JP7035234B2 - コイル部品 - Google Patents

Description

本発明は、軟磁性体粒子で形成された磁性体部を有するコイル部品に関する。

高周波で用いられるコイル部品の磁性体部としてはフェライトコアが広く知られている。これに対し、特許文献１～３には、軟磁性合金の粒子で構成された磁性体部を有するコイル部品が開示されている。これらのコイル部品では、フェライトコアを用いたコイル部品よりも高い飽和特性が得られる。

軟磁性合金は、フェライトとは異なり導電性を有する。このため、特許文献１～３に記載のコイル部品では、磁性体部の絶縁性を確保するための構成が必要となる。特許文献１では、軟磁性合金の粒子を樹脂で被覆する構成が用いられている。特許文献２，３では、軟磁性合金の粒子の表面に酸化物膜を形成する構成が用いられている。

特開２００７－０２７３５４号公報 特開２０１３－０９８２１０号公報 特開２０１３－１１０１７１号公報

コイル部品が搭載される電子機器の高性能化に伴い、コイル部品にもインダクタンスなどの特性の更なる向上が求められている。コイル部品において小さいサイズを維持しつつインダクタンスを向上させるためには、例えば、コイルの巻線密度を高めることや、磁束の漏れを抑制することが有効である。

コイルの巻線密度を高めるためには、コイルのピッチを狭める必要がある。コイルのピッチを狭めると、コイルの間に配置される磁性体層を薄くする必要がある。しかしながら、コイルの間に配置される磁性体層を薄くするほど、磁性体層における透磁率が低下してしまう。

また、軟磁性体粒子で形成された磁性体層の厚さは、当然ながら、軟磁性体粒子の粒径に制限される。したがって、磁性体層を更に薄くするためには、軟磁性体粒子の粒径を小さくする必要がある。しかしながら、軟磁性体粒子の粒径を小さくすると、磁性体層における透磁率が低下してしまう。

コイル部品では、コイルの間に配置される磁性体層の透磁率が低下すると、コイルの巻線密度を高めたとしても高いインダクタンスが得られにくくなる。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高いインダクタンスを有するコイル部品を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るコイル部品は、磁性体部と、コイル部と、を具備する。
上記磁性体部は、一軸方向に交互に積層された第１及び第２磁性体層と、上記第１及び第２磁性体層を上記一軸方向から覆うカバー部と、を有する。
上記コイル部は、上記第２磁性体層に設けられた導体パターンを有する。
上記磁性体部は、上記一軸方向に直交する方向の全範囲にわたって延び、上記一軸方向に直交する方向に露出し、厚さ方向が上記一軸方向に配向している扁平軟磁性体粒子で形成された扁平軟磁性体粒子含有層と、上記扁平軟磁性体粒子含有層に上記一軸方向に隣接し、絶縁性の球状粒子で形成された球状粒子含有層と、を含む。

この構成では、磁性体部に扁平軟磁性体粒子で形成された扁平軟磁性体粒子含有層を設けることによって、コイル部品のインダクタンスを向上させることができる。

上記第１磁性体層は、上記扁平軟磁性体粒子含有層であってもよい。
この構成では、一軸方向に直交する方向における第１磁性体層の透磁率が向上する。これにより、第１磁性体層の透磁率を維持しつつ、第１磁性体層の厚さを縮小することが可能となる。したがって、コイル部の巻線密度を高くすることにより、コイル部品のインダクタンスを向上させることができる。

上記第１磁性体層は、上記扁平軟磁性体粒子の隙間に配置され、上記扁平軟磁性体粒子の上記厚さ方向の寸法よりも平均粒径が小さい上記球状粒子である第１球状粒子を有してもよい。
上記第２磁性体層は、上記球状粒子含有層であってもよい。
上記第１磁性体層における上記扁平軟磁性体粒子及び上記第１球状粒子の合計量に対する上記第１球状粒子の量が５ｖｏｌ％以上１５ｖｏｌ％以下であってもよい。
この構成では、球状粒子の充填によって、扁平軟磁性体粒子の隙間を閉塞することができる。また、扁平軟磁性体粒子の隙間に配置された球状粒子によって扁平軟磁性体粒子含有層の透磁率を向上させることができる。

上記磁性体部は、上記第１磁性体層と上記導体パターンとの間に配置され、上記扁平軟磁性体粒子の上記厚さ方向の寸法よりも平均粒径が小さい上記球状粒子である第２球状粒子で形成された上記球状粒子含有層を更に有してもよい。
この構成では、第２球状粒子で形成された球状粒子含有層による被覆によって、扁平軟磁性体粒子の隙間を閉塞することができる。

上記第１磁性体層の厚さが１０μｍ未満であってもよい。
この構成では、第１磁性体層の厚さを縮小することが可能となる。したがって、コイル部の巻線密度を高くすることにより、コイル部品のインダクタンスを向上させることができる。

上記カバー部は、上記扁平軟磁性体粒子含有層及び上記球状粒子含有層を有してもよい。
この構成では、カバー部に設けられた扁平軟磁性体粒子含有層によって一軸方向外側への磁束の漏れを抑制することができる。これにより、コイル部品のインダクタンスが向上する。

上記カバー部は、上記第１又は第２磁性体層に上記一軸方向外側に隣接する上記球状粒子含有層である第１カバー層と、上記第１カバー層の上記一軸方向外側に隣接する上記扁平軟磁性体粒子含有層である第２カバー層と、を有してもよい。
この構成では、第１カバー層によって磁路を確保しつつ、第２カバー層によって磁束の漏れを抑制することができる。

上記カバー部は、上記第２カバー層の上記一軸方向外側に隣接する第３カバー層を更に有してもよい。
この構成では、球状粒子で構成された第３カバー層によってカバー部の表面の絶縁性を向上させることができる。

上記第３カバー層は、上記扁平軟磁性体粒子の上記厚さ方向の寸法よりも平均粒径が小さい上記球状粒子である第３球状粒子で形成されていてもよい。
この構成では、球状粒子で構成された第３カバー層によってカバー部の表面の絶縁性を向上させることができる。

上記扁平軟磁性体粒子における上記厚さ方向の寸法に対する上記厚さ方向に直交する方向の最長の寸法の比率が４以上であってもよい。
この構成では、扁平軟磁性体粒子の扁平形状による作用をより有効に得ることができる。

上記扁平軟磁性体粒子及び上記球状粒子の少なくとも一方は、鉄及びシリコンを含み、かつクロム及びアルミニウムの少なくとも一方を更に含む鉄合金粒子であってもよい。
この構成では、鉄合金粒子において高い飽和特性が得られる。

上記鉄合金粒子の表面には酸化物膜が形成されていてもよい。
上記鉄合金粒子同士が上記酸化物膜において結合していてもよい。
上記酸化物膜の厚さが０．６μｍ以下であってもよい。
これらの構成では、鉄合金粒子が酸化物膜を介して絶縁される。これにより、磁性体部の絶縁性を確保することができる。

上記酸化物膜は、第１酸化物膜と、上記第１酸化物膜の外側に形成された第２酸化物膜と、を含む複層構造を有してもよい。
上記第１酸化物膜は、クロム及びアルミニウムの少なくとも一方を含む酸化物を主成分としてもよい。
上記第２酸化物膜は、鉄と、クロム及びアルミニウムの少なくとも一方とを含む酸化物を主成分とし、上記第１酸化物膜よりも厚くてもよい。
これらの構成では、磁性体部の絶縁性が更に確保されやすくなる。

上記磁性体部は、上記鉄合金粒子を覆う樹脂を更に有していてもよい。
この構成では、鉄合金粒子が樹脂を介して絶縁される。これにより、磁性体部の絶縁性を確保することができる。

上記扁平軟磁性体粒子及び上記球状粒子の少なくとも一方がアモルファス合金粒子であってもよい。
この構成では、コイル部品における渦電流損失を低減することができる。

上記扁平軟磁性体粒子及び上記球状粒子の少なくとも一方がフェライト粒子であってもよい。
この構成では、扁平化や微細化が容易なフェライトを用いることにより、扁平軟磁性体粒子及び球状粒子を容易に得ることができる。

上記コイル部品の上記一軸方向の寸法が１ｍｍ以下であってもよい。
このコイル部品は、このように一軸方向の寸法を小さくした場合であっても、高精度で製造可能である。

以上述べたように、本発明によれば、高いインダクタンスを有するコイル部品を提供することができる。

本発明の第１の実施形態に係るコイル部品の斜視図である。 上記コイル部品の図１のＡ－Ａ線に沿った断面図である。 上記コイル部品の本体部の分解斜視図である。 上記コイル部品の別の態様を示す図１のＡ－Ａ線に沿った断面図である。 上記コイル部品の図１のＢ－Ｂ線に沿った断面を示す模式図である。 上記コイル部品の磁性体部の断面の微細組織を示す模式図である。 上記コイル部品の第１磁性体層の微細組織を示す模式図である。 上記コイル部品の製造過程を示す断面図である。 第１の実施形態の変形例１に係るコイル部品の本体部を示す模式図である。 上記コイル部品の第１磁性体層の扁平軟磁性体粒子含有層の微細組織を示す模式図である。 上記コイル部品の第１磁性体層の微粒子層の微細組織を示す模式図である。 上記コイル部品の本体部の別の態様を示す模式図である。 第１の実施形態の変形例２に係るコイル部品の磁性体部の断面の微細組織を示す模式図である。 本発明の第２の実施形態に係るコイル部品の断面を示す模式図である。 上記コイル部品のカバー部の断面の微細組織を示す模式図である。 本発明の第３の実施形態に係るコイル部品の斜視図である。 上記コイル部品の本体部の分解斜視図である。 上記コイル部品の図１６のＣ－Ｃ線に沿った断面を示す模式図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、全図面において共通である。

１．第１の実施形態
１．１ コイル部品１０の全体構成
図１，２は、本発明の第１の実施形態に係るコイル部品１０を示す図である。図１は、コイル部品１０の斜視図である。図２は、コイル部品１０の図１のＡ－Ａ線に沿った断面図である。コイル部品１０は、積層構造を有する積層インダクタとして構成される。コイル部品１０は、本体部１１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、を有する。

コイル部品１０は、Ｘ軸方向に幅Ｗ、Ｙ軸方向に長さＬ、Ｚ軸方向に高さＨを有する直方体形状に形成されている。コイル部品１０の幅Ｗ、長さＬ、及び高さＨは、任意に決定可能である。例えば、コイル部品１０では、長さＬを１．６～２ｍｍとし、幅Ｗを０．８～１．２ｍｍとし、高さＨを０．４～１．０ｍｍとすることができる。

外部電極１４，１５は、本体部１１のＹ軸方向を向いた両端面を覆い、両端面を接続する４つの面に沿ってＹ軸方向に延出している。これにより、外部電極１４，１５のＹ軸方向に沿った断面はＵ字状となっている。外部電極１４，１５は、導電性材料で形成され、コイル部品１０の一対の端子を構成する。

なお、外部電極１４，１５の形状は、これに限定されず、製品仕様などに応じて適宜変更可能である。例えば、外部電極１４，１５は、本体部１１のＺ軸方向上下面のうちいずれか一方のみに延出していてもよく、本体部１１のＸ軸方向両面には延出していなくてもよい。

本体部１１は、磁性体部１２と、コイル部１３と、を有する。磁性体部１２は、本体部１１の外形を形成している。コイル部１３は、磁性体部１２の内部に配置されている。磁性体部１２のＺ軸方向上部及び下部にはコイル部１３が巻き回されていないカバー部１２ａが設けられている。

なお、カバー部１２ａは、本体部１１のＺ軸方向上部及び下部の両方に設けられていなくてもよい。つまり、カバー部１２ａは、本体部１１のＺ軸方向上部及び下部のいずれか一方のみに設けられていてもよい。また、カバー部１２ａには、必要に応じて追加の構成が設けられていてもよい。

コイル部１３は、導電性材料によって形成され、Ｚ軸に平行な軸を中心とする螺旋形状を有する。コイル部１３の螺旋形状の両端部には、Ｙ軸方向に引き出された引出端部１３ｃが設けられている。Ｚ軸方向上側の引出端部１３ｃは第１外部電極１４に接続され、Ｚ軸方向下側の引出端部１３ｃは第２外部電極１５に接続されている。

磁性体部１２は、軟磁気特性を有する軟磁性合金で形成された軟磁性体粒子（軟磁性体粉末）の集合体として構成される。具体的に、軟磁性体粒子は、Ｆｅ（鉄）及びＳｉ（シリコン）を含み、かつＣｒ（クロム）及びＡｌ（アルミニウム）の少なくとも一方を更に含む軟磁性合金を主成分とする鉄合金粒子である。

より具体的に、軟磁性体粒子は、Ｆｅを８８ｗｔ％以上含有することが好ましい。この場合、軟磁性体粒子は、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌを合計で５ｗｔ％以上含有することが好ましい。軟磁性体粒子をこのような組成とすることによって、過剰な酸化を抑えつつ、良好な飽和特性を持つ磁性体部１２を形成することができる

磁性体部１２を構成する軟磁性体粒子の表面には、酸化物膜が形成されている。酸化物膜の厚さは、０．６μｍ以下であることが好ましい。軟磁性体粒子の酸化物膜は、内側に配置された第１酸化物膜と外側に配置された第２酸化物膜とを含む複層構造を有することが好ましい。この場合、第２酸化物膜が第１酸化物膜よりも厚いことが好ましい。

隣接する軟磁性体粒子は、酸化物膜において結合している。これにより、結合している軟磁性体粒子同士が電気的に絶縁されるため、磁性体部１２では良好な絶縁性が得られる。酸化物膜が複層構造である場合、酸化物膜の最外層（例えば、上記の第２酸化物膜）において隣接する軟磁性体粒子が結合していることが好ましい。

酸化物膜を構成する酸化物は、特定のものに限定されない。一例として、第１酸化物膜は、Ｃｒ及びＡｌの少なくとも一方を含む酸化物（例えば、Ｃｒ－Ｏ組成物）を主成分とすることができる。また、第２酸化物膜は、Ｆｅと、Ｃｒ及びＡｌの少なくとも一方と、を含む酸化物（例えば、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｏ組成物）を主成分とすることができる。

本実施形態に係るコイル部品１０では、磁性体部１２の各部分において異なる形状の軟磁性体粒子を利用することにより、インダクタンスの向上を図ることができる。磁性体部１２を構成する軟磁性体粒子の詳細については、後述の「１．２ 磁性体部１２の構成」の項目において説明する。

図３は、本体部１１の分解斜視図である。本体部１１は、Ｚ軸方向に積層されて一体化された層状部ＭＬ（ＭＬＵ，ＭＬ１～ＭＬ７，ＭＬＤ）を有する。最上層の層状部ＭＬＵ及び最下層の層状部ＭＬＤは、磁性体部１２のカバー部１２ａを構成する。カバー部１２ａに挟まれた層状部ＭＬ１～ＭＬ７によってコイル部１３が形成されている。

コイル部１３は、導体パターン１３ａと、ビア１３ｂと、で構成されている。導体パターン１３ａは、層状部ＭＬ１～ＭＬ７のＺ軸方向上面に沿ってそれぞれ所定形状に形成されている。最上層の層状部ＭＬ１及び最下層の層状部ＭＬ７の導体パターン１３ａに、コイル部１３を外部電極１４，１５に接続するための引出端部１３ｃが形成されている。

ビア１３ｂは、層状部ＭＬ１～ＭＬ６にそれぞれ形成され、層状部ＭＬ１～ＭＬ６をＺ軸方向に貫通する貫通導体として構成される。層状部ＭＬ１～ＭＬ７では、Ｚ軸方向に隣接する導体パターン１３ａがビア１３ｂを介して直列接続されることにより、Ｚ軸方向を向いた中心軸を中心に螺旋状に巻き回されたコイル部１３が形成される。

なお、コイル部１３の構成は、上記に限定されない。例えば、コイル部１３の巻き数は、層状部ＭＬの積層数を変更することにより、任意に変更可能である。また、導体パターン１３ａは、図３に示す形状でなくてもよい。例えば、導体パターン１３ａの形状は、矩形状や多角形状などであってもよい。

また、引出端部１３ｃの構成も、上記に限定されない。引出端部１３ｃは、例えば、図４に示す構成であってもよい。この構成では、引出端部１３ｃがＹ軸方向ではなくＺ軸方向にコイル部１３から引き出されて、本体部１１のＺ軸方向上面及び下面において外部電極１４，１５に接続されている。

つまり、図４に示す構成では、引出端部１３ｃがカバー部１２ａをＺ軸方向に貫通している。このような構成の引出端部１３ｃは、例えば、図３に示すカバー部１２ａを構成する層状部ＭＬＵ，ＭＬＤに、層状部ＭＬ１～ＭＬ８のビア１３ｂと同様のビアを設けることにより形成することができる。

更に、コイル部品１０の本体部１１における積層構造は、上記に限定されない。例えば、カバー部１２ａを構成する層状部ＭＬＵ，ＭＬＤの枚数は任意に決定可能である。特に、カバー部１２ａの厚さに合わせて成形された単一の層状部ＭＬＵ，ＭＬＤでカバー部１２ａを構成してもよい。

１．２ 磁性体部１２の構成
図５は、コイル部品１０の図１のＢ－Ｂ線に沿った断面を示す模式図である。図５には、コイル部１３によって生成される磁束の向きが、矢印によって模式的に示されている。勿論、コイル部１３にこれとは反対方向の電流が流れているときには、磁束の向き（矢印の向き）が反対となる。

磁性体部１２は、第１磁性体層１２ｂと、第２磁性体層１２ｃと、を有する。第２磁性体層１２ｃは、導体パターン１３ａのＸＹ平面に沿った周囲を覆い、導体パターン１３ａとともにＸＹ平面に沿って延びている。第１磁性体層１２ｂは、導体パターン１３ａ及び第２磁性体層１２ｃの間に配置されている。

第１磁性体層１２ｂは、本体部１１におけるＸＹ平面に沿った全範囲にわたって延び、本体部１１からＸ軸及びＹ軸方向に露出している。これにより、コイル部品１０は、第１磁性体層を本体部におけるＸＹ平面に沿った一部の範囲のみに配置する構成に比べて、シンプルな製造プロセスによって低コストで製造可能となる。

また、第１磁性体層を本体部におけるＸＹ平面に沿った一部の範囲のみに配置する構成では、境界部に段差が生じやすくなるため、コイル部品のＺ軸方向の寸法を１ｍｍ以下とする場合に精度を確保することが困難となる。この点、本実施形態に係るコイル部品１０では、Ｚ軸方向の寸法を１ｍｍ以下とする場合、更にはＺ軸方向の寸法を０．８ｍｍ以下とする場合にも、高精度で製造可能である。

図６（Ａ）は、カバー部１２ａ及び第２磁性体層１２ｃの断面の微細組織を示す模式図である。カバー部１２ａ及び第２磁性体層１２ｃは、球状の軟磁性体粒子Ｇ１によって構成されている。隣接する軟磁性体粒子Ｇ１は、その表面の酸化物膜において相互に結合している。軟磁性体粒子Ｇ１の平均粒径は、例えば、２～３０μｍとすることができる。

なお、軟磁性体粒子Ｇ１をはじめとする球状粒子の平均粒径は、例えば、カバー部１２ａや磁性体層１２ｂ，１２ｃのＺ軸に平行な断面の所定の領域に存在する粒子の粒径の平均値とすることができる。また、粒子の粒径の平均値は、例えば、粒径の頻度の累積が５０％となる粒径とすることができる。

また、図６（Ａ）では軟磁性体粒子Ｇ１を均一な大きさで示しているが、軟磁性体粒子Ｇ１は所定の粒度分布を有していてもよい。また、カバー部１２ａを構成する軟磁性体粒子Ｇ１と、第２磁性体層１２ｃを構成する軟磁性体粒子Ｇ１とで、平均粒径が異なっていてもよい。

カバー部１２ａは、Ｚ軸方向外側への磁束の漏れを抑制するために、透磁率が高いことが要求される。このような観点から、カバー部１２ａを構成する軟磁性体粒子Ｇ１は大きいことが好ましい。例えば、カバー部１２ａを構成する軟磁性体粒子Ｇ１の平均粒径は、１０μｍ程度とすることができる。

一方、第２磁性体層１２ｃでは、高い透磁率を確保する点で軟磁性体粒子Ｇ１が大きいことが好ましいが、高い絶縁耐圧を確保する点で軟磁性体粒子Ｇ１が小さいことが好ましい。例えば、第２磁性体層１２ｃを構成する軟磁性体粒子Ｇ１の平均粒径は、２μｍ以上６μｍ以下とすることができる。

図６（Ｂ）は、第１磁性体層１２ｂの断面の微細組織を示す模式図である。第１磁性体層１２ｂは、軟磁性体粒子Ｇ２，Ｇ３で構成されている。軟磁性体粒子Ｇ２は、扁平な形状を有し、その厚さ方向がＺ軸方向に配向している。軟磁性体粒子Ｇ３は、軟磁性体粒子Ｇ２の厚さ方向の寸法よりも平均粒径の小さい微細な球状粒子である微粒子（微粉末）として構成される。

第１磁性体層１２ｂは、配向している扁平な軟磁性体粒子Ｇ２が全領域にわたって配置されている扁平軟磁性体粒子含有層として構成される。そして、微粒子である軟磁性体粒子Ｇ３は、軟磁性体粒子Ｇ２の隙間を埋めるように配置されている。隣接する軟磁性体粒子Ｇ２，Ｇ３は、その表面の酸化物膜において相互に結合している。

なお、扁平な形状を有する軟磁性体粒子Ｇ２の厚さは、例えば、カバー部１２ａや磁性体層１２ｂ等のＺ軸に平行な断面の所定の領域に存在する粒子の厚さの平均値とすることができる。また、この平均値は、例えば、厚さの頻度の累積が５０％となる厚さとすることができる。

また、扁平な形状を有する軟磁性体粒子Ｇ２の平均最長径は、例えば、カバー部１２ａや磁性体層１２ｂ等のＺ軸に平行な断面、もしくはＺ軸に垂直な断面の所定の領域に存在する粒子の最長径の平均値とすることができる。また、この平均値は、例えば、最長径の頻度の累積が５０％となる値とすることができる。

図７は、第１磁性体層１２ｂの微細組織をＺ軸方向から見たときの軟磁性体粒子Ｇ２，Ｇ３の位置を外形で示す模式図である。第１磁性体層１２ｂでは、扁平な軟磁性体粒子Ｇ２の隙間に微粒子である軟磁性体粒子Ｇ３が充填されている。これにより、軟磁性体粒子Ｇ３が軟磁性体粒子Ｇ２の隙間を少なくとも部分的に閉塞する閉塞部として機能するため、第１磁性体層１２ｂに大きい隙間が存在しなくなる。

したがって、第１磁性体層１２ｂでは、導体パターン１３ａを形成する際に、導体ペーストが第１磁性体層１２ｂの隙間に侵入しにくくなる。このため、導体パターン１３ａ同士がＺ軸方向にショートすることを防止することができる。これにより、コイル部品１０では、製造歩留まりが向上するとともに、信頼性が向上する。

Ｚ軸方向に薄い扁平な軟磁性体粒子Ｇ２を用いることにより、第１磁性体層１２ｂをＺ軸方向に薄く形成することが可能となる。また、扁平な軟磁性体粒子Ｇ２は、透磁率に異方性を有し、ＸＹ平面に沿った方向に透磁率が大きい。このため、第１磁性体層１２ｂの透磁率は、ＸＹ平面に沿った方向に大きくなる。

したがって、第１磁性体層１２ｂでは、扁平な軟磁性体粒子Ｇ２を用いることにより、透磁率を確保しつつ、Ｚ軸方向の厚さを１０μｍ未満まで薄くすることができる。第１磁性体層１２ｂを薄くすることにより、図３に示す層状部ＭＬの積層数を増加させることができる。これにより、コイル部品１０のインダクタンスが向上する。

また、第１磁性体層１２ｂでは、軟磁性体粒子Ｇ２の隙間に軟磁性体粒子Ｇ３を配置することにより、軟磁性体粒子Ｇ２の隙間にも磁性を持たせることができる。これにより、特に、軟磁性体粒子Ｇ３によって、第１磁性体層１２ｂにおけるＺ軸方向の透磁率を補うことができる。このため、コイル部品１０のインダクタンスが更に向上する。

具体的に、第１磁性体層１２ｂに軟磁性体粒子Ｇ２，Ｇ３を併用することで、平均粒径２μｍの球状の軟磁性体粒子のみを用いた場合と同等の透磁率を２分の１の厚さで達成できることが確認されている。したがって、コイル部１３の巻き数を増加させることにより、コイル部品１０のインダクタンスを大幅に向上させることが可能である。

また、第１磁性体層１２ｂでは、軟磁性体粒子Ｇ２同士の直接の結合に加え、軟磁性体粒子Ｇ２の隙間に配置された軟磁性体粒子Ｇ３を介した軟磁性体粒子Ｇ２同士の結合が形成される。これにより、第１磁性体層１２ｂの結合強度が向上するため、コイル部品１０の信頼性が向上する。

軟磁性体粒子Ｇ２は、厚さ方向に直交する長軸方向における寸法がなるべく均一であることが好ましく、つまり厚さ方向から見た形状が円形に近いことが好ましい。一例として、軟磁性体粒子Ｇ２の厚さを１μｍ程度とし、軟磁性体粒子Ｇ２の長軸方向の寸法を４μｍ程度とすることができる。

軟磁性体粒子Ｇ２の扁平形状による作用を良好に得るために、軟磁性体粒子Ｇ２のアスペクト比（図６（Ｂ）に示す平均最長径Ｄの平均厚さＴに対する比率）は４以上であることが好ましい。また、均一な径の軟磁性体粒子Ｇ２を得るために、軟磁性体粒子Ｇ２のアスペクト比は１０以下に留めることが好ましい。

軟磁性体粒子Ｇ３は、軟磁性体粒子Ｇ２の隙間に入ることが可能な大きさである。具体的に、軟磁性体粒子Ｇ３の平均粒径は、１μｍ以下であることが好ましい。

なお、図６（Ｂ）、及び図７では、軟磁性体粒子Ｇ２，Ｇ３をそれぞれ同一形状で示している。しかし、軟磁性体粒子Ｇ２，Ｇ３はそれぞれ所定の粒度分布を有していてもよく、軟磁性体粒子Ｇ２，Ｇ３の形状はそれぞれ相互に異なっていてもよい。また、軟磁性体粒子Ｇ３の厚さ方向は、Ｚ軸方向に対して多少傾いていてもよい。

第１磁性体層１２ｂにおける軟磁性体粒子Ｇ２と軟磁性体粒子Ｇ３との合計量に対する軟磁性体粒子Ｇ３の量は、５ｖｏｌ％以上１５ｖｏｌ％以下であることが好ましく、例えば、８ｖｏｌ％とすることができる。これにより、軟磁性体粒子Ｇ２の隙間に軟磁性体粒子Ｇ３が良好に充填されやすくなる。

なお、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の体積は、例えば、磁性体層１２ｂ，１２ｃのＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に垂直な各断面の所定の領域に存在する粒径の平均値を用いて算出することができる。

なお、磁性体部１２の構成は、上記に限定されず、適宜変更することができる。例えば、磁性体部１２における軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の隙間には、樹脂材料が充填されていてもよい。また、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の表面には、リン酸塩化合物が析出していてもよい。これらにより、磁性体部１２の絶縁性が更に向上する。

また、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３は、同一の材料ではなく、相互に異なる材料で形成されていてもよい。更に、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３は、Ｆｅ及びＳｉを含み、かつＣｒ及びＡｌの少なくとも一方を更に含む軟磁性合金で形成されている構成に限定されず、他の軟磁性体で形成されていてもよい。

例えば、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の少なくとも１つが、アモルファス合金粒子であってもよい。これにより、コイル部品１０における渦電流損失を低減することができる。また、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の少なくとも１つが、扁平化や微細化が容易なフェライト粒子であってもよい。

更に、第１磁性体層１２ｂには、軟磁性体粒子Ｇ３を用いることが好ましいが、軟磁性体粒子Ｇ３に代えて磁性を有さない絶縁体微粒子を用いることも可能である。これにより、第１磁性体層１２ｂの透磁率の観点では不利になるものの、第１磁性体層１２ｂの絶縁性をより確実に得ることができる。

加えて、第２磁性体層１２ｃは、図６（Ｂ）に示す第１磁性体層１２ｂの組織を紙面に沿って９０°回転させた組織を有していてもよい。この場合、第２磁性体層１２ｃは、扁平な軟磁性体粒子Ｇ２がＺ軸方向に立った組織となる。これにより、第２磁性体層１２ｃでは、磁束の向きに沿ったＺ軸方向における透磁率を向上させることができる。

１．３ コイル部品１０の製造方法
以下、コイル部品１０の製造方法の一例について説明する。図８は、本製造方法におけるコイル部品１０の製造過程を示す断面図である。なお、コイル部品１０の製造方法は、下記の構成に限定されず、コイル部品１０の構成や設備上の事情などに応じて適宜変更可能である。

１．３．１ 磁性シート作製工程
磁性シート作製工程では、図８（Ａ）に示す第１磁性シート１１２ａと、図８（Ｂ）に示す第２磁性シート１１２ｂと、を作製する。第１磁性シート１１２ａは、図３に示す層状部ＭＬＵ，ＭＬＤに対応する、未焼成の層状部ＭＬＵ，ＭＬＤである。第２磁性シート１１２ｂは、図５に示す本体部１１の第１磁性体層１２ｂに対応する。

第１磁性シート１１２ａを形成するために、例えば、５ｗｔ％Ｃｒ、３ｗｔ％Ｓｉ、９２％Ｆｅの組成を有する平均粒径１０μｍの球状の第１金属磁性粉を用いることができる。第１金属磁性粉は、図６（Ａ）に示す軟磁性体粒子Ｇ１の原料となる。第１金属磁性粉とバインダ（ＰＶＢ等）と溶剤とを混合し、第１磁性ペーストを作製する。

第１磁性ペーストは、ベースフィルムに塗工してシート状に成形される。第１磁性ペーストのベースフィルムへの塗工には、例えば、ドクターブレードやダイコータなどの塗工機を用いることができる。ベースフィルムとしては、例えば、ＰＥＴなどの樹脂で形成されたフィルムを用いることができる。

ベースフィルムに塗工された第１磁性ペーストを乾燥させることにより、第１磁性シート１１２ａが得られる。第１磁性ペーストの乾燥には、例えば、熱風乾燥機などの乾燥機を用いることができる。乾燥機を用いた第１磁性ペーストの乾燥は、例えば、約８０℃で約５分保持する条件で実施可能である。

第１磁性シート１１２ａは、カバー部１２ａの厚さに対応し、例えば、１００μｍとすることができる。なお、図３に示す層状部ＭＬＵ，ＭＬＤのように、第１磁性シート１１２ａを複数枚積層することにより、カバー部１２ａを所定の厚さに調整することもできる。この場合、各第１磁性シート１１２ａの組成などの構成は、相互に異なっていてもよい。

第２磁性シート１１２ｂを形成するために、例えば、５ｗｔ％Ｃｒ、３ｗｔ％Ｓｉ、９２％Ｆｅの組成を有する扁平な第２金属磁性粉及び平均粒径０．５μｍの球状の第３金属磁性粉を用いることができる。第２金属磁性粉は図６（Ｂ）に示す軟磁性体粒子Ｇ２の原料となり、第３金属磁性粉は図６（Ｂ）に示す軟磁性体粒子Ｇ３の原料となる。

扁平な第２金属磁性粉は、例えば、球状の金属磁性粉に扁平化処理を施すことにより得られる。扁平化処理は、例えば、ボールミルで２４０ｈｒの条件で攪拌することにより実施可能である。なお、扁平化処理はボールミルに限定されず、また扁平化処理を実施せずに直接扁平な第２金属磁性粉を得てもよい。

第２金属磁性粉と第３金属磁性粉とバインダ（ＰＶＢ等）と溶剤とを混合し、第２磁性ペーストを作製する。第２及び第３金属磁性粉の合計量に対する第３金属磁性粉の量は、５ｖｏｌ％以上１５ｖｏｌ％以下であることが好ましく、例えば、８ｖｏｌ％とすることができる。

第２磁性ペーストは、第１磁性ペーストと同様に、ベースフィルムに塗工してシート状に成形される。第２磁性ペーストのベースフィルムへの塗工には、扁平な第２金属磁性粉を良好に配向させることが可能な手法が用いられる。このような手法としては、例えば、ドクターブレード法が挙げられる。

ベースフィルムに塗工された第２磁性ペーストを乾燥させることにより、第２磁性シート１１２ｂが得られる。第２磁性ペーストの乾燥には、例えば、熱風乾燥機などの乾燥機を用いることができる。乾燥機を用いた第２磁性ペーストの乾燥は、例えば、約８０℃で約５分保持する条件で実施可能である。

第２磁性シート１１２ｂの厚さは、第１磁性体層１２ｂの厚さに対応し、例えば、１０μｍ未満とすることができる。また、第２磁性シート１１２ｂの厚さは、第２金属磁性粉の平均厚さの３倍～１０倍程度であり、第２金属磁性粉の平均最長径の１０分の１程度であることが好ましい。これにより、第２金属磁性粉を良好に配向させることが可能である。

１．３．２ 貫通孔形成工程
貫通孔形成工程では、第２磁性シート１１２ｂに、図３に示す層状部ＭＬ１～ＭＬ６のビア１３ｂに対応する貫通孔を形成する。第２磁性シート１１２ｂへの貫通孔の形成には、例えば、打ち抜き加工機やレーザ加工機などの穿孔機が用いられる。なお、図４に示す引出端部１３ｃを形成する場合には、第１磁性シート１１２ａにも貫通孔形成工程を実施する。

１．３．３ 導体ペースト配置工程
導体ペースト配置工程では、図８（Ｃ）に示すように、第２磁性シート１１２ｂに、図３に示す層状部ＭＬ１～ＭＬ７の導体パターン１３ａに対応するパターンで導体ペースト１１３を印刷する。層状部ＭＬ１～ＭＬ６に導体ペースト１１３を印刷する際には、貫通孔形成工程で形成された貫通孔に導体ペーストを充填する。

導体ペーストとしては、例えば、Ａｇペーストを用いることができる。Ａｇペーストとしては、例えば、Ａｇ充填率が９１ｗｔ％以上のものを利用することができる。また、導体ペーストとしては、Ａｇペースト以外にも、例えば、Ｃｕペースト、Ｐｔペースト、Ａｕペーストなどを用いることも可能である。

第２磁性シート１１２ｂへの導体ペースト１１３の印刷には、例えば、スクリーン印刷機やグラビア印刷機などの印刷機を用いることができる。

そして、このように第２磁性シート１１２ｂに配置された導体ペースト１１３を乾燥させる。導体ペースト１１３の乾燥には、例えば、熱風乾燥機などの乾燥機を用いることができる。乾燥機を用いた導体ペースト１１３の乾燥は、例えば、約８０℃で約５分保持する条件で実施可能である。

１．３．４ 第３磁性ペースト配置工程
第３磁性ペースト配置工程では、図８（Ｄ）に示すように、第２磁性シート１１２ｂに、図５に示す第２磁性体層１２ｃに対応するパターンで第３磁性ペースト１１２ｃを印刷する。つまり、導体ペースト１１３のパターンを反転させたパターンにて、第３磁性ペースト１１２ｃを印刷する。

第３磁性ペースト１１２ｃには、例えば、５ｗｔ％Ｃｒ、３ｗｔ％Ｓｉ、９２％Ｆｅの組成を有する平均粒径４μｍの球状の第４金属磁性粉を用いることができる。第４金属磁性粉は、図６（Ａ）に示す軟磁性体粒子Ｇ１の原料となる。第４金属磁性粉とバインダ（ＰＶＢ等）と溶剤とを混合することで、第３磁性ペーストが得られる。

そして、このように第２磁性シート１１２ｂに配置された第３磁性ペースト１１２ｃを乾燥させる。第３磁性ペースト１１２ｃの乾燥には、例えば、熱風乾燥機などの乾燥機を用いることができる。乾燥機を用いた第３磁性ペースト１１２ｃの乾燥は、例えば、約８０℃で約５分保持する条件で実施可能である。

これにより、図３に示す層状部ＭＬ１～ＭＬ７に対応する、未焼成の層状部ＭＬ１～ＭＬ７が得られる。なお、第２磁性シート１１２ｂへの第３磁性ペースト１１２ｃの印刷には、導体ペースト１１３と同様に、例えば、スクリーン印刷機やグラビア印刷機などの印刷機を用いることができる。

１．３．５ 積層・圧着工程
積層・圧着工程では、未焼成の層状部ＭＬＵ，ＭＬ１～ＭＬ７，ＭＬＤを図３に示す順序で積み重ねて熱圧着することにより未焼成の本体部１１を作製する。層状部ＭＬＵ，ＭＬ１～ＭＬ７，ＭＬＤの搬送には、吸着搬送機を用いることができる。また、層状部ＭＬＵ，ＭＬ１～ＭＬ７，ＭＬＤの熱圧着には、各種プレス機を用いることができる。

１．３．６ 焼成工程
焼成工程では、上記のように得られた未焼成の本体部１１を、大気などの酸化性雰囲気中で焼成する。未焼成の本体部１１の焼成には、各種焼成炉のような加熱処理機を用いることができる。焼成工程には、以下に説明する脱脂プロセス及び酸化物膜形成プロセスが含まれる。

脱脂プロセスでは、金属磁性粉の間に存在するバインダなどが除去される。これにより、金属磁性粉の間におけるバインダなどが存在していた領域にはポア（空隙）が形成される。これと同時に、導体ペースト１１３からもバインダなどが除去される。脱脂プロセスは、例えば、約３００℃で約１時間保持する条件で実施可能である。

酸化物膜形成プロセスは、脱脂プロセスに引き続いて昇温することにより、脱脂プロセスよりも高温で実施される。酸化物膜形成プロセスでは、金属磁性粉の間のポアを介して酸素が供給されることにより、金属磁性粉の表面が酸化される。これにより、金属磁性粉の表面に凹凸形状の酸化物膜が形成される。

つまり、酸化物膜形成プロセスにおいて、第１金属磁性粉がカバー部１２ａを構成する軟磁性体粒子Ｇ１となり、第２，３金属磁性粉が第１磁性体層１２ｂを構成する軟磁性体粒子Ｇ２，Ｇ３となり、第４金属磁性粉が第２磁性体層１２ｃを構成する軟磁性体粒子Ｇ１となる。これにより、磁性体部１２が形成される。

また、酸化物膜形成プロセスでは、脱脂プロセスで導体ペースト１１３からバインダが除去されて残ったＡｇ粒子が焼結して一体化することにより、コイル部１３が形成される。酸化物膜形成プロセスは、例えば、約７００℃で約２時間保持する条件で実施可能である。これにより、本体部１１が完成する。

なお、焼成工程は、製造効率の観点から、多数の未焼成の本体部１１について一括して実施することが好ましい。また、焼成プロセスは、上記以外の条件に適宜変更可能であり、脱脂プロセス及び酸化物膜形成プロセス以外のプロセスを含んでいてもよい。また、焼成工程の各プロセスは、各別に実施してもよい。

１．３．７ 下地層形成工程
下地層形成工程では、バレル研磨工程後の本体部１１に、図１，２に示す外部電極１４，１５の下地層を形成する。下地層形成工程では、本体部１１の外部電極１４，１５が設けられる長手方向の両端部に導体ペーストを焼き付ける。下地層形成工程には、以下に説明する塗布プロセス及び焼き付けプロセスが含まれる。

塗布プロセスでは、予め用意した導体ペーストを、本体部１１の長手方向の両端部に塗布する。導体ペーストの塗布には、例えば、ディップ塗布機やローラ塗布機などの公知の各種塗布機を用いることができる。導体ペーストとしては、例えば、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎｉペースト、Ｐｄペースト、Ｐｔペースト、Ａｕペースト、Ａｌペーストなどを用いることができる。

Ａｇペーストは、公知のものから適宜選択可能である。例えば、Ａｇペーストとしては、８５ｗｔ％以上のＡｇを含み、ガラス、ブチルカルビトール（溶剤）、ポリビニルブチラール（バインダ）を更に含むものを用いることができる。また、Ａｇペーストに用いるＡｇ粒子のｄ５０（メディアン径）は、約５μｍとすることができる。

焼き付けプロセスでは、塗布プロセスで塗布された導体ペーストが本体部１１に焼き付けられる。焼き付けプロセスには、例えば、各種焼成炉のような加熱処理機を用いることができる。焼き付けプロセスは、例えば、大気中において約６００℃で約２０分保持する条件で実施可能である。

焼き付けプロセスによって、外部電極１４，１５の下地層において、溶剤及びバインダが除去されるとともに、Ａｇ粒子が焼結する。これにより、外部電極１４，１５の下地層が完成する。なお、焼き付けプロセスの条件は、導体ペーストの種類などに応じて適宜変更可能である。

１．３．８ めっき処理工程
めっき処理工程では、下地層形成工程に引き続いて、本体部１１に形成された下地層にめっき処理を行う。これにより、下地層にめっき膜が形成され、外部電極１４，１５が完成する。めっき処理は、一般的なＮｉ（ニッケル）やＳｎ（錫）などの電気めっきにより行うことができる。めっき膜は、単層であっても複層であってもよい。

以上により、本実施形態に係るコイル部品１０を製造することができる。

１．３．９ その他の工程
コイル部品１０の製造方法は、必要に応じ、上記以外の工程を含んでいてもよい。このような工程としては、例えば、（１）バレル研磨工程、（２）リン酸塩処理工程、（３）樹脂含浸処理工程が挙げられる。以下、これらの工程について説明するが、追加可能な工程はこれらの工程に限定されない。

（１）バレル研磨工程
バレル研磨工程は、焼成工程後の本体部１１に実施することができる。バレル研磨工程では、本体部１１にバレル研磨を施す。バレル研磨は、例えば、複数の本体部１１をコンパウンド及び水とともにバレル容器に封入し、バレル容器に運動を与えることにより実施可能である。これにより、本体部１１の角部や稜部が良好に面取りされる。

（２）リン酸塩処理工程
コイル部品１０の製造過程において、磁性体部１２を構成する軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３には、酸化物膜が途切れて、導電性を有する合金成分が露出した露出部が形成される場合がある。このような露出部は、焼成工程において酸素の供給が充分でなかった部分や、バレル研磨などによって酸化物膜が剥離した部分などに形成される。

磁性体部１２を構成する軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３に導電性を有する露出部が存在すると、磁性体部１２の絶縁性が低下する。磁性体部１２の絶縁性が低下すると、コイル部品１０の静電気耐圧が低下するため、コイル部品１０が静電気によって損傷を受けやすくなる。

また、磁性体部１２の表面の絶縁性が低下すると、めっき処理工程において下地層を超えて磁性体部１２の表面までめっき膜が延伸することがある。このようなめっき延びが発生すると、外部電極１４，１５の間における絶縁耐圧が低下するため、コイル部品１０の信頼性が低下する。

リン酸塩処理工程は、このような不具合を防止するために、例えば、下地層形成工程後の本体部１１に実施することができる。リン酸塩処理工程では、下地層が形成された本体部１１をリン酸塩処理液に浸漬させるリン酸塩処理を施す。リン酸塩処理液は、リン酸塩から作製され、リン酸イオン及び金属イオンを含む。

リン酸塩処理では、リン酸塩処理液中のリン酸イオンが、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の導電性を有する露出部に多く含まれるＦｅと選択的に反応する。これにより、露出部に絶縁性を有するリン酸塩化合物が析出する。これにより、露出部が絶縁性を有するリン酸塩化合物によって塞がれる。

したがって、本体部１１に対してリン酸塩処理を適切な時間実行することにより、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の露出部がリン酸塩化合物によって完全に被覆されると、磁性体部１２の表面に導電性を有する部分がなくなる。これにより、磁性体部１２における高い絶縁性が確保される。

また、リン酸塩処理では、リン酸塩処理液が軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の間のポアを通って磁性体部１２の内部に浸透するため、磁性体部１２の内部にある軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の露出部もリン酸塩化合物によって被覆される。これにより、磁性体部１２の内部の絶縁性も確保される。

リン酸塩処理液に用いるリン酸塩としては、例えば、リン酸マンガンを用いることが好ましい。しかしながら、リン酸塩処理液に用いるリン酸塩としては、リン酸マンガン以外を用いてもよく、例えば、リン酸鉄、リン酸カルシウム、及びリン酸亜鉛などを用いることもできる。

（３）樹脂含浸処理工程
樹脂含浸処理工程は、例えば、下地層形成工程後の本体部１１に実施することができる。上記のリン酸塩処理工程を実施する場合には、樹脂含浸処理工程を実施するタイミングはリン酸塩処理工程の前後のいずれであってもよい。樹脂含浸処理工程では、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の間のポアに樹脂材料を充填する。

樹脂含浸処理工程には、以下に説明する、浸漬プロセス、拭き取りプロセス、及び乾燥プロセスが含まれる。浸漬プロセスでは、樹脂材料を含む溶液に本体部１１を浸漬させることにより、樹脂材料を含む溶液を磁性体部１２のポアに浸透させる。樹脂材料としては、例えば、シリコン系樹脂を用いることができる。

樹脂材料としては、シリコン系樹脂以外にも、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、シリケート系樹脂、ウレタン系樹脂、イミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂などを用いることができる。また、樹脂材料は、これらの樹脂を複数組み合わせたものであってもよい。

浸漬プロセスは、大気圧よりも低い減圧雰囲気中で行ってもよい。これにより、樹脂材料の溶液を、短時間で、磁性体部１２の全体にわたって充分に浸透させることが可能となる。また、浸漬プロセスでは、樹脂材料を含む溶液に代えて、樹脂材料の液状物を用いることもできる。

拭き取りプロセスでは、浸漬プロセスにおいて磁性体部１２の表面や外部電極１４，１５の下地層に付着した樹脂材料を含む溶液を拭き取る。乾燥プロセスでは、拭き取りプロセス後の磁性体部１２の内部に充填された樹脂材料の溶液の溶媒成分を蒸発させる。乾燥プロセスは、例えば、約１５０℃にて６０分保持する条件で実施可能である。

これにより、磁性体部１２のポアを部分的に樹脂材料で埋めることができる。つまり、磁性体部１２を構成する軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の周囲に樹脂材料が配置される。したがって、隣接する軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３同士の導通が抑制されるため、磁性体部１２の絶縁性が向上する。

また、磁性体部１２のポアに樹脂材料を充填することにより、本体部１１の機械的強度も向上する。更に、樹脂材料が充填されたポアには水分が進入しにくくなるため、磁性体部１２の吸湿性が抑制される。これにより、磁性体部１２内への水分の進入による、磁性体部１２の絶縁性の低下が生じにくくなる。

なお、樹脂含浸処理工程の構成は上記に限定されない。例えば、樹脂含浸処理工程では、浸漬プロセス、拭き取りプロセス、及び乾燥プロセスの一連のプロセスを複数回にわたって繰り返してもよい。これにより、磁性体部１２のポアにおける樹脂材料の充填率を向上させることができる。

１．４ 変形例１
図９は、第１の実施形態の変形例１に係るコイル部品１０の本体部１１の一部を示す模式図である。図９では、１層の第１磁性体層１２ｂと、これにＺ軸方向上下に隣接する２層の第２磁性体層１２ｃと、を抜き出して示している。変形例１に係るコイル部品１０は、第１磁性体層１２ｂの構成のみが上記実施形態とは異なる。

変形例１に係る第１磁性体層１２ｂは、扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１と、微粒子層１２ｂ２と、を有する。微粒子層１２ｂ２は、扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１のＺ軸方向上下面に配置されている。しかし、微粒子層１２ｂ２は、扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１のＺ軸方向上下面のいずれか一方のみに配置されていてもよい。微粒子層１２ｂ２の厚さは、例えば、１μｍ未満とすることができる。

図１０（Ａ）は、扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１の断面の微細組織を示す模式図である。図１０（Ｂ）は、扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１の微細組織をＺ軸方向から見たときの軟磁性体粒子Ｇ２の位置を外形で示す模式図である。扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１は扁平な軟磁性体粒子Ｇ２で形成されており、軟磁性体粒子Ｇ２の隙間には微粒子である軟磁性体粒子Ｇ３が配置されていない。

このため、扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１では、図１０（Ｂ）に示すように、軟磁性体粒子Ｇ２の間に形成された隙間によって、Ｚ軸方向に貫通する経路が形成されやすい。したがって、扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１のみの構成では、軟磁性体粒子Ｇ２の隙間を介したＺ軸方向のショートが発生しやすい。

図１１（Ａ）は、微粒子層１２ｂ２の断面の微細組織を示す模式図である。図１１（Ｂ）は、微粒子層１２ｂ２の微細組織をＺ軸方向から見たときの軟磁性体粒子Ｇ３の位置を外形で示す模式図である。図１１（Ｂ）では、説明の便宜上、微粒子層１２ｂ２の表層にある軟磁性体粒子Ｇ３のみを示し、扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１を構成する軟磁性体粒子Ｇ２の位置を破線で示している。

微粒子層１２ｂ２は、球状の微粒子である軟磁性体粒子Ｇ３で形成された球状粒子含有層である。このため、微粒子層１２ｂ２には、図１１（Ｂ）に示すように、Ｚ軸方向に貫通する経路を形成するような大きい隙間が存在しない。つまり、微粒子層１２ｂ２は、扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１における軟磁性体粒子Ｇ２の隙間を少なくとも部分的にＺ軸方向から閉塞する閉塞部として機能する。

このように、微粒子層１２ｂ２の作用によって第１磁性体層１２ｂにＺ軸方向に貫通する経路が発生しにくくなるため、第１磁性体層１２ｂではＺ軸方向のショートの発生を防止することができる。また、微粒子層１２ｂ２を構成する軟磁性体粒子Ｇ３も第１磁性体層１２ｂの透磁率に寄与するため、コイル部品１０のインダクタンスが向上する。

なお、微粒子層１２ｂ２には、軟磁性体粒子Ｇ３を用いることが好ましいが、軟磁性体粒子Ｇ３に代えて磁性を有さない絶縁体微粒子を用いることも可能である。これにより、第１磁性体層１２ｂの透磁率の観点では不利になるものの、第１磁性体層１２ｂの絶縁性をより確実に得ることができる。

また、図１２に示すように、微粒子層１２ｂ２は、導体パターン１３ａと同様のパターンで、導体パターン１３ａに隣接する位置のみに設けられていてもよい。上述のとおり、第１磁性体層１２ｂにおけるＺ軸方向のショートは、導体パターン１３ａを形成するための導体ペーストが第１磁性体層１２ｂの隙間に進入することによって発生しやすい。

したがって、図１２に示すように、微粒子層１２ｂ２が少なくとも導体パターン１３ａに隣接する位置に配置されていれば、第１磁性体層１２ｂにおけるＺ軸方向のショートを効果的に防止することができる。なお、扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１上における微粒子層１２ｂ２のパターンは、適宜変更可能である。

また、上記実施形態と同様に、扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１における軟磁性体粒子Ｇ２の隙間に軟磁性体粒子Ｇ３が配置されていてもよい。これにより、第１磁性体層１２ｂではＺ軸方向のショートの発生を、更に効果的に防止することができる。また、第１磁性体層１２ｂの透磁率が向上するため、コイル部品１０のインダクタンスが向上する。

１．５ 変形例２
図１３は、第１の実施形態の変形例２に係る磁性体部１２の断面の微細組織を示す模式図である。図１３（Ａ）に示すカバー部１２ａ及び第２磁性体層１２ｃは、軟磁性体粒子Ｇ１と、軟磁性体粒子Ｇ１を覆う樹脂Ｆと、で構成される。図１３（Ｂ）に示す第１磁性体層１２ｂは、軟磁性体粒子Ｇ２，Ｇ３と、軟磁性体粒子Ｇ２，Ｇ３を覆う樹脂Ｆと、で構成される。

変形例２に係る軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３には、上記実施形態とは異なり、酸化物膜が形成されていない。しかしながら、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３は、樹脂Ｆ中に分散されているため、相互に導通することなく樹脂Ｆによって絶縁されている。したがって、変形例２に係る磁性体部１２においても絶縁性が確保される。

樹脂Ｆを形成する樹脂材料としては、例えば、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、シリケート系樹脂、ウレタン系樹脂、イミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂などを用いることができる。また、樹脂Ｆは、これらの樹脂材料を複数組み合わせて形成されていてもよい。

変形例２に係る軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の形状は上記実施形態と同様であるため、変形例２に係る磁性体部１２を有するコイル部品１０においても上記実施形態と同様の効果が得られる。なお、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３は、酸化物膜が形成され、かつ樹脂Ｆによって覆われていてもよい。

１．６ 実施例
実施例１－１～１－６では、図５，６に示す構成の第１磁性体層１２ｂを有するコイル部品１０のサンプルを作製した。実施例１－１～１－６では、第１磁性体層１２ｂを形成するために用いる軟磁性体粒子Ｇ２，Ｇ３の合計量に対する軟磁性体粒子Ｇ３の量を様々に変更した。

実施例１－１～１－６に係るサンプルでは、第１磁性体層１２ｂ以外を共通の構成とし、１．６×０．８×０．８ｍｍの形状とした。また、すべてのサンプルにおいて、カバー部１２ａの合計の厚さを０．５ｍｍとし、コイル部１３が配置されたコイル周回部の厚さを０．３ｍｍとした。したがって、コイル周回部を構成するシート厚が薄いサンプルほど、コイル部１３の巻き数が多くなる。

実施例１－１～１－６では、平均最長径Ｄが４μｍで平均厚さＴが１μｍの軟磁性体粒子Ｇ２と、平均粒径が０．５μｍの球状の軟磁性体粒子Ｇ３と、を用いた。具体的に、実施例１－１では、軟磁性体粒子Ｇ３の量を１ｖｏｌ％とした。実施例１－２では、軟磁性体粒子Ｇ３の量を３ｖｏｌ％とした。実施例１－３では、軟磁性体粒子Ｇ３の量を５ｖｏｌ％とした。実施例１－４では、軟磁性体粒子Ｇ３の量を１０ｖｏｌ％とした。実施例１－５では、軟磁性体粒子Ｇ３の量を１５ｖｏｌ％とした。実施例１－６では、軟磁性体粒子Ｇ３の量を１７ｖｏｌ％とした。

また、実施例２－１では、図９，１０に示す変形例１の構成の扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１及び微粒子層１２ｂ２を含む第１磁性体層１２ｂを有するコイル部品１０のサンプルを作製した。実施例２－１に係るサンプルでは、第１磁性体層１２ｂ以外について、実施例１－１～１－６に係るサンプルと共通の構成とした。

第１磁性体層１２ｂの扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１は、平均最長径Ｄが４μｍで平均厚さＴが１μｍの軟磁性体粒子Ｇ２で６μｍのシート厚に形成した。第１磁性体層１２ｂの微粒子層１２ｂ２は、平均粒径が０．５μｍの軟磁性体粒子Ｇ３で２μｍのシート厚に形成し、各扁平軟磁性体粒子含有層１２ｂ１の両面に配置した。

また、実施例１－１，１－２，２－１に係るサンプルでは第１磁性体層１２ｂのシート厚を１０μｍとし、実施例１－３～１－６に係るサンプルでは第１磁性体層１２ｂのシート厚を５μｍとした。更に、実施例１－１，１－２，２－１に係るサンプルではコイル部１３の巻き数を１０．５ターンとし、実施例１－３～１－６に係るサンプルではコイル部１３の巻き数を１３．５ターンとした。

実施例１－１～１－６，２－１に係る各サンプルについて、インダクタンスＬ及びショート率の評価を行った。実施例１－１～１－６，２－１についてのインダクタンスＬ及びショート率の評価結果を表１に示す。

インダクタンスＬは、実施例１－１～１－６，２－１のそれぞれについての複数のサンプルについて測定を行った平均値として算出される。ショート率は、実施例１－１～１－６，２－１のそれぞれについての複数のサンプルについて電気抵抗測定を行い、サンプル全数のうちショートが発生しているサンプルの数の割合として算出される。

実施例１－１～１－６，２－１に係るサンプルではいずれも、１．０μＨ以上のインダクタンスＬが得られている。また、実施例１－１～１－６，２－１ではいずれのサンプルにもショートの発生が見られなかった。したがって、実施例１－１～１－６，２－１のいずれにおいても性能及び信頼性の高いコイル部品１０が得られていることが確認された。

１．７ 比較例
比較例１～４では、扁平な軟磁性体粒子を用いずに、球状の軟磁性体粒子のみで形成された第１磁性体層を有するコイル部品のサンプルを作製した。また、比較例５，６では、扁平な軟磁性体粒子のみを用いて形成された第１磁性体層を有するコイル部品のサンプルを作製した。比較例１～６に係るサンプルでは、第１磁性体層以外について、実施例１－１～１－６，２－１に係るサンプルと共通の構成とした。

比較例１，２では平均粒径が４μｍの軟磁性体粒子を用い、比較例３，４では平均粒径が２μｍの軟磁性体粒子を用い、比較例５，６では平均最長径Ｄが４μｍで平均厚さＴが１μｍの扁平な軟磁性体粒子を用いた。

また、比較例１では第１磁性体層のシート厚を１５μｍとし、比較例２，３，６では第１磁性体層のシート厚を１０μｍとし、比較例４，５では第１磁性体層のシート厚を５μｍとした。更に、比較例１に係るサンプルではコイル部の巻き数を８．５ターンとし、比較例２，３，６に係るサンプルではコイル部の巻き数を１０．５ターンとし、比較例４，５に係るサンプルではコイル部の巻き数を１３．５ターンとした。

比較例１～６に係る各サンプルについて、実施例１－１～１－６，２－１と同様の方法によって、インダクタンスＬ及びショート率の評価を行った。比較例１～４についてのインダクタンスＬ及びショート率の評価結果を表２に示す。

比較例１に係るサンプルでは、第１磁性体層のシート厚が厚く、コイル部の巻き数が少ないため、インダクタンスＬが１μＨ未満の小さい値となった。比較例２に係るサンプルでは、シート厚を１０μｍまで薄くすることにより、コイル部の巻き数を増加させることができたものの、ショートが発生してしまった。

比較例３に係るサンプルでは、比較例１，２よりも平均粒径の小さい軟磁性体粒子を用いることにより、ショートを発生させることなくコイル部の巻き数を増加させることができた。しかし、比較例３では、軟磁性体粒子の平均粒径を小さくすることによって、各粒子の表面積が小さくなるため、シート成形の際にゲル状になり、ハンドリングが難しくなった。また、比較例３に係るサンプルでは、軟磁性体粒子の平均粒径を小さくすることによって、第１磁性体層における磁性を持つ部分の割合が減少し、インダクタンスＬが１μＨ未満の小さい値となった。

比較例４に係るサンプルでは、インダクタンスＬの向上のために、シート厚を５μｍまで薄くすることにより、コイル部の巻き数を更に増加させたものの、ショートが発生してしまった。比較例１～４の結果により、第１磁性体層を形成する球状の軟磁性体粒子の大きさを変更することによるインダクタンスＬの向上には限界があることが確認された。

そこで、比較例５，６に係るサンプルでは、軟磁性体粒子の大きさではなく形状を変更し、扁平な軟磁性体粒子で第１磁性体層を形成した。これにより、比較例５，６では、扁平な軟磁性体粒子において大きい表面積が確保されるため、シート成形時にゲル状になるなどのハンドリング性の問題は生じなくなった。しかしながら、比較例５，６に係るサンプルでは、第１磁性体層において扁平な軟磁性体粒子の間に大きい隙間が発生しやすくなるため、ショートが発生してしまった。

以上のとおり、比較例１～６のように、第１磁性体層を形成するために球状の軟磁性体粒子及び扁平な軟磁性体粒子のいずれか一方のみを用いる場合には、ショートが発生しない構成においても１μＨ以上のインダクタンスＬが得られなかった。

一方、上記のとおり、実施例１－１～１－６，２－１に係るサンプルではいずれも、ショートが発生せず、かつ１μＨ以上のインダクタンスＬが得られている。つまり、第１磁性体層１２ｂを形成するために扁平な軟磁性体粒子Ｇ２と球状の軟磁性体粒子Ｇ３とを併用することにより、ショートを発生させることなく、高いインダクタンスＬが得られることが確認された。

２．第２の実施形態
２．１ 全体構成
図１４は、本発明の第２の実施形態に係るコイル部品１０の本体部１１の断面を示す模式図である。本実施形態に係るコイル部品１０は、以下に説明する構成以外について第１の実施形態に係るコイル部品１０と同様の構成されている。以下の説明では、第１の実施形態と対応する構成について、同一の符号を用いる。

本実施形態に係るコイル部品１０では、カバー部１２ａの構成が第１の実施形態に係るコイル部品１０とは異なる。本実施形態に係るコイル部品１０のカバー部１２ａは、Ｚ軸方向に積層された第１カバー層１２ａ１、第２カバー層１２ａ２、及び第３カバー層１２ａ３を有する３層構造である。

カバー部１２ａにおいて、第１カバー層１２ａ１は、Ｚ軸方向の最も内側に配置され、コイル部１３が配置された領域にＺ軸方向外側に隣接している。第２カバー層１２ａ２は、第１カバー層１２ａ１のＺ軸方向外側に隣接している。第３カバー層１２ａ３は、第２カバー層１２ａ２の更にＺ軸方向外側に隣接している。

カバー層１２ａ１，１２ａ２，１２ａ３は、本体部１１におけるＸＹ平面に沿った全範囲にわたって延び、本体部１１からＸ軸及びＹ軸方向に露出している。これにより、コイル部品１０は、各カバー層を本体部におけるＸＹ平面に沿った一部の範囲のみに配置する構成に比べて、シンプルな製造プロセスによって低コストで製造可能となる。

また、各カバー層を本体部におけるＸＹ平面に沿った一部の範囲のみに配置する構成では、コイル部品のＺ軸方向の寸法を１ｍｍ以下とする場合に精度を確保することが困難となる。この点、本実施形態に係るコイル部品１０では、Ｚ軸方向の寸法を１ｍｍ以下とする場合、更にはＺ軸方向の寸法を０．８ｍｍ以下とする場合にも、高精度で製造可能である。

図１５は、カバー部１２ａの断面の微細組織を示す模式図である。図１５（Ａ）は第１カバー層１２ａ１を示し、図１５（Ｂ）は第２カバー層１２ａ２を示し、図１５（Ｃ）は第３カバー層１２ａ３を示している。カバー層１２ａ１，１２ａ２，１２ａ３では、これらを構成する軟磁性体粒子の形状が異なる。

図１５（Ａ）に示すように、カバー部１２ａの第１カバー層１２ａ１は、比較的大きい平均粒径を有する球状の軟磁性体粒子Ｇ１で構成されている。隣接する軟磁性体粒子Ｇ１は、その表面の酸化物膜において相互に結合している。

図１５（Ｂ）に示すように、カバー部１２ａの第２カバー層１２ａ２は、配向している扁平な軟磁性体粒子Ｇ２が全領域にわたって配置されている扁平軟磁性体粒子含有層として構成される。隣接する軟磁性体粒子Ｇ２は、その表面の酸化物膜において相互に結合している。

第２カバー層１２ａ２は、例えば、扁平な金属磁性粉を含む磁性シートから形成される。磁性シートの厚さは、金属磁性粉の平均厚さの３倍～１０倍程度であり、金属磁性粉の平均最長径の１０分の１程度であることが好ましい。これにより、扁平な軟磁性体粒子Ｇ２が良好に配向した第２カバー層１２ａ２が得られる。

図１５（Ｃ）に示すように、カバー部１２ａの第３カバー層１２ａ３は微粒子である軟磁性体粒子Ｇ３で構成されている。すなわち、第３カバー層１２ａ３には、軟磁性体粒子Ｇ３が高密度で配置されている。隣接する軟磁性体粒子Ｇ３は、その表面の酸化物膜において相互に結合している。

なお、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３は、同一の材料ではなく、相互に異なる材料で形成されていてもよい。更に、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３は、Ｆｅ及びＳｉを含み、かつＣｒ及びＡｌの少なくとも一方を更に含む軟磁性合金で形成されている構成に限定されず、他の軟磁性体で形成されていてもよい。

例えば、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の少なくとも１つが、アモルファス合金粒子であってもよい。これにより、コイル部品１０における渦電流損失を低減することができる。また、軟磁性体粒子Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の少なくとも１つが、扁平化や微細化が容易なフェライト粒子であってもよい。

２．２ カバー部１２ａの詳細
以下、本実施形態に係るカバー部１２ａのカバー層１２ａ１，１２ａ２，１２ａ３の詳細について説明する。なお、カバー部１２ａは、必要に応じて、カバー層１２ａ１，１２ａ２，１２ａ３以外の構成を含んでいても構わない。

２．２．１ 第１カバー層１２ａ１
第１カバー層１２ａ１は、カバー部１２ａにおいて磁路を形成する機能などを有する。第１カバー層１２ａ１では、適度な大きさの軟磁性体粒子Ｇ１を用いることにより、高い絶縁性を確保しつつ、高い透磁率が得られる。このような観点から、軟磁性体粒子Ｇ１の平均粒径は、２μｍ以上６μｍ以下であることが好ましい。

第１カバー層１２ａ１の厚さは、磁路を確保する観点から、１０μｍ以上であることが好ましい。また、第１カバー層の厚さは、第１カバー層１２ａ１より外側の第２カバー層１２ａ２まで磁束が到達しやすくするために、１５０μｍ以下に留めることが好ましく、６０μｍ未満に留めることが更に好ましい。

なお、図１５（Ａ）では軟磁性体粒子Ｇ１を均一な形状で示しているが、軟磁性体粒子Ｇ１は所定の粒度分布を有していてもよく、軟磁性体粒子Ｇ１の形状は不均一であってもよい。

２．２．２ 第２カバー層１２ａ２
第２カバー層１２ａ２を構成する扁平な軟磁性体粒子Ｇ２は、透磁率に異方性を有し、ＸＹ平面に沿った方向に透磁率が高く、Ｚ軸方向に沿った方向の透磁率が低い。このため、第２カバー層１２ａ２の透磁率は、ＸＹ平面に沿った方向において高くなり、Ｚ軸方向において低くなる。

したがって、第２カバー層１２ａ２に進入する磁束は、ＸＹ平面に沿った方向に向きを変えながら第２カバー層１２ａ２を通過する。このため、第２カバー層１２ａ２において磁束がＺ軸方向内側に寄せられる。これにより、カバー部１２ａにおける磁束密度が高くなるため、コイル部品１０のインダクタンスが向上する。

また、第２カバー層１２ａ２では、Ｚ軸方向の透磁率が低いため、磁束がＺ軸方向外側に通過しにくい。したがって、第２カバー層１２ａ２は、Ｚ軸方向外側への磁束の漏れを抑制するシールドとして機能する。これにより、コイル部品１０のインダクタンスが更に向上する。

軟磁性体粒子Ｇ２は、厚さ方向に直交する方向における径がなるべく均一であることが好ましく、つまり厚さ方向から見た形状が円形に近いことが好ましい。軟磁性体粒子Ｇ２の径は、例えば、１０μｍ程度とすることができる。また、軟磁性体粒子Ｇ２のアスペクト比は、４以上であることが好ましい。

また、第２カバー層１２ａ２では、図１５（Ｂ）に示す構成に加えて、軟磁性体粒子Ｇ２の隙間に軟磁性体粒子Ｇ３を配置することにより、軟磁性体粒子Ｇ２の隙間にも磁性を持たせることができる。これにより、第２カバー層１２ａ２における透磁率が更に向上するため、コイル部品１０のインダクタンスが更に向上する。

軟磁性体粒子Ｇ３を用いる構成の第２カバー層１２ａ２における軟磁性体粒子Ｇ２と軟磁性体粒子Ｇ３との合計量に対する軟磁性体粒子Ｇ３の量は、５ｖｏｌ％以上１５ｖｏｌ％以下であることが好ましく、例えば、８ｖｏｌ％とすることができる。これにより、軟磁性体粒子Ｇ２の隙間に軟磁性体粒子Ｇ３が良好に充填されやすくなる。

第２カバー層１２ａ２の厚さは、適宜決定可能であり、例えば、８０μｍ程度とすることができる。なお、図１５（Ｂ）では軟磁性体粒子Ｇ２を均一な形状で示しているが、軟磁性体粒子Ｇ２の形状は不均一であってもよい。

２．２．３ 第３カバー層１２ａ３
カバー部１２ａの最外層が第２カバー層１２ａ２で構成され、カバー部１２ａの表面に扁平な軟磁性体粒子Ｇ２が露出していると、カバー部１２ａの表面の絶縁性が低下する。磁性体部１２の表面の絶縁性が低下すると、めっき処理工程においてめっき延びが発生しやすくなる。これにより、コイル部品１０の信頼性が低下する。

このような不具合を防止するために、カバー部１２ａの最外層として、第３カバー層１２ａ３が設けられる。つまり、第３カバー層１２ａ３は、微粒子である軟磁性体粒子Ｇ３で構成されているため、カバー部１２ａの表面に高い絶縁性を付与することができる。これにより、コイル部品１０の信頼性が向上する。

また、カバー部１２ａの最外層として第３カバー層１２ａ３を設けることにより、本体部１１の内部に水分が進入しにくくなる。これにより、磁性体部１２内への水分の進入による、磁性体部１２の絶縁性の低下が生じにくくなる。これにより、コイル部品１０の信頼性が更に向上する。第３カバー層１２ａ３の厚さは５μｍ以下であることが好ましい。

なお、第３カバー層１２ａ３を構成する軟磁性体粒子Ｇ３は、軟磁性合金で形成されている構成に限定されず、他の軟磁性体で形成されていてもよい。例えば、軟磁性体粒子Ｇ３は、フェライトで形成されたフェライト粒子であってもよい。フェライトは微粒子化が容易であるため、軟磁性体粒子Ｇ３を容易に得ることができる。

また、第３カバー層１２ａ３には、軟磁性体粒子Ｇ３を用いることが好ましいが、軟磁性体粒子Ｇ３に代えて磁性を有さない絶縁体微粒子を用いることも可能である。これにより、第３カバー層１２ａ３において磁路としての機能は得られなくなるものの、カバー部１２ａの表面の絶縁性をより確実に得ることができる。

更に、図１５（Ｃ）では軟磁性体粒子Ｇ３を均一な形状で示しているが、軟磁性体粒子Ｇ３は所定の粒度分布を有していてもよく、軟磁性体粒子Ｇ３の形状は不均一であってもよい。また、カバー部１２ａの表面の絶縁性を確保できる場合には、カバー部１２ａに第３カバー層１２ａ３を設けなくてもよい。この場合、カバー部１２ａには、軟磁性体粒子Ｇ３などの微粒子が含まれていなくても構わない。

加えて、本実施形態に係る第１磁性体層１２ｂ及び第２磁性体層１２ｃの構成は、第１の実施形態に係る第１磁性体層１２ｂ及び第２磁性体層１２ｃとは異なっていてもよく、任意に変更可能である。例えば、本実施形態に係る第１磁性体層１２ｂ及び第２磁性体層１２ｃは、いずれも球状の軟磁性体粒子Ｇ１で形成されていてもよい。

３．第３の実施形態
本発明を適用可能なコイル部品１０は、第１及び第２の実施形態に係る積層インダクタに限定されない。本発明の第３の実施形態では、積層インダクタ以外のコイル部品１０の一例として、コモンモードチョークコイルについて説明する。以下の説明では、第１の実施形態と対応する構成について、同様の符号を用いる。

図１６は、第３の実施形態に係るコイル部品１０の斜視図である。図１６に示すように、コイル部品１０の本体部１１には、２つの第１外部電極１４ａ，１４ｂと、２つの第２外部電極１５ａ，１５ｂと、で構成される４つの端子が設けられている。外部電極１４ａ，１５ａが相互に対向し、外部電極１４ｂ，１５ｂが相互に対向している。

図１７は、コイル部品１０の本体部１１の分解斜視図である。図１７に示すように、カバー部１２ａの間に層状部ＭＬ１～ＭＬ３が配置された積層構造を有する。カバー部１２ａの構成は、第１及び第２の実施形態と同様とすることができ、単層構造であっても複層構造であってもよい。

層状部ＭＬ２，ＭＬ３には、Ｚ軸方向上面に沿って、コイル部１３を構成する渦巻き状の導体パターン１３ａが形成されている。また、層状部ＭＬ１には、第２外部電極１５ａに接続された引出端部１３ｃと、第２外部電極１５ｂに接続された引出端部１３ｃと、が設けられている。

また、層状部ＭＬ２には、導体パターン１３ａの外側の端部を第１外部電極１４ａに接続するための引出端部１３ｃが設けられている。また、層状部ＭＬ１には、層状部ＭＬ２の導体パターン１３ａの内側の端部を第２外部電極１５ａに接続された引出端部１３ｃに接続するためのビア１３ｂが設けられている。

更に、層状部ＭＬ３には、導体パターン１３ａの外側の端部を第１外部電極１４ｂに接続するための引出端部１３ｃが設けられている。また、層状部ＭＬ１，ＭＬ２には、層状部ＭＬ３の導体パターン１３ａの内側の端部を第２外部電極１５ｂに接続された引出端部１３ｃに接続するためのビア１３ｂが設けられている。

このような構成により、コイル部品１０では、外部電極１４ａ，１５ａに印加される電圧によって層状部ＭＬ２の導体パターン１３ａに電流が流れ、外部電極１４ｂ，１５ｂに印加される電圧によって層状部ＭＬ３の導体パターン１３ａに電流が流れる。これにより、コイル部品１０では、コモンモードチョークコイルの機能が得られる。

図１８は、コイル部品１０の図１６のＣ－Ｃ線に沿った断面を示す模式図である。本実施形態に係るコイル部品１０は、磁性体部１２が、カバー部１２ａと、第１磁性体層１２ｂと、第２磁性体層１２ｃと、で構成されている点で、第１及び第２の実施形態に係るコイル部品１０と共通する。

したがって、本実施形態に係るコイル部品１０では、第１磁性体層１２ｂを第１の実施形態と同様の構成とすることにより、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態に係るコイル部品１０では、カバー部１２ａを第２の実施形態と同様の構成とすることにより、第２の実施形態と同様の効果が得られる。

４．その他の実施形態
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。

１０…コイル部品
１１…本体部
１２…磁性体部
１２ａ…カバー部
１２ｂ…第１磁性体層
１２ｃ…第２磁性体層
１３…コイル部
１３ａ…導体パターン
１３ｂ…ビア
１４，１５…外部電極
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３…軟磁性体粒子

Claims (22)

1. 一軸方向に交互に積層された第１及び第２磁性体層と、前記第１及び第２磁性体層を前記一軸方向から覆うカバー部と、を有する磁性体部と、
   前記第２磁性体層に設けられた導体パターンを有するコイル部と、
   を具備し、
   前記磁性体部は、前記一軸方向に直交する方向の全範囲にわたって延び、前記一軸方向に直交する方向に露出し、厚さ方向が前記一軸方向に配向している扁平軟磁性体粒子で形成された扁平軟磁性体粒子含有層と、前記扁平軟磁性体粒子含有層に前記一軸方向に隣接し、絶縁性の球状粒子で形成された球状粒子含有層と、を含み、
   少なくとも前記カバー部が、前記扁平軟磁性体粒子含有層及び前記球状粒子含有層を有する
   コイル部品。
2. 請求項１に記載のコイル部品であって、
   前記第１磁性体層は、前記扁平軟磁性体粒子含有層である
   コイル部品。
3. 請求項２に記載のコイル部品であって、
   前記第１磁性体層は、前記扁平軟磁性体粒子の隙間に配置され、前記扁平軟磁性体粒子の前記厚さ方向の寸法よりも平均粒径が小さい前記球状粒子である第１球状粒子を有し、
   前記第２磁性体層は、前記球状粒子含有層である
   コイル部品。
4. 請求項２に記載のコイル部品であって、
   前記磁性体部は、前記第１磁性体層と前記導体パターンとの間に配置され、前記扁平軟磁性体粒子の前記厚さ方向の寸法よりも平均粒径が小さい前記球状粒子である第２球状粒子で形成された前記球状粒子含有層を更に有する
   コイル部品。
5. 請求項２から４のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
   前記第１磁性体層の厚さが１０μｍ未満である
   コイル部品。
6. 請求項１に記載のコイル部品であって、
   前記カバー部は、前記第１又は第２磁性体層に前記一軸方向外側に隣接する前記球状粒子含有層である第１カバー層と、前記第１カバー層の前記一軸方向外側に隣接する前記扁平軟磁性体粒子含有層である第２カバー層と、を有する
   コイル部品。
7. 請求項６に記載のコイル部品であって、
   前記カバー部は、前記第２カバー層の前記一軸方向外側に隣接する第３カバー層を更に有する
   コイル部品。
8. 請求項７に記載のコイル部品であって、
   前記第３カバー層は、前記扁平軟磁性体粒子の前記厚さ方向の寸法よりも平均粒径が小さい前記球状粒子である第３球状粒子で形成されている
   コイル部品。
9. 請求項７に記載のコイル部品であって、
   前記第３カバー層は、磁性を有さない絶縁体微粒子で形成されている
   コイル部品。
10. 請求項６から９のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
    前記第１カバー層の厚さが１０μｍ以上１５０μｍ以下である
    コイル部品。
11. 請求項６から１０のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
    前記第２カバー層では、前記一軸方向に直交する方向の透磁率が、前記一軸方向の透磁率よりも高い
    コイル部品。
12. 請求項６から１１のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
    前記第２カバー層は、前記扁平軟磁性体粒子の隙間に配置され、前記扁平軟磁性体粒子の前記厚さ方向の寸法よりも平均粒径が小さい前記球状粒子である第１球状粒子を有する
    コイル部品。
13. 請求項１２に記載のコイル部品であって、
    前記第２カバー層における前記扁平軟磁性体粒子及び前記第１球状粒子の合計量に対する前記第１球状粒子の量が５ｖｏｌ％以上１５ｖｏｌ％以下である
    コイル部品。
14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
    前記扁平軟磁性体粒子における前記厚さ方向の寸法に対する前記厚さ方向に直交する方向の最長の寸法の比率が４以上である
    コイル部品。
15. 請求項１から１４のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
    前記扁平軟磁性体粒子及び前記球状粒子の少なくとも一方は、鉄及びシリコンを含み、かつクロム及びアルミニウムの少なくとも一方を更に含む鉄合金粒子である
    コイル部品。
16. 請求項１５に記載のコイル部品であって、
    前記鉄合金粒子の表面には酸化物膜が形成され、
    前記鉄合金粒子同士が前記酸化物膜において結合している
    コイル部品。
17. 請求項１６に記載のコイル部品であって、
    前記酸化物膜の厚さが０．６μｍ以下である
    コイル部品。
18. 請求項１６又は１７に記載のコイル部品であって、
    前記酸化物膜は、第１酸化物膜と、前記第１酸化物膜の外側に形成された第２酸化物膜と、を含む複層構造を有する
    コイル部品。
19. 請求項１８に記載のコイル部品であって、
    前記第１酸化物膜は、クロム及びアルミニウムの少なくとも一方を含む酸化物を主成分とし、
    前記第２酸化物膜は、鉄と、クロム及びアルミニウムの少なくとも一方とを含む酸化物を主成分とし、前記第１酸化物膜よりも厚い
    コイル部品。
20. 請求項１５から１９のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
    前記磁性体部は、前記鉄合金粒子を覆う樹脂を更に有する
    コイル部品。
21. 請求項１から１４のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
    前記扁平軟磁性体粒子及び前記球状粒子の少なくとも一方が、アモルファス合金粒子及びフェライト粒子の少なくとも一方である
    コイル部品。
22. 請求項１から２１のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
    前記一軸方向の寸法が１ｍｍ以下である
    コイル部品。

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