JP4892565B2 - 安定化流体溶液を使用した基板調製及び安定流体溶液作成方法 - Google Patents

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Description

集積回路、メモリセル等の半導体デバイスの製造において、一連の製造工程を実行して、半導体ウェーハ(「ウェーハ」)上に特徴部を定める。ウェーハは、シリコン基板上に定められた多層構造の形態の集積回路デバイスを含む。基板レベルでは、拡散領域を備えたトランジスタデバイスが形成される。後続のレベルでは、相互接続金属化線をパターン形成し、トランジスタデバイスと電気的に接続して、所望の集積回路デバイスを定める。更に、パターン形成済みの導電層は、誘電体により他の導電層から絶縁する。
一連の製造工程中、ウェーハ表面は、様々な種類の汚染物に露出される。基本的には、製造構成に存在するあらゆる物質は、汚染源となる可能性がある。例えば、汚染源は、特に、処理ガス、化学物質、体積物質、及び液体を含み得る。様々な汚染物は、特定の形態でウェーハ表面に堆積し得る。粒子状汚染物が除去されない場合、汚染物周辺のデバイスは、処理不能となる可能性が高い。したがって、ウェーハに定められた特徴部に損傷を与えることなく、実質的に完全な形で、ウェーハ表面から汚染物を洗浄する必要がある。しかしながら、粒子状汚染物のサイズは、ウェーハ状に製造された特徴部の限界寸法サイズ程度である場合が多い。特徴部に悪影響を与えずに、こうした小さな粒子状汚染物を除去することは、非常に困難となる可能性がある。
従来のウェーハ洗浄方法は、ウェーハ表面から粒子状汚染物を除去する機械力に大きく依存していた。特徴部のサイズが減少を続け、更に脆弱になるにつれ、ウェーハ表面への機械力の付与による特徴部の損傷の可能性は大きくなる。例えば、高アスペクト比の特徴部は、十分な機械力を受けた際に、倒れたり割れたりしやすい。洗浄の問題を更に複雑にするのは、小さな特徴サイズへの移行により、粒子状汚染物のサイズも小さくなることである。十分に小さなサイズの粒子状汚染物は、高アスペクト比の特徴部に囲まれたトレンチ内等、ウェーハ表面の到達が難しい領域に入り込むこと場合がある。したがって、現代の半導体製造中の汚染物の効率的且つ損傷のない汚染物除去は、ウェーハ洗浄技術における継続的な進歩によって満たすべき継続的課題を意味する。フラットパネルディスプレイの製造工程は、上記の集積回路製造と同じ欠点を有することを理解されたい。
多くの場合、表面の洗浄用に生成された溶液は、十分に安定しておらず、経時的に稠度が変化し得る。稠度の変化の一例は、溶液中の物質が上部に浮上又は底部に沈下する時である。これが生じた場合、再混合する必要があり、或いは、基板表面に依然として溶液を付与可能であり、溶液に期待される作用/結果が依然として有効となるように、溶液を再確認する必要がある。このため、一部の溶液は、余分な試験又は再調整無しでは正しく機能しない可能性があるため、後の使用のために作成及び保存できない。
上記を鑑みて、余分な試験、試料抽出、再攪拌、再調整、再混合等を行わずに、作成、保存、及び時間をおいた使用が可能な溶液の必要性が存在する。
大まかに言って、本発明は、固体材料が洗浄溶液の残りの部分から分離できないように、固体材料を懸濁状態で弾性的に保持可能な安定溶液を提供することで上記の必要性を満たす。溶液は、好ましくは、溶液の連続媒体に対する固体粒子の相対浮力のため、固体粒子が溶液上部へ浮上又は溶液底部へ沈下するのが防止されるように、流体中の固体粒子を安定化する重合体高分子を含む。一実施形態において、重合体高分子は、溶液に有限の降伏応力を与える接点を備えた物理ネットワークを形成する。そのため、物理ネットワークは、降伏値を下回る応力により変形させた時、弾性固体の挙動を示す。降伏応力を上回る応力を材料に加えた場合、ネットワークは屈服し、溶液に流体状の挙動が生じる。固体の浮力がもたらす応力が連続媒体の降伏応力を下回る場合、固体粒子は、ネットワークに捕らわれ、移動できない。この物理ネットワークは、粒子を懸濁状態に維持することで洗浄溶液を安定化させるが、降伏応力を上回る場合に溶液は流体の挙動を示すため、実用性を阻害しない。加えて、重合体添加物は、固体−ウェーハの接触と、より優れた汚染除去とを促進する、ウェーハ表面への垂直力を付与時に提供可能な弾性を溶液に与えることができる。
本発明は、装置、方法、及びシステムを含む多数の方法で実現可能であることを理解されたい。以下、本発明の幾つかの実施形態を説明する。
一実施形態では、基板の表面の処理に使用される溶液を作成する方法を提供する。方法は、連続媒体を提供する工程を含み、連続媒体には重合体材料が追加される。重合体材料を有する連続媒体に脂肪酸が追加され、重合体材料は、脂肪酸が受ける浮力を克服する力を溶液中に及ぼす物理ネットワークを定め、これにより、付加された攪拌が重合体材料の降伏応力を上回るまで、脂肪酸が溶液中で移動するのを防止する。付加された攪拌は、溶液を容器から、基板の表面に溶液を付与する処理ステーションへ輸送することによるものである。
別の実施形態では、表面洗浄用の溶液を使用する方法を提供する。方法は、溶液を容器に供給する工程を含み、溶液は、少なくとも、連続媒体と、重合体材料と、固体材料とから混合される。溶液中の重合体材料は、溶液が安定弾性ゲル形態において維持されるように、有限の降伏応力を材料に与える。安定弾性ゲル形態は、固体材料の形態を適所に保持し、溶液の合成後、溶液の保存中常に、有限降伏応力未満の応力が溶液に与えられた場合に、固体材料が溶液中で移動するのを防止するように構成される。方法は、更に、少なくとも最低剪断応力を溶液に加える工程を含み、最低剪断応力は、少なくとも有限降伏応力より大きく、安定弾性ゲル形態が固体状から液体状の挙動に変化する。その後、最低剪断応力を与えた後、容器から溶液を流動させ、容器から流動させる溶液は、溶液中の固体材料の混合稠度を有する。方法は、その後、基板表面への付与のために、溶液を処理システムに供給する工程を含む。
更に別の実施形態では、基板洗浄システムを開示する。システムは、洗浄工程中に基板の表面にメニスカスを付与する近接ヘッドシステムを含み、メニスカスは溶液により定められる。システムは、溶液を保持するための容器を含み、溶液は、少なくとも、連続媒体と、重合体材料と、固体材料とから混合され、溶液中の重合体材料は、安定した弾性ゲル形態を可能にする有限の降伏応力を材料に与える。安定した弾性ゲル形態は、固体材料の形態を適所に保持し、溶液の合成後、溶液の保存中常に、有限降伏応力未満の応力が溶液に与えられた場合に、固体材料が溶液中で移動するのを防止するように構成される。システムは、更に、溶液を容器から近接ヘッドシステムへ移動させるためのポンプを含み、ポンプは、少なくとも最低剪断応力を溶液に加える。ポンプは、安定弾性ゲルを液体に変化させる有限降伏応力を超える攪拌を提供する。近接ヘッドシステムのヘッドは、メニスカスの形態で基板表面に付与されるように構成された溶液を受領する。メニスカスは、用途に応じて、二状態の形態又は三状態の形態にすることができる。
更に別の実施形態では、基板洗浄システムを開示する。システムは、洗浄工程中に基板の表面に溶液を付与するジェット付与システムを含む。溶液を保持する容器が提供される。溶液は、少なくとも、連続媒体と、重合体材料と、固体材料とから混合され、溶液中の重合体材料は、溶液が安定した弾性ゲル形態において維持されるように、有限の降伏応力を材料に与える。安定した弾性ゲル形態は、固体材料の形態を適所に保持し、溶液の合成後、溶液の保存中常に、有限降伏応力未満の応力が溶液に与えられた場合に、固体材料が溶液中で移動するのを防止するように構成される。溶液を容器からジェット付与システムへ移動させるためのポンプが提供され、ポンプは、少なくとも最低剪断応力を溶液に加える。ポンプは、安定弾性ゲルを液体に変化させる有限降伏応力を超える攪拌を提供する。ジェットは、不必要な汚染物を除去するために、基板の表面に溶液を吹き付ける。
本発明の他の態様は、本発明の原理を一例として示す添付図面と併せて、以下の詳細な説明から明らかとなろう。
本発明は、同様の参照符号が同様の構造要素を示す添付図面と併せて、以下の詳細な説明により容易に理解されよう。
本発明を、半導体産業において使用し得る、方法、使用するシステム、表面の処理において使用する材料の作成方法として説明する。一実施形態において、材料は、表面の処理に使用可能な溶液として定義される。「処理」とは、広義には、洗浄、エッチング、体積、除去、又は基板表面の改変を含み、特に、基板からの粒子、汚染物又は不要な材料、層、又は表面の洗浄を含む。「基板」は、本明細書で使用される例として、製造又は取扱工程中に汚染され得る、半導体ウェーハ、ハードドライブディスク、光学ディスク、ガラス基板、フラットパネルディスプレイ表面、液晶ディスプレイ表面等を制限無く示す。実際の基板に応じて、表面は、様々な形で汚染される場合があり、汚染の許容レベルは、基板が扱われる特定の産業において定義される。
溶液は、本明細書の定義において、懸濁溶液であり、重合体ネットワーク材料内に固定を懸濁させるように生成される。重合体ネットワークは、降伏値を下回る応力により変形させた時に弾性固体の挙動を示す物理ネットワークを定める。溶液は、少なくとも、連続媒体(例えば、水)と、重合体と、固体(例えば、脂肪酸)とを含む。固体は、溶液の連続媒体に対して何らかの浮力を有し得るが、適所に保持されるため、沈下も浮上もできなくなる。固体が沈下又は浮上する場合、溶液は、使用前に再混合する必要があり、ダウンタイム、或いは、すぐに使用可能な溶液を生成するのに必要な混合の度合いにおける不確実性が持ち込まれる可能性がある。
以下説明するように、溶液の重合体は、混合溶液内で固体を懸濁させて適所に保持する粘塑性流体(例えば、ゲル状)のような挙動を、溶液が示すように構成される。溶液は、一実施形態において物理的ゲルのように振る舞い、懸濁固体の浮力による応力より大きな有限降伏応力を有するため、沈殿又はクリーム化を防止し、溶液を安定させる。加えて、重合体の安定化高分子は、汚染の除去を促進する弾性を溶液に与える。
しかしながら、こうした特定の詳細の一部又は全部が無くとも本発明を実施し得ることは、当業者には明らかであろう。また、周知の処理工程は、本発明を不必要に曖昧にしないために詳細な説明は省略している。
図1は、剪断応力をY軸線に、剪断速度をX軸線にプロットしたグラフ100を示している。グラフ100は、それぞれ異なる塑性粘度を定めるプロット102aとプロット102bとを示すために提示される。プロット102aは、塑性粘度Aを有し、プロット102bは、グラフの傾斜で区別される組成粘度Bを有する。図示したように、プロット102a及びプロット102bのそれぞれは、X軸線においてゼロから始まる。したがって、粘塑性流体は、粘塑性流体が連続的に変形する前に超える必要がある降伏応力τyを有する。降伏応力未満では、粘塑性流体には弾性変形のみが生じる。降伏応力を超えると、粘塑性流体は、連続的に変形を始め、更なる剪断応力が加わるにしたがって、剪断速度は比例して増加し、比例定数は、粘塑性流体の粘度である。
粘塑性流体の例は、その一部として、一般に「ビンガム塑性体」と呼ばれる材料を含み得る。ビンガム塑性体は、図1に定めたように、直線的な剪断応力対剪断速度の挙動を示す。粘塑性流体に加わる剪断速度が高くなるほど、粘性の低下が大きくなり、粘塑性流体はニュートン特性を示すことが可能となる。本明細書において、ニュートン流体は、ニュートンの粘度法則の流動学的定義に忠実なものである。
非ニュートン流体は、本明細書において、加わった剪断応力により粘度が変化する流体である。非ニュートン流体は、ニュートンの粘度法則に従わない。剪断応力は、剪断速度の非線形関数となる。見掛けの粘度が剪断速度によりどのように変化するかに応じて、流動の挙動も変化する。非ニュートン流体の例は、固体及び液体の両極端の中間を占める軟性凝縮物質である。軟性凝縮物質は、外部応力により容易に変形可能であり、軟性凝縮物質の例は、乳液、ゲル、コロイド、発泡体等を含む。乳液は、例えば、練り歯磨き、マヨネーズ、水中油等、非混和液の混合物であると理解されたい。
ニュートン及び非ニュートン流体の機能性及び組成の更なる情報については、(1)2005年6月30日提出の米国特許出願第11/174,080号「半導体ウェーハから材料を除去する方法及び方法を実行する装置」と、(2)2005年6月15日提出の米国特許出願第11/153,957号「非ニュートン流体を使用して基板を洗浄する方法及び装置」と、(3)2005年6月15日提出の米国特許出願第11/154,129号「非ニュートン流体を使用して基板を運搬する方法及び装置」とを参照することができる。
図2は、Y軸線の粘度に対して、X軸線に剪断速度をプロットしたグラフ120を示している。曲線122は、粘塑性流体が剪断速度の増加を受けた時の剪断減粘の力学を示すためのものである。基本的には、粘塑性流体の粘度は、剪断速度の増加と共に、曲線122に沿って低下する。剪断減粘の方向が示すように、粘塑性流体に加わる剪断速度が大きくなるほど、剪断速度の増加と共に非ニュートン挙動の特徴がニュートン挙動に変化する度合いが高くなる。したがって、剪断速度がゼロである時、図1及び2の両方に示したように、粘塑性流体は、実質的に安定した、実質的に弾性固体の形態となる(即ち、実質的に非変形の状態)。しかしながら、剪断速度が増加すると、粘度は低下し、限界降伏応力点を超えると、粘塑性流体の実質的に固体弾性の形態から実質的に流体の形態への変化が生じる。したがって、剪断減粘プロセスは、増加する剪断速度により、流体の見掛けの粘度が減少するものである。この種の挙動は、「偽塑性」とも呼ばれ、剪断を開始するのに初期応力(降伏応力)を必要としない。
粘塑性流体の力学を念頭に置くと、本発明の一実施形態は、溶液を実質的安定懸濁形態にするために構築された溶液を定義する。実質的安定懸濁形態は、実質的に弾性固体であり、非流動性のものである。ゼリーの動きと同様に、何らかの弾性運動は生じ得る。更に、安定懸濁形態は、溶液を定める任意の構成要素を適所に保持する(即ち、懸濁させる)。したがって、溶液は、粘塑性の挙動を示し、溶液をニュートン流体の形態で使用及び付与可能になる前に、最低降伏応力を溶液に加える必要が生じるようになる。
図3は、本発明の一実施形態による、粘塑性流体特性を有する懸濁溶液を定めるために共に混合し得る構成要素を特定するシステム図300を示す。溶液の基礎成分は、本発明の一実施形態によれば、三種類の成分である。その他の部分、流体、化学物質、又は添加物も追加されるが、基礎成分は、図3に示す三種類により定義される。したがって、第一の成分は、重合体ネットワーク生成材料302であり、第二の成分は、連続媒体304であり、第三の成分は、固体材料306である。重合体ネットワーク生成材料302は、好ましくは、溶液の他の成分と組み合わせた時に重合体ネットワークを定めることが可能なポリ(アクリル酸)等の重合体である。
ここで、重合体ネットワーク生成材料302を定めるのに使用される重合体材料の例を示す。一実施形態において、制限無く、実質的な変形無く降伏応力を吸収可能な重合体は、カルボポール、スタビリーゼ、レオビスATA及びレオビスATN、ポリ(アクリル酸)、カラギーナン、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、アラビアガム、トラガカントガム、ポリアクリレート、カルボマ等を制限無く含み得る。しかしながら、様々な種類の重合体材料を使用し得るが、選択された重合体は、結果的に生じた溶液により、溶液の弾性固体状態への安定化を助けるネットワークを生成できるものにするべきであると理解されたい。
大まかに言って、連続媒体304は、脱イオン水、炭化水素、選択された基礎流体、フッ化水素酸(HF)、アンモニア、及び半導体基板表面の洗浄に有用となり得る他の化学物質及び/又はDI水中の化学物質の混合物にしてよい。特定の例において、連続媒体304は、水(脱イオンその他)のみで定められる水性の液体である。別の実施形態において、水性の液体は、水に溶解した他の構成要素と組み合わせて水により定められる。更に別の実施形態では、非水性の液体が、特に炭化水素、フルオロカーボン、鉱油、又はアルコールにより定められる。液体が水性か非水性かに関係なく、液体は、イオン又は非イオン溶媒及び他の化学添加物を含むように修正できると理解されたい。例えば、液体に対する化学添加物は、共溶媒と、pH調製剤(例えば、酸及び塩基)と、キレート剤と、極性溶剤と、界面活性剤と、水酸化アンモニウムと、過酸化水素と、フッ化水素酸と、水酸化カリウムと、水酸化テトラメチルアンモニウムと、重合体、粒子、及びポリペプチド等の流動調整剤との任意の組み合わせを含むことができる。
固体材料306は、一実施形態において、脂肪族酸、カルボン酸、パラフィン、ワックス、重合体、ポリスチレン、樹脂、ポリペプチド、及び他の粘弾性材料により定義し得る。一実施形態において、固体部分306の材料は、連続媒体304内の溶解限度を超える濃度で存在するべきである。更に、特定の固体材料に関連する洗浄有効性は、温度、pH、及び他の環境条件の関数として変化し得ると理解されたい。
脂肪族酸は、炭素原子が開鎖を形成する有機化合物を定める基本的に任意の酸を表す。脂肪酸は、固体材料として使用可能な脂肪族酸の一例である。固体として使用し得る脂肪酸の例は、特に、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、ガドレイン酸、エルカ酸(eurcic acid)、酪酸、カプロン酸、カプリル酸、ミリスチン酸、マルガリン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸(lignoseric acid)、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、ネルボン酸(nervanic acid)、パリナリン酸、ティムノドン酸、ブラシジン酸、クルパノドン酸、リグノセリン酸(lignoceric acid)、セロチン酸、及びその混合物を含む。一実施形態において、固体材料306は、C−1からC−26程度まで延びる様々な炭素鎖長により定められる脂肪酸の混合物を表す(脂肪酸は偶数の炭素のみを有する)。カルボン酸は、一つ以上のカルボキシル基(COOH)を含む基本的に任意の有機酸により定められる。カルボン酸は、C−1からC−100程度まで延びる様々な炭素鎖長の混合物を含むことができる。更に、カルボン酸は、連続媒体304の溶解限度を上回る長鎖アルコール、エーテル、及び/又はケトンを含むことができる。一実施形態において、固体として使用される脂肪酸は、基板表面の汚染粒子と接触した時、界面活性剤として機能する。
重合体ネットワーク生成材料302、連続媒体304、及び固体材料306は、その後、弁310a、310b、及び310cを経由して、材料を合成容器320へ提供するライン308を通過する。制御は、コンピュータ制御又は手動制御にしてよい。ライン308及びバルブ310は、流体の輸送と、受領ソースへ送給し得る流体に対するアクセスの制御とに使用可能な構造を示すように図示されている。しかしながら、処理、格納、又は使用のために流体を所望の位置へ連絡可能である限り、任意の数の構造が可能であると理解されたい。本例では、合成容器320は、ビーカ、タンク、混合マニホルド、ステージングパイプ、保持シリンダ、加圧可能な容器、温度制御槽、或いは、少なくとも、重合体ネットワーク生成材料302、連続媒体304、及び固体材料306による受領材料を保持する任意の種類の容器構造にしてよい。302、304、及び306による材料は、設備を介して直接提供してよく、必ずしも事前に容器に保管しなくてもよいが、図示を簡略化するため、容器は、人間又はコンピュータの命令通りに、その内容物を制御された形で合成容器320へ提供するように図示されている。合成容器320への導入の際に、所定の時点での合成容器による構成要素の混合を可能にする混合器324を、合成容器320に設けてもよい。
混合及び合成の結果、合成容器320内の異なる構成要素は、懸濁溶液322を生成する。懸濁溶液には、混合及び合成の際に、特定の時点で、様々な構成要素の温度特異的な混合、調合、及び/又は溶解が可能となるように、熱源326を提供する。結果的に生じた溶液322は、その後、出力流動ライン328を介して、容器330へ移動させる。出力流動ラインは、懸濁溶液322を合成容器320から容器330へ移送可能な任意の種類の導管又は導管群にしてよい。最初に、懸濁溶液322を合成容器322から移動させる際には、懸濁溶液322の粘塑性の性質を、出力流動ライン328に沿って容器3320へ流動させるように、最低剪断応力を付加し得る。
懸濁溶液322を容器330へ移送した後、懸濁溶液は、固体の核生成が起こり、固体が共に結合又は成長して、懸濁溶液322中で更に大きなサイズの固体が生じるように、時間と共に熟成を続けてもよい。しかしながら、熟成プロセス中、懸濁溶液322中の固体は、固体が容器330上部へ上昇又は容器330底部へ降下しないように、重合体ネットワーク材料により懸濁させる。
即ち、懸濁溶液322中の個別の懸濁固体それぞれの(連続媒体に対する)浮力は、固体の浮上又は沈下の何れかの傾向に影響を与えるが、何らかの移動の傾向は、懸濁溶液322の重合体ネットワークにより無効化される。したがって、固体は、溶液を使用する必要が生じるまで、実質的に弾性の懸濁液中に留まる。懸濁溶液322を使用する必要がある時、或いは輸送する必要がある時、剪断速度の増加に従って溶液に剪断減粘が発生可能となるように、懸濁溶液322の降伏応力を乗り越える必要がある。
図4は、実質的弾性状態(例えば、固体)で静止して保持及び格納する、懸濁溶液中に分散した固体を有する複数のコンテナ330を示している。したがって、上記のように、溶液の固体状態は、弾性のある粘塑性流体として機能するように設計され、懸濁溶液322の連続媒体中の固体に関連するあらゆる浮力は、実質的に適所に留まる。そのため、懸濁溶液322は、十分に分散した状態で使用の準備が整い、溶液に関連するあらゆる保管場所で、懸濁溶液とその構成要素とは既に分散して混合された形態であるため、使用前の混合を必要としない。
溶液を粘塑性流体状態にする利点は、溶液を大きなまとまりとして事前に混合した後、格納し、使用場所へ輸送し得ることである。後の時点まで溶液を使用する必要がない場合、溶液は、使用が指示されるまで、分散した安定懸濁形態を保持し続ける。
図5は、基板処理システム400で使用する必要がある時に、容器330から懸濁溶液を使用する際のシステム図である。図示したように、容器330は、懸濁溶液332を保持する。懸濁溶液332を使用する必要がある時、溶液は、ポンプ352を使用して容器330から汲み出し得る。ポンプ352は、懸濁溶液中に配置された導管350に接続された状態で図示している。したがって、ポンプ352がもたらす攪拌は、懸濁溶液332に剪断応力を加える働きをするため、剪断応力付加区域344(容器内のどこか)により、溶液(或いは、少なくとも溶液の一部)に連続的な流動が生じる。したがって、粘度の低下した流体は、インジケータ332aにより示したように、導管350に沿って自在に移動する。流動する溶液は、その後、流体を何らかの目的地へ方向付けるポンプ352により輸送される。
そのため、ポンプ352は、懸濁溶液332を輸送する役割を果たし、懸濁溶液の剪断減粘反応により、導管360a及び362を介した容易な輸送が可能となる。一実施形態において、ポンプ352は、導管360aを介して低粘度溶液を発泡生成システム370へ流入させるように接続し得る。発泡生成システム370は、導管360bを介した連絡の前に、溶液に発泡プロセスが発生させるように構成されたガス圧力室372を含み得る。したがって、導管360bは、溶液を三状態体の形態で基板処理システム400の一つ以上のシステムへ運搬する。三状態体は、溶液の「流体」成分及び「固体」成分に「気体」成分を追加したものである。三状態体は、以下で更に詳細に定義する。
別の実施形態において、ポンプ352は、溶液を単純に二状態体で基板処理システム400に連絡し得る。二状態体は、「流体」成分及び「固体」成分を有するが、「気体」成分を実質的に有しないものである。気体は実質的に二状態体溶液の一部になっていないが、何らかの気体は溶液中に元々存在し得ると言える。
基板処理システム400は、任意の数のシステムを含んでよく、その幾つかを例として挙げる。システムの一例は、近接ヘッドシステム402であり、近接ヘッドを使用して、ヘッド表面と基板表面との間でメニスカスを基板表面に付与する。一個の近接ヘッドを基板の上面で使用するか、或いは、二個の近接ヘッドを、基板の上面及び底面の両方がほぼ同時に処理されるように使用し得る。
一実施形態では、基板を水平方向に移動させ、メニスカスに基板表面を横断させる。別の実施形態では、近接ヘッドシステムのヘッドを基板表面全体で移動させてよい。
「メニスカス」とは、本明細書において、近接ヘッドと基板表面との間に形成する制御された流体メニスカスにしてよく、メニスカスは、流体の表面張力により、所定位置において、制御された形態で保持される。メニスカスの制御は、流体の制御された送給及び除去によっても確保され、流体により定められるメニスカスを、制御された形で定めることが可能となる。メニスカスは、基板表面の洗浄、処理、エッチング、又は処理するのに使用し得る。表面の処理は、粒子又は不要な材料がメニスカスにより除去されるようなものにしてよい。関連する実施形態において、メニスカスは、三状態体(例えば、発泡溶液)から形成してよく、溶液が基板表面上に単純に乗っていてもよいが、表面張力に影響される流体溶液とは異なる機械的機能となる。発泡溶液は、非ニュートン流体に近い挙動を示す。
しかしながら、ニュートンメニスカス流体は、制御された形で真空により流体を除去しながら、近接ヘッドに流体を供給することで制御される。メニスカスと基板との間の表面張力を減少させるために、気体張力減少剤を近接ヘッドに任意に提供してよい。近接ヘッドに供給される気体張力減少剤により、メニスカスは基板表面上をより高速で移動できる(したがって、スループットが増加する)。気体張力減少剤の例は、窒素と混合したイソプロピルアルコール(IPA/N2)である。気体張力減少剤の別の例は、二酸化炭素(CO2)である。気体が特定の基板表面に望ましい処理に干渉しない限り、他の種類の気体も使用し得る。
メニスカスの形成と基板表面への付与とに関する更なる情報については、それぞれ本願の譲受人であるLam Research Corporationに譲渡された、(1)2003年9月9日発行の米国特許第6,616,772号「ウェーハ近接洗浄及び乾燥のための方法」、(2)2002年12月24日提出の米国特許出願第10/330,843号「メニスカス、真空、IPA蒸気、乾燥マニホルド」、(3)2005年1月24日発行の米国特許第6,998,327号「動的液体メニスカスを使用して基板を処理する方法及びシステム」、(4)2005年1月24日発行の米国特許第6,998,326号「疎性障壁によるメニスカスの分離及び閉じ込め」、及び(5)2002年12月3日発行の米国特許第6,488,040号「単一のウェーハの洗浄及び乾燥用の毛管近接ヘッド」を参照し得る。
次の例は、近接ヘッドブラシシステム404である。この例は、ウェーハ表面を磨くように構成されたブラシローラ等の他の種類の洗浄システムと近接ヘッドシステムを組み合わせ得ることを示すために提示する。表面は、ブラシにより上面又は底面で磨いてよく、近接ヘッドシステムは、上面又は底面で使用し得る。
ブラシは、回転中に溶液を基板表面へ提供し得るポリビニルアルコール(PVA)ブラシにしてよい。ブラシが提供する流体は、ブラシ(TTB)の中心を介して提供してよく、流体は、洗浄、及び/又はエッチング、及び/又は基板表面を用途に応じて疎水性又は親水性に構成するために使用し得る。
別のシステムは、三状態体又は二状態体を基板表面に付与するスプレ/ジェットシステム406にしてよい。スプレ及びジェットは、三状態体又は二状態体の固体を効率的に分散させ、適切な処理工程が可能となるように付与し得る。ジェット付与に関する更なる情報については、2006年10月4日提出の米国特許出願第11/543,365号「粒子除去のための方法及び装置」を参照し得る。更に別の実施形態において、モジュールはタンクとして構成できる。タンクを溶液で満たし、基板(又は基板群)をタンク中に低下させ、その後、タンクから取り出すことが可能である。この種の基板処理は、ディッピングと呼ばれる場合がある。ディッピングを行う時、溶液は、弾性状態と流体状態との何れかにすることができる。基板の溶液中への移動は、懸濁溶液332の降伏応力を克服する必要な剪断応力を提供し得る。
処理工程は、洗浄、乾燥、エッチング、表面状態の変換(例えば、疎水性/親水性)、及び/又は基板調製システム400のシステムを使用して付与した固体の支援により粒子を除去する一般的な洗浄を目的とし得る。
しかしながら、容器330及び懸濁溶液322は、一定期間保存し得るものであり、使用時には、懸濁溶液322の降伏応力を克服する剪断応力を加えることで、その用途のために流動及び基板表面への付与が可能となるように、実質的な固体状態からニュートン状態で流動する流体へ変化させることができると理解されたい。最低剪断応力の量の例は、約1e−6Pa乃至約100Paとなり得る。しかしながら、正確な量は、特定の溶液の組み合わせ要素に応じて変化する。
懸濁溶液332を懸濁形態で維持することで、固体が容器の表面へ浮上又は底面へ沈下することに関連する問題は回避され、分散し、十分に混合された状態は、懸濁溶液が付与及び使用のために必要となるまで持続する。一貫した分布を可能にするための流体の再調整に費やされていたダウンタイムは回避することが可能となり、懸濁溶液によるスループットの高い効率的な処理が実行可能であり、必要な時期に基板へ施すことができる。
図6は、保管時に実質的弾性状態を示し、その後、溶液が必要な時に剪断応力の付加により実質的にニュートン流体に変化する溶液を生成するための製法例600を示す。製法は、連続媒体を供給する工程602を含む。上記のように、連続媒体は、多数の流体及び/又は材料により定義可能であるが、この特定の例において、連続媒体は脱イオン(DI)水である。
次に、工程604において、連続媒体に重合体を供給し、実質的に脱イオン水に溶解するまで混合する。604の混合溶液は、工程606において加熱する。溶液の加熱は、温度が約30℃乃至約100℃、一実施形態では、約65℃乃至約85℃になるように行うべきである。
溶液の加熱中、工程608において、界面活性剤を混合物に追加する。界面活性剤材料は、好ましくは、ラウリル硫酸アンモニウム、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸、ラウリル硫酸トリエタノールアミン、又はイオン性界面活性剤の何れかである。工程608において界面活性剤を加熱混合物に追加した後、溶液を高RPMで引き続き混合する。高毎分回転数(RPM)の例は、約50RPM乃至約1,500RPMにしてよい。高RPMでの混合は、可能な限り、但し顕著な泡層の生成なく継続するべきである。この混合工程中に何らかの気泡が形成された場合、最低限の量の気泡は許容される。工程612において、溶液を再び約70℃乃至約80℃の温度範囲に加熱した後、中和塩基成分を溶液に追加する。一実施形態において、中和塩基成分はアンモニア(即ち、NH4OH)である。他の中和塩基成分も有効となる場合があり、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエタノールアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムも有効となり得る。
工程614において、中和塩基成分を工程612において追加した直後に、固体成分を追加し、固体が加熱混合物中で実質的に融解するまで混合する。工程614における固体成分の溶液中での混合は、固体成分が溶液中で実質的に溶解するまで継続する。工程616において、キレート剤を追加し、その後、混合する。他のキレート剤も有効となる場合があり、例えば、EDTA、乳酸、グリシン、グルコン酸、クエン酸も有効となり得る。この時点で、溶液は、依然として約65℃乃至約85℃の温度範囲に保持されていることが好ましい。
溶液は、工程616において、約5分間乃至約120分間、混合する。工程618において、溶液をほぼ室温まで冷却し、図3の容器330等の容器へ移動させる。または、溶液を容器330へ移動させた後で冷却する。冷却中、溶液では核生成が生じ、最終的な固体弾性状態に達し、その状態が保持される。最終的な溶液は、乳白色と、溶液の粘性とを有するように見える。更に、冷却中、溶液は、水よりも僅かに高い粘度を有する稠度へ時間と共に変化する。この時点で、溶液は、粘塑性体、或いはビンガム塑性体と同様の挙動を示す。工程620では、固体(例えば、脂肪酸)を安定した実質的な懸濁状態にして、溶液を保存可能である。
一実施形態において、基本的な溶液を作成する製法の別の例を表Aに定める。約一リットルの大きさのビーカを使用して、溶液の処方例を示している。

表A
(a)DI水をビーカに加え、かき混ぜ始める。
(b)流動調整剤(例えば、重合体)を溶液に追加し、成分が溶解するまで高RPMで混合する。
(c)溶液を約75℃まで加熱し始める。
(d)溶液が50℃前後になった後、界面活性剤成分を追加する。
(e)相対的に高いRPM(顕著な泡層の生成無く、可能な限り高速)で混合するが、ある程度の気泡が溶液に混合されても構わない。
(f)溶液が75℃に達した後、中和塩基成分(例えば、NH4OH)を追加する。
(g)塩基を追加した直後に、ステアリン酸(例えば、脂肪酸)を追加する。
(h)ステアリン酸が実質的に融解するように約10分間混合する(攪拌速度を調整し、最大限に混和させる―気泡が多すぎる場合は混合速度を低下させる)。
(i)溶液を約75℃に維持した状態で、キレート剤を追加する。
(j)更に10分間混合する。
(k)この時点で、溶液を混合源から取り出し、容器において冷却(或いは後の使用のために保存)してよい。
図7は、本発明の一実施形態による、懸濁溶液の使用する工程例を定義するフローチャート700を示す。方法は、工程720において開始され、安定した懸濁溶液として特徴付けされた溶液の容器を取得する。溶液は、ある程度の期間に渡って保存されていてもよく、或いは、直前に作成し、冷却させてもよい。
何れの場合も、容器は、固体を懸濁形態で有しているため連続媒体に対する固体の浮力が克服できない粘塑性流体を保持している。工程720において、剪断応力が溶液に加わり、非ニュートン特性をニュートン特性へ変化させる。非ニュートン特性は、降伏応力を有する粘塑性材料の特性である(例えば、実質的に固体の形態を示す)。
剪断応力が加わると、図1及び2を参照して述べたように、粘塑性材料は、工程704において、ニュートンの挙動が優勢となるまで剪断減粘する。工程706において、溶液は、一つ以上の付与システムを介した基板への付与の前に、容器から次の段階へ流動させることができる。工程708において、溶液は、任意に発泡させ、三状態体を形成できる。三状態体が必要ない場合、方法は、工程710へ移行し、二状態の形態の溶液を付与システムへ流動させる。
付与システムは、図5を参照して説明したような任意のシステムにしてよいが、部分、表面、又は半導体基板の洗浄に関与し得る他の何れかのシステムにしてよい。工程712において、溶液を基板表面に付与する。溶液は、基板の洗浄工程を助ける役割を果たし、固体は、表面に存在し得る粒子を除去するのを助ける。
本明細書において、三状態体洗浄材料は、気相、液相、及び固相を含む複数の三状態体を含有する。一実施形態において、気相及び液相は、中間物を提供し、基板表面の汚染粒子に固相を極めて近接させる。
一実施形態において、気体部分は、三状態体洗浄材料の体積の5%乃至99.9%を占めるように定められる。別の実施形態において、気体部分は、三状態体の約15%乃至約40%を占め、更に別の実施形態において、気体部分は、三状態体の約20%乃至約30%を占めることができる。気体部分を定める気体又は気体群は、不活性気体、例えば、窒素(N2)、アルゴン(Ar)等、或いは反応性気体、例えば、酸素(O2)、オゾン(O3)、過酸化水素(H22)、空気、水素(H2)、アンモニア(NH3)、フッ化水素(HF)、塩酸(HCl)等にすることができる。一実施形態において、気体部分は、単一の種類の気体、例えば、窒素(N2)のみを含む。別の実施形態において、気体部分は、オゾン(O3)、酸素(O2)、二酸化炭素(CO2)、塩酸(HCl)、フッ酸(HF)、窒素(N2)、及びアルゴン(Ar)と、オゾン(O3)及び窒素(N2)と、オゾン(O3)及びアルゴン(Ar)と、オゾン(O3)、酸素(O2)、及び窒素(N2)と、オゾン(O3)及びアルゴン(Ar)と、オゾン(O3)、酸素(O2)、窒素(N2)、及びアルゴン(Ar)と、酸素(O2)、アルゴン(Ar)、及び窒素(N2)とのような様々な種類の気体の混合物を含む、気体混合物である。気体部分は、結果的な気体混合物を液体部分及び固体部分と組み合わせて、基板洗浄又は処理工程に利用可能な三状態体を形成可能である限り、基本的に気体の種類の任意の組み合わせを含むことができると理解されたい。
特定の実施形態に応じて、液体又は気体部分以外の部分として定義される三状態体の固体部分は、基本的に任意の下位状態を表す物理特性を保有し得ると理解されたい。例えば、弾性及び可塑性等の物理特性は、三状態体内の様々な種類の固体部分の間で変化させることができる。更に、様々な実施形態において、固体部分は、結晶性固体又は非結晶固体として定められると理解されたい。特定の物理特性に関係なく、三状態体の固体部分は、基板表面に近接又は接触する位置にある時、基板表面への接着を回避できるか、或いは、容易に除去できるべきである(例えば、濯ぎによる流体力学的除去)。更に、固体部分の物理特性は、洗浄プロセス中に基板表面に損傷を発生させるべきではない。更に、固体部分は、粒子に近接又は接触する位置にある時、基板表面に存在する汚染粒子との相互作用を確立できるべきである。一実施形態において、固体部分は、発泡防止特性を有する。別の実施形態において、固体部分は、発泡促進特性を有する。用途と、三状態体を扱うために使用する装置に応じて、発泡促進又は防止特性は、段階的に、或いは製法に従って、調整可能である。
一実施形態において、固体部分は、液体部分及び気体部分への溶解を回避し、液体部分全体への分散を可能にする表面の機能性を有する。別の実施形態において、固体部分は、液体部分全体への分散を可能にする表面の機能性を有していないため、化学分散剤を液体部分に追加し、固体部分が液体部分全体に分散できるようにする必要がある。一実施形態において、固体部分は、一つ以上の成分の追加により液相内の溶解成分が反応して不溶性化合物が形成される沈殿反応により形成される。一実施形態において、固体部分は、液体部分に塩基を追加した時に(即ち、ゼータ電位を変更することで)懸濁する。特定の化学特性及び周囲の液体部分との反応に応じて、固体部分は、幾つかの異なる形態のうち一つ以上になり得る。
例えば、様々な実施形態において、固体部分は、集合、コロイド、ゲル、融合球体、或いは本質的に他の任意の種類の凝集物、凝固物、綿状凝集、集塊物、又は融合物を形成し得ると理解されたい。上記において特定した固体部分の形態の例示的なリストは、包括的なリストを表すものではなく、開示した実施形態の範囲に含まれる代替又は拡張も可能であると理解されたい。更に、固体部分は、基板及び汚染粒子との相互作用に関して上記の形で機能可能な基本的に任意の固体材料として定められると理解されたい。
以上、本発明の幾つかの実施形態を詳細に説明してきたが、本発明の趣旨又は範囲から逸脱することなく、他の多くの具体的形態で本発明を実施し得ることは、当業者には理解されよう。したがって、本例及び実施形態は、限定的ではなく例示的なものとみなされるべきであり、本発明は、本明細書に記載の詳細に限定されるべきではなく、添付特許請求の範囲内で変形且つ実施し得る。
本発明の一実施形態による、溶液の力学を示す図である。 本発明の一実施形態による、溶液の力学を示す図である。 本発明の一実施形態による、溶液の主要構成要素の混合の例を示す図である。 本発明の一実施形態による、弾性ゲル状形態で安定して保管し得る、幾つかの容器の例を示す図である。 本発明の一実施形態による、溶液を剪断減粘により安定ゲル状形態から低粘度流体へ変化させる溶液の使用例を示す図である。 本発明の一実施形態による、溶液を作成する方法の一例を示す図である。 本発明の一実施形態による、溶液の使用方法の一例を示す図である。

Claims (20)

  1. 基板の表面を処理する際に使用する溶液を作成する方法であって
    連続媒体を用意する工程と、
    前記連続媒体に重合体材料追加する工程と、
    前記重合体材料を有する前記連続媒体に脂肪酸を追加する工程と、
    を備え、
    前記溶液を攪拌して前記溶液を流動させる際に前記溶液に加わる剪断応力が前記重合体材料の降伏応力を上回るまでの間前記溶液中の前記重合体材料は、前記溶液中における前記脂肪酸の移動を防止する、方法。
  2. 前記連続媒体は、脱イオン(DI)水、炭化水素、塩基性流体、フッ酸(HF)溶液、アンモニアに基づく溶液、又はDI水及び化学物質の混合物の何れかである、請求項1記載の方法。
  3. 前記重合体材料は、カルボポール、スタビリーゼ、レオビスATA及びレオビスATN、ポリ(アクリル酸)、カラギーナン、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、アラビアガム(アカシア)、トラガカントガム、ポリアクリレート、又はカルボマの何れかである、請求項1記載の方法。
  4. 前記脂肪酸は、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、ガドレイン酸、エルカ酸(eurcic acid)、酪酸、カプロン酸、カプリル酸、ミリスチン酸、マルガリン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸(lignoseric acid)、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、ネルボン酸(nervanic acid)、パリナリン酸、ティムノドン酸、ブラシジン酸、クルパノドン酸、リグノセリン酸(lignoceric acid)、又はセロチン酸の何れかにより定められる、請求項1記載の方法。
  5. 前記脂肪酸はステアリン酸であり、前記連続媒体は脱イオン水であり、前記重合体材料はポリ(アクリル酸)である、請求項1記載の方法。
  6. 更に
    (i)ポリ(アクリル酸)を前記連続培地に約50RPM乃至約1,500RPMの高毎分回転数(RPM)で混合する工程と、
    (ii)前記溶液を約75℃まで加熱し、界面活性剤成分を追加する工程と、
    (iii)中和塩基成分を追加する工程と、
    (iv)前記ステアリン酸を追加した際に、前記ステアリン酸が実質的に溶液中で融解するように前記溶液を混合する工程と、
    (v)前記溶液が約75℃である間にキレート剤を追加する工程と、
    (vi)熟成できるように前記溶液を冷却する工程と、
    を備える、請求項5記載の方法。
  7. 前記脂肪酸は、ステアリン酸(CH3(CH216COOH)、パルミチン酸、及びオレイン酸で構成された集合から選択される、請求項1記載の方法。
  8. 基板を洗浄する溶液を使用する方法であって、
    少なくとも、連続媒体と、重合体材料と、固体材料とから混合される溶液で、前記溶液中の前記重合体材料は、前記溶液が安定弾性ゲル形態において維持されるように、有限の降伏応力を前記材料に与え、前記安定弾性ゲル形態は、前記固体材料の形態を適所に保持し、前記溶液の合成後、前記溶液の保存中常に、前記有限降伏応力未満の応力が前記溶液に与えられた場合に、前記固体材料が前記溶液中で移動するのを防止するように構成される溶液を、容器に供給する工程と
    少なくとも、前記有限降伏応力以上で、前記安定弾性ゲルが流体状の挙動を示すようになる最低剪断応力を前記溶液に加える工程と、
    前記最低剪断応力を与えた後、前記容器から前記溶液を流動させ、前記容器から流動させる前記溶液は、前記溶液中の前記固体材料の混合稠度を有する工程と、
    前記基板の表面への付与のために、前記溶液を処理システムに供給する工程と、
    を備える方法。
  9. 前記固体材料は、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、ガドレイン酸、エルカ酸(eurcic acid)、酪酸、カプロン酸、カプリル酸、ミリスチン酸、マルガリン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸(lignoseric acid)、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、ネルボン酸(nervanic acid)、パリナリン酸、ティムノドン酸、ブラシジン酸、クルパノドン酸、リグノセリン酸(lignoceric acid)、又はセロチン酸の何れかにより定められる脂肪酸である、請求項8記載の基板を洗浄する溶液を使用する方法。
  10. 前記連続媒体は、脱イオン(DI)水、炭化水素、塩基性流体、フッ酸(HF)溶液、アンモニアに基づく溶液、又はDI水及び化学物質の混合物の何れかである、請求項8記載の基板を洗浄する溶液を使用する方法。
  11. 前記重合体材料は、ポリ(アクリル酸)、カルボポール、スタビリーゼ、レオビスATA及びレオビスATN、カラギーナン、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、アラビアガム(アカシア)、トラガカントガム、ポリアクリレート、又はカルボマの何れかである、請求項8記載の基板を洗浄する溶液を使用する方法。
  12. 少なくとも最低剪断応力を前記溶液に加える工程は、前記容器からの前記溶液のポンピングにより行われ、前記ポンピングは、前記溶液を流動させる前記有限降伏応力を上回る攪拌を提供する、請求項8記載の基板を洗浄する溶液を使用する方法。
  13. 前記溶液を流動させるのは、前記容器から前記処理システムまでである、請求項8記載の基板を洗浄する溶液を使用する方法。
  14. 前記処理システムは、近接ヘッドシステムであり、前記近接ヘッドシステムは、前記近接ヘッドと前記基板の表面との間で、メニスカスの形態で前記溶液を付与する、請求項13記載の基板を洗浄する溶液を使用する方法。
  15. 前記近接ヘッドシステムは、第一の表面を処理するための第一のヘッドと、第二の表面を処理するための第二のヘッドとを含む、請求項14記載の基板を洗浄する溶液を使用する方法。
  16. 基板洗浄システムであって、
    洗浄工程中に基板の表面に、溶液により定められるメニスカスを付与する近接ヘッドシステムと、
    少なくとも、連続媒体と、重合体材料と、固体材料とから混合される溶液で、前記溶液中の前記重合体材料は、前記溶液が安定弾性ゲル形態において維持されるように、有限の降伏応力を前記材料に与え、前記安定弾性ゲル形態は、前記固体材料の形態を適所に保持し、前記溶液の合成後、前記溶液の保存中常に、前記有限降伏応力未満の応力が前記固体材料に与えられた場合に、前記固体材料が前記溶液中で移動するのを防止するように構成される溶液を、保持するための容器と、
    少なくとも最低剪断応力を前記溶液に加え、前記溶液を流動させる前記有限降伏応力を超える攪拌を提供する、前記溶液を前記容器から前記近接ヘッドシステムへ移動させるためのポンプと、
    メニスカスの形態で前記基板の前記表面に付与されるように構成された前記溶液を受領する前記近接ヘッドシステムのヘッドと、
    を備える基板洗浄システム。
  17. 前記メニスカスは、流体形態又は発泡形態である、請求項16記載の基板洗浄システム。
  18. 更に、前記溶液を、流体部分、気体部分、及び固体部分により定められる三状態体に変化させる発泡生成システムを備える、請求項16記載の基板洗浄システム。
  19. 基板洗浄システムであって、
    洗浄工程中に基板の表面に溶液を付与するジェット付与システムと、
    少なくとも、連続媒体と、重合体材料と、固体材料とから混合される溶液で、前記溶液中の前記重合体材料は、前記溶液が安定弾性ゲル形態において維持されるように、有限の降伏応力を前記材料に与え、前記安定弾性ゲル形態は、前記固体材料の形態を適所に保持し、前記溶液の合成後、前記溶液の保存中常に、前記有限降伏応力未満の応力が前記固体材料に与えられた場合に、前記固体材料が前記溶液中で移動するのを防止するように構成される溶液を、保持するための容器と、
    少なくとも最低剪断応力を前記溶液に加え、前記溶液を流動させる前記有限降伏応力を超える攪拌を提供する、前記溶液を前記容器から前記ジェット付与システムへ移動させるためのポンプと、
    を備え、
    前記ジェットは、不必要な汚染物を除去するために、前記基板の前記表面に前記溶液を吹き付ける、基板洗浄システム。
  20. 前記ジェットは、前記基板の前記表面に前記溶液の液流を付与する、請求項19記載の基板洗浄システム。
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
MY150211A (en) * 2007-12-07 2013-12-13 Fontana Technology Particle removal cleaning method and composition
US8226775B2 (en) * 2007-12-14 2012-07-24 Lam Research Corporation Methods for particle removal by single-phase and two-phase media
US8828145B2 (en) * 2009-03-10 2014-09-09 Lam Research Corporation Method of particle contaminant removal
US9159593B2 (en) * 2008-06-02 2015-10-13 Lam Research Corporation Method of particle contaminant removal
US8105997B2 (en) * 2008-11-07 2012-01-31 Lam Research Corporation Composition and application of a two-phase contaminant removal medium
US8739805B2 (en) * 2008-11-26 2014-06-03 Lam Research Corporation Confinement of foam delivered by a proximity head
US8317934B2 (en) * 2009-05-13 2012-11-27 Lam Research Corporation Multi-stage substrate cleaning method and apparatus
US8251223B2 (en) * 2010-02-08 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning system and a package carrier for a semiconductor package
US8595929B2 (en) * 2010-10-21 2013-12-03 Siemens Energy, Inc. Repair of a turbine engine surface containing crevices
CN102569013A (zh) * 2010-12-17 2012-07-11 朗姆研究公司 用于检测晶片应力的系统和方法
CN102315098B (zh) * 2011-09-28 2016-03-30 上海华虹宏力半导体制造有限公司 清洗半导体基底和形成栅介质层的方法
CA3085086C (en) 2011-12-06 2023-08-08 Delta Faucet Company Ozone distribution in a faucet
KR20130072664A (ko) * 2011-12-22 2013-07-02 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 소자의 제조방법
CN102744227A (zh) * 2012-07-16 2012-10-24 安徽未来表面技术有限公司 一种用于太阳能发电装置上的硅片清洗方法
TN2015000572A1 (en) 2013-07-05 2016-06-29 Univ King Abdullah Sci & Tech System and method for conveying an assembly
CN103406322A (zh) * 2013-07-22 2013-11-27 彩虹显示器件股份有限公司 一种用于清洗基板玻璃的装置及方法
US10767143B2 (en) * 2014-03-06 2020-09-08 Sage Electrochromics, Inc. Particle removal from electrochromic films using non-aqueous fluids
DE102014206875A1 (de) * 2014-04-09 2015-10-15 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Reinigung von technischen Anlagenteilen von Metallhalogeniden
WO2016039116A1 (ja) * 2014-09-11 2016-03-17 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム単結晶基板の洗浄方法および積層体
CA3007437C (en) 2015-12-21 2021-09-28 Delta Faucet Company Fluid delivery system including a disinfectant device
CN106111610B (zh) * 2016-06-26 2018-07-17 河南盛达光伏科技有限公司 单晶硅线切割碎片表面附着性脏污预清洗处理方法
KR101955597B1 (ko) * 2017-05-17 2019-05-31 세메스 주식회사 세정액 제조 장치 및 방법
CA3083246C (en) 2018-01-18 2022-08-30 Ihi Corporation Lining material peeling method
GB2574179B (en) * 2018-03-12 2021-06-30 Illinois Tool Works Contact cleaning surface assembly
KR102072581B1 (ko) 2018-05-04 2020-02-03 세메스 주식회사 기판 처리방법 및 처리장치
JP7227757B2 (ja) * 2018-05-31 2023-02-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7227758B2 (ja) 2018-05-31 2023-02-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN110883017B (zh) * 2018-09-10 2020-12-29 北京石墨烯研究院 静态清洁石墨烯表面的方法和装置
CN110591832A (zh) * 2019-09-26 2019-12-20 嘉兴瑞智光能科技有限公司 一种高效环保无污染硅片清洗剂及其制备方法
KR102281885B1 (ko) 2019-11-06 2021-07-27 세메스 주식회사 기판 세정 방법 및 기판 처리 장치
CN116449659B (zh) * 2023-03-14 2024-07-12 江苏矽研半导体科技有限公司 一种用于金属器件的环保型解胶剂及制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01249896A (ja) * 1988-02-17 1989-10-05 Unilever Nv 架橋高分子濃稠化剤と次亜塩素酸塩漂白剤とを含有する洗浄用組成物
JP2005255983A (ja) * 2004-02-10 2005-09-22 Jsr Corp 洗浄用組成物、半導体基板の洗浄方法および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL251243A (ja) * 1959-05-04
US3212762A (en) * 1960-05-23 1965-10-19 Dow Chemical Co Foam generator
US3360476A (en) * 1964-03-19 1967-12-26 Fmc Corp Liquid heavy duty cleaner and disinfectant
US3436262A (en) * 1964-09-25 1969-04-01 Dow Chemical Co Cleaning by foam contact,and foam regeneration method
US3617095A (en) 1967-10-18 1971-11-02 Petrolite Corp Method of transporting bulk solids
GB1427341A (en) * 1972-05-22 1976-03-10 Unilever Ltd Liquid soap product
US3978176A (en) * 1972-09-05 1976-08-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sparger
GB1507472A (en) * 1974-05-02 1978-04-12 Bunker Ramo Foamable coating remover composition
GB1447435A (en) * 1974-06-03 1976-08-25 Ferrara P J Barnes C A Gordon Soap composition and process of producing such
US4156619A (en) * 1975-06-11 1979-05-29 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for cleaning semi-conductor discs
US4133773A (en) * 1977-07-28 1979-01-09 The Dow Chemical Company Apparatus for making foamed cleaning solutions and method of operation
DE2823002B2 (de) * 1978-05-26 1981-06-04 Chemische Werke München Otto Bärlocher GmbH, 8000 München Verfahren zur Herstellung von Metallseifengranulat
US4238244A (en) 1978-10-10 1980-12-09 Halliburton Company Method of removing deposits from surfaces with a gas agitated cleaning liquid
US4387040A (en) * 1981-09-30 1983-06-07 Colgate-Palmolive Company Liquid toilet soap
US4838289A (en) * 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
DE3760569D1 (en) * 1986-07-08 1989-10-26 Kohlensaeurewerk Deutschland A process for drying of plant or animal substances
NL8601939A (nl) 1986-07-28 1988-02-16 Philips Nv Werkwijze voor het verwijderen van ongewenste deeltjes van een oppervlak van een substraat.
US4817652A (en) * 1987-03-26 1989-04-04 Regents Of The University Of Minnesota System for surface and fluid cleaning
US4962776A (en) * 1987-03-26 1990-10-16 Regents Of The University Of Minnesota Process for surface and fluid cleaning
US4849027A (en) * 1987-04-16 1989-07-18 Simmons Bobby G Method for recycling foamed solvents
US4753747A (en) * 1987-05-12 1988-06-28 Colgate-Palmolive Co. Process of neutralizing mono-carboxylic acid
US5105556A (en) * 1987-08-12 1992-04-21 Hitachi, Ltd. Vapor washing process and apparatus
US5048549A (en) * 1988-03-02 1991-09-17 General Dynamics Corp., Air Defense Systems Div. Apparatus for cleaning and/or fluxing circuit card assemblies
US5181985A (en) * 1988-06-01 1993-01-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers
US5000795A (en) * 1989-06-16 1991-03-19 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning method and apparatus
US5102777A (en) * 1990-02-01 1992-04-07 Ardrox Inc. Resist stripping
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
DE69102311T2 (de) * 1990-03-07 1994-09-29 Hitachi Ltd Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenreinigung.
DE4038587A1 (de) 1990-12-04 1992-06-11 Hamatech Halbleiter Maschinenb Transportvorrichtung fuer substrate
US5306350A (en) * 1990-12-21 1994-04-26 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Methods for cleaning apparatus using compressed fluids
US5261966A (en) * 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns
US5147574A (en) * 1991-03-05 1992-09-15 The Procter & Gamble Company Stable liquid soap personal cleanser
US5175124A (en) 1991-03-25 1992-12-29 Motorola, Inc. Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water
US5242669A (en) * 1992-07-09 1993-09-07 The S. A. Day Mfg. Co., Inc. High purity potassium tetrafluoroaluminate and method of making same
US5288332A (en) * 1993-02-05 1994-02-22 Honeywell Inc. A process for removing corrosive by-products from a circuit assembly
US5336371A (en) * 1993-03-18 1994-08-09 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow
US5911837A (en) * 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5464480A (en) 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5472502A (en) 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5656097A (en) * 1993-10-20 1997-08-12 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5950645A (en) 1993-10-20 1999-09-14 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US5417768A (en) * 1993-12-14 1995-05-23 Autoclave Engineers, Inc. Method of cleaning workpiece with solvent and then with liquid carbon dioxide
JP3380021B2 (ja) * 1993-12-28 2003-02-24 株式会社エフティーエル 洗浄方法
DE69417922T2 (de) * 1993-12-30 1999-09-30 Ecolab Inc., St. Paul Verfahren zur herstellung von harnstoff enthaltenden festen reinigungsmitteln
EP0681317B1 (en) * 1994-04-08 2001-10-17 Texas Instruments Incorporated Method for cleaning semiconductor wafers using liquefied gases
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US6081650A (en) * 1994-06-30 2000-06-27 Thomson Licensing S.A. Transport processor interface and video recorder/playback apparatus in a field structured datastream suitable for conveying television information
US5705223A (en) * 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
US5772784A (en) 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
JP3504023B2 (ja) * 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
US5964958A (en) 1995-06-07 1999-10-12 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning objects using aerosols
US5968285A (en) 1995-06-07 1999-10-19 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning of objects using aerosols and inert gases
US6035483A (en) * 1995-06-07 2000-03-14 Baldwin Graphic Systems, Inc. Cleaning system and process for making and using same employing a highly viscous solvent
US6532976B1 (en) * 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
JP3590470B2 (ja) * 1996-03-27 2004-11-17 アルプス電気株式会社 洗浄水生成方法および洗浄方法ならびに洗浄水生成装置および洗浄装置
DE19622015A1 (de) * 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
TW416987B (en) * 1996-06-05 2001-01-01 Wako Pure Chem Ind Ltd A composition for cleaning the semiconductor substrate surface
JP3350627B2 (ja) * 1996-07-03 2002-11-25 宮崎沖電気株式会社 半導体素子の異物除去方法及びその装置
DE19631363C1 (de) * 1996-08-02 1998-02-12 Siemens Ag Wässrige Reinigungslösung für ein Halbleitersubstrat
JPH1055993A (ja) 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
EP0893166A4 (en) * 1996-09-25 2004-11-10 Shuzurifuresher Kaihatsukyodok WASHING SYSTEM USING LIQUID, HIGH DENSITY GAS
TW357406B (en) 1996-10-07 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning and drying a substrate
JP3286539B2 (ja) * 1996-10-30 2002-05-27 信越半導体株式会社 洗浄装置および洗浄方法
US5858283A (en) * 1996-11-18 1999-01-12 Burris; William Alan Sparger
US5906021A (en) * 1996-12-06 1999-05-25 Coffey; Daniel Fluid-wetted or submerged surface cleaning apparatus
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5900191A (en) * 1997-01-14 1999-05-04 Stable Air, Inc. Foam producing apparatus and method
US5800626A (en) * 1997-02-18 1998-09-01 International Business Machines Corporation Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates
US20020157686A1 (en) * 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US6701941B1 (en) * 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
JPH10321572A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Toshiba Corp 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法
JPH1126423A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Sugai:Kk 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
US6152805A (en) 1997-07-17 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Polishing machine
US5932493A (en) * 1997-09-15 1999-08-03 International Business Machines Corporaiton Method to minimize watermarks on silicon substrates
US5904156A (en) * 1997-09-24 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's
US6398975B1 (en) * 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
EP0905746A1 (en) 1997-09-24 1999-03-31 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US5807439A (en) * 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers
JP3039493B2 (ja) * 1997-11-28 2000-05-08 日本電気株式会社 基板の洗浄方法及び洗浄溶液
US6270584B1 (en) * 1997-12-03 2001-08-07 Gary W. Ferrell Apparatus for drying and cleaning objects using controlled aerosols and gases
US5865901A (en) * 1997-12-29 1999-02-02 Siemens Aktiengesellschaft Wafer surface cleaning apparatus and method
US6042885A (en) * 1998-04-17 2000-03-28 Abitec Corporation System and method for dispensing a gel
US6049996A (en) * 1998-07-10 2000-04-18 Ball Semiconductor, Inc. Device and fluid separator for processing spherical shaped devices
US5944581A (en) * 1998-07-13 1999-08-31 Ford Motor Company CO2 cleaning system and method
JP3003684B1 (ja) * 1998-09-07 2000-01-31 日本電気株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄液
JP2000100801A (ja) 1998-09-25 2000-04-07 Sumitomo Electric Ind Ltd エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびにそれに用いられる化合物半導体基板の表面清浄化方法
JP2000141215A (ja) * 1998-11-05 2000-05-23 Sony Corp 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法
JP2000265945A (ja) * 1998-11-10 2000-09-26 Uct Kk 薬液供給ポンプ、薬液供給装置、薬液供給システム、基板洗浄装置、薬液供給方法、及び基板洗浄方法
US6090217A (en) * 1998-12-09 2000-07-18 Kittle; Paul A. Surface treatment of semiconductor substrates
JP2000260739A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US6290780B1 (en) * 1999-03-19 2001-09-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing a wafer
US6849581B1 (en) * 1999-03-30 2005-02-01 Bj Services Company Gelled hydrocarbon compositions and methods for use thereof
US6272712B1 (en) * 1999-04-02 2001-08-14 Lam Research Corporation Brush box containment apparatus
JP3624116B2 (ja) * 1999-04-15 2005-03-02 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP4247587B2 (ja) 1999-06-23 2009-04-02 Jsr株式会社 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法
FR2795960B1 (fr) * 1999-07-05 2001-10-19 Sanofi Elf Microemulsions stables pour l'administration d'acides gras a l'homme ou a l'animal, et utilisation de ces microemulsions
US20020121290A1 (en) * 1999-08-25 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
US6734121B2 (en) * 1999-09-02 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Methods of treating surfaces of substrates
US6228563B1 (en) * 1999-09-17 2001-05-08 Gasonics International Corporation Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices
US7122126B1 (en) 2000-09-28 2006-10-17 Materials And Technologies Corporation Wet processing using a fluid meniscus, apparatus and method
US6858089B2 (en) * 1999-10-29 2005-02-22 Paul P. Castrucci Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning
US6881687B1 (en) * 1999-10-29 2005-04-19 Paul P. Castrucci Method for laser cleaning of a substrate surface using a solid sacrificial film
US6576066B1 (en) * 1999-12-06 2003-06-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Supercritical drying method and supercritical drying apparatus
US20020006767A1 (en) 1999-12-22 2002-01-17 Applied Materials, Inc. Ion exchange pad or brush and method of regenerating the same
US6286231B1 (en) * 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
US6705930B2 (en) * 2000-01-28 2004-03-16 Lam Research Corporation System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques
US6276459B1 (en) * 2000-02-01 2001-08-21 Bradford James Herrick Compressed air foam generator
US6594847B1 (en) * 2000-03-28 2003-07-22 Lam Research Corporation Single wafer residue, thin film removal and clean
US6457199B1 (en) 2000-10-12 2002-10-01 Lam Research Corporation Substrate processing in an immersion, scrub and dry system
AU9521601A (en) * 2000-05-17 2001-11-26 Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien Washing or cleaning agent shaped bodies
US6927176B2 (en) * 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US6488040B1 (en) 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
KR100366623B1 (ko) 2000-07-18 2003-01-09 삼성전자 주식회사 반도체 기판 또는 lcd 기판의 세정방법
TW495863B (en) * 2000-08-11 2002-07-21 Chem Trace Inc System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment
US6328042B1 (en) * 2000-10-05 2001-12-11 Lam Research Corporation Wafer cleaning module and method for cleaning the surface of a substrate
AU2002220627B2 (en) * 2000-11-03 2006-06-01 Unilever Plc Composition for cleaning hard surfaces
US20020094684A1 (en) * 2000-11-27 2002-07-18 Hirasaki George J. Foam cleaning process in semiconductor manufacturing
US6525009B2 (en) * 2000-12-07 2003-02-25 International Business Machines Corporation Polycarboxylates-based aqueous compositions for cleaning of screening apparatus
US20020081945A1 (en) * 2000-12-21 2002-06-27 Rod Kistler Piezoelectric platen design for improving performance in CMP applications
US6596093B2 (en) * 2001-02-15 2003-07-22 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation
US6641678B2 (en) * 2001-02-15 2003-11-04 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with aqueous carbon dioxide systems
US6493902B2 (en) 2001-02-22 2002-12-17 Chung-Yi Lin Automatic wall cleansing apparatus
JP2002280343A (ja) 2001-03-15 2002-09-27 Nec Corp 洗浄処理装置、切削加工装置
JP2002280330A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Lintec Corp チップ状部品のピックアップ方法
US6627550B2 (en) * 2001-03-27 2003-09-30 Micron Technology, Inc. Post-planarization clean-up
JP2002309638A (ja) 2001-04-17 2002-10-23 Takiron Co Ltd 建物の排水管路における通気性掃除口
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US6802911B2 (en) 2001-09-19 2004-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for cleaning damaged layers and polymer residue from semiconductor device
BR0214226A (pt) * 2001-11-19 2004-09-21 Unilever Nv Composição de limpeza, processo para manualmente limpar substratos sujos, e, kit para realizar o processo
US20030171239A1 (en) * 2002-01-28 2003-09-11 Patel Bakul P. Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology
GB2385597B (en) * 2002-02-21 2004-05-12 Reckitt Benckiser Inc Hard surface cleaning compositions
JP2003282513A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Seiko Epson Corp 有機物剥離方法及び有機物剥離装置
JP4570008B2 (ja) 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US20040159335A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-19 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus for removing organic layers
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
US20040002430A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Applied Materials, Inc. Using a time critical wafer cleaning solution by combining a chelating agent with an oxidizer at point-of-use
JP4017463B2 (ja) * 2002-07-11 2007-12-05 株式会社荏原製作所 洗浄方法
US7198055B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US6998327B2 (en) 2002-11-19 2006-02-14 International Business Machines Corporation Thin film transfer join process and multilevel thin film module
US6875286B2 (en) 2002-12-16 2005-04-05 International Business Machines Corporation Solid CO2 cleaning
US6733596B1 (en) * 2002-12-23 2004-05-11 Lam Research Corporation Substrate cleaning brush preparation sequence, method, and system
US20040163681A1 (en) * 2003-02-25 2004-08-26 Applied Materials, Inc. Dilute sulfuric peroxide at point-of-use
US6951042B1 (en) 2003-02-28 2005-10-04 Lam Research Corporation Brush scrubbing-high frequency resonating wafer processing system and methods for making and implementing the same
JP2004323840A (ja) * 2003-04-10 2004-11-18 Sumitomo Chem Co Ltd 研磨洗浄液組成物及び研磨洗浄方法
US7169192B2 (en) * 2003-05-02 2007-01-30 Ecolab Inc. Methods of using heterogeneous cleaning compositions
US20040261823A1 (en) 2003-06-27 2004-12-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases
KR100477810B1 (ko) 2003-06-30 2005-03-21 주식회사 하이닉스반도체 Nf3 hdp 산화막을 적용한 반도체 소자 제조방법
US6946396B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Nissan Chemical Indusries, Ltd. Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer
KR20050044085A (ko) * 2003-11-07 2005-05-12 삼성전자주식회사 집적회로 소자의 세정액 및 그 세정액을 이용한 세정방법
US7353560B2 (en) * 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US8323420B2 (en) * 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7416370B2 (en) 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US8043441B2 (en) 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
JP2005194294A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Nec Electronics Corp 洗浄液及び半導体装置の製造方法
CN1654617A (zh) * 2004-02-10 2005-08-17 捷时雅株式会社 清洗用组合物和半导体基板的清洗方法及半导体装置的制造方法
US20050183740A1 (en) * 2004-02-19 2005-08-25 Fulton John L. Process and apparatus for removing residues from semiconductor substrates
FI116889B (fi) * 2004-03-03 2006-03-31 Outokumpu Oy Laite kiintoainetta sisältävän materiaalin hierto-ohentamiseksi
US20050202995A1 (en) * 2004-03-15 2005-09-15 The Procter & Gamble Company Methods of treating surfaces using surface-treating compositions containing sulfonated/carboxylated polymers
JP2005311320A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Sony Corp 異物除去方法及びその装置
WO2005104202A1 (ja) * 2004-04-21 2005-11-03 F.T.L.. Co., Ltd. 基板の洗浄方法
US8136423B2 (en) * 2005-01-25 2012-03-20 Schukra of North America Co. Multiple turn mechanism for manual lumbar support adjustment

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01249896A (ja) * 1988-02-17 1989-10-05 Unilever Nv 架橋高分子濃稠化剤と次亜塩素酸塩漂白剤とを含有する洗浄用組成物
JP2005255983A (ja) * 2004-02-10 2005-09-22 Jsr Corp 洗浄用組成物、半導体基板の洗浄方法および半導体装置の製造方法

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