JP6544254B2 - 電子制御装置 - Google Patents

Description

本発明は、内燃機関の噴射制御を行う電子制御装置に関する。

内燃機関の噴射制御を行う電子制御装置においては、車載バッテリなどの電源から電源リレーを介して給電をする際に、突入電流が流れることがある。電源リレーは、半導体スイッチング素子などを用いる構成が採用されるため、過大な突入電流が流れると寿命の低下に繋がることがある。

このため、電源リレーを構成するスイッチング素子の駆動信号を抵抗とコンデンサからなる時定数回路を設けてゲート駆動信号を与えるようにした構成が採用されている。この場合、スイッチング素子を保護するための時定数回路は、抵抗値が大きく設定されると動作時間が遅くなり、コンデンサの容量が大きく設定されると発熱の原因となるため、保護機能と動作性能とを考慮して時定数を設定する構成とされていた。

しかしながら、素子の特性を示す値がばらつくことを考慮すると、保護機能を優先させるために時定数を大きく設定することになり、このためスイッチング素子の動作速度が犠牲になる。また、個別に最適な時定数に設定したとしても、使用に伴う変化や経年変化などで、必ずしも最適な条件が保持されているとは限らない。

特開２００９−６０７２２号公報

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的は、スイッチング素子を常に最適な条件で駆動させることで、スイッチング速度を犠牲にすることなく、且つ突入電流を抑制してスイッチング素子の寿命低下を抑制することができるようにした電子制御装置を提供することにある。

請求項１に記載の電子制御装置は、内燃機関の噴射制御を行う電子制御装置であって、燃料噴射器を駆動する噴射駆動回路と、前記噴射駆動回路の給電経路に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する駆動回路と、前記スイッチング素子のゲートに接続する容量を切換え制御する制御回路と、前記噴射駆動回路への給電時に前記スイッチング素子に流れる突入電流を検出する突入電流検出回路とを備え、前記制御回路は、前記噴射駆動回路への給電時に前記突入電流検出回路により検出された突入電流の値に応じて前記スイッチング素子のゲートに接続する容量の設定を切換え制御するように構成されている。

上記構成を採用することにより、制御回路は、噴射駆動回路への給電時に突入電流検出回路により検出された突入電流の値に応じてスイッチング素子のゲートに接続する容量の設定を切換え制御する。これにより、スイッチング素子は、制御回路により設定された容量の条件で駆動回路により駆動されるので、最新の条件によって時定数を設定することができ、過大な突入電流が流れるのが抑制される。また、スイッチング素子が駆動される度に、突入電流検出回路により検出される突入電流の値に応じて最新の容量値を設定することができるので、車両環境の変化や時間的な変動にも対応して常に適正な時定数でスイッチング素子を駆動させることができる。

第１実施形態を示す電気的構成図 起動時の処理を示すフローチャート 各部の信号の時間推移を示すタイムチャート 第２実施形態を示すフローチャート 第３実施形態を示すフローチャート

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。
図１は全体構成を示すもので、電子制御装置１は、車載バッテリ２から電源端子ＶＢを介して給電されると共に、イグニッションスイッチ３を介して入力端子ＩＧ−ＳＷにイグニッション信号が入力される。

制御回路４は、マイコンを主体とした構成であり、内部にＲＯＭ、ＲＡＭ等のメモリ４ａや、各種のインターフェース回路などを備えている。入力端子ＩＧ−ＳＷから入力されるイグニッション信号は、ダイオード５を順方向に介して制御回路４に入力される。制御回路４は、後述する制御プログラムがメモリ４ａ内に記憶されており、電源が与えられるとメモリ４ａから制御プログラムを読み出して実行する。電子制御装置１内の各部に給電するための電源は、電源端子ＶＢからスイッチング素子としてのＮチャンネル型のＭＯＳＦＥＴ６を介して内部電源回路７に与えられる。内部電源回路７は、所定電圧の駆動用電源を生成して制御回路４およびその他の構成部分に給電する。

ＭＯＳＦＥＴ６を駆動するＮＭＯＳ駆動回路８は、電源端子ＶＢから直接給電され、ゲート信号を生成する。ＮＭＯＳ駆動回路８は、イグニッション信号が与えられると共に制御回路４から駆動信号が与えられる。ＭＯＳＦＥＴ６のゲートには、容量として例えば４個のコンデンサ９ａ〜９ｄが並列に接続されると共に入力抵抗１０が接続され、時定数回路が形成されている。コンデンサ９ａ〜９ｄは制御回路４により接続状態が制御される。

ＭＯＳＦＥＴ６は、ゲートに接続される時定数回路の時定数が大きい程、オン時の急峻な立ち上がりが抑制されるので、突入電流のピーク値を緩和させることができる。したがって、制御回路４の制御により、コンデンサ９ａ〜９ｄの接続個数を多くすることで時定数を大きく設定することができる。制御回路４において、コンデンサ９ａ〜９ｄの接続状態の切り替えは、例えばコンデンサへの接続端子のレベルをハイレベルあるいはハイインピーダンスにして無効にしたり、ローレベルにしてグランドレベルに接続することで有効にすることで行える。

Ｎチャンネル型のＭＯＳＦＥＴ１１は、インジェクタ駆動回路１２に給電するスイッチング素子である。ＭＯＳＦＥＴ１１は、電源端子ＶＢからＭＯＳＦＥＴ６を介して電源を受け、コイル１３を介してインジェクタ駆動回路１２に給電する。コイル１３およびインジェクタ駆動回路１２の接続点とグランドとの間には平滑コンデンサ１４が接続されている。インジェクタ駆動回路１２は、出力端子ＯＵＴから外部に接続される燃料噴射器としてのインジェクタに対して、駆動電源を与える噴射駆動回路である。

ＭＯＳＦＥＴ１１を駆動するＮＭＯＳ駆動回路１５は、電源端子ＶＢから直接給電され、ゲート信号を生成する。ＮＭＯＳ駆動回路１５は、制御回路４から駆動信号が与えられる。ＭＯＳＦＥＴ１１のゲートには例えば４個のコンデンサ１６ａ〜１６ｄが並列に接続されると共に入力抵抗１７が接続され、時定数回路が形成されている。コンデンサ１６ａ〜１６ｄは制御回路４により接続状態が制御される。

ＭＯＳＦＥＴ１１は、ゲートに接続される時定数回路の時定数が大きい程、オン時の急峻な立ち上がりが抑制されるので、突入電流のピーク値を緩和させることができる。したがって、コンデンサ１６ａ〜１６ｄの接続個数を多くすることで時定数を大きく設定することができる。制御回路４において、コンデンサ１６ａ〜１６ｄの接続状態の切替は、例えばコンデンサへの接続端子のレベルをハイレベルあるいはハイインピーダンスにして無効にしたり、ローレベルにしてグランドレベルに接続することで有効にすることで行える。

Ｖｄｓモニタ回路１８は、ＭＯＳＦＥＴ６のドレイン−ソース間の電圧Ｖｄｓ１を検出して制御回路４に出力するように設けられている。制御回路４は、Ｖｄｓモニタ回路１８により検出される電圧ＶｄｓａとＭＯＳＦＥＴ６のオン抵抗からＭＯＳＦＥＴ６に流れる電流Ｉａを検出することができる。Ｖｄｓモニタ回路１８は、突入電流検出回路として機能するもので、これによって、ＭＯＳＦＥＴ６のオン時に流れる突入電流を検出することができる。

Ｖｄｓモニタ回路１９は、ＭＯＳＦＥＴ１１のドレイン−ソース間の電圧Ｖｄｓｂを検出して制御回路４に出力するように設けられている。制御回路４は、Ｖｄｓモニタ回路１９により検出される電圧ＶｄｓｂとＭＯＳＦＥＴ１１のオン抵抗からＭＯＳＦＥＴ１１に流れる電流Ｉｂを検出することができる。Ｖｄｓモニタ回路１９は、突入電流検出回路として機能するもので、これによって、ＭＯＳＦＥＴ１１のオン時に流れる突入電流を検出することができる。

次に、上記構成の作用について図２および図３も参照して説明する。図２は制御回路４による動作プログラムを示している。また、図３は動作に伴う各部の信号の変化を示している。

この電子制御装置１においては、最初に起動する際にＭＯＳＦＥＴ６および１１のオン動作時に突入電流のレベルが過大とならないように、コンデンサ９ａ〜９ｄ、１６ａ〜１６ｄのうちから予め所定のものを接続状態として時定数回路を形成するように設定しておくことができる。これによって、最初に電源を投入する際には、装置間のばらつきを考慮した条件で突入電流のレベルが抑制される。

この場合、例えば、初期設定状態では、ＭＯＳＦＥＴ６に対しては、１個のコンデンサ９ａあるいは２個のコンデンサ９ａと９ｂが時定数回路として機能するように設定されている。また、同様にＭＯＳＦＥＴ１１に対しては、１個のコンデンサ１６ａあるいは２個のコンデンサ１６ａと１６ｂが時定数回路として機能するように設定されている。

なお、電源投入時に制御回路４は給電されていない状態であるため、コンデンサ９ａ〜９ｄの接続および開放の制御はできない。制御回路４が、イグニッション信号を受けていない状態でも電源端子ＶＢからの給電で動作可能な場合には、コンデンサ９ａ〜９ｄの接続および開放の制御をすることができる。この実施形態では、コンデンサ９ａ〜９ｄについては、予め設定した条件で接続された状態が保持されるものとする。また、この設定条件は、制御回路４により設定することができるものとして説明する。

起動時においては、図３（ａ）に示すように、時刻ｔ０でイグニッションスイッチ３がオンされると、電子制御装置１においては、入力端子ＩＧ−ＳＷからイグニッション信号が入力される。ＮＭＯＳ駆動回路８は、電源端子ＶＢから給電されており、イグニッション信号が入力されると、図３（ｄ）に示すように、ＭＯＳＦＥＴ６にゲート信号を与える。ＭＯＳＦＥＴ６は、図３（ｃ）に示すように、時刻ｔ１でゲート電圧がしきい値電圧Ｖｔｈ１ａに達するとオン状態に移行する。

ＭＯＳＦＥＴ６のオンにより、図３（ｂ）に示すように電源回路７は給電が開始される。電源回路７は、給電が開始されると、図３（ｅ）に示すように、所定電圧の内部電源を生成して制御回路４に給電するようになる。これにより、制御回路４は電源回路７から所定電圧が与え与えられることで起動する。なお、ＭＯＳＦＥＴ６のオン動作時には、インジェクタ駆動回路１２にはまだ給電されていないので、突入電流はほとんど流れない。

制御回路４は、給電を受けて起動すると、図２に示す起動時の処理を開始する。制御回路４は、まず、ステップＳ１で予めメモリ４ａに記憶された設定条件を読み出してこれを設定する。これは、ＮＭＯＳ駆動回路１５を駆動させる際に、コンデンサ１６ａ〜１６ｄのうちの予め設定されたコンデンサを接続するようにデフォルトで設定された条件である。制御回路４は、予め設定されたコンデンサの一端側をグランドに接続するように制御する。

次に、制御回路４は、ステップＳ２で、ＮＭＯＳ駆動回路１５に駆動信号を出力してＭＯＳＦＥＴ１１を駆動する。ＮＭＯＳ駆動回路１５は、図３（ｇ）に示すように、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲートにゲート信号を与えて駆動させる。ＭＯＳＦＥＴ１１は、時刻ｔ２でゲート電圧がしきい値電圧Ｖｔｈ２ａに達すると、図３（ｆ）に示すように、ＭＯＳＦＥＴ１１はオン状態に移行する。

このとき、ＭＯＳＦＥＴ１１は、ゲートにコンデンサ１６ａ〜１６ｄのうちの予め設定された適切なコンデンサがグランドレベルに接続された状態となっているので、設定されたコンデンサと抵抗１７とにより、ゲート電圧が適切な上昇をすることで適正範囲もしくはそれ以下の突入電流レベルでオン状態に移行する。図３（ｈ）に示すように、突入電流Ｉｓは、適正範囲を示す上限ＩｔｈＨと下限ＩｔｈＬの範囲内または、適正範囲よりも低いレベルＩｙなどのレベルとなる。

なお、コンデンサ１６ａ〜１６ｄのうち、上記したようにデフォルトで設定されるものは、ＭＯＳＦＥＴ１１のばらつきなどを考慮して突入電流が確実に抑制できるように設定されるもので、適正範囲の上限ＩｔｈＨを超えないように、保護を優先とした条件が設定されている。

上記の動作において、制御回路４は、ステップＳ３で、ＭＯＳＦＥＴ１１のオン時に流れる突入電流を計測する。これは、Ｖｄｓモニタ回路１９により、ＭＯＳＦＥＴ１１のソース／ドレイン間の電圧Ｖｄｓを検出することで、オン抵抗との関係から電流を測定するものである。制御回路４は、次のステップＳ４で、Ｖｄｓモニタ回路１９により検出される突入電流のレベルを判定し、この突入電流レベルに応じて、コンデンサ１６ａ〜１６ｄから次回のオン時にグランドレベルに接続するコンデンサを決定する。

制御回路４は、ステップＳ５で、決定したコンデンサの選択条件をメモリ４ａに記憶させる。制御回路４は、次回のＭＯＳＦＥＴ１１のオン時に、ステップＳ１で読み出して設定する。なお、制御回路４は、起動時の処理をこれにより終了する。

この場合、ＭＯＳＦＥＴ１１の突入電流は、計測されるレベルが例えば図３（ｈ）に示すように、適正範囲の上限ＩｔｈＨを超えるレベルＩｘであるときには、これを抑制するために、接続するコンデンサの個数を増やして全体に時定数を大きくなるように設定する。また、適正範囲の下限ＩｔｈＬを下回るレベルＩｙであるときには、時定数を小さくするために、接続するコンデンサの個数を減らすように調整する。突入電流が適正範囲に入るレベルＩｓである場合には、前回の設定条件をそのまま保持する。

この後、時刻ｔ３でイグニッションスイッチがオフされてトリップ期間Ｔｏｎが終了すると、制御回路４は、ＮＭＯＳ駆動回路１５にＭＯＳＦＥＴ１１をオフさせるように駆動信号を停止する。ＭＯＳＦＥＴ１１は、図３（ｇ）に示すように、ＮＭＯＳ駆動回路１５から与えられるゲート電圧が時刻ｔ４でしきい値電圧Ｖｔｈ２ｂまで低下すると、図３（ｆ）に示すようにオフ状態に移行する。なお、ＭＯＳＦＥＴ１１のオフ時のしきい値電圧Ｖｔｈ２ｂは、オン時のしきい値Ｖｔｈ２ａよりも小さく設定されている。

さらに、制御回路４は、この後、ＮＭＯＳ駆動回路８にＭＯＳＦＥＴ６をオフさせるように駆動信号を停止する。ＭＯＳＦＥＴ６は、図３（ｄ）に示すように、ＮＭＯＳ駆動回路８から与えられるゲート電圧が時刻ｔ５でしきい値電圧Ｖｔｈ１ｂまで低下すると、図３（ｃ）に示すようにオフ状態に移行する。なお、ＭＯＳＦＥＴ６のオフ時のしきい値電圧Ｖｔｈ１ｂは、オン時のしきい値Ｖｔｈ１ａよりも小さく設定されている。

以上のようにして、初回の動作が終了すると、ＭＯＳＦＥＴ１１の初回動作時における突入電流の測定結果に基づいて、コンデンサ１６ａ〜１６ｄのうちから、突入電流のレベルが適正範囲に入る条件のコンデンサが制御回路４により設定される。

この結果、この後、時刻ｔ６でイグニッションスイッチがオンされると、上述と同様にして動作を行う過程で、起動時の処理プログラムにおいてＭＯＳＦＥＴ１１のオン時の突入電流Ｉｓ１が、図３（ｈ）に示しているように、適正範囲に入る条件で駆動されるようになる。

なお、ＭＯＳＦＥＴ１１の突入電流の変動は、ＭＯＳＦＥＴ１１の特性変動、インジェクタ駆動回路１２の特性変動や給電経路の経時変動、あるいは車両の環境変化としてバッテリの交換や環境温度の変動などにより生じる。制御回路４は、これらの変動要素に対して、コンデンサ１６ａ〜１６ｄから、直前のトリップ時の条件を用いて選択設定することができる。この結果、最も近い時点での使用条件に対応した設定をすることができるのである。

このように、本実施形態では、制御回路４により、インジェクタ駆動回路１２への給電時にＶｄｓモニタ回路１９により検出された電圧から突入電流を算出し、その突入電流の値に応じてコンデンサ１６ａ〜１５ｄのうちからグランドレベルに接続するコンデンサの設定を切換え制御するようにした。これにより、ＭＯＳＦＥＴ１１は、制御回路４により設定されたコンデンサの条件でＮＭＯＳ駆動回路１５により駆動されるので、最新の条件によって適切な時定数を設定することができる。この結果、ＭＯＳＦＥＴ１１のオン時には適正範囲内のレベルの突入電流となり、且つ時定数も適切な値となるように制御することができる。

また、ＭＯＳＦＥＴ１１が駆動される度に、Ｖｄｓモニタ回路１９により検出される突入電流の値に応じて最新の条件でコンデンサ１６ａ〜１６ｄから設定することができるので、常に最新の条件により、車両環境の変化や時間的な変動にも対応して常に適正な時定数でＭＯＳＦＥＴ１１を駆動させることができる。

なお、上記実施形態では、制御回路４により、ＭＯＳＦＥＴ１１についてコンデンサ１６ａ〜１６ｄの接続条件を設定するようにしているが、制御回路４が常時給電される構成の場合には、ＭＯＳＦＥＴ６についてもコンデンサ９ａ〜９ｄの接続条件を設定するようにしても良い。この場合には、同様にして、ＭＯＳＦＥＴ６のオン時に、Ｖｄｓモニタ回路１８によりＶｄｓを測定し、これによってＭＯＳＦＥＴ６の突入電流を求めて設定することができる。

（第２実施形態）
図４は第２実施形態を示すもので、以下、第１実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態では、前回のトリップ時に取得した突入電流のレベルで判断したコンデンサの設定条件について、使用期限を設けるようにしたものである。

すなわち、制御回路４により、イグニッションスイッチがオンされた時に前述同様にして突入電流を測定し、これによってコンデンサ１６ａ〜１６ｄから突入電流のレベルが適正範囲に入るように接続条件を設定しているが、前回のトリップからの経過時間が長い場合には必ずしも前回の設定条件が相応しくない場合も生ずる。この実施形態では、このような場合を考慮したものである。

この実施形態では、電子制御装置１は、例えば制御回路４内に時計もしくは計時機能を備えていて、イグニッションスイッチ３がオフされた時点から次のオン時点までの経過時間Ｔｏｆｆを計時可能に構成されている。時計機能を備えている場合には、イグニッションスイッチ３のオフ時の時刻を記憶し、次にイグニッションスイッチ３がオンされると、その時点までのオフ時間Ｔｏｆｆを計時するものである。

制御回路４は、起動時の処理として、前述のステップＳ１を実行するに先立ち、最初にステップＳａ１でオフ期間Ｔｏｆｆを計時する。次に、制御回路４は、ステップＳａ２で、計時したオフ期間Ｔｏｆｆが判定時間Ｔａ以下であるか否かを判断し、ＹＥＳの場合には前述のステップＳ１を実施する。また、制御回路４は、オフ期間Ｔｏｆｆが判定期間Ｔａを超えている場合には、ＮＯと判断して予め設定されていたデフォルト条件を用いるように設定する。

制御回路４は、この後、設定された条件でＭＯＳＦＥＴ１１を駆動する。この場合、オフ期間Ｔｏｆｆが判定期間Ｔａ以内であるときには、前回の設定条件を用いてＭＯＳＦＥＴ１１を駆動するので、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、オフ期間Ｔｏｆｆが判定期間Ｔａを超えるときには、前回設定した条件が一致しない場合もありうるとして、予め設定されていたデフォルト条件を用いる。これにより、ＭＯＳＦＥＴ１１は、制御回路４により、確実に突入電流を適正範囲もしくはそれ以下の保護を優先した条件で駆動させることができる。

このような第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を得ることができると共に、オフ期間Ｔｏｆｆが長いときには、初期条件であるデフォルト条件を用いることで、長いオフ期間による変動要因を排除してＭＯＳＦＥＴ１１のオン時に確実に突入電流を抑制した状態で動作させることができる。

なお、上記実施形態では、オフ期間Ｔｏｆｆについて、判定期間Ｔａを設ける場合で示したが、オフ期間Ｔｏｆｆが短い場合に温度変動の要素を考慮して別の条件を設定するようにしても良い。これによって、オフ期間Ｔｏｆｆの期間に応じてきめ細かく適切な起動条件を設定することができる。

（第３実施形態）
図５は第３実施形態を示すもので、以下、第１実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態では、第１実施形態において、突入電流を計測した結果に基づいてそのレベルを判定していたのに対して、その他の要因を考慮して設定条件を決めるようにしている。

この実施形態では、電子制御装置１は、例えば制御回路４内に時計もしくは計時機能を備えていて、イグニッションスイッチ３がオンされた時点からオフされる時点までのオン期間Ｔｏｎおよびイグニッションスイッチ３がオフされた時点から次のオン時点までのオフ期間Ｔｏｆｆを計時可能に構成されている。時計機能を備えている場合には、イグニッションスイッチ３のオン時、オフ時の時刻を記憶し、次にイグニッションスイッチ３がオフ、あるいはオンされると、その時点までのオン期間Ｔｏｎ、オフ期間Ｔｏｆｆを計時するものである。

また、制御回路４内のメモリ４ａには、コンデンサ１６ａ〜１６ｄの中から、上記したオン期間Ｔｏｎ、オフ期間Ｔｏｆｆおよび突入電流の大きさに対応して設定すべきものを指定するテーブルが記憶されている。

制御回路４は、前述同様にして突入電流のレベルを判定するステップＳ４では、図５に示す設定条件の決定処理を行う。制御回路４は、まずステップＳ４ａで、前回のオン期間Ｔｏｎを読み出し、続いて、ステップＳ４ｂで前回のオフ期間Ｔｏｆｆを読み出す。制御回路４は、この後、ステップＳ４ｃで、突入電流値、オン期間Ｔｏｎ、オフ期間Ｔｏｆｆに対応するテーブル値を取得する。これにより、４個のコンデンサ１６ａ〜１６ｄの中から適切なコンデンサが選択設定される。制御回路４は、ステップＳ５で選択された条件をメモリ４ａに記憶させる。

これにより、制御回路４は、ＭＯＳＦＥＴ１１に対して、適切なコンデンサを接続した状態で突入電流を適正範囲に収まるようにしてオン動作させることができる。
この場合、オン期間Ｔｏｎが長いと、前回のトリップ時間が長いことで装置の温度も上昇している状態であり、これに対してオフ期間Ｔｏｆｆが短いと装置の温度低下が少ない状態であるといったことが想定される。また、第２実施形態で示したように、オフ期間Ｔｏｆｆが長い場合には、前回の設定条件が適さない場合が出てくるので、その場合にはデフォルト条件を設定することができる。

このようにして、オン期間Ｔｏｎ、オフ期間Ｔｏｆｆも考慮して接続するコンデンサを設定することで、電子制御装置１の状態にきめ細かく対応してＭＯＳＦＥＴ１１のオン時の突入電流を適正範囲に入るように制御することができる。

（他の実施形態）
なお、本発明は、上述した実施形態のみに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能であり、例えば、以下のように変形または拡張することができる。

この実施形態では、それぞれのＭＯＳＦＥＴ６、１１に対して、容量として４個のコンデンサ９ａ〜９ｄ、１６ａ〜１６ｄを切り替え接続可能に設けているが、さらに多くのコンデンサを切り替え接続可能に設けることができる。

図面中、１は電子制御装置、２は車載バッテリ、３はイグニッションスイッチ、４は制御回路（制御回路、計時部）、４ａはメモリ、６はＮチャンネル型のＭＯＳＦＥＴ（スイッチング素子）、７は電源回路、８、１５はＮＭＯＳ駆動回路（駆動回路）、９ａ〜９ｄ、１６ａ〜１６ｄはコンデンサ（容量）、１１はＮチャンネル型のＭＯＳＦＥＴ（スイッチング素子）、１２はインジェクタ駆動回路（噴射制御回路）、１５はＮＭＯＳ駆動回路、１８、１９はＶｄｓモニタ回路（突入電流検出回路）である。

Claims (8)

1. 内燃機関の噴射制御を行う電子制御装置であって、
   燃料噴射器を駆動する噴射駆動回路（１２）と、
   前記噴射駆動回路（１２）の給電経路に設けられたスイッチング素子（６、１１）と、
   前記スイッチング素子を駆動する駆動回路（８、１５）と、
   前記スイッチング素子のゲートに接続する容量（９ａ〜９ｄ、１６ａ〜１６ｄ）を切換え制御する制御回路（４）と、
   前記噴射駆動回路への給電時に前記スイッチング素子に流れる突入電流を検出する突入電流検出回路（１８、１９）とを備え、
   前記制御回路は、前記噴射駆動回路への給電時に前記突入電流検出回路により検出された突入電流の値に応じて前記スイッチング素子のゲートに接続する容量の設定を切換え制御する電子制御装置。
2. 請求項１に記載の電子制御装置において、
   前記制御回路（４）は、前記突入電流検出回路により検出された突入電流が適正範囲に対して大きいときには前記容量の値を大きく設定し、突入電流が前記適正範囲に対して小さいときには前記容量の値を小さく設定する電子制御装置。
3. 請求項１または２に記載の電子制御装置において、
   前記制御回路（４）は、前記噴射駆動回路への給電時に前記突入電流検出回路により検出された突入電流の値に応じて設定した前記スイッチング素子のゲートに接続する容量を次回電源投入時に有効にする電子制御装置。
4. 請求項１または３に記載の電子制御装置において、
   電源オフ時点から電源投入時点までのオフ期間を計時する計時部（４）を備え、
   前記制御回路（４）は、前記噴射駆動回路への給電時に前記計時部により計時された前記オフ期間が設定期間以内であるときに、前回設定された前記スイッチング素子のゲートに接続する容量を設定し、前記設定期間を超えるときには予め設定されている容量値を設定する電子制御装置。
5. 請求項２に記載の電子制御装置において、
   電源オフ時点から電源投入時点までのオフ期間を計時する計時部（４）を備え、
   前記制御回路（４）は、前記噴射駆動回路への給電時に前記計時部により計時された前記オフ期間が設定期間以内であるときに、前回設定された前記スイッチング素子のゲートに接続する容量を設定し、前記設定期間を超えるときには予め設定されている容量値を設定する電子制御装置。
6. 請求項５に記載の電子制御装置において、
   前記予め設定されている容量値として、突入電流が前記適正範囲に対して小さくなるように設定される電子制御装置。
7. 請求項１から３の何れか一項に記載の電子制御装置において、
   電源投入時点から電源オフ時点までのオン期間および電源オフ時点から電源投入時点までのオフ期間を計時する計時部（４）と、
   前記電源オン期間、電源オフ期間および前記突入電流検出回路により検出された突入電流の値に応じて前記容量の設定条件を示すテーブルを記憶するメモリ（４ａ）とを備え、
   前記制御回路（４）は、前記噴射駆動回路への給電時に前記計時部により計時された前記オン期間および前記オフ期間、前記突入電流検出回路により検出された突入電流の値から、前記テーブルを参照して前記容量値を設定する電子制御装置。
8. 請求項１から７の何れか一項に記載の電子制御装置において、
   前記突入電流検出回路（１８、１９）は、前記スイッチング素子に流れる突入電流を、前記スイッチング素子を構成するＭＯＳＦＥＴ（６、１１）のドレイン電圧とソース電圧との電位差から求める電子制御装置。
   

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