JP6255766B2 - ゲート駆動回路 - Google Patents
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Description
電圧駆動型半導体素子を駆動するゲート駆動回路であって、
前記電圧駆動型半導体素子のゲート端子に正電圧と負電圧とを選択的に印加する電圧供給部と、
前記電圧供給部の出力端と前記電圧駆動型半導体素子のゲート端子との間に接続されたゲート抵抗と、
接続制御信号がスイッチを閉とする動作レベルになると、前記ゲート抵抗を迂回する導通路を導通状態にする接続用スイッチと、
前記電圧駆動型半導体素子のゲート端子に負電圧が印加されている場合におけるゲート電圧を監視し、このゲート電圧が、該電圧駆動型半導体素子のゲートしきい値電圧よりも低い設定電圧を超えると、前記接続制御信号を前記動作レベルに変更する監視手段と、
を備える。
本発明の実施の形態1に係るゲート駆動回路1は、図1に示すように、ハーフブリッジ回路2の直列接続されたハイサイドスイッチHSとローサイドスイッチLSをそれぞれ駆動するものである。ハイサイド用のゲート駆動回路1とローサイド用のゲート駆動回路1とは同一の回路構成であるため、ここではローサイドスイッチLSのゲート駆動回路1の回路構成について以下に説明する。
続いて、本発明の実施の形態2に係るゲート駆動回路1について説明する。なお、以下の説明において、実施の形態1と共通する構成要素等については、同一の符号を付す。
続いて、本発明の実施の形態3に係るゲート駆動回路1について説明する。なお、以下の説明において、実施の形態1と共通する構成要素等については、同一の符号を付す。
2 ハーフブリッジ回路
3 電圧供給部
4B 出力端
5 監視回路(監視手段)
BPD 逆流防止ダイオード(逆流防止素子)
D1 第1ダイオード
D2 第2ダイオード
FWD 環流ダイオード
HS ハイサイドスイッチ(電圧駆動型半導体素子、第2素子)
LS ローサイドスイッチ(電圧駆動型半導体素子、第1素子)
L1 オフ用ライン
L2 オン用ライン
Rg ゲート抵抗
Rgoff ターンオフ用のゲート抵抗(ゲートオフ抵抗)
Rgon ターンオン用のゲート抵抗(ゲートオン抵抗)
SW1 接続用スイッチ(スイッチング素子)
Claims (6)
- 電圧駆動型半導体素子を駆動するゲート駆動回路であって、
前記電圧駆動型半導体素子のゲート端子に正電圧と負電圧とを選択的に印加する電圧供給部と、
前記電圧供給部の出力端と前記電圧駆動型半導体素子のゲート端子との間に接続されたゲート抵抗と、
接続制御信号がスイッチを閉とする動作レベルになると、前記ゲート抵抗を迂回する導通路を導通状態にする接続用スイッチと、
前記電圧駆動型半導体素子のゲート端子に負電圧が印加されている場合におけるゲート電圧を監視し、このゲート電圧が、該電圧駆動型半導体素子のゲートしきい値電圧よりも低い設定電圧を超えると、前記接続制御信号を前記動作レベルに変更する監視手段と、
を備えることを特徴とするゲート駆動回路。 - 前記接続用スイッチは、前記ゲート抵抗に並列接続され、前記接続制御信号が前記動作レベルになると該ゲート抵抗をバイパスする導通路を導通状態にする、
ことを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路。 - 前記接続用スイッチは、一端が前記ゲート抵抗の前記電圧駆動型半導体素子のゲート端子側の端子に接続され、他端が基準電位点の端子に接続され、前記接続制御信号が前記動作レベルになると該ゲート抵抗とは別の導通路を導通状態にする、
ことを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路。 - 前記電圧供給部の出力端と前記電圧駆動型半導体素子のゲート端子との間には、オフ用ラインとオン用ラインとが並列形成され、
前記オフ用ラインは、前記ゲート抵抗としてのゲートオフ抵抗と、カソードを前記電圧供給部の出力端に向けてこのゲートオフ抵抗に直列接続された第1ダイオードとを有し、
前記オン用ラインは、ゲートオン抵抗と、アノードが前記電圧供給部に向けてこのゲートオン抵抗に直列接続された第2ダイオードとを有し、
前記接続用スイッチは前記ゲートオフ抵抗に並列接続されている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のゲート駆動回路。 - 前記接続用スイッチは、スイッチング素子であり、
前記スイッチング素子と前記電圧供給部の出力端との間に、前記電圧供給部からの電流が前記スイッチング素子に流れることを阻止する逆流防止素子を備える、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のゲート駆動回路。 - 前記監視手段は、予め設定された所定時間が経過するまでの間、又は、前記設定電圧よりも低い第1下限電圧に低下するまでの間、前記接続用スイッチへの前記接続制御信号の前記動作レベルを維持する、
ことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のゲート駆動回路。
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