DE69728715D1 - Treiberschaltung für eine Halbleitervorrichtung - Google Patents

Treiberschaltung für eine Halbleitervorrichtung

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Families Citing this family (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3383570B2 (ja) * 1998-03-10 2003-03-04 株式会社東芝 電圧駆動型電力素子の駆動装置
JP3447949B2 (ja) * 1998-03-31 2003-09-16 株式会社東芝 絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路、電力変換装置
JP3769932B2 (ja) * 1998-04-20 2006-04-26 株式会社明電舎 スイッチング素子のゲート駆動回路
JP3650264B2 (ja) * 1998-05-11 2005-05-18 三菱電機株式会社 半導体素子の駆動回路
JP3743168B2 (ja) * 1998-07-15 2006-02-08 株式会社明電舎 スイッチング制御回路
JP3432425B2 (ja) * 1998-08-05 2003-08-04 株式会社東芝 ゲート回路
SE516083C2 (sv) * 1998-08-12 2001-11-12 Bombardier Transp Gmbh Anordning för styrning av spännings-laddningsstyrda krafthalvledarelement
JP4158285B2 (ja) * 1998-08-28 2008-10-01 株式会社デンソー 電気負荷の駆動装置
JP2000232347A (ja) * 1999-02-08 2000-08-22 Toshiba Corp ゲート回路及びゲート回路制御方法
JP2000270539A (ja) * 1999-03-15 2000-09-29 Toyo Electric Mfg Co Ltd 電力変換装置
US6320348B1 (en) * 1999-06-14 2001-11-20 Andrew S. Kadah Time rate of change motor start circuit
JP3664061B2 (ja) * 1999-12-28 2005-06-22 日産自動車株式会社 電流制御型半導体素子用駆動回路
JP3752943B2 (ja) * 2000-01-31 2006-03-08 株式会社日立製作所 半導体素子の駆動装置及びその制御方法
IL134628A0 (en) * 2000-02-20 2001-04-30 Elisra Electronic Systems Ltd Electronic circuit breaker
US6246555B1 (en) * 2000-09-06 2001-06-12 Prominenet Communications Inc. Transient current and voltage protection of a voltage regulator
US6459324B1 (en) * 2000-10-23 2002-10-01 International Rectifier Corporation Gate drive circuit with feedback-controlled active resistance
US7925967B2 (en) 2000-11-21 2011-04-12 Aol Inc. Metadata quality improvement
DE10100716B4 (de) * 2001-01-10 2005-05-19 Conti Temic Microelectronic Gmbh Verfahren zum Betrieb eines ohmsch-induktiven Bauteils
JP3842061B2 (ja) * 2001-03-26 2006-11-08 矢崎総業株式会社 負荷駆動装置
JP3788926B2 (ja) * 2001-10-19 2006-06-21 三菱電機株式会社 半導体装置及びトランジスタの駆動方法
JP3886876B2 (ja) * 2002-01-17 2007-02-28 三菱電機株式会社 電力用半導体素子の駆動回路
JP3979096B2 (ja) * 2002-01-22 2007-09-19 株式会社日立製作所 半導体素子の駆動装置ならびにそれを用いた電力変換装置
JP2003304686A (ja) * 2002-04-05 2003-10-24 Yutaka Denki Seisakusho:Kk スイッチング電源回路
JP4081604B2 (ja) * 2002-06-26 2008-04-30 株式会社豊田自動織機 スイッチング素子の駆動装置
JP4081603B2 (ja) * 2002-06-26 2008-04-30 株式会社豊田自動織機 スイッチング素子の駆動装置
JP2004088892A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Toshiba Corp 絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路
US6791394B2 (en) * 2002-10-10 2004-09-14 Lattice Semiconductor Corporation Power supply control circuits
US7161342B2 (en) 2002-10-25 2007-01-09 Marvell World Trade Ltd. Low loss DC/DC converter
JP4088883B2 (ja) * 2003-01-30 2008-05-21 株式会社ジェイテクト 負荷駆動装置
JP4161737B2 (ja) * 2003-02-20 2008-10-08 株式会社日立製作所 半導体装置の駆動方法および装置
JP2005045590A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP4300352B2 (ja) * 2003-10-06 2009-07-22 日産自動車株式会社 モーター駆動制御装置
US7061301B2 (en) * 2003-12-19 2006-06-13 Power Integrations, Inc. Method and apparatus switching a semiconductor switch with a multi-state drive circuit
GB2410630A (en) * 2004-01-28 2005-08-03 Bombardier Transp Gmbh A driver providing slow turn-off for unsaturated IGBT switches
JP2005253183A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Mitsubishi Electric Corp 車両用電力変換装置
JP2005312117A (ja) * 2004-04-19 2005-11-04 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
JP4586450B2 (ja) * 2004-07-30 2010-11-24 東京電力株式会社 電力スイッチング回路、電力変換装置及び電力用半導体スイッチング素子の駆動方法
JP4619812B2 (ja) * 2005-02-16 2011-01-26 株式会社東芝 ゲート駆動回路
JP2006353093A (ja) * 2005-02-17 2006-12-28 Hitachi Ltd 半導体素子の制御方法
JP2006340579A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp 絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路
EP1755221B1 (de) * 2005-08-17 2009-12-09 Infineon Technologies AG Verfahren und Treiberschaltung für die Steuerung eines MOS Leistungshalbleiters
DE602006003564D1 (de) 2006-07-05 2008-12-18 Infineon Technologies Ag MOS-Transistorschaltung mit gesteuerter Anstiegszeit
JP4349398B2 (ja) * 2006-09-05 2009-10-21 トヨタ自動車株式会社 スイッチング素子駆動装置及びスイッチング素子駆動方法
JP4573843B2 (ja) * 2007-01-18 2010-11-04 株式会社豊田中央研究所 電力用半導体素子の駆動回路
FI120812B (fi) 2007-04-30 2010-03-15 Vacon Oyj Tehopuolijohdekytkimen ohjaus
US7812647B2 (en) * 2007-05-21 2010-10-12 Advanced Analogic Technologies, Inc. MOSFET gate drive with reduced power loss
JP2008306618A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Nissan Motor Co Ltd 電圧駆動型素子を駆動するための駆動回路
JPWO2008155917A1 (ja) 2007-06-19 2010-08-26 パナソニック株式会社 スイッチング素子駆動回路
JP5138287B2 (ja) * 2007-06-27 2013-02-06 三菱電機株式会社 ゲート駆動装置
JP4333802B1 (ja) * 2008-03-18 2009-09-16 トヨタ自動車株式会社 インバータの駆動装置
KR101313498B1 (ko) * 2008-08-21 2013-10-01 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 전력용 반도체 소자의 구동 회로
DE112009004262B4 (de) * 2008-12-26 2015-07-30 Advantest Corporation Schaltvorrichtung
JP5129208B2 (ja) * 2009-07-28 2013-01-30 Tdkラムダ株式会社 スイッチング電源装置
KR101449083B1 (ko) 2010-05-06 2014-10-13 엘에스산전 주식회사 스위칭 게이트 드라이브
JP2012160287A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Sharp Corp 発光ダイオード点灯回路
JP5834462B2 (ja) * 2011-04-21 2015-12-24 株式会社デンソー 負荷駆動装置
JP5387691B2 (ja) 2011-06-02 2014-01-15 トヨタ自動車株式会社 電圧駆動型素子を駆動する駆動装置
GB2505135B (en) * 2011-06-09 2017-12-20 Mitsubishi Electric Corp Gate drive circuit
KR20130011812A (ko) * 2011-07-22 2013-01-30 엘에스산전 주식회사 Igbt 구동 방법
WO2013038775A1 (ja) * 2011-09-13 2013-03-21 三菱電機株式会社 電力用半導体素子のゲート駆動回路、および電力用半導体素子の駆動方法
PL2774260T3 (pl) * 2011-11-03 2016-01-29 Arcelik As Kuchenka indukcyjna
EP2774453B1 (de) * 2011-11-03 2015-08-05 Arçelik Anonim Sirketi Induktionsherd
JP5838770B2 (ja) * 2011-12-02 2016-01-06 アイシン精機株式会社 パワースイッチング素子の駆動装置
JP5927739B2 (ja) * 2011-12-14 2016-06-01 富士電機株式会社 半導体装置
US20130187684A1 (en) * 2012-01-25 2013-07-25 Raytheon Company Fast gate driver for silicon carbide junction field-effect (jfet) switching devices
JP5545308B2 (ja) 2012-02-28 2014-07-09 株式会社豊田中央研究所 駆動回路
JP5881477B2 (ja) * 2012-03-06 2016-03-09 三菱電機株式会社 スイッチング素子駆動回路
WO2013138219A1 (en) * 2012-03-12 2013-09-19 Board Of Trustees Of Michigan State University High efficiency gate drive circuit for power transistors
US9071152B2 (en) 2012-07-03 2015-06-30 Cognipower, Llc Power converter with demand pulse isolation
GB2508129B (en) * 2012-09-19 2020-02-26 Nidec Control Techniques Ltd Semiconductor device driving unit
US20140103962A1 (en) * 2012-10-11 2014-04-17 Sl3J Systems S.A.R.L. High-speed gate driver for power switches with reduced voltage ringing
KR101723358B1 (ko) 2012-12-21 2017-04-05 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 스위칭 소자 구동 회로, 파워 모듈 및 자동차
JP5741605B2 (ja) * 2013-02-04 2015-07-01 株式会社デンソー 電子装置
JP6187904B2 (ja) * 2013-06-11 2017-08-30 ローム株式会社 電子回路
JP6255766B2 (ja) * 2013-07-23 2018-01-10 日新電機株式会社 ゲート駆動回路
JP2015065742A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 トヨタ自動車株式会社 インバータ制御装置およびインバータ装置の制御方法
EP3079245B1 (de) * 2013-12-03 2017-08-30 Ingeteam Power Technology, S.A. Steuerungssystem und verfahren zur steuerung einer in einen elektronischen wandler integrierten schaltvorrichtung und schaltzelle mit diesem system
JP6349897B2 (ja) 2014-04-11 2018-07-04 株式会社デンソー 駆動回路のタイミング調整方法及び駆動回路のタイミング調整回路
DE102014214260B4 (de) * 2014-04-24 2023-03-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Schalten eines halbleiterbasierten Schalters und Sensor zur Erfassung einer Stromänderungsgeschwindigkeit an einem halbleiterbasierten Schalter
JP5931116B2 (ja) * 2014-04-28 2016-06-08 三菱電機株式会社 ゲート駆動回路
JP5791758B1 (ja) * 2014-05-15 2015-10-07 三菱電機株式会社 ゲート駆動回路
JP6294970B2 (ja) 2014-08-25 2018-03-14 株式会社日立製作所 駆動回路、電力変換装置、およびモータシステム
JP6223938B2 (ja) * 2014-09-19 2017-11-01 株式会社東芝 ゲート制御装置、半導体装置、及び半導体装置の制御方法
US9473142B2 (en) * 2014-12-12 2016-10-18 Mediatek Inc. Method for performing signal driving control in an electronic device with aid of driving control signals, and associated apparatus
DE202015000393U1 (de) 2015-01-19 2015-01-28 Vacon Oyi Steuerung eines Leistungshalbleiterschalters
CN105991004B (zh) * 2015-01-30 2019-06-11 台达电子工业股份有限公司 变换器系统、半导体开关驱动电路及方法
DE102015223465A1 (de) * 2015-11-26 2017-06-01 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung zur temperaturabhängigen Ansteuerung eines Schaltelementes
JP6725328B2 (ja) * 2016-06-09 2020-07-15 株式会社東芝 ゲート駆動回路
WO2018033989A1 (ja) * 2016-08-18 2018-02-22 三菱電機株式会社 電力変換装置の保護装置、エレベータの制御装置
EP3309964A1 (de) * 2016-10-14 2018-04-18 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zur schaltzustandserkennung eines spannungsgesteuerten halbleiterschaltelements
JP6804314B2 (ja) * 2017-01-23 2020-12-23 三菱電機株式会社 電池遮断回路
US10672549B2 (en) * 2017-07-19 2020-06-02 Hamilton Sunstrand Corporation Solenoid diagnostics digital interface
WO2019054078A1 (ja) * 2017-09-15 2019-03-21 富士電機株式会社 パワーモジュール、逆導通igbt、及びドライブ回路
WO2019130577A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 新電元工業株式会社 半導体スイッチ制御回路及びスイッチング電源装置
US10554206B2 (en) 2018-02-27 2020-02-04 Cognipower, Llc Trigger circuitry for fast, low-power state transitions
US10892755B2 (en) 2018-02-27 2021-01-12 Cognipower, Llc Driver circuitry for fast, efficient state transitions
DE102018211841B4 (de) 2018-07-17 2020-02-06 Robert Bosch Gmbh Treiberschaltung zur Schaltflankenmodulation eines Leistungsschalters
US10651723B1 (en) * 2018-10-22 2020-05-12 Infineon Technologies Austria Ag Method for static gate clamping in multi-output gate driver systems
JP7087913B2 (ja) * 2018-10-25 2022-06-21 株式会社デンソー スイッチの駆動回路
JP6989035B2 (ja) * 2019-01-10 2022-01-05 富士電機株式会社 ゲート駆動装置、スイッチング装置
JP7238646B2 (ja) * 2019-07-08 2023-03-14 三菱電機株式会社 駆動回路及び半導体モジュール
US10790818B1 (en) * 2019-09-27 2020-09-29 Infineon Technologies Austria Ag Slew rate control by adaptation of the gate drive voltage of a power transistor
CN110729880B (zh) * 2019-11-18 2021-06-11 阳光电源股份有限公司 电力变换装置的驱动电路及其应用装置
CN113078888B (zh) * 2020-01-06 2024-04-19 达尔科技股份有限公司 栅极驱动设备和控制方法
US11101796B2 (en) * 2020-01-06 2021-08-24 Diodes Incorporated Gate drive apparatus and control method
JP7443795B2 (ja) * 2020-02-03 2024-03-06 富士電機株式会社 ゲート駆動装置およびスイッチング装置
TWI706616B (zh) * 2020-02-12 2020-10-01 新唐科技股份有限公司 電源突波偵測電路
CN111245412A (zh) * 2020-03-09 2020-06-05 珠海格力电器股份有限公司 开关器件控制电路及其控制方法
JP7296331B2 (ja) * 2020-03-18 2023-06-22 株式会社 日立パワーデバイス ゲート駆動装置およびゲート駆動方法、パワー半導体モジュール、並びに電力変換装置
JP7287337B2 (ja) * 2020-04-28 2023-06-06 株式会社デンソー スイッチの駆動回路
CN112636733A (zh) * 2020-12-07 2021-04-09 珠海格力电器股份有限公司 Igbt驱动电路及电力转换设备
TW202425509A (zh) 2022-12-14 2024-06-16 立積電子股份有限公司 開關裝置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US34107A (en) * 1862-01-07 Improved washsng-machine
DE3230079C2 (de) * 1982-08-10 1986-05-15 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Steueranordnung für im Schaltbetrieb arbeitende pulsgesteuerte parallelgeschaltete Feldeffekttransistoren
US5055721A (en) * 1989-04-13 1991-10-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Drive circuit for igbt device
JPH03169273A (ja) * 1989-11-22 1991-07-22 Mitsubishi Electric Corp スイッチングデバイス駆動回路
DE4131783C1 (de) * 1991-09-24 1993-02-04 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
JP3287009B2 (ja) * 1992-05-14 2002-05-27 ダイキン工業株式会社 電圧形スイッチング素子制御方法およびその装置
JPH05336732A (ja) * 1992-06-02 1993-12-17 Toshiba Corp Igbtゲート回路
US5408150A (en) * 1992-06-04 1995-04-18 Linear Technology Corporation Circuit for driving two power mosfets in a half-bridge configuration
JPH0624393U (ja) * 1992-08-28 1994-03-29 東洋電機製造株式会社 Igbtインバータ回路
DE4303905A1 (de) * 1993-02-10 1994-08-11 Heinzinger Electronic Gmbh Schaltstufe
EP0631390B1 (de) * 1993-06-22 1999-09-01 Philips Electronics Uk Limited Halbleiter-Leistungsschaltung
US5627460A (en) * 1994-12-28 1997-05-06 Unitrode Corporation DC/DC converter having a bootstrapped high side driver
JP3125622B2 (ja) * 1995-05-16 2001-01-22 富士電機株式会社 半導体装置
JP3373704B2 (ja) * 1995-08-25 2003-02-04 三菱電機株式会社 絶縁ゲートトランジスタ駆動回路
DE19609121C1 (de) * 1996-03-08 1997-02-27 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Feldeffekttransistors mit sourceseitiger Last

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