JP5518163B2 - 半導体基板を洗浄する方法および装置 - Google Patents

半導体基板を洗浄する方法および装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5518163B2
JP5518163B2 JP2012242490A JP2012242490A JP5518163B2 JP 5518163 B2 JP5518163 B2 JP 5518163B2 JP 2012242490 A JP2012242490 A JP 2012242490A JP 2012242490 A JP2012242490 A JP 2012242490A JP 5518163 B2 JP5518163 B2 JP 5518163B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
solid
cleaning element
cleaning
item
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012242490A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013042172A (ja
Inventor
エム． フリーア エリック
シー． レデカー フレッド
ミハイルイシェンコ カトリーナ
ラブキン マイケル
コロリク ミハイル
エム． デ ラリオス ジョン
Original Assignee
ラム リサーチ コーポレイション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ラム リサーチ コーポレイション filed Critical ラム リサーチ コーポレイション
Publication of JP2013042172A publication Critical patent/JP2013042172A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5518163B2 publication Critical patent/JP5518163B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/02—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by distortion, beating, or vibration of the surface to be cleaned
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D17/00—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties
    • C11D17/0004—Non aqueous liquid compositions comprising insoluble particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D17/00—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties
    • C11D17/0008—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties aqueous liquid non soap compositions
    • C11D17/0013—Liquid compositions with insoluble particles in suspension
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D17/00—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties
    • C11D17/0008—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties aqueous liquid non soap compositions
    • C11D17/0017—Multi-phase liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/12—Water-insoluble compounds
    • C11D3/14—Fillers; Abrasives ; Abrasive compositions; Suspending or absorbing agents not provided for in one single group of C11D3/12; Specific features concerning abrasives, e.g. granulometry or mixtures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D9/00—Compositions of detergents based essentially on soap
    • C11D9/02—Compositions of detergents based essentially on soap on alkali or ammonium soaps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/16—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions using inhibitors
    • C23G1/18—Organic inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/10—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by other chemical means
    • C11D2111/22—
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/4891—With holder for solid, flaky or pulverized material to be dissolved or entrained

Description

半導体デバイス、例えば集積回路、メモリセルなどの作成において、一連の製造動作が実行され、半導体ウエハ上に特徴を画定する。ウエハは、シリコン基板に画定された複数レベルの構造の形で、集積回路デバイスを含む。基板レベルにおいて、拡散領域を有するトランジスタデバイスが形成される。次のレベルにおいて、相互に接続された金属化ラインがパターニングされ、トランジスタデバイスに電気的に接続され、所望の集積回路デバイスを画定する。さらに、パターニングされた導電性の層が、誘電材料によって他の導電性の層から絶縁される。
一連の製造動作の間、ウエハ表面は、様々なタイプの汚染にさらされる。本質的に、製造動作において存在する任意の物質は、潜在的な汚染の源である。例えば、汚染の源はとりわけ、プロセス気体、化学物質、堆積物質、および液体を含み得る。様々な汚染は、微粒子物質として、ウエハの表面に堆積し得る。微粒子汚染が除去されない場合、汚染付近内のデバイスは、動作不可能となる可能性がある。従って、ウエハに画定された特徴に損傷を与えずに、実質的に完全な方法でウエハ表面から汚染を洗浄することが必要である。微粒子汚染のサイズはしばしば、ウエハに作成される特徴のほぼ臨界的な寸法サイズである。ウエハの特徴に悪影響を与えずに、そのような小さな微粒子汚染を除去することは難問題である。
従来のウエハ洗浄方法は、ウエハから微粒子汚染を除去するために、機械的な力に大きく依存してきた。特徴のサイズが減少し、より壊れやすくなり続けるにつれ、ウエハ表面に対する機械的な力の適用による特徴への損傷の確率は増加する。例えば、高い縦横比を有する特徴は、十分な機械的な力によって衝撃を受けたとき、転倒または破損しやすい。洗浄の問題をさらに複雑化することに、特徴サイズを低減する方向への動きは、損傷を引き起こし得る微粒子汚染のサイズの低減も引き起こし得る。十分に小さいサイズの微粒子汚染は、ウエハ表面の到達しにくいエリア、例えば高い縦横比特徴または導電性のラインのブリッジング、その他によって囲まれた溝の中に入り込み得る。従って、表面擦傷（ｍａｒｒｅｄ）、および半導体作成の間の効率的で無害な汚染物質の除去は、ウエハ洗浄技術の絶え間ない進歩によって遭遇される持続的な難問題を代表する。フラットパネルディスプレイに対する製造動作は、上に論じられた集積回路製造と同じ欠点に苦しむ。従って、汚染物質除去を必要とするいかなる技術も、より効果的でより摩耗の少ない洗浄技術を必要とする。
概括的に述べて、本発明は、改良された洗浄技術および洗浄溶液を提供することによって、これらのニーズを満たす。本発明は、システム、装置および方法などを含む多くの様式で実装され得ることが理解されるべきである。本発明の幾つかの発明による実施形態が以下に記述される。
一実施形態において、基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次に基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。
別の実施形態において、基板を洗浄するための洗浄装置が提供される。洗浄装置は、外面を有する固体の材料を含み、外面は、基板の表面に配置された活性化溶液にさらされたとき、固体の材料の残りに対してより軟らかくなるように構成される。洗浄装置は、固体の材料を支持し、力を及ぼし、外面が基板の表面と接触するように構成された支持構造を含む。
さらに別の実施形態において、基板を洗浄するための洗浄システムが提供される。洗浄システムは、基板を支持するように構成された支持、および活性化溶液を基板の表面に送達するように構成された流体送達システムを含む。洗浄システムは、露出された表面を有する固相の洗浄要素を含み、露出された表面は、露出された表面が活性化溶液と接するとき、固相洗浄要素の残りの部分に対して軟らかくなる成分を有する。洗浄システムは、固相の洗浄要素を支持する支持構造を含む。支持構造は、洗浄動作の間、基板の表面に対して露出された表面を維持するように構成されている。
さらに別の実施形態において、基板を洗浄する方法が提供される。方法は、基板表面を固体の洗浄要素の表面と接触させ、基板表面に対して固体の洗浄要素を押し付けることを含む。方法は、固体の洗浄要素または基板のうちの１つを互いに対して動かすことを含み、該動かすことは、固体の洗浄要素の表面の塑性変形を引き起こし、それによって、固体の洗浄要素の層を基板表面に堆積させる。方法は、固体の洗浄要素の層を基板表面からすすぎ落とすことをさらに含む。
別の実施形態において、基板を洗浄する洗浄装置が提供される。洗浄装置は、外面を有する固体の材料を含む。外面は、基板または固体の材料のうちの１つが互いに対して動く間に、固体の材料に及ぼされる法線方向の力および／または接線方向の力に応答して、塑性的に変形し、基板に対する損傷を防ぐように構成される。洗浄装置は、固体の材料を支持し、下向きの力を伝達するように構成された支持構造を含む。
本発明の他の局面および利点が、本発明を例として示す添付の図面と共に考慮すると、以下の詳細な記述からより明らかとなる。
例えば、本願発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
基板を洗浄する方法であって、該方法は、
活性化溶液を基板の表面に塗布する方法動作と、
該活性化溶液および該基板の表面を固体の洗浄要素の表面と接触させる方法動作と、
該活性化溶液を該固体の洗浄要素の一部分の中に吸収させる方法動作と、
該基板または該固体の洗浄要素のうちの１つを互いに対して動かし、該基板の表面を洗浄する方法動作と
を包含する、方法。
（項目２）
前記活性化溶液は、アルカリ性の溶液である、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記活性化溶液は、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、トリエタノールアミンおよび水酸化テトラメチルアンモニウムから成る群から選択される塩基を含むアルカリ性の溶液である、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記固体の洗浄要素は、脂肪酸からなる平らな表面である、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記固体の洗浄要素は、カルボン酸、スルホン酸およびホスホン酸からなる群から選択された成分から成る平らな表面である、項目１に記載の方法。
（項目６）
前記活性化溶液および前記基板の表面を前記固体の洗浄要素の表面と接触させる前記方法動作は、該固体の洗浄要素の表面のイオン化および該基板の表面のイオン化を生じる、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記固体の洗浄要素は、スルホン酸アルキル、リン酸アルキルおよびホスホン酸アルキルからなる群から選択された成分から成る、項目１に記載の方法。
（項目８）
前記活性化溶液は、前記固体の洗浄要素の前記一部分の中に拡散し、該固体の洗浄要素の該一部分を該固体の洗浄要素の残りに対してより軟らかくさせる、項目１に記載の方法。
（項目９）
前記活性化溶液は界面活性剤である、項目１に記載の方法。
（項目１０）
前記界面活性剤は、イオン界面活性剤である、項目９に記載の方法。
（項目１１）
基板を洗浄する洗浄装置であって、
外面を有する固体の材料であって、該外面は、該基板の表面に配置された活性化溶液にさらされるとき、前記固体の材料の残りに対してより軟らかくなるように構成される、材料と、
該固体の材料を支持し、かつ力を及ぼして該外面が該基板の該表面と接触するように構成された支持構造と
を備えている、洗浄装置。
（項目１２）
前記固体の材料は、脂肪酸、スルホン酸アルキル、リン酸アルキル、およびホスホン酸アルキルから成る群から選択される、項目１１に記載の装置。
（項目１３）
前記支持構造は、前記固体の材料の軸の中を通るシャフトを含み、該固体の材料は、該軸の周りに回転する、項目１１に記載の装置。
（項目１４）
前記支持構造はジンバル式であり、前記基板に対して、前記固体の材料に回転を提供する、項目１１に記載の装置。
（項目１５）
活性化溶液を前記基板の前記表面に提供する流体送達システムをさらに備えている、項目１１に記載の装置。
（項目１６）
前記活性化溶液はアルカリ性である、項目１１に記載の装置。
（項目１７）
前記活性化溶液は界面活性剤である、項目１１に記載の装置。
（項目１８）
前記外面の成分は前記活性化溶液によってイオン化され、該外面は平らな表面である、項目１１に記載の装置。
（項目１９）
基板を洗浄する洗浄システムであって、
該基板を支持するように構成された支持と、
活性化溶液を該基板の表面に送達するように構成された流体送達システムと、
露出された表面を有する固相の洗浄要素であって、該露出された表面は、該露出された表面が該活性化溶液と接するとき、該固相の洗浄要素の残り部分に対して軟らかくなる成分を有する、固相の洗浄要素と、
該固相の洗浄要素を支持する支持構造であって、該支持構造は洗浄動作の間、該基板の表面に対して該露出された表面を維持するように構成された、支持構造と
を備えている、洗浄システム。
（項目２０）
前記固相の洗浄要素は本質的に脂肪酸から成る、項目１９に記載の洗浄システム。
（項目２１）
前記固相の洗浄要素は、スルホン酸アルキル、リン酸アルキル（ａｌｋｙ，ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）およびホスホン酸アルキルからなる群から選択される材料である、項目１９に記載の洗浄システム。
（項目２２）
前記活性化溶液のｐＨは７．０よりも上である、項目１９に記載の洗浄システム。
（項目２３）
前記活性化溶液は界面活性剤である、項目１９に記載の洗浄システム。
（項目２４）
前記界面活性剤はドデシル硫酸アンモニウムである、項目２３に記載の洗浄システム。
（項目２５）
前記支持構造は、前記固相の洗浄要素を回転させるように構成された、項目１９に記載の洗浄システム。
（項目２６）
前記支持構造は、前記固相の洗浄要素を前記基板の表面に対して平行、垂直に移動させるように構成された、項目１９に記載の洗浄システム。
（項目２７）
前記支持構造は、前記固相の洗浄要素を動かないように保持する、項目１９に記載の洗浄システム。
（項目２８）
前記活性化溶液は露出された表面と反応して、前記基板の前記表面に対して前記固相の洗浄要素のゼラチン状の界面部分を成長させる、項目１９に記載の洗浄システム。
（項目２９）
前記ゼラチン状の界面部分は、前記基板の前記表面に配置された粒子を捕捉する、項目２８に記載の洗浄システム。
（項目３０）
複数の固相の洗浄要素であって、該複数の固相の洗浄要素は各々、異なる材料から成り、前記基板支持は、該複数の固相の洗浄要素の各々の下で該基板を動かし、前記流体送達システムは、該基板が該複数の固相の洗浄要素の各々の下で動く前に、該基板に前記活性化溶液を提供する、複数の固相の洗浄要素をさらに備えている、項目１９に記載の洗浄システム。
（項目３１）
基板を洗浄する方法であって、
基板表面を固体の洗浄要素の表面と接触させる方法動作と、
該固体の洗浄要素を該基板表面に対して押し付ける方法動作と、
該固体の洗浄要素または該基板のうちの１つを互いに対して動かす方法動作であって、該動かすことは、該固体の洗浄要素の該表面の塑性変形を引き起こし、それによって該固体の洗浄要素の層を該基板表面に堆積させる、方法動作と、
該固体の洗浄要素の層を該基板表面からすすぎ落とす方法動作と
を包含する、方法。
（項目３２）
前記固体の洗浄要素の硬さは、前記基板の硬さを下回る、項目３１に記載の方法。
（項目３３）
アルカリ性の水溶液が、前記固体の洗浄要素の層を前記基板の表面からすすぎ落とすために使用される、項目３１に記載の方法。
（項目３４）
水、スルホン酸および過酸化水素の混合物が、前記固体の洗浄要素の層を前記基板の表面からすすぎ落とすために使用される、項目３１に記載の方法。
（項目３５）
前記固体の洗浄要素または前記基板のうちの１つを互いに対して動かす方法動作は、該固体の洗浄要素を前記基板表面に配置された汚染物質と相互作用させることを包含する、項目３１に記載の方法。
（項目３６）
基板を洗浄する洗浄装置であって、
外面を有する固体の材料であって、該外面は、該基板または該固体の材料のうちの１つが互いに対して動く間に、該固体の材料に及ぼされる下向きの力に応答して、塑性的に変形し、該基板に配置された膜を残すように構成された、材料と、
該固体の材料を支持し、該下向きの力を伝達するように構成された支持構造と
を備えている、洗浄装置。
（項目３７）
前記固体の材料は、前記基板の硬さを下回る硬さを有し、該固体の材料は本質的に、ステアリン酸から成る、項目３６に記載の装置。
（項目３８）
前記基板に配置された前記膜をすすぎ落とす流体送達システムをさらに備えている、項目３６に記載の装置。
（項目３９）
前記固体の材料は本質的に脂肪酸から成る、項目３６に記載の装置。
（項目４０）
前記固体の材料は、スルホン酸アルキル、リン酸アルキル（ａｌｋｙ，ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、およびホスホン酸アルキルから成る群から選択される材料である、項目３６に記載の装置。
図１Ａは、本発明の一実施形態による、高水準の単相の洗浄動作を例示する簡略化された概略図である。 図１Ｂは、本発明の実施形態による、基板に層を堆積するための、固体の洗浄要素の塑性変形を例示する簡略化された概略図である。 図２Ａは、本発明の一実施形態による、単相の要素を利用する洗浄装置の側面図を例示する簡略化された概略図である。 図２Ｂは、本発明の一実施形態による、固体の要素を下降させて水の薄膜および基板と接触させることを例示する簡略化された概略図である。 図３Ａは、本発明の一実施形態による、単相の要素を利用する洗浄装置の側面図を例示する簡略化された概略図である。 図３Ｂは、本発明の一実施形態による、図３Ａの洗浄装置の上面図である。 図４は、本発明の一実施形態による、単相の洗浄固体に対する代替の実施形態の簡略化された概略図である。 図５Ａは、本発明の一実施形態による、固体の洗浄要素がディスクとして例示される、別の代替の実施形態である。 図５Ｂは、本発明の一実施形態による、単相の洗浄要素の要素実施形態の側面図を例示する簡略化された概略図である。 図６は、本発明の一実施形態による、単相の洗浄装置に対する活性化層についてのさらなる詳細を例示する簡略化された概略図である。 図７は、本発明の一実施形態による、図５の領域のイオン化のさらに詳細な概略図を例示する。 図８は、本発明の一実施形態による、表面汚染物質を有する基板を洗浄する方法動作を例示する流れ図である。
本発明は、添付の図面と共に考慮すると、以下の詳細な記述によって容易に理解され、同様な参照番号は、同様な構造的要素を示す。
（詳細な記述）
以下の記述において、本発明の完全な理解を提供するために、多くの特定の詳細が述べられる。しかしながら、本発明がこれらの特定の詳細のうちの一部、またはすべてがなくても実行し得ることは、当業者には明らかである。他の例において、本発明を不必要に分かりにくくしないために、周知のプロセス動作は、詳細には記述されていない。
本明細書に記述された実施形態は、摩耗性接触を低減し、高い縦横比特徴を含み得る半導体基板から汚染物質を洗浄することにおいて効率的である洗浄技術を提供する。実施形態は、半導体洗浄用途に関する特定の例を提供するが、これらの洗浄用途は、表面から汚染物質を除去することを必要とする任意の技術に拡張され得ることは理解されるべきである。本明細書に記述された実施形態は、洗浄される表面に対して単相の洗浄剤を動かし、単相の洗浄剤の固体部分内に含まれた材料はウエハ表面に存在する粒子を持ち上げて除去することを提供する。一例示的な実施形態において、固体の洗浄要素は、単相の洗浄剤として使用され、洗浄要素は、洗浄される基板の表面と接触させられる実質的に平らな表面を有する。特定の実施形態は、固体の洗浄要素としての要素を指すが、固体の洗浄要素とは、パック（ｐｕｃｋ）、棒、その他を指し得る。一実施形態において、固体の洗浄要素は脂肪酸から成るが、他の材料が同じ効果で使用され得る。これら他の材料は、ポリマー、スルホン酸アルキル、リン酸アルキル、ホスホン酸アルキル、バイオポリマー、タンパク質、その他を含み得る。
図１Ａは、本発明の一実施形態による高水準の単相の洗浄動作を例示する簡略化された概略図である。固体の洗浄要素１００は、基板１０２の上に配置される。固体の洗浄要素１００は、炭素鎖から成り、一般的に知られた脂肪酸、例えばミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、その他から選択され得る。一実施形態において、固体の洗浄要素１００の材料は、鎖の中に８つ以上の炭素原子を有する炭素鎖である。約１０以上の炭素原子で、連鎖は、室温で固体であることは理解されるべきである。しかしながら、代替の実施形態において、固体の洗浄要素１００は８つ未満の炭素を有する炭素鎖からなり得、固体の洗浄要素は、組成物が固体であるように、室温未満の環境で使用され得る。固体の洗浄要素１００は、固体の洗浄要素が、基板１０２の最も軟らかい材料を下回る硬さを有するように選択される。一実施形態において、固体の洗浄要素１００は、固体の洗浄要素１００と基板１０２との間の接触および相対運動の間、塑性変形を受ける。
従って、図１Ｂに示される、固体の洗浄要素１００から一部の材料が擦り取られ、被覆層１０３として基板１０２の上に堆積する。別の実施形態において、被覆層１０３は、基板１０２からすすぎ落とされ、基板１０２の上の被覆層および捕捉された汚染を除去する。本明細書に使用されている場合、塑性変形は、固体の洗浄要素がもはやその形状を保持することができない時点を指し、さらに、塑性ひずみまたは塑性流動を指し得る。通常、塑性変形は、通常の応力の下で生じる脆性破壊とは対照的に剪断応力の下で生じる。従って、固体の洗浄要素の横方向の移行または基板１０２の動きのいずれかからの剪断力と合わせて、固体の洗浄要素１００に及ぼされた下向きの力は、固体の洗浄要素１００の底面の塑性変形を引き起こす。薄膜１０３は、次にすすがれて除去される。一実施形態において、固体の洗浄要素は、基板１０２の表面で汚染物質と相互作用し、薄い膜１０３が除去されるとき、汚染物質は、除去されることが理解されるべきである。
図２Ａは、本発明の一実施形態による高水準の単相の洗浄動作を例示する簡略化された概略図である。固体の洗浄要素１００は、基板１０２の上に配置される。基板１０２の上面には、活性化層１０４がある。一実施形態において、活性化層１０４は、塩基性の添加物を有する薄い水の層である。一実施形態において、塩基性の添加物は、水酸化アンモニウム（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）、水酸化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、トリエタノールアミン、または水酸化テトラメチルアンモニウムから成る群から選択され得る。任意の塩基が水の層と組み合うために使用され得るので、塩基性の添加物は、これらの化合物に限定されないことは理解されるべきである。固体の洗浄要素１００は、炭素鎖から成り、一般的に知られた脂肪酸、例えばミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、またはスルホン酸アルキル（ａｌｋｙｓｕｌｐｈｏｎａｔｅｓ）もしくはホスホン酸アルキル（ａｌｋｙｐｈｏｓｐｈｏｎａｔｅｓ）、その他から選択され得る。一実施形態において、固体の洗浄要素１００の材料は、鎖の中に８つ以上の炭素原子を有する炭素鎖である。約１０以上の炭素原子で、鎖は、室温で固体であることが理解されるべきである。しかしながら、代替の実施形態において、固体の洗浄要素は１０未満の炭素を有する炭素鎖からなり得、固体の洗浄要素は、組成物が固体であるように、室温未満の環境で使用され得る。当業者は、活性化層１０４は、利用可能な一般的に知られた手段によって、基板１０２の上面に配置され得ることを理解する。例えば、活性化層は、基板１０２の上に注がれ、スプレーされ得るか、または他の一般的に利用可能な手段であり得る。
要素が脂肪酸である実施形態において、以下は、要素を構成するために使用され得る例示的な化合物である。脂肪族系酸が本質的に、炭素原子が開鎖を形成する有機化合物によって定義される任意の酸を表すことは理解されるべきである。上に論じられたように、脂肪酸は、固体の洗浄材料として使用され得る脂肪族系酸の例である。固体の洗浄要素として使用され得る脂肪酸の例は、とりわけ、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、ガドレイン酸、エルシン酸（ｅｕｒｃｉｃ）、酪酸、カプロン酸、カプリル酸、ミリスチン酸、マルガリン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、ネルバン酸（ｎｅｒｖａｎｉｃ）、パリナリン酸（ｐａｒｉｎａｒｉｃ）、チムノドン酸(ｔｉｍｎｏｄｏｎｉｃ)、ブラシジン酸（ｂｒａｓｓｉｃ）、イワシ酸、リグノセリン酸、セロチン酸、およびこれらの混合物を含む。一実施形態において、固体の洗浄要素は、Ｃ−１から約Ｃ−２６まで延びる様々な炭素鎖の長さによって定義される脂肪酸の混合を表し得る。カルボン酸は、１つ以上のカルボキシル基（ＣＯＯＨ）を含む本質的に任意の有機酸によって定義される。固体の洗浄要素として使用されるとき、カルボン酸は、Ｃ−１から約Ｃ−１００まで延びる様々な炭素鎖の長さの混合を含み得る。さらにカルボン酸は、他の官能基、例えばメチル、ビニル、アルキン、アミド、第一アミン、第二アミン、第三アミン、アゾ、ニトリル、ニトロ、ニトロソ、ピリジル、ペロキシ、アルデヒド、ケトン、第一イミン、第二イミン、エーテル、エステル、ハロゲン、イソシアネート、イソチオシアネート、フェニル、ベンジル、ホスホジエステル、スルフィドリルを含み得るが、これらに限定されない。
図２Ｂは、本発明の一実施形態に従い、固体の要素を下降させて水の薄膜および基板と接触させることを例示する簡略化された概略図である。固体の洗浄要素１００が下降させられ、活性化層１０４および基板１０２の上面と接触する。固体の洗浄要素１００と活性化層１０４との間の接触の結果として、活性化層のｐＨが、固体の洗浄要素のｐＫａに近い場合、活性化層と接触している固体の洗浄要素の部分はイオン化する。一実施形態において、活性化層１０４は、脂肪酸のｐＫａよりも大きいｐＨである。ステアリン酸に関して、ｐＫａは約１０．２である。しかしながら、当業者は、イオン化は脂肪酸の性質に依存することを理解する。つまり、ｐＫａは、炭素鎖の長さの変化とともに変化する。従って、対応するｐＫａに依存して、スルホン酸およびホスホン酸に対して、様々なｐＨが活性化層１０４に対して適用され得る。別の実施形態において、活性化層が固体の洗浄要素の中に吸い込まれて拡散し、膨張して、領域１０６における固体の洗浄要素の機械的特性を、固体の洗浄要素１００の残りに対して変化させる。領域１０６の寸法は、固体の洗浄パックおよび活性化層材料に依存する。固体の洗浄要素の材料特性は表面の近くで変化するが、領域１０６はなおも固体として考えられ、要素１００は、単相、すなわち領域１０６は要素１００の残りに対してより軟らかい固体として考えられ得る。図１Ｂの層１０３に関して論じられたように、一実施形態において、領域１０６の一部分は、擦り取られて基板１０２の上に、被覆層として堆積する。別の実施形態において、被覆層は、基板１０２からすすがれ、基板１０２の被覆層および任意の汚染を除去する。代替の実施形態において、活性化層１０４は、界面活性剤／分散剤であり得る。ここで、界面活性剤／分散剤は、イオン分子を含む。一実施形態において、界面活性剤、例えばドデシル硫酸アンモニウム（ＡＤＳ）が使用される。界面活性剤が使用される実施形態において、任意の公知の非イオン性、イオン性、または両性イオン性界面活性剤が使用され得る。固体の洗浄要素１００の一部分の活性化は、同時係属中の出願番号に記述されるように、基板の表面を効果的に洗浄する洗浄表面を生じる。
図３Ａは、本発明の一実施形態による単相の要素を利用する洗浄装置の側面図を例示する簡略化された概略図である。この実施形態において、固体の洗浄要素１１８ａ〜１１８ｃは、細長い棒として例示されている。基板に対する輸送メカニズムとして機能するコンベア１１０は、ローラ１１２を介して駆動され、洗浄される基板を固体の洗浄要素１１８ａ〜１１８ｃで支持する。活性化層が適用されないことがあり得るが、図２の活性化層１０４は、レザバ１１４を通して各基板に提供され、ノズル１１６を介して送達される。ノズルおよびレザバは、固体の洗浄要素１１８ａ〜１１８ｃの各々に対して対応し得、例示の容易さのために示されないことは理解されるべきである。この方法で、様々な適用に向けられる洗浄は、洗浄される基板に適用され得る。固体の洗浄要素１１８ａ〜１１８ｃは、基板表面に対して垂直方向に移動させられ得る。ジンバル式技術が固体の洗浄要素１１８ａ〜１１８ｃの各々を支持するために使用され得ることは理解されるべきである。
図３Ｂは、本発明の一実施形態による、図３Ａの洗浄装置の上面図である。例示されているように、輸送メカニズム１１０は、基板１０２ａ〜１０２ｃを支持する。一実施形態において、輸送メカニズム１１０は基板を締め付け、基板をしっかりと支持することが可能であり、基板を回転させることも可能であり得る。各基板は、対応する要素の洗浄領域内にあるので、すなわち棒の底面は、基板の上面に接触することができるので、要素は下降させられて基板と接触する。対応する基板を洗浄するために、活性化層は、接触の前に基板に適用されている。従って、基板１０２ａ〜１０２ｃは、それらが経路を横断するとき、対応する固体の洗浄要素１１８ａ〜１１８ｃによって洗浄される。コンベア１１０が動く相対速度は、各固体の洗浄要素の、対応する基板１０２ａ〜１０２ｃとの必要な滞留時間を可能にするために十分である。一実施形態において、各固体の洗浄要素の組成は異なり得る。つまり、様々な脂肪酸または他の非脂肪酸材料、および／または様々な活性化剤が、順次標的とされる洗浄を提供するために使用され得る。例えば、第１の要素は、特定のタイプの汚染物質を標的とし得、一方、他の要素は、他のタイプの汚染物質を標的とし得る。
図４は、本発明の一実施形態による、単相の洗浄固体に対する代替の実施形態の簡略化された概略図である。ここでは、パックまたは棒ではなく、単相の洗浄固体はローラである。ローラは軸１３０の周りで回転する。ローラ１１８ｄは、本明細書に記述された実施形態のうちの任意のものに対して適用され得ることは理解されるべきである。一実施形態において、支持構造１３１は、ローラ１１８ｄの表面をウエハ表面に押し付けるために使用され得る。例えば、シャフトが、軸１３０に沿ってローラ１１８ｄの中を横断し得る。当業者は、支持構造１３１が、洗浄されるウエハの平らな表面に対して様々な角度で保持され得ることを理解する。さらに、支持構造１３１は、ローラ１１８ｄの自由な回転を可能にし、上述の角度のある動きを調節する公知の技術によってローラ１１８ｄに結合され得る。
図５Ａは、固体の洗浄要素がディスクとして例示される、別の代替の実施形態である。基板１０２の表面を洗浄するために、ディスク１１８ｅは、基板１０２の回転に対して回転する。ディスク１１８ｅは、洗浄される基板１０２に対して様々な直径であり得、相対的な直径は、例示的な図示であり、限定するものとしては意図されていないことは理解されるべきである。当業者は、基板１０２およびディスク１１８ｅは、同様な方向に回転し得るか、またはディスク１１８ｅおよび基板１０２は、反対方向に回転し得ることを理解する。上述されたように、ジンバル式の支持構造は、要素１１８ｅに組み込まれ得る。
図５Ｂは、本発明の一実施形態による単相の洗浄要素の要素実施形態の側面図を例示する簡略化された概略図である。要素１１８ｅは、支持構造１３１に取り付けられる。要素１１８ｅは、接着剤または機械的な手段によって支持構造１３１に取り付けられ得、支持構造は、公知の手段によって要素と構造的に一体化される。一例示的な実施形態において、要素１１８ｅは、支持１４０の周りに画定され、構造的支持を提供する。この実施形態において、要素１１８ｅは、支持１４０の回りに成形されているとして考えられ得る。支持構造１３１は、要素１１８ｅの回転支持を提供する。もちろん、支持１３１は、上に論じられたように、ジンバル式であり得る。レザバ１１４は、送達ライン１１６を通して活性化流体を提供し、ウエハ１０２の上面に活性化層１０４を形成する。上述のように、活性化層は、要素１１８ｅが洗浄される表面と接触する前に適用される。活性化層と接触している基板および洗浄要素はイオン化し、固体の洗浄要素の、基板への吸収を妨げる。要素１１８ｅおよび／またはウエハ１０２は回転させられて洗浄動作を実行する。物理的な特性、すなわち底部分１１８ｅ−２の硬さに対する上部部分１１８ｅ−１の硬さ、要素１１８ｅの底面において、活性化層１０４によって変化させられるが、要素１１８ｅは固体のままであることは理解されるべきである。穴／空洞を有する多孔性のブラシとは異なり、本明細書に記述された実施形態は、ウエハ１０２の表面を洗浄するために適用される通常のブラシの穴／空洞を有さない堅い表面を提供することを、当業者は理解する。従って、本明細書に記述された実施形態は、ウエハ１０２の表面に従い得る、連続して中断されない洗浄層を提供する。さらに、底部分１１８ｅ−１の活性化は、上部部分１１８ｅ−２に及ぼされた圧力が洗浄作用を提供するように転換されるより軟らかいインターフェースを提供する。
図６は、本発明の一実施形態による単相の洗浄装置に対する活性化層についてのさらなる詳細を例示する簡略化された概略図である。基板１０２は、その上に配置された活性化層１０４を有し、固体の洗浄要素１００が、活性化層１０４と接触させられるとき、水が固体の洗浄要素１００の中に吸収される。領域１０６に例示されるように、水は、固体の洗浄要素１００の粒状構造の中を浸透する。述べられたように、活性化層１０４は、一実施形態においては水の層であり、水の層のｐＨは、領域１０６において脂肪酸をイオン化し、中和させるために塩基性である。本質的に、領域１０６の中への活性化層の貫通は、その領域での固体の洗浄要素１００の特性を変化させる。例えば、領域１０６において、固体の洗浄要素１００は性質がゼラチン状となり得るが、しかしなおも固相である。図７を参照すると、領域１０６のイオン化が例示されている。ここで、ステアリン酸に関して、カルボキシル基の水素原子は解離し、領域１０６のこのインターフェースにおいて、負に荷電された官能基を生じる。これらの官能基をイオン化または解離することによって、負に荷電されたインターフェースへの吸収は、妨げられることは理解されるべきである。つまり、固体の洗浄要素は、ウエハ表面に固着せず、それによって効率的な洗浄が達成されるようにする。活性化層が界面活性剤／分散剤である場合、図６に関して上に記述された効果が達成される。一実施形態において、活性化層は、汚染除去を高めるために、化学添加物を有する。これらの化学添加物はとりわけ、とりわけ、フッ化水素酸、硫酸、塩化水素酸、水酸化テトラメチルアンモニウム、過酸化水素を含む。
図８は、本発明の実施形態による表面汚染物質を有する基板を洗浄するための方法動作を例示する流れ図である。方法は、動作２００から始まり、活性化溶液は、動作を通して基板の表面に塗布され、活性化面の適用なしで前進する。上に述べられたように、活性化溶液は、洗浄装置のｐＫａよりも大きいｐＨを有している水溶液であり得る。あるいは、活性化溶液は、界面活性剤であり得る。活性化溶液は、基板の上に注がれるか、またはスプレーされ得るか、または他の現在利用可能な手段であることは理解されるべきである。方法は動作２０２へ進み、そこでは固体の洗浄表面が、活性化溶液および基板の表面と接触させられる。図６および図７を参照して例示されるように、かつ動作２０４において指定されるように、固体の洗浄表面を活性化溶液と接触させることは、固体の洗浄表面の一部分を活性化することまたはイオン化すること／中和することになる。このイオン化／中和または活性化は吸収を妨げ、固体の洗浄要素がいかなる残留物もあとに残さないようにする。一実施形態において、界面活性剤が、活性剤層として使用される場合、界面活性剤は吸収を妨げ、固体の洗浄要素がいかなる残留物もあとに残さないようにする。図５Ａおよび図５Ｂにおけるように、洗浄要素がディスクである実施形態に対して、要素の一例示的な構成は、直径が５インチで高さまたは深さが１インチの寸法を有するディスクであり得る。ここで、深さ１インチの部分は約１／８インチである。もちろん、これは例示的な構成であり、実際の寸法は、要素の組成、および固体の洗浄要素としてディスク、ローラ、その他が使用されているかどうか、ならびに他の環境変数に依存して変化し得る。図５および図６を参照して記述されたように、一実施形態において、活性化溶液は、固体の洗浄要素の一部分の中に吸収される。
図８の方法は、動作２０６への進み、そこでは基板および／または固体の洗浄表面は互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。上の図に記述されたように、固体の洗浄表面は、洗浄される基板の表面に対して、回転し、転がり、スライドし、その他をなし得る。固体の洗浄表面は、本明細書に記述された機能性をウエハの表面に適用して洗浄するため、ディスク、棒、パック、ローラ、または任意の他の適切な装置であり得る。本質的に、表面汚染物質を除去するために、塑性変形によって基板の表面に層を残し得る任意の幾何学的形状、または活性化層と相互作用し得る任意の幾何学的形状が、本明細書に記述された実施形態に対して使用され得る。さらに、固体の洗浄表面に対して提供される支持構造は、ジンバル式の構造を含み得、複数の次元、例えば２つの軸ジンバルで固体の洗浄表面の回転を可能にし得る。公知のように、ジンバルは通常、軸上に直角に取り付けられた２つまたは３つの対のピボットで作られる。
本発明は、半導体ウエハから汚染物質を除去することに関して記述されたが、既に記述された本発明の原理および技術は、半導体ウエハ以外の表面を洗浄することに対しても等しく適用され得ることは理解されるべきである。例えば、本発明は、半導体製造において使用される任意の機器表面を洗浄するために使用され得、ここで任意の機器表面とは、ウエハと環境的に連絡する、例えばウエハと空間を共有する任意の表面を指す。本発明は、汚染除去が重要である他の技術分野においても使用され得る。例えば、本発明は、宇宙計画、または他の高度先端技術分野、例えば表面科学、エネルギー、光学、マイクロエレクトロニクス、ＭＥＭＳ、フラットパネル処理、太陽電池、メモリデバイス、その他において使用される部品の汚染を除去するために使用され得る。本発明が使用され得る例示的な分野の前記列挙は、包含的な列挙を表すとは意図されていないことは理解されるべきである。さらに、本明細書の例示的な記述において使用されたようなウエハは、本質的に任意の他の構造、例えば基板、部品、パネル、その他を表すように一般化され得ることは理解されるべきである。
この発明は、幾つかの実施形態の観点から記述されたが、当業者は、上記の明細書を読み、かつ図面を調べて、様々な変更、追加、交換およびそれらの均等物に気付くことは理解される。従って、本発明は、本発明の真の精神および範囲内に該当するすべてのそのような変更、追加、交換および均等物を含むことが意図されている。特許請求の範囲において、要素および／またはステップは、特許請求の範囲において明確に述べられていない限り特定の順序の動作を意味しない。

Claims (8)

  1. 基板を洗浄する方法であって、
    該方法は、
    基板表面を固体の洗浄要素の表面と接触させる方法動作と、前記固体の洗浄要素は、脂肪酸、スルホン酸アルキル、リン酸アルキル、およびホスホン酸アルキルから成る群から選択され、
    該固体の洗浄要素を該基板表面に対して押し付ける方法動作と、
    該固体の洗浄要素または該基板のうちの１つを互いに対して動かす方法動作であって、該動かすことは、該固体の洗浄要素の該表面の塑性変形を引き起こし、それによって該固体の洗浄要素の層を該基板表面に堆積させる、方法動作と、
    該固体の洗浄要素の層を該基板表面からすすぎ落とす方法動作と
    を包含する、方法。
  2. 前記固体の洗浄要素の硬さは、前記基板の硬さを下回る、請求項１に記載の方法。
  3. アルカリ性の水溶液が、前記固体の洗浄要素の層を前記基板表面からすすぎ落とすために使用される、請求項１に記載の方法。
  4. 水、硫酸および過酸化水素の混合物が、前記固体の洗浄要素の層を前記基板表面からすすぎ落とすために使用される、請求項１に記載の方法。
  5. 前記固体の洗浄要素または前記基板のうちの１つを互いに対して動かす方法動作は、該固体の洗浄要素を前記基板表面に配置された汚染物質と相互作用させることを包含する、請求項１に記載の方法。
  6. 基板を洗浄する洗浄装置であって、
    該洗浄装置は、
    外面を有する固体の材料であって、該外面は、該基板または該固体の材料のうちの１つが互いに対して動く間に、該固体の材料に及ぼされる下向きの力に応答して、塑性的に変形し、該基板に配置された膜を残すように構成され、脂肪酸、スルホン酸アルキル、リン酸アルキル、およびホスホン酸アルキルから成る群から選択される、材料と、
    該固体の材料を支持し、該下向きの力を伝達するように構成された支持構造と
    を備えている、装置。
  7. 前記固体の材料は、前記基板の硬さを下回る硬さを有し、該固体の材料は本質的に、ステアリン酸から成る、請求項６に記載の装置。
  8. 前記基板に配置された前記膜をすすぎ落とす流体送達システムをさらに備えている、請求項６に記載の装置。
JP2012242490A 2005-12-30 2012-11-02 半導体基板を洗浄する方法および装置 Expired - Fee Related JP5518163B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US75537705P 2005-12-30 2005-12-30
US60/755,377 2005-12-30
US11/612,352 US8316866B2 (en) 2003-06-27 2006-12-18 Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US11/612,352 2006-12-18

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008548829A Division JP5237825B2 (ja) 2005-12-30 2006-12-26 半導体基板を洗浄する方法および装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013042172A JP2013042172A (ja) 2013-02-28
JP5518163B2 true JP5518163B2 (ja) 2014-06-11

Family

ID=38228934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012242490A Expired - Fee Related JP5518163B2 (ja) 2005-12-30 2012-11-02 半導体基板を洗浄する方法および装置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US8316866B2 (ja)
EP (1) EP1965933A2 (ja)
JP (1) JP5518163B2 (ja)
KR (1) KR20130042061A (ja)
WO (1) WO2007079373A2 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8316866B2 (en) * 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7981221B2 (en) * 2008-02-21 2011-07-19 Micron Technology, Inc. Rheological fluids for particle removal
US8105997B2 (en) * 2008-11-07 2012-01-31 Lam Research Corporation Composition and application of a two-phase contaminant removal medium
CN103930983B (zh) * 2011-08-04 2017-05-24 阿卜杜拉国王科技大学 用于清洁光电器件的装置和方法
CN103987664B (zh) 2011-12-06 2017-03-08 德尔塔阀门公司 龙头中的臭氧分配
JP2013133458A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Idemitsu Kosan Co Ltd 水性洗浄剤
JP5820404B2 (ja) * 2013-02-05 2015-11-24 株式会社東芝 平坦化方法及び平坦化装置
US10753011B2 (en) 2014-09-11 2020-08-25 Tokuyama Corporation Cleaning method and laminate of aluminum nitride single-crystal substrate
JP7018768B2 (ja) * 2014-11-24 2022-02-14 コーニング インコーポレイテッド 基板表面洗浄方法および装置
US9570285B2 (en) * 2015-04-17 2017-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning composition and methods thereof
CA3007437C (en) 2015-12-21 2021-09-28 Delta Faucet Company Fluid delivery system including a disinfectant device

Family Cites Families (137)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL251243A (ja) * 1959-05-04
US3212762A (en) 1960-05-23 1965-10-19 Dow Chemical Co Foam generator
US3436262A (en) * 1964-09-25 1969-04-01 Dow Chemical Co Cleaning by foam contact,and foam regeneration method
US3617095A (en) 1967-10-18 1971-11-02 Petrolite Corp Method of transporting bulk solids
US3978176A (en) * 1972-09-05 1976-08-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sparger
GB1507472A (en) * 1974-05-02 1978-04-12 Bunker Ramo Foamable coating remover composition
US4156619A (en) * 1975-06-11 1979-05-29 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for cleaning semi-conductor discs
US4133773A (en) * 1977-07-28 1979-01-09 The Dow Chemical Company Apparatus for making foamed cleaning solutions and method of operation
US4238244A (en) 1978-10-10 1980-12-09 Halliburton Company Method of removing deposits from surfaces with a gas agitated cleaning liquid
US4838289A (en) * 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
HU200703B (en) * 1986-07-08 1990-08-28 Kohlensaeurewerk Deutschland Method for drying vegetal or animal materials
NL8601939A (nl) 1986-07-28 1988-02-16 Philips Nv Werkwijze voor het verwijderen van ongewenste deeltjes van een oppervlak van een substraat.
US4962776A (en) 1987-03-26 1990-10-16 Regents Of The University Of Minnesota Process for surface and fluid cleaning
US4817652A (en) * 1987-03-26 1989-04-04 Regents Of The University Of Minnesota System for surface and fluid cleaning
US4849027A (en) * 1987-04-16 1989-07-18 Simmons Bobby G Method for recycling foamed solvents
US5105556A (en) * 1987-08-12 1992-04-21 Hitachi, Ltd. Vapor washing process and apparatus
US5048549A (en) * 1988-03-02 1991-09-17 General Dynamics Corp., Air Defense Systems Div. Apparatus for cleaning and/or fluxing circuit card assemblies
US5181985A (en) * 1988-06-01 1993-01-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers
US5000795A (en) * 1989-06-16 1991-03-19 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning method and apparatus
US5102777A (en) * 1990-02-01 1992-04-07 Ardrox Inc. Resist stripping
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
EP0445728B1 (en) * 1990-03-07 1994-06-08 Hitachi, Ltd. Apparatus and method for cleaning solid surface
DE4038587A1 (de) 1990-12-04 1992-06-11 Hamatech Halbleiter Maschinenb Transportvorrichtung fuer substrate
US5306350A (en) * 1990-12-21 1994-04-26 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Methods for cleaning apparatus using compressed fluids
US5261966A (en) * 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns
US5175124A (en) 1991-03-25 1992-12-29 Motorola, Inc. Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water
US5242669A (en) * 1992-07-09 1993-09-07 The S. A. Day Mfg. Co., Inc. High purity potassium tetrafluoroaluminate and method of making same
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5288332A (en) * 1993-02-05 1994-02-22 Honeywell Inc. A process for removing corrosive by-products from a circuit assembly
US5336371A (en) * 1993-03-18 1994-08-09 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow
US5464480A (en) 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5911837A (en) * 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5472502A (en) 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5950645A (en) 1993-10-20 1999-09-14 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5656097A (en) * 1993-10-20 1997-08-12 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5518542A (en) 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US5417768A (en) * 1993-12-14 1995-05-23 Autoclave Engineers, Inc. Method of cleaning workpiece with solvent and then with liquid carbon dioxide
NZ278722A (en) 1993-12-30 1997-03-24 Ecolab Inc Solid cleaning composition comprising a hardening amount of urea and an effective amount of a cleaning agent
DE69523208T2 (de) * 1994-04-08 2002-06-27 Texas Instruments Inc Verfahren zur Reinigung von Halbleiterscheiben mittels verflüssigter Gase
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US6081650A (en) * 1994-06-30 2000-06-27 Thomson Licensing S.A. Transport processor interface and video recorder/playback apparatus in a field structured datastream suitable for conveying television information
US5705223A (en) * 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
US5772784A (en) * 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
JP3504023B2 (ja) * 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US5964958A (en) 1995-06-07 1999-10-12 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning objects using aerosols
US5968285A (en) 1995-06-07 1999-10-19 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning of objects using aerosols and inert gases
US6532976B1 (en) * 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
DE19622015A1 (de) * 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
TW416987B (en) * 1996-06-05 2001-01-01 Wako Pure Chem Ind Ltd A composition for cleaning the semiconductor substrate surface
JPH1055993A (ja) 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
EP0893166A4 (en) * 1996-09-25 2004-11-10 Shuzurifuresher Kaihatsukyodok WASHING SYSTEM USING LIQUID, HIGH DENSITY GAS
US5997653A (en) 1996-10-07 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Method for washing and drying substrates
US5858283A (en) * 1996-11-18 1999-01-12 Burris; William Alan Sparger
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5900191A (en) * 1997-01-14 1999-05-04 Stable Air, Inc. Foam producing apparatus and method
US5800626A (en) * 1997-02-18 1998-09-01 International Business Machines Corporation Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates
US6701941B1 (en) * 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
JPH10321572A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Toshiba Corp 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法
JPH1126423A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Sugai:Kk 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
US6152805A (en) 1997-07-17 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Polishing machine
US5932493A (en) * 1997-09-15 1999-08-03 International Business Machines Corporaiton Method to minimize watermarks on silicon substrates
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
EP0905746A1 (en) 1997-09-24 1999-03-31 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US5904156A (en) * 1997-09-24 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's
US6398975B1 (en) * 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
JP3039493B2 (ja) 1997-11-28 2000-05-08 日本電気株式会社 基板の洗浄方法及び洗浄溶液
US6270584B1 (en) * 1997-12-03 2001-08-07 Gary W. Ferrell Apparatus for drying and cleaning objects using controlled aerosols and gases
US6091217A (en) * 1998-01-29 2000-07-18 Elite Access Systems, Inc. Safety gate operator which prevents entrapment, and method of its operation
US6049996A (en) * 1998-07-10 2000-04-18 Ball Semiconductor, Inc. Device and fluid separator for processing spherical shaped devices
US5944581A (en) * 1998-07-13 1999-08-31 Ford Motor Company CO2 cleaning system and method
JP3003684B1 (ja) * 1998-09-07 2000-01-31 日本電気株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄液
JP2000100801A (ja) 1998-09-25 2000-04-07 Sumitomo Electric Ind Ltd エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびにそれに用いられる化合物半導体基板の表面清浄化方法
JP2000183003A (ja) 1998-10-07 2000-06-30 Toshiba Corp 銅系金属用研磨組成物および半導体装置の製造方法
JP2000141215A (ja) * 1998-11-05 2000-05-23 Sony Corp 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法
US6090217A (en) * 1998-12-09 2000-07-18 Kittle; Paul A. Surface treatment of semiconductor substrates
JP2000260739A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US6290780B1 (en) * 1999-03-19 2001-09-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing a wafer
US6272712B1 (en) * 1999-04-02 2001-08-14 Lam Research Corporation Brush box containment apparatus
JP4247587B2 (ja) 1999-06-23 2009-04-02 Ｊｓｒ株式会社 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法
US6562726B1 (en) * 1999-06-29 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
US6602111B1 (en) * 1999-07-16 2003-08-05 Seimi Chemical Co., Ltd. Abrasive
US20020121290A1 (en) * 1999-08-25 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
US6734121B2 (en) * 1999-09-02 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Methods of treating surfaces of substrates
US6228563B1 (en) * 1999-09-17 2001-05-08 Gasonics International Corporation Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices
US7122126B1 (en) 2000-09-28 2006-10-17 Materials And Technologies Corporation Wet processing using a fluid meniscus, apparatus and method
US6858089B2 (en) * 1999-10-29 2005-02-22 Paul P. Castrucci Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning
US6576066B1 (en) * 1999-12-06 2003-06-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Supercritical drying method and supercritical drying apparatus
JP3854056B2 (ja) 1999-12-13 2006-12-06 株式会社荏原製作所 基板膜厚測定方法、基板膜厚測定装置、基板処理方法及び基板処理装置
US6286231B1 (en) * 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
US6276459B1 (en) * 2000-02-01 2001-08-21 Bradford James Herrick Compressed air foam generator
US6594847B1 (en) * 2000-03-28 2003-07-22 Lam Research Corporation Single wafer residue, thin film removal and clean
US6457199B1 (en) 2000-10-12 2002-10-01 Lam Research Corporation Substrate processing in an immersion, scrub and dry system
US6676766B2 (en) * 2000-05-02 2004-01-13 Sprout Co., Ltd. Method for cleaning a substrate using a sherbet-like composition
WO2001088079A1 (de) * 2000-05-17 2001-11-22 Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien Wasch- oder reinigungsmittelformkörper
US6927176B2 (en) * 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US6488040B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
KR100366623B1 (ko) * 2000-07-18 2003-01-09 삼성전자 주식회사 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법
US6810887B2 (en) * 2000-08-11 2004-11-02 Chemtrace Corporation Method for cleaning semiconductor fabrication equipment parts
US6328042B1 (en) * 2000-10-05 2001-12-11 Lam Research Corporation Wafer cleaning module and method for cleaning the surface of a substrate
US20020094684A1 (en) * 2000-11-27 2002-07-18 Hirasaki George J. Foam cleaning process in semiconductor manufacturing
US6525009B2 (en) * 2000-12-07 2003-02-25 International Business Machines Corporation Polycarboxylates-based aqueous compositions for cleaning of screening apparatus
US6467897B1 (en) * 2001-01-08 2002-10-22 3M Innovative Properties Company Energy curable inks and other compositions incorporating surface modified, nanometer-sized particles
US6493902B2 (en) 2001-02-22 2002-12-17 Chung-Yi Lin Automatic wall cleansing apparatus
JP2002280343A (ja) 2001-03-15 2002-09-27 Nec Corp 洗浄処理装置、切削加工装置
JP2002280330A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Lintec Corp チップ状部品のピックアップ方法
US6627550B2 (en) * 2001-03-27 2003-09-30 Micron Technology, Inc. Post-planarization clean-up
JP2002309638A (ja) 2001-04-17 2002-10-23 Takiron Co Ltd 建物の排水管路における通気性掃除口
WO2002094462A1 (fr) * 2001-05-22 2002-11-28 Mitsubishi Chemical Corporation Procede de nettoyage de la surface d'un substrat
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US6802911B2 (en) 2001-09-19 2004-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for cleaning damaged layers and polymer residue from semiconductor device
WO2003044147A1 (en) * 2001-11-19 2003-05-30 Unilever N.V. Improved washing system
US20030171239A1 (en) * 2002-01-28 2003-09-11 Patel Bakul P. Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology
JP2003282513A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Seiko Epson Corp 有機物剥離方法及び有機物剥離装置
JP4570008B2 (ja) 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US20040159335A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-19 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus for removing organic layers
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
US20040002430A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Applied Materials, Inc. Using a time critical wafer cleaning solution by combining a chelating agent with an oxidizer at point-of-use
JP4017463B2 (ja) * 2002-07-11 2007-12-05 株式会社荏原製作所 洗浄方法
US6733596B1 (en) * 2002-12-23 2004-05-11 Lam Research Corporation Substrate cleaning brush preparation sequence, method, and system
US20040163681A1 (en) * 2003-02-25 2004-08-26 Applied Materials, Inc. Dilute sulfuric peroxide at point-of-use
US6951042B1 (en) 2003-02-28 2005-10-04 Lam Research Corporation Brush scrubbing-high frequency resonating wafer processing system and methods for making and implementing the same
US8316866B2 (en) * 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US20040261823A1 (en) 2003-06-27 2004-12-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases
US6946396B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Nissan Chemical Indusries, Ltd. Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer
KR20050044085A (ko) * 2003-11-07 2005-05-12 삼성전자주식회사 집적회로 소자의 세정액 및 그 세정액을 이용한 세정방법
US7353560B2 (en) * 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US8043441B2 (en) 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US8323420B2 (en) * 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US7416370B2 (en) 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
JP2005194294A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Nec Electronics Corp 洗浄液及び半導体装置の製造方法
CN1654617A (zh) * 2004-02-10 2005-08-17 捷时雅株式会社 清洗用组合物和半导体基板的清洗方法及半导体装置的制造方法
US20050183740A1 (en) * 2004-02-19 2005-08-25 Fulton John L. Process and apparatus for removing residues from semiconductor substrates
US8136423B2 (en) 2005-01-25 2012-03-20 Schukra of North America Co. Multiple turn mechanism for manual lumbar support adjustment

Also Published As

Publication number Publication date
EP1965933A2 (en) 2008-09-10
US8591662B2 (en) 2013-11-26
US20140059789A1 (en) 2014-03-06
KR20130042061A (ko) 2013-04-25
US20130048021A1 (en) 2013-02-28
US8316866B2 (en) 2012-11-27
WO2007079373A2 (en) 2007-07-12
US20070084483A1 (en) 2007-04-19
JP2013042172A (ja) 2013-02-28
WO2007079373A3 (en) 2008-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5237825B2 (ja) 半導体基板を洗浄する方法および装置
JP5518163B2 (ja) 半導体基板を洗浄する方法および装置
US7799141B2 (en) Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
CN102387872A (zh) 使用粘弹性清洁材料去除衬底上的颗粒的设备和方法
US8317934B2 (en) Multi-stage substrate cleaning method and apparatus
EP2220670A1 (en) Method and apparatus for removing contaminants from substrate
US20020094684A1 (en) Foam cleaning process in semiconductor manufacturing
US8716210B2 (en) Material for cleaning a substrate
US20070084485A1 (en) Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
WO2016043924A1 (en) Method and apparatus for high efficiency post cmp clean using engineered viscous fluid
SG176795A1 (en) Damage-free high efficiency particle removal clean
US20100043824A1 (en) Microelectronic substrate cleaning systems with polyelectrolyte and associated methods
US20090101166A1 (en) Apparatus and methods for optimizing cleaning of patterned substrates
KR20080057087A (ko) 웨이퍼 습식 세정 장비 및 이를 이용한 습식 세정 방법
US20150040941A1 (en) Method and Apparatus for Cleaning A Semiconductor Substrate

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20130815

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20130823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20130816

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131029

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140127

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140304

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5518163

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees