JP4781732B2 - 電源システム装置及びその制御方法 - Google Patents

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Description

本発明は、過電流保護回路を備えた定電圧回路、過電流保護回路を備えた複数の定電圧回路を有する電源システム装置及びその制御方法に関し、特に定電圧回路を集積した半導体集積回路を過電流や高温等から保護する過電流保護回路に関する。
従来、シリーズレギュレータを使用した定電圧回路を集積回路にする場合は、出力トランジスタが消費する電力が大きいため、出力トランジスタを集積回路に外付けするのが一般的であった。しかし、出力電流が数100mA程度で比較的小電力の用途においては、装置の小型化の要求とも相まって、出力トランジスタも他の回路と同一のチップに集積するケースが増えてきた。特に多数のシリーズレギュレータを1つの集積回路に収めた、いわゆるシステム電源の場合は、出力トランジスタを内蔵する効果が大きい。シリーズレギュレータを使用した定電圧回路の保護装置としては、出力電流が所定の電流値以上出力されるのを防止する過電流保護回路が一般的に用いられている。
図14は、過電流保護回路を備えた定電圧回路の従来例を示した回路図である。
図14において、定電圧回路100は、基準電圧Vrefを生成して出力する基準電圧発生回路101と、誤差増幅回路A101と、出力トランジスタM101と、出力電圧検出用の抵抗R101,R102と、出力トランジスタM101からの出力電流を制限する出力電流制限回路102と、出力端子OUTが短絡したときの出力電流ioutである短絡電流を制限する短絡電流制限回路103とで構成されている。なお、抵抗R101,R102に流れる電流は無視できるほど小さいことから、出力トランジスタM101から出力される電流と出力端子OUTから出力される電流ioutは等しいものとする。
NMOSトランジスタM105のドレイン電流は、PMOSトランジスタM102のドレイン電流と同じであることから、NMOSトランジスタM106のドレイン電流は出力トランジスタM101からの出力電流に比例した電流になる。
抵抗R103にはNMOSトランジスタM106のドレイン電流が流れていることから、出力電流ioutの増加に伴って抵抗R103の電圧降下が大きくなる。該電圧降下がPMOSトランジスタM103のしきい値電圧を超えるとPMOSトランジスタM103がオンし、出力トランジスタM101のゲート電圧の低下を抑えて出力電流ioutを制限する。
短絡電流制限回路103は、演算増幅回路A102、PMOSトランジスタM111,M112及び抵抗R104で構成されている。
出力電流制限回路102が作動を開始して出力電圧Voutが低下し、抵抗R101と抵抗R102との接続部の電圧Vaが抵抗R103の電圧降下と等しくなると、演算増幅回路A102の出力電圧が低下し、PMOSトランジスタM112のゲート電圧を低下させることから、PMOSトランジスタM112はオンし、出力トランジスタM101のゲート電圧の低下を抑える。ただし、出力電流制限回路102と異なる点は、抵抗R104の電圧降下と比較している電圧Vaが出力電圧Voutに比例しているため、出力電圧Voutの低下に伴って、より少ない出力電流で電流制限機能が働くようになる。このため、出力電圧Voutの低下に伴い出力電流ioutも減少する。出力短絡時における短絡電流が0アンペアにならないように、演算増幅回路A102の入力回路にオフセット電圧を持たせてあり、出力短絡時にも出力端子OUTから短絡電流を流すようにしている。
また、従来例として、定電圧回路に過熱保護回路を備え、所定の温度を超えると過熱保護回路の出力により、定電圧回路の出力電圧を低下させるようにしたものがあった(例えば、特許文献1参照。)。また、出力電流が所定値以上の場合に、温度が所定値を超えると過熱信号をCPUへ出力するものがあった(例えば、特許文献2参照。)。
特開平4−184606号公報 特開2002−312044号公報
図15は、図14で示した定電圧回路の使用例を示したブロック図である。
図15において、定電圧回路100は、負荷110に電源供給を行っており、該負荷110は制御装置111によって動作制御されている。ここで、例えば、負荷110がメモリであり、制御装置111がCPUである場合、定電圧回路100の過電流保護回路が作動してメモリ110に短絡電流が供給されている場合、該メモリは動作を停止している、しかし、CPU111は、該メモリ110がこのような状態にあることを知る手段がなく、動作を停止しているメモリ110にアクセすることによってフリーズする等の不具合が発生する場合があった。
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、過電流保護回路の動作状態を示す信号を定電圧回路から出力するようにして、定電圧回路から電源が供給されている負荷を制御する制御装置が該負荷の状態を検出することができるようにする定電圧回路、複数の定電圧回路を有する電源システム装置及びその制御方法を得ることを目的とする。
この発明に係る定電圧回路は、出力端子から出力される電流が所定値を超えないように該出力電流を制限する過電流保護動作を行う過電流保護回路部を有し、入力端子に入力された入力電圧を所定の定電圧に変換して前記出力端子から対応する負荷に出力する複数の定電圧回路を備えた電源システム装置において、
前記各定電圧回路の周辺温度の検出を行い、該検出した温度が所定値以上か否かを示す信号を生成して外部に出力する温度検出回路と、
1つ以上の前記定電圧回路の過電流保護回路部が作動すると共に、前記温度検出回路によって各定電圧回路の周辺温度が所定値以上であることが検出されると、前記各定電圧回路のそれぞれの過電流保護回路部に対して、過電流保護動作時の出力電流に対する電流制限値が小さくなるようにそれぞれ動作制御する制御回路と、
を備え、
前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、過電流保護動作の動作状態を示す論理信号をそれぞれ生成して外部に出力するものである。
また、前記各定電圧回路の過電流保護回路部の動作状態を検出し、1つ以上の定電圧回路の過電流保護回路部が作動すると所定の論理信号を外部に出力する検出回路を備えるようにした。
前記各定電圧回路は、1つのICに集積されるようにしてもよい。
また、この発明に係る定電圧回路は、出力端子から出力される電流が所定値を超えないように該出力電流を制限する過電流保護動作を行う過電流保護回路部を有し、入力端子に入力された入力電圧を所定の定電圧に変換して前記出力端子から対応する負荷に出力する複数の定電圧回路を備えた電源システム装置において、
前記各定電圧回路の過電流保護回路部の動作状態を検出し、1つ以上の定電圧回路の過電流保護回路部が作動すると所定の論理信号を外部に出力する検出回路と、
前記各定電圧回路の周辺温度の検出を行い、該検出した温度が所定値以上か否かを示す信号を生成して外部に出力する温度検出回路と、
1つ以上の前記定電圧回路の過電流保護回路部が作動すると共に、前記温度検出回路によって各定電圧回路の周辺温度が所定値以上であることが検出されると、前記各定電圧回路のそれぞれの過電流保護回路部に対して、過電流保護動作時の出力電流に対する電流制限値が小さくなるようにそれぞれ動作制御する制御回路と、
を備え、
前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、過電流保護動作の動作状態を示す論理信号をそれぞれ生成して外部に出力し、
前記各定電圧回路、検出回路、温度検出回路及び制御回路は、1つのICに集積されるものである。
具体的には、前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、前記出力電流が所定値になると、該出力電流が該所定値を超えないように制限する出力電流制限回路をそれぞれ有し、該各出力電流制限回路は、動作状態を示す論理信号をそれぞれ生成して外部に出力するようにした。
また、前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、前記出力電流が所定値になると、前記出力端子の電圧が接地電圧まで低下したときの該出力電流が所定の短絡電流値になるように前記出力端子の電圧を低下させると共に前記出力電流を低下させる短絡電流制限回路をそれぞれ有し、該各短絡電流制限回路は、動作状態を示す論理信号をそれぞれ生成して外部に出力するようにしてもよい。
また、前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、
前記出力電流が所定の過電流保護電流値以上になると、該出力電流が過電流保護電流値を超えないようにしながら前記出力端子の電圧を低下させる出力電流制限回路と、
前記出力端子の電圧が所定の電圧まで低下すると、該出力端子の電圧が接地電圧まで低下したときの前記出力電流が所定の短絡電流値になるように前記出力端子の電圧を低下させると共に該出力電流を低下させる短絡電流制限回路と、
をそれぞれ備え、
前記各定電圧回路の出力電流制限回路及び短絡電流制限回路は、動作状態を示す論理信号をそれぞれ生成して外部に出力するようにしてもよい。
また、前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、
前記出力電流が所定の過電流保護電流値以上になると、該出力電流が過電流保護電流値を超えないようにしながら前記出力端子の電圧を低下させる出力電流制限回路と、
前記出力端子の電圧が所定の電圧まで低下すると、該出力端子の電圧が接地電圧まで低下したときの前記出力電流が所定の短絡電流値になるように前記出力端子の電圧を低下させると共に該出力電流を低下させる短絡電流制限回路と、
前記出力電流制限回路及び/又は該短絡電流制限回路が作動すると、所定の論理信号を生成して外部に出力する動作状態検出回路と、
をそれぞれ備えるようにしてもよい。
具体的には、前記各定電圧回路は、
制御電極に入力された信号に応じた電流を前記入力端子から前記出力端子に出力する出力トランジスタと、
所定の基準電圧を生成すると共に前記出力端子の電圧に比例した比例電圧を生成し該比例電圧が該基準電圧になるように前記出力トランジスタの動作制御を行う出力電圧制御部と、
をそれぞれ備え、
前記各定電圧回路のそれぞれの過電流保護回路部は、前記出力トランジスタから出力される電流が所定値を超えないように前記出力トランジスタに対して出力電流を制限するようにした。
また、この発明に係る電源システム装置の制御方法は、出力端子から出力される電流が所定値を超えないように該出力電流を制限する過電流保護動作を行う機能を有し、入力端子に入力された入力電圧を所定の定電圧に変換して前記出力端子から対応する負荷に出力する複数の定電圧回路を備えた電源システム装置の制御方法において、
前記各定電圧回路の周辺温度の検出を行い、該温度が所定値を超えると共に1つ以上の前記定電圧回路が過電流保護動作を行っている場合、前記各定電圧回路に対して、過電流保護動作時の出力電流に対する電流制限値が小さくなるように制御するようにした。
本発明の定電圧回路、複数の定電圧回路を有する電源システム装置によれば、定電圧回路の過電流保護回路部によって過電流保護動作の動作状態を示す論理信号が生成され外部に出力されるようにしたことから、他の外部回路で過電流保護情報を利用することができ、定電圧回路から電源が供給されている負荷を制御する外部の制御装置が該負荷の状態を検出することができる。
また、本発明の複数の定電圧回路を有する電源システム装置及びその制御方法によれば、複数の定電圧回路の周辺温度の検出を行い、該検出した温度が所定値以上か否かを示す信号を生成して外部に出力する温度検出回路を備えるようにしたことから、過電流と温度の組合せに応じたシステム電源の制御を行うことができる。
次に、図面に示す実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態における定電圧回路の例を示した図である。
図1において、定電圧回路REG1は、入力端子IN1に入力された入力電圧Vinを所定の定電圧に変換して出力端子OUT1を介して負荷10に供給する。また、定電圧回路REG1は、負荷10に供給される電流が所定の過電流保護電流値以上になると、負荷10に供給する電流を該過電流保護電流値以下になるようにすると共に前記出力端子OUT1を接地電圧に短絡させる過電流保護回路を備えている。定電圧回路REG1は1つのICに集積され、該ICは入力端子IN1、出力端子OUT1、端子Po1及び接地端子GNDを有している。なお、言うまでもなく、定電圧回路REG1は1つのICに集積されていなくてもよい。
定電圧回路REG1は、該過電流保護回路の動作状態を示す信号S1を生成して端子Po1を介して出力し、該信号S1は、負荷10の動作制御を行う制御装置11に出力される。制御装置11は、信号S1から定電圧回路REG1の過電流保護回路の動作状態を検出することによって負荷10の状態を知ることができる。このため、制御装置11は、負荷10の状態に応じて該負荷10に対して適切な制御を行うことができることから、定電圧回路REG1の過電流保護回路が作動する状態の負荷10に対して、制御装置11が正常時と同様の動作をさせようとした際に発生する不具合を防止することができる。
図2は、図1の定電圧回路REG1の回路例を示した図であり、図2では、過電流保護回路として出力電流制限回路を使用した場合を例にして示している。
図2において、定電圧回路REG1は、所定の基準電圧Vrefを生成して出力する基準電圧発生回路2と、誤差増幅回路A1と、PMOSトランジスタからなる出力トランジスタM1と、出力電圧検出用の抵抗R1,R2と、過電流保護回路をなす出力電流制限回路3とで構成されている。なお、基準電圧発生回路2、誤差増幅回路A1及び抵抗R1,R2は出力電圧制御部をなす。
出力電流制限回路3は、バッファBUF1、PMOSトランジスタM2〜M4、NMOSトランジスタM5,M6及び抵抗R3,R4で構成されている。
入力端子IN1と出力端子OUT1との間に出力トランジスタM1が接続され、出力端子OUT1と接地端子GNDとの間に抵抗R1及びR2が直列に接続されている。接地端子GNDは接地電圧に接続され、抵抗R1及びR2は、出力電圧Vo1を分圧して分圧電圧Vfbを生成し、誤差増幅回路A1の非反転入力端に出力する。誤差増幅回路A1の反転入力端には基準電圧Vrefが入力され、誤差増幅回路A1は、分圧電圧Vfbが基準電圧Vrefになるように出力トランジスタM1の動作制御を行う。また、出力端子OUT1と接地端子GNDとの間には、負荷10が接続されている。
また、出力電流制限回路3において、入力端子IN1と接地端子GNDとの間にはPMOSトランジスタM2及びNMOSトランジスタM5が直列に接続され、PMOSトランジスタM2のゲートは出力トランジスタM1のゲートに接続されている。NMOSトランジスタM5及びM6はカレントミラー回路を形成しており、NMOSトランジスタM5及びM6の各ゲートは接続され、該接続部はNMOSトランジスタM5のドレインに接続されている。NMOSトランジスタM6のソースは接地端子GNDに接続され、入力端子IN1とNMOSトランジスタM6のドレインとの間には抵抗R3が接続されている。
抵抗R3とNMOSトランジスタM6のドレインとの接続部は、PMOSトランジスタM3及びM4の各ゲートにそれぞれ接続されている。また、入力端子IN1と出力トランジスタM1のゲートとの間にはPMOSトランジスタM3が接続され、入力端子IN1と接地端子GNDとの間にはPMOSトランジスタM4と抵抗R4が直列に接続されている。PMOSトランジスタM4と抵抗R4との接続部は、バッファBUF1の入力端に接続され、バッファBUF1の出力端は端子Po1に接続されている。なお、抵抗R1,R2に流れる電流は無視できるほど小さいことから、出力トランジスタM1から出力される電流と出力端子OUT1から出力される電流io1は等しいものとする。
このような構成において、出力電流制限回路3は、出力電流io1が所定の過電流保護電流値以上になると、出力電流io1を該過電流保護電流値に制限して出力電圧Vo1を低下させる。
出力電流io1が所定の過電流保護電流値未満の場合は、NMOSトランジスタM6のドレイン電流は小さく、抵抗R3の電圧降下も小さいことからPMOSトランジスタM3とPMOSトランジスタM4は共にオフしている。このため、出力電流制限回路3による過電流保護動作は行われず、バッファBUF1の入力電圧はローレベルとなり、端子Po1から過電流保護動作は行われていないことを示すローレベルの信号S1が出力される。
また、出力電流io1が前記過電流保護電流値に達すると、NMOSトランジスタM6のドレイン電流が増加し、抵抗R3の電圧降下がPMOSトランジスタM3及びM4の各しきい値電圧を超えるので、PMOSトランジスタM3及びM4は共にオンする。PMOSトランジスタM3がオンすると出力トランジスタM1のゲート電圧を制御して出力電流io1を制限する。PMOSトランジスタM4がオンすると、バッファBUF1の入力電圧はハイレベルになるので、バッファBUF1は、端子Po1からハイレベルの信号S1を出力する。
次に、図3は、図1の定電圧回路REG1の他の回路例を示した図であり、図3では、過電流保護回路として短絡電流制限回路を使用した場合を例にして示している。なお、図3では、図2と同じもの又は同様のものは同じ符号で示しており、ここではその説明を省略すると共に図2との相違点である短絡電流制限回路について説明する。
図3において、定電圧回路REG1は、基準電圧発生回路2と、誤差増幅回路A1と、出力トランジスタM1と、抵抗R1,R2と、過電流保護回路をなす短絡電流制限回路4とで構成されている。
短絡電流制限回路4は、演算増幅回路A2、バッファBUF2、PMOSトランジスタM11〜M13及び抵抗R11,R12で構成されている。
短絡電流制限回路4において、入力端子IN1と接地端子GNDとの間にはPMOSトランジスタM11及び抵抗R11が直列に接続され、PMOSトランジスタM11のゲートは出力トランジスタM1のゲートに接続されている。PMOSトランジスタM11と抵抗R11との接続部は、演算増幅回路A2の反転入力端に接続され、演算増幅回路A2の非反転入力端には分圧電圧Vfbが入力されている。入力端子IN1と出力トランジスタM1のゲートとの間にはPMOSトランジスタM12が接続され、PMOSトランジスタM12及びM13の各ゲートは接続され、該接続部は演算増幅回路A2の出力端に接続されている。また、入力端子IN1と接地端子GNDとの間にはPMOSトランジスタM13と抵抗R12が直列に接続されている。PMOSトランジスタM13と抵抗R12との接続部は、バッファBUF2の入力端が接続され、バッファBUF2の出力端は端子Po1に接続されている。
このような構成において、短絡電流制限回路4は、出力電流io1が所定の過電流保護電流値以上になると、出力電圧Vo1を低下させながら出力電流io1を低下させ、出力電圧Vo1が接地電圧になったときの出力電流io1を所定の短絡電流になるようにする。
分圧電圧Vfbが抵抗R11の電圧降下と等しくなると、演算増幅回路A2の出力電圧が低下し、PMOSトランジスタM12のゲート電圧を低下させることから、PMOSトランジスタM12はオンし、出力トランジスタM1のゲート電圧の低下を抑える。ただし、出力電流制限回路3と異なる点は、抵抗R11の電圧降下と比較している分圧電圧Vfbが出力電圧Vo1に比例しているため、出力電圧Vo1の低下に伴って、より小さい出力電流で電流制限機能が働くようになる。このため、出力電圧Vo1の低下に伴って出力電流io1も減少する。出力短絡時における短絡電流が0アンペアにならないように、演算増幅回路A2の入力回路にオフセット電圧を持たせてあり、出力短絡時にも所定の短絡電流を流すようにしている。
出力電流io1が所定の過電流保護電流値未満の場合は、演算増幅回路A2の出力はハイレベルであり、PMOSトランジスタM12及びM13は共にオフしており、バッファBUF2の入力信号はローレベルであり、端子Po1もローレベルになる。
また、出力電流io1が前記過電流保護電流に達すると、演算増幅回路A2の出力信号はローレベルになり、PMOSトランジスタM13はオンすることから、バッファBUF2の入力信号はハイレベルであり、端子Po1もハイレベルになる。
このように、短絡電流制限回路4が作動して過電流保護動作を行うと、端子Po1からハイレベルの信号S1が出力され、短絡電流制限回路4によって過電流保護動作が行われていないときは、端子Po1からローレベルの信号S1が出力される。
一方、定電圧回路REG1が、図2の出力電流制限回路3及び図3の短絡電流制限回路4をそれぞれ備えるようにしてもよく、このようにした場合、定電圧回路REG1は、図4のようになる。なお、図4では、図2又は図3と同じもの又は同様のものは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共に図2及び図3との相違点のみ説明する。
図4において、定電圧回路REG1は、基準電圧発生回路2と、誤差増幅回路A1と、出力トランジスタM1と、抵抗R1,R2と、過電流保護回路をなす出力電流制限回路3及び短絡電流制限回路4と、OR回路OR1とで構成されている。なお、OR回路OR1は動作状態検出回路をなす。
出力電流制限回路3のバッファBUF1の出力端、及び短絡電流制限回路4のバッファBUF2の出力端は、OR回路OR1の対応する入力端に接続され、OR回路OR1の出力端は端子Po1に接続されている。
このような構成において、出力電流制限回路3及び短絡電流制限回路4のいずれか一方又は両方が作動しているときは、端子Po1からハイレベルの信号S1が出力され、出力電流制限回路3又は短絡電流制限回路4が共に作動していないときは、端子Po1からローレベルの信号S1が出力される。
なお、バッファBUF1及びBUF2の各出力信号SA1及びSB1をOR回路を介さずにそれぞれ外部へ出力するようにしてもよい。このようにすることにより、外部の制御装置11は、出力電流制限回路3及び短絡電流制限回路4のどちらの方が作動しているかということまで知ることができる。
また、前記説明では、1つの定電圧回路REG1が設けられている場合を例にして示したが、図5で示すように、複数の定電圧回路、例えば3つの定電圧回路REG1〜REG3が設けられている電源システム装置15の場合は、それぞれの定電圧回路REG1〜REG3に対応して端子Po1〜Po3を設け、端子Po1〜Po3からそれぞれ信号S1〜S3が出力されるようにすればよい。また、各定電圧回路REG1〜REG3がそれぞれ図4で示したような構成である場合、各定電圧回路REG1〜REG3から信号SA1〜SA3及びSB1〜SB3をそれぞれ出力するようにしてもよい。
このようにすることにより、外部の制御装置11は、定電圧回路REG1〜REG3の出力端子OUT1〜OUT3に対応して接続された負荷Lo1〜Lo3に対して過電流保護動作が行われているか否かを知ることができ、該情報を基にして負荷Lo1〜Lo3に対して適切な動作制御を行うことができる。
また、図6で示すように、各定電圧回路REG1〜REG3から出力された信号S1〜S3をOR回路OR2の対応する入力端に入力し、OR回路OR2の出力信号Soを端子Poから外部の制御装置11に出力するようにしてもよい。なお、OR回路OR2は検出回路をなす。
一方、シリーズレギュレータ方式の定電圧回路の保護装置としては、出力電流が所定の電流値以上出力されるのを防止する過電流保護回路と、定電圧回路を集積したICが所定の温度以上に上昇するのを防止するための温度検出回路とが一般的に用いられており、該ICに温度検出回路を備えるようにしてもよい。
図7は、本発明の第1の実施の形態における定電圧回路を使用した電源システム装置の例を示したブロック図である。なお、図7では、図5と同じもの又は同様のものは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共に図5との相違点のみ説明する。
図7における図5との相違点は、電源システム装置15のICに温度検出回路21が搭載されたことにあり、これに伴って該ICは端子Toを備えたことにある。
図7において、温度検出回路21は、前記ICの温度検出を行い該検出した温度が所定値を超える異常温度状態になると所定の異常温度検出信号St、例えばハイレベルの異常温度検出信号Stを前記端子Toを介して制御装置11に出力する。制御装置11は、定電圧回路REG1〜REG3からの信号S1〜S3及び異常温度検出信号Stから、定電圧回路REG1〜REG3の出力端子OUT1〜OUT3に対応して接続された負荷Lo1〜Lo3に対して過電流保護動作が行われているか否かを知ることができると共にICの温度状態を知ることができ、該情報を基にして負荷Lo1〜Lo3に対して適切な動作制御を行うことができる。
また、図7では、ICに端子Po1〜Po3を設ける必要があり、ICの端子数が増加することからコストアップの要因になるという問題がある。そこで、図8のように、図6で示したようなOR回路OR2をIC内に設けることによって、3つの端子Po1〜Po3をOR回路OR2の出力端が接続された1つの端子Poにすることができ、ICの端子数の増加を低減させることができる。
また、図8において、制御装置11は、OR回路OR2の出力信号So及び異常温度検出信号Stに応じて定電圧回路REG1〜REG3の動作制御をも行うようにしてもよく、このようにした場合、図8は図9のようになる。
図9では、前記ICに、定電圧回路REG1〜REG3に対するイネーブル信号が入力される端子EN1〜EN3を備えており、該端子EN1〜EN3は、対応する定電圧回路REG1〜REG3に接続されている。
制御装置11は、通常は端子EN1〜EN3に定電圧回路REG1〜REG3をイネーブルにする信号ENBを出力している。しかし、制御装置11は、信号So及び異常温度検出信号Stが、定電圧回路REG1〜REG3の少なくとも1つから過電流保護回路が過電流保護動作を行っていると共に温度検出回路21が異常温度状態であることを検出していることを示している場合、端子EN1〜EN3に定電圧回路REG1〜REG3をそれぞれディスエーブルにする信号ENBを出力して、定電圧回路REG1〜REG3の各動作を停止させる。
このようにすることによって、定電圧回路REG1〜REG3のそれぞれが過電流保護動作を行っておらず、異常となるような発熱をしていないにもかかわらず、ICの温度が上昇しただけで定電圧回路REG1〜REG3の動作を停止させることによって、機器の動作途中で機能が停止して不具合が発生することを防止できる。なお、言うまでもなく、図7において、制御装置11は、信号S1〜S3及び異常温度検出信号Stに応じて定電圧回路REG1〜REG3の動作制御をも行うようにしてもよい。
ここで、図9の場合、ICに端子EN1〜EN3を設ける必要があり、ICの端子数が増加することからコストアップの要因になるという問題がある。そこで、図10のように、信号S1〜S3及び異常温度検出信号Stに応じて定電圧回路REG1〜REG3の動作制御を行う制御回路25をIC内に別途設け、制御装置11には、端子Po及びToを介して制御回路25から前記出力信号So及び異常温度検出信号Stが入力されるようにする。このようにすることにより、図9の端子EN1〜EN3をなくすことができ、ICの端子数を削減してコストの低減を図ることができる。
図10において、制御回路25は、OR回路OR2とAND回路AN1で構成されている。OR回路OR2の各入力端には、定電圧回路REG1〜REG3からの信号S1〜S3が対応して入力され、OR回路OR2の出力端はAND回路AN1の一方の入力端に入力されている。AND回路AN1の他方の入力端には異常温度検出信号Stが入力されており、AND回路AN1の出力端から出力されたイネーブル信号ENBは、定電圧回路REG1〜REG3にそれぞれ出力される。また、OR回路OR2の出力信号Soは、ICの端子Poを介して制御装置11に出力されると共に、温度検出回路21からの異常温度検出信号Stは、ICの端子Toを介して制御装置11に出力される。
このような構成において、信号S1〜S3のいずれか1つがハイレベルになると共に異常温度検出信号Stがハイレベルになると、すなわち定電圧回路REG1〜REG3のいずれか1つが過電流保護動作を行うと共に温度検出回路21が異常温度を検出すると、AND回路AN1からハイレベルのイネーブル信号ENBが出力され、定電圧回路REG1〜REG3はそれぞれディスエーブル状態になって動作を停止する。また、信号S1〜S3のすべてがローレベルになり及び/又は異常温度検出信号Stがローレベルになると、AND回路AN1からローレベルのイネーブル信号ENBが出力され、定電圧回路REG1〜REG3はそれぞれイネーブル状態になって作動する。
ここで、イネーブル信号ENBによる各定電圧回路REG1〜REG3の具体的な動作について、定電圧回路REG1を例にして説明する。イネーブル信号ENBは誤差増幅回路A1に入力されており、イネーブル信号ENBがハイレベルのときは、誤差増幅回路A1は動作を停止して出力トランジスタM1をオフさせる。また、イネーブル信号ENBがローレベルのときは、誤差増幅回路A1は作動し、分圧電圧Vfbが基準電圧Vrefになるように出力トランジスタM1の動作制御を行う。
一方、図9及び図10の前記説明では、各定電圧回路REG1〜REG3は、イネーブル信号ENBがハイレベルになると動作を停止するようにしたが、イネーブル信号ENBがハイレベルになると出力電流に対する制限値、すなわち出力電流制限回路の出力電流制限値及び/又は短絡電流制限回路の短絡電流値を小さくして発熱量を減少させるようにしてもよい。この場合の定電圧回路REG1〜REG3の回路例は、図11〜図13のようになる。なお、定電圧回路REG1〜REG3の回路は同じであることから、図11〜図13では、定電圧回路REG1を例にして示している。
図11では、定電圧回路REG1が過電流保護回路として出力電流制限回路を備えている場合を例にして示しており、図11では、図2と同じもの又は同様のものは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共に図2との相違点のみ説明する。
図11における図2との相違点は、抵抗R5とスイッチSW1を追加したことにある。
図11において、抵抗R3の一端と入力端子IN1との間に抵抗R5が接続され、抵抗R5に並列にスイッチSW1が接続されている。スイッチSW1は、イネーブル信号ENBによってスイッチング制御され、イネーブル信号ENBがハイレベルのときにオフして遮断状態になり、イネーブル信号ENBがローレベルのときにオンして導通状態になる。このようにすることにより、イネーブル信号ENBがハイレベルになると、出力電流制限回路3の制限電流値を小さくすることができ、過電流保護動作時の発熱量を減少させることができる。
次に、図12では、定電圧回路REG1が過電流保護回路として短絡電流制限回路を備えている場合を例にして示しており、図12では、図3と同じもの又は同様のものは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共に図3との相違点のみ説明する。
図12における図3との相違点は、抵抗R15とスイッチSW2を追加したことにある。
図12において、抵抗R11の一端と接地端子GNDとの間に抵抗R15が接続され、抵抗R15に並列にスイッチSW2が接続されている。スイッチSW2は、イネーブル信号ENBによってスイッチング制御され、イネーブル信号ENBがハイレベルのときにオフして遮断状態になり、イネーブル信号ENBがローレベルのときにオンして導通状態になる。このようにすることにより、イネーブル信号ENBがハイレベルになると、短絡電流制限回路4の短絡電流値を小さくすることができ、過電流保護動作時の発熱量を減少させることができる。
次に、図13では、定電圧回路REG1が過電流保護回路として出力電流制限回路と短絡電流制限回路とを備えている場合を例にして示しており、図13では、図4と同じもの又は同様のものは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共に図4との相違点のみ説明する。
図13における図4との相違点は、抵抗R5,R15とスイッチSW1,SW2を追加したことにある。
図13において、抵抗R3の一端と入力端子IN1との間に抵抗R5が接続され、抵抗R5に並列にスイッチSW1が接続されている。また、抵抗R11の一端と接地端子GNDとの間に抵抗R15が接続され、抵抗R15に並列にスイッチSW2が接続されている。
スイッチSW1,SW2は、イネーブル信号ENBによってそれぞれスイッチング制御され、イネーブル信号ENBがハイレベルのときにそれぞれオフして遮断状態になり、イネーブル信号ENBがローレベルのときにそれぞれオンして導通状態になる。このようにすることにより、イネーブル信号ENBがハイレベルになると、出力電流制限回路3の出力電流制限値と短絡電流制限回路4の短絡電流値をそれぞれ小さくすることができ、過電流保護動作時の発熱量を減少させることができる。
なお、図13では、図11の出力電流制限回路3と図12の短絡電流制限回路4を使用した場合を例にして示したが、図13において、図11の出力電流制限回路3の代わりに図2の出力電流制限回路3を使用してもよい。また、図13において、図12の短絡電流制限回路4の代わりに図3の短絡電流制限回路4を使用してもよい。
このように、本第1の実施の形態における定電圧回路は、過電流保護回路を備えると共に、該過電流保護回路の動作状態を示す信号を外部に出力するようにした。このことから、定電圧回路から電源が供給されている負荷を制御する制御装置11が該負荷の状態を検出することができ、制御装置11は、過電流保護動作が行われている負荷に対して適切な制御を行うことができることから、過電流保護動作が行われている負荷に通常通りの制御を行って不具合が生じることを防止できる。
なお、前記説明では、電源システム装置15が3つの定電圧回路REG1〜REG3を有する場合を例にして示したが、これは一例であり、本発明はこれに限定するものではなく、電源システム装置が複数の定電圧回路を有している場合に適用するものである。また、前記説明では、電源システム装置15が1つのICに集積されている場合を例にして示したが、これは一例であり、本発明は電源システム装置15が1つのICに集積されていない場合にも適用することができる。
本発明の第1の実施の形態における定電圧回路の例を示した図である。 図1の定電圧回路REG1の回路例を示した図である。 図1の定電圧回路REG1の他の回路例を示した図である。 図1の定電圧回路REG1の他の回路例を示した図である。 図1の定電圧回路を複数使用した電源システム装置の例を示した図である。 図1の定電圧回路を複数使用した電源システム装置の他の例を示した図である。 図1の定電圧回路を複数使用した電源システム装置の他の例を示した図である。 図1の定電圧回路を複数使用した電源システム装置の他の例を示した図である。 図1の定電圧回路を複数使用した電源システム装置の他の例を示した図である。 図1の定電圧回路を複数使用した電源システム装置の他の例を示した図である。 図9及び図10の定電圧回路REG1の回路例を示した図である。 図9及び図10の定電圧回路REG1の他の回路例を示した図である。 図9及び図10の定電圧回路REG1の他の回路例を示した図である。 過電流保護回路を備えた定電圧回路の従来例を示した回路図である。 図14で示した定電圧回路の使用例を示したブロック図である。
符号の説明
2 基準電圧発生回路
3 出力電流制限回路
4 短絡電流制限回路
11 制御装置
15 電源システム装置
21 温度検出回路
25 制御回路
A1 誤差増幅回路
REG1〜REG3 定電圧回路
M1 出力トランジスタ
R1,R2 抵抗
OR1,OR2 OR回路
AN1 AND回路
Lo1〜Lo3 負荷

Claims (10)

  1. 出力端子から出力される電流が所定値を超えないように該出力電流を制限する過電流保護動作を行う過電流保護回路部を有し、入力端子に入力された入力電圧を所定の定電圧に変換して前記出力端子から対応する負荷に出力する複数の定電圧回路を備えた電源システム装置において
    前記各定電圧回路の周辺温度の検出を行い、該検出した温度が所定値以上か否かを示す信号を生成して外部に出力する温度検出回路と、
    1つ以上の前記定電圧回路の過電流保護回路部が作動すると共に、前記温度検出回路によって各定電圧回路の周辺温度が所定値以上であることが検出されると、前記各定電圧回路のそれぞれの過電流保護回路部に対して、過電流保護動作時の出力電流に対する電流制限値が小さくなるようにそれぞれ動作制御する制御回路と、
    を備え、
    前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、過電流保護動作の動作状態を示す論理信号をそれぞれ生成して外部に出力することを特徴とする電源システム装置。
  2. 前記各定電圧回路の過電流保護回路部の動作状態を検出し、1つ以上の定電圧回路の過電流保護回路部が作動すると所定の論理信号を外部に出力する検出回路を備えることを特徴とする請求項1記載の電源システム装置。
  3. 前記各定電圧回路は、1つのICに集積されることを特徴とする請求項1又は2記載の電源システム装置。
  4. 出力端子から出力される電流が所定値を超えないように該出力電流を制限する過電流保護動作を行う過電流保護回路部を有し、入力端子に入力された入力電圧を所定の定電圧に変換して前記出力端子から対応する負荷に出力する複数の定電圧回路を備えた電源システム装置において、
    前記各定電圧回路の過電流保護回路部の動作状態を検出し、1つ以上の定電圧回路の過電流保護回路部が作動すると所定の論理信号を外部に出力する検出回路と、
    前記各定電圧回路の周辺温度の検出を行い、該検出した温度が所定値以上か否かを示す信号を生成して外部に出力する温度検出回路と、
    1つ以上の前記定電圧回路の過電流保護回路部が作動すると共に、前記温度検出回路によって各定電圧回路の周辺温度が所定値以上であることが検出されると、前記各定電圧回路のそれぞれの過電流保護回路部に対して、過電流保護動作時の出力電流に対する電流制限値が小さくなるようにそれぞれ動作制御する制御回路と、
    を備え、
    前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、過電流保護動作の動作状態を示す論理信号をそれぞれ生成して外部に出力し、
    前記各定電圧回路、検出回路、温度検出回路及び制御回路は、1つのICに集積されることを特徴とする電源システム装置。
  5. 前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、前記出力電流が所定になると、該出力電流が該所定値を超えないように制限する出力電流制限回路をそれぞれ有し、該各出力電流制限回路は、動作状態を示す論理信号をそれぞれ生成して外部に出力することを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の電源システム装置。
  6. 前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、前記出力電流が所定値になると、前記出力端子の電圧が接地電圧まで低下したときの該出力電流が所定の短絡電流値になるように前記出力端子の電圧を低下させると共に前記出力電流を低下させる短絡電流制限回路をそれぞれ有し、該各短絡電流制限回路は、動作状態を示す論理信号をそれぞれ生成して外部に出力することを特徴とする請求項1、2、3又記載の電源システム装置。
  7. 前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、
    前記出力電流が所定の過電流保護電流値以上になると、該出力電流が過電流保護電流値を超えないようにしながら前記出力端子の電圧を低下させる出力電流制限回路と、
    前記出力端子の電圧が所定の電圧まで低下すると、該出力端子の電圧が接地電圧まで低下したときの前記出力電流が所定の短絡電流値になるように前記出力端子の電圧を低下させると共に該出力電流を低下させる短絡電流制限回路と、
    をそれぞれ備え、
    前記各定電圧回路の出力電流制限回路及び短絡電流制限回路は、動作状態を示す論理信号をそれぞれ生成して外部に出力することを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の電源システム装置。
  8. 前記各定電圧回路の過電流保護回路部は、
    前記出力電流が所定の過電流保護電流値以上になると、該出力電流が過電流保護電流値を超えないようにしながら前記出力端子の電圧を低下させる出力電流制限回路と、
    前記出力端子の電圧が所定の電圧まで低下すると、該出力端子の電圧が接地電圧まで低下したときの前記出力電流が所定の短絡電流値になるように前記出力端子の電圧を低下させると共に該出力電流を低下させる短絡電流制限回路と、
    前記出力電流制限回路及び/又は該短絡電流制限回路が作動すると、所定の論理信号を生成して外部に出力する動作状態検出回路と、
    をそれぞれ備えることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の電源システム装置。
  9. 前記各定電圧回路は
    制御電極に入力された信号に応じた電流を前記入力端子から前記出力端子に出力する出力トランジスタと、
    所定の基準電圧を生成すると共に前記出力端子の電圧に比例した比例電圧を生成し該比例電圧が該基準電圧になるように前記出力トランジスタの動作制御を行う出力電圧制御部と、
    をそれぞれ備え、
    前記各定電圧回路のそれぞれの過電流保護回路部は、前記出力トランジスタから出力される電流が所定値を超えないように前記出力トランジスタに対して出力電流を制限することを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7又は8記載の電源システム装置。
  10. 出力端子から出力される電流が所定値を超えないように該出力電流を制限する過電流保護動作を行う機能を有し、入力端子に入力された入力電圧を所定の定電圧に変換して前記出力端子から対応する負荷に出力する複数の定電圧回路を備えた電源システム装置の制御方法において、
    前記各定電圧回路の周辺温度の検出を行い、該温度が所定値を超えると共に1つ以上の前記定電圧回路が過電流保護動作を行っている場合、前記各定電圧回路に対して、過電流保護動作時の出力電流に対する電流制限値が小さくなるように制御することを特徴とする電源システム装置の制御方法
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