JP2004088892A - 絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁ゲート型半導体素子10を駆動するために半導体素子12、13と15、16がそれぞれトーテムポール接続された直列接続体を二組設け、それぞれの陽極に抵抗23、24、25、26を介して正負の電源を接続し、半導体素子12、13の中点は抵抗11を介して、半導体素子15、16の中点は直接絶縁ゲート型半導体素子10のゲートGに接続し、半導体素子15、16へ遅延回路18、19によりスイッチング信号を遅延させて供給するようにし、第1の直列接続体の負側半導体素子13に直列接続された抵抗24と並列にスイッチング素子27を設けて、スイッチング素子27をワンショット信号発生回路28の出力信号によりオンオフ制御することで絶縁ゲート型半導体素子に充電されていた電荷をいち早く放電させる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
MOS型ゲート構造を有する絶縁ゲート型半導体素子は、たとえばMOSFET、IGBT、IEGT(InjectionEnhancedGateTransistor)などがある。
【0003】
これら絶縁ゲート型半導体素子は、電圧駆動型であり、ゲート・エミッタ間の容量を充電、放電する電流がオンオフ切り替え時に短時間流れるだけで、定常時にはゲート電流が流れない。したがって、絶縁ゲート型半導体素子は、ゲートパワーはパイポーラ素子に比べ非常に小さくできる利点がある。また、絶縁ゲート型半導体素子は、MOS構造特有の高速動作が可能である。
【0004】
これらのことから、近年、この種の電圧駆動型の半導体素子の開発が進められ、高圧大電流(例えば4.5kV―2000A級)の絶縁ゲート型半導体素子が開発されて電力変換装置へ応用され始めている。
【0005】
しかしながら、絶縁ゲート型半導体素子は、高電圧、大電流化に伴いコレクタ・エミッタ間、コレクタ・ゲート間、およびゲート・エミッタ間のそれぞれの静電容量が大きくなってきている。
【0006】
図12は、絶縁ゲート型半導体素子を駆動する従来のゲート回路を簡単化して示した図面である。
【0007】
図12に示すように、絶縁ゲート型半導体素子10の制御極(ゲート)Gには、スイッチング信号源17からのスイッチング信号が半導体スイッチ12、13によりゲート抵抗11を介して供給されている。
【0008】
図13は、絶縁ゲート型半導体素子を使用してインバータ回路を構成した時の1相分の回路であり、図14は、図12に示した従来のゲート回路により図13に示したインバータ回路を動作させた時のゲート電圧波形と絶縁ゲート型半導体素子の電圧(Vce)および電流(Ic)を示したものである。
【0009】
絶縁ゲート型半導体素子は、ゲートのターンオン、ターンオフ時にゲート・エミッタ間の容量特性によりミラー電圧時間が現れる。特にターンオン時には高耐圧素子ほどミラー電圧時間が長くなる傾向がある。これは、特にゲート・エミッタ間の容量がコレクタ・エミッタ間電圧に依存するためで、ターンオンによりコレクタ・エミッタ電圧が低下してくるとゲート・エミッタ容量が増加することに起因する。
【0010】
PWM(パルス幅変調)インバータでは、負荷電流をより正弦波にするため、そのスイッチング周波数を高くすることが望まれるが、前記のミラー時間により最小オン時間やデッドタイムの制約がでるために上限周波数が制限されることになる。
【0011】
このミラー時間は、ゲート抵抗を小さくすれば短縮することが可能であるが、そうすると、絶縁ゲート型半導体素子のスイッチング特性も早くなり、ターンオン時には電流が急峻に立ち上がり(dI/dt)、またターンオフ時には電圧が急峻に立ち上がるため(dV/dt)、このような電流や電圧の急激な変化によって素子が破損したり、EMIノイズが多くなったり、また、負荷側へ悪影響を及ぼすなどの問題がある。
【0012】
このような悪影響を防止するために、ターンオン、ターンオフ時には図14に示すように、図13の上下アーム(U、V)のゲート信号にデッドタイムT0を設け、上下短絡を防止している。
【0013】
しかしながら、反対アームの絶縁ゲート型半導体素子をターンオンまたターンオフすると、各端子間の容量の分担により、特に電流の急変(dI/dt)や電圧の急変(dV/dt)によりゲート・エミッタ間の容量への充電放電により、ゲート電圧が正方向または負方向に持ち上がるという現象(図14のA、B部)が確認されている。
【0014】
さらにこのような現象を防止するためには、ゲート・エミッタ間にコンデンサを設けることが有効であるが、コンデンサを設けると絶縁ゲート型半導体素子のスイッチング時間が遅くなるためスイッチング損失が増加する問題が発生する。
【0015】
このような問題を解決するための絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路が、特開2001−169534号公報に提案されている。
【0016】
この公報記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路は、図15に示すように、絶縁ゲート型半導体素子10を駆動するトーテムポール接続の直列接続体を二組設け(半導体素子12および13よりなる第1の直列接続体と、半導体素子15および16よりなる第2の直列接続体)、それぞれの直列接続体のコレクタ端子を正負の電源P、Nに接続し、第1の直列接続体の接続点はゲート抵抗11を介して絶縁ゲート型半導体素子10のゲートGに、第2の直列接続体の接続点はゲート抵抗を介さず絶縁ゲート型半導体素子10のゲートGに直に接続し、第2の直列接続体の両方のコレクタ側は低インピーダンスの抵抗25、26を介して正負の電源に接続し、第2の直列接続体のそれぞれの制御極への信号はスイッチング信号源17からのスイッチング信号を所定時間遅延する遅延回路18および19を介して供給するように構成し、ミラー時間の短縮を図っている。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
上記公報記載の技術により、これまでの様々な問題が解決できるようになってきたところであるが、近年の絶縁ゲート型半導体素子は、さらなる容量増大に伴いターンオフ時のミラー時間がさらに延びる傾向、すなわち、ターンオフタイムが延びる傾向にある。このため、近年の絶縁ゲート型半導体素子では、その容量を増大させるために上下アーム素子間のデッドタイムT0を増大させる必要がでてきた。
【0018】
ゲート抵抗とターンオフ時間には、図16に示すような相関関係があり、ターンオフ時間短縮にはゲート抵抗値の低減効果がある。しかし、ゲート抵抗値を下げると、絶縁ゲート型半導体素子のスイッチング特性も早くなりターンオフ時の電圧の立ち上がり(dV/dt)がより急峻になり、サージ電圧の増大やEMIノイズの誘発、負荷への悪影響が懸念される。
【0019】
このため、dV/dtを増大させずターンオフタイムを短縮できるゲート回路に改善することが望まれる。
【0020】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、絶縁ゲート型半導体素子のターンオフタイムをより短縮することのできる絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を提供することである。
【0021】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、上記課題を解決するため、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子の制御極が接続された第2の直列接続体と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、前記第2の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、前記第1の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子に直列に接続されている前記抵抗と並列に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号に基づいて前記スイッチング素子をオンオフ制御する制御手段と、を有することを要旨とする。
【0022】
この発明は、絶縁ゲート型半導体素子を駆動するトーテムポール接続された直列接続体を二組設け、それぞれの直列接続体の陽極は正負の電源に抵抗を介して接続し、第1の直列接続体における両半導体素子の中点は抵抗を介して絶縁ゲート型半導体素子のゲートに、第2の直列接続体における両半導体素子の中点はゲート抵抗を介さずに制御対象である絶縁ゲート型半導体素子のゲートに接続し、第2の直列接続体における両半導体素子のそれぞれの制御極への信号はスイッチング信号源からのスイッチング信号を遅延回路を介して所定時間遅延させて供給するように構成し、さらに第1の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子に直列に接続されている抵抗と並列にスイッチング素子を設けて、このスイッチング素子を制御手段によってスイッチング信号源からのスイッチング信号に基づいてオンオフ制御することで、このスイッチング素子を介して絶縁ゲート型半導体素子に充電されていた電荷をいち早く放電させ、絶縁ゲート型半導体素子のターンオフ時間の短縮を図ろうとするものである。
【0023】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路において、前記制御手段は、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号からワンショット信号を生成するワンショット信号発生回路であることを要旨とする。
【0024】
この発明は、絶縁ゲート型半導体素子の動作状態を変化させるスイッチング信号を供給しているスイッチング信号源からの信号によりワンショット信号を生成して、この生成したワンショット信号によってスイッチング素子を制御しようとするものである。
【0025】
請求項3記載の発明は、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子の制御極が接続された第2の直列接続体と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、前記第2の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、前記第1の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子に直列に接続されている前記抵抗と並列に設けられたスイッチング素子と、前記絶縁ゲート型半導体素子のコレクタ電圧を検出し、当該検出した電圧値に基づき前記スイッチング素子を制御する電圧制御回路と、を有することを要旨とする。
【0026】
この発明は、絶縁ゲート型半導体素子を駆動するトーテムポール接続された直列接続体を二組設け、それぞれの直列接続体の陽極は正負の電源に抵抗を介して接続し、第1の直列接続体における両半導体素子の中点は抵抗を介して絶縁ゲート型半導体素子のゲートに、第2の直列接続体における両半導体素子の中点はゲート抵抗を介さずに制御対象である絶縁ゲート型半導体素子のゲートに接続し、第2の直列接続体における両半導体素子のそれぞれの制御極への信号はスイッチング信号源からのスイッチング信号を遅延回路を介して所定時間遅延させて供給するように構成し、さらに第1の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子に直列に接続されている抵抗と並列にスイッチング素子を設けて、このスイッチング素子を電圧制御回路によって絶縁ゲート型半導体素子のコレクタ電圧を検出することで、絶縁ゲート型半導体素子の動作状態に応じて制御しようとするものである。
【0027】
請求項4記載の発明は、請求項3記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路において、前記電圧検出制御回路は、ダイオードを介してコレクタ電圧を検出することを要旨とする。
【0028】
この発明は、電圧検出制御回路としてダイオードを用いることにより、簡単な回路構成で、絶縁ゲート型半導体素子のコレクタ電圧が所定値以上となったときにスイッチング素子をオンオフ制御することができるようにするものである。
【0029】
請求項5記載の発明は、請求項3記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路において、前記電圧検出制御回路は、光絶縁素子を介してコレクタ電圧を検出することを要旨とする。
【0030】
この発明は、電圧検出制御回路として光絶縁素子を用いることにより、光絶縁素子を構成する発光素子側の発光する電圧値を調整することで、絶縁ゲート型半導体素子のコレクタ電圧が所定値以上となったことを検出し、それにより発光した受光素子によってスイッチング素子をオンオフ制御することができるようにするものである。
【0031】
請求項6記載の発明は、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子が接続された第2の直列接続体と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、前記第2の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、前記第1の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子に直列に接続されている前記抵抗と並列に設けられ、前記絶縁ゲート型半導体素子のゲート容量より大きい容量のコンデンサと、を有することを要旨とする。
【0032】
この発明は、絶縁ゲート型半導体素子を駆動するトーテムポール接続された直列接続体を二組設け、それぞれの直列接続体の陽極は正負の電源に抵抗を介して接続し、第1の直列接続体における両半導体素子の中点は抵抗を介して絶縁ゲート型半導体素子のゲートに、第2の直列接続体における両半導体素子の中点はゲート抵抗を介さずに制御対象である絶縁ゲート型半導体素子のゲートに接続し、第2の直列接続体における両半導体素子のそれぞれの制御極への信号はスイッチング信号源からのスイッチング信号を遅延回路を介して所定時間遅延させて供給するように構成し、さらに第1の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子に直列に接続されている抵抗と並列に、絶縁ゲート型半導体素子のゲート容量より大きい容量のコンデンサを設けて、このコンデンサにより絶縁ゲート型半導体素子に充電されていた電荷をいち早く放電させ、絶縁ゲート型半導体素子のターンオフ時間の短縮を図ろうとするものである。
【0033】
請求項7記載の発明は、請求項6記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路において、前記コンデンサは、高周波特性を有することを要旨とする。
【0034】
この発明は、コンデンサに高周波特性の良いものを用いることで、絶縁ゲート型半導体素子のオンオフの動作周波数が速いものにも対応できるようにしようとするものである。
【0035】
請求項8記載の発明は、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子が接続された第2の直列接続体と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、前記第2の直列接続体を構成する半導体素子のうち正側の半導体素子の制御極に前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、前記第2の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子の制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させた信号と前記スイッチング信号源からのスイッチング信号から生成されたワンショット信号との論理和信号を供給する制御回路と、を有することを要旨とする。
【0036】
この発明は、絶縁ゲート型半導体素子を駆動するトーテムポール接続された直列接続体を二組設け、それぞれの直列接続体の陽極は正負の電源に抵抗を介して接続し、第1の直列接続体における両半導体素子の中点は抵抗を介して絶縁ゲート型半導体素子のゲートに、第2の直列接続体における両半導体素子の中点はゲート抵抗を介さずに制御対象である絶縁ゲート型半導体素子のゲートに接続し、第2の直列接続体の正側の半導体素子の制御極へはスイッチング信号源からのスイッチング信号を遅延回路を介して所定時間遅延させて供給するように構成し、さらに第2の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子の制御極には、スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させた信号とスイッチング信号源からのスイッチング信号から生成されたワンショット信号との論理和信号を供給することで、第2の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子のオンオフのタイミングを正側の半導体素子のオンオフタイミングと違うようにして、このタイミングの差により絶縁ゲート型半導体素子に充電されていた電荷をいち早く放電させ、絶縁ゲート型半導体素子のターンオフ時間の短縮を図ろうとするものである。
【0037】
請求項9記載の発明は、請求項8記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路において、前記制御回路は、前記スイッチング信号源からの信号を遅延させる遅延回路と、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号からワンショット信号を生成するワンショット信号発生回路と、前記遅延回路からの信号を前記第2の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子の制御極に供給する第1のダイオードと、前記ワンショット信号発生回路からの信号を前記第2の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子の制御極に供給する第2のダイオードと、を有することを要旨とする。
【0038】
この発明は、2つのダイオードを用いた簡単な回路構成により論理和信号を供給できるようにするものである。
【0039】
請求項10記載の発明は、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子の制御極が接続された第2の直列接続体と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、前記第2の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、前記負の電源と直列に接続された第2の負の電源と、前記第1の負の電源と前記第2の負の電源間にダイオードを介して接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号に基づいて前記スイッチング素子の制御極にワンショット信号を供給するワンショット信号発生回路と、を有することを要旨とする。
【0040】
この発明は、絶縁ゲート型半導体素子を駆動するトーテムポール接続された直列接続体を二組設け、それぞれの直列接続体の陽極は正負の電源に抵抗を介して接続し、第1の直列接続体における両半導体素子の中点は抵抗を介して絶縁ゲート型半導体素子のゲートに、第2の直列接続体における両半導体素子の中点はゲート抵抗を介さずに制御対象である絶縁ゲート型半導体素子のゲートに接続し、第2の直列接続体における両半導体素子のそれぞれの制御極への信号はスイッチング信号源からのスイッチング信号を遅延回路を介して所定時間遅延させて供給するように構成し、さらに、第2の負の電源、第1の負の電源と直列に接続し、これをスイッチング素子とダイオードを介して第2の直列接続体を構成する負側の半導体素子、すなわち絶縁ゲート型半導体素子のオフゲート電源側に接続して、スイッチング素子の制御極にスイッチング信号源からのスイッチング信号から生成されたワンショット信号を供給することで、スイッチング信号源からのスイッチング信号に対応して、絶縁ゲート型半導体素子の負側の電源ラインを第2の負の電源を加えた電位になるようにして、絶縁ゲート型半導体素子に充電されていた電荷をいち早く放電させ、絶縁ゲート型半導体素子のターンオフ時間の短縮を図ろうとするものである。
【0041】
請求項11記載の発明は、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子の制御極が接続された第2の直列接続体と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、前記第2の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、スイッチング素子と第2の抵抗を直列接続し、前記スイッチング素子は前記絶縁ゲート型半導体素子の制御極に接続され、前記第2の抵抗は負の電源に接続された第3の直列接続体と、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号に基づいて前記スイッチング素子の制御極にワンショット信号を供給するワンショット信号発生回路と、を有することを要旨とする。
【0042】
この発明は、絶縁ゲート型半導体素子を駆動するトーテムポール接続された直列接続体を二組設け、それぞれの直列接続体の陽極は正負の電源に抵抗を介して接続し、第1の直列接続体における両半導体素子の中点は抵抗を介して絶縁ゲート型半導体素子のゲートに、第2の直列接続体における両半導体素子の中点はゲート抵抗を介さずに制御対象である絶縁ゲート型半導体素子のゲートに接続し、第2の直列接続体における両半導体素子のそれぞれの制御極への信号はスイッチング信号源からのスイッチング信号を遅延回路を介して所定時間遅延させて供給するように構成し、さらに、絶縁ゲート型半導体素子のゲートと負の電源との間に、スイッチング素子と抵抗を直列に接続して、このスイッチング素子の制御極にスイッチング信号源からのスイッチング信号からワンショット信号を供給することで、スイッチング信号源からのスイッチング信号に応じて、このスイッチング素子を介して負の電源ラインに絶縁ゲート型半導体素子に充電されていた電荷をいち早く放電させ、絶縁ゲート型半導体素子のターンオフ時間の短縮を図ろうとするものである。
【0043】
請求項12記載の発明は、請求項請求項1乃至11のいずれか一つに記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路において、前記第2の直列接続体を構成するPチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの陽極に接続された抵抗のうち少なくとも一方は、低インピーダンス素子であることを要旨とする。
【0044】
この発明は、Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの陽極に接続された抵抗のうち少なくとも一方を低インピーダンスとすることで、絶縁ゲート型半導体素子のオフ期間中の外乱変動を小さく抑えようとするものである。
【0045】
請求項13記載の発明は、請求項12記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路において、前記低インピーダンス素子は、前記抵抗と並列に接続したコンデンサを有する並列体であることを要旨とする。
【0046】
この発明は、低インピーダンス素子として抵抗と並列にコンデンサを設けたことで、インピーダンスをより小さくしようとするものである。
【0047】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【0048】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明を適用した第1の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【0049】
このゲート回路は、NPN型半導体素子(Nチャネル半導体素子)12とPNP型半導体素子(Pチャネル半導体素子)13を直列にトーテムポール接続した第1の直列接続体と、同様にトーテムポール接続されたNPN型半導体素子15とPNP型半導体素子16よりなる第2の直列接続体を有する。ここで、NPN型半導体素子12、PNP型半導体素子13、NPN型半導体素子15、およびPNP型半導体素子16は、いずれもバイポーラトランジスタである。
【0050】
第1の直列接続体と第2の直列接続体には、それぞれに抵抗23、24と抵抗25、26を介してそれぞれのコレクタ(陽極)に正負の電源P(正)、N(負)が接続されている。また、第1の直列接続体と第2の直列接続体は、それぞれの中点(半導体素子12および13の接続点と半導体素子15および16の接続点)に接続されているゲート抵抗11が設けられている。ここで、抵抗25および26は、低インピーダンスの抵抗器である。
【0051】
第1の直列接続体を構成している半導体素子12および13のそれぞれのベース(制御極)に、分岐線を通してその一端が接続された抵抗14が設けられている。
【0052】
この抵抗14を介して、スイッチング信号(出力信号A)を供給するスイッチング信号源17が接続されている。
【0053】
また、スイッチング信号源17からのスイッチング信号は、遅延回路18および19を介して第2の直列接続体を構成している半導体素子15および16のそれぞれのベースに遅延されたスイッチング信号として供給されている。
【0054】
第1の直列接続体には、負側の半導体素子13に直列に設けられた抵抗24と並列にスイッチング素子27が設けられている。ここでスイッチング素子27は、いわゆるスイッチングトランジスタである(以下、他のスイッチング素子において同様である)。
【0055】
このスイッチング素子27は、スイッチング信号源17の出力信号Aのオフ制御信号をトリガーとしてワンショット信号を供給するワンショット信号発生回路28の出力信号により駆動される。
【0056】
そして、ゲート抵抗11と第2の直列接続体の中点との接続点に制御対象である絶縁ゲート型半導体素子10のゲートGが接続されている。
【0057】
本実施の形態における作用を説明する。
【0058】
図2は、図1に示したゲート回路の動作タイムチャートを示す図面である。
【0059】
まず、時刻t0でスイッチング信号源17の出力信号Aにより半導体素子12(SW12)にオン信号が供給される。このとき半導体素子13(SW13)、16(SW16)はオフである。
【0060】
これにより、絶縁ゲート型半導体素子10は、ゲート抵抗11を介して時刻t1でターンオンし、コレクタ・エミッタ間電圧(Vce)が低下して負荷電流(Ic)が流れる。
【0061】
一方、絶縁ゲート型半導体素子10のゲート電圧(Vge)は、図2で示すように、ミラー電圧レベルがゲート・エミッタ間容量の充電が完了するまで継続する。この時間は、ゲート抵抗11の抵抗値にもよるが20〜30μ秒にもなる。
【0062】
ゲート・エミッタ間容量は、遅延回路18で設定された時間(たとえば10μ秒)後の時刻t2で、第2の直列接続体の半導体素子15(SW15)がオンになり、抵抗25によりただちに充電される。
【0063】
これにより、絶縁ゲート型半導体素子10のゲート電圧(Vge)が正の電源Pのレベルまで上昇し、絶縁ゲート型半導体素子10は安定したオン状態となる。この状態となれば、外乱などによりゲート電圧が低下しようとしても半導体素子15(SW15)と直列に接続された抵抗25によりゲート電圧が低下することなく維持される。
【0064】
スイッチング信号源17の出力信号Aが時刻t3で反転してオフ制御信号となると、半導体素子12、15にオフ信号、半導体素子13(SW13)にオン信号が与える。これと共に、ワンショット信号発生回路28がスイッチング信号源17からのオフ制御信号を受けると同時にワンショット信号を出力してスイッチング素子27(SW27)がオンされる。
【0065】
これにより、絶縁ゲート型半導体素子10のゲート・エミッタ間に充電されていた電荷がゲート抵抗11、半導体素子13、スイッチング素子27を介して放電されはじめる。
【0066】
そして、スイッチング素子27はミラー時間完了前にオフになり、抵抗24を介して放電が継続される。コレクタ・エミッタ間電圧(Vce)は放電完了後の時刻t4で上昇し、電流が遮断されてターンオフが完了する。その後、遅延回路19により遅延したスイッチング信号源17からの信号により半導体素子16(SW16)がオンになる。
【0067】
これにより、図2の破線で示したミラー時間(t3〜t5)は、スイッチング素子27によるワンショットで時間の早い放電により、より短いミラー時間(t3〜t4)になりターンオフタイムを短くすることができる。
【0068】
これは、たとえば、絶縁ゲート型半導体素子10のゲート・エミッタ間の静電容量に蓄積された電荷Qが20μクーロンの場合、オフゲート電流はゲート抵抗11と抵抗24の合計値で決まり、オフゲート電流が2Aの場合には前記電荷Qを引き抜くまで約10μ秒かかる。
【0069】
これに対して、図1に示すようにターンオフ時にスイッチング素子27をオンしてゲート抵抗11のみにより、たとえば10A流せばQ=電流×時間より2μ秒でゲート・エミッタ間の電荷は引き抜くことができ、ターンオフタイムが大幅に短縮される。
【0070】
なお、このゲート回路の遅延回路19で設定された時間は、絶縁ゲート型半導体素子10のターンオフ時間の時刻t5以上を設定しており、第2の直列接続体の半導体素子16をオンにすると、絶縁ゲート型半導体素子10は、低インピーダンスで負の電源Nのレベルに固定された安定状態にしている。
【0071】
(第2の実施の形態)
図3は、本発明を適用した第2の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【0072】
図3に示したゲート回路は、図1における第2の直列接続体を構成する半導体素子として、電界効果トランジスタ(MOSFET)35および36を使用した例である。その他の構成および動作は、前述した第1の実施の形態のゲート回路と同じである。
【0073】
このように、第2の直列接続体にMOSFETを使用した場合にも、その動作は、前述した第1の実施の形態のようにNPN型半導体素子15、およびPNP型半導体素子16としてパイポーラトランジスタを使用した場合と同様に、絶縁ゲート型半導体素子10のターンオフタイムを短くすることができる。
【0074】
なお、図示省略するが、第1の直列接続体にMOSFETを使用することも可能であり、同じように絶縁ゲート型半導体素子10のターンオフタイムを短くすることができる。
【0075】
(第3の実施の形態)
図4は、本発明を適用した第3の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【0076】
図4に示すゲート回路は、図1に示したゲート回路において、第2の直列接続体を構成する半導体素子のうち半導体素子16に接続されている抵抗26と並列に(すなわち負側の半導体素子16に対して直列に)コンデンサ37を接続して低インピーダンス素子としたものである。その他の構成およびゲート回路としての基本的な動作は第1の実施の形態のゲート回路と同じである。
【0077】
このように、第2の直列接続体を構成している負側の半導体素子16と直列にコンデンサ37を設けることで、負側の半導体素子16に接続されている抵抗のインピーダンスをより低下させて、オフ期間中のゲート負バイアスにノイズ的な急変外乱があった場合にも変動をより小さく抑えることができる。
【0078】
なお、本実施の形態では、負側の半導体素子16に接続されている抵抗26と並列にコンデンサ37を設けた形態を説明したが、同様に、正側の半導体素子15に接続されている抵抗25と並列にコンデンサを設けることで、オフ期間中のゲート正バイアスにノイズ的な急変外乱があった場合にも変動をより小さく抑えることができる。
【0079】
(第4の実施の形態)
図5は、本発明を適用した絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路に用いるワンショット信号発生回路の一例を示す図面である。
【0080】
本第4の実施の形態は、スイッチング信号源17の出力信号Aをトリガーとしてワンショット信号を作るワンショット信号発生回路28として、抵抗41および42とコンデンサ43から構成される微分回路を組んだものである。
【0081】
この微分回路によるワンショット信号の信号幅は、周知の通り、抵抗41および42とコンデンサ43の時定数で決めることができる。
【0082】
このように微分回路によってワンショット信号をつくりだすことによって、前述した第1の実施の形態のようにゲート回路を動作させることが可能である。
【0083】
また、図示省略するが、スイッチング信号源17の出力信号Aをトリガーとしてワンショット信号を作る手段としては、一般に市販されている単安定マルチICなどにより構成してもよい。
【0084】
(第5の実施の形態)
図6は、本発明を適用した第5の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【0085】
図6に示すゲート回路は、図1に示したゲート回路において、絶縁ゲート型半導体素子10のコレクタ電圧をダイオード51を介して検出し、コレクタ電圧が所定電圧値以上となった時点でスイッチング素子27をオフ動作させているものである。また、第2の直列接続体の負側の半導体素子16には、抵抗26と並列にコンデンサ37を設けている。その他の構成および動作は第1の実施の形態のゲート回路と同じである。
【0086】
ここで、ダイオード51とスイッチング素子27の間に接続されている抵抗52が検出する所定電圧値を決めている。一方、抵抗26と並列に設けたコンデンサ37は、前述した第3の実施の形態と同様に、第2の直列接続体の負側に低インピーダンス素子を構成するためのものである(後述する実施の形態において同様である)。
【0087】
このゲート回路では、絶縁ゲート型半導体素子10のコレクタ電圧に基づいてスイッチング素子27をオフ動作させることで、ゲート抵抗11および24により絶縁ゲート型半導体素子10をソフトにターンオフさせることができる。
【0088】
したがって、このゲート回路では、絶縁ゲート型半導体素子10のターンオフタイムを短くすることができると共に、ターンオフをソフトにしたことで、ターンオフ時の電圧の立ち上がりを滑らかにすることができる。
【0089】
(第6の実施の形態)
図7は、本発明を適用した第6の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【0090】
図7に示すゲート回路は、図1に示したゲート回路において、絶縁ゲート型半導体素子10のコレクタ電圧を発光素子61により検出し、その光信号を光受光素子63により受けてスイッチング素子27をオフ動作させるものである。また、第2の直列接続体の負側の半導体素子16には、抵抗26と並列にコンデンサ37を設けている。その他の構成および動作は第1の実施の形態のゲート回路と同じである。
【0091】
ここで、発光素子61と絶縁ゲート型半導体素子10のエミッタの間に接続されている抵抗62によって発光素子61が発光する電圧値を調整することができる。また、受光素子63に接続されている抵抗64は、電源電圧調整のための抵抗である。
【0092】
このゲート回路では、絶縁ゲート型半導体素子10の陽極(Vce)電圧が上昇し始めると発光素子61が発光し、受光素子63がオンになり電流が流れて、電源からの電流が抵抗64および65を介してスイッチング素子27のゲートに入力されて、導体スイッチング素子27をオフにする。そして、このオフ動作によって、絶縁ゲート型半導体素子10をソフトにターンオフさせる。
【0093】
したがって、このゲート回路では、絶縁ゲート型半導体素子10のターンオフタイムを短くすることができると共に、そのターンオフをソフトにしたことで、ターンオフ時の電圧の立ち上がりを滑らかにすることができる。
【0094】
(第7の実施の形態)
図8は、本発明を適用した第7の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【0095】
図8に示すゲート回路は、図1に示したゲート回路において、スイッチング素子の代わりに、第1の直列接続体の負側の半導体素子13と直列に接続される抵抗24と並列にコンデンサ71を設けたものである。また、第2の直列接続体の負側の半導体素子16には、抵抗26と並列にコンデンサ37を設けている。その他の構成および動作は第1の実施の形態のゲート回路と同じである。
【0096】
このコンデンサ71の容量は、絶縁ゲート型半導体素子10のゲート・エミッタ間の容量より充分大きい容量で高周波特性に優れたのもの、たとえばPPフィルムコンデンサを使用して、最適化している。
【0097】
これにより、このゲート回路は、スイッチング素子27を設けたと同様なワンショット時間を確保し、絶縁ゲート型半導体素子に充電された電荷をいち早く放電させて、絶縁ゲート型半導体素子10のターンオフタイムを短くすることができる。
【0098】
特に、高周波特性に優れたコンデンサを用いることで、絶縁ゲート型半導体素子のオンオフの動作周波数が速いものにも対応することができる。
【0099】
(第8の実施の形態)
図9は、本発明を適用した第8の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【0100】
図9に示すゲート回路は、図1に示したゲート回路において、スイッチング信号源17の出力信号Aを遅延させる遅延回路19を接続し、また、スイッチング信号源17の出力信号Aのオフ制御信号によりワンショット信号を生成するワンショット信号発生回路28を接続している。そして、遅延回路19からの信号をダイオード81を介して、ワンショット信号発生回路28からのワンショット信号をダイオード82を介して第2の直列接続した半導体素子の負側の半導体素子16の制御極に供給するように構成したものである。その他の構成および動作は第1の実施の形態のゲート回路と同じである。
【0101】
このゲート回路は、ダイオード81と82によって、遅延回路19からの遅延されたスイッチング信号とワンショット信号発生回路28からワンショット信号との論理和信号を作り、この論理和信号を第2の直列接続した半導体素子の負側の半導体素子16の制御極に供給するように構成したものである。
【0102】
このゲート回路では、出力信号Aからのオフ制御信号がでると、まずワンショット信号により負側の半導体素子16がオンし、抵抗26により絶縁ゲート型半導体素子10のゲート・エミッタ間の電荷が大電流により放電を開始する。そして、ワンショット時間経過後は、半導体素子16が一旦オフになり、半導体素子13、抵抗11、および抵抗24により絶縁ゲート型半導体素子10がソフトにターンオフする。
【0103】
ターンオフ後は、再び遅延回路19からの出力信号によりスイッチング素子16がオンになって抵抗25および26で負バイアス状態になる。
【0104】
これにより、このゲート回路においては、絶縁ゲート型半導体素子10のターンオフタイムを短くすることができると共に、ターンオフがソフトになることで、ターンオフ時の電圧の立ち上がりを滑らかにすることができる。
【0105】
なお、本第8の実施の形態に用いたワンショット信号発生回路28は、前述した第4の実施の形態と同様に、抵抗とコンデンサから構成される微分回路、または市販されている単安定マルチICなどにより構成することができる。
【0106】
(第9の実施の形態)
図10は、本発明を適用した第9の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【0107】
図10に示すゲート回路は、図1に示したゲート回路において、直列に接続された第1の負電源E1と第2の負電源E2を設けている。第2の負電源E2は、ダイオード91を介してスイッチング素子27のコレクタ側に接続されており、スイッチング素子27のエミッタ側が負の電源Nに接続している。また、直列に接続された第1の負電源E1と第2の負電源E2の中点からダイオード92を介して負の電源ラインNに接続している。その他の構成および動作は第1の実施の形態のゲート回路と同じである。
【0108】
このゲート回路は、スイッチング素子27が、スイッチング信号源17からの出力信号Aのオフ制御信号によりワンショット信号を生成するワンショット信号発生回路28の出力信号によりワンショット時間の間のみオンする。そうすると、絶縁ゲート型半導体素子10をターンオフする際に、負の電源NのラインにはE1+E2の電圧が供給され、絶縁ゲート型半導体素子10のオフゲート電源側の電位が下がる。
【0109】
これにより、負の電源NのラインにE1+E2の電圧が供給されて電位が下がることで、絶縁ゲート型半導体素子10のゲート・エミッタ間の電荷をより速く引き抜くことができるようになり、いっそうミラー時間を短くするようにでき、絶縁ゲート型半導体素子10のターンオフタイムをいっそう短くすることができる。
【0110】
なお、本第9の実施の形態に用いたワンショット信号発生回路28は、前述した第4の実施の形態と同様に、抵抗とコンデンサから構成される微分回路、または市販されている単安定マルチICなどにより構成することができる。
【0111】
(第10の実施の形態)
図11は、本発明を適用した第10の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【0112】
図11に示すゲート回路は、図1に示したゲート回路において、スイッチング素子101と低インピーダンスの抵抗102とを直列に接続し、スイッチング素子101のエミッタ側を制御対象である絶縁ゲート型半導体素子10のゲートGに、コレクタ側を抵抗102を介して負の電源Nに接続している。スイッチング素子101の制御極へは、スイッチング信号源17の出力信号Aのオフ制御信号をトリガーとしたワンショット信号発生回路28の出力信号を供給している。
【0113】
これにより、このゲート回路においては、スイッチング素子101が、ワンショット信号によりオンとなったワンショット時間の間に絶縁ゲート型半導体素子10のゲート・エミッタ間に充電されていた電荷がゲート抵抗11、半導体素子13、スイッチング素子101を介して放電されワンショット時間の早い放電により、ターンオフタイムを短くすることができる。
【0114】
以上本発明を適用した実施の形態を説明したが、本発明は、これら実施の形態に限定されるものではなく、たとえば、それぞれの実施の形態の要素を組み合わせて、さらに変形した形態とすることもできる。
【0115】
【発明の効果】
以上本発明によれば、高電圧・大電流の絶縁ゲート型半導体素子特有のターンオフ特性、すなわち、ミラー時間を短縮することができる。したがって、たとえばPWMインバータなどのデッドタイムを短縮することが可能となり、絶縁ゲート型半導体素子の特性を充分活かした高周波のスイッチングが可能となり、PWMインバータなどの電力変換装置の制御性や性能向上が図れると共にシステム信頼性の高い絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【図2】上記第1の実施の形態におけるゲート回路の動作を示すタイムチャートである。
【図3】本発明の第2の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【図4】本発明の第3の実施の形態を示すにおける絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【図5】本発明を適用した絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路に用いるワンショット信号発生回路の一例を示す図面である。
【図6】本発明の第5の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【図7】本発明の第6の実施の形態をにおける絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【図8】本発明の第7の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【図9】本発明の第8の実施の形態における絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【図10】本発明の第9の実施の形態を示すにおける絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【図11】本発明の第10の実施の形態を示すにおける絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【図12】従来の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を示す図面である。
【図13】インバータ回路の1相分の回路例を示す図面である。
【図14】従来のゲート回路でインバータ回路を駆動した時の動作を示すタイミングチャートである。
【図15】従来のゲート回路を示す図面である。
【図16】絶縁ゲート型半導体素子のゲート抵抗とターンオフ時間の特性を示す図面である。
【符号の説明】
10 絶縁ゲート型半導体素子
11、14、23、24、25、26、41、42、52、62、64、65、102 抵抗
12、15 NPN型半導体素子
13、16 PNP型半導体素子
17 スイッチング信号源
18、19 遅延回路
27、101 スイッチング素子
28 ワンショット信号発生回路
37、71 コンデンサ
51、81、82、91、92 ダイオード
61 発光素子
63 受光素子
37、71 コンデンサ
Claims (13)
- Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、
Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子の制御極が接続された第2の直列接続体と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、
前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、
前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、
前記第2の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、
前記第1の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子に直列に接続されている前記抵抗と並列に設けられたスイッチング素子と、
前記スイッチング信号源からのスイッチング信号に基づいて前記スイッチング素子をオンオフ制御する制御手段と、
を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。 - 前記制御手段は、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号からワンショット信号を生成するワンショット信号発生回路であることを特徴とする請求項1記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。
- Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、
Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子の制御極が接続された第2の直列接続体と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、
前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、
前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、
前記第2の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、
前記第1の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子に直列に接続されている前記抵抗と並列に設けられたスイッチング素子と、
前記絶縁ゲート型半導体素子のコレクタ電圧を検出し、当該検出した電圧値に基づき前記スイッチング素子を制御する電圧制御回路と、
を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。 - 前記電圧検出制御回路は、ダイオードを介してコレクタ電圧を検出することを特徴とする請求項3記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。
- 前記電圧検出制御回路は、光絶縁素子を介してコレクタ電圧を検出することを特徴とする請求項3記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。
- Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、
Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子の制御極が接続された第2の直列接続体と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、
前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、
前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、
前記第2の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、
前記第1の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子に直列に接続されている前記抵抗と並列に設けられ、前記絶縁ゲート型半導体素子のゲート容量より大きい容量のコンデンサと、
を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。 - 前記コンデンサは、高周波特性を有することを特徴とする請求項6記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。
- Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、
Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子の制御極が接続された第2の直列接続体と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、
前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、
前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、
前記第2の直列接続体を構成する半導体素子のうち正側の半導体素子の制御極に前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、
前記第2の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子の制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させた信号と前記スイッチング信号源からのスイッチング信号から生成されたワンショット信号との論理和信号を供給する制御回路と、
を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。 - 前記制御回路は、
前記スイッチング信号源からの信号を遅延させる遅延回路と、
前記スイッチング信号源からのスイッチング信号からワンショット信号を生成するワンショット信号発生回路と、
前記遅延回路からの信号を前記第2の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子の制御極に供給する第1のダイオードと、
前記ワンショット信号発生回路からの信号を前記第2の直列接続体を構成する半導体素子のうち負側の半導体素子の制御極に供給する第2のダイオードと、
を有することを特徴とする請求項8記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。 - Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、
Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子の制御極が接続された第2の直列接続体と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、
前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、
前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、
前記第2の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、
前記負の電源と直列に接続された第2の負の電源と、
前記第1の負の電源と前記第2の負の電源間にダイオードを介して接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング信号源からのスイッチング信号に基づいて前記スイッチング素子の制御極にワンショット信号を供給するワンショット信号発生回路と、
を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。 - Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続した第1の直列接続体と、
Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子を直列接続し、当該Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子の中点に絶縁ゲート型半導体素子の制御極が接続された第2の直列接続体と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極に接続された正および負の電源と、
前記第1の直列接続体および前記第2の直列接続体のそれぞれの陽極をそれぞれ前記正および負の電源に接続するための抵抗と、
前記第1の直列接続体の中点と前記第2の直列接続体の中点とを接続したゲート抵抗と、
前記第1の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極にスイッチング信号を供給するスイッチング信号源と、
前記第2の直列接続体を構成する前記Pチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの制御極に、前記スイッチング信号源からのスイッチング信号を所定時間遅延させて供給する遅延回路と、
スイッチング素子と第2の抵抗を直列接続し、前記スイッチング素子は前記絶縁ゲート型半導体素子の制御極に接続され、前記第2の抵抗は負の電源に接続された第3の直列接続体と、
前記スイッチング信号源からのスイッチング信号に基づいて前記スイッチング素子の制御極にワンショット信号を供給するワンショット信号発生回路と、
を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。 - 前記第2の直列接続体を構成するPチャンネル半導体素子とNチャンネル半導体素子のそれぞれの陽極に接続された抵抗のうち少なくとも一方は、低インピーダンス素子であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一つに記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。
- 前記低インピーダンス素子は、前記抵抗と並列に接続したコンデンサを有する並列体であることを特徴とする請求項12記載の絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路。
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