CN102601078A - 用于清洁衬底的装置和系统 - Google Patents
用于清洁衬底的装置和系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102601078A CN102601078A CN2012100893996A CN201210089399A CN102601078A CN 102601078 A CN102601078 A CN 102601078A CN 2012100893996 A CN2012100893996 A CN 2012100893996A CN 201210089399 A CN201210089399 A CN 201210089399A CN 102601078 A CN102601078 A CN 102601078A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- tri
- foam
- state body
- clean
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 234
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title abstract description 32
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 48
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 45
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 11
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 10
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 9
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 description 54
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 38
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 25
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 18
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 10
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 9
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 8
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 8
- -1 linoleic acid, leukotrienes Chemical class 0.000 description 8
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 8
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- YWWVWXASSLXJHU-AATRIKPKSA-N (9E)-tetradecenoic acid Chemical compound CCCC\C=C\CCCCCCCC(O)=O YWWVWXASSLXJHU-AATRIKPKSA-N 0.000 description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DPUOLQHDNGRHBS-UHFFFAOYSA-N Brassidinsaeure Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCCCCCC(O)=O DPUOLQHDNGRHBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021353 Lignoceric acid Nutrition 0.000 description 2
- CQXMAMUUWHYSIY-UHFFFAOYSA-N Lignoceric acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCC1=CC=C(O)C=C1 CQXMAMUUWHYSIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- YZXBAPSDXZZRGB-DOFZRALJSA-N arachidonic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(O)=O YZXBAPSDXZZRGB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N docosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- FARYTWBWLZAXNK-WAYWQWQTSA-N ethyl (z)-3-(methylamino)but-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)\C=C(\C)NC FARYTWBWLZAXNK-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- SECPZKHBENQXJG-FPLPWBNLSA-N palmitoleic acid Chemical compound CCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O SECPZKHBENQXJG-FPLPWBNLSA-N 0.000 description 2
- IJTNSXPMYKJZPR-UHFFFAOYSA-N parinaric acid Chemical compound CCC=CC=CC=CC=CCCCCCCCC(O)=O IJTNSXPMYKJZPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GWHCXVQVJPWHRF-KTKRTIGZSA-N (15Z)-tetracosenoic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCCCC(O)=O GWHCXVQVJPWHRF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWWVWXASSLXJHU-UHFFFAOYSA-N 9E-tetradecenoic acid Natural products CCCCC=CCCCCCCCC(O)=O YWWVWXASSLXJHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021357 Behenic acid Nutrition 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URXZXNYJPAJJOQ-UHFFFAOYSA-N Erucic acid Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCCCCCC(O)=O URXZXNYJPAJJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJXROGWVRIJYMO-SJDLZYGOSA-N Nervonic acid Natural products O=C(O)[C@@H](/C=C/CCCCCCCC)CCCCCCCCCCCC XJXROGWVRIJYMO-SJDLZYGOSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000021319 Palmitoleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- JAZBEHYOTPTENJ-JLNKQSITSA-N all-cis-5,8,11,14,17-icosapentaenoic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(O)=O JAZBEHYOTPTENJ-JLNKQSITSA-N 0.000 description 1
- IJTNSXPMYKJZPR-WVRBZULHSA-N alpha-parinaric acid Natural products CCC=C/C=C/C=C/C=CCCCCCCCC(=O)O IJTNSXPMYKJZPR-WVRBZULHSA-N 0.000 description 1
- 229940114079 arachidonic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000021342 arachidonic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940116226 behenic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- SECPZKHBENQXJG-UHFFFAOYSA-N cis-palmitoleic acid Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O SECPZKHBENQXJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWHCXVQVJPWHRF-UHFFFAOYSA-N cis-tetracosenoic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O GWHCXVQVJPWHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-M dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC([O-])=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229960005135 eicosapentaenoic acid Drugs 0.000 description 1
- JAZBEHYOTPTENJ-UHFFFAOYSA-N eicosapentaenoic acid Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCC(O)=O JAZBEHYOTPTENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000020673 eicosapentaenoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- DPUOLQHDNGRHBS-KTKRTIGZSA-N erucic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCC(O)=O DPUOLQHDNGRHBS-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-QXMHVHEDSA-N gadoleic acid Chemical compound CCCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-QXMHVHEDSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XMHIUKTWLZUKEX-UHFFFAOYSA-N hexacosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O XMHIUKTWLZUKEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940070765 laurate Drugs 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 1
- DPUOLQHDNGRHBS-MDZDMXLPSA-N trans-Brassidic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C\CCCCCCCCCCCC(O)=O DPUOLQHDNGRHBS-MDZDMXLPSA-N 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 239000003190 viscoelastic substance Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/003—Cleaning involving contact with foam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及用于清洁衬底的装置和系统。本发明公开了用于清洁衬底的装置。该装置具有第一头单元和第二头单元。第一头单元被设置成紧邻衬底表面，并具有限定在其中的、经构造以向衬底表面供给泡沫的第一行通道。第二头单元被设置成基本上靠近第一头单元并紧邻衬底表面。第二行和第三行通道限定在第二头单元中。第二行通道经构造以向衬底表面供给流体。第三行通道经构造以向衬底表面施加真空。
Description
本申请是申请日为2006年12月29日，申请号为200610171751.5的，发明名称为“用于清洁衬底的装置和系统”的原申请的分案申请。
技术领域
在制备半导体设备(例如集成电路、存储单元等)中，实施一系列制造操作以在半导体晶片(“晶片”)上限定特征。晶片经加工以含有限定在硅衬底上的多层结构形式的集成电路器件。在衬底层面上，形成具有扩散区的晶体管器件。在接下来的层面中，将互连的金属化线图案化和电连接到晶体管器件上以限定理想的集成电路器件。同样，图案化的导电层可以通过绝缘材料与其它导电层绝缘。
背景技术
在一系列制造操作期间，晶片表面暴露于各类污染物中。基本上所有在制造操作中存在的材料都是潜在的污染源。例如，污染源可以包括过程气体、化学品、沉积材料和液体以及其它物质。各种污染物可以以颗粒形式沉积到晶片表面。如果颗粒状污染物未被去除，那么在污染物附近的器件可能不能运行。因此，必需以基本完全地方式从晶片表面清洁污染物而不损害限定在晶片上的特征。然而，颗粒污染物的尺寸通常与在晶片上制造的特征的临界尺寸大小类似。去除这些小颗粒污染物而不对晶片上的特征造成负面影响可能是相当困难的。
常规的晶片清洁装置、系统和方法很大程度上依赖于机械力以从晶片表面去除颗粒污染物。随着特征尺寸持续下降并变得更易损坏，由于向晶片表面施加机械力而损坏特征的可能性增加。例如，具有高的长宽比的特征在受到足够的机械力冲击时易于倒塌或者破裂。进一步使该清洁问题复杂化的是，减小特征尺寸的趋势同样导致了颗粒污染物尺寸的减小。足够小尺寸的颗粒污染物能够钻到晶片表面上难以到达的区域，例如钻到被高长宽比特征围绕的沟道中。因此，在现代半导体制造期间有效并无损地去除污染物代表着在晶片清洁技术的不断进步中一直遇到的挑战。应当理解的是，平板显示器的制造操作中遭受着和上面讨论的集成电路制造相同的缺陷。
鉴于前文所述，需要用于清洁晶片表面的更有效和较少磨损的清洁装置、系统和方法。
发明内容
概括地说来，本发明通过提供用于清洁晶片表面的改进的装置、系统和方法来满足这些需要。应当理解的是，本发明可以以多种方式实施，包括以装置、方法和系统的形式。下面记载了本发明的多种实施方案。
在一个实施方案中，公开了用于清洁衬底的装置。该装置具有第一头单元(head unit)和第二头单元。第一头单元被设置成紧邻衬底表面并具有限定在其中的、经构造以向衬底表面提供泡沫的第一行通道。第二头单元被设置成基本上靠近第一头单元并紧邻衬底表面。第二行和第三行通道限定在第二头单元中。第二行通道经构造以向衬底表面供给流体。第三排通道经构造以向衬底表面施加真空。
在另一实施方案中公开了用于清洁衬底的方法。提供在其上沉积了颗粒的衬底。产生了含有多个三态体(tri-state body)(每个具有固体部分、液体部分和气体部分)的泡沫。通过第一套施加器将泡沫施加到衬底表面上。通过第二套施加器将流体以足以基本上去除衬底表面上的泡沫的量施加到衬底表面上。通过第三套施加器向衬底表面施加真空以基本上从衬底表面去除流体。
在又一实施方案中，公开了用于清洁衬底的装置。该装置包括包容式导管(containment conduit)、多个支撑件、入口端阀门和出口端阀门。包容式导管经构造以在泡沫上施加压力使其通过衬底表面从而形成从入口端到出口端之间的泡沫流动。多个支撑件封闭在包容式导管内并经构造以承载衬底。入口端阀门和出口端阀门经构造以调节流入到包容式导管和由其流出的泡沫流动。与入口端阀门和出口端阀门相连接的控制器控制同过包容式导管的泡沫流动。
在又一实施方案中，公开了清洁衬底的方法。将其上沉积有颗粒的衬底插入到包容式导管中。泡沫经包容式导管的入口阀门被供给到包容式导管中。通过包容式导管的入口阀门施加压力以形成泡沫的压力驱动流动，使得泡沫移动经过衬底表面并与衬底表面上的颗粒相互作用。泡沫和颗粒一起从包容式导管经包容式导管的出口阀门被去除。
在又一实施方案中，公开了用于清洁衬底的系统。该系统包括第一清洁区、第二清洁区和能够夹持衬底的载体。第一清洁区包括经构造以向衬底表面施加泡沫的压力驱动型流动单元。第二清洁区包括施加器，该施加器经构造以分配流体从而基本上从衬底表面去除泡沫。载体经构造以将衬底从第一清洁区平移输送到第二清洁区。
在又一实施方案中，公开了用于清洁衬底的系统。该系统包括流体分配器、泡沫分配器和旋转卡盘。流体分配器被设置成紧邻衬底表面并经构造以将流体输送到衬底表面。泡沫施加器被设置成紧邻衬底表面并经构造以向衬底表面提供泡沫。旋转卡盘经构造以支撑衬底并赋予该衬底以旋转速度，同时多个夹子用来将衬底固定到旋转卡盘上。
附图说明
通过下面的详细描述结合附图可以容易地理解本发明，且其中类似的附图标记表示类似的结构元件。
图1A是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元(proximity head unit)的底表面的图解。
图1B是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元的侧视图。
图2A和2B是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元的放大截面图。
图3是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的整体式清洁装置的俯视图。
图4是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的非整体式清洁装置的图解。
图5是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的系统的侧视图。
图6是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的方法的流程图。
图7是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的压力驱动型流动装置的示意图。
图8A是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的系统的工艺流程图。
图8B是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的系统的工艺流程图。
图9是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的方法的流程图。
具体实施方式
本发明记载了用于清洁晶片表面的装置、系统和方法。但是，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一些或者所有这些特定细节而实施。在其它情况下，为了避免不必要地混淆本发明，没有详细描述公知的工艺操作。
如同在本文中使用的那样，三态体清洁材料含有多个包含气体部分、液体部分和固体部分的三态体。在一个实施方案中，气体部分和液体部分提供了使固体部分与衬底表面上的污染物颗粒极其紧邻的媒介物。可以用于构成固体部分的一些示例性材料包括脂族酸、羧酸、石蜡、蜡、聚合物、聚苯乙烯、多肽和其它粘弹性材料。所述固体部分材料应当以超过其在液体部分中的溶解度极限的浓度存在。同样地，应当理解的是，与特定固体部分材料相关的清洁效率可以随浓度、温度、pH值和其它环境条件而改变。
脂族酸基本上代表了所有由其中碳原子形成开链的有机化合物定义的酸。脂肪酸是可以在三态体清洁材料中用作固体部分的脂族酸的实例。可以用作固体部分的脂肪酸的例子包括月桂酸、棕榈酸、硬脂酸、油酸、亚油酸、亚麻酸、花生四烯酸、顺-9-二十碳烯酸、芥酸、丁酸、己酸、辛酸、肉豆蔻酸、十七烷酸、山萮酸、二十四烷酸、肉豆蔻脑酸、棕榈油酸、神经酸、十八碳四烯酸、二十碳五烯酸、巴西烯酸、4，7，11-二十二碳三烯-18炔酸、二十四烷酸、蜡酸和它们的混合物等。
在清洁期间固体相与颗粒相互作用以去除它们。在本文中使用时，衬底是指半导体晶片、平板显示器表面(例如液晶显示器等)和晶片处理装置和可能在制造操作中被污染的硬件。
图1A是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元的底表面的图解。在该图中，显示的近贴头单元102具有多个用于分配三态体清洁材料的三态体分配出口104、多个用于分配流体的流体分配出口106和多个用于对衬底表面施加真空的多个真空开口108。
在一个实施方案中，三态体分配出口104、流体分配出口106和真空开口108在整个近贴头单元102的表面上沿纵向顺序成行排列，该近贴头单元102经构造以覆盖衬底的整个直径。例如，近贴头单元102的前三行出口可以是三态体分配出口104，然后是两行流体分配出口106，再然后是两行真空开口108。应当理解的是，这仅是可以如何将各种类型的出口/开口排列在近贴头单元102上的可能构造的一个实施例；实际上存在无数种具有不同出口/开口类型、不同出口/开口类型顺序、并且可以为每个出口/开口类型指定行数的构造。出口/开口构造仅受限于用途要求、近贴头单元102可以经构造以容纳的出口/开口数、和可包括进来作为头单元102的一部分的出口/开口的类型。
在一个实施方案中，三态体分配出口104经构造以向衬底表面提供三态体清洁材料。该三态体清洁材料可以是含有许多三态体的泡沫或乳液。在一个实施方案中，流体分配出口106经构造以将液体分配到衬底表面上。一些可以进行分配的液体类型的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。但是，应当理解的是，基本上可以使用任何液体，只要按照用途要求该液体能足以从衬底表面去除三态体清洁材料即可。在另一实施方案中，该流体分配出口106经构造以将气体分配到衬底表面上。可以被流体分配出口106分配的一些类型气体的实例包括异丙醇(IPA)蒸气、二氧化碳(CO2)、空气、氮气(N2)、氩气(Ar)、氧气(O2)、臭氧(O3)等。基本上所有类型的气体都可以被分配，只要该气体可以用于足够干燥衬底表面而不损坏在衬底表面上限定的多层结构即可。在一个实施方案中，真空开口经构造以向衬底表面施加真空。真空压力设定可以被优化以基本上去除任何沉积在衬底表面上的三态体清洁材料和/或液体。
图1B是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元的侧视图。如在其中所描绘，所示具有三态体材料(即泡沫)供应管线110、流体供应管线112和真空供应管线114的近贴头单元102被设置成紧邻衬底116上表面而衬底116在近贴头单元102下平移移动。如上所述，取决于用途和三态体清洁材料的化学组成，三态体清洁材料可以作为泡沫或者乳液分配。
如图所示，衬底116的表面先用三态体清洁材料处理，然后用去离子水处理以冲洗掉清洁材料，然后施加真空以从表面去除去离子水。在一个实施方案中，第二近贴头单元被设置成紧邻衬底116的底表面并与上面的近贴头单元102基本对齐。第二近贴头单元经构造以用三态体清洁材料和去离子水处理衬底116的底表面然后通过施加真空干燥。
图2A是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的近贴头单元的放大截面图。在该图中，近贴头单元102被显示为具有从近贴头102的顶表面上的入口/端口延伸出来达到近贴头102的底表面的出口/开口的多条通道。如图所示，近贴头单元102包括三态体清洁材料入口208、流体入口210、真空入口212和气体供应入口214，其中所述三态体清洁材料入口208用于将三态体清洁材料202供给经构造以将材料202经三态体清洁材料202出口输送到衬底表面的通道，所述流体入口210用于将流体(例如去离子水/消泡剂等)供给经构造以将流体弯液面204形式的流体输送到衬底表面的通道，所述真空入口212用于向经构造以对衬底116表面施加真空的通道提供真空，所述气体供应入口214用于通过经构造以向衬底116表面提供气体206的通道供应气体206(例如IPA蒸气、CO2、N2、O2等)。在一个实施方案中，在清洁操作期间衬底116在近贴头单元102下平移移动，在此处将三态体清洁材料、流体、真空和气体供应到或者施加到衬底116表面上。在另一实施方案中，近贴头单元102经构造以在清洁操作期间在衬底116表面上平移移动。在一个实施方案中，可以配备控制系统(如在图1B中所示)。控制系统经构造以管理流到近贴头单元102和从近贴头单元102流走的流体的流动。流体流动管理可以包括流量计和控制器，以确保形成适当的弯液面。在一个实施方案中，弯液面保持在近贴头单元102和衬底116表面之间。这确保了精确控制清洁流体和三态体。
图2B阐述了另一构造，其中配备了真空入口216使得能够向三态体清洁材料202和流体204施加真空。在该实施方案中，真空入口216可以为多个离散歧管(例如孔或者端口)形式，这能够在材料202和流体204之间形成更好的界面。在一个实施方案中设想的是提供更好界面的真空入口216将有助于降低材料202和流体204之间的混合量。取决于所需的混合程度，对于给定用途，可以(例如通过泵和计算机/程序控制)控制真空入口216。因此，每种配置(recipe)都将限定对三态体208、真空216、流体210、真空212和气体206的不同程度的调节。
因此，应当理解的是，近贴头单元102可以具有许多不同的构造而且这仅为一种示例性构造。其它近贴头单元102构造可以包括近贴头单元102所用于的特定应用所需的不同通道类型和通道数量。
图3是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的整体式清洁装置的俯视图。如图所示，其中衬底116朝向整体式清洁装置300平移移动，该整体式清洁装置300包括三态体清洁材料分配部分302、近贴头部分304和气体分配部分306。该三态体清洁材料分配部分302经构造以在衬底116在整体式清洁装置300下平移移动或者清洁装置300在衬底116表面上平移移动时向衬底116表面提供三态体清洁材料。清洁材料可以为三态体泡沫或者乳液形式。在一个实施方案中，三态体分配部分302经构造以借助足以使清洁材料的固体部分和衬底116表面上的污染物颗粒之间相互作用的力提供三态体清洁材料。例如，可以分配清洁材料使得向位置相当靠近衬底116表面的三态体施加向下的力(或者一般而言，力)，从而促使这些三态体的固体部分与沉积在衬底116表面上的污染物颗粒相互作用。在晶片不是水平的情况下，该力可以不是向下的力，取而代之的是相对于晶片位置的力。三态体的固体部分和污染物颗粒之间的相互作用使得在去除三态体时从衬底116的表面去除颗粒。这些相互作用可以通过包括粘附、碰撞和吸引力的一种或多种机理形成。
近贴头部分304包括用于将液体弯月面施加到衬底116表面上的出口和用于向衬底116表面施加真空的开口。在衬底116清洁操作期间，近贴头部分304经构造以从衬底116表面去除三态体清洁材料和伴随的污染物颗粒。液体弯月面和衬底116表面边界被定义为存在快速液体置换从而导致清洁材料基本上从衬底116表面去除的区域。一些可以使用的液体类型的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。应当理解的是，基本上可以使用任何液体，只要按照应用要求该液体可以从衬底116表面上充分去除三态体清洁材料和污染物颗粒即可。
继续来看图3，气体分配部分306经构造以在近贴头部分304已经基本上去除了三态体清洁材料之后供给气体以基本上从衬底116表面去除液体。可以由这部分分配的气体的实例包括异丙醇(IPA)气体、CO2、空气、氮气(N2)、氩气(Ar)、氧气(O2)、臭氧(O3)等。基本上可以使用任何类型的气体，只要该气体可以用于充分干燥衬底116表面而不损坏限定在衬底116表面上的多层结构即可。
图4是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的非整体式清洁装置的图解。如图所示，所述清洁装置包括歧管单元402和近贴头单元102，两者都经构造以在清洁操作期间它们平移移动经过衬底116上表面时基本协调操作。在一个实施方案中，将歧管单元402和近贴头单元102结合成为整体式清洁装置。在另一实施方案中，歧管单元402和近贴头单元102是物理上独立的单元。在一个实施方案中，在衬底116清洁操作期间，衬底116在第一歧管单元402下面平移移动经过第一歧管单元402，然后经过近贴头单元102。歧管单元402经构造以提供三态体清洁材料以清洁衬底116表面，而近贴头单元102施加液体和真空以从衬底表面116去除清洁材料。
所述歧管单元402被设置成紧邻衬底116表面并经构造以向该表面分配三态体清洁材料。三态体清洁材料可以作为包括许多三态体的泡沫或者乳液来分配。在一个实施方案中，歧管402经构造以用足以使清洁材料的固体部分与衬底116表面上的污染物颗粒404相互作用的力来供给三态体清洁材料。三态体的固体部分和污染物颗粒的相互作用导致在去除三态体时从衬底116的表面去除颗粒。如前所述，相互作用可以通过包括粘附、碰撞和吸引力的一种或多种机理而产生。当从衬底116表面去除三态体时，也去除了污染物颗粒404。
再看图4，在操作期间近贴头单元102被设置成紧邻衬底116的表面，并经构造以在衬底116表面上形成循环液体弯月面以从表面上基本去除任何三态体清洁材料和污染物404。可以被近贴头单元102使用以形成液体弯月面的液体的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。在一个实施方案中，近贴头部分102还包括经构造以向衬底116的表面提供气体的气体分配出口。可以通过这些出口分配的气体的实例包括异丙醇(IPA)气体、空气、氮气(N2)、氩气(Ar)、氧气(O2)、臭氧(O3)等。基本上任何类型的气体都可以被分配，只要该气体可以用于充分干燥衬底116表面而不损坏限定在衬底116表面上的多层结构即可。
图5是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底表面的系统的侧视图。在该图中，该系统包括三态体清洁材料分配器502、液体分配喷嘴504和旋转卡盘508。三态体分配器502被设置成靠近液体分配喷嘴504，并紧邻被多个经构造以将衬底116固定到旋转卡盘508上的衬底夹506承载的衬底116的表面。衬底夹506可以采用多种构造，有时称作指状物、支架、轮子、滚轴或者夹子等。夹持晶片的主体(body)的构造类似于旋转-冲洗-干燥模块，然而本发明的分配器502经校准以确保恰当地将三态体输送到衬底116表面上。
如上所述，在一个实施方案中，三态体分配器502经构造以以泡沫形式分配三态体清洁材料。在另一实施方案中，三态体分配器502经构造以以乳液形式分配三态体清洁材料。在一个实施方案中，三态体材料分配器502经构造以以足以促使清洁材料的固体部分与衬底116表面上的污染物颗粒之间相互作用的力分配三态体清洁材料。三态体的固体部分和污染物颗粒的相互作用导致在去除三态体时从衬底116表面去除颗粒。在另一实施方案中，该系统另外包括经构造以向三态体清洁材料施加向下的力从而使材料的固体部分与衬底116表面上的污染物颗粒进行相互作用的施力器。
液体分配喷嘴504被设置成紧邻衬底116的表面并经构造以将液体分配到衬底116的表面。可以被分配的液体的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。但是，应当理解的是，基本上可以使用任何液体，只要按照应用要求该液体可以从衬底116表面上充分去除三态体清洁材料即可。
再看图5，旋转卡盘508经构造以执行旋转干燥操作，借此由连接到卡盘508的衬底夹506所承载的衬底116以足以基本上去除沉积在衬底116表面上的三态体材料和/或液体的速度旋转。在一个实施方案中，替代使用衬底夹506，旋转卡盘508是静电卡盘，该静电卡盘经构造以足够的力固定衬底116，使得在旋转干燥操作期间衬底116在卡盘508上基本保持固定。在另一实施方案中，替代使用衬底夹506，旋转卡盘508是真空卡盘，该真空卡盘经构造以足够强度向衬底116施加真空，使得在旋转干燥操作期间，衬底116将保持基本固定。
在一个可替换的实施方案中，可以使用流体的分配料流或者片将三态体施加到固定的衬底上。在这种情况下，三态体可以以其开始发泡之前的形式施加。这样，流体作为料流或者片施加到衬底表面。干燥也可以使用气刀进行，使得得到干燥状态的表面。此外，如上所述，近贴头可以用于实施干燥操作。
图6是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的方法的流程图。在该方法中所用的清洁装置的图如图1、2A、2B、3和4所述。方法600从提供被颗粒污染的衬底的操作602开始。如前面所讨论的，衬底(在本文中使用的实例)非限制性地表示半导体晶片、硬磁盘机、光盘、玻璃衬底和平板显示器平面、液晶显示器平面等。方法600继续进行到其中产生三态体泡沫的操作604。泡沫包括多个三态体，其中每个三态体含固体部分、液体部分和气体部分。为了进一步阐述三态体清洁材料的组成及其机理，请参见US专利申请(11/346894)(Atty.Docket No.LAM2P546)，2006年2月3日提交，标题为“METHOD FOR REMOVING CONTAMINATION FROM ASUBSTRATE AND FOR MAKING A CLEANING SOLUTION”。
方法600继续进行到其中通过第一套施加器将三态体泡沫施加到衬底表面上的操作606。在一个实施方案中，第一套施加器经构造以用足以使三态体的固体部分和沉积在衬底表面上的颗粒相互作用的力供应泡沫。方法600继续进行到操作608，其中通过第二套施加器以足以从衬底表面上基本去除泡沫的量向衬底表面提供流体。对于该操作合适的流体的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。应当理解的是，基本上可以使用任何液体，只要按照应用要求该液体可以从衬底表面充分去除三态体清洁材料即可。
再看图6，方法600继续进行到其中通过第三套施加器向衬底表面施加真空以从衬底表面基本去除任何流体的操作610。在一个实施方案中，第一和第二套施加器容纳在第一头单元中而第三套施加器容纳在第二头单元中。在另一实施方案中，第一套施加器容纳在第一头单元而第二和第三套施加器容纳在第二头单元中。在又一实施方案中，第一、第二和第三套施加器全部容纳在单个整体式头单元中。
图7是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的压力驱动型流动装置的示意图。如图所示，该压力驱动流动衬底清洁设备700包括包容式导管702，其中该包容式导管702包括入口阀门704、出口阀门706、多个衬底夹701和材料储罐708。入口阀门704和出口阀门706分别经构造以调节三态体清洁材料和流体流入和流出包容式导管702的流动。三态体清洁材料由可操作地连接到入口阀门704的材料储罐708供给。
通过调节通过包容式导管702的三态体清洁材料的流入和流出，产生并向靠近衬底116表面的三态体施加用于促使三态体的固体部分和衬底116表面上的污染物颗粒相互作用的力。这种三态体的固体部分和污染物颗粒之间的相互作用导致在去除三态体时从衬底116表面去除颗粒。这些相互作用可以通过包括粘附、碰撞和吸引力的一种或者多种机理产生。入口704和出口706阀门可被可操作地与两个阀门相连接的控制器710控制。封闭在包容式导管702中的多个衬底夹子701经构造以将衬底116支撑在升高的位置并提供对衬底116的束缚以防止在清洁操作期间的任何非有意性移动。
继续来看图7，在一个实施方案中，流体是用于干燥衬底116和/或向三态体提供促使三态体的固体部分与沉积在衬底116表面上的污染物颗粒之间相互作用的力的气体。气体源(未在图7中示出)可操作地连接到入口阀门704，以向包容式导管702提供气体。适合使用的气体的实例包括空气、氮气(N2)、氩气(Ar)、氧气(O2)、臭氧(O3)、二氧化碳(CO2)等。基本上可以分配任何类型的气体，只要该气体不与三态体和/或在衬底116上限定的多层结构反应即可。在另一实施方案中，所述流体是用于从衬底116表面冲洗三态体清洁材料的液体。流体储罐可操作地连接到入口阀门116上以向包容式导管702供给流体。合适液体的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。基本上可以使用任何液体，只要按照用途的需要该液体能足以从衬底116表面去除三态体清洁材料和污染物颗粒即可。
图8A是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的系统的工艺流程图。如在该流程图中详细列出，先在第一清洁区802中通过压力驱动流动清洁装置清洁衬底。该压力驱动流动清洁装置经构造以如下方式向衬底表面施加三态体清洁材料，所述施加方式促使三态体的固体部分与沉积在衬底表面上的污染物颗粒之间相互作用。三态体的固体部分和污染物颗粒之间的相互作用使得在去除三态体时从衬底表面去除颗粒。在通过压力驱动流动清洁装置清洁衬底后，使用将第一清洁区802和第二清洁区804连接的轨道上的衬底载体将衬底从第一清洁区802移动到第二清洁区804。第二清洁区804包括一个或多个施加器，所述施加器经构造以分配流体以基本上冲洗和干燥任何保留在衬底表面上的三态体材料、流体和/或污染物颗粒。适合使用的液体的实例包括去离子水(DIW)、过氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)、SC-1溶液(NH4OH/H2O2/H2O)、消泡剂等。基本上可以使用任何液体，只要按照用途要求该液体能够从衬底表面充分去除三态体清洁材料和污染物颗粒即可。
图8B是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的系统的工艺流程图。在该工艺流程图中，衬底首先在第一清洁区802中由压力驱动流清洁装置清洗。如上面讨论，该压力驱动流动清洁装置经构造以向衬底表面施加三态体清洁材料，所述施加方式促使三态体的固体部分与沉积在衬底表面上的污染物颗粒相互作用。在用压力驱动流动清洁装置清洁之后，使用将第一清洁区802和第二清洁区806连接的轨道上的衬底载体将衬底从第一清洁区802移动到第二清洁区806。第二清洁区806包括近贴头单元，该近贴头单元经构造以施加液体弯月面从而从衬底表面冲洗掉任何残留的三态体清洁材料并施加真空以干燥除去残留在衬底表面上的液体。在一个实施方案中，近贴头单元被进一步构造以提供气体来增强衬底表面的干燥。适合用于该用途的气体的实例包括IPA蒸气、空气、氮气(N2)、氩气(Ar)、氧气(O2)、臭氧(O3)。
图9是根据本发明的一个实施方案用于清洁衬底的方法的流程图。在该方法中使用的清洁装置的图显示在图7、8A和8B中。方法900从操作902出发，在操作902中将其上沉积了颗粒的衬底插入包容式导管中。如前面讨论的，衬底可以是半导体晶片或者LCD平板。方法900继续进行到其中通过包容式导管的入口阀门向包容式导管供给三态体泡沫的操作904。如前面讨论的，通过可操作地与入口阀门相连接的储罐供给三态体泡沫。同样地，三态体泡沫包括多个各自具有固体部分、液体部分和气体部分的三态体。
方法900继续进行到操作906，其中通过包容式导管的入口阀门施加压力以建立泡沫的压力驱动流动，使得泡沫移动通过衬底表面并与衬底表面上的污染物颗粒相互作用。如前文讨论，构成泡沫的三态体的固体部分是泡沫与污染物颗粒相互作用的组分。这些相互作用可以通过包括粘附、碰撞和吸引力的一种或多种机理产生。
继续来看图9，方法900继续前进到其中通过包容式导管的出口阀门从包容式导管去除泡沫和颗粒的操作908。通过经包容式导管的入口阀门施加液体以冲洗三态体泡沫的衬底表面来去除泡沫。液体通过出口阀门排出包容式导管。三态体的固体部分与污染物颗粒的相互作用导致在去除三态体时从衬底表面去除颗粒。
尽管本文中已经详细描述了本发明的一些实施方案，但是本领域技术人员应当理解的是可以以许多其它的具体形式实施本发明，而不背离本发明的精神或范围。因此，这些实施例和实施方案应当被视为说明性的而不是限制性的，而且本发明不受限于本文中提供的细节，而是可以在所附权利要求的范围内变化和实施。
Claims (20)
1.用于清洁衬底的装置，包括：
具有入口端和出口端的包容式导管，该包容式导管经构造以在泡沫上施加压力使其通过衬底表面和建立从入口端到出口端的泡沫流动；
多个封闭在包容式导管内并经构造以承载衬底的支撑件；
经构造以对流入包容式导管的流动进行调节的入口端阀门；和
经构造以对流出包容式导管的流动进行调节的出口端阀门；和
与入口端阀门和出口端阀门相连接的控制器，该控制器经构造以控制泡沫通过包容式导管的流动。
2.权利要求1的用于清洁衬底的装置，其中所述泡沫包括多个三态体，该三态体包括固体部分、液体部分和气体部分。
3.权利要求2的用于清洁衬底的装置，其中所述固体部分包括脂肪酸。
4.权利要求1的用于清洁衬底的装置，其中所述多个支撑件经构造以使衬底旋转。
5.权利要求1的用于清洁衬底的装置，其中将气体供给到入口端以向泡沫施加压力从而产生流动。
6.权利要求1的用于清洁衬底的装置，其中所述流动是压力驱动流动。
7.用于清洁衬底的方法，包括：
将衬底插入到包容式导管中，所述衬底具有表面，所述表面上具有颗粒；
通过包容式导管的入口阀门向包容式导管供给泡沫；
通过包容式导管的入口阀门施加压力以形成泡沫的压力驱动流动，使得泡沫移动经过衬底表面并与衬底表面上的颗粒相互作用；和
经包容式导管的出口阀门从包容式导管去除泡沫和颗粒。
8.权利要求7的用于清洁衬底的方法，其中所述泡沫包括多个三态体，该三态体包括固体部分、液体部分和气体部分。
9.权利要求8的用于清洁衬底的方法，其中所述固体部分包括脂肪酸。
10.权利要求7的用于清洁衬底的方法，其中通过经包容式导管的入口阀门施加流体来去除泡沫。
11.用于清洁衬底的系统，包括：
第一清洁区，包括经构造以向衬底表面施加泡沫的压力驱动流单元；
第二清洁区，包括经构造以分配流体从而从衬底表面上基本去除泡沫的施加器；和
能够夹持衬底并经构造以将衬底从第一清洁区平移输送到第二清洁区的载体。
12.权利要求11的用于清洁衬底的系统，其中所述泡沫包括多个三态体，该三态体包括固体部分、液体部分和气体部分。
13.权利要求12的用于清洁衬底的系统，其中所述固体部分包括脂肪酸。
14.权利要求11的用于清洁衬底的系统，进一步包括经构造以调节通过包容式导管的流动的控制器。
15.权利要求11的用于清洁衬底的系统，其中所述施加器是经构造以向衬底表面分配流体的冲洗喷嘴。
16.权利要求15的用于清洁衬底的系统，其中所述流体是液体或气体之一。
17.权利要求11的用于清洁衬底的系统，其中所述施加器是近贴头单元，该近贴头单元经构造以：
提供流体以从衬底表面上基本去除泡沫；和
施加真空以从衬底表面上基本去除流体。
18.用于清洁衬底的系统，包括：
流体分配器，被设置成紧邻衬底表面并经构造以向衬底表面输送流体；
泡沫施加器，被设置成紧邻衬底表面并经构造以向衬底表面供给泡沫；和
旋转卡盘，经构造以支撑所述衬底和赋予所述衬底旋转速度，所述衬底通过多个夹子固定在旋转卡盘上。
19.权利要求18的用于清洁衬底的系统，其中所述泡沫包括多个三态体，该三态体包括固体部分、液体部分和气体部分。
20.权利要求19的用于清洁衬底的系统，其中所述固体部分包括脂肪酸。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US75537705P | 2005-12-30 | 2005-12-30 | |
| US60/755,377 | 2005-12-30 | ||
| US11/532,493 US8522799B2 (en) | 2005-12-30 | 2006-09-15 | Apparatus and system for cleaning a substrate |
| US11/532,493 | 2006-09-15 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2006101717515A Division CN101009204B (zh) | 2005-12-30 | 2006-12-29 | 用于清洁衬底的装置和系统 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102601078A true CN102601078A (zh) | 2012-07-25 |
Family
ID=37998277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012100893996A Pending CN102601078A (zh) | 2005-12-30 | 2006-12-29 | 用于清洁衬底的装置和系统 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8522799B2 (zh) |
| EP (1) | EP1803503A3 (zh) |
| JP (1) | JP2007208247A (zh) |
| KR (1) | KR20070072385A (zh) |
| CN (1) | CN102601078A (zh) |
| SG (1) | SG133543A1 (zh) |
| TW (2) | TWI350561B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112547662A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-26 | 江苏筑磊电子科技有限公司 | 异丙醇在火灾后电器表面处理的方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8522799B2 (en) * | 2005-12-30 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and system for cleaning a substrate |
| US20090101166A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for optimizing cleaning of patterned substrates |
| US8051863B2 (en) * | 2007-10-18 | 2011-11-08 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for correlating gap value to meniscus stability in processing of a wafer surface by a recipe-controlled meniscus |
| US8105997B2 (en) * | 2008-11-07 | 2012-01-31 | Lam Research Corporation | Composition and application of a two-phase contaminant removal medium |
| US8739805B2 (en) * | 2008-11-26 | 2014-06-03 | Lam Research Corporation | Confinement of foam delivered by a proximity head |
| US8317934B2 (en) * | 2009-05-13 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Multi-stage substrate cleaning method and apparatus |
| US9347987B2 (en) | 2009-11-06 | 2016-05-24 | Intel Corporation | Direct liquid-contact micro-channel heat transfer devices, methods of temperature control for semiconductive devices, and processes of forming same |
| JP4927158B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
| WO2012068291A1 (en) * | 2010-11-16 | 2012-05-24 | Alpert Martin A | Washing apparatus and method with spiral air flow for drying |
| KR20120053319A (ko) * | 2010-11-17 | 2012-05-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 세정 시스템 및 세정 방법 |
| US20120260517A1 (en) * | 2011-04-18 | 2012-10-18 | Lam Research Corporation | Apparatus and Method for Reducing Substrate Pattern Collapse During Drying Operations |
| US20130000679A1 (en) * | 2011-07-01 | 2013-01-03 | Parra-Garcia Manuel | Multi-channel de-applicator |
| CA3085086C (en) | 2011-12-06 | 2023-08-08 | Delta Faucet Company | Ozone distribution in a faucet |
| US20160207076A1 (en) * | 2015-01-20 | 2016-07-21 | Ikonics Corporation | Apparatus and method for removing abrasive particles from within a panel |
| CA3007437C (en) | 2015-12-21 | 2021-09-28 | Delta Faucet Company | Fluid delivery system including a disinfectant device |
| US10354913B2 (en) * | 2017-05-31 | 2019-07-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chemical clean of semiconductor device |
| JP2023124113A (ja) * | 2022-02-25 | 2023-09-06 | 株式会社ディスコ | 洗浄用治具、及び洗浄方法 |
Family Cites Families (148)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US546480A (en) * | 1895-09-17 | Half to george jenks and fred w | ||
| NL251243A (zh) * | 1959-05-04 | |||
| US3212762A (en) | 1960-05-23 | 1965-10-19 | Dow Chemical Co | Foam generator |
| US3167095A (en) * | 1961-02-02 | 1965-01-26 | Dover Corp | Automatic shut-off loading valve |
| US3436262A (en) | 1964-09-25 | 1969-04-01 | Dow Chemical Co | Cleaning by foam contact,and foam regeneration method |
| US3617095A (en) | 1967-10-18 | 1971-11-02 | Petrolite Corp | Method of transporting bulk solids |
| US3978176A (en) * | 1972-09-05 | 1976-08-31 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sparger |
| GB1507472A (en) * | 1974-05-02 | 1978-04-12 | Bunker Ramo | Foamable coating remover composition |
| US4156619A (en) * | 1975-06-11 | 1979-05-29 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for cleaning semi-conductor discs |
| US4133773A (en) * | 1977-07-28 | 1979-01-09 | The Dow Chemical Company | Apparatus for making foamed cleaning solutions and method of operation |
| US4238244A (en) | 1978-10-10 | 1980-12-09 | Halliburton Company | Method of removing deposits from surfaces with a gas agitated cleaning liquid |
| US4283244A (en) * | 1979-10-01 | 1981-08-11 | Sherwood Medical Industries Inc. | Method of making fabric-lined articles |
| US4838289A (en) * | 1982-08-03 | 1989-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for edge cleaning |
| US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
| DE3760569D1 (en) * | 1986-07-08 | 1989-10-26 | Kohlensaeurewerk Deutschland | A process for drying of plant or animal substances |
| NL8601939A (nl) | 1986-07-28 | 1988-02-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het verwijderen van ongewenste deeltjes van een oppervlak van een substraat. |
| US4817652A (en) * | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
| US4962776A (en) | 1987-03-26 | 1990-10-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Process for surface and fluid cleaning |
| US4849027A (en) * | 1987-04-16 | 1989-07-18 | Simmons Bobby G | Method for recycling foamed solvents |
| US5105556A (en) * | 1987-08-12 | 1992-04-21 | Hitachi, Ltd. | Vapor washing process and apparatus |
| US5048549A (en) * | 1988-03-02 | 1991-09-17 | General Dynamics Corp., Air Defense Systems Div. | Apparatus for cleaning and/or fluxing circuit card assemblies |
| US5181985A (en) * | 1988-06-01 | 1993-01-26 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers |
| US5000795A (en) * | 1989-06-16 | 1991-03-19 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor wafer cleaning method and apparatus |
| US5102777A (en) * | 1990-02-01 | 1992-04-07 | Ardrox Inc. | Resist stripping |
| US5271774A (en) | 1990-03-01 | 1993-12-21 | U.S. Philips Corporation | Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate |
| DE69102311T2 (de) * | 1990-03-07 | 1994-09-29 | Hitachi Ltd | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenreinigung. |
| DE4038587A1 (de) | 1990-12-04 | 1992-06-11 | Hamatech Halbleiter Maschinenb | Transportvorrichtung fuer substrate |
| US5306350A (en) * | 1990-12-21 | 1994-04-26 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Methods for cleaning apparatus using compressed fluids |
| US5261966A (en) * | 1991-01-28 | 1993-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns |
| US5175124A (en) | 1991-03-25 | 1992-12-29 | Motorola, Inc. | Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water |
| US5242669A (en) * | 1992-07-09 | 1993-09-07 | The S. A. Day Mfg. Co., Inc. | High purity potassium tetrafluoroaluminate and method of making same |
| US5288332A (en) * | 1993-02-05 | 1994-02-22 | Honeywell Inc. | A process for removing corrosive by-products from a circuit assembly |
| US5336371A (en) * | 1993-03-18 | 1994-08-09 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow |
| US5911837A (en) * | 1993-07-16 | 1999-06-15 | Legacy Systems, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5464480A (en) | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5472502A (en) | 1993-08-30 | 1995-12-05 | Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus and method for spin coating wafers and the like |
| US5656097A (en) * | 1993-10-20 | 1997-08-12 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
| US5950645A (en) | 1993-10-20 | 1999-09-14 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
| US5518542A (en) | 1993-11-05 | 1996-05-21 | Tokyo Electron Limited | Double-sided substrate cleaning apparatus |
| JP3326642B2 (ja) * | 1993-11-09 | 2002-09-24 | ソニー株式会社 | 基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置 |
| US5938504A (en) * | 1993-11-16 | 1999-08-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing apparatus |
| US5417768A (en) * | 1993-12-14 | 1995-05-23 | Autoclave Engineers, Inc. | Method of cleaning workpiece with solvent and then with liquid carbon dioxide |
| EP0681317B1 (en) * | 1994-04-08 | 2001-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Method for cleaning semiconductor wafers using liquefied gases |
| US5498293A (en) * | 1994-06-23 | 1996-03-12 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness |
| EP0692318B1 (en) | 1994-06-28 | 2001-09-12 | Ebara Corporation | Method of and apparatus for cleaning workpiece |
| US6081650A (en) * | 1994-06-30 | 2000-06-27 | Thomson Licensing S.A. | Transport processor interface and video recorder/playback apparatus in a field structured datastream suitable for conveying television information |
| US5705223A (en) | 1994-07-26 | 1998-01-06 | International Business Machine Corp. | Method and apparatus for coating a semiconductor wafer |
| US5772784A (en) | 1994-11-14 | 1998-06-30 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| JPH08269696A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-10-15 | Nisshin Steel Co Ltd | Ｍｇの蒸発方法 |
| US5660642A (en) * | 1995-05-26 | 1997-08-26 | The Regents Of The University Of California | Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor |
| JP3504023B2 (ja) * | 1995-05-26 | 2004-03-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 洗浄装置および洗浄方法 |
| US5968285A (en) | 1995-06-07 | 1999-10-19 | Gary W. Ferrell | Methods for drying and cleaning of objects using aerosols and inert gases |
| US5964958A (en) | 1995-06-07 | 1999-10-12 | Gary W. Ferrell | Methods for drying and cleaning objects using aerosols |
| US6532976B1 (en) * | 1995-07-10 | 2003-03-18 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| DE19622015A1 (de) * | 1996-05-31 | 1997-12-04 | Siemens Ag | Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage |
| TW416987B (en) * | 1996-06-05 | 2001-01-01 | Wako Pure Chem Ind Ltd | A composition for cleaning the semiconductor substrate surface |
| JPH1055993A (ja) | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| EP0893166A4 (en) * | 1996-09-25 | 2004-11-10 | Shuzurifuresher Kaihatsukyodok | WASHING SYSTEM USING LIQUID, HIGH DENSITY GAS |
| TW357406B (en) | 1996-10-07 | 1999-05-01 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for cleaning and drying a substrate |
| US5858283A (en) * | 1996-11-18 | 1999-01-12 | Burris; William Alan | Sparger |
| US6896826B2 (en) * | 1997-01-09 | 2005-05-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
| US5900191A (en) * | 1997-01-14 | 1999-05-04 | Stable Air, Inc. | Foam producing apparatus and method |
| US5800626A (en) * | 1997-02-18 | 1998-09-01 | International Business Machines Corporation | Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates |
| US6701941B1 (en) * | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
| JPH10321572A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法 |
| JPH1126423A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-01-29 | Sugai:Kk | 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置 |
| US6152805A (en) | 1997-07-17 | 2000-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Polishing machine |
| US5932493A (en) * | 1997-09-15 | 1999-08-03 | International Business Machines Corporaiton | Method to minimize watermarks on silicon substrates |
| EP0905746A1 (en) | 1997-09-24 | 1999-03-31 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate |
| US6491764B2 (en) | 1997-09-24 | 2002-12-10 | Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate |
| US5904156A (en) * | 1997-09-24 | 1999-05-18 | International Business Machines Corporation | Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's |
| US6398975B1 (en) * | 1997-09-24 | 2002-06-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
| JP3039493B2 (ja) | 1997-11-28 | 2000-05-08 | 日本電気株式会社 | 基板の洗浄方法及び洗浄溶液 |
| US6270584B1 (en) * | 1997-12-03 | 2001-08-07 | Gary W. Ferrell | Apparatus for drying and cleaning objects using controlled aerosols and gases |
| US6049996A (en) * | 1998-07-10 | 2000-04-18 | Ball Semiconductor, Inc. | Device and fluid separator for processing spherical shaped devices |
| US5944581A (en) * | 1998-07-13 | 1999-08-31 | Ford Motor Company | CO2 cleaning system and method |
| JP2000040681A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Tamotsu Mesaki | 半導体材料等の処理方法 |
| JP3003684B1 (ja) * | 1998-09-07 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄液 |
| JP2000100801A (ja) | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびにそれに用いられる化合物半導体基板の表面清浄化方法 |
| JP2000141215A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-23 | Sony Corp | 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法 |
| JP2000265945A (ja) | 1998-11-10 | 2000-09-26 | Uct Kk | 薬液供給ポンプ、薬液供給装置、薬液供給システム、基板洗浄装置、薬液供給方法、及び基板洗浄方法 |
| US6090217A (en) | 1998-12-09 | 2000-07-18 | Kittle; Paul A. | Surface treatment of semiconductor substrates |
| JP2000260739A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US6290780B1 (en) | 1999-03-19 | 2001-09-18 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing a wafer |
| US6272712B1 (en) * | 1999-04-02 | 2001-08-14 | Lam Research Corporation | Brush box containment apparatus |
| JP3624116B2 (ja) * | 1999-04-15 | 2005-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP4247587B2 (ja) | 1999-06-23 | 2009-04-02 | Ｊｓｒ株式会社 | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
| US6562726B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Acid blend for removing etch residue |
| KR100613919B1 (ko) * | 1999-07-26 | 2006-08-18 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판세정구, 기판세정장치 및 기판세정방법 |
| US20020121290A1 (en) | 1999-08-25 | 2002-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers |
| US6734121B2 (en) * | 1999-09-02 | 2004-05-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of treating surfaces of substrates |
| US6228563B1 (en) * | 1999-09-17 | 2001-05-08 | Gasonics International Corporation | Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices |
| US7122126B1 (en) | 2000-09-28 | 2006-10-17 | Materials And Technologies Corporation | Wet processing using a fluid meniscus, apparatus and method |
| US6858089B2 (en) * | 1999-10-29 | 2005-02-22 | Paul P. Castrucci | Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning |
| US6576066B1 (en) | 1999-12-06 | 2003-06-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Supercritical drying method and supercritical drying apparatus |
| US6264125B1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-07-24 | Brunswick Corporation | Asymmetric oscillation mechanism for a spinning reel |
| KR100333507B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-04-20 | 정가진 | 유산균 배양액을 함유한 두부 및 그의 제조 방법 |
| US6286231B1 (en) * | 2000-01-12 | 2001-09-11 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
| US6276459B1 (en) * | 2000-02-01 | 2001-08-21 | Bradford James Herrick | Compressed air foam generator |
| US6527915B2 (en) * | 2000-03-23 | 2003-03-04 | Hercules Incorporated | Proteins for use as pitch and stickies control agents in pulp and papermaking processes |
| US6594847B1 (en) * | 2000-03-28 | 2003-07-22 | Lam Research Corporation | Single wafer residue, thin film removal and clean |
| US6457199B1 (en) | 2000-10-12 | 2002-10-01 | Lam Research Corporation | Substrate processing in an immersion, scrub and dry system |
| US6436262B1 (en) * | 2000-04-24 | 2002-08-20 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Compact cell clamp for slab gel plate assembly |
| AU9521601A (en) * | 2000-05-17 | 2001-11-26 | Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien | Washing or cleaning agent shaped bodies |
| US6645550B1 (en) * | 2000-06-22 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Method of treating a substrate |
| US6927176B2 (en) * | 2000-06-26 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
| US6488040B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-12-03 | Lam Research Corporation | Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying |
| US7234477B2 (en) * | 2000-06-30 | 2007-06-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces |
| KR100366623B1 (ko) * | 2000-07-18 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법 |
| TW495863B (en) * | 2000-08-11 | 2002-07-21 | Chem Trace Inc | System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment |
| US6328042B1 (en) * | 2000-10-05 | 2001-12-11 | Lam Research Corporation | Wafer cleaning module and method for cleaning the surface of a substrate |
| US20020094684A1 (en) * | 2000-11-27 | 2002-07-18 | Hirasaki George J. | Foam cleaning process in semiconductor manufacturing |
| US6525009B2 (en) * | 2000-12-07 | 2003-02-25 | International Business Machines Corporation | Polycarboxylates-based aqueous compositions for cleaning of screening apparatus |
| US6493902B2 (en) | 2001-02-22 | 2002-12-17 | Chung-Yi Lin | Automatic wall cleansing apparatus |
| JP2002280343A (ja) | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Nec Corp | 洗浄処理装置、切削加工装置 |
| JP2002280330A (ja) | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Lintec Corp | チップ状部品のピックアップ方法 |
| US6627550B2 (en) | 2001-03-27 | 2003-09-30 | Micron Technology, Inc. | Post-planarization clean-up |
| JP2002309638A (ja) | 2001-04-17 | 2002-10-23 | Takiron Co Ltd | 建物の排水管路における通気性掃除口 |
| JP3511514B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2004-03-29 | エム・エフエスアイ株式会社 | 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法 |
| US6802911B2 (en) | 2001-09-19 | 2004-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for cleaning damaged layers and polymer residue from semiconductor device |
| JP4003441B2 (ja) | 2001-11-08 | 2007-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置および表面処理方法 |
| BR0214226A (pt) * | 2001-11-19 | 2004-09-21 | Unilever Nv | Composição de limpeza, processo para manualmente limpar substratos sujos, e, kit para realizar o processo |
| US20030171239A1 (en) | 2002-01-28 | 2003-09-11 | Patel Bakul P. | Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology |
| JP2003282513A (ja) | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 有機物剥離方法及び有機物剥離装置 |
| JP4570008B2 (ja) | 2002-04-16 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| US20040159335A1 (en) * | 2002-05-17 | 2004-08-19 | P.C.T. Systems, Inc. | Method and apparatus for removing organic layers |
| US6846380B2 (en) * | 2002-06-13 | 2005-01-25 | The Boc Group, Inc. | Substrate processing apparatus and related systems and methods |
| US20040002430A1 (en) * | 2002-07-01 | 2004-01-01 | Applied Materials, Inc. | Using a time critical wafer cleaning solution by combining a chelating agent with an oxidizer at point-of-use |
| US7198055B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-04-03 | Lam Research Corporation | Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
| US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
| US6733596B1 (en) * | 2002-12-23 | 2004-05-11 | Lam Research Corporation | Substrate cleaning brush preparation sequence, method, and system |
| US20040163681A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-08-26 | Applied Materials, Inc. | Dilute sulfuric peroxide at point-of-use |
| US6951042B1 (en) | 2003-02-28 | 2005-10-04 | Lam Research Corporation | Brush scrubbing-high frequency resonating wafer processing system and methods for making and implementing the same |
| US20040261823A1 (en) | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases |
| US6946396B2 (en) | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Nissan Chemical Indusries, Ltd. | Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer |
| KR20050044085A (ko) * | 2003-11-07 | 2005-05-12 | 삼성전자주식회사 | 집적회로 소자의 세정액 및 그 세정액을 이용한 세정방법 |
| US7353560B2 (en) * | 2003-12-18 | 2008-04-08 | Lam Research Corporation | Proximity brush unit apparatus and method |
| US8323420B2 (en) * | 2005-06-30 | 2012-12-04 | Lam Research Corporation | Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same |
| US8522799B2 (en) * | 2005-12-30 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and system for cleaning a substrate |
| US8043441B2 (en) | 2005-06-15 | 2011-10-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids |
| US7568490B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-08-04 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids |
| US7416370B2 (en) | 2005-06-15 | 2008-08-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid |
| JP2005194294A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Nec Electronics Corp | 洗浄液及び半導体装置の製造方法 |
| CN1654617A (zh) * | 2004-02-10 | 2005-08-17 | 捷时雅株式会社 | 清洗用组合物和半导体基板的清洗方法及半导体装置的制造方法 |
| US20050183740A1 (en) * | 2004-02-19 | 2005-08-25 | Fulton John L. | Process and apparatus for removing residues from semiconductor substrates |
| CN1933759B (zh) * | 2004-03-31 | 2010-12-15 | 兰姆研究有限公司 | 利用相容化学品的基板刷子擦洗和接近清洗干燥程序、接近基板制备程序和实施前述程序的方法、设备和系统 |
| US8136423B2 (en) | 2005-01-25 | 2012-03-20 | Schukra of North America Co. | Multiple turn mechanism for manual lumbar support adjustment |
| GB0502509D0 (en) * | 2005-02-07 | 2005-03-16 | Pfizer Ltd | Novel salt form of a dopamine agonist |
-
2006
- 2006-09-15 US US11/532,493 patent/US8522799B2/en active Active
- 2006-12-15 EP EP06256392A patent/EP1803503A3/en not_active Withdrawn
- 2006-12-15 SG SG200608742-3A patent/SG133543A1/en unknown
- 2006-12-20 TW TW095147823A patent/TWI350561B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-12-20 TW TW100107390A patent/TWI430344B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-12-27 KR KR1020060135452A patent/KR20070072385A/ko active IP Right Grant
- 2006-12-28 JP JP2006353540A patent/JP2007208247A/ja active Pending
- 2006-12-29 CN CN2012100893996A patent/CN102601078A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112547662A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-26 | 江苏筑磊电子科技有限公司 | 异丙醇在火灾后电器表面处理的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070072385A (ko) | 2007-07-04 |
| TW200805467A (en) | 2008-01-16 |
| US8522799B2 (en) | 2013-09-03 |
| SG133543A1 (en) | 2007-07-30 |
| JP2007208247A (ja) | 2007-08-16 |
| EP1803503A3 (en) | 2012-06-20 |
| TWI350561B (en) | 2011-10-11 |
| US20090308413A1 (en) | 2009-12-17 |
| TW201133595A (en) | 2011-10-01 |
| TWI430344B (zh) | 2014-03-11 |
| EP1803503A2 (en) | 2007-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101009204B (zh) | 用于清洁衬底的装置和系统 | |
| CN102601078A (zh) | 用于清洁衬底的装置和系统 | |
| US6629540B2 (en) | Wet treatment apparatus | |
| CN100452308C (zh) | 在使用接近头干燥晶片期间周围环境的控制 | |
| US7581335B2 (en) | Substrate drying processing apparatus, method, and program recording medium | |
| US7997288B2 (en) | Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate | |
| CN101119810A (zh) | 增强的晶片清洗方法 | |
| CN101541438B (zh) | 使用流体弯液面湿加工的设备及方法 | |
| JP3560962B1 (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
| JP4889331B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| US20170316958A1 (en) | Chemical supply unit and apparatus for treating a substrate | |
| US20120199164A1 (en) | Methods for Using Proximity Head With Configurable Delivery | |
| CN107785290A (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
| JP2006019396A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20120016011A (ko) | 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 | |
| JP2007531322A (ja) | 互いに適合性を有する薬剤を用いた基板のブラシスクラブおよび近接洗浄乾燥手順、近接基板前処理手順、並びに、その方法、装置、および、システム | |
| CN100456430C (zh) | 用于漂洗和干燥半导体衬底的系统及其方法 | |
| TWI414018B (zh) | 低介電常數之介電膜的修復方法 | |
| CN1919470B (zh) | 处理液供给喷管和基板处理装置 | |
| JP2009302569A (ja) | 基板浮上装置 | |
| CN101315876B (zh) | 基板清洗用双流体供给模块及利用该模块的清洗装置 | |
| TW561071B (en) | Nozzle device and substrate processing device with the nozzle device | |
| JP2007027750A (ja) | 半導体基板乾燥装置 | |
| CN106601649A (zh) | 处理半导体衬底的设备以及处理半导体衬底的方法 | |
| JP2007227796A (ja) | 基板の枚葉処理装置および処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120725 |