindert wird, dass die untere Oberfläche der oberen Lichtsperrschicht 112 korrodiert. Daher kann eine Oxidationsgeschwindigkeit der unteren Lichtsperrschicht 111 niedriger sein als die der oberen Lichtsperrschicht 112. Das heißt, die untere Lichtsperrschicht 111 kann aus einem Material gebildet sein, das eine höhere Korrosionsbeständigkeit aufweist als ein Material der oberen Lichtsperrschicht 112. Wie oben beschrieben, kann die untere Lichtblockierschicht 111 als eine Adhäsionskraft-Verbesserungsschicht oder eine Antikorrosionsschicht wirken und kann aus Titan (Ti) oder einer Legierung (MoTi) aus Molybdän (Mo) und Ti gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die obere Lichtsperrschicht 112 kann auf der unteren Lichtsperrschicht 111 vorgesehen sein. Die obere Lichtsperrschicht 112 kann aus Kupfer (Cu) oder Aluminium (Al) gebildet sein, was einen geringen Widerstand hat, ist aber nicht darauf beschränkt. Die obere Lichtsperrschicht 112 kann aus einem Material gebildet sein, das einen relativ geringeren Widerstand aufweist als die untere Lichtsperrschicht 111. Die obere Lichtsperrschicht 112 kann mit einer Drainelektrode 265 verbunden sein, und eine Dicke der oberen Lichtsperrschicht 112 kann dicker als die der unteren Lichtsperrschicht 111 eingestellt werden, um den Widerstand der Drainelektrode 265 zu verringern.
  • Eine Pufferschicht 120 kann auf dem Substrat 100 angeordnet sein. Die Pufferschicht 120 kann auf dem Substrat 100 und der Lichtsperrschicht 110 angeordnet sein, um einen Dünnfilmtransistor (TFT) vor Wasser zu schützen, das durch das Substrat 100 eindringt, das für das Eindringen von Wasser anfällig ist.
  • Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann als Top-Emission-Typ implementiert sein, bei dem sich emittiertes Licht zu einem oberen Abschnitt bewegt, und in diesem Fall kann ein Material des Substrats 100 auch ein undurchsichtiges Material verwenden ebenso wie ein transparentes Material.
  • Darüber hinaus kann die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als ein Bodenemissionstyp implementiert werden, bei dem sich emittiertes Licht zu einem unteren Teil bewegt, und in diesem Fall kann das Material des Substrats 100 ein transparentes Material verwenden.
  • Eine Schaltungselementschicht 200, eine erste Elektrode 310, eine Hilfselektrode 320, ein Damm 400, eine Lichtemissionsschicht 500 und eine zweite Elektrode 600 können in dem aktiven Bereich AA auf dem Substrat 100 vorgesehen sein.
  • Die Schaltungselementschicht 200 kann auf dem Substrat 100 vorgesehen sein. Die Schaltungselementschicht 200 kann die aktive Schicht 210, eine Gateisolationsschicht 220, eine Gateelektrode 230, eine Hilfsleitung 240, eine Zwischenschichtisolationsschicht 250, eine Sourceelektrode 260, die Drainelektrode 265, eine Verbindungsleitung 270, eine Passivierungsschicht 280 und eine Planarisierungsschicht 290 beinhalten.
  • Die aktive Schicht 210 kann auf dem Substrat 100 vorgesehen sein. Die aktive Schicht 210 kann aus einem Halbleitermaterial auf Siliziumbasis, einem Oxidhalbleitermaterial und/oder dergleichen gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Gateisolationsschicht 220 kann auf der aktiven Schicht 210 vorgesehen sein und kann die aktive Schicht 210 von der Gateelektrode 230 isolieren.
  • Die Gateelektrode 230 kann auf der Gateisolationsschicht 220 vorgesehen sein. Die Gateelektrode 230 kann eine untere Gateelektrode 231 und eine obere Gateelektrode 232 beinhalten.
  • Die untere Gateelektrode 231 kann zwischen der Gateisolationsschicht 220 und der oberen Gateelektrode 232 vorgesehen sein und kann eine Adhäsionskraft zwischen der Gateisolationsschicht 220 und der oberen Gateelektrode 232 verbessern. Die untere Gateelektrode 231 kann auch eine untere Oberfläche der oberen Gateelektrode 232 schützen, wodurch verhindert wird, dass die untere Oberfläche der oberen Gateelektrode 232 korrodiert. Daher kann eine Oxidationsgeschwindigkeit der unteren Gateelektrode 231 niedriger als die der oberen Gateelektrode 232 sein. Das heißt, die untere Gateelektrode 231 kann aus einem Material gebildet sein, das eine höhere Korrosionsbeständigkeit aufweist als ein Material der oberen Gateelektrode 232. Wie oben beschrieben, kann die untere Gateelektrode 231 als Adhäsionskraftverbesserungsschicht oder Antikorrosionsschicht wirken und kann aus Ti oder einer Legierung (MoTi) aus Mo und Ti gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die obere Gateelektrode 232 kann an der unteren Gateelektrode 231 vorgesehen sein. Die obere Gateelektrode 232 kann aus Cu oder Al gebildet sein, was einen geringen Widerstand hat, ist aber nicht darauf beschränkt Die obere Gateelektrode 232 kann aus einem Material gebildet sein, das einen relativ geringeren Widerstand aufweist als die untere Gateelektrode 231. Eine Dicke der oberen Gateelektrode 232 kann dicker als die der unteren Gateelektrode 231 eingestellt werden, um einen Widerstand der Gateelektrode 230 zu reduzieren.
  • Die Hilfsleitung 240 kann auf der gleichen Schicht wie die Gateelektrode 230 angeordnet sein und kann von der Gateelektrode 230 beabstandet sein. Die Hilfsleitung 240 kann gleichzeitig mit der Gateelektrode 230 durch den gleichen Prozess gebildet werden und kann aus demselben Material wie das der Gateelektrode 230 gebildet sein. Die Hilfsleitung 240 kann eine untere Hilfsleitung 241 und eine obere Hilfsleitung 242 umfassen. Die untere Hilfsleitung 241 und die obere Hilfsleitung 242 können aus demselben Material wie das der unteren Gateelektrode 231 und der oberen Gateelektrode 232 gebildet sein.
  • Die Hilfsleitung 240 kann elektrisch mit der Hilfselektrode 320 verbunden sein, die nachstehend beschrieben wird. Da die Hilfsleitung 240 elektrisch mit der Hilfselektrode 320 verbunden ist, kann ein Widerstand jeweils der Hilfselektrode 320 und der zweiten Elektrode 600 verringert werden.
  • Die Zwischenschichtisolationsschicht 250 kann auf der Gateelektrode 230 vorgesehen sein und kann die Gateelektrode 230 von den Source- und Drainelektroden 260 und 265 isolieren.
  • Die Source-Elektrode 260 und die Drain-Elektrode 265 können einander zugewandt sein und können auf der Zwischenschichtisolationsschicht 250 voneinander beabstandet sein. Die Sourceelektrode 260 kann mit einem Ende der aktiven Schicht 210 durch ein Kontaktloch verbunden sein, das in der Zwischenschichtisolationsschicht 250 vorgesehen ist, und die Drainelektrode 265 kann mit dem anderen Ende der aktiven Schicht 210 durch ein anderes Kontaktloch verbunden sein das in der Zwischenschichtisolationsschicht 250 vorgesehen ist. Die Sourceelektrode 260 kann eine untere Sourceelektrode 261, eine mittlere Sourceelektrode 262 und eine obere Sourceelektrode 263 beinhalten, und die Drainelektrode 265 kann eine untere Drainelektrode 266, eine mittlere Drainelektrode 267 und eine obere Drainelektrode 268 beinhalten.
  • Die unteren Source- und Drain-Elektroden 261 und 266 können zwischen der Zwischenschichtisolationsschicht 150 und den mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267 vorgesehen sein und können eine Adhäsionskraft zwischen der Zwischenschichtisolationsschicht 150 und den mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267 verstärken. Auch können die unteren Source- und Drainelektroden 261 und 266 untere Oberflächen der mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267 schützen, wodurch verhindert wird, dass die unteren Oberflächen der mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267 korrodieren.
  • Daher kann eine Oxidationsgeschwindigkeit von jeder der unteren Source- und Drainelektroden 261 und 266 niedriger als die von jeder der mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267 sein. Das heißt, die unteren Source- und Drainelektroden 261 und 266 können aus einem Material gebildet sein, das eine stärkere Korrosionsbeständigkeit aufweist als ein Material jeder der mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267. Wie oben beschrieben, kann jede der unteren Source- und Drainelektroden 261 und 266 als eine Adhäsionskraftverbesserungsschicht oder eine Korrosionsschutzschicht wirken und kann aus einer Legierung (MoTi) aus Mo und Ti gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die mittlere Source- und Drain-Elektrode 262 und 267 können zwischen den unteren Source- und Drainelektroden 261 und 266 und den oberen Source- und Drainelektroden 263 und 268 vorgesehen sein. Die mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267 können aus Cu gebildet sein, das einen geringen Widerstand hat, ist aber nicht darauf beschränkt. Die mittlere Source- und Drainelektroden 262 und 267 können aus einem Material gebildet sein, das einen relativ geringeren Widerstand aufweist als die untere Source- und Drain-Elektrode 261 und 266. Eine Dicke jeder der mittleren Source- und Drainelektrode 262 und 267 kann dicker als die jeder der unteren Source- und Drainelektrode 261 und 266 eingestellt werden, um den Gesamtwiderstand der Source- und Drain-Elektrode 260 und 265 zu verringern.
  • Die oberen Source- und Drainelektroden 263 und 268 können zwischen der Passivierungsschicht 280 und den mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267 vorgesehen sein und können eine Adhäsionskraft zwischen der Passivierungsschicht 280 und der mittleren Source- und Drain-Elektrode 262 und 267 verbessern. Die obere Source- und Drainelektroden 263 und 268 können auch die oberen Oberflächen der mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267 schützen, wodurch verhindert wird, dass die oberen Oberflächen der mittlere Source- und Drainelektroden 262 und 267 korrodieren.
  • Daher kann eine Oxidationsgeschwindigkeit von jeder der oberen Source- und Drainelektroden 263 und 268 niedriger als die von jeder der mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267 sein. Das heißt, die oberen Source- und Drainelektroden 263 und 268 können aus einem Material gebildet sein, das eine stärkere Korrosionsbeständigkeit aufweist als ein Material jeder der mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267. Wie oben beschrieben, kann jede der oberen Source- und Drainelektroden 263 und 268 als eine Adhäsionskraftverbesserungsschicht oder eine Korrosionsschutzschicht wirken und kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indiumzinnoxid (ITO) gebildet sein, ist dies jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Verbindungsleitung 270 kann auf der gleichen Schicht wie die Source- und Drainelektroden 260 und 265 angeordnet sein und kann von den Source- und Drainelektroden 260 und 265 beabstandet sein. Die Verbindungsleitung 270 und die Source- und Drainelektroden 260 und 265 können durch denselben Prozess aus demselben Material gleichzeitig gebildet werden. Die Verbindungsleitung 270 kann eine untere Verbindungsleitung 271, eine mittlere Verbindungsleitung 272 und eine obere Verbindungsleitung 273 umfassen.
  • Die untere Verbindungsleitung 271 kann aus demselben Material wie dasjenige den unteren Source- und Drainelektroden 261 und 266 gebildet sein, um die gleiche Dicke wie die der unteren Source- und Drainelektroden 261 und 266 zu haben, und die mittlere Verbindungsleitung 272 kann aus dem gleichen Material gebildet sein, um dieselbe Dicke wie die mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267 zu haben. Die obere Verbindungsleitung 273 kann auch aus dem gleichen Material gebildet sein, um dieselbe Dicke wie die obere Source- und Drain-Elektrode 263 und 268 zu haben. In diesem Fall können die Verbindungsleitung 270 und die Source- und Drainelektroden 260 und 265 durch den gleichen Prozess gleichzeitig gebildet werden.
  • Die Verbindungsleitung 270 kann elektrisch mit der Hilfselektrode 320 verbunden sein, die nachstehend beschrieben wird. Da die Verbindungsleitung 270 elektrisch mit der Hilfselektrode 320 verbunden ist, kann ein Widerstand jeweils der Hilfselektrode 320 und der zweiten Elektrode 600 verringert werden.
  • Die Passivierungsschicht 280 kann auf der Sourceelektrode 260, der Drainelektrode 265 und der Verbindungsleitung 270 vorgesehen sein und kann den TFT schützen.
  • Die Planarisierungsschicht 290 kann auf der Passivierungsschicht 280 vorgesehen sein und kann eine Oberfläche auf dem Substrat 100 planarisieren.
  • Wie oben beschrieben, kann die Schaltungselementschicht 200 einen TFT enthalten, der die aktive Schicht 210, die Gateelektrode 230, die Sourceelektrode 260 und die Drainelektrode 265 beinhaltet In FIG. In 4 ist ein TFT mit einer oberen Gatestruktur dargestellt, bei der die Gateelektrode 230 auf der aktiven Schicht 230 vorgesehen ist, ist aber nicht darauf beschränkt. In anderen Ausführungsformen kann die Schaltungselementschicht 200 einen TFT mit einer unteren Gatestruktur aufweisen, wobei die Gateelektrode 230 unter der aktiven Schicht 230 vorgesehen ist.
  • In der Schaltungselementschicht 200 kann ein Schaltungselement, das verschiedene Signalleitungen, TFTs und einen Kondensator enthält, in jedem einer Vielzahl von Pixeln vorgesehen sein. Die Signalleitungen können eine Gateleitung, eine Datenleitung, eine Stromleitung und eine Referenzleitung enthalten, und die TFTs können einen Schalt-TFT, einen Treiber-TFT und einen Abtast-TFT enthalten. Der TFT, der in 4 kann dem Treiber-TFT entsprechen.
  • Der Schalt-TFT kann durch ein Gatesignal eingeschaltet werden, das durch die Gateleitung geliefert wird, und kann eine Datenspannung, die durch die Datenleitung geliefert wird, zu dem Treiber-TFT übertragen.
  • Der Treiber-TFT kann durch die Datenspannung eingeschaltet werden, die von dem Schalt-TFT übertragen wird, um einen Datenstrom aus einer durch die Stromleitung zugeführten Leistung zu erzeugen, und er kann den Datenstrom der ersten Elektrode 310 zuführen.
  • Der Abtast-TFT kann eine Schwellenspannungsabweichung des Treiber-TFT erfassen, die die Verschlechterung der Bildqualität verursacht. Der Abtast-TFT kann der Referenzleitung in Reaktion auf ein Abtaststeuersignal, das durch die Gateleitung oder eine separate Abtastleitung zugeführt wird, einen Strom des Treiber-TFT zuführen.
  • Der Kondensator kann die dem Treiber-TFT während eines Rahmens zugeführte Datenspannung halten und kann mit einer Gate-Elektrode und einer Source-Elektrode des Treiber-TFT verbunden sein.
  • In einem Fall, in dem die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als Top-Emissionstyp implementiert ist, wird die Lichtemission durch den TFT nicht beeinflusst, selbst wenn der TFT unter der lichtemittierenden Schicht 500 angeordnet ist und somit kann der TFT unter der Lichtemissionsschicht 500 angeordnet sein.
  • Die erste Elektrode 310 kann auf der Schaltungselementschicht 200 vorgesehen sein. Die erste Elektrode 310 kann in jedem der Vielzahl von Pixeln strukturiert sein und als Anode der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung dienen.
  • Wenn die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als Top-Emissionstyp implementiert ist, kann die erste Elektrode 310 ein reflektierendes Material zum Reflektieren von Licht zu einem oberen Abschnitt beinhalten, das von der lichtemittierenden Schicht 500 emittiert wird. In diesem Fall kann die erste Elektrode 310 eine Stapelstruktur aufweisen, die ein transparentes leitfähiges Material und das reflektierende Material enthält. Wenn dagegen die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als Bodenemissionstyp implementiert ist, kann die erste Elektrode 310 aus dem transparenten leitfähigen Material gebildet sein.
  • Die erste Elektrode 310 kann durch ein Kontaktloch, das in der Planarisierungsschicht 290 und der Passivierungsschicht 280 vorgesehen ist, mit der Drainelektrode 265 des TFT verbunden sein. Je nach Fall kann die erste Elektrode 310 über ein Kontaktloch, das in der Planarisierungsschicht 290 und der Passivierungsschicht 280 vorgesehen ist, mit der Sourceelektrode 260 des TFT verbunden sein.
  • Die Hilfselektrode 320 kann auf der gleichen Schicht wie die erste Elektrode 310 angeordnet sein und kann von der ersten Elektrode 310 beabstandet sein. Die Hilfselektrode 320 und die erste Elektrode 310 können durch denselben Prozess aus demselben Material gleichzeitig gebildet werden.
  • Die Hilfselektrode 320 kann elektrisch mit der zweiten Elektrode 600 verbunden sein. Da die Hilfselektrode 320 elektrisch mit der zweiten Elektrode 600 verbunden ist, kann der Widerstand der zweiten Elektrode 600 verringert werden.
  • Die Hilfselektrode 320 kann eine untere Hilfselektrode 321, eine mittlere Hilfselektrode 322 und eine obere Hilfselektrode 323 enthalten. Die erste Elektrode 310 kann eine untere erste Elektrode 311, eine mittlere erste Elektrode 312 und eine obere erste Elektrode 313 beinhalten.
  • Die untere erste Elektrode 311 kann zwischen der Planarisierungsschicht 290 und der mittleren ersten Elektrode 312 vorgesehen sein, um eine Adhäsionskraft zwischen der Planarisierungsschicht 290 und der mittleren ersten Elektrode 312 zu verbessern, und die untere Hilfselektrode 321 kann zwischen der Planarisierungsschicht 290 und der mittleren Hilfselektrode 322 vorgesehen sein, um eine Adhäsionskraft zwischen der Planarisierungsschicht 290 und der mittleren Hilfselektrode 322 zu verbessern. Die untere erste Elektrode 311 kann auch eine untere Oberfläche der mittleren ersten Elektrode 312 schützen, und die untere Hilfselektrode 321 kann eine untere Oberfläche der mittleren Hilfselektrode 322 schützen, wodurch die unteren Oberflächen der mittleren ersten Elektrode 312 und der mittleren Hilfselektrode 322 daran gehindert werden zu korrodieren.
  • Daher kann eine Oxidationsgeschwindigkeit jeweils der unteren ersten Elektrode 311 und der unteren Hilfselektrode 321 niedriger sein als die von jeweils der mittleren ersten Elektrode 312 und der mittleren Hilfselektrode 322. Das heißt, die untere erste Elektrode 311 und die untere Hilfselektrode 321 können aus einem Material gebildet sein, das eine stärkere Korrosionsbeständigkeit aufweist als ein Material jeder der mittleren ersten Elektrode 312 und der mittleren Hilfselektrode 322. Wie oben beschrieben, kann sowohl die untere erste Elektrode 311 als auch die untere Hilfselektrode 321 als Adhäsionskraftverstärkungsschicht oder Korrosionsschutzschicht wirken und kann aus einer Legierung (MoTi) aus Mo und Ti gebildet sein, jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die mittlere erste Elektrode 312 kann zwischen der unteren ersten Elektrode 311 und der oberen ersten Elektrode 313 vorgesehen sein, und die mittlere Hilfselektrode 322 kann zwischen der unteren Hilfselektrode 321 und der oberen Hilfselektrode 323 vorgesehen sein. Die mittlere erste Elektrode 312 und die mittlere Hilfselektrode 322 können aus Cu gebildet sein, das einen geringen Widerstand hat, aber nicht darauf beschränkt. Die mittlere erste Elektrode 312 und die mittlere Hilfselektrode 322 können aus einem Material gebildet sein, das einen relativ geringeren Widerstand aufweist als die untere erste Elektrode 311 und die untere Hilfselektrode 321. Eine Dicke jeder der mittleren ersten Elektrode 312 und der mittleren Hilfselektrode 322 kann dicker eingestellt werden als die der unteren ersten Elektrode 311 und der unteren Hilfselektrode 321, um den Gesamtwiderstand der ersten Elektrode 310 und der unteren Elektrode Hilfselektrode 320 zu verringern.
  • Die obere erste Elektrode 313 und die obere Hilfselektrode 323 können die oberen Oberflächen der mittleren ersten Elektrode 312 und der mittleren Hilfselektrode 322 schützen, wodurch die oberen Oberflächen der mittleren ersten Elektrode 312 und der mittleren Hilfselektrode 322 daran gehindert werden zu korrodieren.
  • Daher kann eine Oxidationsgeschwindigkeit von jeder der oberen ersten Elektrode 313 und der oberen Hilfselektrode 323 niedriger sein als die von jeder der mittleren ersten Elektrode 312 und der mittleren Hilfselektrode 322. Das heißt, die obere erste Elektrode 313 und die obere Hilfselektrode 323 können aus einem Material gebildet sein, das eine stärkere Korrosionsbeständigkeit aufweist als ein Material von jeder der mittleren ersten Elektrode 312 und der mittleren Hilfselektrode 322. Wie oben beschrieben, kann sowohl die obere erste Elektrode 313 als auch die obere Hilfselektrode 323 als Adhäsionskraftverstärungsschicht oder Korrosionsschutzschicht wirken und aus einem transparenten leitfähigen Material wie ITO gebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Der Damm 400 kann zwischen benachbarten Pixeln der Vielzahl von Pixeln P vorgesehen sein. Der Damm 400 kann vollständig in einer Matrixstruktur bereitgestellt sein und kann einen Emissionsbereich in einem einzelnen Pixel P definieren. Der Damm 400 kann auf der Planarisierungsschicht 290 vorgesehen sein, um beide Enden von jeder der ersten Elektrode 310 und der Hilfselektrode 320 zu verbergen. Daher kann eine Mehrheit von ersten Elektroden 300 und Hilfselektroden 320, die jeweils in der Vielzahl von Pixeln strukturiert sind, durch den Damm 400 voneinander isoliert sein.
  • Die lichtemittierende Schicht 500 kann auf der ersten Elektrode 310 vorgesehen sein. Die lichtemittierende Schicht 500 kann vorgesehen sein, um Lichter unterschiedlicher Farben für jede der Vielzahl von Pixeln P zu emittieren. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht 500 dazu vorgesehen sein, rotes Licht, grünes Licht und blaues Licht zu emittieren, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die lichtemittierende Schicht 500 kann vorgesehen sein, um weißes Licht zu emittieren, und in diesem Fall kann weiterhin ein Farbfilter in einem Laufweg von Licht vorgesehen sein, das von der lichtemittierenden Schicht 500 für jede der Vielzahl von Pixeln P emittiert wird.
  • Unter Bezugnahme auf 5A und 5B, kann die Licht emittierende Schicht 500 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine erste lichtemittierende Schicht 510, eine Pufferschicht 520 und eine zweite lichtemittierende Schicht 530 enthalten.
  • Die erste lichtemittierende Schicht 510 kann auf der ersten Elektrode 310 vorgesehen sein. Die erste lichtemittierende Schicht 510 kann in einem Emissionsbereich vorgesehen sein, der durch den Damm 400 definiert ist. Die erste lichtemittierende Schicht 510 kann eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine Lochtransportschicht (HTL) und eine lichtemittierende Materialschicht (EML) enthalten. In einem roten Pixel kann die EML eine rote EML R sein, die rotes Licht emittiert. In einem grünen Pixel kann die EML eine grüne EML G sein, die grünes Licht emittiert. In einem blauen Pixel kann die EML eine blaue EML B sein, die blaues Licht emittiert. Die erste lichtemittierende Schicht 510 kann durch einen Tintenstrahlprozess gebildet werden. Im Detail kann die erste lichtemittierende Schicht 510 in jeder der Vielzahl von Pixeln P durch den Tintenstrahlprozess unter Verwendung einer Tintenstrahlvorrichtung ohne Maske strukturiert werden.
  • Die Pufferschicht 520 kann auf der ersten lichtemittierenden Schicht 510 vorgesehen sein. Die Pufferschicht 520 kann in dem von dem Damm 400 definierten Emissionsbereich vorgesehen sein. Die Pufferschicht 520 kann in jeder der Vielzahl von Pixeln P durch den Tintenstrahlprozess unter Verwendung der Tintenstrahlvorrichtung ohne Maske strukturiert werden. Das heißt, die Pufferschicht 520 kann nur auf der ersten Lichtemissionsschicht 510 vorgesehen sein, ohne zwischen der Hilfselektrode 320 und der zweiten Elektrode 600 vorgesehen zu sein. Die Pufferschicht 520 kann aus einem organischen Material gebildet sein oder ein organisches Material umfassen, und somit besteht keine Einschränkung hinsichtlich der Verbesserung der Leistung der Vorrichtung. Zum Beispiel kann die Pufferschicht 520 aus einem leitfähigen organischen Material gebildet sein. Dementsprechend kann die Pufferschicht 520 als Funktionsschicht mit einer gewünschten Funktion beruhend auf einer Charakteristik jedes Pixels wirken.
  • Insbesondere unter Bezugnahme auf 5A kann die Pufferschicht 520 in einem blauen Pixel angeordnet sein und kann somit auf der blauen EML B angeordnet sein. Die Pufferschicht darf nicht in einem roten oder grünen Pixel angeordnet sein und darf daher nicht auf der roten EML R oder der grünen EML G angeordnet sein. Die blaue EML B kann eine Eigenschaft aufweisen, bei der sich kombinierte Exzitonen, Elektronen oder Löcher aufgrund eines niedrigen T1 Spannungsniveaus zu benachbarten Transportschichten bewegen, und daher ist der Emissionswirkungsgrad im Vergleich zu der roten EML R und der grünen EML G verringert Das Spannungsniveau T1 repräsentiert das Energieniveau oder Spannungsniveau des niedrigsten angeregten Triplett Zustands. Daher kann die Pufferschicht 520 aus einem Material gebildet sein, das ein T1-Spannungsniveau hat, das höher als das der blauen EML B ist, und einen höchsten besetzten Molekülorbital (HOMO) Niveauwert aufweist, der niedriger als der der blauen EML B ist, und kann auf der blauen EML B vorgesehen sein, um die Leistung der Vorrichtung der blauen EML B zu verbessern. Die Pufferschicht 520 kann als Sperrschicht wirken, um zu verhindern, dass sich Exzitonen, Elektronen oder Löcher zu einer benachbarten Elektroneninjektionsschicht bewegen. Die Pufferschicht 520 kann aus einem Material gebildet sein, das ein T1-Spannungsniveau aufweist, das höher ist als dasjenige der blauen EML B, der grünen EML G und der roten EML B. Bezugnehmend auf 5B, kann die Pufferschicht 520 in einem blauen Pixel, in einem grünen Pixel und in einem roten Pixel angeordnet sein und kann somit auf der blauen EML B, der grünen EML G und der roten EML B angeordnet sein.
  • Die Pufferschicht 520 kann aus einem Material gebildet sein, das Carbazol enthält, oder einem Material, das Fluoren oder Acridin enthält. Die Pufferschicht 520 kann auch aus einem oder mehreren Materialien gebildet sein, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus einem Material auf Arylaminbasis, einem auf Starburst basierenden aromatischen Aminmaterial und einem Spiro-Typ-Material besteht, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Darüber hinaus kann die Pufferschicht 520 aus einem Polymer, einem Oligomer, oder einem Monomer mit einem Molekulargewicht von 800 oder mehr gebildet sein oder kann aus einem Material gebildet sein, das eine Alkylgruppe enthält. Das Polymer, das Oligomer, das Monomer und das Material, das die Alkylgruppe enthält, können Materialien sein, die nicht auf einen Abscheidungsprozess angewendet werden können, und somit kann die Pufferschicht 520 durch einen Tintenstrahlprozess gebildet werden. Wie oben beschrieben, kann die Pufferschicht 520 auf der ersten Lichtemissionsschicht 510 gebildet werden, die durch den Tintenstrahlprozess unter Verwendung des Tintenstrahlprozesses anstelle des Abscheidungsprozesses gebildet wird, wodurch ein Problem einer Grenzfläche zwischen der ersten Lichtemissionsschicht 510 und der Pufferschicht 520 minimiert wird.
  • Darüber hinaus kann die Pufferschicht 520 aus einem Material zum Verringern einer Rauheit einer oberen Oberfläche davon gebildet sein. Daher, sogar wenn die zweite lichtemittierende Schicht 530 durch einen Abscheidungsprozess auf der Pufferschicht 520 gebildet wird, wird das Problem der Grenzflächen verringert. Auch, die Pufferschicht 520 kann auf der ersten Lichtemissionsschicht 510 durch den Tintenstrahlprozess in einem Zustand ausgebildet werden, in dem die zweite Lichtemissionsschicht 530 nicht auf der ersten Lichtemissionsschicht 510 abgeschieden ist, und dann kann die zweite Lichtemissionsschicht 530 auf der Pufferschicht 520 durch den Abscheidungsprozess gebildet werden, wodurch eine obere Oberfläche der ersten Lichtemissionsschicht 510 geschützt wird.
  • Darüber hinaus kann die Pufferschicht 520 als Elektronentransportschicht (ETL) fungieren.
  • Die zweite lichtemittierende Schicht 530 kann auf der Pufferschicht 520 und der Hilfselektrode 320 vorgesehen sein. Die zweite lichtemittierende Schicht 530 kann durch einen Abscheidungsprozess mit Ausnahme des Kontaktfleckbereichs PA vollständig auf dem Substrat 100 gebildet werden. Daher kann die zweite lichtemittierende Schicht 530 auch auf einer oberen Oberfläche des Damms 400 vorgesehen sein. Da die zweite lichtemittierende Schicht 530 zwischen der Hilfselektrode 320 und der zweiten Elektrode 600 angeordnet ist, kann die zweite lichtemittierende Schicht 530 aus einem leitfähigen Material (zum Beispiel Metall) gebildet sein, um die Hilfselektrode 320 elektrisch mit der zweiten Elektrode 600 zu verbinden. Dementsprechend kann die Hilfselektrode 320 durch die zweite lichtemittierende Schicht 530 elektrisch mit der zweiten Elektrode 600 verbunden sein. Die zweite lichtemittierende Schicht 530 kann eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) enthalten.
  • Die zweite Elektrode 600 kann auf der lichtemittierenden Schicht 500 vorgesehen sein. Detaillierter, die zweite Elektrode 600 kann auf der zweiten lichtemittierenden Schicht 530 vorgesehen sein. Die zweite Elektrode 600 kann als Kathode der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung dienen. Die zweite Elektrode 600 kann ebenso wie die lichtemittierende Schicht 500 auf der dem Damm 400 vorgesehen sein. Daher kann die zweite Elektrode 600 als eine gemeinsame Elektrode fungieren, die eine gemeinsame Spannung an die Vielzahl von Pixeln anlegt.
  • Eine Einkapselungsschicht kann auf der zweiten Elektrode 600 (nicht gezeigt) vorgesehen sein. Die Einkapselungsschicht kann so angeordnet sein, dass sie den aktiven Bereich AA abdeckt, und darüber hinaus kann sie so angeordnet sein, dass sie den Blindbereich DA bedeckt. Die Einkapselungsschicht kann verhindern, dass Sauerstoff oder Wasser in den TFT und die lichtemittierende Schicht 500 eindringen. Zu diesem Zweck kann die Einkapselungsschicht mindestens eine anorganische Schicht und mindestens eine organische Schicht umfassen.
  • Eine Schaltungselementschicht 200, ein Damm 400, eine blinde lichtemittierende Schicht 500 und eine zweite Elektrode 600 können in dem Blindbereich DA auf dem Substrat 100 vorgesehen sein.
  • Die Schaltungselementschicht 200, die in dem Blindbereich DA vorgesehen ist, kann durch denselben Prozess wie die Schaltungselementschicht 200, die in dem aktiven Bereich AA vorgesehen ist, gebildet werden, um die gleiche Struktur aufzuweisen.
  • Die vorliegende Ausführungsform ist jedoch nicht darauf beschränkt. In anderen Ausführungsformen können einige der Signalleitungen, wie beispielsweise eine Gateleitung, eine Datenleitung, eine Stromleitung und eine Referenzleitung, nicht in der Schaltungselementschicht 200 vorgesehen sein, die in dem Blindbereich DA vorgesehen ist, oder mindestens einer eines Schalt-TFT und eines Treiber-TFT können nicht in der Schaltungselementschicht 200 vorgesehen sein. Daher kann im Blindbereich DA kein Licht emittiert werden. Abhängig vom Fall kann die Schaltungselementschicht 200, die in dem Blindbereich DA vorgesehen ist, unvollständig konfiguriert sein, so dass einer von dem Schalt-TFT und Treiber-TFT nicht arbeitet.
  • Der in dem Blindbereich DA vorgesehene Damm 400 kann zwischen benachbarten Blindpixeln einer Vielzahl von Blindpixeln DP vorgesehen sein. Der in dem Blindbereich DA vorgesehene Damm 400 kann einen Blindemissionsbereich in einem einzelnen Blindpixel DP definieren. In der Zeichnung ist nur ein Pixel DP so dargestellt, dass es in dem Blindbereich DA vorgesehen ist, aber die Vielzahl von Blindpixeln DP kann in dem Blindbereich DA vorgesehen sein.
  • Ähnlich zu dem Damm 400, der in dem aktiven Bereich AA vorgesehen ist, kann der in dem Blindbereich DA vorgesehene Damm 400 vollständig in einer Matrixstruktur vorgesehen sein und kann den Blindemissionsbereich in einem einzelnen Blindpixel DP definieren. Als Ergebnis kann der Damm 400 in der Matrixstruktur in dem aktiven Bereich AA und dem Blindbereich DA bereitgestellt werden.
  • Die blinde lichtemittierende Schicht 500, die in dem Blindbereich DA vorgesehen ist, kann auf der Schaltungselementschicht 200 vorgesehen sein. Die blinde lichtemittierende Schicht 500, die in dem Blindbereich DA vorgesehen ist, kann aus dem gleichen Material gebildet sein, um dieselbe Dicke wie die lichtemittierende Schicht 500 zu haben, die im aktiven Bereich AA vorgesehen ist.
  • Da der Blindbereich DA kein Anzeigebereich ist, der ein Bild anzeigt, können die Blindpixel DP, die in dem Blindbereich DA vorgesehen sind, so konfiguriert sein, dass sie kein Licht emittieren. Wenn jedoch Licht im Blindbereich DA emittiert wird, verschlechtert sich die Anzeigequalität der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung aufgrund von in dem Blindbereich DA auftretendem Streulicht.
  • Damit kein Licht von den Blindpixeln DP emittiert wird, darf kein TFT in der Schaltungselementschicht 200 vorgesehen sein, die in dem Blindbereich DA angeordnet ist, oder es darf keine erste Elektrode in dem Blindbereich DA vorgesehen sein.
  • Die zweite Elektrode 600, die in dem Blindbereich DA vorgesehen ist, kann in einer Struktur ausgebildet sein, die sich von der zweiten Elektrode 600 aus erstreckt, die in dem aktiven Bereich AA vorgesehen ist. Die zweite Elektrode 600 darf jedoch nicht in dem Blindbereich DA vorgesehen sein, und daher kann kein Licht in dem Blindbereich DA emittiert werden.
  • Der Kontaktfleck 700 kann in dem Kontaktfleckbereich PA auf dem Substrat 100 vorgesehen sein. Der Kontaktfleck 700 kann einen Signalkontaktfleck 710 und eine Kontaktfleckelektrode 720 enthalten
  • Der Signalkontaktfleck 710 kann auf der Isolierschicht 225 vorgesehen sein. Der Signalkontaktfleck 710 kann auf der gleichen Schicht wie die Gateelektrode 230 vorgesehen sein, die in dem aktiven Bereich AA vorgesehen ist. Der Signalkontaktfleck 710 kann einen unteren Signalkontaktfleck 711 und einen oberen Signalkontaktfleck 712 enthalten.
  • Der Signalkontaktfleck 711 kann aus demselben Material gebildet sein, um die gleiche Dicke wie die untere Gateelektrode 231 zu haben, und der obere Signalkontaktfleck 712 kann aus dem gleichen Material gebildet sein, um die gleiche Dicke wie die obere Gateelektrode zu haben. In diesem Fall können der Signalkontaktfleck 710 und die Gateelektrode 230 gleichzeitig durch den gleichen Prozess gebildet werden.
  • Die Kontaktfleckelektrode 720 kann auf der Zwischenschichtisolationsschicht 250 bereitgestellt sein. Die Kontaktfleckelektrode 720 kann auf der gleichen Schicht wie die Source- und Drainelektroden 260 und 265 vorgesehen sein, die in dem aktiven Bereich AA vorgesehen sind. Die Kontaktfleckelektrode 720 kann durch ein Kontaktloch mit der Signalkontaktfleck 710 verbunden sein. Die Kontaktfleckelektrode 720 kann nach außen freigelegt sein und mit einem externen Treiber verbunden sein. Die Kontaktfleckelektrode 720 kann eine untere Kontaktfleckelektrode 721, eine mittlere Kontaktfleckelektrode 722 und eine obere Kontaktfleckelektrode 723 umfassen.
  • Die untere Kontaktfleckelektrode 721 kann aus dem gleichen Material gebildet sein, um die gleiche Dicke wie die unteren Source- und Drainelektroden 261 und 266 zu haben, die mittlere Kontaktfleckelektrode 722 kann aus dem gleichen Material ausgebildet sein, um die gleiche Dicke wie die mittleren Source- und Drainelektroden 262 und 267 zu haben, und die obere Kontaktfleckelektrode 723 kann aus dem gleichen Material gebildet sein, um die gleiche Dicke wie die oberen Source- und Drainelektroden 263 und 268 zu haben. In diesem Fall können die Kontaktfleckelektrode 720 und die Source- und Drain-Elektroden 260 und 265 gleichzeitig durch den gleichen Prozess gebildet werden
  • Wie oben beschrieben, kann in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, da die Pufferschicht 520 durch den Tintenstrahlprozess auf der ersten lichtmittierenden Schicht 510 ausgebildet ist, die Pufferschicht 520 nur auf der ersten lichtemittierenden Schicht 510 vorgesehen sein, und somit kann die Pufferschicht 520 aus einem organischen Material gebildet sein oder ein organisches Material umfassen, wodurch die Leistung der Vorrichtung des blauen Pixels verbessert wird.
  • Darüber hinaus wird bei der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, da die Pufferschicht 520 durch den Tintenstrahlprozess auf der ersten lichtemittierenden Schicht 510 gebildet wird, ein Problem auf der Grenzfläche zwischen der ersten lichtemittierenden Schicht 510, die durch den Tintenstrahlprozess gebildet ist, und der zweiten lichtemittierenden Schicht 530, die durch den Abscheidungsprozess gebildet wird, reduziert, wodurch verhindert wird, dass Wirkungsgrad und Lebensdauer der organischen lichtemittierenden Vorrichtung verringert werden.
  • 6 bis 9 sind Diagramme, die eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik mit einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergleichen.
  • In der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik umfasst eine organische lichtemittierende Vorrichtung eine erste Elektrode, eine erste lichtemittierenden Schicht, eine zweite lichtemittierenden Schicht und eine zweite Elektrode ohne eine Pufferschicht. Andererseits beinhaltet in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wie sie oben unter Bezugnahme auf die Figen 4 und 5. beschrieben ist, eine organische lichtemittierende Vorrichtung eine erste Elektrode, eine erste lichtemittierende Schicht, eine Pufferschicht, eine zweite lichtemittierende Schicht und eine zweite Elektrode.
  • 6 ist eine Grafik, die eine Ansteuerspannung der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik mit einer Ansteuerspannung der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergleicht.
  • Mit Bezug auf 6, in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik, wenn eine Stromdichte von 0 mA/cm2 bis 50 mA/cm 2 ist, liegt die Ansteuerspannung in einem Bereich von etwa 3 V bis 7 V. Wenn in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Stromdichte 0 mA/cm2 bis 50 mA/cm2 beträgt, liegt die Ansteuerspannung in einem Bereich von etwa 3 V bis 7,2 V. Im Vergleich mit Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des verwandten Stands der Technik umfasst die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weiterhin die Pufferschicht 520, aber es besteht kaum ein Unterschied zwischen den Ansteuerspannungen.
  • 7 ist eine Grafik, die einen Stromwirkungsgrad der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik mit einem Stromwirkungsgrad der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergleicht.
  • Bezugnehmend auf 7, wenn in die Leuchtdichte des Panels 0 Cd/m2 bis 2.000 Cd/m2 beträgt, ist der Stromwirkungsgrad der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weit höher als der Stromwirkungsgrad der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik.
  • 8 ist ein Diagramm, das die Lebensdauer der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik mit der Lebensdauer der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergleicht.
  • Unter Bezugnahme auf 8, in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung des Standes der Technik wird die Lumineszenz mit der Zeit von etwa 101% auf etwa 83% reduziert. In der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird die Lumineszenz selbst dann, wenn die gleiche Zeit wie Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach der verwandten Technik abläuft, von etwa 101% auf etwa 86% reduziert. Wie oben beschrieben, ist eine Lebensdauer der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung länger als eine Lebensdauer der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik.
  • 9 ist ein Diagramm, das eine normalisierte Lichtintensität einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik mit einer normalisierten Lichtintensität einer Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in Bezug auf eine Wellenlänge vergleicht.
  • Mit Bezug auf 9, im Vergleich zu der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik umfasst die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weiterhin die Pufferschicht 520, jedoch ist eine normalisierte Lichtintensität der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einer normalisierten Lichtintensität der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung der verwandten Technik in Bezug auf eine Wellenlänge fast ähnlich.
  • Wie oben beschrieben, kann in der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, da die Pufferschicht auf der ersten Lichtemissionsschicht durch den Tintenstrahlprozess ausgebildet ist, die Pufferschicht nur auf der ersten lichtemittierenden Schicht vorgesehen sein, und somit kann die Pufferschicht aus einem organischen Material gebildet sein oder ein organisches Material umfassen, wodurch die Leistung der Vorrichtung des blauen Pixels verbessert wird.
  • Darüber hinaus, da bei der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die Pufferschicht auf der ersten lichtemittierenden Schicht durch den Tintenstrahlprozess gebildet ist, wird ein Problem an der Grenzfläche zwischen der ersten lichtemittierenden Schicht, die durch den Tintenstrahlprozess gebildet wird und der zweiten lichtemittierenden Schicht, die durch den Abscheidungsprozess gebildet ist, reduziert, wodurch verhindert wird, dass Wirkungsgrad und Lebensdauer der organischen lichtemittierenden Vorrichtung verringert werden.
  • Für den Fachmann ist es ersichtlich, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der Offenbarungen abzuweichen. Es ist daher beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung die Modifikationen und Variationen dieser Offenbarung abdeckt, vorausgesetzt, dass sie in den Umfang der beigefügten Ansprüche fallen. Die folgende Liste enthält Aspekte der Offenbarung und bildet einen Teil der Beschreibung. Diese Aspekte können in jeder kompatiblen Kombination über die ausdrücklich genannte hinaus kombiniert werden. Die Aspekte können auch mit beliebigen hierin beschriebenen kompatiblen Merkmalen kombiniert werden:
    • Aspekt 1. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, umfassend:
      • ein Substrat mit einem aktiven Bereich, in dem eine Vielzahl von Pixeln vorgesehen ist;
      • eine Schaltungselementschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist;
      • eine erste Elektrode, die auf der Schaltungselementschicht angeordnet ist;
      • eine Hilfselektrode, die auf der Schaltungselementschicht angeordnet ist und von der ersten Elektrode beabstandet ist;
      • eine erste lichtemittierende Schicht, die auf der ersten Elektrode angeordnet ist
      • eine Pufferschicht, die auf der ersten lichtemittierenden Schicht angeordnet ist;
      • eine zweite lichtemittierende Schicht, die auf der Pufferschicht und der Hilfselektrode angeordnet ist; und eine zweite Elektrode, die auf der zweiten lichtemittierenden Schicht angeordnet ist.
    • Aspekt 2. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Aspekt 1, wobei die Pufferschicht ein nichtleitendes Material umfasst.
    • Aspekt 3. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Aspekt 1 oder 2, wobei die erste lichtemittierende Schicht eine blaue lichtemittierende Materialschicht umfasst und die Pufferschicht auf der blauen lichtemittierenden Materialschicht angeordnet ist.
    • Aspekt 4. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Aspekt 3, wobei die Pufferschicht ein T1-Spannungsniveau aufweist, das höher als ein T1-Spannungsniveau der blauen lichtemittierenden Materialschicht ist, und einen höchsten besetzten Molekülorbital (HOMO) Niveauwert niedriger als ein HOMO-Niveauwert der blauen lichtemittierenden Materialschicht. Der Begriff „T1-Spannungsniveau“ kann das Energieniveau oder das Spannungsniveau des niedrigsten angeregten Triplett-Zustands in der jeweiligen Schicht bezeichnen.
    • Aspekt 5. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Aspekte 1 bis 4, wobei die Pufferschicht ein Polymer, ein Oligomer oder ein Monomer mit einem Molekulargewicht von 800 oder mehr umfasst.
    • Aspekt 6. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der Aspekte 1 bis 5, wobei die Pufferschicht ein Material umfasst, das eine Alkylgruppe enthält.
    • Aspekt 7. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Aspekte 1 bis 6, wobei die Pufferschicht ein Material umfasst, das Carbazol umfasst, oder ein Material, das Fluoren oder Acridin umfasst.
    • Aspekt 8. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der Aspekte 1 bis 7, wobei die Pufferschicht ein oder mehrere Materialien umfasst, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die ein Material auf Arylaminbasis, ein Material auf Basis eines Starburst aromatischen Amins und ein Material vom Spiro-Typ umfasst.
    • Aspekt 9. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Aspekte 1 bis 8, wobei die Pufferschicht durch einen Tintenstrahlprozess gebildet ist.
    • Aspekt 10. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Aspekte 1 bis 9, wobei die erste lichtemittierende Schicht durch einen Tintenstrahlprozess gebildet ist und die zweite lichtemittierende Schicht durch einen Abscheidungsprozess gebildet ist.
    • Aspekt 11. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Aspekte 1 bis 10, wobei die erste lichtemittierende Schicht eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht und eine lichtemittierende Materialschicht umfasst, und die zweite lichtemittierende Schicht eine Elektroneninjektionsschicht umfasst.
    • Aspekt 12. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Aspekte 1 bis 11, wobei die zweite lichtemittierende Schicht ein leitfähiges Material umfasst und elektrisch mit der Hilfselektrode und der zweiten Elektrode verbunden ist.
    • Aspekt 13. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Aspekte 1 bis 12, wobei das Substrat ferner einen Blindbereich umfasst, der an der Peripherie des aktiven Bereichs vorgesehen ist
    • Aspekt 14. Verfahren zur Herstellung der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Aspekte 1 bis 13, wobei die Pufferschicht durch einen Tintenstrahlprozess gebildet wird.
    • Aspekt 15. Verfahren zur Herstellung der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die erste lichtemittierende Schicht durch einen Tintenstrahlprozess gebildet wird und die zweite lichtemittierende Schicht durch einen Abscheidungsprozess gebildet wird.
    • Aspekt 16. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, umfassend:
      • ein Substrat beinhaltend einen aktiven Bereich, in dem ein rotes Pixel, ein grünes Pixel und ein blaues Pixel vorgesehen sind;
      • eine erste Elektrode und eine Hilfselektrode, die auf dem Substrat angeordnet und voneinander beabstandet sind;
      • einen Damm, der an einem Rand einer jeder der ersten Elektrode und der Hilfselektrode angeordnet ist, um einen Emissionsbereich in dem aktiven Bereich zu definieren;
      • eine erste lichtemittierende Schicht, die in dem auf der ersten Elektrode vorgesehenen Emissionsbereich angeordnet ist, und eine Pufferschicht, die auf der ersten lichtemittierenden Schicht angeordnet ist;
      • eine zweite lichtemittierende Schicht, die auf der Pufferschicht und der Hilfselektrode angeordnet ist; und
      • eine zweite Elektrode, die auf der zweiten lichtemittierenden Schicht angeordnet ist,
      • wobei die Pufferschicht in dem blauen Pixel angeordnet ist.
    • Aspekt 17. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Aspekt 16, wobei die Pufferschicht ein nichtleitendes Material umfasst.
    • Aspekt 18. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Aspekt 16 oder 17, wobei die erste lichtemittierenden Schicht eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht und eine lichtemittierende Materialschicht umfasst, die zweite lichtemittierende Schicht eine Elektroneninjektionsschicht umfasst, und die erste lichtemittierende Schicht und die Pufferschicht durch einen Tintenstrahlprozess gebildet sind, und die zweite lichtemittierende Schicht wird durch einen Abscheidungsprozess gebildet ist.
    • Aspekt 19. Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Aspekte 16 bis 18, wobei das Substrat weiterhin einen Blindbereich umfasst, der an der Peripherie des aktiven Bereichs vorgesehen ist.

Claims (19)

  1. Eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, umfassend: ein Substrat (100) das einen aktiven Bereich (AA) beinhaltet, wo eine Vielzahl von Pixeln (P) vorgesehen ist; eine Schaltungselementschicht (200), die auf dem Substrat (100) angeordnet ist; eine erste Elektrode (310), die auf der Schaltungselementschicht (200) angeordnet ist; eine Hilfselektrode (320), die auf der Schaltungselementschicht (200) angeordnet ist und von der ersten Elektrode (310) beabstandet ist; eine erste lichtemittierende Schicht (510), die auf der ersten Elektrode (310) angeordnet ist; eine Pufferschicht (520), die auf der ersten lichtemittierenden Schicht (510) angeordnet ist; eine zweite lichtemittierenden Schicht (530), die auf der Pufferschicht (520) und der Hilfselektrode (320) angeordnet ist; und eine zweite Elektrode (600), die auf der zweiten lichtemittierenden Schicht (530) angeordnet ist.
  2. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, worin die Pufferschicht (520) ein organisches Material aufweist.
  3. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, worin die erste lichtemittierende Schicht (510) eine blaue lichtemittierende Materialschicht umfasst und die Pufferschicht (520) auf der blauen lichtemittierenden Materialschicht angeordnet ist.
  4. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, worin die Pufferschicht (520) ein T1-Spannungsniveau hat höher als ein T1-Spannungsniveau der blauen lichtemittierenden Materialschicht und einen höchsten besetzten Molekülorbitalniveauwert aufweist niedriger als ein höchster besetzter Molekülorbitalniveauwert der blauen lichtemittierenden Materialschicht, wobei der Begriff „T1-Spannungsniveau“ das Energieniveau oder Spannungsniveau des niedrigsten angeregten Triplett-Zustands in der jeweiligen Schicht bezeichnet.
  5. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Pufferschicht (520) ein Polymer, ein Oligomer oder ein Monomer mit einem Molekulargewicht von 800 oder mehr aufweist.
  6. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, worin die Pufferschicht (520) ein Material umfasst, das eine Alkylgruppe beinhaltet.
  7. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, worin die Pufferschicht (520) ein Material umfasst, das Carbazol beinhaltet oder ein Material, das Fluoren oder Acridin beinhaltet.
  8. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, worin die Pufferschicht (520) ein oder mehrere Materialien umfasst, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die ein Material auf Arylaminbasis, ein auf Starburst basierendes aromatisches Aminmaterial und ein Material vom Spiro-Typ beinhaltet.
  9. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, worin die Pufferschicht (520) durch einen Tintenstrahlprozess gebildet ist.
  10. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die erste lichtemittierende Schicht (510) durch einen Tintenstrahlprozess gebildet ist, und die zweite lichtemittierende Schicht (530) durch einen Abscheidungsprozess gebildet ist.
  11. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, worin die erste Lichtemissionsschicht (510) eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine Lochtransportschicht (HTL) und eine lichtemittierende Materialschicht (EML) umfasst, und die zweite lichtemittierende Schicht (530) eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) umfasst.
  12. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, worin die zweite lichtemittierende Schicht (530) ein leitfähiges Material umfasst und elektrisch mit der Hilfselektrode (320) und der zweiten Elektrode (600) verbunden ist.
  13. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, worin das Substrat (100) ferner einen Blindbereich (DA) aufweist, der an der Peripherie des aktiven Bereichs (AA) vorgesehen ist.
  14. Ein Verfahren zur Herstellung der Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, worin die Pufferschicht (520) durch einen Tintenstrahlprozess gebildet wird.
  15. Ein Verfahren zur Herstellung der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, worin die erste lichtemittierende Schicht (510) durch einen Tintenstrahlprozess gebildet wird und die zweite lichtemittierende Schicht (530) durch einen Abscheidungsprozess gebildet wird.
  16. Eine Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, umfassend: ein Substrat (100) beinhaltend einen aktiven Bereich (AA), wo ein rotes Pixel, ein grünes Pixel und ein blaues Pixel vorgesehen sind; eine erste Elektrode (310) und eine Hilfselektrode (320), die auf dem Substrat (100) angeordnet und voneinander beabstandet sind; einen Damm (400), der an einem Rand von jeder der ersten Elektrode (310) und der Hilfselektrode (320) angeordnet ist, um einen Emissionsbereich in dem aktiven Bereich (AA) zu definieren; eine erste lichtemittierende Schicht (510), die in dem auf der ersten Elektrode (310) vorgesehenen Emissionsbereich angeordnet ist, und eine Pufferschicht (520), die auf der ersten lichtemittierenden Schicht (510) angeordnet ist; eine zweite lichtemittierende Schicht (530), die auf der Pufferschicht (520) und der Hilfselektrode (320) angeordnet ist; und eine zweite Elektrode (600), die auf der zweiten lichtemittierenden Schicht (530) angeordnet ist, wobei die Pufferschicht (520) in dem blauen Pixel angeordnet ist.
  17. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 16, worin die Pufferschicht (520) ein organisches Material umfasst.
  18. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach Anspruch 16 oder 17, worin die erste lichtemittierende Schicht (510) eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine Lochtransportschicht (HTL) und eine lichtemittierende Materialschicht (EML) umfasst, die zweite lichtemittierende Schicht (530) eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) umfasst, und die erste lichtemittierende Schicht (510) und die Pufferschicht (520) durch einen Tintenstrahlprozess gebildet sind, und die zweite lichtemittierende Schicht (530) wird durch einen Abscheidungsprozess gebildet ist.
  19. Die Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 18, worin das Substrat (100) weiterhin einen Blindbereich (DA) umfasst, der an der Peripherie des aktiven Bereichs (AA) vorgesehen ist.
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