CN101009204B - 用于清洁衬底的装置和系统 - Google Patents

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Abstract

公开了用于清洁衬底的装置。该装置具有第一头单元和第二头单元。第一头单元被设置成紧邻衬底表面，并具有限定在其中的、经构造以向衬底表面供给泡沫的第一行通道。第二头单元被设置成基本上靠近第一头单元并紧邻衬底表面。第二行和第三行通道限定在第二头单元中。第二行通道经构造以向衬底表面供给流体。第三行通道经构造以向衬底表面施加真空。

Description

用于清洁衬底的装置和系统
技术领域
在制备半导体设备(例如集成电路、存储单元等)中，实施一系列制造操作以在半导体晶片(“晶片”)上限定特征。晶片经加工以含有限定在硅衬底上的多层结构形式的集成电路器件。在衬底层面上，形成具有扩散区的晶体管器件。在接下来的层面中，将互连的金属化线图案化和电连接到晶体管器件上以限定理想的集成电路器件。同样，图案化的导电层可以通过绝缘材料与其它导电层绝缘。
背景技术
在一系列制造操作期间，晶片表面暴露于各类污染物中。基本上所有在制造操作中存在的材料都是潜在的污染源。例如，污染源可以包括过程气体、化学品、沉积材料和液体以及其它物质。各种污染物可以以颗粒形式沉积到晶片表面。如果颗粒状污染物未被去除，那么在污染物附近的器件可能不能运行。因此，必需以基本完全地方式从晶片表面清洁污染物而不损害限定在晶片上的特征。然而，颗粒污染物的尺寸通常与在晶片上制造的特征的临界尺寸大小类似。去除这些小颗粒污染物而不对晶片上的特征造成负面影响可能是相当困难的。
常规的晶片清洁装置、系统和方法很大程度上依赖于机械力以从晶片表面去除颗粒污染物。随着特征尺寸持续下降并变得更易损坏，由于向晶片表面施加机械力而损坏特征的可能性增加。例如，具有高的长宽比的特征在受到足够的机械力冲击时易于倒塌或者破裂。进一步使该清洁问题复杂化的是，减小特征尺寸的趋势同样导致了颗粒污染物尺寸的减小。足够小尺寸的颗粒污染物能够钻到晶片表面上难以到达的区域，例如钻到被高长宽比特征围绕的沟道中。因此，在现代半导体制造期间有效并无损地去除污染物代表着在晶片清洁技术的不断进步中一直遇到的挑战。应当理解的是，平板显示器的制造操作中遭受着和上面讨论的集成电路制造相同的缺陷。
鉴于前文所述，需要用于清洁晶片表面的更有效和较少磨损的清洁装置、系统和方法。
发明内容
概括地说来，本发明通过提供用于清洁晶片表面的改进的装置、系统和方法来满足这些需要。应当理解的是，本发明可以以多种方式实施，包括以装置、方法和系统的形式。下面记载了本发明的多种实施方案。
在一个实施方案中，公开了用于清洁衬底的装置。该装置具有第一头单元(head unit)和第二头单元。第一头单元被设1成紧邻衬底表面并具有限定在其中的、经构造以向衬底表面提供泡沫的第一行通道。第二头单元被设置成基本上靠近第一头单元并紧邻衬底表面。第二行和第三行通道限定在第二头单元中。第二行通道经构造以向衬底表面供给流体。第三排通道经构造以向衬底表面施加真空。
在另一实施方案中公开了用于清洁衬底的方法。提供在其上沉积了颗粒的衬底。产生了含有多个三态体(tri-state body)(每个具有固体部分、液体部分和气体部分)的泡沫。通过第一套施加器将泡沫施加到衬底表面上。通过第二套施加器将流体以足以基本上去除衬底表面上的泡沫的量施加到衬底表面上。通过第三套施加器向衬底表面施加真空以基本上从衬底表面去除流体。
在又一实施方案中，公开了用于清洁衬底的装置。该装置包括包容式导管(containment conduit)、多个支撑件、入口端阀门和出口端阀门。包容式导管经构造以在泡沫上施加压力使其通过衬底表面从而形成从入口端到出口端之间的泡沫流动。多个支撑件封闭在包容式导管内并经构造以承载衬底。入口端阀门和出口端阀门经构造以调节流入到包容式导管和由其流出的泡沫流动。与入口端阀门和出口端阀门相连接的控制器控制同过包容式导管的泡沫流动。
在又一实施方案中，公开了清洁衬底的方法。将其上沉积有颗粒的衬底插入到包容式导管中。泡沫经包容式导管的入口阀门被供给到包容式导管中。通过包容式导管的入口阀门施加压力以形成泡沫的压力驱动流动，使得泡沫移动经过衬底表面并与衬底表面上的颗粒相互作用。泡沫和颗粒一起从包容式导管经包容式导管的出口阀门被去除。
在又一实施方案中，公开了用于清洁衬底的系统。该系统包括第一清洁区、第二清洁区和能够夹持衬底的载体。第一清洁区包括经构造以向衬底表面施加泡沫的压力驱动型流动单元。第二清洁区包括施加器，该施加器经构造以分配流体从而基本上从衬底表面去除泡沫。载体经构造以将衬底从第一清洁区平移输送到第二清洁区。
在又一实施方案中，公开了用于清洁衬底的系统。该系统包括流体分配器、泡沫分配器和旋转卡盘。流体分配器被设置成紧邻衬底表面并经构造以将流体输送到衬底表面。泡沫施加器被设置成紧邻衬底表面并经构造以向衬底表面提供泡沫。旋转卡盘经构造以支撑衬底并赋予该衬底以旋转速度，同时多个夹子用来将衬底固定到旋转卡盘上。
附图说明
通过下面的详细描述结合附图可以容易地理解本发明，且其中类似的附图标记表示类似的结构元件。
图1A是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元(proximity head unit)的底表面的图解。
图1B是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元的侧视图。
图2A和2B是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元的放大截面图。
图3是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的整体式清洁装置的俯视图。
图4是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的非整体式清洁装置的图解。
图5是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的系统的侧视图。
图6是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的方法的流程图。
图7是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的压力驱动型流动装置的示意图。
图8A是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的系统的工艺流程图。
图8B是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的系统的工艺流程图。
图9是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的方法的流程图。
具体实施方式
本发明记载了用于清洁晶片表面的装置、系统和方法。但是，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一些或者所有这些特定细节而实施。在其它情况下，为了避免不必要地混淆本发明，没有详细描述公知的工艺操作。
如同在本文中使用的那样，三态体清洁材料含有多个包含气体部分、液体部分和固体部分的三态体。在一个实施方案中，气体部分和液体部分提供了使固体部分与衬底表面上的污染物颗粒极其紧邻的媒介物。可以用于构成固体部分的一些示例性材料包括脂族酸、羧酸、石蜡、蜡、聚合物、聚苯乙烯、多肽和其它粘弹性材料。所述固体部分材料应当以超过其在液体部分中的溶解度极限的浓度存在。同样地，应当理解的是，与特定固体部分材料相关的清洁效率可以随浓度、温度、pH值和其它环境条件而改变。
脂族酸基本上代表了所有由其中碳原子形成开链的有机化合物定义的酸。脂肪酸是可以在三态体清洁材料中用作固体部分的脂族酸的实例。可以用作固体部分的脂肪酸的例子包括月桂酸、棕榈酸、硬脂酸、油酸、亚油酸、亚麻酸、花生四烯酸、顺-9-二十碳烯酸、芥酸、丁酸、己酸、辛酸、肉豆蔻酸、十七烷酸、山萮酸、二十四烷酸、肉豆蔻脑酸、棕榈油酸、神经酸、十八碳四烯酸、二十碳五烯酸、巴西烯酸、4，7，11-二十二碳三烯-18炔酸、二十四烷酸、蜡酸和它们的混合物等。
在清洁期间固体相与颗粒相互作用以去除它们。在本文中使用时，衬底是指半导体晶片、平板显示器表面(例如液晶显示器等)和晶片处理装置和可能在制造操作中被污染的硬件。
图1A是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元的底表面的图解。在该图中，显示的近贴头单元102具有多个用于分配三态体清洁材料的三态体分配出口104、多个用于分配流体的流体分配出口106和多个用于对衬底表面施加真空的多个真空开口108。
在一个实施方案中，三态体分配出口104、流体分配出口106和真空开口108在整个近贴头单元102的表面上沿纵向顺序成行排列，该近贴头单元102经构造以覆盖衬底的整个直径。例如，近贴头单元102的前三行出口可以是三态体分配出口104，然后是两行流体分配出口106，再然后是两行真空开口108。应当理解的是，这仅是可以如何将各种类型的出口/开口排列在近贴头单元102上的可能构造的一个实施例；实际上存在无数种具有不同出口/开口类型、不同出口/开口类型顺序、并且可以为每个出口/开口类型指定行数的构造。出口/开口构造仅受限于用途要求、近贴头单元102可以经构造以容纳的出口/开口数、和可包括进来作为头单元102的一部分的出口/开口的类型。
在一个实施方案中，三态体分配出口104经构造以向衬底表面提供三态体清洁材料。该三态体清洁材料可以是含有许多三态体的泡沫或乳液。在一个实施方案中，流体分配出口106经构造以将液体分配到衬底表面上。一些可以进行分配的液体类型的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。但是，应当理解的是，基本上可以使用任何液体，只要按照用途要求该液体能足以从衬底表面去除三态体清洁材料即可。在另一实施方案中，该流体分配出口106经构造以将气体分配到衬底表面上。可以被流体分配出口106分配的一些类型气体的实例包括异丙醇(IPA)蒸气、二氧化碳(CO2)、空气、氮气(N2)、氩气(Ar)、氧气(O2)、臭氧(O3)等。基本上所有类型的气体都可以被分配，只要该气体可以用于足够干燥衬底表面而不损坏在衬底表面上限定的多层结构即可。在一个实施方案中，真空开口经构造以向衬底表面施加真空。真空压力设定可以被优化以基本上去除任何沉积在衬底表面上的三态体清洁材料和/或液体。
图1B是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元的侧视图。如在其中所描绘，所示具有三态体材料(即泡沫)供应管线110、流体供应管线112和真空供应管线114的近贴头单元102被设置成紧邻衬底116上表面而衬底116在近贴头单元102下平移移动。如上所述，取决于用途和三态体清洁材料的化学组成，三态体清洁材料可以作为泡沫或者乳液分配。
如图所示，衬底116的表面先用三态体清洁材料处理，然后用去离子水处理以冲洗掉清洁材料，然后施加真空以从表面去除去离子水。在一个实施方案中，第二近贴头单元被设置成紧邻衬底116的底表面并与上面的近贴头单元102基本对齐。第二近贴头单元经构造以用三态体清洁材料和去离子水处理衬底116的底表面然后通过施加真空干燥。
图2A是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元的放大截面图。在该图中，近贴头单元102被显示为具有从近贴头102的顶表面上的入口/端口延伸出来达到近贴头102的底表面的出口/开口的多条通道。如图所示，近贴头单元102包括三态体清洁材料入口208、流体入口210、真空入口212和气体供应入口214，其中所述三态体清洁材料入口208用于将三态体清洁材料202供给经构造以将材料202经三态体清洁材料202出口输送到衬底表面的通道，所述流体入口210用于将流体(例如去离子水/消泡剂等)供给经构造以将流体弯液面204形式的流体输送到衬底表面的通道，所述真空入口212用于向经构造以对衬底116表面施加真空的通道提供真空，所述气体供应入口214用于通过经构造以向衬底116表面提供气体206的通道供应气体206(例如IPA蒸气、CO2、N2、O2等)。在一个实施方案中，在清洁操作期间衬底116在近贴头单元102下平移移动，在此处将三态体清洁材料、流体、真空和气体供应到或者施加到衬底116表面上。在另一实施方案中，近贴头单元102经构造以在清洁操作期间在衬底116表面上平移移动。在一个实施方案中，可以配备控制系统(如在图1B中所示)。控制系统经构造以管理流到近贴头单元102和从近贴头单元102流走的流体的流动。流体流动管理可以包括流量计和控制器，以确保形成适当的弯液面。在一个实施方案中，弯液面保持在近贴头单元102和衬底116表面之间。这确保了精确控制清洁流体和三态体。
图2B阐述了另一构造，其中配备了真空入口216使得能够向三态体清洁材料202和流体204施加真空。在该实施方案中，真空入口216可以为多个离散歧管(例如孔或者端口)形式，这能够在材料202和流体204之间形成更好的界面。在一个实施方案中设想的是提供更好界面的真空入口216将有助于降低材料202和流体204之间的混合量。取决于所需的混合程度，对于给定用途，可以(例如通过泵和计算机/程序控制)控制真空入口216。因此，每种配置(recipe)都将限定对三态体208、真空216、流体210、真空212和气体206的不同程度的调节。
因此，应当理解的是，近贴头单元102可以具有许多不同的构造而且这仅为一种示例性构造。其它近贴头单元102构造可以包括近贴头单元102所用于的特定应用所需的不同通道类型和通道数量。
图3是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的整体式清洁装置的俯视图。如图所示，其中衬底116朝向整体式清洁装置300平移移动，该整体式清洁装置300包括三态体清洁材料分配部分302、近贴头部分304和气体分配部分306。该三态体清洁材料分配部分302经构造以在衬底116在整体式清洁装置300下平移移动或者清洁装置300在衬底116表面上平移移动时向衬底116表面提供三态体清洁材料。清洁材料可以为三态体泡沫或者乳液形式。在一个实施方案中，三态体分配部分302经构造以借助足以使清洁材料的固体部分和衬底116表面上的污染物颗粒之间相互作用的力提供三态体清洁材料。例如，可以分配清洁材料使得向位置相当靠近衬底116表面的三态体施加向下的力(或者一般而言，力)，从而促使这些三态体的固体部分与沉积在衬底116表面上的污染物颗粒相互作用。在晶片不是水平的情况下，该力可以不是向下的力，取而代之的是相对于晶片位置的力。三态体的固体部分和污染物颗粒之间的相互作用使得在去除三态体时从衬底116的表面去除颗粒。这些相互作用可以通过包括粘附、碰撞和吸引力的一种或多种机理形成。
近贴头部分304包括用于将液体弯月面施加到衬底116表面上的出口和用于向衬底116表面施加真空的开口。在衬底116清洁操作期间，近贴头部分304经构造以从衬底116表面去除三态体清洁材料和伴随的污染物颗粒。液体弯月面和衬底116表面边界被定义为存在快速液体置换从而导致清洁材料基本上从衬底116表面去除的区域。一些可以使用的液体类型的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。应当理解的是，基本上可以使用任何液体，只要按照应用要求该液体可以从衬底116表面上充分去除三态体清洁材料和污染物颗粒即可。
继续来看图3，气体分配部分306经构造以在近贴头部分304已经基本上去除了三态体清洁材料之后供给气体以基本上从衬底116表面去除液体。可以由这部分分配的气体的实例包括异丙醇(IPA)气体、CO2、空气、氮气(N2)、氩气(Ar)、氧气(O2)、臭氧(O3)等。基本上可以使用任何类型的气体，只要该气体可以用于充分干燥衬底116表面而不损坏限定在衬底116表面上的多层结构即可。
图4是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的非整体式清洁装置的图解。如图所示，所述清洁装置包括歧管单元402和近贴头单元102，两者都经构造以在清洁操作期间它们平移移动经过衬底116上表面时基本协调操作。在一个实施方案中，将歧管单元402和近贴头单元102结合成为整体式清洁装置。在另一实施方案中，歧管单元402和近贴头单元102是物理上独立的单元。在一个实施方案中，在衬底116清洁操作期间，衬底116在第一歧管单元402下面平移移动经过第一歧管单元402，然后经过近贴头单元102。歧管单元402经构造以提供三态体清洁材料以清洁衬底116表面，而近贴头单元102施加液体和真空以从衬底表面116去除清洁材料。
所述歧管单元402被设置成紧邻衬底116表面并经构造以向该表面分配三态体清洁材料。三态体清洁材料可以作为包括许多三态体的泡沫或者乳液来分配。在一个实施方案中，歧管402经构造以用足以使清洁材料的固体部分与衬底116表面上的污染物颗粒404相互作用的力来供给三态体清洁材料。三态体的固体部分和污染物颗粒的相互作用导致在去除三态体时从衬底116的表面去除颗粒。如前所述，相互作用可以通过包括粘附、碰撞和吸引力的一种或多种机理而产生。当从衬底116表面去除三态体时，也去除了污染物颗粒404。
再看图4，在操作期间近贴头单元102被设置成紧邻衬底116的表面，并经构造以在衬底116表面上形成循环液体弯月面以从表面上基本去除任何三态体清洁材料和污染物404。可以被近贴头单元102使用以形成液体弯月面的液体的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。在一个实施方案中，近贴头部分102还包括经构造以向衬底116的表面提供气体的气体分配出口。可以通过这些出口分配的气体的实例包括异丙醇(IPA)气体、空气、氮气(N2)、氩气(Ar)、氧气(O2)、臭氧(O3)等。基本上任何类型的气体都可以被分配，只要该气体可以用于充分干燥衬底116表面而不损坏限定在衬底116表面上的多层结构即可。
图5是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的系统的侧视图。在该图中，该系统包括三态体清洁材料分配器502、液体分配喷嘴504和旋转卡盘508。三态体分配器502被设置成靠近液体分配喷嘴504，并紧邻被多个经构造以将衬底116固定到旋转卡盘508上的衬底夹506承载的衬底116的表面。衬底夹506可以采用多种构造，有时称作指状物、支架、轮子、滚轴或者夹子等。夹持晶片的主体(body)的构造类似于旋转-冲洗-干燥模块，然而本发明的分配器502经校准以确保恰当地将三态体输送到衬底116表面上。
如上所述，在一个实施方案中，三态体分配器502经构造以以泡沫形式分配三态体清洁材料。在另一实施方案中，三态体分配器502经构造以以乳液形式分配三态体清洁材料。在一个实施方案中，三态体材料分配器502经构造以以足以促使清洁材料的固体部分与衬底116表面上的污染物颗粒之间相互作用的力分配三态体清洁材料。三态体的固体部分和污染物颗粒的相互作用导致在去除三态体时从衬底116表面去除颗粒。在另一实施方案中，该系统另外包括经构造以向三态体清洁材料施加向下的力从而使材料的固体部分与衬底116表面上的污染物颗粒进行相互作用的施力器。
液体分配喷嘴504被设置成紧邻衬底116的表面并经构造以将液体分配到衬底116的表面。可以被分配的液体的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。但是，应当理解的是，基本上可以使用任何液体，只要按照应用要求该液体可以从衬底116表面上充分去除三态体清洁材料即可。
再看图5，旋转卡盘508经构造以执行旋转干燥操作，借此由连接到卡盘508的衬底夹506所承载的衬底116以足以基本上去除沉积在衬底116表面上的三态体材料和/或液体的速度旋转。在一个实施方案中，替代使用衬底夹506，旋转卡盘508是静电卡盘，该静电卡盘经构造以足够的力固定衬底116，使得在旋转干燥操作期间衬底116在卡盘508上基本保持固定。在另一实施方案中，替代使用衬底夹506，旋转卡盘508是真空卡盘，该真空卡盘经构造以足够强度向衬底116施加真空，使得在旋转干燥操作期间，衬底116将保持基本固定。
在一个可替换的实施方案中，可以使用流体的分配料流或者片将三态体施加到固定的衬底上。在这种情况下，三态体可以以其开始发泡之前的形式施加。这样，流体作为料流或者片施加到衬底表面。干燥也可以使用气刀进行，使得得到干燥状态的表面。此外，如上所述，近贴头可以用于实施干燥操作。
图6是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的方法的流程图。在该方法中所用的清洁装置的图如图1、2A、2B、3和4所述。方法600从提供被颗粒污染的衬底的操作602开始。如前面所讨论的，衬底(在本文中使用的实例)非限制性地表示半导体晶片、硬磁盘机、光盘、玻璃衬底和平板显示器平面、液晶显示器平面等。方法600继续进行到其中产生三态体泡沫的操作604。泡沫包括多个三态体，其中每个三态体含固体部分、液体部分和气体部分。为了进一步阐述三态体清洁材料的组成及其机理，请参见US专利申请(11/346894)(Atty.Docket No.LAM2P546)，2006年2月3日提交，标题为“METHOD FOR REMOVINGCONTAMINATION FROM A SUBSTRATE AND FOR MAKING A CLEANINGSOLUTION”。
方法600继续进行到其中通过第一套施加器将三态体泡沫施加到衬底表面上的操作606。在一个实施方案中，第一套施加器经构造以用足以使三态体的固体部分和沉积在衬底表面上的颗粒相互作用的力供应泡沫。方法600继续进行到操作608，其中通过第二套施加器以足以从衬底表面上基本去除泡沫的量向衬底表面提供流体。对于该操作合适的流体的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。应当理解的是，基本上可以使用任何液体，只要按照应用要求该液体可以从衬底表面充分去除三态体清洁材料即可。
再看图6，方法600继续进行到其中通过第三套施加器向衬底表面施加真空以从衬底表面基本去除任何流体的操作610。在一个实施方案中，第一和第二套施加器容纳在第一头单元中而第三套施加器容纳在第二头单元中。在另一实施方案中，第一套施加器容纳在第一头单元而第二和第三套施加器容纳在第二头单元中。在又一实施方案中，第一、第二和第三套施加器全部容纳在单个整体式头单元中。
图7是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的压力驱动型流动装置的示意图。如图所示，该压力驱动流动衬底清洁设备700包括包容式导管702，其中该包容式导管702包括入口阀门704、出口阀门706、多个衬底夹701和材料储罐708。入口阀门704和出口阀门706分别经构造以调节三态体清洁材料和流体流入和流出包容式导管702的流动。三态体清洁材料由可操作地连接到入口阀门704的材料储罐708供给。
通过调节通过包容式导管702的三态体清洁材料的流入和流出，产生并向靠近衬底116表面的三态体施加用于促使三态体的固体部分和衬底116表面上的污染物颗粒相互作用的力。这种三态体的固体部分和污染物颗粒之间的相互作用导致在去除三态体时从衬底116表面去除颗粒。这些相互作用可以通过包括粘附、碰撞和吸引力的一种或者多种机理产生。入口704和出口706阀门可被可操作地与两个阀门相连接的控制器710控制。封闭在包容式导管702中的多个衬底夹子701经构造以将衬底116支撑在升高的位置并提供对衬底116的束缚以防止在清洁操作期间的任何非有意性移动。
继续来看图7，在一个实施方案中，流体是用于干燥衬底116和/或向三态体提供促使三态体的固体部分与沉积在衬底116表面上的污染物颗粒之间相互作用的力的气体。气体源(未在图7中示出)可操作地连接到入口阀门704，以向包容式导管702提供气体。适合使用的气体的实例包括空气、氮气(N2)、氩气(Ar)、氧气(O2)、臭氧(O3)、二氧化碳(CO2)等。基本上可以分配任何类型的气体，只要该气体不与三态体和/或在衬底116上限定的多层结构反应即可。在另一实施方案中，所述流体是用于从衬底116表面冲洗三态体清洁材料的液体。流体储罐可操作地连接到入口阀门116上以向包容式导管702供给流体。合适液体的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。基本上可以使用任何液体，只要按照用途的需要该液体能足以从衬底116表面去除三态体清洁材料和污染物颗粒即可。
图8A是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的系统的工艺流程图。如在该流程图中详细列出，先在第一清洁区802中通过压力驱动流动清洁装置清洁衬底。该压力驱动流动清洁装置经构造以如下方式向衬底表面施加三态体清洁材料，所述施加方式促使三态体的固体部分与沉积在衬底表面上的污染物颗粒之间相互作用。三态体的固体部分和污染物颗粒之间的相互作用使得在去除三态体时从衬底表面去除颗粒。在通过压力驱动流动清洁装置清洁衬底后，使用将第一清洁区802和第二清洁区804连接的轨道上的衬底载体将衬底从第一清洁区802移动到第二清洁区804。第二清洁区804包括一个或多个施加器，所述施加器经构造以分配流体以基本上冲洗和干燥任何保留在衬底表面上的三态体材料、流体和/或污染物颗粒。适合使用的液体的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。基本上可以使用任何液体，只要按照用途要求该液体能够从衬底表面充分去除三态体清洁材料和污染物颗粒即可。
图8B是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的系统的工艺流程图。在该工艺流程图中，衬底首先在第一清洁区802中由压力驱动流清洁装置清洗。如上面讨论，该压力驱动流动清洁装置经构造以向衬底表面施加三态体清洁材料，所述施加方式促使三态体的固体部分与沉积在衬底表面上的污染物颗粒相互作用。在用压力驱动流动清洁装置清洁之后，使用将第一清洁区802和第二清洁区806连接的轨道上的衬底载体将衬底从第一清洁区802移动到第二清洁区806。第二清洁区806包括近贴头单元，该近贴头单元经构造以施加液体弯月面从而从衬底表面冲洗掉任何残留的三态体清洁材料并施加真空以干燥除去残留在衬底表面上的液体。在一个实施方案中，近贴头单元被进一步构造以提供气体来增强衬底表面的干燥。适合用于该用途的气体的实例包括IPA蒸气、空气、氮气(N2)、氩气(Ar)、氧气(O2)、臭氧(O3)。
图9是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的方法的流程图。在该方法中使用的清洁装置的图显示在图7、8A和8B中。方法900从操作902出发，在操作902中将其上沉积了颗粒的衬底插入包容式导管中。如前面讨论的，衬底可以是半导体晶片或者LCD平板。方法900继续进行到其中通过包容式导管的入口阀门向包容式导管供给三态体泡沫的操作904。如前面讨论的，通过可操作地与入口阀门相连接的储罐供给三态体泡沫。同样地，三态体泡沫包括多个各自具有固体部分、液体部分和气体部分的三态体。
方法900继续进行到操作906，其中通过包容式导管的入口阀门施加压力以建立泡沫的压力驱动流动，使得泡沫移动通过衬底表面并与衬底表面上的污染物颗粒相互作用。如前文讨论，构成泡沫的三态体的固体部分是泡沫与污染物颗粒相互作用的组分。这些相互作用可以通过包括粘附、碰撞和吸引力的一种或多种机理产生。
继续来看图9，方法900继续前进到其中通过包容式导管的出口阀门从包容式导管去除泡沫和颗粒的操作908。通过经包容式导管的入口阀门施加液体以冲洗三态体泡沫的衬底表面来去除泡沫。液体通过出口阀门排出包容式导管。三态体的固体部分与污染物颗粒的相互作用导致在去除三态体时从衬底表面去除颗粒。
尽管本文中已经详细描述了本发明的一些实施方案，但是本领域技术人员应当理解的是可以以许多其它的具体形式实施本发明，而不背离本发明的精神或范围。因此，这些实施例和实施方案应当被视为说明性的而不是限制性的，而且本发明不受限于本文中提供的细节，而是可以在所附权利要求的范围内变化和实施。

Claims (15)

1.用于清洁衬底的装置：包括：
被设置成紧邻衬底表面的第一头单元，该第一头单元具有限定在第一头单元内并经构造以向衬底表面供给泡沫的第一行通道；和
被设置成基本靠近第一头单元并紧邻衬底表面的第二头单元，该第二头单元具有：
限定在第二头单元内并经构造以向衬底表面供给流体的第二行通道；和
限定在第二头单元内并经构造以向衬底表面施加真空的第三行通道。
2.权利要求1的用于清洁衬底的装置，其中所述第一头单元和第二头单元可操作地连接以形成整体式近贴头。
3.权利要求1的用于清洁衬底的装置，其中所述泡沫包括多个三态体，该三态体包括固体部分、液体部分和气体部分。
4.权利要求3的用于清洁衬底的装置，其中所述固体部分包括脂肪酸。
5.权利要求1的用于清洁衬底的装置，其中所述流体是气体或液体之一。
6.权利要求5的用于清洁衬底的装置，其中所述液体是去离子水或消泡剂之一。
7.权利要求5的用于清洁衬底的装置，其中所述气体是空气、臭氧(O3)、氧气(O2)、氮气(N2)和氩气(Ar)之一。
8.权利要求1的用于清洁衬底的装置，其中该装置经构造以平移移动经过衬底表面。
9.权利要求1的用于清洁衬底的装置，其中所述第二头单元进一步包括限定在其中的经构造以向衬底表面供给异丙醇(IPA)蒸气或者二氧化碳(CO2)的第四行通道。
10.用于清洁衬底的方法，包括：
提供具有表面的衬底，在该表面上具有颗粒；
产生包含多个三态体的泡沫，其中每个三态体具有固体部分、液体部分和气体部分；
通过第一套施加器将该泡沫施加到衬底表面上；
通过第二套施加器将流体以足以从衬底表面去除泡沫的量施加到衬底表面上；和
通过第三套施加器对衬底表面施加真空以从衬底表面基本上去除流体。
11.权利要求10的用于清洁衬底的方法，进一步包括：
通过第四套施加器向衬底表面供给异丙醇(IPA)蒸气。
12.权利要求10的用于清洁衬底的方法，其中所述泡沫包括多个三态体，该三态体包括固体部分、液体部分和气体部分。
13.权利要求12的用于清洁衬底的方法，其中所述固体部分包括脂肪酸。
14.权利要求10的用于清洁衬底的方法，进一步包括：
通过第四套施加器向衬底表面施加真空以在施加泡沫和施加流体的界面处从衬底表面基本去除泡沫。
15.权利要求14的用于清洁衬底的方法，其中所述液体是去离子水、或者消泡剂和去离子水中的一种。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040031167A1 (en) * 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
KR20100108365A (ko) 2007-12-07 2010-10-06 폰타나 테크놀로지 웨이퍼를 세정하기 위한 방법 및 조성물
US8211846B2 (en) * 2007-12-14 2012-07-03 Lam Research Group Materials for particle removal by single-phase and two-phase media
US9159593B2 (en) * 2008-06-02 2015-10-13 Lam Research Corporation Method of particle contaminant removal
US8828145B2 (en) * 2009-03-10 2014-09-09 Lam Research Corporation Method of particle contaminant removal
US8105997B2 (en) * 2008-11-07 2012-01-31 Lam Research Corporation Composition and application of a two-phase contaminant removal medium
US8739805B2 (en) * 2008-11-26 2014-06-03 Lam Research Corporation Confinement of foam delivered by a proximity head
US8317934B2 (en) * 2009-05-13 2012-11-27 Lam Research Corporation Multi-stage substrate cleaning method and apparatus
US8251223B2 (en) * 2010-02-08 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning system and a package carrier for a semiconductor package
US8595929B2 (en) * 2010-10-21 2013-12-03 Siemens Energy, Inc. Repair of a turbine engine surface containing crevices
CN102569013A (zh) * 2010-12-17 2012-07-11 朗姆研究公司 用于检测晶片应力的系统和方法
CN102315098B (zh) * 2011-09-28 2016-03-30 上海华虹宏力半导体制造有限公司 清洗半导体基底和形成栅介质层的方法
WO2013086217A1 (en) 2011-12-06 2013-06-13 Masco Corporation Of Indiana Ozone distribution in a faucet
KR20130072664A (ko) * 2011-12-22 2013-07-02 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 소자의 제조방법
CN102744227A (zh) * 2012-07-16 2012-10-24 安徽未来表面技术有限公司 一种用于太阳能发电装置上的硅片清洗方法
AU2014288933B2 (en) 2013-07-05 2018-03-08 King Abdullah University Of Science And Technology System and method for conveying an assembly
CN103406322A (zh) * 2013-07-22 2013-11-27 彩虹显示器件股份有限公司 一种用于清洗基板玻璃的装置及方法
US10767143B2 (en) * 2014-03-06 2020-09-08 Sage Electrochromics, Inc. Particle removal from electrochromic films using non-aqueous fluids
DE102014206875A1 (de) * 2014-04-09 2015-10-15 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Reinigung von technischen Anlagenteilen von Metallhalogeniden
EP3193356B1 (en) 2014-09-11 2023-12-20 Tokuyama Corporation Cleaning method and laminate of aluminum nitride single-crystal substrate
CN115093008A (zh) 2015-12-21 2022-09-23 德尔塔阀门公司 包括消毒装置的流体输送系统
CN106111610B (zh) * 2016-06-26 2018-07-17 河南盛达光伏科技有限公司 单晶硅线切割碎片表面附着性脏污预清洗处理方法
KR101955597B1 (ko) * 2017-05-17 2019-05-31 세메스 주식회사 세정액 제조 장치 및 방법
CN111212715B (zh) * 2018-01-18 2022-05-03 株式会社 Ihi 衬套件剥离方法
GB2574179B (en) * 2018-03-12 2021-06-30 Illinois Tool Works Contact cleaning surface assembly
KR102072581B1 (ko) 2018-05-04 2020-02-03 세메스 주식회사 기판 처리방법 및 처리장치
JP7227758B2 (ja) * 2018-05-31 2023-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7227757B2 (ja) * 2018-05-31 2023-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN110883017B (zh) * 2018-09-10 2020-12-29 北京石墨烯研究院 静态清洁石墨烯表面的方法和装置
CN110591832A (zh) * 2019-09-26 2019-12-20 嘉兴瑞智光能科技有限公司 一种高效环保无污染硅片清洗剂及其制备方法
KR102281885B1 (ko) 2019-11-06 2021-07-27 세메스 주식회사 기판 세정 방법 및 기판 처리 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1152417C (zh) * 1997-09-29 2004-06-02 西门子公司 清洗和干燥半导体晶片的装置及方法
CN1654617A (zh) * 2004-02-10 2005-08-17 捷时雅株式会社 清洗用组合物和半导体基板的清洗方法及半导体装置的制造方法

Family Cites Families (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL251243A (zh) * 1959-05-04
US3212762A (en) * 1960-05-23 1965-10-19 Dow Chemical Co Foam generator
US3360476A (en) * 1964-03-19 1967-12-26 Fmc Corp Liquid heavy duty cleaner and disinfectant
US3436262A (en) * 1964-09-25 1969-04-01 Dow Chemical Co Cleaning by foam contact,and foam regeneration method
US3617095A (en) 1967-10-18 1971-11-02 Petrolite Corp Method of transporting bulk solids
GB1427341A (en) * 1972-05-22 1976-03-10 Unilever Ltd Liquid soap product
US3978176A (en) * 1972-09-05 1976-08-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sparger
GB1507472A (en) * 1974-05-02 1978-04-12 Bunker Ramo Foamable coating remover composition
GB1447435A (en) * 1974-06-03 1976-08-25 Ferrara P J Barnes C A Gordon Soap composition and process of producing such
US4156619A (en) * 1975-06-11 1979-05-29 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for cleaning semi-conductor discs
US4133773A (en) * 1977-07-28 1979-01-09 The Dow Chemical Company Apparatus for making foamed cleaning solutions and method of operation
DE2823002B2 (de) * 1978-05-26 1981-06-04 Chemische Werke München Otto Bärlocher GmbH, 8000 München Verfahren zur Herstellung von Metallseifengranulat
US4238244A (en) 1978-10-10 1980-12-09 Halliburton Company Method of removing deposits from surfaces with a gas agitated cleaning liquid
US4387040A (en) * 1981-09-30 1983-06-07 Colgate-Palmolive Company Liquid toilet soap
US4838289A (en) * 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
WO1988000081A1 (en) * 1986-07-08 1988-01-14 Kohlensäurewerk Deutschland Gmbh Process for separating volatile substances
NL8601939A (nl) 1986-07-28 1988-02-16 Philips Nv Werkwijze voor het verwijderen van ongewenste deeltjes van een oppervlak van een substraat.
US4962776A (en) * 1987-03-26 1990-10-16 Regents Of The University Of Minnesota Process for surface and fluid cleaning
US4817652A (en) * 1987-03-26 1989-04-04 Regents Of The University Of Minnesota System for surface and fluid cleaning
US4849027A (en) * 1987-04-16 1989-07-18 Simmons Bobby G Method for recycling foamed solvents
US4753747A (en) * 1987-05-12 1988-06-28 Colgate-Palmolive Co. Process of neutralizing mono-carboxylic acid
US5105556A (en) * 1987-08-12 1992-04-21 Hitachi, Ltd. Vapor washing process and apparatus
US4867896A (en) * 1988-02-17 1989-09-19 Lever Brothers Company Cleaning compositions containing cross-linked polymeric thickeners and hypochlorite bleach
US5048549A (en) * 1988-03-02 1991-09-17 General Dynamics Corp., Air Defense Systems Div. Apparatus for cleaning and/or fluxing circuit card assemblies
US5181985A (en) * 1988-06-01 1993-01-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers
US5000795A (en) * 1989-06-16 1991-03-19 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning method and apparatus
US5102777A (en) * 1990-02-01 1992-04-07 Ardrox Inc. Resist stripping
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
DE69102311T2 (de) * 1990-03-07 1994-09-29 Hitachi Ltd Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenreinigung.
DE4038587A1 (de) 1990-12-04 1992-06-11 Hamatech Halbleiter Maschinenb Transportvorrichtung fuer substrate
US5306350A (en) * 1990-12-21 1994-04-26 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Methods for cleaning apparatus using compressed fluids
US5261966A (en) * 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns
US5147574A (en) * 1991-03-05 1992-09-15 The Procter & Gamble Company Stable liquid soap personal cleanser
US5175124A (en) 1991-03-25 1992-12-29 Motorola, Inc. Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water
US5242669A (en) * 1992-07-09 1993-09-07 The S. A. Day Mfg. Co., Inc. High purity potassium tetrafluoroaluminate and method of making same
US5288332A (en) * 1993-02-05 1994-02-22 Honeywell Inc. A process for removing corrosive by-products from a circuit assembly
US5336371A (en) * 1993-03-18 1994-08-09 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow
US5464480A (en) 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5911837A (en) * 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5472502A (en) 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5656097A (en) * 1993-10-20 1997-08-12 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5950645A (en) 1993-10-20 1999-09-14 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US5417768A (en) * 1993-12-14 1995-05-23 Autoclave Engineers, Inc. Method of cleaning workpiece with solvent and then with liquid carbon dioxide
JP3380021B2 (ja) * 1993-12-28 2003-02-24 株式会社エフティーエル 洗浄方法
NZ278722A (en) * 1993-12-30 1997-03-24 Ecolab Inc Solid cleaning composition comprising a hardening amount of urea and an effective amount of a cleaning agent
DE69523208T2 (de) * 1994-04-08 2002-06-27 Texas Instruments Inc Verfahren zur Reinigung von Halbleiterscheiben mittels verflüssigter Gase
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US6081650A (en) * 1994-06-30 2000-06-27 Thomson Licensing S.A. Transport processor interface and video recorder/playback apparatus in a field structured datastream suitable for conveying television information
US5705223A (en) * 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
US5772784A (en) 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
JP3504023B2 (ja) * 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
US5964958A (en) 1995-06-07 1999-10-12 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning objects using aerosols
US6035483A (en) * 1995-06-07 2000-03-14 Baldwin Graphic Systems, Inc. Cleaning system and process for making and using same employing a highly viscous solvent
US5968285A (en) 1995-06-07 1999-10-19 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning of objects using aerosols and inert gases
US6532976B1 (en) * 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
JP3590470B2 (ja) * 1996-03-27 2004-11-17 アルプス電気株式会社 洗浄水生成方法および洗浄方法ならびに洗浄水生成装置および洗浄装置
DE19622015A1 (de) * 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
TW416987B (en) * 1996-06-05 2001-01-01 Wako Pure Chem Ind Ltd A composition for cleaning the semiconductor substrate surface
JP3350627B2 (ja) * 1996-07-03 2002-11-25 宮崎沖電気株式会社 半導体素子の異物除去方法及びその装置
DE19631363C1 (de) * 1996-08-02 1998-02-12 Siemens Ag Wässrige Reinigungslösung für ein Halbleitersubstrat
JPH1055993A (ja) 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
EP0893166A4 (en) * 1996-09-25 2004-11-10 Shuzurifuresher Kaihatsukyodok WASHING SYSTEM USING LIQUID, HIGH DENSITY GAS
TW357406B (en) 1996-10-07 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning and drying a substrate
JP3286539B2 (ja) * 1996-10-30 2002-05-27 信越半導体株式会社 洗浄装置および洗浄方法
US5858283A (en) * 1996-11-18 1999-01-12 Burris; William Alan Sparger
US5906021A (en) * 1996-12-06 1999-05-25 Coffey; Daniel Fluid-wetted or submerged surface cleaning apparatus
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5900191A (en) * 1997-01-14 1999-05-04 Stable Air, Inc. Foam producing apparatus and method
US5800626A (en) * 1997-02-18 1998-09-01 International Business Machines Corporation Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates
US6701941B1 (en) * 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
US20020157686A1 (en) * 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
JPH10321572A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Toshiba Corp 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法
JPH1126423A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Sugai:Kk 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
US6152805A (en) 1997-07-17 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Polishing machine
US5932493A (en) * 1997-09-15 1999-08-03 International Business Machines Corporaiton Method to minimize watermarks on silicon substrates
EP0905746A1 (en) 1997-09-24 1999-03-31 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US5904156A (en) * 1997-09-24 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's
US6398975B1 (en) * 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
JP3039493B2 (ja) 1997-11-28 2000-05-08 日本電気株式会社 基板の洗浄方法及び洗浄溶液
US6270584B1 (en) * 1997-12-03 2001-08-07 Gary W. Ferrell Apparatus for drying and cleaning objects using controlled aerosols and gases
US5865901A (en) * 1997-12-29 1999-02-02 Siemens Aktiengesellschaft Wafer surface cleaning apparatus and method
US6042885A (en) * 1998-04-17 2000-03-28 Abitec Corporation System and method for dispensing a gel
US6049996A (en) * 1998-07-10 2000-04-18 Ball Semiconductor, Inc. Device and fluid separator for processing spherical shaped devices
US5944581A (en) * 1998-07-13 1999-08-31 Ford Motor Company CO2 cleaning system and method
JP3003684B1 (ja) * 1998-09-07 2000-01-31 日本電気株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄液
JP2000100801A (ja) 1998-09-25 2000-04-07 Sumitomo Electric Ind Ltd エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびにそれに用いられる化合物半導体基板の表面清浄化方法
JP2000141215A (ja) * 1998-11-05 2000-05-23 Sony Corp 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法
JP2000265945A (ja) * 1998-11-10 2000-09-26 Uct Kk 薬液供給ポンプ、薬液供給装置、薬液供給システム、基板洗浄装置、薬液供給方法、及び基板洗浄方法
US6090217A (en) * 1998-12-09 2000-07-18 Kittle; Paul A. Surface treatment of semiconductor substrates
JP2000260739A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US6290780B1 (en) * 1999-03-19 2001-09-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing a wafer
US6849581B1 (en) * 1999-03-30 2005-02-01 Bj Services Company Gelled hydrocarbon compositions and methods for use thereof
US6272712B1 (en) * 1999-04-02 2001-08-14 Lam Research Corporation Brush box containment apparatus
JP3624116B2 (ja) * 1999-04-15 2005-03-02 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP4247587B2 (ja) 1999-06-23 2009-04-02 Ｊｓｒ株式会社 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法
FR2795960B1 (fr) * 1999-07-05 2001-10-19 Sanofi Elf Microemulsions stables pour l'administration d'acides gras a l'homme ou a l'animal, et utilisation de ces microemulsions
US20020121290A1 (en) * 1999-08-25 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
US6734121B2 (en) * 1999-09-02 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Methods of treating surfaces of substrates
US6228563B1 (en) * 1999-09-17 2001-05-08 Gasonics International Corporation Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices
US7122126B1 (en) 2000-09-28 2006-10-17 Materials And Technologies Corporation Wet processing using a fluid meniscus, apparatus and method
US6881687B1 (en) * 1999-10-29 2005-04-19 Paul P. Castrucci Method for laser cleaning of a substrate surface using a solid sacrificial film
US6858089B2 (en) * 1999-10-29 2005-02-22 Paul P. Castrucci Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning
US6576066B1 (en) * 1999-12-06 2003-06-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Supercritical drying method and supercritical drying apparatus
US20020006767A1 (en) 1999-12-22 2002-01-17 Applied Materials, Inc. Ion exchange pad or brush and method of regenerating the same
US6286231B1 (en) * 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
US6705930B2 (en) * 2000-01-28 2004-03-16 Lam Research Corporation System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques
US6276459B1 (en) * 2000-02-01 2001-08-21 Bradford James Herrick Compressed air foam generator
US6594847B1 (en) * 2000-03-28 2003-07-22 Lam Research Corporation Single wafer residue, thin film removal and clean
US6457199B1 (en) 2000-10-12 2002-10-01 Lam Research Corporation Substrate processing in an immersion, scrub and dry system
DE50112692D1 (de) * 2000-05-17 2007-08-16 Henkel Kgaa Wasch- oder reinigungsmittelformkörper
US6927176B2 (en) * 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US6488040B1 (en) 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
KR100366623B1 (ko) 2000-07-18 2003-01-09 삼성전자 주식회사 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법
AU2001286453A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-25 Chem Trace Corporation System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment parts
US6328042B1 (en) * 2000-10-05 2001-12-11 Lam Research Corporation Wafer cleaning module and method for cleaning the surface of a substrate
BR0115088A (pt) * 2000-11-03 2003-10-07 Unilever Nv Composição em gel de limpeza de superfìcie dura, aquosa e translúcida abrasiva e lìquida de superfìcie dura, e, processo para limpar uma superfìcie dura
US20020094684A1 (en) * 2000-11-27 2002-07-18 Hirasaki George J. Foam cleaning process in semiconductor manufacturing
US6525009B2 (en) * 2000-12-07 2003-02-25 International Business Machines Corporation Polycarboxylates-based aqueous compositions for cleaning of screening apparatus
US20020081945A1 (en) * 2000-12-21 2002-06-27 Rod Kistler Piezoelectric platen design for improving performance in CMP applications
US6596093B2 (en) * 2001-02-15 2003-07-22 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation
US6641678B2 (en) * 2001-02-15 2003-11-04 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with aqueous carbon dioxide systems
US6493902B2 (en) 2001-02-22 2002-12-17 Chung-Yi Lin Automatic wall cleansing apparatus
JP2002280343A (ja) 2001-03-15 2002-09-27 Nec Corp 洗浄処理装置、切削加工装置
JP2002280330A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Lintec Corp チップ状部品のピックアップ方法
US6627550B2 (en) * 2001-03-27 2003-09-30 Micron Technology, Inc. Post-planarization clean-up
JP2002309638A (ja) 2001-04-17 2002-10-23 Takiron Co Ltd 建物の排水管路における通気性掃除口
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US6802911B2 (en) 2001-09-19 2004-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for cleaning damaged layers and polymer residue from semiconductor device
WO2003044147A1 (en) * 2001-11-19 2003-05-30 Unilever N.V. Improved washing system
US20030171239A1 (en) * 2002-01-28 2003-09-11 Patel Bakul P. Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology
GB2385597B (en) * 2002-02-21 2004-05-12 Reckitt Benckiser Inc Hard surface cleaning compositions
JP2003282513A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Seiko Epson Corp 有機物剥離方法及び有機物剥離装置
JP4570008B2 (ja) 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US20040159335A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-19 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus for removing organic layers
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
US20040002430A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Applied Materials, Inc. Using a time critical wafer cleaning solution by combining a chelating agent with an oxidizer at point-of-use
JP4017463B2 (ja) * 2002-07-11 2007-12-05 株式会社荏原製作所 洗浄方法
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US6998327B2 (en) 2002-11-19 2006-02-14 International Business Machines Corporation Thin film transfer join process and multilevel thin film module
US6875286B2 (en) 2002-12-16 2005-04-05 International Business Machines Corporation Solid CO2 cleaning
US6733596B1 (en) * 2002-12-23 2004-05-11 Lam Research Corporation Substrate cleaning brush preparation sequence, method, and system
US20040163681A1 (en) * 2003-02-25 2004-08-26 Applied Materials, Inc. Dilute sulfuric peroxide at point-of-use
US6951042B1 (en) 2003-02-28 2005-10-04 Lam Research Corporation Brush scrubbing-high frequency resonating wafer processing system and methods for making and implementing the same
JP2004323840A (ja) * 2003-04-10 2004-11-18 Sumitomo Chem Co Ltd 研磨洗浄液組成物及び研磨洗浄方法
US7169192B2 (en) * 2003-05-02 2007-01-30 Ecolab Inc. Methods of using heterogeneous cleaning compositions
US20040261823A1 (en) 2003-06-27 2004-12-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases
KR100477810B1 (ko) 2003-06-30 2005-03-21 주식회사 하이닉스반도체 Ｎｆ3 ｈｄｐ 산화막을 적용한 반도체 소자 제조방법
US6946396B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Nissan Chemical Indusries, Ltd. Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer
KR20050044085A (ko) * 2003-11-07 2005-05-12 삼성전자주식회사 집적회로 소자의 세정액 및 그 세정액을 이용한 세정방법
US7353560B2 (en) * 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US8043441B2 (en) 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US7416370B2 (en) 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US8323420B2 (en) * 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
JP2005194294A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Nec Electronics Corp 洗浄液及び半導体装置の製造方法
JP4821122B2 (ja) * 2004-02-10 2011-11-24 Ｊｓｒ株式会社 洗浄用組成物、半導体基板の洗浄方法および半導体装置の製造方法
US20050183740A1 (en) * 2004-02-19 2005-08-25 Fulton John L. Process and apparatus for removing residues from semiconductor substrates
FI116889B (fi) * 2004-03-03 2006-03-31 Outokumpu Oy Laite kiintoainetta sisältävän materiaalin hierto-ohentamiseksi
US20050202995A1 (en) * 2004-03-15 2005-09-15 The Procter & Gamble Company Methods of treating surfaces using surface-treating compositions containing sulfonated/carboxylated polymers
JP2005311320A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Sony Corp 異物除去方法及びその装置
WO2005104202A1 (ja) * 2004-04-21 2005-11-03 F.T.L.. Co., Ltd. 基板の洗浄方法
US8136423B2 (en) * 2005-01-25 2012-03-20 Schukra of North America Co. Multiple turn mechanism for manual lumbar support adjustment

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1152417C (zh) * 1997-09-29 2004-06-02 西门子公司 清洗和干燥半导体晶片的装置及方法
CN1654617A (zh) * 2004-02-10 2005-08-17 捷时雅株式会社 清洗用组合物和半导体基板的清洗方法及半导体装置的制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平1-114043A 1989.05.02

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