CN108242321A - 电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子部件,其具有埋设有内部导体的基体和设置于该基体上的外部电极,小型且具有良好的电气特性。电子部件具有基体、埋设于所述基体的内部导体以及与所述内部导体电连接的外部电极而成,所述基体具有凹部,所述外部电极的至少局部设置于所述基体的凹部。

Description

电子部件
技术领域
本发明涉及电子部件,具体而言涉及具有基体、埋设于该基体的内部导体以及设置于该基体的外部的外部电极而成的电子部件。
背景技术
作为具有基体、埋设于该基体的内部导体以及设置于该基体的外部的外部电极而成的电子部件,例如,已知有在埋设有内部导体的基体的表面设置有外部电极并且由绝缘层覆盖该外部电极的局部的电子部件(专利文献1)。
专利文献1:日本特开2015-65284号公报
有关专利文献1所述那样的电子部件,设置于基体的表面的外部电极比基体突出,电子部件增大与外部电极的厚度相应的量。近年来,随着电子设备的高性能化、小型化,也要求电子设备所使用的电子部件小型化。因此,如上所述电子部件因外部电极而增大并不理想。另外,若要应对这样的要求,则需要将基体预先设计得缩小与外部电极的厚度相应的量,由此有时无法获得所希望的电气特性。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供具有埋设有内部导体的基体和设置于该基体上的外部电极并且小型且具有良好的电气特性的电子部件。
本发明者为解决上述问题而专心研究,结果发现通过在基体形成凹部并在该凹部形成外部电极,能够有效地利用电子部件所占据的空间,从而能够在抑制电气特性降低的同时实现小型化,最终实现了本发明。
根据本发明的要旨,提供一种电子部件,
具有基体、埋设于所述基体的内部导体以及与所述内部导体电连接的外部电极而成,
所述基体具有凹部,
所述外部电极的至少局部设置于所述基体的凹部。
根据本发明,能够在具有埋设有内部导体的基体、设置于该基体上的外部电极的电子部件中,提供一种通过在该基体形成凹部并在该凹部中形成外部电极而具有良好的电气特性的、小型化了的电子部件。
附图说明
图1是示意性地示出本发明的电子部件的一个实施方式的立体图。
图2是省略了绝缘层的图1所示的电子部件的立体图。
图3是省略了绝缘层和外部电极的图1所示的电子部件的立体图。
图4是图1所示的电子部件的沿a-a的剖视图。
图5是图1所示的电子部件的沿b-b的剖视图。
图6是本发明的电子部件的一个端部的剖视图。
图7是本发明的电子部件的第四侧表面的俯视图。
附图标记说明
1…线圈部件;10…磁性体部;11、12…凸部;13、14…凹部;15、16…端面;17…第一侧表面;18…第二侧表面;19…第三侧表面;20…第四侧表面;21…线圈导体;22、23…线圈导体的末端;31、32…外部电极;41、42…绝缘层;43、44…突出部;45…折入部。
具体实施方式
下面,以线圈部件为例,参照附图详细说明本发明的电子部件。其中,本实施方式的电子部件和各构成要素的形状和配置等并不局限于图示的例子。
图1示意性地示出本实施方式的线圈部件1的立体图,图2示意性地示出除了绝缘层41、42的线圈部件1的立体图,图3示意性地示出线圈部件1的埋设有线圈导体21(即,内部导体)的磁性体部10(即,基体)的立体图。另外,图4示出沿图1所示的电子部件1的a-a的剖视图,图5示出沿b-b的剖视图。
如图1~图5所示,本实施方式的线圈部件1具有大致长方体形状。线圈部件1概略性地具有磁性体部10、埋设于磁性体部10的线圈导体21以及外部电极31、32。磁性体部10具有大致长方体形状,具有两个相对置的端面15、16和位于其间的第一侧表面17~第四侧表面20。磁性体部10具有在端面15、16和第四侧表面20上连续的凹部13、14。外部电极31、32分别设置于凹部13、14上,从端面15、16延伸至第四侧表面20的局部。即,外部电极31、32具有L字状的截面。线圈导体21的一个末端22与外部电极31电连接,另一个末端23与外部电极32电连接。外部电极31、32的位于端面15、16上的部分分别由绝缘层41、42覆盖。外部电极31、32仅从线圈部件1的一个面即第四侧表面20暴露。即,线圈部件1为底面电极型线圈部件。在图1和图2中,用阴影线表示外部电极31、32。
上述线圈导体21是将含有导电性材料的导线卷绕成螺旋状而形成。
作为上述导电性材料,并不特别限定,例如,可以举出Au、Ag、Cu、Pd、Ni等。导电性材料可以仅为一种,也可以是两种以上。
上述导线和线圈导体的形状并不特别局限于图示的例子,只要能够用于线圈部件,就不特别限定。在本实施方式中,如图3所示,线圈导体21分两层卷绕为涡旋状而形成,其两末端22、23位于外侧。即,线圈导体21外卷卷绕(日文:外外巻き)扁平导线而形成。线圈导体21的一个末端22从磁性体部10的一个端面15暴露,线圈导体21的另一个末端23从磁性体部10的另一个端面16暴露。
形成上述线圈导体21的导线可以由绝缘性覆膜包覆。由绝缘性覆膜包覆形成线圈导体21的导线,由此能够更加可靠地实现线圈导体21与磁性体部10的绝缘。
作为上述绝缘性物质,并不特别限定,例如,可以举出聚氨酯树脂、聚酯树脂、环氧树脂、聚酰胺酰亚胺树脂。
上述磁性体部10只要含有磁性材料就不特别限定。作为磁性材料,例如,可以举出金属材料和树脂材料的复合材料、铁氧体材料和树脂材料的复合材料等。优选为,磁性体部10由金属材料和树脂材料的复合材料构成。
作为上述树脂材料,并不特别限定,例如,可以举出环氧树脂、酚醛树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂等有机材料。树脂材料可以是一种,也可以是两种以上。
作为上述金属材料,并不特别限定,例如,可以举出铁、钴、镍或钆、或者含有它们中的一种或者两种的合金。优选为,金属材料使用铁或者铁合金。作为铁合金,并不特别限定,例如,可以举出Fe-Si、Fe-Si-Cr、Fe-Si-Al等。金属材料可以仅为一种,也可以是两种以上。金属材料除了上述金属外,还可以含有从钯、银以及铜中选出的至少一种金属。
上述金属材料优选为粉末状,即,能够为金属粉。金属粉可以是结晶质的金属(或合金)的粉末,也可以是非晶质的金属(或者合金)的粉末。并且,金属粉的表面可以由绝缘性物质覆盖。通过利用绝缘性物质覆盖金属粉的表面,由此能够增大磁性体部的比电阻。
上述磁性体部中的上述金属材料的含量相对于磁性体部整体,能够优选为50体积%以上,更加优选为60体积%以上,进一步优选为70体积%以上。通过将金属材料的含量设定为该范围,本发明的线圈部件的磁特性提高。另外,金属材料的含量相对于磁性体部整体,能够优选为95体积%以下,更加优选为90体积%以下,进一步优选为87体积%以下,进一步更加优选为85体积%。通过将金属材料的含量设定为该范围,能够使磁性体部的比电阻变得更大。在一个方式中,金属材料的含量相对于磁性体部整体,能够优选为50体积%以上95体积%以下,更加优选为60体积%以上90体积%以下,进一步优选为70体积%以上87体积%以下,进一步更加优选为70体积%以上85体积%以下。
上述金属粉的平均粒径优选为5μm以上,更加优选为10μm以上。通过将金属粉的平均粒径设定为5μm以上,特别是设定为10μm以上,由此对金属粉的处理变得容易。另外,金属粉的平均粒径优选为100μm以下,更加优选为80μm以下。通过将金属粉的平均粒径设定为100μm以下,特别是设定为80μm以下,能够增大金属粉的填充率,提高磁性体部的磁特性。这里,平均粒径的意思是平均粒径D50(相当于体积基准的累积百分率50%的粒径)。该平均粒径D50例如能够使用动态光散射式粒度分析仪(日机装株式会社制,UPA)测定。在一个方式中,金属粉的平均粒径能够优选为5μm以上100μm以下,更加优选为10μm以上80μm以下。
作为上述铁氧体材料,并不特别限定,可以举出含有Fe2O3、NiO、ZnO、CuO、Mn2O3等的铁氧体材料,例如,Ni-Zn系铁氧体、Mn-Zn系铁氧体、Ni-Zn-Cu系铁氧体、Mn-Zn-Cu系铁氧体、Mn-Zn-Ni系铁氧体等。
上述磁性体部10具有凹部13、14。在本实施方式中,凹部13、14分别在形成外部电极31、32的部位、即在端面15、16和第四侧表面20的局部连续地设置。像这样,在磁性体部设置凹部,并在此处设置外部电极,由此能够将磁性体部的磁特性的降低抑制在最小限度,从而能够实现电子部件的小型化。
上述凹部的深度并不特别限定,例如为3μm以上100μm以下,优选为5μm以上60μm以下,更加优选为10μm以上50μm以下,进一步优选为20μm以上50μm以下,特别是优选为30μm以上40μm以下。
另外,“凹部的深度”是以包围凹部13、14的壁的平均位置(代表性地为磁性体部10的凸部11、12的表面位置)为基准的凹部的深度的平均值。凹部的深度例如,能够使用扫描式电子显微镜(SEM)观察包括凹部在内的面的截面并通过求取所得到的图像中的壁的上部的位置与底面的平均位置之差而获得。
作为上述凹部的形成方法,并不特别限定,例如可以举出激光照射、切割机切割(dicer cut)、喷砂等物理处理、化学处理等。优选通过激光照射形成凹部。
上述外部电极31、32设置于磁性体部10的凹部13、14内。外部电极可以是单层,也可以是多层。
上述外部电极由导电性材料构成,优选由从Au、Ag、Pd、Ni、Sn以及Cu中选出的一种或者一种以上的金属材料构成。
在本实施方式中,上述外部电极31、32分别设置于端面15、16上,并且从此处连续延伸至第四侧表面20的局部。外部电极31与线圈导体21的末端22电连接,外部电极32与线圈导体21的末端23电连接。
上述外部电极既可以完全收纳于凹部,也可以从凹部突出或者超过凹部延伸至凸部上,但是优选为实质上完全收纳于凹部。
上述外部电极的厚度并不特别限定,例如能够为1μm以上30μm以下,优选为5μm以上20μm以下,更加优选为5μm以上15μm以下。
在优选方式中,上述外部电极的厚度与凹部的深度相同,或者小于凹部的深度。在更加优选的方式中,上述外部电极的厚度小于凹部的深度。
上述外部电极的形成方法并不特别限定,例如,可以举出镀敷、丝网印刷等。优选为,外部电极通过镀敷处理形成。
在本实施方式中,绝缘层41、42设置于端面15、16整体,覆盖外部电极31、32的位于端面15、16的部分。通过设置绝缘层41、42,确保线圈部件1与相邻的其它电子部件之间的绝缘,因此能够窄距相邻安装。
上述绝缘层的厚度并不特别限定,例如能够为1μm以上100μm以下,优选为5μm以上50μm以下,更加优选为10μm以上30μm以下。通过使绝缘层更厚,能够更加可靠地确保绝缘性。另外,通过使绝缘层更薄,能够更加缩小线圈部件。
上述绝缘层例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺等电绝缘性高的树脂材料构成。
上述绝缘层能够通过喷涂、浸渍等形成,并不特别限定。
如上所述,在电子部件的某个面设置绝缘层的情况下,特别是在通过浸渍、喷涂等对有流动性的树脂等进行涂覆,之后使之固化而形成绝缘层的情况下,绝缘层能够成为超出应该设置绝缘层的面向外侧突出的形状。例如,在本实施方式中,如图4和图5所示,绝缘层41、42分别具有从端面15、16的边缘突出的突出部43、44。若绝缘层41、42的突出部从线圈部件1的安装面(即,底面电极存在的第四侧表面20)突出的突出距离X1(参见图6)增大,则在将线圈部件1安装在基板等上时,会产生脱离,而致使相对于基板的固定力降低。在本发明中,通过使形成于凹部的外部电极的厚度小于凹部的深度,能够缩小上述突出距离X1。由此,能够抑制在安装时线圈部件的固定力降低。
另外,在无法充分确保线圈部件1的角部的外部电极31、32上的绝缘层41、42的厚度Y1(参见图6)的情况下,有时无法充分确保绝缘层的绝缘性,而在绝缘层的表面产生镀敷转移(日文:メッキとび)。若产生镀敷转移,则在将线圈部件与其它电子部件窄距相邻安装了的情况下,会出现在相邻的电子部件之间产生短路的问题。在本实施方式中,在形成绝缘层的端面15、16,通过使外部电极31、32的厚度小于凹部13、14的深度,凸部11、12处于在端面突出了的状态,因此能够使角部的外部电极上的绝缘层的厚度更大。由此,能够抑制角部处的镀敷转移。
上述外部电极的厚度与上述凹部的深度之差并不特别限定,例如能够为1μm以上50μm以下,优选为5μm以上30μm以下,进一步优选为10μm以上20μm以下。
另外,如图7所示,上述绝缘层41、42可以在其边缘部,在外部电极31、32上,具有折入部45。换言之,绝缘层41、42在外部电极31、32上具有波形的端部。将波形的端部称为折入部45。绝缘层具有折入部,由此绝缘层的耐剥离性增强。
在优选方式中,该折入部45的边界(在图7中,折入部45与外部电极31的边界)具有凹凸,不是直线。沿上述折入部与外部电极的边界的长度(以下称为“路径长度”)能够为连接折入部的两端的直线的长度(图7的Z1)的1.2倍以上,优选为1.2倍以上1.5倍以下,更加优选为1.25倍以上1.45倍以下。换言之,沿着绝缘层41、42的波形端部的波形的长度能够为外部电极的宽度Z1的1.2倍以上,优选为1.2倍以上1.5倍以下,更加优选为1.25倍以上1.45倍以下。
上述路径长度能够根据折入部的边界部的SEM图像测定。
此外,在本发明中,绝缘层并非必须的。即,本发明的电子部件可以具有绝缘层,也可以不具有绝缘层。本发明的电子部件优选具有绝缘层。
接下来,说明线圈部件1的制造方法的一个例子。
首先,制造埋设有线圈导体21(内部导体)的磁性体部10(基体)。
首先,在模具中配置多个线圈导体21。接下来,在这些线圈导体21上重叠含有金属材料和树脂材料的复合材料的片体,接下来,实施一次压制成形。通过一次压制成形,线圈导体21的至少局部埋入上述片体中,将复合材料填充于线圈导体21的内部。
接下来,从模具取下通过一次压制成形而得到的埋入有线圈导体21片体,接下来,在暴露有线圈导体21的面重叠其它片体,实施二次压制。由此,得到包含多个基体的集合线圈基板。上述两个片体通过二次压制而成为一体,形成线圈部件1的磁性体部10。
接下来,将通过二次压制成形而得到的集合线圈基板分割为各个埋设有线圈导体的基体。在分割了的基体的相对置的端面15、16,分别暴露有线圈导体21的末端22、23。
将集合线圈基板分割为各基体,能够使用切割刀片、各种激光装置、切割机、各种刀具以及模具实施。在优选方式中,各基体的切断面被实施滚筒抛光。
此外,线圈部件1中的埋设有线圈导体21的磁性体部10的制造方法并不局限于上述方法,只要是能够得到埋设有线圈导体的磁性体部的方法,就不特别限定。例如,可以举出使用丝网印刷等形成线圈导体膏和含金属粉膏并顺次反复印刷层叠来形成块体之后实施单片化而制成烧制体的方法,以及在对复合材料进行成型而成的铁心埋入线圈导体的方法等。
接下来,向磁性体部10的形成外部电极31、32的部位照射激光。由此,去除磁性体部的被照射了激光的部分,从而形成凹部13、14。通过激光照射,构成磁性体部的复合材料中树脂材料被优先去除,因此在凹部的表面存在源自金属材料的凹凸。另外,暴露于磁性体部10的表面的金属材料能够形成网状构造。
在激光照射中,激光的波长例如为180nm至3000nm。激光的波长更加优选为532nm至1064nm。由于激光的波长为该范围,因此能够在抑制因激光照射所致的对基体的损伤的同时,去除线圈导体的绝缘性覆膜,从而更加提高镀敷速度。考虑对基体的损伤和加工时间的缩短,设定激光的波长。另外,一方面,所照射的激光的照射能量优选为0.20J/mm2以上,更加优选为0.35J/mm2以上,进一步优选为0.45J/mm2以上,进一步更加优选为0.50J/mm2以上,例如为0.60J/mm2以上。通过将所照射的激光的照射能量设定为该范围,能够更加高效地去除绝缘性覆膜、磁性体部的树脂材料等,另外,能够更加良好地形成磁性体部的金属材料的网状构造。另一方面,所照射的激光的照射能量能够优选为3.0J/mm2以下,更加优选为2.0J/mm2以下,进一步优选为1.5J/mm2以下,例如为1.0J/mm2以下。通过将所照射的激光的照射能量设定为该范围,由此能够减小对基体的损伤。在一个方式中,所照射的激光的照射能量能够优选为0.20J/mm2以上3.0J/mm2以下,更加优选为0.35J/mm2以上2.0J/mm2以下,进一步优选为0.45J/mm2以上1.5J/mm2以下,进一步更加优选为0.50J/mm2以上1.0J/mm2以下,特别是优选为0.60J/mm2以上1.0J/mm2以下。
接下来,在凹部13、14分别通过镀敷处理、优选通过电镀处理形成外部电极31、32。通过该镀敷处理,线圈导体21的末端22、23与外部电极31、32分别电连接。
作为镀敷金属的种类,并不特别限定,例如,可以举出Au、Ag、Pd、Ni、Sn以及Cu,优选使用Pd、Ag或者Cu。
在外部电极为多层的情况下,例如优选在如上所述得到的镀敷层形成Ni镀敷层和Sn镀敷层。
镀敷方法并不特别限定,优选使用滚筒镀敷。
接下来,在端面15、16上,通过喷涂或者浸渍来涂覆树脂,并使之固化,而设置绝缘层41、42。由此制造本发明的线圈部件1。
以上,说明了本发明的线圈部件及其制造方法,本发明并不局限于上述实施方式,能够在不脱离本发明的要旨的范围内变更设计。
在一个方式中,本发明的电子部件的上述凹部在上述基体的端面和至少一个侧表面处连续地设置,上述外部电极在凹部中在基体的端面和至少一个侧表面处连续地设置。如图2所示,在该方式中,在凹部中,在外部电极与端面和一个侧表面处连续地设置的情况下,外部电极呈L字状。在凹部和外部电极在端面和相对置的两个侧表面处连续地设置的情况下,外部电极呈コ字状。在凹部和外部电极在端面和相邻的四个侧表面处连续地设置的情况下,外部电极为5面电极。
在上述方式中,优选为,本发明的电子部件还具有绝缘层。绝缘层在端面、第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面、第四侧表面都可以设置。在优选方式中,绝缘层覆盖外部电极地设置于端面。在外部电极为L字状的情况下,通过由绝缘层覆盖端面,能够得到底面电极型的电子部件。在外部电极为コ字状的情况下,通过由绝缘层覆盖端面,能够获得在上下面具有电极的电子部件。在外部电极为5面电极的情况下,通过由绝缘层覆盖端面,能够获得在上下左右面具有电极的电子部件。
在优选方式中,本发明的电子部件的上述凹部在上述基体的端面和一个侧表面处连续地设置,上述外部电极设置于上述凹部整体,绝缘层覆盖外部电极地设置于端面。
在一个方式中,上述外部电极的厚度小于凹部的深度。外部电极的厚度与凹部的深度之差并不特别限定,例如能够为1μm以上,优选为5μm以上,更加优选为10μm以上。另外,外部电极的厚度与凹部的深度之差例如能够为80μm以下,优选为30μm以下,更加优选为20μm以下。
在上述方式中,优选为,本发明的电子部件还具有绝缘层,该绝缘层形成于外部电极上。绝缘层可以仅形成于外部电极上,也可以超过形成有外部电极的凹部而形成至凸部上。优选为,绝缘层超过形成有外部电极的凹部而形成至凸部上,覆盖整个形成有绝缘层的面。
在一个方式中,本发明的电子部件在基体的外表面具有绝缘膜。优选为,绝缘膜形成为覆盖未由外部电极和绝缘层覆盖的基体的外表面整体。绝缘膜例如能够通过喷涂、浸渍等形成。
在一个方式中,本发明的电子部件是线圈部件,线圈导体被配置为线圈导体的中心轴线相对于端面成为水平。
在一个方式中,本发明的电子部件是电容器。
在上述方式中,基体是电介质部。电介质部优选由陶瓷材料构成。该陶瓷材料并不特别限定,只要是电子部件所使用的陶瓷材料就不特别限定,例如,可以举出BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3、(BaSr)TiO3、Ba(ZrTi)O3以及(BiZn)Nb2O7等。
在一个方式中,本发明的电子部件的长度能够优选为2.0mm以下,更加优选为1.6mm以下,进一步优选为1.0mm以下,进一步更加优选为0.6mm以下,特别是优选为0.4mm以下。本发明的电子部件的宽度能够优选为1.2mm以下,更加优选为0.8mm以下,进一步优选为0.5mm以下,进一步更加优选为0.3mm以下,特别是优选为0.2mm以下。在优选方式中,本发明的电子部件的尺寸能够优选为2.0mm以下×1.2mm以下,更加优选为1.6mm以下×0.8mm以下,优选为1.0mm以下×0.5mm以下,优选为0.6mm以下×0.3mm以下,优选为0.4mm以下×0.2mm以下(长度×宽度)。本发明的电子部件的高度能够优选为1.2mm以下,更加优选为1.0mm以下,进一步优选为0.6mm以下,更加优选为0.2mm以下。
【实施例】
(实施例1)
一方面,准备了Fe-Si-Cr的合金粉末作为金属粉,准备了含环氧树脂的复合片体作为树脂材料。另一方面,准备了铜制α卷线圈导体(将扁平导线分两层外卷卷绕而成的线圈导体)。
接下来,在模具上配置多个上述α卷线圈导体,从上方设置上述复合片体,并在压力5MPa和温度150℃的条件下,压制了30分钟。
接下来,从模具取出与线圈导体成为一体的复合片体,进而在复合片体的暴露有线圈导体的面放置其它复合片体,并在压力5MPa和温度150℃的条件下压制30分钟,制成了埋设有多个线圈导体的集合线圈基板。
接下来,使用切割刀片,以基体为单位分割了上述集合线圈基板,并实施了滚筒抛光。在所得到的基体的对置的侧表面(端面)暴露有线圈导体的末端。
接下来,向上述得到的基体的形成外部电极的区域(与图3的凹部13、14相对应)照射激光。激光使用YVO4激光(波长532nm),以照射能量0.086mJ/shot(0.45J/mm2)实施了加工。
接下来,使用电解滚筒镀敷装置,在电流值15A、温度55℃、镀敷时间180分钟的条件下,实施了Cu镀敷,并在激光照射面形成了外部电极。
接下来,在形成有外部电极的基体的端面,通过浸渍设置环氧树脂的绝缘层,而得到了本发明的线圈部件。
(实施例2)
除了将激光的照射能量设定为0.021mJ/shot(0.10J/mm2)以外,都与实施例1相同,得到了线圈部件。
(比较例1)
不形成凹部,在磁性体部的形成外部电极的部位,涂覆Pd溶液而形成种层,接下来,除了实施了Cu镀敷以外,都与实施例1相同,得到了线圈部件。
(评价)
·绝缘层的折入部的路径长度
使用扫描式电子显微镜(SEM)观察在实施例1和比较例1中得到的线圈部件(各5个)的折入部,以5个的线圈部件的平均值的形式,计算出路径长度与连接折入部的两端的直线的长度之长度的比(路径长度比)。结果示出于表1。
·镀敷转移
使用SEM观察在实施例1~2和比较例1中得到的线圈部件(各100个)的角部,观察到镀敷转移的产生。在实施例1~2的线圈部件中,观察到了镀敷转移的试料仅为约3%,但在比较例1的线圈部件中,观察到了镀敷转移的试料约为70%。
·外部电极周边的截面形状
使LT面暴露地将在实施例1~2中得到的线圈部件(5个)立起,用树脂固定了线圈部件的四周。使用研磨机对LT面进行了研磨,研磨至线圈导体的末端的大致中央部。使用SEM观察该截面,观察外部电极周边的截面形状,并测定了凹部的深度、外部电极的厚度。结果示出于下述表1。
【表1】
路径长度比 凹部深度 电极厚度 镀敷转移
实施例1 1.37 40.8μm 10.3μm
实施例2 - 30.4μm 7.8μm
比较例1 1.03 - -
如上所示,一方面,通过激光照射形成凹部并在凹部形成有外部电极的实施例1和2的镀敷转移的产生较少。另外,实施例1的路径长度比为1.37,确认了折入部形成为咬入外部电极。另一方面,有关未形成凹部的比较例1确认出,产生镀敷转移,并且路径长度比小,折入部与外部电极的边界几乎为直线。
【工业上的利用可能性】
本发明的电子部件小型且高性能,因此能够广泛地用于各种用途。

Claims (8)

1.一种电子部件,具有基体、埋设于所述基体的内部导体以及与所述内部导体电连接的外部电极而成,其中,
所述基体具有凹部,
所述外部电极的至少局部设置于所述基体的凹部。
2.根据权利要求1所述的电子部件,其中,
还具有绝缘层,
所述外部电极的至少局部由所述绝缘层覆盖。
3.根据权利要求2所述的电子部件,其中,
所述凹部在所述基体的端面和至少一个侧表面上连续设置,
所述外部电极在所述凹部中与所述基体的端面和侧表面连续设置,
所述绝缘层覆盖外部电极地设置于所述端面。
4.根据权利要求3所述的电子部件,其中,
所述绝缘层的折入部的边界的路径长度为连接所述路径的两端的直线的长度的1.2倍以上。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的电子部件,其中,
所述凹部的深度为3μm以上100μm以下。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的电子部件,其中,
所述凹部通过激光照射而形成。
7.根据权利要求1所述的电子部件,其中,
所述内部导体为线圈导体,
所述基体为磁性体部。
8.根据权利要求7所述的电子部件,其中,
所述磁性体部由包含金属材料和树脂材料的复合材料形成。
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