KR20080085072A - 반도체 기판을 세정하는 방법 및 장치 - Google Patents

반도체 기판을 세정하는 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20080085072A
KR20080085072A KR1020087018873A KR20087018873A KR20080085072A KR 20080085072 A KR20080085072 A KR 20080085072A KR 1020087018873 A KR1020087018873 A KR 1020087018873A KR 20087018873 A KR20087018873 A KR 20087018873A KR 20080085072 A KR20080085072 A KR 20080085072A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
force
fluid
entity
solid component
Prior art date
Application number
KR1020087018873A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101312973B1 (ko
Inventor
에릭 엠 프리어
라리오스 존 엠 드
카트리나 미하일리첸코
마이클 래브킨
미하일 코로리크
프레드 씨 리데커
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/612,371 external-priority patent/US8522801B2/en
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20080085072A publication Critical patent/KR20080085072A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101312973B1 publication Critical patent/KR101312973B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/12—Water-insoluble compounds
    • C11D3/14—Fillers; Abrasives ; Abrasive compositions; Suspending or absorbing agents not provided for in one single group of C11D3/12; Specific features concerning abrasives, e.g. granulometry or mixtures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D17/00—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties
    • C11D17/0004—Non aqueous liquid compositions comprising insoluble particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D17/00—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties
    • C11D17/0008—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties aqueous liquid non soap compositions
    • C11D17/0013—Liquid compositions with insoluble particles in suspension
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/10—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by other chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Lubricants (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

기판을 세정하는 방법이 제공된다. 이 방법은 고체 성분들을 가지는 유체층을 기판의 표면에 배치하는 단계에서 개시된다. 그 후, 기판의 표면에 대해 실질적으로 평행하고 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력이 생성된다. 이 전단력은 일 실시형태에서 유체층과 접촉하는 고체 본체에 가해진 힘의 법선 성분 또는 접선 성분으로부터 초래될 수도 있다. 기판의 표면을 린스하여 유체층을 제거한다. 세정 시스템 및 세정 장치가 또한 제공된다.
전단력, 유체층, 고체 성분, 법선 성분, 접선 성분

Description

반도체 기판을 세정하는 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE}
배경
집적회로, 메모리 셀 등과 같은 반도체 디바이스의 제조시에, 반도체 웨이퍼 상에 피쳐를 형성하기 위해 일련의 제조 동작이 수행된다. 웨이퍼는 실리콘 기판상에 정의된 다중-레벨 구조 형태의 집적 회로 디바이스를 포함한다. 기판 레벨에서, 확산 영역을 가지는 트랜지스터 디바이스가 형성된다. 후속 레벨에서, 상호접속된 금속 배선이 패터닝되고 트랜지스터 디바이스에 전기적으로 접속되어 소정의 집적 회로 디바이스를 정의한다. 또한, 패터닝된 도전성 층은 유전체 재료에 의해 다른 도전성 층으로부터 절연된다.
일련의 제조 동작 중에, 웨이퍼 표면은 다양한 유형의 오염물질에 노출된다. 특히 제조 동작에서 존재하는 임의의 재료는 오염물질의 잠재적인 원천이다. 예를 들어, 오염물질의 원천은 여럿 중에 특히, 프로세스 가스, 화학물질, 증착 재료, 및 액체를 포함할 수도 있다. 다양한 오염물질들이 미립자 물질로서 웨이퍼 표면상에 증착될 수도 있다. 미립자 오염물질이 제거되지 않은 경우, 오염물질 부근에 있는 디바이스들은 작동이 불가능하게 될 것이다. 따라서, 웨이퍼 상에 형성된 피쳐에 손상을 가하지 않고 실질적으로 완전한 방법으로 웨이퍼 표 면으로부터 오염물질을 세정하는 것이 필요하다. 미립자 오염물질의 크기는 웨이퍼 상에서 제조된 피쳐의 임계 치수 크기와 대략 유사하다. 웨이퍼 상의 피쳐에 부정적인 영향을 가하지 않고 이러한 작은 미립자 오염물질을 제거하는 것은 도전 과제일 수 있다.
종래의 웨이퍼 세정 방법은 웨이퍼로부터 미립자 오염물질을 제거하기 위해 기계력에 크게 의존했다. 피쳐의 크기는 계속적으로 감소되고 더욱 부서지기 쉽게 이루어지기 때문에, 웨이퍼 표면에 기계력을 가함으로 인해서 피쳐를 손상시키는 가능성이 증가한다. 예를 들어, 높은 애스펙트비를 가지는 피쳐는 상당한 기계력으로 인해 충격을 받을 때 토플링 (toppling) 또는 브레이킹의 위험에 노출된다. 세정 문제를 더욱 악화시키는 것은, 피쳐 크기의 감소를 향한 움직임이 손상을 유발할 수도 있는 미립자 오염물질 크기의 감소를 야기시킨다는 점이다. 충분히 작은 크기의 미립자 오염물질은 높은 애스펙트비 피쳐로 둘러싸인 또는 전도성 라인 등으로 연결되는 트렌치에서와 같은, 웨이퍼 표면상의 영역에 도달하기에는 어렵다는 것을 발견할 수 있다. 따라서, 반도체 제조 도중에 오염물질의 효과적으로 손상을 유발하지 않게 제거하는 것은 웨이퍼 세정 기술이 계속적으로 진보함으로써 마주치는 계속적인 도전을 나타낸다. 플랫 패널 디스플레이에 대한 제조 동작은 전술한 집적 회로 제조의 동일한 단점을 가지고 있다는 것을 파악해야만 한다. 따라서, 오염물질의 제거를 요구하는 임의의 기술은 좀 더 효율적이고 보다 적게 연마하는 세정 기술을 필요로 한다.
개요
대체적으로, 본 발명은 개선된 세정 기술 및 세정 용액을 제공함으로써 이들의 요구조건을 충족한다. 본 발명은 시스템, 장치 및 방법을 포함하는 다수의 방식으로 구현될 수 있다는 것이 파악된다. 본 발명의 몇몇 신규의 실시형태가 이하 설명된다.
일 실시형태에서, 기판을 세정하는 방법이 제공된다. 이 방법은 그 내부에 고체 성분을 가지는 유체층 (fluid layer) 을 기판의 표면에 배치하는 것으로 시작한다. 그 후, 기판의 표면에 대해 실질적으로 평행하고 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력 (shear force) 이 생성된다. 이 전단력은 일 실시형태에서 유체층과 접촉하는 고체 본체에 가해진 힘의 법선 성분 또는 접선 (tangential) 성분으로부터 초래될 수도 있다. 기판의 표면을 린스 (rinse) 하여 유체층을 제거한다.
다른 실시형태에서, 기판을 세정하기 위한 세정 장치가 제공된다. 세정 장치는 기판의 표면상에 배치된 유체와 접촉하는 외부 표면을 가지는 힘 전달 엔티티 (force transferring entity) 를 포함한다. 이 유체는 고체 성분을 가지고, 힘 전달 엔티티는 기판의 표면을 향해서 고체 성분에 힘을 가하도록 구성된다. 이 장치는 힘 전달 엔티티 아래에서 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지체를 포함한다.
또 다른 실시형태에서, 기판을 세정하기 위한 세정 시스템이 제공된다. 세정 시스템은 고체 성분을 가지는 유체를 기판의 표면에 전달하도록 구성된 유체 저장소 (fluid reservoir) 를 포함한다. 이 시스템은 기판의 표면상에 배치된 유체에 접촉하도록 구성된 외부 표면을 가지는 힘 전달 엔티티를 포함한다. 힘 전달 엔티티는, 하나의 고체 성분의 하부 표면과 기판의 표면 사이에 정의된 유체층을 씨닝 (thinning) 하기 위해 법선 성분을 가지는 힘을 제공하도록 구성된다. 이 시스템은 힘 전달 엔티티 아래에서 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지체를 포함한다.
본 발명의 다른 양태 및 이점은 첨부된 도면과 관련하여 본 발명의 예시를 도시하는 이하의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해진다.
도면의 간단한 설명
본 발명은 첨부된 도면과 관련하여 이하의 상세한 설명으로 쉽게 이해되고, 동일한 참조 수치는 동일한 구조적인 엘리먼트를 나타낸다.
도 1a 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 기판 표면으로부터 오염물질을 제거하기 위한 기술을 나타내는 간략화된 개략도이다.
도 1b 는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 도 1a 로부터, 유체 채널로서 지칭될 수도 있는, 유체층의 씨닝을 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 2a 및 도 2b 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 웨이퍼로부터 오염물질을 제거하기 위해 세정 재료가 어떻게 기능하는지를 나타내는 도면이다.
도 3 은, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 기판으로부터 오염물질을 제거하기 위한 방법의 플로우차트를 도시하는 도면이다.
도 4 는, 본 명세서에 설명된 실시형태에 따라서, 힘과 거리의 관계를 나타내는 그래프를 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 5 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 형상화된 멤브레인 (shaped membrane) 을 가지는 기판의 표면을 세정하기 위한 기술을 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 6 은, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 힘 전달 엔티티로서 이용된 컴플라이언트 멤브레인 (compliant membrane) 을 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 7 은, 힘 전달 엔티티가 원통형 형상을 가지는 실시형태를 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 8 은, 도 7 의 힘 전달 엔티티에 대한 대안 실시형태를 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 9 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 기판의 표면을 세정하기 위한 시스템의 간략화된 개략도이다.
상세한 설명
이하의 설명에서, 본 발명의 전반적인 이해를 제공하기 위해 수많은 구체적인 세부사항이 설명된다. 그러나, 이들 구체적인 세부사항의 몇몇 또는 모두 없이도 본 발명이 실행될 수 있다는 것이 당업자에게는 명백하다. 다른 예에서, 널리 알려진 프로세스 동작들은 본 발명을 불필요하게 방해하지 않기 위해 상세하게 설명되지 않는다.
본 명세서에 설명된 실시형태들은 연마 접촉을 감소시키고 높은 애스펙트비 피쳐를 포함할 수도 있는 반도체 기판으로부터의 오염물질을 세정하는데 효과적인 세정 기술을 제공한다. 실시형태들은 반도체 세정 어플리케이션과 관련된 구체 적인 예시를 제공하고, 이들 세정 어플리케이션은 표면으로부터의 오염물질의 제거를 요구하는 임의의 기술로 확대될 수도 있다. 본 명세서에 설명된 실시형태들은 세정되는 기판의 표면상의 오염물질과 세정제 사이의 유체층을 씨닝하기 위해 세정제에 힘을 제공한다. 예시적인 실시형태에서, 세정제는 다른 오염물질과 상호작용함으로써 오염물질을 제거하는 고체 재료이다. 다른 실시형태에서, 기판의 표면에 대해 법선 성분을 가지는 힘은 세정제의 하부 표면과 오염물질의 상부 표면 사이에 정의된 유체층을 씨닝하게 한다. 그 후, 그 씨닝은 기판의 표면에 대해 실질적으로 평행인 전단력으로 하여금 기판의 외부 에지를 향해서 오염물질에 힘을 가하게 한다. 필수적으로, 오염물질은 법선 성분을 가지는 힘의 결과인 전단력에 의해 정의된 유체 흐름에 유입된다.
도 1a 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 기판 표면으로부터 오염물질을 제거하기 위한 기술을 도시하는 간략화된 개략도이다. 하향력 (F) 을 제공함으로써, 기판 (105) 의 상부 표면을 향해서 고체 재료 (109) 에 힘이 가해진다. 하향력 (F) 의 법선 성분을 통해서 웨이퍼 (105) 의 상부 표면을 향해서 고체 성분 (109) 에 힘을 가하는 동안, 고체 (109) 의 하부 표면과 웨이퍼 (105) 의 상부 표면 사이에 정의된 유체의 채널은 더욱 씨닝된다. 고체 (109) 아래의 유체층 (101) 을 씨닝은 결과로서, 유체층 (101) 에서 포물선형 속도 프로파일이 나타나며, 또한 윤활층으로서 지칭될 수도 있다. 일 실시형태에서, 유체층 (101) 은, 점탄성 유체, 즉, 점성 특성과 탄성 특성 모두를 나타내는 유체이다. 일 실시형태에서, 화살표 (102) 로 도시된 이 포물선형 속도 프로파일이 오염물질 (103) 을 제거하기 위해 전단력을 제공한다. 이 전단력은 웨이퍼 (105) 상에 배치된 원래 위치에서 오염물질 (103) 을 이동시켜 오염물질의 완전한 제거를 용이하게 하고 웨이퍼 표면을 세정한다. 이하 상세하게 설명되는 바와 같이, 하향력 (F) 은 힘 전달 엔티티를 통해서 가해진다. 웨이퍼 (105) 는 척 (100) 상부에 위치된다. 당업자는 공지된 기술을 통해서 웨이퍼 (105) 가 척 (100) 에 고정될 수도 있다는 것을 파악한다. 본 명세서에 설명된 실시형태가 도 1a 에 도시된 척 상부에 위치된 기판 (105) 으로 한정되지 않는다는 것이 명시된다. 즉, 본 명세서에 설명된 세정 기술을 수용하는 컨베이어, 패드, 또는 임의의 다른 적절한 이송 메커니즘 또는 지지체 구조 상부에 기판 (105) 을 위치시키는 것과 같은 대안적인 실시형태가 가능하다.
도 1b 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 도 1a 로부터, 유체 채널로서 지칭될 수도 있는 유체층 (101) 의 씨닝을 도시하는 간략화된 개략도이다. 도 1b 에서, 하향력 (F) 의 법선 성분은 기판 (105) 의 상부 표면에 더욱 인접하도록 고체 (109) 를 푸시한다 (push). 고체 (109) 가 기판 (105) 의 상부 표면에 더욱 인접하게 푸시됨에 따라, 층/채널 (101) 은 더욱 씨닝된다. 결과적으로, 기판 (105) 의 외부 말단을 향하는 속도는 증가되고 더욱 큰 전단력을 제공하여 기판 (105) 의 상부 표면으로부터 오염물질 (103) 을 제거한다. 유체층 (101) 이 씨닝됨에 따라서, 요구되는 하향력 (F) 은 이 층을 더욱 씨닝하기 위해 더 커진다는 것이 파악된다. 이하 더욱 상세하게 설명되는 바와 같이, 고체 (109) 의 상부 표면상에 푸시하는 힘 전달 엔티티는 고체 (109) 에 대해 법선 성분을 가지는 힘을 제공할 수 있는 임의의 적절한 재료일 수도 있다. 이하 더 설명되는 바와 같이, 이러한 예는 라텍스 등과 같은 고무 성분, 금속 디스크, 형상화된 멤브레인 등과 같은 본 명세서에 이용된 재료에 대해 반응하지 않는 유연성 및 컴플라이언트 유형의 재료를 포함한다. 본 명세서에 이용된 바와 같이, 고체 (109) 는 지속성 커플링 엘리먼트 (PCE; persistent coupling element) 로서 지칭될 수도 있다. 고체 (109) 를 저항성 커플링 엘리먼트로서 지칭하는데, 공동현상 이후에 더 이상 존속되지 않을 수도 있는, 버블과 같은, 상대적으로 짧은 생존기간을 가지는 세정 용액과는 대조적으로, 세정 동작 전체에 걸쳐서 유지되거나 또는 지속하는 특성이 제공된다. 일 실시형태에서, 유체층 (101) 내의 멤브레인과 웨이퍼 사이에서 가압된 유체는 습윤제 또는 계면활성제를 포함한다. 다른 실시형태에서, 유체는 유체 내에서 용해되지 않은 채로 남아있는 카르복실산 성분을 포함한다. 즉, 카르복실산 성분은 고체 (109) 로 나타날 수도 있다. 일 실시형태에서, 고체 (109) 는 삼사정계 결정 구조 (triclinic structure) 를 가지는 결정이다. 삼사정계 결정 구조에서, 이 결정은 동일하지 않은 길이의 벡터로 설명된다. 또한, 3 개의 모든 벡터는 상호 직교하지 않는다. 또 다른 실시형태에서, 기판 (105) 상부에서 유체에 힘을 제공하는 멤브레인은 기판상의 층들보다 더 부드럽고, 기판상의 필름들, 즉, 실리콘 이산화물, 실리콘 질화물, 실리콘, 구리, 알루미늄 등의 적층 필름들에 스크래치 또는 그외 다른 손상을 가할 수도 있는 재료를 가지지 않는다. 일 실시형태에서, 이 멤브레인은 제어된 양으로 멤브레인을 통해서 침투할 수도 있는 세정 유체를 포함할 수도 있다. 이와 다르게, 이 멤브레인 벌룬 (balloon) 은 밀봉되어 있을 수도 있고 불투과성을 가질 수도 있다. 도 1a 및 도 1b 의 고체 (109) 는 유체층 (101) 과 동일한 유체인 유체로 분산될 수도 있다.
도 2a 및 도 2b 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 웨이퍼 (105) 로부터 오염물질 (103) 을 제거하기 위해 세정 재료 (101) 가 어떻게 기능하는지를 나타내는 도면이다. 도 2a 및 도 2b 에 도시된 세정 재료 (101) 는 미국 특허 일련번호 제11/346,894호에 더 정의된다는 것이 파악된다. 도 2a 에 도시된 바와 같이, 세정 재료 (101) 의 액체 매질 (107) 내에서, 고체 성분 (109) 은 오염물질 (103) 과 비혼화성 성분 (111) 사이에 개재된다. 기포 (gas bubble) 또는 액적 (liquid droplet) 중 하나인, 액체 매질 (107) 내의 비혼화성 성분 (111) 은 관련 표면 장력을 갖는다. 따라서, 비혼화성 성분 (111) 이 고체 성분 (109) 에 대향하여 하향력으로 가압될 때, 비혼화성 성분 (111) 은 변형되고 고체 성분 (109) 에 법선 성분을 가지는 하향력 (F) 이 가해진다. 이 하향력 (F), 또는 F 의 법선 성분은 고체 성분 (109) 을 웨이퍼 (105) 와 그 상부의 오염물질 (103) 을 향하여 이동시키게 하는 기능을 한다. 일 실시형태에서, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 상호작용은, 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 에 충분히 인접하게 힘이 가해질 때 발생한다. 일 실시형태에서, 이 거리는 약 10 나노미터 이내에 있을 수도 있다. 다른 실시형태에서, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 상호작용은, 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 에 실제로 접촉하고 있을 때, 발생한다. 또한, 이 상호작용은 오염물질 (103) 과 결합하는 고체 성 분 (109) 으로서 지칭될 수도 있다. 물론, 유체층의 씨닝은 씨닝으로부터 초래되는 전단력을 통해서 기판 표면으로부터 오염물질에 힘을 가할 수도 있다.
고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 상호작용력은 오염물질 (103) 을 웨이퍼 (105) 로 접속시키려는 힘보다 강하다. 추가적으로, 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 과 결합되는 실시형태에서, 웨이퍼 (105) 로부터 고체 성분 (109) 을 분리시키도록 이동하는데 이용되는 힘은 오염물질 (103) 을 웨이퍼 (105) 로 연결하는 힘보다 강하다. 따라서, 도 2b 에 도시된 바와 같이, 고체 성분 (109) 이 웨이퍼 (105) 로부터 분리되어 이동될 때, 고체 성분 (109) 에 결합된 오염물질 (103) 은 웨이퍼 (105) 로부터 분리되어 이동된다. 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 과 상호작용하여 세정 프로세스에 영향을 주기 때문에, 웨이퍼 (105) 에 걸친 오염물질 (103) 제거는 고체 성분 (109) 이 웨이퍼 (105) 에 걸쳐서 얼마나 잘 분포되어 있는지에 의존하게 될 것이라는 것이 파악된다. 바람직한 실시형태에서, 웨이퍼 (105) 상의 필수적인 모든 오염물질 (103) 이 적어도 하나의 고체 성분 (109) 에 인접하게 놓이도록, 고체 성분 (109) 이 잘 분포될 것이다. 또한, 동시 방식 또는 순차 방식 중 하나로 하나의 고체 성분 (109) 이 하나 보다 많은 오염물질 (103) 과 접촉되거나 또는 상호작용할 수도 있다는 것이 파악된다. 또한, 고체 성분 (109) 은 모든 동일한 성분과는 대조적인 상이한 성분들의 혼합물일 수도 있다. 따라서, 세정 용액은 구체적인 목적, 즉, 특정 오염물질을 타겟으로 하는 목적에 대해 설계될 수 있고, 또는, 세정 용액은 복수의 고체 성분이 제공된 오염물질 타겟의 폭넓은 스펙트럼을 가질 수 있다.
고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 상호작용은 특히 부착, 충돌, 및 인력을 포함하는 하나 이상의 메커니즘을 통해서 확립될 수 있다. 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 부착은 화학적 상호작용 및/또는 물리적 상호작용을 통해서 확립될 수 있다. 예를 들어, 일 실시형태에서, 화학적 상호작용은 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에 글루 효과 (glue-like effect) 를 유발한다. 다른 실시형태에서, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 물리적 상호작용은 고체 성분 (109) 의 기계적 특성에 의해 용이하게 된다. 예를 들어, 고체 성분 (109) 이 가단성 (malleable) 을 가질 수 있어서, 오염물질 (103) 에 대항하여 압력이 가해질 때, 오염물질 (103) 은 가단성 고체 성분 (109) 내에서 충돌된다. 다른 실시형태에서, 오염물질 (103) 은 고체 성분 (109) 의 네트워크에서 얽히게 될 수 있다. 이 실시형태에서, 기계적 응력은 고체 성분 (109) 의 네트워크를 통해서 오염물질 (103) 에 전달될 수 있고, 이에 따라, 웨이퍼 (105) 로부터 오염물질 (103) 의 제거에 필요한 기계적 힘이 제공된다.
오염물질 (103) 에 의한 충돌로 인한 고체 성분 (109) 의 변형 (deformation) 은 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에서 기계적인 링크 (mechanical linkage) 를 생성한다. 예를 들어, 오염물질 (103) 의 표면 지형은, 오염물질 (103) 이 고체 성분 (109) 으로 가압되기 때문에, 고체 성분 (109) 재료가 쉽게 빠져나갈 수 없는 오염물질 (103) 의 표면 윤곽 내의 범위로 고체 성분 (109) 재료의 일부가 들어가고, 그로 인해, 로킹 (locking) 메커니즘을 생성한다. 또한, 오염물질 (103) 은 고체 성분 (109) 으로 가압되기 때문에, 고체 성 분 (109) 으로부터 오염물질 (103) 의 제거에 대해 저항하기 위한 진공력이 확립될 수 있다.
다른 실시형태에서, 직접 또는 간접적인 접촉을 통해서 고체 성분 (109) 으로부터 오염물질 (103) 에 전달된 에너지는 오염물질 (103) 이 웨이퍼 (105) 로부터 제거되는 것을 유발할 수도 있다. 이 실시형태에서, 고체 성분 (109) 은 오염물질 (103) 보다 좀 더 부드럽거나 또는 좀 더 단단할 수도 있다. 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 보다 부드러운 경우, 고체 성분 (109) 의 더 많은 변형이 충돌하는 동안에 유발될 가능성이 있어서, 이는, 웨이퍼 (105) 로부터 오염물질 (103) 을 제거하기 위한 운동 (kinetic) 에너지의 보다 적은 전달을 초래한다. 그러나, 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 보다 부드러운 경우, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에서의 부착 접속이 더 강할 수도 있다. 반대로, 고체 성분 (109) 이 적어도 오염물질 (103) 만큼 단단한 경우, 에너지의 실질적으로 완전한 전달이 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에서 유발될 수 있고, 이에 따라, 웨이퍼 (105) 로부터 오염물질 (103) 을 제거하기 위해 기능하는 응력을 증가시킨다. 그러나, 고체 성분 (109) 이 적어도 오염물질 (103) 만큼 단단한 경우, 고체 성분 (109) 의 변형에 의존하는 상호작용력이 감소될 수도 있다. 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 에 관련된 물리적 특성 및 상대 속도는 그 사이의 충돌 상호작용에 영향을 줄 것이다.
이에 더해서, 일 실시형태에서, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 상호작용은 정전기적 인력을 초래할 수 있다. 예를 들어, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 이 반대의 표면 전하를 가지는 경우, 그들은 서로에 대해 전기적으로 인력을 가질 것이다. 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 정전기적 인력은 오염물질 (103) 을 웨이퍼 (105) 에 접속하는 힘을 극복하기에 충분할 수 있다.
다른 실시형태에서, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에 정전기적 척력이 존재할 수도 있다. 예를 들어, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 모두는 음의 표면 전하 또는 양의 표면 전하 중 하나를 가질 수 있다. 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 이 충분히 가깝게 근접하여 위치될 수 있는 경우, 그 사이의 정전기적 척력은 반 데르 왈스 인력 (van der Waals attraction) 을 통해서 극복될 수 있다. 비혼화성 성분 (111) 으로 인해 고체 성분 (109) 에 가해진 힘은 정전기적 척력을 극복하기에 충분할 수도 있어서, 반 데르 왈스 인력이 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에 확립된다. 또한, 다른 실시형태에서, 액체 매질 (107) 의 pH 는 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 의 하나에 또는 둘 다에 존재하는 표면 전하를 보상하도록 조정될 수 있어서, 상호작용을 촉진시키기 위해 그들 사이의 정전기적 척력이 감소되고, 또는 고체 성분 또는 오염물질이 다른 하나에 대한 반대의 표면 전하를 나타내어 정전기적 인력을 야기한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 도 3 은 기판으로부터 오염물질을 제거하는 방법의 플로우차트를 나타내는 도면이다. 도 3 의 방법에 원용된 기판은 반도체 웨이퍼 또는 반도체 제조 프로세스와 관련된 오염물질이 제거되는데 필요한 임의의 다른 유형의 기판을 나타낼 수 있다. 또한, 도 3 의 방법에 원용된 오 염물질은 본질적으로 반도체 웨이퍼 제조 프로세스와 관련된 필수적인 임의의 유형의 오염물질을 나타낼 수 있으며, 예로서, 미립자 오염물질, 미량 (trace) 금속 오염물질, 유기 오염물질, 포토레지스트 잔해, 웨이퍼 처리 장비로부터의 오염물질, 및 웨이퍼 배면의 미립자 오염물질을 포함하지만, 이것에 한정되지 않는다.
도 3 의 방법은 기판에 걸쳐 세정 재료를 배치하는 동작 (301) 을 포함하고, 여기서, 세정 재료는 액정 매질 내에서 분산된 고체 성분을 포함한다. 도 3 의 방법에 원용된 세정 재료는 도 1a, 도 1b, 도 2a, 및 도 2b 에 관련하여 사전에 설명된 재료와 동일하다. 따라서, 세정 재료 내에서의 고체 성분은 액체 매질 내에서 부유 상태로 분산된다. 또한, 고체 성분은 기판의 손상을 회피하고 기판으로의 부착을 회피하도록 정의된다. 일 실시형태에서, 고체 성분은 결정성 고체로 정의된다. 다른 실시형태에서, 고체 성분은 비-결정성 고체로 정의된다. 또 다른 실시형태에서는, 고체 성분은 결정성 및 비-결정성 고체의 화합물로서 나타난다. 또한, 다양한 실시형태에서, 액체 매질은 수용성 또는 비-수용성 중 하나일 수 있다.
또한, 이 방법은,고체 성분과 오염물질 사이의 상호작용을 확립하도록, 기판상에 존재하는 오염물질 부근 내에 고체 성분을 위치시키기 위해 고체 성분에 힘을 가하는 동작 (303) 을 포함한다. 전술한 바와 같이, 오염물질의 부근 내에 고체 성분을 위치시키기 위해 필요한 힘을 고체 성분에 가하기 위해 세정 재료 내에 비혼화성 성분이 제공된다. 일 실시형태에서, 이 방법은 고체 성분에 제어된 양의 힘을 가하기 위해 비혼화성 성분을 제어하는 동작을 포함할 수 있다. 비 혼화성 성분은 액정 매질 내에서 기포 또는 혼합 불가한 액적로 정의될 수 있다. 또한, 비혼화성 성분은 액체 매질 내에서 기포 및 혼합 불가한 액적의 화합물로서 나타날 수 있다. 이와 다르게, 본 명세서에 개시된 힘 전달 엔티티를 통해서 힘이 고체 성분에 가해질 수도 있다.
이 방법의 일 실시형태에서, 비혼화성 성분은 기판에 걸쳐 세정 재료를 배치하기 전에 액체 매질 내에서 정의된다. 그러나, 다른 실시형태에서, 이 방법은 기판에 걸친 세정 재료의 배치 이후에 인-시츄 (in-situ) 로 비혼화성 성분을 형성하기 위한 동작을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비혼화성 성분은 세정 재료에 대한 주변 압력을 감소시킨 액체 매질 내에서 용해된 기체로부터 형성될 수 있다. 인시츄로 비혼화성 성분을 형성하는 것은 오염물질 제거 프로세스를 강화시킬 수도 있다는 것이 명시되어야만 한다. 예를 들어, 일 실시형태에서, 중력은 비혼화성 성분의 형성 이전에 기판을 향해서 고체 성분을 푸시하도록 기능한다. 그 후, 주변 압력이 감소되어, 액체 매질 내에서 사전 용해된 기체는 기포을 형성하기 위한 용액의 외부로 나온다. 고체 성분이 중력에 의해 기판을 향하여 자리잡게 되기 때문에, 대부분의 기포은 고체 성분상에 형성된다. 고체 성분 상부에 기포의 형성은, 기판을 향하여 이미 자리잡은 고체 성분을 통해서, 기판상의 오염물질의 부근으로 고체 성분의 이동을 강화하도록 기능한다.
다양한 실시형태에서, 고체 성분과 오염물질 사이의 상호작용은 부착력, 충돌력, 인력, 또는 그 조합으로 확립될 수 있다. 또한, 일 실시형태에서, 이 방법은, 고체 성분과 오염물질 사이에서 상호작용을 강화하기 위해 액체 매질의 화학 적 성질을 변형시키는 동작을 포함할 수 있다. 예를 들어, 액체 매질의 pH 는 고체 성분과 오염물질의 하나 또는 둘 다에서 표면 전하를 상쇄하도록 변형될 수 있어서, 정전기적 척력이 감소된다.
또한, 일 실시형태에서, 이 방법은 고체 성분과 오염물질 사이에서의 상호작용을 강화하기 위해 세정 재료의 온도를 제어하는 동작을 포함할 수 있다. 더욱 상세하게는, 세정 재료의 온도는 고체 성분의 특성을 제어하도록 제어될 수 있다. 예를 들어, 더 높은 온도에서, 고체 성분은 가단성을 더 가져서, 오염물질에 대항하여 가압되었을 때, 더 효과적으로 발휘된다. 다음으로, 고체 성분이 오염물질에 가압되고 결합되는 즉시, 고체 성분이 오염물질에 대한 등각 형상 (conformal shape) 을 더욱 유지시키기 위해 영향을 적게 받도록 온도를 낮추고, 그로 인해 고체 성분 및 오염물질이 함께 효과적으로 차단된다. 또한, 온도는 가용성 및 이에 따른 고체 성분의 농도를 제어하기 위해 이용될 수도 있다. 예를 들어, 더 높은 온도에서, 고체 성분은 액체 매질 내에서 용해하기 더욱 쉽게 될 수도 있다. 또한, 온도는 액체-액체 부유물로부터 웨이퍼 상에서 인시츄로 고체 성분의 형성을 제어하고 및/또는 가능하게 하도록 이용될 수도 있다.
다른 실시형태에서, 이 방법은 연속 액체 매질 내에서 용해된 고체를 침전시키기 위한 동작을 포함할 수 있다. 이 침전 동작은 그 고체를 용매로 용해하고, 그 후, 용매와 혼합가능하지만 그 고체와는 용해되지 않는 성분을 첨가함으로써 달성될 수 있다. 용매와 혼합가능하지만 그 고체와는 용해되지 않는 성분의 첨가는 고체 성분의 침전을 유발한다.
또한, 이 방법은, 고체 성분과 상호작용하는 오염물질이 기판으로부터 제거되도록, 기판으로부터 고체 성분을 분리되도록 이동시키기 위한 동작 (305) 을 더 포함한다. 일 실시형태에서, 이 방법은 기판으로부터 고체 성분 및/또는 오염물질의 이동을 제어 또는 강화시키기 위해 기판상에서의 세정 재료의 흐름을 제어하는 동작을 포함한다. 기판으로부터 오염물질을 제거하기 위한 본 발명의 방법은, 제거되는 오염물질과 고체 성분의 상호작용을 확립하도록 세정 재료의 고체 성분에 힘을 가하기 위한 수단이 있는 한, 수많은 상이한 방법으로 구현될 수 있다. 전술한 실시형태는 비혼화성 성분으로 지칭되고, 이 실시형태들은 비혼화성 성분을 가지도록 요구되지 않는다는 것이 명시된다. 후술하는 바와 같이, 힘 전달 엔티티는 유체층을 씨닝하기 위해 고체 성분에 힘을 제공하여 이에 따라 전단력을 생성하고 및/또는 고체 성분과 오염물질의 상호작용을 가능하게 한다.
도 4 는 본 명세서에 설명된 실시형태에 따라서 힘과 거리의 관계를 나타내는 그래프를 도시하는 간략화된 개략도이다. 그래프 (400) 에 도시된 바와 같이, 도 1a 내지 도 2b 의 고체 성분 (109) 과 기판 (105) 의 상부 표면 사이의 거리가 작아짐에 따라, 고체 성분을 더욱 가까이로 이동시키기 위해 요구되는 힘은 증가한다. 그 거리가 더욱 작아짐에 따라서, 고체 성분과 기판 표면 사이의 유체는 더욱 더 씨닝되어 증가된 전단 속도를 초래한다. 또한, 도 1a, 도 1b, 및 도 2a 는 하향력 F 의 법선 성분을 도시하고, 이 실시형태는 법선 힘으로만 한정되지 않는다. 즉, 가해진 힘은 전체 힘 중 0 보다 큰 임의의 비율일 수 있는 법선 성분을 갖는다.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 형상화된 멤브레인을 가지는 기판의 표면을 세정하기 위한 기술을 도시하는 간략화된 개략도이다. 이 실시형태에서, 힘 전달 엔티티 (500) 는 원통형의 일부로서 제공된다. 힘 전달 엔티티 (500) 는 일 실시형태에서 회전 포인트 (501) 주위를 회전할 수도 있다. 이와 다르게, 힘 전달 엔티티 (500) 는 화살표 (503) 로 도시된 바와 같이 측면으로 이동할 수도 있다. 물론, 힘 전달 엔티티 (500) 는 회전 포인트 (501) 주위를 회전하고 측면으로 이동할 수도 있다. 회전 포인트 (501; pivot point) 주위를 회전할 때, 굴곡 포인트 (505) 는 기판 (105) 의 표면으로부터의 거리만큼 일정하게 유지한다. 필수적으로, 힘 전달 엔티티 (500) 는 이 실시형태에서 진자 (pendulum) 로서 작용하고, 백-앤-포스 작용 (back and forth action) 은 전단력 또는 상호작용을 통해 오염물질 (103) 을 제거하기 위해 유체층 (101) 의 압착을 제공할 것이다. 기판 (105) 은 힘 전달 엔티티 (500) 에 대해 측면으로 또는 순환적으로 이동할 수도 있다는 것이 파악된다. 물론, 기판 (105) 과 힘 전달 엔티티 (500) 모두가 동작중일 수도 있다. 다른 실시형태에서, 힘 전달 엔티티 (500) 는 임의의 상용 재료로 구성된 평탄한 플레이트일 수도 있다. 평탄한 플레이트는 유체층을 씨닝하도록 힘을 가하여 전단력을 생성하거나 또는 오염물질 부근에 고체 성분을 놓이게 하여 그 둘의 상호작용을 가능하게 한다.
도 6 은, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 힘 전달 엔티티로서 이용된 컴플라이언트 멤브레인을 도시하는 간략화된 개략도이다. 유체층 (101) 을 씨닝하기 위한 힘을 제공하기 위해 벌룬 또는 팽창성 성분의 몇몇 다른 유형에 의해 멤브 레인 (500) 이 채용될 수도 있다. 유체 공급기 (507) 는 기체 또는 액체를 제공하여 밸브 (502) 를 통해서 힘 전달 엔티티 (500) 로 공급하는 전달 배선으로 힘 전달 엔티티를 팽창시키거나/가압한다. 힘 전달 엔티티 (500) 는 순응성이기 때문에, 기판 (105) 의 표면에 걸쳐서 제공되고 그 상부의 유체 (101) 로 제공된 힘은 균등하게 분배된다. 도 6 의 힘 전달 엔티티는 기판 (105) 의 전체 표면을 커버하거나 또는 기판 (105) 의 표면의 일부를 커버할 수도 있고, 기판에 걸쳐서 이동하여 기판 (105) 의 전체 세정을 완성할 수도 있다. 이와 다르게, 기판 (105) 은 힘 전달 엔티티 (500) 아래에서 회전하거나 또는 선형으로 이동될 수도 있다. 힘의 크기는 힘 전달 엔티티 (500) 의 내부에서 공기압 또는 액체 압력을 조절함으로써 제어될 수도 있다. 일 실시형태에서, 세정 유체가 이용되어 힘 전달 엔티티 (500) 를 가압할 수도 있다. 이 실시형태에서, 힘 전달 엔티티 (500) 는 세정 유체를 기판 (105) 의 상부 표면으로 지향시키기 위해 하부 표면상에 상대적으로 작은 오리피스 (orifice) 를 포함할 수도 있다. 이 오리피스는 힘 전달 엔티티 (500) 를 팽창시키거나/가압하도록 압력 구배 (pressure gradient) 를 유지하기에 충분히 작을 것이다. 기판 (105) 의 표면에 세정 유체의 전달을 용이하게 하기 위해, 힘 전달 엔티티 (500) 의 하부 표면은 보강되거나 또는 그 상부에 정의된 돌출부를 가져서 힘 전달 엔티티의 하부 표면과 기판의 상부 표면 사이에서 갭 또는 개방된 영역을 정의할 수도 있다. 따라서, 이 실시형태에 의해 생성된 갭으로 그 오리피스를 통해서 고체를 포함하는 세정 유체가 전달될 것이다. 그리하여, 전술한 바와 같이, 힘 전달 엔티티의 법선 성분은 전술한 바와 같이 기능할 것이다.
도 7 은, 힘 전달 엔티티가 원통형 형상을 가지는 실시형태를 도시하는 간략화된 개략도이다. 기판 (105) 상에 배치된 유체층 (101) 을 씨닝하기 위해 필요한 힘이 제공되도록 힘 전달 엔티티 (510) 가 이용된다. 힘 전달 엔티티 (510) 는 축 (509) 주위를 회전할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 힘 전달 엔티티 (510) 는 기판 (105) 의 표면에 걸쳐서 측면으로 이동할 수도 있다. 물론, 전술한 바와 같이, 힘 전달 엔티티는 다른 실시형태에서 측면으로 그리고 순환적으로 이동할 수도 있다. 힘 전달 엔티티 (510) 는 축 (509) 주위에서 백-앤-포스로 흔들릴 수도 있다는 것이 더 파악된다. 즉, 힘 전달 엔티티 (510) 는 일 방향으로 회전운동의 일부를 회전시킨 후, 반대 회전 방향으로 회전 운동의 다른 일부를 다시 회전시킬 수도 있다.
도 8 은 도 7 의 힘 전달 엔티티에 대한 대안 실시형태를 도시하는 간략화된 개략도이다. 도 8 의 힘 전달 엔티티 (510) 는 유체층에 섭동을 일으키거나 교란을 일으킬 수 있을 뿐만 아니라 유체층을 씨닝할 수 있는 돌출부 (512) 를 갖는다. 돌출부 (512) 는 도 8 에서 삼각형 형상을 가지지만 이에 한정하지 않는다. 즉, 돌출부 (512) 는 임의의 적절한 기하학적 형상, 예를 들어, 원형, 정사각형, 원통형, 배플 (baffle) 등일 수도 있다. 필수적으로, 유체층 (101) 이 돌출부에 의해 교란되는 임의의 구성이 도 8 로 표현된 실시형태에서 바람직한 기능을 달성할 것이다. 도 8 의 실시형태를 참조하는 다른 방법은, 힘 전달 엔티티 (510) 의 외부 표면이 텍스쳐 (texture) 를 가진다는 것이다. 도 8 에 대해 설명된 유체층에 섭동 또는 교란을 제공함으로써, 유체층은 이 교란으로부터 고체 특징을 가지기 시작되고, 기판 (105) 의 표면상에 배치된 오염물질을 이동시키는데 도움이 될 수도 있다. 교란의 빈도수가 대략 0.1 이상의 드보라 수 (Deborah number) 에 근접함에 따라, 유체는 액체라기보다는 고체로서 작용하기 시작한다. 드보라 수는 변형의 타임 스케일 (힘 전달 엔티티의 섭동 주파수) 에 대한 재료의 특징적인 타임 스케일 비율, 즉, 유체에서 분자의 완화 시간으로서 정의된다.
도 9 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 기판의 표면을 세정하기 위한 시스템의 간략화된 개략도이다. 이 시스템은 기판 (105) 상부에 유체층 (101) 을 제공하는 유체 저장소 (520) 를 포함한다. 이 실시형태에서, 유체 저장소 (520) 는 밸브 (522) 를 통해서 유체를 기판 (105) 으로 공급한다. 분사 (spraying), 퍼들링 (puddling) 등과 같은 수많은 다른 유체 전달 기술이 적용될 수도 있다는 것이 당업자에게는 명백하다. 그 후, 힘 전달 엔티티 (510) 는 전술한 실시형태에 따라서 기판 (105) 의 표면을 세정하기 위해 유체층 (101) 을 씨닝할 것이다. 전술한 바와 같이, 힘 전달 엔티티는 기판 (105) 의 상부 표면에 걸쳐서 회전하고 또는 측면으로 이동할 수도 있고, 또는, 회전 및 측면 이동의 조합일 수도 있다. 그러나, 힘 전달 엔티티 (510) 는 롤러 (roller) 로서 도시되지만, 힘 전달 엔티티에 대해 개시된 임의의 것이 여기 통합될 수도 있다. 기판 (105) 의 전체 표면이 세정 효과, 즉, 유체층 (101) 을 씨닝하는 하향력을 경험하면, 기판 (105) 은 세정 모듈, 예를 들어, 스핀 린스 및 건조 (SRD; spin rinse and dry) 모듈 (530) 로 전달될 수도 있다. 이와 다르게, 기판 (105) 의 상부 에 대해 직각으로 이동하여 기판 (105) 의 표면으로부터 힘이 가해진 임의의 힘 전달 엔티티 (510) 가 제거될 수도 있다. 일 실시형태의 고체 파티클 (109) 에 부착되어 있을 수도 있는 오염물질은 최종 세정 및 린스 단계에서 워싱 (wash) 된다. 이 세정 및 린스 단계는 화학물질, 예를 들어, 수산화 암모늄 (ammonium hydroxide) 또는 계면활성제를 포함하여 기판 (105) 의 표면으로부터 지방산의 제거를 용이하게 하며, 여기서 유체층 내의 세정제는 지방산, 예를 들어, 카르복실산을 포함한다.
본 발명이 반도체 웨이퍼로부터 오염물질을 제거하는 내용으로 설명되었지만, 본 발명의 전술한 원리 및 기술이 반도체 웨이퍼 이외의 표면을 세정하는데도 동등하게 적용될 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 본 발명은 반도체 제조에 이용된 임의의 장비 표면을 세정하는데 이용될 수 있고, 여기서, 임의의 장비 표면은 웨이퍼와 환경적인 통신을 하는, 예를 들어, 웨이퍼와 공기 공간을 공유하는 임의의 표면을 지칭한다. 본 발명은 오염물질 제거가 중요한 다른 기술 영역에 이용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 공간 프로그램, 또는 다른 하이 테크놀로지 영역, 예를 들어, 표면 과학, 에너지, 광학, 마이크로 전자공학, MEMS, 평면-패널 프로세싱, 태양 전지, 메모리 디바이스 등에 이용된 부품에서 오염물질을 제거하는데 이용될 수 있다. 본 발명이 이용될 수 있는 예시적인 영역의 전술한 목록 열거는 포괄적인 목록을 열거하는 것을 나타내도록 의도되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 또한, 본 명세서의 예시적인 설명에 이용된 것과 같은 웨이퍼는 필수적인 임의의 다른 구조, 예를 들어, 기판, 부품, 패널 등을 나타내는 것으로 일반화될 수 있다는 것을 이해해야만 한다.
본 발명이 수개의 실시형태에 관련하여 설명되었지만, 당업자는 전술한 상세설명을 읽고 도면을 연구함으로써 다양한 변화물, 추가물, 치환물 및 그 등가물을 실현할 것이다. 따라서, 본 발명은 본 발명의 진정한 취지 및 범위에 포함되는 이러한 모든 변화물, 추가물, 치환물, 및 등가물을 포함하는 것이 의도된다. 청구범위에서, 엘리먼트들 및/또는 단계들은, 청구항에서 명백하게 명시되지 않는 한, 동작의 임의의 특정 순서를 함축하지 않는다.

Claims (28)

  1. 기판을 세정하는 방법으로서,
    고체 성분들을 가지는 유체층을 상기 기판의 표면에 배치하는 단계;
    상기 기판의 상기 표면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력을 생성하는 단계로서, 상기 전단력은 상기 유체층과 접촉하는 고체 본체에 가해진 힘의 법선 성분 또는 접선 (tangential) 성분 중 하나로부터 초래되는, 상기 전단력을 생성하는 단계; 및
    상기 기판의 상기 표면을 린스하여 상기 유체층을 제거하는 단계를 포함하는, 기판 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 표면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력을 생성하는 단계는,
    상기 기판의 상기 표면을 향해서 상기 고체 성분들 중 하나에 힘을 가하는 단계를 포함하는, 기판 세정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 표면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력을 생성하는 단계는,
    상기 고체 성분들 중 하나의 고체 성분의 하부 표면과 상기 기판의 상부 표면 사이에 정의된 상기 유체층의 부분을 씨닝하는 (thinning) 단계를 포함하는, 기판 세정 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체층을 주기적으로 교란시켜 상기 전단력을 주기적으로 생성시키는 단계를 더 포함하는, 기판 세정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체층은 지방산을 포함하는, 기판 세정 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 지방산은 카르복실산인, 기판 세정 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 표면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력을 생성하는 단계는,
    상기 기판의 상기 표면 상부에 배치된 힘 전달 엔티티를 회전시키는 단계를 포함하는, 기판 세정 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 표면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력을 생성하는 단계는,
    상기 유체층과 접촉하는 상기 고체 본체를 가압하는 단계를 포함하는, 기판 세정 방법.
  9. 기판을 세정하는 세정 장치로서,
    상기 기판의 표면상에 배치된 유체와 접촉하는 외부 표면을 가지는 힘 전달 엔티티로서, 상기 유체는 고체 성분들을 가지고, 상기 힘 전달 엔티티는 상기 기판의 상기 표면을 향해서 상기 고체 성분들에 힘을 가하도록 구성된, 상기 힘 전달 엔티티; 및
    상기 힘 전달 엔티티 아래에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지체를 포함하는, 기판 세정 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티는 상기 기판의 상기 표면에 상기 유체를 공급하는, 기판 세정 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티는 그 내부에 스페이스를 정의하는 컴플라이언트 멤브레 인 (compliant membrane) 이고,
    상기 스페이스는 상기 유체로 충전되는, 기판 세정 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티는, 축 주위를 회전하고 상기 기판의 상기 표면에 대해 측면으로 이동하도록 구성된, 기판 세정 장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티로 그리고 상기 기판의 상기 표면으로 상기 유체를 제공하는 유체 전달 시스템 (fluid delivery system) 을 더 포함하는, 기판 세정 장치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 유체는 지방산을 포함하는, 기판 세정 장치.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 유체는 계면활성제를 포함하는, 기판 세정 장치.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 고체 성분들에 가해진 상기 힘은 법선 성분을 포함하는, 기판 세정 장치.
  17. 제 9 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티의 상기 외부 표면은 텍스쳐링 (texture) 되는, 기판 세정 장치.
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티의 상기 외부 표면은 복수의 돌출부들을 포함하는, 기판 세정 장치.
  19. 제 9 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티의 상기 외부 표면은 평탄면을 가지는 플레이트인, 기판 세정 장치.
  20. 기판의 표면에 고체 성분들을 가지는 유체를 전달하도록 구성된 유체 저장소;
    상기 기판의 상기 표면상에 배치된 상기 유체와 접촉하도록 구성된 외부 표면을 가지는 힘 전달 엔티티로서, 상기 힘 전달 엔티티는 상기 고체 성분들 중 하나의 고체 성분의 하부 표면과 상기 기판의 상기 표면 사이에 정의된 유체층을 씨닝하기 위해 법선 성분을 가지는 힘을 제공하도록 구성되는, 상기 힘 전달 엔티티; 및
    상기 힘 전달 엔티티 아래에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지체를 포함하는, 기판 세정 시스템.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티는 가압되도록 구성된, 기판 세정 시스템.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티는 빈도수에 따라서 상기 유체층을 교란시키도록 구성된, 기판 세정 시스템.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 유체층은 점탄성인, 기판 세정 시스템.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 지지체 구조는 상기 기판을 회전시키도록 구성된, 기판 세정 시스템.
  25. 제 20 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티는, 축 주위를 회전하고 상기 기판의 상기 표면에 대해 측면으로 이동하도록 구성된, 기판 세정 시스템.
  26. 제 20 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티는 평탄면을 가지는 플레이트인, 기판 세정 시스템.
  27. 제 20 항에 있어서,
    상기 힘 전달 엔티티는 팽창성이 있는, 기판 세정 시스템.
  28. 제 20 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 표면으로부터 상기 유체를 제거하도록 구성된 스핀 린스 및 건조 시스템을 더 포함하는, 기판 세정 시스템.
KR1020087018873A 2005-12-30 2006-12-21 반도체 기판을 세정하는 방법 및 장치 KR101312973B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US75537705P 2005-12-30 2005-12-30
US60/755,377 2005-12-30
US11/612,371 2006-12-18
US11/612,371 US8522801B2 (en) 2003-06-27 2006-12-18 Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
PCT/US2006/049109 WO2007079036A2 (en) 2005-12-30 2006-12-21 Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080085072A true KR20080085072A (ko) 2008-09-22
KR101312973B1 KR101312973B1 (ko) 2013-10-01

Family

ID=38228775

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087018881A KR101426777B1 (ko) 2005-12-30 2006-12-08 기판으로부터 오염물질을 제거하기 위한 방법 및 장치
KR1020087018873A KR101312973B1 (ko) 2005-12-30 2006-12-21 반도체 기판을 세정하는 방법 및 장치
KR1020087018880A KR101401753B1 (ko) 2005-12-30 2006-12-26 반도체 기판을 세정하는 방법 및 장치
KR1020087018741A KR101376911B1 (ko) 2005-12-30 2008-07-29 2-상 기판 세정 물질을 이용하기 위한 방법 및 시스템

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087018881A KR101426777B1 (ko) 2005-12-30 2006-12-08 기판으로부터 오염물질을 제거하기 위한 방법 및 장치

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087018880A KR101401753B1 (ko) 2005-12-30 2006-12-26 반도체 기판을 세정하는 방법 및 장치
KR1020087018741A KR101376911B1 (ko) 2005-12-30 2008-07-29 2-상 기판 세정 물질을 이용하기 위한 방법 및 시스템

Country Status (9)

Country Link
US (2) US8475599B2 (ko)
EP (2) EP2428557A1 (ko)
JP (4) JP4892565B2 (ko)
KR (4) KR101426777B1 (ko)
CN (10) CN101351282B (ko)
MY (2) MY149848A (ko)
SG (2) SG154438A1 (ko)
TW (3) TWI330551B (ko)
WO (1) WO2007078955A2 (ko)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040031167A1 (en) * 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
WO2009076233A1 (en) * 2007-12-07 2009-06-18 Fontana Technology Particle removal cleaning method and composition
US8084406B2 (en) * 2007-12-14 2011-12-27 Lam Research Corporation Apparatus for particle removal by single-phase and two-phase media
US8828145B2 (en) * 2009-03-10 2014-09-09 Lam Research Corporation Method of particle contaminant removal
US9159593B2 (en) 2008-06-02 2015-10-13 Lam Research Corporation Method of particle contaminant removal
US8105997B2 (en) * 2008-11-07 2012-01-31 Lam Research Corporation Composition and application of a two-phase contaminant removal medium
US8739805B2 (en) * 2008-11-26 2014-06-03 Lam Research Corporation Confinement of foam delivered by a proximity head
US8317934B2 (en) * 2009-05-13 2012-11-27 Lam Research Corporation Multi-stage substrate cleaning method and apparatus
US8251223B2 (en) * 2010-02-08 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning system and a package carrier for a semiconductor package
US8595929B2 (en) * 2010-10-21 2013-12-03 Siemens Energy, Inc. Repair of a turbine engine surface containing crevices
CN102569013A (zh) * 2010-12-17 2012-07-11 朗姆研究公司 用于检测晶片应力的系统和方法
CN102315098B (zh) * 2011-09-28 2016-03-30 上海华虹宏力半导体制造有限公司 清洗半导体基底和形成栅介质层的方法
CN103987664B (zh) 2011-12-06 2017-03-08 德尔塔阀门公司 龙头中的臭氧分配
KR20130072664A (ko) * 2011-12-22 2013-07-02 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 소자의 제조방법
CN102744227A (zh) * 2012-07-16 2012-10-24 安徽未来表面技术有限公司 一种用于太阳能发电装置上的硅片清洗方法
WO2015004535A2 (en) * 2013-07-05 2015-01-15 King Abdullah University Of Science And Technology System and method for conveying an assembly
CN103406322A (zh) * 2013-07-22 2013-11-27 彩虹显示器件股份有限公司 一种用于清洗基板玻璃的装置及方法
US10767143B2 (en) 2014-03-06 2020-09-08 Sage Electrochromics, Inc. Particle removal from electrochromic films using non-aqueous fluids
DE102014206875A1 (de) * 2014-04-09 2015-10-15 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Reinigung von technischen Anlagenteilen von Metallhalogeniden
US10753011B2 (en) 2014-09-11 2020-08-25 Tokuyama Corporation Cleaning method and laminate of aluminum nitride single-crystal substrate
US11458214B2 (en) 2015-12-21 2022-10-04 Delta Faucet Company Fluid delivery system including a disinfectant device
CN106111610B (zh) * 2016-06-26 2018-07-17 河南盛达光伏科技有限公司 单晶硅线切割碎片表面附着性脏污预清洗处理方法
KR101955597B1 (ko) * 2017-05-17 2019-05-31 세메스 주식회사 세정액 제조 장치 및 방법
KR102341398B1 (ko) 2018-01-18 2021-12-17 가부시키가이샤 아이에이치아이 라이닝재 박리 방법
GB2574179B (en) * 2018-03-12 2021-06-30 Illinois Tool Works Contact cleaning surface assembly
KR102072581B1 (ko) 2018-05-04 2020-02-03 세메스 주식회사 기판 처리방법 및 처리장치
JP7227758B2 (ja) 2018-05-31 2023-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7227757B2 (ja) * 2018-05-31 2023-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN110883017B (zh) * 2018-09-10 2020-12-29 北京石墨烯研究院 静态清洁石墨烯表面的方法和装置
CN110591832A (zh) * 2019-09-26 2019-12-20 嘉兴瑞智光能科技有限公司 一种高效环保无污染硅片清洗剂及其制备方法
KR102281885B1 (ko) 2019-11-06 2021-07-27 세메스 주식회사 기판 세정 방법 및 기판 처리 장치

Family Cites Families (169)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL251243A (ko) * 1959-05-04
US3212762A (en) * 1960-05-23 1965-10-19 Dow Chemical Co Foam generator
US3360476A (en) * 1964-03-19 1967-12-26 Fmc Corp Liquid heavy duty cleaner and disinfectant
US3436262A (en) * 1964-09-25 1969-04-01 Dow Chemical Co Cleaning by foam contact,and foam regeneration method
US3617095A (en) 1967-10-18 1971-11-02 Petrolite Corp Method of transporting bulk solids
GB1427341A (en) * 1972-05-22 1976-03-10 Unilever Ltd Liquid soap product
US3978176A (en) * 1972-09-05 1976-08-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sparger
GB1507472A (en) * 1974-05-02 1978-04-12 Bunker Ramo Foamable coating remover composition
GB1447435A (en) * 1974-06-03 1976-08-25 Ferrara P J Barnes C A Gordon Soap composition and process of producing such
US4156619A (en) * 1975-06-11 1979-05-29 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for cleaning semi-conductor discs
US4133773A (en) * 1977-07-28 1979-01-09 The Dow Chemical Company Apparatus for making foamed cleaning solutions and method of operation
DE2823002B2 (de) * 1978-05-26 1981-06-04 Chemische Werke München Otto Bärlocher GmbH, 8000 München Verfahren zur Herstellung von Metallseifengranulat
US4238244A (en) 1978-10-10 1980-12-09 Halliburton Company Method of removing deposits from surfaces with a gas agitated cleaning liquid
US4387040A (en) * 1981-09-30 1983-06-07 Colgate-Palmolive Company Liquid toilet soap
US4838289A (en) * 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
DE3760569D1 (en) * 1986-07-08 1989-10-26 Kohlensaeurewerk Deutschland A process for drying of plant or animal substances
NL8601939A (nl) 1986-07-28 1988-02-16 Philips Nv Werkwijze voor het verwijderen van ongewenste deeltjes van een oppervlak van een substraat.
US4817652A (en) * 1987-03-26 1989-04-04 Regents Of The University Of Minnesota System for surface and fluid cleaning
US4962776A (en) * 1987-03-26 1990-10-16 Regents Of The University Of Minnesota Process for surface and fluid cleaning
US4849027A (en) * 1987-04-16 1989-07-18 Simmons Bobby G Method for recycling foamed solvents
US4753747A (en) * 1987-05-12 1988-06-28 Colgate-Palmolive Co. Process of neutralizing mono-carboxylic acid
US5105556A (en) * 1987-08-12 1992-04-21 Hitachi, Ltd. Vapor washing process and apparatus
US4867896A (en) * 1988-02-17 1989-09-19 Lever Brothers Company Cleaning compositions containing cross-linked polymeric thickeners and hypochlorite bleach
US5048549A (en) * 1988-03-02 1991-09-17 General Dynamics Corp., Air Defense Systems Div. Apparatus for cleaning and/or fluxing circuit card assemblies
US5181985A (en) * 1988-06-01 1993-01-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers
US5000795A (en) * 1989-06-16 1991-03-19 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning method and apparatus
US5102777A (en) * 1990-02-01 1992-04-07 Ardrox Inc. Resist stripping
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
EP0445728B1 (en) * 1990-03-07 1994-06-08 Hitachi, Ltd. Apparatus and method for cleaning solid surface
DE4038587A1 (de) 1990-12-04 1992-06-11 Hamatech Halbleiter Maschinenb Transportvorrichtung fuer substrate
US5306350A (en) * 1990-12-21 1994-04-26 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Methods for cleaning apparatus using compressed fluids
US5261966A (en) * 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns
US5147574A (en) * 1991-03-05 1992-09-15 The Procter & Gamble Company Stable liquid soap personal cleanser
US5175124A (en) 1991-03-25 1992-12-29 Motorola, Inc. Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water
US5242669A (en) * 1992-07-09 1993-09-07 The S. A. Day Mfg. Co., Inc. High purity potassium tetrafluoroaluminate and method of making same
US5288332A (en) * 1993-02-05 1994-02-22 Honeywell Inc. A process for removing corrosive by-products from a circuit assembly
US5336371A (en) * 1993-03-18 1994-08-09 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow
US5464480A (en) 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5911837A (en) * 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5472502A (en) 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5950645A (en) 1993-10-20 1999-09-14 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5656097A (en) * 1993-10-20 1997-08-12 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US5417768A (en) * 1993-12-14 1995-05-23 Autoclave Engineers, Inc. Method of cleaning workpiece with solvent and then with liquid carbon dioxide
JP3380021B2 (ja) * 1993-12-28 2003-02-24 株式会社エフティーエル 洗浄方法
CA2170501C (en) * 1993-12-30 2008-01-29 Rhonda Kay Schulz Method of making urea-based solid cleaning compositions
DE69523208T2 (de) * 1994-04-08 2002-06-27 Texas Instruments Inc Verfahren zur Reinigung von Halbleiterscheiben mittels verflüssigter Gase
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US6081650A (en) * 1994-06-30 2000-06-27 Thomson Licensing S.A. Transport processor interface and video recorder/playback apparatus in a field structured datastream suitable for conveying television information
US5705223A (en) * 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
US5772784A (en) 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
JP3504023B2 (ja) * 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
US6035483A (en) * 1995-06-07 2000-03-14 Baldwin Graphic Systems, Inc. Cleaning system and process for making and using same employing a highly viscous solvent
US5964958A (en) 1995-06-07 1999-10-12 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning objects using aerosols
US5968285A (en) 1995-06-07 1999-10-19 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning of objects using aerosols and inert gases
US6532976B1 (en) * 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
JP3590470B2 (ja) * 1996-03-27 2004-11-17 アルプス電気株式会社 洗浄水生成方法および洗浄方法ならびに洗浄水生成装置および洗浄装置
DE19622015A1 (de) * 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
TW416987B (en) * 1996-06-05 2001-01-01 Wako Pure Chem Ind Ltd A composition for cleaning the semiconductor substrate surface
JP3350627B2 (ja) * 1996-07-03 2002-11-25 宮崎沖電気株式会社 半導体素子の異物除去方法及びその装置
DE19631363C1 (de) * 1996-08-02 1998-02-12 Siemens Ag Wässrige Reinigungslösung für ein Halbleitersubstrat
JPH1055993A (ja) 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
WO1998013149A1 (fr) * 1996-09-25 1998-04-02 Shuzurifuresher Kaihatsukyodokumiai Systeme de lavage utilisant un gaz liquefie de haute densite
TW357406B (en) 1996-10-07 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning and drying a substrate
JP3286539B2 (ja) * 1996-10-30 2002-05-27 信越半導体株式会社 洗浄装置および洗浄方法
US5858283A (en) * 1996-11-18 1999-01-12 Burris; William Alan Sparger
US5906021A (en) * 1996-12-06 1999-05-25 Coffey; Daniel Fluid-wetted or submerged surface cleaning apparatus
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5900191A (en) * 1997-01-14 1999-05-04 Stable Air, Inc. Foam producing apparatus and method
US5800626A (en) * 1997-02-18 1998-09-01 International Business Machines Corporation Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates
US20020157686A1 (en) * 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US6701941B1 (en) * 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
JPH10321572A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Toshiba Corp 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法
JPH1126423A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Sugai:Kk 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
US6152805A (en) 1997-07-17 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Polishing machine
US5932493A (en) * 1997-09-15 1999-08-03 International Business Machines Corporaiton Method to minimize watermarks on silicon substrates
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
EP0905746A1 (en) 1997-09-24 1999-03-31 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US5904156A (en) * 1997-09-24 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's
US6398975B1 (en) * 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US5807439A (en) * 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers
JP3039493B2 (ja) * 1997-11-28 2000-05-08 日本電気株式会社 基板の洗浄方法及び洗浄溶液
US6270584B1 (en) * 1997-12-03 2001-08-07 Gary W. Ferrell Apparatus for drying and cleaning objects using controlled aerosols and gases
US5865901A (en) * 1997-12-29 1999-02-02 Siemens Aktiengesellschaft Wafer surface cleaning apparatus and method
US6042885A (en) * 1998-04-17 2000-03-28 Abitec Corporation System and method for dispensing a gel
US6049996A (en) * 1998-07-10 2000-04-18 Ball Semiconductor, Inc. Device and fluid separator for processing spherical shaped devices
US5944581A (en) * 1998-07-13 1999-08-31 Ford Motor Company CO2 cleaning system and method
JP3003684B1 (ja) * 1998-09-07 2000-01-31 日本電気株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄液
JP2000100801A (ja) 1998-09-25 2000-04-07 Sumitomo Electric Ind Ltd エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびにそれに用いられる化合物半導体基板の表面清浄化方法
JP2000141215A (ja) * 1998-11-05 2000-05-23 Sony Corp 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法
JP2000265945A (ja) * 1998-11-10 2000-09-26 Uct Kk 薬液供給ポンプ、薬液供給装置、薬液供給システム、基板洗浄装置、薬液供給方法、及び基板洗浄方法
US6090217A (en) * 1998-12-09 2000-07-18 Kittle; Paul A. Surface treatment of semiconductor substrates
JP2000260739A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US6290780B1 (en) * 1999-03-19 2001-09-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing a wafer
US6849581B1 (en) * 1999-03-30 2005-02-01 Bj Services Company Gelled hydrocarbon compositions and methods for use thereof
US6272712B1 (en) * 1999-04-02 2001-08-14 Lam Research Corporation Brush box containment apparatus
JP3624116B2 (ja) * 1999-04-15 2005-03-02 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP4247587B2 (ja) 1999-06-23 2009-04-02 Ｊｓｒ株式会社 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法
FR2795960B1 (fr) * 1999-07-05 2001-10-19 Sanofi Elf Microemulsions stables pour l'administration d'acides gras a l'homme ou a l'animal, et utilisation de ces microemulsions
US20020121290A1 (en) * 1999-08-25 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
US6734121B2 (en) * 1999-09-02 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Methods of treating surfaces of substrates
US6228563B1 (en) * 1999-09-17 2001-05-08 Gasonics International Corporation Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices
US7122126B1 (en) 2000-09-28 2006-10-17 Materials And Technologies Corporation Wet processing using a fluid meniscus, apparatus and method
US6858089B2 (en) * 1999-10-29 2005-02-22 Paul P. Castrucci Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning
US6881687B1 (en) * 1999-10-29 2005-04-19 Paul P. Castrucci Method for laser cleaning of a substrate surface using a solid sacrificial film
US6576066B1 (en) * 1999-12-06 2003-06-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Supercritical drying method and supercritical drying apparatus
US20020006767A1 (en) 1999-12-22 2002-01-17 Applied Materials, Inc. Ion exchange pad or brush and method of regenerating the same
US6286231B1 (en) * 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
US6705930B2 (en) * 2000-01-28 2004-03-16 Lam Research Corporation System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques
US6276459B1 (en) * 2000-02-01 2001-08-21 Bradford James Herrick Compressed air foam generator
US6594847B1 (en) * 2000-03-28 2003-07-22 Lam Research Corporation Single wafer residue, thin film removal and clean
US6457199B1 (en) 2000-10-12 2002-10-01 Lam Research Corporation Substrate processing in an immersion, scrub and dry system
ES2288998T3 (es) * 2000-05-17 2008-02-01 Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien Cuerpos moldeados de detergentes o productos de limpieza.
US6927176B2 (en) * 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US6488040B1 (en) 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
KR100366623B1 (ko) 2000-07-18 2003-01-09 삼성전자 주식회사 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법
WO2002015255A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-21 Chem Trace Corporation System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment parts
US6328042B1 (en) * 2000-10-05 2001-12-11 Lam Research Corporation Wafer cleaning module and method for cleaning the surface of a substrate
RU2292386C2 (ru) * 2000-11-03 2007-01-27 Унилевер Н.В. Композиция для чистки твердых поверхностей и способ чистки
US20020094684A1 (en) * 2000-11-27 2002-07-18 Hirasaki George J. Foam cleaning process in semiconductor manufacturing
US6525009B2 (en) * 2000-12-07 2003-02-25 International Business Machines Corporation Polycarboxylates-based aqueous compositions for cleaning of screening apparatus
US20020081945A1 (en) * 2000-12-21 2002-06-27 Rod Kistler Piezoelectric platen design for improving performance in CMP applications
US6596093B2 (en) * 2001-02-15 2003-07-22 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation
US6641678B2 (en) * 2001-02-15 2003-11-04 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with aqueous carbon dioxide systems
US6493902B2 (en) 2001-02-22 2002-12-17 Chung-Yi Lin Automatic wall cleansing apparatus
JP2002280343A (ja) 2001-03-15 2002-09-27 Nec Corp 洗浄処理装置、切削加工装置
JP2002280330A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Lintec Corp チップ状部品のピックアップ方法
US6627550B2 (en) * 2001-03-27 2003-09-30 Micron Technology, Inc. Post-planarization clean-up
JP2002309638A (ja) 2001-04-17 2002-10-23 Takiron Co Ltd 建物の排水管路における通気性掃除口
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US6802911B2 (en) 2001-09-19 2004-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for cleaning damaged layers and polymer residue from semiconductor device
CN1589317A (zh) * 2001-11-19 2005-03-02 荷兰联合利华有限公司 改进的洗涤体系
US20030171239A1 (en) * 2002-01-28 2003-09-11 Patel Bakul P. Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology
GB2385597B (en) * 2002-02-21 2004-05-12 Reckitt Benckiser Inc Hard surface cleaning compositions
JP2003282513A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Seiko Epson Corp 有機物剥離方法及び有機物剥離装置
JP4570008B2 (ja) 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US20040159335A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-19 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus for removing organic layers
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
US20040002430A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Applied Materials, Inc. Using a time critical wafer cleaning solution by combining a chelating agent with an oxidizer at point-of-use
JP4017463B2 (ja) * 2002-07-11 2007-12-05 株式会社荏原製作所 洗浄方法
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US6998327B2 (en) 2002-11-19 2006-02-14 International Business Machines Corporation Thin film transfer join process and multilevel thin film module
US6875286B2 (en) 2002-12-16 2005-04-05 International Business Machines Corporation Solid CO2 cleaning
US6733596B1 (en) * 2002-12-23 2004-05-11 Lam Research Corporation Substrate cleaning brush preparation sequence, method, and system
US20040163681A1 (en) * 2003-02-25 2004-08-26 Applied Materials, Inc. Dilute sulfuric peroxide at point-of-use
US6951042B1 (en) * 2003-02-28 2005-10-04 Lam Research Corporation Brush scrubbing-high frequency resonating wafer processing system and methods for making and implementing the same
JP2004323840A (ja) * 2003-04-10 2004-11-18 Sumitomo Chem Co Ltd 研磨洗浄液組成物及び研磨洗浄方法
US7169192B2 (en) * 2003-05-02 2007-01-30 Ecolab Inc. Methods of using heterogeneous cleaning compositions
US20040261823A1 (en) 2003-06-27 2004-12-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases
KR100477810B1 (ko) 2003-06-30 2005-03-21 주식회사 하이닉스반도체 Ｎｆ3 ｈｄｐ 산화막을 적용한 반도체 소자 제조방법
US6946396B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Nissan Chemical Indusries, Ltd. Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer
KR20050044085A (ko) * 2003-11-07 2005-05-12 삼성전자주식회사 집적회로 소자의 세정액 및 그 세정액을 이용한 세정방법
US7353560B2 (en) * 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US8323420B2 (en) * 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7416370B2 (en) 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US8043441B2 (en) 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
JP2005194294A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Nec Electronics Corp 洗浄液及び半導体装置の製造方法
CN1654617A (zh) * 2004-02-10 2005-08-17 捷时雅株式会社 清洗用组合物和半导体基板的清洗方法及半导体装置的制造方法
JP4821122B2 (ja) * 2004-02-10 2011-11-24 Ｊｓｒ株式会社 洗浄用組成物、半導体基板の洗浄方法および半導体装置の製造方法
US20050183740A1 (en) * 2004-02-19 2005-08-25 Fulton John L. Process and apparatus for removing residues from semiconductor substrates
FI116889B (fi) * 2004-03-03 2006-03-31 Outokumpu Oy Laite kiintoainetta sisältävän materiaalin hierto-ohentamiseksi
US20050202995A1 (en) * 2004-03-15 2005-09-15 The Procter & Gamble Company Methods of treating surfaces using surface-treating compositions containing sulfonated/carboxylated polymers
JP2005311320A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Sony Corp 異物除去方法及びその装置
JPWO2005104202A1 (ja) * 2004-04-21 2008-03-13 株式会社エフティーエル 基板の洗浄方法
US8136423B2 (en) * 2005-01-25 2012-03-20 Schukra of North America Co. Multiple turn mechanism for manual lumbar support adjustment

Also Published As

Publication number Publication date
CN101029289B (zh) 2014-06-25
US20130284217A1 (en) 2013-10-31
CN101029289A (zh) 2007-09-05
TW200738361A (en) 2007-10-16
JP5237825B2 (ja) 2013-07-17
WO2007078955A2 (en) 2007-07-12
CN101370885B (zh) 2013-04-17
MY143763A (en) 2011-07-15
CN101351282B (zh) 2013-04-10
TWI335247B (en) 2011-01-01
KR101401753B1 (ko) 2014-05-30
KR101312973B1 (ko) 2013-10-01
CN101351282A (zh) 2009-01-21
SG169975A1 (en) 2011-04-29
TWI410522B (zh) 2013-10-01
CN101034670B (zh) 2010-11-17
WO2007078955A3 (en) 2008-02-07
CN101034670A (zh) 2007-09-12
US8475599B2 (en) 2013-07-02
KR101376911B1 (ko) 2014-03-20
CN101351281A (zh) 2009-01-21
CN101512049B (zh) 2014-04-16
EP1969114A2 (en) 2008-09-17
JP2009522783A (ja) 2009-06-11
CN101351540A (zh) 2009-01-21
JP4892565B2 (ja) 2012-03-07
US20070155640A1 (en) 2007-07-05
JP5154441B2 (ja) 2013-02-27
KR20080091356A (ko) 2008-10-10
CN101512049A (zh) 2009-08-19
EP2428557A1 (en) 2012-03-14
CN101351281B (zh) 2013-07-17
CN101114569A (zh) 2008-01-30
TW200801244A (en) 2008-01-01
JP5148508B2 (ja) 2013-02-20
KR20080083196A (ko) 2008-09-16
JP2009522789A (ja) 2009-06-11
KR20080081364A (ko) 2008-09-09
KR101426777B1 (ko) 2014-08-07
JP2009522777A (ja) 2009-06-11
CN101370885A (zh) 2009-02-18
CN101009204A (zh) 2007-08-01
CN101389414A (zh) 2009-03-18
CN101389414B (zh) 2012-07-04
TW200740536A (en) 2007-11-01
SG154438A1 (en) 2009-08-28
CN101009204B (zh) 2012-05-30
MY149848A (en) 2013-10-31
JP2009522780A (ja) 2009-06-11
TWI330551B (en) 2010-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101312973B1 (ko) 반도체 기판을 세정하는 방법 및 장치
US8522801B2 (en) Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US8608859B2 (en) Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
US7799141B2 (en) Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
US7648584B2 (en) Method and apparatus for removing contamination from substrate
KR101445118B1 (ko) 세정 화합물 및 그 세정 화합물을 이용하는 방법 및 시스템
US8591662B2 (en) Methods for cleaning a semiconductor substrate
KR101530394B1 (ko) 세정 용액에 주기적 전단 응력을 인가함으로써 반도체 웨이퍼 표면을 세정하는 방법
US20150040941A1 (en) Method and Apparatus for Cleaning A Semiconductor Substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160909

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee