JP4860052B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、陽極および陰極の間にＥＬ（Electro Luminescence）が得られる発光性有機材料からなる薄膜（以下、有機ＥＬ膜という）を挟んだ素子（以下、ＥＬ素子という）を有する発光装置に関する。なお、有機ＥＬディスプレイや有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）は本発明の発光装置に含まれる。
【０００２】
また、本発明に用いることのできる発光性材料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励起を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべての発光性材料を含む。
【０００３】
【従来の技術】
有機ＥＬ膜を用いた発光装置が低い駆動電圧で発光することをイーストマン・コダック社が発表して以来、有機ＥＬ膜を用いた発光装置が注目されている。コダック社の発表では積層型の素子構造とすることで駆動電圧が低下することを特徴としており、各社は積層型の素子構造に関する研究開発を行ってきた。
【０００４】
有機ＥＬ膜は単独で発光層として用いる場合もあるが、通常は正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層もしくは電子注入層といった有機材料と組み合わせてＥＬ素子を形成する。このとき有機ＥＬ膜は高分子系（ポリマー系）の有機ＥＬ膜と低分子系（モノマー系）の有機ＥＬ膜がある。
【０００５】
なお、本明細書では、高分子系の有機材料を高分子膜と呼び、低分子系の有機材料を低分子膜と呼ぶ。従って、高分子系の有機ＥＬ膜は高分子膜であり、低分子系の有機ＥＬ膜は低分子膜である。
【０００６】
ここで本発明者らが実験したＥＬ素子の構造を図２に示す。図２において、基板２０１上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる陽極２０２が設けられ、その上にＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）からなる正孔注入層２０３、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）からなる発光層２０４、金属膜からなる陰極２０５が設けられている。
【０００７】
本発明者らが、試作した図２の構造のＥＬ素子を詳細に観察した結果、陰極２０５にピンホールや膜剥がれが多数観測された。そして、このようなピンホール等がＥＬ素子のダークスポット（黒点状の劣化部分）の原因となっていることが判明した。即ち、陰極２０５の成膜不良に起因するダークスポットが表示画質を著しく落としてしまっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、陰極２０５のピンホールや膜剥がれの原因が高分子膜からなる発光層２０４と金属膜からなる陰極２０５の密着性が悪いことに起因すると考えた。即ち、ＰＰＶのような高分子膜は表面が疎水性であるため、金属膜との密着性が悪く、陰極２０５を成膜した時点でピンホールや膜剥がれを生じていると考えたのである。
【０００９】
そこで本発明では、高分子膜を発光層もしくは電子輸送層として有するＥＬ素子において、金属膜からなる陰極を密着性良く成膜するための技術を提供することを課題とする。また、その技術を用いて表示画質の良好な発光装置を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、高分子膜の上に直接金属膜を成膜するのではなく、高分子膜の上に密着性を向上させるためのバッファとして低分子膜を設け、その上に金属膜を設けることで密着性を改善できると考えた。
【００１１】
即ち、発光層が高分子膜であれば、電子輸送層もしくは電子注入層として低分子膜を設け、その上に金属膜からなる陰極を設ければ良い。また、電子輸送層が高分子膜であれば、電子注入層として低分子膜を設け、その上に金属膜からなる陰極を設ければ良い。
【００１２】
ここで本発明のＥＬ素子の構造を図１に示す。図１において、１０１は絶縁体である、絶縁体とは、絶縁基板、表面に絶縁膜を設けた基板もしくは絶縁膜を指す。従って、アクティブマトリクス型発光装置において、半導体素子の上に設けられた層間絶縁膜の上にＥＬ素子を形成するような場合、層間絶縁膜が絶縁体に相当する。
【００１３】
また、１０２は陽極であり、発光層となる有機ＥＬ膜に正孔（ホール）を注入するための電極である。陽極１０２としては、酸化物導電膜（代表的には酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウムと酸化スズとの化合物または酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物からなる導電膜）を用いれば良い。
【００１４】
また、１０３は有機材料もしくは無機材料からなる正孔注入層であり、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）、ＰＡｎｉ（ポリアニリン）もしくはＭＴＤＡＴＡ（スターバストアミン）といった材料からなる薄膜を用いることができる。
【００１５】
また、１０４は高分子膜からなる発光層であり、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、ポリフルオレンといった公知の高分子系の有機ＥＬ膜を用いることができる。
【００１６】
また、１０５は低分子膜からなる電子輸送層であり、Ａｌｑ3（トリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体）、ＴＡＺ（1,2,4−トリアゾール）、ＴＰＯＢ（オキサジアゾール誘導体）、ＢｅＢｑ2（ベリリウム錯体）もしくはＰｙＳＰｙ（シロール誘導体）といった公知の有機材料を用いることができる。
【００１７】
なお、１０５は低分子膜からなる電子注入層であっても良いし、電子輸送層と電子注入層とを積層したものであっても良い。電子注入層としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化バリウム（ＢａＯ）もしくは酸化リチウム（ＬｉＯ）といった公知の無機材料を用いることもできる。
【００１８】
また、１０６は金属膜からなる陰極であり、典型的には周期表の１族もしくは２族に属する元素（アルカリ金属元素もしくはアルカリ土類金属元素）を含む金属膜を用いることができる。この場合、金属膜としてはアルミニウム膜、銅薄膜もしくは銀薄膜を用いれば良い。また、ビスマス（Ｂｉ）膜を用いても良い。
【００１９】
図１に示す構造としたＥＬ素子は、高分子膜からなる発光層１０４の上に低分子膜からなる電子輸送層１０５が設けられ、その上に金属膜からなる陰極１０６が形成されるため、陰極１０６の密着性は良いと考えられる。
【００２０】
以上のように、ＥＬ素子を本発明の素子構造とすることにより陰極の密着性が向上し、金属膜からなる陰極の膜剥がれ、ピンホールの発生等を防ぐことができる。ピンホールが発生すると、そこを通じて侵入した水分や酸素が有機ＥＬ膜と反応して有機ＥＬ膜を劣化させてしまう恐れがある。本発明は、そのような劣化原因を防ぐことで画質不良の少ない発光装置を得ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、以下に示す実施例をもって詳細に説明する。
【００２２】
【実施例】
〔実施例１〕
本発明者らは、実際に図３の構造のＥＬ素子を試作した。図３において、３０１はガラス基板、３０２はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる陽極、３０３はＰＥＤＯＴ膜からなる正孔注入層、３０４はＰＰＶ膜からなる発光層、３０５はＡｌｑ3膜からなる電子輸送層、３０６はリチウムを含むアルミニウム合金膜（Ａｌ−Ｌｉ合金膜）からなる陰極である。
【００２３】
図３に示した構造のＥＬ素子を実際に発光させて詳細に観察した結果、図２に示した従来構造のＥＬ素子よりもダークスポットが低減されていることを確認することができた。
【００２４】
〔実施例２〕
本実施例では、本発明をパッシブマトリクス型の発光装置に実施した場合について説明する。説明には図４を用いる。
【００２５】
まず、図４（Ａ）に示すように、表面に絶縁膜を設けた基板１１の上に酸化物導電膜からなる陽極１２を形成し、その上に隔壁１３を形成する。隔壁１３は酸化珪素膜からなる第１隔壁部１３a、樹脂膜からなる第２隔壁部１３bおよび窒化珪素膜からなる第３隔壁部１３cで形成される。
【００２６】
このとき、第１隔壁部１３aはフォトリソグラフィによりパターニングすれば良い。また、第２隔壁部１３bと第３隔壁部１３cの形状は、第２隔壁部１３bとなる樹脂膜と第３隔壁部１３cとなる樹脂膜とを同一形状にエッチングした後に、第３隔壁部１３cをマスクとして第２隔壁部１３bとなる樹脂膜を等方的にエッチングすることで得られる。
【００２７】
次に、陽極１２の表面にオゾン処理を行い、高分子膜からなる正孔注入層１４、高分子膜からなる発光層１５および低分子膜からなる電子輸送層１６を形成する。次にＡｌ−Ｌｉ合金膜を陰極１７として成膜する。そして、公知の封止過程を行ってパッシブマトリクス型の発光装置が完成する。
【００２８】
なお、本実施例は【課題を解決するための手段】、実施例１に記載された構成を組み合わせても良い。
【００２９】
〔実施例３〕
本実施例では、本発明をアクティブマトリクス型の発光装置に実施した場合について説明する。説明には図５を用いる。
【００３０】
まず、図５（Ａ）に示すように、表面に絶縁膜を設けた基板２１の上に公知の作製工程により薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）２２を形成する。次に、図５（Ｂ）に示すように、酸化物導電膜からなる陽極２３および酸化珪素膜からなる絶縁膜２４を形成する。
【００３１】
次に、陽極２３の表面にオゾン処理を行い、高分子膜からなる正孔注入層２５、高分子膜からなる発光層２６〜２８および低分子膜からなる電子輸送層２９を形成する。なお、発光層２６は赤色発色、発光層２７は青色発色、発光層２８は緑色発色に対応する。
【００３２】
次にＡｌ−Ｌｉ合金膜を陰極３０として成膜する。そして、公知の封止過程を行ってアクティブマトリクス型の発光装置が完成する。
【００３３】
なお、本実施例は【課題を解決するための手段】、実施例１に記載された構成を組み合わせても良い。
【００３４】
〔実施例４〕
本実施例では、本発明をアクティブマトリクス型の発光装置に実施した場合において、層間絶縁膜からの脱ガスを防ぐ構成を加えた構造について説明する。説明には図６を用いる。
【００３５】
まず、図６（Ａ）に示すように、表面に絶縁膜を設けた基板３１の上に公知の作製工程により薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）３２を形成する。本実施例では層間絶縁膜３３として樹脂膜（アクリル膜、ポリイミド膜、ポリアミド膜もしくはポリイミドアミド膜）を用いる。さらに、ＴＦＴ３２を形成したら、層間絶縁膜３３に対して第１のプラズマ処理を行う。
【００３６】
本実施例では、水素、窒素、炭化水素、ハロゲン化炭素、フッ化水素もしくは希ガス中でプラズマを形成し、このプラズマに層間絶縁膜３３を曝すことによりプラズマ処理を行う。
【００３７】
第１のプラズマ処理の結果、電極をマスクとして自己整合的に層間絶縁膜３３の最上面（表面から深さ５ｎｍの範囲を含む）が改質され、硬質化（緻密化）された樹脂層（以下、硬質層という）３４が形成される。こうして最上面が硬質化された樹脂からなる層間絶縁膜（樹脂膜３３および硬質層３４を含めたもの）が形成される。
【００３８】
まず、この第１のプラズマ処理によって層間絶縁膜３３からの脱ガスを防ぐことができる。
【００３９】
次に、図６（Ｂ）に示すように、酸化物導電膜からなる陽極（画素電極）３５および樹脂膜３６を形成する。樹脂膜３６は、陽極３５の縁を覆うように設けられ、陽極３５の縁以外の部分に開口部を有する。本実施例では、開口部を形成した後（即ち、樹脂膜がパターニングされた後）に、第２のプラズマ処理を行う。プラズマ処理の条件は第１のプラズマ処理と同様である。
【００４０】
第２のプラズマ処理の結果、樹脂膜３６の最上面（表面から深さ５ｎｍの範囲を含む）が改質され、硬質化（緻密化）された樹脂層３７が形成される。こうして最上面が硬質化された樹脂膜（樹脂膜３６および硬質層３７を含めたもの）が形成される。この第２のプラズマ処理によって樹脂膜３６からの脱ガスを防ぐことができる。
【００４１】
なお、陽極３５の縁を覆う絶縁膜として、樹脂膜の代わりに窒化珪素膜や酸化珪素膜等の無機物膜を用いることもできる。無機物膜を用いた場合、脱ガスの恐れはないので、第２のプラズマ処理を行う必要はない。
【００４２】
次に、陽極３５の表面にオゾン処理を行い、高分子膜からなる正孔注入層３８、高分子膜からなる発光層３９〜４１および低分子膜からなる電子輸送層４２を形成する。なお、発光層３９は赤色発色、発光層４０は青色発色、発光層４１は緑色発色に対応し、それぞれ印刷法により形成される。
【００４３】
次にＡｌ−Ｌｉ合金膜を陰極４３として成膜する。そして、公知の封止過程を行ってアクティブマトリクス型の発光装置が完成する。
【００４４】
なお、本実施例は【課題を解決するための手段】、実施例１に記載された構成を組み合わせても良い。
【００４５】
〔実施例５〕
本実施例では、本発明をアクティブマトリクス型の発光装置に実施した場合において、層間絶縁膜からの脱ガスを防ぐ構成を加えた構造について説明する。説明には図７を用いる。
【００４６】
まず、図７（Ａ）に示すように、表面に絶縁膜を設けた基板４１の上に公知の作製工程により薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）４２を形成する。本実施例では層間絶縁膜４３として樹脂膜（アクリル膜、ポリイミド膜、ポリアミド膜もしくはポリイミドアミド膜）を用いる。さらに、ＴＦＴ４２を形成したら、層間絶縁膜４３に対してプラズマ処理を行う。
【００４７】
本実施例では、水素、窒素、炭化水素、ハロゲン化炭素、フッ化水素もしくは希ガス中でプラズマを形成し、このプラズマに層間絶縁膜４３を曝すことによりプラズマ処理を行う。プラズマ処理の結果、電極をマスクとして自己整合的に層間絶縁膜４３の最上面（表面から深さ５ｎｍの範囲を含む）が改質され、硬質化（緻密化）された樹脂層（硬質層４４が形成される。こうして最上面が硬質化された樹脂からなる層間絶縁膜（樹脂膜４３および硬質層４４を含めたもの）が形成される。このプラズマ処理によって層間絶縁膜４３からの脱ガスを防ぐことができる。
【００４８】
次に、図７（Ｂ）に示すように、酸化物導電膜からなる陽極（画素電極）４５および樹脂膜４６を形成する。樹脂膜４６は、陽極４５の縁を覆うように設けられ、陽極４５の縁以外の部分に開口部を有する。本実施例では、開口部を形成した後（即ち、樹脂膜がパターニングされた後）に、保護膜（典型的には非晶質炭素膜もしくは窒化珪素膜）４７を形成する。
【００４９】
本実施例では、保護膜４７として非晶質炭素膜（具体的にはダイヤモンドライクカーボン膜）を用いる。本実施例で用いる非晶質炭素膜からなる保護膜４７は、ダイヤモンド類似の硬度を有した炭素膜であり、水分や酸素等の侵入を効果的に防ぐパッシベーション効果を有している。本実施例では、非晶質炭素膜４７をプラズマＣＶＤ法で形成した後、パターニングを行って陽極４５上に、前述の樹脂膜４６の開口部よりも径の小さい開口部を形成する。
【００５０】
図７（Ｂ）の構造とすることで、樹脂膜４６の最上面（表面）が保護膜４７で完全に覆われるため、樹脂膜４６からの脱ガスを防ぐことができる。非晶質炭素膜４７は５〜２０ｎｍの厚さで形成しておけば良い。
【００５１】
次に、陽極４５の表面にオゾン処理を行い、高分子膜からなる正孔注入層４８、高分子膜からなる発光層４９〜５１および低分子膜からなる電子輸送層５２を形成する。なお、発光層４９は赤色発色、発光層５０は青色発色、発光層５１は緑色発色に対応し、それぞれ印刷法により形成される。
【００５２】
次にＡｌ−Ｌｉ合金膜を陰極５３として成膜する。そして、公知の封止過程を行ってアクティブマトリクス型の発光装置が完成する。
【００５３】
なお、本実施例は【課題を解決するための手段】、実施例１に記載された構成を組み合わせても良い。また、本実施例では、層間絶縁膜４３の脱ガスを実施例４と同様の方法で防ぐ構成としたが、層間絶縁膜４３上に保護膜４７と同じパッシベーション効果を有する膜を設ける構成とすることもできる。
【００５４】
〔実施例６〕
実施例４では、層間絶縁膜３３に対して第１のプラズマ処理を行っているが、層間絶縁膜３３の最上面が露呈しない場合、即ち、その上に陽極３５および樹脂膜３６が設けられ、最上面が全て覆われている場合は、第１のプラズマ処理を省略することもできる。
【００５５】
また、実施例５では、層間絶縁膜４３に対してプラズマ処理を行っているが、層間絶縁膜４３の最上面が露呈しない場合、即ち、その上に陽極４５および樹脂膜４６が設けられ、最上面が全て覆われている場合は、プラズマ処理を省略することもできる。
【００５６】
なお、本実施例は【課題を解決するための手段】、実施例１、実施例４または実施例５に記載された構成を組み合わせても良い。
【００５７】
〔実施例７〕
本実施例では、本発明をアクティブマトリクス型の発光装置に実施した場合について説明する。実施例３乃至実施例５では、ＴＦＴとしてトップゲート型ＴＦＴ（具体的にはプレーナ型ＴＦＴ）を作製した例を示しているが、本実施例ではボトムゲート型ＴＦＴ（具体的には逆スタガ型ＴＦＴ）を用いる。
【００５８】
なお、その他の構成は実施例３乃至実施例６と同様であるので、本実施例での詳細な説明は省略する。
【００５９】
〔実施例８〕
本発明を実施して形成された発光装置は、自発光型であるため液晶表示装置に比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電気器具の表示部として用いることができる。
【００６０】
本発明の電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響機器、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍）、記録媒体を備えた画像再生装置などが挙げられる。それら電気器具の具体例を図８、図９に示す。
【００６１】
図８（Ａ）はＥＬディスプレイであり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３を含む。本発明の発光モジュールは表示部２００３に用いることができる。本発明の発光モジュールを表示部に用いることでＥＬディスプレイの視認性を向上させ、消費電力を下げることが可能である。
【００６２】
図８（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６を含む。本発明の発光モジュールは表示部２１０２に用いることができる。
【００６３】
図８（Ｃ）はデジタルカメラであり、本体２２０１、表示部２２０２、接眼部２２０３、操作スイッチ２２０４を含む。本発明の発光モジュールは表示部２２０２に用いることができる。
【００６４】
図８（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０１、記録媒体（ＣＤ、ＬＤまたはＤＶＤ等）２３０２、操作スイッチ２３０３、表示部（ａ）２３０４、表示部（ｂ）２３０５を含む。表示部（ａ）は主として画像情報を表示し、表示部（ｂ）は主として文字情報を表示するが、本発明の発光モジュールはこれら表示部（ａ）、（ｂ）に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には、ＣＤ再生装置、ゲーム機器なども含まれうる。
【００６５】
図８（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピュータであり、本体２４０１、表示部２４０２、受像部２４０３、操作スイッチ２４０４、メモリスロット２４０５を含む。本発明の発光モジュールは表示部２４０２に用いることができる。この携帯型コンピュータはフラッシュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を記録したり、それを再生したりすることができる。
【００６６】
図８（Ｆ）はパーソナルコンピュータであり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、キーボード２５０４を含む。本発明の発光モジュールは表示部２５０３に用いることができる。
【００６７】
また、上記電気器具はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。表示部にＥＬ素子を有した発光装置を用いた場合、ＥＬ素子の応答速度が非常に高いため遅れのない動画表示が可能となる。
【００６８】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響機器のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【００６９】
ここで図９（Ａ）は携帯電話であり、キー操作を行う部位（操作部）２６０１、情報表示を行う部位（情報表示部）２６０２であり、操作部２６０１および情報表示部２６０２は連結部２６０３で連結している。また、操作部２６０１には音声入力部２６０４、操作キー２６０５が設けられ、情報表示部２６０２には音声出力部２６０６、表示部２６０７が設けられている。
【００７０】
本発明の発光装置は表示部２６０７に用いることができる。なお、表示部２６０７に発光装置を用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【００７１】
図９（Ａ）に示した携帯電話の場合、表示部２６０７に用いた発光装置にＣＭＯＳ回路でセンサ（ＣＭＯＳセンサ）を内蔵させ、指紋もしくは手相を読みとることで使用者を認証する認証システム用端末として用いることもできる。また、外部の明るさ（照度）を読みとり、設定されたコントラストで情報表示が可能となるように発光させることもできる。
【００７２】
さらに、操作スイッチ２６０５を使用している時に輝度を下げ、操作スイッチの使用が終わったら輝度を上げることで低消費電力化することができる。また、着信した時に表示部２６０７の輝度を上げ、通話中は輝度を下げることによっても低消費電力化することができる。また、継続的に使用している場合に、リセットしない限り時間制御で表示がオフになるような機能を持たせることで低消費電力化を図ることもできる。なお、これらはマニュアル制御であっても良い。
【００７３】
また、図９（Ｂ）は車載用オーディオであり、筐体２７０１、表示部２７０２、操作スイッチ２７０３、２７０４を含む。本発明の発光装置は表示部２７０２に用いることができる。また、本実施例では音響機器の例として車載用オーディオ（カーオーディオ）を示すが、据え置き型のオーディオ（オーディオコンポーネント）に用いても良い。なお、表示部２７０４に発光装置を用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。
【００７４】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能である。また、本実施例の電気器具は実施例１〜７のいずれの構成を含む発光装置を用いても良い。
【００７５】
【発明の効果】
本発明を実施することで陰極の密着性を向上することができ、ダークスポットや膜剥がれに起因する画質不良の少ない発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のＥＬ素子の構造を示す図。
【図２】 従来のＥＬ素子の構造を示す図。
【図３】 本発明のＥＬ素子の構造を示す図。
【図４】 発光装置の製造方法を示す図。
【図５】 発光装置の製造方法を示す図。
【図６】 発光装置の製造方法を示す図。
【図７】 発光装置の製造方法を示す図。
【図８】 電気器具の一例を示す図。
【図９】 電気器具の一例を示す図。
【発明の属する技術分野】
本発明は、陽極および陰極の間にＥＬ（Electro Luminescence）が得られる発光性有機材料からなる薄膜（以下、有機ＥＬ膜という）を挟んだ素子（以下、ＥＬ素子という）を有する発光装置に関する。なお、有機ＥＬディスプレイや有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）は本発明の発光装置に含まれる。
【０００２】
また、本発明に用いることのできる発光性材料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励起を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべての発光性材料を含む。
【０００３】
【従来の技術】
有機ＥＬ膜を用いた発光装置が低い駆動電圧で発光することをイーストマン・コダック社が発表して以来、有機ＥＬ膜を用いた発光装置が注目されている。コダック社の発表では積層型の素子構造とすることで駆動電圧が低下することを特徴としており、各社は積層型の素子構造に関する研究開発を行ってきた。
【０００４】
有機ＥＬ膜は単独で発光層として用いる場合もあるが、通常は正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層もしくは電子注入層といった有機材料と組み合わせてＥＬ素子を形成する。このとき有機ＥＬ膜は高分子系（ポリマー系）の有機ＥＬ膜と低分子系（モノマー系）の有機ＥＬ膜がある。
【０００５】
なお、本明細書では、高分子系の有機材料を高分子膜と呼び、低分子系の有機材料を低分子膜と呼ぶ。従って、高分子系の有機ＥＬ膜は高分子膜であり、低分子系の有機ＥＬ膜は低分子膜である。
【０００６】
ここで本発明者らが実験したＥＬ素子の構造を図２に示す。図２において、基板２０１上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる陽極２０２が設けられ、その上にＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）からなる正孔注入層２０３、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）からなる発光層２０４、金属膜からなる陰極２０５が設けられている。
【０００７】
本発明者らが、試作した図２の構造のＥＬ素子を詳細に観察した結果、陰極２０５にピンホールや膜剥がれが多数観測された。そして、このようなピンホール等がＥＬ素子のダークスポット（黒点状の劣化部分）の原因となっていることが判明した。即ち、陰極２０５の成膜不良に起因するダークスポットが表示画質を著しく落としてしまっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、陰極２０５のピンホールや膜剥がれの原因が高分子膜からなる発光層２０４と金属膜からなる陰極２０５の密着性が悪いことに起因すると考えた。即ち、ＰＰＶのような高分子膜は表面が疎水性であるため、金属膜との密着性が悪く、陰極２０５を成膜した時点でピンホールや膜剥がれを生じていると考えたのである。
【０００９】
そこで本発明では、高分子膜を発光層もしくは電子輸送層として有するＥＬ素子において、金属膜からなる陰極を密着性良く成膜するための技術を提供することを課題とする。また、その技術を用いて表示画質の良好な発光装置を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、高分子膜の上に直接金属膜を成膜するのではなく、高分子膜の上に密着性を向上させるためのバッファとして低分子膜を設け、その上に金属膜を設けることで密着性を改善できると考えた。
【００１１】
即ち、発光層が高分子膜であれば、電子輸送層もしくは電子注入層として低分子膜を設け、その上に金属膜からなる陰極を設ければ良い。また、電子輸送層が高分子膜であれば、電子注入層として低分子膜を設け、その上に金属膜からなる陰極を設ければ良い。
【００１２】
ここで本発明のＥＬ素子の構造を図１に示す。図１において、１０１は絶縁体である、絶縁体とは、絶縁基板、表面に絶縁膜を設けた基板もしくは絶縁膜を指す。従って、アクティブマトリクス型発光装置において、半導体素子の上に設けられた層間絶縁膜の上にＥＬ素子を形成するような場合、層間絶縁膜が絶縁体に相当する。
【００１３】
また、１０２は陽極であり、発光層となる有機ＥＬ膜に正孔（ホール）を注入するための電極である。陽極１０２としては、酸化物導電膜（代表的には酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウムと酸化スズとの化合物または酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物からなる導電膜）を用いれば良い。
【００１４】
また、１０３は有機材料もしくは無機材料からなる正孔注入層であり、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）、ＰＡｎｉ（ポリアニリン）もしくはＭＴＤＡＴＡ（スターバストアミン）といった材料からなる薄膜を用いることができる。
【００１５】
また、１０４は高分子膜からなる発光層であり、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、ポリフルオレンといった公知の高分子系の有機ＥＬ膜を用いることができる。
【００１６】
また、１０５は低分子膜からなる電子輸送層であり、Ａｌｑ3（トリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体）、ＴＡＺ（1,2,4−トリアゾール）、ＴＰＯＢ（オキサジアゾール誘導体）、ＢｅＢｑ2（ベリリウム錯体）もしくはＰｙＳＰｙ（シロール誘導体）といった公知の有機材料を用いることができる。
【００１７】
なお、１０５は低分子膜からなる電子注入層であっても良いし、電子輸送層と電子注入層とを積層したものであっても良い。電子注入層としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化バリウム（ＢａＯ）もしくは酸化リチウム（ＬｉＯ）といった公知の無機材料を用いることもできる。
【００１８】
また、１０６は金属膜からなる陰極であり、典型的には周期表の１族もしくは２族に属する元素（アルカリ金属元素もしくはアルカリ土類金属元素）を含む金属膜を用いることができる。この場合、金属膜としてはアルミニウム膜、銅薄膜もしくは銀薄膜を用いれば良い。また、ビスマス（Ｂｉ）膜を用いても良い。
【００１９】
図１に示す構造としたＥＬ素子は、高分子膜からなる発光層１０４の上に低分子膜からなる電子輸送層１０５が設けられ、その上に金属膜からなる陰極１０６が形成されるため、陰極１０６の密着性は良いと考えられる。
【００２０】
以上のように、ＥＬ素子を本発明の素子構造とすることにより陰極の密着性が向上し、金属膜からなる陰極の膜剥がれ、ピンホールの発生等を防ぐことができる。ピンホールが発生すると、そこを通じて侵入した水分や酸素が有機ＥＬ膜と反応して有機ＥＬ膜を劣化させてしまう恐れがある。本発明は、そのような劣化原因を防ぐことで画質不良の少ない発光装置を得ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、以下に示す実施例をもって詳細に説明する。
【００２２】
【実施例】
〔実施例１〕
本発明者らは、実際に図３の構造のＥＬ素子を試作した。図３において、３０１はガラス基板、３０２はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる陽極、３０３はＰＥＤＯＴ膜からなる正孔注入層、３０４はＰＰＶ膜からなる発光層、３０５はＡｌｑ3膜からなる電子輸送層、３０６はリチウムを含むアルミニウム合金膜（Ａｌ−Ｌｉ合金膜）からなる陰極である。
【００２３】
図３に示した構造のＥＬ素子を実際に発光させて詳細に観察した結果、図２に示した従来構造のＥＬ素子よりもダークスポットが低減されていることを確認することができた。
【００２４】
〔実施例２〕
本実施例では、本発明をパッシブマトリクス型の発光装置に実施した場合について説明する。説明には図４を用いる。
【００２５】
まず、図４（Ａ）に示すように、表面に絶縁膜を設けた基板１１の上に酸化物導電膜からなる陽極１２を形成し、その上に隔壁１３を形成する。隔壁１３は酸化珪素膜からなる第１隔壁部１３a、樹脂膜からなる第２隔壁部１３bおよび窒化珪素膜からなる第３隔壁部１３cで形成される。
【００２６】
このとき、第１隔壁部１３aはフォトリソグラフィによりパターニングすれば良い。また、第２隔壁部１３bと第３隔壁部１３cの形状は、第２隔壁部１３bとなる樹脂膜と第３隔壁部１３cとなる樹脂膜とを同一形状にエッチングした後に、第３隔壁部１３cをマスクとして第２隔壁部１３bとなる樹脂膜を等方的にエッチングすることで得られる。
【００２７】
次に、陽極１２の表面にオゾン処理を行い、高分子膜からなる正孔注入層１４、高分子膜からなる発光層１５および低分子膜からなる電子輸送層１６を形成する。次にＡｌ−Ｌｉ合金膜を陰極１７として成膜する。そして、公知の封止過程を行ってパッシブマトリクス型の発光装置が完成する。
【００２８】
なお、本実施例は【課題を解決するための手段】、実施例１に記載された構成を組み合わせても良い。
【００２９】
〔実施例３〕
本実施例では、本発明をアクティブマトリクス型の発光装置に実施した場合について説明する。説明には図５を用いる。
【００３０】
まず、図５（Ａ）に示すように、表面に絶縁膜を設けた基板２１の上に公知の作製工程により薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）２２を形成する。次に、図５（Ｂ）に示すように、酸化物導電膜からなる陽極２３および酸化珪素膜からなる絶縁膜２４を形成する。
【００３１】
次に、陽極２３の表面にオゾン処理を行い、高分子膜からなる正孔注入層２５、高分子膜からなる発光層２６〜２８および低分子膜からなる電子輸送層２９を形成する。なお、発光層２６は赤色発色、発光層２７は青色発色、発光層２８は緑色発色に対応する。
【００３２】
次にＡｌ−Ｌｉ合金膜を陰極３０として成膜する。そして、公知の封止過程を行ってアクティブマトリクス型の発光装置が完成する。
【００３３】
なお、本実施例は【課題を解決するための手段】、実施例１に記載された構成を組み合わせても良い。
【００３４】
〔実施例４〕
本実施例では、本発明をアクティブマトリクス型の発光装置に実施した場合において、層間絶縁膜からの脱ガスを防ぐ構成を加えた構造について説明する。説明には図６を用いる。
【００３５】
まず、図６（Ａ）に示すように、表面に絶縁膜を設けた基板３１の上に公知の作製工程により薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）３２を形成する。本実施例では層間絶縁膜３３として樹脂膜（アクリル膜、ポリイミド膜、ポリアミド膜もしくはポリイミドアミド膜）を用いる。さらに、ＴＦＴ３２を形成したら、層間絶縁膜３３に対して第１のプラズマ処理を行う。
【００３６】
本実施例では、水素、窒素、炭化水素、ハロゲン化炭素、フッ化水素もしくは希ガス中でプラズマを形成し、このプラズマに層間絶縁膜３３を曝すことによりプラズマ処理を行う。
【００３７】
第１のプラズマ処理の結果、電極をマスクとして自己整合的に層間絶縁膜３３の最上面（表面から深さ５ｎｍの範囲を含む）が改質され、硬質化（緻密化）された樹脂層（以下、硬質層という）３４が形成される。こうして最上面が硬質化された樹脂からなる層間絶縁膜（樹脂膜３３および硬質層３４を含めたもの）が形成される。
【００３８】
まず、この第１のプラズマ処理によって層間絶縁膜３３からの脱ガスを防ぐことができる。
【００３９】
次に、図６（Ｂ）に示すように、酸化物導電膜からなる陽極（画素電極）３５および樹脂膜３６を形成する。樹脂膜３６は、陽極３５の縁を覆うように設けられ、陽極３５の縁以外の部分に開口部を有する。本実施例では、開口部を形成した後（即ち、樹脂膜がパターニングされた後）に、第２のプラズマ処理を行う。プラズマ処理の条件は第１のプラズマ処理と同様である。
【００４０】
第２のプラズマ処理の結果、樹脂膜３６の最上面（表面から深さ５ｎｍの範囲を含む）が改質され、硬質化（緻密化）された樹脂層３７が形成される。こうして最上面が硬質化された樹脂膜（樹脂膜３６および硬質層３７を含めたもの）が形成される。この第２のプラズマ処理によって樹脂膜３６からの脱ガスを防ぐことができる。
【００４１】
なお、陽極３５の縁を覆う絶縁膜として、樹脂膜の代わりに窒化珪素膜や酸化珪素膜等の無機物膜を用いることもできる。無機物膜を用いた場合、脱ガスの恐れはないので、第２のプラズマ処理を行う必要はない。
【００４２】
次に、陽極３５の表面にオゾン処理を行い、高分子膜からなる正孔注入層３８、高分子膜からなる発光層３９〜４１および低分子膜からなる電子輸送層４２を形成する。なお、発光層３９は赤色発色、発光層４０は青色発色、発光層４１は緑色発色に対応し、それぞれ印刷法により形成される。
【００４３】
次にＡｌ−Ｌｉ合金膜を陰極４３として成膜する。そして、公知の封止過程を行ってアクティブマトリクス型の発光装置が完成する。
【００４４】
なお、本実施例は【課題を解決するための手段】、実施例１に記載された構成を組み合わせても良い。
【００４５】
〔実施例５〕
本実施例では、本発明をアクティブマトリクス型の発光装置に実施した場合において、層間絶縁膜からの脱ガスを防ぐ構成を加えた構造について説明する。説明には図７を用いる。
【００４６】
まず、図７（Ａ）に示すように、表面に絶縁膜を設けた基板４１の上に公知の作製工程により薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）４２を形成する。本実施例では層間絶縁膜４３として樹脂膜（アクリル膜、ポリイミド膜、ポリアミド膜もしくはポリイミドアミド膜）を用いる。さらに、ＴＦＴ４２を形成したら、層間絶縁膜４３に対してプラズマ処理を行う。
【００４７】
本実施例では、水素、窒素、炭化水素、ハロゲン化炭素、フッ化水素もしくは希ガス中でプラズマを形成し、このプラズマに層間絶縁膜４３を曝すことによりプラズマ処理を行う。プラズマ処理の結果、電極をマスクとして自己整合的に層間絶縁膜４３の最上面（表面から深さ５ｎｍの範囲を含む）が改質され、硬質化（緻密化）された樹脂層（硬質層４４が形成される。こうして最上面が硬質化された樹脂からなる層間絶縁膜（樹脂膜４３および硬質層４４を含めたもの）が形成される。このプラズマ処理によって層間絶縁膜４３からの脱ガスを防ぐことができる。
【００４８】
次に、図７（Ｂ）に示すように、酸化物導電膜からなる陽極（画素電極）４５および樹脂膜４６を形成する。樹脂膜４６は、陽極４５の縁を覆うように設けられ、陽極４５の縁以外の部分に開口部を有する。本実施例では、開口部を形成した後（即ち、樹脂膜がパターニングされた後）に、保護膜（典型的には非晶質炭素膜もしくは窒化珪素膜）４７を形成する。
【００４９】
本実施例では、保護膜４７として非晶質炭素膜（具体的にはダイヤモンドライクカーボン膜）を用いる。本実施例で用いる非晶質炭素膜からなる保護膜４７は、ダイヤモンド類似の硬度を有した炭素膜であり、水分や酸素等の侵入を効果的に防ぐパッシベーション効果を有している。本実施例では、非晶質炭素膜４７をプラズマＣＶＤ法で形成した後、パターニングを行って陽極４５上に、前述の樹脂膜４６の開口部よりも径の小さい開口部を形成する。
【００５０】
図７（Ｂ）の構造とすることで、樹脂膜４６の最上面（表面）が保護膜４７で完全に覆われるため、樹脂膜４６からの脱ガスを防ぐことができる。非晶質炭素膜４７は５〜２０ｎｍの厚さで形成しておけば良い。
【００５１】
次に、陽極４５の表面にオゾン処理を行い、高分子膜からなる正孔注入層４８、高分子膜からなる発光層４９〜５１および低分子膜からなる電子輸送層５２を形成する。なお、発光層４９は赤色発色、発光層５０は青色発色、発光層５１は緑色発色に対応し、それぞれ印刷法により形成される。
【００５２】
次にＡｌ−Ｌｉ合金膜を陰極５３として成膜する。そして、公知の封止過程を行ってアクティブマトリクス型の発光装置が完成する。
【００５３】
なお、本実施例は【課題を解決するための手段】、実施例１に記載された構成を組み合わせても良い。また、本実施例では、層間絶縁膜４３の脱ガスを実施例４と同様の方法で防ぐ構成としたが、層間絶縁膜４３上に保護膜４７と同じパッシベーション効果を有する膜を設ける構成とすることもできる。
【００５４】
〔実施例６〕
実施例４では、層間絶縁膜３３に対して第１のプラズマ処理を行っているが、層間絶縁膜３３の最上面が露呈しない場合、即ち、その上に陽極３５および樹脂膜３６が設けられ、最上面が全て覆われている場合は、第１のプラズマ処理を省略することもできる。
【００５５】
また、実施例５では、層間絶縁膜４３に対してプラズマ処理を行っているが、層間絶縁膜４３の最上面が露呈しない場合、即ち、その上に陽極４５および樹脂膜４６が設けられ、最上面が全て覆われている場合は、プラズマ処理を省略することもできる。
【００５６】
なお、本実施例は【課題を解決するための手段】、実施例１、実施例４または実施例５に記載された構成を組み合わせても良い。
【００５７】
〔実施例７〕
本実施例では、本発明をアクティブマトリクス型の発光装置に実施した場合について説明する。実施例３乃至実施例５では、ＴＦＴとしてトップゲート型ＴＦＴ（具体的にはプレーナ型ＴＦＴ）を作製した例を示しているが、本実施例ではボトムゲート型ＴＦＴ（具体的には逆スタガ型ＴＦＴ）を用いる。
【００５８】
なお、その他の構成は実施例３乃至実施例６と同様であるので、本実施例での詳細な説明は省略する。
【００５９】
〔実施例８〕
本発明を実施して形成された発光装置は、自発光型であるため液晶表示装置に比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電気器具の表示部として用いることができる。
【００６０】
本発明の電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響機器、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍）、記録媒体を備えた画像再生装置などが挙げられる。それら電気器具の具体例を図８、図９に示す。
【００６１】
図８（Ａ）はＥＬディスプレイであり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３を含む。本発明の発光モジュールは表示部２００３に用いることができる。本発明の発光モジュールを表示部に用いることでＥＬディスプレイの視認性を向上させ、消費電力を下げることが可能である。
【００６２】
図８（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６を含む。本発明の発光モジュールは表示部２１０２に用いることができる。
【００６３】
図８（Ｃ）はデジタルカメラであり、本体２２０１、表示部２２０２、接眼部２２０３、操作スイッチ２２０４を含む。本発明の発光モジュールは表示部２２０２に用いることができる。
【００６４】
図８（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０１、記録媒体（ＣＤ、ＬＤまたはＤＶＤ等）２３０２、操作スイッチ２３０３、表示部（ａ）２３０４、表示部（ｂ）２３０５を含む。表示部（ａ）は主として画像情報を表示し、表示部（ｂ）は主として文字情報を表示するが、本発明の発光モジュールはこれら表示部（ａ）、（ｂ）に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には、ＣＤ再生装置、ゲーム機器なども含まれうる。
【００６５】
図８（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピュータであり、本体２４０１、表示部２４０２、受像部２４０３、操作スイッチ２４０４、メモリスロット２４０５を含む。本発明の発光モジュールは表示部２４０２に用いることができる。この携帯型コンピュータはフラッシュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を記録したり、それを再生したりすることができる。
【００６６】
図８（Ｆ）はパーソナルコンピュータであり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、キーボード２５０４を含む。本発明の発光モジュールは表示部２５０３に用いることができる。
【００６７】
また、上記電気器具はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。表示部にＥＬ素子を有した発光装置を用いた場合、ＥＬ素子の応答速度が非常に高いため遅れのない動画表示が可能となる。
【００６８】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響機器のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【００６９】
ここで図９（Ａ）は携帯電話であり、キー操作を行う部位（操作部）２６０１、情報表示を行う部位（情報表示部）２６０２であり、操作部２６０１および情報表示部２６０２は連結部２６０３で連結している。また、操作部２６０１には音声入力部２６０４、操作キー２６０５が設けられ、情報表示部２６０２には音声出力部２６０６、表示部２６０７が設けられている。
【００７０】
本発明の発光装置は表示部２６０７に用いることができる。なお、表示部２６０７に発光装置を用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【００７１】
図９（Ａ）に示した携帯電話の場合、表示部２６０７に用いた発光装置にＣＭＯＳ回路でセンサ（ＣＭＯＳセンサ）を内蔵させ、指紋もしくは手相を読みとることで使用者を認証する認証システム用端末として用いることもできる。また、外部の明るさ（照度）を読みとり、設定されたコントラストで情報表示が可能となるように発光させることもできる。
【００７２】
さらに、操作スイッチ２６０５を使用している時に輝度を下げ、操作スイッチの使用が終わったら輝度を上げることで低消費電力化することができる。また、着信した時に表示部２６０７の輝度を上げ、通話中は輝度を下げることによっても低消費電力化することができる。また、継続的に使用している場合に、リセットしない限り時間制御で表示がオフになるような機能を持たせることで低消費電力化を図ることもできる。なお、これらはマニュアル制御であっても良い。
【００７３】
また、図９（Ｂ）は車載用オーディオであり、筐体２７０１、表示部２７０２、操作スイッチ２７０３、２７０４を含む。本発明の発光装置は表示部２７０２に用いることができる。また、本実施例では音響機器の例として車載用オーディオ（カーオーディオ）を示すが、据え置き型のオーディオ（オーディオコンポーネント）に用いても良い。なお、表示部２７０４に発光装置を用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。
【００７４】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能である。また、本実施例の電気器具は実施例１〜７のいずれの構成を含む発光装置を用いても良い。
【００７５】
【発明の効果】
本発明を実施することで陰極の密着性を向上することができ、ダークスポットや膜剥がれに起因する画質不良の少ない発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のＥＬ素子の構造を示す図。
【図２】 従来のＥＬ素子の構造を示す図。
【図３】 本発明のＥＬ素子の構造を示す図。
【図４】 発光装置の製造方法を示す図。
【図５】 発光装置の製造方法を示す図。
【図６】 発光装置の製造方法を示す図。
【図７】 発光装置の製造方法を示す図。
【図８】 電気器具の一例を示す図。
【図９】 電気器具の一例を示す図。
Claims (6)
- 薄膜トランジスタと、
水素、窒素または炭化水素中のプラズマ処理により上面が硬質化された樹脂からなる、前記薄膜トランジスタ上の層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された陽極と、
前記陽極の端部を覆う樹脂膜と、
前記樹脂膜を覆い、かつ、前記陽極上に一部延在して設けられた保護膜と、
前記陽極上に設けられた有機材料からなる高分子膜と、
前記高分子膜に接して設けられた有機材料からなる低分子膜またはフッ化リチウム、酸化バリウムもしくは酸化リチウムでなる無機膜と、
前記低分子膜または前記無機膜に接して設けられた陰極とを有することを特徴とする発光装置。 - 薄膜トランジスタと、
水素、窒素または炭化水素中のプラズマ処理により上面が硬質化された樹脂からなる、前記薄膜トランジスタ上の層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された陽極と、
水素、窒素または炭化水素中のプラズマ処理により上面が硬質化された樹脂からなる、前記陽極の端部を覆う樹脂膜と、
前記陽極上に設けられた有機材料からなる高分子膜と、
前記高分子膜に接して設けられた有機材料からなる低分子膜またはフッ化リチウム、酸化バリウムもしくは酸化リチウムでなる無機膜と、
前記低分子膜または前記無機膜に接して設けられた陰極とを有することを特徴とする発光装置。 - 請求項１において、前記保護膜は非晶質炭素膜であることを特徴とする発光装置。
- 請求項１において、前記保護膜は窒化珪素膜であることを特徴とする発光装置。
- 請求項１乃至４のいずれか一において、前記高分子膜を設ける前に前記陽極の表面にオゾン処理が行われることを特徴とする発光装置。
- 請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とする電気器具。
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