CN104796633A - 固态成像设备和成像系统 - Google Patents
固态成像设备和成像系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104796633A CN104796633A CN201510016332.3A CN201510016332A CN104796633A CN 104796633 A CN104796633 A CN 104796633A CN 201510016332 A CN201510016332 A CN 201510016332A CN 104796633 A CN104796633 A CN 104796633A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- memory cell
- counter
- pixel
- solid
- imaging apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 15
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003930 cognitive ability Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-NOHWODKXSA-N lead-200 Chemical compound [200Pb] WABPQHHGFIMREM-NOHWODKXSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/12—Analogue/digital converters
Abstract
本发明涉及固态成像设备和成像系统。一种固态成像设备包括：用于产生像素信号的矩阵形式的像素；以及A/D转换单元，与所述矩阵的列对应，以便将像素信号转换成n比特数字值。A/D转换单元包括用于逐个比特地存储n比特数字值的第一存储单元(150)，以及与第一存储单元对应的第二存储单元(160)，以便保持从第一存储单元传送的数字值。在多个像素的每一列中，与其对应地布置的是，第一存储单元和第二存储单元形成n个对。包括第一存储单元和第二存储单元的每一对保持同一个比特的数字值。以矩阵的形式排列所述n个对。
Description
技术领域
本发明涉及在扫描仪、视频照相机、数字式静态照相机等中使用的固态成像设备和成像系统。
背景技术
在固态图像设备中，已知如下的技术，其具有A/D转换器，该A/D转换器被布置在以阵列方式布置的像素的每个列中，并且将从每个像素发送的信号转换成数字数据。日本专利申请公开No.2009-296466公开了如下的技术，其将数字数据保持在第一存储单元中，将保持的数字数据传送到第二存储单元，并且随后顺序地输出所传送的数字数据。
期望的是与在列方向上布置第一存储单元和第二存储单元的对的情况下相比减少面积。
本发明的一个目的是提供能够减少面积的固态成像设备和成像系统。
发明内容
根据本发明的一个方面，一种固态成像设备包括：多个像素，以矩阵的形式布置，并且通过光电转换产生图像信号；以及多个A/D转换单元，与所述矩阵的每一列对应地布置每个A/D转换单元，以便将图像信号转换成n比特数字值，n为等于或大于1的整数，其中所述多个A/D转换单元中的每一个包括多个第一存储单元，被配置为逐个比特地存储n比特数字值，以及多个第二存储单元，与所述多个第一存储单元中的每一个对应地布置每个第二存储单元，以便保持从第一存储单元传送的数字值，并且其中，在所述多个像素的每一列中，与其对应地布置的是，多个第一存储单元和多个第二存储单元形成n个对，其中每一对包括存储同一个比特的数字值的第一存储单元和第二存储单元，并且以矩阵的形式布置所述n个对。
从以下参考附图的示例性实施例的描述中本发明更多的特征将变得清晰。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施例的配置示例的总图。
图2是示出本发明第一实施例的配置示例的电路模块图。
图3是示出本发明第一实施例的配置示例的电路图。
图4是示出本发明第一实施例的配置示例的电路图。
图5是示出本发明第一实施例的布局示例的布局图。
图6是示出本发明第一实施例的布局示例的布局图。
图7是布局图。
图8是示出本发明第一实施例的布局示例的布局图。
图9是示出本发明第一实施例的布局示例的布局图。
图10是布局图。
图11是示出本发明第二实施例的配置示例的电路模块图。
图12是示出本发明第一实施例的配置示例的电路模块图。
图13是示出本发明第三实施例的配置示例的电路模块图。
图14是根据本发明第三实施例的时序图。
图15是根据本发明第三实施例的时序图。
图16是示出本发明第四实施例的配置示例的电路模块图。
图17是示出本发明第五实施例的配置示例的电路模块图。
图18是示出本发明第六实施例的配置示例的电路模块图。
具体实施方式
现在将根据附图详细描述本发明的优选实施例。
(第一实施例)
图1是示出根据本发明的第一实施例的固态成像设备的配置示例的图。多个像素100被布置成二维矩阵。每个像素100包括例如光电二极管，并且通过光电转换产生像素信号。每个像素100可以被设置有放大单元，该放大单元输出基于光电二极管中产生的电荷的电压信号。垂直扫描电路110逐行地连续地选择像素100，并且将所选的像素100中产生的模拟信号读出到列方向上的比较器120。基准电压产生器130将基准电压输出到每一列中的比较器120。多个比较器120被设置在像素100的各个列中，并且将像素100的像素信号与基准电压进行比较。对于像素100的所有列公共地设置一个计数器140，其对n比特数字值进行计数，并且输出计数的数字值。请注意n是等于或大于1的整数。至于多个第一存储单元150，n个第一存储单元150被设置在像素100的每一列中，并且第一存储单元150根据每一列中的比较器120的比较结果将由计数器140输出的n比特数字值逐个比特地写入每一列中，并且保持写入的值。多个第二存储单元160被设置为使得分别对应于多个第一存储单元150，并且保持从各个第一存储单元150传送的数字值。图1示意性地示出n为1的情况。水平扫描电路170将每一列中的第二存储单元160中存储的数据顺序地输出到输出单元180。
更具体地，例如，基准电压产生器130产生随时间而变的基准电压(基准信号)。当基准电压产生器130开始产生基准电压时，计数器140开始计数。比较器120将像素100的输出信号与从基准电压产生器130输出的基准电压进行比较。当像素100的输出信号与基准电压之间的大小关系被反转时，比较器120的输出被反相，这变为触发，并且第一存储单元150在其中存储计数器140的输出值。结果，将在稍后描述的A/D(模拟/数字)转换单元将基于像素100的像素信号从模拟信号转换为数字信号，并且能够将数字信号存储在第一存储单元150中。其后，第一存储单元150与第二存储单元160之间的传送控制使得第一存储单元150将存储在其中的值传送到第二存储单元160，并且使得第二存储单元160在其中存储所传送的值。由此，在A/D转换单元将像素100的输出信号从模拟信号转换为数字信号并且将转换的信号存储在第一存储单元150中的同时，水平扫描电路170能够使得第二存储单元160将与前一行对应的数字信号输出到数字输出单元180。如上所述，A/D(模拟/数字)转换单元具有比较器120、基准电压产生器130、计数器140和第一存储单元150，被设置在多个像素100的每一列中，并且将由像素100输出的像素信号从模拟信号转换为n比特数字值。
在图1中，示出了其中第一存储单元150和第二存储单元160被简化并且在每一列中设置各对应于一个比特的第一存储单元150和第二存储单元160的示例。然而，实际上，如图2中示出的，固态成像设备在每一列中具有n个第一存储单元150和n个第二存储单元160，各对应于经受A/D转换的比特的数量。图2是示出图1中的区域A的更详细的配置示例的图。对于像素100的每一列公共地设置计数器140。从计数器140发送的数字数据经过数据线190，并且被保持在与每一个比特对应的第一存储单元150中。数据线190被连接在计数器140和第一存储单元150之间。顺便提及，在图2中，出于简化，数据线190被表现为使得对应于8个比特(n＝8)，但是实际上任意数目的比特是可接受的。第二存储单元160中保持的数字数据通过输出线200被输出。至于布置第一存储单元150和第二存储单元160的方法，当各与1比特对应的第一存储单元150和第二存储单元160被布置为在沿着列的方向上彼此相邻并且被视为一对时，在沿着行的方向上排列两对存储单元，并且在沿着列的方向上排列四对存储单元。具体地，在多个像素100的每一列中，与其对应布置的是，多个第一存储单元150和多个第二存储单元160形成n个对，包括第一存储单元和第二存储单元的每一对保持同一个比特的数字值，并且n个对以二维矩阵的形式被排列。每一对中的第一存储单元150和第二存储单元160在沿着像素100的列的方向上彼此相邻地排列。由此，可以减少列方向上的高度，并且可以减少芯片的面积。稍后将详细描述第一存储单元150和第二存储单元160的布局示例。
图3是示出第一存储单元150和第二存储单元160的配置示例的电路图。第一存储单元150具有CMOS开关210、反相器220和三态反相器230。在反相器220中，输入端子连接到三态反相器230的输出端子，并且输出端子连接到三态反相器230的输入端子。CMOS开关210的端子GN是NMOS开关的栅极端子，并且端子GP是PMOS开关的栅极端子。另外，三态反相器230的电路图被示出在图4中。三态反相器230具有NMOS晶体管280和290、以及PMOS晶体管300和310。当端子GP处于高电平而端子GN处于低电平时，三态反相器230变为高阻抗输出状态。当端子GP处于低电平而端子GN处于高电平时，三态反相器230执行与反相器的操作类似的操作。当CMOS开关210处于导通状态而三态反相器230处于高阻抗输出状态时，第一存储单元150变为向其中写入输入信号的状态。在写入信号之后，CMOS开关210被切换到截止状态，三态反相器230被切换到反相器操作的状态，并且由此第一存储单元150在其中保持信号。
另外，第二存储单元160具有CMOS开关240、反相器250、以及三态反相器260和270。第二存储单元160是除了第一存储单元150之外还具有三态反相器270的存储单元。第二存储单元160的对于信号的写入操作和保持操作类似于第一存储单元150的操作。当输出信号时，第二存储单元160通过将三态反相器270设定为反相器操作的状态来输出信号。如图2中示出的，每一列中的同一个比特的第二存储单元160的输出在输出引线200上彼此短路。因此，第二存储单元160在使用三态反相器270作为输出元件的同时顺序地输出每一列中的信号，由此防止产生贯通电流。
图5是示出第一存储单元150的布局示例的图。顺便提及，图5还是从第二存储单元160的配置中去除三态反相器270的部分的布局示例。P阱区320、N型有源区330和P型有源区340被示出。顺便提及，P阱区320的范围外的区域被形成为N阱区。多晶栅(poly-gate)电极350、360、370、380和390、以及金属引线400、410、420、430和440被示出。另外，框形的(box-shaped)区域450是接触区。接触区450将金属引线400-440与都存在于金属引线400-440之下的N型有源区330、P型有源区340或多晶栅电极350-390连接。
具有N型有源区330和多晶栅电极350的NMOS晶体管以及具有P型有源区340和多晶栅电极360的PMOS晶体管构成图3中的CMOS开关210。金属引线400将NMOS晶体管的一端和PMOS晶体管的一端彼此连接，并且变为CMOS开关210的输入端子。金属引线410将NMOS晶体管的另一端和PMOS晶体管的另一端彼此连接，并且变为CMOS开关210的输出端子。另外，金属引线410还被连接到多晶栅电极390，并且多晶栅电极390变为图3中的反相器220的输入端子。金属引线440变为反相器220的输出端子。另外，金属引线420连接到地电位节点，并且金属引线430连接到电源电压节点，但是这些节点未示出。顺便提及，在图5中，出于简化仅仅示出对于一层的金属引线。金属引线440还被连接到多晶栅电极380，并且金属引线440变为图3中的三态反相器230的输入端子。三态反相器230的输出端是金属引线410，并且连接到作为反相器220的输入端的多晶栅电极390以及CMOS开关210的输出端子，如上所述。顺便提及，多晶栅电极360变为图3中的CMOS开关210的端子GP以及三态反相器230的端子GN。根据上面描述的写入操作和保持操作，多晶栅电极360在写入操作的情况下变为低电平，并且在保持操作的情况下变为高电平。在第一存储单元150和第二存储单元160的N型有源区330中，设置在沿着像素100的列的方向上对齐的多个NMOS晶体管。另外，在第一存储单元150和第二存储单元160的P型有源区340中，设置在沿着像素100的列的方向上对齐的多个PMOS晶体管。
另外，在图5中，包括接触区450的有源区的长度A、多晶栅的长度B以及不包括接触区450的有源区的长度C被示出。另外，在图5中，有源区的宽度D、P型有源区340与P阱区320之间的距离E、以及N型有源区330与N阱区之间的距离F被示出。根据A＝2.5B、C＝1.5B、D＝2.5B、E＝3B以及F＝3B的设计规则按比例示出图5。有源区330和340的纵向方向上的长度可以根据这些数被计算，并且均为4A+4B+C＝15.5B。另外，N型有源区330的左端与P型有源区340的右端之间的距离是2D+E+F＝11B。
图6是示出对于图2中示出的一个比较器120、以及图2中示出的2对第一存储单元150和第二存储单元160的布局示例的图。在图6中，2×2图案的图5中示出的布局被布置，并且三态反相器270被布置在该图案下方。换句话说，在行方向上布置两对存储单元，在其中的每一对中在列方向上布置第一存储单元150和第二存储单元160。根据上面描述的计算，N型有源区331的高度为15.5B，因此在图中的G的高度为15.5B×2+2.5B＝33.5B。另外，H的高度是13.5B，因此G和H的总和是47B。然而，在行方向上布置这两对，并且因此每一对的高度变为23.5B。因此，存在在行方向上布置多对存储单元的技术，并且由此减少对于一对存储单元的高度。与该技术对比，还考虑另一种技术，其将一对存储单元形成为水平上更长的形状，如图7中示出的，并且由此减少高度。在这个技术中，在行方向上布置仅仅一对存储单元，在其中布置第一存储单元150和第二存储单元160。在图7中，N型有源区330和P型有源区340的方向被改变90度，每个MOS晶体管的对齐的方向被从列方向变为行方向，由此对于一对存储单元的高度被减少。根据上述计算结果从N型有源区330的上端到P型有源区340的下端的高度是11B，并且因此在图中的I的高度是11B×2+5B＝27B。另外，J的高度大约是17B，因此I和J的总和是44.5B。因此，与其中对于一对的高度是23.5B的图6中的面积相比，图7中的布局不能减少面积。因此，在本实施例的图6中的布局中，与以一维的形式在列方向上布置该对存储单元的技术相比，以二维的形式布置该对存储单元的技术可以更加减少面积。
在图6中，两对第一存储单元150和第二存储单元160彼此相邻，并且变为以线A-A'为中心的线对称的布局。由此，具有相同极性并且有源的P型有源区340和341被布置为彼此相邻，并且由此可以减少在行方向上的宽度。当N型有源区331被布置为与P型有源区340相邻时，需要准备P型有源区340和P阱区321之间的空间，并且因此P型有源区340和N型有源区331之间的距离结果会较大。
在图6中，应当理解多晶栅电极370与两个P型有源区340和341交迭，并且变为两个PMOS晶体管中的每一个的栅电极。这意味着图3中的三态反相器230的端子GP在两个第一存储单元150之间短路。然而，通过同一个比较器120的输出信号控制其写入操作的两个第一存储单元150根据同一个控制信号执行写入操作，并且因此不存在三态反相器230的端子GP彼此短路的这种问题。输入到多晶栅电极370的控制信号从作为布置在比金属引线400-440更上层中的金属引线并且从比较器120在列方向上经过的引线被输入(未示出)。如图6中示出的，多晶栅电极370被布置为在两个MOS晶体管之间公共，并且由此上述的控制信号的引线可以被减少到1个引线，而不是2个引线。由此，可以防止由引线之间的短路引起的成品率的降低。另外，当在纵向方向上存在大量的控制引线时，由于引线的数量而导致在行方向上的引线的宽度增大，并且因此图6中的布局还对在行方向上的宽度的减少有贡献。
当在行方向上的比较器120的宽度大于图6和图7中的宽度时，考虑采用图8和图9中的任何一个中的布局。在图6中，在行方向上布置两对存储单元，其中的每一对包括第一存储单元150和第二存储单元160，但是在图8中，在行方向上布置三对存储单元，其中的每一对包括第一存储单元150和第二存储单元160。
在图9中，在行方向上布置两对存储单元，其中的每一对包括图7中的第一存储单元150和第二存储单元160。在第一存储单元150和第二存储单元160的N型有源区330中的每一个中，设置在沿着像素100的行的方向上对齐的多个NMOS晶体管。另外，在第一存储单元150和第二存储单元160的P型有源区340中的每一个中，设置在沿着像素100的行的方向上对齐的多个PMOS晶体管。
在图8中，每一对存储单元的高度是47B/3＝15.7B，但是在图9中，该高度是44.5B/2＝22.25B。因此，从面积的观点来看，图8中的布局比图9中的布局更有利。换句话说，更有利的是，将有源区(例如，区域330等)形成为纵向上较长的形状，并且MOS晶体管在列方向上对齐。然而，从面积的观点来看，甚至图9比图10更有利。在图10中，P型有源区340被布置在N型有源区330旁边，并且由此减少高度。然而，多晶栅电极360、380和390的图案变得复杂，并且因此该对存储单元的高度不能被减少到图9中的高度的一半或更少。因此，如已经假设的，应当理解与在如图10中的在行方向上布置仅仅一对存储单元(以一维的形式在列方向上布置)时相比，在该对存储单元以二维的形式布置时面积可以被更加减少。
(第二实施例)
图11是示出根据本发明的第二实施例的固态成像设备的配置示例的图。然而，这里，将仅仅描述与上述第一实施例不同的点。在图11中，在行方向上排列两对存储单元，并且在列方向上排列四对存储单元，在其中的每一对中与同一个比特对应的第一存储单元150和第二存储单元160在沿着行的方向上彼此相邻地布置并且被视为一对。换句话说，每一对中的第一存储单元150和第二存储单元160在沿着像素100的行的方向上彼此相邻地排列。然而，如图6中示出的，第二存储单元160的面积以及其在列方向上的高度大于第一存储单元150。因此，当第一存储单元150和第二存储单元160在沿着行的方向上彼此相邻地布置并且被视为一对时，由第二存储单元160的高度确定该对的高度。因此，这种面积变得必须为对应于第二存储单元160的高度×4。与此对比，当以二维的形式布置一对存储单元，在其中与同一个比特对应的第一存储单元150和第二存储单元160在沿着列的方向上彼此相邻地布置并且被视为一对时，与图2中类似地，该配置变得如图12中所示出的。在沿着行的方向上排列四对存储单元，并且在沿着列的方向上排列两对存储单元。在该情况下，面积与第一存储单元150的高度×2+第二存储单元160的高度×2对应，并且可以减少该面积。因此，从减少面积的观点来看，与第二实施例相比，可以选择其中第一存储单元150和第二存储单元160在沿着列的方向上彼此相邻地布置并且被视为一对的示例，换言之，第一实施例。
(第三实施例)
图13是示出根据本发明第三实施例的固态成像设备的配置示例的图。然而，这里，将仅仅描述与上述第一实施例不同的点。在图13中，格雷码计数器500被用于计数器140。至于由格雷码计数器500计数的格雷码的计数值，一个计数值与相邻的下一个计数值之间的汉明距离为1。由此，可以减少A/D转换的线性特性的恶化。数据线190具有用于8个比特的数据线190-1到190-8。当以二维的形式布置包括第一存储单元150和第二存储单元160的该对存储单元时，多个第一存储单元150被布置在同一个高度处。因此，有时候出现彼此相邻地布置的数据线，诸如数据线190-1和数据线190-2。在这种情况下，如果使用二进制计数器，例如，二进制计数器对A/D转换的特性施加坏影响。以下将描述这点。
图14是示出当二进制计数器被用于计数器140时的数据线190-1到190-4的信号的时间波形的图。以使得从时间t0到时间t1的计数值为0并且从时间t1到时间t2的计数值为1的方式进行计数。这里，把注意力集中在两个数据线190-1和190-2的信号。在时间t1处，数据线190-1的信号进行从低电平到高电平的转变，并且数据线190-2的信号不进行转变。在这时候，在图13中，在数据线190-1与数据线190-2之间形成的耦合电容器Cc被充电，并且由此数据线190-1的电位进行到高电平转变。另一方面，在时间t2处，数据线190-1的信号进行从高电平到低电平的转变，并且数据线190-2的信号进行从低电平到高电平的转变。换句话说，数据线190-1和数据线190-2的信号在相反的方向上改变。因此，用于对耦合电容器Cc进行充电或放电的电荷的量变为两倍，并且耦合电容器Cc显然如具有2×Cc的电容值一样地起作用。由此，在图14中，在时间t2处数据线190-1和数据线190-2的信号的变化变慢，计数值1的时段的时间宽度变宽，并且计数值2的时段的时间宽度结果变窄。这意味着A/D转换的线性被恶化。
图15是示出在格雷码计数器500被用作计数器140的情况下数据线190-1到190-4的信号的时间波形的图。以使得从时间t0到时间t1的计数值为0并且从时间t1到时间t2的计数值为1的方式进行计数。在格雷码计数器500中，在切换任何计数值的定时处仅仅一个数据线的信号进行转变。例如，在时间t1处，仅仅数据线190-1的信号进行转变，并且在时间t2处仅仅数据线190-2的信号进行转变。因此，在图13中，用于多个比特的数据线190之间的耦合电容器总是作为对地电容器(earth capacitor)工作。由此，可以减少A/D转换的线性特性的恶化。
(第四实施例)
图16是示出根据本发明第四实施例的固态成像设备的配置示例的图。然而，这里，将仅仅描述与上述第一实施例不同的点。在图16中，在用于多个比特的数据线190中的每一个中设置重复缓冲器(repeat buffer)510。重复缓冲器510被设置在用于每一比特的数据线190中且在左半边的第一存储单元150与右半边的第一存储单元150之间，并且放大数据线190的信号。计数器140通过重复缓冲器510将输出值输入到右半边(一部分)的第一存储单元150。计数器140在没有通过重复缓冲器510的情况下将输出值输入到左半边(另一部分)的第一存储单元150。右半边的第一存储单元150与计数器140之间的距离长于左半边的第一存储单元150与计数器140之间的距离。由此，重复缓冲器510可以防止由于用于多个比特的数据线190之间出现耦合而出现A/D转换值的误差。
(第五实施例)
图17是示出根据本发明第五实施例的固态成像设备的配置示例的图。然而，这里，将仅仅描述与上述第四实施例不同的点。在图17中，缓冲器520和530被设置在用于多个比特的数据线190中的每一个中。缓冲器520和530放大计数器140的数据线190的同一个比特的输出值。计数器140通过第一缓冲器520将输出值输入到左半边(一部分)的第一存储单元150。计数器140通过第二缓冲器530将输出值输入到右半边(另一部分)的第一存储单元150。由此，重复缓冲器510可以防止由于在第一存储单元150中的数据线190之间的距离彼此接近的区域中数据线190之间出现的耦合而出现A/D转换值的误差。另外，在图16中，数据线190必须驱动大量的第一存储单元150，但是在图17中，数据线190可以仅仅驱动缓冲器520和530，并且可以布置数据线190以使得数据线190之间的距离变宽。由此，数据线190上的负载被减少，并且在数据线190上传输的计数信号的延迟量可以被减少。即使在A/D转换值理想地在所有列中变为恒定时，如果计数信号延迟，随着列变得更远离计数器140，A/D转换值也逐渐地变大，其引起阴影(shading)的噪声。因此，图17的配置可以减少阴影。
已经在把其中一个A/D转换单元被设置在像素100的每一列中并且像素节距＝A/D转换单元的等式成立的情况作为示例的同时描述了上述第一实施例，但是本发明不限于该情况。满足像素节距>A/D转换单元的节距以及满足像素节距<A/D转换单元的节距之中的任何节距是可接受的。
另外，已经在把其中A/D转换的精度是8个比特的情况作为示例的同时描述了第一到第五实施例，但是本发明不限于该情况。
另外，已经在把其中CMOS开关210、反相器220和三态反相器230被用于第一存储单元150的配置作为示例的同时描述了第一实施例，但是本发明不限于该配置。另外，已经在把其中CMOS开关240、反相器250和两个三态反相器260和270被用于第二存储单元160的配置作为示例的同时描述了第一实施例，但是本发明不限于该配置。
另外，已经在把其中相对于一个比较器120在行方向上对齐的第一存储单元150和第二存储单元160的数量为2到4的情况作为示例的同时描述了第一到第五实施例，但是本发明不限于该情况。数量可以是5或更多。
(第六实施例)
图18是示出根据本发明第六实施例的成像系统的配置示例的图。成像系统800包括例如光学单元810、成像元件880、视频信号处理单元830、记录和通信单元840、定时控制单元850、系统控制单元860以及播放和显示单元870。成像设备820具有成像元件880和视频信号处理单元830。先前实施例中描述的固态成像设备被用于成像元件880。
作为诸如透镜之类的光学系统的光学单元810将从对象发射的光的图像聚焦到成像元件880的像素单元上，其中多个像素100被二维地排列，并且在像素单元上形成对象的图像。成像元件880在基于从定时控制单元850输出的信号的定时，输出根据其图像已经被聚焦在像素单元上的光的信号。从成像元件880输出的信号被输入到视频信号处理单元830中，并且视频信号处理单元830通过程序等利用指定的方法执行信号处理。通过视频信号处理单元830中的处理获得的信号作为图像数据被发送给记录和通信单元840。记录和通信单元840将用于形成图像的信号发送到播放和显示单元870，并且使得播放和显示单元870播放和显示运动图像或静态图像。记录和通信单元840还通过接收从视频信号处理单元830发送的信号而与系统控制单元860通信，并且此外还执行将用于形成图像的信号记录在未示出的记录介质上的操作。
系统控制单元860是用于总体地控制成像系统的操作的单元，并且控制光学单元810、定时控制单元850、记录和通信单元840以及播放和显示单元870的驱动。另外，系统控制单元860被设置有例如未示出的存储装置(其是记录介质)，并且将控制成像系统的操作所必需的程序等记录在存储装置中。系统控制单元860还将例如根据用户的操作切换驱动模式的信号供应到成像系统中。特定的示例包括：用于改变要被读取的行或要被复位的行的信号；用于改变视角的信号，其伴随电子变焦的操作；以及用于偏移视角的信号，其伴随电子振动控制。定时控制单元850基于系统控制单元860的控制来控制用于成像元件880和视频信号处理单元830的驱动定时。
注意，以上实施例仅仅是能够如何实践本发明的示例，并且本发明的技术范围不应该被所述实施例限制性地解释。换句话说，在不脱离本发明的主要特征或技术概念的情况下能够以各种方式实践本发明。
在固态成像设备中，n个对被以矩阵的形式排列，并且由此能够减少芯片的面积。
(其它实施例)
本发明的实施例(或多个实施例)还可以通过读出和执行记录在存储介质(其还可以更完全地被称为‘非暂时的计算机可读的存储介质’)上的计算机可执行指令(例如，一个或更多个程序)以便执行上述的实施例(或多个实施例)中的一个或更多个的功能和/或包括用于执行上述的实施例(或多个实施例)中的一个或更多个的功能的一个或更多个电路(例如，专用集成电路(ASIC))的系统或设备的计算机来实现，以及通过由系统或设备的计算机执行的方法通过例如从存储介质读出和执行计算机可执行指令以便执行上述的实施例(或多个实施例)中的一个或更多个的功能和/或控制一个或更多个电路执行上述的实施例(或多个实施例)中的一个或更多个的功能来实现。计算机可以包括一个或更多个处理器(例如，中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU))并且可以包括单独的计算机或单独的处理器的网络以便读出和执行计算机可执行指令。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质被提供给计算机。存储介质可以包括例如硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、分布式计算系统的存储、光盘(诸如紧致盘(CD)、数字多功能盘(DVD)或蓝光盘(BD)TM)、闪速存储器件、存储卡等中的一种或多种。
其它实施例
本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机或是中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)读出并执行程序的方法。
虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。以下权利要求的范围将被给予最宽的解释从而包括所有这样的修改、等同的结构与功能。
Claims (12)
1.一种固态成像设备，包括：
多个像素，以矩阵的形式布置，并且通过光电转换产生图像信号；以及
多个A/D转换单元，与所述矩阵的每一列对应地布置每个A/D转换单元，以便将图像信号转换成n比特数字值，n为等于或大于1的整数，其中
所述多个A/D转换单元中的每一个包括
多个第一存储单元，被配置为逐个比特地存储n比特数字值，以及
多个第二存储单元，与所述多个第一存储单元中的每一个对应地布置每个第二存储单元，以便保持从第一存储单元传送的数字值，并且其中，
在所述多个像素的每一列中，与其对应地布置的是，多个第一存储单元和多个第二存储单元形成n个对，其中每一对包括存储同一个比特的数字值的第一存储单元和第二存储单元，并且以矩阵的形式布置所述n个对。
2.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中
每一对中的第一存储单元和第二存储单元在沿着像素的列的方向上彼此相邻地布置。
3.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中
每一对中的第一存储单元和第二存储单元在沿着像素的行的方向上彼此相邻地布置。
4.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中
第一存储单元具有
在沿着像素的列的方向上布置的多个NMOS晶体管，和
在沿着像素的列的方向上布置的多个PMOS晶体管，以及
第二存储单元具有
在沿着像素的列的方向上布置的多个NMOS晶体管，和
在沿着像素的列的方向上布置的多个PMOS晶体管。
5.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中
第一存储单元具有
在沿着像素的行的方向上布置的多个NMOS晶体管，和
在沿着像素的行的方向上布置的多个PMOS晶体管，以及
第二存储单元具有
在沿着像素的行的方向上布置的多个NMOS晶体管，和
在沿着像素的行的方向上布置的多个PMOS晶体管。
6.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中
第一存储单元和第二存储单元的两个相邻的对被布置成线对称的布局。
7.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中
所述多个A/D转换单元具有
计数器，被配置为计数和输出n比特数字值；以及
多个比较器，与像素的每一列对应地布置每一个比较器，被配置为将像素的像素信号与随着时间流逝而改变的基准信号进行比较，以及其中
多个第一存储单元被布置为使得与所述多个像素的每一列对应地布置每n个第一存储单元，根据每一列中的比较器的比较结果，第一存储单元逐个比特地保持从计数器输出的n比特数字值。
8.根据权利要求7所述的固态成像设备，其中
所述计数器是格雷码计数器，所述格雷码计数器保持一个计数值与下一个计数值之间的汉明距离为1。
9.根据权利要求7所述的固态成像设备，其中
多个第一存储单元中的一个或更多个第一存储单元通过重复缓冲器输入从计数器输出的n比特数字值，
多个第一存储单元中的其它第一存储单元在不通过重复缓冲器的情况下输入从计数器输出的n比特数字值，以及
多个第一存储单元中的所述一个或更多个第一存储单元与计数器之间的距离长于多个第一存储单元中的所述其它第一存储单元输入与计数器之间的距离。
10.根据权利要求8所述的固态成像设备，其中
多个第一存储单元中的一个或更多个第一存储单元通过重复缓冲器输入从计数器输出的n比特数字值，
多个第一存储单元中的其它第一存储单元在不通过重复缓冲器的情况下输入从计数器输出的n比特数字值，以及
多个第一存储单元中的所述一个或更多个第一存储单元与计数器之间的距离长于多个第一存储单元中的所述其它第一存储单元输入与计数器之间的距离。
11.根据权利要求7到10中任何一个所述的固态成像设备，还包括
第一缓冲器和第二缓冲器，被配置为放大来自计数器的同一比特的输出值，其中
多个第一存储单元中的一个或更多个第一存储单元通过第一缓冲器输入来自计数器的输出值，以及
多个第一存储单元中的其它第一存储单元通过第二缓冲器输入来自计数器的输出值。
12.一种成像系统，包括：
根据权利要求1到11中任何一个所述的固态成像设备；
光学系统，被配置为将图像形成到多个像素上；以及
视频信号处理单元，被配置为处理从固态成像设备输出的信号，以便产生图像数据。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014-006145 | 2014-01-16 | ||
| JP2014006145A JP6245997B2 (ja) | 2014-01-16 | 2014-01-16 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104796633A true CN104796633A (zh) | 2015-07-22 |
| CN104796633B CN104796633B (zh) | 2018-05-15 |
Family
ID=53522457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510016332.3A Active CN104796633B (zh) | 2014-01-16 | 2015-01-13 | 固态成像设备和成像系统 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9602752B2 (zh) |
| JP (1) | JP6245997B2 (zh) |
| CN (1) | CN104796633B (zh) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6541347B2 (ja) | 2014-03-27 | 2019-07-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP6548391B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2019-07-24 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
| JP6579744B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2019-09-25 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法、及び撮像装置の検査方法 |
| JP6727771B2 (ja) | 2015-08-13 | 2020-07-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JP6619631B2 (ja) | 2015-11-30 | 2019-12-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP6723736B2 (ja) * | 2015-12-10 | 2020-07-15 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法 |
| JP6776011B2 (ja) | 2016-06-10 | 2020-10-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
| JP6727938B2 (ja) | 2016-06-10 | 2020-07-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法、及び撮像システム |
| JP6436953B2 (ja) | 2016-09-30 | 2018-12-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法、並びに撮像システム |
| JP6552478B2 (ja) | 2016-12-28 | 2019-07-31 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP7193907B2 (ja) | 2017-01-23 | 2022-12-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US10652531B2 (en) | 2017-01-25 | 2020-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device, imaging system, and movable object |
| JP6889571B2 (ja) | 2017-02-24 | 2021-06-18 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
| KR102424155B1 (ko) * | 2017-11-08 | 2022-07-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
| JP6704893B2 (ja) | 2017-11-30 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、および固体撮像装置の駆動方法 |
| WO2020045278A1 (en) | 2018-08-31 | 2020-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device with motion dependent pixel binning |
| JP6986046B2 (ja) | 2019-05-30 | 2021-12-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
| JP7345301B2 (ja) | 2019-07-18 | 2023-09-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
| JP7303682B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-07-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP7374639B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-11-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP2021136634A (ja) | 2020-02-28 | 2021-09-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
| JP7171649B2 (ja) | 2020-05-15 | 2022-11-15 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
| JP7474123B2 (ja) | 2020-06-15 | 2024-04-24 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム及び移動体 |
| US11736813B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device and equipment |
| JP2022100947A (ja) * | 2020-12-24 | 2022-07-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 |
| JP2022119634A (ja) | 2021-02-04 | 2022-08-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体および半導体基板 |
| JP2022119633A (ja) | 2021-02-04 | 2022-08-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、電子機器および基板 |
| JP2022130037A (ja) | 2021-02-25 | 2022-09-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び機器 |
| JP2022144245A (ja) | 2021-03-18 | 2022-10-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、電子機器および基板 |
| JP2022144241A (ja) | 2021-03-18 | 2022-10-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、基板及び機器 |
| JP2022144242A (ja) | 2021-03-18 | 2022-10-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システムおよび移動体 |
| JP2022158042A (ja) | 2021-04-01 | 2022-10-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020024368A1 (en) * | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Kim Kyu-Hyoun | Flip-flop circuits having digital-to-time conversion latches therein |
| US20090115876A1 (en) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus, driving method thereof, camera, and copier |
| CN101600058A (zh) * | 2008-06-06 | 2009-12-09 | 佳能株式会社 | 固态成像设备 |
| US20130016260A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Renesas Electronics Corporation | Solid-state image pickup device |
| US20130015329A1 (en) * | 2010-04-30 | 2013-01-17 | Sony Corporation | Column a/d converter, column a/d conversion method, solid-state imaging element and camera system |
Family Cites Families (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3833125B2 (ja) | 2002-03-01 | 2006-10-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JP3840214B2 (ja) | 2003-01-06 | 2006-11-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法及び同光電変換装置を用いたカメラ |
| US7129883B2 (en) * | 2004-02-23 | 2006-10-31 | Sony Corporation | Method and apparatus for AD conversion, semiconductor device for detecting distribution of physical quantity, and electronic apparatus |
| JP4366501B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2009-11-18 | 国立大学法人静岡大学 | ディジタルノイズキャンセル機能をもつイメージセンサ |
| JP4677258B2 (ja) | 2005-03-18 | 2011-04-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4794877B2 (ja) | 2005-03-18 | 2011-10-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4459099B2 (ja) | 2005-03-18 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4459098B2 (ja) | 2005-03-18 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4818018B2 (ja) | 2006-08-01 | 2011-11-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP4956084B2 (ja) | 2006-08-01 | 2012-06-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP5110820B2 (ja) | 2006-08-02 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム |
| JP4185949B2 (ja) | 2006-08-08 | 2008-11-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像装置 |
| JP4979375B2 (ja) | 2006-12-28 | 2012-07-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP2009021809A (ja) | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Canon Inc | 撮像装置の駆動方法、撮像装置、及び撮像システム |
| JP4946761B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-06-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
| JP5164531B2 (ja) | 2007-11-13 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5004775B2 (ja) | 2007-12-04 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
| JP5366396B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-12-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法、半導体装置の製造方法、光電変換装置、及び撮像システム |
| JP5014114B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-08-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
| JP4685120B2 (ja) | 2008-02-13 | 2011-05-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP5371463B2 (ja) | 2008-02-28 | 2013-12-18 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の制御方法 |
| KR101461624B1 (ko) * | 2008-04-21 | 2014-11-21 | 삼성전자주식회사 | 데이터의 고속 리드아웃을 위한 이미지 센서 |
| JP5102115B2 (ja) | 2008-06-05 | 2012-12-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、及び撮像システム |
| JP2010268080A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
| JP2011004390A (ja) | 2009-05-18 | 2011-01-06 | Canon Inc | 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法 |
| JP5511220B2 (ja) | 2009-05-19 | 2014-06-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2011019136A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
| JP5614993B2 (ja) | 2010-01-19 | 2014-10-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 |
| JP5493934B2 (ja) * | 2010-02-03 | 2014-05-14 | ソニー株式会社 | デューティ補正回路、遅延同期ループ回路、カラムａ／ｄ変換器、固体撮像素子およびカメラシステム |
| JP2011205393A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Riniaseru Design:Kk | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
| JP2011238856A (ja) | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JP6045136B2 (ja) | 2011-01-31 | 2016-12-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP5808162B2 (ja) | 2011-06-23 | 2015-11-10 | キヤノン株式会社 | 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の駆動方法 |
| JP2013012966A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Olympus Corp | 撮像装置 |
| JP5762199B2 (ja) | 2011-07-28 | 2015-08-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5901186B2 (ja) | 2011-09-05 | 2016-04-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| JP5858695B2 (ja) | 2011-09-08 | 2016-02-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
| JP5917055B2 (ja) | 2011-09-13 | 2016-05-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子、その駆動方法および制御プログラム |
| JP5806566B2 (ja) | 2011-09-15 | 2015-11-10 | キヤノン株式会社 | Ａ／ｄ変換器および固体撮像装置 |
| JP2013093553A (ja) | 2011-10-04 | 2013-05-16 | Canon Inc | 光電変換装置及びその製造方法、並びに光電変換システム |
| JP5901212B2 (ja) | 2011-10-07 | 2016-04-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換システム |
| JP5930651B2 (ja) | 2011-10-07 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5484422B2 (ja) | 2011-10-07 | 2014-05-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP6080447B2 (ja) | 2011-12-01 | 2017-02-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP5893573B2 (ja) | 2012-02-09 | 2016-03-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5893550B2 (ja) | 2012-04-12 | 2016-03-23 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
| JP6057602B2 (ja) | 2012-08-10 | 2017-01-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2014175553A (ja) | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Canon Inc | 固体撮像装置およびカメラ |
| JP2014216349A (ja) | 2013-04-22 | 2014-11-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP6223055B2 (ja) | 2013-08-12 | 2017-11-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP5886806B2 (ja) | 2013-09-17 | 2016-03-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP6246004B2 (ja) | 2014-01-30 | 2017-12-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP6057931B2 (ja) | 2014-02-10 | 2017-01-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP6351288B2 (ja) | 2014-02-17 | 2018-07-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP6541347B2 (ja) | 2014-03-27 | 2019-07-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP6548391B2 (ja) | 2014-03-31 | 2019-07-24 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
| JP6412328B2 (ja) | 2014-04-01 | 2018-10-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
-
2014
- 2014-01-16 JP JP2014006145A patent/JP6245997B2/ja active Active
-
2015
- 2015-01-07 US US14/591,180 patent/US9602752B2/en active Active
- 2015-01-13 CN CN201510016332.3A patent/CN104796633B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020024368A1 (en) * | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Kim Kyu-Hyoun | Flip-flop circuits having digital-to-time conversion latches therein |
| US20090115876A1 (en) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus, driving method thereof, camera, and copier |
| CN101600058A (zh) * | 2008-06-06 | 2009-12-09 | 佳能株式会社 | 固态成像设备 |
| US20090303364A1 (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus |
| US20130015329A1 (en) * | 2010-04-30 | 2013-01-17 | Sony Corporation | Column a/d converter, column a/d conversion method, solid-state imaging element and camera system |
| US20130016260A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Renesas Electronics Corporation | Solid-state image pickup device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015136016A (ja) | 2015-07-27 |
| CN104796633B (zh) | 2018-05-15 |
| US9602752B2 (en) | 2017-03-21 |
| US20150201144A1 (en) | 2015-07-16 |
| JP6245997B2 (ja) | 2017-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104796633A (zh) | 固态成像设备和成像系统 | |
| US9602753B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and imaging system | |
| US9332202B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and imaging system | |
| CN102905088B (zh) | 固态成像装置 | |
| US9264637B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus | |
| US9445029B2 (en) | Solid-state imaging apparatus with plural column circuits arranged separately in upper and lower positions and driving method therefor | |
| US9578267B2 (en) | Cameras and methods with data processing, memories, and an image sensor with multiple data ports | |
| JP6019870B2 (ja) | 固体撮像装置、及び、製造方法 | |
| JP6023437B2 (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
| EP2200270A2 (en) | Solid-state imaging apparatus and imaging system using the solid-state imaging apparatus | |
| JP2016144151A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置およびカメラ | |
| JP2010268080A (ja) | 固体撮像装置 | |
| CN103813113A (zh) | 比较器、比较方法、ad转换器、图像拾取器件、电子设备 | |
| US9294698B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus | |
| US9282267B2 (en) | Solid-state imaging device and camera | |
| CN103312992A (zh) | 信号传输系统、光电转换设备和图像拾取系统 | |
| US8665353B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus and method for driving the same | |
| US9386251B2 (en) | Image pickup device, image pickup system, and method of driving image pickup device in which comparison start times are controlled | |
| US8804018B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus for receiving signals from odd-numbered and even-number columns | |
| WO2019194266A1 (ja) | 横筋ノイズを低減する固体撮像装置及びその駆動方法並びに電子機器 | |
| JP7277379B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP6749728B2 (ja) | 固体撮像装置、その駆動方法およびカメラ | |
| US9807333B2 (en) | Imaging apparatus and imaging system | |
| JP2024064204A (ja) | 光電変換装置、制御方法、及びコンピュータプログラム | |
| JP2016127450A (ja) | 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |