DE102020209672A1 - Leuchtdioden-anzeigevorrichtung - Google Patents

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Yeon Hong KIM
Jin Yeong Kim
Jin Taek Kim
Soo Hyun Moon
Mi Jin Park
Tae Hoon YANG
Sung-jin Lee
Jin Woo Lee
Kwang Taek Hong
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Abstract

Eine Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung beinhaltet Folgendes: eine organische Leuchtdiode, die eine Anodenelektrode beinhaltet; einen ersten Transistor zum Bereitstellen eines Stroms für die Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode; einen zweiten Transistor zum Übertragen einer Spannung an eine Gate-Elektrode des ersten Transistors; einen ersten Kondensator zum Speichern der an die Gate-Elektrode des ersten Transistors übertragenen Spannung; und einen zweiten Kondensator, der zwischen einer ersten Elektrode des zweiten Transistors und einer Datenleitung angeordnet ist, wobei die erste Elektrode des zweiten Transistors direkt mit der Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode verbunden ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung und insbesondere eine Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung, die Transistoren beinhaltet, die unterschiedliche Halbleiter verwenden.
  • Beschreibung des verwandten Stands der Technik
  • Kürzlich wurde eine Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode als Vorrichtung zum Anzeigen eines Bildes verwendet.
  • Da die Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode keine zusätzliche Lichtquelle benötigt, da sie ein Eigenemissionsmerkmal aufweist, ist es möglich, ihre Dicke und ihr Gewicht zu reduzieren. Darüber hinaus weist die Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode qualitativ hochwertige Merkmale, wie zum Beispiel geringen Leistungsverbrauch, hohe Luminanz und hohe Reaktionsgeschwindigkeit, auf.
  • Im Allgemeinen umfasst die Anzeigevorrichtung mit organischen Leuchtdioden ein Substrat, eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren, die auf dem Substrat angeordnet ist, eine Vielzahl von Isolierfilmen, die zwischen Drähten zum Konfigurieren der Dünnfilmtransistoren angeordnet ist, und eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED), die mit den Dünnfilmtransistoren verbunden ist. Die OLED kann eine emittierende Elektrolumineszenzschicht beinhalten, die als Reaktion auf einen elektrischen Strom, der von der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren bereitgestellt wird, Licht emittiert. Da jedoch die Vielzahl von Dünnfilmtransistoren verwendet wird, um eine OLED zum Emittieren von Licht zu betreiben, gibt es eine Grenze für die Reduzierung einer von einem Pixel eingenommenen Fläche.
  • KURZDARSTELLUNG
  • Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung stellt eine Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung bereit, die Folgendes beinhaltet: eine organische Leuchtdiode, die eine Anodenelektrode beinhaltet; einen ersten Transistor zum Bereitstellen eines Stroms für die Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode; einen zweiten Transistor zum Übertragen einer Spannung an eine Gate-Elektrode des ersten Transistors; einen ersten Kondensator zum Speichern der an die Gate-Elektrode des ersten Transistors übertragenen Spannung; und einen zweiten Kondensator, der zwischen einer ersten Elektrode des zweiten Transistors und einer Datenleitung angeordnet ist, wobei die erste Elektrode des zweiten Transistors direkt mit der Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode verbunden ist.
  • Der zweite Kondensator kann eine erste Elektrode, die mit der ersten Elektrode des zweiten Transistors verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit der Datenleitung verbunden ist, beinhalten und die erste Elektrode des zweiten Kondensators kann mit der Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode verbunden sein.
  • Der erste Kondensator kann eine erste Elektrode, die mit der Gate-Elektrode des ersten Transistors verbunden ist, und eine zweite Elektrode zum Empfangen einer vorbestimmten Spannung beinhalten.
  • Die vorbestimmte Spannung, die an der zweiten Elektrode des Speicherkondensators empfangen wird, kann eine Initialisierungsspannung sein.
  • Der erste Transistor kann ferner eine erste Elektrode zum Empfangen einer Antriebsspannung und eine zweite Elektrode beinhalten, die mit der Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode verbunden ist.
  • Die zweite Elektrode des ersten Transistors kann mit der Anodenelektrode, der ersten Elektrode des zweiten Kondensators und der ersten Elektrode des zweiten Transistors verbunden sein.
  • Die organische Leuchtdiode kann ferner eine Kathodenelektrode zum Empfangen einer Antriebsniederspannung beinhalten und die Antriebsspannung und die Antriebsniederspannung können in einer lichtemittierenden Periode eine hohe Spannung bzw. eine niedrige Spannung aufweisen.
  • Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung stellt eine Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung bereit, die Folgendes beinhaltet: ein Substrat; eine polykristalline Halbleiterschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; einen ersten Gate-Isolierfilm, der die polykristalline Halbleiterschicht bedeckt; eine erste Gate-Elektrode, die auf dem ersten Gate-Isolierfilm angeordnet ist und einen Abschnitt der polykristallinen Halbleiterschicht überlagert; einen ersten Zwischenschicht-Isolierfilm, der die erste Gate-Elektrode bedeckt; eine Oxidhalbleiterschicht, die auf dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm angeordnet ist; einen zweiten Gate-Isolierfilm, der mindestens einen Abschnitt der Oxidhalbleiterschicht bedeckt; eine zweite Gate-Elektrode, die auf dem zweiten Gate-Isolierfilm angeordnet ist; einen dritten Zwischenschicht-Isolierfilm, der die zweite Gate-Elektrode bedeckt; eine Elektrode eines ersten Kondensators, die auf dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm angeordnet ist; einen vierten Zwischenschicht-Isolierfilm, der die Elektrode des ersten Kondensators bedeckt; eine erste und zweite Elektrode für einen ersten Transistor, die auf dem vierten Zwischenschicht-Isolierfilm angeordnet und elektrisch mit einer ersten bzw. zweiten Region der polykristallinen Halbleiterschicht verbunden sind; eine erste und zweite Elektrode für einen zweiten Transistor, die auf dem vierten Zwischenschicht-Isolierfilm angeordnet und elektrisch mit einer ersten bzw. zweiten Region der Oxidhalbleiterschicht verbunden sind; einen Passivierungsfilm, der die erste und zweite Elektrode für den ersten Transistor und die erste und zweite Elektrode für den zweiten Transistor bedeckt und eine erste Öffnung aufweist, welche die zweite Elektrode für den ersten Transistor freilegt; eine Anodenelektrode, die durch die erste Öffnung mit der zweiten Elektrode für den ersten Transistor verbunden ist; und eine Trennwand, die eine zweite Öffnung beinhaltet, die einen Abschnitt der Anodenelektrode freilegt, wobei die erste Öffnung und die zweite Öffnung einander überlagern.
  • Die erste Öffnung kann in der zweiten Öffnung angeordnet sein.
    Die Elektrode für den ersten Kondensator und die zweite Elektrode für den ersten Transistor können einander überlagern, um den ersten Kondensator auszubilden.
  • Die Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung kann ferner Folgendes beinhalten: eine Elektrode für einen zweiten Kondensator, welche die erste Gate-Elektrode überlagert, wobei die erste Gate-Elektrode und die Elektrode für den zweiten Kondensator den zweiten Kondensator ausbilden.
  • Die zweite Elektrode für den zweiten Transistor kann elektrisch mit der zweiten Elektrode des ersten Transistors verbunden sein und die erste Elektrode für den zweiten Transistor kann elektrisch mit der zweiten Elektrode des zweiten Kondensators verbunden sein.
  • Der erste Kondensator und der zweiten Kondensator können einander überlagern.
  • Die Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung kann ferner Folgendes beinhalten: einen zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm, der die Elektrode für den zweiten Kondensator bedeckt, wobei die Elektrode für den zweiten Kondensator auf dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm angeordnet ist.
  • Die Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung kann ferner Folgendes beinhalten: eine Überlagerungsschicht für den zweiten Transistor, welche die Oxidhalbleiterschicht überlagert, wobei die Überlagerungsschicht für den zweiten Transistor auf dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm angeordnet und durch den zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm bedeckt sein kann.
  • Eine Elektrode für den zweiten Kondensator kann auf dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm angeordnet sein.
  • Die Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung kann ferner Folgendes beinhalten: eine Überlagerungsschicht, die zwischen dem Substrat und der polykristallinen Halbleiterschicht angeordnet ist.
  • Die Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung kann ferner Folgendes beinhalten: eine organische lichtemittierende Schicht, die in der zweiten Öffnung der Trennwand angeordnet ist, eine Kathodenelektrode, welche die organische lichtemittierende Schicht und die Trennwand bedeckt, und eine Verkapselungsschicht, welche die Kathodenelektrode bedeckt.
    Der zweite Transistor kann die polykristalline Halbleiterschicht des ersten Transistors überlagern.
  • Eine obere Fläche des dritten Zwischenschicht-Isolierfilms kann eben sein.
    Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung stellt eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung bereit, die Folgendes beinhaltet: ein lichtemittierendes Element, das einen Eingangsanschluss beinhaltet; einen ersten Transistor zum Bereitstellen eines Stroms für den Eingangsanschluss des lichtemittierenden Elements; einen ersten Kondensator zum Speichern einer Spannung; einen zweiten Transistor zum Verbinden des ersten Kondensators mit dem ersten Transistor, sodass die in dem ersten Kondensator gespeicherte Spannung dem ersten Transistor bereitgestellt wird; und einen zweiten Kondensator, der zwischen einer ersten Elektrode des zweiten Transistors und einer Datenleitung angeordnet ist und direkt mit der ersten Elektrode des zweiten Transistors und dem Eingangsanschluss des lichtemittierenden Elements verbunden ist.
  • Eine erste Elektrode des ersten Transistors kann mit einer Antriebsspannungsleitung verbunden sein und der zweite Kondensator kann direkt mit einem zweiten Anschluss des ersten Transistors verbunden sein.
  • Der erste Transistor kann eine polykristalline Halbleiterschicht beinhalten und der zweite Transistor kann eine Oxidhalbleiterschicht beinhalten.
  • Figurenliste
    • 1 veranschaulicht ein Ersatzschaltbild eines Pixels einer Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
    • 2 veranschaulicht ein Wellenformdiagramm eines Signals, das auf das Pixel aus 1 angewendet wird.
    • 3 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines Pixels einer Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
    • 4 zeigt eine Tabelle, die sequentiell alle Schichten der Anzeige mit einer organischen Leuchtdiode gemäß dem Ausführungsbeispiel aus 3 veranschaulicht.
    • 5 veranschaulicht eine Draufsicht auf eine Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
    • 6 veranschaulicht eine Draufsicht auf eine Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem Vergleichsbeispiel.
    • 7, 8, 9, 10 und 11 veranschaulichen jeweils eine Querschnittsansicht eines Pixels einer Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
    • 12 veranschaulicht ein Ersatzschaltbild eines Pixels einer Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
    • 13 veranschaulicht ein Wellenformdiagramm eines Signals, das auf das Pixel aus 12 angewendet wird.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher beschrieben. Wie der Fachmann verstehen würde, können die beschriebenen Ausführungsformen verschiedenartig modifiziert werden und sollten daher nicht auf die hierin dargelegten Ausführungsformen beschränkt werden.
  • Gleiche Bezugszeichen können über die gesamte Beschreibung hinweg gleiche Elemente kennzeichnen.
  • In den Zeichnungen kann die Dicken von Schichten, Filmen, Platten, Regionen usw. der Übersichtlichkeit halber übertrieben sein.
  • Es versteht sich, dass, wenn ein Element, wie zum Beispiel eine Schicht, ein Film, eine Region oder ein Substrat als „auf“ einem anderen Element bezeichnet wird, es sich direkt auf dem anderen Element befinden kann oder auch dazwischenliegende Elemente vorhanden sein können.
  • Ferner kann über die gesamte Beschreibung hinweg der Ausdruck „in einer Draufsicht“ bedeuten, dass ein Zielbereich von oben betrachtet wird, und kann der Ausdruck „in einem Querschnitt“ bedeuten, dass ein Querschnitt betrachtet wird, der durch vertikales Durchschneiden eines Zielbereichs von der Seite ausgebildet wird.
  • Eine Schaltstruktur eines Pixels gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf 1 beschrieben.
  • 1 veranschaulicht ein Ersatzschaltbild eines Pixels einer Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Ein Pixel der Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet einen ersten und einen zweiten Transistor T1 und T2, einen Speicherkondensator Cst, einen Eingangskondensator Cpr und eine organische Leuchtdiode OLED.
  • Der erste Transistor T1 (nachfolgend auch als Antriebstransistor bezeichnet) empfängt eine Antriebsspannung ELVDD (nachfolgend auch als eine erste Antriebsspannung bezeichnet) und überträgt einen Ausgangsstrom an die organische Leuchtdiode OLED entsprechend einer Spannung an einer Gate-Elektrode davon. Die Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 ist mit einer ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst verbunden und ein Ausgangsstrom des Antriebstransistors T1 wird gemäß einer in der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst gespeicherten Spannung bestimmt. Die Antriebsspannung ELVDD wird an eine erste Elektrode des Antriebstransistors T1 angelegt und eine Anode der organischen Leuchtdiode OLED ist mit einer zweiten Elektrode des Antriebstransistors T1 verbunden. Die zweite Elektrode des Antriebstransistors T1 kann ebenfalls mit einer ersten Elektrode des Eingangskondensators Cpr und einer ersten Elektrode des zweiten Transistors T2 verbunden sein. Die erste Elektrode des zweiten Transistors T2 kann nachfolgend auch als eingangsseitige Elektrode bezeichnet werden. Der Antriebstransistor T1 kann ein p-Typ-Transistor sein und gibt einen Ausgangsstrom aus, wenn an seine Gate-Elektrode eine niedrige Spannung angelegt wird.
  • Der zweite Transistor T2 (nachfolgend auch als Schalttransistor bezeichnet) verbindet die erste Elektrode des Speicherkondensators Cst und die erste Elektrode des Eingangskondensators Cpr und überträgt eine Spannung der ersten Elektrode des Eingangskondensators Cpr an die erste Elektrode des Speicherkondensators Cst. Eine Gate-Elektrode des zweiten Transistors T2 ist mit einer Gate-Leitung verbunden, an die ein Abtastsignal GW[n] angelegt wird, die erste Elektrode (z. B. die eingangsseitige Elektrode) des zweiten Transistors T2 ist mit der ersten Elektrode des Eingangskondensators Cpr verbunden und eine zweite Elektrode des zweiten Transistors T2 ist mit der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst verbunden. Die zweite Elektrode des zweiten Transistors T2 kann nachfolgend auch als ausgangsseitige Elektrode bezeichnet werden. Die erste Elektrode des zweiten Transistors T2 kann zusätzlich zu der ersten Elektrode des Eingangskondensators Cpr mit der zweiten Elektrode des Antriebstransistors T1 und der Anode der organischen Leuchtdiode OLED verbunden sein. Ferner ist die zweite Elektrode des zweiten Transistors T2 zusätzlich zu der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst mit der Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 verbunden. Hier kann der zweite Transistor T2 ein p-Typ-Transistor sein und wird der eingeschaltet, wenn eine niedrige Spannung an seine Gate-Elektrode angelegt wird. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann der zweite Transistor T2 ein n-Typ-Transistor sein, der unter Bezugnahme auf 12 und 13 beschrieben wird.
  • Der Speicherkondensator Cst besteht aus zwei Speicherkondensator-Elektroden (z. B. der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode) und einem dazwischen angeordneten Isolierfilm. Der Speicherkondensator Cst speichert und bewahrt die an die Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 durch den zweiten Transistor T2 übertragene Spannung. Die erste Elektrode des Speicherkondensators Cst ist mit der Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 und der zweiten Elektrode (z. B. einer ausgangsseitigen Elektrode) des zweiten Transistors T2 verbunden. An die zweite Elektrode des Speicherkondensators Cst wird eine Initialisierungsspannung VINIT angelegt.
  • Eine Datenleitung und ein Pixel, an die eine Datenspannung (DATA) angelegt wird, sind durch den Eingangskondensator Cpr verbunden. Der Eingangskondensator Cpr besteht aus zwei Eingangskondensator-Elektroden (z. B. der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode davon) und einem dazwischen angeordneten Isolierfilm. Die erste Elektrode des Eingangskondensators Cpr ist mit der ersten Elektrode (z. B. einer Eingangselektrode) des zweiten Transistors T2 verbunden, während die zweite Elektrode des Eingangskondensators Cpr mit der Datenleitung verbunden ist. Die erste Elektrode des Eingangskondensators Cpr kann auch mit der zweiten Elektrode des Antriebstransistors T1 und der Anode der organischen Leuchtdiode OLED verbunden sein. Wenn die Datenspannung, die an die zweite Elektrode des Eingangskondensators Cpr angelegt wird, geändert wird, wird der Spannungswert der ersten Elektrode, die sich auf einer gegenüberliegenden Seite davon befindet, ebenfalls geändert und der geänderte Spannungswert der ersten Elektrode wird über den zweiten Transistor T2 an die Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 und die erste Elektrode des Speicherkondensators Cst angelegt. Anders ausgedrückt, sind das Pixel und die Datenleitung nicht direkt verbunden, sondern sind durch den Eingangskondensator Cpr verbunden. In einer solchen Struktur kann es einen geringen Unterschied zwischen der an die Datenleitung angelegten Datenspannung und der tatsächlich an das Pixel (z. B. die erste Elektrode (Eingangselektrode) des zweiten Transistors T2) übertragenen Spannung geben. Aufgrund dieser Struktur tritt die in der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst gespeicherte Spannung auch dann nicht über die Datenleitung aus, wenn ein Leck am zweiten Transistor T2 auftritt.
  • Die organische Leuchtdiode OLED umfasst eine Anodenelektrode, eine Kathodenelektrode und eine dazwischen angeordnete organische lichtemittierende Schicht. Die Anodenelektrode ist mit der zweiten Elektrode des Antriebstransistors T1 verbunden und die Kathodenelektrode empfängt eine Antriebsniederspannung ELVSS (nachfolgend auch als eine zweite Antriebsspannung bezeichnet). Die Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode OLED kann auch mit der ersten Elektrode des Eingangskondensators Cpr und der ersten Elektrode des zweiten Transistors T2 verbunden sein.
  • Ein Signal, das an das Pixel der vorstehend beschriebenen Struktur aus 1 angelegt wird, wird nun unter Bezugnahme auf 2 beschrieben.
  • 2 veranschaulicht ein Wellenformdiagramm eines Signals, das auf das Pixel aus 1 angewendet wird.
  • Wie in 2 gezeigt, kann das an das Pixel angelegte Signal in eine Initialisierungsperiode (Initial), eine Kompensationsperiode (Vth comp), eine Programmierungsperiode (Programming) und eine Emissionsperiode (Emission) unterteilt werden. In 2 sind ferner eine On-bias-Periode (On-bias) und Halteperioden (Hold und Hold 2), die in der Programmierungsperiode enthalten sind, enthalten.
  • Zunächst wird die On-Bias-Periode beschrieben. Die On-Bias-Periode ist eine Periode zum Beenden der Emissionsperiode und in dieser Periode wird ein Signal zum Verhindern, dass die organische Leuchtdiode OLED Licht emittiert, angelegt. Anders ausgedrückt, wird gemäß 2 die Antriebsniederspannung ELVSS auf einen hohen Spannungspegel geändert und wird die Initialisierungsspannung VINIT auf die Niederspannung geändert und dann wird die Initialisierungsspannung VINIT auf den hohen Spannungspegel geändert. Die anderen Spannungen (z. B. die Antriebsspannung ELVDD, das Abtastsignal GW[n] und die Datenspannung (DATA)) variieren in der Lichtemissionsperiode nicht. Anders ausgedrückt, wird die Antriebsspannung ELVDD bei der hohen Spannung gehalten, wird das Abtastsignal GW[n] bei einer Gate-Aus-Spannung (z. B. der hohen Spannung) gehalten und wird die Datenspannung (DATA) wird auf einer konstanten Spannung gehalten, die einer Massespannung oder einer Referenzspannung entspricht.
  • In der On-Bias-Periode wird die Antriebsniederspannung ELVSS so verändert, dass sie einen hohen Spannungspegel aufweist, wodurch eine Spannungsbeziehung zwischen der Antriebsspannung ELVDD und der Antriebsniederspannung ELVSS umgekehrt wird. Zum Beispiel wird die Antriebsspannung ELVDD höher eingestellt als die Antriebsniederspannung ELVSS, sodass ein Strom in die organische Leuchtdiode OLED fließt; wenn die Spannungsbeziehung jedoch umgekehrt wird, fließt der Strom nicht durch die organische Leuchtdiode OLED, sodass die Lichtemissionsperiode beendet werden kann. Anders ausgedrückt, wenn die Anodenelektrode eine hohe Spannung aufweist und die Kathodenelektrode eine niedrige Spannung aufweist, wird ein Strom von der Anodenelektrode zur Kathodenelektrode angelegt und somit emittiert die organische Leuchtdiode OLED Licht gemäß der Höhe des Stroms. Die organische Leuchtdiode OLED darf jedoch kein Licht emittieren, wenn die Spannung in eine entgegengesetzte Richtung geändert wird, anders ausgedrückt, wenn die Kathodenelektrode eine hohe Spannung aufweist. Daher wird in der On-Bias-Periode eine hohe Spannung als die Antriebsniederspannung ELVSS angelegt, sodass die Lichtemissionsperiode der organischen Leuchtdiode OLED beendet wird.
  • Dann schließt sich die Initialisierungsperiode an. In der Initialisierungsperiode wird die Antriebsspannung ELVDD auf einen niedrigen Spannungspegel geändert und wird das Abtastsignal GW[n] auf eine niedrige Spannung geändert, bei der es sich um eine Gate-Ein-Spannung handelt. Darüber hinaus kann die Initialisierungsspannung VINIT wie in der On-Bias-Periode auf eine niedrige Spannung geändert werden und kann dann wieder auf einen hohen Spannungspegel geändert werden. In diesem Fall wird die Antriebsniederspannung ELVSS auf einem hohen Spannungspegel gehalten und die Datenspannungsdaten werden auf einer konstanten Spannung (z. B. einer Massespannung oder einer Referenzspannung) gehalten.
  • In der Initialisierungsperiode wird eine Gate-Ein-Spannung an das Abtastsignal GW[n] angelegt, sodass der zweite Transistor T2 eingeschaltet wird, um die Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 elektrisch mit der zweiten Elektrode des Antriebstransistors T1 zu verbinden. In diesem Fall kann der eingeschaltete zweite Transistor T2 als ein Widerstand dienen, sodass sich die Spannungen an der Gate-Elektrode und an der zweiten Elektrode des Antriebstransistors T1 voneinander unterscheiden können. Anders ausgedrückt, können sich die Spannungen der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst und der ersten Elektrode des Eingangskondensators Cpr voneinander unterscheiden. Da in diesem Fall die Antriebsspannung ELVDD und die Initialisierungsspannung VINIT auf eine niedrige Spannung geändert werden, wird auch die Spannung der Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 (z. B. die Spannung an der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst) auf eine niedrige Spannung geändert. Daher kann die Spannung an der ersten Elektrode des Antriebstransistors T1 eine niedrigere Spannung als die Spannung an der zweiten Elektrode des Antriebstransistors T1 (z. B. die Spannung an der ersten Elektrode des Eingangskondensators Cpr) aufweisen. Danach wird die Initialisierungsspannung VINIT wieder auf die hohe Spannung geändert und die Initialisierungsperiode endet.
  • Daran schließt sich die Kompensationsperiode an und in diesem Fall wird die Antriebsspannung ELVDD auf eine hohe Spannung geändert und werden andere Spannungen gehalten. Anders ausgedrückt, wird die Gate-Ein-Spannung (niedrige Spannung) an dem Abtastsignal GW[n] gehalten, wird die Initialisierungsspannung VINIT auf einer hohen Spannung gehalten, wird die Antriebsniederspannung ELVSS auf einem hohen Spannungspegel gehalten und werden die Datenspannungsdaten auf einer konstanten Spannung (z. B. einer Massespannung oder einer Referenzspannung) gehalten.
  • In der Kompensationsperiode gibt der Antriebstransistor T1 in Abhängigkeit von einer Differenz zwischen der Spannung der Gate-Elektrode (z. B. der Spannung an der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst) des Antriebstransistors T1 und der in der Initialisierungsperiode eingestellten hohen Spannung der Antriebsspannung ELVDD einen Strom an dessen zweite Elektrode aus. Da jedoch die Antriebsniederspannung ELVSS die hohe Spannung aufweist, fließt der Strom nicht zu der organischen Leuchtdiode OLED und wird die Antriebsniederspannung ELVSS durch den eingeschalteten zweiten Transistor T2 an die Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 (und die erste Elektrode des Speicherkondensators Cst) angelegt. Wenn in diesem Fall eine Spannungsdifferenz zwischen der Gate-Elektrode und der zweiten Elektrode des Antriebstransistors T1 eine Schwellenspannung Vth des Antriebstransistors T1 ist, gibt der Antriebstransistor T1 keinen Strom aus. Der Grund dafür ist, dass auf der Seite der zweiten Elektroden in der Halbleiterschicht des Antriebstransistors T1 kein Kanal ausgebildet wird, sodass kein Pfad ausgebildet wird, durch den ein Strom fließen kann. Anders ausgedrückt kann in der Kompensationsperiode der Antriebstransistor T1 anfänglich einen Strom ausgeben, aber nach einer vorbestimmten Zeit, da eine Spannungsdifferenz zwischen der Gate-Elektrode und der zweiten Elektrode des Antriebstransistors T1 der Schwellenspannung Vth des Antriebstransistors T1 entspricht, wird der Strom nicht ausgegeben. Dementsprechend kann in der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst eine Spannung gespeichert werden, die um die Schwellenspannung Vth niedriger ist als die der zweiten Elektrode des Antriebstransistors T1 (oder der ersten Elektrode des Eingangskondensators Cpr).
  • Nachdem der Antriebstransistor T1 den Strom nicht ausgibt, wird die Antriebsspannung ELVDD wieder auf eine niedrige Spannung geändert und wird das Abtastsignal GW[n] auf eine Gate-Aus-Spannung (z. B. eine hohe Spannung) geändert.
  • Dann schließt sich die Programmierungsperiode an. Die Programmierungsperiode ist eine Periode, in welcher die Datenspannung (DATA) in der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst gespeichert wird und das Abtastsignal GW[n] sequentiell an die Gate-Leitung angelegt wird. Darüber hinaus wird eine Datenspannung (DATA), die in ein entsprechendes Pixel geschrieben werden soll, an die Datenleitung angelegt, und zwar entsprechend einem Zeitpunkt, an dem das Abtastsignal GW[n] angelegt wird. Zum Beispiel wird in der Programmierungsperiode das Abtastsignal GW[n] nach einer vorbestimmten Periode (z. B. einer ersten Halteperiode) nach Änderung der Antriebsspannung ELVDD auf eine niedrige Spannung sequentiell an jede Gate-Leitung angelegt. In diesem Fall wird die Initialisierungsspannung VINIT auf einer hohen Spannung gehalten und wird die Antriebsniederspannung ELVSS ebenfalls auf einer hohen Spannung gehalten. Daher wird in der ersten Halteperiode die Antriebsspannung ELVDD auf einer niedrigen Spannung gehalten, wird die Antriebsniederspannung ELVSS auf einer hohen Spannung gehalten und wird die Initialisierungsspannung VINIT auf einer hohen Spannung gehalten.
  • In dieser Situation werden die sequentiellen Abtastsignale GW[n] an die Gate-Leitungen angelegt und somit, während die Gate-Ein-Spannung, bei der es sich um eine niedrige Spannung handelt, sequentiell an die Gate-Leitungen angelegt wird, dürfen sich die Gate-Ein-Spannungen in zwei oder mehr Gate-Leitungen nicht gegenseitig überlagern.
  • Wenn die Gate-Ein-Spannung an eine spezifische Gate-Leitung, z. B. eine erste Gate-Leitung, angelegt wird, wird eine Datenspannung, die an ein Pixel angelegt werden soll, das mit der ersten Gate-Leitung verbunden ist, an die Datenleitung angelegt. Wenn eine Datenspannung (DATA) an der Datenleitung geändert wird, wird auch die Spannung der ersten Elektrode des Eingangskondensators Cpr geändert, und in diesem Fall wird die Spannung beim Einschalten des zweiten Transistors T2 an die erste Elektrode des Speicherkondensators Cst übertragen und gespeichert (z. B. geschrieben). Anders ausgedrückt, verläuft in der Struktur aus 1, da der zweite Transistor T2 eingeschaltet ist, die Spannung der erste Elektrode des Eingangskondensators Cpr, die gemäß der Datenspannung geändert wird, durch den zweiten Transistor T2 und wird dann an die erste Elektrode des Speicherkondensators Cst übertragen und dort gespeichert. Eine Periode, während welcher die Gate-Ein-Spannung (z. B. eine niedrige Spannung) im Abtastsignal GW[n] angelegt wird, wird als 1H bezeichnet und die Gate-Aus-Spannung (z. B. eine hohe Spannung) wird vor und nach 1H angelegt. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die Gate-Ein-Spannung auf eine hohe Spannung geändert werden, und zwar in Abhängigkeit davon, ob der zweite Transistor T2 ein p-Typ- oder n-Typ-Transistor ist. Alle zweiten Transistoren T2, die mit derselben Gate-Leitung verbunden sind, werden gleichzeitig eingeschaltet und nach 1H wird die Gate-Ein-Spannung an eine nächste Gate-Leitung angelegt.
  • Nachdem die Datenspannung im Speicherkondensator Cst gespeichert wurde, folgt eine zweite Halteperiode (Hold 2). Anders ausgedrückt, wird die im Speicherkondensator Cst gespeicherte Spannung bis zur Lichtemissionsperiode gehalten. Obwohl die an die Datenleitung angelegte Datenspannung während der zweiten Halteperiode geändert wird, da der zweite Transistor T2 bereits ausgeschaltet ist, bleibt die Spannung der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst unverändert.
  • Daran schließt sich Lichtemissionsperiode an. In der Lichtemissionsperiode werden die Antriebsspannung ELVDD und die Antriebsniederspannung ELVSS so verändert, dass sie ein Spannungsverhältnis aufweisen, bei dem ein Strom zu der organischen Leuchtdiode OLED fließen kann. Anders ausgedrückt, wird die Antriebsspannung ELVDD auf eine hohe Spannung geändert und wird die Antriebsniederspannung ELVSS auf eine niedrige Spannung geändert. In diesem Fall wird die Initialisierungsspannung VINIT auf einer hohen Spannung gehalten, wird die Gate-Aus-Spannung (z. B. eine hohe Spannung) an der Gate-Leitung gehalten und wird die Datenspannung auf einer konstanten Spannung (z. B. einer Massespannung oder einer Referenzspannung) gehalten.
  • Ein Betrag des vom Antriebstransistor T1 ausgegebenen Stroms wird durch eine Spannungsdifferenz zwischen der hohen Spannung der Antriebsspannung ELVDD und der Spannung der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst bestimmt, anders ausgedrückt einer Spannungsdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1, und der Strom wird an die organische Leuchtdiode OLED übertragen. Da, in diesem Fall, der zweite Transistor T2 ausgeschaltet ist, wird der Ausgangsstrom des Antriebstransistors T1 nur an die organische Leuchtdiode OLED übertragen, und die Luminanz des Lichts, das durch die organische Leuchtdiode OLED emittiert wird, wird entsprechend dem Betrag des Stroms bestimmt.
  • Anders ausgedrückt, wird die Luminanz, die durch die organische Leuchtdiode OLED emittiert wird, entsprechend des Betrags des Stroms bestimmt, der durch die organische Leuchtdiode OLED fließt. Da der Strom, der durch die organische Leuchtdiode OLED fließt, der Ausgangsstrom des Antriebstransistors T1 ist, wird der Ausgangsstrom entsprechend der Spannung der Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 geändert. Daher kann die Luminanz der organischen Leuchtdiode OLED gesteuert werden, indem die Spannung der Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 eingestellt wird. Da die Spannung der Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 von der Datenleitung über den Eingangskondensator Cpr übertragen wird, kann die Luminanz der organischen Leuchtdiode OLED durch das Einstellen der Spannung (z. B. der Datenspannung (DATA)) der Datenleitung gesteuert werden.
  • Die Emissionsperiode kann für alle der Pixel gleichzeitig ablaufen, nachdem die Programmierungsperiode für alle der Pixel abgeschlossen ist. Dementsprechend können alle der Pixel gleichzeitig Licht emittieren. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung können die Pixel in zwei oder mehr Gruppen unterteilt sein und kann jede Gruppe eine Lichtemissionsperiode aufweisen.
  • Ein hoher Spannungswert und ein niedriger Spannungswert der Antriebsspannung ELVDD kann sich von einem hohen Spannungswert und einem niedrigen Spannungswert der Antriebsniederspannung ELVSS unterscheiden. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung sind jedoch eine hohe Spannung und eine niedrige Spannung festgelegt und die Antriebsspannung ELVDD und die Antriebsniederspannung ELVSS können mit diesen Spannungen verwendet werden. Darüber hinaus können ebenfalls hohe und niedrige Spannungen der Initialisierungsspannung VINIT verwendet werden, die mit den hohen und niedrigen Spannungen der Antriebsspannung ELVDD oder der Antriebsniederspannung ELVSS übereinstimmen.
  • In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann ein Vorgang der Lichtemissionsperiode gemäß einem Verfahren zum Einstellen der Initialisierungsspannung VINIT durchgeführt werden. In diesen Ausführungsformen wird, während die Initialisierungsspannung VINIT während der Emissionsperiode geändert wird, die Spannung der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst geändert, um den Antriebstransistor T1 einen Strom fließen zu lassen. Anders ausgedrückt, kann vor der Lichtemissionsperiode, obwohl eine Spannung, die ermöglicht, das kein Strom in dem Antriebstransistor T1 fließt, an die Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 angelegt wird, wenn sich die Initialisierungsspannung VINIT ändert, die Spannung der ersten Elektrode des Speicherkondensators Cst geändert werden, um den Antriebstransistor T1 zu betreiben. In diesen Ausführungsformen kann die Initialisierungsspannung VINIT so verändert werden, dass sie eine niedrigere Spannung als eine Spannung im Verlauf der Lichtemissionsperiode aufweist. Dadurch wird die Spannung der Gate-Elektrode des Antriebstransistors T1 weiter verringert, da der Antriebstransistor T1 ein p-Typ-Transistor ist. In diesem Fall können die Antriebsspannung ELVDD und die Antriebsniederspannung ELVSS jeweils auf der hohen Spannung und der niedrigen Spannung gehalten werden.
  • In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann mindestens eine der in 2 dargestellten Perioden weggelassen werden.
  • Gemäß der Struktur aus 1, in welcher die Datenspannung über den Eingangskondensator Cpr an das Pixel angelegt wird, tritt selbst dann kein Leckstrom nach außen auf, wenn ein Leckstrom im zweiten Transistor T2 auftritt. Anders ausgedrückt, tritt in der Struktur, in welcher die Datenleitung und das Pixel direkt verbunden sind, beim Auftreten des Leckstroms im Pixel ein Leckstrom über die Datenleitung nach außen auf. In diesem Fall beinhaltet das Pixel einen zusätzlichen Kompensationstransistor, um dies zu verhindern. Da das Pixel in der vorliegenden Ausführungsform jedoch eine Struktur aufweist, in welcher das Pixel durch den Eingangskondensator Cpr mit der Datenleitung verbunden ist, kann in diesem Fall auf einen zusätzlichen Transistor verzichtet und damit eine vom Pixel eingenommene Fläche reduziert werden. Dementsprechend kann, wie in 1 gezeigt, ein Pixel auch dann ohne den vorstehend erwähnten Leckstrom arbeiten, selbst wenn nur zwei Transistoren T1 und T2 enthalten sind.
  • Im Gegensatz zu der Ausführungsform aus 1 kann die zweite Elektrode des Antriebstransistors T1 nur mit der Anode der organischen Leuchtdiode OLED verbunden sein und kann nicht mit der ersten Elektrode des Eingangskondensators Cpr und der ersten Elektrode des zweiten Transistors T2 verbunden sein. In diesem Fall kann ferner ein Element, wie zum Beispiel ein zusätzlicher Transistor, der die Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode OLED periodisch initialisieren kann, enthalten sein.
  • Die Pixelschaltung aus 1, wie vorstehend beschrieben, wird nun unter Bezugnahme auf 3 beschrieben, welche eine spezifische gestapelte Struktur veranschaulicht. Die Pixelschaltung aus 1 kann verschiedene gestapelte Strukturen aufweisen und 3 veranschaulicht eine Querschnittsansicht einer gestapelten Struktur davon.
  • 3 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines Pixels einer Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Die Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann ein starres Substrat, wie zum Beispiel Glas, oder ein Substrat beinhalten, das aus einem flexiblen Material, wie zum Beispiel Kunststoff oder Polyimid (PI), ausgebildet ist. 3 veranschaulicht ein Beispiel, in welchem ein Substrat 110 aus einem flexiblen Material ausgebildet ist.
  • Eine Pufferschicht 111 ist auf dem Substrat 110 angeordnet. Die Pufferschicht 111 kann ein anorganisches Isoliermaterial, wie zum Beispiel ein Siliziumoxid, ein Siliziumnitrid, ein Aluminiumoxid oder dergleichen, enthalten. Eine Barriereschicht, die ein anorganisches Isoliermaterial oder ein organisches Isoliermaterial, wie zum Beispiel Polyimid, beinhaltet, kann ferner zwischen dem flexiblen Substrat 110 und der Pufferschicht 111 ausgebildet sein. Darüber hinaus können bei Verwendung des flexiblen Substrats 110 zwei oder mehr Substrate 110 ausgebildet sein, wobei in diesem Fall zwei oder mehr Pufferschichten 111 oder Barriereschichten ausgebildet werden können. 3 veranschaulicht jedoch der Einfachheit halber nur ein Substrat 110 und eine Pufferschicht 111.
  • Eine Halbleiterschicht 130 (nachfolgend auch als eine polykristalline Halbleiterschicht bezeichnet), die im Antriebstransistor T1 enthalten ist, ist auf der Pufferschicht 111 ausgebildet. Die Halbleiterschicht 130, die im Antriebstransistor T1 enthalten ist, ist aus einem polykristallinen Halbleiter ausgebildet. Die Halbleiterschicht 130 enthält eine Kanalregion, die eine Gate-Elektrode 122 überlagert und die später beschrieben wird, sowie eine erste und eine zweite Region, die auf gegenüberliegenden Seiten davon angeordnet sind.
  • Ein erster Gate-Isolierfilm 141, der die polykristalline Halbleiterschicht 130 bedeckt, ist auf der polykristallinen Halbleiterschicht 130 angeordnet.
  • Auf dem ersten Gate-Isolierfilm 141 ist eine Gate-Elektrode 121 (nachfolgend auch als eine erste Gate-Elektrode bezeichnet) des Antriebstransistors T1 ausgebildet. Ein Kanal des Antriebstransistors T1 ist in dem Bereich positioniert, in dem die Gate-Elektrode 121 des Antriebstransistors T1 die Halbleiterschicht 130 überlagert. Die Halbleiterschicht 130 kann mit Ausnahme ihres Kanals dotiert sein.
  • Die Gate-Elektrode 121 des Antriebstransistors T1 dient ebenfalls als die erste Elektrode des Speicherkondensators Cst.
  • Ein erster Zwischenschicht-Isolierfilm 161 ist bereitgestellt, um die Gate-Elektrode 121 und den freiliegenden ersten Gate-Isolierfilm 141 des Antriebstransistors T1 zu bedecken.
  • Eine Überlagerungsschicht 126 für den zweiten Transistor T2 und die zweite Elektrode 122 für den Speicherkondensator Cst sind auf dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm 161 ausgebildet. Die zweite Elektrode 122 kann nachfolgend auch als eine Elektrode für einen Speicherkondensator bezeichnet werden.
  • Die zweite Elektrode 122 für den Speicherkondensator Cst und die Gate-Elektrode 121 des Antriebstransistors T1 überlagern einander und bilden zusammen mit dem dazwischen positionierten ersten Zwischenschicht-Isolierfilm 161 den Speicherkondensator Cst aus. Die Initialisierungsspannung VINIT wird an die zweite Elektrode 122 für den Speicherkondensator Cst angelegt. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die zweite Elektrode 122 für den Speicherkondensator Cst einstückig mit einer Leitung (z. B. einer Initialisierungsleitung) zum Anlegen der Initialisierungsspannung VINIT ausgebildet sein.
  • Die Überlagerungsschicht 126 für den zweiten Transistor T2 ist in einem Bereich ausgebildet, in welche eine Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2 ausgebildet werden soll. Darüber hinaus überlagert die Überlagerungsschicht 126 für den zweiten Transistor T2 einen Kanal der Halbleiterschicht 135 des zweiten Transistors T2 und kann mindestens einen Abschnitt der ersten und der zweiten Region überlagern, die auf gegenüberliegenden Seiten des Kanals positioniert sind. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die Überlagerungsschicht 126 für den zweiten Transistor T2 eine Spannung mit einem konstanten Pegel empfangen, kann elektrisch mit einer Elektrode des zweiten Transistors T2 verbunden sein, kann die Antriebsspannung ELVDD oder die Antriebsniederspannung ELVSS empfangen oder kann schwebend sein. Die Überlagerungsschicht 126 für den zweiten Transistor T2 dient dazu, die Kanaleigenschaften des zweiten Transistors T2 zu sichern, um die Zuverlässigkeit des zweiten Transistors T2 zu erhöhen.
  • Ein zweiter Zwischenschicht-Isolierfilm 162 ist auf der Überlagerungsschicht 126 für den zweiten Transistor T2, der zweiten Elektrode 122 für den Speicherkondensator Cst und dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm 161 positioniert, der durch die Überlagerungsschicht 126 und die zweite Elektrode 122 freigelegt wird.
  • Auf dem zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 162 sind die Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2, ein zweiter Gate-Isolierfilm 142, eine Gate-Elektrode 125 für den zweiten Transistor T2 und die Verbindungsabschnitte 176 und 178 ausgebildet. Die Halbleiterschicht 135 kann ebenfalls als eine Oxidhalbleiterschicht bezeichnet werden und die Gate-Elektrode 125 kann ebenfalls als eine zweite Gate-Elektrode bezeichnet werden. Die Gate-Elektrode 125 für den zweiten Transistor T2 und die Verbindungsabschnitte 176 und 178 können aus dem gleichen Material ausgebildet werden.
  • Die Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2 ist in einem Bereich ausgebildet, der mindestens einen Abschnitt der Überlagerungsschicht 126 für den zweiten Transistor T2 überlagert, und ist aus einem Oxidhalbleiter ausgebildet. Die Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2 beinhaltet einen Kanalbereich, der die Gate-Elektrode 125 für den zweiten Transistor T2, die später beschrieben wird, überlagert, sowie eine ersten und eine zweite Region, die an gegenüberliegenden Seiten davon angeordnet sind. Die erste Region und die zweite Region der Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2 können dotiert sein. Der zweite Transistor T2, der den Oxidhalbleiter beinhaltet, kann durch Dotierung Eigenschaften eines n-Typ-Transistors oder eines p-Typ-Transistors aufweisen.
  • Durch die Verwendung eines Oxidhalbleiters in der Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2 kann ein Leckstrom, der für den zweiten Transistor T2 charakteristisch ist, reduziert werden. Anders ausgedrückt, kann in einem Falle der Verwendung eines polykristallinen Halbleiters, wie zum Beispiel des Antriebstransistors T1, die Spannung, die in den Speicherkondensator Cst geschrieben wird, möglicherweise nicht leicht gehalten werden, da der Leckstrom relativ hoch ist. Es ist jedoch einfach, die Spannung des Speicherkondensators Cst aufrechtzuerhalten, indem der Oxidhalbleiter verwendet wird. Dementsprechend ist es nicht notwendig, eine Struktur zu verwenden, die einen zusätzlichen Transistor verwendet, um einen Leckstrom zu verhindern.
  • Der zweite Gate-Isolierfilm 142 und die Gate-Elektrode 125 für den zweiten Transistor T2 sind sequentiell auf dem Kanal der Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2 ausgebildet. In der vorliegenden Ausführungsform ist der zweite Gate-Isolierfilm 142 nur auf dem Kanal der Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2 positioniert, anders ausgedrückt, nur unter der Gate-Elektrode 125 für den zweiten Transistor T2. In der Ausführungsform aus 3, wenn die Gate-Elektrode 125 für den zweiten Transistor T2 geätzt ist, da der zweite Gate-Isolierfilm 142 ebenfalls geätzt ist, weißt er dieselbe flache Form wie die Gate-Elektrode 125 für den zweiten Transistor T2 auf. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann der zweite Gate-Isolierfilm 142 jedoch alle der Halbleiterschichten 135 für den zweiten Transistor T2 und den gesamten freiliegenden zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 162 bedecken.
  • Die Gate-Elektrode 125 für den zweiten Transistor T2 kann elektrisch mit der Gate-Leitung verbunden sein, an die das Gate-Signal GW[n] angelegt wird, und kann in der vorliegenden Ausführungsform eine einstückig ausgebildete Struktur aufweisen.
  • Zusätzlich sind die beiden Verbindungsabschnitte 176 und 178 an einem oberen Abschnitt des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 162 positioniert und an dem der Antriebstransistor T1 angeordnet ist. Der erste Verbindungsabschnitt 176 ist mit der ersten Region der Halbleiterschicht 130 durch Öffnungen verbunden, die in der ersten Gate-Isolierschicht 141, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 161 und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 162 ausgebildet sind. Der zweite Verbindungsabschnitt 178 ist mit der zweiten Region der Halbleiterschicht 130 durch Öffnungen verbunden, die in der ersten Gate-Isolierschicht 141, der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 161 und der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 162 ausgebildet sind. Die beiden Verbindungsabschnitte 176 und 178 sind zusätzlich ausgebildet, um beim Verbinden einer ersten Elektrode 175 und einer zweiten Elektrode 177 des Antriebstransistors T1 mit der ersten bzw. der zweiten Region der Halbleiterschicht 130 zu helfen, in einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung können sie jedoch weggelassen werden. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung können jedoch im Gegensatz zu 3 die erste Elektrode 175 und die zweite Elektrode 177 des Antriebstransistors T1 jeweils mit der ersten Region und der zweiten Region der Halbleiterschicht 130 verbunden sein, indem mehr Verbindungsabschnitte enthalten sind. Die beiden Verbindungsabschnitte 176 und 178 können mindestens einen Abschnitt eines Bereichs überlagern, der von einer Öffnung 301 eingenommen wird, die in einer Trennwand 300 ausgebildet ist, die später beschrieben wird, oder können in der Öffnung 301 angeordnet sein. Dadurch kann ein vom Pixel eingenommener Bereich verkleinert werden.
  • Ein dritter Zwischenschicht-Isolierfilm 163 ist auf der Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2, dem zweiten Gate-Isolierfilm 142, der Gate-Elektrode 125 für den zweiten Transistor T2, den Verbindungsabschnitten 176 und 178 und dem freiliegenden zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 162 ausgebildet. Der dritte Zwischenschicht-Isolierfilm 163 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial, wie zum Beispiel Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, ausgebildet sein und kann dicker sein als der erste Zwischenschicht-Isolierfilm 161 und der zweite Zwischenschicht-Isolierfilm 162. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann der dritte Zwischenschicht-Isolierfilm 163 als eine Doppelschicht aus einem Siliziumnitridfilm und einem Siliziumoxidfilm ausgebildet sein. Da der Eingangskondensator Cpr und die organische Leuchtdiode OLED auf dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm 163 ausgebildet werden sollen, kann es aufgrund der Strukturen einer unteren Elektrode und der Halbleiterschicht unter dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm 163 zu einer großen Stufe kommen. Die große Stufe kann dazu führen, dass die Elektroden des Eingangskondensators Cpr und der organischen Leuchtdiode OLED versetzt sind. Um die Stufe zu entfernen, kann dementsprechend der dritte Zwischenschicht-Isolierfilm 163 dick ausgebildet und dann durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP) planarisiert werden. In 3 ist der dritte Zwischenschicht-Isolierfilm 163 mit einer durch einen CMP-Prozess planarisierten Oberseite veranschaulicht und das CMP ist an einer Position davon veranschaulicht. Da die Oberseite des dritten Zwischenschicht-Isolierfilms 163 planarisiert ist, wie in 3 veranschaulicht, können der Eingangskondensator Cpr und die organische Leuchtdiode OLED ohne eine Stufe ausgebildet werden.
  • Eine zweite Elektrode 179 (nachfolgend auch als eine Elektrode für einen Eingangskondensator bezeichnet) für den Eingangskondensator Cpr ist auf dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm 163 ausgebildet. Die zweite Elektrode 179 für den Eingangskondensator Cpr ist elektrisch mit der Datenleitung verbunden, um die Datenspannung zu empfangen. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die zweite Elektrode 179 einstückig mit der Datenleitung ausgebildet sein.
  • Ein vierter Zwischenschicht-Isolierfilm 164 ist auf der zweiten Elektrode 179 für den Eingangskondensator Cpr und dem freiliegenden dritten Zwischenschicht-Isolierfilm 163 positioniert.
  • Die erste Elektrode 175 für den Antriebstransistor T1, die zweite Elektrode 177 für den Antriebstransistor T1, eine erste Elektrode 171 für den zweiten Transistor T2 und eine zweite Elektrode 173 für den zweiten Transistor T2 sind auf dem vierten Zwischenschicht-Isolierfilm 164 ausgebildet.
  • Die erste Elektrode 175 des Antriebstransistors T1 ist mit dem ersten Verbindungsabschnitt 176 durch eine Öffnung verbunden, die in dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm 163 und dem vierten Zwischenschicht-Isolierfilm 164 ausgebildet ist, und ist somit mit der ersten Region der Halbleiterschicht 130 verbunden. Die Antriebsspannung ELVDD kann an die erste Elektrode 175 des Antriebstransistors T1 angelegt werden und der Antriebstransistor T1 kann elektrisch mit einem Draht (z. B. einer Antriebsspannungsleitung) verbunden sein, der die Antriebsspannung ELVDD anlegt, oder der Antriebstransistor T1 kann einstückig mit dem Draht ausgebildet sein.
  • Die zweite Elektrode 177 des Antriebstransistors T1 ist mit dem zweiten Verbindungsabschnitt 178 durch die Öffnung verbunden, die in dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm 163 und dem vierten Zwischenschicht-Isolierfilm 164 ausgebildet ist, und ist somit mit der zweiten Region der Halbleiterschicht 130 verbunden. Darüber hinaus überlagert die zweite Elektrode 177 des Antriebstransistors T1 die zweite Elektrode 179 für den Eingangskondensator Cpr, um den Eingangskondensator Cpr auszubilden. Unter Bezugnahme auf 3 überlagern sich ferner der Eingangskondensator Cpr und der Speicherkondensator, ausgebildet durch Überlagerung, einander in einer vertikalen Richtung. Dementsprechend wird ein von den Kondensatoren eingenommener Bereich reduziert.
  • Die erste Elektrode 171 des zweiten Transistors T2 ist mit der ersten Region der Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2 durch die Öffnung verbunden, die in dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm 163 und dem vierten Zwischenschicht-Isolierfilm 164 ausgebildet ist. Zusätzlich veranschaulicht 3 durch eine gestrichelte Linie Ba, dass die erste Elektrode 171 des zweiten Transistors T2 elektrisch mit der zweiten Elektrode 122 für den Speicherkondensator Cst verbunden ist.
  • Die zweite Elektrode 173 des zweiten Transistors T2 ist mit der zweiten Region der Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2 durch die Öffnung verbunden, die in dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm 163 und dem vierten Zwischenschicht-Isolierfilm 164 ausgebildet ist. Zusätzlich veranschaulicht 3 durch eine gestrichelte Linie Bb, dass die zweite Elektrode 173 des zweiten Transistors T2 elektrisch mit der zweiten Elektrode 177 für den Antriebstransistor T1 verbunden ist.
  • Ein Passivierungsfilm 180 ist auf der ersten Elektrode 175 und der zweiten Elektrode 177 des Antriebstransistors T1, der ersten Elektrode 171 und der zweiten Elektrode 173 des zweiten Transistors T2 und dem freiliegenden vierten Zwischenschicht-Isolierfilm 164 ausgebildet.
  • Der Passivierungsfilm 180 beinhaltet eine Öffnung 181 (nachfolgend ebenfalls als erste Öffnung bezeichnet), welche die zweite Elektrode 177 des Antriebstransistors T1 freilegt.
  • Eine Anodenelektrode 191 ist auf dem Passivierungsfilm 180 ausgebildet und die Anodenelektrode 191 ist durch die Öffnung 181 mit der zweiten Elektrode 177 des Antriebstransistors T1 verbunden. Die Anodenelektrode 191 kann ein transparentes leitfähiges Material oder ein Metallmaterial beinhalten und kann eine mehrschichtige Struktur aufweisen, die zwei oder mehr des transparenten leitfähigen Materials und des Metallmaterials beinhaltet. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die organische Leuchtdiode OLED einschließlich der Anodenelektrode 191 so ausgeformt sein, dass sie je nach emittiertem Licht eine andere Dicke aufweist. Anders ausgedrückt, können sich die Dicken der Anodenelektrode 191, die in einer roten organischen Leuchtdiode OLED enthalten ist, der Anodenelektrode 191, die in einer grünen organischen Leuchtdiode OLED enthalten ist, und der Anodenelektrode 191, die in einer blauen organischen Leuchtdiode OLED enthalten ist, voneinander unterscheiden. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die Dicke der Anodenelektrode 191, die in der roten organischen Leuchtdiode OLED enthalten ist, die dickste sein, gefolgt von der Dicke der Anodenelektrode 191, die in der blauen organischen Leuchtdiode OLED enthalten ist, und dann von der Dicke der Anodenelektrode 191, die in der grünen organischen Leuchtdiode OLED enthalten ist. Eine Dickendifferenz zwischen den jeweiligen Anodenelektroden 191 kann durch die Gegenwart oder Abwesenheit eines transparenten leitfähigen Materials, wie zum Beispiel eines ITO oder IZO, auf der Metallschicht oder durch das Steuern der Dicke des transparenten leitfähigen Materials verändert werden.
  • Auf der Anodenelektrode 191 und dem freiliegenden Passivierungsfilm 180 ist die Trennwand 300 mit der Öffnung 301 (nachfolgend auch als eine zweite Öffnung bezeichnet) ausgebildet, die eine lichtemittierende Region der organischen Leuchtdiode OLED abtrennt. Die Öffnung 301 legt die Anodenelektrode 191 frei und in der Öffnung 301 ist eine organische lichtemittierende Schicht 350 ausgebildet. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann ferner ein Abstandhalter auf der Trennwand 300 oder in derselben Schicht wie die Trennwand 300 ausgebildet sein.
  • Eine Kathodenelektrode 270 ist auf der Trennwand 300 und der organischen lichtemittierenden Schicht 350 ausgebildet. Die Kathodenelektrode 270 empfängt die Antriebsniederspannung ELVSS.
  • In 3 überlagern sich die in der Trennwand 300 positionierte Öffnung 301 und die in dem Passivierungsfilm 180 positionierte Öffnung 181 in einer vertikalen Richtung (nachfolgend ebenfalls als eine vertikale Überlagerungsstruktur der Öffnung bezeichnet).
  • Außerdem überlagern sich die in der Trennwand 300 angeordnete Öffnung 301 und die Öffnung von der zweiten Region der Halbleiterschicht 130 des Antriebstransistors T1 zur zweiten Elektrode 177 in einer vertikalen Richtung. Die Öffnung von der zweiten Region der Halbleiterschicht 130 des Antriebstransistors T1 zur zweiten Elektrode 177 entspricht der Öffnung, welche die zweite Region der Halbleiterschicht 130 und den zweiten Verbindungsabschnitt 178 verbindet, und der Öffnung, welche den zweiten Verbindungsabschnitt 178 und die zweite Elektrode 177 in 3 verbindet.
  • Darüber hinaus ist der zweite Verbindungsabschnitt 178, welcher die zweite Region der Halbleiterschicht 130 des Antriebstransistors T1 und die zweite Elektrode 177 verbindet, ebenfalls innerhalb der Anodenelektrode 191 angeordnet. Anders ausgedrückt, überlagern sich die Anodenelektrode 191 und der zweite Verbindungsabschnitt 178 in der vertikalen Richtung.
  • Der vom Pixel eingenommene Bereich ist aufgrund der vertikalen Überlagerungsstruktur zwischen den Öffnungen 301 und 181 verkleinert, wie vorstehend beschrieben.
  • Darüber hinaus überlagern sich in der Ausführungsform aus 3 ebenfalls der Speicherkondensator Cst und der Eingangskondensator Cpr in der vertikalen Richtung (was nachfolgend ebenfalls als vertikale Überlagerungsstruktur der Kondensatoren bezeichnet wird). Anders ausgedrückt, ist der Speicherkondensator Cst durch das Überlagern der zweiten Elektrode 122 für den Speicherkondensator Cst und der Gate-Elektrode 121 des Antriebstransistors T1 ausgebildet. Der Eingangskondensator Cpr ist auf dem Speicherkondensator Cst durch das Überlagern der zweiten Elektrode 179 für den Eingangskondensator Cpr und der zweiten Elektrode 177 des Antriebstransistors T1 ausgebildet. Auf diese Weise sind der Speicherkondensator Cst und der Eingangskondensator Cpr über- und untereinander vorhanden und weisen den Überlagerungsabschnitt auf. Der vom Pixel eingenommene Bereich wird durch die vertikale Überlagerungsstruktur der Kondensatoren ebenfalls verkleinert.
  • Die vorstehend beschriebenen vertikalen Überlagerungsstrukturen können den von den Pixeln eingenommenen Bereich verkleinern. Die Bereichsverkleinerung gemäß der vertikalen Überlagerungsstruktur der Öffnungen wird unter Bezugnahme auf 5 und 6 ausführlicher beschrieben.
  • Zusätzlich kann auf der Kathodenelektrode 270 eine Verkapselungsschicht angeordnet sein, welche die organische Leuchtdiode OLED schützt. Die Verkapselungsschicht kann die Kathodenelektrode 270 berühren oder durch die zusätzliche Bildung einer Abdeckschicht und einer Funktionsschicht von der Kathodenelektrode 270 beabstandet sein. Die Verkapselungsschicht kann eine Dünnfilm-Verkapselungsschicht sein, in der ein anorganischer Film und ein organischer Film gestapelt sind, und kann eine Dreifachschicht beinhalten, die aus einem anorganischen Film, einem organischen Film, und einem anorganischen Film ausgebildet ist.
  • In dem Pixel der Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß der in 1 und 3 gezeigten Ausführungsform tritt, da die Datenspannung durch dein Eingangskondensator Cpr übertragen wird, selbst dann kein Leckstrom nach außen durch die Datenleitung aus, wenn er in dem Pixel auftritt. Obwohl der Leckstrom nicht durch die Bildung von anderen Transistoren als den beiden Transistoren blockiert wird, kann das Pixel dementsprechend ordnungsgemäß funktionieren. Da der zweite Transistor T2 den Oxidhalbleiter verwendet, um den Leckstrom zu reduzieren, und nicht der zweite Transistor T2, der den polykristallinen Halbleiter verwendet, kann der zusätzliche Kompensationstransistor möglicherweise nicht weiter ausgebildet sein.
  • Wie vorstehend beschrieben, ist kein zusätzlicher Kompensationstransistor enthalten und sind nur zwei Transistoren in einem Pixel enthalten, und somit ist es möglich, den von dem Pixel eingenommenen Bereich deutlich zu verkleinern.
  • Unter Bezugnahme auf 3 ist der von dem Pixel eingenommene Bereich außerdem verkleinert, da die Öffnung 181 des Passivierungsfilms 180, welche die Anodenelektrode 191 belichtet, die Öffnung 301 der Trennwand 300 vertikal überlagert, das heißt einen Bereich, in welchem die organische Leuchtdiode OLED Licht emittiert. Ferner kann in einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung der durch das Pixel eingenommene Bereich weiter verkleinert werden, da die Öffnung und/oder der zweite Verbindungsabschnitt 178, der die zweite Elektrode 177 des Antriebstransistors T2 und die zweite Region der Halbleiterschicht 130 verbindet, ausgebildet ist, während sie/er die Öffnung 301 der Trennwand 300 überlagert.
  • Dementsprechend ist es möglich, eine Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode mit einer hohen Anzahl von Pixeln pro Zoll (pixels per inch - ppi) herzustellen. Darüber hinaus ist es möglich, eine Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode mit hoher Auflösung auszubilden.
  • Nachfolgend wird eine Herstellungsreihenfolge der jeweiligen in 3 verwendeten Bestandteile unter Bezugnahme auf 4 beschrieben.
  • 4 ist eine Tabelle, in der die jeweiligen Schichten der Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung sequentiell veranschaulicht sind.
  • In 4 stellen die linken Ausdrücke die Namen der jeweiligen Schichten in englischen Abkürzungen dar und stellen die rechten Ausdrücke die Bezugszeichen der Bestandteile dar, die den jeweiligen Schichten in 3 entsprechen.
  • Erstens bezieht sich Barrier/PI auf das flexible Substrat 110 und gibt an, dass eine Schicht, die aus einem flexiblen Material ausgebildet ist, wie zum Beispiel eine Barriereschicht und PI, auf dem Substrat 110 angeordnet ist. In diesem Fall kann die Barriereschicht aus verschiedenen anorganischen Isoliermaterialien ausgebildet sein und kann ein Siliziumoxid oder ein Siliziumnitrid beinhalten und sie kann in einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung einen amorphen Halbleiter beinhalten oder als eine Vielzahl von Schichten mit einem anorganischen Isoliermaterial ausgebildet sein. Hierin kann das Polyimid (PI) so ausgebildet sein, dass es eine Dicke von 5 µm bis 20 µm aufweist, und die Schicht aus anorganischem Isoliermaterial oder die amorphe Halbleiterschicht, die zusammen damit ausgebildet ist, kann eine Dicke von 500 Ä bis 7000 Ä aufweisen.
  • Der Puffer (Buffer), der über Barrier/PI liegt, bezieht sich auf die Pufferschicht 111 und er kann aus einem anorganischen Isoliermaterial, wie zum Beispiel Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, ausgebildet sein und in einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann das anorganische Isoliermaterial in einer Vielzahl von Schichten ausgebildet sein. Das verwendete anorganische Isoliermaterial kann eine Dicke von 500 Ä bis 5000 Ä aufweisen.
  • ACT, die über dem Puffer liegt, bezieht sich auf eine polykristalline Halbleiterschicht, also die Halbleiterschicht 130 für den Antriebstransistor T1. Der polykristalline Halbleiter kann durch einen Kristallisationsprozess eines amorphen Halbleiters ausgebildet werden. Die polykristalline Halbleiterschicht kann so ausgebildet sein, dass sie eine Dicke von 300 Ä bis 600 Ä aufweist.
  • GI, der über ACT liegt, bezieht sich auf den ersten Gate-Isolierfilm 141 und der erste Gate-Isolierfilm 141 ist aus einem anorganischen Isoliermaterial, wie zum Beispiel einem Siliziumoxid oder einem Siliziumnitrid, ausgebildet. Der erste Gate-Isolierfilm 141 kann eine Dicke von 1000 Ä bis 2000 Å aufweisen.
  • GAT1, was über GI liegt, bezieht sich auf die erste leitfähig Gate-Schicht und beinhaltet die Gate-Elektrode 121 für den Antriebstransistor T1 in 3. Die erste leitfähige Gate-Schicht kann aus verschiedenen Metallen, wie zum Beispiel Molybdän (Mo), Titan (Ti), Kupfer (Cu) und Aluminium (Al), ausgebildet sein und kann aus einer Vielzahl von Schichten einschließlich der verschiedenen Metalle ausgebildet sein. Die erste leitfähige Gate-Schicht kann eine Dicke von 2000 Å bis 3000 Ä aufweisen.
  • ILD1, der über GAT1 liegt, bezieht sich auf den ersten Zwischenschicht-Isolierfilm 161 und kann aus einem anorganischen Isoliermaterial, wie zum Beispiel einem Siliziumoxid oder einem Siliziumnitrid, ausgebildet sein. Der erste Zwischenschicht-Isolierfilm 161 kann eine Dicke von 1000 Å bis 1500 Å aufweisen.
  • GAT2, was über ILD1 liegt, bezieht sich auf die zweite leitfähige Gate-Schicht und beinhaltet die Überlagerungsschicht 126 für den zweiten Transistor T2 und die zweite Elektrode 122 für den Speicherkondensator Cst in 3. Die zweite leitfähige Gate-Schicht kann aus verschiedenen Metallen, wie zum Beispiel Molybdän (Mo), Titan (Ti), Kupfer (Cu) und Aluminium (Al), ausgebildet sein und kann aus einer Vielzahl von Schichten einschließlich der verschiedenen Metalle ausgebildet sein. Die zweite leitfähige Gate-Schicht kann eine Dicke von 2000 Å bis 3000 Ä aufweisen.
  • ILD2, der über GAT2 liegt, bezieht sich auf den zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 162 und kann aus einem anorganischen Isoliermaterial, wie zum Beispiel einem Siliziumoxid oder einem Siliziumnitrid, ausgebildet sein. Der zweite Zwischenschicht-Isolierfilm 162 kann eine Dicke von 2500 Ä bis 4000 Ä aufweisen.
  • Oxid (Oxide), das über ILD2 liegt, bezieht sich auf die Oxidhalbleiterschicht und beinhaltet die Halbleiterschicht 135 für den zweiten Transistor T2 in 3. Der Oxidhalbleiter kann verschiedene Materialien beinhalten und kann aus einem IGZO ausgebildet sein. Die Oxidhalbleiterschicht kann eine Dicke von 200 Å bis 500 Ä aufweisen.
  • GI2, der über Oxid liegt, bezieht sich auf den zweiten Gate-Isolierfilm 142 und kann aus einem anorganischen Isoliermaterial, wie zum Beispiel einem Siliziumoxid oder einem Siliziumnitrid, ausgebildet sein. Der zweite Gate-Isolierfilm 142 kann eine Dicke von 1000 Ä bis 2000 Ä aufweisen.
  • GAT3, was über GI2 liegt, bezieht sich auf den dritten Gate-Leiter und beinhaltet die Gate-Elektrode 125 für den zweiten Transistor T2 und die Verbindungsabschnitte 176 und 178. Die dritte leitfähige Gate-Schicht kann aus verschiedenen Metallen, wie zum Beispiel Molybdän (Mo), Titan (Ti), Kupfer (Cu) und Aluminium (Al), ausgebildet sein und kann aus einer Vielzahl von Schichten einschließlich der verschiedenen Metalle ausgebildet sein. Die dritte leitfähige Gate-Schicht kann eine Dicke von 2000 Å bis 4000 Ä aufweisen.
  • ILD3, der über GAT3 liegt, bezieht sich auf den dritten Zwischenschicht-Isolierfilm 163 und kann aus einem anorganischen Isoliermaterial, wie zum Beispiel einem Siliziumoxid oder einem Siliziumnitrid, ausgebildet sein und kann als eine Vielzahl von Schichten unter Verwendung desselben ausgebildet sein. Der dritte Zwischenschicht-Isolierfilm 163 kann eine Dicke von 2000 Ä bis 6000 Ä aufweisen. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann der dritte Zwischenschicht-Isolierfilm 163 als ein Doppelfilm aus einem Siliziumnitridfilm und einem Siliziumoxidfilm ausgebildet sein. Darüber hinaus kann nach dem Stapeln des dritten Zwischenschicht-Isolierfilms 163 zusätzlich ein CMP-Prozess durchgeführt werden, um eine Stufe zu eliminieren. Durch den CMP-Prozess wird die Oberseite des dritten Zwischenschicht-Isolierfilms 163 planarisiert und somit wird die Stufe durch die unter dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm 163 positionierte Elektrode und die Halbleiterschicht eliminiert.
  • DAT1, die über ILD3 liegt, bezieht sich auf die erste leitfähige Datenschicht und beinhaltet die zweite Elektrode 179 für den Eingangskondensator Cpr in 3. Die erste leitfähige Datenschicht kann aus verschiedenen Metallen, wie zum Beispiel Molybdän (Mo), Titan (Ti), Kupfer (Cu) und Aluminium (Al), ausgebildet sein und kann aus einer Vielzahl von Schichten einschließlich der verschiedenen Metalle ausgebildet sein. Die erste leitfähige Datenschicht kann eine Dicke von 3000 Å bis 8000 Ä aufweisen.
  • ILD4, der über DAT1 liegt, bezieht sich auf den vierten Zwischenschicht-Isolierfilm 164 und kann aus einem anorganischen Isoliermaterial, wie zum Beispiel einem Siliziumoxid oder einem Siliziumnitrid, ausgebildet sein und kann als eine Vielzahl von Schichten unter Verwendung desselben ausgebildet sein. Der vierte Zwischenschicht-Isolierfilm 164 kann eine Dicke von 1000 Ä bis 2000 Ä aufweisen.
  • DAT2, die über ILD4 liegt, bezieht sich auf die zweite leitfähige Datenschicht und beinhaltet die erste Elektrode 175 und die zweite Elektrode 177 des Antriebstransistors T1 sowie die erste Elektrode 171 und die zweite Elektrode 173 des zweiten Transistors T2. Die zweite leitfähige Datenschicht kann aus verschiedenen Metallen, wie zum Beispiel Molybdän (Mo), Titan (Ti), Kupfer (Cu) und Aluminium (Al), ausgebildet sein und kann aus einer Vielzahl von Schichten einschließlich der verschiedenen Metalle ausgebildet sein. Die zweite leitfähige Datenschicht kann eine Dicke von 6000 Ä bis 8000 Ä aufweisen.
  • VIA, der über DAT2 liegt, bezieht sich auf den Passivierungsfilm 180 und der Passivierungsfilm 180 kann so ausgebildet sein, dass er ein organisches Material beinhaltet, und kann aus verschiedenen organischen Materialien, wie zum Beispiel Polyimid (PI) ausgebildet sein. Der Passivierungsfilm 180 kann eine Dicke von 9000 Ä bis 11.000 Ä aufweisen.
  • PXL, die über VIA liegt, bezieht sich auf die Pixelelektrodenschicht und beinhaltet die Anodenelektrode 191 in 3. Die Pixelelektrodenschicht kann ein transparentes leitfähiges Material, wie zum Beispiel ein ITO, beinhalten und kann so geformt sein, dass sie eine mehrschichtige Struktur einschließlich Silber (Ag) und verschiedenen Metallen (z. B. Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Kupfer (Cu) usw.) aufweist. Die Pixelelektrodenschicht kann eine Dicke von 1000 Ä bis 2000 Ä aufweisen.
  • PDL, die über PXL liegt, bezieht sich auf die Trennwand 300, und SPC, der über PDL liegt, kann separat oder zusammen mit der Trennwand 300 als Abstandhalter ausgebildet sein. Die Trennwand 300 und der Abstandhalter können aus verschiedenen organischen Materialien, wie zum Beispiel Polyimid (PI) ausgebildet sein. Die Trennwand 300 kann eine Dicke von 8000 Ä bis 10.000 Ä aufweisen und der Abstandhalter eine Dicke von 10.000 Ä bis 20.000 Ä aufweisen.
  • Wie oben beschrieben, können die erste, zweite und dritte leitfähige Gate-Schicht dasselbe Material beinhalten und können die erste und zweite leitfähige Datenschicht ebenfalls dasselbe Material beinhalten. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung können sich das in der leitfähigen Gate-Schicht enthaltene Material und das in der leitfähigen Datenschicht enthaltene Material voneinander unterscheiden.
  • Wie in 4 gezeigt, wird, da die Struktur des Pixels gemäß der vorliegenden Ausführungsform bei der Überlagerung in der vertikalen Richtung ausgebildet wird, der von dem Pixel eingenommene Bereich verkleinert und somit wird die Anzahl der Pixel pro Zoll (ppi), bei der die Pixel ausgebildet werden, erhöht. Dadurch wird die Auflösung der Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode erhöht.
  • Wie vorstehend beschrieben, wird der von dem Pixel eingenommene Bereich, das basierend auf der vertikalen Struktur ausgebildet ist, verkleinert. Dementsprechend erhöht sich die ppi, was unter Bezugnahme auf 5 und 6 beschrieben wird.
  • 5 veranschaulicht eine Draufsicht auf eine Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und 6 veranschaulicht eine Draufsicht auf eine Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem Vergleichsbeispiel.
  • 6, die einem Vergleichsbeispiel entspricht, veranschaulicht eine Struktur, bei der sich die Öffnung 301 der Trennwand 300 und die Öffnung 181 des Passivierungsfilms 180 nicht vertikal überlagern. Dementsprechend ist zu erkennen, dass die Anodenelektrode 191 breit ausgebildet ist, da die Anodenelektrode 191 einen verlängerten Abschnitt 191-1 aufweist und die beiden Öffnungen 181 und 301 verbindet.
  • Im Gegensatz dazu überlagern sich in 5 die Öffnung 301 der Trennwand 300 und die Öffnung 181 des Passivierungsfilms 180 vertikal und somit ist es nicht erforderlich, dass die Anodenelektrode 191 ferner den zusätzlich verlängerten Abschnitt 191-1, wie in 6 gezeigt, beinhaltet. Anders ausgedrückt, weist die Anodenelektrode 191 aus 5 keinen hervorstehenden Abschnitt wie die Anodenelektrode 191 aus 6 auf. Dementsprechend ist der von der Anodenelektrode 191 aus 5 eingenommene Bereich verkleinert.
  • Da zwischen den Anodenelektroden 191 benachbarter Pixel kein Kurzschluss auftreten sollte, sind benachbarte Pixel mit einem vorbestimmten Abstand dazwischen ausgebildet. Anders ausgedrückt, sind in 5 die Anodenelektroden 191 mit einem Abstand Da ausgebildet.
  • Im Gegensatz dazu ist in 6, welche das Vergleichsbeispiel veranschaulicht, da ein Abstand Dc ausgebildet ist, sodass kein Kurzschluss aufgrund des verlängerten Abschnitts 191-1 der Anodenelektrode 191 auftritt, eine Entfernung zwischen den Anodenelektroden 191 als ein Db-Abstand ausgebildet, der größer als der Da-Abstand in 5 ist. Dementsprechend ist in 5 die Anzahl der Pixel pro Zoll (ppi) im Vergleich zu 6 weiter erhöht.
  • Modifizierte Ausführungsformen, die sich auf die vorstehend beschriebene Ausführungsform beziehen, werden hierin unter Bezugnahme auf 7 bis 11 beschrieben.
  • 7 bis 11 veranschaulichen jeweils eine Querschnittsansicht eines Pixels einer Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Zunächst veranschaulicht 7 im Gegensatz zu 3 ein Beispiel, bei dem die in dem Passivierungsfilm 180 ausgebildete Öffnung 181 vollständig innerhalb der in der Trennwand 300 ausgebildeten Öffnung 301 ausgebildet ist. Anders ausgedrückt, kann sich unter Bezugnahme auf 3 und 5 mindestens ein Abschnitt der in dem Passivierungsfilm 180 ausgebildeten Öffnung 181 außerhalb der in der Trennwand 300 ausgebildeten Öffnung 301 befinden, während unter Bezugnahme auf 7 die gesamte in dem Passivierungsfilm 180 ausgebildete Öffnung 181 innerhalb der in der Trennwand 300 ausgebildeten Öffnung 301 ausgebildet ist.
  • Gemäß der Ausführungsform aus 7 ist die Öffnung von der zweiten Region der Halbleiterschicht 130 des Antriebstransistors T1 bis zur zweiten Elektrode 177 ebenfalls vollständig innerhalb der in der Trennwand 300 ausgebildeten Öffnung 301 ausgebildet. Die Öffnung von der zweiten Region der Halbleiterschicht 130 des Antriebstransistors T1 zur zweiten Elektrode 177 entspricht der Öffnung, welche die zweite Region der Halbleiterschicht 130 und den zweiten Verbindungsabschnitt 178 verbindet, und der Öffnung, welche den zweiten Verbindungsabschnitt 178 und die zweite Elektrode 177 in 3 verbindet.
  • Darüber hinaus kann neben der in dem Passivierungsfilm 180 ausgebildeten Öffnung 181 der zweite Verbindungsabschnitt 178, welcher die zweite Region der Halbleiterschicht 130 des Antriebstransistors T1 und die zweite Elektrode 177 verbindet, ebenfalls vollständig innerhalb der Anodenelektrode 191 angeordnet sein.
  • Dementsprechend kann die Ausführungsform aus 7 im Vergleich zu der aus 3 den Bereich der Anodenelektrode 191 weiter verkleinern, um eine kompaktere Struktur auszubilden.
  • Zur Referenz ist in 7 eine Breite der Anodenelektrode 191 breiter gezeichnet als die der Anodenelektrode 191 von 3, um die vertikale Überlagerungsstruktur deutlicher zu zeigen, was aber nicht bedeuten muss, dass eine Größe der Anodenelektroden 191 größer als die aus 3 ist. Zum Beispiel ist die Anodenelektrode 191 aus 7 lediglich größer gezeichnet, um eine Struktur eines unteren Abschnitts davon zu zeigen.
  • Die Ausführungsform aus 8 wird nachstehend beschrieben.
    Im Gegensatz zur Ausführungsform aus 3 veranschaulicht 8 eine Ausführungsform, in welcher eine zusätzliche Überlagerungsschicht 123 ferner über dem Substrat 110 unter der Halbleiterschicht 130 des Antriebstransistors T1 enthalten ist.
  • Ähnliche Abschnitte werden wie folgt beschrieben.
  • In der Ausführungsform aus 8 wird eine Barriereschicht 112 auf dem flexiblen Substrat 110 positioniert. Die Barriereschicht 112 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial ausgebildet sein oder kann eine mehrschichtige Struktur aufweisen, die aus dem anorganischen Isoliermaterial ausgebildet ist.
  • Die zusätzliche Überlagerungsschicht 123 ist auf der Barriereschicht 112 angeordnet. Die zusätzliche Überlagerungsschicht 123 kann den Kanal der Halbleiterschicht 130 des Antriebstransistors T1 überlagern und kann mindestens einen Abschnitt der ersten und der weiten Region des Antriebstransistors T1 überlagern.
  • Die Pufferschicht 111 ist auf der zusätzlichen Überlagerungsschicht 123 positioniert und eine Struktur über der Pufferschicht 111 ist dieselbe wie diejenige aus 3.
  • Hier kann die Überlagerungsschicht 123 eine Spannung mit einem konstanten Pegel empfangen, kann elektrisch mit einer Elektrode des Antriebstransistors T1 verbunden sein, kann die Antriebsspannung ELVDD oder die Antriebsniederspannung ELVSS empfangen oder kann schwebend sein. Die zusätzliche Überlagerungsschicht 123 kann die Kanaleigenschaften des Antriebstransistors T1 sichern, um die Zuverlässigkeit des Antriebstransistors T1 zu erhöhen.
  • Die Ausführungsform aus 9 wird nachstehend beschrieben.
    9 veranschaulicht eine Ausführungsform, bei der in der Struktur aus 3 zusätzlich eine auf der Kathodenelektrode 270 positionierte Schicht ausgebildet ist und die organische Leuchtdiode OLED weißes Licht emittiert.
  • In der Ausführungsform aus 9 ist eine Verkapselungsschicht 400 auf der Kathodenelektrode 270 positioniert. Die Verkapselungsschicht 400 kann die Kathodenelektrode 270 berühren oder kann von der Kathodenelektrode 270 beabstandet sein, indem eine Abdeckschicht oder eine Funktionsschicht dazwischen enthalten ist. Darüber hinaus kann die Verkapselungsschicht 400 eine Dünnfilm-Verkapselungsschicht sein, in der ein anorganischer Film und ein organischer Film gestapelt sind, und kann eine Dreifachschicht beinhalten, die aus einem anorganischen Film, einem organischen Film, und einem anorganischen Film ausgebildet ist. In 9 ist die Verkapselungsschicht 400 so veranschaulicht, dass sie nur auf einer Oberseite eines Pixels ausgebildet ist, der Grund dafür ist aber, dass nur ein Querschnitt des Pixels gezeigt wird und daher eine Seitenfläche davon nicht gezeigt wird. Anders ausgedrückt, kann die Verkapselungsschicht 400 zusätzlich zur Oberseite auf der Seitenfläche des Pixels ausgebildet sein, sodass Sauerstoff oder Feuchtigkeit nicht von außen in die organische lichtemittierende Schicht 350 absorbiert wird.
  • Auf der Verkapselungsschicht 400 sind ein Lichtblockierelement 500 und eine Farbfilterschicht 600 ausgebildet. Die Farbfilterschicht 600 ist an einer Stelle ausgebildet, die der Öffnung 301 der Trennwand 300 entspricht, sodass das von der organischen Leuchtdiode OLED emittierte Licht einem Benutzer zur Verfügung gestellt werden kann. Andererseits ist das Lichtblockierelement 500 in einem anderen Bereich als über der gesamten Öffnung 301 ausgebildet. Wenn weißes Licht von der organischen Leuchtdiode OLED emittiert wird, überträgt die Farbfilterschicht 600 nur eine Wellenlänge des Lichts von drei Primärfarben, um eine bestimmte Farbe anzuzeigen. Die Farbfilterschicht 600 beinhaltet mindestens drei unterschiedliche Arten von Farbfilterschichten 600 zum Anzeigen von Farben und ein Pixel zeigt nur eine Farbe der drei Primärfarben an, somit werden mindestens drei Pixel gemischt, um eine Anzeigefarbe anzuzeigen.
  • In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die organische Leuchtdiode OLED blaues Licht emittieren. In diesem Fall ist es möglich, anstelle der Verwendung der Farbfilterschicht 600 durch Bildung einer Farbumwandlungsschicht, die ein Farbumwandlungsmaterial, wie zum Beispiel einen Quantenpunkt (quantum dot - QD) beinhaltet, die drei Primärfarben durch Umwandlung von blauem Licht in rotes und grünes Licht auf der Grundlage des blauen Lichts anzuzeigen.
  • Auf dem Lichtblockierelement 500 und der Farbfilterschicht 600 kann ein Fenster 700 ausgebildet sein. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann ein Berührungserfassungselement auf einer Innenfläche des Fensters 700 ausgebildet sein. Da in diesem Fall ein Draht (z. B. ein Berührungsdraht) des Berührungserfassungselements von einem Benutzer gesehen werden kann, kann zusätzlich eine Polarisationsschicht ausgebildet sein, um zu verhindern, dass der Berührungsdraht von außen gesehen werden kann.
  • Die Ausführungsform aus 10 wird nachstehend beschrieben.
  • In der Ausführungsform aus 10 sind im Gegensatz zu 3 der Speicherkondensator Cst und der Eingangskondensator Cpr nicht so angeordnet, dass sie einander vertikal überlagern.
  • Anders ausgedrückt ist in der Ausführungsform aus 10 die zweite leitfähige Gate-Schicht entfernt und somit sind die zweite Elektrode 122 für den Speicherkondensator Cst und die Überlagerungsschicht 126 für den zweiten Transistor T2 entfernt. Darüber hinaus ist auch der zweite Zwischenschicht-Isolierfilm 162 entfernt.
  • In der Ausführungsform aus 10 ist im Gegensatz zur Ausführungsform aus 3 in der ersten leitfähigen Datenschicht eine zweite Elektrode 122-1 für den Speicherkondensator Cst ausgebildet. Die Initialisierungsspannung VINIT wird an die zweite Elektrode 122-1 für den Speicherkondensator Cst angelegt. In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die zweite Elektrode 122-1 für den Speicherkondensator Cst einstückig mit einer Leitung (z. B. einer Initialisierungsspannungsleitung) zum Anlegen der Initialisierungsspannung VINIT ausgebildet sein.
  • In diesem Fall ist die zweite Elektrode 122-1 für den Speicherkondensator Cst auf derselben Schicht (z. B. der ersten leitfähigen Datenschicht) ausgebildet wie die zweite Elektrode 179 für den Eingangskondensator Cpr.
  • Die zweite Elektrode 122-1 für den Speicherkondensator Cst ist mit einem vierten Zwischenschicht-Isolierfilm 164 bedeckt.
  • Die erste Elektrode 171 des zweiten Transistors T2, die auf dem vierten Zwischenschicht-Isolierfilm 164 positioniert ist, weist einen Verlängerungsabschnitt 171-1 auf und der Verlängerungsabschnitt 171-1 überlagert die zweite Elektrode 122-1 für den Speicherkondensator Cst. Dementsprechend ist der Speicherkondensator Cst aus der Verlängerung 171-1, der zweiten Elektrode 122-1 für den Speicherkondensator Cst und dem dazwischen positionierten vierten Zwischenschicht-Isolierfilm 164 ausgebildet.
  • Als ein Ergebnis wird in der Ausführungsform aus 10 die Anzahl der bei der Herstellung verwendeten Masken durch Verringerung der Anzahl der verwendeten Schichten reduziert, aber der Bereich des Pixels wird im Vergleich zu 3 vergrößert.
  • Anders ausgedrückt, wenn Pixel einstückig ausgebildet sind, wie in 10 gezeigt, kann die Anzahl der Masken reduziert werden, um die Herstellungskosten und die Bearbeitungszeit zu reduzieren. Die vertikale Struktur zwischen den Öffnungen 181 und 301, wie in 5 gezeigt, ist in 10 enthalten und daher kann die Ausführungsform aus 10 einen verbesserten ppi-Wert im Vergleich zum Vergleichsbeispiel aus 6 aufweisen.
  • Die Ausführungsform aus 11 wird nachstehend beschrieben.
  • In 11 ist der zweite Transistor T2 über der Halbleiterschicht 130 des Antriebstransistors T1 positioniert, um den von dem Pixel eingenommenen Bereich zu minimieren.
    Anders ausgedrückt, wird unter Bezugnahme auf 11 der zweite Transistor T2, der in 3 auf der linken Seite positioniert ist, bei einer Position ausgebildet, welche die Halbleiterschicht 130 des Antriebstransistors T1 überlagert.
  • In diesem Fall sind in der Ausführungsform aus 11 die zweite Elektrode 173 des zweiten Transistors T2 und die zweite Elektrode 177 des Antriebstransistors T1 nicht durch die gepunktete Linie Bb elektrisch verbunden, sondern direkt einstückig ausgebildet.
  • In der Ausführungsform aus 11 überlagert mindestens ein Abschnitt des durch den zweiten Transistor T2 eingenommenen Bereichs den Bereich des Antriebstransistors T1, sodass die beiden Transistoren T1 und T2 ebenfalls eine vertikale Struktur (ebenfalls als eine vertikale Struktur eines Transistors bezeichnet) aufweisen. Als ein Ergebnis kann der durch das Pixel eingenommene Bereich der kleinste der veranschaulichten Ausführungsformen sein.
  • Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen aus 7 bis 11 wird die Oberseite des dritten Zwischenschicht-Isolierfilms 163 durch den CMP-Prozess planiert, wie in 3 gezeigt. Als ein Ergebnis können in den Ausführungsformen aus 7 bis 11 der Eingangskondensator Cpr, der an dem oberen Abschnitt des dritten Zwischenschicht-Isolierfilms 163 positioniert ist, und die organische Leuchtdiode OLED ohne eine Stufe ausgebildet sein.
  • Nachfolgend wird eine von 1 und 2 abweichende Ausführungsform unter Bezugnahme auf 12 und 13 beschrieben.
  • 12 veranschaulicht ein Ersatzschaltbild eines Pixels einer Anzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und 13 veranschaulicht ein Wellenformdiagramm eines Signals, das auf das Pixel aus 12 angewendet wird.
  • Im Gegensatz zu 1 und 2 ist in 12 und 13 der zweite Transistor T2 ein n-Typ-Transistor. Die Halbleiterschicht 135 des n-Typ-Transistors ist mit einer anderen Art von Dotierungsmaterial dotiert als derjenigen des p-Typ-Transistors und daher weist der n-Typ-Transistor eine Eigenschaft auf, durch eine hohe Spannung eingeschaltet zu werden. In der Ausführungsform aus 12 und 13 weist die Gate-Ein-Spannung des zweiten Transistors T2 einen hohen Spannungspegel auf.
  • Vergleicht man 2 und 13, so erkennt man, dass das Abtastsignal GW[n] aus 13 eine Spannung ausweist, die gegenüber dem Abtastsignal GW[n] aus 2 invertiert ist. Anders ausgedrückt, wenn das Abtastsignal GW[n] aus 2 eine hohe Spannung aufweist, weist das Abtastsignal GW[n] aus 13 eine niedrige Spannung auf, und wenn das Abtastsignal GW[n] aus 2 eine niedrige Spannung aufweist, weist das Abtastsignal GW[n] aus 13 eine hohe Spannung auf. Alle anderen Zeitpunkte sind gleich.
  • Ein Betrieb der Ausführungsform aus 12 und 13 ist im Wesentlichen derselbe wie derjenige der Ausführungsform aus 1 und 2.
  • In einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann auch der Typ des Antriebstransistors T1 auf einen anderen Typ geändert werden.
  • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung stellen eine Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung bereit, die einen durch ein Pixel eingenommenen Bereich verkleinern kann, um die Anzahl der Pixel pro Zoll (ppi) zu erhöhen und um die Auflösung zu erhöhen. Zum Beispiel können nur zwei Transistoren zum Antreiben einer OLED verwendet werden. Außerdem kann das Pixel mit einer vertikalen Struktur hergestellt werden, um den Bereich zu verringern und die Auflösung zu erhöhen. Darüber hinaus stellen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung eine Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung bereit, bei der einige in einem Pixel enthaltene Transistoren eine erhöhte Zuverlässigkeit aufweisen, während bei anderen Transistoren des Pixels ein Leckstrom eliminiert werden kann, wodurch die Anzeigequalität erhöht wird.
  • Dementsprechend kann eine Anzeigeeigenschaft durch die Verwendung eines Transistors mit einem Oxidhalbleiter stabilisiert werden.

Claims (23)

  1. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung, umfassend: eine organische Leuchtdiode, die eine Anodenelektrode beinhaltet; einen ersten Transistor (T1) zum Bereitstellen eines Stroms für die Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode (OLED); einen zweiten Transistor (T2) zum Übertragen einer Spannung an eine Gate-Elektrode (121) des ersten Transistors (T1); einen ersten Kondensator (Cst) zum Speichern der an die Gate-Elektrode (121) des ersten Transistors (T1) übertragenen Spannung; und einen zweiten Kondensator (Cpr), der zwischen einer ersten Elektrode (171) des zweiten Transistors (T2) und einer Datenleitung angeordnet ist, wobei die erste Elektrode (171) des zweiten Transistors (T2) direkt mit der Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode (OLED) verbunden ist.
  2. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der zweite Kondensator (Cpr) eine erste Elektrode, die mit der ersten Elektrode (171) des zweiten Transistors (T2) verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit der Datenleitung verbunden ist, beinhaltet, und die erste Elektrode des zweiten Kondensators (Cpr) mit der Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode (OLED) verbunden ist.
  3. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei der erste Kondensator (Cst) eine erste Elektrode, die mit der Gate-Elektrode (121) des ersten Transistors (T1) verbunden ist, und eine zweite Elektrode (122) zum Empfangen einer vorbestimmten Spannung beinhaltet.
  4. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei die vorbestimmte Spannung, die an der zweiten Elektrode (122) des Speicherkondensators (Cst) empfangen wird, eine Initialisierungsspannung (VINIT) ist.
  5. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der erste Transistor (T1) ferner eine erste Elektrode (175) zum Empfangen einer Antriebsspannung (ELVDD) und eine zweite Elektrode (177) beinhaltet, die mit der Anodenelektrode der organischen Leuchtdiode (OLED) verbunden ist.
  6. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei die zweite Elektrode (177) des ersten Transistors (T1) mit der Anodenelektrode, der ersten Elektrode des zweiten Kondensators (Cpr) und der ersten Elektrode (171) des zweiten Transistors (T2) verbunden ist.
  7. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei die organische Leuchtdiode ferner eine Kathodenelektrode (270) zum Empfangen einer Antriebsniederspannung (ELVSS) beinhaltet, und die Antriebsspannung (ELVDD) und die Antriebsniederspannung (ELVSS) in einer lichtemittierenden Periode eine hohe Spannung bzw. eine niedrige Spannung aufweisen.
  8. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung, umfassend: ein Substrat (110); eine polykristalline Halbleiterschicht (130), die auf dem Substrat (110) angeordnet ist; einen ersten Gate-Isolierfilm (141), der die polykristalline Halbleiterschicht (130) bedeckt; eine erste Gate-Elektrode (121), die auf dem ersten Gate-Isolierfilm (141) angeordnet ist und einen Abschnitt der polykristallinen Halbleiterschicht (130) überlagert; einen ersten Zwischenschicht-Isolierfilm (161), der die erste Gate-Elektrode (121) bedeckt; eine Oxidhalbleiterschicht (135), die auf dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm (161) angeordnet ist; einen zweiten Gate-Isolierfilm (142), der mindestens einen Abschnitt der Oxidhalbleiterschicht (135) bedeckt; eine zweite Gate-Elektrode (125), die auf dem zweiten Gate-Isolierfilm (142) angeordnet ist; einen dritten Zwischenschicht-Isolierfilm (163), der die zweite Gate-Elektrode (125) bedeckt; eine Elektrode eines ersten Kondensators (Cst), die auf dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm (163) angeordnet ist; einen vierten Zwischenschicht-Isolierfilm (164), der die Elektrode des ersten Kondensators (Cst) bedeckt; eine erste und zweite Elektrode (175, 177) für einen ersten Transistor (T1), die auf dem vierten Zwischenschicht-Isolierfilm (164) angeordnet und elektrisch mit einer ersten bzw. zweiten Region der polykristallinen Halbleiterschicht (130) verbunden sind; eine erste und zweite Elektrode (171, 173) für einen zweiten Transistor (T2), die auf dem vierten Zwischenschicht-Isolierfilm (164) angeordnet und elektrisch mit einer ersten bzw. zweiten Region der Oxidhalbleiterschicht (135) verbunden sind; einen Passivierungsfilm (180), der die erste und zweite Elektrode (175, 177) für den ersten Transistor (T1) und die erste und zweite Elektrode (171,173) für den zweiten Transistor (T2) bedeckt und eine erste Öffnung (181) aufweist, welche die zweite Elektrode (177) für den ersten Transistor (T1) freilegt; eine Anodenelektrode, die durch die erste Öffnung (181) mit der zweiten Elektrode (177) für den ersten Transistor (T1) verbunden ist; und eine Trennwand (300), die eine zweite Öffnung (301) beinhaltet, die einen Abschnitt der Anodenelektrode freilegt, wobei die erste Öffnung (181) und die zweite Öffnung (301) einander überlagern.
  9. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 8, wobei die erste Öffnung (181) in der zweiten Öffnung (301) angeordnet ist.
  10. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 oder 9, wobei die Elektrode für den ersten Kondensator (Cst) und die zweite Elektrode für den ersten Transistor (T1) einander überlagern, um den ersten Kondensator (Cst) auszubilden.
  11. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, ferner umfassend: eine Elektrode für einen zweiten Kondensator (Cpr), welche die erste Gate-Elektrode überlagert, wobei die erste Gate-Elektrode und die Elektrode für den zweiten Kondensator den zweiten Kondensator (Cpr) ausbilden.
  12. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei die zweite Elektrode für den zweiten Transistor (T2) elektrisch mit der zweiten Elektrode des ersten Transistors (T1) verbunden ist, und die erste Elektrode für den zweiten Transistor (T2) elektrisch mit der zweiten Elektrode des zweiten Kondensators (Cpr) verbunden ist.
  13. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 11 oder 12, wobei der erste Kondensator (Cst) und der zweiten Kondensator einander überlagern.
  14. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 11 bis 13, ferner umfassend: einen zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm (162), der die Elektrode für den zweiten Kondensator (Cpr) bedeckt, wobei die Elektrode für den zweiten Kondensator (Cpr) auf dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm (161) angeordnet ist.
  15. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14, ferner umfassend: eine Überlagerungsschicht für den zweiten Transistor (T2), welche die Oxidhalbleiterschicht (135) überlagert, wobei die Überlagerungsschicht für den zweiten Transistor (T2) auf dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm (161) angeordnet ist und durch den zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm (162) bedeckt wird.
  16. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 15, wobei eine Elektrode für den zweiten Kondensator (Cpr) auf dem dritten Zwischenschicht-Isolierfilm (163) angeordnet ist.
  17. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 16, ferner umfassend: eine Überlagerungsschicht, die zwischen dem Substrat und der polykristallinen Halbleiterschicht angeordnet ist.
  18. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 17, ferner umfassend: eine organische lichtemittierende Schicht (350), die in der zweiten Öffnung (301) der Trennwand angeordnet ist, eine Kathodenelektrode (270), welche die organische lichtemittierende Schicht und die Trennwand (300) bedeckt, und eine Verkapselungsschicht (400), welche die Kathodenelektrode (270) bedeckt.
  19. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 18, wobei der zweite Transistor (T2) die polykristalline Halbleiterschicht (130) des ersten Transistors (T1) überlagert.
  20. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 19, wobei eine obere Fläche des dritten Zwischenschicht-Isolierfilms (163) eben ist.
  21. Lichtemittierende Anzeigevorrichtung, umfassend: ein lichtemittierendes Element, das einen Eingangsanschluss beinhaltet; einem ersten Transistor (T1) zum Bereitstellen eines Stroms für den Eingangsanschluss des lichtemittierenden Elements; einen ersten Kondensator (Cst) zum Speichern einer Spannung; einen zweiten Transistor (T2) zum Verbinden des ersten Kondensators (Cst) mit dem ersten Transistor (T1), sodass die in dem ersten Kondensator (Cst) gespeicherte Spannung dem ersten Transistor (T1) bereitgestellt wird; und einen zweiten Kondensator (Cpr), der zwischen einer ersten Elektrode (171) des zweiten Transistors (T2) und einer Datenleitung angeordnet ist und direkt mit der ersten Elektrode (171) des zweiten Transistors (T1) und dem Eingangsanschluss des lichtemittierenden Elements verbunden ist.
  22. Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 21, wobei eine erste Elektrode des ersten Transistors (T1) mit einer Antriebsspannungsleitung verbunden ist und der zweite Kondensator (Cpr) direkt mit einem zweiten Anschluss des ersten Transistors (T1) verbunden ist.
  23. Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 21 oder 22, wobei der erste Transistor (T1) eine polykristalline Halbleiterschicht (130) beinhaltet und der zweite Transistor (T2) eine Oxidhalbleiterschicht (135) beinhaltet.
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