DE10019839A1 - Mehrschichtkondensator, Verdrahtungssubstrat, Entkopplungsschaltung und Hochfrequenzschaltung - Google Patents

Mehrschichtkondensator, Verdrahtungssubstrat, Entkopplungsschaltung und Hochfrequenzschaltung

Info

Publication number
DE10019839A1
DE10019839A1 DE10019839A DE10019839A DE10019839A1 DE 10019839 A1 DE10019839 A1 DE 10019839A1 DE 10019839 A DE10019839 A DE 10019839A DE 10019839 A DE10019839 A DE 10019839A DE 10019839 A1 DE10019839 A1 DE 10019839A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductors
electrodes
feed
inner electrodes
multilayer capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10019839A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10019839B4 (de
Inventor
Yasuyuki Naito
Masaaki Taniguchi
Yoichi Kuroda
Haruo Hori
Takanori Kondo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of DE10019839A1 publication Critical patent/DE10019839A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10019839B4 publication Critical patent/DE10019839B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/642—Capacitive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/023—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
    • H05K1/0231—Capacitors or dielectric substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15313—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106—Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/10515—Stacked components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

Ein Mehrschichtkondensator ist aufgebaut, um eine Äquivalenzreiheninduktivität (ESL) zu minimieren, und weist erste innere Elektroden und zweite innere Elektroden, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, auf. Die ersten inneren Elektroden sind über einen ersten Durchführungsleiter mit einer ersten äußeren Anschlußelektrode elektrisch verbunden, wobei die zweiten inneren Elektroden über einen zweiten Durchführungsleiter mit einer zweiten äußeren Anschlußelektrode elektrisch verbunden sind. Die ersten und zweiten Durchführungsleiter sind auf eine solche Art und Weise angeordnet, daß magnetische Felder, die durch einen Strom, der durch die inneren Elektroden fließt, induziert wird, unterdrückt werden. Zusätzlich sind einige dieser Durchführungsleiter angeordnet, um erste und zweite Randdurchführungsleiter zu definieren, die mit den ersten und zweiten inneren Elektroden an jedem Rand der ersten und zweiten inneren Elektroden verbunden sind.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Mehrschicht­ kondensatoren, Verdrahtungssubstrate, Entkopplungsschal­ tungen und Hochfrequenzschaltungen. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf Mehrschichtkondensatoren für eine Verwendung bei Hochfrequenzschaltungen und auf Ver­ drahtungssubstrate, Entkopplungsschaltungen und Hoch­ frequenzschaltungen, die solche Mehrschichtkondensatoren aufweisen.
Die meisten herkömmlichen Mehrschichtkondensatoren sind aus dielektrischen Keramikmaterialien oder dergleichen gebildet. Solche Mehrschichtkondensatoren umfassen einen Kondensator mit einer Mehrzahl von laminierten dielektrischen Schichten, eine Mehrzahl von Paaren von einander gegenüberliegend ange­ ordneten ersten inneren Elektroden und eine Mehrzahl von Paaren von einander gegenüberliegend angeordneten zweiten inneren Elektroden, die in einer Richtung abwechselnd ange­ ordnet sind, in der die dielektrischen Schichten laminiert sind, wobei sich die Paare von Elektroden über die dielek­ trischen Schichten gegenüberliegen, um eine Mehrzahl von Kondensatoreinheiten zu definieren. Eine erste äußere An­ schlußelektrode ist auf einer ersten Endoberfläche des Kon­ densators vorgesehen, wobei eine zweite äußere Anschlußelek­ trode auf einer zweiten Endoberfläche derselben vorgesehen ist. Die ersten inneren Elektroden erstrecken sich heraus zu der ersten Endoberfläche des Kondensators, um mit der ersten äußeren Anschlußelektrode elektrisch verbunden zu sein. Zu­ sätzlich erstrecken sich die zweiten inneren Elektroden he­ raus zu der zweiten Endoberfläche des Kondensators, um mit der zweiten äußeren Anschlußelektrode elektrisch verbunden zu sein.
Bei dem im vorhergehenden beschriebenen Mehrschichtkonden­ sator fließt beispielsweise Strom von der zweiten äußeren Anschlußelektrode zu der ersten äußeren Anschlußelektrode, und insbesondere fließt der Strom von der zweiten äußeren Anschlußelektrode zu der zweiten inneren Elektrode, von der aus der Strom durch eine dielektrische Schicht fließt, um die erste innere Elektrode zu erreichen, wobei derselbe daraufhin, nachdem er durch die erste innere Elektrode ge­ flossen ist, die erste äußere Anschlußelektrode erreicht.
Wenn die Kapazität eines Kondensators durch das Symbol C angezeigt wird, eine Äquivalenzreiheninduktivität (ESL; ESL = equivalent series inductance) durch das Symbol L angezeigt wird, und der Widerstandswert einer Elektrode, der als ein Äquivalenzreihenwiderstandswert (ESR; ESR = equivalent series resistance) bezeichnet wird, durch das Symbol R ange­ zeigt wird, wird ein Ersatzschaltbild für den Kondensator durch eine Schaltung dargestellt, bei der die Kapazität, die Äquivalenzreiheninduktivität und der Äquivalenzreihenwider­ standswert, die durch die Symbole C, L bzw. R angezeigt wer­ den, in Reihe geschaltet sind.
Bei diesem Ersatzschaltbild ist eine Resonanzfrequenz f0 gleich einem Wert, der durch einen Ausdruck von 1/[2π × (L × C)1/2] erhalten wird, wobei die Schaltung bei Frequenzen, die höher als die Resonanzfrequenz sind, nicht als ein Kondensator wirkt. In anderen Worten ausgedrückt, ist, wenn ein Wert von L, d. h. der Wert von ESL, klein ist, die Resonanzfrequenz f0 höher, so daß die Schaltung bei hö­ heren Frequenzen verwendet werden kann. Obwohl in Betracht gezogen worden ist, Kupfer für die inneren Elektroden zu verwenden, um den Wert von ESR zu reduzieren, ist ein Kon­ densator mit einem reduzierten ESL-Wert erforderlich, wenn der Kondensator in Mikrowellenbereichen verwendet wird.
Zusätzlich ist es bei einem Kondensator, der als ein Ent­ kopplungskondensator verwendet wird, der mit einer Lei­ stungsversorgungsschaltung verbunden ist, die Leistung zu einem MPU-Chip als eine Mikroverarbeitungseinheit zuführt, die in einer Arbeitsstation, einem Personalcomputer oder anderen solchen elektronischen Vorrichtungen mit einem Prozessor enthalten ist, ferner notwendig, den ESL-Wert zu reduzieren.
Fig. 13 ist ein Blockdiagramm, das ein Beispiel der Struktur darstellt, bei der eine MPU 1 und eine Leistungsversorgungs­ einheit 2 verbunden sind.
In Fig. 13 weist die MPU 1 einen MPU-Chip 3 und eine Speichereinheit 4 auf. Die Leistungsversorgungseinheit 2 führt dem MPU-Chip 3 Leistung zu. Ein Entkopplungskonden­ sator 5 ist mit einer Leistungsversorgungsschaltung von der Leistungsversorgungseinheit 2 zu dem MPU-Chip 3 verbunden. Zusätzlich ist auf der Seite der Speichereinheit 4 eine Signalschaltung angeordnet, die sich von dem MPU-Chip 3 erstreckt.
Ähnlich zu einem typischen Typ eines Entkopplungskondensa­ tors wird der Entkopplungskondensator 5, der in der im vor­ hergehenden beschriebenen MPU 1 umfaßt ist, zum Absorbieren von Rauschen und zum Glätten von Leistungsversorgungsschwan­ kungen verwendet. Zusätzlich ist in neuerer Zeit die Her­ stellung des MPU-Chips 3 mit einer Betriebsfrequenz von über 500 MHz und bis 1 GHz geplant worden. Hinsichtlich eines solchen MPU-Chips 3 ist es, um Hochgeschwindigkeitsoperatio­ nen zu erzielen, notwendig, eine schnelle Leistungsversor­ gungsfunktion aufzuweisen, um die Leistung von der elek­ trischen Leistung, die in einem Kondensator geladen ist, binnen weniger Nanosekunden zuzuführen, wenn die Leistung beispielsweise während des Einschaltens unmittelbar erfor­ dert wird.
Folglich ist es bei dem Entkopplungskondensator 5, der bei der MPU 1 verwendet wird, notwendig, daß derselbe eine In­ duktivitätskomponente aufweist, die so niedrig wie möglich, beispielsweise 10 pH oder weniger, ist. Folglich ist für solche Anwendungen ein Kondensator mit einer solch niedrigen Induktivität erforderlich.
Insbesondere wird bei einem bestimmten MPU-Chip 3 mit einer Betriebstaktfrequenz von etwa 500 MHz eine Gleichleistung von etwa 2,0 V zugeführt, wobei ein Leistungsverbrauch etwa 24 W beträgt, d. h. derselbe ist derart entworfen, daß ein Strom von etwa 12 A fließt. Um den Leistungsverbrauch zu re­ duzieren, wenn eine MPU 1 nicht arbeitet, wird ein Schlafmo­ dus, bei dem der Leistungsverbrauch auf 1 W oder weniger ab­ fällt, eingenommen. Wenn von einem Schlafmodus zu einem ak­ tiven Modus gewechselt wird, muß dem MPU-Chip 3 die Lei­ stung, die für den aktiven Modus notwendig ist, während des Betriebstaktes zugeführt werden. Bei der Betriebsfrequenz von 500 MHz muß beispielsweise, wenn von dem Schlafmodus zu dem aktiven Modus gewechselt wird, die Leistung innerhalb etwa 4 bis 7 Nanosekunden zugeführt werden.
Da es jedoch unmöglich ist, die im vorhergehenden beschrie­ bene Leistung von der Leistungsversorgungseinheit 2 recht­ zeitig zuzuführen, wird während der Zeitdauer, bevor die Leistung von der Leistungsversorgungseinheit 2 zugeführt wird, dem MPU-Chip 3 die Leistung zugeführt, indem die La­ dung, die in dem Entkopplungskondensator 5 gespeichert ist, der in der Nähe des MPU-Chips 3 angeordnet ist, freigesetzt wird.
Wenn die Betriebstaktfrequenz 1 GHz beträgt, muß, um eine solche Funktion zu erfüllen, der ESL-Wert des Entkopplungs­ kondensators 5, der in der Nähe des MPU-Chips 3 angeordnet ist, zumindest 10 pH oder weniger betragen.
Da der ESL-Wert des im vorhergehenden erwähnten herkömm­ lichen Mehrschichtkondensators in einem Bereich von etwa 500 pH bis 800 pH liegt, ist derselbe viel höher als der Wert von 10 pH, der im vorhergehenden beschrieben wurde. Bei ei­ nem Mehrschichtkondensator wird eine Induktivitätskomponente erzeugt, da ein magnetischer Fluß mit einer Richtung, die durch eine Richtung des Stromes, der durch den Mehrschicht­ kondensator fließt, bestimmt wird, induziert wird, wodurch eine Selbstinduktivitätskomponente erzeugt wird.
Bezüglich des im vorhergehenden beschriebenen Hintergrunds werden die Strukturen von Mehrschichtkondensatoren, die in der Lage sind, eine Reduzierung des ESL-Wertes zu erzielen, beispielsweise in der japanischen ununtersuchten Patentan­ meldung Nr. 2-256216, dem U.S.-Patent Nr. 5,880,925, der japanischen ununtersuchten Patentanmeldung Nr. 2-159008, der japanischen ununtersuchten Patentanmeldung Nr. 11-144996 und der japanischen ununtersuchten Patentanmeldung Nr. 7-201651 präsentiert.
Die im vorhergehenden erwähnte Reduzierung des ESL-Wertes wird hauptsächlich dadurch erzielt, daß der magnetische Fluß, der in dem Mehrschichtkondensator induziert wird, unterdrückt bzw. ausgeglichen wird. Um eine solche Unter­ drückung des magnetischen Flusses zu erzeugen, wird die Richtung des Stromes, der durch den Mehrschichtkondensator fließt, verschiedenartig eingestellt. Um die Richtung des Stromes verschiedenartig einzustellen, wird zusätzlich die Anzahl der Anschlußelektroden, die an einer Außenoberfläche des Kondensators angeordnet sind, und die Anzahl von Bautei­ len von inneren Elektroden, die sich erstrecken, um mit den Anschlußelektroden elektrisch verbunden zu sein, erhöht, wo­ bei daraufhin die sich erstreckenden Teile der inneren Elek­ troden angeordnet werden, um in verschiedenen Richtungen an­ geordnet zu sein.
Die im vorhergehenden beschriebenen Maßnahmen zum Erhalten des reduzierten ESL-Wertes bei dem Mehrschichtkondensator, wie er im vorhergehenden beschrieben wurde, sind jedoch nicht wirksam genug.
Obwohl beispielsweise eine Struktur, bei der sich die inne­ ren Elektroden zu den zwei gegenüberliegenden Seitenober­ flächen des Kondensators heraus erstrecken, in der japanischen ununtersuchten Patentanmeldung Nr. 2-256216, dem U.S.-Patent Nr. 5,880,925 und der japanischen ununtersuchten Patentanmeldung Nr. 2-159008 beschrieben ist, kann der ESL- Wert lediglich auf etwa 100 pH herab reduziert werden.
Obwohl in der japanischen ununtersuchten Patentanmeldung Nr. 11-144996 eine Struktur beschrieben ist, bei der sich die inneren Elektroden zu den vier Seitenoberflächen des Konden­ sators heraus erstrecken, ist der wirksamste Wert von ESL in diesem Fall ebenfalls nicht kleiner als 40 pH.
Obwohl darüberhinaus in der japanischen ununtersuchten Pa­ tentanmeldung Nr. 7-201651 eine Struktur beschrieben ist, bei der sich die inneren Elektroden zu der oberen und der unteren Hauptoberfläche des Kondensators heraus erstrecken, ist der wirksamste Wert von ESL in diesem Fall ebenfalls nicht kleiner als 50 pH.
Um die ESL-Werte von 10 pH oder weniger zu erhalten, muß folglich herkömmlicherweise bei einer Hochfrequenzschaltung mit einer Leistungsversorgungsleitung, die für einen MPU- Chip verwendet wird, der einen solchen Mehrschichtkondensa­ tor umfaßt, eine Mehrzahl von parallel geschalteten Mehr­ schichtkondensatoren an einem Verdrahtungssubstrat ange­ bracht sein. Als ein Ergebnis wird die Fläche, die zum Anbringen der Mehrschichtkondensatoren erforderlich ist, sehr erhöht, was eine Reduzierung der Kosten und der Größe der elektronischen Vorrichtungen, die solche Hochfrequenz­ schaltungen definieren, verhindert.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Mehrschichtkondensator mit einem kleineren ESL-Wert zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch einen Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 1 oder 19 gelöst.
Um die Probleme, die im vorhergehenden beschrieben wurden, zu überwinden, liefern bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung einen Mehrschichtkondensator, der einen ESL-Wert sehr und wirksam reduziert.
Zusätzlich liefern bevorzugte Ausführungsbeispiele der vor­ liegenden Erfindung ein Verdrahtungssubstrat, eine Entkopp­ lungsschaltung und eine Hochfrequenzschaltung, die einen solchen neuartigen Mehrschichtkondensator umfassen.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird ein Mehrschichtkondensator mit einem Konden­ satorhauptkörper bereitgestellt, der eine Mehrzahl von lami­ nierten dielektrischen Schichten aufweist. Innerhalb des Kondensators sind zumindest ein Paar von ersten inneren Elektroden und zumindest ein Paar von zweiten inneren Elek­ troden angeordnet, wobei sich die Paare von Elektroden über spezifizierte dielektrische Schichten der Mehrzahl von die­ lektrischen Schichten gegenüberliegen. Erste äußere An­ schlußelektroden und zweite äußere Anschlußelektroden sind auf zumindest einer Hauptoberfläche, die sich im wesent­ lichen parallel zu den inneren Elektroden in dem Kondensator erstreckt, angeordnet.
Darüberhinaus sind eine Mehrzahl von ersten Durchführungs­ leitern und eine Mehrzahl von zweiten Durchführungsleitern innerhalb des Kondensators angeordnet. Die ersten Durchfüh­ rungsleiter verlaufen durch spezifizierte dielektrische Schichten, um die ersten inneren Elektroden und die ersten äußeren Anschlußelektroden derart elektrisch zu verbinden, daß die ersten Durchführungsleiter von den zweiten inneren Elektroden elektrisch isoliert sind. Zusätzlich verlaufen die zweiten Durchführungsleiter durch spezifizierte dielek­ trische Schichten, um die zweiten inneren Elektroden und die zweiten äußeren Anschlußelektroden derart elektrisch zu ver­ binden, daß die zweiten Durchführungsleiter von den ersten inneren Elektroden elektrisch isoliert sind. Die ersten und zweiten Durchführungsleiter sind derart angeordnet, daß die­ se Durchführungsleiter magnetische Felder, die durch einen Strom, der durch die inneren Elektroden fließt, induziert wird, gegenseitig unterdrücken.
Um die im vorhergehenden erwähnten technischen Probleme zu lösen, weist die Mehrzahl von ersten Durchführungsleitern erste Randdurchführungsleiter auf, die mit den ersten inne­ ren Elektroden an den Rändern der ersten inneren Elektroden verbunden sind, wobei die Mehrzahl von zweiten Durchfüh­ rungsleitern zweite Randdurchführungsleiter aufweist, die mit den zweiten inneren Elektroden an den Rändern der zwei­ ten inneren Elektroden verbunden sind.
Die ersten Randdurchführungsleiter weisen vorzugsweise erste Randdurchführungsleiter auf, die mit den ersten inneren Elektroden an den Seiten der ersten inneren Elektroden ver­ bunden sind, wobei die zweiten Randdurchführungsleiter zwei­ te Randdurchführungsleiter aufweisen, die mit den zweiten inneren Elektroden an den Seiten der zweiten inneren Elek­ troden verbunden sind.
Zusätzlich können zumindest der ersten Randdurchführungslei­ ter oder die zweiten Randdurchführungsleiter Randdurchfüh­ rungsleiter aufweisen, die mit entsprechenden inneren Elek­ troden an Ecken der entsprechenden inneren Elektroden ver­ bunden sind.
Ferner können die ersten Randdurchführungsleiter erste Rand­ durchführungsleiter aufweisen, die mit den ersten inneren Elektroden an den Seiten der ersten inneren Elektroden ver­ bunden sind, wobei die zweiten Randdurchführungsleiter zwei­ te Randdurchführungsleiter aufweisen, die mit den zweiten inneren Elektroden an den Seiten der zweiten inneren Elek­ troden verbunden sind. Zugleich können zumindest die ersten Randdurchführungsleiter oder die zweiten Randdurchführungs­ leiter Randdurchführungsleiter aufweisen, die mit ent­ sprechenden inneren Elektroden an Ecken der entsprechenden inneren Elektroden verbunden sind.
Bei dem Mehrschichtkondensator gemäß bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispielen der vorliegenden Erfindung sind die ersten und zweiten äußeren Anschlußelektroden vorzugsweise in einer punktierten Anordnung entsprechend den ersten und zweiten Durchführungsleitern verteilt.
In diesem Fall ist vorzugsweise an jeder der ersten und zweiten äußeren Anschlußelektroden ein Lötmittelhöcker vor­ gesehen.
Zusätzlich sind bei dem Mehrschichtkondensator gemäß bevor­ zugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung die ersten und zweiten äußeren Anschlußelektroden lediglich auf einer Hauptoberfläche des Hauptkörpers des Kondensators an­ geordnet. Alternativ können die ersten und zweiten äußeren Anschlußelektroden auf beiden Hauptoberflächen desselben angeordnet sein, oder die ersten äußeren Anschlußelektroden können auf einer Hauptoberfläche des Kondensators und die zweiten äußeren Anschlußelektroden können auf der anderen Hauptoberfläche desselben angeordnet sein.
Der Mehrschichtkondensator gemäß bevorzugten Ausführungsbei­ spielen der vorliegenden Erfindung kann vorteilhafterweise als ein Entkopplungskondensator verwendet werden, der mit einer Leistungsversorgungsschaltung für einen MPU-Chip ver­ bunden ist, der in einer Mikroverarbeitungseinheit (Mikro­ verarbeitungseinheit = Micro-Processing Unit) untergebracht ist.
Gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird ein Verdrahtungssubstrat zum Anbringen eines der im vorhergehenden erwähnten Mehrschichtkondensatoren ge­ liefert.
Wenn einige bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung an dem Verdrahtungssubstrat angebracht werden, kann als ein spezifisches bevorzugtes Ausführungsbeispiel ein MPU-Chip, der in einer Mikroverarbeitungseinheit untergebracht ist, an dem Verdrahtungssubstrat angebracht sein. Zusätzlich kann das Verdrahtungssubstrat einen heiß-seitigen Leistungsversorgungsverdrahtungsleiter, der Leistung für den MPU-Chip zuführt, und einen Masse-Verdrahtungsleiter aufwei­ sen, wobei entweder die ersten äußeren Anschlußelektroden oder die zweiten äußeren Anschlußelektroden, die bei einem der im vorhergehenden erwähnten Mehrschichtkondensatoren verwendet werden, mit dem heiß-seitigen Leistungsversor­ gungsverdrahtungsleiter elektrisch verbunden sein können, wobei die anderen der ersten äußeren Anschlußelektroden und der zweiten äußeren Anschlußelektroden mit dem Masse-Ver­ drahtungsleiter verbunden sein können.
Die ersten und zweiten äußeren Anschlußelektroden, die in einem der im vorhergehenden erwähnten Mehrschichtkondensa­ toren angeordnet sind, sind vorzugsweise durch einen Höcker mit dem Verdrahtungssubstrat verbunden.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird eine Entkopplungsschaltung mit einem der Mehrschichtkondensatoren, die im vorhergehenden beschrieben wurden, geliefert.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird eine Hochfrequenzschaltung mit einem der Mehrschichtkondensatoren, die im vorhergehenden beschrieben wurden, geliefert.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen näher erläutert, wobei gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente anzeigen. Es zeigen:
Fig. 1A und 1B Draufsichten, die die innere Struktur eines Mehrschichtkondensators gemäß einem ersten bevor­ zugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin­ dung darstellen, wobei Fig. 1A eine Schnittober­ fläche zeigt, bei der eine erste innere Elektrode angeordnet ist, und Fig. 1B eine Schnittoberfläche zeigt, bei der eine zweite innere Elektrode ange­ ordnet ist;
Fig. 2 eine Schnittansicht durch die Linie II-II, die in jeder der Fig. 1A und 1B gezeigt ist;
Fig. 3 eine Draufsicht, die einen Mehrschichtkondensator darstellt, der als ein Vergleichsbeispiel zum Un­ tersuchen der Charakteristika des Mehrschichtkon­ densators, der in Fig. 1A und 1B gezeigt ist, prä­ pariert ist;
Fig. 4 eine Draufsicht, die einen Mehrschichtkondensator darstellt, der als ein weiteres Vergleichsbeispiel präpariert ist, das verglichen wird, um die Charak­ teristika des Mehrschichtkondensators, der in Fig. 1A und 1B gezeigt ist, zu untersuchen;
Fig. 5 eine Draufsicht, die einen Mehrschichtkondensator gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 6 eine Schnittansicht, die einen Mehrschichtkondensa­ tor gemäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbei­ spiel der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 7 eine Schnittansicht, die einen Mehrschichtkondensa­ tor gemäß einem vierten bevorzugten Ausführungsbei­ spiel der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 8 eine Draufsicht, die einen Mehrschichtkondensator gemäß einem fünften bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 9 eine Draufsicht, die einen Mehrschichtkondensator gemäß einem sechsten bevorzugten Ausführungsbei­ spiel der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 10 eine Draufsicht, die die Positionsbeziehungen zwischen einer inneren Elektrode und Durchfüh­ rungsleitern zeigt, um ein siebtes bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zu veranschaulichen;
Fig. 11 eine Draufsicht, die ein achtes bevorzugtes Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar­ stellt;
Fig. 12 eine Schnittansicht, die ein Strukturbeispiel einer MPU darstellt, bei der der Mehrschichtkondensator gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung angeordnet ist, um einen Entkopplungskondensator zu definieren; und
Fig. 13 ein Blockdiagramm, das die Struktur darstellt, bei der eine MPU und eine Leistungsversorgungseinheit verbunden sind.
Fig. 1A, 1B und 2 zeigen jeweils einen Mehrschichtkonden­ sator 11 gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Fig. 1A und 1B sind Draufsich­ ten, die die innere Struktur des Mehrschichtkondensators 11 darstellen. Fig. 1A und 1B zeigen unterschiedliche Schnitt­ oberflächen. Fig. 2 ist zusätzlich eine Schnittansicht, die entlang einer Linie II-II, die in jeder von Fig. 1A und 1B gezeigt ist, entnommen ist.
Der Mehrschichtkondensator 11 weist einen Hauptkörper auf, der durch einen Kondensator 13 mit einer Mehrzahl von la­ minierten dielektrischen Schichten 12 definiert ist. Die dielektrischen Schichten 12 sind vorzugsweise aus beispiels­ weise dielektrischen Keramikmaterialien oder anderen geeig­ neten Materialien hergestellt.
Innerhalb des Kondensators 13 sind zumindest ein Paar von ersten inneren Elektroden 14 und zumindest ein Paar von zweiten inneren Elektroden 15 angeordnet, wobei sich die Paare von Elektroden über die dielektrischen Schichten 12 gegenüberliegen. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind vorzugsweise eine Mehrzahl von Paaren von ersten inne­ ren Elektroden 14 und eine Mehrzahl von Paaren von zweiten inneren Elektroden 15 vorgesehen.
Zusätzlich sind eine erste äußere Anschlußelektrode 18 und eine zweite äußere Anschlußelektrode 19 auf zumindest einer von Hauptoberflächen 16 und 17 des Kondensators 13, die sich im wesentlichen parallel zu den inneren Elektroden 14 und 15 erstrecken, angeordnet, d. h. bei dem bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel auf der Hauptoberfläche 17.
Darüberhinaus verlaufen innerhalb des Kondensators 13 eine Mehrzahl von ersten Durchführungsleitern 20 und 20a durch spezifizierte dielektrische Schichten 12, um die ersten in­ neren Elektroden 14 und die ersten äußeren Anschlußelektro­ den 18 derart elektrisch zu verbinden, daß die ersten Durch­ führungsleiter 20 und 20a von den zweiten inneren Elektroden 15 elektrisch isoliert sind. Zusätzlich verlaufen eine Mehr­ zahl von zweiten Durchführungsleitern 21 und 21a durch spe­ zifizierte dielektrische Schichten 12, um die zweiten inne­ ren Elektroden 15 und die zweiten äußeren Anschlußelektroden 19 derart elektrisch zu verbinden, daß die zweiten Durchfüh­ rungsleiter 21 und 21a von den ersten inneren Elektroden 14 elektrisch isoliert sind.
Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Mehrzahl von ersten inneren Elektroden 14 und die Mehrzahl von zwei­ ten inneren Elektroden 15 angeordnet, wie es im vorhergehen­ den beschrieben wurde. In dieser Situation sind die Kapazi­ täten, die zwischen den ersten und zweiten inneren Elektro­ den 14 und 15 erzeugt werden, durch die ersten und zweiten Durchführungsleiter 20, 20a, 21 und 21a parallel geschaltet. Die auf diese Weise parallel geschalteten Kapazitäten er­ strecken sich von den ersten und zweiten äußeren Anschlußelektroden 18 und 19 heraus.
Die ersten Durchführungsleiter 20 und 20a und die zweiten Durchführungsleiter 21 und 21a sind derart angeordnet, daß dieselben magnetische Felder gegenseitig unterdrücken bzw. ausgleichen, die durch Ströme induziert werden, die durch die inneren Elektroden 14 und 15 fließen. In anderen Worten ausgedrückt, sind bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel die Durchführungsleiter 20 und 20a und die zweiten Durchfüh­ rungsleiter 21 und 21a in einem solchen Zustand angeordnet, daß die Durchführungsleiter 20, 20a, 21 und 21a jeweils an einer Ecke eines im wesentlichen rechteckigen Körpers, ins­ besondere an einer Ecke eines im wesentlichen Quadrat-för­ migen Körpers positioniert sind. Zusätzlich sind die ersten Durchführungsleiter 20 und 20a jeweils benachbart zu den zweiten Durchführungsleitern 21 und 21a angeordnet.
Als die charakteristische Struktur von verschiedenen bevor­ zugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung sind einige der ersten Durchführungsleiter 20 und 20a erste Rand­ durchführungsleiter 20a, die mit den ersten inneren Elektro­ den 14 an dem Randabschnitt der ersten inneren Elektroden 15 verbunden sind. Zusätzlich sind einige der zweiten Durchfüh­ rungsleiter 21 und 21a zweite Randdurchführungsleiter 21a, die mit den zweiten inneren Elektroden 15 an dem Randab­ schnitt der zweiten inneren Elektroden 15 verbunden sind.
Zusätzlich sind bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel die im vorhergehenden beschriebenen ersten Randdurchfüh­ rungsleiter 20a mit den ersten inneren Elektroden 14 an der Seite der ersten inneren Elektroden 14 verbunden, wobei die zweiten Randdurchführungsleiter 21a mit den zweiten inneren Elektroden 15 an der Seite der zweiten inneren Elektroden 15 verbunden sind.
Die ersten und zweiten äußeren Anschlußelektroden 18 und 19 sind auf einer Hauptoberfläche 17 derart angeordnet, daß die äußeren Anschlußelektroden 18 und 19 in einer punktierten Konfiguration verteilt sind, die jedem der ersten und zwei­ ten Durchführungsleiter 20, 20a, 21 und 21a entspricht. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel weisen die ersten und zweiten äußeren Anschlußelektroden 18 und 19 vorzugsweise leitfähige Anschlußflächen 22 bzw. 23 und Lötmittelhöcker 24 bzw. 25 auf. Die Lötmittelhöcker 24 und 25 sind auf den An­ schlußflächen 22 und 23 vorgesehen.
Bei dem Mehrschichtkondensator 11 mit einer solchen Struktur wird der ESL-Wert sehr reduziert.
Um zu bestätigen, daß der Mehrschichtkondensator 11 gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Er­ findung bezüglich der Reduzierung des ESL-Werts eine vor­ teilhafte Struktur aufweist, wurde durch ein Resonanzver­ fahren der ESL-Wert bei dem Mehrschichtkondensator 11 gemes­ sen, wobei als ein Ergebnis ein Wert von 18 pH gemessen wurde. Bei der Struktur des Mehrschichtkondensators 11 sind die inneren Elektroden 14 und 15 und die Durchführungsleiter 20, 20a, 21 und 21a vorzugsweise aus einer leitfähigen Paste, die Nickel aufweist, hergestellt. Darüberhinaus be­ trugen die Abmessungen von jeder der inneren Elektroden 14 und 15 etwa 4,0 mm × 4,0 mm, ein Ausrichtungswiederholab­ stand der Durchführungsleiter 20, 20a, 21 und 21a betrug etwa 1,0 mm, die Durchmesser der Durchführungsleiter 20, 20a, 21 und 21a betrugen etwa 0,1 mm, und die Außendurchmes­ ser jedes Isolationsbereiches, der zwischen den inneren Elektroden 14 und den Durchführungsleitern 21 und 21a und zwischen den inneren Elektroden 15 und den Durchführungs­ leitern 20 und 20a angeordnet ist, betrug etwa 0,2 mm.
Das im vorhergehenden erwähnte Resonanzverfahren ist ein Verfahren, bei dem zuerst die Frequenzcharakteristika der Impedanz eines Mehrschichtkondensators als eine Testprobe für die Messung erhalten wird, wobei bei einer Frequenz f0 an einem Minimalpunkt in den Frequenzcharakteristika ein Wert von ESL durch 1/[(2πf0)2 × C] definiert ist. In diesem Fall ist der Minimalpunkt in den Frequenzcharakteristika äquivalent zu einem Reihenresonanzpunkt zwischen der Kapa­ zitätskomponente C und ESL des Kondensators.
Darüberhinaus wurden als ein Vergleichsbeispiel Mehrschicht­ kondensatoren gemäß den folgenden Beispielen 1 bis 3 herge­ stellt, um jeden ESL-Wert derselben zu messen. Beim Herstel­ len der Mehrschichtkondensatoren, die bei den Beispielen 1 bis 3 verwendet wurden, wurde im wesentlichen dasselbe Ver­ fahren wie dasjenige zum Herstellen des Mehrschichtkondensa­ tors 11 als die im vorhergehenden erwähnte Testprobe verwen­ det.
Obwohl bei diesem Beispiel der Mehrschichtkondensator 11 vorzugsweise insgesamt 21 Durchführungsleiter 20, 20a, 21 und 21a aufweist, weist der Mehrschichtkondensator, der bei dem Beispiel 1 verwendet wird, nicht die Randdurchführungs­ leiter 20a und 21a auf, die bei dem Mehrschichtkondensator 11 umfaßt sind. Die anderen Strukturelemente bei dem Mehr­ schichtkondensator, der bei dem Beispiel 1 verwendet wird, sind dieselben wie diejenigen bei dem Mehrschichtkondensator 11. Der Mehrschichtkondensator des Beispiels 1 weist vor­ zugsweise insgesamt neun Durchführungsleiter auf, die ledig­ lich an der Mitte positioniert sind. Bei dem Mehrschichtkon­ densator des Beispiels 1 wurde ein hoher ESL-Wert von 82 pH erhalten.
Bei dem Beispiel 2 war, wie es in Fig. 3 gezeigt ist, obwohl der Ausrichtungswiederholabstand der Durchführungsleiter 20 und 21 derselbe wie derjenige in dem Fall des Mehrschicht­ kondensators 11 war, kein Randdurchführungsleiter angeord­ net, wobei eine Gesamtzahl von 16 Durchführungsleitern 20 und 21 lediglich an der Mitte positioniert war. Bei dem Mehrschichtkondensator des Beispiels 2 wurde ein relativ hoher ESL-Wert von 45 pH erhalten.
Bei dem Beispiel 3, wie es in Fig. 4 gezeigt ist, ist der Ausrichtungswiederholabstand der Durchführungsleiter 20 und 21 enger gemacht worden, wobei eine Gesamtzahl von 25 Durchführungsleitern 20 und 21 lediglich an der Mitte angeordnet war. Bei dem Mehrschichtkondensator des Beispiels 3 wurde ein hoher ESL-Wert von 28 pH erhalten. Dieser Wert ist höher als der ESL-Wert von 18 pH, der bei dem im vorhergehenden erwähnten Mehrschichtkondensator 11 erhalten wurde, obwohl das Beispiel 3 insgesamt 25 Durchführungsleiter 20 und 21 aufwies, was die Gesamtanzahl von Durchführungsleitern 20, 20a, 21 und 21a, die bei dem Mehrschichtkondensator 11 ange­ ordnet sind, überschritt. Es ist folglich herausgefunden worden, daß es, um einen ESL-Wert zu reduzieren, wirksam ist, die Randdurchführungsleiter 20a und 21a vorzusehen.
Fig. 5 zeigt einen Mehrschichtkondensator 26 gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Diese Ansicht ist äquivalent zu der Ansicht, die in Fig. 1A gezeigt ist. In Fig. 5 werden dieselben Bezugs­ zeichen verwendet, um Elemente anzuzeigen, die denjenigen, die in Fig. 1A und 1B gezeigt sind, äquivalent sind, wobei eine Erklärung derselben weggelassen wird.
Bei dem Mehrschichtkondensator 26, der in Fig. 5 gezeigt ist, sind als Randdurchführungsleiter ein erster Randdurch­ führungsleiter 20a und ein zweiter Randdurchführungsleiter 21a, die mit einer ersten inneren Elektrode 14 bzw. einer zweiten inneren Elektrode 15 verbunden sind, an Zwischen­ punkten auf jeder Seite der ersten und zweiten inneren Elek­ trode 14 und 15 angeordnet, wobei der Randdurchführungslei­ ter 20a, der mit der ersten inneren Elektrode 14 verbunden ist, an jeder Ecke der ersten inneren Elektrode 14 angeord­ net ist.
Wie es im vorhergehenden beschrieben wurde, kann mit dem Randdurchführungsleiter 20a an jeder Ecke der ersten inneren Elektrode 14 verglichen zu dem Fall des Mehrschichtkondensa­ tors 11 gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel ei­ ne weitere Reduzierung des ESL-Wertes erzielt werden. Gemäß dem im vorhergehenden erwähnten Verfahren zum Messen des ESL-Wertes wurde bei dem Mehrschichtkondensator 26 ein ESL- Wert von 15 pH gemessen.
Fig. 6 zeigt einen Mehrschichtkondensator 27 gemäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Diese Ansicht ist äquivalent zu der Ansicht, die in Fig. 2 gezeigt ist. In Fig. 6 werden die gleichen Bezugs­ zeichen verwendet, um Elemente anzuzeigen, die zu denjeni­ gen, die in Fig. 2 gezeigt sind, äquivalent sind, wobei eine Erklärung derselben weggelassen wird.
Bei dem Mehrschichtkondensator 27, der in Fig. 6 gezeigt ist, ist eine erste äußere Anschlußelektrode 18 auf einer Hauptoberfläche 16 eines Kondensators 13 angeordnet, wobei eine zweite äußere Anschlußelektrode 19 auf der anderen Hauptoberfläche 17 desselben angeordnet ist.
Fig. 7 zeigt einen Mehrschichtkondensator 28 gemäß einem vierten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Diese Ansicht ist äquivalent zu der Ansicht, die in Fig. 2 gezeigt ist. In Fig. 7 werden die gleichen Bezugs­ zeichen verwendet, um Elemente anzuzeigen, die zu denjeni­ gen, die in Fig. 2 gezeigt sind, äquivalent sind, wobei eine Erklärung derselben weggelassen wird.
Bei dem Mehrschichtkondensator 28, der in Fig. 7 gezeigt ist, sind sowohl eine erste äußere Anschlußelektrode 18 als auch eine zweite äußere Anschlußelektrode 19 auf jeder der zwei Hauptoberflächen 16 und 17 eines Kondensators 13 ange­ ordnet.
Bei dem Mehrschichtkondensator 11, der in Fig. 2 gezeigt ist, können die Stromflüsse an dem Abschnitt, der in Fig. 2 gezeigt ist, in den ersten Durchführungsleitern 20 und 20a und den zweiten Durchführungsleitern 21 und 21a relativ zueinander umgekehrt sein. Im Gegensatz dazu sind bei dem Mehrschichtkondensator 27, der in Fig. 6 gezeigt ist, und dem Mehrschichtkondensator 28, der in Fig. 7 gezeigt ist, die Richtungen des Stroms, der in den ersten Durchführungsleitern 20 und 20a und den zweiten Durchführungsleitern 21 und 21 fließt, die selben. Dementsprechend ist es offen­ sichtlich, daß hinsichtlich der Vorteile bezüglich einer Reduzierung des ESL-Werts der Mehrschichtkondensator 11, der in Fig. 2 gezeigt ist, effektiver als der Mehrschichtkonden­ sator 27, der in Fig. 6 gezeigt ist, und der Mehrschichtkon­ densator 28, der in Fig. 7 gezeigt ist, ist.
Fig. 8 zeigt einen Mehrschichtkondensator 29 gemäß einem fünften bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Diese Ansicht ist äquivalent zu der Ansicht, die in Fig. 1A gezeigt ist. In Fig. 8 werden die gleichen Be­ zugszeichen verwendet, um Elemente anzuzeigen, die zu den­ jenigen, die in Fig. 1A und 1B gezeigt sind, äquivalent sind, wobei eine Erklärung derselben weggelassen wird.
Bei dem Mehrschichtkondensator 29, der in Fig. 8 gezeigt ist, ist eine Gesamtanzahl von 36 ersten Durchführungslei­ tern 20 und 20a und zweiten Durchführungsleitern 21 und 21a vorgesehen. Wie es hier gezeigt ist, kann die Anzahl von Durchführungsleitern wahlweise geändert werden, wenn dies notwendig ist.
Der Mehrschichtkondensator 29 weist wie in dem Fall des Mehrschichtkondensators 26, der in Fig. 5 gezeigt ist, die Randdurchführungsleiter 20a und 21a an jeder Ecke der inne­ ren Elektroden 14 auf. Bei diesem bevorzugten Ausführungs­ beispiel, das den Mehrschichtkondensator 29 verwendet, befinden sich, da insgesamt sechs Randdurchführungsleiter 20a und 21a an einer Seite jeder inneren Elektrode 14 und 15 positioniert sind, sowohl unter den ersten als auch den zweiten Randdurchführungsleitern 20a und 21a einige Durch­ führungsleiter, die an jeder Ecke der inneren Elektroden 14 und 15 positioniert sind. Mit anderen Worten ausgedrückt, sind einige der ersten und zweiten Randdurchführungsleiter 20a und 21a an jeder Ecke der inneren Elektrode 14 und 15 mit den ersten und zweiten inneren Elektroden 14 und 15 verbunden.
Fig. 9 zeigt einen Mehrschichtkondensator 30 gemäß einem sechsten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Diese Ansicht ist zu der Ansicht, die in Fig. 1A gezeigt ist, äquivalent. In Fig. 9 werden die gleichen Be­ zugszeichen verwendet, um Elemente anzuzeigen, die zu den­ jenigen, die in Fig. 1 gezeigt sind, äquivalent sind, wobei eine Erklärung derselben weggelassen wird.
Bei dem Mehrschichtkondensator 30, der in Fig. 9 gezeigt ist, sind die ersten Durchführungsleiter 20 und 20a und zweiten Durchführungsleiter 21 und 21a auf eine solche Art und Weise angeordnet, daß die Durchführungsleiter an Ecken einer im wesentlichen dreieckigen Form, insbesondere einen regelmäßigen Dreiecks, angeordnet sind.
Bezüglich des bevorzugten Ausführungsbeispiels, das in Fig. 9 gezeigt ist, kann die verteilte Konfiguration, die zum Anordnen der Durchführungsleiter angenommen wird, auf andere Weisen modifiziert werden. Es kann beispielsweise die Konfi­ guration zum Positionieren der Durchführungsleiter an jeder Ecke eines Sechsecks angewendet werden.
Fig. 10 ist eine Draufsicht, die die Positionsbeziehung zwischen den inneren Elektroden 14 und den Durchführungslei­ tern 20, 20a, 21 und 21a gemäß einem siebten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt.
Bei den im vorhergehenden erwähnten ersten bis sechsten be­ vorzugten Ausführungsbeispielen sind die Randdurchführungs­ leiter 20a und 21d mit den inneren Elektroden 14 und 15 an den Seiten der inneren Elektroden 14 und 15 verbunden. In diesem Fall ist in der Figur nicht eine Anordnung der inne­ ren Elektrode 15 gezeigt. Diese Randdurchführungsleiter 20a und 21a können innerhalb der Seiten der inneren Elektroden 14 und 15 positioniert sein, wie es in Fig. 10 gezeigt ist. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel, das in Fig. 10 ge­ zeigt ist, sind die Randdurchführungsleiter 20a und 21a auf eine solche Art und Weise angeordnet, daß diese Randdurch­ führungsleiter 20a und 21a jede Seite der inneren Elektroden 14 und 15 berühren.
Fig. 11 zeigt eine Draufsicht, die ein achtes bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt, das zu demjenigen, das in Fig. 10 gezeigt ist, äquivalent ist.
Verglichen zu dem Fall, der in Fig. 10 gezeigt ist, sind in Fig. 11 die Randdurchführungsleiter 20a und 21a weiter innen von den Seiten der inneren Elektroden 14 und 15 positio­ niert. In dieser Situation ist die Anordnung der Elektroden 15 in dieser Figur nicht gezeigt. Auf diese Weise ist, wenn die Randdurchführungsleiter 20a und 21a weiter innerhalb der Seiten der inneren Elektroden 14 und 15 positioniert sind, ein Abstand 31 zwischen jedem der Mittelabschnitte der Randdurchführungsleiter 20a und 21a und jeder Seite der inneren Elektroden 14 und 15 vorzugsweise eingestellt, um etwa 1/3 eines Ausrichtungswiederholabstandes 32 der Durch­ führungsleiter 20, 20a, 21 und 21a oder kürzer als 1/3 des Ausrichtungswiederholabstandes 32 zu sein.
Wie es im vorhergehenden beschrieben wurde, wird der Mehr­ schichtkondensator gemäß der vorliegenden Erfindung bezug­ nehmend auf jedes der Ausführungsbeispiele, die in den Figu­ ren gezeigt sind, dargestellt. Es können jedoch weitere ver­ schiedene Modifikationen bezüglich der Anzahl und Positionen der inneren Elektroden, der äußeren Anschlußelektroden und der Durchführungsleiter, die bei den verschiedenen bevorzug­ ten Ausführungsbeispielen der Erfindung verwendet werden, angewendet werden. Darüberhinaus sollte die Querschnittkon­ figuration der Durchführungsleiter nicht auf die abgerunde­ ten Konfigurationen, wie sie in den Figuren gezeigt sind, begrenzt werden. Eine im wesentlichen viereckige oder im we­ sentlichen sechseckige Form kann beispielsweise als eine Mo­ difikation verwendet werden.
Der Mehrschichtkondensator gemäß den bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann beispiels­ weise vorteilhaft angepaßt werden, um einen Entkopplungskon­ densator 5 zu definieren, der bei der im vorhergehenden er­ wähnten MPU 1 angeordnet ist, die in Fig. 13 gezeigt ist. Das strukturelle Beispiel in Fig. 12 zeigt die Struktur ei­ ner MPU mit dem Mehrschichtkondensator der bevorzugten Aus­ führungsbeispiele der vorliegenden Erfindung, der einen Ent­ kopplungskondensator definiert.
Bezugnehmend auf Fig. 12 weist eine MPU 33 ein Verdrahtungs­ substrat 35 mit einer Mehrschichtstruktur auf, bei dem auf der unteren Oberfläche desselben ein Hohlraum 34 angeordnet ist. Ein MPU-Chip 36 ist auf der oberen Oberfläche des Ver­ drahtungssubstrats 35 Oberflächen-angebracht. Zusätzlich ist innerhalb des Hohlraums 34 des Verdrahtungssubstrats 35 der Mehrschichtkondensator der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden, der einen Entkopplungskondensator defi­ niert, enthalten. Ein solcher Mehrschichtkondensator kann beispielsweise der Mehrschichtkondensator 11 gemäß dem er­ sten bevorzugten Ausführungsbeispiel sein. Darüberhinaus ist das Verdrahtungssubstrat 35 an einer Hauptplatine 37 Ober­ flächen-angebracht.
Wie es in der Figur schematisch gezeigt ist, sind Verdrah­ tungsleiter, die bei der MPU 33 notwendig sind, auf einer Oberfläche des Verdrahtungssubstrats 35 und in dem Inneren des Verdrahtungssubstrats 35 vorgesehen. Mit diesen Verdrah­ tungsleitern werden Verbindungen erhalten, wie sie in Fig. 13 gezeigt sind.
Als repräsentative Leiter unter den Verdrahtungsleitern sind innerhalb des Verdrahtungssubstrats 35 eine heiß-seitige Leistungsversorgungsverdrahtungselektrode 38 und eine Mas­ se-Elektrode 39 vorgesehen.
Die heiß-seitige Leistungsversorgungselektrode 38 ist über einen heiß-seitigen Leistungsversorgungsdurchkontaktierungslochleiter 40 mit einer ersten äußeren Anschlußelektrode 18 eines Mehrschichtkondensators 11 und über einen heiß-sei­ tigen Leistungsversorgungsdurchkontaktierungslochleiter 41 mit einem spezifizierten Anschluß 42 des MPU-Chips 36 elek­ trisch verbunden. Darüberhinaus ist die heiß-seitige Lei­ stungsversorgungselektrode 38 über einen heiß-seitigen Lei­ stungsversorgungsdurchkontaktierungslochleiter 43 mit einer heiß-seitigen leitfähigen Kontaktfläche 44 einer Hauptpla­ tine 37 elektrisch verbunden.
Zusätzlich ist eine Masse-Elektrode 39 über einen Masse- Durchkontaktierungslochleiter 45 mit einer zweiten äußeren Anschlußelektrode 19 des Mehrschichtkondensators 11 und über einen Masse-Durchkontaktierungslochleiter 46 mit einem spe­ zifizierten Anschluß 47 des MPU-Chips 36 elektrisch verbun­ den. Darüberhinaus ist die Masseelektrode 39 über einen Mas­ se-Durchkontaktierungslochleiter 48 mit einer Masse-seitigen leitfähigen Kontaktierungsfläche 49 der Hauptplatine 37 elektrisch verbunden.
Bei dem Mehrschichtkondensator 11, der im vorhergehenden be­ schrieben wurde, sind die ersten und zweiten äußeren An­ schlußelektroden 18 und 19 mit den Durchkontaktierungsloch­ leitern 40 und 45 durch Höcker verbunden, obwohl dies in Fig. 12 nicht detailliert gezeigt ist.
In Fig. 12 wurde eine Speichereinheit, die zu der Speicher­ einheit 4, die in Fig. 13 gezeigt ist, äquivalent ist, weg­ gelassen.
Wie es im vorhergehenden beschrieben wurde, sind gemäß dem Mehrschichtkondensator gemäß den bevorzugten Ausführungsbei­ spielen der vorliegenden Erfindung zumindest ein Paar von ersten inneren Elektroden und zumindest ein Paar von zweiten inneren Elektroden, die sich über spezifizierte dielek­ trische Schichten einander gegenüberliegen, innerhalb eines Kondensators als dem Hauptkörper mit einer Mehrzahl von la­ minierten dielektrischen Schichten angeordnet. Die Hauptoberflächen des Kondensators erstrecken sich im wesentlichen parallel zu den inneren Elektroden, wobei erste äußere An­ schlußelektroden und zweite äußere Anschlußelektroden auf einer der Hauptoberflächen angeordnet sind. Innerhalb des Kondensators sind eine Mehrzahl von ersten Durchführungs­ leitern, die die ersten inneren Elektroden und die ersten äußeren Anschlußelektroden elektrisch verbinden, und eine Mehrzahl von zweiten Durchführungsleitern, die die zweiten inneren Elektroden und die zweiten äußeren Anschlußelektro­ den elektrisch verbinden, angeordnet. In dieser Situation kann, da die ersten und zweiten Durchführungsleiter derart angeordnet sind, daß die Durchführungsleiter magnetische Felder, die durch einen Strom, der durch die inneren Elek­ troden fließt, induziert wird, gegenseitig unterdrücken, ein Strom, der durch den Mehrschichtkondensator fließt, in ver­ schiedene Richtungen ausgerichtet werden, und die Länge des Stroms verkürzt werden. Als ein Ergebnis kann bei dem Kon­ densator nicht nur ein ESL-Wert sehr reduziert werden, son­ dern es können ferner die Auswirkungen des Unterdrückens der magnetischen Felder an den Rändern der inneren Elektroden angewendet werden, da die ersten und zweiten Durchführungs­ leiter erste und zweite Randdurchführungsleiter aufweisen, die mit den ersten und bzw. zweiten inneren Elektroden an jedem Rand der ersten und zweiten inneren Elektroden ver­ bunden sind. Dementsprechend kann eine weitere Reduzierung des ESL-Werts erzielt werden.
Folglich kann eine Resonanzfrequenz des Mehrschichtkonden­ sators höher sein, und das Frequenzband, in dem der Mehr­ schichtkondensator einen Kondensator definiert, höher lie­ gen. Der Mehrschichtkondensator der bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ist ausreichend anpaßbar, um Frequenzen, die bei elektronischen Schaltungen verwendet werden, viel höher zu machen. Der Mehrschichtkon­ densator der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegen­ den Erfindung kann beispielsweise als ein Überbrückungskon­ densator oder ein Entkopplungskondensator verwendet werden, der in Hochfrequenzschaltungen umfaßt ist.
Obwohl bei dem Entkopplungskondensator, der verwendet wird, indem derselbe mit einem MPU-Chip oder einer anderen Kompo­ nente kombiniert wird, eine schnelle Leistungsversorgungs­ funktion erforderlich ist, kann der Mehrschichtkondensator gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung bezüglich der Hochgeschwindigkeitsoperationen für die schnelle Leistungsversorgungsfunktion ausreichend ver­ träglich sein, da der ESL-Wert des Kondensators klein ist.
Wenn zusätzlich der Mehrschichtkondensator der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung an einem geeigneten Verdrahtungssubstrat angebracht wird, können die äußeren Anschlußelektroden, die bei dem Mehrschichtkonden­ sator umfaßt sind, vorteilhaft durch Höcker verbunden wer­ den. Heutzutage besteht beispielsweise bei den Halbleiter­ chips, wie z. B. den MPU-Chips, eine Tendenz dazu, Verbin­ dungen durch Höcker herzustellen, da die Betriebsfrequenzen höher werden. Das Anordnen von Hauptoberflächenanschlußelek­ troden stimmt mit dieser Tendenz überein. Darüberhinaus er­ möglicht eine Verbindung durch Höcker, daß eine Anbringung mit hoher Dichte erzielt werden kann, so daß die Erzeugung einer parasitären Induktivität bei den Verbindungen verhin­ dert werden kann.
Bei der vorliegenden Erfindung weisen die Merkmale jedes bevorzugten Ausführungsbeispiels, die im folgenden be­ schrieben werden, Vorteile auf, bei denen das Unterdrücken der im vorhergehenden erwähnten magnetischen Felder sehr verbessert und die elektrische Länge sehr verringert wird, was zu einer wirksameren Reduzierung des ESL-Werts führt.
Die ersten und zweiten Randdurchführungsleiter umfassen er­ ste und zweite Randdurchführungsleiter, die mit den ersten bzw. zweiten inneren Elektroden an den Seiten der ersten und zweiten inneren Elektroden verbunden sind. Ferner weisen zumindest die ersten Randdurchführungsleiter oder die zwei­ ten Randdurchführungsleiter Randdurchführungsleiter auf, die mit entsprechenden inneren Elektroden an Ecken der ent­ sprechenden inneren Elektroden verbunden sind. Die ersten und zweiten äußeren Anschlußelektroden sind lediglich auf einer Hauptoberfläche des Kondensators angeordnet.

Claims (40)

1. Mehrschichtkondensator mit folgenden Merkmalen:
einem Kondensatorkörper (13) mit einer Mehrzahl von la­ minierten dielektrischen Schichten (12);
zumindest einem Paar von ersten inneren Elektroden (14) und zumindest einem Paar von zweiten inneren Elektroden (15), wobei sich die Paare von ersten inneren Elektro­ den (14) und zweiten inneren Elektroden (15) über eine der Mehrzahl von dielektrischen Schichten (12), die innerhalb des Kondensatorkörpers (13) angeordnet sind, gegenüberliegen;
ersten äußeren Anschlußelektroden (18) und zweiten äußeren Anschlußelektroden (19), die auf zumindest ei­ ner Hauptoberfläche (17) des Kondensatorkörpers (13) angeordnet sind, wobei sich die Hauptoberfläche (17) im wesentlichen parallel zu den inneren Elektroden (14, 15) erstreckt;
einer Mehrzahl von ersten Durchführungsleitern (20, 20a) und einer Mehrzahl von zweiten Durchführungslei­ tern (21, 21a), die innerhalb des Kondensatorkörpers (13) angeordnet sind, wobei die ersten Durchführungs­ leiter (20, 20a) durch spezifizierte dielektrische Schichten (12) der Mehrzahl von dielektrischen Schich­ ten (12) verlaufen, um die ersten inneren Elektroden (20, 20a) und die ersten äußeren Anschlußelektroden (18) derart elektrisch zu verbinden, daß die ersten Durchführungsleiter (20, 20a) von den zweiten inneren Elektroden (15) elektrisch isoliert sind, und wobei die zweiten Durchführungsleiter (21, 21a) durch spezifi­ zierte dielektrische Schichten (12) der Mehrzahl von dielektrischen Schichten (12) verlaufen, um die zweiten inneren Elektroden (15) und die zweiten äußeren An­ schlußelektroden (19) derart elektrisch zu verbinden, daß die zweiten Durchführungsleiter (21, 21a) von den ersten inneren Elektroden (14) elektrisch isoliert sind, wobei die ersten und zweiten Durchführungsleiter (20, 21, 20a, 21a) derart angeordnet sind, daß die ersten und zweiten Durchführungsleiter (20, 21, 20a, 21a) magnetische Felder, die durch einen Strom, der durch die inneren Elektroden (14, 15) fließt, induziert werden, gegenseitig unterdrücken; und
ersten Randdurchführungsleitern (20a), die in den er­ sten Durchführungsleitern (20, 20a) umfaßt sind, und zweiten Randdurchführungsleitern (21a), die in den zweiten Durchführungsleitern (21, 21a) umfaßt sind, wobei die ersten Randdurchführungsleiter (20a) mit den ersten inneren Elektroden (14) an den Rändern der er­ sten inneren Elektroden (14) verbunden sind, und wobei die zweiten Randdurchführungsleiter (21a) mit den zwei­ ten inneren Elektroden (15) an den Rändern der zweiten inneren Elektroden (15) verbunden sind.
2. Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 1, bei dem die ersten Randdurchführungsleiter (20a) erste Randdurch­ führungsleiter (20a) aufweisen, die mit den ersten inneren Elektroden (14) an Seiten der ersten inneren Elektroden (14) verbunden sind, und die zweiten Rand­ durchführungsleiter (21a) zweite Randdurchführungslei­ ter (21a) aufweisen, die mit den zweiten inneren Elek­ troden (15) an Seiten der zweiten inneren Elektroden (15) verbunden sind.
3. Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem zumindest die ersten Randdurchführungsleiter (20a) oder die zweiten Randdurchführungsleiter (21a) Randdurchfüh­ rungsleiter aufweisen, die mit entsprechenden inneren Elektroden (14, 15) an Ecken der entsprechenden inneren Elektroden (14, 15) verbunden sind.
4. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die ersten und zweiten äußeren Anschlußelek­ troden (18, 19) in einer punktierten Konfiguration ent­ sprechend den ersten und zweiten Durchführungsleitern (20, 20a, 21, 21a) verteilt sind.
5. Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 4, bei dem an je­ der der ersten und zweiten äußeren Anschlußelektroden (18, 19) ein Lötmittelhöcker (24, 25) vorgesehen ist.
6. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die ersten und zweiten äußeren Anschlußelek­ troden (18, 19) lediglich auf einer Hauptoberfläche (17) des Kondensators (13) angeordnet sind.
7. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die ersten und zweiten äußeren Anschlußelek­ troden (18, 19) auf beiden Hauptoberflächen (16, 17) des Kondensators (13) angeordnet sind.
8. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die ersten äußeren Anschlußelektroden (19) auf einer Hauptoberfläche (17) des Kondensators (13) angeordnet sind, und die zweiten äußeren Anschlußelek­ troden (18) auf der anderen Hauptoberfläche (16) des­ selben angeordnet sind.
9. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem der Kondensator (13) angeordnet ist, um ei­ nen Entkopplungskondensator zu definieren, der in einem MPU-Chip einer Mikroverarbeitungseinheit vorgesehen ist.
10. Verdrahtungssubstrat (35) mit einem Mehrschichtkonden­ sator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, der auf dem­ selben angebracht ist.
11. Verdrahtungssubstrat (35) gemäß Anspruch 10, bei dem ein MPU-Chip (36), der in einer Mikroverarbeitungseinheit untergebracht ist, auf dem Verdrahtungssubstrat (35) mit einem heiß-seitigen Leistungsversorgungsver­ drahtungsleiter (38, 41, 43) zum Zuführen von Leistung, die für den MPU-Chip (36) verwendet wird, und einem Masse-Verdrahtungsleiter (39, 46, 48) angebracht ist, wobei entweder die ersten äußeren Anschlußelektroden (18) oder die zweiten äußeren Anschlußelektroden (19), die in dem Mehrschichtkondensator umfaßt sind, mit dem heiß-seitigen Leistungsversorgungsverdrahtungsleiter (38, 41, 45) elektrisch verbunden sind, und die anderen Anschlußelektroden der ersten äußeren Anschlußelek­ troden (18) der zweiten äußeren Anschlußelektroden (19) mit dem Masse-Verdrahtungsleiter (39, 46, 48) verbunden sind.
12. Verdrahtungssubstrat (35) gemäß Anspruch 10 oder 11, bei dem die ersten und zweiten äußeren Anschlußelektro­ den (18, 19) jeweils durch einen Höcker mit dem Ver­ drahtungssubstrat (35) verbunden sind.
13. Hochfrequenzschaltung mit einem Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9.
14. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem eine Querschnittkonfiguration der Durchfüh­ rungsleiter (20, 20a, 21, 21a) im wesentlichen kreis­ förmig ist.
15. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem eine Querschnittkonfiguration der Durchfüh­ rungsleiter (20, 20a, 21, 21a) im wesentlichen vier­ eckig und im wesentlichen sechseckig ist.
16. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, 14 oder 15, bei dem die ersten Randdurchführungslei­ ter (20a) und die zweiten Randdurchführungsleiter (21a) an Zwischenpunkten auf jeder Seite der ersten und zwei­ ten inneren Elektroden (14, 15) angeordnet sind.
17. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 oder 14 bis 16, bei dem zumindest einer der ersten Randdurchführungsleiter (20a), der mit der ersten in­ neren Elektrode (14) verbunden ist, an einer Ecke einer der ersten inneren Elektroden (14) angeordnet ist.
18. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 oder 14 bis 17, bei dem einer der zweiten Randdurch­ führungsleiter (21a), der mit der zweiten inneren Elek­ trode (15) verbunden ist, an einer Ecke einer der zwei­ ten inneren Elektroden (15) angeordnet ist.
19. Mehrschichtkondensator mit folgenden Merkmalen:
einem Kondensatorkörper (13) mit einer Mehrzahl von la­ minierten dielektrischen Schichten (12) und mit vier Seiten (16, 17);
zumindest einem Paar von ersten inneren Elektroden (14) und zumindest einem Paar von zweiten inneren Elektroden (15), wobei sich die Paare von ersten inneren Elektro­ den (14) und zweiten inneren Elektroden (15) über eine der Mehrzahl von dielektrischen Schichten (12), die innerhalb des Kondensatorkörpers (13) und an verschie­ denen Positionen in dem Kondensatorkörper (13) angeord­ net sind, gegenüberliegen;
ersten äußeren Anschlußelektroden (18) und zweiten äußeren Anschlußelektroden (19), die auf zumindest einer Hauptoberfläche (17) des Kondensatorkörpers (13) angeordnet sind, wobei sich die Hauptoberfläche (17) im wesentlichen parallel zu den inneren Elektroden (14, 15) erstreckt;
einer Mehrzahl von ersten Durchführungsleitern (20, 20a) und einer Mehrzahl von zweiten Durchführungslei­ tern (21, 21a), die innerhalb des Kondensatorkörpers (13) angeordnet sind, wobei die ersten Durchführungs­ leiter (20, 20a) durch spezifizierte dielektrische Schichten (12) der Mehrzahl von dielektrischen Schich­ ten (12) verlaufen, um die ersten inneren Elektroden (14) und die ersten äußeren Anschlußelektroden (18) derart elektrisch zu verbinden, daß die ersten Durch­ führungsleiter (20, 20a) von den zweiten inneren Elek­ troden (15) elektrisch isoliert sind, und wobei die zweiten Durchführungsleiter (21, 21a) durch spezifi­ zierte dielektrische Schichten (12) der Mehrzahl von dielektrischen Schichten (12) verlaufen, um die zweiten inneren Elektroden (15) und die zweiten äußeren An­ schlußelektroden (19) derart elektrisch zu verbinden, daß die zweiten Durchführungsleiter (21, 21a) von den ersten inneren Elektroden (14) elektrisch isoliert sind;
wobei sich die ersten und zweiten Durchführungsleiter (20, 21, 20a, 21a) von den ersten beziehungsweise zwei­ ten äußeren Anschlußelektroden (18, 19) entlang eines Hauptabschnitts der Mehrzahl von dielektrischen Schich­ ten (12) erstrecken, und wobei die ersten und zweiten Durchführungsleiter (20, 20a, 21, 21a) derart angeord­ net sind, daß die ersten und zweiten Durchführungslei­ ter (20, 20a, 21, 21a) magnetische Felder, die durch einen Strom, der durch die inneren Elektroden (14, 15) fließt, induziert werden, gegenseitig unterdrücken.
20. Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 19, bei dem jeder erste äußere Anschluß (18) entlang der zumindest einen Hauptoberfläche (17) des Kondensatorkörpers (13) be­ nachbart zu einem der zweiten äußeren Anschlüsse (19) positioniert ist.
21. Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 19, bei dem jeder erste Durchführungsleiter (20, 20a) innerhalb des Kon­ densatorkörpers (13) benachbart zu einem der zweiten Durchführungsleiter (21, 21a) positioniert ist.
22. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 19 bis 21, bei dem die ersten äußeren Anschlüsse (18) eine er­ ste Polarität aufweisen, und die zweiten äußeren An­ schlüsse (19) eine zweite Polarität aufweisen, die zu der ersten Polarität entgegengesetzt ist.
23. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 19 bis 22, der ferner erste Randdurchführungsleiter (20a), die in den ersten Durchführungsleitern (20, 20a) umfaßt sind, und zweite Randdurchführungsleiter (21a), die in den zweiten Durchführungsleitern (21, 21a) umfaßt sind, aufweist, wobei die ersten Randdurchführungsleiter (20a) mit den ersten inneren Elektroden (14) an den Rändern der ersten inneren Elektroden (14) verbunden sind, und die zweiten Randdurchführungsleiter (2la) mit den zweiten inneren Elektroden (15) an den Rändern der zweiten inneren Elektroden (15) verbunden sind.
24. Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 23, bei dem die ersten Randdurchführungsleiter (20a) erste Randdurch­ führungsleiter aufweisen, die mit den ersten inneren Elektroden (14) an Seiten der ersten inneren Elektroden (14) verbunden sind, und die zweiten Randdurchführungs­ leiter (21a) zweite Randdurchführungsleiter aufweisen, die mit den zweiten inneren Elektroden (15) an Seiten der zweiten inneren Elektroden (15) verbunden sind.
25. Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 23 oder 24, bei dem zumindest die ersten Randdurchführungsleiter (20a) oder die zweiten Randdurchführungsleiter (21a) Rand­ durchführungsleiter aufweisen, die mit entsprechenden inneren Elektroden an Ecken der entsprechenden inneren Elektroden verbunden sind.
26. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 19 bis 25, bei dem die ersten und zweiten äußeren Anschluß­ elektroden (18, 19) in einer punktierten Konfiguration entsprechend den ersten und zweiten Durchführungslei­ tern (20, 20a, 21, 21a) verteilt sind.
27. Mehrschichtkondensator gemäß Anspruch 26, bei dem an jeder der ersten und zweiten äußeren Anschlußelektroden (18, 19) ein Lötmittelhöcker (24) vorgesehen ist.
28. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 19 bis 27, bei dem die ersten und zweiten äußeren Anschluß­ elektroden (18, 19) lediglich auf einer Hauptoberfläche (17) des Kondensators (13) angeordnet sind.
29. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 19 bis 27, bei dem die ersten und zweiten äußeren Anschluß­ elektroden (18, 19) auf beiden Hauptoberflächen (16, 17) des Kondensators (13) angeordnet sind.
30. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 19 bis 27, bei dem die ersten äußeren Anschlußelektroden (18) auf einer Hauptoberfläche (16) des Kondensators (13) angeordnet sind, und die zweiten äußeren Anschlußelek­ troden (19) auf der anderen Hauptoberfläche (17) des­ selben angeordnet sind.
31. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 19 bis 30, bei dem der Kondensator (13) angeordnet ist, um ei­ nen Entkopplungskondensator zu definieren, der in einem MPU-Chip (36) einer Mikroverarbeitungseinheit vorgese­ hen ist.
32. Verdrahtungssubstrat (35) mit einem Mehrschichtkonden­ sator gemäß einem der Ansprüche 19 bis 31, der auf dem­ selben angeordnet ist.
33. Verdrahtungssubstrat (35) gemäß Anspruch 32, bei dem ein MPU-Chip (36), der in einer Mikroverarbeitungsein­ heit untergebracht ist, auf dem Verdrahtungssubstrat (35) mit einem heiß-seitigen Leistungsversorgungsverdrahtungsleiter (38, 41, 43) zum Zuführen von Leistung, die für den MPU-Chip (36) verwendet wird, und einem Masse-Verdrahtungsleiter (39, 46, 48) angebracht ist, wobei entweder die ersten äußeren Anschlußelektroden (18) oder die zweiten äußeren Anschlußelektroden (19), die in dem Mehrschichtkondensator umfaßt sind, mit den heiß-seitigen Leistungsversorgungsverdrahtungsleitern (38, 41, 43) elektrisch verbunden sind, und die anderen Anschlußelektroden der ersten äußeren Anschlußelek­ troden (18) und der zweiten äußeren Anschlußelektroden (19) mit dem Masse-Verdrahtungsleiter (39, 46, 48) verbunden sind.
34. Verdrahtungssubstrat (35) gemäß Anspruch 32 oder 33, bei dem die ersten und zweiten äußeren Anschlußelektro­ den (18, 19) durch einen Höcker (24) mit dem Verdrah­ tungssubstrat (35) verbunden sind.
35. Hochfrequenzschaltung mit einem Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 19 bis 31.
36. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 19 bis 31, bei dem eine Querschnittkonfiguration der Durchfüh­ rungsleiter (20, 20a, 21, 21a) im wesentlichen kreis­ förmig ist.
37. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 19 bis 31, bei dem eine Querschnittkonfiguration der Durchfüh­ rungsleiter (20, 20a, 21, 21a) im wesentlichen vier­ eckig und im wesentlichen sechseckig ist.
38. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 23 bis 31, 38 oder 39, bei dem die ersten Randdurchführungs­ leiter (20a) und die zweiten Randdurchführungsleiter (21a) an Zwischenpunkten auf jeder Seite der ersten und zweiten inneren Elektroden (14, 15) angeordnet sind.
39. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 23 bis 31 oder 36 bis 38, bei dem zumindest einer der ersten Randdurchführungsleiter (20a), der mit der ersten inne­ ren Elektrode (14) verbunden ist, an einer Ecke einer der ersten inneren Elektroden (14) angeordnet ist.
40. Mehrschichtkondensator gemäß einem der Ansprüche 23 bis 31 oder 36 bis 39, bei dem einer der zweiten Randdurch­ führungsleiter (21a), der mit der zweiten inneren Elek­ trode (15) verbunden ist, an einer Ecke einer der zwei­ ten inneren Elektroden (15) angeordnet ist.
DE10019839A 1999-11-19 2000-04-20 Mehrschichtkondensator, Vewendung des Mehrschichtkondensators, Schaltungsanordnung und Verdrahtunssubstrat damit Expired - Lifetime DE10019839B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32901299A JP3489729B2 (ja) 1999-11-19 1999-11-19 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路
JP11-329012 1999-11-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10019839A1 true DE10019839A1 (de) 2001-06-21
DE10019839B4 DE10019839B4 (de) 2010-01-28

Family

ID=18216622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10019839A Expired - Lifetime DE10019839B4 (de) 1999-11-19 2000-04-20 Mehrschichtkondensator, Vewendung des Mehrschichtkondensators, Schaltungsanordnung und Verdrahtunssubstrat damit

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6344961B1 (de)
JP (1) JP3489729B2 (de)
KR (1) KR100363652B1 (de)
DE (1) DE10019839B4 (de)
TW (1) TW494417B (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002103789A2 (en) * 2001-06-14 2002-12-27 Intel Corporation Electronic assembly with laterally connected capacitors and manufacturing method
WO2003003456A2 (en) * 2001-06-26 2003-01-09 Intel Corporation Electronic assembly with vertically connected capacitors and manufacturing method
WO2003019656A2 (en) * 2001-08-24 2003-03-06 3M Innovative Properties Company Interconnect module with reduced power distribution impedance
DE10217566A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit integrierter, eine Mehrzahl an Metallisierungsebenen aufweisende Kapazitätsstruktur
DE10217565A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit integrierter gitterförmiger Kapazitätsstruktur
US6713860B2 (en) 2002-02-01 2004-03-30 Intel Corporation Electronic assembly and system with vertically connected capacitors
DE10341564A1 (de) * 2003-09-09 2005-04-07 Infineon Technologies Ag Kondensatoranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben
EP1755161A2 (de) * 2001-08-24 2007-02-21 3M Innovative Properties Company Verdrahtungsmodul mit reduzierter Versorgungsverteilungsimpedanz
WO2008064653A2 (de) * 2006-12-01 2008-06-05 Epcos Ag Vielschicht-kondensator

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7321485B2 (en) 1997-04-08 2008-01-22 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
JP2001185442A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサ、デカップリングコンデンサの接続構造および配線基板
US6888432B2 (en) * 2002-02-15 2005-05-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laminated substrate, method of producing the same, nonreciprocal circuit element, and communication device
EP1369922B1 (de) * 2002-06-07 2011-03-09 STMicroelectronics Srl Mehrschichtige Metallstruktur eines Spannungsversorgungsringes mit großem parasitärem Widerstand
US6606237B1 (en) * 2002-06-27 2003-08-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer capacitor, wiring board, decoupling circuit, and high frequency circuit incorporating the same
CN100437850C (zh) * 2002-10-30 2008-11-26 京瓷株式会社 电容器，布线基板，退耦电路以及高频电路
US6819543B2 (en) * 2002-12-31 2004-11-16 Intel Corporation Multilayer capacitor with multiple plates per layer
US20040231885A1 (en) * 2003-03-07 2004-11-25 Borland William J. Printed wiring boards having capacitors and methods of making thereof
DE10313891A1 (de) * 2003-03-27 2004-10-14 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
US6950300B2 (en) * 2003-05-06 2005-09-27 Marvell World Trade Ltd. Ultra low inductance multi layer ceramic capacitor
US6992387B2 (en) * 2003-06-23 2006-01-31 Intel Corporation Capacitor-related systems for addressing package/motherboard resonance
JP4623988B2 (ja) * 2003-06-27 2011-02-02 京セラ株式会社 コンデンサ及びその実装構造
JP4597585B2 (ja) * 2004-06-04 2010-12-15 日本特殊陶業株式会社 積層電子部品及びその製造方法
JP4079120B2 (ja) * 2004-06-04 2008-04-23 株式会社村田製作所 積層型セラミックコンデンサの製造方法
JP2006032747A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層電子部品及びその製造方法
US7075185B2 (en) * 2004-09-14 2006-07-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Routing vias in a substrate from bypass capacitor pads
US7149072B2 (en) * 2004-11-04 2006-12-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayered chip capacitor array
KR100674830B1 (ko) * 2004-11-04 2007-01-25 삼성전기주식회사 적층형 캐패시터 어레이
KR20070107746A (ko) 2005-03-01 2007-11-07 엑스2와이 어테뉴에이터스, 엘.엘.씨 내부 중첩된 조절기
KR20060134277A (ko) * 2005-06-22 2006-12-28 삼성전기주식회사 내장형 상하전극 적층부품 및 그의 제조 방법
WO2007010768A1 (ja) * 2005-07-15 2007-01-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. コンデンサおよびその製造方法
US8238116B2 (en) * 2007-04-13 2012-08-07 Avx Corporation Land grid feedthrough low ESL technology
JP4501996B2 (ja) * 2007-11-29 2010-07-14 Ｔｄｋ株式会社 貫通コンデンサの実装構造
US20090296310A1 (en) * 2008-06-03 2009-12-03 Azuma Chikara Chip capacitor precursors, packaged semiconductors, and assembly method for converting the precursors to capacitors
JP4687757B2 (ja) 2008-07-22 2011-05-25 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP4772132B2 (ja) * 2009-01-13 2011-09-14 京セラ株式会社 コンデンサ素子内蔵多層配線基板
KR101846388B1 (ko) * 2011-11-29 2018-04-09 한국전자통신연구원 수직구조 캐패시터 및 수직구조 캐패시터의 형성 방법
US8779849B2 (en) 2012-01-27 2014-07-15 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for providing capacitance in a multi-chip module
US9213386B2 (en) 2012-10-22 2015-12-15 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods and for providing power responsive to a power loss
KR101872582B1 (ko) * 2016-03-22 2018-06-28 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR101933414B1 (ko) 2016-11-11 2018-12-28 삼성전기 주식회사 다층 박막 커패시터
CN116075913A (zh) 2020-08-12 2023-05-05 株式会社村田制作所 多端子层叠电容器

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3308359A (en) 1965-03-12 1967-03-07 Bruce R Hayworth Low-inductance capacitor
US3612963A (en) 1970-03-11 1971-10-12 Union Carbide Corp Multilayer ceramic capacitor and process
US3822397A (en) 1973-05-07 1974-07-02 Sprague Electric Co A capacitor package with a split metal-plate terminal cover
US3971970A (en) 1974-11-27 1976-07-27 P. R. Mallory & Co., Inc. Electrical component with low impedance at high frequency
US4074340A (en) 1976-10-18 1978-02-14 Vitramon, Incorporated Trimmable monolithic capacitors
US4295183A (en) 1979-06-29 1981-10-13 International Business Machines Corporation Thin film metal package for LSI chips
US4274124A (en) 1979-12-26 1981-06-16 International Business Machines Corporation Thick film capacitor having very low internal inductance
US4328530A (en) 1980-06-30 1982-05-04 International Business Machines Corporation Multiple layer, ceramic carrier for high switching speed VLSI chips
US4346429A (en) 1980-07-09 1982-08-24 Union Carbide Corporation Multilayer ceramic capacitor with foil terminal
FR2507379A1 (fr) 1981-06-05 1982-12-10 Europ Composants Electron Bloc de condensateurs en serie et multiplicateur de tension utilisant un tel bloc de condensateurs
US4419714A (en) 1982-04-02 1983-12-06 International Business Machines Corporation Low inductance ceramic capacitor and method for its making
US4430690A (en) 1982-10-07 1984-02-07 International Business Machines Corporation Low inductance MLC capacitor with metal impregnation and solder bar contact
JPS60158612A (ja) 1984-01-27 1985-08-20 富士通株式会社 多層セラミツクコンデンサ
DE3669614D1 (de) 1985-01-17 1990-04-19 Eurofarad Keramischer hochfrequenzmehrschichtkondensator mit hoher kapazitaet.
US4706162A (en) 1985-01-22 1987-11-10 Rogers Corporation Multilayer capacitor elements
US4814940A (en) 1987-05-28 1989-03-21 International Business Machines Corporation Low inductance capacitor
US4830723A (en) 1988-06-22 1989-05-16 Avx Corporation Method of encapsulating conductors
US4831494A (en) * 1988-06-27 1989-05-16 International Business Machines Corporation Multilayer capacitor
US4853826A (en) 1988-08-01 1989-08-01 Rogers Corporation Low inductance decoupling capacitor
US4852227A (en) * 1988-11-25 1989-08-01 Sprague Electric Company Method for making a multilayer ceramic capacitor with buried electrodes and terminations at a castellated edge
US4862318A (en) 1989-04-04 1989-08-29 Avx Corporation Method of forming thin film terminations of low inductance ceramic capacitors and resultant article
JPH05205966A (ja) 1992-01-24 1993-08-13 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサ
US5517385A (en) 1992-11-19 1996-05-14 International Business Machines Corporation Decoupling capacitor structure
JPH06260364A (ja) 1993-03-08 1994-09-16 Masusaku Okumura チップ部品
JPH07201651A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Sumitomo Metal Ind Ltd 積層コンデンサ
JPH07307412A (ja) * 1994-05-10 1995-11-21 Sumitomo Metal Ind Ltd バイパス用コンデンサ搭載積層パッケージ
JPH07326536A (ja) 1994-05-31 1995-12-12 Kyocera Corp セラミックコンデンサ
US5880925A (en) 1997-06-27 1999-03-09 Avx Corporation Surface mount multilayer capacitor
JPH11135356A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサ
JP2991175B2 (ja) * 1997-11-10 1999-12-20 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
DE69837516T2 (de) * 1997-11-14 2007-12-27 Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo Vielschichtkondensator
JPH11204372A (ja) 1997-11-14 1999-07-30 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサ

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002103789A3 (en) * 2001-06-14 2003-10-02 Intel Corp Electronic assembly with laterally connected capacitors and manufacturing method
CN1316612C (zh) * 2001-06-14 2007-05-16 英特尔公司 具有侧向连接的电容器的电子组件及其制造方法
WO2002103789A2 (en) * 2001-06-14 2002-12-27 Intel Corporation Electronic assembly with laterally connected capacitors and manufacturing method
US6636416B2 (en) 2001-06-14 2003-10-21 Intel Corporation Electronic assembly with laterally connected capacitors and manufacturing method
WO2003003456A3 (en) * 2001-06-26 2003-09-18 Intel Corp Electronic assembly with vertically connected capacitors and manufacturing method
CN100358138C (zh) * 2001-06-26 2007-12-26 英特尔公司 具有垂直连接电容器的电子装置及其制造方法
WO2003003456A2 (en) * 2001-06-26 2003-01-09 Intel Corporation Electronic assembly with vertically connected capacitors and manufacturing method
US6907658B2 (en) 2001-06-26 2005-06-21 Intel Corporation Manufacturing methods for an electronic assembly with vertically connected capacitors
EP1755161A2 (de) * 2001-08-24 2007-02-21 3M Innovative Properties Company Verdrahtungsmodul mit reduzierter Versorgungsverteilungsimpedanz
WO2003019656A2 (en) * 2001-08-24 2003-03-06 3M Innovative Properties Company Interconnect module with reduced power distribution impedance
WO2003019656A3 (en) * 2001-08-24 2003-11-20 3M Innovative Properties Co Interconnect module with reduced power distribution impedance
US6847527B2 (en) 2001-08-24 2005-01-25 3M Innovative Properties Company Interconnect module with reduced power distribution impedance
EP1755161A3 (de) * 2001-08-24 2007-05-02 3M Innovative Properties Company Verdrahtungsmodul mit reduzierter Versorgungsverteilungsimpedanz
US6713860B2 (en) 2002-02-01 2004-03-30 Intel Corporation Electronic assembly and system with vertically connected capacitors
DE10217566A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit integrierter, eine Mehrzahl an Metallisierungsebenen aufweisende Kapazitätsstruktur
EP1497862B1 (de) * 2002-04-19 2006-12-20 Infineon Technologies AG Halbleiterbauelement mit integrierter gitterförmiger kapazitätsstruktur
US7061746B2 (en) 2002-04-19 2006-06-13 Infineon Technologies Ag Semiconductor component with integrated capacitance structure having a plurality of metallization planes
DE10217565A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit integrierter gitterförmiger Kapazitätsstruktur
EP1497869B1 (de) * 2002-04-19 2012-03-14 Infineon Technologies AG Halbleiterbauelement mit integrierter, eine mehrzahl an metallisierungsebenen aufweisender kapazitätsstruktur
DE10341564A1 (de) * 2003-09-09 2005-04-07 Infineon Technologies Ag Kondensatoranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10341564B4 (de) * 2003-09-09 2007-11-22 Infineon Technologies Ag Kondensatoranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben
US7342292B2 (en) 2003-09-09 2008-03-11 Infineon Technologies Ag Capacitor assembly having a contact electrode encircling or enclosing in rectangular shape an effective capacitor area
WO2008064653A2 (de) * 2006-12-01 2008-06-05 Epcos Ag Vielschicht-kondensator
DE102006056872A1 (de) * 2006-12-01 2008-06-12 Epcos Ag Vielschicht-Kondensator
WO2008064653A3 (de) * 2006-12-01 2008-09-25 Epcos Ag Vielschicht-kondensator

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001148325A (ja) 2001-05-29
US6344961B1 (en) 2002-02-05
DE10019839B4 (de) 2010-01-28
JP3489729B2 (ja) 2004-01-26
TW494417B (en) 2002-07-11
KR20010049257A (ko) 2001-06-15
KR100363652B1 (ko) 2002-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10019839A1 (de) Mehrschichtkondensator, Verdrahtungssubstrat, Entkopplungsschaltung und Hochfrequenzschaltung
DE10019838A1 (de) Mehrschichtkondensator, Verdrahtungssubstrat, Entkopplungsschaltung und Hochfrequenzschaltung
DE10027870B4 (de) Laminierter Kondensator und Montageanordnung
DE69403335T2 (de) TESTFüHLERVORRICHTUNG FüR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIT EINEM KONDENSATOR IM NEBENSCHLUSS
EP0517952B1 (de) Mehrpoliger Steckverbinder für elektronische Signalleitungen
DE69637165T2 (de) Mehrschichtige gedruckte Schaltungsplatte und ihre Verwendung als Kontaktgitterpackung
DE69403981T2 (de) Montagestruktur von Kondensatoren für Leiterplatten
DE10019229A1 (de) Mehrschichtkondensator
DE10019840A1 (de) Mehrschichtkondensator, Verdrahtungsplatine und Hochfrequenzschaltung
DE69129619T2 (de) Halbleitervorrichtung mit einer vielzahl von anschlussstiften
DE4027072C2 (de) Halbleiteranordnung
CH707687B1 (de) Stromsensor.
DE10015744A1 (de) Ummantelte elektrische Verbindung für eine Anschlußstruktur
DE60128414T2 (de) Integrierter Helixspuleninduktor auf Silizium und Herstellungsverfahren
DE3809237A1 (de) Entkopplungskondensator fuer schaltungspackungen mit oberflaechenmontierten kontaktstiftlosen chiptraegern, oberflaechenmontierten chiptraegern mit kontaktstiften und fuer schaltungspackungen mit kontaktstiftraster
DE10317101A1 (de) On-Chip-Rauschunterdrückungssystem und ein Verfahren, dieses herzustellen
DE102007024449A1 (de) Messplatine für Prüfgerät für elektronische Bauelemente
DE69020204T2 (de) Mehrschichtige gedruckte Leiterplatte.
DE10207957A1 (de) Verfahren für hochdichtes Entkoppeln einer Kondensatorplazierung mit geringer Anzahl von Kontaktlöchern
DE102012020477A1 (de) Gedruckte Schaltung und elektronische Vorrichtung mit der gedruckten Schaltung
DE60037297T2 (de) Methode zur Verminderung der gegenseitigen Induktanz zwischen Verbindungsdrähten einer Hochfrequenzverstärkerschaltung
DE10003073A1 (de) Ummantelte elektrische Verbindung für eine Anschlußstruktur
DE69728648T2 (de) Halbleitervorrichtung mit hochfrequenz-bipolar-transistor auf einem isolierenden substrat
DE10103337B4 (de) Leistungs-Halbleiterelement mit Diodeneinrichtungen zur Temperaturerfassung und zum Absorbieren von statischer Elektrizität sowie Leistungs-Halbleitervorrichtung mit einem derartigen Leistungs-Halbleiterelement
DE102006043032A1 (de) Eingebettete Kondensatorvorrichtung mit einer gemeinsamen Verbindungsfläche

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right