JP3287009B2 - 電圧形スイッチング素子制御方法およびその装置 - Google Patents

電圧形スイッチング素子制御方法およびその装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、電圧形スイッチング
素子制御方法およびその装置に関し、さらに詳細にいえ
ば、高速スイッチング動作時に発生するノイズを低減す
る電圧形スイッチング素子制御方法およびその装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来から、インバータのスイッチング素
子として、高速スイッチングが可能なパワーMOSFE
T、絶縁ゲートバイポーラモードトランジスタ(IGB
T)に代表される電圧形スイッチング素子が適用される
ようになってきている。しかし、高速にスイッチング動
作を行なうと、輻射ノイズ、伝導ノイズ等が発生し、イ
ンバータ周辺回路に与える影響が無視できなくなる。こ
の問題に対しては、電流変化率、電圧変化率を小さくす
ることがノイズ低減に有効であるから、電圧をスイッチ
ング入力として駆動する電圧形スイッチング素子の場合
には、ゲート抵抗値を大きくして、スイッチング時間を
長くすることにより、電圧変化率(電源電圧/スイッチ
ング時間)を小さくすることがノイズ対策として、一般
的に行なわれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スイッ
チング素子の電流とスイッチング損失の関係は、ほぼ素
子電流の2乗に比例して大きくなることから、全ての電
流領域において、電圧変化率を小さい状態で利用するこ
とは、スイッチング損失が大きくなり、インバータなど
の電圧形スイッチング素子が使用される機器全体の効率
を低下させる問題があった。
【0004】
【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、パワーMOSFET、IGBTなどの電
圧形スイッチング素子を用いた回路を、損失増加を抑制
し、かつ低ノイズで動作させることのできる電圧形スイ
ッチング素子制御方法およびその装置を提供することを
目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの、請求項1の電圧形スイッチング素子制御方法は、
電圧形スイッチング素子の導通電流が所定の電流より小
さいか否かを判別し、導通電流の方が小さいと判別され
たことに応答して、電圧形スイッチング素子のスイッチ
ング時間を長くすべく電圧形スイッチング素子の動作定
数を変化させる。
【0006】上記の目的を達成するための請求項2の電
圧形スイッチング素子の駆動装置は、電圧形スイッチン
グ素子と、導通電流が所定電流より小さいか否かを判別
する電流判別手段と、導通電流の方が小さいと判別され
たことに応答して電圧形スイッチング素子のスイッチン
グ時間を変化させるべく動作定数を変化させるスイッチ
ング時間変化手段とを有する。
【0007】
【作用】請求項1の電圧形スイッチング素子制御方法で
あれば、前記所定電流を小電流域の判別のための電流値
とすることにより、小電流域においてのみ電圧形スイッ
チング素子のスイッチング時間を長くするように電圧形
スイッチング素子の動作定数を変化させることができ、
電圧変化率を小さくすることができる。したがって、小
電流域においてはノイズの発生を低減でき、大電流域に
おいてはスイッチング損失を増加させない状態で、電圧
形スイッチング素子を用いた回路を動作させることがで
きる。
【0008】請求項2の電圧形スイッチング素子の駆動
装置であれば、電流判別手段が、導通電流が所定電流よ
り小さいか否かを判別し、スイッチング時間変化手段
が、導通電流の方が小さいと判別されたことに応答して
電圧形スイッチング素子のスイッチング時間を変化させ
るべく動作定数を変化させるので、小電流範囲において
はノイズの発生を低減でき、大電流域においてはスイッ
チング損失を増加させない状態で電圧形スイッチング素
子を用いた回路を動作させることができる。
【0009】さらに説明すれば、一般に電圧形スイッチ
ング素子はゲート抵抗、スイッチング素子入力容量など
の動作定数に応じて、スイッチング時間は決定される
が、その動作定数を、電圧形スイッチング素子の電流依
存特性に着目して、ノイズの発生しやすい小電流範囲に
おいてのみ、スイッチング時間が長くなるように変化さ
せることにより、全電流範囲内においてノイズの発生を
低減するとともに、従来、ノイズ対策上、黙認していた
大電流域でのスイッチング損失増大を抑制することがで
きることを本発明者は見出し、この発明を完成したので
ある。
【0010】
【実施例】以下、実施例を示す添付図面によって詳細に
説明する。図1はこの発明の電圧形スイッチング素子の
制御方法の第1実施例を示すフローチャートである。こ
の電圧形スイッチング素子の制御方法においては、ま
ず、ステップSP1において、電圧形スイッチング素子
の導通電流を検出し、ステップSP2において導通電流
が基準電流値より小さいか否かを判別し、基準電流値よ
り小さいと判別された場合には、ステップSP3におい
てゲート抵抗を大きく切換えて処理を終了する。また、
ステップSP2において導通電流が基準電流値より小さ
くないと判別された場合には、ステップSP3の処理を
行なわず処理を終了する。
【0011】この電圧形スイッチング素子の制御方法に
よれば、基準電流値よりも導通電流が小さい場合にのみ
ゲート抵抗が大きくなるので、基準電流値より小さい小
電流域においてのみスイッチング時間が長くなり、電圧
変化率は小さくなるので、ノイズの発生量を抑えること
ができる。また、基準電流値より大きい大電流域におい
ては、通常のゲート抵抗で電圧形スイッチング素子を駆
動するのでスイッチング損失が増大することを抑制する
ことができる。
【0012】
【実施例2】図2はこの発明の電圧形スイッチング素子
の制御方法の第2実施例を示すフローチャートである。
この電圧形スイッチング素子の制御方法においては、ま
ず、ステップSP1において、電圧形スイッチング素子
の導通電流を検出し、ステップSP2において導通電流
が基準電流値より小さいか否かを判別し、基準電流値よ
り小さいと判別された場合には、ステップSP3におい
て電圧形スイッチング素子のゲート入力容量をスイッチ
ング時間が長くなるように切換えて処理を終了する。ま
た、ステップSP2において導通電流が基準電流値より
小さくないと判別された場合には、ステップSP3の処
理を行なわず処理を終了する。
【0013】この電圧形スイッチング素子の制御方法に
よれば、基準電流値より小さい小電流域においてのみス
イッチング時間が長くなり、電圧変化率は小さくなるの
で、ノイズの発生量を抑えることができる。また、基準
電流値より大きい大電流域においては、通常のゲート入
力容量で電圧形スイッチング素子を駆動するのでスイッ
チング損失が増大することを抑制することができる。
【0014】
【実施例3】図3はこの発明の電圧形スイッチング素子
制御装置を単相の電圧形インバータ回路に適用した場合
を示す概略ブロック図である。この電圧形インバータ回
路は、上アーム、下アームにそれぞれスイッチング素子
として設けられたパワーMOSFET1,2と、パワー
MOSFET1,2のゲートにそれぞれ接続されたスイ
ッチング信号源3,4と、電圧形インバータ回路の負荷
5と、主直流電源6,7とから構成されている。
【0015】また、電圧形スイッチング素子の制御装置
は、負荷5の一端側に設けられた電流検出器8と、パワ
ーMOSFET1,2の各ゲートとスイッチング信号源
3,4との間にそれぞれ設けられたゲート抵抗切換え回
路9,10と、ゲート抵抗切換え回路9,10内のスイ
ッチの開閉を制御する制御部11とから構成されてい
る。
【0016】図4はゲート抵抗切換え回路9の構成の詳
細を示す図である。ゲート抵抗切換え回路9は所定抵抗
値のゲート抵抗20aとスイッチ21aとが直列に接続
された回路22と所定抵抗値のゲート抵抗20bとが並
列に接続されて構成されており、スイッチ21aを短絡
あるいは開放することにより、ゲート抵抗を切換えるこ
とができる。また、ゲート抵抗20aとゲート抵抗20
bの合成抵抗値は大電流域に対応して小さく設定され、
ゲート抵抗20bの抵抗値は小電流域に対応して大きく
設定されている。
【0017】電流検出器8はパワーMOSFET1,2
の導通電流を検出するために設けられている。制御部1
7は電流検出器8が検出する電流を取り込み、その電流
値と基準電流値とを比較し、比較結果に基づいてゲート
抵抗切換え回路9,10にそれぞれスイッチ切換え信号
を出力する。上記構成の電圧形スイッチング素子制御装
置の動作を説明する。
【0018】電圧形インバータ回路のスイッチング信号
源3,4が所定のスイッチング信号を発生させ、パワー
MOSFET1,2をオン、オフさせることにより、負
荷5には周期的に方向が変わる電流が流れる。この場
合、高速にスイッチング動作を行なうと電圧変化率が大
きくなり、ノイズが発生しやすくなる。しかし、パワー
MOSFET1,2のスイッチング時間は、図5に一例
を示すように素子電流に依存し、大電流域は素子特性に
より、スイッチング時間が長くなり必然的に電圧変化率
は小さくなるので、ノイズの発生量は問題にならなくな
る。逆に、小電流域ではスイッチング時間が短くなり、
ノイズの発生量が多くなるので、ノイズ発生量を低減す
ることが必要になる。したがって、小電流域のみにおい
てゲート抵抗を大きくして、電圧変化率を小さくするこ
とにより、ノイズ低減および損失増加の抑制を達成す
る。
【0019】このような考え方に基づいて、この実施例
における電圧形スイッチング素子制御装置は、電流検出
器8によって導通電流を検出し、制御部11が検出され
た電流の値が基準電流値より小さいか否かを判別し、基
準電流値より小さいと判別された場合には、制御部11
はゲート抵抗切換え回路9,10に抵抗切換え信号を供
給して、ゲート抵抗が大きくなるようにスイッチを切換
えることにより、スイッチング時間を長くする。具体的
には、スイッチ21aが短絡状態(図4の状態参照)で
あったのを開放する。
【0020】なお、制御部11が導通電流が基準電流値
より小さくないと判別した場合は、スイッチ21aの短
絡状態を維持し、ゲート抵抗20aとゲート抵抗20b
の合成抵抗のままでスイッチング動作を行なう。このよ
うに導通電流が小電流域であるときのみ、ゲート抵抗を
大きくすることにより、スイッチング時間を長くでき、
電圧変化率(電源電圧/スイッチング時間)を小さくす
ることができ、小電流域でのノイズ発生を低減すること
ができる。また、従来ノイズの発生を低減するために単
純にゲート抵抗を大きくすると、大電流域においてはス
イッチング損失が増大するが、本実施例においては、大
電流域と小電流域とでは、パワーMOSFET1,2の
スイッチング時間が変化することになるので、ノイズの
発生を低減しつつ、大電流域でのスイッチング損失の増
加を抑制することができる。
【0021】
【実施例4】図6はこの発明の電圧形スイッチング素子
制御装置の他の実施例を示す概略ブロック図である。こ
の実施例が前記実施例と異なるのは、小電流域において
スイッチング時間を長くするためにゲート抵抗を大きく
するゲート抵抗切換え回路9,10を設ける代わりに、
入力容量切換え回路30,31を設けた点のみである。
図7は入力容量切換え回路30の詳細を示す図であり、
入力容量切換え回路30は、大電流域に対応する容量の
コンデンサ35aとスイッチ36aが直列に接続された
回路構成となっている。この実施例では、制御部32が
電流検出器8が検出する電流値と基準電流値とを比較し
て、素子入力容量切換え回路30,31にスイッチ開放
あるいは短絡信号を出力することにより、大電流域では
スイッチング時間を変化させず小電流域においてのみス
イッチング時間を長くする。
【0022】この実施例においても前記第1実施例の装
置と同様の効果が達成できる。なお、この発明は上記実
施例に限定されるものではなく、この発明の要旨を変更
しない範囲内において種々の設計変形を施すことが可能
である。例えば、導通電流を検出する代わりに、導通電
流を計算、予測などにより得ることも可能である。ま
た、変化させる動作定数は、ゲート抵抗、入力容量に限
らず、動作上安定しており、小電流域においてのみスイ
ッチング時間を長くできる動作定数なら同様にこの発明
の思想を適用可能である。
【0023】また、基準となる電流値を複数設け、スイ
ッチング時間を例えば、小電流域、中電流域、大電流域
の3段階に分けて制御することも可能である。この場
合、ゲート抵抗の値を切換えることによりスイッチング
時間を長くする構成であると、それぞれ3つのゲート抵
抗および2つのスイッチが必要になる。さらに、この発
明は高速スイッチング時に問題となるノイズを低減する
ものであるから、前記実施例で示したインバータ回路以
外の用途にも適用できることは明らかである。
【0024】
【発明の効果】以上のように、請求項1の発明は、電圧
変化率が大きくなりノイズが発生しやすい電流範囲にお
いてのみ、スイッチング時間を長くするように電圧形ス
イッチング素子の動作定数を変化させることにより、電
圧変化率を小さくすることができ、小電流域においてノ
イズの発生を低減するとともに、大電流域においてはス
イッチング損失の増加を抑制できるという特有の効果を
奏する。
【0025】請求項2の発明は、スイッチング時間変化
手段が、所定電流より導通電流の方が小さいと判別され
たことに応答して電圧形スイッチング素子のスイッチン
グ時間を長くするように動作定数を変化させるので、小
電流範囲においてはノイズの発生を低減できるととも
に、大電流域においてはスイッチング損失の増加を抑制
できるという特有の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の電圧形スイッチング素子の制御方法
の一実施例を示すフローチャートである。
【図2】この発明の電圧形スイッチング素子の制御方法
の他の実施例を示すフローチャートである。
【図3】この発明の電圧形スイッチング素子の制御装置
の一実施例を示す概略ブロック図である。
【図4】ゲート抵抗切換え回路の構成の詳細を示す図で
ある。
【図5】パワーMOSFETにおいてスイッチング時間
の電流依存性の一例を示す図である。
【図6】この発明の電圧形スイッチング素子の制御装置
の他の実施例を示す概略ブロック図である。
【図7】入力容量切換え回路の詳細を示す図である。
【符号の説明】
1,2 パワーMOSFET 8 電流検出器 9,10 ゲート抵抗切換え回路 30,31 入力容量切換え回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02M 7/537 H02J 1/02 H02M 1/08

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電圧形スイッチング素子(1,2)の導
    通電流が所定の電流より小さいか否かを判別し、導通電
    流の方が小さいと判別されたことに応答して、電圧形ス
    イッチング素子(1,2)のスイッチング時間を長くす
    べく電圧形スイッチング素子(1,2)の動作定数を変
    化させることを特徴とする電圧形スイッチング素子制御
    方法。
  2. 【請求項2】 電圧形スイッチング素子(1,2)と、
    導通電流が所定電流より小さいか否かを判別する電流判
    別手段(8)と、導通電流の方が小さいと判別されたこ
    とに応答して電圧形スイッチング素子(1,2)のスイ
    ッチング時間を変化させるべく動作定数を変化させるス
    イッチング時間変化手段(9,10)(30,31)と
    を有することを特徴とする電圧形スイッチング素子の駆
    動装置。
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