WO2010131606A1 - 弾性境界波装置 - Google Patents

弾性境界波装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2010131606A1
WO2010131606A1 PCT/JP2010/057823 JP2010057823W WO2010131606A1 WO 2010131606 A1 WO2010131606 A1 WO 2010131606A1 JP 2010057823 W JP2010057823 W JP 2010057823W WO 2010131606 A1 WO2010131606 A1 WO 2010131606A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
medium
acoustic wave
boundary acoustic
wave device
electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/057823
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
敦 清水
昌和 三村
大輔 玉崎
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to JP2011513318A priority Critical patent/JPWO2010131606A1/ja
Publication of WO2010131606A1 publication Critical patent/WO2010131606A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices

Definitions

  • the present invention relates to a boundary acoustic wave device using a boundary acoustic wave, and more particularly to a three-medium type boundary acoustic wave device having first and second dielectric layers formed on a piezoelectric substrate.
  • elastic wave devices have been used for RF filters and IF filters for mobile phones, VCO resonators, television VIF filters, and the like.
  • a surface acoustic wave device a surface acoustic wave device using a surface acoustic wave has been generally used.
  • the following patent document The boundary acoustic wave device as described in No. 1 has been used.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of the boundary acoustic wave device described in Patent Document 1.
  • the boundary acoustic wave device 100 includes a first medium layer 101.
  • a second medium layer 102 is formed on the first medium layer 101.
  • a third medium layer 103 is formed on the second medium layer 102.
  • a sound absorbing layer 104 is formed on the third medium layer 103.
  • An IDT electrode 105 is formed at the boundary between the first medium layer 101 and the second medium layer 102.
  • wiring electrodes 106 and 107 are formed on the boundary between the second medium layer 102 and the third medium layer 103 and on the boundary between the third medium layer 103 and the sound absorbing layer 104.
  • the wiring electrodes 106 and 107 are drawn out to the outer surface of the boundary acoustic wave device 100.
  • the wiring electrodes 106 and 107 are formed so as to overlap the IDT electrode 105 in plan view. For this reason, a boundary acoustic wave apparatus can be reduced in size.
  • Patent Document 1 since the sound absorbing layer 104 is provided, the mode that becomes spurious is attenuated by the sound absorbing layer 104, and as a result, a plurality of spurious frequencies on the higher frequency side than the resonance frequency and on the higher frequency side of the pass band. It is described that the response can be effectively suppressed.
  • the sound absorbing layer 104 is provided on the wiring electrodes 106 and 107.
  • the higher order mode that becomes a spurious is reflected by the wiring electrodes 106 and 107 provided between the sound absorbing layer 104 and the second medium 102 or the third medium 103, and cannot be transferred to the sound absorbing layer 104.
  • the sound absorption layer 104 cannot act as a sound absorption medium.
  • the higher-order mode energy returns to the second and third medium layers 102 and 103 again, and becomes an unnecessary spurious.
  • the present invention has been made in view of such points, and an object thereof is to improve characteristics such as filter characteristics and resonator characteristics in the boundary acoustic wave device.
  • the boundary acoustic wave device includes a first medium, a second medium, a third medium, an IDT electrode, and a wiring electrode.
  • the first medium is made of a piezoelectric body.
  • the second medium is formed on the first medium.
  • the third medium is formed on the second medium.
  • the IDT electrode is formed at the boundary between the first medium and the second medium.
  • the second medium has a lower sound velocity than the first and third media.
  • the sound speed of the third medium is higher than the sound speed of the first medium.
  • the wiring electrode is formed on the third medium so as to at least partially overlap the IDT electrode in plan view.
  • the thickness of the third medium is 0.7 times or more the wavelength of the boundary acoustic wave excited in the IDT electrode.
  • the first medium is made of LiNbO 3
  • the second medium is made of silicon oxide
  • the third medium is made of silicon nitride.
  • the wiring electrode includes an external terminal electrode.
  • the sound speed of the second medium is lower than the sound speed of the first and third media
  • the thickness of the third medium is 0.7 times or more the wavelength of the boundary acoustic wave excited in the IDT electrode.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the boundary acoustic wave device.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a part of the boundary acoustic wave device.
  • FIG. 3A is a schematic plan view of a first boundary acoustic wave device manufactured in an experimental example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of a part of the first boundary acoustic wave device manufactured in the experimental example.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of the second boundary acoustic wave device manufactured in the experimental example.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of a third boundary acoustic wave device manufactured in the experimental example.
  • FIG. 6 is a graph showing the filter characteristics of the first to third boundary acoustic wave devices.
  • FIG. 7 is a graph showing the displacement distribution of the SH type boundary acoustic wave in the fourth boundary acoustic wave device.
  • FIG. 8 is a graph showing the displacement distribution of the first higher-order mode in the fourth boundary acoustic wave device.
  • FIG. 9 is a graph showing the displacement distribution of the second higher-order mode in the fourth boundary acoustic wave device.
  • FIG. 10 is a graph showing the displacement distribution of the SH type boundary acoustic wave in the fifth boundary acoustic wave device.
  • FIG. 11 is a graph showing the displacement distribution of the first higher-order mode in the fifth boundary acoustic wave device.
  • FIG. 12 is a graph showing the displacement distribution of the second higher-order mode in the fifth boundary acoustic wave device.
  • FIG. 13A is a schematic plan view of a boundary acoustic wave device in which an IDT electrode and a wiring electrode do not overlap in a plan view.
  • FIG. 13B is a schematic plan view of the boundary acoustic wave device in which the IDT electrode and a part of the wiring electrode overlap in plan view.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of a boundary acoustic wave device according to a modification.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of the boundary acoustic wave device described in Patent Document 1.
  • 16A and 16B show a boundary acoustic wave device having a SiO 2 / Au / LiNbO 3 structure described in Patent Document 1, with a Au thickness of 0.05 ⁇ and a SiO 2 film thickness of 1. It is a figure which shows the displacement distribution of each spurious mode when set to 0.5 ⁇ .
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the boundary acoustic wave device.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a portion where the IDT electrode of the boundary acoustic wave device according to the present embodiment is formed.
  • the boundary acoustic wave device embodying the present invention will be described using the boundary acoustic wave device 1 as the boundary acoustic wave filter shown in FIG. 1 as an example.
  • the boundary acoustic wave device is not limited to the boundary acoustic wave filter.
  • the boundary acoustic wave device of the present invention may be, for example, a boundary acoustic wave resonator or a ladder type filter composed of a plurality of boundary acoustic wave resonators.
  • FIG. 1 and FIGS. 3 to 5 and 13 below IDT electrodes and resonators are schematically shown.
  • the boundary acoustic wave device 1 includes an unbalanced input terminal 10 and first and second balanced output terminals 11a and 11b.
  • a boundary acoustic wave filter unit 12 using a boundary acoustic wave is connected between the unbalanced input terminal 10 and the first and second balanced output terminals 11a and 11b.
  • the boundary acoustic wave filter unit 12 is a 5IDT type longitudinally coupled resonator type boundary acoustic wave filter unit.
  • the boundary acoustic wave filter unit 12 includes first to fifth IDT electrodes 13a to 13e and first to fifth IDT electrodes 13a to 13e arranged along the propagation direction of the boundary acoustic wave. And reflectors (not shown) disposed on both sides of the formed region in the elastic wave propagation direction.
  • One side of each of the first, third, and fifth IDT electrodes 13 a, 13 c, and 13 e is connected to the unbalanced input terminal 10.
  • the other side of each of the first, third and fifth IDT electrodes 13a, 13c and 13e is connected to a ground electrode.
  • One side of each of the second and fourth IDT electrodes 13b and 13d is connected to a ground electrode.
  • the other side of the fourth IDT electrode 13d is connected to the first balanced output terminal 11a.
  • the other side of the second IDT electrode 13b is connected to the second balanced output terminal 11b.
  • a boundary acoustic wave resonator 14 as a series trap is connected between one side of each of the first, third, and fifth IDT electrodes 13 a, 13 c, and 13 e and the unbalanced input terminal 10.
  • the boundary acoustic wave resonator 14 includes an IDT electrode and reflectors disposed on both sides of the IDT electrode in the elastic wave propagation direction.
  • a parallel capacitor 15 is connected between a connection point on one side of each of the first, third, and fifth IDT electrodes 13a, 13c, and 13e and the ground potential. Yes.
  • the parallel capacitor 15 is composed of a pair of comb electrodes that are inserted into each other.
  • the boundary acoustic wave resonator 16 is connected.
  • the boundary acoustic wave resonator 16 includes an IDT electrode and reflectors disposed on both sides of the IDT electrode in the elastic wave propagation direction.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion where one of the IDT electrodes such as the first to fifth IDT electrodes 13a to 13e included in the boundary acoustic wave device 1 is formed.
  • the IDT electrode is referred to by reference numeral “20”.
  • the boundary acoustic wave device 1 is a so-called three-medium type boundary acoustic wave device.
  • the boundary acoustic wave device 1 includes a first medium 21.
  • the first medium 21 is a piezoelectric substrate made of a piezoelectric body.
  • the piezoelectric body used for forming the first medium 21 is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the characteristics required for the boundary acoustic wave device 1. Specific examples of the piezoelectric body include LiNbO 3 and LiTaO 3 .
  • the IDT electrode 20 described above is formed on the first medium 21.
  • a second medium 22 is formed on the first medium 21 so as to cover the IDT electrode 20. That is, the IDT electrode 20 is formed at the boundary between the first medium 21 and the second medium 22.
  • a third medium 23 is formed on the second medium 22.
  • the sound speed of the second medium 22 is lower than the sound speed of the first and third media 21 and 23.
  • the speed of sound of the third medium 23 is higher than the speed of sound of the first medium 21.
  • the material of the second and third media 22 and 23 is not particularly limited as long as the sound velocity of the second medium 22 is slower than the sound velocity of the first and third media 21 and 23.
  • the second and third media 22 and 23 can be formed of a dielectric.
  • the second medium 22 is formed of silicon oxide such as SiO 2
  • the third medium 23 can be formed of silicon nitride, such as SiN.
  • the thickness of the second medium 22 is not particularly limited, and can be appropriately set according to characteristics required for the boundary acoustic wave device 1.
  • the thickness of the third medium 23 is 0.7 times or more the wavelength ( ⁇ ) of the boundary acoustic wave excited in the IDT electrode 20.
  • a protective film 25 is formed on the third medium 23.
  • This protective film 25 is a protective film for protecting a wiring electrode 24 described later.
  • the protective film 25 can be formed of polyimide, for example.
  • the boundary acoustic wave device 1 includes a wiring electrode 24 connected to the IDT electrode 20.
  • the wiring electrode 24 is formed at the boundary between the first medium 21 and the second medium 22 and the boundary between the third medium 23 and the protective film 25, and the second medium 22 and the third medium. It is not formed at the boundary. That is, the wiring electrode 24 is formed only on the third medium 23 except for the boundary between the first medium 21 and the second medium 22 where the IDT electrode 20 is formed. At least a part of the wiring electrode 24 overlaps the IDT electrode 20 in plan view.
  • the wiring electrode 24 includes a bump electrode 26 as an external terminal electrode exposed from the protective film 25.
  • the second and third media 22 and 23 are formed on the first medium 21, and the thickness of the third medium 23 is excited in the IDT electrode 20. It is set to 0.7 times or more of the wavelength ( ⁇ ) of the boundary acoustic wave. For this reason, the higher order mode of the boundary acoustic wave generated in the IDT electrode 20 can be confined in the second and third media 22 and 23 so as not to exist on the surface of the third media. That is, in this embodiment, not only the fundamental mode but also the higher order mode does not reach the surface of the third medium 23. Therefore, characteristics such as filter characteristics and resonator characteristics are not deteriorated due to the change in the shape of the higher-order mode by the wiring electrode 24 formed on the third medium 23.
  • the wiring electrode 24 is provided on the second medium 22 without providing the third medium 23, and the wiring electrode 24 and the IDT electrode on the second medium 22 do not overlap in plan view.
  • the boundary acoustic wave device (for GSM900 reception filter, passband: 925 MHz to 960 MHz) similar to the boundary acoustic wave device 1 shown in FIG. 1 and FIG. It was produced with the design parameters.
  • FIG. 3A is a schematic plan view of the first boundary acoustic wave device.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of a part of the first boundary acoustic wave device.
  • FIG. 3A and the following FIGS. 4, 5, and 13 members having substantially the same functions as those in the above embodiment are referred to by common reference numerals.
  • reference numeral 17 denotes a ground electrode.
  • First medium 21 LiNbO 3 with a cut angle of 15 ° IDT electrode 20: Ti film (thickness 10 nm (0.0029 ⁇ )) / Pt film (thickness 10 nm (0.0029 ⁇ )) / Au film (thickness 130 nm (0.037 ⁇ )) / Pt from the first medium side Film (thickness 10 nm (0.0029 ⁇ )) / Ti film (thickness 10 nm (0.0029 ⁇ )) / NiCr film (thickness 10 nm (0.0029 ⁇ )) Wavelength ( ⁇ ) determined by the pitch of the electrode fingers of the IDT electrode 20: about 3.5 ⁇ m Duty of IDT electrode 20: 0.60 Second medium 22: SiO 2 (thickness 5500 nm (1.57 ⁇ )) Wiring electrode 24: Ti film (thickness 20 nm (0.0057 ⁇ )) / AlCu film (thickness 1000 nm (0.29 ⁇ )) / Ti film (thickness 50 nm (0.014 ⁇ )) /
  • a second boundary acoustic wave device shown in FIG. 4 A second boundary acoustic wave device shown in FIG.
  • the third boundary acoustic wave device shown in FIG. 5 was produced in the same manner as the first boundary acoustic wave device except that the dummy electrode 30 was formed only on the IDT electrode of the boundary acoustic wave filter portion. .
  • the filter characteristics of the first to third boundary acoustic wave devices were measured. The measurement results are shown in FIG. In FIG. 6, the data indicated by “A” represents the filter characteristics of the first boundary acoustic wave device. Data indicated by “B” represents the filter characteristics of the second boundary acoustic wave device. Data indicated by “C” represents the filter characteristics of the third boundary acoustic wave device.
  • the present inventors have formed a SiO 2 film (second medium 22) having a thickness of 0.6 ⁇ on a LiNbO 3 substrate having a cut angle of 15 °. And a fourth boundary acoustic wave device in which a SiN film (third medium 23) having a thickness of 2.4 ⁇ is formed on a LiNbO 3 substrate having a cut angle of 15 ° and a thickness of 0.6 ⁇ .
  • FIG. 7 is a graph showing the displacement distribution of the SH type boundary acoustic wave in the fourth boundary acoustic wave device.
  • FIG. 8 is a graph showing the displacement distribution of the first higher-order mode in the fourth boundary acoustic wave device.
  • FIG. 9 is a graph showing the displacement distribution of the second higher-order mode in the fourth boundary acoustic wave device.
  • FIG. 10 is a graph showing the displacement distribution of the SH type boundary acoustic wave in the fifth boundary acoustic wave device.
  • FIG. 11 is a graph showing the displacement distribution of the first higher-order mode in the fifth boundary acoustic wave device.
  • FIG. 12 is a graph showing the displacement distribution of the second higher-order mode in the fifth boundary acoustic wave device.
  • the first higher-order mode is a higher-order mode mainly composed of the Y component
  • the second higher-order mode is a higher-order mode mainly composed of the Z component.
  • the horizontal axis is the displacement
  • the vertical axis is the depth ( ⁇ ) when the surface of the first medium is a reference) (0).
  • ⁇ represents the displacement in the elastic wave propagation direction (X)
  • ⁇ represents the displacement in the direction (Z) perpendicular to the elastic wave propagation direction (X) on the surface of the first medium 21.
  • X represents the displacement in the thickness direction (Y) perpendicular to the direction (X) and the direction (Z).
  • the first higher-order mode is also confined in the second medium 22 regardless of the presence or absence of the wiring electrode, and almost oozes out into the third medium 23. I understand that it is not.
  • the results shown in FIGS. 9 and 12 show that the second higher-order mode oozes into the third medium 23 regardless of the presence or absence of the wiring electrode. Specifically, the second higher-order mode oozes to a depth of 1.3 ⁇ . For this reason, taking into account that the thickness of the second medium 22 is 0.6 ⁇ , the second higher-order mode has oozed out to the portion of the third medium 23 having a depth of 0.7 ⁇ . I understand. For this reason, when the third medium 23 is not provided or the thickness of the third medium 23 is less than 0.7 ⁇ , the wiring medium 24 is positioned above the IDT electrode 20. A second higher mode is reached. Then, it is considered that out-of-band spurious is generated due to deformation and reflection of the second higher-order mode at the wiring electrode 24.
  • FIGS. 16A and 16B show a boundary acoustic wave device having a SiO 2 / Au / LiNbO 3 structure described in Patent Document 1, with a Au thickness of 0.05 ⁇ and a SiO 2 film thickness of 1. It is a figure which shows the displacement distribution of each spurious mode when set to 0.5 ⁇ .
  • the wiring electrode 24 As a method of suppressing out-of-band spurious, it is conceivable to form the wiring electrode 24 so that the IDT electrode 20 and the wiring electrode 24 do not overlap in the height direction, as shown in FIG.
  • the IDT electrode 20 and the wiring electrode 24 are not overlapped in a plan view, for example, as shown in FIG. 13B in which the IDT electrode 20 and a part of the wiring electrode 24 are overlapped in a plan view.
  • the size of the boundary acoustic wave device is increased. Therefore, it is difficult to achieve both suppression of out-of-band spurious and miniaturization of the boundary acoustic wave device.
  • the second higher-order mode since the second higher-order mode only oozes out to the portion of the third medium 23 having a depth of 0.7 ⁇ , By setting the thickness of the medium 23 to 0.7 ⁇ or more, the second higher-order mode can be prevented from reaching the surface of the third medium 23. Therefore, when the thickness of the third medium 23 is 0.7 ⁇ or more, out-of-band spurious is effectively suppressed even when the wiring electrode 24 is formed so as to overlap the IDT electrode 20 in plan view. Can do. That is, by setting the thickness of the third medium 23 to 0.7 ⁇ or more and forming the wiring electrode 24 on the surface of the third medium 23, both suppression of out-of-band spurious and miniaturization of the boundary acoustic wave device can be achieved. Can be planned.
  • the so-called three-medium type boundary acoustic wave device provided with the high acoustic velocity third medium 23, as can be seen from the results shown in FIGS.
  • the entirety of the first medium 21 formed by the body in the thickness direction vibrates greatly, and the sound speed of the second medium 22 is lowered.
  • the higher order mode oozes out to the portion of the third medium 23 on the second medium 22 side
  • the higher order mode is attenuated in the third medium 23. Therefore, the higher-order mode does not reach the portion of the third medium 23 that is away from the second medium 22. Therefore, in the three-medium type boundary acoustic wave device, by setting the thickness of the third medium 23 to 0.7 ⁇ or more, the out-of-band spurious can be effectively suppressed as described above.
  • the higher mode oozes out toward the first medium 21.
  • the sound speed of the first medium 21 is slower than the sound speed of the third medium 23. That is, the higher-order mode can be leached to the LiNbO 3 side by setting the sound speed of the higher-order mode to a higher sound speed than the fast transverse wave speed of LiNbO 3 constituting the first medium 21.
  • the surface of the third medium 23 does not vibrate. For this reason, it is possible to provide wiring on the surface of the third medium 23 and to realize good characteristics.

Abstract

　弾性境界波装置において、フィルタ特性や共振子特性などの特性を向上する。　弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質２１と、第２の媒質２２と、第３の媒質２３と、ＩＤＴ電極２０と、配線電極２４とを備えている。第２の媒質２２は、第１の媒質２１の上に形成されている。第３の媒質２３は、第２の媒質２２の上に形成されている。ＩＤＴ電極２０は、第１の媒質２１と第２の媒質２２との境界に形成されている。第２の媒質２２は、第１及び第３の媒質２１,２３よりも音速が低い。第１の媒質２１の音速より第３の媒質２３の音速が高い。配線電極２４は、第３の媒質２３の上に、ＩＤＴ電極２０と平面視において少なくとも一部が重なるように形成されている。第３の媒質２３の厚みは、ＩＤＴ電極２０において励振される弾性境界波の波長の０.７倍以上である。

Description

弾性境界波装置
　本発明は、弾性境界波を利用した弾性境界波装置に関し、詳細には、圧電基板の上に形成された第１及び第２の誘電体層を有する３媒質型の弾性境界波装置に関する。
　従来、携帯電話用のＲＦフィルタやＩＦフィルタ、ＶＣＯ用共振子、テレビジョン用ＶＩＦフィルタなどに弾性波装置が用いられている。弾性波装置としては、従来、弾性表面波を利用した弾性表面波装置が一般的に用いられていたが、近年、弾性表面波装置よりも小型化が可能であることより、例えば下記の特許文献１に記載されているような、弾性境界波装置が用いられるようになってきている。
　図１５は、特許文献１に記載されている弾性境界波装置の略図的断面図である。図１５に示すように、弾性境界波装置１００は、第１の媒質層１０１を備えている。第１の媒質層１０１の上には、第２の媒質層１０２が形成されている。さらに、第２の媒質層１０２の上には、第３の媒質層１０３が形成されている。さらに、第３の媒質層１０３の上には、吸音層１０４が形成されている。第１の媒質層１０１と第２の媒質層１０２との境界には、ＩＤＴ電極１０５が形成されている。また、第２の媒質層１０２と第３の媒質層１０３との境界や、第３の媒質層１０３と吸音層１０４との境界には、配線電極１０６，１０７が形成されている。
　配線電極１０６，１０７は、弾性境界波装置１００の外側面に引き出されている。平面視において、配線電極１０６，１０７は、ＩＤＴ電極１０５と重なるように形成されている。このため、弾性境界波装置を小型化することができる。
　特許文献１には、吸音層１０４が設けられているため、この吸音層１０４によりスプリアスとなるモードが減衰され、その結果、共振周波数よりも高域側や通過帯域の高域側における複数のスプリアス応答を効果的に抑圧することができる旨が記載されている。
ＷＯ２００５／０６９４８６　Ａ１号公報
　しかしながら、特許文献１に記載されている弾性境界波装置１００では、吸音層１０４が配線電極１０６，１０７の上に設けられていた。スプリアスとなる高次モードは、吸音層１０４と第２の媒質１０２や第３の媒質１０３との間に設けられた配線電極１０６，１０７によって反射され、吸音層１０４に移行することができない。このため、吸音層１０４を、吸音媒質として作用させることができない。
　従って、高次モードのエネルギーは、再度、第２、第３の媒質層１０２、１０３に戻り、不要なスプリアスとなる。
　よって、平面視において、配線電極１０６，１０７がＩＤＴ電極１０５と重なるように形成された弾性境界波装置１００では、十分に良好なフィルタ特性や共振子特性などの特性が得られないという問題があった。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、弾性境界波装置において、フィルタ特性や共振子特性などの特性を向上することにある。
　本発明に係る弾性境界波装置は、第１の媒質と、第２の媒質と、第３の媒質と、ＩＤＴ電極と、配線電極とを備えている。第１の媒質は、圧電体からなる。第２の媒質は、第１の媒質の上に形成されている。第３の媒質は、第２の媒質の上に形成されている。ＩＤＴ電極は、第１の媒質と第２の媒質との境界に形成されている。第２の媒質は、第１及び第３の媒質よりも音速が低い。第１の媒質の音速より第３の媒質の音速が高い。配線電極は、第３の媒質の上に、ＩＤＴ電極と平面視において少なくとも一部が重なるように形成されている。第３の媒質の厚みは、ＩＤＴ電極において励振される弾性境界波の波長の０．７倍以上である。
　本発明に係る弾性境界波装置のある特定の局面では、第１の媒質は、ＬｉＮｂＯ３からなり、第２の媒質は、酸化珪素からなり、第３の媒質は、窒化珪素からなる。
　本発明に係る弾性境界波装置の他の特定の局面では、配線電極は、外部端子電極を含んでいる。
　本発明では、第２の媒質の音速が第１及び第３の媒質の音速よりも低く、かつ第３の媒質の厚みがＩＤＴ電極において励振される弾性境界波の波長の０．７倍以上とされている。このため、ＩＤＴ電極において発生する弾性境界波の高次モードを、第３の媒質の表面に存在しないように第２及び第３の媒質内に閉じ込めることができる。このため、第３の媒質の上に、ＩＤＴ電極と平面視において重なるように配線電極を形成した場合においても、高次モードが配線電極により反射されることがない。従って、高次モードに起因する特性低下を防止しつつ、弾性境界波装置の小型化を図ることができる。
図１は、弾性境界波装置の等価回路図である。 図２は、弾性境界波装置の一部分の模式的断面図である。 図３（ａ）は、実験例において作製した第１の弾性境界波装置の略図的平面図である。図３（ｂ）は、実験例において作製した第１の弾性境界波装置の一部分の模式的断面図である。 図４は、実験例において作製した第２の弾性境界波装置の略図的平面図である。 図５は、実験例において作製した第３の弾性境界波装置の略図的平面図である。 図６は、第１～第３の弾性境界波装置のフィルタ特性を表すグラフである。 図７は、第４の弾性境界波装置におけるＳＨ型の弾性境界波の変位分布を表すグラフである。 図８は、第４の弾性境界波装置における第１の高次モードの変位分布を表すグラフである。 図９は、第４の弾性境界波装置における第２の高次モードの変位分布を表すグラフである。 図１０は、第５の弾性境界波装置におけるＳＨ型の弾性境界波の変位分布を表すグラフである。 図１１は、第５の弾性境界波装置における第１の高次モードの変位分布を表すグラフである。 図１２は、第５の弾性境界波装置における第２の高次モードの変位分布を表すグラフである。 図１３（ａ）は、ＩＤＴ電極と配線電極とが平面視において重ならないようにした弾性境界波装置の模式的平面図である。図１３（ｂ）は、ＩＤＴ電極と配線電極の一部分とが平面視において重なるようにした弾性境界波装置の模式的平面図である。 図１４は、変形例に係る弾性境界波装置の模式的断面図である。 図１５は、特許文献１に記載されている弾性境界波装置の略図的断面図である。 図１６（ａ）及び（ｂ）は、特許文献１に記載されている、ＳｉＯ２／Ａｕ／ＬｉＮｂＯ３構造の弾性境界波装置において、Ａｕの厚みを０．０５λ、ＳｉＯ２膜の厚みを１．５λとした時の各スプリアスモードの変位分布を示す図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　図１は、弾性境界波装置の等価回路図である。図２は、本実施形態に係る弾性境界波装置のＩＤＴ電極が形成されている部分の模式的断面図である。本実施形態では、本発明を実施した弾性境界波装置について、図１に示す弾性境界波フィルタとしての弾性境界波装置１を例に挙げて説明する。但し、本発明において、弾性境界波装置は、弾性境界波フィルタに限定されない。本発明の弾性境界波装置は、例えば、弾性境界波共振子や複数個の弾性境界波共振子で構成されたラダー型フィルタなどであってもよい。
　なお、図１及び下記の図３～５，１３においては、ＩＤＴ電極や共振子は、模式的に記載している。
　図１に示すように、弾性境界波装置１は、不平衡入力端子１０と、第１及び第２の平衡出力端子１１ａ、１１ｂとを備えている。不平衡入力端子１０と、第１及び第２の平衡出力端子１１ａ、１１ｂとの間には、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタ部１２が接続されている。弾性境界波フィルタ部１２は、５ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性境界波フィルタ部である。
　具体的には、弾性境界波フィルタ部１２は、弾性境界波の伝搬方向に沿って配列された第１～第５のＩＤＴ電極１３ａ～１３ｅと、第１～第５のＩＤＴ電極１３ａ～１３ｅが形成されている領域の弾性波伝搬方向両側に配置されている反射器（図示せず）とを備えている。第１，第３及び第５のＩＤＴ電極１３ａ、１３ｃ、１３ｅのそれぞれの一方側は、不平衡入力端子１０に接続されている。一方、第１，第３及び第５のＩＤＴ電極１３ａ、１３ｃ、１３ｅのそれぞれの他方側は、グラウンド電極に接続されている。第２及び第４のＩＤＴ電極１３ｂ、１３ｄのそれぞれの一方側は、グラウンド電極に接続されている。第４のＩＤＴ電極１３ｄの他方側は、第１の平衡出力端子１１ａに接続されている。第２のＩＤＴ電極１３ｂの他方側は、第２の平衡出力端子１１ｂに接続されている。
　第１，第３及び第５のＩＤＴ電極１３ａ、１３ｃ、１３ｅのそれぞれの一方側と、不平衡入力端子１０との間には、直列トラップとしての弾性境界波共振子１４が接続されている。弾性境界波共振子１４は、ＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向の両側に配置されている反射器とを備えている。
　また、図１に示すように、第１，第３及び第５のＩＤＴ電極１３ａ、１３ｃ、１３ｅのそれぞれの一方側の接続点と、グラウンド電位との間には、並列容量１５が接続されている。並列容量１５は、一対の互いに間挿し合うくし歯電極により構成されている。
　第２のＩＤＴ電極１３ｂと第２の平衡出力端子１１ｂとの間の接続点と、第４のＩＤＴ電極１３ｄと第１の平衡出力端子１１ａとの間の接続点との間には、並列トラップとしての弾性境界波共振子１６が接続されている。弾性境界波共振子１６は、ＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向の両側に配置されている反射器とを備えている。
　次に、弾性境界波装置１の具体的構成について、図２を参照して詳細に説明する。なお、図２は、弾性境界波装置１に含まれる第１～第５のＩＤＴ電極１３ａ～１３ｅなどのＩＤＴ電極のうちのひとつが形成されている部分の断面図であり、図２においては、ＩＤＴ電極を符号「２０」で参照している。
　図２に示すように、弾性境界波装置１は、所謂３媒質型の弾性境界波装置である。弾性境界波装置１は、第１の媒質２１を備えている。第１の媒質２１は、圧電体からなる圧電基板である。第１の媒質２１の形成に用いる圧電体は、特に限定されず、弾性境界波装置１に求められる特性に応じて適宜選択することができる。圧電体の具体例としては、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などが挙げられる。
　第１の媒質２１の上には、上述のＩＤＴ電極２０が形成されている。
　第１の媒質２１の上には、ＩＤＴ電極２０を覆うように第２の媒質２２が形成されている。すなわち、ＩＤＴ電極２０は、第１の媒質２１と第２の媒質２２との境界に形成されている。
　第２の媒質２２の上には、第３の媒質２３が形成されている。第２の媒質２２の音速は、第１及び第３の媒質２１，２３の音速よりも低い。第３の媒質２３の音速は、第１の媒質２１の音速よりも高い。
　第２及び第３の媒質２２，２３の材料は、第２の媒質２２の音速が、第１及び第３の媒質２１，２３の音速よりも遅くなる材料であれば特に限定されない。例えば、第２及び第３の媒質２２，２３は、誘電体により形成することができる。具体的には、例えば、第２の媒質２２をＳｉＯ２などの酸化珪素から形成し、第３の媒質２３をＳｉＮなどの窒化珪素により形成することができる。
　第２の媒質２２の厚みは、特に限定されず、弾性境界波装置１に要求される特性などに応じて適宜設定することができる。一方、第３の媒質２３の厚みは、ＩＤＴ電極２０において励振される弾性境界波の波長（λ）の０．７倍以上である。
　また、本実施形態では、第３の媒質２３の上に、保護膜２５が形成されている。この保護膜２５は、後述する配線電極２４を保護するための保護膜である。保護膜２５は、例えば、ポリイミドにより形成することができる。
　また、弾性境界波装置１には、ＩＤＴ電極２０に接続されている配線電極２４を備えている。配線電極２４は、第１の媒質２１と第２の媒質２２との境界と、第３の媒質２３と保護膜２５との境界とに形成されており、第２の媒質２２と第３の媒質との境界には、形成されていない。すなわち、配線電極２４は、ＩＤＴ電極２０が形成されている第１の媒質２１と第２の媒質２２との境界以外では、第３の媒質２３の上にのみ形成されている。配線電極２４の少なくとも一部は、平面視において、ＩＤＴ電極２０と重なっている。
　なお、図２に示すように、配線電極２４には、保護膜２５から露出する外部端子電極としてのバンプ電極２６が含まれている。
　本実施形態では、上述のように、第１の媒質２１の上に、第２及び第３の媒質２２，２３が形成されており、かつ第３の媒質２３の厚みがＩＤＴ電極２０において励振される弾性境界波の波長（λ）の０．７倍以上とされている。このため、ＩＤＴ電極２０において発生する弾性境界波の高次モードを、第３の媒質の表面に存在しないように第２及び第３の媒質２２，２３内に閉じ込めることができる。すなわち、本実施形態では、基本モードのみならず、高次モードも第３の媒質２３の表面にまでは到達しない。従って、第３の媒質２３の上に形成されている配線電極２４によって高次モードの形状が変化することに起因して、フィルタ特性や共振子特性などの特性が低下することがない。
　以下、この効果について、具体例に基づいてさらに詳細に説明する。
　まず、第３の媒質２３を設けずに、第２の媒質２２の上に配線電極２４を設けたこと、及び第２の媒質２２上の配線電極２４とＩＤＴ電極とが平面視において重ならないようにしたこと以外は、図１及び図２に示す弾性境界波装置１と同様の弾性境界波装置（ＧＳＭ９００受信フィルタ用、通過帯域：９２５ＭＨｚ～９６０ＭＨｚ）を、第１の弾性境界波装置として、下記の設計パラメータで作製した。
　図３（ａ）は、第１の弾性境界波装置の略図的平面図である。図３（ｂ）は、第１の弾性境界波装置の一部分の模式的断面図である。
　なお、この図３（ａ）及び下記の図４，５，１３においては、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照している。また、図３～図５及び図１３において、符号１７は、グラウンド電極を表している。
　第１の媒質２１：カット角が１５°のＬｉＮｂＯ３
　ＩＤＴ電極２０：第１の媒質側からＴｉ膜（厚さ１０ｎｍ（０．００２９λ））／Ｐｔ膜（厚さ１０ｎｍ（０．００２９λ））／Ａｕ膜（厚さ１３０ｎｍ（０．０３７λ））／Ｐｔ膜（厚さ１０ｎｍ（０．００２９λ））／Ｔｉ膜（厚さ１０ｎｍ（０．００２９λ））／ＮｉＣｒ膜（厚さ１０ｎｍ（０．００２９λ））
　ＩＤＴ電極２０の電極指のピッチで定まる波長（λ）：約３．５μｍ
　ＩＤＴ電極２０のデューティー：０．６０
　第２の媒質２２：ＳｉＯ２（厚さ５５００ｎｍ（１．５７λ））
　配線電極２４：第２の媒質２２側からＴｉ膜（厚さ２０ｎｍ（０．００５７λ））／ＡｌＣｕ膜（厚さ１０００ｎｍ（０．２９λ））／Ｔｉ膜（厚さ５０ｎｍ（０．０１４λ））／Ｐｔ膜（厚さ２０ｎｍ（０．００５７λ））
　保護膜２５：ポリイミド膜（厚さ７０００ｎｍ、２．０λ）
　また、弾性境界波フィルタ１３および弾性境界波共振子１４，１６における全てのＩＤＴ電極２０の上に、ダミー電極３０を形成したこと以外は、上記第１の弾性境界波装置と同様にして図４に示す第２の弾性境界波装置を作製した。
　さらに、弾性境界波フィルタ部のＩＤＴ電極の上のみにダミー電極３０を形成したこと以外は、上記第１の弾性境界波装置と同様にして図５に示す第３の弾性境界波装置を作製した。
　上記第１～第３の弾性境界波装置のフィルタ特性を測定した。測定結果を図６に示す。なお、図６において、「Ａ」で示すデータは、第１の弾性境界波装置のフィルタ特性を表している。「Ｂ」で示すデータは、第２の弾性境界波装置のフィルタ特性を表している。「Ｃ」で示すデータは、第３の弾性境界波装置のフィルタ特性を表している。
　図６に示すように、厚さが１．５７λの第２の媒質２２のみを形成し、第３の媒質２３を形成しない場合は、ＩＤＴ電極２０の上にダミー電極３０が位置していると、図６に点線で示す領域Ｘ１，Ｘ２などに位置する帯域外スプリアスが大きくなる傾向にある。
　次に、本発明者らは、この帯域外スプリアスの原因を探求すべく、カット角が１５°であるＬｉＮｂＯ３基板の上に、厚みが０．６λであるＳｉＯ２膜（第２の媒質２２）及び厚みが２．４λであるＳｉＮ膜（第３の媒質２３）を形成した第４の弾性境界波装置と、カット角が１５°であるＬｉＮｂＯ３基板の上に、厚みが０．６λであるＳｉＯ２膜、厚みが２．４λであるＳｉＮ膜及びＡｌからなる配線電極（厚み：０．１λ）を形成した第５の弾性境界波装置とを作製し、弾性境界波の変位分布を測定した。なお、第４及び第５の弾性境界波装置においてＩＤＴ電極（厚み：０．０６λ）はＡｕにより形成した。
　図７は、第４の弾性境界波装置におけるＳＨ型の弾性境界波の変位分布を表すグラフである。図８は、第４の弾性境界波装置における第１の高次モードの変位分布を表すグラフである。図９は、第４の弾性境界波装置における第２の高次モードの変位分布を表すグラフである。
　また、図１０は、第５の弾性境界波装置におけるＳＨ型の弾性境界波の変位分布を表すグラフである。図１１は、第５の弾性境界波装置における第１の高次モードの変位分布を表すグラフである。図１２は、第５の弾性境界波装置における第２の高次モードの変位分布を表すグラフである。
　ここで、第１の高次モードとは、Ｙ成分を主体とする高次モードで、第２の高次モードとは、Ｚ成分を主体とする高次モードである。
　なお、図７～図１２において、横軸は変位であり、縦軸は、第１の媒質の表面を基準）（０）とした場合の深さ（λ）である。また、「△」は、弾性波伝搬方向（Ｘ）における変位を表し、「○」は、第１の媒質２１の表面上において弾性波伝搬方向（Ｘ）に垂直な方向（Ｚ）における変位を表し、「×」は、方向（Ｘ）及び方向（Ｚ）に垂直な厚み方向（Ｙ）における変位を表す。
　図７に示す結果から、ＳＨ型の弾性境界波（基本モード）は、第２の媒質２２内に閉じ込められており、第３の媒質２３にはほとんど浸み出していないことが分かる。図１０に示す結果から、第３の媒質２３の上に配線電極が設けられている場合についても同様に、ＳＨ型の弾性境界波は、第２の媒質２２内に閉じ込められており、第３の媒質２３にはほとんど浸み出していないことが分かる。
　図８及び図１１に示す結果から、第１の高次モードについても、配線電極の存否に関わらず、第２の媒質２２内に閉じ込められており、第３の媒質２３にはほとんど浸み出していないことが分かる。
　それに対して、図９及び図１２に示す結果から、第２の高次モードについては、配線電極の存否に関わらず、第３の媒質２３に浸み出していることが分かる。具体的には、第２の高次モードは、深さ１．３λにまで浸み出している。このため、第２の媒質２２の厚みが０．６λであることを勘案すると、第３の媒質２３の深さ０．７λの部分にまで第２の高次モードが浸み出していることが分かる。このことから、第３の媒質２３が設けられていなかったり、第３の媒質２３の厚みが０．７λ未満であったりする場合は、ＩＤＴ電極２０の上に位置している配線電極２４にまで第２の高次モードが到達する。そして、第２の高次モードが配線電極２４において変形し、反射されることに起因して帯域外スプリアスが発生するものと考えられる。
　第３の媒質２３を設けない場合の高次モードの変位分布は、例えば、図１６のように、特許文献１に示されている。
　図１６（ａ）及び（ｂ）は、特許文献１に記載されている、ＳｉＯ２／Ａｕ／ＬｉＮｂＯ３構造の弾性境界波装置において、Ａｕの厚みを０．０５λ、ＳｉＯ２膜の厚みを１．５λとした時の各スプリアスモードの変位分布を示す図である。
　図１６に示すように、第２の媒質２２の表面まで高次モードの変位が存在する。従って、第２の媒質２２の表面に配線電極２４を設け、及び第２の媒質２２上の配線電極２４とＩＤＴ電極とが平面視において重なるようにしたとすると、高次モードが配線電極２４において変形し、反射されることに起因して帯域外スプリアスが発生する。
　帯域外スプリアスを抑圧する方法としては、図１３（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極２０と配線電極２４とが高さ方向に重畳しないように配線電極２４を形成することが考えられる。しかしながら、ＩＤＴ電極２０と配線電極２４とが平面視において重ならないようにした場合、例えば、ＩＤＴ電極２０と配線電極２４の一部分とが平面視において重なるようにした図１３（ｂ）に示す場合と比較して、弾性境界波装置の寸法が大きくなる。従って、帯域外スプリアスの抑圧と、弾性境界波装置の小型化とを両立させることが困難である。
　それに対して、上述のように、第２の高次モードは、第３の媒質２３の深さ０．７λの部分にまでしか浸み出していないため、上記実施形態のように、第３の媒質２３の厚さを０．７λ以上とすることによって、第２の高次モードが第３の媒質２３の表面にまで到達しないようにすることができる。従って、第３の媒質２３の厚みが０．７λ以上である場合は、ＩＤＴ電極２０と平面視において重なるように配線電極２４を形成した場合であっても帯域外スプリアスを効果的に抑圧することができる。すなわち、第３の媒質２３の厚みを０．７λ以上とし、第３の媒質２３の表面に配線電極２４を形成するとによって、帯域外スプリアスの抑圧と、弾性境界波装置の小型化との両立を図ることができる。
　なお、第３の媒質を設けない２媒質型の弾性境界波装置においては、第２の媒質を厚くした場合であっても、上述の帯域外スプリアスを抑圧できるという効果は得難い。なぜならば、２媒質型の弾性境界波装置では、第２の媒質の上に、第２の媒質よりも音速の高い媒質がないため、高次モードにおいて、第２の媒質の厚さ方向における全体が大きく振動し、第２の媒質を厚くした場合であっても、高次モードが第２の媒質の表面にまで達するからである。
　それに対して、高音速の第３の媒質２３を設けた所謂３媒質型の弾性境界波装置においては、図８，９，１１，１２に示す結果からも分かるように、高次モードにおいて、圧電体により形成されている第１の媒質２１の厚さ方向における全体が大きく振動し、かつ、第２の媒質２２の音速が低くされている。このため、第３の媒質２３の第２の媒質２２側の部分には、高次モードが浸み出すものの、高次モードは第３の媒質２３内において減衰する。よって、第３の媒質２３の第２の媒質２２から離れた部分までは高次モードが達しない。従って、３媒質型の弾性境界波装置においては、第３の媒質２３の厚さを０．７λ以上にすることによって、上述のように、帯域外スプリアスを効果的に抑圧することができる。
　図８，９，１１，１２に示す結果から高次モードが第１の媒質２１側へ浸み出していることが分かる。これは、第３の媒質２３の音速より第１の媒質２１の音速が遅いことによる。すなわち、高次モードの音速を、第１の媒質２１を構成するＬｉＮｂＯ３の速い横波音速より高音速とすることにより、高次モードをＬｉＮｂＯ３側へ浸み出させることができる。これによって、第３の媒質２３の表面は振動しないことになる。このため、第３の媒質２３の表面に配線を設けることが可能となり、良好な特性を実現できる。
　（変形例）
　図１３（ｂ）に示す例では、グラウンド電極１７が２つ設けられているが、図１４に示すように、グラウンド電極１７は、ひとつのみ形成されていてもよい。このようにすることによって、弾性境界波装置をさらに小型化することができる。
１…弾性境界波装置
１０…不平衡入力端子
１１ａ…第１の平衡出力端子
１１ｂ…第２の平衡出力端子
１２…弾性境界波フィルタ部
１３…弾性境界波フィルタ
１３ａ…第１のＩＤＴ電極
１３ｂ…第２のＩＤＴ電極
１３ｃ…第３のＩＤＴ電極
１３ｄ…第４のＩＤＴ電極
１３ｅ…第５のＩＤＴ電極
１４…弾性境界波共振子
１５…並列容量
１６…弾性境界波共振子
１７…グラウンド電極
２０…ＩＤＴ電極
２１…第１の媒質
２２…第２の媒質
２３…第３の媒質
２４…配線電極
２５…保護膜
２６…バンプ電極
３０…ダミー電極

Claims (3)

  1. 　圧電体からなる第１の媒質と、
    　前記第１の媒質の上に形成されている第２の媒質と、
    　前記第２の媒質の上に形成されている第３の媒質と、
    　前記第１の媒質と前記第２の媒質との境界に形成されているＩＤＴ電極と、
    　配線電極とを備え、前記第２の媒質の音速が前記第１及び第３の媒質の音速よりも低く、前記第１の媒質の音速より前記第３の媒質の音速が高い弾性境界波装置であって、
    　前記配線電極は、前記第３の媒質の上に、前記ＩＤＴ電極と平面視において少なくとも一部が重なるように形成されており、
    　前記第３の媒質の厚みは、前記ＩＤＴ電極において励振される弾性境界波の波長の０．７倍以上である、弾性境界波装置。
  2. 　前記第１の媒質は、ＬｉＮｂＯ３からなり、前記第２の媒質は、酸化珪素からなり、前記第３の媒質は、窒化珪素からなる、請求項１に記載の弾性境界波装置。
  3. 　前記配線電極は、外部端子電極を含む、請求項１または２に記載の弾性境界波装置。
PCT/JP2010/057823 2009-05-12 2010-05-07 弾性境界波装置 WO2010131606A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011513318A JPWO2010131606A1 (ja) 2009-05-12 2010-05-07 弾性境界波装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-115552 2009-05-12
JP2009115552 2009-05-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010131606A1 true WO2010131606A1 (ja) 2010-11-18

Family

ID=43084978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/057823 WO2010131606A1 (ja) 2009-05-12 2010-05-07 弾性境界波装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2010131606A1 (ja)
WO (1) WO2010131606A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2763315A4 (en) * 2011-09-30 2015-10-07 Murata Manufacturing Co ELASTIC WAVING DEVICE

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006114930A1 (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置
JP2006526919A (ja) * 2003-06-04 2006-11-24 エプコス　アクチエンゲゼルシャフト 電気音響構成素子および製造方法
WO2007083432A1 (ja) * 2006-01-18 2007-07-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置及び弾性境界波装置
WO2009022410A1 (ja) * 2007-08-14 2009-02-19 Fujitsu Limited 弾性境界波装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005069486A1 (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置
JP4710456B2 (ja) * 2005-07-15 2011-06-29 株式会社村田製作所 弾性境界波装置及びその製造方法
JP4937605B2 (ja) * 2006-03-07 2012-05-23 太陽誘電株式会社 弾性境界波デバイス

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006526919A (ja) * 2003-06-04 2006-11-24 エプコス　アクチエンゲゼルシャフト 電気音響構成素子および製造方法
WO2006114930A1 (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置
WO2007083432A1 (ja) * 2006-01-18 2007-07-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置及び弾性境界波装置
WO2009022410A1 (ja) * 2007-08-14 2009-02-19 Fujitsu Limited 弾性境界波装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2763315A4 (en) * 2011-09-30 2015-10-07 Murata Manufacturing Co ELASTIC WAVING DEVICE
US9190981B2 (en) 2011-09-30 2015-11-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device including a supporting substrate, medium layer, and piezoelectric body

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2010131606A1 (ja) 2012-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9035725B2 (en) Acoustic wave device
JP4337816B2 (ja) 弾性境界波装置
CN111162748A (zh) 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
WO2016104598A1 (ja) 弾性波装置
US7728699B2 (en) Acoustic wave filter
JP6453913B2 (ja) 弾性波装置、分波器および通信装置
JP5338914B2 (ja) 弾性波素子と、これを用いたデュプレクサおよび電子機器
JP2008109413A5 (ja)
JP2008109413A (ja) 弾性波デバイスおよびフィルタ
JP6284800B2 (ja) 弾性表面波デバイス及びフィルタ
JP7278305B2 (ja) 弾性波装置、分波器および通信装置
JP6854891B2 (ja) 弾性波装置、分波器および通信装置
US10270425B2 (en) Acoustic wave resonator, filter, and multiplexer
JP4738164B2 (ja) 弾性表面波装置及び通信装置
KR20180123562A (ko) 탄성파 장치
JP6530494B2 (ja) 弾性表面波素子
JP5695191B2 (ja) 弾性波デバイスおよびモジュール
JP5083469B2 (ja) 弾性表面波装置
WO2008056697A1 (fr) Résonateur d'onde acoustique de surface
JP7073392B2 (ja) 弾性波素子
JP2008078981A (ja) 弾性表面波共振器およびこれを用いた弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器
JP2008035220A (ja) 弾性表面波装置及び通信装置
WO2010125934A1 (ja) 弾性波装置
WO2010131606A1 (ja) 弾性境界波装置
JP5872196B2 (ja) 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10774863

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011513318

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10774863

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1