JP2011061966A - ボルテージレギュレータ - Google Patents
ボルテージレギュレータ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011061966A JP2011061966A JP2009208610A JP2009208610A JP2011061966A JP 2011061966 A JP2011061966 A JP 2011061966A JP 2009208610 A JP2009208610 A JP 2009208610A JP 2009208610 A JP2009208610 A JP 2009208610A JP 2011061966 A JP2011061966 A JP 2011061966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- circuit
- transistor
- temperature
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
【課題】抵抗のトリミングのための工程が不要な、過熱保護回路を備えたボルテージレギュレータを提供する。
【解決手段】過熱保護回路を、温度によって変化する電圧を出力する温度検出回路と、温度検出回路の出力する電圧によって変化する温度電圧を出力する定電圧回路と、基準電圧回路と、温度電圧と基準電圧を比較するコンパレータと、コンパレータの比較結果に基づいてヒステリシス動作をするように切替える切換え回路とを備え、切換え回路は定電圧回路の定電流源もしくは基準電圧回路のトランジスタを切り替える構成とした。
【選択図】図1
【解決手段】過熱保護回路を、温度によって変化する電圧を出力する温度検出回路と、温度検出回路の出力する電圧によって変化する温度電圧を出力する定電圧回路と、基準電圧回路と、温度電圧と基準電圧を比較するコンパレータと、コンパレータの比較結果に基づいてヒステリシス動作をするように切替える切換え回路とを備え、切換え回路は定電圧回路の定電流源もしくは基準電圧回路のトランジスタを切り替える構成とした。
【選択図】図1
Description
本発明は、入力電圧から一定の出力電圧を生成するボルテージレギュレータに関し、より詳しくは、発熱から回路を保護する過熱保護回路に関する。
一般的にボルテージレギュレータは、電子機器による負荷が増大し大電流が流れた場合、自己発熱による温度上昇が発生する。過度な温度上昇によってボルテージレギュレータ自身の破壊に至る場合がある。そのため、所定の温度以上にならないための過熱保護回路が設けられている。
ここで、特許文献1で提案された、従来の過熱保護回路を搭載したボルテージレギュレータについて説明する。図2は、従来の過熱保護回路を搭載したボルテージレギュレータの概略の回路図である。
出力電圧VOUTは、抵抗2と抵抗3とによって分圧され、分圧電圧を生成している。図には示されていないが、誤差増幅回路は、分圧電圧と基準電圧とを比較し、分圧電圧と基準電圧とが等しくなるように出力トランジスタ1を制御し、出力電圧VOUTを一定にする。
過熱保護回路は、定電圧源62及び64と、ダイオード61と、抵抗63と、コンパレータ65と、PMOSトランジスタ66を備えている。
コンパレータ65は、定電圧源62とダイオード61で生成された温度電圧VFと、抵抗63と定電圧源64で生成された基準電圧VREFとを入力される。抵抗63はトリミング調整をおこない基準電圧VREFの電圧を変えることが可能となる。PMOSトランジスタ66は、ゲートをコンパレータ65の出力端子に接続される、ドレインを出力トランジスタ1のゲートに接続され、ソースを電源に接続されている。
過熱状態を検出していない場合は、基準電圧VREF>温度電圧VFになる。コンパレータ65の出力はハイレベルになるので、PMOSトランジスタ66はオフ状態となり、ボルテージレギュレータは電圧を出力する。
過熱状態を検出した場合は、温度電圧VF>基準電圧VREFになる。コンパレータ65の出力はローになるので、PMOSトランジスタ66はオン状態となり、出力トランジスタ1はオフする。そして、ボルテージレギュレータは電圧出力を停止する。
また、特許文献1で提案された、従来のヒステリシスを有する過熱保護回路を搭載したボルテージレギュレータについて説明する。図3は、従来のヒステリシスを有する過熱保護回路を搭載したボルテージレギュレータの回路図である。
NMOSトランジスタ4、5及び6と抵抗7及び8は、定電圧源を構成している。NMOSトランジスタ9は、ゲートをコンパレータ65の出力に接続され、ドレインとソースを抵抗8の両端に接続されている。
過熱状態を検出した場合は、温度電圧VF>基準電圧VREFになる。コンパレータ65の出力はローになるので、NMOSトランジスタ9はオンとなり抵抗8の両端を短絡する。抵抗8の両端を短絡すると、定電圧源の電流が増加するので基準電圧VREFが低下する。その後、温度が低下してコンパレータ65の出力がハイレベルになると、NMOSトランジスタ9はオフとなる。このように、NMOSトランジスタ9のオンオフによって、過熱保護回路はヒステリシス動作をおこなう。
従来の過熱保護回路では、基準電圧の設定、ヒステリシス動作に必要な抵抗はトリミング調整をおこなう必要がある。トリミング調整をおこなうためには初期状態のテスト、トリミングの実施、トリミング後の確認テストの工程が必要になる。トリミング調整のための工程が増えることによって、テスト時間が長くなることが課題であった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされ、抵抗のトリミングのための工程が不要な、過熱保護回路を備えたボルテージレギュレータを提供する。
本発明は、上記課題を解決するため、過熱保護回路を、温度によって変化する電圧を出力する温度検出回路と、温度検出回路の出力する電圧によって変化する温度電圧を出力する定電圧回路と、基準電圧回路と、温度電圧と基準電圧を比較するコンパレータと、コンパレータの比較結果に基づいて、ヒステリシス動作をするように切替える切換え回路とを備え、切換え回路は、定電圧回路の定電流源もしくは基準電圧回路のトランジスタを切り替えてヒステリシス動作する構成とした。
本発明の過熱保護回路を備えたボルテージレギュレータは、切換え回路が基準電圧回路の定電流源もしくは定電圧回路のトランジスタを切替えることによってヒステリシス動作を行う構成としたので、抵抗のトリミングのための工程が不要となり、テスト時間が短縮できるという効果がある。更に、トリミング用ヒューズ素子や抵抗素子が削減できるため、チップサイズ縮小の効果もある。
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
以下、本発明の第一の実施例を、図面を参照して説明する。
図1は、第一の実施例の過熱保護回路を搭載したボルテージレギュレータのブロック図である。第一の実施例のボルテージレギュレータは、出力トランジスタ10と、分圧抵抗回路22と、基準電圧回路20と、誤差増幅回路21と、過熱保護回路29と、を備えている。過熱保護回路29は、基準電圧回路23と、温度検出回路24と、定電圧回路25と、コンパレータ回路27と、制御回路11と、を備えている。
図4は、第1の実施例の過熱保護回路の回路図である。温度検出回路24は、ダイオード30で構成されている。定電圧回路25は、トランジスタ33と、定電流源31とから構成している。定電流源31は、定電流源35と、定電流源36と、切換え回路26で構成されている。トランジスタ33は、ソースをダイオード30に接続され、ゲートとドレインを定電流源31に接続され、基板をVSSに接続されている。
定電流源31と定電流源32は、ミラー回路で構成することで、プロセス条件や温度条件による電流値の変化が同じになる。トランジスタ33とトランジスタ34は、同一のトランジスタサイズで、閾値電圧を異ならせている。トランジスタ33の閾値電圧は、トランジスタ34の閾値電圧よりも低く設定しておく。この時、トランジスタ33のソースにはダイオード30が接続されているため、ダイオード30と定電流源31で設定される電圧VFがトランジスタ33にバックゲート効果をもたらす。定電圧回路25の出力する温度電圧VF1は、電圧VFとトランジスタ33の閾値電圧で設定される。温度が上昇すると、ダイオード30の電圧VFは低下し、且つトランジスタ33のバックゲート効果も小さくなるので、温度電圧VF1は低下する。過熱保護すべき温度に達した時に、温度電圧VF1が基準電圧VREFを下回るように電圧VFと、トランジスタ33及びトランジスタ34の閾値電圧差を設定する。
切換え回路26は、過熱状態の検出と解除の時に、ヒステリシス動作を制御している。過熱状態の検出の時に切換え回路26はオン状態となり、定電流源31の定電流値は定電流源35と定電流源36の合成電流となる。また、過熱状態の解除の時に、切換え回路26はオフ状態になり、定電流源31の定電流値は定電流源35の電流値となる。
第一の実施例のボルテージレギュレータは、以下のように動作する。
出力トランジスタ10によって出力される出力電圧VOUTを、分圧抵抗回路22によって分圧して分圧電圧VFBを生成する。基準電圧回路20は、基準電圧VREFを出力する。基準電圧VREFと分圧電圧VFBは、誤差増幅回路21で比較される。誤差増幅回路21は、比較結果によって出力トランジスタ10を制御して、一定の出力電圧VOUTを出力する。
温度検出回路24は、ICの温度をモニタして定電圧回路25の出力電圧を制御している。定電圧回路25の出力する温度電圧VF1は、温度検出回路24で制御された温度特性となり、基準電圧回路23の出力する基準電圧VREFの温度特性と異なる。温度電圧VF1は、温度が低い場合には基準電圧VREFよりも高く、所定の温度以上の場合には基準電圧VREFよりも低くなるように設定されている。また、25℃において、基準電圧回路23の基準電圧VREFと定電圧回路25の温度電圧VF1は、プロセスバラツキに依存せずに、一定の電圧差となるように設定されている。
コンパレータ回路27は、基準電圧VREFと温度電圧VF1を比較する。その比較結果は、制御回路11のゲートに入力される。制御回路11は、出力端子を出力トランジスタ10のゲートに接続されている。定電圧回路25は、コンパレータ回路27の出力によって出力電圧を切り替える機能を有している。切換え回路26は、コンパレータ回路27の出力によって定電流源36の接続を切替える。
次に、過熱保護回路29の動作について説明する。
ICの温度が低く、所定の温度以下で過熱状態が検出されない場合、基準電圧回路23の出力する基準電圧VREFは温度電圧VF1よりも低いので、コンパレータ回路27はハイレベルを出力する。制御回路11はオフするので、出力トランジスタ10は誤差増幅回路21の出力によって制御される。
自己発熱や周囲温度の上昇によって、ICの温度が上昇していくと温度検出回路24によって温度電圧VF1は低下していく。更に温度が上昇して過熱状態を検出する所定の温度を超えると、温度電圧VF1が基準電圧VREFを下回りコンパレータ回路27はローレベルを出力する。従って、制御回路11はオンするので、出力トランジスタ10のゲート電圧が高くなり、出力トランジスタ10がオフする。そして、ボルテージレギュレータは出力を停止する。この時、切換え回路26は、コンパレータ回路27の出力によって、定電流源36の接続を切断するように切替える。すなわち、定電圧回路25の出力する温度電圧VF1を一定電圧だけ低下させる。従って、いったん検出された過熱状態は、安定して検出を保持することが出来る。
ICの温度が下降していくと、温度検出回路24によって温度電圧VF1が増加していく。そして、温度電圧VF1が基準電圧VREFを上回ると、コンパレータ回路27はハイレベルを出力する。従って、制御回路11はオフするので、過熱状態の解除となり、出力トランジスタ10は誤差増幅回路21の出力によって制御される。そして、切換え回路26は、コンパレータ回路27の出力によって、定電流源36を接続するように切替える。すなわち、定電圧回路25の出力する温度電圧VF1を一定電圧だけ増加させる。従って、いったん解除された過熱状態は、安定して解除を保持することが出来る。
以上説明したように、本発明の過熱保護回路を備えたボルテージレギュレータよれば、抵抗のトリミング調整を必要としないので、抵抗のトリミングのための工程が不要であり、トリミング用ヒューズ素子や抵抗素子が削減できるためチップサイズ縮小の効果もある。
なお、定電流源31は、切換え回路26によって、定電流源36の接続を切替える構成で説明したが、定電流源35と定電流源36を切替える構成とするなど、電流値を切替える構成であればよい。
次に、本発明の第二の実施例を、図面を参照して説明する。
図5は、本発明の第二の実施例の過熱保護回路を内蔵したボルテージレギュレータの回路図である。ボルテージレギュレータの構成は、第1の実施形態と同様である。本発明の第一の実施例との差は、ヒステリシス動作を基準電圧回路23の出力電圧を切り替えることによって行っている点である。
図6は、第二の実施例の過熱保護回路の回路図である。温度検出回路24は、ダイオード30で構成されている。定電圧回路25は、トランジスタ33と、定電流源31とから構成している。トランジスタ33は、ソースをダイオード30に接続され、ゲートとドレインを定電流源31に接続され、基板をVSSに接続されている。
基準電圧回路23は、トランジスタ34と、トランジスタ38と、切り替え回路26と、定電流源32とを備えている。トランジスタ34は、ソースと基板がVSSに接続され、ゲートとドレインの接続点が切替え回路26に接続されている。同様に、トランジスタ38は、ソースと基板がVSSに接続され、ゲートとドレインの接続点が切替え回路26に接続されている。ここでは例えば、トランジスタ34は、閾値電圧がトランジスタ38の閾値電圧よりも低く設定されている。切換え回路26は、コンパレータ回路27の出力によって制御され、トランジスタ34とトランジスタ38とを切り替えて、定電流源31との接続を切替える。
切換え回路26は、過熱状態の検出と解除の時に、ヒステリシス動作を制御している。過熱状態の検出の時に、切換え回路26はトランジスタ38に接続を切替える。基準電圧回路VREFは、定電流源32とトランジスタ38によって出力される。閾値電圧の高いトランジスタ38が選択されるので、基準電圧VREFは増加する。従って、いったん検出された過熱状態は、安定して検出を保持することが出来る。そして、過熱状態の解除の時に、切換え回路26はトランジスタ34に接続を切替える。基準電圧回路VREFは、定電流源32とトランジスタ34によって出力される。閾値電圧の低いトランジスタ34が選択されるので、基準電圧VREFは減少する。従って、いったん解除された過熱状態は、安定して解除を保持することが出来る。
以上説明したように、本発明の過熱保護回路を備えたボルテージレギュレータよれば、抵抗のトリミング調整を必要としないので、抵抗のトリミングのための工程が不要であり、トリミング用ヒューズ素子や抵抗素子が削減できるためチップサイズ縮小の効果もある。
なお、基準電圧回路23は、切換え回路26によって、トランジスタ34とトランジスタ38を切替える構成で説明したが、トランジスタ38の接続を切替える構成とするなど、トランジスタの閾値電圧を切替える構成であればよい。
次に、本発明の第三の実施例を、図面を参照して説明する。
図7は、本発明の第三の実施例の過熱保護回路の回路図である。ボルテージレギュレータの構成は、第1の実施形態と同様である。本発明の他の実施例との差は、定電圧回路25が出力する温度電圧VF1によって、電圧出力回路を構成するトランジスタ34及びトランジスタ38のゲートを制御し、そのトランジスタと定電流源32によって発生する電圧で制御回路11を制御している点である。ヒステリシス動作は、電圧出力回路の閾値電圧の異なるトランジスタ34とトランジスタ38を切り替えることによって行っている。
温度検出回路24は、ダイオード30で構成されている。定電圧回路25は、トランジスタ33と、定電流源31とから構成している。トランジスタ33は、ソースをダイオード30に接続され、ゲートとドレインを定電流源31に接続され、基板をVSSに接続されている。
トランジスタ34は、ゲートに温度電圧VF1を入力され、ソース及び基板はVSSに接続され、ドレインは切換え回路26に接続される。同様に、トランジスタ38は、ゲートに温度電圧VF1を入力され、ソース及び基板はVSSに接続され、ドレインは切換え回路26に接続される。
インバータ40は、定電流源32とトランジスタ34またはトランジスタ38で出力される電圧を入力し、反転した電圧をトランジスタ11のゲートに出力する。
切換え回路26は、過熱状態の検出と解除の時に、ヒステリシス動作を制御している。過熱状態の検出の時に、切換え回路26はトランジスタ38に接続を切替える。インバータ40へ入力される電圧は、定電流源32とトランジスタ38によって出力される。閾値電圧の高いトランジスタ38が選択されるので、電圧は増加する。従って、いったん検出された過熱状態は、安定して検出を保持することが出来る。そして、過熱状態の解除の時に、切換え回路26はトランジスタ34に接続を切替える。インバータ40へ入力される電圧は、定電流源32とトランジスタ34によって出力される。閾値電圧の低いトランジスタ34が選択されるので、電圧は減少する。従って、いったん解除された過熱状態は、安定して解除を保持することが出来る。
以上説明したように、本発明の過熱保護回路を備えたボルテージレギュレータよれば、抵抗のトリミング調整を必要としないので、抵抗のトリミングのための工程が不要であり、トリミング用ヒューズ素子や抵抗素子が削減できるためチップサイズ縮小の効果もある。
なお、基準電圧回路23は、切換え回路26によって、トランジスタ34とトランジスタ38を切替える構成で説明したが、トランジスタ38の接続を切替える構成とするなど、トランジスタの閾値電圧を切替える構成であればよい。
21、65 誤差増幅回路
27、65 コンパレータ
20、23 基準電圧回路
24 温度検出回路
25 定電圧回路
26 切換え回路
29 過熱保護回路
27、65 コンパレータ
20、23 基準電圧回路
24 温度検出回路
25 定電圧回路
26 切換え回路
29 過熱保護回路
Claims (4)
- 出力電圧に基づく帰還電圧と基準電圧を比較する誤差増幅回路と、所定の温度を超えたことを検出すると出力トランジスタをオフして回路を保護する過熱保護回路とを備え、入力電圧から一定の出力電圧を生成するボルテージレギュレータであって、
前記過熱保護回路は、
温度によって変化する電圧を出力する温度検出回路と、
前記温度検出回路の出力する電圧によって変化する温度電圧を出力する定電圧回路と、
第二の基準電圧を出力する基準電圧回路と、
前記温度電圧と前記第二の基準電圧を比較するコンパレータと、
前記コンパレータの比較結果に基づいて、ヒステリシス動作をするように切替える切換え回路と、を備え、
前記切換え回路は、前記定電圧回路の定電流源もしくは前記基準電圧回路のトランジスタを切り替えて制御することを特徴とするボルテージレギュレータ。 - 前記定電圧回路は、電流値の異なる第一電流源と第二電流源を備え、
前記切換え回路は、前記第一電流源と前記第二電流源を切替えることを特徴とする請求項1記載のボルテージレギュレータ。 - 前記基準電圧回路は、閾値電圧の異なる第一トランジスタと第二トランジスタを備え、
前記切換え回路は、前記第一トランジスタと前記第二トランジスタを切替えることを特徴とする請求項1記載のボルテージレギュレータ。 - 出力電圧に基づく帰還電圧と基準電圧を比較する誤差増幅回路と、所定の温度を超えたことを検出すると出力トランジスタをオフして回路を保護する過熱保護回路とを備え、入力電圧から一定の出力電圧を生成するボルテージレギュレータであって、
前記過熱保護回路は、
温度によって変化する電圧を出力する温度検出回路と、
前記温度検出回路の出力する電圧によって変化する温度電圧を出力する定電圧回路と、
前記定電圧回路の出力する温度電圧によって変化する電圧を出力する電圧出力回路と、
前記電圧出力回路の出力する電圧を反転出力するインバータと、
前記インバータの比較結果に基づいて、ヒステリシス動作をするように切替える切換え回路と、を備え、
前記切換え回路は、前記電圧出力回路の第一トランジスタと第二トランジスタを切り替えて制御することを特徴とするボルテージレギュレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009208610A JP2011061966A (ja) | 2009-09-09 | 2009-09-09 | ボルテージレギュレータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009208610A JP2011061966A (ja) | 2009-09-09 | 2009-09-09 | ボルテージレギュレータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011061966A true JP2011061966A (ja) | 2011-03-24 |
Family
ID=43948934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009208610A Pending JP2011061966A (ja) | 2009-09-09 | 2009-09-09 | ボルテージレギュレータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011061966A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103747599A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-23 | 杰华特微电子(杭州)有限公司 | 稳流控制电路、对应的电路组合及稳流控制方法 |
CN104202883A (zh) * | 2014-09-12 | 2014-12-10 | 常州顶芯半导体技术有限公司 | 内置过压保护的led驱动器、驱动电路及led驱动器工作方法 |
CN104202884A (zh) * | 2014-09-12 | 2014-12-10 | 常州顶芯半导体技术有限公司 | 无频闪的高恒流精度led驱动电路及其工作方法 |
CN105807141A (zh) * | 2014-12-27 | 2016-07-27 | 黄大贵 | 一种真空灭弧室内阻测量装置 |
KR20170067147A (ko) * | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 전압 레귤레이터 |
CN106877287A (zh) * | 2017-04-05 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种过温保护电路及驱动方法 |
CN107732870A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-02-23 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种应用于开关电源的可配置过温保护电路 |
CN108491023A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-09-04 | 电子科技大学 | 一种低功耗高精度的电流基准电路 |
KR20180111627A (ko) * | 2017-03-30 | 2018-10-11 | 에이블릭 가부시키가이샤 | 전압 레귤레이터 |
CN108733128A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-02 | 电子科技大学 | 一种超低功耗的修调码值产生电路 |
CN108736875A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-02 | 电子科技大学 | 一种修调码值产生电路 |
JP2020087250A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | エイブリック株式会社 | 過熱保護回路及び半導体装置 |
-
2009
- 2009-09-09 JP JP2009208610A patent/JP2011061966A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103747599A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-23 | 杰华特微电子(杭州)有限公司 | 稳流控制电路、对应的电路组合及稳流控制方法 |
CN103747599B (zh) * | 2014-01-28 | 2016-03-23 | 杰华特微电子(杭州)有限公司 | 稳流控制电路、对应的电路组合及稳流控制方法 |
CN104202883A (zh) * | 2014-09-12 | 2014-12-10 | 常州顶芯半导体技术有限公司 | 内置过压保护的led驱动器、驱动电路及led驱动器工作方法 |
CN104202884A (zh) * | 2014-09-12 | 2014-12-10 | 常州顶芯半导体技术有限公司 | 无频闪的高恒流精度led驱动电路及其工作方法 |
CN105807141A (zh) * | 2014-12-27 | 2016-07-27 | 黄大贵 | 一种真空灭弧室内阻测量装置 |
KR20170067147A (ko) * | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 전압 레귤레이터 |
KR102473993B1 (ko) | 2015-12-07 | 2022-12-05 | 에이블릭 가부시키가이샤 | 전압 레귤레이터 |
KR102338806B1 (ko) | 2017-03-30 | 2021-12-13 | 에이블릭 가부시키가이샤 | 전압 레귤레이터 |
KR20180111627A (ko) * | 2017-03-30 | 2018-10-11 | 에이블릭 가부시키가이샤 | 전압 레귤레이터 |
CN106877287A (zh) * | 2017-04-05 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种过温保护电路及驱动方法 |
US10804694B2 (en) | 2017-04-05 | 2020-10-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Over-temperature protection circuitry and driving method |
CN107732870B (zh) * | 2017-08-31 | 2019-06-04 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种应用于开关电源的可配置过温保护电路 |
CN107732870A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-02-23 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种应用于开关电源的可配置过温保护电路 |
CN108736875A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-02 | 电子科技大学 | 一种修调码值产生电路 |
CN108733128B (zh) * | 2018-05-22 | 2020-02-18 | 电子科技大学 | 一种超低功耗的修调码值产生电路 |
CN108733128A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-02 | 电子科技大学 | 一种超低功耗的修调码值产生电路 |
CN108491023A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-09-04 | 电子科技大学 | 一种低功耗高精度的电流基准电路 |
JP2020087250A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | エイブリック株式会社 | 過熱保護回路及び半導体装置 |
JP7126931B2 (ja) | 2018-11-30 | 2022-08-29 | エイブリック株式会社 | 過熱保護回路及び半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011061966A (ja) | ボルテージレギュレータ | |
TWI498702B (zh) | 電壓調節器 | |
JP4781732B2 (ja) | 電源システム装置及びその制御方法 | |
KR102252365B1 (ko) | 과열 보호 회로 및 전압 레귤레이터 | |
US9141121B2 (en) | Voltage regulator | |
TWI683511B (zh) | 電壓調節器 | |
KR101369154B1 (ko) | 과전압 보호 기능을 갖는 션트 레귤레이터 및 이를 구비한반도체 장치 | |
US9537303B2 (en) | Semiconductor device and electric control device | |
US9829900B2 (en) | Voltage regulator | |
US20180069394A1 (en) | Power-limit protection circuit with an efuse element | |
JP5969237B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008204018A (ja) | ボルテージレギュレータ | |
JP2008052516A (ja) | 定電圧回路 | |
US9740222B2 (en) | Overcurrent protection circuit for controlling a gate of an output transistor based on an output current | |
JP2007251503A (ja) | 半導体装置および該半導体装置を組み込んだ電子機器 | |
JP6353268B2 (ja) | 過電流保護回路及びこれを用いた電源装置 | |
JP2013003699A (ja) | レギュレータ用半導体集積回路 | |
JP5309637B2 (ja) | 充電制御用半導体集積回路 | |
US7170732B2 (en) | Surge delay for current limiter | |
JP2006350722A (ja) | 定電圧回路 | |
JP2005236535A (ja) | 電源供給装置 | |
JP2009110217A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2017175713A (ja) | 突入電流防止回路 | |
JP2018137899A (ja) | スイッチング回路 |