CN103165258A - 线圈型电子零件 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于提供一种使用能以低成本进行生产、并且兼具高磁导率与高饱和磁通密度这两种特性的磁体的线圈型电子零件。该线圈型电子零件的特征在于：在坯体的内部或表面具有线圈，且线圈型电子零件中的坯体包含经由氧化层而相互结合的软磁性合金的粒子群，在各软磁性合金的粒子的内部存在多个晶粒，并且，优选的是，所述氧化层为二层构造，且所述氧化层中的外层比内层形成得厚。

Description

线圈型电子零件
技术领域
本发明涉及一种线圈型电子零件，尤其是关于一种使用有适用于可向电路基板上进行表面安装的小型化线圈型电子零件的软磁性合金的线圈型电子零件。
背景技术
先前，作为在高频下使用的扼流圈的磁芯，使用有铁氧体芯、金属薄板的对接式铁芯(cut core)、或压粉磁芯。
与铁氧体相比，若使用金属磁体，则有可获得高饱和磁通密度的优点。另一方面，因金属磁体本身绝缘性较低，所以必须实施绝缘处理。
在专利文献1中提出有如下技术：将包含具有表面氧化覆膜的Fe-Al-Si粉末与粘合剂的混合物压缩成形后，在氧化性环境中进行热处理。根据该专利文献，通过在氧化性环境中进行热处理，而在压缩成形时合金粉末表面的绝缘层被破坏的部位形成氧化层(氧化铝)，能以较低的磁芯损耗获得具有良好的直流重叠特性的复合磁性材料。
在专利文献2中揭示有如下的积层型电子零件，是通过将使用以金属磁体粒子为主要成分、且含有玻璃的金属磁体膏而形成的金属磁体层与使用含有银等金属的导电膏而形成的导体图案积层而成，并在积层体内形成有线圈图案，并且，该积层型电子零件是在氮气环境中且于400℃以上的温度下焙烧。
[先前技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2001-11563号公报
[专利文献2]日本专利特开2007-27354号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
在专利文献1的复合磁性材料中，因使用预先于表面形成有氧化覆膜的Fe-Al-Si粉末而进行成形，所以于压缩成形时必需较大的压力。
而且，存在如下课题：在应用于如功率电感器般需要流通更大电流的电子零件的情况下，无法充分应对进一步的小型化。
而且，在专利文献2的积层型电子零件中，提出了利用有使用以金属磁体粒子为主要成分、且含有玻璃的金属磁体膏而形成的金属磁体层的积层型电子零件，但虽利用玻璃层而改善电阻，然而会因玻璃的混合而引起金属磁体的填充率降低，导致以磁导率μ为首的磁特性降低。
本发明是鉴于所述情况而成，其目的在于提供一种包含能以低成本生产、并且兼具更高磁导率与更高饱和磁通密度该两种特性的磁体的线圈型电子零件及其制造方法。
[解决问题的技术手段]
本发明者等人为了达成所述目的而反复进行锐意研究，结果发现：若将以铁、硅及铬或铁、硅及铝为主要成分的软磁性合金的粒子与结合材料混合而成形，并对其成形体在含有氧的环境中、在特定条件下进行热处理，通过该热处理，而使结合材料分解且在热处理后的金属粒子表面上形成有氧化层，通过该氧化层而使合金粒子彼此结合，由此，使热处理后的磁导率高于热处理前的磁导率，并且使热处理后的合金粒子内生成晶粒(以下，也有称为“粒子内晶粒”的情况)，因该粒子内晶粒之存在，可兼顾高磁导率μ与低磁性损耗Pcv。而且，也判明：该氧化层优选的是二层构造，且该二层构造的氧化层中的内层是由以铬的氧化物或铝的氧化物为主要成分的氧化层而形成，并被覆软磁性合金粒子，由此，可防止软磁性合金粒子内部产生氧化，从而可抑制特性之劣化。而且，也判明：该二层构造的氧化层中的外层是由以铁及铬的氧化物、或铁及铝的氧化物为主要成分的氧化层而形成，进而，其是厚于所述内层的氧化层，因此可达成绝缘性之改善。又进而，也发现：与合金粒子彼此的结合无关的表面氧化层的表面上具有凹凸，且粒子比表面积较热处理前变大，由此使绝缘性之改善效果提高。
本发明是基于这些见解而完成，且是如下发明。
<1>一种线圈型电子零件，其特征在于：在坯体的内部或表面具有线圈，所述坯体包含经由氧化层而相互结合的软磁性合金的粒子群，在各软磁性合金的粒子的内部存在多个晶粒。
<2>如<1>的线圈型电子零件，其特征在于：所述软磁性合金是以铁、铬及硅为主要成分。
<3>如<1>的线圈型电子零件，其特征在于：所述软磁性合金是以铁、铝及硅为主要成分。
<4>如<1>至<3>中任一项的线圈型电子零件，其特征在于：所述坯体具有不经由所述氧化层的所述软磁性合金粒子彼此的结合。
<5>如<1>至<4>中任一项的线圈型电子零件，其特征在于：所述氧化层为二层构造，且所述氧化层中的外层比内层厚。
<6>如<1>至<5>中任一项的线圈型电子零件，其特征在于：所述软磁性合金的粒子彼此未结合的氧化层的外层的表面为凹凸面。
[发明的效果]
根据本发明，通过对以铁、硅及铬，或铁、硅及铝为主要成分的软磁性合金粒子适当地进行热处理，可使合金粒子彼此经由形成在粒子表面的氧化层而结合，由此，使热处理后的磁导率高于热处理前的磁导率，可谋求绝缘性之改善，并且通过该热处理，可在热处理后的合金粒子内生成晶粒，并且因该粒子内晶粒之存在，可兼顾高磁特性μ与低磁性损耗，并可与经由所述氧化层的粒子结合效果相辅相成地提高制品特性。而且，于将氧化层设为二层构造的情况下，可于如先前般形成于合金粒子表面的铬或铝之比率较高的氧化层的更外层上，使比电阻更高、且以铁及铬的氧化物或铁及铝的氧化物为主要成分的氧化层较厚地形成，因此可达成绝缘性之改善。而且，软磁性合金粒子是被由以铬的氧化物或铝的氧化物为主要成分的氧化层而形成的内层被覆，由此，可防止软磁性合金粒子内部进行过剩之氧化，从而可抑制特性之劣化。进而，通过本发明的热处理，而在粒子表面产生凹凸，使比表面积提高，由此，易于因先前技术中可见之合金粒子彼此结合而实现μ改善，进而，于未结合的表面氧化层具有凹凸，由此使表面电阻增加，从而提高绝缘性之改善效果。
附图说明
图1是表示本发明的使用电子零件用软磁性合金的坯体之第1实施方式的侧视图。
图2(A)、(B)是示意性地表示通过本发明而形成的氧化层的图。
图3是将于图2中利用虚线包围的部分4放大而示意性地表示粒子内晶粒的图。
图4是表示对本发明的线圈型电子零件的第1实施方式的一部分进行透视的侧视图。
图5是表示第1实施方式的线圈型电子零件的内部构造的纵端视图。
图6是表示本发明的使用电子零件用软磁性合金的坯体的实施方式的变形例的一例的内部构造的透视图。
图7是表示本发明的电子零件的实施方式的变形例的一例的内部构造的透视图。
图8是表示本发明的实施例的3点弯曲破断应力的试样测定方法的说明图。
图9是表示本发明的实施例的体积电阻率的试样测定方法的说明图。
[符号的说明]
1    粒子
2    氧化层的内层
3    氧化层的外层
10   使用电子零件用软磁性合金的坯体
10′ 使用电子零件用软磁性合金的坯体
11   鼓型磁芯
11a  卷芯部
11b  凸缘部
12   板状磁芯
14   外部导体膜
14a  烧附导体膜层
14b  镀镍(Ni)层
14c  镀锌(Sn)层
15   线圈
15a  卷绕部
15b  端部(接合部)
20   电子零件(绕线型芯片电感器)
31   积层体芯片
34   外部导体膜
35   内部线圈
40   电子零件(积层型芯片电感器)
具体实施方式
于本说明书中，“粒子经氧化而生成的氧化层”是通过粒子之自然氧化以上的氧化反应而形成的氧化层，且是通过将由粒子所得的成形体在氧化性环境中进行热处理而使粒子的表面与氧反应而成长的氧化层。另外，“层”是可于组成上、构造上、物性上、外观上、及/或制造步骤上等方面与其他区别之层，其边界包含明确的及不明确的，而且，包含粒子上为连续膜的情况及一部分具有非连续部分的情况。于某一态样中，“氧化层”是将粒子整体被覆之连续氧化膜。而且，此种氧化层具有本说明书中所指出之任一项之特征，且通过粒子的表面的氧化反应而成长的氧化层是可与利用其他方法而被覆的氧化膜层区别。而且，于本说明书中“更多”、“更易于”等表示比较之表达是意指实质上的差异，且意指于功能、构造及作用效果上发挥有意的差异的程度的差异。
以下，参照图1或图5，对本发明的使用电子零件用软磁性合金的坯体之第1实施方式进行说明。
图1是表示本实施方式的使用电子零件用软磁性合金的坯体10之外观的侧视图。
本实施方式的使用电子零件用软磁性合金的坯体10是作为用以卷绕绕线型芯片电感器的线圈的磁芯而使用的。鼓型磁芯11具备与电路基板等安装面平行地配设且用以卷绕线圈的板状的卷芯部11a、及分别配设于卷芯部11a之相互对向的端部的一对凸缘部11b、11b，且外观呈鼓型。线圈的端部与形成于凸缘部11b、11b的表面的外部导体膜14电性连接。
本发明的使用电子零件用软磁性合金的坯体10之特征在于：是包含以铁(Fe)、硅(Si)及铬(Cr)，或者以铁(Fe)、硅(Si)及铝(Al)为主要成分的软磁性合金的粒子群，于各软磁体粒子的表面形成有包含通过在含有氧的环境中适当进行热处理而使该粒子氧化而生成之金属氧化物的层(以下，称为“氧化层”)，并且热处理后的合金粉粒子之结晶性提高，从而于粒子内形成晶粒。
以下，本说明书之记载是以元素名或元素符号而记载。
图2中，为了易懂地说明本发明中的氧化层，使用简化之2个软磁性合金粒子之模型而示意性地进行表示。另外，图中，虚线4是表示于下述图3中将粒子内生成之晶粒放大而示意性地表示的部分。
氧化层是于粒子1的表面使该粒子氧化而生成，且是与该合金粒子相比，铬或铝之比率较高的氧化层。并且，该氧化层优选的是具有二层构造，该二层构造是由包含以铬的氧化物或铝的氧化物为主要成分的内层2、及进而位于该内层2之外侧且以比电阻更高之铁及铬的氧化物或铁及铝的氧化物为主要成分的外层3构成。而且，所述外层3是较所述内层2更厚地形成，且软磁体合金粒子1的表面由该内层2被覆，软磁性合金粒子1彼此如(A)所示，使氧化层的外层3彼此结合，或如(B)所示，不经由氧化层而使粒子1彼此直接结合。
进而，与软磁性合金粒子彼此的结合无关的氧化层的外层具有凹凸表面，而使粒子比表面积较热处理前变大，由此可提高绝缘性之改善效果。
在本发明中，粒子内晶粒是通过热处理而使粒子内部烧结而生成的，且根据所生成之晶粒之方位轴之不同，于FE-SEM(field emission scanning electron microscope，场发射扫描电子显微镜)之反射像中成为亮度之差而被观察到。具体而言，粒子内晶粒之确认方法是，在对于对象制品进行镜面研磨后实施离子研磨(CP，Cross section polisher，离子束截面研磨)之后，利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)以2000～10000倍进行拍摄，而获得反射电子组成像。于反射电子组成像中，根据通过热处理烧结而生成的粒子内晶粒之方位轴之不同，显现为多等级之亮度之差。图3中示意性地表示于FE-SEM之反射电子组成像中所观察到的亮度之差，且将由图2之虚线4所包围的部分放大。
与此相对，于未发现晶粒之生成时，可见粒子内之反射电子组成像全部为均匀之亮度。
使用具有以此方式获得的微细构造的软磁性合金粒子之本发明的线圈型电子零件可获得高磁导率、高电阻、及低磁性损耗，由此表现出优于先前的特性。
作为氧化层之确认方法，可在对于对象制品进行镜面研磨后实施离子研磨(CP)之后，利用扫描式电子显微镜(SEM，scanning electron microscope)而确认。
该氧化层之识别可以如下方式进行。
首先，以使坯体之通过中心的厚度方向的截面露出的方式进行研磨，并使用扫描式电子显微镜(SEM)以3000倍对所获得的截面进行拍摄而获得组成像。
于扫描式电子显微镜(SEM)中，根据构成元素之不同，于组成像中表现为对比度(亮度)之不同。其次，对于以所述方式所获得的组成像，将各像素分类成4等级的亮度等级。关于亮度等级，若将所述组成像中粒子的截面的轮廓可全部确认的粒子中、各粒子的截面的长轴尺寸d1与短轴尺寸d2的简单平均值D＝(d1+d2)/2大于原料粒子(作为未形成氧化层的原料的合金粒子)的平均粒径(d50％)的粒子的组成对比度设为基准亮度等级，则可将所述组成像中相当于该亮度等级的部分判断为粒子1。而且，可将组成对比度仅次于所述基准亮度等级的亮度等级的部分判断为氧化层的外层3，将进而较暗的亮度等级的部分判断为氧化层的内层2(参照图2的示意图)。另外，较理想的是对多个进行测定。而且，可将暗于所述基准亮度等级中任一者的亮度等级的部分判断为空孔(未图示)。
关于氧化层的内层2及氧化层的外层3的厚度的测定，可通过将自粒子与氧化层的内层2之边界面至氧化层的外层3与空孔之边界面的最短距离设为氧化层的内层2及氧化层的外层3的厚度而求出。
具体而言，氧化层的厚度可以如下方式而求出。使用SEM(扫描式电子显微镜)以1000倍或3000倍对坯体10的厚度方向的截面进行拍摄，对于所获得的组成像之1粒子利用图像处理软体求出重心，并自其重心点于半径方向上利用EDS(Energy DispersiveSpectroscopy，能量分散型X射线分析装置)进行射线分析。将氧浓度为重心点上的氧浓度之3倍以上的区域判定为氧化物(也就是说，考虑到测定之晃动，而将3倍设为阈值，将未达该倍数的判定为非氧化层，实际的氧化层之氧浓度可达到100倍以上)，将直至粒子外周部为止作为内层及外层之2层氧化层之合计厚度而测长。此处，如上所述根据亮度之不同而求出氧化层的外层3的厚度，将自氧化层之合计厚度减去该外层3的厚度而获得的值设为氧化层的内层2的厚度。
另外，将氧化层之合计厚度，设为根据利用所述方法而鉴定之存在于粒子1的表面的氧化层的自粒子1的表面的厚度的最厚部的厚度与最薄部的厚度的简单平均值而求出的平均厚度。而且，将氧化层的外层3的厚度，设为根据利用所述方法而鉴定之存在于氧化层的内层2的表面的自氧化层的外层3的内层的表面的厚度的最厚部的厚度与最薄部的厚度的简单平均值而求出的平均厚度。
在本发明中，氧化层的内层2及外层3的厚度虽于粒子之间也不均一，但内层2的优选范围为5～50nm，外层3的优选范围为50～500nm。
形成于合金粒子的表面的氧化层的厚度即便于1个合金粒子中，也可根据部位不同而成为不同厚度。
就态样而言，整体上，设为由厚于合金粒子表面的氧化层(与空孔相邻接的氧化层)的氧化层结合之各个合金粒子，由此可获得高强度的效果。
而且，作为其他态样，整体上，设为利用薄于合金粒子表面的氧化层(与空孔相邻接的氧化层)的氧化层而结合之各个合金粒子，由此可获得高磁导率的效果。
而且，于某一态样下，具有氧化层之软磁体粒子的平均粒径实质上或大致与原料粒子(成形、热处理前的粒子)的平均粒径相同。
在本发明中，在所述二层构造的氧化层中，内层2是以铬的氧化物或铝的氧化物为主要成分的氧化层，外层3是以铁及铬的氧化物、或铁及铝的氧化物为主要成分的氧化层。
该二层构造可利用EDS(能量分散型X射线分析装置)而确认，从而可获得抑制饱和磁通密度的降低之效果。
使用所述电子零件用软磁性合金的坯体(以下，也有称为“电子零件用软磁性合金坯体”的情况)中的粒子的组成比可以如下方式确认。
首先，以使通过粒子的中心的截面露出的方式对原料粒子进行研磨，对于使用扫描式电子显微镜(SEM)以3000倍对所获得的截面拍摄的组成像，通过能量分散型X射线分析(EDS)并利用ZAF(Atomic Number Effect(原子序数效应)、Absorption Effect(吸收效应)、Fluorescence Excitation Effect(萤光效应))法算出粒子的中心附近的组成。其次，以使所述电子零件用软磁性合金坯体之通过大致中心的厚度方向的截面露出的方式进行研磨，自使用扫描式电子显微镜(SEM)以3000倍对所获得的截面拍摄的组成像中，抽选出粒子的截面的轮廓可全部确认的粒子中、各粒子的截面的长轴尺寸d1与短轴尺寸d2的简单平均值D＝(d1+d2)/2大于原料粒子的平均粒径(d50％)的粒子，通过能量分散型X射线分析(EDS)并利用ZAF法而算出其长轴与短轴的交点附近的组成，将其与所述原料粒子中的组成比进行对比，由此，可获知使用所述电子零件用软磁性合金的坯体中的合金粒子的组成比(因原料粒子的组成为公知，所以可通过对利用ZAF法而算出的各个组成进行比较而求出坯体中的合金粒子的组成)。
本发明的坯体10具备多个软磁性合金粒子1及生成于粒子1的表面的氧化层，优选的是具有由内层2与外层3构成的二层构造的氧化层，软磁性合金粒子1是铬2～8wt％、硅1.5～7wt％、铁88～96.5wt％的组成，或铝2～8wt％、硅1.5～12wt％、铁80～96.5wt％的组成，且软磁体粒子之算术平均粒径较理想的是30μm以下。氧化层的内层2及外层3至少包含铬或铝，且通过利用扫描式电子显微镜的能量分散型X射线分析而获得的铬对铁或铝对铁的峰值强度比R2及R3实质上均大于粒子中的铬对铁或铝对铁的峰强度比R1。而且，氧化层的外层是以铁及铬的氧化物或铁及铝的氧化物为主要成分，与此相对，氧化层的内层是以铬的氧化物或铝的氧化物为主要成分，因此，氧化层的内层2中的铬对铁或铝对铁的峰值强度比R2大于所述氧化层的外层3中的铬对铁或铝对铁的峰强度比R3。
进而，于多个粒子之间，也有存在空孔的部位。
另外，关于所述电子零件用软磁性合金坯体，若以主要成分为铁(Fe)、硅(Si)及铬(Cr)的软磁性合金的情形为例，则所述粒子1中的铬对铁的强度比R1、氧化层的内层2中的铬对铁的峰值强度比R2、及所述氧化层的外层3中的铬对铁的峰强度比R3分别可以如下方式求出。
首先，利用SEM-EDS求出所述组成像中的粒子1的内部的长轴d1与短轴d2相交的点上的组成。其次，测定所述组成像中的粒子1的表面的氧化层之合计厚度及外层3之各自的最厚部的厚度t1与最薄部的厚度t2。根据测定值求出各自的平均厚度(T＝(t1+t2)/2)，并将自氧化层之合计厚度的平均厚度减去外层3的平均厚度后所得的值设为氧化层的内层2的平均厚度。其次，寻找相当于内层2的平均厚度及外层3的平均厚度的各个氧化层的厚度的部位，并利用SEM-EDS求出其中心点上的组成。继而，可根据粒子1的内部中的铁的强度C1FeKa及铬的强度C1CrKa，而求出铬对铁的峰强度比R1＝C1CrKa/C1FeKa。而且，可根据氧化层的内层2的厚度的中心点上的铁的强度C2FeKa及铬的强度C2CrKa，而求出铬对铁的峰强度比R2＝C2CrKa/C2FeKa。进而，可根据氧化层的外层3的厚度的中心点上的铁的强度C3FeKa及铬的强度C3CrKa，而求出铬对铁的峰强度比R3＝C3CrKa/C3FeKa。
在本发明的使用电子零件用软磁性合金的坯体中，通过生成于粒子1的表面上的氧化层的内层2而被覆粒子，并且使粒子1的氧化层的外层3彼此结合(参照图2(A))。在本发明中，通过生成于相邻接的粒子1的表面上的二层构造的氧化层的内层2而被覆粒子，并且使该氧化层的外层3彼此结合，可表现为使用电子零件用软磁性合金的坯体的磁特性及强度之提高。
而且，自SEM观察之结果可确认：本发明的氧化层如下详细叙述，将粒子1与热塑性树脂等结合剂搅拌混合所得的颗粒压缩成形而形成为成形体后，进行热处理，由此使其形成于粒子1的表面，但于使成形体的成形压力变高的情况下，可不经由氧化层而使粒子1彼此直接结合(参照图2(B))。
而且，与软磁性合金粒子彼此结合无关的氧化层之外表层具有凹凸表面，而使粒子比表面积较热处理前变大，由此提高绝缘性之改善效果。
制造本发明的使用电子零件用软磁性合金的坯体时，作为一态样，首先，于含有铬、硅及铁，或铝、硅及铁的原料粒子中添加例如热塑性树脂等结合剂，并搅拌混合而获得颗粒。其次，将该颗粒压缩成形而形成为成形体，并将所获得的成形体在大气中且于500～900℃下进行热处理。通过在该大气中进行热处理，而对经混合之热塑性树脂进行脱脂，并且一面使本来存在于粒子中且通过热处理而移动至表面的铬或铝、与作为粒子之主要成分之铁与氧结合，一面在粒子表面生成包含金属氧化物的氧化层，并且使相邻接的粒子的表面的氧化层彼此结合，且使粒子内部烧结而生成粒子内晶粒。生成在粒子表面上的氧化层(金属氧化物层)优选的是具有包含内层及外层的二层构造，且外层较内层更厚地形成，该内层是以形成于合金粒子表面的铬的氧化物或铝的氧化物为主要成分，该外层进而位于该内层之外侧且以含有比电阻更高之铁及铬的氧化物或含有铁及铝的氧化物为主要成分。并且，软磁体粒子的表面由所述内层而被覆，至少一部分的软磁体粒子彼此经由外层而结合，因此，可提供一种使用确保粒子之间的绝缘的电子零件用软磁性合金的坯体。
作为原料粒子的示例，可列举利用水雾化法而制造的粒子，作为原料粒子的形状的示例，可列举球状及扁平状。
在本发明中，若于氧环境下提高热处理温度，则结合剂分解，使软磁性合金体氧化，并且使粒子内部烧结而生成粒子内晶粒。
作为用以形成该粒子内晶粒的成形体的热处理条件，较理想的是，在大气中以升温速度30～300℃/小时升温至500～900℃，进而，使其滞留1～10小时。通过在该温度范围内及以该升温速度下进行热处理，可将粒子内部烧结而生成粒子内晶粒，并且可形成所述优选的二层构造的氧化层。更佳为升温至600～800℃。也可在大气中以外之条件下，例如于氧分压与大气相同程度的环境中进行热处理。若于还元环境或非氧化环境中，则无法通过热处理而生成包含金属氧化物的氧化层，因此粒子彼此烧结而使体积电阻率明显降低。
对于环境中的氧浓度及水蒸气量并无特别限定，但就生产方面考虑，较理想的是大气或干燥空气。
若热处理温度超过500℃，则可获得优异的强度及优异的体积电阻率。另一方面，若热处理温度超过900℃，则虽强度增加，但体积电阻率会降低。
进而，若升温速度高于300℃/小时，则无法生成粒子内晶粒，而成为一层的氧化层。
通过热处理，成长于粒子1之周围的氧化层表面始终具有凹凸，且该凹凸于升温速度较缓慢的情况下易于出现，于粒子彼此经由氧化层的外层而结合的部位会被吸收，但于与结合无关的部位(与空孔相邻接的部位)会残留。利用形成于该粒子表面的凹凸，而使表面电阻增加，从而使绝缘性之改善效果提高。
进而，通过将所述热处理温度下之滞留时间设为1小时以上，而易于生成粒子内晶粒，而且，易于生成包含铁与铬、或铁与铝之金属氧化物的氧化层的外层3。因氧化层厚度为固定值且饱和，所以未特意设定保持时间之上限，但考虑到生产性，较妥当为设为10小时以下。
又进而，也可存在于以所述升温速度升温的过程中保持在固定温度的时间，例如也可存在如下情况：在热处理温度为700℃的情况下，以所述升温速度升温至500～600℃后，在该温度下保持1小时后，进而以所述升温速度升温至700℃等。
如上所述，通过将热处理条件设为所述范围内，可制造利用有同时满足优异的强度与优异的体积电阻率、且具有氧化层的软磁性合金的坯体。
也就是说，利用热处理温度、热处理时间及热处理环境中的氧量等，而控制粒子内晶粒及氧化层的形成。
在本发明的电子零件用软磁性合金坯体中，通过对于铁-硅-铬或铁-硅-铝的合金粉应用所述处理，可获得高磁导率与高饱和磁通密度。并且，利用该高磁导率，可获得与较先前相比能利用更小型的软磁性合金坯体而流通更大电流的电子零件。
并且，与利用树脂或玻璃使软磁性合金的粒子结合的线圈零件不同，不使用树脂及玻璃，且无需施加较大压力而成形，所以能以低成本进行生产。
而且，在本实施方式的电子零件用软磁性合金坯体中，维持高饱和磁通密度，并且即便在大气中的热处理后，也可防止玻璃成分等向坯体表面浮出，可提供一种具有较高尺寸稳定性的小型的芯片状电子零件。
其次，参照图1、图2、图4及图5对本发明的电子零件的第1实施方式进行说明。因图1及图2与所述电子零件用软磁性合金坯体的实施方式重复，所以省略它们的说明。图4是透视表示本实施方式的电子零件的一部分的侧视图。而且，图5是表示本实施方式的电子零件的内部构造的纵剖视图。本实施方式的电子零件20作为线圈型电子零件，是绕线型芯片电感器。其具有使用有所述电子零件用软磁性合金的坯体10即鼓型磁芯11、及包含所述坯体10且分别连结于鼓型磁芯11的两凸缘部11b、11b之间的省略图示的一对板状磁芯12、12。在磁芯11的凸缘部11b、11b的安装面上，分别形成有一对外部导体膜14、14。而且，在磁芯11的卷芯部11a卷绕有包含绝缘被覆导线的线圈15而形成卷绕部15a，并且两端部15b、15b分别热压接合于凸缘部11b、11b的安装面的外部导体膜14、14。外部导体膜14、14具备形成于坯体10的表面上的烧附导体层14a、及积层形成在该烧附导体层14a上的镀镍(Ni)层14b及镀锌(Sn)层14c。所述板状磁芯12、12利用树脂系接着剂而接着在鼓型磁芯11的凸缘部11b、11b。
就本实施方式的电子零件20而言，作为磁芯11具备使用有所述电子零件用软磁性合金的坯体10，关于该坯体10，若以主要成分为铁(Fe)、硅(Si)及铬(Cr)的软磁性合金的情形为例，则具备含有铬、硅及铁的多个粒子，以及生成于该粒子的表面上、至少含有铁及铬、且通过使用扫描式电子显微镜的能量分散型X射线分析并利用ZAF法而算出的铬对铁的峰值强度比大于所述粒子中的铬对铁的峰值强度比的氧化层，且生成于相邻接的所述粒子的表面上的氧化层彼此结合。而且，在坯体10的表面，至少形成有一对外部导体膜14、14。因本实施方式的电子零件20中的使用电子零件用软磁性合金的坯体10与上文所述重复，所以省略其说明。
磁芯11至少具有卷芯部11a，且卷芯部11a的截面的形状可采取板状(长方形)、圆形或椭圆。
进而，优选的是在所述卷芯部11a的端部至少具有凸缘部11。
若具有凸缘部11，则易于利用凸缘部11来控制线圈相对于卷芯部11a的位置，从而使电感等特性稳定。
磁芯11存在如下态样：具有一个凸缘、具有两个凸缘(鼓式磁芯)、将卷芯部11a的轴长方向相对于安装面垂直地配置、或水平地配置。尤其是，就低背化而言，优选的是仅于卷芯部11a的轴的一方具有凸缘，并将卷芯部11a的轴长方向相对于安装面垂直地配置的态样。
外部导体膜14是形成在使用电子零件用软磁性合金的坯体10的表面，且所述线圈的端部与所述外部导体膜14连接。
外部导体膜14有烧附导体膜及树脂导体膜。作为针对电子零件用软磁性合金坯体10的烧附导体膜的形成例，有将在银中添加玻璃的浆料以特定的温度进行烧附的方法。作为针对使用电子零件用软磁性合金的坯体10形成树脂导体膜的示例，有涂布含有银与环氧树脂的浆料，并于特定的温度下进行处理的方法。在烧附导体膜的情况下，可于导体膜形成后进行热处理。
作为线圈的材质，有铜或银。优选的是对线圈实施绝缘覆膜。
作为线圈的形状，有扁平线、角线或圆线。在扁平线或角线的情况下，可使绕线间的间隙变小，因此对于电子零件的小型化而言较佳。
关于本实施方式的电子零件20中的使用电子零件用软磁性合金的坯体10的表面的外部导体膜14、14的烧附导体膜层14a，作为具体例，可以如下方式而形成。
在所述坯体10即磁芯11的凸缘部11b、11b的安装面上，涂布包含金属粒子与玻璃料的烧附型电极材料浆料(在本实施例中为烧附型银(Ag)浆)，并在大气中进行热处理，由此使电极材直接烧结固着在坯体10的表面。又进而，也可利用电解镀覆而在所形成的烧附导体膜层14a的表面上形成Ni、Sn的金属镀覆层。
而且，作为一态样，本实施方式的电子零件20也通过如下制造方法而获得。
作为具体组成的示例，使包含含有铬2～8wt％、硅1.5～7wt％及铁88～96.5wt％，或铝2～8wt％、硅1.5～12wt％及铁80～96.5wt％的原料粒子与结合剂的材料成形，在所获得的成形体的至少成为安装面的表面上涂布包含金属粉末与玻璃料的烧附型电极材料浆料后，将所获得的成形体在大气中且于400～900℃下进行热处理。又进而，也可在所形成的烧附导体层上形成金属镀覆层。根据该方法，可在粒子的表面上生成氧化层，并且可同时形成相邻接的粒子的表面的氧化层彼此结合的电子零件用软磁性合金坯体、与该坯体的表面的导体膜的烧附导体层，从而可简化制造制程。
因铬或铝较铁易于氧化，所以与纯铁相比，在氧化环境下加热时，可抑制铁的过度氧化。
其次，参照图6对本发明的电子零件用软磁性合金坯体的实施方式的变形例进行说明。图6是表示变形例的一例的利用电子零件用软磁性合金的坯体10′的内部构造的透视图。本变形例的坯体10′是外观呈长方体状，内部埋设有螺旋状地卷绕的内部线圈35，且内部线圈35的两端部的引出部分别露出在坯体10′的相互对向的一对端面。坯体10′与埋设在内部的内部线圈35一并构成积层体芯片31。关于本变形例的电子零件用软磁性合金坯体10′，若以主要成分为铁(Fe)、硅(Si)及铬(Cr)的软磁性合金的情形为例，则其特征在于：与所述第1实施方式的电子零件用软磁性合金坯体10同样地，具备含有铬、硅及铁的多个粒子，以及生成于粒子的表面、至少含有铁及铬、且通过使用扫描式电子显微镜的能量分散型X射线分析所得的铬对铁的峰值强度比大于粒子中的铬对铁的峰值强度比的氧化层，且生成于相邻接的粒子的表面上的氧化层彼此结合。
于本变形例的电子零件用软磁性合金坯体10′中，也具有与所述第1实施方式的电子零件用软磁性合金坯体10相同的作用、效果。
其次，参照图7对本发明的电子零件的实施方式的变形例进行说明。图7是表示变形例的一例的电子零件40的内部构造的透视图。本变形例的电子零件40中，在所述变形例的使用电子零件用软磁性合金的坯体10′的相互对向的一对端面及其附近，具备以与内部线圈35的露出的引出部连接的方式而形成的一对外部导体膜34、34。外部导体膜34、34虽省略图示，但与所述第1实施方式的电子零件20的外部导体膜14、14同样地，具备烧附导体层、及积层形成在该烧附导体层上的镀镍(Ni)层及镀锌(Sn)层。在本变形例的电子零件40中，也具有与所述第1实施方式的电子零件20相同的作用、效果。
就构成本发明的电子零件用软磁性合金坯体的多个粒子的组成而言，于主要成分为铁(Fe)、硅(Si)及铬(Cr)的软磁性合金的情况下，优选的是含有2≤铬≤8wt％、并且含有1.5≤硅≤7wt％、88≤铁≤96.5％。于该范围内时，本发明的电子零件用软磁性合金坯体进而表现出高强度与高体积电阻率。
一般而言，软磁性合金中的Fe量越多则饱和磁通密度越高，因此对直流重叠特性有利，但作为磁性元件使用时，在高温多湿环境下会产生如下问题：形成锈或该锈发生脱落等。
而且，众所周知，如不锈钢所代表那样，向磁性合金添加铬对耐蚀性有效。然而，在使用含有铬的所述合金粉末于非氧化性环境中进行热处理的压粉磁心中，由绝缘电阻计所测定出的比电阻为10-1Ω·cm，虽具有在粒子之间不会产生涡流损耗的程度的值，但为了形成外部导体膜，必需105Ω·cm以上的比电阻，而无法在外部导体膜的烧附导体层上形成金属镀覆层。
因此，本发明中，对于包含具有所述组成的原料粒子与结合剂的成形体，在氧化环境中且在特定条件下进行热处理，由此，在粒子的表面生成包含金属氧化物层的二层构造的氧化层，并且利用该氧化层的内层被覆粒子的表面，同时利用该氧化层的外层使至少一部分的相邻接的粒子的表面的氧化层彼此结合，由此获得较高强度。所获得的电子零件用软磁性合金坯体的体积电阻率pv大幅度地提高至105Ω·cm以上，可使向形成于坯体的表面的外部导体膜的烧附导体层上的Ni、Sn等金属镀覆层，以不发生镀覆延伸的方式形成。
进而，说明在较好的形态的本发明的电子零件用软磁性合金坯体中，限定组成的理由。
若多个粒子的组成中的铬的含量未达2wt％，则体积电阻率较低，无法使向外部导体膜的烧附导体层上的金属镀覆层以不发生镀覆延伸的方式形成。
而且，在铬多于8wt％的情况下，体积电阻率也较低，无法使向外部导体膜的烧附导体层上的金属镀覆层以不发生镀覆延伸的方式形成。
在所述电子零件用软磁性合金坯体中，多个粒子的组成中的Si虽具有改善体积电阻率的作用，但若未达1.5wt％，则无法获得该效果，另一方面，在大于7wt％的情况下，该效果也不充分，且其体积电阻率未满足105Ω·cm，因此，无法使向外部导体膜的烧附导体层上的金属镀覆层以不发生镀覆延伸的方式形成。而且，Si虽也具有改善磁导率的作用，但在大于7wt％的情况下，会因Fe含量的相对降低而使饱和磁通密度产生降低、且伴随成形性的恶化而使磁导率及饱和磁通密度产生降低。
在所述电子零件用软磁性合金坯体中，若多个粒子的组成中的铁的含量未达88wt％则会产生饱和磁通密度的降低、与伴随成形性的恶化而产生的磁导率及饱和磁通密度的降低。而且，在铁的含量大于96.5wt％的情况下，会因铬含量及硅含量的相对降低而引起体积电阻率降低。
而且，在使用铝的情况下，优选的是含有铝2～8wt％、硅1.5～12wt％、及铁80～96.5wt％。
若多个粒子的组成中的铝的含量未达2wt％，则体积电阻率较低，无法使向外部导体膜的烧附导体层上的金属镀覆层以不发生镀覆延伸的方式形成。而且，在铝的含量大于8wt％的情况下，会发生因Fe含量的相对降低而引起的饱和磁通密度的降低。
在本发明中，进而，在将多个粒子的平均粒径换算成原料粒子的平均粒径d50％(算术平均)时，更理想的是5～30μm。而且，所述多个粒子的平均粒径也可与如下值近似，该值是从使用扫描式电子显微镜(SEM)以3000倍对坯体的截面拍摄的组成像中，对于粒子的截面的轮廓可全部确认的粒子，将各粒子的截面的长轴尺寸d1与短轴尺寸d2的简单平均值D＝(d1+d2)/2的总和除以所述粒子的个数所得的值。
合金金属粒子群具有粒度分布，不一定为圆球，而成为扁圆的形状。
而且，以二维(平面)观察作为立体的合金金属粒子时，根据在哪个截面进行观察，而表观大小有所不同。
因此，在本发明的平均粒径中，通过增加所测定的粒子数，而评价粒径。
因此，较理想的是至少测定100以上至少符合下述条件的粒子数。
具体方法是，将在粒子截面上成为最大的径设为长轴，并求出将长轴的长度进行2等分的点。将包含该点且在粒子截面上成为最小的径设为短轴。并将它们定义为长轴尺寸与短轴尺寸。
对于所测定的粒子，将粒子截面上成为最大的径较大的粒子按照递减的顺序依序排列，粒子截面的累计比率是测定从扫描式电子显微镜(SEM)的图像除去无法全部确认粒子的截面的轮廓的粒子、空孔及氧化层的面积的95％的大小的粒子。
若所述平均粒径处于该范围内，则可获得高饱和磁通密度(1.4T以上)与高磁导率(27以上)，并且即便是在100kHz以上的频率下，也可抑制粒子内产生涡流损耗。
另外，在本说明书中，所揭示的具体数值是意指在某一态样中约与其一致的数值，而且，在范围的记载中，上限及/或下限的数值是在某一态样中包含于范围内，而在某一态样中不包含于范围内。而且，在某一态样中数值是意指平均值、典型值或中央值等。
[实施例]
以下，根据实施例及比较例进一步具体说明本发明，但本发明并不受它们的任何限定。
为了判断使用电子零件用软磁性合金的坯体的磁特性的优劣，以使原料粒子的填充率成为80体积％的方式将成形压力调整至6～12ton/cm2之间而成形为外径为14mm、内径为8mm、厚度为3mm的环形状，在大气中实施热处理后，于所获得的坯体上卷绕20圈包含直径为0.3mm的被覆胺基甲酸酯的铜线的线圈而作为试验试样。磁导率μ的测定是使用L chromium meter(Agilent Technologies公司制造：4285A)并以测定频率100kHz而测定。而且，磁性损耗Pcv的测定是对于在所述热处理的环形坯体上卷绕包含直径为0.3mm的被覆胺基甲酸酯的铜线的1次线圈与2次线圈各5圈的试验试样，使用交流BH分析仪(岩崎通信机公司制造：SY-8232、SY-301)并以频率为1MHZ、磁束密度为50mT而测定。
为了判断使用电子零件用软磁性合金的坯体的强度的优劣，使用图8所示的测定方法并以如下方式测定3点弯曲破断应力。用以测定3点弯曲破断应力的试验片是以使原料粒子的填充率成为80体积％的方式将成形压力调整至6～12ton/cm2之间而成形为长度为50mm、宽度为10mm、厚度为4mm的板状的成形体后，在大气中经过热处理的试验片。
进而，如图9所示，为了判断使用电子零件用软磁性合金的坯体的体积电阻率的优劣，依据JIS(Japanese Industrial Standards，日本工业标准)-K6911而进行测定。用以测定体积电阻率的试验片是以使原料粒子的填充率成为80体积％的方式将成形压力调整至6～12ton/cm2之间而成形为直径为100mm、厚度为2mm的圆板状后，在大气中经过热处理的试验片。
(实施例1)
作为用以获得电子零件用软磁性合金坯体的原料粒子，使用如下的合金粉，其是平均粒径(d50％)为10μm的水雾化粉，且组成比为铬：5wt％、硅：3wt％、铁：92wt％(EPSONATMIX(股)公司制造：PF-20F)。所述原料粒子的平均粒径d50％是使用粒度分析仪(日机装公司制造：9320HRA)而测定。而且，对所述粒子进行研磨直至使通过粒子的中心的截面露出为止，使用扫描式电子显微镜(SEM：日立高新技术公司制造：S-4300SE/N)以3000倍对所获得的截面拍摄，对于该拍摄而得的组成像，通过能量分散型X射线分析(EDS)并利用ZAF法算出粒子的中心附近与表面附近各自的组成，确认粒子的中心附近的所述组成比与粒子的表面附近的所述组成比大致相等。
其次，利用湿式转动搅拌装置将所述粒子与聚乙烯丁醛(积水化学公司制造：S-LECBL：固体成分为30wt％浓度的溶液)混合而获得颗粒。
对于所获得的造粒粉，以使多个粒子的填充率成为80体积％的方式，将成形压力设为8ton/cm2，而获得长度为50mm、宽度为10mm、厚度为4mm的角板状成形体，直径为100mm、厚度为2mm的圆板状成形体，外径为14mm、内径为8mm、厚度为3mm的环形状成形体，在卷芯部(宽度1.0mm×高度0.36mm×长度1.4mm)的两端具有角形凸缘(宽度1.6mm×高度0.6mm×厚度0.3mm)的鼓型磁芯成形体，及一对板状磁芯成形体(长度2.0mm×宽度0.5mm×厚度0.2mm)。
将所述所获得的圆板状成形体、环形状成形体、鼓型成形体及一对板状成形体，在大气中以100℃/小时的升温速度升温至700℃，并进行3小时的热处理。
对于通过所述圆板状成形体的热处理而获得的圆板状坯体，测定磁导率μ、3点弯曲破断应力、依据JIS-K6911的体积电阻率、及磁性损耗Pcv，并将结果示于表1。
而且，对于通过所述鼓型成形体的热处理而获得的鼓型坯体，进行镜面研磨后实施离子研磨(CP)之后，通过电场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)观察反射电子组成像，而确认生成粒子内晶粒。
进而，以使通过卷芯部的大致中心的厚度方向的截面露出的方式进行研磨，使用扫描式电子显微镜(SEM)以3000倍对其截面进行拍摄而获得组成像。其次，对于所述所获得的组成像，将各像素分成4等级的亮度等级，在于所述组成像中粒子的截面的轮廓可全部确认的粒子中，将各粒子的截面的长轴尺寸d1与短轴尺寸d2的简单平均值D＝(d1+d2)/2大于原料粒子的平均粒径(d50％)的粒子的组成对比度设为基准亮度等级，并将所述组成像中相当于该亮度等级的部分判断为粒子1。而且，将组成对比度仅次于所述基准亮度等级的亮度等级的部分判断为氧化层的外层3，将进而更暗的亮度等级的部分判断为氧化层的内层2。而且，将最暗的亮度等级的部分判断为空孔(未图示)。结果可确认，生成于相邻接的粒子1的表面上的氧化层的外层3彼此结合。其次，对于所述所获得的组成像，结果可确认生成于相邻接的粒子1的表面上的氧化层彼此结合。
其次，从所述组成像中，抽选出粒子的截面的轮廓可全部确认的粒子中、各粒子的截面的长轴尺寸d1与短轴尺寸d2的简单平均值D＝(d1+d2)/2大于原料粒子的平均粒径(d50％)的粒子，通过能量分散型X射线分析(EDS)并利用ZAF法算出其长轴与短轴的交点附近的组成，并将其与所述原料粒子中的组成比进行对比，而确认所述坯体中的多个粒子的组成比与原料粒子的组成比大致或实质上相等。
其次，利用SEM-EDS求出所述组成像中的粒子1的内部的长轴d1与短轴d2相交的点上的组成。其次，利用SEM-EDS，根据所述组成像中的粒子1的表面的氧化层的最厚部的厚度t1与最薄部的厚度t2，求出相当于平均厚度T＝(t1+t2)/2的氧化层厚度的部位上的氧化层的厚度的中心点上的组成。
根据以上结果而确认：本实施例1的电子零件用软磁性合金坯体具备含有铬5wt％、硅3wt％及铁92wt％的多个粒子1，及生成于粒子1的表面的二层构造的氧化层，氧化层的内层2是以铬的氧化物为主要成分、且具有平均40nm的厚度，氧化层的外层3是以铁与铬的氧化物为主要成分、且具有平均70nm的厚度。
将所获得的结果示于表1。
其结果，可获得磁导率μ为59，坯体的强度(破断应力)为14kgf/mm2，体积电阻率为4.2×107Ω·cm，磁性损耗Pcv为9.8×106W/m3的良好的测定结果。
其次，在所述鼓型坯体的卷芯部上卷绕包含绝缘被覆导线的线圈，并且将两端部分别热压接合于所述外部导体膜，进而，利用树脂系接着剂将通过所述板状成形体的热处理而获得的板状坯体分别接着在所述鼓型坯体的凸缘部的两侧，而获得绕线型芯片电感器。
(实施例2)
除将原料粒子的组成比设为铬：3wt％、硅：5wt％、铁：92wt％以外，与实施例1同样地制作评价试样，并将所获得的结果示于表1。
如表1所示，与实施例1同样地可获得磁导率μ为53，坯体的强度(破断应力)为9kgf/mm2，体积电阻率为2.0×107Ω·cm，磁性损耗Pcv为1.1×107W/m3的良好的测定结果。
而且，通过与实施例1同样的FE-SEM观察、SEM观察及SEM-EDS而进行的分析，结果可确认：通过热处理，可形成粒子内晶粒，并且在粒子表面形成有金属氧化物(氧化层)，所形成的氧化层具有包含由铬的氧化物所形成的内层2(平均厚度为30nm)、及由铁及铬的氧化物所形成的外层3(平均厚度为66nm)的二层构造，且该氧化层的外层3彼此结合。
(实施例3)
除将原料粒子的组成比设为铬：6wt％、硅：2wt％、铁：92wt％以外，与实施例1同样地制作评价试样，并将所获得的结果示于表1。
如表1所示，与实施例1同样地可获得磁导率μ为49，坯体的强度(破断应力)为14kgf/mm2，体积电阻率为7.0×106Ω·cm，磁性损耗Pcv为2.0×107W/m3的良好的测定结果。
而且，通过与实施例1同样的FE-SEM观察、SEM观察及SEM-EDS而进行的分析，结果可确认：通过热处理，可形成粒子内晶粒，并且在粒子表面形成有金属氧化物(氧化层)，所形成的氧化层具有包含由铬的氧化物所形成的内层2(平均厚度为50nm)、及由铁及铬的氧化物所形成的外层3(平均厚度为80nm)的二层构造，且该氧化层的外层3彼此结合。
(实施例4)
除将原料粒子的组成比设为铬：6wt％、硅：4wt％、铁：94wt％以外，与实施例1同样地生成评价试样，并将所获得的结果示于表1。
如表1所示，与实施例1同样地可获得磁导率μ为50，坯体的强度(破断应力)为14kgf/mm2，体积电阻率为8.0×106Ω·cm，磁性损耗Pcv为1.2×107W/m3的良好的测定结果。
而且，通过与实施例1同样的FE-SEM观察、SEM观察及SEM-EDS而进行的分析，结果可确认：通过热处理，可形成粒子内晶粒，并且在粒子表面形成有金属氧化物(氧化层)，所形成的氧化层具有包含由铬的氧化物所形成的内层2(平均厚度为40nm)、及由铁及铬的氧化物所形成的外层3(平均厚度为75nm)的二层构造，且该氧化层的外层3彼此结合。
(实施例5)
除将原料粒子的组成比设为铬：4wt％、硅：2wt％、铁：89wt％以外，与实施例1同样地制作评价试样，并将所获得的测定结果示于表1。
如表1所示，与实施例1同样地可获得磁导率μ为49，坯体的强度(破断应力)为18kgf/mm2，体积电阻率为5.1×105Ω·cm，磁性损耗Pcv为2.3×107W/m3的良好的测定结果。
而且，通过与实施例1同样的FE-SEM观察、SEM观察及SEM-EDS而进行的分析，结果可确认：通过热处理，可形成粒子内晶粒，并且在粒子表面形成有金属氧化物(氧化层)，所形成的氧化层具有包含由铬的氧化物所形成的内层2(平均厚度为35nm)、及由铁及铬的氧化物所形成的外层3(平均厚度为70nm)的二层构造，且该氧化层的外层3彼此结合。
(实施例6)
除将成形压力设为12ton/cm2以外，与实施例1同样地制作评价试样，并将所获得的测定结果示于表1。
如表1所示，与实施例1同样地可获得磁导率μ为59，坯体的强度(破断应力)为15kgf/mm2，体积电阻率为4.2×105Ω·cm，磁性损耗Pcv为9.2×106W/m3的良好的测定结果。
而且，通过与实施例1同样的FE-SEM观察、SEM观察及SEM-EDS而进行的分析，结果可确认：通过热处理，可形成粒子内晶粒，并且在粒子表面形成有金属氧化物(氧化层)，所形成的氧化层具有包含由铬的氧化物所形成的内层2(平均厚度为35nm)、及由铁及铬的氧化物所形成的外层3(平均厚度为65nm)的二层构造。
而且，通过与实施例1同样的SEM观察，结果可知：存在粒子彼此不经由氧化层而直接结合的粒子。认为其原因在于：因使成形压力变高，而使粒子彼此之接触面积增加。
(实施例7)
除将原料粒子的组成比设为铝：5.5wt％、硅：9.5t％、铁：85wt％以外，与实施例1同样地制作评价试样，并将所获得的测定结果示于表1。
如表1所示，与实施例1同样地可获得磁导率为45，坯体的强度(破断应力)为9kgf/mm2，体积电阻率为4.2×104Ω·cm，磁性损耗Pcv为9.5×106W/m3的良好的测定结果。
(比较例1)
除将热处理中的升温速度设为400℃/小时以外，与实施例1同样地制作评价试样，并将所获得的测定结果示于表1。
如表1所示，磁导率μ为45，坯体的强度(破断应力)为7.4kgf/mm2，体积电阻率为4.2×105Ω·cm，磁性损耗Pcv为5.3×107W/m3，任一项均未获得优于实施例1～6的测定结果。
而且，通过与实施例1同样的SEM观察及SEM-EDS而进行的分析，结果可确认：虽通过利用热处理而形成在粒子表面的金属氧化物(氧化层)使粒子彼此结合，但该氧化层仅为包含铁及铬的氧化物的一层。
(比较例2)
除将热处理中的升温速度设为400℃/小时以外，与实施例7同样地制作评价试样，并将所获得的测定结果示于表1。
如表1所示，磁导率μ为32，坯体的强度(破断应力)为1.4kgf/mm2，体积电阻率为8.0×103Ω·cm，磁性损耗Pcv为3.9×107W/m3，任一项均未获得优于实施例1～6的测定结果。
而且，通过与实施例1同样的SEM观察及SEM-EDS而进行的分析，结果可确认：虽通过利用热处理而形成在粒子表面的金属氧化物(氧化层)使粒子彼此结合，但该氧化层仅为包含铁及铝的氧化物的一层。
[表1]
[工业上的利用可能性]
本发明的电子零件用软磁性合金坯体及使用该坯体的电子零件适用于可向电路基板上进行表面安装的小型化电子零件。尤其是，在应用于流通大电流的功率电感器的情况下，适用于零件的小型化。

Claims (10)

1.一种线圈型电子零件，其特征在于：在坯体的内部或表面具有线圈，
所述坯体包含经由氧化层而相互结合的软磁性合金的粒子群，在各软磁性合金的粒子的内部存在多个晶粒。
2.根据权利要求1所述的线圈型电子零件，其特征在于：所述软磁性合金是以铁、铬及硅为主要成分。
3.根据权利要求1所述的线圈型电子零件，其特征在于：所述软磁性合金是以铁、铝及硅为主要成分。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的线圈型电子零件，其特征在于：所述坯体具有不经由所述氧化层的所述软磁性合金粒子彼此的结合。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的线圈型电子零件，其特征在于：所述氧化层为二层构造，且所述氧化层中的外层比内层厚。
6.根据权利要求4所述的线圈型电子零件，其特征在于：所述氧化层为二层构造，且所述氧化层中的外层比内层厚。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的线圈型电子零件，其特征在于：所述软磁性合金的粒子彼此未结合的氧化层的外层的表面为凹凸面。
8.根据权利要求4所述的线圈型电子零件，其特征在于：所述软磁性合金的粒子彼此未结合的氧化层的外层的表面为凹凸面。
9.根据权利要求5所述的线圈型电子零件，其特征在于：所述软磁性合金的粒子彼此未结合的氧化层的外层的表面为凹凸面。
10.根据权利要求6所述的线圈型电子零件，其特征在于：所述软磁性合金的粒子彼此未结合的氧化层的外层的表面为凹凸面。
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