JP2005312117A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体スイッチング素子1と、スイッチング素子1と逆並列接続されているフリーホイールダイオードと、半導体スイッチング素子1を駆動するためのゲートドライバ6と、該当ゲートドライバ6の間に接続してあるゲート抵抗と、スイッチング素子1のスイッチング電流波形を検出するため電流センサ7と、検出された電流波形信号を受けスイッチ11を制御するための制御回路5と、ゲート端子2とエミッタ端子4の間の電圧変化率を変えるためのスイッチ11と、スイッチ11のスイッチングのタイミングを変えるためのコンデンサ10などで構成される。
【選択図】 図1
Description
半導体スイッチング素子を駆動するためのゲートドライバと、
半導体スイッチング素子と上記ゲートドライバの間に接続されたゲート抵抗と、
半導体スイッチング素子のスイッチング信号を検出するためのセンサと、
半導体スイッチング素子のゲート端子とエミッタ端子の間に接続されたコンデンサと、
上記コンデンサを導通させるためにコンデンサと直列に接続されたスイッチと、
上記センサからの検出信号を受け上記スイッチを制御するための制御回路と、を備えることを特徴とする。
図1は、本発明の第1実施形態による電力変換装置の回路図である。図1に示すように、電力変換装置は、半導体スイッチング素子1と、半導体スイッチング素子1を駆動するためのゲートドライバ6と、半導体スイッチング素子1とゲートドライバ6の間に接続してあるゲート抵抗8,9と、半導体スイッチング素子1のエミッタ端子4とアースとの間に接続され、スイッチング電流波形を検出するための電流センサ7と、該当電流センサ7から検出された電流波形信号を受け下記の各スイッチ11を制御する制御回路5と、半導体スイッチング素子1のスイッチング中にゲート端子2とエミッタ端子4の間に接続され、両端子間の電圧変化率を変えるためのコンデンサ10,10と、上記のコンデンサ10,10を導通させるためスイッチ11とコンデンサ10,10にそれぞれ直列接続されて構成される。
図3は、本発明の第2実施形態の電流センサを持つ回路図である。本実施形態では、図1に示した電力変換装置の電圧センサに代えて中で半導体スイッチング素子のコレクタ端子3の側に接続され、スイッチング電流をセンシングする電流センサ7を設け、半導体スイッチング素子のコレクタ端子3側の電流を検出するように回路を構成する。
図4は、本発明の第3実施形態の電流センサを持つ回路図で、図1に示した電力変換装置の中で半導体スイッチング素子の電圧センサに代えてゲート端子2の側に接続されスイッチング電流をセンシングする電流センサ7を設け、ゲート端子2側の電流を検出するように回路を構成する。
図5は、本発明の第4実施形態の電圧センサを持つ回路図で、図1に示した電力変換装置の中で電流センサ7の代わりに半導体スイッチング素子1のコレクト端子3とエミッタ端子4の間の電圧を検出する電圧センサ12を持ち、ほかの回路構成は本発明の実施例1と同じである。
図6は、本発明の第5実施形態の電圧センサを持つ回路図で、図1に示した電力変換装置の中で電流センサ7の代わりに半導体スイッチング素子1のゲート端子2とエミッタ端子4の間の電圧を例えば、トロイダルコアとホール素子および抵抗などで構成される電圧センサ12を備える。
図7は、本発明の第6実施形態のループコイルを持つ回路図である。半導体スイッチング素子1により発生する放射性ノイズを検出するため実施例1の電流センサ7または電圧センサ12の代わりに半導体スイッチング素子1の近辺にループコイル13を備える。
Claims (7)
- 半導体スイッチング素子を駆動するためのゲートドライバと、
半導体スイッチング素子と上記ゲートドライバの間に接続されたゲート抵抗と、
半導体スイッチング素子のスイッチング信号を検出するためのセンサと、
半導体スイッチング素子のゲート端子とエミッタ端子の間に接続されたコンデンサと、
上記コンデンサを導通させるためにコンデンサと直列に接続されたスイッチと、
上記センサからの検出信号を受け上記スイッチを制御するための制御回路と、を備え、上記制御回路により半導体スイッチング素子のスイッチング中に上記スイッチを制御するようにしたことを特徴にする電力変換装置。 - 前記センサとして電流センサを備えることを特徴にする請求項1記載の電力変換装置。
- 前記センサとして電圧センサを備えることを特徴にする請求項1記載の電力変換装置。
- 前記センサとして半導体スイッチング素子の近辺から発生する放射性ノイズを検出するループコイルを備えることを特徴にする請求項1記載の電力変換装置。
- ゲート抵抗は、ゲートドライバと半導体スイッチング素子のゲート端子の間に外部ゲート抵抗と内部ゲート抵抗を備えることを特徴にする請求項1記載の電力変換装置。
- ゲート抵抗は、ゲートドライバと半導体スイッチング素子のゲート端子の間に外部ゲート抵抗だけ備えることを特徴にする請求項1記載の電力変換装置。
- 半導体スイッチング素子のゲートとエミッタ端子の間に直列に接続されるコンデンサとスイッチの対並列に複数設け、上記制御回路により各スイッチをオンオフ制御して半導体スイッチング素子のスイッチング中にゲート端子とエミッタ端子の間の等価的なコンデンサ容量を変えることを特徴にする電力変換装置。
Priority Applications (1)
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JP2004122695A JP2005312117A (ja) | 2004-04-19 | 2004-04-19 | 電力変換装置 |
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JP2004122695A JP2005312117A (ja) | 2004-04-19 | 2004-04-19 | 電力変換装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9806594B2 (en) | 2011-11-02 | 2017-10-31 | Mitsubishi Corporation | Drive device for power converter and driving method of power converter |
JP2019115022A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-11 | 富士電機株式会社 | ゲート駆動装置および電力変換装置 |
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-
2004
- 2004-04-19 JP JP2004122695A patent/JP2005312117A/ja active Pending
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