JP2009080376A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】開口率の向上を図った液晶表示装置の提供。
【解決手段】第1、第2の基板間に液晶層を有する液晶表示装置であって、第1の基板は複数のゲート信号線と、ゲート信号線に交差するドレイン信号線と、マトリックス状に配置された複数の画素とを有し、各画素は薄膜トランジスタと、画素電極と、対向電極とからなり、第1の基板は、第1の基板側から順に、面状のパターンを有する透光性の対向電極と、第1の絶縁膜と、第2の絶縁膜と、対向電極に重畳する複数の線状の電極を有するパターンで構成した透光性の画素電極とが順次形成されており、第2の絶縁膜に形成されたスルーホールを通して画素電極に接続される薄膜トランジスタのソース電極が、遮光性の材料で構成されるとともに、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との間に配置され、画素電極の一方のゲート信号線側の端部の全長の80%以上と重なるようにゲート信号線の走行方向に延在して形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】第1、第2の基板間に液晶層を有する液晶表示装置であって、第1の基板は複数のゲート信号線と、ゲート信号線に交差するドレイン信号線と、マトリックス状に配置された複数の画素とを有し、各画素は薄膜トランジスタと、画素電極と、対向電極とからなり、第1の基板は、第1の基板側から順に、面状のパターンを有する透光性の対向電極と、第1の絶縁膜と、第2の絶縁膜と、対向電極に重畳する複数の線状の電極を有するパターンで構成した透光性の画素電極とが順次形成されており、第2の絶縁膜に形成されたスルーホールを通して画素電極に接続される薄膜トランジスタのソース電極が、遮光性の材料で構成されるとともに、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との間に配置され、画素電極の一方のゲート信号線側の端部の全長の80%以上と重なるようにゲート信号線の走行方向に延在して形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は液晶表示装置に係り、特に、一方の基板上のそれぞれの画素に、該基板から、透光性の対向電極、絶縁膜、前記対向電極と重畳する複数の線状の電極からなる電極群を有する透光性の画素電極を順次備えた、アクティブ・マトリックス型の液晶表示装置に関する。
この種の液晶表示装置は、いわゆるIPS(In Plane Switching)型と称され、画素電極と対向電極との間に基板と平行な成分を一部にもつ電界によって液晶を挙動でき、これにより広視野角特性に優れたものとして知られている。
また、アクティブ・マトリックス型の液晶表示装置にあっては、マトリックス状に配置されたそれぞれの画素に薄膜トランジスタが備えられ、該薄膜トランジスタは画素選択用のスイッチング素子として機能させている。
すなわち、行方向に配列されるそれぞれの画素における薄膜トランジスタのゲート電極を共通のゲート信号線で接続させ、列方向に配列されるそれぞれの画素の画素電極は、当該薄膜トランジスタを介して、当該各画素に共通に形成されたドレイン信号線と接続させて構成している。
ゲート信号線に信号(走査信号)を供給することによって対応する行の画素を、それらの薄膜トランジスタをオンさせることにより選択し、各ドレイン信号線を通して前記各画素の画素電極に映像信号を供給するようにしている。
このような構成からなる液晶表示装置は、たとえば下記特許文献1に開示がなされている。
特開2005−300821号公報
このような構成の液晶表示装置は、その大型化の傾向にともない、さらなる画素の開口率の向上が望まれ、その実現が追求されている。
そして、本発明者等は、以下に示す理由によって、画素の開口率の向上を実現するに至った。
すなわち、上述した構成の液晶表示装置は、ゲート信号線へのゲート信号(電圧)の供給によって対応する薄膜トランジスタがオンした場合、このオンされた薄膜トランジスタを介して、ドレイン信号線の映像信号が画素電極PXに印加されるが、該画素電極と前記ゲート信号線との間に電位差が生じ、その電位差に応じた電界が生じることになる。
この電界は、画素電極と対向電極との間に生じる電界と異なるノイズ成分の電界となるもので、この電界が生じる個所はたとえばブラックマトリックス(遮光膜)によって遮光し、該電界による液晶の光透過率の変化を目視できないようにするのが通常となっている。
しかし、前記画素電極と前記ゲート信号線との間に発生する電界(回り込み電界)は、その電気力線が液晶側に大きく盛り上がるようにして形成され、その盛り上がりに応じて遮光しなければならない領域が大きくなっていた。
このことは、前記画素電極と前記ゲート信号線との間に発生する電界の電気力線の液晶側への盛り上がりを抑制できれば、その抑制できた分だけ、遮光しなければならない領域を狭めることができ、画素の開口率を向上できることを意味する。
本発明の目的は、より開口率の向上を図った液晶表示装置を提供することにある。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
(1)本発明による液晶表示装置は、たとえば、第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記第1の基板は、複数のゲート信号線と、前記複数のゲート信号線に交差するドレイン信号線と、マトリックス状に配置された複数の画素とを有し、
前記複数の画素の各画素は、薄膜トランジスタと、画素電極と、対向電極とを有し、
前記第1の基板は、前記第1の基板側から順に、透光性の前記対向電極と、第1の絶縁膜と、第2の絶縁膜と、透光性の前記画素電極とが順次形成されており、前記画素電極と前記対向電極との間の電位差によって発生する電界で前記液晶層を駆動し、
前記薄膜トランジスタは、前記ゲート信号線の一部で構成されたゲート電極と、前記ドレイン電極の一部で構成されたドレイン電極と、前記第2の絶縁膜に形成されたスルーホールを通して前記画素電極に接続されたソース電極とを有し、
前記対向電極は、面状のパターンを有し、
前記画素電極は、前記対向電極に重畳する複数の線状の電極を有するパターンで構成され、
前記ソース電極は、遮光性の材料で構成されているとともに、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との間に配置され、前記画素電極の一方の前記ゲート信号線側の端部の全長の80%以上と重なるように前記ゲート信号線の走行方向に延在して形成されていることを特徴とする。
前記第1の基板は、複数のゲート信号線と、前記複数のゲート信号線に交差するドレイン信号線と、マトリックス状に配置された複数の画素とを有し、
前記複数の画素の各画素は、薄膜トランジスタと、画素電極と、対向電極とを有し、
前記第1の基板は、前記第1の基板側から順に、透光性の前記対向電極と、第1の絶縁膜と、第2の絶縁膜と、透光性の前記画素電極とが順次形成されており、前記画素電極と前記対向電極との間の電位差によって発生する電界で前記液晶層を駆動し、
前記薄膜トランジスタは、前記ゲート信号線の一部で構成されたゲート電極と、前記ドレイン電極の一部で構成されたドレイン電極と、前記第2の絶縁膜に形成されたスルーホールを通して前記画素電極に接続されたソース電極とを有し、
前記対向電極は、面状のパターンを有し、
前記画素電極は、前記対向電極に重畳する複数の線状の電極を有するパターンで構成され、
前記ソース電極は、遮光性の材料で構成されているとともに、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との間に配置され、前記画素電極の一方の前記ゲート信号線側の端部の全長の80%以上と重なるように前記ゲート信号線の走行方向に延在して形成されていることを特徴とする。
(2)本発明による液晶表示装置は、たとえば、(1)の構成を前提とし、前記ソース電極の一部は、前記ゲート信号線と前記画素電極との間に発生する回り込み電界を低減する電界制御電極を構成することを特徴とする。
(3)本発明による液晶表示装置は、たとえば、(2)の構成を前提とし、前記電界制御電極は、その延在方向の一部において、前記画素電極との電気的接続を図る前記ソース電極のパッド部を含むことを特徴とする。
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
このように構成した液晶表示装置は、より開口率の向上を図ることができるようになる。
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明する。
〈全体の構成〉
図2は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示した全体構成図である。
図2は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示した全体構成図である。
図2において、液晶表示装置は、平行に配置される一対のたとえばガラスからなる基板SUB1、SUB2を外囲器とし、該基板SUB1、SUB2の間には液晶(図示せず)が挟持されている。
該液晶は、基板SUB1に対する基板SUB2の固定を兼ねるシール材SLによって封入され、該シール材SLによって囲まれた領域は液晶表示領域ARを構成している。
たとえば基板SUB1は、基板SUB2と比較して、その面積が大きく形成され、図中左側辺部および上側辺部において、前記基板SUB2から露出された領域を有する。
基板SUB1の左側辺部の前記領域には複数の並設された半導体装置SCN(V)が搭載され、基板SUB1の前記上側辺部の領域には複数の並設された半導体装置SCN(He)が搭載されている。複数の前記半導体装置SCN(V)は走査信号駆動回路を構成し、後述のゲート信号線GLに接続され、複数の前記半導体装置SCN(He)は映像信号駆動回路を構成し、後述のドレイン信号線DLに接続されるようになっている。
基板SUB1の液晶側の面であって液晶表示領域AR内には、図中x方向に延在しy方向に並設されるゲート信号線GLが、また、図y方向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線DLが形成されている。
隣接する一対のゲート信号線GLと隣接する一対のドレイン信号線DLで囲まれる矩形状の領域は画素が形成される領域を構成し、これにより、各画素は液晶表示領域AR内においてマトリックス状に配置されるようになる。
前記各ゲート信号線GLは、その左側端部がシール材SLを越えて液晶表示領域ARの外側にまで延在され、近接する前記半導体装置SCN(V)の出力端子に接続され、該半導体装置SCN(V)によって走査信号(電圧)が供給されるようになっている。
前記各ドレイン信号線DLは、その上側端部がシール材SLを越えて液晶表示領域ARの外側にまで延在され、近接する前記半導体装置SCN(He)の出力端子に接続され、該半導体装置SCN(He)によって映像信号(電圧)が供給されるようになっている。
前記画素は、たとえば図中丸枠Pの拡大図である丸枠P'に示すように、ゲート信号線GLからの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタTFTと、このオンされた薄膜トランジスタTFTを介してドレイン信号線DLからの映像信号が供給される画素電極PXと、基準電圧が印加されて前記画素電極PXとの間の電位差によって電界を生じせしめる対向電極CTが備えられている。画素電極PXと対向電極CTはともに同じ基板SUB1に形成されており、前記電界は基板SUB1の表面と平行な電界成分を一部に含むもので、このような電界によって液晶の分子を挙動させるものを横電界方式と称されている。
なお、前記対向電極CTはたとえばゲート信号線GLと平行に配置される対向電圧信号線CLを通して基準電圧が印加されるようになっており、該対向電圧信号線CLは前記シール材SLを越えて延在され、基板SUB1面に形成された対向電圧端子CTMに接続されている。
上述した実施例では、前記走査信号駆動回路V、映像信号駆動回路Heは基板SUB1に搭載させて構成したものである。しかし、これに限定されず、いわゆるテープキャリア方式で構成した半導体装置(フレキシブル基板に半導体チップが搭載されている半導体装置)を前記基板SUB1と図示しないプリント基板との間に跨って配置させるように構成してもよい。
〈画素の構成〉
図3は、前記液晶表示パネルPNLの基板SUB1側において、マトリックス状に配置されたそれぞれの画素のうちの一つの画素の一実施例を示した平面図である。これにより、図1に示す当該画素に対し上下および左右のそれぞれに配置される各画素は、当該画素と同様の構成となっている。また、図4は、図3のIV−IV線における断面図を示している。
図3は、前記液晶表示パネルPNLの基板SUB1側において、マトリックス状に配置されたそれぞれの画素のうちの一つの画素の一実施例を示した平面図である。これにより、図1に示す当該画素に対し上下および左右のそれぞれに配置される各画素は、当該画素と同様の構成となっている。また、図4は、図3のIV−IV線における断面図を示している。
まず、基板SUB1の液晶側の面(表面)には、ゲート信号線GLおよび対向電圧信号線CLが比較的大きな距離を有して平行に形成されている。
ゲート信号線GLと対向電圧信号線CLの間の領域には、たとえばITO(Indium-Tin-Oxide)の透明導電材料からなる対向電極CTが形成されている。該対向電極CTは、その対向電圧信号線CL側の辺部において該対向電圧信号線CLに重畳されて形成され、これにより、該対向電圧信号線CLと電気的に接続されて形成されている。対向電極CTは、画素の80%以上の領域を占めるような面状のパターンを有している。
そして、基板SUB1の表面には、前記ゲート信号線GL、対向電圧信号線CL、および対向電極CTをも被うようにして絶縁膜GI(図4参照)が形成されている。この絶縁膜GIは、後述の薄膜トランジスタTFTの形成領域において該薄膜トランジスタTFTのゲート絶縁膜として機能するもので、それに応じて膜厚等が設定されるようになっている。
前記絶縁膜GIの上面であって、前記ゲート信号線GLの一部と重畳する個所に、たとえばアモルファスシリコンからなる非晶質の半導体層ASが形成されている。この半導体層ASは前記薄膜トランジスタTFTの半導体層となるものである。
また、前記半導体層ASの形成と同時に形成される半導体層AS'がゲート信号線GLおよび対向電圧信号線CLと後述のドレイン信号線DLとの交差部に形成されている。この半導体層AS'は、前記絶縁膜GIとともにゲート電極GLおよび対向電圧信号線CLと前記ドレイン信号線DLとの間の層間絶縁膜として機能させるためである。
そして、図中y方向に伸張してドレイン信号線DLが形成され、このドレイン信号線DLはゲート信号線GLとの交差部の一部において前記薄膜トランジスタTFTの形成領域側に延在され、この延在部は前記半導体層ASの上面にまで及んで該薄膜トランジスタTFTのドレイン電極DTを構成するようになっている。
また、該ドレイン信号線DLおよびドレイン電極DTと同時に形成される前記薄膜トランジスタTFTのソース電極STが、前記半導体層AS上にて前記ドレイン電極DTと対向し、かつ、該半導体層AS上から該半導体層ASが形成されていない領域に至って延在され、この延在部は画素領域側にまで及んでパッド部PDを構成するようになっている。尚、このパッド部PDもソース電極STの一部を構成する。このパッド部PDは後述の画素電極PXと電気的および物理的に接続される箇所となるもので、たとえば前記ソース電極STの一部である半導体層ASと重畳する部分よりも幅の広い大きな面積で形成されている。
ここで、この実施例において、前記パッド部PDには、該パッド部PDと一体に電界制御電極EFCが備えられている。すなわち、この電界制御電極EFCもソース電極STの一部を構成する。この電界制御電極EFCは、前記ゲート信号線GLに近接して配置され、前記パッド部PDから該ゲート信号線GLと平行に延在するように形成されている。この電界制御電極EFCの構成および機能については後に詳述する。
前記ドレイン電極DTは、たとえば、前記ソース電極STの先端部を囲むように円弧状パターンとして形成され、該薄膜トランジスタTFTのチャネル幅を大きく構成するようになっている。
なお、前記半導体層ASは、それを絶縁膜GI上に形成する際に、たとえば、その表面に高濃度の不純物がドープされて形成され、たとえば、前記ドレイン電極DTおよびソース電極STをパターニングして形成した後に、該ドレイン電極DTおよびソース電極STをマスクとして、該ドレイン電極DTおよびソース電極STの形成領域以外の領域に形成された高濃度の不純物層をエッチングするようにしている。半導体層ASとドレイン電極DTとの間、および、半導体層ASとソース電極STとの間のそれぞれに、高濃度の不純物層(図示せず)を残存させ、この不純物層をオーミックコンタクト層として形成するためである。
このようにすることにより、前記薄膜トランジスタTFTは、ゲート信号線GLの一部をゲート電極としたいわゆる逆スタガ構造のMIS(Metal Insulator Semiconductor)型のトランジスタが構成されることになる。
なお、MIS型のトランジスタにあっては、そのバイアスの印加によってドレイン電極DTとソース電極STが入れ替わるように駆動するが、この明細書の説明にあっては、便宜上、ドレイン信号線DLと接続される側をドレイン電極DT、画素電極PXと接続される側をソース電極STと称している。
基板SUB1の表面には、前記薄膜トランジスタTFTをも被って絶縁膜からなる保護膜PAS(図4参照)が形成されている。この保護膜PASは、該薄膜トランジスタTFTを液晶との直接の接触を回避させるために設けられている。また、この保護膜PASは、前記対向電極CTと後述の画素電極PXとの間に介在して設けられ、前記絶縁膜GIとともに、該対向電極CTと画素電極PXとの間に設けられた容量素子の誘電体膜としても機能するようになっている。
前記保護膜PASの上面には、画素電極PXが形成されている。この画素電極PXは、たとえばITO(Indium-Tin-Oxide)等の透明導電膜からなり、その外輪郭は前記対向電極CTの外輪郭とほぼ一致するようにして形成されている。
そして、該画素電極PXには、複数のスリットSTがたとえばゲート信号線GLの走行方向に対して若干の角度を有して形成され、その長手方向と交差する方向に並設されて形成されている。これにより、該画素電極PXは、両端が互いに接続された多数の帯状の線状の電極からなる電極群を有するようにして形成されている。尚、複数の線状の電極の両端ではなく一端側だけを互いに接続するようにしても良い。
画素電極PXの線状の電極は、画素の領域をたとえば図中上下に2分割させた一方の領域において、たとえばゲート信号線GLの走行方向に対して+角度方向に延在するように形成され、他方の領域には−角度方向に延在するようにして形成されている。いわゆるマルチドメイン方式を採用するもので、1画素内における画素電極PXに設けたスリットSTの方向(画素電極PXの電極群の方向)が単一である場合、観る方向により色つきが生じる不都合を解消した構成となっている。
このように形成された画素電極PXは、薄膜トランジスタTFTに近接する部分において、前記保護膜PASに形成されたスルーホールTH(図4参照)を通して該薄膜トランジスタTFTのソース電極STの前記パッド部PDに電気的に接続されるようになっている。
また、前記基板SUB1の表面には、画素電極PXをも被って配向膜ORI1(図4参照)が形成され、この配向膜ORI1によって該配向膜ORI1と直接に接触する液晶の分子の初期配向方向を設定するようになっている。
上述した実施例では、半導体層AS、AS'としてアモルファスシリコンを用いたものであるが、これに限定されることはなく、たとえばポリシリコン等であってもよい。
〈電界制御電極EFC〉
図1(a)は、図3に示す画素の構成のうち前記電界制御電極EFCとこの電界制御電極EFCの近傍における構成を拡大して示した図である。図1(a)のb−b線における断面図を図1(b)に示している。
図1(a)は、図3に示す画素の構成のうち前記電界制御電極EFCとこの電界制御電極EFCの近傍における構成を拡大して示した図である。図1(a)のb−b線における断面図を図1(b)に示している。
図1(a)において、まず、基板SUB1の上面の図中のゲート信号線GLより下側の画素の領域には、まず、対向電極CTがその上側の辺部(端部)を前記ゲート信号線GLに近接かつ平行させて形成されている。
そして、前記対向電極CTを被って形成される絶縁膜GI(図1(b)参照)の上面に、電界制御電極EFCが前記ゲート信号線GLに近接かつ平行させて形成されている。尚、図1では、電界制御電極EFCを対向電極CTの上側の辺部(端部)と重ねていない例を示している。しかしながら、これに限定されず、電界制御電極EFCを対向電極CTの上側の辺部(端部)と重ねても良い。
なお、前記ゲート信号線GLの一部には薄膜トランジスタTFTが重畳して形成され、そのソース電極STは、前記半導体層ASの形成されていない領域に至って画素領域の部分にまで延在され、この延在部は比較的大きな面積(ソース電極STが半導体層ASと重なる部分よりも大きな面積)を有するパッド部PDを構成するようになっている。
このパッド部PDには前記電界制御電極EFCが該パッド部PDと同材料で該パッド部PDと一体的に形成されていることは上述した通りである。
そして、前記電界制御電極EFCは、前記パッド部PDのうちゲート信号線GLに近接する側において該パッド部PDと一体に形成され、これにより前記電界制御電極EFCをできるだけゲート信号線GLに近接して配置させるようにしている。後述の説明で明らかとなるように、画素の実質的な開口率をできるだけ向上させるためである。
このような構成とすることにより、前記電界制御電極EFCは、ソース電極STのパッド部PDとともに、ゲート信号線GLの走行方向において、前記パッド部PDとともに、画素領域のゲート信号線GLの走行方向における長さのほぼ大部分(80%以上)を占めて形成されることになる。
なお、前記パッド部PDは、後述の説明からも明らかとなるように、本実施例で備えられる電界制御電極EFCと同じ作用、機能を有することから、この明細書では、前記電界制御電極EFCとパッド部PDの一体構成を電界制御電極として把握する場合がある。
ソース電極(パッド部PD、電界制御電極PDを含む)は遮光性の材料(例えば金属膜)で構成されているので、遮光膜の役割も果たす。
そして、前記電界制御電極EFCをも被って形成される前記保護膜PASの上面に画素電極PXがその上側の辺部(端部)PSDを前記ゲート信号線GLに近接かつ平行させて形成されている。
ここで、ソース電極(パッド部PD、電界制御電極PDを含む)は、画素電極PXの一方のゲート信号線GL側の辺部(端部)PSDの全長の80%以上と重なるようにすることが望ましい。
このような構成において、図中の薄膜トランジスタTFTがゲート信号線GLのゲート信号(電圧)の供給によってオンした場合、ドレイン信号線DLの映像信号が該薄膜トランジスタTFTを介して画素電極PXに印加され、前記ゲート信号線GLと画素電極PXとの間に生じる電位差に応じて電界が生じるようになる。この電界は、画素電極PXと対向電極CTとの間に生じる電界と異なるノイズ成分の電界となるものである。
この場合、該電界(回り込み電界)が前記ゲート信号線GLと画素電極PXの間のみに発生する場合、該電界における図中の電気力線EPLは基板SUB2側に大きく盛り上るようにして形成されるようになるが、該電界は、前記ゲート信号線GLと画素電極PXの間のみならず、前記ゲート信号線GLと前記電界制御電極EFCとの間にも発生するようになり、上述した電気力線EPLの大きな盛り上がり(回り込み電界)は大幅に抑制(低減)されるようになる。これによって、回り込み電界によって発生する画素電極PXとゲート信号線GLとの間の光漏れの強度を低減することができる。また、回り込み電界による光漏れが発生する領域の面積も小さくすることが可能である。
ちなみに、図5(a)、(b)は、図1(a)、(b)と対応した図で、本実施例で示したような前記電界制御電極EFCが形成されていない従来の構成を示す図である。図5(b)において、ゲート信号線GLと画素電極PXとの間のみに発生する電界は、電気力線EPLが対向する他の基板SUB2側に大きく盛り上るようにして形成されるようになっている。
これに対して、図1(b)では、ゲート信号線GLと画素電極PXとの間に発生する電界の他に、前記ゲート信号線GLと前記電界制御電極EFCとの間にも電界が発生される。電位差が同じ場合、それらの間に生じる電気力線EPLの数は等しいことから、後者の電界は前者の電気力線EPLの盛り上がりを抑制させるようになる。
このように、電界制御電極EFCを設けることによってゲート信号線GLと画素電極PXとの間の電気力線EPLの盛り上がりを抑制できる場合、その電界による液晶の挙動をゲート信号線GL上とそれから僅かに離れた画素電極PXの上側の辺部(端部)PSDとの間の領域に制限でき、それ以上に画素電極PXの中央部側に及ぶことを回避できるようになる。
このことから、画素電極PX上においてノイズ電界によって影響を受ける領域を狭めることができ、これによって光漏れを遮光すべき領域(例えば基板SUB1に対向する基板SUB2に設けられたブラックマトリックス(遮光膜)の形成領域)が減るため、画素の開口率を向上させることができる。
なお、既に説明した通り、ソース電極(パッド部PD、電界制御電極PDを含む)が、画素電極PXの一方のゲート信号線GL側の辺部(端部)PSDの全長の80%以上と重なるようにすることによって充分な効果が得られることが実験によって確かめられている。
〈ブラックマトリックス〉
ブラックマトリックスは、たとえば前記基板SUB1と液晶を介して対向配置される基板SUB2の液晶側の面に形成され、当該画素領域に対し、たとえば上下左右のそれぞれ隣接する画素領域を画するようにして形成される遮光膜である。尚、ドレイン信号線DLに平行な方向(y方向)についてはブラックマトリックスの形成を省略しても良い。
ブラックマトリックスは、たとえば前記基板SUB1と液晶を介して対向配置される基板SUB2の液晶側の面に形成され、当該画素領域に対し、たとえば上下左右のそれぞれ隣接する画素領域を画するようにして形成される遮光膜である。尚、ドレイン信号線DLに平行な方向(y方向)についてはブラックマトリックスの形成を省略しても良い。
図1および図3に示す画素では、前記ブラックマトリックスBMは、たとえば、太線で示す箇所を開口部とし、ゲート信号線GL、対向電極信号線CL、およびドレイン信号線DLを被うようにして形成されている。
このことから、画素の実質的な開口率は前記ブラックマトリックスBMの開口部の面積の大きさに影響されることになる。
図6(a)は、図1(b)に示した図に前記基板SUB2(ブラックマトリックスBMを備える)をも含めて示した断面図である。また、比較のため、図5(b)に示した図に基板SUB2(ブラックマトリックスBMを備える)をも含めて示した断面図を図6(b)に示している。なお、図6(a)、(b)はいずれも液晶と当接して配置される配向膜の描画を省略している。
図6(a)に示すように、ゲート信号線GLの上方に配置されるブラックマトリックスBMは、画素電極PXが形成される側に幅(図中y方向の幅)を大きくするように形成され、該ブラックマトリックスBMが、該画素電極PXの前記ゲート信号線GLの側の辺部(端部)PSDに重畳するに至るまで形成されている。
ゲート信号線GLと画素電極PXとの間に発生する電界(回り込み電界)による液晶の分子の挙動によって生じる光漏れを遮光するためである。
この場合、画素電極PXの前記辺部(端部)PSDの下方には前記電界制御電極EFCが形成されており、前記ブラックマトリックスBMは、たとえば、その幅が前記電界制御電極EFCを被う程度に設定されており、該幅の端辺SDは該電界制御電極EFCの対応する端辺SD'と図中y方向においてほぼ同位置となっている。
ここで、ブラックマトリックスBMの前記端辺SDの位置は厳格なものではなく、前記電界制御電極EFCの対応する端辺SD'よりも手前側(ゲート信号線GLの中心軸側)に位置づけられていても、あるいは、それとは反対側に該端辺SD'を越えて位置づけられていてもよい。
電界制御電極EFCは遮光性の材料で形成されているため、基板SUB1と基板SUB2との間で位置合わせずれが生じた場合でも十分な遮光が可能である。したがって、ブラックマトリックスBMの幅を小さく形成することが可能になる。
前記電界制御電極EFCを形成することによって、ゲート信号線GLと画素電極PXとの間に発生する電界の電気力線EPLの大きな盛り上がりを抑制でき、これにより、ゲート信号線GLと画素電極PXの該ゲート信号線GL側の辺部(端部)PSDとを被うブラックマトリックスBMの幅を従来よりも大幅に小さくでき、それに応じて該ブラックマトリックスBMの開口(図中OPで示す)を大きくできる。このため、画素の実質的な開口率を向上させることができる。
なお、図6(a)は、前記ブラックマトリックスBMの開口部にカラーフィルタFILが形成されていることを示している。
図6(b)は、従来の構成の一例で、図6(a)と対応づけて描いている。図6(b)は、図6(a)との位置的な比較を容易にするため、各図に示されるゲート信号線GL、画素電極PX等を図中y軸上に揃えて描いている。
図6(b)では、本実施例で示した電界制御電極EFCを備えていない構成となっているため、ゲート信号線GLからの電界による電気力線EPLが画素電極PXのみに終端するようになり、該電気力線EPLは基板SUB2側に大きな盛り上がりを有するように分布される。
このような電気力線EPLの分布は、その電界が画素電極PXの前記ゲート信号線GL側の辺部(端部)PSDのみに留まらず、さらに画素電極PXの中心側に及んで発生することになる。
このため、このように電界が発生する部分を被うようにしてブラックマトリックスBMを形成しなければならないことから、該ブラックマトリックスBMの開口(図中OP'で示す)が小さくなってしまうのを免れ得ない。
しかも、基板SUB1と基板SUB2との間で位置合わせずれが生じた場合でも十分な遮光を可能とするためには、ブラックマトリックスBMの幅を位置合わせずれに対するマージン分だけ大きく形成する必要があり、その分だけさらにブラックマトリックスBMの開口OP'が小さくなってしまう。
上述した実施例では、図3に示されるように、画素電極PXにおける複数の線状の電極が、その長手方向においてゲート信号線GLの走行方向と若干の角度を有して配置させたものとなっている。しかし、これに限らず、複数の線状の電極がたとえばドレイン信号線DLの走行方向(図中y方向)と平行に配置されたものであってもよい。
この場合にあっても、画素電極PXにおける複数の線状の電極は、そのゲート信号線GL側の端部において共通に接続されるように構成される。薄膜トランジスタTFTのソース電極STのパッド部PDがゲート信号線GLの近傍に配置され、前記複数の線状の電極は該パッド部PDと電気的に接続させなければならないからである。このため、前記画素電極PXは、ゲート信号線GLの側において、図1に示す辺部(端部)PSDを有し、本発明をそのまま適用できるからである。
尚、本発明の液晶表示装置は透過型の液晶表示装置であり、その背面側にバックライトを備えていることが望ましい。
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
SUB1、SUB2……基板、SL……シール材、AR……液晶表示領域、SCN(V)……半導体装置(走査信号駆動回路)、SCN(He)……半導体装置(映像信号駆動回路)、GL……ゲート信号線、DL……ドレイン信号線、CL……対向電圧信号線、TFT……薄膜トランジスタ、DT……ドレイン電極、ST……ソース電極、PD……パッド部、PX……画素電極、CT……対向電極、EFC……電界制御電極、GI……絶縁膜、PAS……保護膜、ORI1……配向膜、BM……ブラックマトリックス、FIL……カラーフィルタ。
Claims (3)
- 第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記第1の基板は、複数のゲート信号線と、前記複数のゲート信号線に交差するドレイン信号線と、マトリックス状に配置された複数の画素とを有し、
前記複数の画素の各画素は、薄膜トランジスタと、画素電極と、対向電極とを有し、
前記第1の基板は、前記第1の基板側から順に、透光性の前記対向電極と、第1の絶縁膜と、第2の絶縁膜と、透光性の前記画素電極とが順次形成されており、前記画素電極と前記対向電極との間の電位差によって発生する電界で前記液晶層を駆動し、
前記薄膜トランジスタは、前記ゲート信号線の一部で構成されたゲート電極と、前記ドレイン電極の一部で構成されたドレイン電極と、前記第2の絶縁膜に形成されたスルーホールを通して前記画素電極に接続されたソース電極とを有し、
前記対向電極は、面状のパターンを有し、
前記画素電極は、前記対向電極に重畳する複数の線状の電極を有するパターンで構成され、
前記ソース電極は、遮光性の材料で構成されているとともに、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との間に配置され、前記画素電極の一方の前記ゲート信号線側の端部の全長の80%以上と重なるように前記ゲート信号線の走行方向に延在して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記ソース電極の一部は、前記ゲート信号線と前記画素電極との間に発生する回り込み電界を低減する電界制御電極を構成することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記電界制御電極は、その延在方向の一部において、前記画素電極との電気的接続を図る前記ソース電極のパッド部を含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
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