CN100580954C - 具有源极连接场板的宽能带隙高电子迁移率晶体管 - Google Patents

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Abstract

一种包含形成于基板上的多个活性半导体层的高电子迁移率晶体管(HEMT)。源电极、漏电极及栅极以与多个活性层电接触的方式形成。分隔层形成于多个活性层的表面的至少一部分上并覆盖该栅极。场板形成于该分隔层上并电连接至该源电极，其中场板降低该HEMT中的峰值工作电场。

Description

具有源极连接场板的宽能带隙高电子迁移率晶体管
本申请要求2004年5月11日提交的Wu等人的临时申请第60/570,519号的优先权。
本发明是根据ONR/DARPA政府合约第N00014-02-0306号在政府支持下作出的。政府在本发明中具有特定的权利。
发明背景
发明领域
本发明涉及晶体管，尤其涉及利用场板的晶体管。
现有技术的描述
AlGaN/GaN半导体材料的制造中的改进已帮助推进AlGaN/GaN晶体管的开发，诸如用于高频、高温及高功率应用的高电子迁移率晶体管(HEMT)。AlGaN/GaN具有大能带隙、高峰值及饱和电子速度值[B.Gelmont、K.Kim及M.Shur，MonteCarlo Simulation of Electron Transport in Gallium Nitride，J.Appl.Phys.74，(1993)，第1818-1821页]。AlGaN/GaN HEMT也可具有超过1013cm2的2DEG薄片密度及相对较高的电子迁移率(高达2019cm2/Vs)[R.Gaska等人，Electron Transport inAlGaN-GaN Heterostructures Grown on 6H-SIC Substrates，Appl.phys.Lett.72，(1998)，第707-709页]。这些特征允许AlGaN/GaN HEMT在RF、微波及毫米波频率下提供非常高的电压及高功率的工作。
AlGaN/GaN HEMT已生长于蓝宝石基板上，且已展示出4.6W/mm的功率密度及7.6W的总功率[Y.F.Wu等人，GaN-Based FETs for Microwave PowerAmplification，IEICE Trans.Electron.E-82-C，(1999).第1895-1905页]。更近地，生长于SiC上的AlGaN/GaN HEMT已展示出在8GHz下的9.8W/mm的功率密度[Y.F.Wu等人，Very-High Power Density AlGaN/GaN HEMTs，IEEE Trans.Electron.Dev.48，(2001)，第586-590页]，及在9GHz下的22.9W的总输出功率[M.Micovic，等人，AlGaN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors Grown by Nitrogen PlasmaAssisted Molecular Beam Epitaxy，IEEE Trans.Electron.Dev.48，(2001)，第591-596页]。
Khan等人的美国专利第5,192,987号公开了生长于缓冲器及基板上的基于GaN/AlGaN的HEMT。其它AlGaN/GaN HEMT及场效应晶体管(FET)已描述于Gaska等人的High-Temperature Performance of AlGaN/GaN HEFT’s on SiCSubstrates，IEEE电子器件期刊(IEEE Electron Device Letters)，18，(1997)，第492-494页中；及描述于Ping等人的DC and Microwave Performance of High Current AlGaNHeterostructure Field Effect Transistors Grown on P-type SiC Substrates，IEEE电子器件期刊，19，(1998)，第54-56页中。这些器件中的某一些已展示出高达67千兆赫的增益频宽产品(fT)[K.Chu等人WOCSEMMAD，Monterey，CA(1998年2月)]，及在10GHz下高达2.84W/mm的高功率密度[G.Sullivan等人，High Power 10-GHzOperation of AlGaN HFET’s in Insulating SiC，IEEE电子器件期刊19，(1998)，第198-200页；及Wu等人，High Al-Content AlGaN/GaN MODFETs for UltrahighPerformance，IEEE电子器件期刊19，(1998)，第50-53页]。
电子俘获及DC与RF特征之间所得的差异已成为这些器件的性能中的限制因素。已成功地使用氮化硅(SiN)钝化以减轻该俘获问题，从而导致在10Ghz下具有10W/mm以上的功率密度的高性能器件。举例而言，美国专利第6,586,781号公开了用于降低基于GaN的晶体管中的俘获效应的方法与结构，该申请的全文以引用的方式并入本文中。然而，由于存在于这些结构中的高电场，电荷俘获仍是一个问题。
已使用场板以增强基于GaN的HEMT在微波频率下的性能[参看S Kamalkar及U.K.Mishra，Very High Voltage AlGaN/GaN High Electron Mobility TransistorsUsing a Field Plate Deposited on a Stepped Insulator，固态电子学(Solid StateElectronics)45，(2001)，第1645-1662页]。然而，这些方法涉及连接至晶体管的栅极的场板，其中该场板在沟道的漏极侧的顶部上。这可导致显著的(FP)-漏极电容，且连接至栅极的场板将额外之栅-漏电容(Cgd)添加至该器件。这不仅会减少增益，而且也可能由于较差的输入-输出隔离而导致不稳定性。
发明概述
本发明提供具有连接至源电极的场板的晶体管，其中利用本发明的典型晶体管为HEMT。根据本发明的HEMT的一实施例包含形成于基板上的多个活性半导体层，其中在所述多个活性层的两个之间的异质界面处具有二维电子气(2DEG)。源电极与漏电极以与2DEG接触的方式形成，且栅极形成于源电极与漏电极之间并在多个活性层上。分隔层形成于栅极与漏电极之间的多个活性层的表面的至少一部分上。场板形成于该分隔层上，其中至少一条导电路径将该场板电连接至源电极，该至少一条导电路径覆盖小于栅极与源电极之间的所有最顶部表面的区域。根据本发明的HEMT的另一实施例包含连续形成于基板上的缓冲层及阻挡层及在缓冲层与阻挡层之间的异质界面处的二维电子气(2DEG)。同时包括了源电极及漏电极以与2DEG进行欧姆接触，且在该源电极与漏电极之间的阻挡层上包括栅极。分隔层覆盖栅极与漏电极之间的阻挡层的至少一部分。场板被包括在与阻挡层隔离的分隔层上，且自栅极向漏电极延伸距离Lf。该场板通过至少一条导电路径而电连接至源电极，该导电路径覆盖小于栅极与源电极之间的所有最顶部层的区域。
根据本发明的HEMT的又一实施例包含形成于基板上的多个活性半导体层及在多个活性层的两个之间的异质界面处的二维电子气(2DEG)。包括了源电极及漏电极以与2DEG接触。栅极被包括在源电极与漏电极之间且在多个活性层上。场板自栅极的边缘向漏电极延伸距离Lf，其中该场板与栅电极及活性层隔离。至少一条导电路径将场板电连接至源电极，其中该至少一条导电路径覆盖小于栅极与源电极之间的所有最顶部表面的区域。
从以下详细描述以及附图中，本领域的技术人员将明白本发明的这些及其它进一步的特征与优点。
附图简述
图1是根据本发明的HEMT的一实施例的平面图；
图2是图1中的HEMT的截面图；
图3是根据本发明的HEMT的另一实施例的平面图；
图4是图3中的HEMT的截面图；
图5是比较根据本发明的HEMT与没有场板的HEMT及具有栅极连接场板的HEMT的工作特性的表；
图6是示出具有栅极连接场板的HEMT的工作特性的图；
图7是示出具有源极连接场板的HEMT的工作特性的图；
图8是根据本发明的具有伽玛形栅极的HEMT的截面图；以及
图9是根据本发明的具有凹陷栅极的HEMT的截面图。
发明的详细描述
根据本发明的场板配置可与多种不同的晶体管结构一起使用。宽能带隙晶体管结构一般包括一活性区，其中金属源电极与漏电极以与该活性区域电接触的方式形成；以及形成于源电极与漏电极之间以调节活性区内的电场的栅电极。在活性区上方形成分隔层。该分隔层可包含介电层或多个介电层的组合。导电场板形成于该分隔层上方，且自栅电极的边缘向漏电极延伸距离Lf。
可将场板电连接至源电极。该场板配置可降低该器件中的峰值电场，从而导致增大的击穿电压及减少的俘获。电场的降低也可产生诸如减少的漏电流及增强的可靠性等其它益处。通过使场板电连接至源电极，由栅极连接场板所产生的减少的增益及不稳定性的状况得以减少。当根据本发明来配置时，源极连接场板的屏蔽效应可减少Cgd，这增强了输入-输出隔离。
可利用根据本发明的场板配置的一种类型的晶体管是高电子迁移率晶体管(HEMT)，它通常包括缓冲层及该缓冲层上的阻挡层。在缓冲层与阻挡层之间的结处形成二维电子气(2DEG)层/沟道。在源电极与漏电极之间的阻挡层上形成栅电极。
根据本发明，在阻挡层上形成分隔层，从而覆盖栅极与漏电极之间的阻挡层的至少一部分，使得可用与阻挡层电隔离的方式在分隔层上形成场板。在其它实施例中，分隔层也可覆盖全部或某些栅极，使得场板可与栅极重叠，同时保持与栅极及阻挡层电隔离。在一较佳实施例中，分隔层覆盖栅极及在栅极与源和漏电极之间的阻挡层的表面。分隔层可包括介电层或多个介电层的组合。可使用诸如SiN、SiO2、Si、Ge、MgOx、MgNx、ZnO、SiNx、SiOx、其合金或层序列、或如下所述的外延材料等不同的介电材料。
导电场板形成于分隔层上，且自栅极的边缘向漏电极延伸距离Lf，其中该场板及栅电极通常在单独的沉积步骤期间形成。场板也电连接至源电极。
应了解，当一元件或层被称为“在另一元件或层上”、“连接至另一元件或层”、“耦合至另一元件或层”或“与另一元件或层接触”时，它可直接在另一元件或层上、连接或耦合至另一元件或层、或与另一元件或层接触、或可存在介入元件或层。相反，当一元件被称为“直接在另一元件或层上”、“直接连接至另一元件或层”、“直接耦合至另一元件或层”或“与另一元件或层直接接触”时，不存在介入元件或层。同样，当第一元件或层被称为“与第二元件或层电接触”或“电耦合至第二元件或层”时，存在允许电流在第一元件或层与第二元件或层之间流动的电路径。该电路径可包括电容器、耦合电感器和/或甚至在导电元件之间没有直接接触的情况下允许电流流动的其它元件。
图1与2示出根据本发明的基于氮化物的HEMT 10的一实施例，它包含基板12，该基板由碳化硅、蓝宝石、尖晶石、ZnO、硅、氮化镓、氮化铝或任何其它能够支持III族氮化物材料的生长的材料制成。在某些实施例中，基板12可包含可从北卡罗莱纳州达勒姆市的Cree，Inc.购得的半绝缘4H-SiC。
可在基板12上形成成核层14以减少HEMT 10中基板12与下一层之间的晶格失配。成核层14应近似为1000埃
Figure C20058001527800081
厚，虽然可使用其它厚度。成核层14可包含多种不同材料，其中一适当材料为AlzGa1-zN(0＜＝z＜＝1)。可使用诸如金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)、氢化物汽相外延生长(HVPE)或分子束外延生长(MBE)等已知的半导体生长技术在基板12上形成成核层14。
成核层14的形成可取决于用于基板12的材料。举例而言，在多种基板上形成成核层14的方法被教示于美国专利第5,290,393号及第5,686,738号中，这两个专利都以如同本文中完全陈述那样引用的方式并入。在碳化硅基板上形成成核层的方法公开于美国专利第5,393,993号、第5,523,589号及第5,739,554号中，每一专利都以如同本文完全陈述那样引用的方式并入本文中。
HEMT 10进一步包含形成于成核层14上的高电阻率缓冲层16，其中适当的缓冲层16由诸如AlxGayIn(1-x-y)N(0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1，x+y＜＝1)等III族氮化物材料制成。在根据本发明的另一实施例中，缓冲层16包含近似2μm厚的GaN层，其中该层的一部分掺杂了Fe。
阻挡层18形成于缓冲层16上，使得将缓冲层16夹于阻挡层18与成核层14之间。缓冲层16与阻挡层18中的每一个可包含经掺杂或未经掺杂的III族氮化物材料。阻挡层18可包含诸如InGaN、AlGaN、AlN或其组合物等不同材料的一层或多层。在一实施例中，阻挡层18包含0.8nm的AlN及22.5nm的AlxGa1-xN(x≈0.195，如通过荧光所测得的)。示例性结构示于美国专利第6,316,793号、第6,586,781号、第6,548,333号及美国公开专利申请第2002/0167023号与第2003/00020092号中，每一专利都以如同本文完全陈述那样引用的方式并入。其它基于氮化物的HEMT结构示于美国专利第5,192,987号与第5,296,395号中，每一专利都以如同本文完全陈述那样引用的方式并入本文中。可使用用于生长成核层14的相同方法来制造缓冲层16与阻挡层18。在缓冲层16与阻挡层18之间的异质界面处形成二维电子气(2DEG)层/沟道17。在HEMT的活性区域以外用台面蚀刻或离子布植(ion implementation)来事先这些器件之间的电隔离。
形成通过阻挡层18进行欧姆接触的金属源电极20与漏电极22，且在源电极20与漏电极22之间的阻挡层18上形成栅极24。当以适当电平对栅电极24加偏压时，电流可通过缓冲层16与阻挡层18之间的异质界面处感应的二维电子气(2DEG)17在源电极20与漏电极22之间流动。在以上引用的专利与出版物中详细描述了源极欧姆接触20与漏极欧姆接触22的形成。
源电极20与漏电极22可由包括(但不限于)钛、铝、金或镍的合金的不同材料制成。栅极24也可由包括(但不限于)镍、金、铂、钛、铬、钛与钨的合金、或硅化铂的不同材料制成。栅极24可具有多种不同长度，其中一较佳栅极长度(Lg)为大约0.5微米。如图1中最佳地示出的，栅极24连接至栅电极28并在栅电极28处与其接触。如下所述，在根据本发明的其它晶体管实施例中，栅极24可至少部分地凹陷于阻挡层18中。
可在栅极24上及栅极24与源电极20和漏电极22之间的阻挡层18的表面上形成非导电分隔层26，尽管如上所述该分隔层可覆盖较少区域。分隔层26可包含诸如电介质等非导电材料的层。或者，它可包含若干不同电介质层或介电层的组合。分隔层可具有多种不同厚度，其中一适当范围的厚度为约0.05至2微米。
当在器件金属化之前形成分隔层26时，分隔层26可包含诸如具有诸如Al、Ga或In的合金等不同的III族元素的III族氮化物材料等外延材料，其中一适当分隔层材料为AlxGa1-xN(0≤x≤1)。在阻挡层18的外延生长之后，可使用相同的外延生长方法来生长分隔层26。接着蚀刻分隔层26，使得可以与缓冲层18及2DEG 17接触的方式适当形成栅极24、源电极20与漏电极22。接着可将场板沉积于栅极24与漏电极22之间的分隔层上。在场板与栅极重叠的实施例中，应至少部分地在栅极上包括介电材料的额外分隔层以将栅极与场板隔离。
在栅极24与漏电极22之间的分隔层26上形成场板30，其中场板30非常靠近栅极24但不与其重叠。保留栅极24与场板之间的间隔(Lgf)，且该间隔应足够宽以与场板30隔离，同时应足够小以最大化由场板30提供的场效应。若Lgf太宽，则可降低场效应。在根据本发明的一实施例中，Lgf应为约0.4微米或更小，尽管也可使用更大和更小的间隔。
场板30可自栅极24的边缘延伸不同的距离Lf，其中Lf的距离的适当范围为约0.1至2微米。场板30可包括多种使用标准金属化方法沉积的不同导电材料，其中一适当材料为金属或金属的组合。在根据本发明的一实施例中，场板30包含钛/金或镍/金。
场板30电连接至源电极20，且图1示出了可根据本发明使用的两种连接结构，尽管也可使用其它连接结构。导电总线32可形成于分隔层26上以在场板30与源电极20之间延伸。可使用不同数目的总线32，尽管总线的数目越大，可由总线引入的不当电容越大，且总线32应覆盖小于栅极24与源电极20之间的全部最顶部表面的区域。总线应具有足够的数目以使电流自源电极20有效传播至场板30中，同时不覆盖HEMT的太多活性区域，其中总线32的适当数目为二。
场板30或者可通过在HEMT 10的活性区域、场板及源电极20以外延伸的导电路径34来电连接至源电极20。如图1所示，路径34在与栅电极28相对的一侧处的HEMT的活性区域以外延伸。在根据本发明的替换实施例中，导电路径可在栅电极28一侧上的HEMT 10的活性区域以外延伸，或HEMT 10可包括两个或两个以上在HEMT 10的相同侧或不同侧上延伸的导电路径。
在场板30沉积及其连接至源电极20之后，该活性结构可由诸如氮化硅等介电钝化层(未示出)覆盖。在以上引用的专利与出版物中详细描述了形成介电钝化层的方法。
图3和4示出了根据本发明的HEMT 40的另一实施例，它具有类似于图1与2的HEMT 10中的特征的多种特征。对于类似特征，使用相同的参考标号，且通过以上特征的描述等同地应用于HEMT 40的了解，可引入这些特征而不需充分描述。
HEMT 40包含基板12、成核层14、缓冲层16、2DEG 17、阻挡层18、源电极20、漏电极22、栅极24、分隔层26及栅电极28。HEMT 40还包含形成于主要在栅极24与漏电极22之间的分隔层26上而且与栅极24的一部分重叠的场板42。对于图1与2中的HEMT 10，Lgf较小，它可能造成制造期间的某些困难。通过使场板42与栅极24重叠，可制造HEMT 40而不需满足Lgf的容限。然而，场板42的重叠部分可能引入额外的不当电容。在判定使用场板30还是使用场板42时，必须使使用场板42制造的简易与由场板30提供的减少的电容平衡。
HEMT 40还包含总线44或导电路径46以将场板42电连接至源电极20。在场板42沉积及其连接至源电极20之后，活性结构也可由诸如氮化硅等介电钝化层(未示出)覆盖。
图5示出了将不具有场板的基于GaN的HEMT的工作特性与具有连接到栅极的场板及连接到源极的场板的HEMT的工作特性进行比较的表50。在具有栅极长度(Lg)＝0.5微米、场板长度(Lf)＝1.1微米及器件宽度(w)＝500微米的HEMT上进行测试。具有源极连接场板的HEMT展示出改良的最大稳定增益(MSG)与减少的反向功率传输(S12)。与无场板器件相比较，具有栅极连接场板的HEMT的S12在4GHz下增加了71％，而具有源极连接场板器件的S12实际上减少了28％。与无场板器件相比较，后者的S12的减少归因于由接地场板引起的法拉第(Faraday)屏蔽效应。结果，在4GHz下，源极连接场板器件展示出高于无场板器件1.3dB的MSG及高于栅极连接场板器件5.2dB的MSG。在较高偏压下可维持源极连接场板器件的该优势。大信号性能的特点在于4GHz下的负载牵引功率测量(load-pull powermeasurement)。在48V及以上，栅极连接场板器件与源极连接场板器件在输出功率与功率附加效率(PAE)方面均优于无场板器件，同时，源极连接场板器件始终表现出比栅极连接场板器件高5-7dB的大信号增益。
图6是示出栅极连接场板器件的性能的图表60，图7是示出源极连接场板器件的性能的图表70。两个场板器件都能够在118V dc的偏压下工作，其中使调整最优化以用于3dB压缩(P3dB)下的增益、PAE与输出功率的最佳组合。在两个器件产生约20W/mm的功率密度时，源极连接场板器件提供高7dB的相关联的增益。游乐所达成的在4GHz下的21dB的大信号增益及所估算的224V的电压摆动，电压频率增益的乘积接近10kV-GHz。
根据本发明的源极连接场板配置可用于除上述以外的多种不同HEMT。举例而言，图8示出了根据本发明的HEMT 80的另一实施例，它具有类似于HEMT 10与40中的特征的多种特征，包括基板12、成核层14、缓冲层16、2DEG 17、阻挡层18、源电极20及漏电极22。然而，HEMT 80具有特定适用于高频工作的伽玛(Γ)形栅极82。栅极长度(Lg)是确定器件的速度时重要的器件尺寸之一，且对于较高频率的器件，栅极长度较短。较短的栅极长度可导致可消极影响高频工作的高电阻。T栅极通常用于高频工作，但事先具有T栅极的场板的良好耦合放置可能是困难的。
伽玛栅极82提供低栅极电阻，且允许栅极占据面积的受控界定。包括分隔层84以覆盖伽玛栅极82及伽玛栅极82与源电极20和漏电极22之间的阻挡层18的表面。在伽玛栅极82的水平部分与分隔层84的顶部之间可保留一间隔。HEMT 80还包括在与伽玛栅极82重叠的分隔层84上的场板86，其中场板86较佳地沉积于伽玛栅极82的不具有水平悬垂部分的一侧上。该配置允许场板86与其下方的活性层之间的紧密放置及有效耦合。在其它伽玛栅极实施例中，可将场板配置为类似于场板86，但并非与栅极重叠，在栅极的边缘与场板之间可存在一类似于图2中所示的间隔Lgf的间隔。
场板86可以多种不同方式电连接至源电极20。由于栅极82的水平部分的下表面与分隔层84之间的间隔，在场板86与源电极20之间直接提供导电路径可能是困难的。相反，导电路径可包括于场板86与源电极20之间，即在HEMT 80的活性区域以外延伸。或者，可由分隔层84完全覆盖伽玛栅极82，其中栅极的水平部分下方的间隔被填充。接着，导电路径可在分隔层84上自场板86直接延伸至源电极。接着，该活性结构可由介电钝化层(未示出)覆盖。
图9示出了根据本发明的也可用源极连接场板配置的又一HEMT 90。HEMT90也具有类似于图1-4中的HEMT 10与40中的特征的多种特征，包括基板12、成核层14、缓冲层16、2DEG 17、阻挡层18、源电极20及漏电极22。然而，栅极92凹陷于阻挡层18中，且由分隔层94覆盖。在其它实施例中，栅极的底面可仅部分地凹陷，或栅极的不同部分可在阻挡层18中凹陷至不同深度。场板96被设置于分隔层94上，且电连接至源电极20，且该活性结构可由介电钝化层(未示出)覆盖。
以上实施例提供在微波与毫米波频率下具有改良功率的宽能带隙晶体管，尤其是HEMT。由于较高的输入-输出隔离，所以HEMT展示出同时的高增益、高功率及更稳定的工作。可将该结构扩大至较大尺寸以用于较低频率下的高压应用。
尽管已参考本发明的某些较佳配置相当详细地描述了本发明，但其它形式也是可能的。场板配置可用于多种不同器件中。场板也可具有多种不同形状且可以多种不同方式连接至源电极。本发明的精神及范畴不应限于以上描述的本发明的较佳形式。

Claims (16)

1.一种高电子迁移率晶体管，包含：
在基板上的多个活性半导体层；
在所述多个活性半导体层中的两个之间的异质界面处的二维电子气；
与所述二维电子气接触的源电极与漏电极；
在所述源电极与漏电极之间且在所述多个活性半导体层上的栅极；
在所述栅极与所述漏电极之间的所述多个活性半导体层的表面的至少一部分上的分隔层；
在所述分隔层上的场板；以及
将所述场板电连接至所述源电极的至少一条导电路径，所述至少一条导电路径覆盖小于所述栅极与所述源电极之间的所有最顶部表面的区域。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述场板在所述分隔层上自所述栅极的边缘向所述漏电极延伸一段距离Lf。
3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述分隔层至少部分地覆盖所述栅极，且所述场板至少部分地与所述栅极重叠且在所述分隔层上自所述栅极的边缘向所述漏电极延伸一段距离Lf。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述至少一条导电路径在所述场板与源电极之间延伸，所述至少一条路径在所述分隔层以外延伸并提供所述场板与所述源电极的电连接。
5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述分隔层在所述栅极与所述源电极之间的所述多个活性半导体层的最顶部的表面上。
6.如权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述至少一条导电路径在所述分隔层上在所述场板与源电极之间延伸，并提供所述场板与所述源电极的电连接。
7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述多个活性半导体层包括基于氮化镓的半导体材料。
8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述分隔层包含介电材料。
9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述分隔层包含多个介电材料层。
10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述栅极为伽玛形的。
11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述栅极至少部分地凹陷于阻挡层中。
12.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述场板降低所述高电子迁移率晶体管中的峰值工作电场。
13.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述峰值工作电场的降低增大所述高电子迁移率晶体管的击穿电压。
14.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述峰值工作电场的降低减少所述高电子迁移率晶体管中的俘获。
15.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述峰值工作电场的降低减少所述高电子迁移率晶体管中的漏电流。
16.一种高电子迁移率晶体管，包含：
在基板上的多个活性半导体层；
在所述多个活性半导体层中的两个之间的异质界面处的二维电子气；
与所述二维电子气接触的源电极与漏电极；
在所述源电极与漏电极之间且在所述多个活性半导体层上的栅极；
自所述栅极的边缘向所述漏电极延伸一段距离Lf的场板，所述场板与所述栅极及活性半导体层隔离；以及
将所述场板电连接至所述源电极的至少一条导电路径，所述至少一条导电路径从所述场板向所述源电极凸出。
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