CN105264366A - 具有一致传感器表面区域的化学传感器 - Google Patents

具有一致传感器表面区域的化学传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN105264366A
CN105264366A CN201480016068.7A CN201480016068A CN105264366A CN 105264366 A CN105264366 A CN 105264366A CN 201480016068 A CN201480016068 A CN 201480016068A CN 105264366 A CN105264366 A CN 105264366A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dielectric
perforate
conducting element
chemical sensor
floating gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480016068.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105264366B (zh
Inventor
K.费夫
J.欧文斯
S.李
J.巴斯蒂洛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Life Technologies Corp
Original Assignee
Life Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Life Technologies Corp filed Critical Life Technologies Corp
Publication of CN105264366A publication Critical patent/CN105264366A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105264366B publication Critical patent/CN105264366B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L3/00—Containers or dishes for laboratory use, e.g. laboratory glassware; Droppers
    • B01L3/50—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes
    • B01L3/502—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures
    • B01L3/5027—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures by integrated microfluidic structures, i.e. dimensions of channels and chambers are such that surface tension forces are important, e.g. lab-on-a-chip
    • B01L3/502761—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures by integrated microfluidic structures, i.e. dimensions of channels and chambers are such that surface tension forces are important, e.g. lab-on-a-chip specially adapted for handling suspended solids or molecules independently from the bulk fluid flow, e.g. for trapping or sorting beads, for physically stretching molecules
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4148—Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/401—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
    • H01L29/40114—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a conductor-insulator-conductor-insulator-semiconductor structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L2200/00—Solutions for specific problems relating to chemical or physical laboratory apparatus
    • B01L2200/06—Fluid handling related problems
    • B01L2200/0647—Handling flowable solids, e.g. microscopic beads, cells, particles
    • B01L2200/0668—Trapping microscopic beads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L2300/00—Additional constructional details
    • B01L2300/06—Auxiliary integrated devices, integrated components
    • B01L2300/0627—Sensor or part of a sensor is integrated
    • B01L2300/0636—Integrated biosensor, microarrays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L2300/00—Additional constructional details
    • B01L2300/08—Geometry, shape and general structure
    • B01L2300/0861—Configuration of multiple channels and/or chambers in a single devices
    • B01L2300/0877—Flow chambers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4145—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Hematology (AREA)
  • Clinical Laboratory Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)

Abstract

在一个实施方式中，描述了化学传感器。化学传感器包括化学灵敏的场效应晶体管，其包括具有上表面的浮栅导体。材料限定延伸至所述浮栅导体的上表面的开孔，材料包括在第二电介质下方的第一电介质。导电元件接触所述浮栅导体的上表面并且沿着所述开孔的侧壁延伸一定的距离。

Description

具有一致传感器表面区域的化学传感器
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年11月6日提交的美国临时申请号61/900,907和2013年3月15日提交的61/790,866的优先权，其全部内容通过引用以它们的整体并入本文。
技术领域
本公开涉及用于化学分析的传感器，和涉及制造这样的传感器的方法。
背景技术
各种类型的化学传感器已经用于化学过程的检测。一种类型是化学灵敏的场效应晶体管(chemFET)。chemFET包括由通道区域分开的源极和漏极，和偶联至通道区域的化学灵敏区域。ChemFET的运转是基于通道电导的调制，其是由于附近发生的化学反应在灵敏区域的电荷的改变造成的。通道电导的调制改变chemFET的阈值电压，其可被测量，以检测和/或测定化学反应的特征。可例如通过施加适当的偏压电压至源极和漏极，和测量流过chemFET的所得电流测量阈值电压。作为另一实施例，可通过驱动已知电流通过chemFET，和测量在源极或漏极的所得电压。
离子灵敏的场效应晶体管(ISFET)是在灵敏区域包括离子灵敏的层的一类chemFET。分析物溶液中离子的存在改变离子灵敏的层和分析物溶液之间界面处的表面电位，其是由于分析物溶液中存在的离子造成的表面电荷基团的质子化或去质子化。ISFET的灵敏区域处表面电位的改变影响可测量的设备的阈值电压，以指示溶液中离子的存在和/或浓度。ISFET阵列可用于监测化学反应，比如DNA测序反应，其基于反应期间存在、产生或使用的离子的检测。见，例如，2009年12月14日提交的Rothberg等美国专利申请号12/002,291(现美国专利号7,948,015)，其基于2007年8月16日提交的美国临时专利申请号60/956,324，2007年7月10日提交的60/968,748，和2006年12月14日提交的60/870,073的优先权，其通过引用以其整体并入本文。更一般而言，大的chemFET阵列或其他类型的化学传感器可用于检测和测量各种过程中各种分析物(例如氢离子、其他离子、化合物等)的静态和/或动态量或浓度。过程可例如是生物或化学反应、细胞或组织培养或监测天然活性、核酸测序等。
操作大尺寸化学传感器阵列出现的问题是传感器输出信号容易遭受噪声的影响。具体而言，噪声影响用于测定通过传感器检测的化学和/或生物过程的特征的下游信号处理的精确性。另外，横跨阵列的化学传感器性能变化产生传感器输出信号的非期望的差异，其使下游信号处理更加复杂。所以期望提供包括低噪声化学传感器的设备，和制造这样的设备的方法。
发明内容
在一个实施方式中，描述了化学传感器。化学传感器包括化学灵敏的场效应晶体管，其包括具有上表面的浮栅导体；材料，其限定延伸至浮栅导体上表面的开孔，所述材料包括在第二电介质下方的第一电介质；和导电元件，其接触所述浮栅导体的上表面并且沿着所述开孔的侧壁延伸一定的距离。在示例性实施方式中，化学传感器的开孔可包括所述第一电介质中的下部和所述第二电介质中的上部。在另一实施方式中，所述开孔的下部的宽度基本上与所述上部的宽度相同。在仍另一实施方式中，导电元件与开孔的形状共形。在一个实施方式中，导电元件延伸至第二电介质的上表面。在示例性实施方式中，导电元件包括限定所述化学传感器的反应区域下部的内表面，和第二电介质包括限定所述开孔上部的内表面。在示例性实施方式中，导电元件包括导电材料，和所述导电元件的内表面包括所述导电材料的氧化物。在另一实施方式中，所述化学传感器的传感表面包括所述导电元件的内表面。在仍另一实施方式中，化学灵敏的场效应晶体管响应在所述导电元件附近发生的化学反应而产生传感器信号。在一个实施方式中，浮栅导体包括彼此电耦联并且由电介质层分开的多个导体，和浮栅导体是多个导体中的最上导体。
在另一实施方式中，描述了制造化学传感器的方法。方法包括形成化学灵敏的场效应晶体管，其包括具有上表面的浮栅导体；形成材料，其限定延伸至浮栅导体上表面的开孔，所述材料包括在第二电介质下方的第一电介质；和形成导电元件，其接触所述浮栅导体的上表面并且沿着所述开孔的侧壁延伸一定的距离。在示例性实施方式中，形成材料和形成导电元件可包括在所述浮栅导体上形成第一电介质，第一电介质限定延伸至所述浮栅导体上表面的腔；在其上形成第二电介质；蚀刻第二电介质，以暴露所述导电元件，从而限定开孔；和在开孔中形成导电元件。根据另一实施方式，在开孔中形成导电元件可包括将导电材料沉积在开孔中和第一电介质的上表面上；和从第二电介质的上表面去除至少一部分导电材料。在仍另一实施方式中，去除至少部分导电材料可包括将光刻胶层沉积在开孔中；和从第二电介质的上表面与光刻胶一起去除至少一部分导电材料。在一个实施方式中，导电材料包括钛。在示例性实施方式中，开孔是纳米孔。在示例性实施方式中，形成导电元件包括将导电材料共形沉积在开孔中。在另一实施方式中，导电元件包括限定所述化学传感器的反应区域下部的内表面，和第二电介质包括限定所述开孔上部的内表面。
在本说明书中描述的主题的一个实施方式的具体方面阐释在附图和下面说明书中。主题的其他特征、方面和优势将从说明书、附图和权利要求中变得显而易见。
附图说明
图1根据示例性实施方式图解用于核酸测序的系统组件的方块图。
图2根据示例性实施方式图解一部分集成电路设备和流动池的横截面图。
图3根据第一实施方式图解两个代表性化学传感器和它们相应的反应区域的横截面图。
图4至12根据第一实施方式阐释形成化学传感器阵列和相应的反应区域的制造工艺的阶段。
图13至25根据第二实施方式阐释用于形成化学传感器的阵列和相应的反应区域的制造工艺的阶段。
发明详述
描述了包括低噪声化学传感器比如化学灵敏的场效应晶体管(chemFETs)的化学检测设备，用于检测叠加的可操作相关化学反应中的化学反应。减小单个化学传感器和叠加反应区域的平视图或顶视图面积(或占地面积)允许更高密度的设备。但是，随着化学传感器的尺寸减小，申请人已经发现传感器的传感表面区域的相应减小可明显影响性能。例如，对于具有在反应区域底部限定的传感表面的化学传感器，减小反应区域的平视图尺寸(例如宽度或直径)使得传感表面区域类似减小。申请人已经发现随着传感表面区域下降至技术限制，由于传感表面上电荷随机波动的流体噪声，使得增加比例的传感表面电位的总体变化。这可显著降低传感器输出信号的信噪比(SNR)，其影响用于测定通过传感器检测的化学和/或生物过程的特征的下游信号处理的精确性。
本文所述的化学传感器具有不限于在反应区域底部的二维面积的传感表面区域。在本文所述的实施方式中，所述化学传感器的传感表面包括沿着反应区域的底部表面的大体上水平部分，以及沿着包含反应区域的开孔的侧壁延伸的大体上竖直部分。大体上竖直部分沿着侧壁延伸的距离由形成开孔下部的电介质材料的厚度限定。使用在阵列间产生非常小厚度变化的过程(例如薄膜沉积)可沉积电介质材料。在这样的情况下，化学传感器的传感器表面区域可被非常良好控制，产生阵列间均匀的化学传感器性能和因此简化下游信号处理。通过在大体竖直方向上延伸传感表面，化学传感器可具有小的占地面积，同时也具有足够大的传感表面区域，以避免与小的传感表面相关的噪声问题。化学传感器的占地面积部分由叠加反应区域的宽度(例如直径)决定并且可造小，允许高密度阵列。另外，因为传感表面在侧壁上延伸控制的距离，传感表面区域可相对大。结果，可以以高密度阵列提供低噪声化学传感器，使得可精确检测反应的特征。
图1根据示例性实施方式图解用于核酸测序的系统组件的方块图。组件包括在集成电路设备100上的流动池101、参考电极108、用于测序的多个试剂114、阀组116、洗液110、阀112、流体控制器118、线路120/122/126、通路104/109/111、废物容器106、阵列控制器124，和用户界面128。集成电路设备100包括微孔阵列107叠加传感器阵列，其包括如本文所描述的化学传感器。流动池101包括入口102、出口103和流动腔105，其限定试剂114在微孔阵列107上的流动路径。参考电极108可以是任何适当类型或形状，包括具有流体通路或插入通路111内腔的导线的同心圆柱体。试剂114可通过泵、气压、真空，或其他适当的方法驱动通过流体通路、阀和流动池101，并且在离开流动池101的出口103之后可丢入废物容器106。流体控制器118可用适当的软件控制用于试剂114的驱动力和阀112和阀组116的操作。
微孔阵列107包括反应区域，也本文称为微孔，其操作上与传感器阵列中相应的化学传感器相关联。例如，每个反应区域可耦联适于检测该反应区域中感兴趣的分析物或反应性质的化学传感器。微孔阵列107可整合在集成电路设备100中，从而微孔阵列107和传感器阵列是单个设备或芯片的一部分。流动池101可具有各种构造，用于控制微孔阵列107上试剂114的通路和流速。阵列控制器124为集成电路设备100提供偏压电压和定时和控制信号，用于读取传感器阵列的化学传感器。阵列控制器124也为参考电极108提供参考偏压电压，以使流过微孔阵列107的试剂114偏置。
在实验期间，阵列控制器124通过集成电路设备100上的输出端口经总线127收集和处理来自传感器阵列的化学传感器的输出信号。阵列控制器124可以是计算机或其他计算方式。阵列控制器124可包括储存数据和软件应用的储存器，用于访问数据和执行应用的处理器，和利于与图1中的系统的各种组件通信的组件。在阐释的实施方式中，阵列控制器124在集成电路设备100的外部。在一些可选的实施方式中，一些或所有的阵列控制器124进行的功能通过集成电路设备100上的控制器或其他数据处理器进行。来自化学传感器的输出信号的值指示在微孔阵列107中的相应反应区域中进行的一个或多个反应的物理和/或化学参数。例如，在示例性实施方式中，输出信号的值可使用下述公开的技术处理：2011年12月29日提交的Rearick等美国专利申请号13/339,846，其基于2010年12月30日提交的美国临时专利申请号61/428,743，和2011年1月3日提交的61/429,328，和Hubbell2011年12月29日提交的美国专利申请号13/339,753，其基于2010年12月29日提交的美国临时专利申请号61/428,097，其每一篇通过引用并入本文。用户界面128可显示与流动池101和从集成电路设备100上传感器阵列中的化学传感器接收的输出信号相关的信息。用户界面128也可显示工具设置和控制，并且允许使用者进入或设置工具设置和控制。
流体控制器118可控制递送单个试剂114以预定的流速，以预定的顺序至流动池101和集成电路设备100预定的持续时间。阵列控制器124可然后收集和分析化学传感器的输出信号，其指示响应试剂114的递送发生的化学反应。在实验期间，系统也可监测和控制集成电路设备100的温度，从而发生反应并且在预定的温度下进行测量。
系统可配置为使得单个流体或试剂在操作期间全部多步骤反应中接触参考电极108。可关闭阀112，以防止任何洗液110当试剂114流动时，流入通路109。尽管可停止洗液的流动，在参考电极108、通路109和微孔阵列107之间可仍具有不间断的流体和电通信。可选择参考电极108和通路109和111之间结合点之间的距离，从而几乎没有试剂量流入通路109(和可能扩散至通路111)达到参考电极108。在示例性实施方式中，可选择洗液110连续接触参考电极108，其可尤其用于使用频繁冲洗步骤的多步骤反应。
图2图解了一部分集成电路设备100和流动池101的横截面和展开图。集成电路设备100包括操作上与传感器阵列205相关联的反应区域的微孔阵列107。在操作期间，流动池101的流动腔105限制横跨微孔阵列107中反应区域开孔端递送的试剂的试剂流208。可选择反应区域的体积、形状、纵横比(比如基底宽度与孔深度比例)，和其他尺寸特征，这基于发生的反应的性质，以及采用的试剂、副产物，或标记技术(如果有的话)。传感器阵列205的化学传感器响应微孔阵列107中相关的反应区域的化学反应(和产生与其相关的输出信号)，以检测感兴趣的分析物或反应性质。传感器阵列205的化学传感器可例如是化学灵敏的场效应晶体管(chemFETs)，比如离子灵敏的场效应晶体管(ISFETs)。可用于实施方式的化学传感器和阵列构造的例子描述在Schultz等2010年5月24日提交的美国专利申请号12/785,667(现美国专利号8,546,128)，名称“试剂连续递送的流体系统”Rotherberg等2010年3月10日提交的美国专利申请号12/721,458(现美国专利号8,306,757)，名称“使用大尺寸FET阵列测量分析物的方法和装置”；Rotherberg等2009年5月29日提交的美国专利申请号12/475,311，名称“测量分析物的方法和装置”Rotherberg等2009年5月29日提交的美国专利申请号12/474,897，名称“测量分析物的方法和装置”；Rotherberg等2007年12月17日提交的美国专利申请号12/002,781，名称“测量分析物的方法和装置使用大尺寸FET阵列”；和2005年8月1日提交的美国专利申请号12/474,897(现美国专利号7,575,865)，名称“扩增和测序核酸的方法”，其每一篇通过引用以它们的整体并入本文。
图3根据第一实施方式图解两个代表性化学传感器和它们相应的反应区域的横截面图。图3中，显示两个化学传感器350、351，表示可包括成千上万化学传感器的小部分传感器阵列。化学传感器350耦联至相应的反应区域301，和化学传感器351耦联至相应的反应区域302。化学传感器350是传感器阵列中化学传感器的代表。在阐释的实施例中，化学传感器350是化学灵敏的场效应晶体管(chemFET)，更具体地在该实施例中是离子灵敏的场效应晶体管(ISFET)。化学传感器350包括浮栅结构318，其具有通过导电元件370耦联至反应区域301的传感器板320。图3中可见，传感器板320是浮栅结构318中的最上浮栅导体。在阐释的实施例中，浮栅结构318包括电介质材料层319中导电材料的多个图案化层。
化学传感器350也包括半导体衬底354中的源极区域321和漏极区域322。源极区域321和漏极区域322包括掺杂的半导体材料，其具有的导电类型与衬底354的导电类型不同。例如，源极区域321和漏极区域322可包括掺杂的P型半导体材料，和衬底可包括掺杂的n型半导体材料。通道区域323将源极区域321和漏极区域322分开。浮栅结构318叠加在通道区域323上，并且通过栅极电介质352与衬底354分开。栅极电介质352可以是例如二氧化硅。可选地，其他电介质可用于栅极电介质352。
如图3中所显示，反应区域301在具有侧壁303的开孔中，所述侧部303延伸通过电介质材料310、308至传感器板320的上表面。每个电介质材料310、308可包括一个或多个材料层，比如二氧化硅或氮化硅。开孔包括下部314，其在电介质材料308中并且接近传感器板320。开孔也包括上部315，其在电介质材料310中并且从下部314延伸至电介质材料310的上表面。在阐释的实施方式中，开孔上部315的宽度基本上与开孔下部314的宽度相同。但是，取决于用于产生开孔的材料(一种或多种)和/或蚀刻工艺，开孔上部315的宽度可大于开孔下部314的宽度，或反之亦然。开孔可例如具有圆形横截面。可选地，开孔可非圆形的，例如，横截面可以是正方形、矩形、六边形，或不规则形状的。开孔的尺寸，和它们的间距，可在实施方式之间不同。在一些实施方式中，开孔可具有定义为4倍平面视图横截面面积(A)除以π的平方根(例如，sqrt(4*A/π))不大于5微米，比如不大于3.5微米，不大于2.0微米，不大于1.6微米，不大于1.0微米，不大于0.8微米，不大于0.6微米，不大于0.4微米，不大于0.2微米或甚至不大于0.1微米的特征直径。
开孔的下部314包括电介质材料310的侧壁303上的导电元件370。在阐释的实施方式中，导电元件370的内表面371限定反应区域301的下段。即，在导电元件370的内表面371和化学传感器350的反应区域301之间没有介入沉积材料层。由于该结构，导电元件370的内表面371与开孔共形并且用作化学传感器350的传感表面。本领域技术人员应理解导电元件370的精确形状和尺寸，如同图中阐释的所有其他材料，是工艺依赖性的。
在阐释的实施方式中，导电元件370是开孔下部314中的共形材料层，使得导电元件370延伸横跨传感器板320的上表面。在阐释的实施方式中，导电元件370延伸超过开孔下部314并且进入开孔的上部315。电介质材料310的内表面限定反应区域301的上段。导电元件370可例如沿着侧壁303的至少5％，侧壁303的至少10％，至少25％，至少50％，至少75％，或至少85％延伸，或甚至沿着侧壁303的99％延伸。共形导电元件370的内表面371使得化学传感器350至具有小的平面视图面积，同时也具有足够大的表面积，以避免与小的传感表面相关的噪声问题。化学传感器350的平面视图面积部分由反应区域301的宽度(或直径)决定并且可造小，允许高密度阵列。另外，因为传感表面沿着侧壁303延伸，传感表面区域取决于该延伸的距离和反应区域301的周长，并且可相对大。结果，可以以高密度阵列提供低噪声化学传感器350、351，使得可精确检测反应的特征。
在设备的制造和/或操作期间，可生长导电元件370的薄氧化物材料，其用作化学传感器350的传感材料(例如离子灵敏的传感材料)。是否形成氧化物取决于导电材料、进行的制造方法和操作设备的条件。例如，在一个实施方式中，导电元件370可以是氮化钛，并且氧化钛或氮氧化钛可在制造期间和/或暴露于溶液期间使用期间，在导电元件370的内表面371上生长。在阐释的实施例中，导电元件370显示为单层材料。更一般而言，导电元件370可包括一层或多层各种导电材料，比如金属或陶瓷，这取决于实施方式。导电材料可以是例如金属材料或其合金，或可以是陶瓷材料，或其组合。示例性金属材料包括下述一种：铝、铜、镍、钛、银、金、铂、铪、镧、钽、钨、铱、锆、钯或其组合。示例性陶瓷材料包括下述一种：氮化钛、氮化钛铝、氮氧化钛、氮化钽或其组合。在一些可选的实施方式中，另外的共形传感材料(未显示)沉积在导电元件370上和开孔中。传感材料可包括一个或多个各种不同的材料，以利于对具体的离子灵敏。例如，氮化硅或氮氧化硅，以及金属氧化物比如二氧化硅，氧化铝或氧化钽，一般提供对氢离子的灵敏性，而包括包含缬氨霉素的聚氯乙烯的传感材料提供对钾离子的灵敏性。也可使用对其他离子比如钠、银、铁、溴、碘、钙和硝酸根灵敏的材料，这取决于实施方式。
操作时，反应物、洗液和其他试剂可通过扩散机构340移动进入和离开反应区域301。化学传感器350响应导电元件370附近的电荷324的量(和产生与其相关的输出信号)。分析物溶液中电荷324的存在改变反应区域301中导电元件370和分析物溶液之间界面处的表面电位。电荷324的改变使得改变浮栅结构318上的电压，其接着改变晶体管的阈值电压。可通过测量源极区域321和漏极区域322之间通道区域323中的电流测量阈值电压的该改变。结果，化学传感器350可用于在与源极区域321或漏极区域322连接的阵列线上直接提供基于电流的输出信号，或用另外的电路间接提供基于电压的输出信号。因为电荷324可更高度集中在反应区域301的底部附近，导电元件370沿着开孔的侧壁303延伸的距离在响应电荷324检测的期望信号的振幅，和流体噪声之间折中，所述流体噪声是由于导电元件370和分析物溶液之间电荷的随机波动。增加导电元件370沿着侧壁303延伸的距离增加化学传感器350的流体界面面积，其用于减少流体噪声。但是，由于电荷324扩散离开反应区域301，电荷324的浓度随着距离反应区域301的底部的距离而下降。结果，导电元件370的上侧壁段检测来自具有低电荷浓度的部分信号，其可降低传感器350检测的期望的信号的总体振幅。相反，减小导电元件370沿着侧壁303延伸的距离减小传感表面区域和因此增加流体噪声，但是也增加传感器350检测的期望的信号的总体振幅。
对于非常小的传感表面区域，申请人已经发现流体噪声作为传感表面区域的函数而改变，与期望的信号的振幅不同。因为传感器输出信号的SNR是这两个量的比例，存在导电元件370沿着侧壁303延伸，其中SNR最大的最佳距离。最佳距离可在实施方式之间不同，这取决于导电元件370和电介质材料310的材料特征，反应区域的体积、形状、纵横比(比如基底宽度与孔深度比例)，和其他尺寸特征，发生的反应的性质，以及采用的试剂、副产物，或标记技术(如果有的话)。最佳距离可例如根据经验决定。
如下面参考图4至12更详细描述，导电元件370沿着侧壁303延伸的距离由例如沉积层的蚀刻时间限定。例如，可使用定时蚀刻工艺蚀刻电介质材料310和导电元件370，其产生距离309选择性(例如电介质材料310延伸超过导电元件370的距离)。在这样的情况下，可控制化学传感器的传感器表面区域，产生阵列间均匀的化学传感器性能和简化下游信号处理。
在一个实施方式中，在反应区域301中进行的反应可以是分析反应，以鉴定或测定感兴趣的分析物的特征或特性。这样的反应可直接或间接产生影响导电元件370附近电荷量的副产物。如果这样的副产物以少量产生或快速降解或与其他成分反应，可在反应区域301中同时分析多拷贝的相同分析物以便增加产生的输出信号。在一个实施方式中，多拷贝的分析物可连接至固相载体312，如图3中所显示，在沉积至反应区域301之前或之后。固相载体312可以是微粒、纳米颗粒、珠子、固体或多孔凝胶等等。为了简化和容易阐释，固相载体312在本文也称为粒子。对于核酸分析物，可通过滚环扩增(RCA)、指数RCA，重组酶聚合酶扩增(RPA)，聚合酶链式反应扩增(PCR)，乳液PCR扩增等技术制备多个连接的拷贝，以产生扩增子，而不需要固体载体。
在各种示例性实施方式中，本文所述的方法、系统和计算机可读的介质可有利地用于处理和/或分析从基于电子或电荷的核酸测序获得的数据和信号。在基于电子或电荷的测序(比如，基于pH的测序)中，可通过检测作为聚合酶-催化核苷酸延伸反应的天然副产物产生的离子(例如，氢离子)测定核苷酸并入事件。这可用于对样品或模板核酸测序，所述样品或模板核酸可以是感兴趣的核酸序列的片段，例如，并且其可直接或间接作为克隆群体附接至固体载体，比如粒子、微粒、珠子等。样品或模板核酸可以可操作地结合引物和聚合酶并且可进行重复轮或″流″的脱氧核苷三磷酸(″dNTP″)添加(其在本文可称为″核苷酸流″，由其可产生核苷酸并入)和冲洗。引物可使样品或模板退火从而引物的3′端可当添加与模板中的下一碱基互补的dNTP时通过聚合酶延伸。然后，基于核苷酸流的已知序列和指示每个核苷酸流期间，离子浓度的测量的化学传感器的输出信号，可测定类型的同一性，与耦联化学传感器的反应区域中存在的样品核酸相关的核苷酸(一种或多种)的序列和数量。
图4至12根据第一实施方式阐释形成化学传感器阵列和相应的反应区域的制造工艺的阶段。图4图解在第一阶段形成的结构400。结构400包括用于化学传感器350、351的浮栅结构(例如浮栅结构318)。可通过将栅极电介质材料的层沉积在半导体衬底354上，和将多晶硅(或其他导电材料)的层沉积在栅极电介质材料的层上形成结构400。多晶硅的层和栅极电介质材料的层可然后使用蚀刻掩模蚀刻，以形成栅极电介质元件(例如栅极电介质352)和浮栅结构的最下导电材料元件。在形成离子植入掩模之后，可然后进行离子植入以形成化学传感器的源极和漏极区域(例如源极区域321和漏极区域322)。电介质材料319的第一层可然后沉积在最下导电材料元件的上方。可然后在电介质材料319的第一层中蚀刻的通孔中形成导电插头，以接触浮栅结构的最下导电材料元件。导电材料的层可然后沉积在电介质材料319的第一层上并且图案化，以形成与导电插头电连接的第二导电材料元件。可然后多次重复该过程，以形成图4中显示的完整的浮栅结构318。可选地，可进行其他和/或另外的技术，以形成该结构。形成图4中的结构400可也包括形成另外的元件比如阵列线路(例如行线、列线等)，用于访问化学传感器，衬底354中另外的掺杂区域，和用于操作化学传感器的其他电路(例如选择开关、接入电路、偏置电路等)，这取决于其中实施本文所述的化学传感器的设备和阵列构造。在一些实施方式中，结构的元件可例如使用下面描述的技术制造：Schultz等2010年5月24日提交的美国专利申请号12/785,667(现美国专利号8,546,128)，名称“试剂连续递送的流体系统”；Rotherberg等2010年3月10日提交的美国专利申请号12/721,458(现美国专利号8,306,757)，名称“测量分析物的方法和装置使用大尺寸FET阵列”；Rotherberg等2009年5月29日提交的美国专利申请号12/475,311，名称“测量分析物的方法和装置”；Rotherberg等2009年5月29日提交的美国专利申请号12/474,897，名称“测量分析物的方法和装置”；Rotherberg等2007年12月17日提交的美国专利申请号12/002,781，名称“测量分析物的方法和装置使用大尺寸FET阵列”；和2005年8月1日提交的美国专利申请号12/474,897(现美国专利号7,575,865)，名称“扩增和测序核酸的方法”，其通过参考以它们的整体并入上方。
接下来，具有给定厚度的电介质材料308沉积在图4中阐释的结构400上，产生图5中阐释的结构。电介质材料308包括电介质的一个或多个电介质层。可使用产生阵列之间非常小厚度变化的方法沉积电介质材料308。例如，电介质材料308可包括二氧化硅并且使用高密度等离子体(HDP)沉积来沉积。可使用各种其他技术，比如喷射、活性喷射、原子层沉积(ALD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等。接下来，蚀刻图5中结构的电介质材料308，以形成腔600、602，其延伸至化学传感器350、351的浮栅结构的上表面，产生图6中阐释的结构。可例如通过使用光刻工艺形成腔600、602，以使电介质材料308上的光刻胶层图案化，以限定腔600、602的位置，并且然后使用图案化的光刻胶作为蚀刻掩模非均匀地蚀刻电介质材料308。电介质材料308的非均匀蚀刻可例如是干燥蚀刻工艺，比如基于氟的活性离子蚀刻(RIE)工艺。接下来，在图6中阐释的结构上形成电介质材料310，产生图7中阐释的结构。电介质材料310可包括一层或多层沉积电介质材料，比如二氧化硅或氮化硅。
接下来，蚀刻电介质材料310，以形成开孔，其限定延伸至传感器板320的反应区域301，302，产生图8中阐释的结构。接下来，将共形导电材料的层900沉积在图8中阐释的结构上，产生图9中阐释的结构。导电材料900包括一层或多层导电材料。例如，导电材料900可以是氮化钛层，或钛层。可选地，可使用其他和/或另外的导电材料，比如上面参考导电元件370描述的那些。另外，可沉积大于一个导电材料的层。导电材料900可沉积使用各种技术，比如喷射、活性喷射、原子层沉积(ALD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等。
接下来，在图9中阐释的结构上形成材料1000，产生图10中阐释的结构。材料1000可包括一层或多层沉积电介质材料，比如二氧化硅或氮化硅。可选地，材料1000可包括光刻胶。在一个实施方式中，其中材料1000包括光刻胶的情况下，进行材料1000和导电材料900的部分蚀刻使得显示电介质材料310的距离309(即，暴露侧壁303的距离309)，产生图11中阐释的结构。可一起或分别蚀刻材料1000和导电材料900，这取决于使用的工艺和/或材料(一种或多种)。例如，可使用下述至少一种进行部分蚀刻：O2抗蚀剂蚀刻、Ar溅射突破蚀刻，和氢溴化物钛蚀刻。接下来，蚀刻材料1000，以形成限定延伸至导电元件370、900的反应区域301、302的开孔，产生图12中阐释的结构。在一个实施方式中，可需要使用本领域技术人员已知的技术例如O2等离子体灰化从开孔清洁残留的光刻胶。
图13根据第二实施方式图解了两个代表性化学传感器和它们相应的反应区域的横截面图。图13中阐释的两个代表性化学传感器的结构的一个方面与图3中阐释的两个代表性化学传感器的不同在于图13包括传感器板320上的通孔，在其顶部产生了微孔/纳米孔。因此，图3中结构的制造不同于图13的制造，如在下面更详细阐释。
图14-25根据示例性实施方式阐释了形成化学设备和相应孔结构的阵列的制造工艺的阶段。图14图解了结构1400，其包括化学设备350、351的浮栅结构(例如浮栅结构318)。可根据上面参考图4详细描述的结构400，形成结构1400。如图15中阐释的结构1500中阐释，电介质材料1503可在化学设备350的场效应晶体管的传感器板320上形成。接下来，如图16中所阐释，蚀刻图15中结构1500的电介质材料1503，以形成开孔1618、1620(用于通孔)，其延伸至化学设备350、351的浮栅结构的上表面，产生图16中阐释的结构1600。可例如通过使用光刻工艺使电介质材料1503上的光刻胶层图案化形成开孔1618、1620，以限定开孔1618、1620的位置，并且然后使用图案化的光刻胶作为蚀刻掩模非均匀地蚀刻电介质材料1503。电介质材料1503的非均匀蚀刻可例如是干燥蚀刻工艺，比如基于氟的活性离子蚀刻(RIE)工艺。在阐释的实施方式中，开孔1618、1620由距离1630分开并且开孔1618、1620为用于通孔的适当的尺寸。例如，分开距离1630可以是用于形成开孔1618、1620的工艺(例如光刻工艺)的最小特征尺寸。在这样的情况下，距离1630可明显大于宽度1620。接下来，导电材料的层1704沉积在图16中阐释的结构1600，产生图17中阐释的结构1700。导电材料1704可称为导电线。导电材料1704可包括一层或多层导电材料。例如，导电材料1704可以是氮化钛层，或钛层。可选地，可使用其他和/或另外的导电材料，比如那些上述参考导电元件。另外，可沉积大于一个导电材料的层。导电材料1704可沉积使用各种技术，比如喷射、活性喷射、原子层沉积(ALD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等。
接下来，导电材料的层1805比如钨例如沉积在图17中阐释的结构1700上，产生图18中阐释的结构1800。可使用各种技术，比如喷射、活性喷射、原子层沉积(ALD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等沉积导电材料1805。或任何其他适当的技术。接下来，例如使用化学机械平面化(CMP)工艺使导电材料1704和导电材料1805平面化，产生图19中阐释的结构1900。作为任选的另外步骤，可在平面化的导电材料1704和导电材料1805上形成通孔屏障线(未显示)。例如，通孔屏障线可包括氮化钛。
接下来，在图19中阐释的结构上形成电介质材料2006，产生图20中阐释的结构。电介质材料2006可包括一层或多层沉积电介质材料，比如二氧化硅或氮化硅。接下来，蚀刻电介质材料2006，以形成延伸至平面化的导电材料1704和导电材料1805和电介质材料1503的开孔，产生图21中阐释的结构。当形成开孔时，可部分蚀刻电介质材料1503，使得导电材料1704和导电材料1805在电介质材料1503上方凸起并且突出至开孔，如在阐释的实施方式中可见。接下来，共形导电材料的层2200沉积在图21中阐释的结构中，产生图22中阐释的结构。导电材料2200包括一层或多层导电材料。例如，导电材料2200可以是氮化钛层，或钛层。可选地，可使用其他和/或另外的导电材料，比如上面参考导电元件370描述的那些。另外，可沉积大于一个导电材料的层。导电材料2200可沉积使用各种技术，比如喷射、活性喷射、原子层沉积(ALD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等。
接下来，在图22中阐释的结构上形成材料2300，产生图23中阐释的结构。材料2300可包括一层或多层沉积电介质材料，比如二氧化硅或氮化硅。可选地，材料2300可包括光刻胶。在一个实施方式中，其中材料2300包括光刻胶的情况下，进行材料2300和导电材料2200的部分蚀刻使得显示电介质材料310的距离1309(即，暴露侧壁1303的距离309)，产生图24中阐释的结构。可一起或分别蚀刻材料2300和导电材料2200，这取决于使用的工艺和/或材料(一种或多种)。例如，可使用下述至少一种进行部分蚀刻：O2抗蚀剂蚀刻、Ar溅射突破蚀刻，和氢溴化物钛蚀刻。接下来，蚀刻材料2300，以形成开孔，其限定延伸至导电元件370、2200的反应区域301、302，产生图25中阐释的结构。在一个实施方式中，可需要使用本领域技术人员已知的技术，例如，O2等离子体灰化从开孔清洁残留的光刻胶。
尽管通过参考上面详述的优选实施方式和实施例公开了本发明，但是应当理解这些实施例期望为示意性的而不是限制性的。考虑本领域技术人员容易想到修饰和组合，该修饰和组合在本发明的精神和下述权利要求的范围内。

Claims (19)

1.化学传感器，其包括：
化学灵敏的场效应晶体管，其包括具有上表面的浮栅导体；
材料，其限定延伸至所述浮栅导体的上表面的开孔，所述材料包括在第二电介质下方的第一电介质；和
导电元件，其接触所述浮栅导体的上表面并且沿着所述开孔的侧壁延伸一定的距离。
2.权利要求1所述的化学传感器，其中所述开孔包括所述第一电介质中的下部和所述第二电介质中的上部。
3.权利要求2所述的化学传感器，其中所述开孔的下部的宽度基本上与所述上部的宽度相同。
4.权利要求2所述的化学传感器，其中所述导电元件与开孔的形状共形。
5.权利要求1所述的化学传感器，其中所述导电元件延伸至第二电介质的上表面。
6.权利要求1所述的化学传感器，其中所述导电元件包括限定所述化学传感器的反应区域的下部的内表面，和第二电介质包括限定所述开孔的上部的内表面。
7.权利要求1所述的化学传感器，其中所述导电元件包括导电材料，和所述导电元件的内表面包括所述导电材料的氧化物。
8.权利要求1所述的化学传感器，其中所述化学传感器的传感表面包括所述导电元件的内表面。
9.权利要求1所述的化学传感器，其中所述化学灵敏的场效应晶体管响应于在所述导电元件附近发生的化学反应而产生传感器信号。
10.权利要求1所述的化学传感器，其中所述浮栅导体包括彼此电耦联并且由电介质层分开的多个导体，并且所述浮栅导体是所述多个导体中的最上导体。
11.制造化学传感器的方法，所述方法包括：
形成化学灵敏的场效应晶体管，其包括具有上表面的浮栅导体；
形成材料，其限定延伸至所述浮栅导体的上表面的开孔，所述材料包括在第二电介质下方的第一电介质；和
形成导电元件，其接触所述浮栅导体的上表面并且沿着所述开孔的侧壁延伸一定的距离。
12.权利要求11所述的方法，其中形成所述材料和形成所述导电元件包括：
在所述浮栅导体上形成第一电介质，第一电介质限定延伸至所述浮栅导体的上表面的腔；
在其上形成第二电介质；
蚀刻第二电介质，以暴露所述导电元件，从而限定开孔；和
在所述开孔中形成所述导电元件。
13.权利要求12所述的方法，其中在所述开孔中形成所述导电元件包括：
将导电材料沉积在所述开孔中和第一电介质的上表面上；和
从第二电介质的上表面去除至少一部分所述导电材料。
14.权利要求13所述的方法，其中去除至少部分所述导电材料包括：
将光刻胶层沉积在所述开孔中；和
从第二电介质的上表面与所述光刻胶一起去除至少一部分所述导电材料。
15.权利要求14所述的方法，进一步包括去除残留的光刻胶。
16.权利要求11所述的方法，其中所述导电材料包括钛。
17.权利要求11所述的方法，其中所述开孔是纳米孔。
18.权利要求11所述的方法，其中形成导电元件包括将导电材料共形沉积在所述开孔中。
19.权利要求11所述的方法，其中所述导电元件包括限定所述化学传感器的反应区域的下部的内表面，并且所述第二电介质包括限定所述开孔的上部的内表面。
CN201480016068.7A 2013-03-15 2014-03-05 具有一致传感器表面区域的化学传感器 Active CN105264366B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361790866P 2013-03-15 2013-03-15
US61/790866 2013-03-15
US201361900907P 2013-11-06 2013-11-06
US61/900907 2013-11-06
PCT/US2014/020900 WO2014149780A1 (en) 2013-03-15 2014-03-05 Chemical sensor with consistent sensor surface areas

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105264366A true CN105264366A (zh) 2016-01-20
CN105264366B CN105264366B (zh) 2019-04-16

Family

ID=50349935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480016068.7A Active CN105264366B (zh) 2013-03-15 2014-03-05 具有一致传感器表面区域的化学传感器

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20140264472A1 (zh)
EP (1) EP2972280B1 (zh)
JP (2) JP2016510895A (zh)
CN (1) CN105264366B (zh)
WO (1) WO2014149780A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107090404A (zh) * 2017-04-21 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种基因测序芯片及基因测序方法、基因测序装置
CN107923869A (zh) * 2015-08-25 2018-04-17 生命技术公司 深微阱设计及其制造方法
CN112585459A (zh) * 2018-08-17 2021-03-30 生命技术公司 形成离子传感器的方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2092322B1 (en) 2006-12-14 2016-02-17 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
US8776573B2 (en) 2009-05-29 2014-07-15 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8487790B2 (en) 2010-06-30 2013-07-16 Life Technologies Corporation Chemical detection circuit including a serializer circuit
WO2012003363A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Life Technologies Corporation Ion-sensing charge-accumulation circuits and methods
US11307166B2 (en) 2010-07-01 2022-04-19 Life Technologies Corporation Column ADC
US9970984B2 (en) 2011-12-01 2018-05-15 Life Technologies Corporation Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array
US9841398B2 (en) 2013-01-08 2017-12-12 Life Technologies Corporation Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors
US20140264471A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Life Technologies Corporation Chemical device with thin conductive element
CN105264366B (zh) * 2013-03-15 2019-04-16 生命科技公司 具有一致传感器表面区域的化学传感器
US10458942B2 (en) 2013-06-10 2019-10-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor array having multiple sensors per well
US9023674B2 (en) 2013-09-20 2015-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Biosensing well array with protective layer
US10077472B2 (en) 2014-12-18 2018-09-18 Life Technologies Corporation High data rate integrated circuit with power management
CN107250784B (zh) 2014-12-18 2020-10-23 生命科技公司 具有发送器配置的高数据率集成电路
JP6352843B2 (ja) * 2015-03-24 2018-07-04 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
EP3353323B1 (en) 2015-09-22 2022-03-23 Life Technologies Corporation Systems and methods for analysis of nucleic acids
US10386328B2 (en) * 2016-09-09 2019-08-20 Life Technologies Corporation Chemical sensor with air via
US10483123B2 (en) 2017-04-04 2019-11-19 Life Technologies Corporation Method for making a well disposed over a sensor
WO2018200995A2 (en) * 2017-04-27 2018-11-01 Polybiomics, Inc. Orthogonal polybiosensing and imaging systems
US11338294B2 (en) 2017-04-27 2022-05-24 Polybiomics, Inc. Orthogonal polybiosensing and imaging systems

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1429400A (zh) * 2000-04-11 2003-07-09 克里公司 用于在碳化硅中形成通孔的方法以及所获得的器件和电路
CN101048655A (zh) * 2004-11-26 2007-10-03 迈克纳斯公司 电气元件
US20100301398A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
CN102054839A (zh) * 2009-10-28 2011-05-11 无锡华润上华半导体有限公司 一种mos场效应晶体管结构及其制备方法
US20120060587A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-15 Babcock Jeffrey A Gas Detector that Utilizes an Electric Field to Assist in the Collection and Removal of Gas Molecules
CN102466652A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 财团法人工业技术研究院 血液分析微系统
WO2012152308A1 (en) * 2011-05-06 2012-11-15 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Ion sensitive field effect transistor

Family Cites Families (514)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3531258A (en) 1967-11-16 1970-09-29 Us Health Education & Welfare Apparatus for the automated synthesis of peptides
DE2413703C3 (de) 1974-03-21 1979-01-04 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen Ventilanordnung für die Zuführung flüssiger oder gasförmiger Substanzen zu einem Verarbeitungsgefäß
JPS5530312B2 (zh) 1975-01-16 1980-08-09
US5132418A (en) 1980-02-29 1992-07-21 University Patents, Inc. Process for preparing polynucleotides
JPS57136158A (en) 1981-02-17 1982-08-23 Sumitomo Electric Ind Ltd Ph electrode
GB2096824A (en) 1981-04-09 1982-10-20 Sibbald Alastair Chemically sensitive field effect transistor
DE3269784D1 (en) 1981-05-15 1986-04-17 Licentia Gmbh Method for measuring ionic concentrations
FR2510260A1 (fr) 1981-07-24 1983-01-28 Suisse Fond Rech Microtech Dispositif semiconducteur sensible aux ions
US4438354A (en) 1981-08-14 1984-03-20 American Microsystems, Incorporated Monolithic programmable gain-integrator stage
US4411741A (en) 1982-01-12 1983-10-25 University Of Utah Apparatus and method for measuring the concentration of components in fluids
US4558845A (en) 1982-09-22 1985-12-17 Hunkapiller Michael W Zero dead volume valve
NL8302964A (nl) 1983-08-24 1985-03-18 Cordis Europ Inrichting voor het bepalen van de aktiviteit van een ion (pion) in een vloeistof.
NL8303792A (nl) 1983-11-03 1985-06-03 Cordis Europ Inrichting voorzien van een op een isfet gebaseerd meetcircuit; voor toepassing in het meetcircuit geschikte isfet en werkwijze ter vervaardiging van een in het meetcircuit toe te passen isfet.
JPS60128345A (ja) 1983-12-15 1985-07-09 Olympus Optical Co Ltd イオン濃度測定装置
US4660063A (en) 1985-03-18 1987-04-21 General Electric Company Immersion type ISFET
DE3513168A1 (de) 1985-04-12 1986-10-16 Thomas 8000 München Dandekar Biosensor bestehend aus einem halbleiter auf silizium oder kohlenstoffbasis (elektronischer teil) und nukleinbasen (od. anderen biol. monomeren)
US4743954A (en) 1985-06-07 1988-05-10 University Of Utah Integrated circuit for a chemical-selective sensor with voltage output
US4863849A (en) 1985-07-18 1989-09-05 New York Medical College Automatable process for sequencing nucleotide
EP0213825A3 (en) 1985-08-22 1989-04-26 Molecular Devices Corporation Multiple chemically modulated capacitance
GB8522785D0 (en) 1985-09-14 1985-10-16 Emi Plc Thorn Chemical-sensitive semiconductor device
US5140393A (en) 1985-10-08 1992-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Sensor device
US4822566A (en) 1985-11-19 1989-04-18 The Johns Hopkins University Optimized capacitive sensor for chemical analysis and measurement
JPS62237349A (ja) 1986-04-08 1987-10-17 Nec Corp 水素イオン濃度分布測定装置
US4864229A (en) 1986-05-03 1989-09-05 Integrated Ionics, Inc. Method and apparatus for testing chemical and ionic sensors
US4722830A (en) 1986-05-05 1988-02-02 General Electric Company Automated multiple stream analysis system
US5082788A (en) 1986-08-27 1992-01-21 Porton Instruments, Inc. Method of sequencing peptides and proteins using a valve block assembly
US5113870A (en) 1987-05-01 1992-05-19 Rossenfeld Joel P Method and apparatus for the analysis, display and classification of event related potentials by interpretation of P3 responses
US4927736A (en) 1987-07-21 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom
JP2825206B2 (ja) 1988-02-08 1998-11-18 アイースタット コーポレーション 金属酸化物電極
US4971903A (en) 1988-03-25 1990-11-20 Edward Hyman Pyrophosphate-based method and apparatus for sequencing nucleic acids
US4874499A (en) 1988-05-23 1989-10-17 Massachusetts Institute Of Technology Electrochemical microsensors and method of making such sensors
US5200051A (en) 1988-11-14 1993-04-06 I-Stat Corporation Wholly microfabricated biosensors and process for the manufacture and use thereof
US4893088A (en) 1988-11-16 1990-01-09 Harris Corporation Transimpedance focal plane processor
US4990974A (en) 1989-03-02 1991-02-05 Thunderbird Technologies, Inc. Fermi threshold field effect transistor
JPH02250331A (ja) 1989-03-24 1990-10-08 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
DE68925897T2 (de) 1989-04-28 1996-10-02 Ibm Gate-Array-Zelle, bestehend aus FET's von verschiedener und optimierter Grösse
JP2789109B2 (ja) 1989-05-25 1998-08-20 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5143854A (en) 1989-06-07 1992-09-01 Affymax Technologies N.V. Large scale photolithographic solid phase synthesis of polypeptides and receptor binding screening thereof
US6919211B1 (en) 1989-06-07 2005-07-19 Affymetrix, Inc. Polypeptide arrays
JP3001104B2 (ja) 1989-10-04 2000-01-24 オリンパス光学工業株式会社 センサー構造体及びその製造法
IT1238117B (it) 1989-10-16 1993-07-07 Marelli Autronica Circuito a condensatori commutati, integrabile in tecnologia mos, con funzione di raddrizzatore a doppia semionda e di integratore
US5110441A (en) 1989-12-14 1992-05-05 Monsanto Company Solid state ph sensor
JP3120237B2 (ja) 1990-01-10 2000-12-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 イメージセンサ
US5126022A (en) 1990-02-28 1992-06-30 Soane Tecnologies, Inc. Method and device for moving molecules by the application of a plurality of electrical fields
US6054034A (en) 1990-02-28 2000-04-25 Aclara Biosciences, Inc. Acrylic microchannels and their use in electrophoretic applications
US5126759A (en) 1990-06-26 1992-06-30 Eastman Kodak Company Non-impact printer with token bit control of data and current regulation signals
US5202576A (en) 1990-08-29 1993-04-13 Texas Instruments Incorporated Asymmetrical non-volatile memory cell, arrays and methods for fabricating same
US5317407A (en) 1991-03-11 1994-05-31 General Electric Company Fixed-pattern noise correction circuitry for solid-state imager
KR940010562B1 (ko) 1991-09-06 1994-10-24 손병기 Ta_2O_5수소이온 감지막을 갖는 감이온 전계효과 트랜지스터의 제조방법
JPH0580115A (ja) 1991-09-19 1993-04-02 Fujitsu Ltd 不揮発性ランダムアクセスメモリ装置及び不揮発性ランダムアクセスメモリ装置における浮遊ゲート電圧レベルの検出方法
WO1993008464A1 (en) 1991-10-21 1993-04-29 Holm Kennedy James W Method and device for biochemical sensing
US5846708A (en) 1991-11-19 1998-12-08 Massachusetts Institiute Of Technology Optical and electrical methods and apparatus for molecule detection
US5498392A (en) 1992-05-01 1996-03-12 Trustees Of The University Of Pennsylvania Mesoscale polynucleotide amplification device and method
US5637469A (en) 1992-05-01 1997-06-10 Trustees Of The University Of Pennsylvania Methods and apparatus for the detection of an analyte utilizing mesoscale flow systems
US5587128A (en) 1992-05-01 1996-12-24 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Mesoscale polynucleotide amplification devices
JPH0645875A (ja) 1992-07-24 1994-02-18 Nec Corp スイッチトキャパシタ回路
US5313984A (en) 1992-09-24 1994-05-24 Santa Barbara Research Center Multi-fluid, variable sequence, zero dead volume valve and system
DE4232532A1 (de) 1992-09-29 1994-04-28 Ct Fuer Intelligente Sensorik Anordnung und Verfahren zur Erhöhung der Zuverlässigkeit von ionensensitiven Feldeffekttransistoren
US5284566A (en) 1993-01-04 1994-02-08 Bacharach, Inc. Electrochemical gas sensor with wraparound reference electrode
US5436149A (en) 1993-02-19 1995-07-25 Barnes; Wayne M. Thermostable DNA polymerase with enhanced thermostability and enhanced length and efficiency of primer extension
WO1994026029A1 (en) 1993-04-26 1994-11-10 Unifet Incorporated Method and apparatus for multiplexing devices having long thermal time constants
DE69333722T2 (de) * 1993-05-31 2005-12-08 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verfahren zur Verbesserung der Haftung zwischen Dielektrikschichten, an ihrer Grenzfläche, in der Herstellung von Halbleiterbauelementen
JP3413664B2 (ja) 1993-08-12 2003-06-03 ソニー株式会社 電荷転送装置
US5965452A (en) 1996-07-09 1999-10-12 Nanogen, Inc. Multiplexed active biologic array
JPH07169861A (ja) 1993-12-14 1995-07-04 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置
US5414284A (en) * 1994-01-19 1995-05-09 Baxter; Ronald D. ESD Protection of ISFET sensors
US6021172A (en) 1994-01-28 2000-02-01 California Institute Of Technology Active pixel sensor having intra-pixel charge transfer with analog-to-digital converter
AU1911795A (en) 1994-02-09 1995-08-29 Abbott Laboratories Diagnostic flow cell device
JP3351088B2 (ja) 1994-03-28 2002-11-25 松下電工株式会社 電源装置
US5439839A (en) 1994-07-13 1995-08-08 Winbond Electronics Corporation Self-aligned source/drain MOS process
US6001229A (en) 1994-08-01 1999-12-14 Lockheed Martin Energy Systems, Inc. Apparatus and method for performing microfluidic manipulations for chemical analysis
DE4430811C1 (de) 1994-08-30 1995-09-07 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen eines integrierten ionensensitiven Feldeffekttransistors in CMOS-Silizium-Planartechnologie
US6654505B2 (en) 1994-10-13 2003-11-25 Lynx Therapeutics, Inc. System and apparatus for sequential processing of analytes
US6406848B1 (en) 1997-05-23 2002-06-18 Lynx Therapeutics, Inc. Planar arrays of microparticle-bound polynucleotides
US5631704A (en) 1994-10-14 1997-05-20 Lucent Technologies, Inc. Active pixel sensor and imaging system having differential mode
US5490971A (en) 1994-10-25 1996-02-13 Sippican, Inc. Chemical detector
US5585069A (en) 1994-11-10 1996-12-17 David Sarnoff Research Center, Inc. Partitioned microelectronic and fluidic device array for clinical diagnostics and chemical synthesis
US5830645A (en) 1994-12-09 1998-11-03 The Regents Of The University Of California Comparative fluorescence hybridization to nucleic acid arrays
US6001299A (en) 1995-02-21 1999-12-14 Japan Vilene Company, Ltd. Process and apparatus for manufacturing an electret article
DE19512117A1 (de) 1995-04-04 1996-10-10 Itt Ind Gmbh Deutsche Meßeinrichtung
US5856174A (en) 1995-06-29 1999-01-05 Affymetrix, Inc. Integrated nucleic acid diagnostic device
FR2736205B1 (fr) 1995-06-30 1997-09-19 Motorola Semiconducteurs Dispositif detecteur a semiconducteur et son procede de formation
US5646558A (en) 1995-09-27 1997-07-08 Intel Corporation Plurality of distinct multiplexers that operate as a single multiplexer
US5702964A (en) 1995-10-17 1997-12-30 Lg Semicon, Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device having a floating gate
US6825047B1 (en) 1996-04-03 2004-11-30 Applera Corporation Device and method for multiple analyte detection
US6074827A (en) 1996-07-30 2000-06-13 Aclara Biosciences, Inc. Microfluidic method for nucleic acid purification and processing
US6376256B1 (en) 1996-08-21 2002-04-23 Smithkline Beecham Corporation Rapid process for arraying and synthesizing bead-based combinatorial libraries
JPH1078827A (ja) 1996-09-02 1998-03-24 Yokogawa Electric Corp Ｉｃのスタート回路
GB9620209D0 (en) 1996-09-27 1996-11-13 Cemu Bioteknik Ab Method of sequencing DNA
US5894284A (en) 1996-12-02 1999-04-13 Motorola, Inc. Common-mode output sensing circuit
US5958703A (en) 1996-12-03 1999-09-28 Glaxo Group Limited Use of modified tethers in screening compound libraries
US6458547B1 (en) 1996-12-12 2002-10-01 Prolume, Ltd. Apparatus and method for detecting and identifying infectious agents
US6605428B2 (en) 1996-12-20 2003-08-12 Roche Diagnostics Gmbh Method for the direct, exponential amplification and sequencing of DNA molecules and its application
US20030215857A1 (en) 1996-12-20 2003-11-20 Roche Diagnostics Gmbh Method for the direct, exponential amplification and sequencing of DNA molecules and its application
DE19653439A1 (de) 1996-12-20 1998-07-02 Svante Dr Paeaebo Verfahren zur direkten, exponentiellen Amplifikation und Sequenzierung von DNA Molekülen und dessen Anwendung
US5912560A (en) 1997-02-25 1999-06-15 Waferscale Integration Inc. Charge pump circuit for voltage boosting in integrated semiconductor circuits
US5793230A (en) 1997-02-26 1998-08-11 Sandia Corporation Sensor readout detector circuit
US6197557B1 (en) 1997-03-05 2001-03-06 The Regents Of The University Of Michigan Compositions and methods for analysis of nucleic acids
US7622294B2 (en) 1997-03-14 2009-11-24 Trustees Of Tufts College Methods for detecting target analytes and enzymatic reactions
US6327410B1 (en) 1997-03-14 2001-12-04 The Trustees Of Tufts College Target analyte sensors utilizing Microspheres
US6391622B1 (en) 1997-04-04 2002-05-21 Caliper Technologies Corp. Closed-loop biochemical analyzers
US6872527B2 (en) 1997-04-16 2005-03-29 Xtrana, Inc. Nucleic acid archiving
JP3666604B2 (ja) 1997-04-16 2005-06-29 アプレラ コーポレーション 核酸アーカイビング
US5944970A (en) * 1997-04-29 1999-08-31 Honeywell Inc. Solid state electrochemical sensors
US5911873A (en) 1997-05-02 1999-06-15 Rosemount Analytical Inc. Apparatus and method for operating an ISFET at multiple drain currents and gate-source voltages allowing for diagnostics and control of isopotential points
US7220550B2 (en) 1997-05-14 2007-05-22 Keensense, Inc. Molecular wire injection sensors
US6969488B2 (en) 1998-05-22 2005-11-29 Solexa, Inc. System and apparatus for sequential processing of analytes
JP4231560B2 (ja) 1997-05-29 2009-03-04 株式会社堀場製作所 化学量の分布の電気化学的測定方法および装置
US6002299A (en) 1997-06-10 1999-12-14 Cirrus Logic, Inc. High-order multipath operational amplifier with dynamic offset reduction, controlled saturation current limiting, and current feedback for enhanced conditional stability
FR2764702B1 (fr) 1997-06-11 1999-09-03 Lyon Ecole Centrale Procede d'identification et/ou de dosage de substances biologiques, presentes dans un liquide conducteur, dispositif et capteur d'affinite utiles pour la mise en oeuvre de ce procede
US5923421A (en) 1997-07-24 1999-07-13 Lockheed Martin Energy Research Corporation Chemical detection using calorimetric spectroscopy
US6465178B2 (en) 1997-09-30 2002-10-15 Surmodics, Inc. Target molecule attachment to surfaces
US6432360B1 (en) 1997-10-10 2002-08-13 President And Fellows Of Harvard College Replica amplification of nucleic acid arrays
US6511803B1 (en) 1997-10-10 2003-01-28 President And Fellows Of Harvard College Replica amplification of nucleic acid arrays
US6485944B1 (en) 1997-10-10 2002-11-26 President And Fellows Of Harvard College Replica amplification of nucleic acid arrays
CA2306126A1 (en) 1997-10-15 1999-04-22 Aclara Biosciences, Inc. Laminate microstructure device and method for making same
KR100251528B1 (ko) 1997-10-22 2000-04-15 김덕중 복수개의 센스 소오스 패드를 구비한 센스 전계효과 트랜지스터
US6369737B1 (en) 1997-10-30 2002-04-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method and apparatus for converting a low dynamic range analog signal to a large dynamic range floating-point digital representation
EP0928101A3 (en) 1997-12-31 2001-05-02 Texas Instruments Incorporated CMOS area array sensors
JP4183789B2 (ja) 1998-01-14 2008-11-19 株式会社堀場製作所 物理現象および／または化学現象の検出装置
US7090975B2 (en) 1998-03-13 2006-08-15 Promega Corporation Pyrophosphorolysis and incorporation of nucleotide method for nucleic acid detection
EP1070244A4 (en) 1998-04-09 2002-04-17 California Inst Of Techn ELECTRONIC TECHNIQUES USED FOR THE DETECTION OF ANALYTES
US6780591B2 (en) 1998-05-01 2004-08-24 Arizona Board Of Regents Method of determining the nucleotide sequence of oligonucleotides and DNA molecules
EP1082458A1 (en) 1998-05-01 2001-03-14 Arizona Board Of Regents Method of determining the nucleotide sequence of oligonucleotides and dna molecules
US7875440B2 (en) 1998-05-01 2011-01-25 Arizona Board Of Regents Method of determining the nucleotide sequence of oligonucleotides and DNA molecules
CA2335951C (en) 1998-06-24 2013-07-30 Mark S. Chee Decoding of array sensors with microspheres
US6195585B1 (en) 1998-06-26 2001-02-27 Advanced Bionics Corporation Remote monitoring of implantable cochlear stimulator
US6787111B2 (en) 1998-07-02 2004-09-07 Amersham Biosciences (Sv) Corp. Apparatus and method for filling and cleaning channels and inlet ports in microchips used for biological analysis
JP4137239B2 (ja) 1998-08-03 2008-08-20 株式会社堀場製作所 Ｉｓｆｅｔアレイ
US6191444B1 (en) 1998-09-03 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Mini flash process and circuit
KR100324914B1 (ko) 1998-09-25 2002-02-28 니시무로 타이죠 기판의 검사방법
US6353324B1 (en) 1998-11-06 2002-03-05 Bridge Semiconductor Corporation Electronic circuit
AU3691700A (en) 1998-12-11 2000-07-03 Symyx Technologies, Inc. Sensor array-based system and method for rapid materials characterization
ATE319857T1 (de) 1998-12-14 2006-03-15 Li Cor Inc Kit und methode zur nukleinsäuresequenzierung einzelner moleküle durch polymerase synthese
DE19857953C2 (de) 1998-12-16 2001-02-15 Conducta Endress & Hauser Vorrichtung zum Messen der Konzentration von Ionen in einer Meßflüssigkeit
US6429027B1 (en) 1998-12-28 2002-08-06 Illumina, Inc. Composite arrays utilizing microspheres
US6361671B1 (en) 1999-01-11 2002-03-26 The Regents Of The University Of California Microfabricated capillary electrophoresis chip and method for simultaneously detecting multiple redox labels
GB9901475D0 (en) 1999-01-22 1999-03-17 Pyrosequencing Ab A method of DNA sequencing
US20020150909A1 (en) 1999-02-09 2002-10-17 Stuelpnagel John R. Automated information processing in randomly ordered arrays
EP1157431A1 (en) 1999-02-22 2001-11-28 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem A hybrid electrical device with biological components
ATE469699T1 (de) 1999-02-23 2010-06-15 Caliper Life Sciences Inc Manipulation von mikroteilchen in mikrofluiden systemen
US20050191698A1 (en) 1999-04-20 2005-09-01 Illumina, Inc. Nucleic acid sequencing using microsphere arrays
US20030108867A1 (en) 1999-04-20 2003-06-12 Chee Mark S Nucleic acid sequencing using microsphere arrays
US6355431B1 (en) 1999-04-20 2002-03-12 Illumina, Inc. Detection of nucleic acid amplification reactions using bead arrays
EP1192447A2 (en) 1999-05-12 2002-04-03 Aclara BioSciences, Inc. Multiplexed fluorescent detection in microfluidic devices
US7097973B1 (en) 1999-06-14 2006-08-29 Alpha Mos Method for monitoring molecular species within a medium
US6818395B1 (en) 1999-06-28 2004-11-16 California Institute Of Technology Methods and apparatus for analyzing polynucleotide sequences
CA2379130A1 (en) 1999-07-16 2001-01-25 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for the delivery of samples to a chemical sensor array
US6459398B1 (en) 1999-07-20 2002-10-01 D.S.P.C. Technologies Ltd. Pulse modulated digital to analog converter (DAC)
US6977145B2 (en) 1999-07-28 2005-12-20 Serono Genetics Institute S.A. Method for carrying out a biochemical protocol in continuous flow in a microreactor
US6423536B1 (en) 1999-08-02 2002-07-23 Molecular Dynamics, Inc. Low volume chemical and biochemical reaction system
US7211390B2 (en) 1999-09-16 2007-05-01 454 Life Sciences Corporation Method of sequencing a nucleic acid
US7244559B2 (en) 1999-09-16 2007-07-17 454 Life Sciences Corporation Method of sequencing a nucleic acid
US6274320B1 (en) 1999-09-16 2001-08-14 Curagen Corporation Method of sequencing a nucleic acid
US6671341B1 (en) 1999-09-17 2003-12-30 Agere Systems, Inc. Glitch-free phase switching synthesizer
US7124221B1 (en) 1999-10-19 2006-10-17 Rambus Inc. Low latency multi-level communication interface
US6878255B1 (en) 1999-11-05 2005-04-12 Arrowhead Center, Inc. Microfluidic devices with thick-film electrochemical detection
GB9926956D0 (en) 1999-11-13 2000-01-12 Koninkl Philips Electronics Nv Amplifier
US6518024B2 (en) 1999-12-13 2003-02-11 Motorola, Inc. Electrochemical detection of single base extension
US20030148301A1 (en) 1999-12-10 2003-08-07 Toshiya Aono Method of detecting nucleotide polymorphism
EP1241266A4 (en) 1999-12-10 2004-11-17 Toyo Boseki METHOD FOR DETECTING NUCLEIC ACID POLYMORPHISMS
JP2001175340A (ja) 1999-12-14 2001-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電位発生回路
US6372291B1 (en) * 1999-12-23 2002-04-16 Applied Materials, Inc. In situ deposition and integration of silicon nitride in a high density plasma reactor
DE19963509A1 (de) 1999-12-28 2001-07-05 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung hochreiner Schwefelsäure
ATE283579T1 (de) 2000-02-14 2004-12-15 Koninkl Philips Electronics Nv Strom-spannungsumwandler mit steuerbarer verstärkung und signalverarbeitender schaltkreis mit einem solchen umwandler
WO2001061044A1 (en) 2000-02-15 2001-08-23 Lynx Therapeutics, Inc. Data analysis and display system for ligation-based dna sequencing
AU2001238389B2 (en) 2000-02-16 2006-09-21 Illumina, Inc. Parallel genotyping of multiple patient samples
US6649416B1 (en) 2000-02-18 2003-11-18 Trustees Of Tufts College Intelligent electro-optical sensor array and method for analyte detection
FR2805826B1 (fr) 2000-03-01 2002-09-20 Nucleica Nouvelles puces a adn
WO2001064344A2 (en) 2000-03-02 2001-09-07 Microchips, Inc. Microfabricated devices for the storage and selective exposure of chemicals and devices
JP3442338B2 (ja) 2000-03-17 2003-09-02 株式会社日立製作所 Ｄｎａ分析装置、ｄｎａ塩基配列決定装置、ｄｎａ塩基配列決定方法、および反応モジュール
DE50107049D1 (de) 2000-03-30 2005-09-15 Infineon Technologies Ag Sensor-anordnung und verfahren zum erfassen eines zustands eines transistors einer sensor-anordnung
US20040002470A1 (en) 2000-04-13 2004-01-01 Tim Keith Novel human gene relating to respiratory diseases, obesity, and inflammatory bowel disease
US8232582B2 (en) 2000-04-24 2012-07-31 Life Technologies Corporation Ultra-fast nucleic acid sequencing device and a method for making and using the same
US6413792B1 (en) 2000-04-24 2002-07-02 Eagle Research Development, Llc Ultra-fast nucleic acid sequencing device and a method for making and using the same
AU2001259128A1 (en) 2000-04-24 2001-11-07 Eagle Research And Development, Llc An ultra-fast nucleic acid sequencing device and a method for making and using the same
US7001792B2 (en) 2000-04-24 2006-02-21 Eagle Research & Development, Llc Ultra-fast nucleic acid sequencing device and a method for making and using the same
US7682837B2 (en) 2000-05-05 2010-03-23 Board Of Trustees Of Leland Stanford Junior University Devices and methods to form a randomly ordered array of magnetic beads and uses thereof
US8133698B2 (en) 2000-05-15 2012-03-13 Silver James H Sensors for detecting substances indicative of stroke, ischemia, infection or inflammation
US20020042388A1 (en) 2001-05-01 2002-04-11 Cooper Mark J. Lyophilizable and enhanced compacted nucleic acids
US20020168678A1 (en) 2000-06-07 2002-11-14 Li-Cor, Inc. Flowcell system for nucleic acid sequencing
AU2001271401A1 (en) 2000-06-23 2002-01-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Microelectronic device and method for label-free detection and quantification ofbiological and chemical molecules
DE60131194T2 (de) 2000-07-07 2008-08-07 Visigen Biotechnologies, Inc., Bellaire Sequenzbestimmung in echtzeit
US6611037B1 (en) 2000-08-28 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Multi-trench region for accumulation of photo-generated charge in a CMOS imager
US6939451B2 (en) 2000-09-19 2005-09-06 Aclara Biosciences, Inc. Microfluidic chip having integrated electrodes
EP1330306A2 (en) 2000-10-10 2003-07-30 BioTrove, Inc. Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof
US6537881B1 (en) 2000-10-16 2003-03-25 Advanced Micro Devices, Inc. Process for fabricating a non-volatile memory device
US6558626B1 (en) 2000-10-17 2003-05-06 Nomadics, Inc. Vapor sensing instrument for ultra trace chemical detection
AU2002241803A1 (en) 2000-10-20 2002-06-18 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Transient electrical signal based methods and devices for characterizing molecular interaction and/or motion in a sample
US6770472B2 (en) 2000-11-17 2004-08-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Direct DNA sequencing with a transcription protein and a nanometer scale electrometer
KR100984603B1 (ko) 2000-12-11 2010-09-30 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 나노센서
GB2370410A (en) 2000-12-22 2002-06-26 Seiko Epson Corp Thin film transistor sensor
DE10065013B4 (de) 2000-12-23 2009-12-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements
KR20020055785A (ko) 2000-12-29 2002-07-10 구본준, 론 위라하디락사 횡전계 방식의 액정표시장치
WO2002079514A1 (en) 2001-01-10 2002-10-10 The Trustees Of Boston College Dna-bridged carbon nanotube arrays
JP2002221510A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Japan Science & Technology Corp 蓄積型化学・物理現象検出装置
JP4809983B2 (ja) 2001-02-14 2011-11-09 明彦 谷岡 生体高分子とリガンドとの相互作用を検出する装置及びその方法
EP1236804A1 (en) 2001-03-02 2002-09-04 Boehringer Mannheim Gmbh A method for determination of a nucleic acid using a control
DE10111458B4 (de) 2001-03-09 2008-09-11 Siemens Ag Analyseeinrichtung
US8114591B2 (en) 2001-03-09 2012-02-14 Dna Electronics Ltd. Sensing apparatus and method
GB0105831D0 (en) 2001-03-09 2001-04-25 Toumaz Technology Ltd Method for dna sequencing utilising enzyme linked field effect transistors
JP2004523243A (ja) 2001-03-12 2004-08-05 カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー 非同期性塩基伸長によってポリヌクレオチド配列を分析するための方法および装置
US7027932B2 (en) 2001-03-21 2006-04-11 Olympus Optical Co., Ltd. Biochemical examination method
JP2002272463A (ja) 2001-03-22 2002-09-24 Olympus Optical Co Ltd 一塩基多型の型を判定する方法
US20050058990A1 (en) 2001-03-24 2005-03-17 Antonio Guia Biochip devices for ion transport measurement, methods of manufacture, and methods of use
US20040146849A1 (en) 2002-01-24 2004-07-29 Mingxian Huang Biochips including ion transport detecting structures and methods of use
EP1384022A4 (en) 2001-04-06 2004-08-04 California Inst Of Techn AMPLIFICATION OF NUCLEIC ACID USING MICROFLUIDIC DEVICES
US6418968B1 (en) 2001-04-20 2002-07-16 Nanostream, Inc. Porous microfluidic valves
KR100442838B1 (ko) 2001-12-11 2004-08-02 삼성전자주식회사 프로브의 고정화 검출방법 및 상기 프로브와 표적시료의결합정도 검출방법
KR100455283B1 (ko) 2001-04-23 2004-11-08 삼성전자주식회사 물질 유로의 측벽에 형성된 ｍｏｓｆｅｔ으로 이루어진물질 검출용 칩, 이를 포함하는 물질 검출 장치, 이의제조 방법 및 물질 검출 장치를 이용한 물질 검출 방법
WO2002086162A1 (en) 2001-04-23 2002-10-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Molecular detection chip including mosfet, molecular detection device employing the chip, and molecular detection method using the device
US6571189B2 (en) 2001-05-14 2003-05-27 Hewlett-Packard Company System and method for scanner calibration
US20040023253A1 (en) 2001-06-11 2004-02-05 Sandeep Kunwar Device structure for closely spaced electrodes
US20050009022A1 (en) 2001-07-06 2005-01-13 Weiner Michael P. Method for isolation of independent, parallel chemical micro-reactions using a porous filter
US7668697B2 (en) 2006-02-06 2010-02-23 Andrei Volkov Method for analyzing dynamic detectable events at the single molecule level
DE10133363A1 (de) 2001-07-10 2003-01-30 Infineon Technologies Ag Messzelle und Messfeld mit solchen Messzellen sowie Verwendung einer Messzelle und Verwendung eines Messfeldes
US7485443B2 (en) 2001-07-17 2009-02-03 Northwestern University Solid-phase reactions
JP2003032908A (ja) 2001-07-19 2003-01-31 Nisshinbo Ind Inc キャパシタ組電池、その制御方法、その制御装置及び自動車用蓄電システム
DK1412487T3 (da) 2001-07-30 2010-08-30 Meso Scale Technologies Llc Assayelektroder der har immobiliserede lipid/proteinlag og fremgangsmåder til at fremstille og anvende disse
US6490220B1 (en) 2001-08-13 2002-12-03 Micron Technology, Inc. Method for reliably shutting off oscillator pulses to a charge-pump
JP4623887B2 (ja) 2001-08-27 2011-02-02 オー・エイチ・ティー株式会社 検査装置用センサ及び検査装置
US6929944B2 (en) 2001-08-31 2005-08-16 Beckman Coulter, Inc. Analysis using a distributed sample
GB0121602D0 (en) 2001-09-06 2001-10-24 Randox Lab Ltd Molecular array
US20030054396A1 (en) 2001-09-07 2003-03-20 Weiner Michael P. Enzymatic light amplification
DE10151021A1 (de) 2001-10-16 2003-04-30 Infineon Technologies Ag Sensor-Anordnung
DE10151020A1 (de) 2001-10-16 2003-04-30 Infineon Technologies Ag Schaltkreis-Anordnung, Sensor-Array und Biosensor-Array
US6795117B2 (en) 2001-11-06 2004-09-21 Candela Microsystems, Inc. CMOS image sensor with noise cancellation
WO2003042697A1 (en) 2001-11-14 2003-05-22 Genospectra, Inc. Biochemical analysis system with combinatorial chemistry applications
JP4195859B2 (ja) 2001-11-16 2008-12-17 株式会社バイオエックス Ｆｅｔ型センサと、そのセンサを用いたイオン濃度検出方法及び塩基配列検出方法
EP1460130B1 (en) 2001-12-19 2007-03-21 Hitachi High-Technologies Corporation Potentiometric dna microarray, process for producing the same and method of analyzing nucleic acid
US20050106587A1 (en) 2001-12-21 2005-05-19 Micronas Gmbh Method for determining of nucleic acid analytes
US6518146B1 (en) 2002-01-09 2003-02-11 Motorola, Inc. Semiconductor device structure and method for forming
FR2835058B1 (fr) 2002-01-21 2004-03-12 Centre Nat Rech Scient Procede de detection d'au moins un parametre caracteristique de molecules sondes fixees sur au moins une zone active d'un capteur
US7772383B2 (en) 2002-01-25 2010-08-10 The Trustees Of Princeton University Chemical PCR: Compositions for enhancing polynucleotide amplification reactions
KR100403637B1 (ko) 2002-01-26 2003-10-30 삼성전자주식회사 출력 일그러짐을 최소화하는 파워 앰프 클리핑 회로
US6614301B2 (en) 2002-01-31 2003-09-02 Intel Corporation Differential amplifier offset adjustment
US7276749B2 (en) 2002-02-05 2007-10-02 E-Phocus, Inc. Image sensor with microcrystalline germanium photodiode layer
US6926865B2 (en) 2002-02-11 2005-08-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for detecting DNA hybridization
JP2003258128A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Nec Electronics Corp 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法ならびにその動作方法
US7223371B2 (en) 2002-03-14 2007-05-29 Micronics, Inc. Microfluidic channel network device
US6953958B2 (en) 2002-03-19 2005-10-11 Cornell Research Foundation, Inc. Electronic gain cell based charge sensor
JP2003279532A (ja) 2002-03-22 2003-10-02 Horiba Ltd 化学濃度センサおよび化学濃度センサの製造方法
JP3856380B2 (ja) 2002-04-26 2006-12-13 テイカ株式会社 コンポジット圧電振動子およびその製造方法
JP2003322633A (ja) 2002-05-01 2003-11-14 Seiko Epson Corp センサセル、バイオセンサ及びこれらの製造方法
US20030215791A1 (en) 2002-05-20 2003-11-20 Applied Spectral Imaging Ltd. Method of and system for multiplexed analysis by spectral imaging
US6828685B2 (en) 2002-06-14 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory device having a semiconducting polymer film
US6894930B2 (en) 2002-06-19 2005-05-17 Sandisk Corporation Deep wordline trench to shield cross coupling between adjacent cells for scaled NAND
WO2004003535A1 (en) 2002-06-27 2004-01-08 Nanosys Inc. Planar nanowire based sensor elements, devices, systems and methods for using and making same
US7092757B2 (en) 2002-07-12 2006-08-15 Cardiac Pacemakers, Inc. Minute ventilation sensor with dynamically adjusted excitation current
US6885827B2 (en) 2002-07-30 2005-04-26 Amplification Technologies, Inc. High sensitivity, high resolution detection of signals
EP1525470A2 (de) 2002-07-31 2005-04-27 Infineon Technologies AG Sensor-anordnung
US7842377B2 (en) 2003-08-08 2010-11-30 Boston Scientific Scimed, Inc. Porous polymeric particle comprising polyvinyl alcohol and having interior to surface porosity-gradient
CN100392097C (zh) 2002-08-12 2008-06-04 株式会社日立高新技术 使用dna微阵列的核酸检测方法以及核酸检测装置
US7267751B2 (en) 2002-08-20 2007-09-11 Nanogen, Inc. Programmable multiplexed active biologic array
GB0219541D0 (en) 2002-08-22 2002-10-02 Secr Defence Method and apparatus for stand-off chemical detection
JP4092990B2 (ja) 2002-09-06 2008-05-28 株式会社日立製作所 生体および化学試料検査装置
US8449824B2 (en) 2002-09-09 2013-05-28 Yizhong Sun Sensor instrument system including method for detecting analytes in fluids
US7595883B1 (en) 2002-09-16 2009-09-29 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Biological analysis arrangement and approach therefor
SE0202867D0 (sv) 2002-09-27 2002-09-27 Pyrosequencing Ab New sequencing method
CN1500887A (zh) 2002-10-01 2004-06-02 松下电器产业株式会社 引物伸长反应检测方法、碱基种类判别方法及其装置
WO2004034025A2 (en) 2002-10-10 2004-04-22 Nanosys, Inc. Nano-chem-fet based biosensors
DE10247889A1 (de) 2002-10-14 2004-04-22 Infineon Technologies Ag Sensor-Anordnung und Verfahren zum Betreiben einer Sensor-Anordnung
US20040079636A1 (en) 2002-10-25 2004-04-29 Chin Hsia Biomedical ion sensitive semiconductor sensor and sensor array
AU2003285092A1 (en) 2002-10-29 2004-05-25 Cornell Research Foundation, Inc. Chemical-sensitive floating gate field effect transistor
US6700814B1 (en) 2002-10-30 2004-03-02 Motorola, Inc. Sense amplifier bias circuit for a memory having at least two distinct resistance states
CN1717437B (zh) 2002-11-01 2012-03-28 佐治亚技术研究公司 牺牲组合物、其应用以及分解方法
DE10251757B4 (de) 2002-11-05 2006-03-09 Micronas Holding Gmbh Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration von in einer zu untersuchenden Probe enthaltenen Liganden
US7022288B1 (en) 2002-11-13 2006-04-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Chemical detection sensor system
US20040130377A1 (en) 2002-11-26 2004-07-08 Akira Takeda Switched capacitor amplifier circuit and electronic device
DE10255755B4 (de) 2002-11-28 2006-07-13 Schneider, Christian, Dr. Integrierte elektronische Schaltung mit Feldeffekt-Sensoren zum Nachweis von Biomolekülen
CN1720438A (zh) 2002-11-29 2006-01-11 日本电气株式会社 分离设备和分离方法
US7163659B2 (en) 2002-12-03 2007-01-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Free-standing nanowire sensor and method for detecting an analyte in a fluid
US20080047836A1 (en) 2002-12-05 2008-02-28 David Strand Configurable Microfluidic Substrate Assembly
US20040197803A1 (en) 2002-12-06 2004-10-07 Hidenobu Yaku Method, primer and kit for determining base type
EP2159285B1 (en) 2003-01-29 2012-09-26 454 Life Sciences Corporation Methods of amplifying and sequencing nucleic acids
US7575865B2 (en) 2003-01-29 2009-08-18 454 Life Sciences Corporation Methods of amplifying and sequencing nucleic acids
US20050006234A1 (en) 2003-02-13 2005-01-13 Arjang Hassibi Semiconductor electrochemical bio-sensor array
US7317484B2 (en) 2003-02-26 2008-01-08 Digital Imaging Systems Gmbh CMOS APS readout scheme that combines reset drain current and the source follower output
US20070262363A1 (en) 2003-02-28 2007-11-15 Board Of Regents, University Of Texas System Low temperature fabrication of discrete silicon-containing substrates and devices
KR100700126B1 (ko) 2003-03-10 2007-03-28 가시오게산키 가부시키가이샤 Ｄｎａ 분석 장치, ｄｎａ 센서, 그리고 분석 방법
JP4586329B2 (ja) 2003-03-10 2010-11-24 カシオ計算機株式会社 Ｄｎａ分析装置及び分析方法
TW586228B (en) 2003-03-19 2004-05-01 Univ Chung Yuan Christian Method for fabricating a titanium nitride sensing membrane on an EGFET
TWI235236B (en) 2003-05-09 2005-07-01 Univ Chung Yuan Christian Ion-sensitive circuit
JP2004343441A (ja) 2003-05-15 2004-12-02 Denso Corp 受光回路および距離計測装置
JP3760411B2 (ja) 2003-05-21 2006-03-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション アクティブマトリックスパネルの検査装置、検査方法、およびアクティブマトリックスｏｌｅｄパネルの製造方法
US7291496B2 (en) 2003-05-22 2007-11-06 University Of Hawaii Ultrasensitive biochemical sensor
WO2004109282A1 (en) 2003-06-10 2004-12-16 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Electronic device for communication with living cells
US7250115B2 (en) 2003-06-12 2007-07-31 Agilent Technologies, Inc Nanopore with resonant tunneling electrodes
US6795006B1 (en) 2003-07-18 2004-09-21 Zarlink Semiconductor Ab Integrator reset mechanism
WO2005015156A2 (en) 2003-08-04 2005-02-17 Idaho Research Foundation, Inc. Molecular detector
JP2005077210A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 National Institute For Materials Science 生体分子検出素子及びそれを用いた核酸解析方法
WO2005029040A2 (en) 2003-09-18 2005-03-31 Parallele Biosciences, Inc. System and methods for enhancing signal-to-noise ratios of microarray-based measurements
GB0322010D0 (en) * 2003-09-19 2003-10-22 Univ Cambridge Tech Detection of molecular interactions using field effect transistors
JP2005124126A (ja) 2003-09-24 2005-05-12 Seiko Epson Corp インピーダンス回路網、これを用いたフィルタ回路、増幅回路、半導体集積回路、電子機器及び無線通信装置
US7008550B2 (en) 2003-09-25 2006-03-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for forming a read transducer by ion milling and chemical mechanical polishing to eliminate nonuniformity near the MR sensor
GB0323224D0 (en) 2003-10-03 2003-11-05 Rolls Royce Plc A module for a fuel cell stack
US20070087401A1 (en) 2003-10-17 2007-04-19 Andy Neilson Analysis of metabolic activity in cells using extracellular flux rate measurements
WO2005043160A2 (en) 2003-10-31 2005-05-12 University Of Hawaii Ultrasensitive biochemical sensing platform
US7981362B2 (en) 2003-11-04 2011-07-19 Meso Scale Technologies, Llc Modular assay plates, reader systems and methods for test measurements
US7067886B2 (en) 2003-11-04 2006-06-27 International Business Machines Corporation Method of assessing potential for charging damage in SOI designs and structures for eliminating potential for damage
US20050095602A1 (en) 2003-11-04 2005-05-05 West Jason A. Microfluidic integrated microarrays for biological detection
DE10352917A1 (de) 2003-11-11 2005-06-16 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Sensoranordnung mit mehreren potentiometrischen Sensoren
US7169560B2 (en) 2003-11-12 2007-01-30 Helicos Biosciences Corporation Short cycle methods for sequencing polynucleotides
WO2005054431A2 (en) 2003-12-01 2005-06-16 454 Corporation Method for isolation of independent, parallel chemical micro-reactions using a porous filter
US7279588B2 (en) 2003-12-02 2007-10-09 Seoul National University Foundation Dinuclear metal complex and pyrophosphate assay using the same
EP1697749B1 (en) 2003-12-22 2013-04-17 Imec The use of microelectronic structures for patterned deposition of molecules onto surfaces
US6998666B2 (en) 2004-01-09 2006-02-14 International Business Machines Corporation Nitrided STI liner oxide for reduced corner device impact on vertical device performance
US7462512B2 (en) * 2004-01-12 2008-12-09 Polytechnic University Floating gate field effect transistors for chemical and/or biological sensing
JP4065855B2 (ja) 2004-01-21 2008-03-26 株式会社日立製作所 生体および化学試料検査装置
CA2538232A1 (en) 2004-01-21 2005-08-11 Rosemount Analytical Inc. Ion sensitive field effect transistor (isfet) sensor with improved gate configuration
CA2553833C (en) 2004-01-28 2012-10-02 454 Corporation Nucleic acid amplification with continuous flow emulsion
JP3903183B2 (ja) 2004-02-03 2007-04-11 独立行政法人物質・材料研究機構 遺伝子検出電界効果デバイスおよびこれを用いた遺伝子多型解析方法
US7129883B2 (en) 2004-02-23 2006-10-31 Sony Corporation Method and apparatus for AD conversion, semiconductor device for detecting distribution of physical quantity, and electronic apparatus
JP2005242001A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Agilent Technol Inc Ｔｆｔアレイ試験方法
JP2007526772A (ja) 2004-02-27 2007-09-20 プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ インサイチュー配列決定用ポロニー蛍光ビーズ
CA2557818A1 (en) 2004-03-03 2005-09-15 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Photocleavable fluorescent nucleotides for dna sequencing on chip constructed by site-specific coupling chemistry
US20060057604A1 (en) 2004-03-15 2006-03-16 Thinkfar Nanotechnology Corporation Method for electrically detecting oligo-nucleotides with nano-particles
JP4127679B2 (ja) 2004-03-18 2008-07-30 株式会社東芝 核酸検出カセット及び核酸検出装置
DE102004014537A1 (de) 2004-03-23 2005-10-13 Fujitsu Ltd., Kawasaki Chipintegrierter Detektor zum Analysieren von Flüssigkeiten
WO2005090961A1 (ja) 2004-03-24 2005-09-29 Japan Science And Technology Agency 生体分子に関する形態及び情報をis−fetを利用して検出する測定法およびシステム
US20050221473A1 (en) 2004-03-30 2005-10-06 Intel Corporation Sensor array integrated circuits
US8138496B2 (en) 2004-04-01 2012-03-20 Nanyang Technological University Addressable transistor chip for conducting assays
US7117605B2 (en) 2004-04-13 2006-10-10 Gyrodata, Incorporated System and method for using microgyros to measure the orientation of a survey tool within a borehole
US7544979B2 (en) 2004-04-16 2009-06-09 Technion Research & Development Foundation Ltd. Ion concentration transistor and dual-mode sensors
US7462452B2 (en) 2004-04-30 2008-12-09 Pacific Biosciences Of California, Inc. Field-switch sequencing
TWI261801B (en) 2004-05-24 2006-09-11 Rohm Co Ltd Organic EL drive circuit and organic EL display device using the same organic EL drive circuit
ITTO20040386A1 (it) 2004-06-09 2004-09-09 Infm Istituto Naz Per La Fisi Dispositivo ad effetto di campo per la rilevazione di piccole quantita' di carica elettrica, come quelle generate in processi biomolecolari, immobilizzate nelle vicinanze della superficie.
US7264934B2 (en) 2004-06-10 2007-09-04 Ge Healthcare Bio-Sciences Corp. Rapid parallel nucleic acid analysis
US7361946B2 (en) * 2004-06-28 2008-04-22 Nitronex Corporation Semiconductor device-based sensors
US20060024711A1 (en) 2004-07-02 2006-02-02 Helicos Biosciences Corporation Methods for nucleic acid amplification and sequence determination
GB2416210B (en) 2004-07-13 2008-02-20 Christofer Toumazou Ion sensitive field effect transistors
JP3874772B2 (ja) 2004-07-21 2007-01-31 株式会社日立製作所 生体関連物質測定装置及び測定方法
JP4455215B2 (ja) 2004-08-06 2010-04-21 キヤノン株式会社 撮像装置
US7276453B2 (en) 2004-08-10 2007-10-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for forming an undercut region and electronic devices incorporating the same
TWI258173B (en) 2004-10-08 2006-07-11 Ind Tech Res Inst Polysilicon thin-film ion sensitive FET device and fabrication method thereof
US7190026B2 (en) 2004-08-23 2007-03-13 Enpirion, Inc. Integrated circuit employable with a power converter
JP4608697B2 (ja) 2004-08-27 2011-01-12 独立行政法人物質・材料研究機構 電界効果デバイスを用いたｄｎａ塩基配列解析方法及び塩基配列解析装置
US20070212681A1 (en) 2004-08-30 2007-09-13 Benjamin Shapiro Cell canaries for biochemical pathogen detection
WO2006025481A1 (ja) 2004-09-03 2006-03-09 Japan Science And Technology Agency センサユニット及び反応場セルユニット並びに分析装置
DE102004044299A1 (de) 2004-09-10 2006-03-30 Forschungszentrum Jülich GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Nachweis von geladenen Makromolekülen
US7609303B1 (en) 2004-10-12 2009-10-27 Melexis Tessenderlo Nv Low noise active pixel image sensor using a modified reset value
JP2006138846A (ja) 2004-10-14 2006-06-01 Toshiba Corp 核酸検出センサ、核酸検出チップ及び核酸検出装置
US7534097B2 (en) 2004-10-15 2009-05-19 Nanyang Technological University Method and apparatus for controlling multi-fluid flow in a micro channel
US7381936B2 (en) 2004-10-29 2008-06-03 Ess Technology, Inc. Self-calibrating anti-blooming circuit for CMOS image sensor having a spillover protection performance in response to a spillover condition
WO2006052242A1 (en) 2004-11-08 2006-05-18 Seirad, Inc. Methods and systems for compressing and comparing genomic data
WO2007008246A2 (en) 2004-11-12 2007-01-18 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Charge perturbation detection system for dna and other molecules
WO2006086034A2 (en) 2004-11-18 2006-08-17 Morgan Research Corporation Miniature fourier transform spectrophotometer
US20060205061A1 (en) 2004-11-24 2006-09-14 California Institute Of Technology Biosensors based upon actuated desorption
JP4678676B2 (ja) 2004-12-10 2011-04-27 株式会社堀場製作所 物理現象または化学現象の測定方法または測定装置
US7417231B2 (en) 2004-12-22 2008-08-26 Cti Pet Systems, Inc. Fourier re-binning of time-of-flight positron emission tomography data
US7499513B1 (en) 2004-12-23 2009-03-03 Xilinx, Inc. Method and apparatus for providing frequency synthesis and phase alignment in an integrated circuit
KR100623177B1 (ko) 2005-01-25 2006-09-13 삼성전자주식회사 높은 유전율을 갖는 유전체 구조물, 이의 제조 방법, 이를포함하는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
EP1844328A4 (en) 2005-01-31 2009-09-16 Pacific Biosciences California USE OF REVERSIBLE EXTENSION TERMINATOR IN NUCLEIC ACID SEQUENCING
US20060199493A1 (en) 2005-02-04 2006-09-07 Hartmann Richard Jr Vent assembly
US20060182664A1 (en) 2005-02-14 2006-08-17 Peck Bill J Flow cell devices, systems and methods of using the same
US9040237B2 (en) 2005-03-04 2015-05-26 Intel Corporation Sensor arrays and nucleic acid sequencing applications
US7826980B2 (en) 2005-03-11 2010-11-02 National University Corporation Toyohashi University Of Technology Cumulative chemical/physical phenomenon detecting apparatus
JP2006284225A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Horiba Ltd ポテンシャルの測定方法および測定装置
CA2603576A1 (en) 2005-04-05 2006-10-19 Protein Discovery, Inc. Improved methods and devices for concentration and fractionation of analytes for chemical analysis including matrix-assisted laser desorption/ionization (maldi) mass spectrometry (ms)
US20060228721A1 (en) 2005-04-12 2006-10-12 Leamon John H Methods for determining sequence variants using ultra-deep sequencing
TWI287041B (en) 2005-04-27 2007-09-21 Jung-Tang Huang An ultra-rapid DNA sequencing method with nano-transistors array based devices
GB0509275D0 (en) 2005-05-06 2005-06-15 Univ Cranfield Synthetic receptor
US20060269927A1 (en) 2005-05-25 2006-11-30 Lieber Charles M Nanoscale sensors
DE102005027245A1 (de) 2005-06-13 2006-12-21 Siemens Ag Schaltkreisanordnung
CN1881457A (zh) 2005-06-14 2006-12-20 松下电器产业株式会社 致动器控制方法和使用该方法的盘装置
DK2463386T3 (en) 2005-06-15 2017-07-31 Complete Genomics Inc Nucleic acid analysis using random mixtures of non-overlapping fragments
US9169510B2 (en) 2005-06-21 2015-10-27 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Pyrosequencing methods and related compositions
TW200701588A (en) 2005-06-29 2007-01-01 Leadtrend Tech Corp Dual loop voltage regulation circuit of power supply chip
US7890891B2 (en) 2005-07-11 2011-02-15 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
JP2007035726A (ja) 2005-07-22 2007-02-08 Rohm Co Ltd 半導体装置、モジュールおよび電子機器
EP1913348A1 (en) 2005-08-08 2008-04-23 Corning Incorporated Method for increasing a read-out speed of a ccd-detector
US8129725B2 (en) 2005-08-08 2012-03-06 Microgan Gmbh Semiconductor sensor
US7365597B2 (en) 2005-08-19 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Switched capacitor amplifier with higher gain and improved closed-loop gain accuracy
SG130066A1 (en) 2005-08-26 2007-03-20 Micron Technology Inc Microelectronic device packages, stacked microelectronic device packages, and methods for manufacturing microelectronic devices
JP4353958B2 (ja) 2005-09-15 2009-10-28 株式会社日立製作所 Ｄｎａ計測装置、及びｄｎａ計測方法
ES2379921T3 (es) 2005-09-29 2012-05-07 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Chip microfluídico que puede sintetizar moléculas marcadas radiactivamente en una escala adecuada para la obtención de imágenes en seres humanos con tomografía por emisión de positrones
US7466258B1 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Cornell Research Foundation, Inc. Asynchronous analog-to-digital converter and method
US7794584B2 (en) 2005-10-12 2010-09-14 The Research Foundation Of State University Of New York pH-change sensor and method
US20070096164A1 (en) 2005-10-31 2007-05-03 Peters Kevin F Sensing system
US7335526B2 (en) 2005-10-31 2008-02-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sensing system
TWI295729B (en) 2005-11-01 2008-04-11 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Preparation of a ph sensor, the prepared ph sensor, systems comprising the same, and measurement using the systems
US7239188B1 (en) 2005-11-01 2007-07-03 Integrated Device Technology, Inc. Locked-loop integrated circuits having speed tracking circuits therein
EP1948810A4 (en) 2005-11-04 2010-06-30 Biosyntech Canada Inc COMPOSITION AND METHOD USING CHITOSAN FOR THE EFFICIENT ADMINISTRATION OF NUCLEIC ACIDS TO CELLS
US7538827B2 (en) 2005-11-17 2009-05-26 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Pixel structure
US7576037B2 (en) 2005-11-18 2009-08-18 Mei Technologies, Inc. Process and apparatus for combinatorial synthesis
US20080178692A1 (en) 2007-01-29 2008-07-31 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Fluidic methods
US7566913B2 (en) 2005-12-02 2009-07-28 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices including conductive regions and methods associated with the same
GB2436619B (en) 2005-12-19 2010-10-06 Toumaz Technology Ltd Sensor circuits
KR100718144B1 (ko) 2006-01-09 2007-05-14 삼성전자주식회사 이온 물질 검출용 ｆｅｔ 기반 센서, 그를 포함하는 이온물질 검출 장치 및 그를 이용한 이온 물질 검출 방법
JP2007243003A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US8017938B2 (en) 2006-03-17 2011-09-13 The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services Apparatus for microarray binding sensors having biological probe materials using carbon nanotube transistors
US20070233477A1 (en) 2006-03-30 2007-10-04 Infima Ltd. Lossless Data Compression Using Adaptive Context Modeling
US7923240B2 (en) 2006-03-31 2011-04-12 Intel Corporation Photo-activated field effect transistor for bioanalyte detection
US7590211B1 (en) 2006-04-07 2009-09-15 Altera Corporation Programmable logic device integrated circuit with communications channels having sharing phase-locked-loop circuitry
WO2007123908A2 (en) 2006-04-18 2007-11-01 Advanced Liquid Logic, Inc. Droplet-based multiwell operations
KR100723426B1 (ko) 2006-04-26 2007-05-30 삼성전자주식회사 이온 물질 검출용 전계 효과 트랜지스터 및 그를 이용한이온 물질 검출 방법
EP2481815B1 (en) 2006-05-11 2016-01-27 Raindance Technologies, Inc. Microfluidic devices
WO2007138937A1 (en) 2006-05-26 2007-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4211805B2 (ja) 2006-06-01 2009-01-21 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4404074B2 (ja) 2006-06-30 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置及びデータ伝送方法並びに撮像装置
US8129978B2 (en) 2006-07-13 2012-03-06 National University Corporation Nagoya University Material detector
KR100799577B1 (ko) 2006-08-31 2008-01-30 한국전자통신연구원 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법과 그 센서를포함하는 집적회로 및 그 제조 방법
WO2008027603A1 (en) 2006-09-01 2008-03-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company A non-ignitable gaseous composition comprising difluoromethane and tetrafluoroethylene
US7960776B2 (en) 2006-09-27 2011-06-14 Cornell Research Foundation, Inc. Transistor with floating gate and electret
US20080085219A1 (en) 2006-10-05 2008-04-10 Beebe David J Microfluidic platform and method
US8231831B2 (en) 2006-10-06 2012-07-31 Sharp Laboratories Of America, Inc. Micro-pixelated fluid-assay structure
WO2008133719A2 (en) 2006-11-06 2008-11-06 Biowarn Llc Methodology and apparatus for the detection of biological substances
US20090111706A1 (en) 2006-11-09 2009-04-30 Complete Genomics, Inc. Selection of dna adaptor orientation by amplification
DE102006052863B4 (de) 2006-11-09 2018-03-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schutzstruktur für Halbleitersensoren und deren Verwendung
JP2010511885A (ja) * 2006-12-08 2010-04-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 半導体センサ装置を製造する方法及びこのような方法によって得られた半導体センサ装置
US20080136933A1 (en) 2006-12-11 2008-06-12 Digital Imaging Systems Gmbh Apparatus for controlling operation of a multiple photosensor pixel image sensor
EP2092322B1 (en) 2006-12-14 2016-02-17 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
US8349167B2 (en) 2006-12-14 2013-01-08 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays
US8262900B2 (en) 2006-12-14 2012-09-11 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US7972828B2 (en) 2006-12-19 2011-07-05 Sigma-Aldrich Co. Stabilized compositions of thermostable DNA polymerase and anionic or zwitterionic detergent
US7932034B2 (en) 2006-12-20 2011-04-26 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Heat and pH measurement for sequencing of DNA
US7486145B2 (en) 2007-01-10 2009-02-03 International Business Machines Corporation Circuits and methods for implementing sub-integer-N frequency dividers using phase rotators
JP4325684B2 (ja) 2007-02-20 2009-09-02 株式会社デンソー センサ制御装置、及び印加電圧特性の調整方法
US8031809B2 (en) 2007-02-28 2011-10-04 Seiko Epson Corporation Template pulse generating circuit, communication device, and communication method
JP2008215974A (ja) 2007-03-02 2008-09-18 Citizen Holdings Co Ltd 電界効果トランジスタ型イオンセンサ
ATE479780T1 (de) 2007-03-02 2010-09-15 Dna Electronics Ltd Qpcr unter verwendung eines ionen-sensitiven feldeffekt-transistors zur ph-messung
EP1975246A1 (de) 2007-03-29 2008-10-01 Micronas Holding GmbH Markierungsfreie Sequenzierung auf einer Festphase mittels Feldeffekttransistoren
US8277628B2 (en) 2007-07-13 2012-10-02 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method and apparatus using electric field for improved biological assays
JPWO2009011164A1 (ja) * 2007-07-19 2010-09-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
US7609093B2 (en) 2007-08-03 2009-10-27 Tower Semiconductor Ltd. Comparator with low supply current spike and input offset cancellation
EP2201021A4 (en) 2007-08-29 2012-01-25 Applied Biosystems Llc METHOD OF ALTERNATING NUCLEIC ACID SEQUENCING
US20100285601A1 (en) 2007-09-28 2010-11-11 Agency For Science, Technology And Research Method of electrically detecting a nucleic acid molecule
US7936042B2 (en) 2007-11-13 2011-05-03 International Business Machines Corporation Field effect transistor containing a wide band gap semiconductor material in a drain
KR100940415B1 (ko) 2007-12-03 2010-02-02 주식회사 동부하이텍 배면 드레인 구조 웨이퍼의 온저항 측정방법
US8124936B1 (en) 2007-12-13 2012-02-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Stand-off chemical detector
WO2009074926A1 (en) 2007-12-13 2009-06-18 Nxp B.V. A biosensor device and a method of sequencing biological particles
KR101491532B1 (ko) 2007-12-20 2015-02-09 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 도요하시 기쥬쯔 가가꾸 다이가꾸 복합검출장치
US20090194416A1 (en) 2008-01-31 2009-08-06 Chung Yuan Christian University Potentiometric biosensor for detection of creatinine and forming method thereof
DE102008012899A1 (de) 2008-03-06 2009-09-10 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Gassensors
US8067731B2 (en) 2008-03-08 2011-11-29 Scott Technologies, Inc. Chemical detection method and system
US7885490B2 (en) 2008-03-10 2011-02-08 Octrolix Bv Optical chemical detector and method
US7667501B2 (en) 2008-03-19 2010-02-23 Texas Instruments Incorporated Correlated double sampling technique
JP5259219B2 (ja) 2008-03-19 2013-08-07 株式会社三社電機製作所 電源装置
US20090273386A1 (en) 2008-05-01 2009-11-05 Custom One Design, Inc Apparatus for current-to-voltage integration for current-to-digital converter
TWI377342B (en) 2008-05-08 2012-11-21 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Method for forming an extended gate field effect transistor (egfet) based sensor and the sensor formed thereby
JP5377888B2 (ja) 2008-06-03 2013-12-25 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 撮像装置および被検体内画像取得装置
US7821806B2 (en) 2008-06-18 2010-10-26 Nscore Inc. Nonvolatile semiconductor memory circuit utilizing a MIS transistor as a memory cell
GB2461127B (en) 2008-06-25 2010-07-14 Ion Torrent Systems Inc Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
EP2982437B1 (en) 2008-06-25 2017-12-06 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
WO2009158006A2 (en) 2008-06-26 2009-12-30 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for detecting molecular interactions using fet arrays
US7893718B2 (en) 2008-08-13 2011-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. High-speed multiplexer and semiconductor device including the same
JP5260193B2 (ja) 2008-09-03 2013-08-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路及びそのスイッチングノイズ平準化方法
KR101026468B1 (ko) 2008-09-10 2011-04-01 한국전자통신연구원 생분자 검출 장치 및 검출 방법
CN101676714A (zh) 2008-09-16 2010-03-24 中研应用感测科技股份有限公司 整合式离子感测器
WO2010037085A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Dna sequencing and amplification systems using nanoscale field effect sensor arrays
CN103901090B (zh) 2008-10-22 2017-03-22 生命技术公司 用于生物和化学分析的集成式传感器阵列
US20100137143A1 (en) 2008-10-22 2010-06-03 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US8546128B2 (en) 2008-10-22 2013-10-01 Life Technologies Corporation Fluidics system for sequential delivery of reagents
US8248356B2 (en) 2008-10-24 2012-08-21 Au Optronics Corp. Driving circuit for detecting line short defects
US8634817B2 (en) 2008-10-28 2014-01-21 Qualcomm Incorporated Location information for control of mode/technology
US7898277B2 (en) 2008-12-24 2011-03-01 Agere Systems Inc. Hot-electronic injection testing of transistors on a wafer
US8101479B2 (en) 2009-03-27 2012-01-24 National Semiconductor Corporation Fabrication of asymmetric field-effect transistors using L-shaped spacers
US9309557B2 (en) 2010-12-17 2016-04-12 Life Technologies Corporation Nucleic acid amplification
US9334531B2 (en) 2010-12-17 2016-05-10 Life Technologies Corporation Nucleic acid amplification
US8776573B2 (en) 2009-05-29 2014-07-15 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US20120261274A1 (en) 2009-05-29 2012-10-18 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8673627B2 (en) * 2009-05-29 2014-03-18 Life Technologies Corporation Apparatus and methods for performing electrochemical reactions
AT508322B1 (de) 2009-06-05 2012-04-15 Boehler Schmiedetechnik Gmbh & Co Kg Verfahren zur warmformgebung eines werkstückes
US20110037121A1 (en) 2009-08-16 2011-02-17 Tung-Hsing Lee Input/output electrostatic discharge device with reduced junction breakdown voltage
JP2011041205A (ja) 2009-08-18 2011-02-24 Panasonic Corp 電圧発生回路、デジタルアナログ変換器、ランプ波発生回路、アナログデジタル変換器、イメージセンサシステム及び電圧発生方法
SG169949A1 (en) 2009-09-11 2011-04-29 Agency Science Tech & Res Method of determining a sensitivity of a biosensor arrangement, and biosensor sensitivity determining system
US9018684B2 (en) * 2009-11-23 2015-04-28 California Institute Of Technology Chemical sensing and/or measuring devices and methods
US8545248B2 (en) 2010-01-07 2013-10-01 Life Technologies Corporation System to control fluid flow based on a leak detected by a sensor
TWI422818B (zh) * 2010-01-11 2014-01-11 Nat Chip Implementation Ct Nat Applied Res Lab 氫離子感測場效電晶體及其製造方法
US9088208B2 (en) 2010-01-27 2015-07-21 Intersil Americas LLC System and method for high precision current sensing
WO2011106629A2 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Life Technologies Corporation Modified proteins and methods of making and using same
US8878257B2 (en) 2010-06-04 2014-11-04 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for an ISFET
WO2012003363A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Life Technologies Corporation Ion-sensing charge-accumulation circuits and methods
CN106932456B (zh) 2010-06-30 2020-02-21 生命科技公司 用于测试isfet阵列的方法和装置
US8487790B2 (en) 2010-06-30 2013-07-16 Life Technologies Corporation Chemical detection circuit including a serializer circuit
EP2589065B1 (en) 2010-07-03 2015-08-19 Life Technologies Corporation Chemically sensitive sensor with lightly doped drains
US8227877B2 (en) * 2010-07-14 2012-07-24 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor bio-sensors and methods of manufacturing the same
US8383896B2 (en) 2010-07-28 2013-02-26 Monsanto Technology Llc Soybean variety A1023758
JP5959516B2 (ja) * 2010-08-18 2016-08-02 ライフ テクノロジーズ コーポレーション 電気化学的検出装置のためのマイクロウェルの化学コーティング法
US9494951B2 (en) 2010-08-23 2016-11-15 Life Technologies Corporation Temperature control of chemical detection system
EP2617061B1 (en) 2010-09-15 2021-06-30 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8685324B2 (en) 2010-09-24 2014-04-01 Life Technologies Corporation Matched pair transistor circuits
GB201017023D0 (en) 2010-10-08 2010-11-24 Dna Electronics Ltd ISFET switch
JP5735268B2 (ja) 2010-12-20 2015-06-17 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 高周波半導体スイッチ
US10241075B2 (en) 2010-12-30 2019-03-26 Life Technologies Corporation Methods, systems, and computer readable media for nucleic acid sequencing
JP5613605B2 (ja) 2011-03-28 2014-10-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 クロック生成回路、それを用いたプロセッサシステム、及びクロック周波数制御方法
US9518953B2 (en) 2011-09-07 2016-12-13 Technion Research And Development Foundation Ltd. Ion sensitive detector
WO2013049463A2 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Stc.Unm Double gate ion sensitive field effect transistor
WO2013055553A1 (en) 2011-10-03 2013-04-18 Life Technologies Corporation Electric field directed loading of microwell array
US9459234B2 (en) * 2011-10-31 2016-10-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., (“TSMC”) CMOS compatible BioFET
US8547151B2 (en) 2011-11-30 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Phase-locked loops that share a loop filter
AT12462U3 (de) 2012-01-09 2013-05-15 Plansee Se Röntgendrehanode mit zumindest anteilig radial ausgerichteter schleifstruktur
US9194840B2 (en) 2012-01-19 2015-11-24 Life Technologies Corporation Sensor arrays and methods for making same
US8747748B2 (en) * 2012-01-19 2014-06-10 Life Technologies Corporation Chemical sensor with conductive cup-shaped sensor surface
US8821798B2 (en) 2012-01-19 2014-09-02 Life Technologies Corporation Titanium nitride as sensing layer for microwell structure
US8847637B1 (en) 2012-05-24 2014-09-30 Massachusetts Institute Of Technology Time-interleaved multi-modulus frequency divider
US8786331B2 (en) 2012-05-29 2014-07-22 Life Technologies Corporation System for reducing noise in a chemical sensor array
EP2677307B1 (en) * 2012-06-21 2016-05-11 Nxp B.V. Integrated circuit with sensors and manufacturing method
WO2014077783A1 (en) 2012-11-15 2014-05-22 Nanyang Technological University Image capture device and image capture system
US8728844B1 (en) * 2012-12-05 2014-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside CMOS compatible bioFET with no plasma induced damage
US8962366B2 (en) 2013-01-28 2015-02-24 Life Technologies Corporation Self-aligned well structures for low-noise chemical sensors
US8841217B1 (en) 2013-03-13 2014-09-23 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
US8963216B2 (en) 2013-03-13 2015-02-24 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface
US9389199B2 (en) * 2013-03-14 2016-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside sensing bioFET with enhanced performance
CN105264366B (zh) * 2013-03-15 2019-04-16 生命科技公司 具有一致传感器表面区域的化学传感器
US9228974B2 (en) * 2013-04-10 2016-01-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Biosensing well array by self-alignment and selective etching
US10458942B2 (en) 2013-06-10 2019-10-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor array having multiple sensors per well
US20140367748A1 (en) 2013-06-14 2014-12-18 International Business Machines Corporation EXTENDED GATE SENSOR FOR pH SENSING
US9023674B2 (en) * 2013-09-20 2015-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Biosensing well array with protective layer
US20150097214A1 (en) * 2013-10-09 2015-04-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Structures, apparatuses and methods for fabricating sensors in multi-layer structures
US9488615B2 (en) * 2014-12-17 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Biosensor with a sensing surface on an interlayer dielectric
US10006910B2 (en) 2014-12-18 2018-06-26 Agilome, Inc. Chemically-sensitive field effect transistors, systems, and methods for manufacturing and using the same
US10048220B2 (en) 2015-10-08 2018-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Biosensor field effect transistor having specific well structure and method of forming the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1429400A (zh) * 2000-04-11 2003-07-09 克里公司 用于在碳化硅中形成通孔的方法以及所获得的器件和电路
CN101048655A (zh) * 2004-11-26 2007-10-03 迈克纳斯公司 电气元件
US20100301398A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
CN102054839A (zh) * 2009-10-28 2011-05-11 无锡华润上华半导体有限公司 一种mos场效应晶体管结构及其制备方法
US20120060587A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-15 Babcock Jeffrey A Gas Detector that Utilizes an Electric Field to Assist in the Collection and Removal of Gas Molecules
CN102466652A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 财团法人工业技术研究院 血液分析微系统
WO2012152308A1 (en) * 2011-05-06 2012-11-15 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Ion sensitive field effect transistor

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107923869A (zh) * 2015-08-25 2018-04-17 生命技术公司 深微阱设计及其制造方法
CN107923869B (zh) * 2015-08-25 2021-10-08 生命技术公司 深微阱设计及其制造方法
CN113945621A (zh) * 2015-08-25 2022-01-18 生命技术公司 深微阱设计及其制造方法
CN107090404A (zh) * 2017-04-21 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种基因测序芯片及基因测序方法、基因测序装置
CN112585459A (zh) * 2018-08-17 2021-03-30 生命技术公司 形成离子传感器的方法
CN112585459B (zh) * 2018-08-17 2024-01-02 生命技术公司 形成离子传感器的方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014149780A1 (en) 2014-09-25
US9671363B2 (en) 2017-06-06
US20140264472A1 (en) 2014-09-18
US10422767B2 (en) 2019-09-24
US20160077045A1 (en) 2016-03-17
US20180128773A1 (en) 2018-05-10
JP2020042034A (ja) 2020-03-19
EP2972280A1 (en) 2016-01-20
CN105264366B (zh) 2019-04-16
JP2016510895A (ja) 2016-04-11
EP2972280B1 (en) 2021-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105264366A (zh) 具有一致传感器表面区域的化学传感器
US8962366B2 (en) Self-aligned well structures for low-noise chemical sensors
US9995708B2 (en) Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface
US8841217B1 (en) Chemical sensor with protruded sensor surface
JP2020042034A6 (ja) 一貫性のあるセンサ表面積を有する化学センサ
CN105051525B (zh) 具有薄导电元件的化学设备
CN105283758A (zh) 具有一致传感器表面区域的化学传感器
US9116117B2 (en) Chemical sensor with sidewall sensor surface
US9835585B2 (en) Chemical sensor with protruded sensor surface
US20140264465A1 (en) Chemical sensors with partially extended sensor surfaces
US20140273324A1 (en) Methods for manufacturing chemical sensors with extended sensor surfaces
TWI655429B (zh) 具固定感測器表面積之化學感測器及其製造方法
CN112585458A (zh) 形成离子传感器的方法
TW201518721A (zh) 具有一致感測器表面區域之化學感測器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant