JPWO2007083432A1 - 弾性表面波装置及び弾性境界波装置 - Google Patents

弾性表面波装置及び弾性境界波装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2007083432A1
JPWO2007083432A1 JP2007554818A JP2007554818A JPWO2007083432A1 JP WO2007083432 A1 JPWO2007083432 A1 JP WO2007083432A1 JP 2007554818 A JP2007554818 A JP 2007554818A JP 2007554818 A JP2007554818 A JP 2007554818A JP WO2007083432 A1 JPWO2007083432 A1 JP WO2007083432A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
wave filter
surface acoustic
cover
support layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007554818A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4670872B2 (ja
Inventor
伸拓 田中
伸拓 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2007083432A1 publication Critical patent/JPWO2007083432A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4670872B2 publication Critical patent/JP4670872B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05005—Structure
    • H01L2224/05008—Bonding area integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body, e.g.
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/0502—Disposition
    • H01L2224/05022—Disposition the internal layer being at least partially embedded in the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/0502—Disposition
    • H01L2224/05024—Disposition the internal layer being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/0502—Disposition
    • H01L2224/05026—Disposition the internal layer being disposed in a recess of the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05075—Plural internal layers
    • H01L2224/0508—Plural internal layers being stacked
    • H01L2224/05085—Plural internal layers being stacked with additional elements, e.g. vias arrays, interposed between the stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05166—Titanium [Ti] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05569—Disposition the external layer being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/0557—Disposition the external layer being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0612—Layout
    • H01L2224/0613—Square or rectangular array
    • H01L2224/06134—Square or rectangular array covering only portions of the surface to be connected
    • H01L2224/06135—Covering only the peripheral area of the surface to be connected, i.e. peripheral arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

容量結合を低減することができる弾性表面波装置及び弾性境界波装置を提供する。圧電基板１２とカバー３２とが、支持層３０を介して間隔を設けて結合されている。圧電基板１２のカバー３２に対向する主面１４には、支持層３０の内側に、送信側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成されている。カバー３２に関して圧電基板１２とは反対側に、送信側弾性表面波フィルタ及び受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極２８が形成されている。受信側弾性表面波フィルタとアンテナ端子とを電気的に接続する配線の一部が、カバー３２に設けられている。

Description

本発明は、弾性表面波装置及び弾性境界波装置に関する。
近年、弾性表面波フィルタなどの弾性表面波装置や弾性境界波フィルタなどの弾性境界波装置について、素子チップサイズまでパッケージを小型化するウェハーレベル・チップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の開発が進められている。
例えば図１３に示す弾性表面波装置では、ＩＤＴ（櫛形電極）２、反射器３、パッド４を含む導電パターンを形成した圧電基板１と、外部電極８を設けた樹脂基板７とを対向配置し、光硬化性樹脂６ａ，６ｂで接着封止し、パッド４と外部電極８との間を電気的に接続するように構成されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３７４７１号公報
このように圧電基板をカバーで覆って封止する構造を、弾性表面波装置や弾性境界波装置に適用すると、容量結合が増大することがある。特に、ウェハーレベル・チップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）構造を採用して小型化を進めた場合、容量結合の増大が大きくなる。容量結合が増大すると、アイソレーション特性、ＶＳＷＲの劣化につながる。
本発明は、かかる実情に鑑み、信号線同士の容量結合を低減することができる弾性表面波装置及び弾性境界波装置を提供しようとするものである。
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面装置を提供する。
弾性表面波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に外部電極が形成されている。該外部電極は、前記送信側弾性表面波フィルタ及び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む。前記受信側弾性表面波フィルタと前記アンテナ端子とを電気的に接続する配線が、（ａ）前記圧電基板上に形成された圧電基板配線と、（ｂ）前記カバーの上面または下面に設けられているカバー配線と、（ｃ）前記圧電基板配線の一端と前記カバー配線の一端とを、前記支持層および前記カバーを貫通して接続するビア配線と、を含んでいる。
上記構成によれば、カバー配線およびビア配線により、受信側弾性表面波フィルタとアンテナ端子とを電気的に接続する配線のうち圧電基板に設けられる圧電基板配線を短くしたり、離したりして、信号線同士の容量結合を低減することができる。
好ましくは、前記受信側弾性表面波フィルタは、不平衡信号が入力される一つの不平衡信号端子と、平衡信号を出力する一対の平衡信号端子とを含むバランス型弾性表面波フィルタである。前記アンテナ端子は、前記不平衡信号端子に電気的に接続されている。前記受信出力端子は、前記平衡信号端子に電気的に接続されている。
上記構成によれば、特にバランス特性の良好なバランス型弾性表面波装置が得られる。
なお、受信出力端子は、バランス型フィルタの一対の平衡信号端子にそれぞれ接続された一対の外部電極であってもよい。
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面波装置を提供する。
弾性表面波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に外部電極が形成されている。該外部電極は、前記送信側弾性表面波フィルタ及び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む。前記送信側弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波共振子を含む。互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波共振子の間を電気的に接続する配線が、（ａ）前記カバーの上面または下面に設けられている少なくとも１個のカバー配線と、（ｂ）該少なくとも１個のカバー配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、を含んでいる。
上記構成によれば、カバー配線およびビア配線により、送信側弾性表面波フィルタの互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の弾性表面波共振子の間を電気的に接続する配線のうち、圧電基板に設けられる配線を無くしたり、短くしたり、離したりすることで、信号線同士の容量結合を低減することができる。
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面波装置を提供する。
弾性表面波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に外部電極が形成されている。該外部電極は、前記送信側弾性表面波フィルタ及び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む。前記受信側弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波共振子を含む。互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波共振子の間を電気的に接続する配線が、（ａ）前記カバーの上面または下面に設けられている少なくとも１個のカバー配線と、（ｂ）該少なくとも１個のカバー配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、を含んでいる。
上記構成によれば、受信側弾性表面波フィルタの互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の弾性表面波共振子の間を電気的に接続する配線のうち、圧電基板に設けられる配線を無くしたり、短くしたり、離したりすることで、信号線同士の容量結合を低減することができる。
なお、受信側弾性表面波フィルタの互いに隣り合って直列接続される少なくとも１組の複数の弾性表面波共振子は、ＩＤＴが３つの縦結合共振子型弾性表面波フィルタと、ＩＤＴが一つの弾性表面波共振子とであってもよい。
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面波装置を提供する。
弾性表面波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、弾性表面波フィルタが形成され、前記カバーに関して前記圧電基板とは反対側に、前記弾性表面波フィルタに電気的に接続された入力端子と出力端子を含む外部端子が形成されている。前記弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波素子を含む。互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波素子の間を電気的に接続する配線が、（ａ）前記カバーの上面または下面に設けられている少なくとも１個のカバー配線と、（ｂ）該少なくとも１個のカバー配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波素子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、を含んでいる。
上記構成によれば、信号配線同士の容量結合が低減される。
好ましくは、上記各構成において、前記圧電基板の前記主面に垂直な方向から見たとき、前記圧電基板の周部よりも内側に前記カバーが配置されている。前記カバーの前記圧電基板とは反対側の前記主面から前記圧電基板の前記主面の前記周部まで全体的に覆う補強樹脂をさらに備える。
上記構成によれば、補強樹脂により、受信側弾性表面波フィルタ及び送信側弾性表面波フィルタを密封することができるので、十分な耐湿性が得られる。これによって、例えば、弾性表面波装置を回路基板に実装した後に樹脂で覆う必要がなくなる。
好ましくは、前記カバー配線が、メッキによって形成される。
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性境界装置を提供する。
弾性境界波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、前記圧電基板と前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性境界波フィルタとが形成され、前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、外部電極が形成されている。該外部電極は、前記送信側弾性境界波フィルタ及び前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む。前記受信側弾性境界波フィルタと前記アンテナ端子とを電気的に接続する配線が、（ａ）前記圧電基板上に形成された圧電基板配線と、（ｂ）前記支持層の上面に設けられている支持層配線と、（ｃ）前記圧電基板配線の一端と前記支持層配線の一端とを、前記支持層を貫通して接続するビア配線と、を含んでいる。
上記構成によれば、カバー配線およびビア配線により、受信側弾性境界波フィルタとアンテナ端子とを電気的に接続する配線のうち圧電基板に設けられる圧電基板配線を短くしたり、離したりして、信号線同士の容量結合を低減することができる。
好ましくは、前記受信側弾性境界波フィルタは、不平衡信号が入力される一つの不平衡信号端子と、平衡信号を出力する一対の平衡信号端子とを含むバランス型弾性境界波フィルタである。前記アンテナ端子は、前記不平衡信号端子に電気的に接続されている。前記受信出力端子は、前記平衡信号端子に電気的に接続されている。
上記構成によれば、特にバランス特性の良好なバランス型弾性境界波装置が得られる。
なお、受信出力端子は、バランス型フィルタの一対の平衡信号端子にそれぞれ接続された一対の外部電極であってもよい。
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性境界波装置を提供する。
弾性境界波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、前記圧電基板と前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性境界波フィルタとが形成され、前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、外部電極が形成されている。該外部電極は、前記送信側弾性境界波フィルタ及び前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む。前記送信側弾性境界波フィルタは、直列接続された複数の弾性境界波共振子を含む。互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波共振子の間を電気的に接続する配線が、（ａ）前記支持層の上面に設けられている少なくとも１個の支持層配線と、（ｂ）該少なくとも１個の支持層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、を含んでいる。
上記構成によれば、カバー配線およびビア配線により、送信側弾性境界波フィルタの互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の弾性境界波共振子の間を電気的に接続する配線のうち、圧電基板に設けられる配線を無くしたり、短くしたり、離したりすることで、信号線同士の容量結合を低減することができる。
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性境界波装置を提供する。
弾性境界波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、前記圧電基板の前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性境界波フィルタとが形成され、前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、外部電極が形成されている。該外部電極は、前記送信側弾性境界波フィルタ及び前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む。前記受信側弾性境界波フィルタは、直列接続された複数の弾性境界波共振子を含む。互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波共振子の間を電気的に接続する配線が、（ａ）前記支持層の上面に設けられている少なくとも１個の支持層配線と、（ｂ）該少なくとも１個の支持層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、を含んでいる。
上記構成によれば、受信側弾性境界波フィルタの互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の弾性境界波共振子の間を電気的に接続する配線のうち、圧電基板に設けられる配線を無くしたり、短くしたり、離したりすることで、信号線同士の容量結合を低減することができる。
なお、受信側弾性境界波フィルタの互いに隣り合って直列接続される少なくとも１組の複数の弾性境界波共振子は、ＩＤＴが３つの縦結合共振子型弾性境界波フィルタと、ＩＤＴが一つの弾性境界波共振子とであってもよい。
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性境界波装置を提供する。
弾性境界波装置は、圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、前記圧電基板と前記支持層との界面に、弾性境界波フィルタが形成され、前記カバーに関して前記圧電基板とは反対側に、前記弾性境界波フィルタに電気的に接続された入力端子と出力端子を含む外部端子が形成されている。前記弾性境界波フィルタは、直列接続された複数の弾性境界波素子を含む。互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波素子の間を電気的に接続する配線が、（ａ）前記支持層の上面に設けられている少なくとも１個の支持層配線と、（ｂ）該少なくとも１個の支持層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波素子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、を含んでいる。
上記構成によれば、信号配線同士の容量結合が低減される。
好ましくは、前記支持層配線が、メッキによって形成される。
本発明によれば、弾性表面波装置や弾性境界波装置の信号配線同士の容量結合を低減することができる。
弾性表面波装置の断面図である。（実施例１） 圧電基板上の導電パターン構成図である。（実施例１） 弾性表面波装置の上面図である。（実施例１） 圧電基板上の導電パターン構成図である。（比較例） 弾性表面波装置の上面図である。（比較例） アイソレーション特性を示すグラフである。（実施例１、比較例） 圧電基板上の導電パターン構成図である。（実施例３） 圧電基板上の導電パターン構成図である。（実施例４） 圧電基板上の導電パターン構成図である。（実施例５） 弾性表面波装置の上面図である。（実施例５） 弾性表面波装置の断面図である。（実施例５） 弾性境界波装置の断面である。（実施例６） 弾性表面波装置の断面である。（従来技術）
符号の説明
１０，１０ｘ，１０ｙ，１０ｚ 弾性表面波装置
１２ 圧電基板
２４，２４ｘ，２４ｙ，２４ｚ ビア配線
２５ｖ，２５ｘ，２５ｙ，２５ｚ カバー配線
２８，２８ａ〜２８ｈ 外部電極
３０ 支持層
３２ カバー
５０ 受信側弾性表面波フィルタ
６０ 送信側弾性表面波フィルタ
７０ 受信側弾性表面波フィルタ
８０ 弾性表面波フィルタ
５００ 弾性境界波装置
５１０ 圧電基板
５２５ ビア配線
５２６ 支持層配線
５３０ 支持層
５４０ カバー
以下、本発明の実施の形態について実施例を、図１〜図１２を参照しながら説明する。
まず、弾性表面波装置についての実施例１〜５について、図１〜図１１を参照しながら説明する。
＜実施例１＞ 実施例１の弾性表面波装置１０について、図１〜図６を参照しながら説明する。
図１の断面図に示すように、弾性表面波装置１０は、圧電基板１２の一方の主面である上面１４に、ＩＤＴ２２とパッド２３を含む導電パターン２０が形成されている。上面１４には、支持層３０によって間隔を設けてカバー３２を対向配置して、ＩＤＴ２２の周囲に振動空間１６を形成する。すなわち、支持層３０の内側にＩＤＴ２２が配置され、圧電基板１２は、振動空間１６に隣接する部分において弾性表面波が自由に伝搬するようになっている。支持層３０は、圧電基板１２の上面１４の周部１５より内側に形成されている。
さらに、補強樹脂３６が、カバー３２の上面３３から圧電基板１２の上面１４の周部１５までを全体的に覆っている。補強樹脂３６からは、外部電極２８が露出しており、弾性表面波装置１０を電気機器等の回路基板に実装することができるようになっている。
カバー３２及び補強樹脂３６には貫通孔が形成され、パッド２３と外部電極２８とを接続する導電パターン２４，２６が通るようになっている。導電パターン２４，２６は、カバー３２の上面３３に形成された導電パターン２５によって接続され、あるいは、図示していないが直接接続される。導電パターン２４，２５，２６は、メッキで形成される。
補強樹脂３６は、弾性表面波装置１０の圧電基板１２の上面１４の外縁に沿って全周に渡って延在し、圧電基板１２の上面１４側を封止する。これによって、振動空間１６が密封され、外界から遮断される。
弾性表面波装置１０は、集合基板の状態で複数個を同時に製造することができる。例えば、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３の圧電基板１２のウェハ（集合基板）の上面１４に金属膜の蒸着等により導電パターン２０を形成した後、感光性樹脂を用いて支持層３０を形成し、その上にカバー３２となる樹脂製のシート材を貼り付ける。レーザー加工等により、シート材を弾性表面波装置１０の個片ごとに分割する。また、シート材及び支持層３０に、パッド２３に達する貫通孔を形成した後、メッキにより導電パターン２４（ビア配線）を形成する。さらに、カバー３２の上面３３に、メッキにより導電パターン２５を形成した後、ウェハの上面１４側に補強樹脂３６を塗布し、補強樹脂３６に貫通孔を形成する。貫通孔は、補強樹脂に感光性樹脂を用いる場合にはリソグラフィで、非感光性樹脂を用いる場合にはレーザーで加工する。補強樹脂３６の貫通孔にメッキにより導電パターン２６を形成し、さらにメッキにより外部電極２８を形成する。最後に、弾性表面波装置１０の個片に分割する。
弾性表面波装置１０は分波器であり、図２に模式的に示すように、圧電基板１２の上面１４には、受信側弾性表面波フィルタ５０と、送信側弾性表面波フィルタ６０と、７つのパッド５２，５４，５６，５８，６２，６４，６８とが形成されている。
受信側弾性表面波フィルタ５０は、不平衡−平衡変換機能を有するバランス型フィルタであり、２つの共振子１００，１１０と、４つの縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１２０，１３０，１４０，１５０とで構成されている。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１２０，１３０，１４０，１５０は、それぞれ、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置された３つのＩＤＴ１２２，１２４，１２６；１３２，１３４，１３６；１４２，１４４，１４６；１５２，１５４，１５６を含む。
詳しくは、アンテナに接続される受信側アンテナパッド５２に、共振子１００，１１０の一端が並列に接続され、共振子１００，１１０の他端には、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１２０，１３０の中央のＩＤＴ１２４，１３４がそれぞれ接続されている。共振子１００，１１０は、フィルタ帯域の高域側特性を改善するために用いているが、省略することも可能である。
縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１２０，１３０には、それぞれ、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１４０，１５０が縦続接続され、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１４０，１５０の中央のＩＤＴ１４４，１５４に接続された平衡信号パッド５４，５６から、位相が約１８０度ずれた平衡信号が出力されるようになっている。
アースパッド５８に接続されるアース配線（太線で図示）は、圧電基板１２の上面１４及び他の配線の上に形成された絶縁層１６０，１６２，１６４，１７０，１７２，１７４の上に形成され、他の配線と立体交差するようになっている。
なお、共振子１００，１１０や縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１２０，１３０，１４０，１５０には、ＩＤＴの外側に反射器（図示せず）を設けるようにしてもよい。
送信側弾性表面波フィルタ６０は、７つの共振子２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２７０で構成された３段のラダー型フィルタである。共振子２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２７０は、それぞれ、ＩＤＴ２１２，２２２，２３２，２４２，２５２，２６２，２７２の両側に反射器２１４，２２４，２３４，２４４，２５４，２６４，２７４が配置されている。
共振子２１０，２２０，２３０，２４０は、送信信号が入力される送信入力パッド６４と、アンテナに接続される送信側アンテナパッド６２との間に直列に接続されている。
隣接する共振子２１０，２２０，２３０，２４０の間には、それぞれ、共振子２５０，２６０，２７０が並列に接続されている。すなわち、共振子２５０の一端は、直列に接続されている共振子２１０，２２０の接続点に接続され、他端は、アースパッド６８に接続されている。共振子２６０の一端は、直列に接続されている共振子２２０，２３０の接続点に接続され、他端は、アースパッド６８に接続されている。共振子２７０の一端は、直列に接続されている共振子２３０，２４０の接続点に接続され、他端は、アースパッド６８に接続されている。
図３の平面図に示すように、弾性表面波装置１０の上面１１（図１参照）には、外部電極２８（図１参照）として、８つの外部電極２８ａ〜２８ｈが設けられている。また、カバー３２の上面３３に形成される導電パターン２５（図１参照）として、破線で示す導電パターン２５ａ〜２５ｅ，２５ｖが形成されている。導電パターン２５ａ〜２５ｅ，２５ｖは、導電パターン２４，２６（図１）と共に、外部電極２８ａ〜２８ｈとパッド５２，５４，５６，５８，６２，６４，６８との間を電気的に接続する。
外部電極２８ｂは、受信側弾性表面波フィルタ５０の受信側アンテナパッド５２と送信側フィルタ６０の送信側アンテナパッド６２とに接続されたアンテナ端子である。外部電極２８ｅは、送信側弾性表面波フィルタ６０の送信入力パッド６４に接続されており、送信入力端子である。外部電極２８ｇは、受信側弾性表面波フィルタ５０の平衡信号端子である平衡信号パッド５６に接続されている。外部電極２８ｈは、受信側弾性表面波フィルタ５０の平衡信号端子である平衡信号パッド５４に接続されている。外部電極２８ｇ，２８ｈは、受信出力端子である。
導電パターン２５ｖは、受信側弾性表面波フィルタ５０の入力端５１（図２参照）とアンテナ端子（外部電極２８ｂ）との間を接続する配線の一部である。配線の一部に導電パターン２５ｖ（カバー配線）を含めることにより、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーションの改善効果が得られる。
すなわち、弾性表面波装置１０の圧電基板１２に使用されるＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３は、比誘電率が４０〜５０程度と大きい。このため、１チップ化した弾性表面波装置１０の配線引き回しを圧電基板１２上で行うと、配線間の容量結合が大きくなる。特に、ウェハーレベル・チップサイズパッケージ工法を用いてチップを小型化していくと、容量結合の影響が大きくなり、アイソレーション特性の劣化につながる。
そこで、圧電基板１２上の配線の一部を、圧電基板１２よりも比誘電率の小さな樹脂やガラスによって形成されたカバー３２上に移し、カバー３２上で配線すると、圧電基板１２における結合容量の増加を防ぎ、チップを小型化してもアイソレーション特性が良好な分波特性を得ることができる。
＜比較例＞ 比較例の弾性表面波装置について、図４及び図５を参照しながら説明する。実施例１と同様の構成部分には同じ符号を用い、以下では、実施例１との相違点のみを説明する。
図４は圧電基板１２の上面１４の導電パターンの構成図、図５は弾性表面波装置の上面図である。図４及び図５は、それぞれ、実施例１の図２及び図３に対応する。
比較例の弾性表面波装置では、配線の一部が圧電基板１２上に形成されている。すなわち、図４に示すように、受信側弾性表面波フィルタ５０の入力端５１は、圧電基板１２上の配線５３によって、送信側弾性表面波フィルタ６０に接続された共用アンテナパッド４１に接続されている。図５に示すように、共用アンテナパッド４１は、アンテナに接続される外部電極２８ｂの直下に配置されている。
＜アイソレーション特性の比較＞ 図６は、アイソレーション特性を示すグラフである。太線は、実施例１の弾性表面波装置１０のアイソレーション特性を示す。細線は、比較例の弾性表面波装置のアイソレーション特性を示す。いずれの弾性表面波装置の周波数帯域も、送信側は８２４〜８４９ＭＨｚ、受信側は８６９〜８９４ＭＨｚである。実施例１は、比較例と比べるとアイソレーション特性が改善されていることが分かる。
＜実施例２＞ 実施例２の弾性表面波装置は、実施例１と略同様に構成される。ただし、受信側弾性表面波フィルタ５０の入力端５１（図２参照）とアンテナ端子（外部電極２８ｂ）との間を接続する配線の一部（例えば、配線長の半分以上の部分）を、カバー３２の上面３３ではなく、カバー３２の下面３４に形成する点のみ、実施例１と異なる。実施例２では、導電パターン２５ｖに相当する導電パターンをカバー３２の下面３４に予め形成しておき、カバー３２と圧電基板１２を対向させ、支持層３０で結合する。実施例２も、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーション特性の改善効果が得られる。
＜実施例３＞ 実施例３の弾性表面波装置について、図７を参照しながら説明する。図７は、圧電基板１２の上面１４の導電パターンの構成図であり、実施例１の図２に対応する。
実施例３の弾性表面波装置は、実施例１と略同様に構成され、圧電基板１２上に受信側弾性表面波フィルタ５０と送信側弾性表面波フィルタ６０とが配置されている。
実施例３の弾性表面波装置は、実施例１と異なり、受信側弾性表面波フィルタ５０と送信側弾性表面波フィルタ６０とが共用アンテナパッド４１に接続され、送信側弾性表面波フィルタ６０の配線の一部がカバー３２に設けられている。
すなわち、共振子２１０，２２０間を接続する配線が分離され、共振子２１０，２２０は、それぞれ、中継パッド６５，６６に接続されている。中継パッド６５，６６間は、カバー３２の上面３３又は下面３４に形成された導電パターン（図示せず）によって、電気的に接続されている。
送信側弾性表面波フィルタ６０の信号線をカバー３２上で接続し、圧電基板１２上では分離することによって、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーション特性の改善効果が得られる。
なお、隣り合う共振子２１０，２２０，２３０，２４０間を接続する配線のうち、いずれの一部をカバー３２に設けてもアイソレーション特性の改善効果が得られる。もっとも、実施例３のように、送信入力パッド６４に最も近く、信号レベルが最も高い配線の一部をカバーに設ければ最大の効果を得られるため、好ましい。
また、共振子２１０，２２０間を接続する配線をカバー３２の下面３４に設け、受信側弾性表面波フィルタ５０と共用アンテナパッド４１との間を接続する配線をカバー３２の上面３３に設けてもよい。この構成においても信号線同士の容量結合を低減できる。
＜実施例４＞ 実施例４の弾性表面波装置について、図８を参照しながら説明する。図８は、圧電基板１２の上面１４の導電パターンの構成図であり、実施例１の図２に対応する。
実施例４の弾性表面波装置は、実施例１と略同様に構成され、圧電基板１２上に受信側弾性表面波フィルタ７０と送信側弾性表面波フィルタ６０とが配置されている。
実施例４の弾性表面波装置は、実施例１と異なり、受信側弾性表面波フィルタ７０と送信側弾性表面波フィルタ６０とが共用アンテナパッド４１に接続され、受信側弾性表面波フィルタ７０の配線の一部がカバー３２に設けられている。また、受信側弾性表面波フィルタ７０は、実施例１とは異なり、ラダー型フィルタである。
受信側弾性表面波フィルタ７０は、５つの共振子３１０，３２０，３３０，３４０，３５０で構成された２段のラダー型フィルタである。共振子３１０，３２０，３３０，３４０，３５０は、それぞれ、ＩＤＴ３１２，３２２，３３２，３４２，３５２の両側に反射器３１４，３２４，３３４，３４４，３５４が配置されている。
共振子３１０，３２０，３３０は、共用アンテナパッド４１と、受信出力パッド７２との間に直列に接続されている。共振子３２０，３３０間は、圧電基板１２上では分離しており、それぞれ中継パッド７４，７５に接続されている。中継パッド７４，７５間は、カバー３２に設けた導電パターンを介して、電気的に接続されている。
隣接する共振子３１０，３２０，３３０の間には、それぞれ、共振子３４０，３５０が並列に接続されている。すなわち、共振子３４０の一端は、直列に接続されている共振子３１０，３２０の接続点に接続され、他端は、アースパッド７８に接続されている。共振子３５０の一端は、直列に接続されている共振子３２０，３３０の接続点に接続され、他端は、アースパッド７８に接続されている。
実施例４の弾性表面波装置では、共振子３２０，３３０間を接続する配線の一部がカバー３２に設けられており、共振子３２０，３３０間を接続する配線をすべて圧電基板１２に設ける場合に比べ、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーションの改善効果が得られる。
なお、共振子３２０，３３０間を接続する配線の代わりに、共振子３１０，３２０間を接続する配線の一部をカバー３２に設けても、アイソレーション特性の改善効果が得られる。もっとも、実施例４のように、受信信号の減衰により送信側のノイズの影響をより受けやすい受信出力パッド７２に近い側の共振子３２０，３３０間の配線を圧電基板１２上で分離すると、最大の効果が得られるので好ましい。
＜実施例５＞ 実施例５の弾性表面波装置１０ｘ〜１０ｚについて、図９〜図１１を参照しながら説明する。
実施例５の弾性表面波装置１０ｘ〜１０ｚは、図１１の断面図に示すように、実施例１と略同様に構成され、圧電基板１２、支持層３０、補強樹脂３６、外部電極２８などを備えている。ただし、図９および図１０に示すように、１組の弾性表面波フィルタ８０のみを備えるフィルタである点が、実施例１とは異なる。
すなわち、図９に示すように、圧電基板１２の上面１４に、弾性表面波フィルタ８０と、パッド４１，６４，６５，６６，６８とが形成されている。弾性表面波フィルタ８０は、実施例１の送信側弾性表面波フィルタ６０と同様に７つの共振子２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２７０で構成された３段のラダー型フィルタである。
弾性表面波装置１０ｘ〜１０ｚの上面１１（図１１参照）には、図１０に示すように、外部電極２８として、４つの外部電極２８ｐ〜２８ｓが設けられている。外部電極２８ｒは入力端子、外部電極２８ｐは出力端子、外部電極２８ｑ，２８ｓはＧＮＤ端子である。
図１０において破線で示すように、カバー３２の上面３３または下面３４（図１１参照）には、導電パターン２５ｑ；２５ｒ；２５ｓ；２５ｘ，２５ｙ，２５ｚが設けられている。導電パターン２５ｑは、外部電極２８ｑとパッド６８との間を電気的に接続する配線の一部である。導電パターン２５ｒは、外部電極２８ｒとパッド６４との間を電気的に接続する配線の一部である。導電パターン２５ｓは、外部電極２８ｓとパッド６８との間を電気的に接続する配線の一部である。導電パターン２５ｘ，２５ｙ，２５ｚは、図１０および図１１に示すように、パッド６５とパッド６６との間を電気的に接続する配線の一部（カバー配線）である。
図１１（ａ）に示したように導電パターン２５ｘをカバー３２の上面３３に設ける場合、導電パターン２５ｘは、導電パターン２５ｑ〜２５ｓ（図１０参照）とともに、メッキなどにより形成し、支持層３０およびカバー３２を貫通する導電性パターン２４ｘ（ビア配線）に接続する。
図１１（ｂ）および（ｃ）に示したように導電パターン２５ｙ，２５ｚをカバー３２の下面３４に設ける場合、感光性樹脂を用いて支持層３０を形成し、レーザー加工などにより支持層３０に貫通孔を形成して、メッキなどにより導電パターン２４ｙ，２４ｚ（ビア配線）を形成する。
図１１（ｂ）では、カバー３２となる樹脂性のシート材の下面３４となる側の面に、導電パターン２５ｙに相当する導電パターンを予め形成しておき、支持層３０の上にカバー３２となる樹脂性のシート材を貼り付ける。このとき、導電パターン２５ｙは、支持層３０を貫通する導電パターン２４ｙに接続される。
図１１（ｃ）では、支持層３０の上面にメッキにより導電パターン２５ｚに相当する導電パターンを形成する。このとき、導電パターン２５ｚは、支持層３０を貫通する導電パターン２４ｚに接続される。次いで、支持層３０に、カバー３２となる樹脂製のシート材を貼り付ける。
弾性表面波装置１０ｘ〜１０ｚは、カバー３２の上面３３または下面３４に導電パターン２５ｘ，２５ｙ，２５ｚ（カバー配線）が設けられており、パッド６５とパッド６６は、カバー３２を経由する配線で接続されている。これにより、共振子２２０，２５０の接続点と共振子２１０との間を圧電基板１２上に設けた配線のみで接続する場合に比べ、配線間の容量結合が小さくなり、フィルタのＶＳＷＲが改善される。
また、２個の縦結合共振子型フィルタを縦続接続する配線の一部をカバー上に設けることができる。圧電基板上に設けた配線のみで縦続接続する場合に比べて、配線間の容量結合が小さくなり、フィルタのＶＳＷＲが改善される。
弾性表面波素子は弾性表面波共振子または縦結合共振子型フィルタである。
次に、弾性境界波装置についての実施例６〜１０について説明する。
＜実施例６＞ 実施例６の弾性境界波装置５００について、図１２を参照しながら説明する。
図１２の断面図に示すように、弾性境界波装置５００は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板５１０の上面５１２に、ＩＤＴ５２２とパッド５２３とを含むＡｕの導電パターン５２０が形成され、パッド５２３にはＴｉの密着層５２４が形成されている。圧電基板５１０の上面５１２及び導電パターン５２０の上に、ＳｉＯ２からなる支持層５３０が形成されている。支持層５３０は、パッド５２３の密着層５２４が露出するように、フォトリソグラフィー技術を用いて部分的に除去され、ビア（貫通孔）５３４が形成されている。例えばメッキによって同時に、支持層５３０の上面５３２には支持層配線５２６が形成され、ビア５３４の内側にはビア配線５２５が形成される。支持層配線５２６の一端は、支持層５３０を貫通するビア配線５２５により、パッド５２３の密着層２４に接続されている。
支持層５３０の上面５３２及び支持層配線５２６の上には、カバー５４０が形成されている。カバー５４０は、支持層５３０を伝搬するスプリアスモードの振動を減衰させるため、エポキシ樹脂などの吸音材料を用いて形成されている。
カバー５４０は、サンドブラスト等により部分的に除去され、除去された部分にメッキ等によりアンダーバンプメタル５２７が充填されている。アンダーバンプメタル５２７上には、はんだバンプ５２８が形成されている。はんだバンプ５２８は、カバー５４０の上面５４２から突出する外部電極である。
弾性境界波装置５００は、第１の媒質であるＬｉＮｂＯ３の圧電基板５１０と、第２の媒質であるＳｉＯ２の支持層５３０との境界を伝搬する弾性境界波を利用し、ＩＤＴ５２２を介して弾性境界波と電気信号との変換を行う。弾性表面波装置の場合には、図１に示したように、ＩＤＴ２２の周囲に振動空間１６を必要とするのに対し、弾性境界波装置５００では、図１２に示したように、ＩＤＴ５２２は圧電基板５１０と支持層５３０との界面に配置され、ＩＤＴ５２２の周囲に振動空間を必要としない。
弾性境界波装置５００は分波器であり、実施例１の弾性表面波装置１０とまったく同様のＩＤＴ電極設計手法を用いることができる。すなわち、圧電基板５１０の上面５１２には、図２と同様の導電パターンが形成され、受信側フィルタ５０と送信側フィルタ６０と、７つのパッド５２，５４，５６，５８，６２，６４，６８などが形成されている。実施例６において、図２のフィルタ５０，６０は弾性境界波フィルタであり、受信側フィルタ５０は、バランス型弾性境界波フィルタである。
配線の引き回しも実施例１と同様であり、受信側フィルタ５０の入力端５１（図２参照）と外部電極であるアンテナ端子との間を接続する配線の一部が支持層５３０の上面５３２に形成されている。すなわち、配線の一部が、支持層配線５２６により構成されている。
弾性境界波装置５００の圧電基板５１０に使用されるＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３は、比誘電率が４０〜５０程度と大きい。このため、１チップ化した弾性境界波装置５００の配線引き回しを圧電基板５１０上で行うと、配線間の容量結合が大きくなる。特に、ウェハーレベル・チップサイズパッケージ工法を用いてチップを小型化していくと、容量結合の影響が大きくなり、アイソレーション特性の劣化につながる。
実施例６の弾性境界波装置５００では、支持層５３０は比誘電率が３〜５のＳｉＯ２により形成され、上述したように、受信側フィルタ５０の入力端５１（図２参照）と外部電極であるアンテナ端子との間を接続する配線の一部が、支持層５３０の上面５３２に設けられている。
受信側フィルタ５０の入力端５１（図２参照）と外部電極であるアンテナ端子との間を接続する配線の一部が圧電基板５１０上に設けられた場合に対して、比誘電率の小さい誘電体によって形成されている支持層５３０上に設けられた場合には、配線間の結合容量の増加を防ぎ、チップを小型化してもアイソレーション特性を改善することができる。
＜実施例７＞ 実施例７の弾性境界波装置は、実施例６と略同様に構成されている。ただし、配線の引き回しは、実施例６とは異なる。すなわち、受信側フィルタ５０の入力端５１（図２参照）と外部電極であるアンテナ端子との間を接続する配線の一部が、支持層５３０の上面５３２ではなく、カバー５４０の上面５４２に形成される点のみ、実施例６と異なる。実施例７も、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーション特性の改善効果が得られる。
＜実施例８＞ 実施例８の弾性境界波装置は、実施例６と略同様に構成されているが、実施例６と異なり、圧電基板５１０の上面５１２に形成される導電パターンは実施例３の弾性表面波装置の場合と同様に形成され、実施例３と同様に配線が引き回されている。
すなわち、圧電基板５１０の上面５１２に形成される導電パターンは、図７の実施例３と同様に、共振子２１０，２２０間を接続する配線が分離され、共振子２１０，２２０は、それぞれ、中継パッド６５，６６に接続されている。実施例８において、図７のフィルタ５０，６０は弾性境界波フィルタであり、送信側フィルタ５０を構成する共振子２１０，２２０，２３０，２４０は弾性境界波共振子である。中継パッド６５，６６間は、支持層５３０を貫通するビア配線５２５と支持層５３０の上面５３２に形成された支持層配線５２６とによって、電気的に接続されている。
送信側フィルタ６０の信号線を支持層５３０上で接続し、圧電基板５１０上では分離することによって、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーション特性の改善効果が得られる。
なお、隣り合う共振子２１０，２２０，２３０，２４０間を接続する配線のうち、いずれの一部を支持層５３０上に設けてもアイソレーション特性の改善効果が得られる。もっとも、実施例３のように、送信入力パッド６４に最も近く、信号レベルが最も高い配線の一部をカバーに設ければ最大の効果を得られるため、好ましい。
また、共振子２１０，２２０間を接続する配線をカバー５４０の上面５４２に設け、受信側フィルタ５０と共用アンテナパッド４１との間を接続する配線をカバー５４０の上面５４２に設けてもよい。この構成においても信号線同士の容量結合を低減できる。
＜実施例９＞ 実施例９の弾性境界波装置は、実施例６と略同様に構成されているが、実施例６と異なり、圧電基板５１０の上面５１２に形成される導電パターンは実施例４の弾性表面波装置の場合と同様に形成され、実施例４と同様に配線が引き回されている。
すなわち、圧電基板５１０の上面５１２に形成される導電パターンは、図８の実施例４と同様に、受信側フィルタ７０と送信側フィルタ６０とが共用アンテナパッド４１に接続され、受信側フィルタ７０の配線の一部が支持層５３０上に設けられている。すなわち、受信側フィルタ７０は、ラダー型フィルタであり、受信側フィルタ７０の共振子３２０，３３０間を接続する配線が分離され、共振子３２０，３３０は、それぞれ、中継パッド７４，７５に接続されている。中継パッド７４，７５間は、支持層５３０を貫通するビア配線５２５と支持層５３０の上面５３２に形成された支持層配線５２６とによって、電気的に接続されている。実施例９において、図８のフィルタ６０，７０は弾性境界波フィルタであり、共振子２１０，２２０，２３０，２４０，３１０，３２０，３３０，３４０，３５０は弾性境界波共振子である。
実施例９の弾性境界波装置では、実施例４と同様に、共振子３２０，３３０間を接続する配線の一部が支持層５３０上に設けられており、共振子３２０，３３０間を接続する配線をすべて圧電基板５１０に設ける場合に比べ、配線間の容量結合が小さくなり、アイソレーションの改善効果が得られる。
なお、共振子３２０，３３０間を接続する配線の代わりに、共振子３１０，３２０間を接続する配線の一部を支持層５３０上に設けても、アイソレーション特性の改善効果が得られる。もっとも、実施例４のように、受信信号の減衰により送信側のノイズの影響をより受けやすい受信出力パッド７２に近い側の共振子３２０，３３０間の配線を圧電基板５１０上で分離すると、最大の効果が得られるので好ましい。
＜実施例１０＞ 実施例１０の弾性境界波装置は、実施例６と略同様に構成されているが、実施例６と異なり、圧電基板５１０の上面５１２に形成される導電パターンは実施例５の弾性表面波装置の場合と同様に形成され、実施例５と同様に配線が引き回されている。
すなわち、実施例１０の弾性境界波装置は、図９に示した実施例５と同様に、１組のフィルタ８０のみを備えるフィルタであり、７つの共振子２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２７０で構成された３段のラダー型フィルタである。実施例１０において、図９のフィルタ８０は弾性境界波フィルタであり、共振子２１０，２２０，２３０，２４０は弾性境界波共振子である。
配線の引き回しは、実施例５と同様である。すなわち、パッド６５とパッド６６との間を電気的に接続する配線の一部は、支持層５３０の上面５３２に設けられており、パッド６５とパッド６６は、支持層５３０を経由する配線（支持層を貫通するビア配線５２５及び支持層５３０上の支持層配線５２６）で接続されている。これにより、共振子２２０，２５０の接続点と共振子２１０との間を圧電基板５１０上に設けた配線のみで接続する場合に比べ、配線間の容量結合が小さくなり、フィルタのＶＳＷＲが改善される。
また、２個の縦結合共振子型フィルタを縦続接続する配線の一部を支持層５３０の上面５３２に設けることもできる。この場合も、圧電基板５１０上に設けた配線のみで縦続接続する場合に比べて、配線間の容量結合が小さくなり、フィルタのＶＳＷＲが改善される。
弾性境界波素子は弾性境界波共振子または縦結合共振子型フィルタである。
＜まとめ＞ 以上に説明したように、カバー３２に導電パターン２５ｖ，２５ｘ，２５ｙ，２５ｚ（カバー配線）を設けることによって、配線間の容量結合が小さくなる。これによって、実施例１〜４の分波器では、アイソレーションの改善効果が得られる。実施例５のフィルタでは、フィルタのＶＳＷＲが改善される。また、支持層５３０の上面５３２に導電パターン（支持層配線）を設けることによって、配線間の容量結合が小さくなる。これによって、実施例６〜９の分波器では、アイソレーションの改善効果が得られる。実施例１０のフィルタでは、フィルタのＶＳＷＲが改善される。
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施可能である。
例えば、受信側弾性表面波フィルタや送信側弾性表面波フィルタの構成は、実施の形態に限定されない。弾性表面波共振子等の反射器は、省略してもよい。受信側弾性境界波フィルタや送信側弾性境界波フィルタの構成は、実施の形態に限定されない。弾性境界波共振子等の反射器は、省略してもよい。
また、弾性表面波装置は、補強樹脂３６がない構成としてもよい。この場合、カバー３２に設ける配線（導電パターン２５）は、圧電基板１２に対向する側の主面（下面３４）に設けることが好ましい。

Claims (13)

  1. 圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、
    前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、
    前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性表面波フィルタ及び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、弾性表面波装置において、
    前記受信側弾性表面波フィルタと前記アンテナ端子とを電気的に接続する配線が、
    前記圧電基板上に形成された圧電基板配線と、
    前記カバーの上面または下面に設けられているカバー配線と、
    前記圧電基板配線の一端と前記カバー配線の一端とを、前記支持層および前記カバーを貫通して接続するビア配線と、
    を含んでいることを特徴とする、弾性表面波装置。
  2. 前記受信側弾性表面波フィルタは、不平衡信号が入力される一つの不平衡信号端子と、平衡信号を出力する一対の平衡信号端子とを含むバランス型弾性表面波フィルタであり、
    前記アンテナ端子は、前記不平衡信号端子に電気的に接続され、
    前記受信出力端子は、前記平衡信号端子に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の弾性表面波装置。
  3. 圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、
    前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、
    前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性表面波フィルタ及び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、弾性表面波装置において、
    前記送信側弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波共振子を含み、
    互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波共振子の間を電気的に接続する配線が、
    前記カバーの上面または下面に設けられている少なくとも１個のカバー配線と、
    該少なくとも１個のカバー配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、
    を含んでいることを特徴とする、弾性表面波装置。
  4. 圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、
    前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、送信側弾性表面波フィルタと受信側弾性表面波フィルタとが形成され、
    前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性表面波フィルタ及び前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性表面波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、弾性表面波装置において、
    前記受信側弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波共振子を含み、
    互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波共振子の間を電気的に接続する配線が、
    前記カバーの上面または下面に設けられている少なくとも１個のカバー配線と、
    該少なくとも１個のカバー配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、
    を含んでいることを特徴とする、弾性表面波装置。
  5. 圧電基板とカバーとが、支持層を介して間隔を設けて結合され、
    前記圧電基板の前記カバーに対向する主面には、前記支持層の内側に、弾性表面波フィルタが形成され、
    前記カバーに関して前記圧電基板とは反対側に、前記弾性表面波フィルタに電気的に接続された入力端子と出力端子を含む外部端子が形成された、弾性表面波装置において、
    前記弾性表面波フィルタは、直列接続された複数の弾性表面波素子を含み、
    互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波素子の間を電気的に接続する配線が、
    前記カバーの上面または下面に設けられている少なくとも１個のカバー配線と、
    該少なくとも１個のカバー配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性表面波素子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、
    を含んでいることを特徴とする、弾性表面波装置。
  6. 前記圧電基板の前記主面に垂直な方向から見たとき、前記圧電基板の周部よりも内側に前記カバーが配置されており、
    前記カバーの前記圧電基板とは反対側の前記主面から前記圧電基板の前記主面の前記周部まで全体的に覆う補強樹脂をさらに備えたことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
  7. 前記カバー配線が、メッキによって形成されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
  8. 圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、
    前記圧電基板と前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性境界波フィルタとが形成され、
    前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性境界波フィルタ及び前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、弾性境界波装置において、
    前記受信側弾性境界波フィルタと前記アンテナ端子とを電気的に接続する配線が、
    前記圧電基板上に形成された圧電基板配線と、
    前記支持層の上面に設けられている支持層配線と、
    前記圧電基板配線の一端と前記支持層配線の一端とを、前記支持層を貫通して接続するビア配線と、
    を含んでいることを特徴とする、弾性境界波装置。
  9. 前記受信側弾性境界波フィルタは、不平衡信号が入力される一つの不平衡信号端子と、平衡信号を出力する一対の平衡信号端子とを含むバランス型弾性境界波フィルタであり、
    前記アンテナ端子は、前記不平衡信号端子に電気的に接続され、
    前記受信出力端子は、前記平衡信号端子に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項８に記載の弾性境界波装置。
  10. 圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、
    前記圧電基板と前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性境界波フィルタとが形成され、
    前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性境界波フィルタ及び前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、弾性境界波装置において、
    前記送信側弾性境界波フィルタは、直列接続された複数の弾性境界波共振子を含み、
    互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波共振子の間を電気的に接続する配線が、
    前記支持層の上面に設けられている少なくとも１個の支持層配線と、
    該少なくとも１個の支持層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、
    を含んでいることを特徴とする、弾性境界波装置。
  11. 圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、
    前記圧電基板の前記支持層との界面に、送信側弾性境界波フィルタと受信側弾性境界波フィルタとが形成され、
    前記カバーに関し前記圧電基板とは反対側に、前記送信側弾性境界波フィルタ及び前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続されたアンテナ端子と、前記送信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された送信入力端子と、前記受信側弾性境界波フィルタに電気的に接続された受信出力端子とを含む外部電極が形成された、弾性境界波装置において、
    前記受信側弾性境界波フィルタは、直列接続された複数の弾性境界波共振子を含み、
    互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波共振子の間を電気的に接続する配線が、
    前記支持層の上面に設けられている少なくとも１個の支持層配線と、
    該少なくとも１個の支持層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波共振子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、
    を含んでいることを特徴とする、弾性境界波装置。
  12. 圧電基板とカバーとが、支持層を介して結合され、
    前記圧電基板と前記支持層との界面に、弾性境界波フィルタが形成され、
    前記カバーに関して前記圧電基板とは反対側に、前記弾性境界波フィルタに電気的に接続された入力端子と出力端子を含む外部端子が形成された、弾性境界波装置において、
    前記弾性境界波フィルタは、直列接続された複数の弾性境界波素子を含み、
    互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波素子の間を電気的に接続する配線が、
    前記支持層の上面に設けられている少なくとも１個の支持層配線と、
    該少なくとも１個の支持層配線と、前記互いに隣り合って直列接続された少なくとも１組の前記弾性境界波素子の一方および他方とを、少なくとも前記支持層を貫通して接続する少なくとも１組のビア配線と、
    を含んでいることを特徴とする、弾性境界波装置。
  13. 前記支持層配線が、メッキによって形成されることを特徴とする、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の弾性境界波装置。
JP2007554818A 2006-01-18 2006-11-09 弾性表面波装置 Active JP4670872B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006010482 2006-01-18
JP2006010482 2006-01-18
PCT/JP2006/322383 WO2007083432A1 (ja) 2006-01-18 2006-11-09 弾性表面波装置及び弾性境界波装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2007083432A1 true JPWO2007083432A1 (ja) 2009-06-11
JP4670872B2 JP4670872B2 (ja) 2011-04-13

Family

ID=38287392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007554818A Active JP4670872B2 (ja) 2006-01-18 2006-11-09 弾性表面波装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7583161B2 (ja)
EP (2) EP2501039B1 (ja)
JP (1) JP4670872B2 (ja)
CN (1) CN101361267B (ja)
WO (1) WO2007083432A1 (ja)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101682313B (zh) * 2007-05-28 2012-09-26 株式会社村田制作所 双工器及弹性波装置
CN101689846B (zh) * 2007-08-30 2013-10-09 京瓷株式会社 电子部件
CN101803189B (zh) * 2007-10-30 2014-01-08 京瓷株式会社 弹性波装置
JP5256701B2 (ja) * 2007-11-14 2013-08-07 パナソニック株式会社 弾性表面波デバイス
CN101868917B (zh) * 2007-12-14 2014-02-19 株式会社村田制作所 表面波装置及其制造方法
JP4468436B2 (ja) * 2007-12-25 2010-05-26 富士通メディアデバイス株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP4460612B2 (ja) * 2008-02-08 2010-05-12 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP5077714B2 (ja) * 2008-02-18 2012-11-21 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
KR101238869B1 (ko) * 2008-06-16 2013-03-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 경계파 장치
JP2010028459A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Fujitsu Ltd 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置
JP4689704B2 (ja) * 2008-07-23 2011-05-25 日本電波工業株式会社 圧電部品及びその製造方法
JP5339582B2 (ja) * 2008-07-31 2013-11-13 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
WO2010029657A1 (ja) * 2008-09-09 2010-03-18 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP5056952B2 (ja) * 2008-11-04 2012-10-24 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置および、それを備えるモジュール
JP4809448B2 (ja) * 2009-02-02 2011-11-09 日本電波工業株式会社 デュプレクサ
JP4841640B2 (ja) * 2009-03-25 2011-12-21 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
WO2010131606A1 (ja) * 2009-05-12 2010-11-18 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
CN102598507B (zh) * 2009-11-19 2014-12-10 松下电器产业株式会社 弹性波滤波装置和使用该弹性波滤波装置的天线双工器
JP2011135244A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Panasonic Corp 弾性波デバイス及びこれを用いたフィルタ、デュプレクサ
WO2011077773A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 株式会社村田製作所 分波器
WO2011092876A1 (ja) * 2010-01-28 2011-08-04 株式会社村田製作所 分波器
JP5473784B2 (ja) * 2010-02-26 2014-04-16 京セラ株式会社 弾性表面波装置
JP5755434B2 (ja) * 2010-11-30 2015-07-29 京セラ株式会社 弾性波装置およびその製造方法
US9048816B2 (en) * 2011-02-28 2015-06-02 Kyocera Corporation Acoustic wave filter
DE112012001150B4 (de) * 2011-03-09 2018-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elektronische Komponente
CN103636124B (zh) 2011-07-08 2017-02-22 株式会社村田制作所 电路模块
CN103609020B (zh) * 2011-07-11 2015-10-14 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置
US9209380B2 (en) * 2013-03-08 2015-12-08 Triquint Semiconductor, Inc. Acoustic wave device
WO2015019794A1 (ja) * 2013-08-06 2015-02-12 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6183462B2 (ja) * 2013-08-06 2017-08-23 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP5817795B2 (ja) * 2013-08-06 2015-11-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6183461B2 (ja) * 2013-08-06 2017-08-23 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6432512B2 (ja) 2013-08-14 2018-12-05 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、電子部品、および弾性表面波装置の製造方法
CN105474540B (zh) * 2013-08-20 2018-08-03 株式会社村田制作所 高频模块
CN105474539B (zh) * 2013-08-20 2017-12-01 株式会社村田制作所 声表面波设备及其制造方法
WO2015104882A1 (ja) * 2014-01-10 2015-07-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US9860620B2 (en) * 2014-06-17 2018-01-02 Dell Products L.P. Method for forming a layered structural member
JP6580039B2 (ja) 2014-06-27 2019-09-25 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
KR101787329B1 (ko) * 2014-07-31 2017-10-18 스카이워크스 필터 솔루션즈 재팬 씨오., 엘티디. 탄성파 디바이스
US9503050B2 (en) 2014-07-31 2016-11-22 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Elastic wave devices
JP6710161B2 (ja) * 2014-12-26 2020-06-17 京セラ株式会社 弾性波装置
US10205326B2 (en) * 2015-09-09 2019-02-12 Cpg Technologies, Llc Adaptation of energy consumption node for guided surface wave reception
JP6547848B2 (ja) * 2015-12-25 2019-07-24 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6520841B2 (ja) * 2016-06-27 2019-05-29 株式会社村田製作所 弾性波装置
KR102291881B1 (ko) 2017-02-03 2021-08-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 장치
KR102414843B1 (ko) * 2017-05-22 2022-06-30 삼성전기주식회사 음향파 디바이스 및 그 제조방법
JP6702438B2 (ja) * 2017-06-30 2020-06-03 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN111418048B (zh) * 2017-12-06 2023-09-12 株式会社村田制作所 电子部件
CN109088614A (zh) * 2018-06-28 2018-12-25 深圳华远微电科技有限公司 声表面波滤波器及其封装方法和电子设备
US11463069B2 (en) 2019-03-25 2022-10-04 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave filters with isolation
CN110333288A (zh) * 2019-06-17 2019-10-15 西安交通大学 一种基于界面波的双层金属复合板的分层损伤成像方法
CN111312667B (zh) * 2019-09-20 2023-04-18 天津大学 带导电通孔偏移结构的半导体器件、供电结构和电子设备
US20210159876A1 (en) 2019-11-21 2021-05-27 Skyworks Solutions, Inc. Bulk acoustic wave resonator on surface acoustic wave device
JP7002782B1 (ja) 2020-09-21 2022-01-20 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性表面波デバイス
JP7055499B1 (ja) 2021-05-24 2022-04-18 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000261284A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Kyocera Corp 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2003037471A (ja) * 2001-07-23 2003-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置およびその製造方法、これを用いた複合モジュール
JP2003249842A (ja) * 2001-12-21 2003-09-05 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びこれを用いた電子装置
JP2004248243A (ja) * 2002-12-19 2004-09-02 Murata Mfg Co Ltd 電子部品およびその製造方法
JP2005203889A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス
WO2005069486A1 (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0716427U (ja) 1993-08-25 1995-03-17 沖電気工業株式会社 弾性表面波フィルタ共用器
US5504817A (en) 1994-05-09 1996-04-02 Yeda Research And Development Co. Ltd. At The Weizmann Institute Of Science Method and apparatus for memory efficient variants of public key encryption and identification schemes for smart card applications
JP3265889B2 (ja) * 1995-02-03 2002-03-18 松下電器産業株式会社 表面弾性波装置及びその製造方法
JP3301262B2 (ja) * 1995-03-28 2002-07-15 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置
JPH10256869A (ja) 1997-03-06 1998-09-25 Oki Electric Ind Co Ltd 分波器における送信用ｓａｗフィルタの構造
JP2000261282A (ja) 1999-03-04 2000-09-22 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP4377500B2 (ja) * 1999-12-24 2009-12-02 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法
US6710682B2 (en) * 2000-10-04 2004-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device, method for producing the same, and circuit module using the same
JP3648462B2 (ja) * 2001-04-27 2005-05-18 沖電気工業株式会社 弾性表面波分波器
JP3797144B2 (ja) * 2001-06-25 2006-07-12 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP2003051731A (ja) 2001-08-06 2003-02-21 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波分波器
EP1315297A3 (en) * 2001-10-29 2010-02-17 Panasonic Corporation Surface acoustic wave filter element, surface acoustic wave filter and communication device using the same
JP2004080221A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイス及びその製造方法
JP3764731B2 (ja) * 2002-10-18 2006-04-12 富士通メディアデバイス株式会社 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器
JP3815424B2 (ja) * 2002-11-08 2006-08-30 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
DE10253163B4 (de) * 2002-11-14 2015-07-23 Epcos Ag Bauelement mit hermetischer Verkapselung und Waferscale Verfahren zur Herstellung
JP2005079694A (ja) 2003-08-28 2005-03-24 Kyocera Corp 分波器
US7385463B2 (en) * 2003-12-24 2008-06-10 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and electronic circuit device
US7301421B2 (en) * 2004-06-28 2007-11-27 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device, manufacturing method therefor, and communications equipment
US7259500B2 (en) * 2004-07-14 2007-08-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000261284A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Kyocera Corp 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2003037471A (ja) * 2001-07-23 2003-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置およびその製造方法、これを用いた複合モジュール
JP2003249842A (ja) * 2001-12-21 2003-09-05 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びこれを用いた電子装置
JP2004248243A (ja) * 2002-12-19 2004-09-02 Murata Mfg Co Ltd 電子部品およびその製造方法
JP2005203889A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス
WO2005069486A1 (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4670872B2 (ja) 2011-04-13
EP1976118A4 (en) 2011-12-14
EP2501039B1 (en) 2015-04-15
WO2007083432A1 (ja) 2007-07-26
US7583161B2 (en) 2009-09-01
EP2501039A2 (en) 2012-09-19
US20080266023A1 (en) 2008-10-30
CN101361267A (zh) 2009-02-04
CN101361267B (zh) 2011-09-14
EP1976118A1 (en) 2008-10-01
EP2501039A3 (en) 2013-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4670872B2 (ja) 弾性表面波装置
US7619491B2 (en) Elastic wave duplexer
JP6915686B2 (ja) 弾性波装置
EP2346166B1 (en) Elastic wave filter device and module comprising the elastic wave filter device
KR101993559B1 (ko) 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치
JP6427075B2 (ja) 弾性波デバイス、分波器、及びモジュール
US11043932B2 (en) Surface acoustic wave device
JP5991785B2 (ja) 弾性波デバイス
US10326424B2 (en) Filter device
JP7084744B2 (ja) 弾性波デバイス、モジュールおよびマルチプレクサ
WO2007049699A1 (ja) 分波器とそれを用いた通信装置
JP2015070489A (ja) デュプレクサ及び電子部品
US8063722B2 (en) Balance filter comprising two acoustic wave filters connected to a single ground terminal
JP4535286B2 (ja) 弾性表面波素子および当該素子を備えた弾性表面波装置
JP2003124777A (ja) 弾性表面波装置
WO2008038498A1 (fr) Dispositif de filtre d'onde acoustique équilibré
JP6940085B1 (ja) 弾性波デバイス
JP3912653B2 (ja) 弾性表面波装置
JP7370542B2 (ja) 弾性波デバイス
JP2023053471A (ja) 弾性波デバイスチップ、弾性波デバイス、その弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えたモジュール
JP2019029866A (ja) 弾性波デバイス
JPH0884045A (ja) 弾性表面波装置およびそれを用いたアンテナ分波器

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101013

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101221

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110103

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4670872

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128

Year of fee payment: 3