JPH04184606A - ドロッパ型定電圧回路の過熱保護回路 - Google Patents
ドロッパ型定電圧回路の過熱保護回路Info
- Publication number
- JPH04184606A JPH04184606A JP31553190A JP31553190A JPH04184606A JP H04184606 A JPH04184606 A JP H04184606A JP 31553190 A JP31553190 A JP 31553190A JP 31553190 A JP31553190 A JP 31553190A JP H04184606 A JPH04184606 A JP H04184606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- constant voltage
- temperature
- voltage
- current source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はドロッパ型定電圧回路の過熱保護回路に関する
ものである。
ものである。
第１図に従来回路の１例を示す、ここでＢは、ドロッパ
型の定電圧回路の主回路でＡは、従来型の過熱保護回路
である。
型の定電圧回路の主回路でＡは、従来型の過熱保護回路
である。
Ｑ５は主トランジスタで出力電圧を抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５
とで検出し、Ｒ４とＲ５の接続点の電圧と基準電圧Ｖｒ
ｅｆｌとの差電圧を差動増幅器Ａｍｐ、１で増幅してそ
の出力でドライブトランジスタＱ６を介して主トランジ
スタＱ５に負帰還をがけて出方電圧を定電圧化する。一
方、過熱保護回路Ａにおいて、定電流源（ロ）とＭＯＳ
）ランジスタＱ１〜Ｑ２で形成された差動増幅器の２つ
の入力トランジスタの１方のゲートに基準電圧Ｖｒｅｆ
ｌを抵抗Ｒ１とＲ２とで分割した電圧を印加し他方のゲ
ートは定電流源（イ）でバイアスされたダイオードＤ１
のアノードに接続することによって温度上昇した時にダ
イオードＤＪのアノード電圧が低下することによって差
動増幅器が働きＱ７のトランジスタをオンさせることに
より主回路をオフして回路を保護しようというものであ
る。なお、Ｑ３、Ｑ４は負荷用ＭＯＳトランジスタであ
る。しがし、この従来の過熱保護回路では基準電圧を適
当に分圧して差動増幅器に適当な電圧を与えるために、
抵抗Ｒ１とＲ２とが必要になる。そこでＩＣ内部に、こ
の抵抗を形成しようとすると、この抵抗での消費される
電力を小さくしたいために抵抗値が大きくなりチップ面
積が大きくなってしまうという欠点があった。
とで検出し、Ｒ４とＲ５の接続点の電圧と基準電圧Ｖｒ
ｅｆｌとの差電圧を差動増幅器Ａｍｐ、１で増幅してそ
の出力でドライブトランジスタＱ６を介して主トランジ
スタＱ５に負帰還をがけて出方電圧を定電圧化する。一
方、過熱保護回路Ａにおいて、定電流源（ロ）とＭＯＳ
）ランジスタＱ１〜Ｑ２で形成された差動増幅器の２つ
の入力トランジスタの１方のゲートに基準電圧Ｖｒｅｆ
ｌを抵抗Ｒ１とＲ２とで分割した電圧を印加し他方のゲ
ートは定電流源（イ）でバイアスされたダイオードＤ１
のアノードに接続することによって温度上昇した時にダ
イオードＤＪのアノード電圧が低下することによって差
動増幅器が働きＱ７のトランジスタをオンさせることに
より主回路をオフして回路を保護しようというものであ
る。なお、Ｑ３、Ｑ４は負荷用ＭＯＳトランジスタであ
る。しがし、この従来の過熱保護回路では基準電圧を適
当に分圧して差動増幅器に適当な電圧を与えるために、
抵抗Ｒ１とＲ２とが必要になる。そこでＩＣ内部に、こ
の抵抗を形成しようとすると、この抵抗での消費される
電力を小さくしたいために抵抗値が大きくなりチップ面
積が大きくなってしまうという欠点があった。
この発明は簡単な回路構成で前記の基準電圧を分圧する
ための２本の抵抗を不必要とし、その抵抗による電力損
失をなくするものである。
ための２本の抵抗を不必要とし、その抵抗による電力損
失をなくするものである。
第２図は、本発明の一実施例回路図、第３図、第４図は
その説明図である。この中でＣは本発明の要部回路であ
り、Ｂは本発明を適用するドロッパ型定電圧回路である
。Ｂの動作は従来の技術の説明の中で示した通りである
、一方、本発明の実施例Ｃの動作は次のようなものであ
る。即ちＱ８とＱ９は、ＰチャネルＦＥＴ、ＱＩＯとＱ
ｌｌはＮチャネルＦＥＴ、（ハ）と（ニ）は定電流源、
Ｄ２はダイオードであり、ここでＱ８とＱｌに関してそ
のチャネル幅（Ｗ）とチャネル長（Ｌ）との比Ｗ／Ｌ
カｉ／Ｌ） ｕａ＞ （Ｗ／Ｌ） 、９ノ関ｉニｊルト
、Ｑ８とＱ９のＶｃｓ Ｉｎ特性は第３図のようにな
る。そこでＱＩＯとＱｌｌが同じものであると、定電流
源（ニ）の電流値が１．の時、第３図に示すように１゜
−■１／２の線と、Ｑ８、Ｑ９のグラフとの交点の差電
圧へ■の大きさに等しいオフセット電圧が発生する１次
に、この△Ｖの温度特性と定電流源（ハ）によってバイ
アスされたダイオードＤ２の順方向ドロップ電圧Ｖ！（
Ｄ２）の温度特性を１４図に示す、このように△Ｖと■
、とは極性が反対の温度係数を持っているので適当に設
定することにより温度上昇した時に、任意の温度で本発
明回路の出力を反転させることができる。そこで第２図
において温度上昇により、ある設定温度になった時、Ｐ
点の電位が上がりＱｌをオンさせて主回路をオフさせ、
温度上昇による破壊を防ぐことができる。
その説明図である。この中でＣは本発明の要部回路であ
り、Ｂは本発明を適用するドロッパ型定電圧回路である
。Ｂの動作は従来の技術の説明の中で示した通りである
、一方、本発明の実施例Ｃの動作は次のようなものであ
る。即ちＱ８とＱ９は、ＰチャネルＦＥＴ、ＱＩＯとＱ
ｌｌはＮチャネルＦＥＴ、（ハ）と（ニ）は定電流源、
Ｄ２はダイオードであり、ここでＱ８とＱｌに関してそ
のチャネル幅（Ｗ）とチャネル長（Ｌ）との比Ｗ／Ｌ
カｉ／Ｌ） ｕａ＞ （Ｗ／Ｌ） 、９ノ関ｉニｊルト
、Ｑ８とＱ９のＶｃｓ Ｉｎ特性は第３図のようにな
る。そこでＱＩＯとＱｌｌが同じものであると、定電流
源（ニ）の電流値が１．の時、第３図に示すように１゜
−■１／２の線と、Ｑ８、Ｑ９のグラフとの交点の差電
圧へ■の大きさに等しいオフセット電圧が発生する１次
に、この△Ｖの温度特性と定電流源（ハ）によってバイ
アスされたダイオードＤ２の順方向ドロップ電圧Ｖ！（
Ｄ２）の温度特性を１４図に示す、このように△Ｖと■
、とは極性が反対の温度係数を持っているので適当に設
定することにより温度上昇した時に、任意の温度で本発
明回路の出力を反転させることができる。そこで第２図
において温度上昇により、ある設定温度になった時、Ｐ
点の電位が上がりＱｌをオンさせて主回路をオフさせ、
温度上昇による破壊を防ぐことができる。
従来の過熱保護回路を構成する時に、必要どなる基準電
圧からの分圧抵抗が不要になりチップ面積が小さくなり
、なおかつ、この抵抗を使用した時に発生していた電力
損失をなくすことができ、定電圧回路としての効率を上
げることができる。
圧からの分圧抵抗が不要になりチップ面積が小さくなり
、なおかつ、この抵抗を使用した時に発生していた電力
損失をなくすことができ、定電圧回路としての効率を上
げることができる。
第１図は従来回路図、第２図は本発明の一実施例回路図
、第３図、第４図は本発明回路の説明図である。 へ二従来型の過熱保護回路、Ｂニトロツバ型定電圧回路
、Ｃ：本発明の過熱保護回路、（イ）、（ロ）、（ハ）
、（ニ）：定電流源、Ｄｌ、Ｄ２：ダイオード、Ｑｌ、
Ｑ２．Ｑ８．Ｑ９ ： ＰチャネルＦＥＴ、Ｑ３、Ｑ４
．Ｑｌ ０．Ｑｌ １ ：ＮチャネルＦＥＴ、Ｒ１，Ｒ
２、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５：抵抗、Ｑ５：主トランジスタ、
Ｑ６：ドライブトランジスタ、Ｑｌ：過熱保護回路を働
かせるためのトランジスタ、Ａｍｐ、ｌ：差動増幅器、
Ｖ ｒｅｆ、１ ：基準電圧。 特許出願人 新電元工業株式会社Ｉｔ図 第２図
、第３図、第４図は本発明回路の説明図である。 へ二従来型の過熱保護回路、Ｂニトロツバ型定電圧回路
、Ｃ：本発明の過熱保護回路、（イ）、（ロ）、（ハ）
、（ニ）：定電流源、Ｄｌ、Ｄ２：ダイオード、Ｑｌ、
Ｑ２．Ｑ８．Ｑ９ ： ＰチャネルＦＥＴ、Ｑ３、Ｑ４
．Ｑｌ ０．Ｑｌ １ ：ＮチャネルＦＥＴ、Ｒ１，Ｒ
２、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５：抵抗、Ｑ５：主トランジスタ、
Ｑ６：ドライブトランジスタ、Ｑｌ：過熱保護回路を働
かせるためのトランジスタ、Ａｍｐ、ｌ：差動増幅器、
Ｖ ｒｅｆ、１ ：基準電圧。 特許出願人 新電元工業株式会社Ｉｔ図 第２図
Claims (1)
- ドロッパ型定電圧回路の過熱検出用差動増巾器をチャネ
ル巾（Ｗ）とチャネル長（Ｌ）の比（Ｗ／Ｌ）の異なる
ＭＯＳＦＥＴにより構成すると共に、前記差動増巾器の
入力端子を定電流源に接続された過熱検出用ダイオード
の夫々アノードとカソード間に接続し、且つ前記差動増
巾器の出力により前記定電圧回路の制御部を制御するよ
うにしたことを特徴とするドロッパ型定電圧回路の過熱
保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31553190A JPH04184606A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | ドロッパ型定電圧回路の過熱保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31553190A JPH04184606A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | ドロッパ型定電圧回路の過熱保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184606A true JPH04184606A (ja) | 1992-07-01 |
Family
ID=18066464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31553190A Pending JPH04184606A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | ドロッパ型定電圧回路の過熱保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04184606A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7480125B2 (en) | 2005-06-24 | 2009-01-20 | Ricoh Company, Ltd. | Constant voltage circuit, system power device and method of controlling system power device |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP31553190A patent/JPH04184606A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7480125B2 (en) | 2005-06-24 | 2009-01-20 | Ricoh Company, Ltd. | Constant voltage circuit, system power device and method of controlling system power device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2525346B2 (ja) | 定電流源回路を有する差動増幅回路 | |
| US4274014A (en) | Switched current source for current limiting complementary symmetry inverter | |
| EP0000844A1 (en) | Semiconductor circuit arrangement for controlling a controlled device. | |
| JPH0623938B2 (ja) | 電流安定器 | |
| JPH10232724A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| US5608344A (en) | Comparator circuit with hysteresis | |
| US4524328A (en) | MOS Power amplifier circuit | |
| US5712556A (en) | Intermediate potential generating circuit having output stabilizing circuit | |
| EP0173370B1 (en) | Amplifier arrangement | |
| US4127783A (en) | Regulated constant current circuit | |
| JP4017850B2 (ja) | 電源回路 | |
| JPH0732362B2 (ja) | Ｔｔｌ型ゲート用可変スピードアツプ回路 | |
| JPH04184606A (ja) | ドロッパ型定電圧回路の過熱保護回路 | |
| JPH06180332A (ja) | 電流検出回路 | |
| JP2639350B2 (ja) | 演算増幅器 | |
| US4345215A (en) | Audio frequency power amplifier circuit | |
| US5349307A (en) | Constant current generation circuit of current mirror type having equal input and output currents | |
| US5939907A (en) | Low power, high speed driving circuit for driving switching elements | |
| EP1262852A1 (en) | Current source | |
| JP2776034B2 (ja) | 定電流回路 | |
| JP2545374B2 (ja) | 定電流源回路を有する差動増幅回路 | |
| JPH11308055A (ja) | プッシュプル増幅回路 | |
| JP3594417B2 (ja) | 演算増幅器 | |
| JPH0566765B2 (ja) | ||
| KR100202184B1 (ko) | 입력 버퍼 |