JP2006333459A - 故障認識機能を備えた、パワー半導体スイッチを駆動するための回路装置、並びにそれに付属する方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】1次側(20)でTOPスイッチ(50)のスイッチング状態を認識するために、本回路装置は、レベルシフタ(44)を通じる電流の流れを検出及び評価するための回路部分(46、47、48)を有する。この際、1次側で検出されたレベルシフタを通じるこの電流の第1の下閾値が、ブリッジ回路のスイッチオンされていないTOPスイッチ(50)に対応し、1次側で検出されたレベルシフタを通じるこの電流の第2の上閾値が、ブリッジ回路のスイッチオンされているTOPスイッチ(50)に対応する。
【選択図】図3
Description
20 1次側
30、32 2次側
44、44a、44b レベルシフタ
46 電流検知部
47 電圧検知部
48 電流制限部
50、52 パワー半導体素子
100 回路装置(モノリシック集積)
410、412 ツェナーダイオード
414、414a、414b ツェナーダイオード
420 抵抗
424 負帰還抵抗
430 高電圧トランジスタ
432 低電圧トランジスタ
434 中電圧トランジスタ
Claims (7)
- 1次側の部分(1次側、20)と、ブリッジ回路のTOPスイッチ(50)及びBOTスイッチ(52)のための各々の2次側の部分(2次側、30)とから成るブリッジトポロジーにおいてパワー半導体スイッチ(50、52)を駆動するための好ましくはモノリシック集積された回路装置(100)において、1次側(20)が、少なくとも1つの信号処理部と、電位を伴わずに少なくとも1つの2次側(30)を駆動するための少なくとも1つの付設のレベルシフタ(44)とを有し、この2次側(30)が、少なくとも1つの信号処理部と、各々のスイッチ(50)のための少なくとも1つのドライバーステージとを有し、少なくとも1つのパワー半導体スイッチ(50)のスイッチング状態を認識するために、1次側(20)には、付設のレベルシフタ(44)を通じる電流の流れ(Iq)を検出及び評価するための少なくとも1つの回路部分(46、47、48)が配設されていることを特徴とする回路装置。
- レベルシフタ(44)が、2次側の電圧供給部(Vs)と、少なくとも1つのツェナーダイオード(410)と、2次側の出力部(Vo)と、高電圧トランジスタ(430)と、1次側の電圧供給部(Vp)と、低電圧トランジスタ(432)とを有することを特徴とする、請求項1に記載の回路装置。
- レベルシフタ(44)が、2次側においてそこの電圧供給部の後にツェナーダイオード(414)の直列回路を有することを特徴とする、請求項2に記載の回路装置。
- ツェナーダイオード(414a/b)の直列回路が、多数のこれらのツェナーダイオード(414a)に対して中電圧トランジスタ(434)が並列に配設されているように修正されることを特徴とする、請求項3に記載の回路装置。
- 請求項1に記載の回路装置(100)内のパワー半導体スイッチ(50)のスイッチング状態を認識するための方法において、1次側(20)でレベルシフタ(44)を通じる電流の流れ(Iq)が、そこに配設されている回路部分(46、47、48)を用いて評価され、この際、1次側(20)で検出されたレベルシフタ(44)を通じるこの電流(Iq)の第1の下閾値(I1)が、ブリッジ回路のスイッチオンされていないスイッチ(50)に対応し、1次側(20)で検出されたレベルシフタ(44)を通じるこの電流(Iq)の第2の上閾値(I2)が、ブリッジ回路のスイッチオンされているスイッチ(50)に対応することを特徴とする方法。
- レベルシフタ(44)を通じる電流の流れ(Iq)が、電流検知部(46)及び電圧検知部(47)を用いて検出されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 1次側(20)で電流制限部(48)がレベルシフタ(44)の過剰負荷を防止することを特徴とする、請求項5に記載の方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008113430A (ja) * | 2006-10-28 | 2008-05-15 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 入力信号を伝達するためのbotレベルシフタを有する駆動回路及びそれに付属の方法 |
JP2008199607A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 入力信号を伝達するためのtopレベルシフタを有する駆動回路及びそれに付属の方法 |
JP2008301160A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | レベルシフト回路および半導体装置 |
JP2010010762A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Rohm Co Ltd | パワー半導体の駆動回路装置およびそれに用いる信号伝達回路装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7884583B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-02-08 | Infineon Technologies Austria Ag | Speed recognition for half bridge control |
CN102833518B (zh) * | 2011-06-13 | 2015-07-08 | 华为终端有限公司 | 一种mcu多画面优化配置的方法及装置 |
US8841940B2 (en) * | 2013-02-06 | 2014-09-23 | Infineon Technologies Austria Ag | System and method for a driver circuit |
DE102013112262A1 (de) * | 2013-11-07 | 2015-05-07 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Ansteuerschaltung für Drei-Level-Inverter |
KR102072456B1 (ko) | 2019-04-05 | 2020-02-04 | 정문성 | 축분을 이용한 퇴비 제조장치 및 퇴비 제조 방법 및 제조된 퇴비제품 |
DE102019118420A1 (de) * | 2019-07-08 | 2021-01-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Ansteuereinrichtung zur Ansteuerung eines Leistungshalbleiterschalters |
CN110763986A (zh) * | 2019-09-19 | 2020-02-07 | 潍柴动力股份有限公司 | 一种电子开关故障诊断方法、装置及电子开关 |
CN111555628B (zh) * | 2020-05-13 | 2023-08-29 | 西安矽力杰半导体技术有限公司 | 电路拓扑识别电路及识别方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0340517A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | パワーデバイスの駆動・保護回路 |
JP2003189632A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体素子 |
JP2004120917A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Hitachi Ltd | インバータ装置とこれを用いたモータ駆動装置 |
JP2006333458A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 故障応答機能を備えた、パワー半導体スイッチを駆動するための回路装置、並びにそれに付属する方法。 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3325697B2 (ja) * | 1994-01-20 | 2002-09-17 | 三菱電機株式会社 | パワーデバイスの制御装置およびモータの駆動制御装置 |
US5543994A (en) * | 1995-02-27 | 1996-08-06 | International Rectifier Corporation | MOSFET driver with fault reporting outputs |
DE10229633A1 (de) * | 2002-07-02 | 2004-01-29 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Ansteuerung für einen Halbbrückenwechselrichter |
DE10316223B3 (de) * | 2003-04-09 | 2004-09-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung des Schaltzustandes eines Transistors |
JP4094984B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2008-06-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
DE10343278B4 (de) * | 2003-09-18 | 2006-01-05 | Infineon Technologies Ag | Halbbrückenschaltung mit einer Einrichtung zur Vermeidung von Querströmen |
DE102004049817A1 (de) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Integrierte Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0340517A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | パワーデバイスの駆動・保護回路 |
JP2003189632A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体素子 |
JP2004120917A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Hitachi Ltd | インバータ装置とこれを用いたモータ駆動装置 |
JP2006333458A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 故障応答機能を備えた、パワー半導体スイッチを駆動するための回路装置、並びにそれに付属する方法。 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008113430A (ja) * | 2006-10-28 | 2008-05-15 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 入力信号を伝達するためのbotレベルシフタを有する駆動回路及びそれに付属の方法 |
JP2008199607A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 入力信号を伝達するためのtopレベルシフタを有する駆動回路及びそれに付属の方法 |
JP2008301160A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | レベルシフト回路および半導体装置 |
JP2010010762A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Rohm Co Ltd | パワー半導体の駆動回路装置およびそれに用いる信号伝達回路装置 |
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