JP4914738B2 - ボルテージレギュレータ - Google Patents
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Description
過電流状態及び過熱状態が検出されず、負荷RLの急激な変動によって出力電圧VOUTが過渡的に低くなった場合、分圧電圧VFBも低くなり、分圧電圧VFBは基準電圧VREFよりも低くなる。すると、NMOS8はNMOS12よりもオンし、NMOS8のオン抵抗がNMOS12のオン抵抗よりも低くなり、接続点Aの電圧が低くなる。接続点Aの電圧はPMOS2のゲートに印加され、PMOS2に流れる電流が増える。このPMOS2によって流された電流が定電流回路BIAS1で予め設定された電流よりも大きくなると、接続点Bの電圧が高くなる。接続点Bの電圧はNMOS4のゲートに印加され、NMOS4に流れる電流が増えてNMOS4のオン抵抗が低くなる。すると、PMOS1のゲート電圧は低くなり、ボルテージレギュレータの出力電流IOUTが増え、図2の矢印のように、出力トランジスタとしてのPMOS1によって出力された出力電圧VOUTが高くなって一定になろうとする。つまり、制御回路22が出力電圧VOUTを高くするよう動作する。ここで、図2の点線は、ボルテージレギュレータが制御回路22を有していない時の出力電圧VOUTの波形であり、実線は、有している時の出力電圧VOUTの波形である。なお、定電流回路BIAS1で予め設定された電流の設定電流値は、ボルテージレギュレータが通常に動作している時のPMOS2に流れる電流の電流値よりも高い。また、設定電流値が高く設定されると、PMOS4はオンしにくくなり、低く設定されると、オンしやすくなる。
過電流状態及び過熱状態を検出してボルテージレギュレータの出力を停止してボルテージレギュレータを保護する保護回路によって出力電圧VOUTが過渡的に低くなった場合、保護回路50がハイ信号を出力し、PMOS6のゲート電圧がローになり、PMOS6がオンすることにより、PMOS1のゲート電圧が高くなる。すると、PMOS1がオフしていき、出力トランジスタとしてのPMOS1によって出力された出力電圧VOUTが低くなる。
BIAS1〜3 定電流回路 R1、R2 抵抗
A、B、C 接続点 RL 負荷
50 保護回路 51 インバータ
21 誤差増幅回路 22 制御回路
Claims (3)
- 入力電圧から一定の出力電圧を生成するボルテージレギュレータにおいて、
基準電圧を生成する基準電圧回路と、
前記出力電圧を出力する出力トランジスタと、
前記出力電圧を分圧して生成された分圧電圧を出力する分圧回路と、
第1の出力端子と第2の出力端子を備え、前記基準電圧と前記分圧電圧とを比較し、前記出力電圧を一定にするよう前記第1の出力端子の電圧によって前記出力トランジスタのゲートを制御する誤差増幅回路と、
所定条件が成立すると、前記出力トランジスタをオフに制御し、ボルテージレギュレータの出力を停止してボルテージレギュレータを保護する保護回路と、
前記ボルテージレギュレータの出力端子に接続された負荷の急激な変動による前記出力電圧の過渡的な変動を、前記誤差増幅回路の第2の出力端子の電圧によって検出する検出回路と、前記検出回路の信号によって前記出力トランジスタのゲートを制御する制御トランジスタと、を有し、前記出力電圧が安定するよう動作する制御回路と、を備え、
前記制御回路は、前記保護回路が動作したことを示す信号を受けて、前記検出回路の動作を停止する、
ことを特徴とするボルテージレギュレータ。 - 前記保護回路は、ボルテージレギュレータにおける出力電流の過電流状態が検出されると、ボルテージレギュレータの出力を停止してボルテージレギュレータを保護することを特徴とする請求項1記載のボルテージレギュレータ。
- 前記保護回路は、ボルテージレギュレータにおける発熱の過熱状態が検出されると、ボルテージレギュレータの出力を停止してボルテージレギュレータを保護することを特徴とする請求項1記載のボルテージレギュレータ。
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