KR101312973B1 - 반도체 기판을 세정하는 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
기판을 세정하는 방법이 제공된다. 이 방법은 고체 성분들을 가지는 유체층을 기판의 표면에 배치하는 단계에서 개시된다. 그 후, 기판의 표면에 대해 실질적으로 평행하게 그리고 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력이 생성된다. 이 전단력은 일 실시형태에서 유체층과 접촉하는 고체 본체에 가해진 힘의 법선 성분 또는 접선 성분으로부터 초래될 수도 있다. 기판의 표면을 린스하여 유체층을 제거한다. 세정 시스템 및 세정 장치가 또한 제공된다.
전단력, 유체층, 고체 성분, 법선 성분, 접선 성분
Description
배경
집적회로, 메모리 셀 등과 같은 반도체 디바이스의 제조시에, 반도체 웨이퍼 상에 특징을 형성하기 위해 일련의 제조 동작이 수행된다. 웨이퍼는 실리콘 기판상에 정의된 다중-레벨 구조 형태의 집적 회로 디바이스를 포함한다. 기판 레벨에서, 확산 영역을 가지는 트랜지스터 디바이스가 형성된다. 후속 레벨에서, 상호접속된 금속 배선이 패터닝되고 트랜지스터 디바이스에 전기적으로 접속되어 소정의 집적 회로 디바이스를 정의한다. 또한, 패터닝된 도전성 층은 유전체 재료에 의해 다른 도전성 층으로부터 절연된다.
일련의 제조 동작 중에, 웨이퍼 표면은 다양한 유형의 오염물질에 노출된다. 특히 제조 동작에서 존재하는 임의의 재료는 오염물질의 잠재적인 원천이다. 예를 들어, 오염물질의 원천은 그 중에서도, 프로세스 가스, 화학물질, 증착 재료, 및 액체를 포함할 수도 있다. 다양한 오염물질들이 미립자 물질로서 웨이퍼 표면상에 증착될 수도 있다. 미립자 오염물질이 제거되지 않은 경우, 오염물질 부근에 있는 디바이스들은 작동이 불가능하게 될 것이다. 따라서, 웨이퍼 상에 형성된 특징에 손상을 가하지 않고 실질적으로 완전한 방법으로 웨이퍼 표면으로부터 오염물질을 세정하는 것이 필요하다. 미립자 오염물질의 크기는 웨이퍼 상에서 제조된 특징의 임계 치수 크기와 대략 유사하다. 웨이퍼 상의 특징에 부정적인 영향을 가하지 않고 이러한 작은 미립자 오염물질을 제거하는 것은 도전 과제일 수 있다.
종래의 웨이퍼 세정 방법은 웨이퍼로부터 미립자 오염물질을 제거하기 위해 기계력에 크게 의존했다. 특징의 크기는 계속적으로 감소되고 더욱 부서지기 쉽게 되기 때문에, 웨이퍼 표면에 기계력을 가함으로 인해서 특징을 손상시키는 가능성이 증가한다. 예를 들어, 높은 종횡비를 가지는 특징은 상당한 기계력으로 인해 충격을 받을 때 토플링 (toppling) 또는 브레이킹의 위험에 노출된다. 세정 문제를 더욱 악화시키는 것은, 특징 크기의 감소를 향한 움직임이 손상을 유발할 수도 있는 미립자 오염물질 크기의 감소를 야기시킨다는 점이다. 충분히 작은 크기의 미립자 오염물질은 높은 종횡비 특징으로 둘러싸인 또는 전도성 라인 등으로 연결되는 트렌치에서와 같이, 웨이퍼 표면상의 영역에 도달하기에는 어렵다는 것을 발견할 수 있다. 따라서, 반도체 제조 도중에 오염물질을 효과적이고 손상을 없이 제거하는 것은 웨이퍼 세정 기술이 계속적으로 진보함으로써 해결되어야할 계속적인 도전 과제를 나타낸다. 플랫 패널 디스플레이에 대한 제조 동작은 전술한 집적 회로 제조의 동일한 단점을 가지고 있다는 것을 파악해야만 한다. 따라서, 오염물질의 제거를 요구하는 임의의 기술은 좀 더 효율적이고 보다 적게 연마하는 세정 기술을 필요로 한다.
개요
대체적으로, 본 발명은 개선된 세정 기술 및 세정 용액을 제공함으로써 이들의 요구조건을 충족한다. 본 발명은 시스템, 장치 및 방법을 포함하는 다수의 방식으로 구현될 수 있다는 것이 파악된다. 본 발명의 몇몇 신규의 실시형태가 이하 설명된다.
일 실시형태에서, 기판을 세정하는 방법이 제공된다. 이 방법은 내부에 고체 성분을 가지는 유체층 (fluid layer) 을 기판의 표면에 배치하는 것으로 시작한다. 그 후, 기판의 표면에 실질적으로 평행하게 그리고 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력 (shear force) 이 생성된다. 이 전단력은 일 실시형태에서 유체층과 접촉하는 고체 본체에 가해진 힘의 법선 성분 또는 접선 (tangential) 성분으로부터 초래될 수도 있다. 기판의 표면을 린스 (rinse) 하여 유체층을 제거한다.
다른 실시형태에서, 기판을 세정하기 위한 세정 장치가 제공된다. 세정 장치는 기판의 표면상에 배치된 유체와 접촉하는 외부 표면을 가지는 힘 전달체 (force transferring entity) 를 포함한다. 이 유체는 고체 성분을 가지고, 힘 전달체는 기판의 표면을 향해서 고체 성분에 힘을 가하도록 구성된다. 이 장치는 힘 전달체 아래에서 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지체를 포함한다.
또 다른 실시형태에서, 기판을 세정하기 위한 세정 시스템이 제공된다. 세정 시스템은 고체 성분을 가지는 유체를 기판의 표면에 전달하도록 구성된 유체 저장소 (fluid reservoir) 를 포함한다. 이 시스템은 기판의 표면상에 배치된 유체에 접촉하도록 구성된 외부 표면을 가지는 힘 전달체를 포함한다. 힘 전달체는, 하나의 고체 성분의 하부 표면과 기판의 표면 사이에 정의된 유체층을 씨닝 (thinning) 하기 위해 법선 성분을 가지는 힘을 제공하도록 구성된다. 이 시스템은 힘 전달체 아래에서 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지체를 포함한다.
본 발명의 다른 양태 및 이점은 첨부된 도면과 관련하여 본 발명의 예시를 도시하는 이하의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해진다.
도면의 간단한 설명
본 발명은 첨부된 도면과 관련하여 이하의 상세한 설명으로 쉽게 이해되고, 동일한 참조 수치는 동일한 구조적인 엘리먼트를 나타낸다.
도 1a 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 기판 표면으로부터 오염물질을 제거하기 위한 기술을 나타내는 간략화된 개략도이다.
도 1b 는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 도 1a 로부터, 유체 채널로서 지칭될 수도 있는, 유체층의 씨닝을 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 2a 및 도 2b 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 웨이퍼로부터 오염물질을 제거하기 위해 세정 재료가 어떻게 기능하는지를 나타내는 도면이다.
도 3 은, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 기판으로부터 오염물질을 제거하기 위한 방법의 플로우차트를 도시하는 도면이다.
도 4 는, 본 명세서에 설명된 실시형태에 따라서, 힘과 거리의 관계를 나타내는 그래프를 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 5 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 형상화된 멤브레인 (shaped membrane) 을 가지는 기판의 표면을 세정하기 위한 기술을 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 6 은, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 힘 전달체로서 이용된 컴플라이언트 멤브레인 (compliant membrane) 을 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 7 은, 힘 전달체가 원통형 형상을 가지는 실시형태를 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 8 은, 도 7 의 힘 전달체에 대한 대안 실시형태를 도시하는 간략화된 개략도이다.
도 9 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 기판의 표면을 세정하기 위한 시스템의 간략화된 개략도이다.
상세한 설명
이하의 설명에서, 본 발명의 전반적인 이해를 제공하기 위해 수많은 구체적인 세부사항이 설명된다. 그러나, 이들 구체적인 세부사항들 중 일부 및 전부 없이도 본 발명이 실행될 수 있다는 것이 당업자에게는 명백하다. 다른 예에서, 널리 알려진 프로세스 동작들은 본 발명을 불필요하게 방해하지 않기 위해 상세하게 설명되지 않는다.
본 명세서에 설명된 실시형태들은 연마 접촉을 감소시키고 높은 종횡비 특징을 가질 수도 있는 반도체 기판으로부터의 오염물질을 세정하는데 효과적인 세정 기술을 제공한다. 실시형태들은 반도체 세정 어플리케이션과 관련된 구체적인 예시를 제공하고, 이들 세정 어플리케이션은 표면으로부터의 오염물질의 제거를 요구하는 임의의 기술로 확대될 수도 있다. 본 명세서에 설명된 실시형태들은 세정되는 기판의 표면상의 오염물질과 세정제 사이의 유체층을 씨닝하기 위해 세정제에 힘을 제공한다. 예시적인 실시형태에서, 세정제는 다른 오염물질과 상호작용함으로써 오염물질을 제거하는 고체 재료이다. 다른 실시형태에서, 기판의 표면에 대해 법선 성분을 가지는 힘은 세정제의 하부 표면과 오염물질의 상부 표면 사이에 정의된 유체층을 씨닝하게 한다. 그 후, 그 씨닝은 기판의 표면에 대해 실질적으로 평행하는 전단력으로 하여금 기판의 외부 에지를 향해서 오염물질에 힘을 가하게 한다. 필수적으로, 오염물질은 법선 성분을 가지는 힘의 결과인 전단력에 의해 정의된 유체 흐름에 유입된다.
도 1a 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 기판 표면으로부터 오염물질을 제거하기 위한 기술을 도시하는 간략화된 개략도이다. 하향력 (F) 을 제공함으로써, 기판 (105) 의 상부 표면을 향해서 고체 재료 (109) 에 힘이 가해진다. 하향력 (F) 의 법선 성분을 통해서 웨이퍼 (105) 의 상부 표면을 향해서 고체 성분 (109) 에 힘을 가하는 동안, 고체 (109) 의 하부 표면과 웨이퍼 (105) 의 상부 표면 사이에 정의된 유체의 채널은 더욱 얇아진다. 고체 (109) 아래의 유체층 (101) 을 씨닝한 결과로서, 유체층 (101) 에서 포물선형 속도 프로파일이 나타나며, 또한 윤활층으로서 지칭될 수도 있다. 일 실시형태에서, 유체층 (101) 은, 점탄성 유체, 즉, 점성 특성과 탄성 특성 모두를 나타내는 유체이다. 일 실시형태에서, 화살표 (102) 로 도시된 이 포물선형 속도 프로파일이 오염물질 (103) 을 제거하기 위해 전단력을 제공한다. 이 전단력은 웨이퍼 (105) 상에 배치된 원래 위치에서 오염물질 (103) 을 이동시켜 오염물질의 완전한 제거를 용이하게 하고 웨이퍼 표면을 세정한다. 이하 상세하게 설명되는 바와 같이, 하향력 (F) 은 힘 전달체를 통해서 가해진다. 웨이퍼 (105) 는 척 (100) 상부에 위치된다. 당업자는 공지된 기술을 통해서 웨이퍼 (105) 가 척 (100) 에 고정될 수도 있다는 것을 파악한다. 본 명세서에 설명된 실시형태가 도 1a 에 도시된 척 상부에 위치된 기판 (105) 으로 한정되지 않는다는 것이 명시된다. 즉, 본 명세서에 설명된 세정 기술을 수용하는 컨베이어, 패드, 또는 임의의 다른 적절한 이송 메커니즘 또는 지지체 구조 상부에 기판 (105) 을 위치시키는 것과 같은 대안적인 실시형태가 가능하다.
도 1b 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 도 1a 로부터, 유체 채널로서 지칭될 수도 있는 유체층 (101) 의 씨닝을 도시하는 간략화된 개략도이다. 도 1b 에서, 하향력 (F) 의 법선 성분은 고체 (109) 가 기판 (105) 의 상부 표면에 더욱 인접하도록 푸시한다 (push). 고체 (109) 가 기판 (105) 의 상부 표면에 더욱 인접하게 푸시됨에 따라, 층/채널 (101) 은 더욱 얇아진다. 결과적으로, 기판 (105) 의 외부 말단을 향하는 속도는 증가되고 더욱 큰 전단력을 제공하여 기판 (105) 의 상부 표면으로부터 오염물질 (103) 을 제거한다. 유체층 (101) 이 얇아질수록, 요구되는 하향력 (F) 은 더 커져서 이 층을 더욱 씨닝하게 되는 것이 파악될 것이다. 이하 더욱 상세하게 설명되는 바와 같이, 고체 (109) 의 상부 표면상에 푸시하는 힘 전달체는 고체 (109) 에 대해 법선 성분을 가지는 힘을 제공할 수 있는 임의의 적절한 재료일 수도 있다. 이하 더 설명되는 바와 같이, 이러한 예는 라텍스 등과 같은 고무 성분, 금속 디스크, 형상화된 멤브레인 등과 같은 본 명세서에 이용된 재료에 대해 반응하지 않는 유연성 및 컴플라이언트 유형의 재료를 포함한다. 본 명세서에 이용된 바와 같이, 고체 (109) 는 지속적 커플링 엘리먼트 (PCE; persistent coupling element) 로서 지칭될 수도 있다. 고체 (109) 를 지속적 커플링 엘리먼트로서 지칭할 때, 공동현상 이후에 더 이상 존속되지 않을 수도 있는, 버블과 같은, 상대적으로 짧은 생존기간을 가지는 세정 용액과는 대조적으로, 세정 동작 전체에 걸쳐서 유지되거나 또는 지속되는 특성이 제공된다. 일 실시형태에서, 유체층 (101) 내의 멤브레인과 웨이퍼 사이에서 가압된 유체는 습윤제 또는 계면활성제를 포함한다. 다른 실시형태에서, 유체는 유체 내에서 용해되지 않은 채로 남아있는 카르복실산 성분을 포함한다. 즉, 카르복실산 성분은 고체 (109) 로 나타날 수도 있다. 일 실시형태에서, 고체 (109) 는 삼사정계 결정 구조 (triclinic structure) 를 가지는 결정이다. 삼사정계 결정 구조에서, 이 결정은 동일하지 않은 길이의 벡터로 설명된다. 또한, 3 개의 모든 벡터는 상호 직교하지 않는다. 또 다른 실시형태에서, 기판 (105) 상부에서 유체에 힘을 제공하는 멤브레인은 기판상의 층들보다 더 부드럽고, 기판상의 필름들, 즉, 실리콘 이산화물, 실리콘 질화물, 실리콘, 구리, 알루미늄 등의 적층 필름들에 스크래치 또는 그외 다른 손상을 가할 수도 있는 재료를 가지지 않는다. 일 실시형태에서, 이 멤브레인은 제어된 양으로 멤브레인을 통해서 침투할 수도 있는 세정 유체를 포함할 수도 있다. 이와 다르게, 이 멤브레인 벌룬 (balloon) 은 밀봉되어 있을 수도 있고 불투과성을 가질 수도 있다. 도 1a 및 도 1b 의 고체 (109) 는 유체층 (101) 과 동일한 유체인 유체에 분산될 수도 있다.
도 2a 및 도 2b 는, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 웨이퍼 (105) 로부터 오염물질 (103) 을 제거하기 위해 세정 재료 (101) 가 어떻게 기능하는지를 나타내는 도면이다. 도 2a 및 도 2b 에 도시된 세정 재료 (101) 는 미국 출원 제11/346,894호에 더 정의된다는 것이 파악된다. 도 2a 에 도시된 바와 같이, 세정 재료 (101) 의 액체 매질 (107) 내에서, 고체 성분 (109) 은 오염물질 (103) 과 비혼화성 성분 (111) 사이에 개재된다. 기포 (gas bubble) 또는 액적 (liquid droplet) 중 하나인, 액체 매질 (107) 내의 비혼화성 성분 (111) 은 연관된 표면 장력을 갖는다. 따라서, 비혼화성 성분 (111) 이 고체 성분 (109) 에 대향하여 하향력으로 가압될 때, 비혼화성 성분 (111) 은 변형되고 법선 성분을 가지는 하향력 (F) 이 고체 성분 (109) 에 가해진다. 이 하향력 (F), 또는 F 의 법선 성분은 고체 성분 (109) 을 웨이퍼 (105) 와 그 상부의 오염물질 (103) 을 향하여 이동시키게 하는 기능을 한다. 일 실시형태에서, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 상호작용은, 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 에 충분히 인접하게 힘이 가해질 때 발생한다. 일 실시형태에서, 이 거리는 약 10 나노미터 이내에 있을 수도 있다. 다른 실시형태에서, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 상호작용은, 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 에 실제로 접촉하고 있을 때, 발생한다. 또한, 이 상호작용은 오염물질 (103) 과 결합하는 고체 성분 (109) 으로서 지칭될 수도 있다. 물론, 유체층의 씨닝은 씨닝으로부터 초래되는 전단력을 통해서 기판 표면으로부터 오염물질에 힘을 가할 수도 있다.
고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 상호작용력은 오염물질 (103) 을 웨이퍼 (105) 로 접합하려는 힘보다 강하다. 추가적으로, 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 과 결합되는 실시형태에서, 웨이퍼 (105) 로부터 고체 성분 (109) 을 분리시키도록 이동하는데 이용되는 힘은 오염물질 (103) 을 웨이퍼 (105) 로 접합하는 힘보다 강하다. 따라서, 도 2b 에 도시된 바와 같이, 고체 성분 (109) 이 웨이퍼 (105) 로부터 분리되어 이동될 때, 고체 성분 (109) 에 결합된 오염물질 (103) 은 웨이퍼 (105) 로부터 분리되어 이동된다. 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 과 상호작용하여 세정 프로세스에 영향을 주기 때문에, 웨이퍼 (105) 에서 오염물질 (103) 의 제거는 고체 성분 (109) 이 웨이퍼 (105) 에 걸쳐서 얼마나 잘 분포되어 있는지에 의존하게 될 것으로 파악된다. 바람직한 실시형태에서, 웨이퍼 (105) 상의 필수적인 모든 오염물질 (103) 이 적어도 하나의 고체 성분 (109) 에 인접하게 놓이도록, 고체 성분 (109) 이 잘 분포될 것이다. 또한, 동시에 또는 순차적으로 하나의 고체 성분 (109) 이 하나 이상의 오염물질 (103) 과 접촉되거나 또는 상호작용할 수도 있다는 것이 파악된다. 또한, 고체 성분 (109) 은 모든 동일한 성분과는 반대로 상이한 성분들의 혼합물일 수도 있다. 따라서, 세정 용액은 구체적인 목적, 즉, 특정 오염물질을 타겟으로 하기 위해 설계될 수 있고, 또는, 세정 용액은 복수의 고체 성분이 제공된 넓은 스펙트럼의 오염물질을 가질 수 있다.
고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 상호작용은 특히 부착, 충돌, 및 인력을 포함하는 하나 이상의 메커니즘을 통해서 확립될 수 있다. 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 부착은 화학적 상호작용 및/또는 물리적 상호작용을 통해서 확립될 수 있다. 예를 들어, 일 실시형태에서, 화학적 상호작용은 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에 글루 효과 (glue-like effect) 를 유발한다. 다른 실시형태에서, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 물리적 상호작용은 고체 성분 (109) 의 기계적 특성에 의해 용이하게 된다. 예를 들어, 고체 성분 (109) 이 가단성 (malleable) 을 가질 수 있어서, 오염물질 (103) 에 대항하여 압력이 가해질 때, 오염물질 (103) 은 가단성 고체 성분 (109) 내에서 충돌된다. 다른 실시형태에서, 오염물질 (103) 은 고체 성분 (109) 의 네트워크에서 얽히게 될 수 있다. 이 실시형태에서, 기계적 응력은 고체 성분 (109) 의 네트워크를 통해서 오염물질 (103) 에 전달될 수 있고, 이에 따라, 웨이퍼 (105) 로부터 오염물질 (103) 의 제거에 필요한 기계적 힘이 제공된다.
오염물질 (103) 에 의한 충돌로 인한 고체 성분 (109) 의 변형 (deformation) 은 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에서 기계적인 링크 (mechanical linkage) 를 생성한다. 예를 들어, 오염물질 (103) 의 표면 지형은, 오염물질 (103) 이 고체 성분 (109) 내로 가압되기 때문에, 고체 성분 (109) 재료가 쉽게 빠져나갈 수 없는 오염물질 (103) 의 표면 지형 내의 구역으로 고체 성분 (109) 재료의 일부가 들어가고, 그로 인해, 로킹 (locking) 메커니즘을 생성한다. 또한, 오염물질 (103) 은 고체 성분 (109) 내로 가압되기 때문에, 고체 성분 (109) 으로부터 오염물질 (103) 의 제거에 대해 저항하기 위한 진공력이 확립될 수 있다.
다른 실시형태에서, 직접 또는 간접적인 접촉을 통해서 고체 성분 (109) 으로부터 오염물질 (103) 에 전달된 에너지는 오염물질 (103) 이 웨이퍼 (105) 로부터 제거되도록 할 수도 있다. 이 실시형태에서, 고체 성분 (109) 은 오염물질 (103) 보다 좀 더 부드럽거나 또는 좀 더 단단할 수도 있다. 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 보다 부드러운 경우, 고체 성분 (109) 의 더 많은 변형이 충돌 동안에 발생할 수 있어서, 이는, 웨이퍼 (105) 로부터 오염물질 (103) 을 제거하기 위한 운동 (kinetic) 에너지의 보다 적은 전달을 초래한다. 그러나, 고체 성분 (109) 이 오염물질 (103) 보다 부드러운 경우, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에서의 부착 접속이 더 강할 수도 있다. 반대로, 고체 성분 (109) 이 적어도 오염물질 (103) 만큼 단단한 경우, 에너지의 실질적으로 완전한 전달이 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에서 유발될 수 있고, 이에 따라, 웨이퍼 (105) 로부터 오염물질 (103) 을 제거하기 위한 응력을 증가시킨다. 그러나, 고체 성분 (109) 이 적어도 오염물질 (103) 만큼 단단한 경우, 고체 성분 (109) 의 변형에 의존하는 상호작용력이 감소될 수도 있다. 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 에 관련된 물리적 특성 및 상대 속도는 그들 사이의 충돌 상호작용에 영향을 줄 것이다.
이에 더해서, 일 실시형태에서, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 상호작용은 정전기적 인력을 초래할 수 있다. 예를 들어, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 이 반대의 표면 전하를 가지는 경우, 그들은 서로에 대해 전기적으로 인력을 가질 것이다. 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이의 정전기적 인력은 오염물질 (103) 을 웨이퍼 (105) 에 접합하는 힘을 극복하기에 충분할 수 있다.
다른 실시형태에서, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에 정전기적 척력 (repulsion) 이 존재할 수도 있다. 예를 들어, 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 모두는 음의 표면 전하 또는 양의 표면 전하 중 하나를 가질 수 있다. 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 이 충분히 가깝게 근접하여 위치될 수 있는 경우, 그 사이의 정전기적 척력은 반 데르 왈스 인력 (van der Waals attraction) 을 통해서 극복될 수 있다. 비혼화성 성분 (111) 으로 인해 고체 성분 (109) 에 가해진 힘은 정전기적 척력을 극복하기에 충분할 수도 있어서, 반 데르 왈스 인력이 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 사이에 확립된다. 또한, 다른 실시형태에서, 액체 매질 (107) 의 pH 는 고체 성분 (109) 과 오염물질 (103) 중 하나 또는 양쪽에 존재하는 표면 전하를 보상하도록 조정될 수 있어서, 상호작용을 촉진시키기 위해 그들 사이의 정전기적 척력이 감소되고, 또는 고체 성분 또는 오염물질이 서로에 대하여 상반된 표면 전하를 나타내어 정전기적 인력을 야기한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 도 3 은 기판으로부터 오염물질을 제거하는 방법의 플로우차트를 나타내는 도면이다. 도 3 의 방법에서 참조되는 기판은 반도체 웨이퍼 또는 반도체 제조 프로세스와 관련된 오염물질이 제거되는데 필요한 임의의 다른 유형의 기판을 나타낼 수 있다. 또한, 도 3 의 방법에서 참조되는 오염물질은 본질적으로 반도체 웨이퍼 제조 프로세스와 관련된 필수적인 임의의 유형의 오염물질을 나타낼 수 있으며, 예로서, 미립자 오염물질, 미량 (trace) 금속 오염물질, 유기 오염물질, 포토레지스트 잔해, 웨이퍼 처리 장비로부터의 오염물질, 및 웨이퍼 배면의 미립자 오염물질을 포함하지만, 이것에 한정되지 않는다.
도 3 의 방법은 기판에 걸쳐 세정 재료를 배치하는 동작 (301) 을 포함하고, 여기서, 세정 재료는 액정 매질 내에서 분산된 고체 성분을 포함한다. 도 3 의 방법에서 참조되는 세정 재료는 도 1a, 도 1b, 도 2a, 및 도 2b 에 관련하여 사전에 설명된 재료와 동일하다. 따라서, 세정 재료 내에서의 고체 성분은 액체 매질 내에서 부유 상태로 분산된다. 또한, 고체 성분은 기판의 손상을 방지하고 기판으로의 부착을 방지하도록 정의된다. 일 실시형태에서, 고체 성분은 결정성 고체로 정의된다. 다른 실시형태에서, 고체 성분은 비-결정성 고체로 정의된다. 또 다른 실시형태에서는, 고체 성분은 결정성 및 비-결정성 고체의 화합물로서 나타난다. 또한, 다양한 실시형태에서, 액체 매질은 수용성 또는 비-수용성 중 하나일 수 있다.
또한, 이 방법은, 고체 성분과 오염물질 사이의 상호작용을 확립하도록, 기판상에 존재하는 오염물질 부근 내에 고체 성분을 위치시키기 위해 고체 성분에 힘을 가하는 동작 (303) 을 포함한다. 전술한 바와 같이, 오염물질의 부근 내에 고체 성분을 위치시키기 위해 필요한 힘을 고체 성분에 가하기 위해 세정 재료 내에 비혼화성 성분이 제공된다. 일 실시형태에서, 이 방법은 고체 성분에 제어된 양의 힘을 가하기 위해 비혼화성 성분을 제어하는 동작을 포함할 수 있다. 비혼화성 성분은 액정 매질 내에서 기포 또는 혼합 불가한 액적으로 정의될 수 있다. 또한, 비혼화성 성분은 액체 매질 내에서 기포 및 혼합 불가한 액적의 화합물로서 나타날 수 있다. 이와 다르게, 본 명세서에 개시된 힘 전달체를 통해서 힘이 고체 성분에 가해질 수도 있다.
이 방법의 일 실시형태에서, 비혼화성 성분은 기판에 걸쳐 세정 재료를 배치하기 전에 액체 매질 내에서 정의된다. 그러나, 다른 실시형태에서, 이 방법은 기판에 걸친 세정 재료의 배치 이후에 인-시츄 (in-situ) 로 비혼화성 성분을 형성하기 위한 동작을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비혼화성 성분은 세정 재료에 대한 주변 압력을 감소시킨 액체 매질 내에서 용해된 기체로부터 형성될 수 있다. 인-시츄로 비혼화성 성분을 형성하는 것은 오염물질 제거 프로세스를 강화시킬 수도 있다는 것이 명시되어야만 한다. 예를 들어, 일 실시형태에서, 중력은 비혼화성 성분의 형성 이전에 기판을 향해서 고체 성분을 푸시하도록 기능한다. 그 후, 주변 압력이 감소되어, 액체 매질 내에서 이전에 용해된 기체는 기포를 형성하기 위해 용액의 외부로 나온다. 고체 성분이 중력에 의해 기판을 향하여 자리잡게 되기 때문에, 대부분의 기포는 고체 성분상에 형성된다. 고체 성분 상부에 기포의 형성은, 기판을 향하여 이미 배치된 고체 성분을 통해서, 기판상의 오염물질의 부근으로 고체 성분의 이동을 강화하도록 기능한다.
다양한 실시형태에서, 고체 성분과 오염물질 사이의 상호작용은 부착력, 충돌력, 인력, 또는 그 조합으로 확립될 수 있다. 또한, 일 실시형태에서, 이 방법은, 고체 성분과 오염물질 사이에서 상호작용을 강화하기 위해 액체 매질의 화학 적 성질을 변형시키는 동작을 포함할 수 있다. 예를 들어, 액체 매질의 pH 는 고체 성분과 오염물질의 하나 또는 둘 다에서 표면 전하를 상쇄하도록 변형될 수 있어서, 정전기적 척력이 감소된다.
또한, 일 실시형태에서, 이 방법은 고체 성분과 오염물질 사이에서의 상호작용을 강화하기 위해 세정 재료의 온도를 조절하는 동작을 포함할 수 있다. 더욱 상세하게는, 세정 재료의 온도는 고체 성분의 특성을 제어하도록 조절될 수 있다. 예를 들어, 더 높은 온도에서, 고체 성분은 가단성을 더 가져서, 오염물질에 대항하여 가압되었을 때, 더 효과적으로 순응한다. 다음으로, 고체 성분이 오염물질에 가압되고 결합되는 즉시, 고체 성분이 오염물질에 대한 등각 형상 (conformal shape) 을 더욱 유지시키기 위해 영향을 적게 받도록 온도를 낮추고, 그로 인해 고체 성분 및 오염물질을 함께 효과적으로 고정시킨다. 또한, 온도는 가용성을 조절하고 이에 따른 고체 성분의 농도를 조절하기 위해 이용될 수도 있다. 예를 들어, 더 높은 온도에서, 고체 성분은 액체 매질 내에서 용해하기 더욱 쉽게 될 수도 있다. 또한, 온도는 액체-액체 부유물로부터 웨이퍼 상에서 인-시츄로 고체 성분의 형성을 제어하고 및/또는 가능하게 하도록 이용될 수도 있다.
다른 실시형태에서, 이 방법은 연속 액체 매질 내에서 용해된 고체를 침전시키기 위한 동작을 포함할 수 있다. 이 침전 동작은 그 고체를 용매로 용해하고, 그 후, 용매와 혼합가능하지만 그 고체와는 용해되지 않는 성분을 첨가함으로써 달성될 수 있다. 용매와 혼합가능하지만 그 고체와는 용해되지 않는 성분의 첨가는 고체 성분의 침전을 유발한다.
또한, 이 방법은, 고체 성분과 상호작용하는 오염물질이 기판으로부터 제거되도록, 기판으로부터 고체 성분을 분리되도록 이동시키기 위한 동작 (305) 을 더 포함한다. 일 실시형태에서, 이 방법은 기판으로부터 고체 성분 및/또는 오염물질의 이동을 제어 또는 강화시키기 위해 기판상에서의 세정 재료의 흐름을 제어하는 동작을 포함한다. 기판으로부터 오염물질을 제거하기 위한 본 발명의 방법은, 제거되는 오염물질과 고체 성분의 상호작용을 확립하도록 세정 재료의 고체 성분에 힘을 가하기 위한 수단이 있는 한, 수많은 상이한 방법으로 구현될 수 있다. 전술한 실시형태는 비혼화성 성분으로 지칭되고, 이 실시형태들은 비혼화성 성분을 가지도록 요구되지 않는다는 것이 명시된다. 후술하는 바와 같이, 힘 전달체는 유체층을 씨닝하기 위해 고체 성분에 힘을 제공하여 이에 따라 전단력을 생성하고 및/또는 고체 성분과 오염물질의 상호작용을 가능하게 한다.
도 4 는 본 명세서에 설명된 실시형태에 따른 힘과 거리의 관계를 나타내는 그래프를 도시하는 간략화된 개략도이다. 그래프 (400) 에 도시된 바와 같이, 도 1a 내지 도 2b 의 고체 성분 (109) 과 기판 (105) 의 상부 표면 사이의 거리가 작아짐에 따라, 고체 성분을 더욱 가깝게 이동시키기 위해 요구되는 힘은 증가한다. 그 거리가 더욱 작아짐에 따라서, 고체 성분과 기판 표면 사이의 유체는 더 얇아져서 증가된 전단 속도를 초래한다. 또한, 도 1a, 도 1b, 및 도 2a 는 하향력 F 의 법선 성분을 도시하고, 이 실시형태는 법선력으로만 한정되지 않는다. 즉, 가해진 힘은 전체 힘 중 0 보다 큰 임의의 비율일 수 있는 법선 성분을 갖는다.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 형상화된 멤브레인을 가지는 기판의 표면을 세정하기 위한 기술을 도시하는 간략화된 개략도이다. 이 실시형태에서, 힘 전달체 (500) 는 원통형의 일부로서 제공된다. 힘 전달체 (500) 는 일 실시형태에서 회전 포인트 (501) 주위를 회전할 수도 있다. 이와 다르게, 힘 전달체 (500) 는 화살표 (503) 로 도시된 바와 같이 측면으로 이동할 수도 있다. 물론, 힘 전달체 (500) 는 회전 포인트 (501) 주위를 회전하고 측면으로 이동할 수도 있다. 회전 포인트 (501; pivot point) 주위를 회전할 때, 굴곡 포인트 (505) 는 기판 (105) 의 표면으로부터의 거리까지 일정하게 유지한다. 필수적으로, 힘 전달체 (500) 는 이 실시형태에서 진자 (pendulum) 로서 작용하고, 백-앤-포스 작용 (back and forth action) 은 전단력 또는 상호작용을 통해 오염물질 (103) 을 제거하기 위해 유체층 (101) 의 압착을 제공할 것이다. 기판 (105) 은 힘 전달체 (500) 에 대해 측면으로 또는 순환적으로 이동할 수도 있다는 것이 파악된다. 물론, 기판 (105) 과 힘 전달체 (500) 모두가 움직일 수도 있다. 다른 실시형태에서, 힘 전달체 (500) 는 임의의 상용 재료로 구성된 평탄한 플레이트일 수도 있다. 평탄한 플레이트는 유체층을 씨닝하도록 힘을 가하여 전단력을 생성하거나 또는 오염물질 부근에 고체 성분을 놓이게 하여 그 둘의 상호작용을 가능하게 한다.
도 6 은, 본 발명의 일 실시형태에 따라서, 힘 전달체로서 이용된 컴플라이언트 멤브레인을 도시하는 간략화된 개략도이다. 유체층 (101) 을 씨닝하기 위한 힘을 제공하기 위해 벌룬 또는 몇몇 다른 유형의 팽창성 성분에 의해 멤브레인 (500) 이 채용될 수도 있다. 유체 공급기 (507) 는 밸브 (502) 를 통해서 힘 전달체 (500) 내에 들어가는 전달 배선으로 힘 전달체를 팽창시키거나/가압하기 위해 기체 또는 액체를 제공한다. 힘 전달체 (500) 는 순응성이기 때문에, 기판 (105) 의 표면에 걸쳐서 제공되고 그 상부의 유체 (101) 로 제공된 힘은 균등하게 분배된다. 도 6 의 힘 전달체는 기판 (105) 의 전체 표면을 커버하거나 또는 기판 (105) 의 표면의 일부를 커버할 수도 있고, 기판에 걸쳐서 이동하여 기판 (105) 의 전체 세정을 완성할 수도 있다. 이와 다르게, 기판 (105) 은 힘 전달체 (500) 아래에서 회전하거나 또는 선형으로 이동될 수도 있다. 힘의 크기는 힘 전달체 (500) 의 내부에서 공기압 또는 액체 압력을 조절함으로써 제어될 수도 있다. 일 실시형태에서, 세정 유체가 이용되어 힘 전달체 (500) 를 가압할 수도 있다. 이 실시형태에서, 힘 전달체 (500) 는 세정 유체를 기판 (105) 의 상부 표면으로 지향시키기 위해 하부 표면상에 상대적으로 작은 오리피스 (orifice) 를 포함할 수도 있다. 이 오리피스는 힘 전달체 (500) 를 팽창시키거나/가압하기 위한 압력 변화율 (pressure gradient) 을 유지하기에 충분히 작을 것이다. 기판 (105) 의 표면으로의 세정 유체의 전달을 용이하게 하기 위해, 힘 전달체 (500) 의 하부 표면은 보강되거나 또는 그 상부에 정의된 돌출부를 가져서 힘 전달체의 하부 표면과 기판의 상부 표면 사이에서 갭 또는 개방된 영역을 정의할 수도 있다. 따라서, 이 실시형태에 의해 생성된 갭으로 그 오리피스를 통해서 고체를 포함하는 세정 유체가 전달될 것이다. 그리하여, 힘 전달체의 법선 성분은 전술한 바와 같이 기능할 것이다.
도 7 은, 힘 전달체가 원통형 형상을 가지는 실시형태를 도시하는 간략화된 개략도이다. 기판 (105) 상에 배치된 유체층 (101) 을 씨닝하기 위해 필요한 힘이 제공되도록 힘 전달체 (510) 가 이용된다. 힘 전달체 (510) 는 축 (509) 주위를 회전할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 힘 전달체 (510) 는 기판 (105) 의 표면에 걸쳐서 측면으로 이동할 수도 있다. 물론, 전술한 바와 같이, 힘 전달체는 다른 실시형태에서 측면으로 그리고 회전하여 이동할 수도 있다. 힘 전달체 (510) 는 축 (509) 주위에서 앞뒤로 흔들릴 수도 있다는 것이 더 파악된다. 즉, 힘 전달체 (510) 는 일 방향으로의 회전운동의 일부를 회전시킨 후, 반대 회전 방향으로의 회전 운동의 다른 일부를 다시 회전시킬 수도 있다.
도 8 은 도 7 의 힘 전달체에 대한 대안적인 실시형태를 도시하는 간략화된 개략도이다. 도 8 의 힘 전달체 (510) 는 유체층에 섭동을 일으키거나 교란을 일으킬 수 있을 뿐만 아니라 유체층을 씨닝할 수 있는 돌출부 (512) 를 갖는다. 돌출부 (512) 는 도 8 에서 삼각형 형상을 가지지만 이에 한정하지 않는다. 즉, 돌출부 (512) 는 임의의 적절한 기하학적 형상, 예를 들어, 원형, 정사각형, 원통형, 배플 (baffle) 등일 수도 있다. 필수적으로, 유체층 (101) 이 돌출부에 의해 교란되는 임의의 구성이 도 8 로 표현된 실시형태에서 바람직한 기능을 달성할 것이다. 도 8 의 실시형태를 참조하는 다른 방법은, 힘 전달체 (510) 의 외부 표면이 텍스쳐 (texture) 를 가진다는 것이다. 도 8 에 대해 설명된 유체층에 섭동 또는 교란을 제공함으로써, 유체층은 이 교란으로부터 고체 특징을 가지기 시작되고, 기판 (105) 의 표면상에 배치된 오염물질을 이동시키는데 도움이 될 수도 있다. 교란의 빈도수가 대략 0.1 이상의 드보라 수 (Deborah number) 에 근접함에 따라, 유체는 액체보다는 고체로서 작용하기 시작한다. 드보라 수는 변형의 타임 스케일 (힘 전달체의 섭동 주파수) 에 대한 재료의 특징적인 타임 스케일, 즉, 유체에서 분자의 완화 시간의 비율로서 정의된다.
도 9 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 기판의 표면을 세정하기 위한 시스템의 간략화된 개략도이다. 이 시스템은 기판 (105) 상부에 유체층 (101) 을 제공하는 유체 저장소 (520) 를 포함한다. 이 실시형태에서, 유체 저장소 (520) 는 밸브 (522) 를 통해서 유체를 기판 (105) 으로 공급한다. 분사 (spraying), 퍼들링 (puddling) 등과 같은 수많은 다른 유체 전달 기술이 적용될 수도 있다는 것이 당업자에게는 명백하다. 그 후, 힘 전달체 (510) 는 전술한 실시형태에 따라서 기판 (105) 의 표면을 세정하기 위해 유체층 (101) 을 씨닝할 것이다. 전술한 바와 같이, 힘 전달체는 기판 (105) 의 상부 표면에 걸쳐서 회전하고 또는 측면으로 이동할 수도 있고, 또는, 회전 및 측면 이동의 조합일 수도 있다. 그러나, 힘 전달체 (510) 는 롤러 (roller) 로서 도시되지만, 힘 전달체에 대해 개시된 임의의 실시형태들이 본 명세서에 통합될 수도 있다. 기판 (105) 의 전체 표면이 세정 효과, 즉, 유체층 (101) 을 씨닝하기 위한 하향력을 경험하면, 기판 (105) 은 세정 모듈, 예를 들어, 스핀 린스 및 건조 (SRD; spin rinse and dry) 모듈 (530) 로 전달될 수도 있다. 대안적으로, 기판 (105) 의 상부에 대해 직각으로 이동하여 기판 (105) 의 표면으로부터 힘이 가해진 임의의 힘 전달체 (510) 가 제거될 수도 있다. 일 실시형태의 고체 파티클 (109) 에 부착되어 있을 수도 있는 오염물질은 최종 세정 및 린스 단계에서 워싱 (wash) 된다. 이 세정 및 린스 단계는 화학물질, 예를 들어, 수산화 암모늄 (ammonium hydroxide) 또는 계면활성제를 포함하여 기판 (105) 의 표면으로부터 지방산의 제거를 용이하게 하며, 여기서 유체층 내의 세정제는 지방산, 예를 들어, 카르복실산을 포함한다.
본 발명이 반도체 웨이퍼로부터 오염물질을 제거하는 내용으로 설명되었지만, 본 발명의 전술한 원리 및 기술이 반도체 웨이퍼 이외의 표면을 세정하는데도 동등하게 적용될 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 본 발명은 반도체 제조에 이용된 임의의 장비 표면을 세정하는데 이용될 수 있고, 여기서, 임의의 장비 표면은 웨이퍼와 환경적인 통신을 하는, 예를 들어, 웨이퍼와 공기 공간을 공유하는 임의의 표면을 지칭한다. 본 발명은 오염물질 제거가 중요한 다른 기술 영역에 이용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 공간 프로그램, 또는 다른 하이 테크놀로지 영역, 예를 들어, 표면 과학, 에너지, 광학, 마이크로 전자공학, MEMS, 평면-패널 프로세싱, 태양 전지, 메모리 디바이스 등에 이용된 부품에서 오염물질을 제거하는데 이용될 수 있다. 본 발명이 이용될 수 있는 예시적인 영역의 전술한 목록 열거는 포괄적인 목록을 열거하는 것을 나타내도록 의도되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 또한, 본 명세서의 예시적인 설명에 이용된 것과 같은 웨이퍼는 필수적인 임의의 다른 구조, 예를 들어, 기판, 부품, 패널 등을 나타내는 것으로 일반화될 수 있다는 것을 이해해야만 한다.
본 발명이 수개의 실시형태에 관련하여 설명되었지만, 당업자는 전술한 상세설명을 읽고 도면을 연구함으로써 다양한 변화물, 추가물, 치환물 및 그 등가물을 실현할 것이다. 따라서, 본 발명은 본 발명의 진정한 취지 및 범위에 포함되는 이러한 모든 변화물, 추가물, 치환물, 및 등가물을 포함하는 것이 의도된다. 청구범위에서, 엘리먼트들 및/또는 단계들은, 청구항에서 명백하게 명시되지 않는 한, 동작의 임의의 특정 순서를 함축하지 않는다.
Claims (28)
- 기판을 세정하는 방법으로서,고체 성분들을 가지는 유체층을 상기 기판의 표면에 배치하는 단계;상기 기판의 상기 표면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력 (shear force) 을 생성하는 단계로서, 상기 전단력은 상기 유체층과 접촉하는 고체 본체에 가해진 힘의 법선 성분 또는 접선 (tangential) 성분 중 하나로부터 초래되는, 상기 전단력을 생성하는 단계; 및상기 기판의 상기 표면을 린스하여 상기 유체층을 제거하는 단계를 포함하는, 기판 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 상기 표면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력을 생성하는 단계는,상기 기판의 상기 표면을 향해서 상기 고체 성분들 중 하나의 고체 성분에 힘을 가하는 단계를 포함하는, 기판 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 상기 표면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력을 생성하는 단계는,상기 고체 성분들 중 하나의 고체 성분의 하부 표면과 상기 기판의 상부 표면 사이에 정의된 상기 유체층의 부분을 씨닝하는 (thinning) 단계를 포함하는, 기판 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유체층을 주기적으로 교란시켜 상기 전단력을 주기적으로 생성시키는 단계를 더 포함하는, 기판 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유체층은 지방산을 포함하는, 기판 세정 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 지방산은 카르복실산인, 기판 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 상기 표면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력을 생성하는 단계는,상기 기판의 상기 표면 상부에 배치된 힘 전달체를 회전시키는 단계를 포함하는, 기판 세정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판의 상기 표면에 실질적으로 평행하게 그리고 상기 기판의 외부 에지를 향해서 가해지는 전단력을 생성하는 단계는,상기 유체층과 접촉하는 상기 고체 본체를 가압하는 단계를 포함하는, 기판 세정 방법.
- 기판을 세정하는 세정 장치로서,상기 기판의 표면상에 배치된 유체와 접촉하는 외부 표면을 가지는 힘 전달체로서, 상기 유체는 고체 성분들을 가지고, 상기 힘 전달체는 상기 기판의 상기 표면을 향해서 상기 고체 성분들에 힘을 가하도록 구성된, 상기 힘 전달체; 및상기 힘 전달체 아래에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지체를 포함하는, 기판 세정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 힘 전달체는 상기 기판의 상기 표면에 상기 유체를 공급하는, 기판 세정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 힘 전달체는 그 내부에 공간을 형성하는 컴플라이언트 멤브레인 (compliant membrane) 이고,상기 공간은 상기 유체로 충전되는, 기판 세정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 힘 전달체는, 축 주위를 회전하고 상기 기판의 상기 표면에 대해 측면으로 이동하도록 구성된, 기판 세정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 힘 전달체로 그리고 상기 기판의 상기 표면으로 상기 유체를 제공하는 유체 전달 시스템 (fluid delivery system) 을 더 포함하는, 기판 세정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 유체는 지방산을 포함하는, 기판 세정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 유체는 계면활성제를 포함하는, 기판 세정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 고체 성분들에 가해진 상기 힘은 법선 성분을 포함하는, 기판 세정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 힘 전달체의 상기 외부 표면은 텍스쳐링 (texture) 되는, 기판 세정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 힘 전달체의 상기 외부 표면은 복수의 돌출부들을 포함하는, 기판 세정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 힘 전달체의 상기 외부 표면은 평탄면을 가지는 플레이트인, 기판 세정 장치.
- 기판의 표면에 고체 성분들을 가지는 유체를 전달하도록 구성된 유체 저장소;상기 기판의 상기 표면상에 배치된 상기 유체와 접촉하도록 구성된 외부 표면을 가지는 힘 전달체로서, 상기 힘 전달체는 상기 고체 성분들 중 하나의 고체 성분의 하부 표면과 상기 기판의 상기 표면 사이에 정의된 유체층을 씨닝하기 위해 법선 성분을 가지는 힘을 제공하도록 구성되는, 상기 힘 전달체; 및상기 힘 전달체 아래에서 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지체를 포함하는, 기판 세정 시스템.
- 제 20 항에 있어서,상기 힘 전달체는 가압되도록 구성된, 기판 세정 시스템.
- 제 20 항에 있어서,상기 힘 전달체는 빈도수에 따라서 상기 유체층을 교란시키도록 구성된, 기판 세정 시스템.
- 제 20 항에 있어서,상기 유체층은 점탄성인, 기판 세정 시스템.
- 제 20 항에 있어서,상기 기판 지지체는 상기 기판을 회전시키도록 구성된, 기판 세정 시스템.
- 제 20 항에 있어서,상기 힘 전달체는, 축 주위를 회전하고 상기 기판의 상기 표면에 대해 측면으로 이동하도록 구성된, 기판 세정 시스템.
- 제 20 항에 있어서,상기 힘 전달체는 평탄면을 가지는 플레이트인, 기판 세정 시스템.
- 제 20 항에 있어서,상기 힘 전달체는 팽창식인, 기판 세정 시스템.
- 제 20 항에 있어서,상기 기판의 상기 표면으로부터 상기 유체를 제거하도록 구성된 스핀 린스 및 건조 시스템을 더 포함하는, 기판 세정 시스템.
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