JPH10271809A - スイッチング半導体装置 - Google Patents
スイッチング半導体装置Info
- Publication number
- JPH10271809A JPH10271809A JP9077786A JP7778697A JPH10271809A JP H10271809 A JPH10271809 A JP H10271809A JP 9077786 A JP9077786 A JP 9077786A JP 7778697 A JP7778697 A JP 7778697A JP H10271809 A JPH10271809 A JP H10271809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- switching
- external
- switching semiconductor
- drive circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スイッチングスピードを変更できるスイッチ
ング半導体装置を得る。 【解決手段】 スイッチング半導体装置８１は、駆動回
路３の出力端子３ｂに接続された外部端子１ｂと、ＩＧ
ＢＴ２のゲートに接続された外部端子１ｃとを備える。
そして、使用者は外部端子１ｂ・外部端子１ｃ間に外付
け抵抗１１を接続する。スイッチングスピードは、駆動
回路３・ＩＧＢＴ２間のインピーダンスによって左右さ
れる。したがって、スイッチングスピードを変更する場
合、外付け抵抗１１の値を変えればよい。
ング半導体装置を得る。 【解決手段】 スイッチング半導体装置８１は、駆動回
路３の出力端子３ｂに接続された外部端子１ｂと、ＩＧ
ＢＴ２のゲートに接続された外部端子１ｃとを備える。
そして、使用者は外部端子１ｂ・外部端子１ｃ間に外付
け抵抗１１を接続する。スイッチングスピードは、駆動
回路３・ＩＧＢＴ２間のインピーダンスによって左右さ
れる。したがって、スイッチングスピードを変更する場
合、外付け抵抗１１の値を変えればよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、バイポーラトラ
ンジスタ、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Insulated-Gate B
ipolar Trasistor：絶縁ゲート型バイポーラトランジス
タ）等の半導体スイッチング素子とその駆動回路とを内
蔵したスイッチング半導体装置に関する。
ンジスタ、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Insulated-Gate B
ipolar Trasistor：絶縁ゲート型バイポーラトランジス
タ）等の半導体スイッチング素子とその駆動回路とを内
蔵したスイッチング半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スイッチング半導体装置（Intelligent
Power Module：ＩＰＭ）とは、半導体スイッチング素子
とそれを駆動させるための駆動回路とを１パッケージ内
に納めたものである。図６は従来のスイッチング半導体
装置８０の構成を示す回路図である。スイッチング半導
体装置８０は、パッケージ化されていてＩＧＢＴ２、駆
動回路３、フリーフォイルダイオード４及び抵抗２０を
内蔵している。また、スイッチング半導体装置８０のパ
ッケージ外面には、外部端子１ａ、１ｄ及び１ｅが設け
られている。さらに、抵抗２０は、駆動回路３の出力部
とＩＧＢＴ２のゲート電極との間に接続され、ＩＧＢＴ
２のスイッチングスピードをかえるためのものである。
Power Module：ＩＰＭ）とは、半導体スイッチング素子
とそれを駆動させるための駆動回路とを１パッケージ内
に納めたものである。図６は従来のスイッチング半導体
装置８０の構成を示す回路図である。スイッチング半導
体装置８０は、パッケージ化されていてＩＧＢＴ２、駆
動回路３、フリーフォイルダイオード４及び抵抗２０を
内蔵している。また、スイッチング半導体装置８０のパ
ッケージ外面には、外部端子１ａ、１ｄ及び１ｅが設け
られている。さらに、抵抗２０は、駆動回路３の出力部
とＩＧＢＴ２のゲート電極との間に接続され、ＩＧＢＴ
２のスイッチングスピードをかえるためのものである。
【０００３】次に、スイッチング半導体装置８０の動作
について説明する。まず、駆動回路３は、外部端子１ａ
からの制御信号を端子３ａに受けると、ＩＧＢＴ２を駆
動するための駆動信号を出力する。駆動信号は抵抗２０
を介してＩＧＢＴ２のゲート電極に与えられる。ＩＧＢ
Ｔ２は、ゲート電極の電位に応じてオン・オフすること
により、外部端子１ｄ及び１ｅ間に電流を流したり、遮
断したりするスイッチング動作を行う。このように、ス
イッチング半導体装置８０は、制御信号に応じて、外部
端子１ｄ及び１ｅ間に流れる電流を制御する。
について説明する。まず、駆動回路３は、外部端子１ａ
からの制御信号を端子３ａに受けると、ＩＧＢＴ２を駆
動するための駆動信号を出力する。駆動信号は抵抗２０
を介してＩＧＢＴ２のゲート電極に与えられる。ＩＧＢ
Ｔ２は、ゲート電極の電位に応じてオン・オフすること
により、外部端子１ｄ及び１ｅ間に電流を流したり、遮
断したりするスイッチング動作を行う。このように、ス
イッチング半導体装置８０は、制御信号に応じて、外部
端子１ｄ及び１ｅ間に流れる電流を制御する。
【０００４】制御信号をスイッチング半導体装置８０に
与えてからＩＧＢＴ２のオン・オフするまでの時間（ス
イッチングスピード）は、駆動回路３・ＩＧＢＴ２間の
インピーダンスのうちの特に抵抗２０によって左右され
る。抵抗２０の値は、次のようにして決定される。スイ
ッチングスピードを速くするとき、抵抗２０の値を小さ
くすればよい。しかし、抵抗２０の値を小さくすると、
ノイズや過大なサージ電圧が生じ易くなるため、ＩＧＢ
Ｔ２が破壊され易くなる。抵抗２０の値は、このスイッ
チングスピードとＩＧＢＴ２の破壊耐量のトレードオフ
によって、スイッチング半導体装置８０の用途に応じて
決定される。
与えてからＩＧＢＴ２のオン・オフするまでの時間（ス
イッチングスピード）は、駆動回路３・ＩＧＢＴ２間の
インピーダンスのうちの特に抵抗２０によって左右され
る。抵抗２０の値は、次のようにして決定される。スイ
ッチングスピードを速くするとき、抵抗２０の値を小さ
くすればよい。しかし、抵抗２０の値を小さくすると、
ノイズや過大なサージ電圧が生じ易くなるため、ＩＧＢ
Ｔ２が破壊され易くなる。抵抗２０の値は、このスイッ
チングスピードとＩＧＢＴ２の破壊耐量のトレードオフ
によって、スイッチング半導体装置８０の用途に応じて
決定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のスイッチング半
導体装置８０は、以上のように構成されているため、次
のような問題点がある。すなわち、抵抗２０がスイッチ
ング半導体装置８０に内蔵されているため、使用者が自
由にスイッチング半導体装置８０のスイッチングスピー
ドを変更することができないという問題点がある。した
がって、所望のスイッチングスピードに変更したい場合
は、使用者は所望のスイッチングスピードを有する別の
スイッチング半導体装置に取り換えなければならない。
導体装置８０は、以上のように構成されているため、次
のような問題点がある。すなわち、抵抗２０がスイッチ
ング半導体装置８０に内蔵されているため、使用者が自
由にスイッチング半導体装置８０のスイッチングスピー
ドを変更することができないという問題点がある。した
がって、所望のスイッチングスピードに変更したい場合
は、使用者は所望のスイッチングスピードを有する別の
スイッチング半導体装置に取り換えなければならない。
【０００６】本発明は、この問題点を解決するためにな
されたものであり、スイッチングスピードを使用者側で
自由に変更できるスイッチング半導体装置を得ることを
目的とする。
されたものであり、スイッチングスピードを使用者側で
自由に変更できるスイッチング半導体装置を得ることを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、半導体スイッチング素子とその駆動回
路とを有するスイッチング半導体装置において、前記半
導体スイッチング素子・前記駆動回路間に外付けでイン
ピーダンスを接続するための外部端子を備える。
課題解決手段は、半導体スイッチング素子とその駆動回
路とを有するスイッチング半導体装置において、前記半
導体スイッチング素子・前記駆動回路間に外付けでイン
ピーダンスを接続するための外部端子を備える。
【０００８】本発明の請求項２に係る課題解決手段は、
半導体スイッチング素子とその駆動回路とを有するスイ
ッチング半導体装置において、一端が前記半導体スイッ
チング素子及び前記駆動回路のうちの一方に接続された
内蔵の複数のインピーダンスと、前記複数のインピーダ
ンスの他端にそれぞれ接続された複数の第１の外部端子
と、前記半導体スイッチング素子及び前記駆動回路のう
ちの他方に接続された少なくとも１つの第２の外部端子
とを備え、前記第１，第２の外部端子間の外部操作によ
り前記複数のインピーダンスのいずれかを前記半導体ス
イッチング素子・前記駆動回路間に接続することを可能
にする。
半導体スイッチング素子とその駆動回路とを有するスイ
ッチング半導体装置において、一端が前記半導体スイッ
チング素子及び前記駆動回路のうちの一方に接続された
内蔵の複数のインピーダンスと、前記複数のインピーダ
ンスの他端にそれぞれ接続された複数の第１の外部端子
と、前記半導体スイッチング素子及び前記駆動回路のう
ちの他方に接続された少なくとも１つの第２の外部端子
とを備え、前記第１，第２の外部端子間の外部操作によ
り前記複数のインピーダンスのいずれかを前記半導体ス
イッチング素子・前記駆動回路間に接続することを可能
にする。
【０００９】本発明の請求項３に係る課題解決手段にお
いて、前記第１，第２の外部端子は同数設けられ、前記
複数の第１の外部端子と前記複数の第２の外部端子をそ
れぞれ接続するための外付けの複数の配線をさらに備
え、前記配線を選択的に開放することにより前記外部操
作を行う。
いて、前記第１，第２の外部端子は同数設けられ、前記
複数の第１の外部端子と前記複数の第２の外部端子をそ
れぞれ接続するための外付けの複数の配線をさらに備
え、前記配線を選択的に開放することにより前記外部操
作を行う。
【００１０】本発明の請求項４に係る課題解決手段にお
いて、前記第２の外部端子は単一であり、前記第２の外
部端子と前記複数の第１の外部端子の間に設けられた外
付けのスイッチをさらに備え、前記スイッチの操作によ
り前記外部操作を行う。
いて、前記第２の外部端子は単一であり、前記第２の外
部端子と前記複数の第１の外部端子の間に設けられた外
付けのスイッチをさらに備え、前記スイッチの操作によ
り前記外部操作を行う。
【００１１】本発明の請求項５に係る課題解決手段は、
前記半導体スイッチング素子の静電破壊を防止するため
の内蔵の抵抗をさらに備える。
前記半導体スイッチング素子の静電破壊を防止するため
の内蔵の抵抗をさらに備える。
【００１２】
実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１におけるス
イッチング半導体装置８１の構成を示す回路図である。
まず、スイッチング半導体装置８１の構成について説明
する。スイッチング半導体装置８１は、ＩＧＢＴ２と、
ＩＧＢＴ２のコレクタ側に接続された外部端子１ｄと、
ＩＧＢＴ２のエミッタ側に接続された外部端子１ｅと、
ＩＧＢＴ２を駆動させるための駆動回路３と、駆動回路
３を制御する制御信号を与えるための外部端子１ａと、
ＩＧＢＴ２のコレクタ−エミッタ間に接続されたフリー
フォイルダイオード４とを備えている。
イッチング半導体装置８１の構成を示す回路図である。
まず、スイッチング半導体装置８１の構成について説明
する。スイッチング半導体装置８１は、ＩＧＢＴ２と、
ＩＧＢＴ２のコレクタ側に接続された外部端子１ｄと、
ＩＧＢＴ２のエミッタ側に接続された外部端子１ｅと、
ＩＧＢＴ２を駆動させるための駆動回路３と、駆動回路
３を制御する制御信号を与えるための外部端子１ａと、
ＩＧＢＴ２のコレクタ−エミッタ間に接続されたフリー
フォイルダイオード４とを備えている。
【００１３】さらに、スイッチング半導体装置８１は、
ＩＧＢＴ２・駆動回路３間に外付けでインピーダンスを
接続するための外部端子１ｂ、１ｃをさらに備えてい
る。
ＩＧＢＴ２・駆動回路３間に外付けでインピーダンスを
接続するための外部端子１ｂ、１ｃをさらに備えてい
る。
【００１４】図２は駆動回路３の内部構成の一例を示す
回路図である。図２において、Ｃ１及びＣ２は容量、Ｔ
ｒ１及びＴｒ２はトランジスタ、３ａ、３ｂ、３ｃはそ
れぞれ駆動回路３の入力端子、出力端子、バイアス端子
である。
回路図である。図２において、Ｃ１及びＣ２は容量、Ｔ
ｒ１及びＴｒ２はトランジスタ、３ａ、３ｂ、３ｃはそ
れぞれ駆動回路３の入力端子、出力端子、バイアス端子
である。
【００１５】スイッチング半導体装置８１は、モールド
樹脂等によってパッケージ化されていて、ＩＧＢＴ２、
駆動回路３及びフリーフォイルダイオード４を内蔵して
いる。また、スイッチング半導体装置８１の外面には、
外部端子１ａ〜１ｅが設けられている。
樹脂等によってパッケージ化されていて、ＩＧＢＴ２、
駆動回路３及びフリーフォイルダイオード４を内蔵して
いる。また、スイッチング半導体装置８１の外面には、
外部端子１ａ〜１ｅが設けられている。
【００１６】次に、スイッチング半導体装置８１の使用
例を説明する。スイッチング半導体装置８１は、外部端
子１ｂ・外部端子１ｃ間を電気的に接続するための静電
破壊防止用の部材を外付けにして、出荷される。スイッ
チング半導体装置８１を使用する使用者は、必要に応じ
て、静電破壊防止用の部材を外して、所望のスイッチン
グスピードに応じた所定のインピーダンスを有する固定
抵抗又は可変抵抗等の外付け抵抗１１を外部端子１ｂ及
び１ｃ間に接続して短絡する。
例を説明する。スイッチング半導体装置８１は、外部端
子１ｂ・外部端子１ｃ間を電気的に接続するための静電
破壊防止用の部材を外付けにして、出荷される。スイッ
チング半導体装置８１を使用する使用者は、必要に応じ
て、静電破壊防止用の部材を外して、所望のスイッチン
グスピードに応じた所定のインピーダンスを有する固定
抵抗又は可変抵抗等の外付け抵抗１１を外部端子１ｂ及
び１ｃ間に接続して短絡する。
【００１７】次に、この使用例におけるスイッチング半
導体装置８１の動作について説明する。まず、駆動回路
３は、外部端子１ａからの制御信号を受けると、ＩＧＢ
Ｔ２を駆動させるための駆動信号を出力する。駆動信号
は、インピーダンスである外付け抵抗１１を介してＩＧ
ＢＴ２のゲートに与えられる。ＩＧＢＴ２は、ゲートの
電位に応じてオン・オフすることにより、外部端子１ｄ
及び１ｅ間に電流を流したり、遮断したりするスイッチ
ング動作を行う。このように、スイッチング半導体装置
８１は、制御信号に応じて、外部端子１ｄ及び１ｅ間に
流れる電流を制御する。
導体装置８１の動作について説明する。まず、駆動回路
３は、外部端子１ａからの制御信号を受けると、ＩＧＢ
Ｔ２を駆動させるための駆動信号を出力する。駆動信号
は、インピーダンスである外付け抵抗１１を介してＩＧ
ＢＴ２のゲートに与えられる。ＩＧＢＴ２は、ゲートの
電位に応じてオン・オフすることにより、外部端子１ｄ
及び１ｅ間に電流を流したり、遮断したりするスイッチ
ング動作を行う。このように、スイッチング半導体装置
８１は、制御信号に応じて、外部端子１ｄ及び１ｅ間に
流れる電流を制御する。
【００１８】スイッチングスピードは、駆動回路３・Ｉ
ＧＢＴ２間のインピーダンス、すなわち、駆動回路３の
出力端子３ｂ、ＩＧＢＴ２のゲート、ＩＧＢＴ２のエミ
ッタ、駆動回路３のバイアス端子３ｃを経る閉ループの
インピーダンスによって決定され、特に外付け抵抗１１
の値によって左右される。したがって、スイッチングス
ピードを調節したい場合は、外付け抵抗１１の値を変え
ればよい。
ＧＢＴ２間のインピーダンス、すなわち、駆動回路３の
出力端子３ｂ、ＩＧＢＴ２のゲート、ＩＧＢＴ２のエミ
ッタ、駆動回路３のバイアス端子３ｃを経る閉ループの
インピーダンスによって決定され、特に外付け抵抗１１
の値によって左右される。したがって、スイッチングス
ピードを調節したい場合は、外付け抵抗１１の値を変え
ればよい。
【００１９】本実施の形態の効果は次の通りである。 （１）外部端子１ｂ、１ｃを備えたことにより、スイッ
チング半導体装置８１のスイッチングスピードを調節で
きる。したがって、所望のスイッチングスピードに変更
したい場合は、従来のように所望のスイッチングスピー
ドを有する別のスイッチング半導体装置に取り換えなく
ても、外付け抵抗１１の値を調節すればよい。
チング半導体装置８１のスイッチングスピードを調節で
きる。したがって、所望のスイッチングスピードに変更
したい場合は、従来のように所望のスイッチングスピー
ドを有する別のスイッチング半導体装置に取り換えなく
ても、外付け抵抗１１の値を調節すればよい。
【００２０】実施の形態２．図３は本発明の実施の形態
２におけるスイッチング半導体装置８２の構成を示す回
路図である。まず、スイッチング半導体装置８２の構成
について説明する。スイッチング半導体装置８２は、外
付け抵抗１１と並列に接続される、ＩＧＢＴ２の静電破
壊を防止するための内蔵の静電破壊防止用抵抗５を備
え、その他の構成は図１のスイッチング半導体装置８１
と同様である。ＩＧＢＴ２のゲートとエミッタとは、静
電破壊防止用抵抗５、図２のトランジスタＴｒ２及びＣ
２を介して電気的に短絡されている。なお、静電破壊防
止用抵抗５はスイッチング半導体装置８２の内部に内蔵
されている。その他のスイッチング半導体装置８２の構
成は実施の形態１のスイッチング半導体装置８１と同様
である。
２におけるスイッチング半導体装置８２の構成を示す回
路図である。まず、スイッチング半導体装置８２の構成
について説明する。スイッチング半導体装置８２は、外
付け抵抗１１と並列に接続される、ＩＧＢＴ２の静電破
壊を防止するための内蔵の静電破壊防止用抵抗５を備
え、その他の構成は図１のスイッチング半導体装置８１
と同様である。ＩＧＢＴ２のゲートとエミッタとは、静
電破壊防止用抵抗５、図２のトランジスタＴｒ２及びＣ
２を介して電気的に短絡されている。なお、静電破壊防
止用抵抗５はスイッチング半導体装置８２の内部に内蔵
されている。その他のスイッチング半導体装置８２の構
成は実施の形態１のスイッチング半導体装置８１と同様
である。
【００２１】実施の形態１において説明した出荷時の静
電破壊防止用の部材は、スイッチング半導体装置８２で
は不要である。それ以外のスイッチング半導体装置８２
の使用例及び動作は、スイッチング半導体装置８１と同
様である。但し、スイッチングスピードを左右する、駆
動回路３・ＩＧＢＴ２間のインピーダンスは、静電破壊
防止用抵抗５と外付け抵抗１１との合成インピーダンス
である。
電破壊防止用の部材は、スイッチング半導体装置８２で
は不要である。それ以外のスイッチング半導体装置８２
の使用例及び動作は、スイッチング半導体装置８１と同
様である。但し、スイッチングスピードを左右する、駆
動回路３・ＩＧＢＴ２間のインピーダンスは、静電破壊
防止用抵抗５と外付け抵抗１１との合成インピーダンス
である。
【００２２】本実施の形態の効果は、（１）に加え、次
の通りである。 （２）静電破壊防止用抵抗５を備えたことにより、静電
破壊を防止でき、スイッチング半導体装置８２を出荷す
る際に、実施の形態１において説明した静電破壊防止用
の部材が必要がない。
の通りである。 （２）静電破壊防止用抵抗５を備えたことにより、静電
破壊を防止でき、スイッチング半導体装置８２を出荷す
る際に、実施の形態１において説明した静電破壊防止用
の部材が必要がない。
【００２３】実施の形態３．図４は本発明の実施の形態
３におけるスイッチング半導体装置８３の構成を示す回
路図である。まず、スイッチング半導体装置８３の構成
について説明する。スイッチング半導体装置８３は、一
端がＩＧＢＴ２のゲート及び駆動回路３の出力端子３ｂ
のうちの一方（図４では、ＩＧＢＴ２のゲート）に接続
された複数のインピーダンスである抵抗６ａ、６ｂ及び
６ｃと、抵抗６ａ、６ｂ及び６ｃの他端にそれぞれ接続
された外部端子（第１の外部端子）１ｃａ、１ｃｂ及び
１ｃｃと、ＩＧＢＴ２のゲート及び駆動回路３の出力端
子３ｂのうちの他方（図４では、駆動回路３の出力端子
３ｂ）に接続された外部端子（第２の外部端子）１ｂ
ａ、１ｂｂ及び１ｂｃとを備えている。
３におけるスイッチング半導体装置８３の構成を示す回
路図である。まず、スイッチング半導体装置８３の構成
について説明する。スイッチング半導体装置８３は、一
端がＩＧＢＴ２のゲート及び駆動回路３の出力端子３ｂ
のうちの一方（図４では、ＩＧＢＴ２のゲート）に接続
された複数のインピーダンスである抵抗６ａ、６ｂ及び
６ｃと、抵抗６ａ、６ｂ及び６ｃの他端にそれぞれ接続
された外部端子（第１の外部端子）１ｃａ、１ｃｂ及び
１ｃｃと、ＩＧＢＴ２のゲート及び駆動回路３の出力端
子３ｂのうちの他方（図４では、駆動回路３の出力端子
３ｂ）に接続された外部端子（第２の外部端子）１ｂ
ａ、１ｂｂ及び１ｂｃとを備えている。
【００２４】さらに、スイッチング半導体装置８３は、
外付けの複数の配線１２ａ、１２ｂ、１２ｃをさらに備
え、配線１２ａは外部端子１ｂａ及び１ｃａを接続し、
配線１２ｂは外部端子１ｂｂ及び１ｃｂを接続し、配線
１２ｃは外部端子１ｂｃ及び１ｃｃを接続する。その他
のスイッチング半導体装置８３の構成は図３のスイッチ
ング半導体装置８２と同様である。
外付けの複数の配線１２ａ、１２ｂ、１２ｃをさらに備
え、配線１２ａは外部端子１ｂａ及び１ｃａを接続し、
配線１２ｂは外部端子１ｂｂ及び１ｃｂを接続し、配線
１２ｃは外部端子１ｂｃ及び１ｃｃを接続する。その他
のスイッチング半導体装置８３の構成は図３のスイッチ
ング半導体装置８２と同様である。
【００２５】次に、スイッチング半導体装置８３の使用
例を説明する。スイッチング半導体装置８３を使用する
使用者は、所望のスイッチングスピードになるように、
外部操作、すなわち、スイッチング半導体装置８３の外
部において露出している配線１２ａ、１２ｂ及び１２ｃ
を選択的に切断して開放する。
例を説明する。スイッチング半導体装置８３を使用する
使用者は、所望のスイッチングスピードになるように、
外部操作、すなわち、スイッチング半導体装置８３の外
部において露出している配線１２ａ、１２ｂ及び１２ｃ
を選択的に切断して開放する。
【００２６】この使用例におけるスイッチング半導体装
置８３の動作は、図１のスイッチング半導体装置８１と
同様である。但し、スイッチングスピードを左右する、
駆動回路３・ＩＧＢＴ２間のインピーダンスは、静電破
壊防止用抵抗５と抵抗６ａ〜６ｃのいくつかとの合成イ
ンピーダンスである。
置８３の動作は、図１のスイッチング半導体装置８１と
同様である。但し、スイッチングスピードを左右する、
駆動回路３・ＩＧＢＴ２間のインピーダンスは、静電破
壊防止用抵抗５と抵抗６ａ〜６ｃのいくつかとの合成イ
ンピーダンスである。
【００２７】本実施の形態の効果は、（１），（２）に
加え、次の通りである。 （３）配線１２ａ〜１２ｃを選択的に切断して開放する
ことにより、容易にスイッチングスピードを変更でき
る。 （４）使用者は、スイッチングスピードを調節すると
き、配線１２ａ〜１２ｃを切断するだけで済むため、実
施の形態１，２のように、外付け抵抗１１に相当する部
材を用意する必要がない。
加え、次の通りである。 （３）配線１２ａ〜１２ｃを選択的に切断して開放する
ことにより、容易にスイッチングスピードを変更でき
る。 （４）使用者は、スイッチングスピードを調節すると
き、配線１２ａ〜１２ｃを切断するだけで済むため、実
施の形態１，２のように、外付け抵抗１１に相当する部
材を用意する必要がない。
【００２８】実施の形態４．図５は本発明の実施の形態
４におけるスイッチング半導体装置８４の構成を示す回
路図である。まず、スイッチング半導体装置８４の構成
について説明する。スイッチング半導体装置８４は、外
部端子１ｂａと外部端子１ｃａ、１ｃｂ及び１ｃｃのう
ちのどれかとを選択的に接続するための外付けのスイッ
チ１３を備え、また図４の外部端子１ｂｂ、１ｂｃは省
略される。その他のスイッチング半導体装置８４の構成
は図４のスイッチング半導体装置８３と同様である。
４におけるスイッチング半導体装置８４の構成を示す回
路図である。まず、スイッチング半導体装置８４の構成
について説明する。スイッチング半導体装置８４は、外
部端子１ｂａと外部端子１ｃａ、１ｃｂ及び１ｃｃのう
ちのどれかとを選択的に接続するための外付けのスイッ
チ１３を備え、また図４の外部端子１ｂｂ、１ｂｃは省
略される。その他のスイッチング半導体装置８４の構成
は図４のスイッチング半導体装置８３と同様である。
【００２９】次に、スイッチング半導体装置８４の使用
例を説明する。スイッチング半導体装置８４を使用する
使用者は、所望のスイッチングスピードになるように、
スイッチ１３を用いて、外部端子１ｃａ、１ｃｂ及び１
ｃｃのどれかと外部端子１ｂａとを接続する。また、使
用者は、別のスイッチングスピードに調節したいとき
は、外部操作、すなわち、スイッチ１３を用いて再度ス
イッチングスピードを調節すればよい。
例を説明する。スイッチング半導体装置８４を使用する
使用者は、所望のスイッチングスピードになるように、
スイッチ１３を用いて、外部端子１ｃａ、１ｃｂ及び１
ｃｃのどれかと外部端子１ｂａとを接続する。また、使
用者は、別のスイッチングスピードに調節したいとき
は、外部操作、すなわち、スイッチ１３を用いて再度ス
イッチングスピードを調節すればよい。
【００３０】この使用例におけるスイッチング半導体装
置８４の動作は、スイッチング半導体装置８１と同様で
ある。但し、スイッチングスピードを左右する、駆動回
路３・ＩＧＢＴ２間のインピーダンスは、静電破壊防止
用抵抗５と抵抗６ａ〜６ｃのいくつかとの合成インピー
ダンスである。
置８４の動作は、スイッチング半導体装置８１と同様で
ある。但し、スイッチングスピードを左右する、駆動回
路３・ＩＧＢＴ２間のインピーダンスは、静電破壊防止
用抵抗５と抵抗６ａ〜６ｃのいくつかとの合成インピー
ダンスである。
【００３１】本実施の形態の効果は、（１），（２）に
加え、次の通りである。 （５）スイッチ１３を用いて、容易にスイッチングスピ
ードを変更できる。 （６）使用者は、スイッチングスピードを調節すると
き、スイッチ１３を用いるだけで済むため、実施の形態
１，２のように、外付け抵抗１１に相当する部材を用意
する必要がない。
加え、次の通りである。 （５）スイッチ１３を用いて、容易にスイッチングスピ
ードを変更できる。 （６）使用者は、スイッチングスピードを調節すると
き、スイッチ１３を用いるだけで済むため、実施の形態
１，２のように、外付け抵抗１１に相当する部材を用意
する必要がない。
【００３２】変形例．実施の形態３及び４は、次のよう
に変形してもよい。すなわち、選択される抵抗６ａ〜６
ｃの数は、３つ以外でもよい。また、抵抗６ａ、６ｂ及
び６ｃの一端をＩＧＢＴ２のゲートに代えて駆動回路３
の出力端子３ｂに接続し、外部端子１ｂａ、１ｂｂ、１
ｂｃ（実施の形態４では外部端子１ｂａのみ）を駆動回
路３の出力端子３ｂに代えてＩＧＢＴ２のゲートに接続
してもよい。さらに、静電破壊防止用抵抗５は省略して
もよい。
に変形してもよい。すなわち、選択される抵抗６ａ〜６
ｃの数は、３つ以外でもよい。また、抵抗６ａ、６ｂ及
び６ｃの一端をＩＧＢＴ２のゲートに代えて駆動回路３
の出力端子３ｂに接続し、外部端子１ｂａ、１ｂｂ、１
ｂｃ（実施の形態４では外部端子１ｂａのみ）を駆動回
路３の出力端子３ｂに代えてＩＧＢＴ２のゲートに接続
してもよい。さらに、静電破壊防止用抵抗５は省略して
もよい。
【００３３】実施の形態１〜４は、次のように変形して
もよい。すなわち、半導体スイッチング素子は、ＩＧＢ
Ｔ２の他に、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴな
どであってもよい。また、図１及び図３〜図５の回路部
１０を、駆動回路３の出力端子３ｂ・ＩＧＢＴ２のゲー
ト間に代えて、駆動回路３のバイアス端子３ｃ・ＩＧＢ
Ｔ２のエミッタ間に接続してもよい。また、外付け抵抗
１１及び抵抗６ａ、６ｂ及び６ｃに代えて、これらに相
当する遅延素子（例えばダイオード）でもよい。
もよい。すなわち、半導体スイッチング素子は、ＩＧＢ
Ｔ２の他に、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴな
どであってもよい。また、図１及び図３〜図５の回路部
１０を、駆動回路３の出力端子３ｂ・ＩＧＢＴ２のゲー
ト間に代えて、駆動回路３のバイアス端子３ｃ・ＩＧＢ
Ｔ２のエミッタ間に接続してもよい。また、外付け抵抗
１１及び抵抗６ａ、６ｂ及び６ｃに代えて、これらに相
当する遅延素子（例えばダイオード）でもよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明請求項１によると、半導体スイッ
チング素子・駆動回路間に外付けでインピーダンスを接
続するための外部端子を備えたことにより、スイッチン
グ半導体装置のスイッチングスピードを使用者が自由に
変更できるという効果を奏す。
チング素子・駆動回路間に外付けでインピーダンスを接
続するための外部端子を備えたことにより、スイッチン
グ半導体装置のスイッチングスピードを使用者が自由に
変更できるという効果を奏す。
【００３５】本発明請求項２によると、第１，第２の外
部端子間の外部操作により、スイッチング半導体装置の
スイッチングスピードを使用者が自由に変更できるとい
う効果を奏す。
部端子間の外部操作により、スイッチング半導体装置の
スイッチングスピードを使用者が自由に変更できるとい
う効果を奏す。
【００３６】本発明請求項３によると、配線を備えたこ
とにより、容易な外部操作でスイッチングスピードを変
更できるという効果を奏す。
とにより、容易な外部操作でスイッチングスピードを変
更できるという効果を奏す。
【００３７】本発明請求項４によると、スイッチを備え
たことにより、容易な外部操作で、しかも何度でもスイ
ッチングスピードを変更できるという効果を奏す。
たことにより、容易な外部操作で、しかも何度でもスイ
ッチングスピードを変更できるという効果を奏す。
【００３８】本発明請求項５によると、静電破壊防止用
の内蔵の抵抗を備えたことにより、半導体スイッチング
素子の静電破壊を防止できるとともに半導体スイッチン
グ素子・駆動回路間を接続するインピーダンスとしての
役割も果たすという効果を奏す。
の内蔵の抵抗を備えたことにより、半導体スイッチング
素子の静電破壊を防止できるとともに半導体スイッチン
グ素子・駆動回路間を接続するインピーダンスとしての
役割も果たすという効果を奏す。
【図１】 本発明の実施の形態１におけるスイッチング
半導体装置の構成を示す回路図である。
半導体装置の構成を示す回路図である。
【図２】 駆動回路３の内部構成を示す回路図である。
【図３】 本発明の実施の形態２におけるスイッチング
半導体装置の構成を示す回路図である。
半導体装置の構成を示す回路図である。
【図４】 本発明の実施の形態３におけるスイッチング
半導体装置の構成を示す回路図である。
半導体装置の構成を示す回路図である。
【図５】 本発明の実施の形態４におけるスイッチング
半導体装置の構成を示す回路図である。
半導体装置の構成を示す回路図である。
【図６】 従来のスイッチング半導体装置の構成を示す
回路図である。
回路図である。
３ 駆動回路、１１ 外付け抵抗、１３ スイッチ、８
０〜８４ スイッチング半導体装置。
０〜８４ スイッチング半導体装置。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体スイッチング素子とその駆動回路
とを有するスイッチング半導体装置において、 前記半導体スイッチング素子・前記駆動回路間に外付け
でインピーダンスを接続するための外部端子を備えたス
イッチング半導体装置。 - 【請求項２】 半導体スイッチング素子とその駆動回路
とを有するスイッチング半導体装置において、 一端が前記半導体スイッチング素子及び前記駆動回路の
うちの一方に接続された内蔵の複数のインピーダンス
と、 前記複数のインピーダンスの他端にそれぞれ接続された
複数の第１の外部端子と、 前記半導体スイッチング素子及び前記駆動回路のうちの
他方に接続された少なくとも１つの第２の外部端子と、
を備え、 前記第１，第２の外部端子間の外部操作により前記複数
のインピーダンスのいずれかを前記半導体スイッチング
素子・前記駆動回路間に接続することを可能にしたスイ
ッチング半導体装置。 - 【請求項３】 前記第１，第２の外部端子は同数設けら
れ、 前記複数の第１の外部端子と前記複数の第２の外部端子
をそれぞれ接続するための外付けの複数の配線をさらに
備え、 前記配線を選択的に開放することにより前記外部操作を
行う請求項２記載のスイッチング半導体装置。 - 【請求項４】 前記第２の外部端子は単一であり、 前記第２の外部端子と前記複数の第１の外部端子の間に
設けられた外付けのスイッチをさらに備え、 前記スイッチの操作により前記外部操作を行う請求項２
記載のスイッチング半導体装置。 - 【請求項５】 前記半導体スイッチング素子の静電破壊
を防止するための内蔵の抵抗をさらに備えた請求項１〜
４のいずれかに記載のスイッチング半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9077786A JPH10271809A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | スイッチング半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9077786A JPH10271809A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | スイッチング半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10271809A true JPH10271809A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13643665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9077786A Pending JPH10271809A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | スイッチング半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10271809A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018117457A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05328746A (ja) * | 1992-05-14 | 1993-12-10 | Daikin Ind Ltd | 電圧形スイッチング素子制御方法およびその装置 |
| JPH08181592A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Matsushita Electric Works Ltd | タイマ時間切換回路 |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP9077786A patent/JPH10271809A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05328746A (ja) * | 1992-05-14 | 1993-12-10 | Daikin Ind Ltd | 電圧形スイッチング素子制御方法およびその装置 |
| JPH08181592A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Matsushita Electric Works Ltd | タイマ時間切換回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018117457A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10313570A (ja) | Ｉｇｂｔ駆動回路 | |
| JP2715491B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP3414859B2 (ja) | 半導体デバイスの過電流時のターンオフ回路装置 | |
| JPH10271809A (ja) | スイッチング半導体装置 | |
| JP2956319B2 (ja) | 電圧駆動形スイッチング素子の逆バイアス制御回路 | |
| JPH02100419A (ja) | Ｅｃｌ回路 | |
| JPH0653757A (ja) | スイッチング可能な電流源回路 | |
| KR920020511A (ko) | 출력 버퍼 회로 | |
| JPH03232316A (ja) | スパイク電流を減少させたｃｍｏｓスイッチドライバ | |
| JPS62132405A (ja) | 水晶発振回路 | |
| KR200229676Y1 (ko) | 아이지비티 인버터의 게이트 구동회로 | |
| JP2576779B2 (ja) | 信号出力回路 | |
| JP3585114B2 (ja) | 分周器 | |
| JP2004524766A (ja) | 過電流を全く生じることなく電流をターン・オンおよびターン・オフさせるための回路構造 | |
| JP2004088886A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2760047B2 (ja) | エミッタ結合型論理回路 | |
| JPH10336006A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2929869B2 (ja) | ３ステート・バッファ回路 | |
| JPH0519960Y2 (ja) | ||
| JPH02301323A (ja) | レベルシフト回路 | |
| JPH0286313A (ja) | 半導体スイッチ回路の過電流保護回路 | |
| JPH05315917A (ja) | Ｉｇｂｔのゲート駆動方法 | |
| JPH0370477A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置の駆動電源回路 | |
| JPH07245557A (ja) | パワーｍｏｓトランジスタの駆動回路 | |
| JP2864559B2 (ja) | ＢｉＣＭＯＳ論理回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040427 |