CN1680844A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种具有显示元件的显示装置，其中，显示元件将像素配置成在上下左右的像素间，电极的延伸方向不同。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及显示装置。

背景技术

在显示装置中存在亮度提高、视场角的改善、图像质量提高、成品率提高、可靠性提高、生产性提高、成本降低等各种永远需要改善的课题。而且，例如关于视场角的改善，已知有在1像素内使电极的方向为多个方向(US6,256,081)的方案，和在横方向相邻的3个像素中改变电极的方向的方案(US6,456,351)。

发明内容

如作为背景技术所描述的那样，在显示装置中存在永远需要改善的各种课题。其中，例如关于视场角，在专利文献1(US6,256,081)的构造中，发现存在在像素中央部产生无效区，亮度下降的课题。此外，在专利文献2(US6,456,351)的配置中，发现存在显示红、绿、蓝等与滤色器对应的单色时的视场角不充分的问题。

本发明的一个例子是鉴于所述事实而提出的，其优点之一在于提供一种提高白色显示和单色显示两者的视场角，并且实现了亮度提高的显示装置。

在本申请中还存在其他多个成为要解决的对象的课题和优点，这些通过本申请说明书和附图的描述将变得清楚。

如果简单说明本申请中描述的发明中的几个概要，则如下所述。

(1)在具有显示元件的显示装置中，例如显示元件的结构为在上下左右的像素间，电极的延伸方向不同。

(2)以(1)为前提，在各像素中，电极的延伸方向为一个方向。

(3)以(1)或(2)为前提，在像素中，存在相对于栅极信号线延伸方向或图像信号线延伸方向，电极的延伸方向对称的2种像素，该像素在上下左右交替配置。

(4)以(1)～(3)的任意一个为前提，所述显示元件具有由3原色构成的滤色器，该滤色器被配置成在显示装置的纵方向排列相同颜色，在横方向依次排列3原色。

(5)在具有显示元件的显示装置中，例如显示元件包含形成在同一基板上的下层的平面状的电极、和具有多个线状部或狭缝部的上层的电极，该多个线状部或狭缝部的延伸方向在上下左右的像素间不同。

(6)以(5)为前提，在各像素中，所述线状部或狭缝部的延伸方向为一个方向。

(7)以(5)或(6)为前提，在像素中，存在相对于栅极信号线延伸方向或图像信号线延伸方向，所述线状部或狭缝部的延伸方向对称的2种像素，该像素在上下左右交替配置。

(8)以(5)～(7)的任意一个为前提，所述显示元件具有由3原色构成的滤色器，该滤色器被配置成在显示装置的纵方向排列相同颜色，在横方向依次排列3原色。

这样构成的显示装置能提高白色显示和单色显示两者的视场角，并且能实现亮度的提高。

根据本申请说明书和附图的描述，由本申请所公开的显示装置的其他结构实现的其他效果变得清楚。

附图说明

图1是说明本发明的显示装置的像素组配置例的平面图。

图2A-2B是说明本发明的显示装置的像素图案例的图。

图3是本发明的显示装置的滤色器和像素组的对应例的说明图。

图4是本发明的显示装置的滤色器和像素组的对应例的说明图。

图5是说明本发明的显示装置的像素组的例子的平面图。

图6A-6B是说明本发明的显示装置的像素组的例子的平面图。

图7是说明本发明的显示装置的像素组的例子的平面图。

图8A-8B是偏振板的配置和取向方向的实施例的说明图。

图9是本发明的显示装置的像素的详细构造的一例的说明图。

图10是本发明的显示装置的像素的详细构造的一例的说明图。

图11是图9或图10的A-A’部的示意剖视图。

图12A-12B是说明电极和布线的重叠部的跨越的图。

图13是图9或图10的B-B’部的示意剖视图。

图14是图9或图10的C-C’部的示意剖视图。

图15是图9或图10的D-D’部的示意剖视图。

图16A-16B是显示区和虚设像素区的说明图。

图17是说明角部的像素配置的示意说明图。

图18A-18D是用于说明角部的像素的电极配置的说明图。

图19是虚设像素区的例子的说明图。

图20A-20B是图19的A-A’部和B-B’部的示意剖视图。

图21是虚设像素区的虚设图案配置例的说明图。

图22是虚设像素区的虚设图案配置例的平面图。

图23A-23B是说明虚设像素区的例子的剖视图。

图24A-24B是说明虚设像素区的例子的剖视图。

图25A-25B是说明虚设像素区的例子的剖视图。

图26是说明显示装置的系统概略例的图。

图27是表示显示装置的模块构造的一例的分解立体图。

图28A-28E从正面和上下左右的各侧面观察具有上框架的状态下的显示装置的模块的图。

图29是从背面观察显示装置的模块的图。

图30A-30E是从背面、上下左右的各侧面观察取下TCON盖子、逆变器(inverter)盖子和上框架的状态下的显示装置的模块的图。

图31是正面观察取下上框架后的状态的显示装置的模块的图。

图32是取下上框架的状态下的显示装置的模块的立体图。

图33是说明上框架、中框架、下框架的装配的立体图。

图34是说明上框架、中框架、下框架的装配的立体图。

图35A-35E是更详细地说明图34的A部的装配的图。

图36A-36B是更详细地说明图34的B部的对位的图。

图37是表示中框架的零件结构的分解立体图。

图38A-38B是取下上框架的状态下的漏极电极基板附近的主视图和侧视图。

图39A-39C是取下上框架的状态下的模块的一个角部的主视图和侧视图。

图40是说明电缆的保持构造的图。

图41A-41B是说明被分割后的漏极电极基板的说明图。

图42A-42D是表示显示装置的模块的示意剖面构造的说明图。

图43A-43C是表示显示装置的盖子的固定方法的说明图。

图44A-44D是背光部的结构例的图。

图45是公共间隔块(spacer)的配置位置的说明图。

图46是说明显示装置的系统的概略例的图。

图47是表示数据集(data set)的设定值的例子的说明图。

图48是表示数据集和灰阶-亮度特性的关系例的说明图。

图49是驱动器电源和灰阶基准电源的上升时序的说明图。

图50A-50F是表示信息显示模式下的各种画面显示例的说明图。

图51A-51B是表示向信息显示模式的切换手法例的说明图。

图52是表示显示元件CEL、带载(tape carrier)TCP、印刷基板PCB的连接的说明图。

图53A-53C是关于带载TCP和印刷基板PCB的连接电阻的测定的说明图。

图54A-54B是关于带载TCP和显示元件CEL的连接电阻的测定的说明图。

图55A-55B是关于经由多个带载TCP的、带载TCP和显示元件CEL的连接电阻的测定的说明图。

图56A-56B是带有连接电阻测定图案的印刷基板PCB、带载TCP和显示元件CEL的示意连接图。

图57A-57C是带载TCP和印刷基板PCB的连接电阻的测定例的说明图。

图58A-58C是带载TCP和显示元件CEL的连接电阻的测定例的说明图。

图59是表示TCON和存储器的信号传送的系统图。

图60是模式变更的流程图。

图61是表示模式切换定时(timing)的说明图。

图62是本发明的显示装置的像素的详细构造一的例的说明图。

图63是本发明的显示装置的像素的详细构造的一例的说明图。

图64是本发明的显示装置的像素的详细构造的一例的说明图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的显示装置的实施例。

<整体概略结构>

本发明的显示装置中，作为构成要素，具有显示元件。图27表示作为显示装置的模块构造的一例的分解立体图。显示元件CEL位于上框架UFM和下框架LFM之间。上框架UFL具有开口部，显示元件CEL的显示区DR从该开口部露出，能看到该显示区DR。作为一个例子，当显示元件CEL为液晶显示元件时，在其背面配置成为透过显示元件CEL的光的光源的背光单元BL。在该背光单元BL的周围部配置有中框架MFM，显示元件CEL的周围部位于其上，从而确定了显示装置中的显示元件CEL的位置。在显示装置中有控制器TCON，生成用于在显示元件CEL上实现图像显示的各种信号。

图26是表示基于来自控制器TCON的信号，生成往显示元件CEL的显示信号的路径的系统概略图。来自显示装置外部的信号例如TV的信号、PC的信号、其他各种控制信号，作为外部输入OI，输入到控制器TCON。控制器TCON把该信号加工成用于在显示元件CEL上进行图像显示的信号。该信号根据显示元件CEL的不同而不同，例如当显示元件CEL为液晶显示装置时、为EL显示装置时、为FED显示装置时等，分别按照显示装置，加工成需要的信号。作为一个例子，当显示装置CEL为液晶显示装置时，从控制器TCON向图像信号线驱动电路DD提供图像信号线驱动电路用信号DS，向栅极信号线驱动电路GD提供栅极信号线驱动电路用信号GS。从电源电路PS向图像信号线驱动电路DD提供包含电路自身的驱动电压和多个灰阶基准电压的图像信号线驱动电路用各种电压Vd，向栅极信号线驱动电路GD提供栅极信号线驱动电路自身的驱动电压和成为栅极电压的基准等的栅极信号线驱动电路用各种电压Vg。此外，作为显示元件CEL的公共电位，提供公共信号线电压Vc。从图像信号线驱动电路DD向图像信号线DL提供图像信号，从栅极信号线驱动电路GD向栅极信号线GL提供栅极信号，通过设置在像素中的开关元件TFT，根据栅极信号线GL的控制信号，把图像信号线DL的电位提供给像素电极PX(后面描述)。通过用该像素电极PX和公共电位Vc之间的电场或电压差驱动液晶分子，而使液晶层的状态变化，实现图像显示。

<显示元件>

<<像素组的排列例>>

图1表示显示元件CEL的像素组的一个例子。图像信号线DL的图像信号通过由栅极信号线GL控制的开关元件TFT，被提供给像素电极PX。公共电位通过公共信号线CL被提供给公共电极CT。在该像素电极PX和公共电极CT之间形成电场，驱动液晶层，从而进行显示。

图1的特征在于相邻的上下左右的像素之间电极的延伸方向不同。因此，在上下左右的像素之间电极的延伸方向不同的配置本身是特征所在。图2A-2B表示实现此的像素图案划分的一例。UE是上层的上侧电极，具有多个线状的部分或狭缝。LE为下层的下侧电极，形成平面状。通过上层电极UE的例如狭缝的朝向，能够改变电极的延伸方向，控制电场的方向。

图2A是狭缝向右上方向延伸的像素图案，图2B是狭缝向右下方向延伸的像素图案。通过把这2个像素图案作为相邻的像素，在上下左右方向交替配置，能在上下左右的像素间实现电极的延伸方向不同的结构。只要在上下左右的像素间电极的延伸方向不同，像素结构可以是任意的，可以应用于例如垂直取向方式(VA方式)的显示装置中的狭缝或突起的方向的配置。

图3表示图1的像素组配置的滤色器配置的一例。作为滤色器，例如配置红(R)、绿(G)、蓝(B)的3原色，该3原色在纵方向的像素组中为相同的颜色。通过本配置，从图2可知，当以各单色单位观察时，成为在上下左右的像素间电极的延伸方向不同的结构。更优选采用电极的延伸方向相对于图像信号线DL的延伸方向或栅极信号线GL的延伸方向，在相邻的像素中成为对称的结构。据此，不仅是使用R、G、B的全部来进行显示的白色显示时，在只使用R、G、B中的任意一个进行显示的原色显示时，也实现了视场角的改善。这意味着在组合多个颜色实现的白色以外的颜色的显示时，也能实现视场角的改善效果。

根据图4说明本结构的视场角的改善的效果。这是扩展了图3的配置后的结果。(A)、(B)例如分别对应于图2A的像素、图2B的像素，即，表示是电极的延伸方向不同的像素。图中的RGB表示与R、G、B中的哪个颜色的显示相对应。

例如在白色显示时，使用全部像素显示。因此，除(A)的G外，(B)的像素均等地被配置。据此，(A)的像素的视场角依赖性(或者带颜色的方向依赖性)和(B)的像素的视场角依赖性抵消，能减少视场角依赖性。特别地，当(A)的像素的电极排列方向和(B)的像素的电极排列方向相对于栅极信号线GL或图像信号线DL对称时，能使抵消的效果最大化，能实现几乎消除视场角依赖性的宽阔视场角。

下面考虑红色(R)显示时的情形。在图中的R(B)的像素的上下左右相邻的R的像素一定为R(A)。此外，在R(A)的像素的上下左右相邻的R的像素一定为R(B)。即，在红的单色显示中只使用R的像素，所以可知在红色的单色显示时，同样能改善视场角。同样在蓝色B、绿色G的单色显示时，也实现视场角的改善。

在单色以外的其他颜色的显示时，因为用R、G、B的组合进行显示，所以能实现视场角的改善。即，无论何种颜色，都取得能实现宽视场角的显示装置的显著效果。

这样的宽视场角在面向大型TV的用途中特别适合。此外，面向数字广播的大型TV中，画面的纵横比大于以往的NTSC方式的4∶3(例如是16∶9)，所以在画面的中心和角部，来自观众的观察角较大，基于本发明的概念所表示的像素组排列的广视场角化非常有效。

此外，与在单一像素内设置多个电极方向时相比，一个像素内电极排列方向能够统一，所以能减少无效区和畴(domain)发生区，实现开口率的提高，实现亮度的提高和作为显示装置整体的耗电的降低。此外，由于像素内的图案被简略化，所以例如在像素内的细线状或狭缝状的电极的湿式蚀刻时的蚀刻溶液的流动统一，能减少与蚀刻相关的残渣和断线这种不良情况，实现成品率的提高。

<<偏振透过轴和初始取向方向的配置例>>

在使用上述液晶显示元件作为显示元件CEL时，为了将液晶层的光的调制最终变换为能看到的状态，在例如透射型的液晶显示元件中，在2个偏振板之间配置液晶层。液晶层例如通过由上述电极形成的电场，变更液晶的排列。在不外加电压的状态下，作为一例，进行在一个方向上排列该液晶层的液晶分子的处理。把它称作初始取向处理，通过对取向膜进行摩擦或基于偏振光紫外线的照射进行的取向处理，设定初始取向方向ORI。

图8A-8B表示具有图2A-2B所示那样的线状或狭缝状图案的像素的偏振板的偏振光透射轴和初始取向方向的关系的一例。GL表示栅极线的延伸方向，PL1、PL2表示一方和另一方偏振板的偏振光透射轴，正交地配置。当液晶分子具有正的介电常数各向异性时，初始取向方向ORI如图8A那样配置，当具有负的介电常数各向异性时，初始取向方向ORI如图8B那样配置。据此，当在像素电极PX和公共电极CT之间产生电场时，液晶分子的旋转方向能在图2A的像素和图2B的像素中成为反方向，所以与图1、图3～图7中的任意一个配置组合时，能构成不论显示的颜色如何，都具有宽阔视场角的显示元件CEL。此外，当初始取向方向大致垂直于基板的显示模式即所谓的垂直取向方式时，初始取向方向ORI成为垂直方向。这时，在外加电压时，液晶分子的倾斜方向具有不同的多个方向。可是这时，为了实现高对比度和宽的视场角，优选采用两个偏振板正交的配置。

<<像素组的公共电压的提供例>>

在对像素组提供公共电压时，如图1的1例所示，通过公共信号线CL，例如能对横方向延伸的像素组公共地提供。可是，从图1可知，各公共信号线CL彼此分开。通过使公共电位更稳定化，显示图像质量稳定。此外公共信号线CL的线宽度的减少也成为可能，能进一步提高开口率。

图5是用桥布线BR电连接在上下方向相邻的像素的各公共电极CT的例子。各像素的公共电极CT连接在公共信号线CL上，所以公共电位从上下左右以矩阵状提供给各像素，实现公共电位的大幅度的稳定化。

图6A是使桥布线BR为多个像素单位的例子，在图中，是3像素中为1个对应的例子。基于桥布线BR的公共电位稳定化的效果与没有桥时相比，具有能消除相邻行间的亮度不均匀的特征，通过电连接相邻平行延伸的公共信号线CL之间，来实现该特征。由于连接距离短，且频率多，所以不需要公共信号线CL那样的低电阻。因此，桥布线BR在多个像素单位的配置中也能实现效果。

通过这样采用多个像素单位，产生没有桥布线BR的像素，在该像素中，与有桥布线BR的像素相比，栅极信号线GL上的空间宽。因此，作为配置支撑显示元件CEL的两个基板间的距离的支柱SOC等的像素，优选如图6B那样的。

图7是配置桥布线BR的像素在纵方向不成为直线状的例子。桥布线BR与图像信号线DL相邻配置，所以在桥布线BR和图像信号线DL之间产生寄生电容。当在全部像素中均等地存在桥布线BR时，该寄生电容的产生也均等，所以不对图像质量产生影响。可是，如果只在特定的纵方向延伸的像素组中存在桥布线BR，则只有该像素组产生寄生电容，在图像信号线DL的寄生电容中产生差。虽然能设计成不影响到图像质量的水平，但是当然希望从原理上解决该问题。因此，通过如图7那样配置，使寄生电容的产生扩散，解决对图像质量的影响。

<<像素的详细例>>

图9表示适合于显示元件CEL的像素的详细构造的一例。下面按顺序说明本像素包含的多个特征。

说明图9所示的TFT部的特征。图像信号线DL与开关元件TFT的漏极电极D连接。该漏极电极D形成包围源极电极S的周围的半圆状。而且，有使端部位于漏极电极D的更外侧，作为半圆状而形成的半导体层a-Si。通过栅极信号线GL控制该半导体层a-Si的导通/截止，来控制漏极电极D和源极电极S之间的导通/截止。通过使漏极电极D为包围源极电极S的半圆状，而使沟道宽度增大，谋求TFT的写入特性的改善。此外，通过使源极电极S的顶端部为半圆状，既避免沟道长度的不均匀，又避免电场集中所引起的可靠性恶化。

图像信号线DL通过与漏极电极D一体形成的连接构件而连接。这时，连接构件在与图像信号线DL的连接部变粗，在与漏极电极D的连接部变细。而且，在连接部附近的栅极信号线GL上开孔，在连接部附近，与栅极信号线GL不重叠。据此，谋求防止连接部的断线和交叉电容的降低，由此谋求图像信号线DL的寄生电容的降低。此外，连接构件具有角度地跨在栅极信号线GL上，即以非直角跨在栅极信号线GL上，所以能减少断线的可能性。

<<<像素电极连接部>>>

图9所示的像素中的开关元件TFT的源极电极S在跨过栅极信号线GL地延伸后，向与栅极信号线GL平行的方向弯曲延伸，接着向栅极信号线GL方向弯曲，形成连接区。栅极信号线GL在该连接区部凹陷，换言之，线宽度变细，确保连接区。通过形成在该连接区中的通孔TH1，源极电极S和像素电极PX电连接。陷入栅极信号线GL侧地配置连接区的理由是为了确保开口率。此外，布线的电阻在该布线的最细部分成为支配性的。在图9的结构中，栅极信号线GL在与图像信号线DL的交叉部有孔，分为线宽较细的2个部分，其再度合流，变为粗的布线。向该两个部分的分支能够在栅极信号线GL和图像信号线DL发生短路时，断开相应的分支部，修复短路。由于栅极信号线GL在该部分已成为比总线宽窄的线宽，所以作为栅极信号线GL的电阻，该宽度成为支配性的。因此，通过陷入栅极信号线GL侧地形成与像素电极PX的连接部，能实现开口率的提高，并且能使它引起的栅极信号线GL的实质电阻值增大得很小。此外，栅极信号线GL在TFT的形成部比与图像信号线DL的交叉部以及与像素电极PX的连接部附近粗。由此，能确保TFT的沟道宽度较大，能以高成品率实现高质量的显示装置。

<<<公共信号线和公共电极>>>

在图9所示的像素中，公共信号线CL与栅极信号线GL平行延伸。该公共信号线CL例如由与栅极信号线GL同层的金属材料形成。公共信号线CL与公共电极CT连接。这时，例如在作为反射型的显示装置的用途时，公共电极CT能用与公共信号线CL相同的材料一体形成。可是，如图9所示，在公共电极CT为平板状的结构中，作为透射显示，使用显示元件CEL时，公共电极CT必须是透明电极。因此，公共电极CT和公共信号线CL的电连接变为不同层彼此连接。因为是不同的层，所以在连接时，发生一个层跨越另一层，会产生在该跨越部的断线。

因此，避免该断线在确保成品率上是重要的。

图12A-12B表示公共信号线CL比公共电极CT更上层，公共信号线CL直接跨越公共电极CT时的例子。在图12B的结构中，在公共信号线CL跨越公共电极CT时，在公共电极CT的两侧产生跨越部OH。从图可知，该跨越部OH是与公共信号线CL相同宽度的非常细的结构。而且，如果在任意一方的跨越部OH中产生断线，则公共电极CT变为线缺陷。因此，是对于成品率影响较大的构造。

图12A表示改善后的构造。配置成公共电极CT的端部或端边收敛在公共信号线CL的宽度内。换言之，公共电极CT被配置成端部位于公共信号线CL的宽度方向的中部。据此，能确保公共信号线CL与公共电极CT不重叠地延伸的区域，所以能使完全断线的可能性非常低。由于能使公共电极CT的端边在公共信号线CL上的延伸长度较长，所以即使在一部分产生断线，也能用其他部分从公共信号线CL向公共电极CT提供公共电位。因此，能实现有宽裕性的高可靠性的连接，能以高成品率实现高质量的显示装置。

<<<上下的像素的公共电位的连接>>>

通过电连接相邻的上下像素间的公共电位，公共电位稳定化。在图9中，通过桥布线BR进行电连接。

在图9中，公共信号线CL在其一部分具有突出部或宽度较宽部。它成为上下像素中的公共电位连接部CC，从公共信号线CL提供公共电位CL。在该公共电位连接部CC上，通过通孔TH2连接桥布线BR。桥布线BR在栅极信号线GL上至少通过栅极绝缘膜GI分开，横跨栅极信号线GL地向相邻的其他像素延伸。在上下方向相邻的其他像素中，另外地形成有岛状的公共电位连接部CC。该公共电位连接部CC例如以与公共信号线CL相同的金属形成，与公共电极CT的至少一部分重叠地形成。桥布线BR通过通孔TH2与该另外的岛状的公共电位连接部CC连接。据此，使在上下方向相邻的公共电位彼此之间电连接。

在该另外的岛状的公共电位连接部CC在该部分形成公共信号线CL的构造中，可以成为一体。可是，通过利用桥布线BR提供矩阵状的公共电位，对于公共信号线CL的布线电阻的要求降低，所以通过使公共信号线CL仅为像素的一端侧，实现该部分开口率的增大。

此外，即使桥布线BR不通过公共电位连接部CC而直接与公共电极CT连接，关于电连接，也能实现矩阵供电化。可是，如果考虑成品率和图像质量，则优选通过公共电位连接部CC连接。

即因为通过通孔进行连接，所以在通孔附近，液晶层的厚度不同，由于无法充分进行取向处理等理由，成为产生光泄漏的区域，图像质量容易下降。因此，通过用遮光性一般的金属材料形成公共电位连接部CC，实现通孔部的遮光。当然，在公共电极CT为金属材料的反射型构造等时，能用公共电极CT兼任公共电位连接部CC。

此外，通过把桥布线BR连接在通孔上，来形成公共电位连接部CC的连接。即通过蚀刻对桥布线BR进行构图。在正常制造时，桥布线BR和公共电极CT的材料和连接构造不影响成品率。可是，在把桥布线BR曝光进行构图时，存在把光致抗蚀剂形成与桥布线BR相同的形状，把它作为掩模进行蚀刻，除去桥布线BR周围的多余的部分的步骤。由于作为孤立的细图案而形成桥布线BR，所以成为蚀刻时的掩模的光致抗蚀剂成为非常容易被剥离掉的图案。而且，在该光致抗蚀剂被剥离掉时，蚀刻除去通孔部的桥布线BR，进而通孔部的下层的布线或电极就此暴露在蚀刻中。这时，假如通孔部的下层的布线或图案是与桥布线BR相同的材料，则通孔部下层的图案被蚀刻掉。例如当桥布线BR为ITO或SnO等透明电极，公共电位连接部CC也为相同的材料时，公共电位连接部CC的透明电极在水平方向显著地被蚀刻，在像素内的图像显示区中产生缺损。即使公共信号线CL也是相同的材料，也可能导致公共信号线CL的断线。这成为成品率下降的原因。因此，通过设置用与桥布线BR不同的材料形成的公共电位连接部CC，即使桥布线BR的形成步骤中产生不良，也能避免像素的显示不良。如果只是桥布线BR的缺损，在多个像素中如果有一个左右的连接，则桥连接的效果依然能维持，能产生基于桥布线BR的图像质量提高的效果。

而且，通过配置为用公共电位连接部CC的下层接触公共电极CT，即使公共电极CT和桥布线BR为同种材料，也以较宽的范围提供作为其他材料的公共电位连接部CC的蚀刻时的保护区，所以能在根本上解决对成品率的担心。

此外，桥布线BR横跨栅极信号线GL，所以与栅极信号线GL形成寄生电容。为了减少该寄生电容，桥布线BR优选使用离栅极信号线GL最远的导电层。

总而言之，优选桥布线BR由保护膜PAS上的ITO、SnO、ITZO、IZO、或ZnO等透明电极形成，公共电位连接部CC由与公共信号线CL相同的金属材料形成。

此外，在图9的例子中，公共电极CT是平面状的电极，由ITO、SnO、ITZO、IZO、或ZnO等透明电极形成。因此，如上所述，优选从公共电位连接部CC的下层与公共电位连接部CC连接。须指出的是，当公共电极CT和桥布线BR都是透明电极时，从制造步骤中的成膜装置和蚀刻装置公共化的观点出发，优选为相同的透明电极材料例如ITO。

此外，在图9的结构中，像素电极PX位于公共电极CT上，具有多个细线状部或狭缝状的部分。当作为透射显示用的元件使用时，该像素电极PX也希望是相同的透明电极材料。如果与桥布线BR同层形成，则能避免层构造的增加，所以能避免步骤数的增加。

在图9中，像素电极PX的一端配置为与公共电位连接部CC重叠。在公共电位连接部CC中，公共电位所施加的桥布线BR与像素电极PX同层，对于用像素电极PX的电位和公共电位之间的电场进行显示的显示装置，成为特异点。由于电场的方向与本来意想的方向不同，所以成为图像质量下降的原因。因此，通过把该区域与遮光性的公共电位连接部CC重叠，来排除该影响。并且因此，公共电位连接部CC的端边的形状和像素电极PX的端边的形状在与公共电位连接部CC重叠的区域中变为类似的形状。

这时，公共电位连接部CC成为像素电极PX一侧的角部被切去的形状。这是为了排除不必要的遮光区，谋求开口率的提高。这时，如图9所示，像素电极PX和公共电位连接部CC在彼此不平行的3个边重叠，在各边上像素电极PX和公共电位连接部CC、也就是遮光层具有平行延伸的形状。

须指出的是，桥布线BR的连接部附近也以同样的形状形成，由此谋求必要的遮光区的最小化。

在该区域中，平行观察像素电极PX和桥布线BR的距离，比平行观察桥布线BR和公共电极CT的距离要长。避免像素电极PX和桥布线BR为同层引起的短路，并且充分确保公共电极CT和公共电位连接部CC的接触面积。

<<<像素组的排列>>>

图9的像素电极PX成为多个狭缝在一个方向延伸的形状，其方向在相邻的上下左右像素中不同。据此，无论颜色的种类如何，都实现视场角的扩大。须指出的是，该像素组的排列是关于视场角扩大的效果的，在一个像素内具有多个方向时，或在全部像素中为相同方向时，也能产生基于本申请的其他描述的结构的其他效果。

此外，滤色器CF作为一例，如图3所示，在相邻的上下方向相同、在相邻的左右方向顺次排列R、G、B的滤色器CF。这时，优选形成滤色器CF间的隔板和用于提高不需要区域的遮光所引起的对比度提高的作为遮光层的BM。图10表示对于图9的图案，形成黑矩阵BM时的一例。原则上形成为，在像素电极PX的形成区域内能露出黑矩阵BM的端部。可是，在公共电位连接部CC的部分中，该公共电位连接部CC作为遮光层起作用，所以能在超出像素电极PX的区域设置边界。

<<<截面构造>>>

依次说明图9或图10的像素的主要部分的截面构造。

图11是图9或图10的A-A’部的截面构造。在第一基板SUB1上，公共电极CT形成在最下层。作为一例，由透明电极例如ITO形成。栅极信号线GL和公共信号线CL由金属形成。栅极信号线GL在公共电极CT的形成区域间延伸。形成公共信号线CL，使得其一部分跨在公共电极CT上，通过在对公共电极CT提供公共电位，并不完全跨过地配置，成为避免公共信号线CL的断线的构造。覆盖公共电极CT、公共信号线CL、栅极信号线GL地形成栅极绝缘膜GI。在栅极绝缘膜上配置从开关元件TFT的源极电极S延伸的金属层S，形成与像素电极PX的连接部。为了该目的，A-A’截面中的栅极信号线GL变为线宽较细的结构。在源极电极S上形成保护膜PAS。像素电极PX例如由与公共电极CT相同的透明电极例如ITO形成，配置在保护膜PAS上。用形成在该保护膜上的通孔TH1连接像素电极PX和源极电极S，通过开关元件TFT从图像信号线DL提供的图像信号被提供给像素电极PX。在像素电极PX上形成取向膜AL，根据需要进行初始取向处理。在基板SUB1的背面形成有第一偏振板PL1。

与第一基板SUB1相对地配置有第二基板SUB2。在第二基板SUB2上形成有遮挡不需要的光泄漏的黑矩阵BM。把黑矩阵BM和端部重叠，形成滤色器CF。虽然两个滤色器CF分开地进行图示，但是在A-A’截面方向中，滤色器CF的颜色相同，所以可以成为一体。覆盖滤色器CF和黑矩阵BM地形成有外涂层OC。在外涂层OC上形成有取向膜AL。在第二基板SUB2的背面侧形成有第二偏振板PL2。此外，在基板SUB2和偏振板PL2之间，根据需要，可以形成ITO那样的导电层。这是因为有屏蔽泄漏电场，减少EMI的效果。此外，也能避免不需要的静电对液晶层的显示产生影响。

在基板SUB1和基板SUB2之间形成有液晶层LC。通过对像素电极PX和公共电极CT之间提供电压差，形成电场，通过该电场，从初始取向方向改变该液晶层LC的液晶分子的方向，由此控制所观察到的显示图像。

基于基板SUB1和基板SUB2的取向膜AL的初始取向方向ORI在基板SUB1和基板SUB2中平行，与偏振板PL1、PL2的偏振光透射轴所成的关系例如变为对图8说明的关系。据此，在不外加电压时，实现在黑电压外加的同时，亮度增大的所谓常黑特性。

图13是图9或者图10的B-B’部的截面构造。在保护膜PAS上，与像素电极PX同层地形成有透明电极，例如形成有利用ITO的桥布线BR。桥布线BR将上下相邻的像素的公共电极CT彼此间电连接。相当于图9或图10的下方的像素的像素，相当于图13的左侧的像素区。该区域中的公共电位连接部CC从公共电极CT的上方与公共电极CT重叠，并电连接。该公共电位连接部CC由与栅极信号线GL相同的金属层形成。公共电位连接部CC用通孔TH2连接桥布线BR。这时，桥布线BR和公共电极CT不直接连接，通过经由金属材料的公共电位连接部CC，实现所述的成品率的提高。桥布线BR隔着栅极绝缘膜GI和保护膜PAS横跨栅极信号线GL。通过极力分开这样横跨的布线，抑制寄生电容。横跨栅极信号线GL的桥布线BR通过通孔TH3与其它的公共电位连接部CC连接。该公共电位连接部CC与公共信号线CL一体形成。而且，通过使公共电极CT为下层进行连接，实现像素间的电连接。

图14是图9或图10的C-C’部的截面构造。本图特别涉及开关元件TFT部的构造的说明。在该区域中，开关元件TFT的遮光是必要的，所以在基板SUB2的全部区域形成作为遮光层的黑矩阵BM。基板SUB1上的栅极信号线GL为了对应于上述修复而具有孔部，在图14中分开配置着。图像信号线DL在该孔部延伸，但是为了减少栅极信号线GL在孔部的前后跨越时的图像信号线DL的断线的可能性，在图像信号线DL之下形成半导体层a-Si。连接部从图像信号线DL向栅极信号线GL延伸，连接到开关元件TFT的漏极电极D上。源极S由漏极电极D从两侧夹着，在这两个漏极电极D之间形成半导体层a-Si，形成开关元件TFT的沟道区。须指出的是，通常在半导体层的上表面形成高浓度掺杂层n+，该高浓度层在漏极电极D、源极S和a-Si层之间残存，通过在漏极电极D和源极S之间的沟道区中除去，来提高TFT的特性，但是在图中省略记载。

图15是图9或图10的D-D’部的截面构造。在横方向相邻的像素间配置黑矩阵BM，遮断不需要的光泄漏。滤色器CF在横方向相邻的像素彼此间是不同颜色的，所以成为不同的颜色。在各像素中，公共电极CT形成平板状，在用于透射显示的元件中，例如以ITO那样的透明电极形成。在反射用途时，使用金属层。像素电极PX形成在保护膜PAS上，在用于透射显示的元件中，例如以ITO那样的透明电极形成。该像素电极PX直接形成在取向膜下，所以在反射用途的显示元件CEL时，从提高可靠性的观点出发，希望为透明电极。

像素电极PX具有多个线状部分，其间成为在像素电极PX之间露出公共电极CT的区域。据此，形成来自像素电极PX的电场在公共电极CT结束的路线，通过该电场驱动液晶层LC的液晶分子，由此实现图像的显示。为了透射显示，用透明电极形成像素电极PX和公共电极CT两者时，显示区的大致全部区域变为透明，所以实现光透射率的高亮度的显示装置。

此外，由于能用像素电极PX那样的上层的电极的线状部或狭缝部的方向来控制电极的方向，所以在正交配置栅极信号线GL和图像信号线DL时，对开口率几乎不产生影响，能自由设定电极的方向。

<<像素的详细例的其他例子>>

在图9中，表示显示元件CEL优选的像素的详细构造的一例。能用其他各种平面结构的像素享受这时的<<<TFT部>>>中说明的结构和效果、<<<像素电极连接部>>>中说明的结构和效果、<<<公共信号线和公共电极>>>中说明的结构和效果、<<<上下的像素的公共电位的连接>>>中说明的结构和效果。

图62是相当于图9的图，表示像素的平面结构。与图9的最大不同点是像素电极PX的狭缝的配置在各像素中变为共同。在图62中，像素电极PX的狭缝的方向在像素的上方的区域和下方的区域中不同，在上方的区域中，狭缝往像素的一侧面朝向下方，在下方的区域中，狭缝往像素的相同一侧面朝向上方，也就是说配置在向着中央收敛的方向。据此，成为在1像素内进行视场角的修正的结构。

与图9不同，在图62中，在1像素内存在狭缝的朝向不同的区域、即上方的区域和下方的区域，所以在成为其边界的中央区域中，像素的使用效率下降。因此，开口率产生若干的下降。可是，在PC用监视器和有时显示因特网的画面那样的显示装置中，有时无论对于怎样的图像，总实现视场角的修正的图62的结构会比较适合。

把图9的亮度最大化，按照其用途，可选择任意一个适合于TV那样的自然画面的显示的结构，根据情况，有时图62的结构比较适合。这时，在PC用监视器或因特网的图像中，由于在像素间的信息中没有自然画面那样的连续性，所以像素间的公共电位的稳定化的重要性比图9的结构时进一步增大。这时，像素电极PX的狭缝的方向在像素的上方区域和下方的区域中为不同的结构，通过设置桥布线BR，连接相邻的上下像素间的公共电极CT，从而能实现公共电位的稳定化，能实现稳定的图像显示。

此外，在像素电极PX的狭缝方向在像素的上方区域和下方区域中不同的结构中，设置桥布线时，根据怎样设置桥布线，对开口率的影响不同。在图62中，为了提高开口率，在狭缝的收敛侧的边上设置桥布线。而且，在狭缝的收敛侧的边的上下端部分别对应设置公共电位连接部CC。据此，与在狭缝发散的一侧的边上设置时相比，实现开口率的提高。

此外，在图62的结构中，作为一例，在像素电极PX的中央的区域中，设置像素电极PX至少反复有3次宽度的扩大和缩小的图案。据此，作为难以观看像素电极PX的上方的区域和下方的区域的边界的结构，能提高像素的一体感。此外，在该像素电极PX的中央的区域中，像素电极PX至少反复有3次宽度的扩大和缩小的图案，适合于避免像素电极PX的电位急剧变动。该结构在要求显示的过渡特性的显示图像和显示方式，例如定期对画面写入黑图像的情形特别有效。

图63是与图10对应的图，是表示在图62中设置了遮光层BM的状态下的像素的平面构造的一例的图。

图64是图62和像素的中央部的结构有若干不同的例子。

在图64中，像素电极PX的狭缝配置成在像素中央的区域中，向上的狭缝和向下的狭缝交互咬合。在图64中该结构同时具有所述像素电极PX宽度的扩大和缩小至少反复3次的图案。通过采用像素电极PX的狭缝在像素的中央区域中向上的狭缝和向下的狭缝交互咬合的结构，能提高中央区域中的像素的利用效率，能提高亮度。

<<虚设像素区>>

<<<角部的像素配置>>>

如图16A所示，在显示元件CEL的显示区DR的周围配置了虚设像素区DMY。它用于在显示区的最外围的像素和这之外的像素中尽力接近寄生电容等的条件。

这时，虚设像素区DMY如图16B所示，可划分为多个区域。是显示区DR的上方的虚设像素区D(D)、下方的L(D)、左方的D(G)、右方的D(LG)。通过使这些虚设像素与像素内相同地进行图案的反复，而能够与条件一致。此外，若要对于任何显示，都使影响中立，可采用只露出公共电位的构造。因为在显示中使用的像素中，也在黑显示时对像素电极PX和公共电极CT两者施加公共电位。

这时，在并列在横方向上的显示区DR的最外围的像素群、例如在图16B的D(LD)排列的最外围的像素群中，在相邻的像素彼此之间，来自D(LD)的影响的程度几乎相等。此外在纵方向排列的显示区DR的最外围的像素群、例如在图16B的D(G)中排列的最外围的像素群中，在相邻的像素彼此之间，来自D(G)的影响的程度几乎相等。可是，在D(LD)和D(G)交叉的位置的角部的虚设像素C1，对于与C1最相邻的有效显示区DR的角部的像素，特异地产生影响。而且，在如该角部的像素那样，在特别的地方特异地产生的亮度变动，会有成为产品共同的整体不良的危险，所以有必要排除该可能性。

因此，在本申请中，将角部的像素的电极方向配置成难于受到最相邻的角部的虚设像素影响。

图17表示示意说明图。示意地表示分别与虚设像素区DMY的4个角部的虚设像素C1、C2、C3、C4最相邻的有效显示区DR内的角部的像素的电极配置。本配置的特征在于：显示区内的角部的各像素成为难以受到来自角部的虚设像素的影响的电极配置。

用图18A-18D更容易理解地进行说明。图18A表示考虑显示区DR的中心，虚设像素C1、C2、C3、C4分别位于显示区DR的角部。这时，考虑在有效显示区的像素群中存在与图2A、图2B分别对应的图18B、图18C所示的两个电极方向的像素群的情形。这时，在图18D中，考虑由虚线表示的图18A中的连接C1和C2的线段，即从C1或C2的虚设像素向着有效显示区的电场的假想方向，以及图18B、图18C的电极形状的电场所引起的影响的接受方。在图18B的狭缝方向时，虚线和狭缝所成锐角的角度θ1比图18C的狭缝方向时的角度θ2小。图18B的狭缝方向时，狭缝的开口部被配置成接近虚设像素，所以成为容易受到来自虚设像素的电场的影响的配置。相反，在图18C的狭缝方向下，成为难以受到影响的配置。因此，与C1、C3对应的角部的像素，作为电极图案，优选图18C的情形。相反，在C2和C4的附近的像素中，优选图18B的像素。

现在如图18B、18C所示，在下层的下方电极LE为平面状，上层的上方电极UE为狭缝状的情况下，进行了说明，但是当在一方的基板上只有上方电极UE时，在有狭缝时，在垂直取向方式下，也可以说是一样的。

虽然根据角部的虚设像素的电压和形状，有时有可能关系颠倒，但是这时返回图17，作为优选的结构，

(1)具有线状电极或狭缝，在该线状电极或狭缝的方向相对的角部的像素彼此间，至少在角部附近必须相同。更优选的是，在(1)的基础上，

(2)具有线状电极或狭缝，在同一边的像素的最远离的像素彼此间，该线状电极或狭缝的方向至少在角部附近不同。

如果从该目的定义，则有效显示区的各角部的像素的电极排列可以是成为抑制来自角部的虚设像素的影响的配置。

如果在与图18A-18D中的说明对应的情况下定义，

(3)在具有线状电极或狭缝的方向不同的2种像素时，也可以说，配置这样的像素，即，角部的像素的线状电极或狭缝的方向，相对于连接显示区的角部和中央的线，比较线状电极或狭缝的方向所成锐角的交叉角，该锐角的交叉角以更大的角度交叉。

<<<利用虚设像素区的公共电位的供电>>>

图19是说明利用角部附近的虚设像素区的公共电位的供电的图，成为图16A-16B或图17的C1附近的区域。

在最下边的显示区的像素之下配置虚设栅极线DMYG，配置为与其他像素条件接近。在其下方，相当于虚设像素区图16A-16B或图17的D(LD)的虚设像素区延伸。参照图19的A-A’线部的截面构造的图20(a)，说明虚设像素区D(LD)的构造。

在与公共信号线CL同层中，供给公共电位的虚设公共信号线DMYC宽度较宽地延伸。据此，成为低电阻的公共电位供电用的总线。在该虚设公共信号线DMYC上形成栅极绝缘膜GI，图像信号线DL在该栅极绝缘膜GI上延伸。覆盖该图像信号线DL地形成有保护膜PAS。在该保护膜PAS和栅极绝缘膜GI上，在图像信号线DL之间的区域中形成有PAS孔HL。覆盖该PAS孔HL地、用透明电极与桥布线BR一体地形成上层屏蔽电极US。据此，在虚设区域的各像素中，基准电位出现在最上层，从而使电位稳定化。此外，从作为低电阻的总线工作的虚设公共电位线DMYC通过桥布线BR对纵方向的各像素供给公共电位，由此谋求公共电位的供电电阻的减少。

在图19的左侧连接虚设公共电位线DMYC和虚设栅极信号线DMYG，避免虚设栅极信号线DMYG的电位变动。

沿着图16A-16B或图17的D(G)的虚设像素区在左端的纵方向的最外围像素群的外侧延伸。在各虚设像素中，公共信号线CL的端部形成宽度较宽部。此外，相邻地存在公共电位连接金属线CMC，其端部同样宽度较宽。这些宽度较宽部相互邻接，通过上层屏蔽电极US电连接。用图19的B-B’线部的剖视图即图20B进行说明。在基板SUB1上，在栅极绝缘膜GI的下层形成公共信号线CL端部的宽度较宽部。在栅极绝缘膜GI上相邻地形成公共电位连接金属线CMC的宽度较宽部。在这些宽度较宽部形成绝缘膜GI的PAS孔HL，覆盖该孔部地形成上层屏蔽电极US，从而电导通公共电位连接金属线CMC和公共信号线CL。此外，上层公共连接线UC还在其他孔部与DMYC电连接，实现对DMYC的公共电位的供给。

公共电位连接金属线CMC和栅极信号线GL成为不同层。这是因为在图19的左侧，从外部向显示区，按栅极信号线GL，用公共电位连接金属线CMC供给公共电位，所以按照像素数相邻配置多个这种布线，为了避免短路和电蚀，隔着栅极绝缘膜GI，成为不同层。

在其他C2、C3、C4附近的区域中，在虚设像素部，通过PAS孔HL，连接下层的金属的虚设电极层和上层的屏蔽电极US，使公共电位露出，从而谋求虚设像素区的电位的稳定化。

<<<虚设图案>>>

虚设像素区DMY还适合于配置各种目的的虚设图案。特别适合于配置用于进行质量管理的图案。图21的特征在于：在虚设像素区DMY中配置多个测定用虚设图案TEG-A、TEG-B、TEG-C。这些虚设图案可以分散到不同的边上，可以集中在一个边上，或分别形成在多条边上。关键是配置在与像素最相邻的虚设像素区中。

以虚设图案为测定栅极绝缘膜GI、半导体层a-Si、保护膜PAS等的膜厚的图案时的情形进行说明。

通过CVD形成绝缘膜和半导体层。因此，由周围的图案形成的膜厚受到影响。用虚设图案测定膜厚的目的是知道显示区内的膜厚，例如把它反馈给制造步骤的成膜条件。因此，配置在远离显示区的地方，即便取得不同的膜厚信息，也没有任何意义。因此，重要的是配置在与像素最相邻的虚设像素区中。

图22是在图19的虚设像素区中配置了一个测定用虚设图案TEG的例子。当配置多个测定用虚设图案TEG时，在最相邻的虚设像素区的其他虚设像素中，按与以下的说明同样的思想配置即可。

在配置测定用虚设图案TEG的虚设像素中，减少保护膜PAS的PAS孔HL的大小地构成。并且在由这样取得的保护膜PAS覆盖的区域中配置测定用虚设图案TEG。

使用图22的A-A’线部的截面构造，针对各种测定用虚设图案TEG的例子，说明关于各种膜厚测定的测定用虚设图案TEG的构造及其使用方法。

图23A-23B是图22的A-A’线部的截面构造，图23A表示完成时，图23B表示测定时。该测定用虚设图案TEG-A以栅极绝缘膜GI的膜厚的测定为目的。形成栅极绝缘膜GI，并在形成保护膜PAS之前的阶段，如图23B所示那样，以使用光Light的光学手法检测栅极绝缘膜GI的膜厚。公共信号线CL是金属层，所以反射光，通过使用偏振光椭圆计，能从光学角度知道作为透明膜的栅极绝缘膜GI的膜厚。在完成状态的图23A中，可知测定用虚设图案TEG-A的区域为保护膜PAS的孔较小的虚设像素。

图24A-24B是图22的A-A’线部的截面构造，图24A表示完成时，图24B表示测定时。该测定用虚设图案TEG-B以栅极绝缘膜GI和半导体层a-Si的合计膜厚的测定为目的。形成栅极绝缘膜GI，形成半导体层a-Si，并在形成保护膜PAS之前的阶段，如图24B所示，以使用光Light的光学手法检测栅极绝缘膜GI和半导体层a-Si的合计膜厚。如果用图23A-23B的手法测定栅极绝缘膜GI单独的膜厚，则通过减法，也能知道半导体层a-Si单独的膜厚。在完成状态的图24A中可知，测定用虚设图案TEG-B的区域为孤立的a-Si图案残存的虚设像素。

图25A-25B是图22的A-A’线部的截面构造，图25A表示完成时，图25B表示测定时。该测定用虚设图案TEG-C以保护膜PAS的膜厚的测定为目的。在栅极绝缘膜GI上形成基于图像信号线DL的虚设图像图案DDL。在其上形成保护膜PAS。如果以与图像信号线DL同层的金属形成虚设图像图案DDL，则如图25B那样，能用偏振光椭圆计光学地测定保护膜PAS的膜厚。

另外，通过如图25A那样形成基于透明电极的上层屏蔽电极US后进行测定，通过减去由图25B判定的保护膜PAS的膜厚，就能知道透明电极的膜厚。

在完成状态的图25A中可知，测定用虚设图案TEG-C的区域为与孤立的图像信号线DL同层的图案残存的虚设像素。

<模块构造>

进一步详细说明图27所示的模块构造的例子。

<<概略>>

图28A是在有上框架UFM的状态下，从正面观察显示装置的图。上框架UFM由金属材料形成。上框架UFM和下框架LFM的连接部ULC例如形成在各边。此外，能观察到定位部PDP的孔。

图28B、图28C、图28D、图28E分别表示与图28A的下侧面、上侧面、左侧面、右侧面对应的图。上框架UFM弯曲，形成到各边的侧面。

在图28B和图28C中不能观察到上下框架连接部ULC，但是在图28D和图28E中能观察到一部分。这是为了缩小显示装置的显示区外的外形尺寸。据此，上下框架连接部ULC的外侧的上框架强度，在比上框架的长边短的边上减弱，但是在短边，框架本身距离短，所以能抑制对整体的刚性的影响，据此，能同时实现外形尺寸的缩小和强度的维持。

此外，为了维持连接的强度，以比在短边更多的数量在长边形成上下框架连接部ULC。

图29是从背面观察显示装置的图。与从上框架观察时的上下框架连接部ULC对应，在下框架LFM上也存在上下框架连接部ULC。在图中左侧存在逆变器盖子(高电压侧)INCH，在其下配置有逆变器基板(高电压侧)。通过该逆变器盖子(高电压侧)INCH，屏蔽来自逆变器的泄漏电场。在图的上方有控制器(基板)、TCON的盖子(TCON盖子)TCV。在图中右侧有逆变器盖子(低电压侧)INCL，在其下配置逆变器基板(低电压侧)。通过该逆变器盖子(低电压侧)INCL，屏蔽来自低电压侧的逆变器基板的泄漏电场。

逆变器盖子(高电压侧)INCH和TCON盖子TCV为了屏蔽，都由金属形成，形成多个用于散热的孔。该孔的结构为在TCON盖子TCV比逆变器盖子(高电压侧)INCH小。因为泄漏的电场的频率中，从控制器基板泄漏的电场的频率比从逆变器基板泄漏的电场频率要高，所以通过在TCON盖子TCV中减小孔，防止来自孔的泄漏电场的漏出，并谋求散热。另一方面，来自逆变器基板的频率相对较低，但是因为对光源CFL供给电流，所以变为发热大的。因此，通过形成比TCON盖子TCV大的孔，谋求同时实现散热和泄漏电场的屏蔽。而且，通过改变这些孔的尺寸，分散金属的屏蔽板的共振频率，在各种使用条件时，防止共振音的发生。

图30A-30E是表示取下逆变器盖子(高电压侧)INCH、逆变器盖子(低电压侧)INCL、TCON盖子TCV的各盖子的状态的图，图30A是从背面侧观察的图。

在图中左侧存在逆变器基板(高电压侧)INPH。在逆变器基板(高电压侧)INPH上配置有多个逆变器变压器。而且，高电压侧的输出通过连接器提供给光源。

在图中右侧存在逆变器基板(低电压侧)INPL。在该逆变器基板(低电压一侧)INPL的连接器上配置有光源的低电压侧的端部。逆变器基板(低电压侧)INPL被分割为2个，作为逆变器基板(低电压侧)INPL1、逆变器基板(低电压侧)INPL2配置。

逆变器基板(低电压侧)INPL和逆变器基板(高电压侧)INPH通过逆变器基板连接电缆INCC连接。据此，光源的低电压侧由连接器通过逆变器基板(高电压侧)INPH上的部线，连接在与逆变器基板连接电缆INCC的连接器上，逆变器基板连接电缆INCC用连接器与逆变器基板(高电压侧)INPH连接，由此，可进行低电压侧的供电。

在下框架LFM上形成有用于连接逆变器基板的逆变器基板公共连接部CCFI。该逆变器基板公共连接部CCFI在下框架LFM的左右对称地形成。即，当左右相反配置逆变器基板(高电压侧)INPH和逆变器基板(低电压侧)INPL时，也能在同一显示装置中相适应。这是由于来自逆变器基板的发热比较多，所以在液晶TV等装置(set)内，通过调整与其它发热部件的配置关系，谋求发热的均匀化，避免局部的高热化。

因为逆变器基板(低电压侧)INPL能比逆变器基板(高电压侧)INPH小，所以逆变器基板公共连接部CCFI在任意一侧部形成剩余的部分。在逆变器基板(高电压侧)INPH中，逆变器基板公共连接部CCFI使用位于基板的两侧的部分固定在下框架LFM上。在逆变器基板(低电压侧)INPL中，逆变器基板公共连接部CCFI使用位于基板的单侧的部分固定在下框架LFM上。为此，逆变器基板(低电压侧)INPL为逆变器基板(高电压侧)INPH的宽度的1/2以下，优选为1/3以下。这是因为用只在基板单侧的固定来确保固定的强度。

在图中上方配置有控制器基板。在该控制器基板上配置有控制器TCON。来自控制器TCON的输出通过连接器CN1，由接合器(joiner)(A)JNA、接合器(B)JNB等提供给显示元件CEL。

图30B、30C、30D、30E分别表示与图30A的下侧面、上侧面、左侧面、右侧面对应的图。在图30C中表示在显示装置的侧面配置对显示元件CEL的图像信号驱动电路供给信号的印刷基板PCB。该漏极基板DPCB和控制器TCON通过用连接器CN2连接接合器(A)JNA和接合器(B)JNB，而供给各种信号和电压。漏极基板DPCB由漏极基板DPCB1和漏极基板DPCB2的两个构成。这将在后面描述。

图30D、图30E表示排列多个来自逆变器基板的电缆的样子。

图31表示取下图28A的上框架UFM后的状态。配置中框架MFM，在其上配置显示元件CEL。在显示元件CEL的上方例如通过带载TCP形成图像信号驱动电路，它与漏极基板DPCB1、2中的任意一个连接。在显示元件CEL的左侧形成有栅极基板GPCB。该栅极基板GPCB由带载TCP连接在显示元件CEL上。

图32是以图31的左上角部为中心的立体图。来自漏极基板DPCB的信号被施加在DTCP上，图像信号被施加在显示元件CEL上。来自栅极基板GPCB的信号被施加在栅极基板GPCB上，栅极信号被施加在显示元件CEL上。漏极基板DPCB和栅极基板GPCB由接合器JNC连接。据此，与从控制器TCON直接连接栅极基板GPCB时相比，能缩短接合器JNC的距离，成为抗噪声的结构。

<<上下框架的固定>>

下面说明上下框架连接部ULC和定位部PDP。图33是表示上框架UFM、中框架MFM、下框架LCM的分解状态的立体图。在上下框架连接部ULC中，上框架UFM在下方具有突出部，下框架LCM在上方具有突出部，在中框架MFM形成有孔部。在定位部PDP，中框架MFM在上框架或下框架具有突出部，在突出侧的框架上形成有孔部。进一步详细说明。在显示装置的装配状态下，分别根据图35A-35E、图36A-36B说明成为图34的A线部的上下框架连接部ULC、成为B线部的定位部PDP。

图35A是上下框架连接部ULC的平面概略图。MH是中框架的孔部，SC是固定用螺丝。

图35B是图35A的B-B’线的剖视图。在上下框架连接部ULC，上框架UFM向下方突出，下框架LFM向上方突出。在中框架MFM上形成有孔MH，在该孔部，上框架UFM和下框架LFM直接接触。据此，上下框架对于螺丝SC能具有大面积地接触。通过螺丝SC直接固定该上框架UFM和下框架LFM，由此实现牢固的固定。此外，上框架UFM和下框架LFM在螺丝SC周围以宽的面积直接接触，由此连接变得更牢固。

图35C是图35A的C-C’线部的剖视图，表示上框架UFM向下方突出，下框架LFM向上方突出。图35D是图35A的D-D’线部的剖视图，是上框架UFM和下框架LFM分开的区域。图35E是图35A的E-E’线部的剖视图，表示在中框架MFM上配置上框架UFM，在中框架MFM之下配置下框架LFM。

图36A-36B是关于定位部PDP的说明图。图36A表示平面透视图，图36B表示图36A的B-B’线部的剖视图。在中框架MFM上一体地形成有上方突出部UP。通过上方突出部UP和形成在上框架UFM上的孔UH，实现上框架UFM相对于中框架MFM的对位。此外中框架MFM一体地形有成下方突出部LP。通过该下方突出部LP和形成在下框架LFM上的孔LH，实现下框架LFM相对于中框架MFM的对位。

如图36A所示，上框架的孔UH和下框架的孔LH形成在平面上不同的位置。上框架UFM和下框架LFM由上下框架连接部ULC牢固连接，所以通过错开上框架的孔UH和下框架的孔LH的位置，设置连接时的退路。此外，也具有在上框架UFM和下框架LFM分散共振点，防止共振音的发生的效果。

<<中框架>>

中框架MFM由树脂制的构件构成。而且如图37所示，分割为右侧的中框架MFMR、左侧的中框架MFML、上方的中框架MFMT、下方的中框架MFMB的四个构件。这四个构件彼此独立。而且，各构件单独地与下框架LFM固定。中框架MFM彼此不进行直接的固定。

在大型的模块中，难以高精度地制造树脂构件。此外，即使在初始状态下是理想的形状，由于温度变化引起的膨胀收缩，变为从想要的形状偏离的形状。该偏离作用于显示元件CEL，成为使显示元件CEL的显示质量下降的原因。此外由于应力的原因，成为使模块的对振动特性恶化的原因。

因此，把树脂制的中框架MFM分割为4个，并且不直接固定它们，使一个构件周围的尺寸较小，精度高，能减小热引起的膨胀和收缩的影响。此外，各中框架MFM从中框架MFM侧直接用螺丝固定在金属制的下框架LFM上。下框架LFM是金属，所以能以高精度制造，此外温度变化引起的形状变化也小。因此能以高精度维持中框架MFM的位置。用所述上下框架连接部ULC，将上框架UFM在中框架MFM的孔部直接从上框架UFM侧用螺丝固定在下框架LFM上，中框架MFM和上框架UFM也不具有直接的牢固的固定。即中框架MFM和上框架UFM都直接固定在下框架LFM上，能使位置的基准与下框架一元化，能使模块成为高精度并且牢固的构造。本构造是非常适合于大型TV等尺寸大的显示装置的构造。

分割为4个的中框架MFM中，中框架MFMT和中框架MFMU在显示装置的长边方向一方向延伸，形成距离比较长的结构。而中框架MFML和中框架MFMR成为遍及显示装置的短边方向和长边方向两者而形成的形状，但是显示装置的长边方向部分的长度比短边方向部分的长度短。据此，中框架MFMT和中框架MFMB能确保显示元件CEL的短边方向的位置精度、即显示元件CEL的上下方向的位置精度为高精度。而且，中框架MFML和中框架MFMR能确保显示元件CEL的长边方向的位置精度、即显示元件CEL的左右方向的位置精度为高精度。通过这样按各构件明确分离实现位置精度的方向，在把树脂制的构件应用于大型的显示装置时，也能提高精度，能缩小不需要的外形尺寸。

此外，中框架MFML和中框架MFMR也有在长边方向延伸的部分。为了提高上下方向的位置精度，在该区域中，优选中框架MFML、中框架MFMR和显示元件CEL的基板端部不接触。因此，优选这两个中框架的基板上下方向的与显示元件CEL端部的相同高度的水平距离，比中框架MFMT和中框架MFMB与显示元件CEL端部的相同高度的水平距离长。

相邻的中框架MFM如图33所示，具有彼此错开的突起部。在安装状态下，从上方观察中框架MFM的图是图38A。中框架MFMR和中框架MFMT水平方向的突出部相互咬合。据此，容易进行中框架MFM的安装。而且在该装配部附近，中框架MFMR和中框架MFMT分别单独地由螺丝SC直接固定在下框架LFM。据此，实现各中框架端部的精度的提高。各中框架在其他多个地方，也通过螺丝SC直接从中框架一侧固定在下框架LFM上，由此使连接牢固，并使上下框架连接部ULC的螺丝连接同样统一到来自上方的螺紧，从而提高模块安装时的作业性。同样的形状在图39A的中框架MFMB和中框架MFMR装配部也能看到。

中框架MFM只在必要的部分使树脂厚度加厚，在此外的部分，减小厚度。据此，实现轻量化。通过使用金属模具的树脂的射出成形，可按照需要自由地设定形状。

<<向漏极基板的信号传送>>

图38B是观察图38A的下侧面的图。配置有漏极基板DPCB1。来自漏极基板DPCB1的信号被提供给带载TCP上的驱动电路(驱动器元件)DRV，生成图像信号。该图像信号从带载TCP的输出端子提供给显示元件CEL的图像信号端子。当然可以把驱动电路直接安装在显示元件CEL上，或用TFT把驱动电路直接形成在显示元件CEL上。

漏极基板DPCB1由螺丝SC固定在下框架LFM上。同时通过该固定，电连接漏极基板DPCB1的GND和下框架LFM时，能实现稳定的GND电位。

在漏极基板DPCB1上从控制器基板连接2个接合器。接合器(A)JNA不再是宽度粗的，而是层数少、例如导电层为1层的接合器，JNB不再是宽度窄的，而是层数多、例如导电层为2层的接合器。接合器(A)JNA适合于供给灰阶电源和图像信号驱动电路的电源。而JNB通过增加导电层，而能够进行高频信号的传送，适合于传送时钟或显示数据等各种信号。通过这样用信号电压和电源电压划分接合器，能应用最适合于各自的接合器，同时实现高性能和低成本。此外能避免信号和电源的干涉，能谋求信号传送的噪声的降低和电源的稳定化。

图41A表示漏极基板DPCB1和漏极基板DPCB2的关系。两个漏极基板相互独立，单独地固定在下框架LFM上。由于漏极基板DPCB由印刷基板构成，所以在大型显示装置中，印刷基板自身的精度和变形作为对显示元件CEL的应力，成为图像质量上的问题的原因，另外，在带载TCP上作用应力，成为断线的原因等可靠性上的问题。通过把漏极基板DPCB分割为多个，与用大的一个基板形成时相比，能减少这种可能性。在图41A所示的构造中，两个漏极基板DPCB分别通过螺丝SC直接固定在下框架LFM上。据此，漏极基板DPCB维持为高精度。

接合器(A)JNA、接合器(B)JNB形成在漏极基板DPCB1和漏极基板DPCB两者上。这里，两者的接合器(A)JNA配置在两者的接合器(B)JNB的内侧。这是因为通过使包含时钟等高频信号的JNB的各漏极基板DPCB上的延伸距离在两个漏极基板上一致，使信号的波形钝化和噪声的影响相同，使定时控制容易。

图41B是表示向下框架LFM固定前的显示元件CEL的状态的图。漏极基板DPCB因为传送的电压的种类多，且信号复杂，所以比栅极基板GPCB宽度宽。因此，从显示区外的外形尺寸缩小的观点出发，与漏极基板DPCB如图41A那样弯曲配置在侧面或背面的情况不同，栅极基板GPCB能够不弯曲地就此配置在显示元件CEL的一端部。须指出的是，与漏极基板DPCB弯曲到背面相比，优选弯曲到侧面，固定在下框架LFM上。因为在安装状态下，用配置在漏极基板DPCB的更外侧的金属制的上框架UFM能屏蔽来自漏极基板的泄漏电场。

<<逆变器电缆>>

图39B是从图39A的下方观察的侧视图。在逆变器基板(高电压侧)设置有逆变器(变压器)INV。从连接器CNI通过电缆把高电压侧的输出提供给光源。

图39C是从图39A的右侧观察的侧视图。来自逆变器的输出通过电缆CABLE提供给光源。这时，按照光源数配置多个电缆CABLE，所以通过简单并且可靠地进行该固定，有助于生产性的提高。此外，如果该电缆没被固定，则在各电缆中寄生电容不同，所以成为各光源的亮度不均匀的主要原因，并且成为电缆自身断线的原因。

在图39C中，电缆CABLE固定在专用的保持部上。图40表示该保持部。该保持部与侧(side)模SM(后面描述)一体形成，由树脂形成。来自连接器CN的电缆CABLE配置在由侧模SM的侧面和保持构件HOLD夹着的区域中，限制图40中的前后方向的移动。而且，沿着形成在保持构件的上方的圆弧状的R部配置，从该R部向下方再返回后连接到光源上。通过该构造，也限制在图的上下方向的移动。

通过这样把电缆简单地嵌入简单的位置中，实现固定。

<<模块整体的截面构造>>

图42B是模块的图42A的B-B’线部的剖视图。在显示元件CEL上隔着间隔块SP2配置上框架UFM。该间隔块SP2例如是由橡胶那样的具有弹性的构件形成。上框架UFM在显示元件CEL的周围延伸，然后弯曲到侧面。在图的左侧配置有图像信号线驱动电路DD。在显示元件CEL的基板SUB1的端子上连接带载TCP，该带载TCP连接在漏极基板DPCB上。在漏极基板DPCB上的连接器CN1上连接接合器FPC，它与控制器TCON(基板)的连接器CN2连接，从而供给电源电压和各种信号。在显示元件CEL的下方隔着间隔块SP1配置有中框架MFM。在该中框架之下配置下框架LFM。下框架LFM在显示元件CEL之下的区域中大致为平板，它在显示元件CEL的周围部向上立起，再度变为水平，构成与中框架MFM的接触面。然后再度向下方弯曲，形成漏极基板DPCB的固定部，并且确保模块整体的刚性。

在显示元件CEL和下框架LFM之间配置有光源CFL。在该光源CFL和下框架LFM之间配置有反射来自光源的光的反射板RS。该反射板RS例如可适用白色的塑料板。该反射板RS在周围部斜向弯曲，朝向上方，然后变为水平，由与板RS层叠的散射板DFP压着。散射板DFP例如是白色的所料板，把来自光源的光散射，把有光源的区域和没有的区域中的亮度差均匀化。在该散射板DFP和显示元件CEL之间，根据需要，再配置棱镜板那样的聚光板、散射板等。

图42C是图42A的C-C’线部的剖视图，是与图42B相同的边的截面，说明错开的位置的部分。与图42B的不同在于：在中框架MFM之下的下框架LFM的一部分形成有孔，反射板RS的端部进入那里。据此，能非常简略并且可靠地进行反射板的定位。

图42D是图42A的D-D’线部的剖视图。在本方向，必需要引出来自光源CFL的多个电缆。因此，配置树脂制的侧模SM。该侧模SM分别从上方用螺丝SC固定在下框架LFM上。这里，彻底贯彻下框架LFM为基准的原则，实现高精度。这里，通过用下框架LFM和侧模SM夹着反射板RS的端部，在侧模SM向下框架LFM的固定时，同时实现反射板RS的固定。在图中左侧表示了用显示元件CEL和带载TCP连接的栅极基板GPCB。

图43A-43C是表示进行控制器基板TCON的屏蔽的TCON盖子TCV与下框架LFM的固定的图。图43A是固定前，是TCB的端部向下框架LFM一侧弯曲的构造。把它按在图43B所示的框架LFM上，在该状态下，用螺丝SC固定下框架LFM和TCON盖子TCV。据此，不仅是螺丝，TCON盖子TCV和下框架LFM以TCON盖子TCV的宽阔面积接触、导通，能提高基于TCON盖子TCV的来自控制器TCON(基板)的泄漏电场的屏蔽效果。在取下TCON盖子TCV和下框架LFM的螺丝SC，分离TCON盖子TCV时，也能判别在TCON盖子TCV的端部是否存在向下框架弯曲的边。

同样的结构也能应用于逆变器盖子，有助于提高屏蔽的效果。

<光源>

图44A表示光源中具有多个荧光管时的荧光管的配置例。当这样配置多个荧光管时，实现该荧光管的亮度的均匀性是重要的。由于对荧光管施加高频高电压，所以根据该荧光管和金属的下框架LFM之间的距离，寄生电容不同，对荧光管的发光强度产生影响。因此，尽可能维持荧光管和下框架之间距离的均匀是重要的。

图44B是以该图的纵穿多个荧光管地配置公共间隔块CSP的例子。例如用橡胶形成，从而形状能自由加工，此外设置作业也变得容易。此外，由于在多个光源中用同一构件统一配置，所以能使与下框架之间的距离容易地大于等于按公共间隔块CSP的厚度设定的值。须指出的是，与下框架的距离越远离，距离的不同引起的影响的程度急剧下降，所以重要的是不过分接近下框架。

通过用橡胶或海绵那样的弹性构件形成该公共间隔块CSP，在施加振动和冲击时，也能具有防止光源的破损的效果。

图44D是在公共间隔块CSP和光源之间配置了反射板RS的情形。据此，能改善公共间隔块CSP引起的光源CFL延伸方向上的亮度均匀性。

公共间隔块CSP能设置在任意的位置，但是当光源中存在高电压侧和低电压侧时，优选至少配置在高电压侧。这是因为，高电压侧的光源和下框架LFM之间的距离的变动与低电压侧相比，对亮度的影响大。图44C、D是在来自逆变器INV的输出中存在高电压侧和低电压侧，从高电压侧用电缆CABLE(HV)与光源CFL连接，从低电压侧用CABLD(LV)连接时，至少在高电压侧配置了公共间隔块CSP的例子。

图45是表示实际的模块中的公共间隔块CSP的配置位置例的从背面看的透视图。是接近高电压侧，在全部光源中配置了公共的统一的公共间隔块CSP的例子。

<系统>

<<γ特性的可变化>>

图46是用于使表示灰阶和亮度的关系的γ特性可变的系统结构例。

来自显示装置的外部的信号、例如TV的信号、PC的信号、其他各种控制信号作为外部输入OI输入到控制器TCON中。控制器TCON把该信号加工成用于在显示元件CEL中进行图像显示的信号。该信号根据显示元件CEL而不同，例如当显示元件CEL为液晶显示装置时、为EL显示装置时、为FED显示装置时，分别按照显示装置加工为需要的信号。显示装置CEL例如为液晶显示装置时，从控制器TCON向图像信号线驱动电路DD供给图像信号线驱动电路用信号DS，向栅极信号线驱动电路GD供给栅极信号线驱动电路用信号GS。从电源电路PS向图像信号线驱动电路DD供给包含电路自身的驱动电压和多个灰阶基准电压的图像信号线驱动电路用各种电压Vd，向栅极信号线驱动电路GD供给包含栅极信号线驱动电路自身的驱动电压和成为栅极电压的基准等的栅极信号线驱动电路用各种电压Vg。此外，作为显示元件CEL的公共电位，供给公共信号线电压Vc。从图像信号线驱动电路DD向图像信号线DL供给图像信号，从栅极信号线驱动电路GD向栅极信号线GL供给栅极信号，通过设置在像素中的开关元件TFT，按照栅极信号线GL的控制信号，把图像信号线DL的电位提供给像素电极PX。通过用该像素电极PX和公共电位Vc之间的电场或电压差来驱动液晶分子，使液晶层的状态变化，实现图像的显示。

在图46的结构中，与图26的结构的不同点在于，在图26中，灰阶基准电压Vref也由电源电路生成，与此不同，在图46中，根据来自控制器TCON的信号，由D/A转换器D/A生成。因此，能够通过来自控制器TCON的信号使Vref可变。由于图像信号线驱动电路DD根据Vref生成各灰阶的电压，所以通过改变Vref，γ特性成为可变。

在图46的系统例中，配置有能对控制器TCON供给信息的存储器MEM。该存储器MEM例如能保持与多个γ特性对应的数据。表1是把与3种γ特性对应的数据作为数据集A、B、C存储在存储器MEM中的例子。根据图47、48说明能通过这样的多个γ数据来变更实际的亮度-灰阶特性的情况。

表1

No.	数据集
		1	A
2	B
		3	C

在图47中，是假设作为灰阶基准电压Vref，有4种电压时的例子。与数据集A、B、C对应地，分别把电压值记录在存储器MEM中。控制器TCON在这些数据集中选择一个所使用的数据集，通过D/A转换器D/A，与该数据集对应地生成实际的灰阶基准电压Vref。因此，图48所示的灰阶-亮度特性具有与每个数据集的灰阶基准电压数据对应的曲线。即，实现γ特性的可变。

在把来自D/A转换器D/A的灰阶基准电压Vref提供给图像信号线驱动电路DD时，优选按图49所示的时序使灰阶基准电压上升。横轴是时间，纵轴是电压。在时间t1，图像信号线驱动电路的电源电压Vd先上升，在它达到定值状态前，从t3开始，从D/A转换器D/A进行灰阶基准电压Vref的供给。然后在t2，当Vdv达到定值状态后，在t4，使灰阶基准电压Vref成为定值状态。在用D/A转换器D/A生成灰阶基准电压Vref时，成为对图像信号线驱动电路DD施加各种灰阶基准电压。这时，是为了防止图像信号线驱动电路DD的破坏和耐压恶化。

<<产品信息的显示>>

在使γ特性可变等能进行各种设定的显示装置中，重要的是采用能确认是实际进行了怎样的设定的显示装置的手段。因此，使其能显示设定信息。具体而言，具有显示元件CEL，从而实现直接在显示元件CEL上显示信息。图51A-51B表示简便地切换该信息显示模式和通常的显示模式的方法的一例。在控制器TCON(基板)上，用第一管脚把来自控制器TCON的输出引出。然后相邻地准备与GND电位连接的第二管脚。如图51A所示，在这2个管脚开放的状态下，TCON进行通常的显示。而如图51B所示，当用短路条把这2个管脚短路时，控制器TCON能识别信息显示模式的请求，能把动作切换到信息显示模式。

图50A-50F表示各种信息显示画面的例子。图50A是显示按通常的文字信息存储的数据的例子。图50B是显示版本信息和客户方信息的例子。图50A、B直接用文字显示，但是如果考虑到行中的步骤管理，则与文字相比，显示为图案时，基于机械的自动识别的管理变得容易。因此，图50C是显示条形码图案的例子。同样也可以象图50D那样，显示二维条形码。

此外在显示的信息的种类可以较少时，可以如图50E所示那样，单纯地改变条的个数来进行显示。这对于机械、人双方都易于判别。当想再增加信息量时，如图50F所示，除了增加条的个数，还可以增加R、G、B的颜色信息。能显示的信息量增加到条数×使用的颜色数，并且具有对于人来说，判别变得更容易的优点。

<<显示频率的切换>>

在显示装置中存在想按照显示的图像信息的种类，改变图像显示的频率的希望。例如是以静止画面为中心的显示时和以动图像为中心的显示时。图59表示实现频率切换的结构例。除了由外部输入OI输入的通常信号以外，还输入模式变更信号。控制器TCON把所输入的信号中的图像信号暂时存储在存储器MEM中。然后，与按照由模式信号指定的工作模式而设定的频率对应地，从存储器MEM读出图像信号，将信号输出到图像信号线驱动电路DD。

在该结构中成为问题的是从显示装置的外部输入模式变更信号这一点。例如位于TV中的图像处理器判断图像的内容，通过模式变更信号对显示装置指示工作模式。这时，外部的处理装置在判断为需要的时刻，模式变更信号被输入到显示装置。可是，如果按照该模式变更信号立刻切换画面的显示频率，则从画面的途中改变写入频率，存在一瞬间产生亮度不均匀，或存储器中的数据的过量或不足，显示瞬间紊乱的问题。

图60是用于消除该问题的流程图。控制器TCON收到模式变更信号后，控制器TCON就研究频率不同的多个显示模式的切换定时。这时如果定时同步，就执行模式的变更，如果定时偏差，则直到同步，再进行模式的变更。

图61是表示来自外部的图像数据和频率不同的模式1、模式2的定时关系的图。

从外部作为OI，输入图像数据，以帧单位按照1、2、3的顺序表示它。按照图中向右，意味着时间经过。该数据暂时存储在存储器中，从该存储器按顺序被读出，显示。假设模式1为频率高的模式。从存储器读出的数据依次显示为1、2、3、4。而且，因为频率高，所以追上来自外部的图像信息的输入。这时，使用该帧在画面上写入黑画面等，从而能使液晶显示装置那样的保持型的显示装置实现接近脉冲型显示装置的显示，能使动图像的显示看起来高速。模式2是用与输入信息相同的频率显示画面的模式，按照来自外部的图像信息，依次显示1、2、3。

从图61可知，在模式1和模式2中，定时同步是限定于图中记载为切换定时的定时。在这之外的定时，显示图像不可避免地产生一瞬间的紊乱。因此，在图60所示的流程图等中，必须在同步的定时进行显示模式的切换，由此，观看图像的使用者在模式的变更时，能实现没有图像紊乱的状态。

<连接部的电阻测定>

图52表示在显示元件CEL中，印刷基板PCB的信号传送给显示元件CEL的路径。印刷基板PCB上的信号布线SL3用连接部ACF2与带载TCP的信号布线SL2电连接。信号布线SL2和显示元件CEL上的信号布线SL1通过连接部ACF1电连接。据此，信号从印刷基板PCB传送到显示元件CEL。这时，希望能在实际的产品中测定连接部ACF的连接电阻。因为对于制造步骤中的质量管理是有用的。特别地，当连接部是各向异性导电膜时，连接电阻容易变化，所以管理的必要性增大。因此，考虑以可靠的精度测定该连接电阻的方法、以及使其成为可能的中线图案。

图53A是作为后面的说明的基础的示意图。显示元件CEL和带载TCP的连接部的连接电阻是R(TC)，带载TCP和印刷基板PCB的连接部的连接电阻是R(TP)。图53B是用于使R(TP)的测定在产品阶段成为可能的配置。在显示元件CEL中配置公共电位布线总线CSL。这意味着在2处，分别连接带载TCP和显示元件CEL。设置分别连接在该公共电位布线总线CSL上并形成R(TC)的2条连接。其中1条中，在带载TCP上，布线分支，R(TP)变为3个。这意味着在3处，分别连接带载TCP和印刷基板PCB。然后，在带载TCP上分支了的布线在印刷基板PCB上进一步分支。在该阶段，布线变为4条，分别对应的测定端子为A1～A4，在印刷基板PCB上形成测定端子。这里如图53C所示，通过对A1和A3之间供给恒定电流，测定A2和A4间的电压差，能按照电压/电流容易地算出R(TP)。该测定概念本身作为4端子法，作为高精度的电阻测定方法，广为人知。具有以下特征：通过在带载TCP和印刷基板PCB上设置分支的布线配置，能在实际的显示装置中进行测定。

图54A-54B是用于使R(TC)的测定成为可能的结构。如图54A所示，3条线与公共电位布线连接，其中1条在TCO上分支，构成B1和A1～A3的端子。这里如图54B所示，对B1和A2端子供给恒定电流，通过测定A1和A3之间的电压，还是按照电压/电流，能计算出R(TC)。

图55A-55B是图54的结构的变形例。用经由其他带载TCP的路线形成连接在B1端子上的布线，如图55B所示，能用与图54A相同的测定来计算R(TC)。

图56A-56B表示与R(TC)和R(TP)两者的测定对应，适合于实际的应用的配置。显示元件CEL上的公共电位布线总线CSL兼做公共电位VC的供给用总线。各带载TC在中央部配置驱动器元件DRV，在该驱动器上，从印刷基板PCB接收输入信号INPUT，生成显示元件CEL的显示中使用的信号，通过信号布线SIG提供给显示区。各带载TCP在驱动器元件DRV的外侧配置不经由驱动器元件DRV的公共电位的供给线。该供给线与显示元件CEL上的公共电位布线总线CSL连接，此外与形成在印刷基板PCB上的公共总线CB连接。据此，如果对公共总线CB供给公共电位VC，就对显示元件CEL的公共电位布线总线供给公共电位。该公共电位的供给线在印刷基板PCB上设置测定端子。此外，设置与公共电位布线总线CSL连接、在带载TCP上延伸、并连接在印刷基板PCB上的测定用布线，在印刷基板PCB上设置测定端子L3。该测定用布线在带载TCP上和印刷基板PCB上依次分支，增加条数，分别在印刷基板PCB上设置测定端子。据此，形成L1～L4的测定端子。通过驱动器元件DRV，在相反一侧例如对称地设置R1～R4的端子。当如图56A那样在相邻的带载TCP间的区域中形成公共电位布线总线时，在相邻的带载TCP彼此间，完成R1～R4和L1～L4的测定用端子组。

这时，除公共电位的供给线外，不与VC连接。

图56B是使公共电位的供给线为多条，进行公共电位的供电时，谋求供电电阻的低电阻化的例子。

图57A-57C表示使用图56A的排列的结构，测定R(TP)的方法。图57A是从恒流源供给电流，测定电压时的测定例。图57B是对公共总线供给电压，在R3上连接电流计，把电流计一端接地的例子。对公共总线供给的电压如果不是接地电位，就测定电流，所以能计算R(TP)。用该方法，使VC为通常的公共电位，能就此测定，所以具有不必准备恒流源的优点。此外，具有能在显示元件CEL的动作中进行测定的优点。图57C是代替图57(a)的恒流源，组合使用电流计和电压源的例子。

图58A-58C是测定R(TC)时的结构例。图58A是使用恒流源的例子，在R1和L3之间连接恒流源，测定R2和L2间的电压，能计算出R(TC)。图58B是供给公共电位VC时的例子，在L3上连接电流计，电流计的输出接地。电压计连接在R2和L2之间。图58C是代替图58A的恒流源，组合使用电流计和电压源的例子。

<本说明书中公开的各种发明的例子>

下面记载本说明书中公开的各种发明的例子。

<<A：TFT>>

(A-1)一种显示装置，具有栅极信号线上的半导体层，和形成在半导体层上的漏极电极和源极，该漏极电极与图像信号线由连接构件在连接部连接，其特征在于：栅极信号线在所述连接部附近有孔，该连接构件，在与图像信号线的连接部比与漏极电极的连接部粗。

(A-2)显示装置的特征在于：在(A-1)中，漏极电极形成为包围源极周围的半圆状。

(A-3)显示装置的特征在于：在(A-1)中，连接构件具有角度跨过栅极信号线上。

<<B：像素电极连接部>>

(B-1)一种显示装置，具有栅极信号线上的半导体层，和形成在半导体层上的漏极电极和源极，该漏极电极与图像信号线连接，该源极电极在连接区与像素电极连接，其特征在于：所述源极电极一度越过栅极信号线延伸后，向与栅极信号线平行的方向弯曲延伸，接着向栅极信号线方向弯曲，形成连接区。

(B-2)显示装置的特征在于：在(B-1)中，所述栅极信号线在所述连接区部凹陷。

(B-3)显示装置的特征在于：在(B-1)中，所述栅极信号线在所述连接区部线宽度变细。

(B-4)显示装置的特征在于：在(B-1)～(B-3)中，所述栅极信号线在与图像信号线的交叉部具有孔，分为线宽细的2个部分地形成，其再次合流，变为粗的布线。

(B-5)一种显示装置，具有栅极信号线上的半导体层，和形成在半导体层上的漏极电极和源极电极，构成TFT，该漏极电极与图像信号线连接，该源极电极在连接区与像素电极连接，其特征在于：栅极信号线，在TFT的形成部比与图像信号线的交叉部和连接区附近粗。

<<C：公共信号线和公共电极>>

(C-1)一种显示装置，具有公共信号线，和与该公共信号线不同层的公共电极，公共信号线与公共电极直接连接，其特征在于：配置成公共信号线在公共电极上层，公共电极的端部或端边收敛在公共信号线的宽度内。

(C-2)一种显示装置，具有公共信号线，和与该公共信号线不同层的公共电极，公共信号线与公共电极直接连接，其特征在于：配置成公共信号线在公共电极上层，公共电极的端部位于公共信号线的宽度方向的中途。

<<D：上下的像素的公共电位的连接>>

(D-1)显示装置的特征在于：各像素具有公共电极，在横向排列的像素组中具有公共地延伸的公共信号线，该公共信号线至少一部分与公共电极直接重叠地形成，且配置在像素的上下的任意一方一侧，在像素的上下的任意另一方一侧配置与公共电极连接的岛状的连接部，通过越过栅极信号地线延伸的桥布线，连接所述公共信号线和所述连接部。

(D-2)显示装置的特征在于：各像素具有公共电极，在横向排列的像素组中具有公共地延伸的公共信号线，具有越过栅极信号线地连接纵向相邻的像素的桥布线，所述桥布线通过公共信号线连接在所述公共电极上，所述公共电极和桥布线是透明电极，所述公共信号线是金属。

(D-3)显示装置的特征在于：在(D-1)中，所述公共电极和桥布线是透明电极，所述公共信号线和岛状的连接部是金属。

(D-4)显示装置的特征在于：在(D-2)或(D-3)中，所述公共电极与所述公共信号线在下层接触。

(D-5)显示装置的特征在于：在(D-2)到(D-4)中，所述公共电极在下层与所述岛状的连接部接触。

(D-6)显示装置的特征在于：在(D-1)到(D-5)中，在公共电极的上层配置具有多个细线状部或狭缝状的部分的像素电极，像素电极和桥布线是同层。

(D-7)显示装置的特征在于：在(D-1)到(D-5)中，在公共电极的上层配置具有多个细线状部或狭缝状的部分的像素电极，像素电极和桥布线是相同的材料。

(D-8)显示装置的特征在于：在(D-7)中，公共电极也是与桥布线相同的材料。

(D-9)显示装置的特征在于：在(D-1)到(D-8)中，桥布线和公共电极的连接部或岛状的连接部，成为切去像素电极侧的角部的形状。

(D-10)显示装置的特征在于：在(D-1)到(D-8)中，像素电极和公共电极的连接部或岛状的连接部在相互不平行的3个边上重叠。

<<E：像素的其他例子>>

(E-1)显示装置的特征在于：各像素包含平板状的公共电极，和与该公共电极重叠并且具有多个细线状部分或狭缝的像素电极，像素电极的细线状的部分或狭缝的方向在各像素的上方的区域和下方的区域中不同，在上方的区域中，狭缝向着像素的一侧面朝向下方，在下方的区域中，狭缝向着像素的相同的一侧面朝向上方，也就是说配置为向着中央收敛，在左右方向相邻的像素中具有公共的公共信号线，所述公共电极连接在该公共信号线上，具有电连接在上下方向相邻的像素的公共电极的桥布线。

(E-2)显示装置的特征在于：在(E-1)中，在狭缝收敛一侧的边上设置桥布线。

(E-3)显示装置的特征在于：在(E-2)中，与狭缝收敛一侧的边的上下端部分别对应地设置公共电位连接部。

(E-4)显示装置的特征在于：各像素包含平板状的公共电极、与该公共电极重叠并且具有多个细线状部分或狭缝的像素电极，像素电极的细线状的部分或狭缝的方向在各像素的上方的区域和下方的区域中不同，在上方的区域中，狭缝向着像素的一侧面朝向下方，在下方的区域中，狭缝向着像素的相同的一侧面朝向上方，也就是说配置为向着中央收敛，在像素电极的中央的区域中，像素电极具有宽度的扩大和缩小至少反复3次的图案。

(E-5)显示装置的特征在于：在(E-4)中，定期进行黑显示。

(E-6)显示装置的特征在于：各像素包含平板状的公共电极，和与该公共电极重叠并且具有多个细线状部分或狭缝的像素电极，像素电极的细线状的部分或狭缝的方向在各像素的上方的区域和下方的区域中不同，在上方的区域中，狭缝向着像素的一侧面朝向下方，在下方的区域中，狭缝向着像素的相同的一侧面朝向上方，在像素的中央区域中，配置为向上的狭缝和向下的狭缝相互咬合。

<<F：虚设像素区>>

(F-1)显示装置的特征在于：具有显示区内的多个像素、配置在该显示区的外围的虚设区域，成为显示区的角部的各像素难以受到来自角部的虚设像素的电场的影响的电极配置。

(F-2)显示装置的特征在于：具有显示区内的多个像素、配置在该显示区的外围的虚设区域，基板的最上层的电极具有线状电极或狭缝，关于该线状电极或狭缝的方向，相对于画面的中央，在相对的角部的像素彼此间，至少在角部附近相同。

(F-3)显示装置的特征在于：在(F-2)中，关于线状电极或狭缝的方向在同一边的像素的最远离的像素彼此间，至少在角部附近不同。

(F-4)显示装置的特征在于：具有显示区内的多个像素，和配置在该显示区的外围的虚设区域，基板的最上层的电极具有线状电极或狭缝，具有该线状电极或狭缝的方向不同的2种像素，配置这样的像素，即，角部的像素的线状电极或狭缝的方向，相对于连接显示区的角部和中央的线，比较线状电极或狭缝的方向所成的锐角的交叉角，该锐角的交叉角以更大的角度交叉。

<<G：虚设图案>>

(G-1)显示装置的特征在于：具有显示区内的多个像素、配置在该显示区的外围的虚设区域，在与显示区最相邻的虚设区中配置膜厚测定用的虚设像素。

(G-2)显示装置的特征在于：在(G-1)中，在膜厚测定用虚设像素中，与相邻的其他虚设像素相比，形成在保护膜上的孔的数量较多。

(G-3)显示装置的特征在于：在(G-2)中，虚设图案有层结构不同的多种。

<<H：模块结合构造>>

(H-1)显示装置的特征在于：具有上框架、中框架和下框架，上框架和中框架分别单独地结合于下框架。

(H-2)显示装置的特征在于：在显示装置的长边侧，从侧面观察不到上框架和下框架的结合部。

<<I：逆变器>>

(I-1)显示装置的特征在于：具有固定在金属框架上的逆变器基板、覆盖该倒相基板的金属制的逆变器盖子、固定在所述金属框架上的控制器基板、覆盖该控制器基板的金属制的控制器盖子，在所述逆变器盖子和控制器盖子上形成有多个孔，孔的尺寸是逆变器盖子的孔的尺寸比控制器盖子的孔的尺寸大。

(I-2)显示装置的特征在于：具有固定在金属框架上的高电压侧逆变器基板和低电压侧逆变器基板，逆变器变压器配置在高电压侧，该高电压侧逆变器基板和低电压侧逆变器基板配置在金属框架的相对的端部，并且由连接构件连接。

(I-3)显示装置的特征在于：在(I-2)中，高电压侧逆变器基板比低电压侧逆变器基板尺寸大。

(I-4)显示装置的特征在于：在(I-2)或(I-3)中，与高电压侧逆变器基板相比，低电压侧逆变器基板的数量多。

(I-5)显示装置的特征在于：具有固定在金属框架上的高电压侧逆变器基板和低电压侧逆变器基板，逆变器变压器配置在高电压侧，在该金属框架上具有高电压侧逆变器基板和低电压侧逆变器基板的固定部，即使交换高电压侧逆变器基板和低电压侧逆变器基板，也能固定配置该固定部。

(I-6)显示装置的特征在于：在(I-5)中，固定部被配置为相对于高电压侧逆变器基板，位于基板的两侧，相对于低电压侧逆变器基板，位于基板的单侧。

(I-7)显示装置的特征在于：在(I-6)中，低电压侧逆变器基板的宽度为高电压侧逆变器基板的宽度的1/2以下。

(I-8)显示装置的特征在于：在(I-7)中，低电压侧逆变器基板的宽度为高电压侧逆变器基板的宽度的1/3以下。

<<J：上下框架的固定>>

(J-1)显示装置的特征在于：具有上框架、中框架和下框架，在上框架和下框架的连接部中，上框架在下方具有突出部，下框架在上方具有突出部，在中框架上形成有孔部。

(J-2)显示装置的特征在于：在(J-1)中，在所述孔部中上框架和下框架直接接触。

(J-3)显示装置的特征在于：在(J-2)中，在所述孔部中上框架和下框架由螺丝固定。

(J-4)显示装置的特征在于：具有上框架、中框架和下框架，在中框架上一体地形成有上方突出部和下方突出部，与上方突出部对应地在上框架上形成有孔，与下方突出部对应地在下框架上形成有孔，所述上方突出部和下方突出部位置错开地配置。

<<K：中框架>>

(K-1)显示装置的特征在于：具有上框架、中框架和下框架，中框架由树脂制的构件构成，被分割为右侧的构件、左侧的构件、上侧的构件、下侧的构件，这四个构件都相互独立，各构件个别与下框架固定。

(K-2)显示装置的特征在于：在(K-1)中，上框架和下框架是金属。

(K-3)显示装置的特征在于：具有上框架、中框架和下框架，中框架由树脂制的构件构成，被分割为右侧的构件、左侧的构件、上方的构件、下方的构件，这4个构件相互独立，上方的构件和下方的构件在显示装置的长边方向向一个方向延伸，右侧的构件和左侧的构件成为跨过显示装置的短边方向和长边方向两者都形成的形状，但是显示装置的长边方向的部分的长度比短边方向的部分的长度短。

(K-4)显示装置的特征在于：在(K-3)中，显示元件被配置在上框架和中框架之间。

(K-5)显示装置的特征在于：在(K-4)中，右侧的构件和左侧的构件避免与显示元件的短边方向的基板端部接触。

(K-6)显示装置的特征在于：在(K-4)中，右侧的构件和左侧的构件与显示装置的上下方向的显示元件端部相同高度时的水平距离，比上方的构件或下方的构件与显示元件端部为相同高度时的水平距离长。

(K-7)显示装置的特征在于：在(K-1)中，相邻的构件相互间水平方向的突出部装配。

(K-8)显示装置的特征在于：在(K-7)中，在该装配部，相邻的构件分别由螺丝固定在下框架上。

<<L：漏极基板>>

(L-1)一种显示装置，具有显示元件、连接在显示元件上的驱动器元件、连接在该驱动器元件上的漏极基板，其特征在于：在漏极基板上从控制器基板连接2个连接构件，一方的连接构件比另一方的连接构件宽度宽，该另一方的连接构件比一方的连接构件层数多。

(L-2)显示装置的特征在于：在(L-1)中，所述一方的连接构件供给灰阶电源和图像信号驱动电路的电源，另一方的连接构件传送时钟和显示数据。

(L-3)显示装置的特征在于：在(L-1)或(L-2)中，漏极基板被分割为两个，分别具有所述一方的连接构件和所述另一方的连接构件，配置两者的另一方的连接构件，使得位于两者的一方的连接构件的内侧。

(L-4)一种显示装置，具有金属制的上框架、树脂制的中框架、金属制的下框架，其特征在于：具有显示元件、连接在显示元件上的驱动器元件、连接在该驱动器元件上的漏极基板，该漏极基板是多个，分别由螺丝固定在所述下框架上。

(L-5)一种显示装置，具有金属制的上框架、树脂制的中框架、金属制的下框架，其特征在于：具有显示元件、连接在显示元件上的驱动器元件、连接在该驱动器元件上的漏极基板，该漏极基板向侧面弯曲，配置在下框架的弯曲的侧面部和上框架的弯曲了的侧面部之间。

<<M：逆变器电缆>>

(M-1)一种显示装置，具有逆变器、光源、连接该光源和逆变器的电缆，其特征在于：具有与固定光源的模一体地形成的保持构件，所述电缆配置在由模的侧面和保持构件夹着的区域中，由于限制前后方向的移动，此外电缆沿着形成在保持构件的上方的圆弧状的R部配置，从该R部向下方再次返回后，连接在光源上。

<<N：反射板>>

(N-1)一种显示装置，具有下框架、反射板、光源、散射板、显示元件，在下框架和光源之间配置反射板，在光源和显示元件之间配置散射板，下框架在显示元件之下的区域中大致是平板，它在显示元件的周围部向上方立起，成为水平，在该水平部设置有孔，反射板在显示元件之下的区域中变为大致水平，在周围部斜向弯曲朝向上方，然后成为水平，进而该板的端部的一部分向下弯曲，进入设置在所述下框架的水平部的孔中。

(N-2)显示装置的特征在于：在(N-1)中，通过用散射板和下框架夹着所述反射板，防止从孔部脱出。

(N-3)显示装置的特征在于：具有上框架、中框架、下框架、光源、固定光源的侧模，所述上框架、中框架、侧模分别单独地固定在所述下框架上。

<<P：光源>>

(P-1)具有光源、配置在光源的下层的金属的下框架、配置在光源的上方的显示元件，其特征在于：并列配置多个所述光源，纵穿上述多个光源中的多个地、在所述下框架和光源之间配置公共间隔块。

(P-2)显示装置的特征在于：在(P-1)中，公共间隔块是弹性构件。

(P-3)显示装置的特征在于：在(P-2)中，公共间隔块是橡胶或海绵。

(P-4)显示装置的特征在于：在(P-1)中，在公共间隔块和光源之间配置反射板。

(P-5)显示装置的特征在于：在(P-1)中，光源是荧光管，具有与逆变器的高电压侧连接的一侧和与低电压侧连接的一侧，所述公共间隔块配置在高电压侧。

(P-6)显示装置的特征在于：在(P-1)中，光源是荧光管，所述对全部荧光管统一配置公共间隔块。

<<Q：γ特性>>

(Q-1)一种显示装置，来自显示装置的外部的信号输入到控制器，控制器加工该信号，把图像信号提供给图像信号驱动电路，其特征在于：根据控制器的指示，由D/A转换器生成提供给图像信号线驱动电路的灰阶基准电压。

(Q-2)显示装置的特征在于：在(Q-1)中，根据控制器的指示，所述灰阶基准电压可变为多种。

(Q-3)显示装置的特征在于：在(Q-2)中，图像信号线驱动电路根据灰阶基准电压生成每个灰阶的电压。

(Q-4)显示装置的特征在于：在(Q-3)中，具有能对控制器供给信息的存储器，所述存储器保持有用于改变灰阶特性的多个数据集。

(Q-5)显示装置的特征在于：在(Q-4)中，能根据来自外部的信号选择所述数据集。

(Q-6)显示装置的特征在于：在(Q-4)或(Q-5)中，对图像信号线驱动电路供给用于该电路自身动作的电源电压，将来自所述D/A转换器的灰阶基准电压提供给图像信号线驱动电路时的上升时序，随着时间的经过，首先图像信号线驱动电路的电源电压上升，在它到达定值状态前，开始灰阶基准电压的供给，然后在图像信号线驱动电路的电源电压到达定值状态后，使灰阶基准电压成为定值状态。

<<R：产品信息显示>>

(R-1)：一种显示装置，具有显示元件、根据来自外部的信号，使信号显示在显示元件上的控制器，其特征在于：具有存储器，所述控制器具有使设置在所述存储器中的信息显示在显示元件上的信息显示模式。

(R-2)显示装置的特征在于：在(R-1)中，在来自控制器的一个端子的输出的开路或短路时进行向信息显示模式的切换。

(R-3)显示装置的特征在于：在(R-1)或(R-2)中，在信息显示模式下显示的信息为条形码。

(R-4)显示装置的特征在于：在(R-1)或(R-2)中，在信息显示模式下显示的信息为带状的图像。

(R-5)显示装置的特征在于：在(R-1)中，包含不同颜色的带。

<<S：显示频率的切换>>

(S-1)一种显示装置，具有显示元件、根据来自外部的信号，使信号显示在显示元件上控制器，其特征在于：该显示元件能以多个频率进行显示，能按来自外部的模式变更信号指示该频率的切换，具有暂时存储图像信息的存储器，控制器收到模式变更信号后，研究频率不同的多个显示模式的切换定时两者，如果定时同步，则执行模式的变更，如果定时有偏差，就直到同步才进行模式的变更。

(S-2)显示装置的特征在于：在(S-1)中，在频率不同的2个显示模式中，一方是提高频率、定期显示黑图像的模式，另一方是频率低、来自外部的输入频率和显示频率一致的模式。

<<T：连接部的电阻测定>>

(T-1)一种显示装置，具有显示元件、带载、印刷基板，印刷基板上的端子和带载上的端子由第一连接部连接，来自印刷基板的信号在带载上的布线中传送，带载上的相反一侧的端子和显示元件的端子由第二连接部连接，由此将该信号传送给显示元件，其特征在于：所述第一连接部或第二连接部的连接电阻能由印刷基板上的测定端子测定。

(T-2)显示装置的特征在于：在(T-1)中，所述测定能以4端子法的条件进行测定。

(T-3)显示装置的特征在于：在(T-1)中，所述第一连接部或第二连接部由各向异性导电膜连接。

(T-4)一种显示装置，具有显示元件、带载、印刷基板，印刷基板上的端子和带载上的端子由第一连接部连接，来自印刷基板的信号在带载上的布线中传送，带载上的相反一侧的端子和显示元件的端子由第二连接部连接，由此将该信号传送给显示元件，其特征在于：在显示元件中配置公共电位布线总线，在2处单独地连接带载和显示元件，并且分别单独地连接在该公共电位布线总线上，在其中1条中，在带载上布线分支，由此在3处分别单独地连接带载和印刷基板，在带载上分支的布线在印刷基板上进一步分支，与所述各分支了的布线分别对应的测定端子被配置在印刷基板上。

(T-5)一种显示装置，具有显示元件、带载、印刷基板，印刷基板上的端子和带载上的端子由第一连接部连接，来自印刷基板的信号在带载上的布线中传送，带载上的相反一侧的端子和显示元件的端子由第二连接部连接，由此将该信号传送给显示元件，其特征在于：显示元件上的公共电位布线总线兼做公共电位的供给用总线，各带载具有不经由驱动器元件的公共电位的供给线，该供给线与显示元件上的公共电位布线总线连接，此外与形成在印刷基板上的公共总线连接，该公共电位的供给线在印刷基板上设置有测定端子，此外设置与公共电位布线总线连接、在带载上延伸、然后连接在印刷基板上的测定用布线，并在印刷基板上设置测定端子，该测定用布线在带载上和印刷基板上依次分支，增加条数，分别在印刷基板上设置测定端子。

(T-6)显示装置的特征在于：在(T-5)中，在连接在测定端子上的布线中，除公共电位的供给线以外，在印刷基板上都与基准电位的供给线分离。

Claims (16)

1.一种具有显示元件的显示装置，其特征在于：

显示元件在上下左右的像素间、电极的延伸方向不同。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

在各像素中，电极的延伸方向为一个方向。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

在像素中，存在相对于栅极信号线延伸方向或图像信号线延伸方向、电极的延伸方向为对称的2种像素，该像素在上下左右交替配置。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于：

在像素中，存在相对于栅极信号线延伸方向或图像信号线延伸方向、电极的延伸方向为对称的2种像素，该像素在上下左右交替配置。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

所述显示元件具有由3原色构成的滤色器，该滤色器被配置成在显示装置的纵方向排列相同颜色，在横方向依次排列3原色。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于：

所述显示元件具有由3原色构成的滤色器，该滤色器被配置成在显示装置的纵方向排列相同颜色，在横方向依次排列3原色。

7.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于：

所述显示元件具有由3原色构成的滤色器，该滤色器被配置成在显示装置的纵方向排列相同颜色，在横方向依次排列3原色。

8.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于：

所述显示元件具有由3原色构成的滤色器，该滤色器被配置成在显示装置的纵方向排列相同颜色，在横方向依次排列3原色。

9.一种具有显示元件的显示装置，其特征在于：

显示元件包含形成在同一基板上的下层的平面状的电极和具有多个线状部或狭缝部的上层的电极，该多个线状部或狭缝部的延伸方向在上下左右的像素间不同。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于：

在各像素中，所述线状部或狭缝部的延伸方向为一个方向。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于：

在像素中，存在相对于栅极信号线延伸方向或图像信号线延伸方向、所述线状部或狭缝部的延伸方向为对称的2种像素，该像素在上下左右交替配置。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：

在像素中，存在相对于栅极信号线延伸方向或图像信号线延伸方向、所述线状部或狭缝部的延伸方向为对称的2种像素，该像素在上下左右交替配置。

13.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于：

所述显示元件具有由3原色构成的滤色器，该滤色器被配置成在显示装置的纵方向排列相同颜色，在横方向依次排列3原色。

14.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：

所述显示元件具有由3原色构成的滤色器，该滤色器被配置成在显示装置的纵方向排列相同颜色，在横方向依次排列3原色。

15.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于：

所述显示元件具有由3原色构成的滤色器，该滤色器被配置成在显示装置的纵方向排列相同颜色，在横方向依次排列3原色。

16.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于：

所述显示元件具有由3原色构成的滤色器，该滤色器被配置成在显示装置的纵方向排列相同颜色，在横方向依次排列3原色。

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