JP2009232596A - 充電制御回路および充電制御用半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

【課題】チップ温度に応じて充電電流を制御する機能を備えた充電制御用ＩＣにおいて、チップ温度の上下動によって電流のオン／オフというチャタリング現象が引き起こされるのを回避できるようにする。
【解決手段】二次電池に供給する充電電流を制御する機能を備えた充電制御用半導体集積回路において、チップ温度が所定の設定温度（例えば１４０℃）以上に上昇した場合には充電電流を遮断するとともに、チップ温度が前記電流遮断設定温度よりも低い所定の温度範囲（例えば９０℃〜１００℃）にあるときは温度が高くなるほど充電電流を減らし、チップ温度が前記温度範囲の下限温度より低い状態では所定の電流値の充電電流を流し、前記温度範囲の上限温度から前記電流遮断設定温度までは前記所定の電流値よりも小さな充電電流を流すように構成した。
【選択図】図１

Description

本発明は、二次電池の充電装置における温度上昇抑制技術に関し、例えば充電制御回路あるいはこれを搭載した充電制御用ＩＣ（半導体集積回路）に利用して有効な技術に関する。

二次電池の充電装置には、電池や装置内部の異常な温度上昇を抑制するため充電電流を制御する充電制御回路を搭載したＩＣが使用されている。このような充電装置に関する発明としては、例えば特許文献１に記載されている発明がある。この発明は、最も温度が上昇する発熱部品あるいは最も温度マージンが少ない部品の内部あるいは近傍に温度検知部を備え、前記温度検知部の出力が所定の温度を超えた場合は二次電池への充電電流を下げるあるいは停止制御するようにしたものである。

また、充電装置においては、充電電流を制御する充電制御用ＩＣ自身の発熱による信頼性の低下さらには故障の発生を防止するため、チップ上に温度検知素子を設けて温度上昇を抑制する機能が設けられているものもある。
特開２００１−１４５２７４号公報

従来の充電制御用ＩＣの温度上昇抑制技術は、チップ温度が例えば１５０℃のような所定の温度を超えた場合には、電流制御用トランジスタをオフして充電電流を遮断するという単純なものに過ぎなかった。この制御方法は、温度上昇−充電電流遮断−温度低下−充電電流再開−温度上昇というサイクルを繰り返すことで、チップ温度が設定温度を超えないようにすることができる。

しかしながら、チップ温度が１５０℃のような所定温度を超えた場合に充電電流を完全に遮断するため、次に充電電流を再開する際に、フィードバック制御ループの応答遅れによって電流制御用トランジスタに急激に大きな電流が流され、電流遮断−電流再開−電流遮断−電流再開というチャタリング現象を起こすおそれがある。また、電流再開時に急激に大きな電流が二次電池に流れ込むことによって二次電池の特性劣化ひいては電池寿命を短くするおそれがあるという課題があることが明らかとなった。

この発明は上記のような課題に着目してなされたもので、その目的とするところは、監視するチップ等の温度に応じて充電電流を制御する機能を備えた充電制御回路や充電制御用ＩＣにおいて、監視対象の温度の上下動によって電流のオン／オフというチャタリング現象が引き起こされることを回避できるようにすることにある。

この発明の他の目的は、監視するチップ等の温度に応じて充電電流をオン、オフ制御する機能を備えた充電制御回路や充電制御用ＩＣにおいて、電流再開時に急激に大きな電流が二次電池に流れ込んで二次電池の特性が劣化するのを防止できるようにすることにある。

上記目的を達成するため、この発明は、二次電池に供給する充電電流を制御する機能を備えた充電制御回路において、監視する温度が所定の設定温度（例えば１４０℃）以上に上昇した場合には充電電流を遮断するとともに、監視する温度が前記電流遮断設定温度よりも低い所定の温度範囲（例えば９０℃〜１００℃）にあるときは温度が高くなるほど充電電流を減らし、監視する温度が前記温度範囲の下限温度より低い状態では所定の電流値の充電電流を流し、前記温度範囲の上限温度から前記電流遮断設定温度までは前記所定の電流値よりも小さな充電電流を流すように構成したものである。

より具体的には、電圧入力端子と出力端子との間に設けられた電流制御用トランジスタと、該電流制御用トランジスタを制御して二次電池に供給する充電電流を制御する制御回路と、チップ温度を検知する温度検知素子を備え検知温度に応じた電圧を出力するチップ温度検出回路と、を有する充電制御用半導体集積回路において、前記制御回路は、チップ温度が前記電流遮断設定温度よりも低い所定の温度範囲にあるときは温度が高くなるほど充電電流を減らし、チップ温度が前記温度範囲の下限温度より低い状態では所定の電流値の充電電流を流し、前記温度範囲の上限温度から前記電流遮断設定温度までは前記所定の電流値よりも小さな電流を流すように前記電流制御用トランジスタを制御するように構成した。

このような構成によれば、チップ温度のような監視する温度が電流遮断設定温度よりも低い所定の温度以上になると充電電流が減少されて温度が上昇しにくくなるため、電流のオン／オフというチャタリング現象が引き起こされるのを回避できる。また、急激に大きな電流が二次電池に流れ込む電流再開頻度を減らすことができ、それによって二次電池の特性劣化を防止できる。

ここで、望ましくは、出力充電電流に応じた電圧がフィードバックされ前記電流制御用トランジスタに一定の電流が流れるように制御電圧を制御する定電流制御アンプを備え、前記チップ温度検出回路の出力電圧が前記定電流制御アンプに参照側電圧として供給されるように構成に構成する。これにより、チップ温度が所定の温度を越えない範囲で所定の電流で二次電池を充電させることができる。

また、前記温度範囲の下限温度は８０℃〜１００℃であり、前記温度範囲の上限温度は９０℃〜１２０℃であり、前記温度差は５℃以上２０℃以下となるように構成する。あるいは、前記温度範囲での充電電流の変化率は０．０４Ｃ／℃〜０．０８Ｃ／℃となるように構成する。これにより、通常の充電ではチップ温度を所定の範囲に維持することができる。

さらに、望ましくは、前記チップ温度検出回路は、前記温度検知素子により生じた電圧が所定の定電圧よりも低くなったときまたは高くなったときに前記電流制御用トランジスタに電流が流れないように制御する信号を出力する電圧比較回路を備えるように構成する。これにより、チップ温度が異常に高くなったときに充電電流を遮断させることができる。

また、前記電流制御用トランジスタと同一構造を有し前記電流制御用トランジスタよりもサイズが小さく形成され前記電流制御用トランジスタと同一の制御電圧が印加される電流モニタ用トランジスタと、該電流モニタ用トランジスタに生じた電圧が前記定電流制御アンプにフィードバックされて前記参照側電圧との電位差に応じた制御電圧が生成され前記電流制御用トランジスタに供給されるように構成する。これにより、前記電流制御用トランジスタに流れる電流を検出するため該トランジスタと直列に抵抗を接続する場合に比べて電力損失を少なくすることができる。

さらに、前記出力端子の電圧を受けて所定の参照電圧との電位差に応じた電圧を生成し前記電流制御用トランジスタを定電圧制御する電圧を出力する定電圧制御アンプと、前記出力端子の電圧が所定の電圧に達したか否かを検出する電圧検出回路と、を備え、前記出力端子の電圧が所定の電圧に達する前は、前記定電流制御アンプの出力により前記電流制御用トランジスタを制御し、前記出力端子の電圧が所定の電圧に達した後は、前記定電圧制御アンプの出力により前記電流制御用トランジスタを制御するように構成しても良い。これにより、チップ温度が前記温度範囲よりも高いときは所定の低電圧で充電を行なうことができる。

さらに、前記チップ温度検出回路は、所定の電圧から前記温度検知素子により生じる電圧を減算する減算回路と、該減算回路の出力を反転増幅する反転増幅回路と、該反転増幅回路の出力と第１の電圧とを比較する第１コンパレータと、該第１コンパレータの出力によって制御され、前記反転増幅回路の出力が前記第１の電圧よりも低いときは前記反転増幅回路の出力を、また前記反転増幅回路の出力が前記第１の電圧よりも高いときは前記第１の電圧を選択的に後段に伝達する第１選択手段と、前記反転増幅回路の出力と前記第１の電圧よりも低い第２の電圧とを比較する第２コンパレータと、該第２コンパレータの出力によって制御され、前記反転増幅回路の出力が前記第２の電圧よりも高いときは前記反転増幅回路の出力を、また前記反転増幅回路の出力が前記第２の電圧よりも低いときは前記第２の電圧を選択的に後段に伝達する第２選択手段と、を備えるように構成する。これにより、チップ温度が所望の温度範囲で充電を行なうことができる充電電制御回路を比較的容易に設計することができる。

本発明によると、監視するチップ等の温度に応じて充電電流を制御する機能を備えた充電制御回路あるいは充電制御用ＩＣにおいて、監視対象の温度の上下動によって電流のオン／オフというチャタリング現象が引き起こされるのを回避できる。また、電流再開時に急激に大きな電流が二次電池に流れ込んで二次電池の特性が劣化するのを防止できるという効果がある。

以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。

図１は、本発明を適用して好適な二次電池の充電制御用ＩＣの一実施形態の概略構成を示す。

図１に示されているように、この実施形態の充電制御用ＩＣ１０には、外部のＡＣアダプタのような直流電源２０からの直流電圧が入力される電圧入力端子ＶＩＮと、充電対象のリチウムイオン電池のような二次電池４０が接続されるバッテリ端子ＢＡＴと、前記電圧入力端子ＶＩＮとバッテリ端子ＢＡＴとの間に設けられた電流制御用トランジスタＱ１と、定電圧制御を行うためバッテリ電圧Ｖbatと参照電圧Ｖref1とを比較してＱ１のゲート制御電圧を生成する定電圧制御アンプＡＭＰ１とを備えている。

また、トランジスタＱ１に流される電流に比例した電流を検出して電流制御を行うため、Ｑ１の１／Ｎの大きさを有しソース端子が前記電圧入力端子ＶＩＮに接続されＱ１と同一の電圧が制御端子（ゲート端子）に印加されたモニタ用トランジスタＱ２と、Ｑ２のドレイン端子が接続され外部には外付け抵抗Ｒｐが接続可能な外部端子ＰＲＯＧと、定電流制御を行うため該端子ＰＲＯＧの電圧と参照電圧Ｖcrefとを比較してＱ１のゲート制御電圧を生成する定電流制御アンプＡＭＰ２とを備えている。

さらに、この実施形態の充電制御用ＩＣ１０には、外部から前記電圧入力端子ＶＩＮに入力される直流電圧Ｖｉｎからチップを保護するため、例えば５．８Ｖのような参照電圧Ｖref2とＶｉｎとを比較して異常を検出するコンパレータＣＭＰ１と、バッテリ端子ＢＡＴの電圧と参照電圧Ｖref3とを比較するコンパレータＣＭＰ２と、電池近傍の温度を検知するサーミスタなどの温度センサ５０が接続される外部端子ＴＨの電圧と参照電圧Ｖref4とを比較するコンパレータＣＭＰ３と、これらのコンパレータＣＭＰ１〜ＣＭＰ３の出力に基いて監視対象の電圧が異常な電圧になっているか否か判定し、異常な電圧の場合には電流制御用トランジスタＱ１をオフ状態にすべくＱ１のゲートにドレインが接続されたオープンコレクタのトランジスタＱ３のゲートを制御する電圧を生成して出力する内部制御回路１１を備える。

また、温度依存性のない定電圧Ｖregを生成するレギュレータ１２と、チップ温度を検知して異常な温度を検知して場合に前記スイッチ・トランジスタＱ３をオンさせる信号を生成するとともに、検知温度に応じて前記定電流制御アンプＡＭＰ２に供給する参照電圧Ｖcrefを生成するチップ温度検出回路１３とが設けられている。

上記参照電圧Ｖref4は、レギュレータ１２により生成された定電圧Ｖregを抵抗Ｒ１，Ｒ２で分圧することで生成される。また、定電圧Ｖregは、温度センサ５０と直列に接続される外付け抵抗Ｒｔの他方の端子が接続される外部端子ＶＲＥＧに出力される。さらに、予備充電時間や急速充電時間等を管理するための時間を計時するカウンタなどからなるタイマー回路１４と、例えば６４ｋＨｚのような周波数の発振信号を生成する発振回路１５とが設けられている。

図３には、前記チップ温度検出回路１３の具体的な回路構成例が示されている。

この実施例のチップ温度検出回路１３は、チップ上に形成された負の温度特性を有する４個のダイオードＤ１〜Ｄ４が直列に接続されてなるチップ温度検知素子ＳＮＳと、該ダイオード列に電流を流す定電流源ＣＳと、定電圧Ｖregを分圧する抵抗Ｒ３，Ｒ４と、Ｒ３，Ｒ４により分圧された電圧Ｖ１と定電流源ＣＳと温度検知素子ＳＮＳとの接続ノードＮａの電位Ｖａ（＝４ＶF）とを比較するヒステリシス特性を有するコンパレータＣＭＰ０とからなるサーマルシャットダウン検出回路３１を備える。

上記定電流源ＣＳの電流Ｉ０と抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗比は、チップ温度が１４０℃よりも高くなるとＶ１＞４ＶFとなるように設定される。ＶFはダイオードの順方向電圧である。これにより、チップ温度が１４０℃よりも高くなると、コンパレータＣＭＰ０の出力ＴＳがハイレベルに変化して、内部制御回路１１がそれを検知してトランジスタＱ３をオフさせる電圧を出力する。これによって、電流制御用トランジスタＱ１がオフ状態にされて二次電池に供給される充電電流を遮断するように構成されている。なお、チップ温度検知素子ＳＮＳとしてのダイオードＤ１〜Ｄ４は、最も発熱量の多い電流制御用トランジスタＱ１の近傍に形成しておくのが望ましい。

また、チップ温度検出回路１３は、ノードＮａの電位Ｖａをインピーダンス変換して出力するボルテージフォロワ３２と、該ボルテージフォロワ３２の出力電位と抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４の抵抗回路で決まる電位とを入力とする引き算回路３３と、該引き算回路３３の出力電位Ｖｂを反転増幅する反転アンプ３４とを備える。

さらに、この反転アンプ３４の後段には、反転アンプ３４の出力Ｖｃと定電圧Ｖregとを比較するコンパレータ３５と該コンパレータ３５の出力によって制御されて前記反転アンプ３４の出力または定電圧Ｖreg（２．５Ｖ）のいずれかを後段へ伝えるセレクタ３６と、前記反転アンプ３４の出力Ｖｃと定電圧Ｖregを抵抗Ｒ２１，Ｒ２２で分圧された電圧Ｖｄとを比較するコンパレータ３７と該コンパレータ３７の出力によって制御されて前記セレクタ３６の出力または電圧Ｖｄのいずれかを参照電圧Ｖcrefとして出力するセレクタ３８とが設けられている。電圧Ｖｄは例えば０．５Ｖのような電位とされる。

次に、上記のように構成されたチップ温度検出回路１３の動作を、図４を用いて説明する。

本実施例のチップ温度検出回路においては、温度検知素子としてのダイオードの順方向電圧ＶFは負の温度特性を有するため、ノードＮａの電位Ｖａは、図４（ａ）に破線Ａで示すように温度が高くなるほど低くなる直線に沿って変化する。Ｖａは、チップ温度が９０℃のときに例えば２．２７Ｖとなるように決定されている。一方、引き算回路３３は抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４の抵抗回路で決まる電位からＶａを引いたような電位を出力するため、その出力Ｖｂは、図４（ａ）に実線Ｂで示すように温度が高くなるほど高くなる直線に沿って変化する。抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４の抵抗値は、これらの抵抗比で決まるＶｂが、チップ温度が９０℃のときに２．５Ｖとなるように決定されている。

引き算回路３３の出力電位Ｖｂは反転アンプ３４で反転増幅されるため、反転アンプ３４の出力Ｖｃは、図４（ｂ）に一点鎖線Ｃで示すように、チップ温度が９０℃のときに２．５Ｖとなる点を通り温度が高くなるほど低くなる直線に沿って変化するようになる。また、反転アンプ３４の出力Ｖｃはチップ温度が１００℃のときに０．５Ｖとなるように入力抵抗Ｒ３１と帰還抵抗Ｒ３２との抵抗比が設定されている。

そして、後段のセレクタ３６では、反転アンプ３４の出力Ｖｃが２．５Ｖよりも高いときは２．５ＶであるＶregが、また反転アンプ３４の出力Ｖｃが２．５Ｖよりも低いときは反転アンプ３４の出力Ｖｃが選択され、さらにセレクタ３８では、反転アンプ３４の出力Ｖｃが０．５Ｖよりも高いときは反転アンプ３４の出力Ｖｃが、またが０．５Ｖよりも低いときは０．５Ｖである電圧Ｖｄが選択される。そのため、出力される参照電圧Ｖcrefは、図４（ｃ）に示すように、９０℃以下では２．５Ｖ一定、９０℃〜１００℃の範囲では温度が高くなるほど低くなる直線に沿って変化し、１００℃以上では０．５Ｖ一定となるように変化する。

さらに、温度が１４０℃を超えると、前述したように、サーマルシャットダウン検出回路３１の出力に基いて電流制御用トランジスタＱ１が遮断されるため、Ｑ１によって二次電池４０へ供給される充電電流ＩＢＡＴは、図２に示すように、９０℃以下では０．８Ｃ一定、９０℃〜１００℃の範囲では温度が高くなるほど低くなる直線に沿って変化し、１００℃〜１４０℃以上では０．２Ｃ一定、さらに１４０℃以上では０となるように制御される。

なお、ここで、０．８Ｃ充電とは二次電池の特性によって決まる定格電流（１Ｃ）に対して８０％の電流値で充電することを意味している。１Ｃでなく０．８Ｃとしたのは、充電の繰り返しに伴う電池の劣化を考慮したためである。また、充電電流が小さいと充電時間が長くなる。従って、充電時間との関係で、９０℃以下では０．７Ｃ〜１Ｃの間の任意の定電流で充電するように制御するのが望ましい。また、制御を切り替えるタイミングを与える９０℃や１００℃の温度は、使用するＩＣや充電対象の電池等の特性に応じて決定したものであり、このような温度に限定されるものでないことはいうまでもない。

また、前記実施例では、充電電流を変化させる温度範囲を９０℃〜１００℃としているが、これに限定されるものではない。望ましい温度範囲の下限温度は８０℃〜１００℃、上限温度は９０℃〜１２０℃であり、前記温度範囲の温度差は５℃以上２０℃以下、さらに望ましい温度差は８℃以上１５℃以下である。さらに、前記実施例では、１０℃変化する間に充電電流を０．８Ｃから０．２Ｃへ変化させているつまり電流変化率は０．０６Ｃ／℃であるが、これに限定されるものではない。望ましい電流変化率は０．０４Ｃ／℃〜０．０８Ｃ／℃の範囲である。このような条件に設定することにより、充電中のチップ温度を所望の範囲に維持することができる。

次に、図３のようなチップ温度検出回路を有し図２のような温度電流制御を行なう本実施形態の充電制御用ＩＣ１０における充電動作（図６）を、サーマルシャットダウン検出回路のみ有する充電制御回路による充電動作（図５）と比較しながら説明する。サーマルシャットダウン検出は、通常の充電動作ではめったに作動しないフェイルセーフの機能であり、以下の説明でもサーマルシャットダウンがない場合を想定して説明する。なお、図６におけるチップ温度はチップの平均温度であり、温度検知用のダイオードが形成されている局所的なチップ温度は図６のものよりも高くなっている。

温度電流制御をしない従来の充電制御回路による充電動作（図５）では、アダプタなどからの入力電圧Ｖｉｎの投入（タイミングｔ１）により直ちに０．８Ｃの充電電流ＩＢＡＴが流れ始め定電流制御による充電で電池電圧ＶＢＡＴは徐々に上昇し、４．２Ｖのような所定電圧に到達すると定電圧制御による充電に切り替わる（タイミングｔ２）。これにより、充電電流は減少しチップ温度も低下する。しかしながら、定電流制御による充電中にはチップ温度が９０℃を超えており、装置の周囲温度によっては１４０℃を超えることもあり得るため、そのときにはサーマルシャットダウン検出回路３１が作動して充電電流が遮断される。

一方、温度電流制御を行なう本実施形態の充電制御用ＩＣ１０による充電動作では、図６に示すように、入力電圧Ｖｉｎの投入（タイミングｔ１）により一旦は０．８Ｃの充電電流ＩＢＡＴが流されるが、これによりチップ温度が上昇し９０℃を超えると、充電電流が減少されるためチップ温度が９０℃の近傍で充電が行なわれる。その後、充電電流ＩＢＡＴが増加して０．８Ｃに達すると定電流制御による充電動作（期間Ｔ１）に変わり、さらにその後、電池電圧ＶＢＡＴが４．２Ｖのような所定電圧に到達すると定電圧制御による充電に切り替わる（タイミングｔ２）。

なお、定電圧制御へ以降後は、例えばタイマー１４を使用して所定時間経過後に充電終了と判定したり、定電圧制御により徐々に充電電流が減少するのでそれを監視して例えば０．１Ｃ以下の電流になった時点もしくはそれから所定時間後に充電終了と判定して電流制御用トランジスタＱ１をオフ状態にするような制御が行なわれる。

このように、本実施形態の充電制御用ＩＣ１０による充電動作では、チップ温度が上昇し９０℃を超えると、充電電流が減少されるためチップ温度の上昇が抑えられる。そのため、サーマルシャットダウン検出回路によるフェイルセーフの機能が働くことはほとんどなく、チップ温度上昇による充電電流の遮断−再開による急激なチップ温度上昇−充電電流の遮断というチャタリング現象の発生が回避されるようになる。そのため、電流再開時に急激に大きな電流が二次電池に流れ込んで二次電池の特性劣化が進むという事態も防止することができる。

以上本発明の一実施形態について述べたが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変更が可能である。例えば、前記実施形態では、チップ温度検知素子Ｄ１〜Ｄ４としてダイオードを使用しているが、ＮＰＮトランジスタのベース・エミッタ間ＰＮ接合をチップ温度検知素子として利用するものであっても良い。また、前記実施形態では、チップ温度を検知する素子を設けてチップ温度の上昇に対して温度制御を行なっているが、電池温度を検知するサーミスタからの電圧に応じて前記実施形態で説明したような電流制御を行なうようにしてもよい。

さらに、図３のチップ温度検出回路では、９０℃以下で２．５Ｖ（一定）、１００℃以上で０．５Ｖ（一定）を出力するため、コンパレータ３５，３７とセレクタ３６，３８を設けているが、これらの回路の代わりに、ダイオードなどからなるクランプ手段を設けて出力電圧をクランプして実施例と同様な出力波形の電圧を出力するように構成しても良い。

以上の説明では、本発明を二次電池の充電制御用ＩＣに適用した例を説明したが、本発明にそれに限定されるものではなく、二次電池の充電制御回路の他に、ＤＣ−ＤＣコンバータやＬＤＯ（低飽和型シリーズレギュレータ）のような直流電源回路、ＷＬＥＤ（ホワイト発光ダイオード）ドライバ回路等複数の電源系回路を搭載したパワーマネージメントＩＣのような多機能電源制御用ＩＣにも利用することができる。

本発明を適用して好適なＩＣの一例としての充電制御用ＩＣの概略構成を示す構成図である。 本発明の実施形態における温度充電電流制御によるチップ温度と充電電流との関係を示すグラフである。 チップ温度検出回路の具体例を示す回路構成図である。 図３のチップ温度検出回路内の各部の電圧の変化を示すグラフである。 温度電流制御をしない充電制御用ＩＣにおける充電動作を示すタイミングチャートである。 温度電流制御を行なう本実施形態の充電制御用ＩＣにおける充電動作を示すタイミングチャートである。

符号の説明

１０ 充電制御用ＩＣ
１１ 内部制御回路
１２ レギュレータ
１３ チップ温度検出回路
１４ タイマー回路
１５ 発振回路
３１ サーマルシャットダウン検出回路
３２ ボルテージフォロワ
３３ 引き算回路
３４ 反転アンプ
３５，３７ コンパレータ
３６，３８ セレクタ
２０ 直流電源
４０ 二次電池
５０ 電池温度センサ（サーミスタ）
ＳＮＳ 温度検知素子

Claims (7)

1. 二次電池に供給する充電電流を制御する機能を備えた充電制御回路において、監視する温度が所定の設定温度以上に上昇した場合には充電電流を遮断するとともに、監視する温度が前記電流遮断設定温度よりも低い所定の温度範囲にあるときは温度が高くなるほど充電電流を減らし、監視する温度が前記温度範囲の下限温度より低い状態では所定の電流値の充電電流を流し、前記温度範囲の上限温度から前記電流遮断設定温度までは前記所定の電流値よりも小さな充電電流を流すように制御することを特徴とする充電制御回路。
2. 電圧入力端子と出力端子との間に設けられた電流制御用トランジスタと、該電流制御用トランジスタを制御して二次電池に供給する充電電流を制御する制御回路と、チップ温度を検知する温度検知素子を備え検知温度に応じた電圧を出力するチップ温度検出回路と、を有する充電制御用半導体集積回路において、
   前記制御回路は、チップ温度が前記電流遮断設定温度よりも低い所定の温度範囲にあるときは温度が高くなるほど充電電流を減らし、チップ温度が前記温度範囲の下限温度より低い状態では所定の電流値の充電電流を流し、前記温度範囲の上限温度から前記電流遮断設定温度までは前記所定の電流値よりも小さな電流を流すように前記電流制御用トランジスタを制御することを特徴とする充電制御用半導体集積回路。
3. 出力充電電流に応じた電圧がフィードバックされ前記電流制御用トランジスタに一定の電流が流れるように制御電圧を制御する定電流制御アンプを備え、
   前記チップ温度検出回路の出力電圧が前記定電流制御アンプに参照側電圧として供給されるように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の充電制御用半導体集積回路。
4. 前記温度範囲の下限温度は８０℃〜１００℃であり、前記温度範囲の上限温度は９０℃〜１２０℃であり、前記温度差は５℃以上２０℃以下であることを特徴とする請求項２または３に記載の充電制御用半導体集積回路。
5. 前記温度範囲での充電電流の変化率は０．０４Ｃ／℃〜０．０８Ｃ／℃であることを特徴とする請求項３または４に記載の充電制御用半導体集積回路。
6. 前記チップ温度検出回路は、
   前記温度検知素子により生じた電圧が所定の定電圧よりも低くなったときまたは高くなったときに前記電流制御用トランジスタに電流が流れないように制御する信号を出力する電圧比較回路を備えていることを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載の充電制御用半導体集積回路。
7. 前記チップ温度検出回路は、
   所定の電圧から前記温度検知素子により生じる電圧を減算する減算回路と、
   該減算回路の出力を反転増幅する反転増幅回路と、
   該反転増幅回路の出力と第１の電圧とを比較する第１コンパレータと、
   該第１コンパレータの出力によって制御され、前記反転増幅回路の出力が前記第１の電圧よりも低いときは前記反転増幅回路の出力を、また前記反転増幅回路の出力が前記第１の電圧よりも高いときは前記第１の電圧を選択的に後段に伝達する第１選択手段と、
   前記反転増幅回路の出力と前記第１の電圧よりも低い第２の電圧とを比較する第２コンパレータと、
   該第２コンパレータの出力によって制御され、前記反転増幅回路の出力が前記第２の電圧よりも高いときは前記反転増幅回路の出力を、また前記反転増幅回路の出力が前記第２の電圧よりも低いときは前記第２の電圧を選択的に後段に伝達する第２選択手段と、
   を備えていることを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の充電制御用半導体集積回路。

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