TWI335247B - Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate - Google Patents

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TWI335247B TW096100024A TW96100024A TWI335247B TW I335247 B TWI335247 B TW I335247B TW 096100024 A TW096100024 A TW 096100024A TW 96100024 A TW96100024 A TW 96100024A TW I335247 B TWI335247 B TW I335247B
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Katrina Mikhaylichenko
Michael Ravkin
Mikhail Korolik
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Description

1335247 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體基板之清理方法與設備。 【先前技術】 在製造半導體裝置如積體電路、記 間’施行一系列的製造操作以將特徵“^導、=者日之期 S ί些3 ii 了以多層結構之形式形成_基板 = 來與其他導電層絕緣。 之導電層係糟由介電材料 物中喿作期間晶圓表面會暴露至各種類型的,、亏仇 例如，污染源尤其可包含處理素^n才枓白為潛在的污染源。 ，自晶圓表*清洗污的的方 產生不良影響可能會是極困難的任務。 污染。當ίίΐϋϊίί多倚賴機械力來自晶圓表面移除微粒 至晶圓表面而且變得更脆弱時’因施加機械力 除了更進㈣的機械力衝擊時，容易倒塌或斷裂。 微教污染可ϊ二亏染的尺寸縮小。尺寸充分小的 特徵部包_溝;面上之區域’例如被高深寬比之 筹槽°p或導線的橋接部等。因此在現代半導體製造 5 ⑶5247 操作與上述之積體電路製迕丄.平面顯示器用之製造 移除-物的技術:=¾清:術任何需要 【發明内容】 來滿足上麵求ίίίί '洗f概清洗溶液 系統在設備=。例包含如 活性溶液施加至基板表面心方法開始時，將 J面之表面接觸。此活性溶液被吸收係：體清理 表面彼此相 具有-外表_ _材=、= f理設備包含： 該基板表面接^的力。枝禮該固體材料並施加使該外表面 含:板ί:系統。此清理系統包 件，具右-^^至基板表面。該清理系統包含.：_清理元 該清 與 用 體輸送系統係 _SSS!== 使該裸露與=表獅用以在清 在仍更另一實施例中，提供一美生理: 、 使基板表面與固體、、音踩 /、 一土 m方法。該方法包含： 件與該基板表面對，=之一表面接觸，及迫使該固體清理元 中之-者來使該固體清理元件或基板 此來進仃移動，其中該移動使得該固體清理元 1335247 件之該表面產生塑性形變，藉此將一層固體清理元件沈積至基板 表面上。此方法更包含：自基板表面沖去該層固體清理元件。 在另一實施例中，提供一種基板清理設備。此清理設備包含 具f外表面的固體材料。當基板或固體材料中之一者相對於彼此 進行移動時，該外表面會回應被施加至固體材料上的正向及/或切 ，力而產生塑性形變’以避錄基板造成損害。該清理設備包含： 支樓結構，用以支樓固體材料並傳遞向下力。 結合了本發明之關並關示性之方式來說明本發明 之坪、、，田敘述，本發明之其他態樣與優點將愈形清晰。 【實施方式】 睁解在種具體細㈣提供對於本發明的全面 體，的⑥兄下施行本發曰月。在其他情況下便:二 理操作，以免不必要地模糊本發明冬焦點。 α地 此文中所述之實施例提供了一種清理 觸且有效地自可能包含高深寬比特徵部的半導體、2、1研磨接 =，但此些清理技術可延伸至需要自¥表^移理^:2定實 =文:⑽相清理媒介相對 :細圓表面二内：料，， 右赛固體清理元件來作為單相清理媒介，其中該施例 =。^在特抒施例中將該成分稱^體^理^板表面 々理70件可意指圓盤、條狀物等。在—實施理7°件，但固體 Ϊ由所構成’然而，亦可使用其他的材料來^眚理元件 ί二材料可包含聚合物、烷基磺酸同的效 基膦酸酉曰、生物聚合物、蛋白質等。 α基磷酸酯、烷 1335247 〜f 1A係根據本發明之一實施例之高位準單相清理操作的簡 =示思圖。固體清理元件1〇〇係位於基板1〇2之上方。固體清理 ，件100係由蛱鏈所構成，可選自公知之脂肪酸如肉豆蔻酸 myristic)、棕櫚酸(palmitic)、硬脂酸（stearic)等。在一實施 L用於固體清理元件1GQ的材料為鏈結中具有人或更多碳原 鏈。應注意：在具有約十或更多碳原子的情況下，該鏈結 ^溫下可為S]體。然而’在另—實施射，固體清理元件1〇〇 1 =具有少於人個碳原子之碳鏈所構成，而可在低於室溫之環境 inn =4?清理凡件’以使該成分為固體。可選擇固體清理元件 ^0 =械特性，俾使固體清理元件具有之硬度小於基板⑽上的 實施例中，在固體清理元件⑽與基板⑽間相 接觸且進订相對移動時，固體清理元件1〇〇經歷塑性形變。 十藉中所示，某些材料自固體清理元件100被擦掉並 Z上作為包覆層⑽。在另一實施例中，自基板102 至ΐίί覆ΐ ί使得包覆層及受困於基板102上的污染物一起受 文中所使用之塑性形變意指固體清理元件無法再保 Ϊ性^性變形(細价办也）或塑性流動之點。 吊在剪應力下發生，與在正向應力下發生的脆斷 kmrrrres)相反。因此’自固體清觀件之橫向遷移或 102之移動之施加至固體清理元件1〇〇的向下力與 沖⑽的下表面產生塑性形變。接著，將膜層103 表面上··在—實施例中，固體清理元件將與基板102 $ 作物產生交互作用，而污染物會隨著薄膜103 -起被 化干本發明之—實補之冑辦單相清理操作的簡 =不思圖。固體清理元件⑽係佈置於基板⑽之上方 =2之上表面上有活性層1〇4。在一 立 薄水性層。在-實叫驗性添力== 下歹J各者所構成之族群：氫氧倾、氫氧化納、氫氧化鉀、三乙 8 1335247 可化四甲録。應注意··驗性添加物並不限於上列化合物， 鏈所ϊί以與水性層結合的任何鹼。固體清理元件係由碳 Tmi . + · ’、可選自公知之脂肪酸如肉豆蔻酸(myristic)、棕櫊酸 ' ^Si(stearic)^^^^^(alkylsulphonates) 酯（&1^1油〇印11〇11的6幻等。在一實施例中，固體清理 之材料為鍵結中具有八個或更多碳原子的碳鏈。應注意： 有射或更多碳原子的情況下，該鏈結在室溫下可為固體。 ill巧—實施财’固體清理元件可由具有少於十個碳之碳 =構成’可在低於室溫之環境巾使用此_清理元件俾使此成 为為固體狀態。熟知此項技藝者應注意：可經由任何習知之可行 方式來將活性層104佈置於基板102之上表面上。例如，可藉由 噴塗或其他習知之可行方式來將活性層傾注至基板1〇2上。 在該成分為脂肪酸的一實施例中，可使用下列之例示性化合 物來構成該成分。應注意，驗_基本上代表碳原子形成開^ 之有機化合物所定義的任何酸。脂肪酸為可被用作為如上所討論 之固體清理材料的脂肪族酸的一實例。可用作為固體清理元件的 脂肪酸尤其包含：月桂酸（lauric)、棕橺酸(palmitic)、硬脂酸 (stearic)、油酸（oleic)、亞麻油酸（lin〇leic)、次亞麻油酸 (linolemc)、花生四浠酸（arachid〇nic)、鳕烯酸(gad〇ieic)、 十八稀酸（eurcic)、丁酸（butyric)、己酸（caproic)、辛酸 (caprylic)、肉豆寇酸(myxistic)、十七酸(margaric)、山杳酸 (behenic)、（lignoseric)、肉豆蔻烯酸(myristoleic)、棕櫚烯 酸（palmitoleic)、（nervanic)、杷荏酸(parinaric)、二十碳五 烯酸（timnodonic)、順廿二碳43 -烯酸（brassic)、鲦魚酸 (clupanodonicacid)、木臘酸（lignocericacid)、蠟酸(cen^ic acid)及其混合物。在一實施例中，固體清理元件可代表由各種碳 鏈長度自C-1至約C-26所定義之脂肪酸。羧酸基本上係由包含了 一或多個羧酸基團（C00H)之有基酸所定義。當使用羧酸作為固體 清理元件時，羧酸可包含各種碳鏈長度自C-1至約C-100的混合 1335247 物。又’羧酸可包含下列功能基團例如卻不限於：甲基(methyl)、 乙綿基（vinyl)、块基（alkyne)、氣基（amide)、一級胺（primary amine)、二級胺（secondary amine)、三級胺（tertiary amine)、 偶氮(azo)、氰基(nitrile)、硝基(nitro)、亞硝基(nitroso)、 D比啶基(pyridyl)、過氧基(peroxy)、醛（aldehyde)、酮（ketone)、 • 一級亞胺（primary imine)、二級亞胺（secondary imine)、醚 (ether) ' 酯（ester)、鹵素(halogen)、異氰基（iS0Cyanate)、異 ·-硫氰基（isothiocyanate)、苯基(phenyl)、苄基(benzyl)、磷酸 •雙酯基(phosphodiester)、硫氫基(sulfhydryl)。 圖2B係根據本發明之一實施例顯示下降固體成分以與水性 膜及基板相接觸的簡單示意圖。固體清理元件1〇〇被降下以與活 性層104與基板1〇2之上表面接觸。由於固體清理元件與活 性層104間之接觸，若活性層之PH值係接近固體清理元件的pKa， 則與活性層接觸之固體清理元件的部分變得離子化。在一實施例 中，活性層104之pH值高於脂肪酸之pKa。當使用硬脂酸時，pKa 、·勺為10. 2。然而，熟知此項技藝者應注意：離子化係取決於脂肪 酸的本質。即，pKa會隨著碳鏈長度而作改變。因此，對於石黃酸及 膦酸而言，可依據對應的pKa來將不同的pH值應用於活性層1〇4。 在另一實施例中，活性層被吸收且擴散進入固體清理元件，使固 % 體清理元件在相對於固體清理元件100之其餘部分的區域106中 膨脹且機械性質受到改變。區域1〇6的尺寸取決於固體清理圓盤 及活性層材料。即使在靠近表面處固體清理元件之材料性質改 ,變’但區域仍被視為是固體且成分1〇〇可被理解為一個單相 C即’固相）’其中區域106較成分10〇之其餘部分更軟。在—實 -施例中’區域106部分會被擦掉並沈積於基板1〇2上成為包覆層、， 如圖1B中所討論之層1〇3。在另一實施例中，自基板1〇2沖掉曰包 覆層，並移除基板上之包覆層與任何污染物。在另一實施例中， 活性層104可為介面活性劑/分散劑。此處，介面活性劑/分散劑 將包含離子分子。在一實施例中，使用介面活性劑如十二烷基& 10 1335247 §^(ammonium dodecyl sulphate)。在使用了介面活性劑之實施 例中，可使用任何已知之非離子、離子或兩性離子介面活性劑。 固體清理元件100之部分的活化導致清理表面有效地清理基板表 面，如同在審理中之申請案件中所述。 . 严#3Α係，據本發明之一實施例顯示使用單相成分之清理設 *備的簡單側面示意圖。在此實施例中，顯示固體清理元件U8a至 118c為長條。具有基板之傳送機構功能的傳送器11 〇藉由滾輪i i 2 所驅動，並支撐將受到固體清理元件118a至118c清理的基板。 •，上的活性層104係經由儲槽114並藉由噴嘴116輸送而提供至 φ母—基板，但有可能不施加活性層。應注意：噴嘴與儲槽可對應 至每一固體清理元件1183至118c，但為了便於表示而未圖示出。 在此方式下，可將導向不同應用的清理施加至清理過的基板。固 體清理το件118a至118c可在相對於基板表面之垂直方向上進行 移動。應注意：可使用平衡環技術來支撐每—固體清理元件n8a 至 118c。 圖3B為根據本發明之一實施例之圖3A中之清理設備的俯視 圖。如所示，傳送機構丨1〇支撐基板102a至102c。在一實施例中， ，，機構110能夠夾持基板以穩固地支撐基板，亦能夠旋轉基板。 =母一基板位於對應清理元件之清理區域中時（即，長條之下表面 鲁月b夠與基板之上表面接觸時），清理元件被降下以與基板接觸。活 性層在接觸固體清理元件之前已被施加至基板，以清理對應的基 =。因此，當基板l〇2a至l〇2c橫跨路徑時，其會受到對應固體 .件118a至i18c之清理。傳送器11〇移動之相對速率足以 =許，一帶著對應基板l〇2a至l〇2c之固體清理元件具有必要的 •停留時間。在一實施例中，每一固體清理元件的成分可不同。即， I使用不同的脂肪酸或其他非脂肪酸材料及/或不同的活性劑以 k供連續的目標清理。例如，第一元件可以針對 物’但其他元件可針難鋪韻污雜。 圖4係根據本發明之一實施例之單相清理固體的之另一實施 11 1335247 3簡4匕:ΐ圖。此處’除了圓盤或長條外，該單相清理固體為 滾靖。該滾缚可沿著軸線130旋轉。應注意：可將月=為 何實施例。在一實施例中，可使用支#結構⑶來ΐ 4面倚靠晶圓表面。例如，轴可經由滾筒1上 …者釉線130 %轉。熟知此項技藝者應注意：可以 表面的不同角度來維持支撐結構131。此外，支； 連接至滾筒以允獅 固體根據本發明之一實施例之另一替代性實施例，其中 ϊ: Γ了基Λ1:2之表面。應注意:確118e相對於== ’而相對直徑係作為例示性說明用，而 a二二乂 3、、知此項技藝者應注意：基板102與碟⑽可以類 轉’或碟me與基板1〇2可以相反方向旋轉。如上所 述，可使平衡環支撐結構與元件118e結合使用。 —f、雜本發明之—實關齡單相清理元件之元件的 間早側面示㈣。元件施翻定至支獅構131。元件版 Ιϊϋ著式錢械式方絲蚊至支躲構131，財該支撐結 經由已知方法來與元件整合。在一例示性實施例 者支禮件140來形成元件ll8e以提供結構支撑。在此實施 例中:可將元件118e想像為沿著支擇件14〇鑄造。支撐結構131 件U8e之旋轉支撐。當然，支標結構131可為上述之平衡 裱/。儲槽114經由輸送線jig來提供活性流體，以在晶圓1〇2 之上表面上形成活性層1〇4。如上所述，在元件腺與待清理表 面接觸之前施加活性層。基板及清理元件與活性層之接觸導致離 •^匕’因此防止固體清理元件為基板吸收。元件118e及/或晶圓 旋轉，以施行清理操作。應注意：元件118e仍為固體 ，但相 ’於下部118e-2而言’上部之物理性質（即，硬度)被元 件118e之下表面處的活性層綱所改變。熟知此項技藝者應注 .12 1335247 忍：不若具有孔洞/腔室之多孔刷，此文中所述之實施例提供了一 種固體表面’其不具有被應用來清理晶圓1〇2表面之習知刷具的 孔洞/腔室。因此，此文中的實施例提供了一種連續且非中斷之清 理層，其可順應晶圓102的表面。又，下部Hge-2的活化提供了 更軟的介面’其中作用於上部Ukd上的壓力被傳遞以提供清理 作用。 圖6係根據本發明之一實施例更詳細地顯示單相清理設備用 =活性層的簡單示意圖。基板丨〇2具有沈積於上的活性層ι〇4，而 虽固體清理元件100被來與該活性層1〇4接觸時，水被吸收進入 固體清理元件100。水滲透進入區域1〇6中所示之固體清理元件 =〇的晶粒結構。如上所述’在一實施例中活性層1〇4為水性層， :中活性層之pH值為鹼性以將區域丨06中的脂肪酸離子化並加以 基本上，活性層渗透進人區域106改變了該區域中之固體 π理70件100的性質。例如，在區域1〇6中之固體 I變戒，膠狀的本質但仍為固態。參考圖7，顯示區域1G6的離子 二。ϋ在ί驗脂酸時，賊_錢子分_導致在區域 中匕;I面處的功能基團帶負電荷。應注意：藉由 解 果舌性劑/分散劑的情況下，可達‘述圖= 添加劑*其包含了氫氟酸、硫酸、二氫 圖8係根據本發明之-實施例顯示用以 之基板的方法操作的流程圖。本方法開始於G、有 ，，溶液施加至基.板表作 活性溶液可為pH值大於清理設備之P H ^所t 溶液可為介㈣_。獻帛··谓 j 目前可行之倾躲财絲妨。接絲方 用 13 1335247 將固體清理表面帶至與活性溶液及基板表面接觸。將固體清理表. 面帶至與活性溶液接觸導致固體清理表面之一部分被活化或離子 化/中和’如參照圖6與7所具體說明之操作2〇4。此離子化/中和 ，活化避免吸收並確保固體清理元件不會留下任何殘留物。在一 實施例中，其中使用介面活性劑來作為活性層，接著介面活性劑 避免吸枚以確保固體清理元件不會留下任何殘留物。對於清理元 件為，形的實施例如圖5A及5B而言，元件之一例示性結構為具 有直徑尺寸為5英吋而高或深度為1英吋之碟。此處，丨英吋深度 之一=分約為1/8英吋。當然，此為係例示性結構，而真實尺寸 之組成或所用之固體清理元件為碟、滾輪形狀及其他 ΪΪ受f來作改變。在—實關巾，活性溶液被吸收進入固體 /月理兀件的一部分，如參照圖5及6所述。 输方法進行至操作露’基板及/或111體清理表面相對於 表面可二面=圖示中所述，固體清理 ΐΐί' 條、盤、滾輪或用以對基板表面施行上述功 適當設備。基本上，可經由塑性形變來 以允=體構:包f平衡， 3知，平衡環通常由兩或三對以直㈣ 解：敘述細，但應瞭 重 ί:ί:::任=，於清理半導體製』=二 晶圓共用“ 指與«進行環·釘例如，與 要因“：術 14 U35247 S用=上S染t，或其他高科技領域如表面科學、能源、 性ί而Jt: 了::所列之可使用本發明的例示性領域僅為： 部件Si _基本上可泛指任何其他結構，如基板、 雖，僅讀個實_之方式 =;在閱讀前述之說明書及研讀=，=出= 化，加、變更及等效物。因此，本 物ί申乂③疇内之此類變化、添加、變更及等Ϊ 專圍中’除非中請專利範圍之項次中有明H 否則其中的元件及/或㈣並未暗摊何特定的載， 【圖式簡單說明】 -f 單示意圖^係根據本發明之—實施例之高辦單相清理操作的簡 形^在固體清理元件產生塑性 備的艮ίί發明之一實施例顯示使用單相成分之清理設 膜及i板相實施例顯示下降固體成分以與水性 備的ίϋίίιί發明之一實施例顯示使用單相成分之清理設 視圖°Θ丨根據本發明之—實施纖示圖3Α中之清理設備的俯 θ 'τ根據本發明之一貫施例顯示單相清理固體之替代性實 15 1335247 施例的簡單示意圖。.. 圖5A為係根據本發明之一資 固體清理元件敍碟形。 f侧之替代財施例，其令 圖5B係根據本發明一-时 簡單侧面示意圖。 Λ施例顯不早相清理元件之元件的 圖6係根據本發明之一實施例更詳細地顯示單相清理設備用 之活性層的簡單示意圖。 圖7係根據本發明之一實施例顯示圖5之離子化區域的更詳 細示意圖*> 、 圖8係根據本發明之一實施例顯示用以清理具有表面污染物 之基板的方法操作的流程圖。 【主要元件符號說明】 100 :清理元件 102 :基板 102a-102c :基板 103 :包覆層 104 :活性層 106 :區域 110 :傳送器 112 :滚輪 114 :儲槽 116 :喷嘴 110 :傳送機構 114 :儲槽 116 :輸送線 118a-118c :固體清理元件 118d :滾筒 118e :碟 16 1335247 118e-l :上部 ，118e-2 :下部 130 :軸線 131 :支撐結構 140 :支撐件 200 :施加活性溶液至基板表面 202 :使活性溶液及基板表面與固體清理表面之表面接觸 204 :離子化固體清理表面之一深度的部分 206:使基板或固體清理表面中之一者相對於彼此作移動，以 清理基板表面
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Claims (1)

1335247 =¾替換頁 τ、申請專利範圍·· --— L 一種基板清理方法，包含下列步驟·· 活性溶液施加步驟，將活性溶液施加至該基板之表面. 的表驟，使該活性溶液及該基板之該表面與固體清理元件 活性絲魏倾，使麟性溶液被魏進人綱體 I膠二用，於該基板之表面㈣^ 彼此—者相對於 請專利範圍第1項之基板清理方法，其中該活性溶液為驗 理方法，其中該活性溶液為驗 化叙、風氧化納、氫氧化鉀、三乙醇胺及氯氧化=錐。.虱氧 4.如申請專利範圍第！項之基板清理方法， 為由脂肪酸所構成的平面表面。 八〇 口體4理7G件 專利範圍第i項之基板清理方法，其 為平面表面’此平面表面之構成成分係$ 兀件 群：羧酸、磺酸及膦酸。 、㈢於包含下列各者之族 6.如申請專利範圍第！項之基板清理方 為平面表面，其中使該活性溶液及該基板之固體清理元件 件的表面接觸龍接觸步驟，導致該固 、，、固體清理兀 基板之該表面離子化。 理兀件的該表面及該 1335247 99年6月>3日修正替換頁 %10〇〇24(無劃線）. ‘ 7. 如申請專利範圍第i項之基板清理方法 之構成成分係選自於包含下列者之族群：燒基】酸=體; 酯及烷基膦酸酯。 八文揽沉基磷酸 8. 如申請專利範圍第丨項之基板清理方法，苴 進入該固體清理元件之該部分，導致該固體擴散 該固體清理元件之其餘部分更軟。 兀件的遠部分較 為介 清理方法，其中該活性溶液 性劑 ==圍第9項之基板清理方法，其中該介面-11. 一種基板清理設備，包含： 之矣’具有—外表面’#料表面暴露至佈置於兮其知 舌性溶液時，其用以形成—凝膠介面部；及Μ基板 該基板之Ϊ表面續義體材料並施力使得該凝科面部與 If·如申明專利範圍第1 1項之基板清理設備，其中該 =自於由下列各者所構成之族群：脂肪酸、烷“、係 酸酯及烷基膦酸酯。 〃 燒基碟 如申明專利範圍第11項之基板清理設豆 含通過該固體材料之一軸飧 2 支棕結構包 旋轉。 軸線的，，其巾體㈣繞著該轴線 19 1335247 99年6月日修正替換頁 ,,,^ 961_24(無劃線）.· 上it請專概㈣11項之基板清赌備 千衡衣式，並對該固體材料提供相對於該基板之旋轉。 冓為 15· $申明專利乾圍第η項之基板清理設備，更包含： 流體輪送系統，提供該活性溶液至該基板之該表面。 =如申請專利範圍第Η項之基板清理設備，其中該活性溶液為 U狀__備，其_性溶液為 18. 如申明專利範圍第1丨項之基板清理，^ 部分被該活性溶液所離子化，其中該外表面為平面I 19. 一種基板清理系統，包含： 支撐件，用以支撐該基板； 系ί，用以將活性溶液輸送至該基板之表面，· 液接觸時Γ該二表面’ #該裸露表面與該活性溶 分變得更之为相對於該固相清理元件的其餘部 於該基支^建該膠 抵靠 項5基板清理系統，其中該固相清理元 21. 如申請專概_ 19項之基板统⑽，其巾該_清理元 20 件的材料係選自於由下列忐 _ 鱗酸酯及烧基膦酸I旨。 麵群：炫基續酸鹽、烧基 =機圍第19項之基板清理系統， 二專利範圍第19項之基板清理系統， 為十如第23項之基板清理系統，其中該介面活性劑 為十-絲&酸叙(a_ium d〇decyl sui_e)。 2用5以項之基板清理系統，其™ 26·如申請專利範圍第i9項之基板清理 用以使該難清理树平行及鼓於職板之絲錢彳係
99年6月>3日修正替換頁 96100024(無劃線）. · 統，其中該活性溶液的 統，其中該活性溶液為 24. 27.如申請專利範圍第19項之基板清理系統，其中該支撐結 該固相清理元件保持靜止。 28.如申請專利範圍第19項之基板清理系統，其中該凝膠介面部 捕捉位於該基板之該表面上的粒子。 29·如申請專利範圍第19項之基板清理系統，更包含： 複數固相清理元件，該複數固相清理元件的每一者係由不同 材料所構成’其中該基板支撐件移動該複數固相清理元件之每一 者下方的該基板’且其中在該基板於該複數固相清理元件之每一 者下方移動之前，該流體輸送系統將該活性溶液提供至該基板。 21 1335247 99年6月>3曰修正替換頁 . 96100024(無劃線)， · -------- 30· —種基板清理方法，包含下列步驟： 接觸步驟，使基板表面與固體清理元件之表面接觸； 驅迫步驟，迫使該固體清理元件倚靠於該基板表面: 移動步驟，使該固體清理元件或該基板中 掛 =移動，此移動導致該_清理元件之該表面產此 猎此該固體清理元件之一膜層沈積至該基板表面上；及 沖洗步驟’自該基板表面沖去該固體清理元件之該膜層。
31.如申請專利範圍第3〇項之基板清理方法 件的硬度係低於該基板之硬度。 ，其中該固體清理元 3々2· ^請專利範圍第3〇項之基板清理方法，其中使用驗性水性 洛液來自該基板表面沖去該固體清理元件的該膜層。 5 ί申，專利範圍第30項之基板清理方法’其中使用水、硫酸 過軋化氫之混合物來自該基板表面沖去該固體清理元件的該膜 J% ° ° 馨34·如申咕專利範圍第30項之基板清理方法，其中使該固體清理 凡件或該基板中之一者相對於彼此進行移動之該移動步驟包含： 籲使翻體清理元件與位於雜板表面上之污染物進行交互作 用0 35. —種基板清理設備，包含： 固體材料’具有-外絲，當絲板或制體材射之一者 相對於彼此進行移動時’該外表面發生塑性形變而在該基板上沈 積一膜層以回應施加至該固體材料上之下向力；及 支撐結構’用以支撐該固體材料與傳遞該向下力。 22 1335247 99年6月Θ曰修正替換 96100024(無劃線)_ 36. 如中請專利範圍第35項之基板清理設備，其中制體材料之 f度係低於該基板之硬度’且其中該固體材料實質上由硬脂 構成。 37. 如申請專利範圍第35項之基板清理設備，更包含： 流體輸送糸統，用以沖去該基板上之該膜層。 39.如申請專利範圍第35項之基板清理設備，其中該固體材料之 材料係選自於由下列各麵構成之_ :錄魏鹽 酯及烷基膦酸酯。 十一、圖式： 23
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