WO2007083432A1 - 弾性表面波装置及び弾性境界波装置 - Google Patents

弾性表面波装置及び弾性境界波装置 Download PDF

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WO2007083432A1
WO2007083432A1 PCT/JP2006/322383 JP2006322383W WO2007083432A1 WO 2007083432 A1 WO2007083432 A1 WO 2007083432A1 JP 2006322383 W JP2006322383 W JP 2006322383W WO 2007083432 A1 WO2007083432 A1 WO 2007083432A1
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wave filter
wiring
surface acoustic
cover
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Nobuhira Tanaka
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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    • H01L2224/06135—Covering only the peripheral area of the surface to be connected, i.e. peripheral arrangements
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    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave device and a boundary acoustic wave device.
  • a piezoelectric substrate 1 having a conductive pattern including an IDT (comb electrode) 2, a reflector 3, and a pad 4, and a resin substrate 7 having an external electrode 8, are arranged so as to face each other, and are adhesively sealed with photocurable resins 6a and 6b, so that the pad 4 and the external electrode 8 are electrically connected (see, for example, Patent Document 1).
  • Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-37471
  • the piezoelectric substrate and the cover are coupled to each other through a support layer, and a main surface of the piezoelectric substrate facing the cover is disposed inside the support layer.
  • Send A side surface acoustic wave filter and a reception side surface acoustic wave filter are formed, and an external electrode is formed on the opposite side of the cover from the piezoelectric substrate.
  • the external electrode includes an antenna terminal electrically connected to the transmission-side surface acoustic wave filter and the reception-side surface acoustic wave filter, and a transmission input terminal electrically connected to the transmission-side surface acoustic wave filter.
  • a reception output terminal electrically connected to the reception-side surface acoustic wave filter.
  • the present invention provides a surface acoustic wave device configured as follows.
  • the transmitting surface acoustic wave filter includes a plurality of surface acoustic wave resonators connected in series.
  • a wiring electrically connecting at least one set of the surface acoustic wave resonators adjacent to each other in series; and (a) at least one cover wiring provided on an upper surface or a lower surface of the cover; (B) at least one cover wiring and at least one of the at least one set of the surface acoustic wave resonators adjacent to each other in series and connected to each other through at least the support layer; And a set of via wiring.
  • the present invention provides a surface acoustic wave device configured as follows.
  • the piezoelectric substrate and the cover are coupled to each other via a support layer, and a main surface of the piezoelectric substrate that faces the cover is disposed inside the support layer.
  • a transmission-side surface acoustic wave filter and a reception-side surface acoustic wave filter are formed, and an external electrode is formed on the opposite side of the cover from the piezoelectric substrate.
  • the external electrode includes an antenna terminal electrically connected to the transmission-side surface acoustic wave filter and the reception-side surface acoustic wave filter, and a transmission input terminal electrically connected to the transmission-side surface acoustic wave filter. And a reception output terminal electrically connected to the reception-side surface acoustic wave filter.
  • the piezoelectric substrate is provided on the wiring. Capacitive coupling between signal lines can be reduced by eliminating, shortening, or separating the wiring that is generated.
  • At least one set of the plurality of surface acoustic wave resonators connected in series adjacent to each other on the reception-side surface acoustic wave filter includes a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter having three IDTs, It may be one surface acoustic wave resonator.
  • the piezoelectric substrate and the cover are coupled to each other via a support layer, and a main surface of the piezoelectric substrate facing the cover is disposed inside the support layer.
  • a surface acoustic wave filter is formed, and an external terminal including an input terminal and an output terminal electrically connected to the surface acoustic wave filter is formed on the opposite side of the cover from the piezoelectric substrate.
  • the surface acoustic wave filter includes a plurality of surface acoustic wave elements connected in series.
  • a set of via wiring
  • the cover is disposed inside a peripheral portion of the piezoelectric substrate when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the piezoelectric substrate.
  • the cover further includes a reinforcing grease covering the entire surface from the main surface of the cover opposite to the piezoelectric substrate to the peripheral portion of the main surface of the piezoelectric substrate.
  • the reception-side surface acoustic wave filter and the transmission-side surface acoustic wave filter can be sealed by the reinforcing grease, so that sufficient moisture resistance can be obtained. According to this For example, it is not necessary to cover the surface acoustic wave device with a resin after it is mounted on the circuit board.
  • the cover wiring force is measured.
  • the present invention provides an elastic boundary device configured as follows in order to solve the above problems.
  • the piezoelectric substrate wiring provided on the piezoelectric substrate out of the wiring for electrically connecting the reception-side boundary acoustic wave filter and the antenna terminal by the cover wiring and the via wiring is shortened or separated.
  • capacitive coupling between the signal lines can be reduced.
  • the reception-side boundary acoustic wave filter is a balanced boundary acoustic wave filter including one unbalanced signal terminal to which an unbalanced signal is input and a pair of balanced signal terminals for outputting the balanced signal. is there.
  • the antenna terminal is electrically connected to the unbalanced signal terminal.
  • the reception output terminal is electrically connected to the balanced signal terminal.
  • the reception output terminal may be a pair of external electrodes respectively connected to a pair of balanced signal terminals of the non-filter.
  • the present invention provides a boundary acoustic wave device configured as follows.
  • a piezoelectric substrate and a cover are coupled via a support layer, and a transmission-side boundary acoustic wave filter and a reception-side boundary acoustic wave filter are provided at the interface between the piezoelectric substrate and the support layer.
  • An external electrode is formed on the opposite side of the cover from the piezoelectric substrate.
  • the external electrode includes an antenna terminal electrically connected to the transmission-side boundary acoustic wave filter and the reception-side boundary acoustic wave filter, and a transmission input terminal electrically connected to the transmission-side boundary acoustic wave filter.
  • the cover-side wiring and the via-wiring are electrically connected between at least one pair of boundary acoustic wave resonators connected in series adjacent to each other on the transmission-side boundary acoustic wave filter. Capacitive coupling between signal lines can be reduced by eliminating, shortening, or separating the wiring provided on the piezoelectric substrate.
  • the present invention provides a boundary acoustic wave device configured as follows.
  • the wiring is provided on the piezoelectric substrate. Capacitive coupling between signal lines can be reduced by eliminating, shortening, or separating the wiring that is generated.
  • the present invention provides a boundary acoustic wave device configured as follows.
  • the support layer wiring is formed by plating.
  • FIG. 3 is a top view of the surface acoustic wave device. (Example 1)
  • FIG. 4 is a configuration diagram of a conductive pattern on a piezoelectric substrate. (Comparative example)
  • FIG. 7 is a configuration diagram of a conductive pattern on a piezoelectric substrate. (Example 3)
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave device. (Example 5)
  • the conductive pattern 25v is a part of wiring that connects between the input terminal 51 (see Fig. 2) of the reception-side surface acoustic wave filter 50 and the antenna terminal (external electrode 28b).
  • the conductive pattern 25v (cover wiring) in part of the wiring, the capacitive coupling between the wirings is reduced, and the effect of improving the isolation can be obtained.
  • a conductive pattern corresponding to the conductive pattern 25z is formed on the upper surface of the support layer 30 by plating. At this time, the conductive pattern 25z is connected to the conductive pattern 24z that penetrates the support layer 30. Next, a resin sheet material to be the cover 32 is attached to the support layer 30.
  • An Au conductive pattern 520 including an IDT 522 and a pad 523 is formed on the upper surface 512 of the substrate 10, and a Ti adhesion layer 524 is formed on the pad 523.
  • a support layer 530 having an SiO force is formed on the upper surface 512 of the piezoelectric substrate 510 and the conductive pattern 520. Support layer 530
  • the vibration space 16 is required around the IDT 22
  • the IDT 522 is piezoelectric as shown in FIG. Arranged at the interface between the substrate 510 and the support layer 530, no vibration space is required around the IDT522.
  • the wiring connecting the resonators 210 and 220 is separated as in the third embodiment of FIG. They are connected to the middle pads 65 and 66, respectively.
  • the filters 50 and 60 in FIG. 7 are boundary acoustic wave filters
  • the resonators 210, 220, 230, and 240 constituting the transmission filter 50 are boundary acoustic wave resonators.
  • the relay pads 65 and 66 are electrically connected by a via wiring 525 penetrating the support layer 530 and a support layer wiring 526 formed on the upper surface 532 of the support layer 530.
  • wiring connecting the resonators 210 and 220 is provided on the upper surface 542 of the cover 540, and wiring connecting the reception-side filter 50 and the shared antenna pad 41 is provided on the upper surface 542 of the cover 540. Also good. Even in this configuration, capacitive coupling between the signal lines can be reduced.
  • Example 9 The boundary acoustic wave device of Example 9 is configured in substantially the same manner as Example 6. Unlike Example 6, the conductive pattern formed on the upper surface 512 of the piezoelectric substrate 510 is implemented. It is formed in the same manner as the surface acoustic wave device of Example 4, and the wiring is routed in the same manner as in Example 4.
  • the boundary acoustic wave device of the tenth embodiment is a filter including only one set of filters 80 as in the fifth embodiment shown in FIG. 9, and includes seven resonators 210, 220, 230, 240 , 250, 260, 270, a three-stage ladder filter.
  • the filter 80 in FIG. 9 is a boundary acoustic wave filter
  • the resonators 210, 220, 230, and 240 are boundary acoustic wave resonators.
  • a part of the wiring that cascade-connects the two longitudinally coupled resonator filters can be provided on the upper surface 532 of the support layer 530.
  • the capacitive coupling between the wirings is reduced and the VSWR of the filter is improved as compared with the case of cascade connection using only the wirings provided on the piezoelectric substrate 510.
  • the boundary acoustic wave element is a boundary acoustic wave resonator or a longitudinally coupled resonator type filter.
  • the configuration of the reception-side surface acoustic wave filter and the transmission-side surface acoustic wave filter is not limited to the embodiment.
  • a reflector such as a surface acoustic wave resonator may be omitted.
  • the configuration of the reception-side boundary acoustic wave filter and the transmission-side boundary acoustic wave filter is not limited to the embodiment.
  • a reflector such as a boundary acoustic wave resonator may be omitted.

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Abstract

　容量結合を低減することができる弾性表面波装置及び弾性境界波装置を提供する。 　圧電基板１２とカバー３２とが、支持層３０を介して間隔を設けて結合されている。圧電基板１２のカバー３２に対向する主面１４には、支持層３０の内側に、送信側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成されている。カバー３２に関して圧電基板１２とは反対側に、送信側弾性表面波フィルタ及び受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極２８が形成されている。受信側弾性表面波フィルタとアンテナ端子とを電気的に接続する配線の一部が、カバー３２に設けられている。

Description

明 細 書
弾性表面波装置及び弾性境界波装置
技術分野
[0001] 本発明は、弾性表面波装置及び弾性境界波装置に関する。
背景技術
[0002] 近年、弾性表面波フィルタなどの弾性表面波装置や弾性境界波フィルタなどの弾 性境界波装置にっ 、て、素子チップサイズまでパッケージを小型化するゥヱハーレ ベル ·チップサイズパッケージ (WLCSP)の開発が進められて 、る。
[0003] 例えば図 13に示す弾性表面波装置では、 IDT (櫛形電極） 2、反射器 3、パッド 4を 含む導電パターンを形成した圧電基板 1と、外部電極 8を設けた榭脂基板 7とを対向 配置し、光硬化性榭脂 6a, 6bで接着封止し、パッド 4と外部電極 8との間を電気的に 接続するように構成されている（例えば、特許文献 1参照)。
特許文献 1 :特開 2003— 37471号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] このように圧電基板をカバーで覆って封止する構造を、弾性表面波装置や弾性境 界波装置に適用すると、容量結合が増大することがある。特に、ウェハーレベル ·チッ プサイズパッケージ (WLCSP)構造を採用して小型化を進めた場合、容量結合の増 大が大きくなる。容量結合が増大すると、アイソレーション特性、 VSWRの劣化につ ながる。
[0005] 本発明は、力かる実情に鑑み、信号線同士の容量結合を低減することができる弾 性表面波装置及び弾性境界波装置を提供しょうとするものである。
課題を解決するための手段
[0006] 本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面装置を提 供する。
[0007] 弾性表面波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合さ れ、前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信 側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、前記カバーに関し 前記圧電基板とは反対側に外部電極が形成されている。該外部電極は、前記送信 側弾性表面波フィルタ及び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された アンテナ端子と、前記送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端 子と、前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む 。前記受信側弾性表面波フィルタと前記アンテナ端子とを電気的に接続する配線が 、 （a)前記圧電基板上に形成された圧電基板配線と、（b)前記カバーの上面または 下面に設けられているカバー配線と、（c)前記圧電基板配線の一端と前記カバー配 線の一端とを、前記支持層および前記カバーを貫通して接続するビア配線と、を含 んでいる。
[0008] 上記構成によれば、カバー配線およびビア配線により、受信側弾性表面波フィルタ とアンテナ端子とを電気的に接続する配線のうち圧電基板に設けられる圧電基板配 線を短くしたり、離したりして、信号線同士の容量結合を低減することができる。
[0009] 好ましくは、前記受信側弾性表面波フィルタは、不平衡信号が入力される一つの不 平衡信号端子と、平衡信号を出力する一対の平衡信号端子とを含むバランス型弾性 表面波フィルタである。前記アンテナ端子は、前記不平衡信号端子に電気的に接続 されている。前記受信出力端子は、前記平衡信号端子に電気的に接続されている。
[0010] 上記構成によれば、特にバランス特性の良好なバランス型弾性表面波装置が得ら れる。
[0011] なお、受信出力端子は、ノ ンス型フィルタの一対の平衡信号端子にそれぞれ接 続された一対の外部電極であってもよ 、。
[0012] また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面波装 置を提供する。
[0013] 弾性表面波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合さ れ、前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信 側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、前記カバーに関し 前記圧電基板とは反対側に外部電極が形成されている。該外部電極は、前記送信 側弾性表面波フィルタ及び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された アンテナ端子と、前記送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端 子と、前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む 。前記送信側弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波共振子を 含む。互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性表面波共振子の 間を電気的に接続する配線が、（a)前記カバーの上面または下面に設けられている 少なくとも 1個のカバー配線と、（b)該少なくとも 1個のカバー配線と、前記互いに隣り 合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性表面波共振子の一方および他方と を、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも 1組のビア配線と、を含んで いる。
[0014] 上記構成によれば、カバー配線およびビア配線により、送信側弾性表面波フィルタ の互 、に隣り合って直列接続された少なくとも 1組の弾性表面波共振子の間を電気 的に接続する配線のうち、圧電基板に設けられる配線を無くしたり、短くしたり、離し たりすることで、信号線同士の容量結合を低減することができる。
[0015] また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面波装 置を提供する。
[0016] 弾性表面波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合さ れ、前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信 側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、前記カバーに関し 前記圧電基板とは反対側に外部電極が形成されている。該外部電極は、前記送信 側弾性表面波フィルタ及び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された アンテナ端子と、前記送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端 子と、前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む 。前記受信側弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波共振子を 含む。互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性表面波共振子の 間を電気的に接続する配線が、（a)前記カバーの上面または下面に設けられている 少なくとも 1個のカバー配線と、（b)該少なくとも 1個のカバー配線と、前記互いに隣り 合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性表面波共振子の一方および他方と を、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも 1組のビア配線と、を含んで いる。
[0017] 上記構成によれば、受信側弾性表面波フィルタの互いに隣り合って直列接続され た少なくとも 1組の弾性表面波共振子の間を電気的に接続する配線のうち、圧電基 板に設けられる配線を無くしたり、短くしたり、離したりすることで、信号線同士の容量 結合を低減することができる。
[0018] なお、受信側弾性表面波フィルタの互いに隣り合って直列接続される少なくとも 1組 の複数の弾性表面波共振子は、 IDTが 3つの縦結合共振子型弾性表面波フィルタと 、 IDTがーつの弾性表面波共振子とであってもよい。
[0019] また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面波装 置を提供する。
[0020] 弾性表面波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合さ れ、前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、弾性 表面波フィルタが形成され、前記カバーに関して前記圧電基板とは反対側に、前記 弾性表面波フィルタに電気的に接続された入力端子と出力端子を含む外部端子が 形成されている。前記弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波素 子を含む。互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性表面波素子 の間を電気的に接続する配線が、（a)前記カバーの上面または下面に設けられてい る少なくとも 1個のカバー配線と、（b)該少なくとも 1個のカバー配線と、前記互いに隣 り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性表面波素子の一方および他方とを 、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも 1組のビア配線と、を含んでい る。
[0021] 上記構成によれば、信号配線同士の容量結合が低減される。
[0022] 好ましくは、上記各構成において、前記圧電基板の前記主面に垂直な方向から見 たとき、前記圧電基板の周部よりも内側に前記カバーが配置されている。前記カバー の前記圧電基板とは反対側の前記主面から前記圧電基板の前記主面の前記周部 まで全体的に覆う補強榭脂をさらに備える。
[0023] 上記構成によれば、補強榭脂により、受信側弾性表面波フィルタ及び送信側弾性 表面波フィルタを密封することができるので、十分な耐湿性が得られる。これによつて 、例えば、弾性表面波装置を回路基板に実装した後に樹脂で覆う必要がなくなる。
[0024] 好ましくは、前記カバー配線力 メツキによって形成される。
[0025] また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性境界装置 を提供する。
[0026] 弾性境界波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、前記圧電 基板と前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性境界波フィ ルタとが形成され、前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、外部電極が形成 されている。該外部電極は、前記送信側弾性境界波フィルタ及び前記受信側弾性境 界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性境界波フィル タに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境界波フィルタに電気的 に接続された受信出力端子とを含む。前記受信側弾性境界波フィルタと前記アンテ ナ端子とを電気的に接続する配線が、 (a)前記圧電基板上に形成された圧電基板 配線と、（b)前記支持層の上面に設けられている支持層配線と、（c)前記圧電基板 配線の一端と前記支持層配線の一端とを、前記支持層を貫通して接続するビア配線 と、を含んでいる。
[0027] 上記構成によれば、カバー配線およびビア配線により、受信側弾性境界波フィルタ とアンテナ端子とを電気的に接続する配線のうち圧電基板に設けられる圧電基板配 線を短くしたり、離したりして、信号線同士の容量結合を低減することができる。
[0028] 好ましくは、前記受信側弾性境界波フィルタは、不平衡信号が入力される一つの不 平衡信号端子と、平衡信号を出力する一対の平衡信号端子とを含むバランス型弾性 境界波フィルタである。前記アンテナ端子は、前記不平衡信号端子に電気的に接続 されている。前記受信出力端子は、前記平衡信号端子に電気的に接続されている。
[0029] 上記構成によれば、特にバランス特性の良好なバランス型弾性境界波装置が得ら れる。
[0030] なお、受信出力端子は、ノ ンス型フィルタの一対の平衡信号端子にそれぞれ接 続された一対の外部電極であってもよ 、。
[0031] また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性境界波装 置を提供する。 [0032] 弾性境界波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、前記圧電 基板と前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性境界波フィ ルタとが形成され、前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、外部電極が形成 されている。該外部電極は、前記送信側弾性境界波フィルタ及び前記受信側弾性境 界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性境界波フィル タに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境界波フィルタに電気的 に接続された受信出力端子とを含む。前記送信側弾性境界波フィルタは、直列接続 された複数の弾性境界波共振子を含む。互いに隣り合って直列接続された少なくと も 1組の前記弾性境界波共振子の間を電気的に接続する配線が、（a)前記支持層 の上面に設けられている少なくとも 1個の支持層配線と、（b)該少なくとも 1個の支持 層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性境界波共 振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも 1組 のビア配線と、を含んでいる。
[0033] 上記構成によれば、カバー配線およびビア配線により、送信側弾性境界波フィルタ の互 、に隣り合って直列接続された少なくとも 1組の弾性境界波共振子の間を電気 的に接続する配線のうち、圧電基板に設けられる配線を無くしたり、短くしたり、離し たりすることで、信号線同士の容量結合を低減することができる。
[0034] また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性境界波装 置を提供する。
[0035] 弾性境界波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、前記圧電 基板の前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性境界波フィ ルタとが形成され、前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、外部電極が形成 されている。該外部電極は、前記送信側弾性境界波フィルタ及び前記受信側弾性境 界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性境界波フィル タに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境界波フィルタに電気的 に接続された受信出力端子とを含む。前記受信側弾性境界波フィルタは、直列接続 された複数の弾性境界波共振子を含む。互いに隣り合って直列接続された少なくと も 1組の前記弾性境界波共振子の間を電気的に接続する配線が、（a)前記支持層 の上面に設けられている少なくとも 1個の支持層配線と、（b)該少なくとも 1個の支持 層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性境界波共 振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも 1組 のビア配線と、を含んでいる。
[0036] 上記構成によれば、受信側弾性境界波フィルタの互いに隣り合って直列接続され た少なくとも 1組の弾性境界波共振子の間を電気的に接続する配線のうち、圧電基 板に設けられる配線を無くしたり、短くしたり、離したりすることで、信号線同士の容量 結合を低減することができる。
[0037] なお、受信側弾性境界波フィルタの互いに隣り合って直列接続される少なくとも 1組 の複数の弾性境界波共振子は、 IDTが 3つの縦結合共振子型弾性境界波フィルタと 、 IDTがーつの弾性境界波共振子とであってもよい。
[0038] また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性境界波装 置を提供する。
[0039] 弾性境界波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、前記圧電 基板と前記支持層との界面に、弾性境界波フィルタが形成され、前記カバーに関し て前記圧電基板とは反対側に、前記弾性境界波フィルタに電気的に接続された入 力端子と出力端子を含む外部端子が形成されている。前記弾性境界波フィルタは、 直列接続された複数の弾性境界波素子を含む。互いに隣り合って直列接続された 少なくとも 1組の前記弾性境界波素子の間を電気的に接続する配線が、（a)前記支 持層の上面に設けられている少なくとも 1個の支持層配線と、（b)該少なくとも 1個の 支持層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性境界 波素子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも 1 組のビア配線と、を含んでいる。
[0040] 上記構成によれば、信号配線同士の容量結合が低減される。
[0041] 好ましくは、前記支持層配線が、メツキによって形成される。
発明の効果
[0042] 本発明によれば、弾性表面波装置や弾性境界波装置の信号配線同士の容量結合 を低減することができる。 図面の簡単な説明
[0043] [図 1]弾性表面波装置の断面図である。（実施例 1)
[図 2]圧電基板上の導電パターン構成図である。（実施例 1)
[図 3]弾性表面波装置の上面図である。（実施例 1)
[図 4]圧電基板上の導電パターン構成図である。（比較例）
[図 5]弾性表面波装置の上面図である。（比較例）
[図 6]アイソレーション特性を示すグラフである。（実施例 比較例)
[図 7]圧電基板上の導電パターン構成図である。（実施例 3)
[図 8]圧電基板上の導電パターン構成図である。（実施例 4)
[図 9]圧電基板上の導電パターン構成図である。（実施例 5)
[図 10]弾性表面波装置の上面図である。（実施例 5)
[図 11]弾性表面波装置の断面図である。（実施例 5)
[図 12]弾性境界波装置の断面である。（実施例 6)
[図 13]弾性表面波装置の断面である。（従来技術）
符号の説明
[0044] 10, 10x, 10y, ΙΟζ 弾性表面波装置
12 圧電基板
24, 24x, 24y, 24z ビア配線
25v, 25x, 25y, 25z カノ一配線
28, 28a〜28h 外部電極
30 支持層
32 カバー
50 受信側弾性表面波フィルタ
60 送信側弾性表面波フィルタ
70 受信側弾性表面波フィルタ
80 弾性表面波フィルタ
500 弾性境界波装置
510 圧電基板 525 ビア配線
526 支持層配線
530 支持層
540 カバー
発明を実施するための最良の形態
[0045] 以下、本発明の実施の形態について実施例を、図 1〜図 12を参照しながら説明す る。
[0046] まず、弾性表面波装置についての実施例 1〜5について、図 1〜図 11を参照しな がら説明する。
[0047] く実施例 1 > 実施例 1の弾性表面波装置 10について、図 1〜図 6を参照しながら 説明する。
[0048] 図 1の断面図に示すように、弾性表面波装置 10は、圧電基板 12の一方の主面で ある上面 14に、 IDT22とパッド 23を含む導電パターン 20が形成されている。上面 1 4には、支持層 30によって間隔を設けてカバー 32を対向配置して、 IDT22の周囲に 振動空間 16を形成する。すなわち、支持層 30の内側に IDT22が配置され、圧電基 板 12は、振動空間 16に隣接する部分において弾性表面波が自由に伝搬するように なっている。支持層 30は、圧電基板 12の上面 14の周部 15より内側に形成されてい る。
[0049] さらに、補強榭脂 36力 カバー 32の上面 33から圧電基板 12の上面 14の周部 15 までを全体的に覆っている。補強榭脂 36からは、外部電極 28が露出しており、弾性 表面波装置 10を電気機器等の回路基板に実装することができるようになつている。
[0050] カバー 32及び補強榭脂 36には貫通孔が形成され、パッド 23と外部電極 28とを接 続する導電パターン 24, 26が通るようになつている。導電パターン 24, 26は、カバ 一 32の上面 33に形成された導電パターン 25によって接続され、あるいは、図示して いないが直接接続される。導電パターン 24, 25, 26は、メツキで形成される。
[0051] 補強榭脂 36は、弾性表面波装置 10の圧電基板 12の上面 14の外縁に沿って全周 に渡って延在し、圧電基板 12の上面 14側を封止する。これによつて、振動空間 16 が密封され、外界から遮断される。 [0052] 弾性表面波装置 10は、集合基板の状態で複数個を同時に製造することができる。 例えば、 LiTaOや LiNbOの圧電基板 12のウエノヽ (集合基板）の上面 14に金属膜
3 3
の蒸着等により導電パターン 20を形成した後、感光性榭脂を用いて支持層 30を形 成し、その上にカバー 32となる榭脂製のシート材を貼り付ける。レーザー加工等によ り、シート材を弾性表面波装置 10の個片ごとに分割する。また、シート材及び支持層 30に、パッド 23に達する貫通孔を形成した後、メツキにより導電パターン 24 (ビア配 線)を形成する。さらに、カバー 32の上面 33に、メツキにより導電パターン 25を形成 した後、ウェハの上面 14側に補強榭脂 36を塗布し、補強榭脂 36に貫通孔を形成す る。貫通孔は、補強樹脂に感光性榭脂を用いる場合にはリソグラフィで、非感光性榭 脂を用いる場合にはレーザーで加工する。補強榭脂 36の貫通孔にメツキにより導電 パターン 26を形成し、さらにメツキにより外部電極 28を形成する。最後に、弾性表面 波装置 10の個片に分割する。
[0053] 弾性表面波装置 10は分波器であり、図 2に模式的に示すように、圧電基板 12の上 面 14には、受信側弾性表面波フィルタ 50と、送信側弾性表面波フィルタ 60と、 7つ のノッド 52, 54, 56, 58, 62, 64, 68と力形成されている。
[0054] 受信側弾性表面波フィルタ 50は、不平衡-平衡変浦能を有するバランス型フィ ルタであり、 2つの共振子 100, 110と、 4つの縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 1 20, 130, 140, 150とで構成されている。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 120 , 130, 140, 150は、それぞれ、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置された 3つの I DT122, 124, 126 ; 132, 134, 136 ; 142, 144, 146 ; 152, 154, 156を含む。
[0055] 詳しくは、アンテナに接続される受信側アンテナパッド 52に、共振子 100, 110の 一端が並列に接続され、共振子 100, 110の他端には、縦結合共振子型弾性表面 波フィルタ 120, 130の中央の IDT124, 134がそれぞれ接続されている。共振子 10 0, 110は、フィルタ帯域の高域側特性を改善するために用いている力 省略すること も可能である。
[0056] 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 120, 130には、それぞれ、縦結合共振子型 弾性表面波フィルタ 140, 150が縦続接続され、縦結合共振子型弾性表面波フィル タ 140, 150の中央の IDT144, 154に接続された平衡信号パッド 54, 56力ら、位相 が約 180度ずれた平衡信号が出力されるようになっている。
[0057] アースパッド 58に接続されるアース配線 (太線で図示）は、圧電基板 12の上面 14 及び他の酉己線の上に形成された絶縁層 160, 162, 164, 170, 172, 174の上に形 成され、他の配線と立体交差するようになっている。
[0058] なお、共振子 100, 110や縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 120, 130, 140, 150には、 IDTの外側に反射器（図示せず)を設けるようにしてもよい。
[0059] 送信側弾性表面波フィルタ 60は、 7つの共振子 210, 220, 230, 240, 250, 260 , 270で構成された 3段のラダー型フィルタである。共振子 210, 220, 230, 240, 2 50, 260, 270は、それぞれ、 IDT212, 222, 232, 242, 252, 262, 272の両側 に反射器 214, 224, 234, 244, 254, 264, 274力 己置されている。
[0060] 共振子 210, 220, 230, 240は、送信信号が入力される送信入力パッド 64と、ァ ンテナに接続される送信側アンテナパッド 62との間に直列に接続されている。
[0061] 隣接する共振子 210, 220, 230, 240の に ίま、それぞれ、共振子 250, 260, 2 70が並列に接続されている。すなわち、共振子 250の一端は、直列に接続されてい る共振子 210, 220の接続点に接続され、他端は、アースパッド 68に接続されている 。共振子 260の一端は、直列に接続されている共振子 220, 230の接続点に接続さ れ、他端は、アースパッド 68に接続されている。共振子 270の一端は、直列に接続さ れている共振子 230, 240の接続点に接続され、他端は、アースパッド 68に接続さ れている。
[0062] 図 3の平面図に示すように、弾性表面波装置 10の上面 11 (図 1参照）には、外部電 極 28 (図 1参照）として、 8つの外部電極 28a〜28hが設けられている。また、カバー 3 2の上面 33に形成される導電パターン 25 (図 1参照）として、破線で示す導電パター ン 25a〜25e, 25vが形成されている。導電パターン 25a〜25e, 25vは、導電パター ン 24, 26 (図 1)と共に、外言電極 28a〜28hとノッド 52, 54, 56, 58, 62, 64, 68 との間を電気的に接続する。
[0063] 外部電極 28bは、受信側弾性表面波フィルタ 50の受信側アンテナパッド 52と送信 側フィルタ 60の送信側アンテナパッド 62とに接続されたアンテナ端子である。外部電 極 28eは、送信側弾性表面波フィルタ 60の送信入力パッド 64に接続されており、送 信入力端子である。外部電極 28gは、受信側弾性表面波フィルタ 50の平衡信号端 子である平衡信号パッド 56に接続されている。外部電極 28hは、受信側弾性表面波 フィルタ 50の平衡信号端子である平衡信号パッド 54に接続されて 、る。外部電極 2 8g, 28hは、受信出力端子である。
[0064] 導電パターン 25vは、受信側弾性表面波フィルタ 50の入力端 51 (図 2参照）とアン テナ端子 (外部電極 28b)との間を接続する配線の一部である。配線の一部に導電 パターン 25v (カバー配線)を含めることにより、配線間の容量結合が小さくなり、アイ ソレーシヨンの改善効果が得られる。
[0065] すなわち、弾性表面波装置 10の圧電基板 12に使用される LiTaOや LiNbOは、
3 3 比誘電率力 0〜50程度と大きい。このため、 1チップィ匕した弾性表面波装置 10の配 線引き回しを圧電基板 12上で行うと、配線間の容量結合が大きくなる。特に、ウェハ 一レベル ·チップサイズパッケージ工法を用 、てチップを小型化して!/、くと、容量結合 の影響が大きくなり、アイソレーション特性の劣化につながる。
[0066] そこで、圧電基板 12上の配線の一部を、圧電基板 12よりも比誘電率の小さな榭脂 やガラスによって形成されたカバー 32上に移し、カバー 32上で配線すると、圧電基 板 12における結合容量の増加を防ぎ、チップを小型化してもアイソレーション特性が 良好な分波特性を得ることができる。
[0067] <比較例 > 比較例の弾性表面波装置について、図 4及び図 5を参照しながら説 明する。実施例 1と同様の構成部分には同じ符号を用い、以下では、実施例 1との相 違点のみを説明する。
[0068] 図 4は圧電基板 12の上面 14の導電パターンの構成図、図 5は弾性表面波装置の 上面図である。図 4及び図 5は、それぞれ、実施例 1の図 2及び図 3に対応する。
[0069] 比較例の弾性表面波装置では、配線の一部が圧電基板 12上に形成されている。
すなわち、図 4に示すように、受信側弾性表面波フィルタ 50の入力端 51は、圧電基 板 12上の配線 53によって、送信側弾性表面波フィルタ 60に接続された共用アンテ ナパッド 41に接続されている。図 5に示すように、共用アンテナパッド 41は、アンテナ に接続される外部電極 28bの直下に配置されて 、る。
[0070] くアイソレーション特性の比較〉 図 6は、アイソレーション特性を示すグラフである 。太線は、実施例 1の弾性表面波装置 10のアイソレーション特性を示す。細線は、比 較例の弾性表面波装置のアイソレーション特性を示す。 V、ずれの弾性表面波装置の 周波数帯域も、送信側は 824〜849MHz、受信側は 869〜894MHzである。実施 例 1は、比較例と比べるとアイソレーション特性が改善されていることが分かる。
[0071] <実施例 2> 実施例 2の弾性表面波装置は、実施例 1と略同様に構成される。た だし、受信側弾性表面波フィルタ 50の入力端 51 (図 2参照）とアンテナ端子 (外部電 極 28b)との間を接続する配線の一部（例えば、配線長の半分以上の部分)を、カバ 一 32の上面 33ではなぐカバー 32の下面 34に形成する点のみ、実施例 1と異なる。 実施例 2では、導電パターン 25vに相当する導電パターンをカバー 32の下面 34に 予め形成しておき、カバー 32と圧電基板 12を対向させ、支持層 30で結合する。実 施例 2も、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーション特性の改善効果が得られ る。
[0072] <実施例 3 > 実施例 3の弾性表面波装置について、図 7を参照しながら説明する 。図 7は、圧電基板 12の上面 14の導電パターンの構成図であり、実施例 1の図 2に 対応する。
[0073] 実施例 3の弾性表面波装置は、実施例 1と略同様に構成され、圧電基板 12上に受 信側弾性表面波フィルタ 50と送信側弾性表面波フィルタ 60とが配置されている。
[0074] 実施例 3の弾性表面波装置は、実施例 1と異なり、受信側弾性表面波フィルタ 50と 送信側弾性表面波フィルタ 60とが共用アンテナパッド 41に接続され、送信側弾性表 面波フィルタ 60の配線の一部がカバー 32に設けられている。
[0075] すなわち、共振子 210, 220間を接続する配線が分離され、共振子 210, 220は、 それぞれ、中継パッド 65, 66に接続されている。中継パッド 65, 66間は、カバー 32 の上面 33又は下面 34に形成された導電パターン（図示せず）によって、電気的に接 続されている。
[0076] 送信側弾性表面波フィルタ 60の信号線をカバー 32上で接続し、圧電基板 12上で は分離することによって、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーション特性の改 善効果が得られる。
[0077] なお、隣り合う共振子 210, 220, 230, 240間を接続する配線のうち、いずれの一 部をカバー 32に設けてもアイソレーション特性の改善効果が得られる。もっとも、実施 例 3のように、送信入力パッド 64に最も近ぐ信号レベルが最も高い配線の一部を力 バーに設ければ最大の効果を得られるため、好まし 、。
[0078] また、共振子 210, 220間を接続する配線をカバー 32の下面 34に設け、受信側弹 性表面波フィルタ 50と共用アンテナパッド 41との間を接続する配線をカバー 32の上 面 33に設けてもよい。この構成においても信号線同士の容量結合を低減できる。
[0079] <実施例 4> 実施例 4の弾性表面波装置について、図 8を参照しながら説明する
。図 8は、圧電基板 12の上面 14の導電パターンの構成図であり、実施例 1の図 2に 対応する。
[0080] 実施例 4の弾性表面波装置は、実施例 1と略同様に構成され、圧電基板 12上に受 信側弾性表面波フィルタ 70と送信側弾性表面波フィルタ 60とが配置されている。
[0081] 実施例 4の弾性表面波装置は、実施例 1と異なり、受信側弾性表面波フィルタ 70と 送信側弾性表面波フィルタ 60とが共用アンテナパッド 41に接続され、受信側弾性表 面波フィルタ 70の配線の一部がカバー 32に設けられている。また、受信側弾性表面 波フィルタ 70は、実施例 1とは異なり、ラダー型フィルタである。
[0082] 受信側弾性表面波フィルタ 70は、 5つの共振子 310, 320, 330, 340, 350で構 成された 2段のラダー型フイノレタである。共振子 310, 320, 330, 340, 350は、それ ぞれ、 IDT312, 322, 332, 342, 352の両側に反射器 314, 324, 334, 344, 35 4が配置されている。
[0083] 共振子 310, 320, 330は、共用アンテナパッド 41と、受信出力パッド 72との間に 直列に接続されている。共振子 320, 330間は、圧電基板 12上では分離しており、 それぞれ中継パッド 74, 75に接続されている。中継パッド 74, 75間は、カバー 32に 設けた導電パターンを介して、電気的に接続されている。
[0084] 隣接する共振子 310, 320, 330の間には、それぞれ、共振子 340, 350が並列に 接続されている。すなわち、共振子 340の一端は、直列に接続されている共振子 31 0, 320の接続点に接続され、他端は、アースパッド 78に接続されている。共振子 35 0の一端は、直列に接続されている共振子 320, 330の接続点に接続され、他端は、 アースパッド 78に接続されて!ヽる。 [0085] 実施例 4の弾性表面波装置では、共振子 320, 330間を接続する配線の一部が力 バー 32に設けられており、共振子 320, 330間を接続する配線をすベて圧電基板 1 2に設ける場合に比べ、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーションの改善効果 が得られる。
[0086] なお、共振子 320, 330間を接続する配線の代わりに、共振子 310, 320間を接続 する配線の一部をカバー 32に設けても、アイソレーション特性の改善効果が得られる 。もっとも、実施例 4のように、受信信号の減衰により送信側のノイズの影響をより受け やすい受信出力パッド 72に近い側の共振子 320, 330間の配線を圧電基板 12上で 分離すると、最大の効果が得られるので好ましい。
[0087] く実施例 5 > 実施例 5の弾性表面波装置 10x〜10zについて、図 9〜図 11を参 照しながら説明する。
[0088] 実施例 5の弾性表面波装置 10x〜10zは、図 11の断面図に示すように、実施例 1と 略同様に構成され、圧電基板 12、支持層 30、補強榭脂 36、外部電極 28などを備え ている。ただし、図 9および図 10に示すように、 1組の弾性表面波フィルタ 80のみを 備えるフィルタである点が、実施例 1とは異なる。
[0089] すなわち、図 9に示すように、圧電基板 12の上面 14に、弾性表面波フィルタ 80と、 ノッド 41, 64, 65, 66, 68と力 ^形成されている。弹'性表面波フイノレタ 80は、実施例 1 の送信佃 J弾'性表面波フイノレタ 60と同様に 7つの共振子 210, 220, 230, 240, 250 , 260, 270で構成された 3段のラダー型フィルタである。
[0090] 弾性表面波装置 10x〜10zの上面 11 (図 11参照）には、図 10に示すように、外部 電極 28として、 4つの外部電極 28p〜28sが設けられている。外部電極 28rは入力端 子、外部電極 28pは出力端子、外部電極 28q, 28sは GND端子である。
[0091] 図 10において破線で示すように、カバー 32の上面 33または下面 34 (図 11参照） には、導電パターン25 ； 251：; 255 ; 25 ， 25y, 25zが設けられている。導電パター ン 25qは、外部電極 28qとパッド 68との間を電気的に接続する配線の一部である。 導電パターン 25rは、外部電極 28rとパッド 64との間を電気的に接続する配線の一 部である。導電パターン 25sは、外部電極 28sとパッド 68との間を電気的に接続する 配線の一部である。導電パターン 25x, 25y, 25zは、図 10および図 11に示すように 、ノッド 65とパッド 66との間を電気的に接続する配線の一部 (カバー配線)である。
[0092] 図 11 (a)に示したように導電パターン 25xをカバー 32の上面 33に設ける場合、導 電パターン 25xは、導電パターン 25q〜25s (図 10参照）とともに、メツキなどにより形 成し、支持層 30およびカバー 32を貫通する導電性パターン 24x(ビア配線）に接続 する。
[0093] 図 11 (b)および（c)に示したように導電パターン 25y, 25zをカバー 32の下面 34に 設ける場合、感光性榭脂を用いて支持層 30を形成し、レーザー加工などにより支持 層 30に貫通孔を形成して、メツキなどにより導電パターン 24y, 24z (ビア配線)を形 成する。
[0094] 図 11 (b)では、カバー 32となる榭脂性のシート材の下面 34となる側の面に、導電 パターン 25yに相当する導電パターンを予め形成しておき、支持層 30の上にカバー 32となる榭脂性のシート材を貼り付ける。このとき、導電パターン 25yは、支持層 30 を貫通する導電パターン 24yに接続される。
[0095] 図 11 (c)では、支持層 30の上面にメツキにより導電パターン 25zに相当する導電パ ターンを形成する。このとき、導電パターン 25zは、支持層 30を貫通する導電パター ン 24zに接続される。次いで、支持層 30に、カバー 32となる榭脂製のシート材を貼り 付ける。
[0096] 弾性表面波装置 10x〜10zは、カバー 32の上面 33または下面 34に導電パターン 25x, 25y, 25z (カバー配線）が設けられており、パッド 65とパッド 66は、カバー 32 を経由する配線で接続されている。これにより、共振子 220, 250の接続点と共振子 210との間を圧電基板 12上に設けた配線のみで接続する場合に比べ、配線間の容 量結合が小さくなり、フィルタの VSWRが改善される。
[0097] また、 2個の縦結合共振子型フィルタを縦続接続する配線の一部をカバー上に設 けることができる。圧電基板上に設けた配線のみで縦続接続する場合に比べて、配 線間の容量結合が小さくなり、フィルタの VSWRが改善される。
[0098] 弾性表面波素子は弾性表面波共振子または縦結合共振子型フィルタである。
[0099] 次に、弾性境界波装置についての実施例 6〜： LOについて説明する。
[0100] く実施例 6 > 実施例 6の弾性境界波装置 500について、図 12を参照しながら説 明する。
[0101] 図 12の断面図に示すように、弾性境界波装置 500は、 LiNbOからなる圧電基板 5
3
10の上面 512に、 IDT522とパッド 523とを含む Auの導電パターン 520が形成され 、パッド 523には Tiの密着層 524が形成されている。圧電基板 510の上面 512及び 導電パターン 520の上に、 SiO力もなる支持層 530が形成されている。支持層 530
2
は、パッド 523の密着層 524が露出するように、フォトリソグラフィー技術を用いて部分 的に除去され、ビア（貫通孔） 534が形成されている。例えばメツキによって同時に、 支持層 530の上面 532には支持層配線 526が形成され、ビア 534の内側にはビア 配線 525が形成される。支持層配線 526の一端は、支持層 530を貫通するビア配線 525により、パッド 523の密着層 24に接続されている。
[0102] 支持層 530の上面 532及び支持層配線 526の上には、カバー 540が形成されて いる。カバー 540は、支持層 530を伝搬するスプリアスモードの振動を減衰させるた め、エポキシ榭脂などの吸音材料を用いて形成されて 、る。
[0103] カバー 540は、サンドブラスト等により部分的に除去され、除去された部分にメツキ 等によりアンダーバンプメタル 527が充填されている。アンダーバンプメタル 527上に は、はんだバンプ 528が形成されている。はんだバンプ 528は、カバー 540の上面 5 42から突出する外部電極である。
[0104] 弾性境界波装置 500は、第 1の媒質である LiNbOの圧電基板 510と、第 2の媒質
3
である SiOの支持層 530との境界を伝搬する弾性境界波を利用し、 IDT522を介し
2
て弾性境界波と電気信号との変換を行う。弾性表面波装置の場合には、図 1に示し たように、 IDT22の周囲に振動空間 16を必要とするのに対し、弾性境界波装置 500 では、図 12に示したように、 IDT522は圧電基板 510と支持層 530との界面に配置 され、 IDT522の周囲に振動空間を必要としない。
[0105] 弾性境界波装置 500は分波器であり、実施例 1の弾性表面波装置 10とまったく同 様の IDT電極設計手法を用いることができる。すなわち、圧電基板 510の上面 512 には、図 2と同様の導電パターンが形成され、受信側フィルタ 50と送信側フィルタ 60 と、 7つのノ ッド 52, 54, 56, 58, 62, 64, 68など力形成されている。実施例 6にお いて、図 2のフィルタ 50, 60は弾性境界波フィルタであり、受信側フィルタ 50は、バラ ンス型弾性境界波フィルタである。
[0106] 配線の引き回しも実施例 1と同様であり、受信側フィルタ 50の入力端 51 (図 2参照） と外部電極であるアンテナ端子との間を接続する配線の一部が支持層 530の上面 5 32に形成されている。すなわち、配線の一部が、支持層配線 526により構成されて いる。
[0107] 弾性境界波装置 500の圧電基板 510に使用される LiTaOや LiNbOは、比誘電
3 3
率力 0〜50程度と大きい。このため、 1チップィ匕した弾性境界波装置 500の配線引 き回しを圧電基板 510上で行うと、配線間の容量結合が大きくなる。特に、ウェハーレ ベル ·チップサイズパッケージ工法を用 、てチップを小型化して 、くと、容量結合の 影響が大きくなり、アイソレーション特性の劣化につながる。
[0108] 実施例 6の弾性境界波装置 500では、支持層 530は比誘電率が 3〜5の SiOによ
2 り形成され、上述したように、受信側フィルタ 50の入力端 51 (図 2参照）と外部電極で あるアンテナ端子との間を接続する配線の一部力 支持層 530の上面 532に設けら れている。
[0109] 受信側フィルタ 50の入力端 51 (図 2参照）と外部電極であるアンテナ端子との間を 接続する配線の一部が圧電基板 510上に設けられた場合に対して、比誘電率の小 さい誘電体によって形成されている支持層 530上に設けられた場合には、配線間の 結合容量の増加を防ぎ、チップを小型化してもアイソレーション特性を改善すること ができる。
[0110] <実施例 7> 実施例 7の弾性境界波装置は、実施例 6と略同様に構成されている 。ただし、配線の引き回しは、実施例 6とは異なる。すなわち、受信側フィルタ 50の入 力端 51 (図 2参照）と外部電極であるアンテナ端子との間を接続する配線の一部が、 支持層 530の上面 532ではなぐカバー 540の上面 542に形成される点のみ、実施 例 6と異なる。実施例 7も、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーション特性の改 善効果が得られる。
[0111] <実施例 8 > 実施例 8の弾性境界波装置は、実施例 6と略同様に構成されている 力 実施例 6と異なり、圧電基板 510の上面 512に形成される導電パターンは実施例 3の弾性表面波装置の場合と同様に形成され、実施例 3と同様に配線が引き回され ている。
[0112] すなわち、圧電基板 510の上面 512に形成される導電パターンは、図 7の実施例 3 と同様に、共振子 210, 220間を接続する配線が分離され、共振子 210, 220は、そ れぞれ、中 ϋパッド 65, 66に接続されている。実施例 8において、図 7のフィルタ 50 , 60は弾性境界波フィルタであり、送信側フィルタ 50を構成する共振子 210, 220, 230, 240は弾性境界波共振子である。中継パッド 65, 66間は、支持層 530を貫通 するビア配線 525と支持層 530の上面 532に形成された支持層配線 526とによって 、電気的に接続されている。
[0113] 送信側フィルタ 60の信号線を支持層 530上で接続し、圧電基板 510上では分離 することによって、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーション特性の改善効果 が得られる。
[0114] なお、隣り合う共振子 210, 220, 230, 240間を接続する配線のうち、いずれの一 部を支持層 530上に設けてもアイソレーション特性の改善効果が得られる。もっとも、 実施例 3のように、送信入力パッド 64に最も近ぐ信号レベルが最も高い配線の一部 をカバーに設ければ最大の効果を得られるため、好まし 、。
[0115] また、共振子 210, 220間を接続する配線をカバー 540の上面 542に設け、受信 側フィルタ 50と共用アンテナパッド 41との間を接続する配線をカバー 540の上面 54 2に設けてもよい。この構成においても信号線同士の容量結合を低減できる。
[0116] <実施例 9 > 実施例 9の弾性境界波装置は、実施例 6と略同様に構成されている 力 実施例 6と異なり、圧電基板 510の上面 512に形成される導電パターンは実施例 4の弾性表面波装置の場合と同様に形成され、実施例 4と同様に配線が引き回され ている。
[0117] すなわち、圧電基板 510の上面 512に形成される導電パターンは、図 8の実施例 4 と同様に、受信側フィルタ 70と送信側フィルタ 60とが共用アンテナパッド 41に接続さ れ、受信側フィルタ 70の配線の一部が支持層 530上に設けられている。すなわち、 受信側フィルタ 70は、ラダー型フィルタであり、受信側フィルタ 70の共振子 320, 33 0間を接続する配線が分離され、共振子 320, 330は、それぞれ、中継パッド 74, 75 に接続されている。中継パッド 74, 75間は、支持層 530を貫通するビア配線 525と 支持層 530の上面 532に形成された支持層配線 526とによって、電気的に接続され ている。実施例 9において、図 8のフィルタ 60, 70は弾性境界波フィルタであり、共振 子 210, 220, 230, 240, 310, 320, 330, 340, 350は弾性境界波共振子である
[0118] 実施例 9の弾性境界波装置では、実施例 4と同様に、共振子 320, 330間を接続 する配線の一部が支持層 530上に設けられており、共振子 320, 330間を接続する 配線をすベて圧電基板 510に設ける場合に比べ、配線間の容量結合が小さくなり、 アイソレーションの改善効果が得られる。
[0119] なお、共振子 320, 330間を接続する配線の代わりに、共振子 310, 320間を接続 する配線の一部を支持層 530上に設けても、アイソレーション特性の改善効果が得ら れる。もっとも、実施例 4のように、受信信号の減衰により送信側のノイズの影響をより 受けやすい受信出力パッド 72に近い側の共振子 320, 330間の配線を圧電基板 51 0上で分離すると、最大の効果が得られるので好ま 、。
[0120] <実施例 10> 実施例 10の弾性境界波装置は、実施例 6と略同様に構成されて いるが、実施例 6と異なり、圧電基板 510の上面 512に形成される導電パターンは実 施例 5の弾性表面波装置の場合と同様に形成され、実施例 5と同様に配線が引き回 されている。
[0121] すなわち、実施例 10の弾性境界波装置は、図 9に示した実施例 5と同様に、 1組の フィルタ 80のみを備えるフィルタであり、 7つの共振子 210, 220, 230, 240, 250, 260, 270で構成された 3段のラダー型フィルタである。実施例 10において、図 9のフ ィルタ 80は弾性境界波フィルタであり、共振子 210, 220, 230, 240は弾性境界波 共振子である。
[0122] 配線の引き回しは、実施例 5と同様である。すなわち、ノッド 65とパッド 66との間を 電気的に接続する配線の一部は、支持層 530の上面 532に設けられており、ノッド 6 5とパッド 66は、支持層 530を経由する配線 (支持層を貫通するビア配線 525及び支 持層 530上の支持層配線 526)で接続されている。これにより、共振子 220, 250の 接続点と共振子 210との間を圧電基板 510上に設けた配線のみで接続する場合に 比べ、配線間の容量結合が小さくなり、フィルタの VSWRが改善される。 [0123] また、 2個の縦結合共振子型フィルタを縦続接続する配線の一部を支持層 530の 上面 532に設けることもできる。この場合も、圧電基板 510上に設けた配線のみで縦 続接続する場合に比べて、配線間の容量結合が小さくなり、フィルタの VSWRが改 善される。
[0124] 弾性境界波素子は弾性境界波共振子または縦結合共振子型フィルタである。
[0125] くまとめ〉 以上に説明したように、カノく一 32に導電パターン 25v, 25x, 25y, 25 z (カバー配線)を設けることによって、配線間の容量結合が小さくなる。これによつて 、実施例 1〜4の分波器では、アイソレーションの改善効果が得られる。実施例 5のフ ィルタでは、フィルタの VSWRが改善される。また、支持層 530の上面 532に導電パ ターン (支持層配線)を設けることによって、配線間の容量結合が小さくなる。これ〖こよ つて、実施例 6〜9の分波器では、アイソレーションの改善効果が得られる。実施例 1 0のフィルタでは、フィルタの VSWRが改善される。
[0126] なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなぐ種々変更を加え て実施可能である。
[0127] 例えば、受信側弾性表面波フィルタや送信側弾性表面波フィルタの構成は、実施 の形態に限定されない。弾性表面波共振子等の反射器は、省略してもよい。受信側 弾性境界波フィルタや送信側弾性境界波フィルタの構成は、実施の形態に限定され ない。弾性境界波共振子等の反射器は、省略してもよい。
[0128] また、弾性表面波装置は、補強榭脂 36がない構成としてもよい。この場合、カバー 32に設ける配線 (導電パターン 25)は、圧電基板 12に対向する側の主面（下面 34) に設けることが好ましい。

Claims

請求の範囲
[1] 圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、
前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信側 弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、
前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性表面波フィルタ及 び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信 側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性表 面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、 弹¾表面波装置において、
前記受信側弾性表面波フィルタと前記アンテナ端子とを電気的に接続する配線が 前記圧電基板上に形成された圧電基板配線と、
前記カバーの上面または下面に設けられているカバー配線と、
前記圧電基板配線の一端と前記カバー配線の一端とを、前記支持層および前記 カバーを貫通して接続するビア配線と、
を含んでいることを特徴とする、弾性表面波装置。
[2] 前記受信側弾性表面波フィルタは、不平衡信号が入力される一つの不平衡信号 端子と、平衡信号を出力する一対の平衡信号端子とを含むバランス型弾性表面波フ イノレタであり、
前記アンテナ端子は、前記不平衡信号端子に電気的に接続され、
前記受信出力端子は、前記平衡信号端子に電気的に接続されていることを特徴と する、請求項 1に記載の弾性表面波装置。
[3] 圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、
前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信側 弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、
前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性表面波フィルタ及 び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信 側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性表 面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、 弹¾表面波装置において、
前記送信側弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波共振子を 含み、
互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性表面波共振子の間を 電気的に接続する配線が、
前記カバーの上面または下面に設けられている少なくとも 1個のカバー配線と、 該少なくとも 1個のカバー配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも
1組の前記弾性表面波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通 して接続する少なくとも 1組のビア配線と、
を含んでいることを特徴とする、弾性表面波装置。
圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、
前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信側 弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、
前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性表面波フィルタ及 び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信 側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性表 面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、 弹¾表面波装置において、
前記受信側弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波共振子を 含み、
互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性表面波共振子の間を 電気的に接続する配線が、
前記カバーの上面または下面に設けられている少なくとも 1個のカバー配線と、 該少なくとも 1個のカバー配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも
1組の前記弾性表面波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通 して接続する少なくとも 1組のビア配線と、
を含んでいることを特徴とする、弾性表面波装置。 [5] 圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、
前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、弾性表 面波フィルタが形成され、
前記カバーに関して前記圧電基板とは反対側に、前記弾性表面波フィルタに電気 的に接続された入力端子と出力端子を含む外部端子が形成された、弾性表面波装
¾【こ； /、て、
前記弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波素子を含み、 互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性表面波素子の間を電 気的に接続する配線が、
前記カバーの上面または下面に設けられている少なくとも 1個のカバー配線と、 該少なくとも 1個のカバー配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも
1組の前記弾性表面波素子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通し て接続する少なくとも 1組のビア配線と、
を含んでいることを特徴とする、弾性表面波装置。
[6] 前記圧電基板の前記主面に垂直な方向から見たとき、前記圧電基板の周部よりも 内側に前記カバーが配置されており、
前記カバーの前記圧電基板とは反対側の前記主面から前記圧電基板の前記主面 の前記周部まで全体的に覆う補強榭脂をさらに備えたことを特徴とする、請求項 1〜 5の 、ずれか一項に記載の弾性表面波装置。
[7] 前記カバー配線力 メツキによって形成されることを特徴とする、請求項 1〜6のい ずれか一項に記載の弾性表面波装置。
[8] 圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、
前記圧電基板と前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性 境界波フィルタとが形成され、
前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性境界波フィルタ及 び前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信 側弾性境界波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境 界波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、 弾性境界波装置において、
前記受信側弾性境界波フィルタと前記アンテナ端子とを電気的に接続する配線が 前記圧電基板上に形成された圧電基板配線と、
前記支持層の上面に設けられている支持層配線と、
前記圧電基板配線の一端と前記支持層配線の一端とを、前記支持層を貫通して 接続するビア配線と、
を含んでいることを特徴とする、弾性境界波装置。
[9] 前記受信側弾性境界波フィルタは、不平衡信号が入力される一つの不平衡信号 端子と、平衡信号を出力する一対の平衡信号端子とを含むバランス型弾性境界波フ イノレタであり、
前記アンテナ端子は、前記不平衡信号端子に電気的に接続され、
前記受信出力端子は、前記平衡信号端子に電気的に接続されていることを特徴と する、請求項 8に記載の弾性境界波装置。
[10] 圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、
前記圧電基板と前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性 境界波フィルタとが形成され、
前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性境界波フィルタ及 び前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信 側弾性境界波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境 界波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、 弾性境界波装置において、
前記送信側弾性境界波フィルタは、直列接続された複数の弾性境界波共振子を 含み、
互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性境界波共振子の間を 電気的に接続する配線が、
前記支持層の上面に設けられている少なくとも 1個の支持層配線と、
該少なくとも 1個の支持層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性境界波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通 して接続する少なくとも 1組のビア配線と、
を含んでいることを特徴とする、弾性境界波装置。
[11] 圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、
前記圧電基板の前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性 境界波フィルタとが形成され、
前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性境界波フィルタ及 び前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信 側弾性境界波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境 界波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、 弾性境界波装置において、
前記受信側弾性境界波フィルタは、直列接続された複数の弾性境界波共振子を 含み、
互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性境界波共振子の間を 電気的に接続する配線が、
前記支持層の上面に設けられている少なくとも 1個の支持層配線と、
該少なくとも 1個の支持層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも
1組の前記弾性境界波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通 して接続する少なくとも 1組のビア配線と、
を含んでいることを特徴とする、弾性境界波装置。
[12] 圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、
前記圧電基板と前記支持層との界面に、弾性境界波フィルタが形成され、 前記カバーに関して前記圧電基板とは反対側に、前記弾性境界波フィルタに電気 的に接続された入力端子と出力端子を含む外部端子が形成された、弾性境界波装
¾【こ； /、て、
前記弾性境界波フィルタは、直列接続された複数の弾性境界波素子を含み、 互いに隣り合って直列接続された少なくとも 1組の前記弾性境界波素子の間を電 気的に接続する配線が、 前記支持層の上面に設けられている少なくとも 1個の支持層配線と、
該少なくとも 1個の支持層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも
1組の前記弾性境界波素子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通し て接続する少なくとも 1組のビア配線と、
を含んでいることを特徴とする、弾性境界波装置。
前記支持層配線が、メツキによって形成されることを特徴とする、請求項 8〜12のい ずれか一項に記載の弾性境界波装置。
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