WO2004109403A1 - 感光性樹脂組成物およびそれを用いた電子部品ならびに表示装置 - Google Patents

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WO2004109403A1
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bis
photosensitive resin
resin composition
methylene
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PCT/JP2004/007648
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Mitsuhito Suwa
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Toray Industries, Inc.
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
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    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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    • Y10S430/106Binder containing
    • Y10S430/11Vinyl alcohol polymer or derivative

Definitions

  • the present invention relates to a heat-resistant resin composition suitable for a surface protective film of a semiconductor device, an interlayer insulating film, an insulating layer of an organic electroluminescent device, a wiring protective insulating film of a circuit board, and the like. More specifically, a negative-type photosensitive resin composition in which unexposed portions are easily dissolved in an aqueous alkali solution with ultraviolet light, and the exposed portions are insoluble in an aqueous alkali solution, and a negative resin composition was used. It relates to electronic components and display devices. Background art
  • heat-sensitive photosensitive materials such as photosensitive polyimide and photosensitive benzoxazole have been developed and put into practical use.
  • negative photosensitive polyimides that are organically developed have excellent heat resistance. It is used by many device manufacturers because of its ease of removal and easy removal of impurities.
  • These negative-type photosensitive polyimides can be prepared by adding or mixing a compound having a photosensitive group to a polyimide precursor (Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 54-1998-28, and 11-242-1994). No. 68) produce a contrast by photocrosslinking reaction and form a pattern.
  • alkali-developable negative photosensitive polyimides basically need to contain an alkali-soluble group as a material.However, a photoreaction of a part of all the alkali-soluble groups with respect to the polyimide precursor is required.
  • a method of introducing a reactive group European Patent Publication No. 0 421 195, Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • the present invention relates to a method for producing a negative-type photosensitive resin composition in which an unexposed portion is easily dissolved in an aqueous alkali solution and an exposed portion is insoluble in an aqueous alkaline solution.
  • An alkali-soluble and organic solvent-soluble polyimide having the following structure is used.
  • An object of the present invention is to provide a composition in which the polyimide easily dissolves in an alkaline developer before exposure, becomes insoluble in an alkaline developer upon exposure, and resolves a fine pattern with good reproducibility.
  • the present invention provides (a) a polyimide having at least one group selected from a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, and a thiol group at the polymer main chain terminal; and (b) an unsaturated double bond function. And (c) a photopolymerization initiator.
  • This is a photosensitive resin composition.
  • the present invention it is possible to obtain a polyimide which is not only soluble in an organic solvent but also soluble in an organic solvent, by having an alkali-soluble group at the terminal of the polymer and appropriately adjusting the amount of the polymer molecule. Also, since this is used for the base polymer, it is not necessary to imidize the polymer by high-temperature heat treatment after development with an alkaline aqueous solution, and pattern processing, heat shrinkage, crack resistance, and stress resistance It is possible to obtain a negative photosensitive resin composition excellent in practicality of heat treatment, and the obtained composition is particularly suitable for a protective film of a semiconductor element, an interlayer insulating film, an insulating layer of a display, an insulating layer of a circuit board, and the like.
  • the polyimide in the present invention is not only soluble in an organic solvent from practicality, but also has an alkaline solubility at the terminal of the main chain of the polymer. Also, because it has a polyimide structure, it is not necessary to heat it or use an appropriate catalyst to form an imido ring by a ring-closing reaction, unlike a polyimide precursor. Stress due to curing shrinkage due to the closing reaction is small, and a thick film can be formed more easily than a polyimide precursor.
  • the soluble group used in the polyimide of the present invention includes, among the hydroxyl groups, a phenolic hydroxyl group, a thiol group, and the like. Carboxyl groups are preferred, and phenolic hydroxyl groups and thiol groups are particularly preferred.
  • the present invention relates to a compound having a polymerizable group comprising an unsaturated double bond functional group and a Z or unsaturated triple bond functional group in a polyimide synthesized using a terminal blocking agent having a soluble group.
  • the resin composition obtained by adding a photopolymerization initiator easily dissolves in an alkaline developer before exposure, but becomes hardly soluble in the alkaline developer after exposure, resulting in film loss due to development. Less, and with alkaline aqueous solution There is no need to imidize the polymer by high-temperature heat treatment after development, and it is excellent in pattern workability, heat shrinkage, crack resistance, stress resistance, and practicality of heat treatment (low temperature treatment).
  • R 1 is a 4- to 14-valent organic group
  • R 2 is a 2- to 12-valent organic group
  • R 3 and R 5 are a hydrogen atom or a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, a thiol group, and a carbon number.
  • R 4 represents a divalent organic group.
  • X and Y each represent a divalent to octavalent organic group having at least one group selected from a hydroxyl group, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, and a thiol group.
  • n ranges from 3 to 200 Indicates a box.
  • m, a and] 3 represent an integer from 0 to 10; )
  • R 1 in the above general formulas (1) to (4) represents a structural component of an acid dianhydride, and the acid dianhydride is a tetravalent to tetravalent containing an aromatic ring or an aliphatic ring. It is an organic group. Among them, an organic group having 5 to 40 carbon atoms is preferable.
  • the acid dianhydride examples include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3,4′-biphenyl Lutetracarboxylic dianhydride, 2,23,3,1-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3, 3'-Venzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride 1,1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethaneni anhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) Methane dianhydride
  • R 7 is an oxygen atom, C (CF 3) 2, C (CH 3) 2, shows the group selected Ri good S_ ⁇ 2.
  • R 8 and R 9 may be the same or different and represent a group selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group and a thiol group.
  • 3-dicarboxyphenyl) ethaneni anhydride bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxy) Phenyl) sulfone dianhydride, bis (3,
  • 4-dicarpoxyphenyl) ether dianhydride 2,2-bis (3,4-dicanoleboxyphenyl) hexafnorolopropane dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diph Enylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl) fluorenic dianhydride, 9,9-bis ⁇ 4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phen Nyl ⁇ fluorenic dianhydride and acid dianhydrides having the structure shown below are preferred. These are used alone or in combination of two or more.
  • R 7 represents an oxygen atom, a group selected from c (CF 3 ) 2 , c (CH 3 ) 2 and so 2 .
  • R 8 and R 9 may be the same or different and represent a group selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group and a thiol group.
  • R 2 in the above general formulas (1) to (4) represents a structural component of diamine.
  • this diamine a divalent or divalent organic group containing an aromatic ring or an aliphatic ring is used.
  • an organic group having 5 to 40 carbon atoms is preferable.
  • diamines include 3,4 'diaminodiphenyl ether, 4,4' diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodipheninolemethane, and 4,4 'diaminodiphenyl.
  • Methane 3,4 'diaminodiphenylsnolephone, 4,4' diaminodiphenylsnolephone, 3,4 'diaminodiphenylsnolephone, 4,4'-diaminodiphenylenolesulfone, 1,4— Bis (4-aminophenoxy) benzene, benzine, m-phenylenediamine, P-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, bis (4-aminobuenoxyphenyl) Suzolehon, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis ⁇ 4- (4-aminophenoxy) phenyl ⁇ Ether, 1,4-bis (4-amino phenoxy) benzene, 2,2'-dimethyl-4,4'diaminobiphenyl, 2,2'-getyl
  • R 7 is shows the oxygen atom, C (CF 3) 2, C (CH 3) 2, S 0 2 than group selected.
  • ! ⁇ 8 ⁇ ! ⁇ 11 may be the same or different and represents a group selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group and a thiol group.
  • R 7 is shows the oxygen atom, C (CF 3) 2, C (CH 3) 2, groups selected from S_ ⁇ 2.
  • R 8 to R 11 may be the same or different and represent a group selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group and a thiol group.
  • 3,4, diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminino examples include diphenylenolesnorefone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 1,4-bis (4-aminobutenoxy) benzene, and diamine having the structure shown below. These are used alone or in combination of two or more.
  • R 7 is shows the oxygen atom, C (CF 3) 2, C (CH 3) 2, groups selected from S_ ⁇ 2.
  • R 8 and R 9 may be the same or different and represent a group selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group and a thiol group.
  • R 3 and R 5 in the general formulas (1) to (4) represent a hydrogen atom or a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, a thiol group, or an organic group having 1 to 20 carbon atoms.
  • R 3 and R 5 are preferably a hydrogen atom or an organic group, but from the viewpoint of the solubility of the aqueous solution of phenol, the phenolic group which is a soluble group of aqueous solution is preferred.
  • a hydroxyl group, a sulfonic group, and a thiol group are preferred.
  • a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, a thiol group, and a hydrogen atom or an alkyl group can be mixed.
  • R 3 and R 5 By controlling the amount of alkali-soluble groups, hydrogen and organic groups of R 3 and R 5, the dissolution rate in alkaline aqueous solution changes, and this adjustment makes it possible to use a negative photosensitive resin with an appropriate dissolution rate.
  • a composition can be obtained.
  • a preferred range is that 5% to 100% of R 3 and R 5 are alkaline soluble groups.
  • R 3 and R 5 contain at least one hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 16 carbon atoms, and the others are more soluble groups.
  • One NH— (R 4 ) m—X which is a structural component of the general formulas (1) and (2), is preferably represented by the following general formula (6). It is a component derived from a certain primary monoamine.
  • X is preferably a divalent to octavalent organic group having at least one group selected from a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, and a thiol group, and more preferably a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group.
  • a divalent to octavalent organic group having at least one group selected from a group and a thiol group is preferred.
  • one CO— (R 4 ) mY which is a structural component of the general formulas (3) and (4) is preferably represented by the general formulas (7) and (8). It is a component derived from a sealant selected from acid anhydrides, monocarboxylic acids, monoacid chloride compounds, and monoactive ester compounds.
  • Y is preferably a divalent to octavalent organic group having at least one group selected from a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group and a thiol group, and more preferably selected from a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group and a thiol group.
  • a divalent to octavalent organic group having at least one group is preferred.
  • Y in general formulas (3) and (4) is Any of only the terminal capping group represented by the general formula (7), only the terminal capping group represented by the general formula (8), and a compound containing both the general formula (7) and the general formula (8) Is also good.
  • R 4 is a divalent group selected from CR 17 R 18 —, —CH 2 ⁇ _, _CH 2 S 0 2 —
  • R 17 and R 18 represent a monovalent group selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group, and a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
  • R 14 represents a hydrogen atom or a monovalent group selected from hydrocarbon groups having 1 to 10 carbon atoms. Among them, a hydrogen atom and a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms are preferable, and a hydrogen atom, a methyl group and a t-butyl group are particularly preferable.
  • R 15 and R 16 each represent a hydrogen atom, a monovalent group selected from hydrocarbon groups having 1 to 4 carbon atoms, or a ring structure in which R 15 and R 16 are directly bonded (for example, Ring).
  • R 12, R 1 3 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a thiol group, selected from a hydrocarbon group of a carbon number of 1 to 1 0, one at least is a hydroxyl group, a carboxyl group, Indicates a sulfonic acid group and a thiol group.
  • A, E, and G are carbon atoms or nitrogen atoms, which may be the same or different.
  • m is an integer from 0 to 10 and preferably an integer from 0 to 4.
  • 1 is 0 or 1, preferably 0.
  • p is 0 or 1
  • q is an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2.
  • r, s, and t are 0 or 1.
  • the primary monoamines of the general formula (6) specifically include 5-amino-8-hydroxyquinoline, 4-amino-8-hydroxyquinoline, 1-hydroxy-18-aminonaphthalene, 1-hydroxy-1- 7-amino nonaphthalene, 1-hydroxy mouth 6-amino-naphthalene, 1-hydroxy 5-amino-phthalene, 1-hydroxy 4-amino-naphthalene, 1-hydroxy Droxy 3-amino-phthalene, 1-hydroxy-l-amino-naphthalene, 1-amino-7-hydroxy-phthalene, 2-hydroxy-17-amino-phthalene, 2-hydroxy-6-amino-naphthalene, 2- Hydroxy 5—Aminonaphthalene, 2-Hydroxy 4-Aminonaphthalene, 2-Hydroxy 3—Aminonaphthalene, 1-Amino 1-2—Hydroxynaphthalene, 1 Power Norebokishi one 8 - ⁇ amino naphthalene, 1 Ichiriki Norebok
  • 2-Aminonaphthalene 1-amino-1 7-Mercaptonaphthalene, 2-Merca 7-Aminonaphthalene, 2—Mercapto 6-Aminonaphthalene, 2-Menolecapto-5-aminonaphthalene, 2-Mercapto4-1-aminononaphthalene,
  • 2-mercapto-3-aminoaminophthalene 1-amino-2-mercaptonaphthalene, 3-amino-4,6-dimercaptopyrimidine, 2-aminothiophenol, 3-aminothiophenol, 4-aminothiophenol, etc. Is mentioned.
  • 5-amino-8-hydroxyquinoline 1-hydroxy7-aminononaphthalene, 1-hydroxy-6-aminonaphthalene, 1-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-hydroxynaphthalene 1 4-Aminonaphthalene, 2—Hydroxy 7—Aminonaphthalene, 2—Hydroxy-1 6—Aminonaphthalene, 2—Hydroxy-1-5-aminonaphthalene, 1-Lipoxy-17—Aminonaphthalene, 1 1-Carboxy 6-amino nonaphthalene, 1 1-Carboxy 1-5-amino naphthalene, 2-force noreoxyl 7-aminonaphthalene, 2-force noreoxy 16-amimi nonaphthalene, 2-Carboxy 1-5-a Minonaphthalene, 2-aminobenzoic acid, 3-aminobenzoic acid, 4-aminobenzoic acid, 4-aminosalicylic acid, 5-aminosalicylic
  • 3 -aminobenzenesnolephonic acid 4 -aminobenzenesulfonic acid, 3 -amino-1,4,6-dihydroxypyrimidine, 2-aminophenol, 3-aminophenol, 4-aminophenol, Preferred are 2-aminothiophenol, 3-aminothiophenol, 4-aminothiophenol and the like. These are used alone or in combination of two or more.
  • acid anhydrides examples include phthalic anhydride, maleic anhydride, nadic acid, and cyclohexane.
  • Acid anhydrides such as xandicarboxylic anhydride, 3-hydroxyphthalic anhydride, 2-carboxyphenol, 3-carboxyphenol, and 4-carboxylic phenol, 2-carboxylic phenol.
  • Monoacid chloride compounds in which only the monocarboxylic acid group of the dicarboxylic acids of the formula (1) is converted to an acid moiety, a monoacid chloride compound and N-hydroxybenztriazolone or N-hydroxy5-nonoleponoleneen-2 And active ester compounds obtained by reaction with 3,3-dicarboxyimide.
  • acid anhydrides such as phthalic anhydride, maleic anhydride, nadic acid, cyclohexanedicarboxylic anhydride, 3-hydroxyphthalic anhydride, 3-force phenoloxyphenol, Reboxyphenol, 3 _ Canoleboxythiophenol, 4 phenolic phenol, 1-hydroxyl 7-carboxynaphthalene, 1-hydroxyl-6-carboxynaphthalene, 1- Droxy-l-5-carboxynaphthalene, 1-menolecapto-l7-force ropoxynaphthalene, 1-mercapto-l-6-force lipoxynaphthalene, 1-mercapto-l-5-carboxynaphthalene, 3-force-norboxoxybenzenesnolephonic acid, 4-Carboxylic acids such as phenolic benzene snorrefonic acid and monoacid chlorides whose carboxyl groups are converted to acid Compounds and terephthalic acid, phthalic acid, male
  • the introduction ratio of the component represented by the general formula (6) (the X component of the general formulas (1) and (2)) can be calculated by converting the primary monoamine component of the terminal blocking agent, which is the base component, into the total amine component. relative min, preferably in the range of 0.1 to 6 0 mol%, particularly preferably from 5 to 5 0 mol 0/0.
  • the introduction ratio of the component represented by the general formula (7) or (8) depends on the amount of the acid anhydride of the end capping agent and the amount of the monomer.
  • the content is preferably in the range of 0.1 to 60 mol%, particularly preferably 5 to 55 mol 0 /, based on the diamine component. It is.
  • n represents the number of repeating structural units of the polymer of the present invention, and is preferably in the range of 3 to 200, particularly preferably 5 to 100. . If n is less than 3, the composition viscosity may not be able to be increased, and it may not be possible to use a thick film. On the other hand, if n exceeds 200, it may not be dissolved in the alkaline developer.
  • the fluorine atom is contained in the structure represented by any of the general formulas (1) to (4) in an amount of 10% by weight or more, water repellency appears at the interface of the film when the film is developed with an aqueous alkali solution. Is suppressed.
  • the fluorine atom content is more than 20% by weight, the solubility in an aqueous solution of alkali metal decreases, which is not preferable.
  • the fluorine atom is contained in an amount of 10% by weight or more and 20% by weight or less.
  • the heat resistance should not be reduced.
  • the aliphatic group having a siloxane structure in the R ⁇ R 2 may be copolymerized. Specifically, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxy is used as the diamine component. Examples thereof include copolymers of 1 to 10 mol% of sun, bis (p-amino-phenyl) octamethylpentasiloxane and the like.
  • the photosensitive resin composition of the present invention may be composed of only the structural units represented by the general formulas (1) to (4), or may be a copolymer or a blend with other structural units. Is also good. At this time, it is preferable that the composition contains 50 mol% or more of the structural units represented by the general formulas (1) to (4).
  • the type and amount of the structural unit used in the copolymerization or blending are preferably selected within a range that does not impair the heat resistance of the polyimide polymer obtained by the final heat treatment.
  • the polyimide of the present invention is obtained by substituting a part of diamine with a terminal blocking agent which is monoamine, or replacing an acid dianhydride with a monocarboxylic acid, an acid anhydride, a monoacid chloride compound, a monoactive ester compound. It is synthesized using a known method by substituting the terminal blocking agent. For example, a method of reacting a tetracarboxylic dianhydride with a diamine compound (partially substituted with a terminal capping agent which is a monoamine) at a low temperature, a method of reacting a tetracarboxylic dianhydride (partially with an acid anhydride) at a low temperature.
  • a diamine compound or a monoacid chloride compound or a monoactive ester compound with a terminal blocking agent) and a diamine compound Is substituted with a terminal capping agent which is a monoamine) in the presence of a condensing agent, to obtain a diester with tetracarboxylic dianhydride and alcohol, and then to convert the remaining dicarboxylic acid into acid chloride.
  • a polyimide precursor is obtained, and A method of completely imidizing using a known imidation reaction method, or a method of stopping the imidization reaction halfway and introducing a partial imidized structure, or a method of completely imidizing
  • a method of completely imidizing By blending the polymerized polymer and its polyimide precursor, it can be synthesized using a method that partially introduces an imid structure.
  • composition of the present invention has an imidization ratio of 1 with respect to the whole polymer constituting the composition.
  • polyimide so as to be 5% or more. More preferably, it is at least 20%.
  • the imidization ratio refers to the ratio of imidization present in the entire polymer constituting the composition. Thermosetting when the imidization rate falls below 15% The amount of shrinkage at the time becomes large, which is not suitable for thick film production.
  • the imidization ratio can be easily calculated by the following method. First, the infrared absorption spectrum of the polymer was measured, and the presence of an imid structure absorption peak (around 178 cm- 1 and around 137 cm- 1 ) due to polyimide was confirmed. . Next, the polymer was heat-treated at 350 ° C for 1 hour, the infrared absorption spectrum after heat treatment was measured, and the peak intensity around 1377 cm- 1 was compared with the intensity before heat treatment. Then, the imidization ratio in the polymer before ripening is calculated.
  • the composition of the present invention preferably contains, as the component (a), at least one polyimide selected from resins having structural units represented by general formulas (1) to (4). .
  • the polyimide is preferably contained in an amount of 10% by weight or more, and preferably 20% by weight, based on the whole polymer constituting the composition of the present invention. / 0 or more is particularly preferable.
  • One or more polyimides selected from the resins consisting of the structural units represented by the general formulas (1) to (4) weigh 10% by weight with respect to the entire polymer constituting the composition of the present invention. If it is contained more than 15%, the imidization ratio of the whole polymer constituting the composition becomes 15% or more.
  • the terminal blocking agent introduced into the polymer can be easily detected by the following method.
  • a polymer into which an endcapping agent has been introduced is dissolved in an acidic solution and decomposed into an amine component and an acid anhydride component, which are the constituent units of the polymer, and this is measured by gas chromatography (GC) or NMR measurement.
  • GC gas chromatography
  • NMR nuclear magnetic resonance
  • the terminal blocking agent used in the present invention can be easily detected.
  • polymer components with endcapping agents can be easily detected directly by pyrolysis gas chromatography (PGC), infrared spectrum and C13 NMR spectrum measurement. It is possible.
  • PPC pyrolysis gas chromatography
  • the compound having a polymerizable group (b) used in the present invention includes a polymerizable unsaturated functional group, and examples of the functional group include a butyl group, an aryl group, an atalyloyl group, and a methacryloyl group.
  • unsaturated double bond functional groups such as
  • unsaturated triple bond functional groups such as propargyl can be formed, and among these, a synergistic vinyl group acryloyl group and a methacryloyl group are preferable in terms of polymerizability.
  • the number of the functional groups contained is preferably 1 to 4 from the viewpoint of stability, and each may not be the same group.
  • the compound mentioned here is Those having a molecular weight of 30 to 800 are shown.
  • Examples of the compound having a polymerizable group include diethylene glycol diatalylate, triethylene glycol diatalylate, tetraethylene glycol diatalylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, and tetraethylene glycol dimethacrylate.
  • 1,9-nonanediol dimethacrylate 1,10-decanediol dimethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, isobornyl atalylate, and isobornyl methacrylate are particularly preferable.
  • the amount of the compound (b) used in the present invention is preferably 5 to 200 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer of (a), and is preferably 5 to 1 part by weight from the viewpoint of compatibility. More preferably, it is 50 parts by weight. If the amount used is less than 5 parts by weight, the exposed part is eluted during development, so that the film after development tends to remain. When the amount exceeds 200 parts by weight, the film after development also tends to remain, and the film may be whitened during film formation.
  • the (c) photopolymerization initiator used in the present invention includes, for example, benzophenone, Michler's ketone, 4,4,1-bis (getylamino) benzophenone, 3,3,4,4, -tetra (t-butylpropyl) Benzophenones such as benzophenone and 3,5-bis (gethylaminobenzylidene) -1-N-methyl-1,4-piperidone and 3,5-bis (getylaminobenzylidene) -1, N-ethyl-14-piperidone Benzylidenes, 7-Jetylamino-1,3-theno-yurcummarin, 4,6-Dimethyl_3-ethylaminocoumarin, 3,3, -force Luponylbis (7-Jetylaminocoumarin), 7-Jetylamino3 — (1—Methylmethylbenzimidazolyl) coumarin, 3— (2-benzothiazolyl) Down ethers,
  • oximes such as [4- (phenylthio) phenyl]-, 2- ( ⁇ -benzoyloxime), and particularly preferred are 1-phenyl-1,2_propanedione-2-(( ⁇ — Ethoxycarbonyl) Oxime, 1-Fe-N, 1,2-Prono, 0- Zeon-One 2- ( ⁇ -Benzoinole) Oxime, Bis ( ⁇ -isononitrosop) Mouth piofenoxime) Isophthal, 1,2-octanedione, 1_ [4- (phenylthio) phenyl] 1,2_ (o-benzoyloxime). These are used alone or in combination of two or more.
  • those which are combined with the composition of the present invention include the above-mentioned benzophenones, glycines, mercaptos, oximes, ⁇ -aminoalkylphenones, 2,2′-bis ( ⁇ - Combination selected from 4, 4 ', 5, 5'-tetrafyl nitrimidazole is preferred from the viewpoint of photoreaction.
  • These photosensitizers can be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the photopolymerization initiator (c) to be used is generally preferably 0.1 to 40 parts by weight per 100 parts by weight of the polymer (a), and when two or more kinds are used in combination. Is preferably 0.2 to 60 parts by weight in total.
  • thermally crosslinkable compound (d) used in the present invention examples include a compound having a thermally crosslinkable group represented by the general formula (5) and a benzoxazine compound.
  • R 6 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and 4 to 2 carbon atoms.
  • R 7 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • thermally crosslinkable compound examples include those having one of these thermally crosslinkable groups, such as ML-26X, ML-24X, ML-236TMP, and 4-methylonole 3M.
  • MBO C DML—OCHP, DML—PC, DML—PCHP, DML-P
  • TBP TBP, DML—34X, DML—EP, DML—POP, DML—OC, dimethylol-Bis—C, dimethylol-BisOC—P, DML-BisO
  • DML—B is OCHP—Z, DML—PFP, DML_P SBP, DML—MB 25, DML—MT ris PC, DML—Bis 25 X—34 XL, DML—Bis 25 X-P CH P (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), Two-strength rack MX-290 (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), B-a-type benzozoxazine, B-m-type benzozoxazine (trade name, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.), 2, 3,6-dimethoxymethinolate 4-t-butinolephenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2> 6-diacetoxymethyl-p-cresomono tri, etc.
  • Tri ML—35 XL Tri ML—Tris CR—HAP (above, trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) and TM—BIP—A ( Trade name, Asahi Organic Materials Co., Ltd.), TML-BP, TML-HQ, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP (above, trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.)
  • thermo-crosslinkable groups those containing at least two thermo-crosslinkable groups are preferred in the present invention, and particularly preferred are 46 DMO C and 46 DMO EP (trade names, manufactured by Asahi Kikai Kogyo Co., Ltd.) ), DML—MB PC, DML—MB OC, DML—O CH P, DML—PC, DML—P CH P, DML—PTBP, DML—34X, DM L—EP, DML—POP, Dimethylol-B is OC—P, DML—PFP, DML—PSBP, DML—MT ris PC (above, trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), Nishiro Rack MX—290 (trade name, Sanwa Corporation) Chemical), B-a-type benzoxazine, B-m-type benzoxazine (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), 2,6-Dimethoxymethyinole 4-t-butyn
  • TML-HQ, TML—pp—BPF, TML—BPA, TMOM—BP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), Double rack MX—280, Yukarak M X-270 (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), HML-TPPHBA, HML-T PHAP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), and the like.
  • an alicyclic compound-Karak MX-28 °, Yucharak MX-270 (all trade names, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), B-a-type benzoxazine, B-a — M-type benzoxazine (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), two-strength rack MW—390, two-strength rack MW—100 LM (trade name, Sanwa Chemical Co., Ltd.) Manufactured).
  • the resin composition obtained by adding these compounds (d) causes a thermal crosslinking reaction due to heat during the heat treatment, and the shrinkage is further reduced.
  • thermally crosslinkable compounds (d) those having a methylol group and a methylol group in which a hydrogen atom of an alcoholic hydroxyl group is substituted are crosslinked by a reaction mechanism of directly adding to a benzene ring as follows. .
  • the amount of such a thermally crosslinkable compound to be added is preferably from 0.5 to 150 parts by weight, more preferably from 1 to 1 part by weight, per 100 parts by weight of the polymer (a). It is in the range of 30 parts by weight. If the amount of the thermally crosslinkable compound (d) is more than 150 parts by weight based on 100 parts by weight of the component (a), the heat resistance of the photosensitive resin film decreases because the resin ratio is too small. There's a problem. On the other hand, if the amount is less than 0.5 part by weight, there is a problem that the effect of increasing the molecular weight by crosslinking is small, and the heat resistance of the photosensitive resin film is reduced.
  • the (e) colorant used in the present invention has a function of preventing stray light from the light emitting area in the insulating layer of the organic electroluminescent element, and has a function of preventing circuit wiring on the board from being used in a solder resist for a circuit board. There is a blindfold effect.
  • the (e) colorant used in the present invention includes dyes, thermochromic dyes, inorganic pigments, organic pigments and the like. Further, those which are soluble in an organic solvent capable of dissolving the component (a) and compatible with the resin are preferable.
  • examples of the dye include oil-soluble dyes, disperse dyes, reactive dyes, acid dyes and direct dyes.
  • As the skeleton structure of the dye anthraquinone-based, azo-based, phthalocyanine-based, methine-based, oxazine-based and metal-containing complex systems of these dyes can be used. Among them, phthalocyanine-based and metal-containing complex-based systems can be used.
  • thermochromic dye used in the present invention is preferably a thermochromic compound which develops a color upon heating and exhibits an absorption maximum in the range of 35 to 700 nm, and is a general thermosensitive dye or pressure-sensitive dye. May be. These thermochromic compounds change their chemical structure and charge state by the action of acidic groups that coexist in the system when heated. And those that develop color by causing a thermal oxidation reaction or the like in the presence of oxygen in the air.
  • thermochromic dye examples include a triarylmethane skeleton, a diarylmethane skeleton, a fluoran skeleton, a bislactone skeleton, a phthalide skeleton, a xanthene skeleton, a rhodamine ratamone skeleton, a fluorene skeleton, a phenothiazine skeleton, a phenoxazine skeleton, and a spiropyran skeleton. Is mentioned.
  • thermochromic dyes of the present invention include 4,4 ', 4 "-tris (dimethylamino) triphenylmethane, 4,4', 4" -tris (jetylamino) 12, 2 ', 2 "— trimethyl triphenyl methane, 2, 4', 4" -methylidene trisphenol, 4, 4 ', 4 "— methylidene trisphenyl, 4, 4'-[(4-hydroxyphenyl) ) Methylene] bis (benzeneamine), 4,4 '-[(4-aminophenol) methylene] bisphenol, 4,4'-[(4-aminophenol) methylene] bis [3,5-dimethylphenol] , 4, 4 '-[(2-hydroxyphenyl) methylene] bis [2,3,6-trimethylenophenolesole], 4- [bis (4-hydroxyphenyl) methinole] 1-2- Methoxy phenol, 4, 4 '1 [(2-hydroxyphenyl) methyl
  • thermochromic dye is preferably a compound which forms heat at a temperature higher than 120 ° C, more preferably a thermochromic compound which forms a color at a temperature higher than 180 ° C.
  • a thermochromic compound having a higher coloring temperature has better heat resistance under high temperature conditions, and has less light fade due to long-term ultraviolet-visible light irradiation, and has excellent light resistance.
  • the organic pigment used in the present invention a pigment having high coloring properties and high heat resistance is preferred, and carbon black and Z or a combination of two or more organic pigments are particularly preferred.
  • the carbon black include furnace blacks such as HC F, MC F, LFF, RCF, SAF, IS AF, HAF, XCF, FEF, GPF, and SRF, thermal blacks such as FT and MT, and channel blacks. , And acetylene black. These carbon blacks can be used alone or in combination of two or more.
  • organic pigment used in the present invention those having excellent heat resistance are preferable.
  • typical pigments are indicated by color index (CI) numbers.
  • yellow pigments include pigment yellow 12, 13, 13, 14, 17, 20, 20, 24, 31, 5 5, 8 3, 86, 93, 94, 109, 110, 1 17, 1 25, 1 37, 1 38, 1 39, 1 47, 1 48 , 150, 15 3, 15 4, 15 5, 16 6, 16 8, 17 3, 18 0, 18 5 and the like.
  • orange pigments include: Pigment Orange 13, 3, 31, 36, 38, 40, 42, 43, 51, 55, 59, 61, 64, 65, 7 1 and the like.
  • red pigments examples include Pigment Red 9, 97, 122, 122, 144, 149, 166, 166, 176, 177, 188 0, 190, 192, 209, 215, 216, 224, 242, 254 and the like.
  • purple pigments include Pigment Biolet 19, 23, 29, 32, 33, 36, 37, 38, and the like.
  • blue pigments include Pigment Blue 15 (15: 3, 15: 4, 15: 6, etc.), 21, 22, 60, 64 and the like.
  • green pigments examples include Pigment Green 7, 10, 36, 47, and the like.
  • the inorganic pigment used in the present invention is preferably an insulating metal compound.
  • the function as an insulating layer of an organic electroluminescent display device becomes insufficient, and when a light emitting element is manufactured, an electrical short circuit or the like is caused, which causes a serious problem.
  • the insulating metal compound include manganese oxide, titanium oxide, titanium oxynitride, chromium oxide, vanadium oxide, iron oxide, cobalt oxide, and niobium oxide.
  • manganese oxide and titanium oxynitride are suitably used in the present invention.
  • the manganese oxide is generally composed of a composition of Mn x ⁇ y (1 ⁇ y ⁇ X ⁇ 2).
  • manganese oxide preferably one o'clock particle size 1 0 0 nm following powders used, and more preferably 6 0 nm or less. in addition primary particle size arithmetic mean using an electron microscope Can be obtained by
  • Titanium nitride oxide preferably used in the present invention generally T i N a O 0 (0 ⁇ ⁇ 2, 0. 1 ⁇ ⁇ 2) a composition of.
  • the primary particle diameter of the titanium oxynitride is preferably 100 nm or less, more preferably 60 nm or less, like the manganese oxide.
  • the amount of the colorant (e) used in the present invention is based on 100 parts by weight of the component ().
  • the amount is preferably from 0.2 to 100 parts by weight, particularly preferably from 0.4 to 70 parts by weight. If the amount of the colorant (e) is more than 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the (a) component, the resin ratio is too small, and the adhesion strength between the photosensitive resin film and the substrate is reduced. There is. On the other hand, when the amount is less than 0.2 parts by weight, the function as a blinder cannot be achieved.
  • the organic pigment and the inorganic pigment those having been subjected to surface treatment such as mouth fining treatment, acidic group treatment, and basic group treatment may be used, if necessary. It can also be used with a dispersant.
  • the dispersant include cationic, anionic, nonionic, amphoteric, silicone, and fluorine-based surfactants.
  • the coloring agent of component (e) added to the present invention exhibits functions as a solder resist, a light-shielding separator for an organic electroluminescent display device or a liquid crystal display device, a black matrix, and a blinder. Depending on the application, it may be preferable to exhibit a broad absorption range from infrared to ultraviolet. Coloring methods include a method using one or more dyes or pigments, a method using two or more dyes or pigments in combination, and a method combining one or more dyes or pigments with one or more other dyes or pigments. And the like. In addition, a compound having a phenolic hydroxyl group can be contained for the purpose of controlling the alkali developability of the composition.
  • Compounds having a phenolic hydroxyl group that can be used in the present invention include, for example, Bis-Z, BisOC-Z, BisOPP-Z, BisP-CP, Bis26X-Z, B is OT BP—Z, B is OCHP—Z, B is OCR -CP, B is P—MZ, B is P—E, B is 26 X—CPB is P—PZ, B is P—IPZ, B is CR—IPZ, B is OC P_ IPZ, B is OIPP—CP, B is 26 X—IPZ, B is OTB P—CP, T ek P-1HB PA (Tetorakis P—DO—B PA) ⁇ T ris P—HAP, Tris
  • preferred compounds having a phenolic hydroxyl group are, for example, Bis-Z, BisP—EZ, TekP—4HBPA, TrisP—HAP, TrisP—PA, BisOCHP—Z , B is P— MZ, B is P— PZ, B is P— IPZ, B is OC P— IPZ, B is P— CP, B is RS— 2 P, B is RS— 3 P, B is P— OCHP, methylene tris-FR—CR, Bis RS—26X, BIP—PC, BIR—PC, BIR—PTBP, BIR—BIPC—F and the like.
  • particularly preferred compounds having a phenolic hydroxyl group are, for example, Bis_Z, TekP-4HBPA, TrisP-HAP, TrisP-PA, BisS-2P, BisRS — 3P, BIR—PC, BIR—PTB P, BIR—BIPC—F.
  • the compound having a phenolic hydroxyl group By adding the compound having a phenolic hydroxyl group, the obtained resin composition is easily dissolved in an alkaline developer before exposure, becomes hardly soluble in the alkaline developer upon exposure, and becomes a film formed by development. The reduction is small and development is easy in a short time.
  • the amount of such a compound having a phenolic hydroxyl group to be added is preferably 1 to 60 parts by weight, more preferably 3 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer.
  • a surfactant for the purpose of improving the wettability between the photosensitive resin composition and the substrate.
  • Ketones such as hexahexanone and methyl isobutyl ketone, and ethers such as tetrahydrofuran and dioxane may be mixed.
  • inorganic particles such as silicon dioxide and titanium dioxide, or powder of polyimide may be added.
  • a silane coupling agent, a titanium chelating agent, etc. may be added to the varnish of the photosensitive resin composition in order to improve the adhesion to the underlying substrate such as a silicon wafer.
  • a silane coupling agent, a titanium chelating agent, etc. may be added to the varnish of the photosensitive resin composition in order to improve the adhesion to the underlying substrate such as a silicon wafer.
  • the base substrate can be pre-treated with such a chemical solution.
  • Mechirumetaku Li Rokishijime Tokishishiran 3-amino Nopurobiruto Increment Tokishishiran, Shirankappuri ing agents, such as, Chitankire preparative agents, Wa an aluminum chelating agent -. 0 for the polymer in the scan 5 1 0 wt 0 Add / 0 .
  • the above-mentioned coupling agents may be replaced with isopropanol, ethanol, methanol, water, tetrahydrofuran, propylene glycol monomethyl / lethenorea acetate, propylene glycol monomethyl ether, and ethyl citrate.
  • Surface treatment is performed by spin-coating, dipping, spraying, or steaming a solution prepared by dissolving 0.5 to 20% by weight in a solvent such as getyl adipate. In some cases, the temperature between 50 ° C. and 300 ° C. is then applied to advance the reaction between the substrate and the force coupling agent.
  • the photosensitive resin composition of the present invention does not contain an ionic salt, a diaryl compound or a tetraalkylammonium salt for the purpose of inhibiting the dissolution of the component (a) in an aqueous alkali solution. If these are contained, the compound will be decomposed in the subsequent heat treatment, generating an acid or a base, which will deteriorate the film, lower the heat resistance of the obtained film, lower the mechanical properties, and adherence There is a possibility that problems such as a decrease in water quality will occur.
  • the components (a) to (e) of the present invention and the compound having a phenolic hydroxyl group are used in a state of being dissolved and / or dispersed in an organic solvent.
  • organic solvent used here those having a boiling point under atmospheric pressure of 80 ° C. to 250 ° C. are preferably used.
  • the organic solvent used in the present invention includes ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoresinethylene ethereene, and ethylene glycol monoreetino.
  • Ethers such as polyethylene glycol, ethylene glycol glycol, and ethylene glycol glycol, ethylene glycol glycol monoethylene resin, ethylene glycol glycol monoethylene glycol acetate, propylene glycol glycol monomethyl ether ether acetate, propynolacetate Acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, and other acetates, acetyl acetate , Methyl propyl ketone, methyl butyl ketone, methyl isobutynole ketone, cyclopentanone, ketones such as 2-heptanone, butyl alcohol, isobutyl alcohol, pentanol, 4-methyl-2-pentanol, 3-methynole- 1 2 —Butanol, 3-methinolane 3-Met
  • butyrolactone tons and the like.
  • those which dissolve the component (a) and have a boiling point under atmospheric pressure of 100 ° C. to 180 ° C. are particularly preferred. If the boiling point is lower than 100 ° C, the solvent may evaporate during application of the composition, depending on the composition, and application may not be possible. On the other hand, when the temperature exceeds 180 ° C., the heat treatment temperature of the composition becomes high, and in practical use, the material of the underlayer is greatly restricted, which may be undesirable. Further, by using a solvent that dissolves the component (a), a coating film with good uniformity can be formed on the base substrate.
  • cyclopentanone ethylene glycol monomethyl monoethyl ether ether, ethylene glycol corn monoethyl ether ether, propylene glycol monomethyl ether, methyl lactate, ethyl lactate, and diacetate.
  • Tol alcohol 3-methyl-3-methoxybutanol.
  • the organic solvent used in the resin composition of the present invention is preferably from 20 to 800 parts by weight, particularly preferably from 30 to 800 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer as the component (a). It is 500 parts by weight. These may be used alone or as a mixture. Next, a method for forming a heat-resistant resin pattern using the photosensitive composition of the present invention will be described.
  • the photosensitive resin composition is applied on a substrate.
  • a silicon wafer, ceramics, gallium arsenide, or the like is used, but is not limited thereto.
  • the coating method include spin coating using a spinner, spray coating, and roll coating.
  • the coating thickness is determined by the coating method, the solid content concentration of the composition, and the viscosity. Usually, it is applied so that the film thickness after drying is from 1 to 150 m, although it varies depending on the degree.
  • the substrate coated with the photosensitive resin composition is dried to obtain a photosensitive resin composition film. Drying is preferably performed using an oven, a hot plate, infrared rays, etc., at a temperature of 50 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to several hours.
  • the photosensitive resin composition film is exposed to actinic radiation through a mask having a desired pattern, and is exposed.
  • Actinic rays used for exposure include ultraviolet rays, visible rays, electron beams, and X-rays.
  • Formation of the pattern of the resin composition is achieved by removing the unexposed portions using a developer after exposure.
  • Examples of the developer include: N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-12-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphospho Lutriamide alone or in methanol, ethanol, isopropyl alcohol, methyl carbitol, methyl ethanol, tonole, tonoleen, xylene, etinole lactate, etinole pizolebinate, propylenglycone monomethinoleate enoate acetate
  • Organic solvents such as methinolate, 3-methoxypropionate, ethyl-3_ethoxypropionate, 2-heptanone, and ethyl acetate; aqueous solutions of tetramethylammonium; diethanolamine; getylaminoethanol , Sodium hydroxide, hydroxide Lithium, sodium carbonate, lithium carbonate, trie
  • aqueous solution of a compound exhibiting alkalinity such as potassium, sodium carbonate, potassium carbonate, and triethylamine is preferred.
  • a compound exhibiting alkalinity such as potassium, sodium carbonate, potassium carbonate, and triethylamine is preferred.
  • N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide may be added to these aqueous alkali solutions.
  • a rinsing treatment may be carried out by adding alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, and esters such as ethyl citrate and propylene glycol monomethyl ether acetate to water.
  • a step of baking before development may be incorporated.
  • the temperature is preferably in the range of 50 to 180 ° C, more preferably in the range of 60 to 150 ° C.
  • the time is preferably from 10 seconds to several hours. Care must be taken if the ratio is out of this range, since the reaction may not proceed or the entire region may not be dissolved.
  • a temperature of 120 ° C to 280 ° C is applied to form a resin film.
  • This heat treatment is carried out for 5 minutes to 5 hours while selecting the temperature and increasing the temperature stepwise, or while selecting a certain temperature range and continuously increasing the temperature.
  • heat treatment is performed at 130 ° C., 2000 ° C., and 350 ° C. for 30 minutes each.
  • a method of raising the temperature linearly from room temperature to 400 ° C. over 2 hours may be mentioned.
  • the heat-resistant resin film formed by the photosensitive resin composition according to the present invention is used for a passivation film of a semiconductor, a protective film of a semiconductor element, an interlayer insulating film of a multilayer wiring for high-density mounting, a wiring protective insulating film of a circuit board, and the like. Used for
  • composition of the present invention can be used for an insulating layer formed in a display device.
  • a display device using an insulating layer include a display device including a first electrode formed on a substrate and a second electrode provided to face the first electrode.
  • LCDs, ECDs, ELDs, and display devices using organic electroluminescent elements (organic electroluminescent devices) are applicable.
  • the present invention is not limited by these examples.
  • the evaluation of the photosensitive resin composition and the like was performed by the following method.
  • the imidization ratio of the polymer used was calculated as follows. First of all, measuring the infrared absorption scan Bae-vector of the polymer one, confirm the presence of the absorption peak of the imide structure due to the polyimide (1 7 8 0 cm _ 1 near, 1 3 7 7 cm- near 1) Next, the polymer was heat-treated in a nitrogen atmosphere at 350 ° C for 1 hour, the infrared absorption spectrum after the heat treatment was measured, and the peak intensity near 1377 cm- 1 was measured before heat treatment. By comparing with the strength, the imidization ratio in the polymer before heat treatment was calculated.
  • a photosensitive resin composition (hereinafter referred to as varnish) is applied on a 6-inch silicon wafer so that the film thickness after pre-baking becomes 30 m, and then a hot plate (Mark manufactured by Tokyo Electron Co., Ltd.) is applied.
  • the photosensitive resin film was obtained by pre-baking at 100 ° C for 2 minutes using —7).
  • Exposure machine (Ultratech Co., Ltd. entire wavelength stepper Spectrum 3e), the reticle cut the pattern is set, subjected to full wave exposure with an exposure amount 7 0 0 m J cm 2 ( i -ray conversion) Was.
  • the exposed film was subjected to beta treatment after exposure at 60 ° C. for 1 minute using a hot plate (Mark-7, manufactured by Tokyo Electron Ltd.) before development.
  • the residual film ratio was calculated according to the following equation.
  • the shrinkage residual film ratio was calculated according to the following equation.
  • Shrinkage residual film ratio (%) film thickness after heat treatment ⁇ film thickness after development X 100
  • BAHF (18.3 g, 0.05 mol) was dissolved in 100 mL of acetone and 17.4 g (0.3 mol) of propylene oxide, and cooled to 115 ° C.
  • a solution of 20.4 g (0.11 mol) of 4-nitrobenzoyl chloride dissolved in 100 mL of acetone was added dropwise thereto. After the completion of the dropwise addition, the mixture was reacted at 115 ° C. for 4 hours, and then returned to room temperature.
  • the precipitated white solid was separated by filtration and dried in vacuum at 50 ° C.
  • a photosensitive polyimide film was formed on a silicon wafer, exposed, baked after exposure, alkali-developed, and heat-treated at 170 ° C for 60 minutes to prepare a varnish.
  • the alkali developability, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress resistance were evaluated.
  • NMP NMP was added together with 30 g, and the mixture was reacted at 20 ° C for 1 hour, and then reacted at 50 ° C for 4 hours. Thereafter, the mixture was stirred at 180 ° C for 5 hours. After stirring is complete, the solution is
  • a negative photosensitive polyimide composition was prepared by dissolving 5 g of a relay (compound having a polymerizable group consisting of an unsaturated double bond functional group) and 1 g of vinyltrimethoxysilane in 10 g of ⁇ -butyrolatatone. I got Varnish B.
  • a photosensitive polyimide film was formed on the silicon wafer, exposed, exposed, beta-development, and heat-treated at 200 ° C. for 60 minutes.
  • the alkaline developability, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress resistance of the obtained samples were evaluated.
  • the solution was poured into 2 L of water to collect a white precipitate.
  • the precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried in a vacuum dryer at 80 ° C for 20 hours.
  • the resulting polymer solids was measured by infrared absorption spectrum, 1 7 8 0 cm- around 1, 1 3 7 7 cm one 1 near the absorption peak of the I Mi de structure due to polyimide is detected Was done. The imidization ratio of the polymer solid thus obtained was examined.
  • a photosensitive polyimide film is formed on a silicon wafer using the obtained varnish, exposed, exposed, beta- and alkali-developed, and heat-treated at 180 ° C for 60 minutes, and alkali-developed of the varnish.
  • the properties, residual film ratio, contracted residual film ratio, crack resistance, and stress resistance were evaluated. '
  • a photosensitive polyimide film was formed on a silicon wafer using the obtained varnish, exposed, baked after exposure, alkali developed, and heated at 150 ° C for 60 ° C.
  • the varnish was subjected to partial heat treatment, and the varnish was evaluated for alkaline developability, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress resistance.
  • the reaction was performed at 0 ° C for 4 hours. Thereafter, the mixture was stirred at 180 ° C for 5 hours. After completion of the stirring, the solution was poured into 3 L of water to collect a white precipitate. The precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried in a vacuum drier at 200 ° C. for 5 hours. The resulting polymer solids, was measured by infrared absorption spectrum, 1 7 8 0 cm- near 1, the absorption peak of the imide structure caused by the polyimide was detected around 1 3 7 7 cm one 1 . With respect to the polymer solid thus obtained, the imidization ratio was examined.
  • thermo-crosslinkable compound NI KALAC
  • MW-100 LM trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.
  • Colorant A—DMA trade name, Hodogaya Chemical 0.3 g of trimethylolpropane triatalylate (compound having a polymerizable group consisting of an unsaturated double bond functional group) was dissolved in 10 g of diacetone alcohol, and the negative type was prepared.
  • a varnish E of a photosensitive polyimide composition was obtained.
  • a photosensitive polyimide film was formed on a silicon wafer using the obtained varnish, exposed, baked after exposure, alkali-developed, and heat-treated at 180 ° C for 60 minutes. The alkali developability, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress resistance of S.S. were evaluated.
  • Example 3 2 g of the photopolymerization initiator 2-benzyl-2 was added to 1 g of the polymer solid obtained in Example 3.
  • a varnish F of a negative photosensitive polyimide composition was obtained by dissolving 3.5 g and 1.5 g of trimethylolpropane diacrylate in 13 g of ethyl lactate.
  • a photosensitive polyimide film is formed on a silicon wafer using the obtained varnish, exposed, baked after exposure, alkali-developed, and heat-treated at 200 ° C. for 60 minutes.
  • the alkali developability, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress resistance of the varnish were evaluated.
  • a varnish G of a negative photosensitive polyimide composition was obtained.
  • a photosensitive polyimide film was formed on a silicon wafer using the obtained varnish, exposed, baked after exposure, alkali-developed, and heat-treated at 210 ° C for 30 minutes to prepare a varnish. Alkaline developability, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress resistance were evaluated.
  • a glass substrate having an ITO transparent electrode film having a thickness of 130 nm formed on a surface of a non-alkali glass having a thickness of 1.1 mm by a sputtering deposition method was cut into a size of 120 ⁇ 100 mm .
  • a photoresist was applied on the ITO substrate and patterned by exposure and development using a conventional photolithography method. After removing unnecessary portions of the ITO by etching, the photoresist was removed, and the ITO film was patterned into a striped shape. This striped first electrode has a pitch of 100 inches.
  • Example 2 the concentration of the varnish A obtained in Example 1 was adjusted using ethyl lactate, applied to the substrate on which the first electrode was formed by spin coating, and then heated at 100 ° C. on a hot plate. Minutes pre-beta. After this film was exposed to UV light through a photomask, it was developed by dissolving only the exposed portion with a 2.38% TMAH aqueous solution and rinsed with pure water. The obtained polyimide pattern was cured by heating at 170 ° C for 30 minutes and then at 170 ° C for 60 minutes in a nitrogen atmosphere in a clean oven, and the insulating layer was used as the first electrode. It was formed so as to cover the edge. The thickness of the insulating layer is about 1: 7.
  • an organic electroluminescent device was manufactured using the substrate on which the insulating layer was formed.
  • the thin film layer including the light emitting layer was formed by a vacuum evaporation method using a resistance wire heating method.
  • a hole transport layer was formed by vapor deposition on the entire surface of the substrate effective area, and an aluminum layer was formed on the light emitting layer and the second electrode using a shadow mask.
  • the obtained substrate was taken out of the vapor deposition machine, and the substrate and the glass plate for sealing were sealed by bonding with a curable epoxy resin.
  • a patterned light emitting layer is formed on the ITO striped first electrode, and a simple matrix type color in which the striped second electrode is arranged orthogonal to the first electrode.
  • An electroluminescent device was manufactured. When this display device was driven line-sequentially, good display characteristics could be obtained.
  • the thin film layer and the second electrode were formed smoothly at the boundary of the insulating layer without thinning or breakage, so that there was no uneven brightness in the light emitting area and stable light emission was gotten.
  • the cross section was still tapered.
  • a simple matrix type color organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 9 except that the varnish C obtained in Example 3 was used and the curing conditions were set at 180 ° C for 30 minutes. Made. When this display device was driven line-sequentially, good display characteristics could be obtained without any uneven luminance.
  • a simple matrix type color organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 9 except that the varnish E obtained in Example 5 was used and the curing conditions were set at 200 and 30 minutes. .
  • the present display device was driven line-sequentially, good display characteristics could be obtained without any luminance unevenness.
  • a simple matrix type color organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 9 except that the varnish G obtained in Example 7 was used and the curing conditions were changed to 230 for 30 minutes. did. When this display device was driven line-sequentially, good display characteristics could be obtained without any uneven luminance.
  • Example 9 The same conditions as in Example 9 were used, except that the curing conditions were heating at 180 ° C for 30 minutes in an oven air atmosphere, and the thickness of the insulating layer was set to 3 ⁇ m, on the substrate on which the first electrode was formed. An insulating layer made of a photosensitive polyimide was formed. The volume resistivity was confirmed that 5 X 1 0 1 ° ⁇ cm at least. The cross section of the boundary portion of the insulating layer had a forward tapered shape, and the taper angle was about 45 °.
  • an organic electroluminescent device was manufactured using the substrate on which the insulating layer was formed.
  • Oxygen plasma or UV irradiation treatment was performed on the glass substrate on which the insulating layer was formed.
  • a hole injecting material or a hole transporting material dissolved in alcohol is coated on the substrate.
  • the film was formed by pin coating. Heating was performed at 180 ° C. for 30 minutes using an oven.
  • an organic light emitting material (each material of red, blue and blue) dissolved in toluene was pattern-coated on each opening by an inkjet method. Heating was carried out at 80 ° C. for 30 minutes using an oven. Finally, a second electrode was formed and sealed in the same manner as in Example 9.
  • a patterned green light-emitting layer, red light-emitting layer, and a blue light-emitting layer are formed on the 80-strip first electrodes having a width of 80 / m and a pitch of 100 ⁇
  • a simple matrix color organic electroluminescence in which a color light emitting layer is formed, and 200 stripe-shaped second electrodes with a width of 250 Mm and a pitch of 300 ⁇ m are arranged orthogonal to the first electrode The device was made. Since the three light-emitting regions of red, green, and blue form one pixel, the light-emitting device has 272 ⁇ 200 pixels at 300: 01 pitch. Since only the portion of the insulating layer that exposes the first electrode emits light, one light emitting region has a width of 70 ⁇ m and a length of 250 / zm.
  • an insulating layer, a hole injecting material or a hole transporting material, a light emitting material, and a second electrode were formed and sealed in the same manner as in Example 13.
  • 4,4 'diaminodiphenyl ether 11.4 g (0.057 mol), 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane 1.24 g under dry nitrogen flow (0.005 mol), 3.18 g (0.075 mol) of 3-aminophenol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) dissolved in 80 g of NMP as a terminal blocking agent Let me do it.
  • 31.02 g (0.1 mol) of bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride is added together with 20 g of NMP, and the mixture is reacted at 20 for 1 hour. The reaction was performed at 0 ° C for 4 hours.
  • the resulting polymer solids was measured by infrared absorption spectrum, 1 7 8 0 cm- near 1, the absorption peak of the imide structure caused by the polyimide was not detected in the vicinity of 1 3 7 7 c 1 .
  • 8.5 g of this polymer solid and 1.5 g of the polymer solid obtained in Example 1 were mixed, and the imidization ratio was examined.
  • the resulting varnish As described above, a photosensitive polyimide film is formed on a silicon wafer, exposed to light, exposed to beta, alkali developed, and heat-treated at 170 ° C for 60 minutes. The remaining film ratio, the remaining shrinkage film ratio, the crack resistance, and the stress resistance were evaluated.
  • the precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried with a vacuum drier at 80 ° C for 20 hours.
  • the resulting polymer solids was measured by infrared absorption scan Bae-vector, 1 7 8 0 cm near one 1, 1 3 7 7 cm- absorption peak of I Mi de structure due to polyimide near 1 Was not detected.
  • 5 g of this polymer solid and 5 g of the polymer solid obtained in Example 5 were mixed, and the imidization ratio was examined.
  • Compound NIKA LAC MW-100 LM (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) 1.5 g
  • Colorant A—DMA (trade name, manufactured by Hodogaya Chemical Industry Co., Ltd.)
  • 0.3 g of trimethylolpropane triatalylate (a compound having a polymerizable group consisting of an unsaturated double bond functional group) of 10 g is dissolved in 10 g of diacetone alcohol to obtain a negative photosensitive polyimide.
  • a composition K was obtained.
  • the reaction was carried out at 50 ° C for 4 hours. Thereafter, a solution obtained by diluting 15.19 g (0.127 mol) of N, N-dimethylformamide dimethyl acetal with 4 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was stirred at 80 ° C for 7 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and a precipitate of polymer solid was collected by filtration. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then the polymer solid was dried in a vacuum dryer at 80 ° C for 20 hours.
  • the resulting polymer solids was measured by infrared absorption scan Bae-vector, 1 7 8 0 cm near one 1, 1 3 7 7 cm- absorption peak of I Mi de structure due to polyimide near 1 was not detected.
  • 7 g of this polymer solid and 3 g of the polymer solid obtained in Example 5 were mixed, and the imidization ratio was examined.
  • a varnish L of a negative photosensitive polyimide composition was obtained in the same manner as in Example 16 except that 10 g of the mixed polymer solid was used.
  • a photosensitive polyimide film was prepared on a silicon wafer as described above, exposed, exposed, beta-developed, and heat-treated at 180 ° C for 60 minutes. The evaluation was made on the re-developability, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress resistance. Comparative Example 1
  • the resulting I polymer solids was measured by infrared absorption spectrum, 1 7 8 0 cm - 1 near the absorption peak of the 1 3 7 7 cm- 1 I Mi de structure that attributable to polyimide in the vicinity of the Not detected.
  • 10 g of the thus obtained polyimide precursor polymer / solid 0.5 g of bis ( ⁇ - isonitrosop); c-nonoxime) isophthalate, a photopolymerization initiator, and a two-component rack of a thermally crosslinkable compound (NI KALAC) MX-270 (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) 1 g
  • Tris P-PA 2 g trimethylol
  • a compound having a polymerizable group consisting of an unsaturated double bond functional group 5 g of propane diacrylate was dissolved in 12 g of ethyl lactate to obtain a varnish A1 of a negative photosensitive polyimide precursor composition.
  • a photosensitive polyimide precursor film is formed on a silicon wafer as described above, exposed, exposed, beta-alkali-developed, and heat-treated at 170 ° C. for 60 minutes to form a varnish.
  • the alkali developability, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress resistance were evaluated.
  • a photosensitive polyimide precursor composition Using the obtained varnish, as described above, a photosensitive polyimide precursor film was prepared on a silicon wafer, exposed, exposed, beta- and alkaline-developed, and heat-treated at 180 ° C for 60 minutes. The varnish was evaluated for alkaline development, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress metabolism.
  • the varnish B1 of the negative photosensitive polyimide precursor composition obtained in Comparative Example 2 was prepared as described above by forming a photosensitive polyimide precursor film on a silicon wafer, exposure, post-exposure beta, and alkali development.
  • the varnish was heat treated at 350 ° C. for 60 minutes, and the varnish was evaluated for alkali developability, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress resistance.
  • a varnish C1 of a negative photosensitive polyimide composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that 3-aminophenol was not used as a terminal blocking agent. Using the obtained varnish, as described above, a photosensitive polyimide film was prepared on a silicon wafer, exposed to light, baked after exposure, alkali developed, and heat-treated at 170 ° C for 60 minutes. The varnish was evaluated for alkali developability, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress resistance.
  • Comparative Example 5 The amount of the hydroxyamine-containing diamine compound (II) obtained in Synthesis Example 3 was changed to 60.45 g (0.1 mol), and the active ester compound (I) as a terminal blocking agent was used.
  • a varnish D1 of a negative photosensitive polyimide composition was obtained in the same manner as in Example 2, except for the absence. Using the obtained varnish, as described above, a light-sensitive polyimide film was formed on a silicon wafer, exposed, baked after exposure, alkali developed, and heat-treated at 200 ° C for 60 minutes. The varnish was evaluated for alkaline developability, residual film ratio, shrinkage residual film ratio, crack resistance, and stress resistance.
  • Example 9 Using the varnish A1 obtained in Comparative Example 1, a simple matrix color organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 9. When this display device was driven line-sequentially, no luminance unevenness was observed, but many emission unevenness was observed at the edge of the issue display section, and good display characteristics could not be obtained.
  • a heat treatment was carried out using a varnish E1 obtained by dissolving 0.5 g of DPI-TF (trade name, manufactured by Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd.) as a sodium salt in the polyimide varnish C obtained in Example 3.
  • a simple matrix type color organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 9, except that the conditions were changed to 180 ° C. for 30 minutes. When this display was driven line-sequentially, luminance unevenness was observed, and a large number of emission unevenness was observed at the edge portion of the issue display section, and good display characteristics could not be obtained.
  • Table 1 shows the compositions of DPI-TF Examples 1 to 8 and 15 to 17
  • Table 2 shows the compositions of Comparative Examples 1 to 5
  • Table 3 shows the evaluation results.
  • Example 1 A Polyimide 3-Aminopheno-Nore 100 170 ° C for 60 minutes in alkaline developer; Tanikai 90
  • Example 2 Holographic activity (te) 100 (200 ° C) for 60 minutes in alkaline developer ) Tani solution 88
  • Example 3 Polyimide 100 180 Cx 60 min Azorekari current; at night; valley angle? 90 Water
  • Example 4 Horii Bok 100 150 ⁇ valley angle ⁇ 92 Le to C x 60 minutes 7 alkaline developer
  • Example 5 E 7
  • Leaf example 1 bath 180 CX 60 minutes Bathing in alkaline developer 88
  • Comparative Example 4 C1 without polyimide 100 insoluble in alkaline developer at 170 ° C for 60 minutes 100
  • Comparative Example 5 without D1 polyimide 100 200 ° C for 60 minutes insoluble in alkaline developer 100
  • the present invention relates to a heat-resistant resin composition suitable for a surface protective film of a semiconductor device, an interlayer insulating film, an insulating layer of an organic electroluminescent device, a wiring protective insulating film of a circuit board, and the like.

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Abstract

本発明は、アルカリ現像可能なネガ型の感光性樹脂組成物に関する。 また本発明は、(a)ポリマー主鎖末端に、カルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基より選ばれる基を少なくとも一つ有するポリイミドと、(b)不飽和二重結合官能基および/または不飽和三重結合官能基からなる重合性基を有する化合物と、(c)光重合開始剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物である。

Description

明 細 書
感光性樹脂組成物およびそれを用いた電子部品ならびに表示装置
技術分野
本発明は、 半導体素子の表面保護膜、 層間絶縁膜、 有機電界発光素子の絶縁 層、 回路基板の配線保護絶縁膜などに適した、 耐熱性樹脂組成物に関する。 さ らに詳しくは、 紫外線で、 未露光の部分は、 アルカ リ水溶液に容易に溶解し、 露光した部分がアル力リ水溶液に不溶となるネガ型の感光性樹脂組成物及びそ れを用いた電子部品、 表示装置に関する。 背景技術
近年、 半導体工業にあっては、 従来より無機材料を用いて行われていた層間 絶縁材料として、 ポリイミ ド、 ポリべンゾォキサゾール等のような耐熱性に優 れた榭脂組成物が、 その特性を活かして使用されてきている。 しかし、 半導体 集積回路ゃプリント基板上の回路パターン形成は、 基材表面へのレジス ト材の 造膜、 所定箇所への露光、 エッチング等により不要箇所の除去、 基板表面の洗 浄作業等の煩雑で多岐にわたる工程を経てパターン形成が行われることから、 露光、 現像によるパターン形成後も必要な部分のレジス トを絶縁材料としてそ のまま残して用いることができる耐熱感光材料が開発された。
これらの材料として、 例えば、 感光性ポリイミ ド、 感光性ポリべンゾォキサ ゾール等の耐熱感光材料が開発実用化されており、 特に有機現像するネガ型の 感光性ポリイミ ドは、 その耐熱性が優れていることや不純物の排除が容易であ ること等の点から多くのデバイスメーカーで使用されている。 これらネガ型感 光性ポリイミ ドは、 ポリイミ ド前駆体に感光基を有する化合物を付加もしくは 混合する方法 (特開昭 5 4— 1 0 9 8 2 8号公報、 特開平 1 1— 2 4 2 6 8号 公報) などが光架橋反応によりコン トラス トを作りパターンを形成する。 しか し、 これらのネガ型感光性ポリイミ ドは基本的に有機溶剤現像に対応した材料 設計がなされており、 近年環境に対する配慮から廃液の処理において問題が少 ないとされるアルカ リ水溶液現像 (例えば、 水酸化テトラメチルアンモニゥム 水溶液) には対応しておらず、 溶解性が悪く、 パターンを形成することは困難 であった。 さらに、 アルカ リ現像可能なネガ型の感光性ポリイミ ドは、 基本的 に材料としてアルカリ可溶性基を含有する必要があるが、 ポリイミ ド前駆体に 対し、 全アルカ リ可溶性基の一部に光反応性基を導入する方法 (欧州公開特許 第 0 4 2 1 1 9 5号、 特開 2 0 0 2— 1 8 2 3 7 8号公報) による、 アル力リ ネガ現像型感光性ポリイミ ド前駆体は、 光反応性基導入によるポリマーのアル 力リ現像液に対する溶解性の低下から、 良好な現像後パターン形状を再現良く 発現することは困難であった。 また、 たとえ現像後パターン形状を再現良く発 現することができても、 ポリイミ ド前駆体を最終的にポリィミ ドに変換する場 合、 閉環反応にともなう膜の大きな硬化収縮が起こり、 2 0 μ ιη以上の厚膜で の使用の場合、 クラックが発生し、 使用が困難であった。 一方、 有機溶剤に可 溶かつアルカリ可溶なポリイミ ドも開発されたが、 従来のような、 ポリマーの アル力リ可溶性基の一部に光反応性基を導入を行うと、 良好な現像後パターン 形状を再現良く発現することは困難であったため、 ポリマー内には光反応性基 を導入せず、 光酸発生剤または、 光酸発生剤と酸架橋剤を添加し X、 ポジ型ま たはネガ型にすることしかできなかった。 (欧州公開特許第 1 1 9 9 6 0 4号、 特開平 1 0— 3 1 6 7 5 1号公報)。 発明の開示
本発明は、 紫外線で、 未露光の部分は、 アルカ リ水溶液に容易に溶解し、 露 光した部分がアル力リ水溶液に不溶となるネガ型の感光性樹脂組成物を製造す るに際し、 特定の構造を有するアルカリ可溶性かつ有機溶剤可溶なポリイミ ド を用いる。 当該ポリイミ ドが、 露光前はアルカ リ現像液に容易に溶解し、 露光 するとアル力リ現像液に不溶となり、 微細パターンを再現性良く解像する組成 物を提供することを目的とする。
すなわち本発明は、 (a ) ポリマー主鎖末端に、 カルボキシル基、 フエノール 性水酸基、 スルホン酸基、 チオール基より選ばれる基を少なく とも一つ有する ポリイミ ドと、 (b )不飽和二重結合官能基およびノまたは不飽和三重結合官能 基からなる重合性基を有する化合物と、 ( c )光重合開始剤を含有することを特 徴とする感光性樹脂組成物である。
本発明によれば、 ポリマー末端にアルカリ可溶性基を有しかつ、 ポリマー分 子量を適度に調節することによって、 有機溶剤に可溶だけでなくアル力リ可溶 なポリイミ ドを得ることができ、 また、 これをベースポリマーに用いたことか ら、 アルカリ水溶液で現像後に、 高温加熱処理により、 ポリマーをイミ ド化す る必要がなく、 パターン加工性、 熱収縮性、 クラック耐性、 ス ト レス耐性、 熱 処理の実用性に優れたネガ型の感光性樹脂組成物を得ることができ、 得られた 組成物は特に、 半導体素子の保護膜、 層間絶縁膜、 ディスプレイの絶縁層、 回 路基板の配線保護絶縁膜に好適に用いることができる。 本明細書は、 本願の優先権の基礎である特願 2 0 0 3— 1 5 6 2 6 9号の明 細書及ぴ 又は図面に記載された内容を包含する。 発明を実施するための最良の形態
本発明におけるポリイミ ドは、実用性から有機溶剤可溶性であるだけでなく、 ポリマー主鎖末端にアル力リ可溶性基が存在するため、 アル力リ可溶性をも有 する。 また、 ポリイミ ド構造を有するため、 ポリイミ ド前駆体のように、 加熱 あるいは適当な触媒により、 閉環反応によりイミ ド環にする必要がなく、 それ 故、 高温処理が不必要であり、 イミ ド環閉反応による硬化収縮起因のス ト レス が小さく、 ポリイミ ド前駆体よりも容易に厚膜を形成することができる。 半導 体業界で用いられているアル力リ現像液に対する実用性を考慮すると、 本発明 のポリイミ ドに用いられるアル力リ可溶性基としては、 水酸基の中でもフエノ ール性の水酸基、 チオール基、 カルボキシル基が好ましく、 特に好ましくは、 フエノール性の水酸基、 チオール基である。
本発明は、 アル力リ可溶性基を有する末端封止剤を使用して合成したポリィ ミ ドに、 不飽和二重結合官能基および Zまたは不飽和三重結合官能基からなる 重合性基を有する化合物と、 光重合開始剤を添加することで得られる樹脂組成 物が、 露光前はアルカ リ現像液に容易に溶解するが、 露光するとアルカ リ現像 液に難溶になるために、 現像による膜減りが少なく、 また、 アルカリ水溶液で 現像後に、 高温加熱処理により、 ポリマーをイミ ド化する必要がなく、 パター ン加工性、 熱収縮性、 クラック耐性、 ストレス耐性、 熱処理の実用性 (低温処 理) に優れている。
Figure imgf000005_0001
(式中 R 1は 4から 1 4価の有機基、 R 2は 2から 1 2価の有機基、 R 3、 R 5 は水素原子または、 フエノール性水酸基、 スルホン酸基、 チオール基、 炭素数
1から 2 0までの有機基より選ばれる基を少なくとも一つ有する有機基を示し, 同じでも異なっていてもよい。 R 4は 2価の有機基を示す。 X、 Yは、 力ルポ キシル基、 フエノール性水酸基、 スルホン酸基、 チォ一ル基より選ばれる基を 少なくとも一つ有する 2から 8価の有機基を示す。 nは 3から 2 0 0までの範 囲を示す。 m、 a , ]3は 0から 1 0までの整数を示す。)
上記一般式 ( 1 ) 〜 ( 4 ) の R 1は酸二無水物の構造成分を表しており、 こ の酸二無水物は芳香族環又は脂肪族環を含有する 4価〜 1 4価の有機基であり - なかでも炭素原子数 5〜4 0の有機基であることが好ましい。
酸二無水物と しては具体的には、 ピロメ リ ッ ト酸ニ無水物、 3 , 3 '、 4, 4 ' ービフエニルテ トラカルボン酸二無水物、 2, 3 , 3,, 4 ' ービフエ-ルテ ト ラカルボン酸二無水物、 2, 2 3 , 3, 一ビフエニルテ トラカルボン酸二無 水物、 3 , 3 ', 4 , 4 ' —ベンゾフエノンテ トラカルボン酸二無水物、 2 , 2 ', 3 , 3 ' —べンゾフエノ ンテ トラカルボン酸二無水物、 2 , 2—ビス ( 3 , 4 ージカルボキシフエニル) プロパン二無水物、 2, 2—ビス ( 2 , 3 —ジカル ボキシフエニル) プロパン二無水物、 1, 1 —ビス ( 3 , 4 —ジカルポキシフ ェニル) エタンニ無水物、 1, 1 —ビス ( 2 , 3—ジカルボキシフエニル) ェ タン二無水物、 ビス ( 3, 4ージカルボキシフエニル) メタン二無水物、 ビス ( 2 , 3—ジカルボキシフエニル) メタン二無水物、 ビス ( 3 , 4—ジカルボ キシフエニル) スノレホン二無水物、 ビス ( 3, 4ージカノレポキシフエ二ノレ) ェ 一テルニ無水物、 1 , 2, 5 , 6—ナフタレンテ トラ力ノレボン酸二無水物、 9 , 9 —ビス ( 3, 4—ジカルボキシフエ二ノレ) フルオレン酸二無水物、 9, 9一 ビス { 4 _ ( 3 , 4—ジカルボキシフエノキシ) フエ二ル} フルオレン酸二無 水物、 2 , 3, 6 , 7—ナフタレンテ トラカルボン酸二無水物、 2 , 3 , 5, 6—ピリジンテ トラカルボン酸二無水物、 3, 4, 9, 1 0 —ペリ レンテ トラ カルボン酸二無水物、 2 , 2—ビス ( 3, 4—ジカルポキシフエニル) へキサ フルォロプロパン二無水物などの芳香族テ トラカルボン酸二無水物や、 ブタン テ トラカルボン酸二無水物、 1, 2 , 3 , 4—シクロペンタンテ トラカルボン 酸二無水物などの脂肪族のテ トラカルボン酸二無水物、 3 , 3 ', 4 , 4 ' —ジ フエ-ルスルホンテ トラカルボン酸二無水物及び下記に示した構造の酸二無水 物などを挙げることができる。
Figure imgf000007_0001
R 7は酸素原子、 C (C F 3) 2、 C (C H3) 2、 S〇 2よ り選ばれる基を示 す。 R 8、 R 9は同じでも異なっていてもよく、 水素原子、 水酸基、 チオール基 よ り選ばれる基を示す。
これらのうち、 3 , 3 ', 4 , 4 ' —ビフエニルテ トラカルボン酸二無水物、 2 , 3, 3 ' , 4 ' —ビフエニノレテ トラカルボン酸二無水物、 2, 2 ', 3, 3 ' —ビフエニルテ トラカルボン酸二無水物、 3 , 3 ', 4 , 4 ' —ベンゾフエノン テ トラカルボン酸二無水物、 2 , 2 ' , 3 , 3 ' 一べンゾフエノンテ トラカルボ ン酸ニ無水物、 2 , 2 —ビス ( 3, 4ージカルボキシフエニル) プロパン二無 水物、 2 , 2—ビス ( 2 , 3—ジカルボキシフエニル) プロパン二無水物、 1 , 1 一ビス ( 3 , 4—ジカルボキシフエニル)エタンニ無水物、 1 , 1 —ビス ( 2 ,
3—ジカルボキシフエニル) エタンニ無水物、 ビス ( 3 , 4—ジカルボキシフ ェニル) メタン二無水物、 ビス ( 2 , 3—ジカルポキシフエニル) メタン二無 水物、 ビス ( 3, 4ージカルポキシフエニル) スルホン二無水物、 ビス ( 3,
4—ジカルポキシフエニル) エーテル二無水物、 2 , 2—ビス ( 3 , 4一ジカ ノレボキシフエニル) へキサフノレォロプロパン二無水物、 3 , 3 ', 4 , 4 ' —ジ フエニルスルホンテ トラカルボン酸二無水物、 9, 9 一ビス ( 3, 4 —ジカル ボキシフエニル) フルオレン酸二無水物、 9, 9 —ビス { 4— ( 3, 4一ジカ ルポキシフエノキシ) フエ二ル} フルオレン酸二無水物及び下記に示した構造 の酸二無水物が好ましい。 これらは単独で又は 2種以上を組み合わせて使用さ れる。
Figure imgf000008_0001
R 7は酸素原子、 c (C F 3) 2、 c (C H 3) 2、 so2より選ばれる基を示 す。 R 8、 R 9は同じでも異なっていてもよく、 水素原子、 水酸基、 チオール基 より選ばれる基を示す。
上記一般式 ( 1 ) 〜 (4) の R 2は、 ジァミ ンの構造成分を表しており、 こ のジァミンとしては、 芳香族環又は脂肪族環を含有する 2〜 1 2価の有機基を 表し、 中でも炭素原子数 5〜 4 0の有機基が好ましい。
ジァミンの具体的な例としては、 3, 4 ' ージアミノジフエ二ルェ一テル、 4 , 4 ' ージァミノジブェニルエーテル、 3 , 4 ' —ジアミ ノジフエ二ノレメタ ン、 4, 4 ' ージアミノジフエニルメタン、 3, 4 ' ージアミノジフエニノレス ノレホン、 4, 4 ' ージアミノジフエニルスノレホン、 3, 4 ' ージアミノジフエ ニルスノレヒ ド、 4, 4 ' ージア ミノジフエニノレスルヒ ド、 1 , 4—ビス (4— アミノフエノキシ) ベンゼン、 ベンジン、 m—フエ二レンジァミン、 P—フエ 二レンジァミン、 1, 5—ナフタレンジァミン、 2, 6—ナフタレンジァミン、 ビス (4一アミノブエノキシフエニル) スゾレホン、 ビス (3—アミノフエノキ シフエニル) スルホン、 ビス (4—アミノフエノキシ) ビフエニル、 ビス { 4 一 (4一アミ ノフエノキシ) フエ二ル} エーテル、 1, 4—ビス (4ーァミ ノ フエノキシ) ベンゼン、 2, 2 ' —ジメチルー 4 , 4 ' ージアミノ ビフエニル、 2, 2 ' —ジェチルー 4, 4, ージアミノ ビフエニル、 3 , 3 ' 一ジメチルー 4, 4 ' ージアミノ ビフエニル、 3, 3 ' 一ジェチルー 4, 4 ' —ジアミ ノ ビ フエ-ル、 2, 2 ', 3, 3 ' —テ トラメチルー 4, 4 ' —ジァミノ ビフエニル、 3 , 3 ', 4 , 4 ' ーテ トラメチルー 4, 4 ' ージアミノ ビフエニル、 2 , 2 ' —ジ (ト リ フルォロメチル) 一 4, 4 ' ージアミノ ビフエニル、 9, 9—ビス ( 4ーァミノフエ-ル) フルオレンあるいはこれらの芳香族環にアルキル基や ハロゲン原子で置換した化合物や、 脂肪族のシクロへキシルジァミン、 メチレ ン及び、 下記に示した構造のジァミンなどが挙げら
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000009_0002
R 7は酸素原子、 C (C F 3) 2、 C (CH3) 2、 S 02より選ばれる基を示 す。 !^8〜!^1 1は同じでも異なっていてもよく、 水素原子、 水酸基、 チオール 基より選ばれる基を示す。
これらのうち、 3 , 4 ' ージアミノジフエ-ルエーテル、 4 , 4 ' ージアミ ノジフエニルエーテル、 3, 4 ' ージアミノジフエニルメタン、 4 , 4 ' ージ アミ ノジフエニルメタン、 3, 4 ' ージアミノジフエニルスルホン、 4 , 4 ' ージアミ ノジフエニルスルホン、 3 , 4 ' ージアミ ノジフエニルスルヒ ド、 4, 4 ' ージアミノジフエニルスルヒ ド、 m—フエ二レンジァミン、 P—フエニレ ンジァミン、 1 , 4一ビス (4一アミノフエノキシ) ベンゼン、 9 , 9—ビス (4ーァミノフエニル) フルオレン及び、 下記に示した構造のジァミ ン等が好 ましい。
Figure imgf000010_0001
Figure imgf000010_0002
R 7は酸素原子、 C (C F 3) 2、 C (CH3) 2、 S〇2より選ばれる基を示 す。 R 8〜R 1 1は同じでも異 っていてもよく、 水素原子、 水酸基、 チオール 基より選ばれる基を示す。
特に好ましくは 3, 4, ージアミノジフエニルエーテル、 4, 4 ' —ジアミ ノ ジフエニルエーテル、 3 , 4 ' —ジアミ ノジフエニルメ タン、 4 , 4 ' ージ アミ ノジフエニルメ タン、 3, 4 ' —ジアミ ノ ジフエニノレスノレホン、 4 , 4 ' —ジアミ ノジフエニルスルホン、 1 , 4一ビス (4—アミ ノ ブエノキシ) ベン ゼン、 下記に示した構造のジァミ ン等である。 これらは単独で又は 2種以上を 組み合わせて使用される。
Figure imgf000010_0003
R 7は酸素原子、 C (C F 3) 2、 C (CH3) 2、 S〇2より選ばれる基を示 す。 R 8、 R9は同じでも異なっていてもよく、 水素原子、 水酸基、 チオール基 より選ばれる基を示す。
一般式 ( 1 ) 〜 (4) の R 3、 R 5は水素原子、 またはフエノール性水酸基、 スルホン酸基、 チオール基、 炭素数 1〜 2 0の有機基を表している。 得られる 感光性樹脂組成物溶液の安定性からは、 R3、 R 5は水素原子、 有機基が好まし いが、 アル力リ水溶液の溶解性より見るとアル力リ可溶性基であるフエノール 性水酸基、 スルホン酸基、 チオール基が好ましい。 本発明においては、 フエノール性水酸基、 スルホン酸基、 チォ一ル基と、 水 素原子やアルキル基を混在させることができる。
この R3、 R 5のアルカリ可溶性基と水素や有機基の量を制御することで、 了 ルカリ水溶液に対する溶解速度が変化するので、 この調整により適度な溶解速 度を有したネガ型感光性樹脂組成物を得ることができる。 好ましい範囲は、 R 3、 R 5の 5 %〜 1 00 %がアルカ リ可溶性基である。 また R3、 R 5の炭素数 が 2 0を越えるとアル力リ水溶液に溶解しなくなる。 以上より R3、 R5は、 水 素原子または炭素数 1〜 1 6までの炭化水素基を少なく とも 1つ以上含有し、 その他はアル力リ可溶性基であることがより好ましい。
一般式 ( 1 )、 一般式 (2) の構造成分である一 NH— (R4) m— Xは、 下 記一般式 (6) で示されることが好ましく、 これらは、 末端封止剤である 1級 モノアミンに由来する成分である。 Xは、 カルボキシル基、 フエノール性水酸 基、 スルホン酸基、 チオール基より選ばれる基を少なく とも一つ有する 2から 8価の有機基が好ましく、 さらに好ましくはカルボキシル基、 フヱノ一ル性水 酸基、 チオール基より選ばれる基を少なく とも一つ有する 2から 8価の有機基 が好ましい。
Figure imgf000011_0001
また、 一般式 ( 3)、 一般式 (4) の構造成分である一 CO— (R4) m-Y は、 一般式 (7)、 一般式 (8) で示されることが好ましく、 これらは、 末端封 止剤である酸無水物、 モノカルボン酸、 モノ酸クロリ ド化合物、 モノ活性エス テル化合物から選ばれるものに由来する成分である。 Yはカルボキシル基、 フ ェノール性水酸基、 スルホン酸基、 チオール基より選ばれる基を少なく とも一 つ有する 2から 8価の有機基が好ましく、 さらに好ましくはカルボキシル基、 フエノール性水酸基、 チオール基より選ばれる基を少なく とも一つ有する 2か ら 8価の有機基が好ましい。 また一般式 (3)、 一般式 (4) を構成する Yは、 一般式 (7) で表される末端封止基のみ、 一般式 ( 8) で表される末端封止基 のみ、 一般式 (7) および一般式 (8) の両方を含むもののいずれであっても よい。
Figure imgf000012_0001
一般式 (6)、 一般式 (7)、 一般式 (8) 中、 R4は一 CR 1 7R1 8—、 — C H2〇_、 _CH2 S 02—より選ばれる 2価の基を示し、 R1 7、 R18は水素原 子、水酸基、炭素数 1から 1 0までの炭化水素基より選ばれる 1価の基を示す。 R 14は水素原子、炭素数 1から 1 0までの炭化水素基より選ばれる 1価の基を 示す。 なかでも水素原子、 炭素数 1から 4の炭化水素基が好ましく、 特に好ま しくは水素原子、 メチル基、 t一ブチル基である。 R 1 5、 R 1 6は、 水素原子、 炭素数 1から 4までの炭化水素基より選ばれる 1価の基、 あるいは、 R1 5と R 1 6が直接結合した環構造を示す (例えばナジイミ ド環等)。 また、 R 12、 R 1 3は水素原子、 水酸基、 カルボキシル基、 スルホン酸基、 チオール基、 炭素数 1から 1 0までの炭化水素基より選ばれ、 少なく とも一つは水酸基、 カルボキ シル基、 スルホン酸基、 チオール基を示す。 A、 E、 Gは炭素原子、 または窒 素原子であり、 各々同じでも異なっていてもよレ、。 mは 0から 1 0までの整数 であり、 好ましくは 0から 4の整数である。 1 は 0または 1であり、 好ましく は 0である。 pは 0または 1であり、 好ましくは 0である。 qは 1 ~ 3までの 整数であり、 好ましくは 1及ぴ 2である。 r、 s、 tは 0または 1である。 一般式 ( 6 ) に関する 1級モノアミ ンとは、 具体的には、 5—アミ ノー 8— ヒ ドロキシキノ リン、 4—アミ ノー 8—ヒ ドロキシキノ リ ン、 1 ーヒ ドロキシ 一 8 —ァミノナフタレン、 1 ー ヒ ドロキシ一 7—ァミ ノナフタレン、 1—ヒ ド 口キシー 6—ァミノナフタレン、 1ーヒ ドロキシ一 5—ァミ ノナフタレン、 1 ーヒ ドロキシ一 4ーァミノナフタレン、 1ーヒ ドロキシー 3—ァミノナフタレ ン、 1 ーヒ ドロキシ一 2—ァミ ノナフタレン、 1ーァミノ一 7—ヒ ドロキシナ フタレン、 2—ヒ ドロキシ一 7—ァミノナフタレン、 2 —ヒ ドロキシー 6 —ァ ミノナフタレン、 2—ヒ ドロキシー 5 —ァミノナフタレン、 2—ヒ ドロキシー 4ーァミ ノナフタレン、 2—ヒ ドロキシー 3 —ァミノナフタレン、 1 ーァミノ 一 2—ヒ ドロキシナフタレン、 1 —力ノレボキシ一 8 —ァミノナフタレン、 1 一 力ノレボキシ一 7—アミ ノナフタレン、 1 一力ノレボキシ一 6—アミノナフタレン、
1—力ルポキシー 5—ァミノナフタレン、 1 —カルボキシ一 4—ァミ ノナフタ レン、 1 一カルボキシー 3—ァミノナフタレン、 1 —力ノレボキシ _ 2 —ァミ ノ ナフタレン、 1 一アミノー 7—力ノレボキシナフタ レン、 2 _カノレポキシ _ 7— ァミノナフタ レン、 2—力ノレボキシ一 6 —ァミノナフタレン、 2—力ノレボキシ 一 5—ァミノナフタレン、 2—カルボキシ一 4ーァミ ノナフタレン、 2 —カル ボキシ一 3—ァミノナフタレン、 1 —ァミノ一 2—カルボキシナフタ レン、 2 ーァミノニコチン酸、 4—ァミノニコチン酸、 5—ァミ ノニコチン酸、 6—ァ ミノニコチン酸、 4—ァミノサリチル酸、 5—ァミノサリチル酸、 6 —ァミノ サリチル酸、 3—ァミノ一 o— トルイ ツク酸、 ァメライ ド、 2—ァミノ安息香 酸、 3—ァミノ安息香酸、 4ーァミノ安息香酸、 2—ァミ ノベンゼンスルホン 酸、 3—ァミ ノベンゼンスルホン酸、 4—ァミノベンゼンスルホン酸、 3—ァ ミノー 4 , 6—ジヒ ドロキシピリ ミジン、 2—ァミ ノフエノール、 3 —ァミノ フエノール、 4ーァミノフエノール、 5—アミノー 8—メルカプトキノ リ ン、 4一アミ ノー 8—メルカプトキノ リ ン、 1 一メルカプト一 8—ァミノナフタレ ン、 1 一メルカプト一 7—ァミノナフタ レン、 1 —メルカプト一 6 —アミノナ フタレン、 1 一メルカプト一 5—ァミノナフタレン、 1—メルカプト一 4ーァ ミノナフタレン、 1 —メルカプト一 3—ァミノナフタ レン、 1—メルカプト一
2—ァミノナフタレン、 1ーァミノ一 7 —メルカプトナフタレン、 2—メルカ プト一 7 —ァミノナフタレン、 2 —メルカプト一 6 —ァミ ノナフタ レン、 2— メノレカプト一 5 _アミノナフタ レン、 2—メルカプト一 4一アミ ノナフタ レン、
2—メルカプト一 3—ァミノナフタレン、 1ーァミ ノ一 2—メルカプトナフタ レン、 3 —アミノー 4, 6—ジメルカプトピリ ミジン、 2 —アミノチオフエノ ール、 3—アミノチォフエノール、 4一アミ ノチオフエノール等が挙げられる。 これらのうち、 5 —アミノー 8 —ヒ ドロキシキノ リ ン、 1 ーヒ ドロキシー 7 ーァミ ノナフタレン、 1—ヒ ドロキシ一 6—ァミノナフタレン、 1ーヒ ドロキ シ一 5—ァミノナフタレン、 1ーヒ ドロキシ一 4—ァミ ノナフタ レン、 2—ヒ ドロキシー 7 —ァミノナフタレン、 2 —ヒ ドロキシ一 6 —ァミノナフタレン、 2 —ヒ ドロキシ一 5—ァミノナフタレン、 1一力ルポキシ一 7 —ァミノナフタ レン、 1 一カルボキシ一 6—ァミ ノナフタレン、 1 一カルボキシ一 5 —ァミノ ナフタレン、 2—力ノレボキシ一 7—ァミノナフタレン、 2—力ノレボキシ一 6— ァミ ノナフタレン、 2—カルボキシ一 5—ァミノナフタレン、 2—ァミノ安息 香酸、 3—ァミノ安息香酸、 4ーァミノ安息香酸、 4—ァミノサリチル酸、 5 一アミノサリチル酸、 6 —アミノサリチル酸、 2—アミ ノベンゼンスルホン酸、
3 —ァミ ノベンゼンスノレホン酸、 4—ァミ ノベンゼンスルホン酸、 3 —ァミ ノ 一 4 , 6—ジヒ ドロキシピリ ミジン、 2—ァミノフエノール、 3—ァミノフエ ノール、 4—ァミノフエノール、 2—アミノチオフェノール、 3 —アミノチォ フエノール、 4一アミノチォフエノール等が好ましい。 これらは単独で又は 2 種以上を組み合わせて使用される。
一般式 (7 ) 及び一般式 (8 ) に関する酸無水物、 モノカルボン酸、 モノ酸 クロ リ ド化合物、 モノ活性エステル化合物の具体例は、 無水フタル酸、 無水マ レイン酸、 ナジック酸、 シクロへキサンジカルボン酸無水物、 3—ヒ ドロキシ フタル酸無水物等の酸無水物、 2 —カルボキシフヱノール、 3—カルボキシフ エノーノレ、 4一力ノレボキシフエノーノレ、 2—力ノレボキシチオフエノーノレ、 3 - 力ゾレポキシチオフェノール、 4一力ノレボキシチオフエノーノレ、 1 ーヒ ドロキシ 一 8 —カルボキシナフタレン、 1—ヒ ドロキシー 7 —カルボキシナフタレン、
1 ーヒ ドロキシー 6—カルボキシナフタレン、 1—ヒ ドロキシー 5—力ルポキ シナフタレン、 1ーヒ ドロキシー 4一カルボキシナフタレン、 1ーヒ ドロキシ 一 3—カノレポキシナフタレン、 1 ーヒ ドロキシー 2—力ノレボキシナフタレン、 1 ーメルカプトー 8 —カルボキシナフタレン、 1ーメルカプト一 7—力ノレポキ シナフタレン、 1—メノレカプト一 6—カルボキシナフタレン、 1 一メルカプト — 5—カルボキシナフタレン、 1 一メルカプト一 4一カルボキシナフタ レン、 1 一メルカプト一 3—カルボキシナフタ レン、 1 _メルカプト一 2 —カノレボキ シナフタレン、 2—力ノレボキシベンゼンス/レホン酸、 3—力ノレボキシベンゼン スルホン酸、 4一力ノレボキシベンゼンスルホン酸等のモノ力ノレボン酸類及びこ れらのカルボキシル基が酸クロ リ ド化したモノ酸クロ リ ド化合物及び、 テレフ タル酸、 フタノレ酸、 マレイン酸、 シクロへキサンジカノレポン酸、 3 — ヒ ドロキ シフタル酸、 5—ノノレポルネンー 2, 3—ジカルボン酸、 1, 2—ジカルポキ シナフタレン、 1, 3 —ジカルボキシナフタレン、 1, 4ージカルボキシナフ タレン、 1 , 5—ジカノレボキシナフタレン、 1 , 6—ジカノレボキシナフタレン、 1 , 7—ジカノレポキシナフタレン、 1, 8 —ジカノレボキシナフタレン、 2 , 3 —ジカルボキシナフタレン、 2, 6—ジカルボキシナフタレン、 2, 7—ジカ ルボキシナフタレン等のジカルボン酸類のモノ力ルポキシル基だけが酸ク口 リ ド化したモノ酸クロリ ド化合物、 モノ酸クロリ ド化合物と N—ヒ ドロキシベン ゾ ト リ アゾーノレや N—ヒ ドロキシー 5—ノノレポノレネンー 2, 3—ジカルボキシ ィミ ドとの反応により得られる活性エステル化合物、 が挙げられる。
これらのうち、 無水フタル酸、 無水マレイン酸、 ナジック酸、 シクロへキサ ンジカルボン酸無水物、 3 —ヒ ドロキシフタル酸無水物等の酸無水物、 3—力 ノレポキシフエノーノレ、 4一力ノレボキシフエノーノレ、 3 _カノレボキシチオフエノ ール、 4一力ノレボキシチォフエノール、 1 ーヒ ドロキシ一 7—カルボキシナフ タレン、 1ーヒ ドロキシ _ 6—カルボキシナフタレン、 1 —ヒ ドロキシ一 5— カルボキシナフタレン、 1 ーメノレカプト一 7—力ルポキシナフタレン、 1 ーメ ルカプト一 6—力ルポキシナフタレン、 1 —メルカプト一 5 —カルボキシナフ タレン、 3—力ノレボキシベンゼンスノレホン酸、 4—力ノレボキシベンゼンスノレホ ン酸等のモノカルボン酸類及ぴこれらのカルボキシル基が酸ク口 リ ド化したモ ノ酸クロ リ ド化合物及びテレフタル酸、 フタル酸、 マレイ ン酸、 シクロへキサ ンジカルボン酸、 1 , 5—ジカルボキシナフタレン、 1 , 6—ジカルボキシナ フタレン、 1, 7—ジカルポキシナフタレン、 2, 6—ジカルボキシナフタレ ン等のジカルボン酸類のモノカルボキシル基だけが酸ク口リ ド化したモノ酸ク 口リ ド化合物、 モノ酸ク口リ ド化合物と N—ヒ ドロキシベンゾトリアゾールや N—ヒ ドロキシー 5—ノルボルネンー 2 , 3—ジカノレポキシィ ミ ドとの反応に より得られる活性エステル化合物等が好ましい。 これらは単独で又は 2種以上 を組み合わせて使用される。
一般式 ( 6) で表される成分 (一般式 ( 1 )、 (2) の X成分) の導入割合は、 その元成分である末端封止剤の 1級モノアミン成分で換算すると、 全ァミン成 分に対して、 0. 1〜 6 0モル%の範囲が好ましく、 特に好ましくは 5〜5 0 モル0 /0である。
一般式 ( 7) や一般式 (8) で表される成分 (一般式 ( 3)、 (4) の Y成分) の導入割合は、 その元成分である末端封止剤の酸無水物、 モノカルボン酸、 モ ノ酸クロリ ド化合物、 モノ活性エステル化合物成分で換算すると、 ジァミン成 分に対して、 0. 1〜 6 0モル%の範囲が好ましく、 特に好ましくは 5〜 5 5 モル0 /。である。
一般式 ( 1) 〜 (4) の nは本発明のポリマーの構造単位の繰り返し数を示 しており、 3〜 20 0の範囲であることが好ましく、 特に好ましくは、 5〜 1 00である。 nが 3より小さいと、 組成粘度が大きくすることが出来なくなる 場合があり、 厚膜での使用が出来ないことがある。 一方、 nが 2 00を越える と、 アルカリ現像液に溶解しなくなる場合がある。
また、 フッ素原子を一般式 ( 1 ) 〜 (4) の構造中に 1 0重量%以上有する と、 アルカ リ水溶液で現像する際に膜の界面に撥水性が適度に出るため、 界面 のしみこみなどが抑えられる。 しかしながら、 フッ素原子含有量が 2 0重量% を越えると、 アル力リ水溶液に対する溶解性が低下するために好ましくない。 このように、 フッ素原子は 1 0重量%以上 2 0重量%以下含まれることが好ま しい。
さらに、 基板との接着性を向上させるために、 耐熱性を低下させない範囲で
R \ R2にシロキサン構造を有する脂肪族の基を共重合してもよい。 具体的に は、 ジァミン成分として、 ビス ( 3—ァミノプロピル) テトラメチルジシロキ サン、 ビス (p—ァミノ一フエニル) ォクタメチルペンタシロキサンなどを 1 〜 1 0モル%共重合したものなどがあげられる。
本発明の感光性樹脂組成物は一般式 ( 1 ) 〜 (4 ) で表される構造単位のみ からなるものであっても良いし、 他の構造単位との共重合体あるいはブレンド 体であっても良い。 その際、 一般式 ( 1 ) 〜 (4 ) で表される構造単位を 5 0 モル%以上含有していることが好ましい。 共重合あるいはブレンドに用いられ る構造単位の種類および量は最終加熱処理によって得られるポリィミ ド系ポリ マーの耐熱性を損なわない範囲で選択することが好ましい。
本発明のポリイミ ドは、 ジァミンの一部をモノァミンである末端封止剤に置 き換えてまたは、 酸二無水物を、 モノカルボン酸、 酸無水物、 モノ酸クロリ ド 化合物、 モノ活性エステル化合物である末端封止剤に置き換えて、 公知の方法 を利用して合成される。 例えば、 低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミ ン化合物 (一部をモノアミンである末端封止剤に置換) を反応させる方法、 低 温中でテトラカルボン酸二無水物 (一部を酸無水物またはモノ酸クロリ ド化合 物あるいはモノ活性エステル化合物である末端封止剤に置換) とジァミン化合 物を反応させる方法、 テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエス テルを得、 その後ジァミン (一部をモノアミ ンである末端封止剤に置換) と縮 合剤の存在下で反応させる方法、 テトラカルボン酸二無水物とアルコールとに よりジエステルを得、 その後残りのジカルボン酸を酸クロリ ド化し、 ジァミン (一部をモノアミンである末端封止剤に置換) と反応させる方法などの方法を 利用して、 ポリイミ ド前駆体を得、 これを、 公知のイミ ド化反応法を用いて完 全ィミ ド化させる方法、 または、 途中でイミ ド化反応を停止し、 一部ィミ ド構 造を導入する方法、 さらには、 完全ィミ ド化したポリマーと、 そのポリィミ ド 前駆体をブレンドする事によって、 一部イミ ド構造を導入する方法を利用して 合成することができる。
本発明の組成物は、 組成物を構成するポリマー全体に対し、 イミ ド化率が 1
5 %以上になるように、 ポリイミ ドを有していることが好ましい。 さらに好ま しくは 2 0 %以上である。 ここでイミ ド化率とは、 組成物を構成するポリマー 全体に存在するイミ ド化の割合を指す。 イミ ド化率が 1 5 %を下回ると熱硬化 時の収縮量が大きくなり、 厚膜作成には適さない。
イミ ド化率は、 以下の方法で容易に算出できる。 まず、 ポリマーの赤外吸収 スぺク トルを測定、 ポリイミ ドに起因するィミ ド構造の吸収ピーク ( 1 7 8 0 c m— 1付近、 1 3 7 7 c m— 1付近) の存在を確認する。 次に、 そのポリマー を 3 5 0 °Cで 1時間熱処理し、 熱処理後の赤外吸収スペク トルを測定し、 1 3 7 7 c m一1付近のピーク強度を熱処理前の強度と比較することによって、熟処 理前ポリマー中のイミ ド化率を算出する。
本発明の組成物は、 ( a ) 成分として一般式 ( 1 ) 〜 (4 ) で表される構造単 位を有する樹脂から選ばれた 1種以上のポリイミ ドを含有していることが好ま しい。 この場合、 当該ポリイミ ドは、 本発明の組成物を構成するポリマー全体 に対して、 1 0重量%以上含有されていることが好ましく、 2 0重量。 /0以上含 有されていることが特に好ましい。 一般式 ( 1 ) 〜 (4 ) で表される構造単位 からなる榭脂から選ばれた 1種以上のポリイミ ドが、 本発明の組成物を構成す るポリマー全体に対して 1 0重量。ん以上含有されている場合、 組成物を構成す るポリマー全体のィミ ド化率は 1 5 %以上になる。
さらに、 ポリマー中に導入された末端封止剤は、 以下の方法で容易に検出で きる。 例えば、 末端封止剤が導入されたポリマーを、 酸性溶液に溶解し、 ポリ マーの構成単位であるァミン成分と酸無水成分に分解、 これをガスクロマトグ ラフィー (G C ) や、 N M R測定することにより、 本発明に使用の末端封止剤 を容易に検出できる。 これとは別に、 末端封止剤が導入されたポリマー成分を 直接、 熱分解ガスク口クロマトグラフ (P G C ) や赤外スぺク トル及ぴ C 1 3 N M Rスぺク トル測定でも、 容易に検出可能である。
本発明で用いられる (b ) の重合性基を有する化合物としては、 重合性性不 飽和官能基を含有するものであり、 その官能基としては例えば、 ビュル基、 ァ リル基、 アタリロイル基、 メタクリロイル基等の不飽和二重結合官能基および
/またプロパルギル等の不飽和三重結合官能基が拳げられ、 これらの中でも共 役型のビニル基ゃァクリロイル基、メタクリ ロイル基が重合性の面で好ましい。 またその官能基が含有される数としては安定性の点から 1 〜 4であることが好 ましく、それぞれは同一の基でなく とも構わない。また、 ここで言う化合物は、 分子量 3 0〜 8 0 0のものを示す。
重合性基を有する化合物としては、 例えば、 ジエチレングリコールジアタ リ レート、 トリエチレングリ コー ジアタリ レー ト、 テ トラエチレングリコーノレ ジアタ リ レート、 ジエチレングリ コールジメタタ リ レー ト、 ト リエチレングリ コールジメタタ リ レート、 テ トラエチレングリ コールジメタタ リ レー ト、 ト リ メチロールプロパンジァク リ レート、 ト リ メチローノレプロパン ト リアタ リ レー ト、 ト リメチロー/レプロパンジメタタ リ レー ト、 ト リメチロー/レプロパント リ メタタ リ レート、 スチレン、 α —メチノレスチレン、 1 , 2—ジヒ ドロナフタ レ ン、 1 , 3—ジイソプロぺニノレベンゼン、 3—メチノレスチレン、 4ーメチノレス チレン、 2 —ビニルナフタレン、ブチノレアク リ レー ト、ブテルメタク リ レート、 ィソブチルァク リ レー ト、へキシルァク リ レー ト、ィソォクチルァク リ レー ト、 ィ ソボノレニノレアク リ レート、 イソボ/レニノレメタク リ レー ト、 シク口へキシ/レメ タク リ レー ト、 1 , 3—ブタンジオールジアタ リ レー ト、 1 , 3—ブタンジォ 一ノレジメタク リ レー ト、 ネオペンチノレグリ コーノレジアタ リ レート、 1 , 4ーブ タンジオールジァク リ レー ト、 1 , 4ーブタンジォーノレジメタク リ レー ト、 1, 6—へキサンジオールジアタ リ レート、 1, 6—へキサンジオールメタク リ レ ート、 1, 9ーノナンジオールジメタク !; レー ト、 1 , 1 0—デカンジオール ジメタク リ レート、 ジメチローノレ一 ト リシクロデカンジァク リ レート、 ペンタ エ リ スリ トールト リアタ リ レート、ペンタエリ スリ トールテ トラアタ リ レー ト、 ペンタエリ ス リ トーノレ ト リメタタ リ レート、 ペンタエリ ス リ トーノレテ トラメタ ク リ レート、 2—ヒ 'ドロキシェチノレアタ リ レー ト、 2—ヒ ドロキシェチノレメタ ク リ レート、 1 , 3—アタ リ ロイルォキシー 2—ヒ ドロキシプロパン、 1, 3 ーメタク リ ロイルォキシー 2—ヒ ドロキシプロパン、 メチレンビスアタ リノレア ミ ド、 Ν, Ν—ジメチルァク リルァミ ド、 Ν—メチロールァク リルァミ ド、 2, 2 , 6, 6 —テ トラメチルピペリジニルメタタ リ レー ト、 2 , 2, 6, 6—テ トラメチルビペリ ジニルアタ リ レー ト、 Ν—メチルー 2, 2 , 6, 6—テ トラ メチルビペリ ジニルメタク リ レート、 Ν—メチルー 2, 2 , 6 , 6—テ トラメ チルピペリジニルアタ リ レート、 Ν—ビュルピロ リ ドン、 Ν—ビニルカプロラ クタム等が挙げられる。 これらは単独で又は 2種類以上を組み合わせて使用さ れる。
これらのうち、特に好ましくは、 1 , 9—ノナンジオールジメタタリ レー ト、 1, 1 0—デカンジオールジメタク リ レー ト、 ジメチロールー ト リシクロデカ ンジアタ リ レー ト、イ ソボルニルアタ リ レー ト、イソボルニルメタタ リ レート、 ペンタエリ ス リ トールト リアタ リ レー ト、 ペンタエリ ス リ トールテ トラアタ リ レー ト、 ペンタエリス リ トーノレ ト リメタタ リ レー ト、 ペンタエリス リ トー/レテ トラメタタ リ レート、 メチレンビスアタ リルァミ ド、 N, N—ジメチルァク リ ルァミ ド、 N—メチロールァク リルァミ ド、 2, 2 , 6 , 6 —テ トラメチル ピベリ ジ-ルメタク リ レート、 2 , 2 , 6, 6—テ トラメチルピペリジニルァ タ リ レート、 N—メチル一 2, 2, 6 , 6—テ トラメチノレピペリジニノレメタク リ レー ト、 N—メチルー 2, 2 , 6, 6—テ トラメチルピペリ ジニルアタ リ レ ー ト、 N—ビニルピロリ ドン、 N—ビニルカプロラクタム等が挙げられる。 本発明における (b ) の化合物の使用量は、 ( a ) のポリマーの量 1 0 0重量 部に対して、 5〜 2 0 0重量部とすることが好ましく、 相溶性の点から 5〜 1 5 0重量部とすることがより好ましい。この使用量が、 5重量部未満であると、 現像時に露光部が溶出するため現像後の膜が残らなくなる傾向がある。 2 0 0 重量部を超えた場合も同様に現像後の膜が残らなくなる傾向があり、 また膜形 成時に膜が白化することがある。
本発明で用いられる ( c ) 光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフエノン、 ミ ヒラーズケ トン、 4, 4 , 一ビス (ジェチルァミノ) ベンゾフエノン、 3 , 3, 4, 4 , —テトラ ( t 一プチルパーォキシカルボニル) ベンゾフエノン等 のべンゾフエノン類や 3, 5—ビス (ジェチルァミノべンジリデン) 一N—メ チル一 4ーピペリ ドン、 3 , 5—ビス (ジェチルァミノべンジリデン) 一 N— ェチル一 4ーピペリ ドン等のベンジリデン類、 7—ジェチルァミノ一 3—テノ ユルクマリ ン、 4, 6—ジメチル _ 3—ェチルァミノクマリ ン、 3 , 3 , —力 ルポニルビス ( 7—ジェチルァミノクマリ ン)、 7—ジェチルァミノ 3— ( 1 — メチルメチルベンゾイ ミダゾリル) クマリ ン、 3— ( 2—べンゾチアゾリル) — 7—ジェチルアミノクマリ ン等のタマリ ン類、 2— t —ブチルアントラキノ ン、 2ーェチルアントラキノン、 1, 2—ベンズアントラキノン等のアントラ キノン類、 ベンゾインメチルエーテノレ、 ベンゾインェチノレエーテノレ、 ベン ンィ ソプロピルエーテル等のベンゾィン類、 2, 4—ジメチルチオキサントン、 2 , 4一ジェチルチオキサン トン、 2, 4—ジイソプロピルチォキサン トン、 2—ィ ソプロピルチオキサントン等のチォキサン トン類、 エチレングリ コール ジ ( 3—メルカプトプロピオネー ト)、 2—メルカプトベンズチアゾール、 2— メルカプトベンゾキサゾール、 2—メルカプトベンズィ ミダゾール等のメルカ プト類、 N—フエニルグリシン、 N—メチノレ一 N—フエニルグリシン、 N—ェ チル一 N_ ( p—クロ口フエニル) グリシン、 N— (4—シァノフエニル) グ リ シン等のグリシン類、 1—フエ二ルー 1 , 2—ブタンジオン一 2— ( o—メ トキシカノレポ二ノレ) ォキシム、 1 一フエ二ノレ一 1 , 2—プロパンジオン一 2— ( o—メ トキシカルボニル) ォキシム、 1一フエニノレー 1 , 2—プロパンジォ ン一 2— ( o—エ トキシカルボ二/レ) ォキシム、 1 —フエニノレー 1, 2—プロ パンジオン一 2— ( o—べンゾィル) ォキシム、 ビス ( α—イソニトロソプロ ピオフエノンォキシム) イソフタ Λ^、 1, 2—オクタンジオン, 1一 [4— (フ ェニノレチォ) フエニル] ―, 2 _ ( ο—ベンゾィルォキシム) 等のォキシム類、 2—ベンジル一 2—ジメチルァミノ一 1 一 ( 4一モノレフオリ ノフ エ二ノレ) 一ブ タノンー 1、 2—メチル _ 1 [4— (メチルチオ) フエニル] 一 2—モリ フォ リ ノプロノ ンー 1一オン等の α-アミノアノレキルフエノン類、 2 , 2 '—ビス( ο 一クロ口フエニル) 一 4, 4 ' , 5 , 5 '―テ トラフエ二ルビイ ミダゾールな どが挙げられる。 これらのうち、 1 —フエ二ルー 1 , 2—ブタンジオン一 2— ( ο—メ トキシカルボニル) ォキシム、 1 —フエニル一 1 , 2—プロパンジォ ンー 2— ( ο—メ トキシカルボ二ノレ) ォキシム、 1 一フエ二ルー 1, 2—プロ パンジオン一 2— ( ο—エトキシカノレポ二ノレ) ォキシム、 1一フエ二ノレ一 1 , 2—プロパンジオン一 2— ( ο—べンゾィル) ォキシム、 ビス ( α—イソニ ト ロソプロピオフエノンォキシム) イソフタ^/、 1, 2—オクタンジオン, 1 一
[4一 (フエ二ルチオ) フエニル] ―, 2— ( ο _ベンゾィルォキシム) 等の ォキシム類が好ましく、 特に好ましく は、 1 —フエ-ルー 1 , 2 _プロパンジ オン一 2— ( ο—エ トキシカルボニル) ォキシム、 1 一フエ二ルー 1 , 2—プ ロノ、0ンジオン一 2— ( ο—べンゾィノレ) ォキシム、 ビス (α—イソニ トロソプ 口ピオフエノンォキシム) イソフタル、 1, 2—オクタンジオン, 1 _ [4一 (フエ二ルチオ) フエニル] 一, 2 _ ( o—ベンゾィルォキシム) である。 こ れらは単独で又は 2種類以上を組み合わせて使用される。
これらの中で、 本発明の組成物と組み合わせるものとしては、 上記のベンゾ フエノン類、 グリシン類、 メルカプト類、 ォキシム類、 α-アミノアルキルフエ ノ ン類、 2 , 2 '—ビス (ο—ク ロ口フエ二ノレ) - 4 , 4 ' , 5, 5 '—テ ト ラフ工ニルビィミダゾールから選択される組み合わせが光反応の点から好適で ある。 これらの感光剤は、 単独で又は二種類以上を組み合わせて使用きれる。
( c ) の光重合開始剤の使用量は、 ( a ) のポリマー 1 00重量部に対して、 通 常、 1種類につき 0. 1〜 4 0重量部が好ましく、 2種以上を組み合わせる場 合は総量で 0. 2〜 6 0重量部とされることが好ましい。
本発明で用いられる (d) の熱架橋性化合物としては、 一般式 (5) で表さ れる熱架橋性基を有する化合物、およびべンゾォキサジン化合物があげられる。
Figure imgf000022_0001
(式中 R 6は水素原子、 炭素数 1から 2 0までのアルキル基、 炭素数 4から 2
0までの脂環式基または R 7 C O基を示す。 また、 R 7は、 炭素数 1から 2 0ま でのアルキル基を示す。)
熱架橋性化合物としては、 たとえば、 これら熱架橋性基を 1つ有するものと して ML— 2 6 X、 ML - 24 X, ML— 2 3 6 TMP、 4—メチローノレ 3M
6 C、 ML—MC、 ML - T B C (以上、 商品名、 本州化学工業 (株) 製)、 P 一 a型べンゾォキサジン (商品名、 四国化成工業 (株) 製) 等、 2つ有するも のと して DM— B I 2 5 X— F、 46 DMO C N 4 6 DMO I P P、 4 6 DM
OE P (以上、 商品名、 旭有機材工業 (株) 製)、 DML— MB P C、 DML—
MBO C:、 DML— OCHP、 DML— P C、 DML— P CHP、 DML - P
T B P、 DML— 34 X、 DML— E P、 DML— P O P、 DML— OC、 ジ メチロール一 B i s— C、 ジメチロール一 B i s OC— P、 DM L - B i s O
C— Z、 DML— B i s OCHP— Z、 DML— P F P、 DML_P S B P、 DML— MB 2 5、 DML— MT r i s P C、 DML— B i s 2 5 X— 3 4 X L、 DML— B i s 2 5 X- P CH P (以上、商品名、本州化学工業(株)製)、 二力ラック MX— 2 9 0 (商品名、 (株) 三和ケミカル製)、 B— a型べンゾォ キサジン、 B—m型べンゾォキサジン (以上、商品名、 四国化成工業(株)製)、 2 , 6—ジメ トキシメチノレー 4一 t ーブチノレフエノール、 2 , 6—ジメ トキシ メチルー p—ク レゾール、 2 > 6—ジァセ トキシメチルー p—ク レゾ一ノレ等、 3つ有するものとして T r i ML— P、 T r i ML— 3 5 X L、 T r i ML— T r i s C R— HA P (以上、 商品名、 本州化学工業 (株) 製) 等、 4つ有す るものと して TM— B I P— A (商品名、 旭有機材工業 (株) 製)、 TML— B P、 TML -HQ, TML— p p— B P F、 TML— B P A、 TMOM— B P (以上、 商品名、 本州化学工業 (株) 製)、 二力ラック MX— 2 8 0、 二カラッ ク MX— 2 7 0 (以上、 商品名、 (株) 三和ケミカル製) 等、 6つ有するものと して HML— T P PHB A、 HML -T PHA P (以上、 商品名、 本州化学ェ 業 (株) 製)、 二力ラック MW— 3 9 0、 二力ラック MW— 1 0 0 LM (以上、 商品名、 (株) 三和ケミカル製) が挙げられる。
これらのうち、 本発明では熱架橋性基を少なく とも 2つ含有するものが好ま しく、 特に好ましくは、 4 6 DMO C、 4 6 DMO E P (以上、 商品名、 旭有 機材工業(株)製)、 DML— MB P C、 DML— MB O C、 DML— O CH P、 DML - P C, DML— P CH P、 DML— P T B P、 DML— 3 4 X、 DM L— E P、 DML— P O P、 ジメチロール一 B i s O C— P、 DML— P F P、 DML— P S B P、 DML— MT r i s P C (以上、商品名、本州化学工業(株) 製)、 二力ラック MX— 2 9 0 (商品名、 (株) 三和ケミカル製)、 B - a型ベン ゾォキサジン、 B— m型べンゾォキサジン (以上、 商品名、 四国化成工業 (株) 製)、 2 , 6—ジメ トキシメチノレ一 4— tーブチノレフエノ一ノレ、 2 , 6—ジメ ト キシメチノレ一 p—ク レゾール、 2 , 6—ジァセ トキシメチルー p—ク レゾ一ノレ 等、 T r i ML— P、 T r i ML - 3 5 X L (以上、商品名、本州化学工業(株) 製) 等、 TM— B I P—A (商品名、 旭有機材工業 (株) 製)、 TML— B P、
TML -HQ, TML— p p— B P F、 TML— B P A、 TMOM— B P (以 上、 商品名、 本州化学工業 (株) 製)、 二力ラック MX— 2 8 0、 ユカラック M X - 2 7 0 (以上、商品名、 (株) 三和ケミカル製)等、 HML— T P P H B A、 HML -T PHAP (以上、 商品名、 本州化学工業 (株) 製) 等が挙げられる。 また、 さらに好ましくは、 脂環式系の化合物である-カラック MX— 2 8 ◦、 ユカラック MX— 2 70 (以上、 商品名、 (株) 三和ケミカル製)、 B— a型べ ンゾォキサジン、 B— m型べンゾォキサジン(以上、商品名、 四国化成工業(株) 製)、 二力ラック MW— 3 9 0、 二力ラック MW— 1 0 0 LM (以上、 商品名、 (株) 三和ケミカル製) 等が挙げられる。
これら (d) の化合物を添加し、 得られる榭脂組成物は、 熱処理時熱により 熱架橋反応を引き起こし、 収縮率がさらに少なくなる。
これら ( d) の熱架橋性化合物のうち、 メチロール基および、 アルコール性 水酸基の水素原子を置換したメチロール基を有する化合物は、 以下のように、 ベンゼン環に直接付加する反応機構によつて架橋する。
Figure imgf000024_0001
下記に本発明で使用するのに特に好ましい代表的な熱架橋性化合物の構造を 示す。
ΗθΗ2
Figure imgf000025_0001
丫- '
46DM0G 46DM0EP DML-MBPC DML-MBOC
Figure imgf000025_0002
DML-OCHP DIWL-PGHP DML-PC 'DML-PTBP
OH OH
HQH2G VCH2OH HOH2C- cH2OH HOH2C CH2OH
HO- ^ OH HOH2C CH2OH
DML-34X DML-EP DML-POP dimethyol-BisOC-P
HOH2C- VcH2OH HOH2C「 -CH2OH
Figure imgf000025_0003
D L-PFP DML-PSBP DML-MTrisPC IKALAC MX-290
Figure imgf000025_0004
TriML-P TriML-35XL TM-BIP-A 服" BP
OH
HOH2C-f cH2OH HOH2C CH2OH H3COH2C CH2OCH3
HOH2C J CH2OH HC _ C OH OH
OH HOH2C, H "22 、CH2oH HOH2CT CH2OH H3COH2C dH2OCH3 服- HQ TML- pp BPF T L-BPA HC -BP
Figure imgf000025_0005
IKALAC MX - 280 NI ALAC MX-270 HML-TPPHBA HML-TPHAP
H3COH
H3COH2CV
H3COH2C
Figure imgf000025_0006
M ΛΙ & 醫 mm M 2, 6-d i methoxymethy I -4»t 2t 6-d i methoxymethy! 2, 6-diacetoxymethyl
N I KALAし MW- 1 WL _buty j phen0 ] -p-creso I -p-creso I
Figure imgf000025_0007
B-a type benzoxazine B-m type benzoxazine
F-a type benzoxazine このような熱架橋性化合物の添加量としては、 ( a )成分のポリマ一 1 0 0重 量部に対して、 好ましくは 0 . 5から 1 5 0重量部であり、 さらに好ましくは 1から 1 3 0重量部の範囲である。 ( a ) 成分 1 0 0重量部に対する ( d ) の熱 架橋性化合物の添加量が 1 5 0重量部より大きくなると、 樹脂比率が少なすぎ るため、 感光性樹脂皮膜の耐熱性が低下するという問題がある。 一方、 0 . 5 重量部より少なくなると、 架橋による分子量増大効果が小さく、 感光性樹脂皮 膜の耐熱性が低下するという問題がある。
本発明で用いられる ( e )着色剤は、有機電界発光素子の絶縁層においては、 発光ェリァからの迷光を防止する作用があり、 回路基板用のソルダーレジス ト においては、 基板上の回路配線を隠す目隠しの作用がある。
本発明で用いる ( e ) 着色剤は、 染料、 熱発色性染料、 無機顔料、 有機顔料 等があげられる。 また前記 (a) 成分を溶解する有機溶剤に可溶でかつ樹脂と相 溶するものが好ましい。これら着色剤のうち、染料としては例えば油溶性染料、 分散染料、 反応性染料、 酸性染料もしくは直接染料等が挙げられる。 染料の骨 格構造としては、 アントラキノン系、 ァゾ系、 フタロシアニン系、 メチン系、 ォキサジン系さらにはこれら各染料の含金属錯塩系を用いることができ、 その 中でもフタロシアニン系、 および含金属錯塩系のものが耐熱性、 耐光性に優れ より好ましい。 具体的には、 Sumi lan、 Lanyl 染料 (以上住友化学工業 (株) 製)、 Orasol , Oracet ^ Fi lami d、 Irgasperse染料 (以上チノくスぺシャリテ ィ - ケミカルズ (株) 製) Zapon、 Neozapon, Neptune, Aci dol染料 (以上 BASF (株) 製) Kayaset、 Kayakalan染料 (以上日本化薬 (株) 製)、 Val i fast colors染料(オリエントィ匕学工業(株)製) Savinyl、 Sandopl ast , Polysynthren, Lanasyn 染料 (以上クラリアントジャパン (株) 製)、 Ai zen Sp i lon 染料 (保 土谷化学工業 (株) 製) 等が挙げられる。 これらの染料は単独でもしくは混合 して用いられる。
本発明で用いられる熱発色性染料としては、 加熱により発色し 3 5 O n m以 上 7 0 0 n m以下に吸収極大を示す熱発色性化合物が好ましく、 一般の感熱色 素または感圧色素であっても良い。 これらの熱発色性化合物は加熱時に系中に 共存する酸性基の作用により、 その化学構造や電荷状態を変化させることによ つて発色するもの、 あるいは空気中の酸素の存在により熱酸化反応等を起こし て発色するもの等が挙げられる。 熱発色性染料の骨格構造としては、 トリァリ ールメ タン骨格、 ジァリールメ タン骨格、フルオラン骨格、 ビスラク トン骨格、 フタ リ ド骨格、 キサンテン骨格、 ローダミ ンラタタム骨格、 フルオレン骨格、 フエノチアジン骨格、フエノキサジン骨格、スピロピラン骨格等が挙げられる。 本発明の具体的な熱発色性染料としては、 4, 4 ', 4" ー トリス (ジメチル ァミ ノ) ト リ フエニルメ タン、 4, 4 ', 4" — ト リス (ジェチルァミ ノ) 一 2 , 2 ', 2 " — ト リ メチル ト リ フエニルメ タン、 2, 4 ', 4" ーメチリデン ト リ スフエノール、 4, 4 ', 4" —メチリデントリ スフエノ一ノレ、 4 , 4 ' ― [(4 ーヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス (ベンゼンァミ ン)、 4, 4 ' ― [( 4 ーァミ ノフエニル) メチレン] ビスフエノール、 4, 4 ' - [(4—ァミ ノフエ ニル) メチレン] ビス [3, 5—ジメチルフエノール]、 4, 4 ' ― [(2—ヒ ドロキシフエエル) メチレン] ビス [2 , 3, 6— ト リ メチノレフエノーゾレ]、 4 一 [ビス ( 4ーヒ ドロキシフェニル) メチノレ] 一 2—メ トキシフエノ一ノレ、 4, 4 ' 一 [( 2—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2—メチルフエノール]、 4, 4 ' 一 [(4—ヒ ドロキシフ; ニル) メチレン] ビス [ 2—メチルフエノ一 ル]、 4 - [ビス ( 4ーヒ ドロキシフエ二ノレ) メチノレ] — 2—エ トキシフエノー ル、 4 , 4 ' 一 [( 3—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2 , 6—ジメチ ルフエノール]、 4, 4 ' - [(4—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [2 , 6—ジメチルフエノール]、 2, 2 ' — [(4ーヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [3, 5—ジメチノレフエノール]、 4, 4 ' ― [(4ーヒ ドロキシ一 3—メ トキシフエ二ル) メチレン] ビス [2, 6—ジメチノレフエノール]、 2, 2 ' 一 [( 2—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2, 3, 5— ト リ メチルフエノ 一ノレ]、 4 , 4 ' ― [(4ーヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [2, 3 , 6 ー ト リ メチルフエノール]、 4 , 4 ' 一 [(2—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2—シク口へキシルー 5—メチルフエノ一ル]、 4 , 4 ' 一 [( 3—ヒ ド ロキシフエ二/レ) メチレン] ビス [ 2—シク ロへキシノレ一 5—メチノレフエノ一 ル]、 4, 4 ' 一 [( 4ーヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [2—シク ロへ キシルー 5—メチルフエノーノレ]、 4, 4 ' 一 [(3—メ トキシ一 4—ヒ ドロキ シフエニル) メチレン] ビス [ 2—シク ロへキシルー 5 _メチルフエノーノレ]、 4 , 4 ' 一 [( 3 , 4—ジヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2—メチルフ ェノール]、 4, 4,一 [( 3, 4ージヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [2, 6—ジメチルフエノール]、 4, 4 ' ― [( 3 , 4—ジヒ ドロキシフエニル) メ チレン] ビス [ 2, 3, 6— ト リ メチルフエノ一ル]、 4 - [ビス ( 3—シク ロ へキシノレ一 4ーヒ ドロキシー 6—メチノレフエ二ノレ) メチ 7レ] — 1, 2—べンゼ ンジオール、 4, 4,, 4", 4 "' ― ( 1, 2—エタンジイ リデン) テ トラキス フエノール、 4, 4,, 4", 4 "' 一 ( 1 , 2—エタンジイ リデン) テ トラキス [ 2—メチルフエノール]、 4, 4,, 4", 4 "' 一 ( 1 , 2—エタンジイ リデ ン) テ トラキス [2, 6—ジメチルフエノール]、 4, 4 ', 4", 4"' - ( 1 , 4—フエ二レンジメチリデン) テ トラキスフエノール、 4, 4,, 4", 4"' 一 ( 1 , 4一フエ二レンジメチリデン) テ トラキス ( 2, 6—ジメチルフエノー ル)、 4, 4 ' ― [( 2—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 3—メチルフ ェノール]、 2 , 2 ' - [(3—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [3, 5 ージメチルフエノール]、 4, 4 ' 一 [(2—ヒ ドロキシ一 3—メ トキシフエ二 ル) メチレン] ビス [2, 5—ジメチノレフエノール]、 4, 4 ' 一 [( 2—ヒ ド 口キシ一 3—メ トキシフエニル) メチレン] ビス [2, 6—ジメチノレフエノー ル]、 2 , 2 ' — [( 2—ヒ ドロキシ一 3—メ トキシフエニル) メチレン] ビス [3 , 5—ジメチルフエノール]、 2, 2 ' _ [(3—ヒ ドロキシ _ 4ーメ トキ シフエニル) メチレン] ビス [3 , 5—ジメチルフエノール]、 4, 4 ' - [( 2 ーヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2—メチノレエチルフエノーノレ]、 4, 4 ' 一 [( 3—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2—メチノレエチノレフエノ 一ル]、 4, 4 ' 一 [(4—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2—メチル ェチノレフヱノール]、 2, 2 ' - [( 3—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [3, 5 , 6— ト リ メチルフエノール]、 2 , 2 ' ― [(4—ヒ ドロキシフエ二 ル) メチレン] ビス [3 , 5, 6— ト リ メチルフエノール]、 2, 2 ' 一 [(4 ーヒ ドロキシー 3 _エ トキシフエ二ノレ) メチレン] ビス [3, 5—ジメチルフ エノーノレ]、 4, 4 ' _ [( 2—ヒ ドロキシ一 3—メ トキシフエ二ノレ) メチレン] ビス [2— (メチルェチノレ) フエノーノレ]、 4, 4 ' 一 [(3—ヒ ドロキシー 4 —メ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 2—(メチルェチル) フエノ一ノレ]、 4 , 4 ' - [(4—ヒ ドロキシ一 3—メ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 2— (メ チノレエチル) フエノ一ル]、 2 , 2 ' - [( 2—ヒ ドロキシー 3—メ トキシフエ 二ノレ) メチレン] ビス [ 3, 5 , 6—ト リ メチノレフェノ一ノレ]、 2, 2 ' - [( 3 —ヒ ドロキシ一 4ーメ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 3, 5 , 6— ト リ メ チルフエノール]、 2, 2 ' 一 [( 4—ヒ ドロキシー 3—メ トキシフエニル) メ チレン] ビス [ 3 , 5, 6— ト リ メチルフエノ一ル]、 4 , 4 ' 一 [( 4ーヒ ド 口キシー 3—エ トキシフエ -ノレ) メチレン] ビス [ 2— (メチルェチル) フエ ノール]、 2 , 2 ' 一 [( 4ーヒ ドロキシ一 3—エ トキシフエ-ル) メチレン] ビス [ 3 , 5,' 6— ト リ メチルフエノ一ル]、 4 , 4 ' 一 [(4—ヒ ドロキシー 3 _エ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 2 , 3, 6—ト リ メチルフエノ一ル]、 4, 4 ' 一 [(4—ヒ ドロキシー 3—メ トキシフエ二ノレ) メチレン] ビス [ 2— ( 1 , 1ージメチルェチル) 一 5 _メチルフエノール]、 4, 4 ' ― [( 2—ヒ ドロキシフエ二ノレ) メチレン] ビス [ 2—シク ロへキシルフェノール]、 4 , 4 ' 一 [( 3—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2—シク ロへキシルフエノー ル]、 4 , 4 ' 一 [(4—ヒ ドロキシフエ二ノレ) メチレン] ビス [ 2—シクロへ キシルフエノーノレ]、 4, 4 ' 一 [( 2—ヒ ドロキシ _ 3—メ トキシフエ二ノレ) メチレン] ビス [ 2—シクロへキシルフヱノーノレ]、 4 , 4 ' ― [( 3—ヒ ドロ キシ一 4ーメ トキシフエ二ル) メチレン] ビス [ 2—シク ロへキシルフエノー ル]、 4 , 4 ' 一 [(4ーヒ ドロキシー 3—エ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 2 - ( 1 , 1ージメチルェチル) 一 6—メチノレフエノール]、 4 , 4 ' - [(4 —ヒ ドロキシ _ 3—エ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 2—シクロへキシノレ _ 5—メチルフエノール]、 4 , 4 ', 4 " ーメチリデン ト リ ス [ 2—シク ロへ キシル一 5—メチルフエノーノレ]、 2 , 2 ' 一 [( 3 , 4—ジヒ ドロキシフエ二 ノレ) メチレン] ビス [ 3 , 5—ジメチルフエノール]、 4 , 4 ' — [( 3 , 4— ジヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2— (メチルェチル) フエノール]、
2 , 2 ' — [( 3 , 4—ジヒ ドロキシフエ二ノレ) メチレン] ビス [ 3 , 5, 6 - ト リ メチルフエノ一ル]、 4 , 4 ' 一 [( 3, 4—ジヒ ドロキシフエニル) メチ レン] ビス [ 2—シク ロへキシルフエノ ーノレ]、 3, 3 ' - [( 2—ヒ ドロキシ フエ-ノレ) メチレン] ビス [ 5—メチノレベンゼン一 1 , 2—ジォーノレ]、 4 , 4 '
- [4 - [[ビス (4ー ヒ ドロキシー 2, 5—ジメチノレフエ二ノレ) メチノレ] フエ ニル] メチレン] ビス [ 1 , 3—ベンゼンジオール]、 4 , 4 ' ーメチレンビス
[ 2— [ジ(4ーヒ ドロキシー 3—メチ /レフェ-ノレ)] メチノレ] フエノ一ノレ、 4 ,
4 ' —メチレンビス [ 2— [ジ (4ーヒ ドロキシー 2 , 5—ジメチルフエ二ノレ)〕 メチル] フエノール、 4, 4 ' ーメチレンビス [ 2— [ジ (4—ヒ ドロキ.シー
3 , 5—ジメチルフエ二ノレ)] メチル] フエノール、 4, 4 ' ーメチレンビス [2
— [ジ( 3—シク口へキシル一 4—ヒ ドロキシ一 6—メチルフエ二ル)]メチル] フエノール、 4, 4 ' - ( 3, 5 _ジメチノレ一 4ーヒ ド ロキシフエニノレメチレ ン) 一ビス ( 2 , 6—ジメチルフエノーノレ)、 3 , 3— ビス ( p—ジメチノレア ミ ノフエ-ル) 一 6—ジメチルァミノフタ リ ド、 3 , 6—ビス (ジメチルァミノ) フルオラン一 γ— (4, 一ニ トロ) 一アミノラクタム、 2— ( 2—クロロア二 リ ノ) 一 6—ジェチルァミ ノフルオラン、 2— ( 2—クロロア二リ ノ) 一 6— ジブチノレアミノフルオラン、 2 _Ν, Ν—ジペンジノレアミノー 6—ジェチノレア ミノフルオラン、 6—ジェチルァミノ一ベンゾ [ a ] —フルオラン、 2, 2 ' 一ビス ( 2—クロ口フエ二ノレ) 一 4 , 4, , 5, 5 ' —テ トラフエニノレー 1 , 2 ' ービ (イ ミダゾール)、 1, 3—ジメチノレ一 6—ジェチルァミノフルオラン、 2 ーァニリ ノ一 3—メチルー 6—ジブチルァミノフルオラン、 3, 7—ビス (ジ メチルァミノ) 一 1 0—べンゾィルフエノチアジン、 3—ジェチルァミノ一 6 一クロロ ー 7— ( —エ トキシェチルァミノ) フルオラン、 3—ジェチルアミ ノー 6—メチル一 7—ァニリ ノフルオラン、 3— ト リェチルアミノー 6—メチ ルー 7—ァニリノフルオラン、 3—シク口へキシルァミノ一 6—メチルー 7— ァ-リ ノフルオラン等が挙げられる。
これらのうち、 2, 4 ', 4 " ーメチリデント リ スフエノール、 4 , 4 ', 4" ーメチリデント リスフエノール、 4, 4 ' 一 [(4—ヒ ドロキシフエニル) メチ レン] ビス (ベンゼンァミ ン)、 4, 4 ' 一 [(4 _アミノフヱニル) メチレン] ビスフエノール、 4 , 4 ' 一 [(4ーァミノフエニル) メチレン] ビス [ 3, 5
—ジメチルフエノール]、 4 , 4 ' 一 [( 2—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2 , 3 , 6— ト リ メチルフエノール]、 4一 [ビス ( 4ーヒ ドロキシフエ ニル) メチル] 一 2—メ トキシフエノール、 4, 4 ' ― [(2—ヒ ドロキシフエ 二ノレ) メチレン] ビス [ 2—メチノレフエノー レ]、 4, 4 ' 一 [(4—ヒ ドロキ シフエニル) メチレン] ビス [ 2 _メチルフエノール]、 4一 [ビス (4ーヒ ド 口キシフエニル) メチル] 一 2—エ トキシフエノール、 4, 4 ' 一 [( 4—ヒ ド ロキシフエニル) メチレン] ビス [2, 6—ジメチルフエノール]、 2, 2 ' ― [( 4—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 3 , 5—ジメチルフエノーノレ]、 4, 4 ' 一 [(4ーヒ ドロキシ _ 3—メ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 2 , 6—ジメチルフエノール]、 2, 2 ' - [(2—ヒ ドロキシフエュル) メチレン] ビス [ 2 , 3, 5— ト リ メチルフエノ一ル]、 4, 4 ' ― [(4—ヒ ドロキシフ ェニル) メチレン] ビス [ 2 , 3 , 6— ト リ メチルフエノ一ル]、 4, 4 ' 一 [( 2 ーヒ ドロキシフエニグレ) メチレン] ビス [ 2—シク ロへキシノレ一 5—メチノレフ ェノール]、 4 , 4 ' - [(4—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [2—シ ク ロへキシルー 5—メチルフエノーノレ]、 4, 4 ' 一 [(3—メ トキシー 4ーヒ ドロキシフエ二ノレ) メチレン] ビス [ 2—シクロへキシノレ一 5—メチノレフエノ 一ル]、 4, 4, 一 [(3, 4—ジヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [2— メチノレフエノーノレ]、 4, 4 ' 一 [(3, 4ージヒ ドロキシフエ二ノレ) メチレン] ビス [2 , 6—ジメチルフエノール]、 4, 4 ' 一 [(3, 4—ジヒ ドロキシフ ェニル) メチレン] ビス [ 2, 3 , 6—ト リ メチルフヱノ一ル]、 4 - [ビス ( 3 ーシク 口へキシノレ一 4ーヒ ドロキシー 6—メチノレフェニノレ) メチノレ] — 1, 2 一ベンゼンジオール、 4, 4 ', 4", 4"' 一 ( 1 , 2 _エタンジイ リデン) テ トラキスフエノール、 4, 4 4", 4"' 一 ( 1, 2—エタンジイ リデン) テ トラキス [ 2—メチノレフエノーノレ]、 4, 4 4", 4"' 一 ( 1 , 2—ェタン ジイ リデン) テ トラキス [ 2 , 6—ジメチルフエノール]、 4, 4 ', 4", 4", — ( 1 , 4—フエ二レンジメチリデン) テ トラキスフエノール、 4 , 4 ', 4 ", 4 ", 一 ( 1 , 4—フエ二レンジメチリデン) テ トラキス (2 , 6—ジメチルフ ヱノール)、 4, 4 ' 一 [( 2—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [3—メ チルフエノ一ル]、 4 , 4 ' 一 [( 2—ヒ ドロキシー 3—メ トキシフエ二ル) メ チレン] ビス [2, 5—ジメチルフエノール]、 4, 4 ' - [(2—ヒ ドロキシ 一 3—メ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 2, 6—ジメチルフエノ一ル]、 2 , 2 ' 一 [( 2—ヒ ドロキシ一 3—メ トキシフエ二ル) メチレン] ビス, [ 3 , 5— ジメチルフエノール]、 4, 4 ' 一 [( 2—ヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビ ス [ 2—メチノレエチルフエノーノレ]、 4, 4 ' 一 [(4ーヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2—メチノレエチルフエノール]、 2 , 2 ' 一 [(4—ヒ ドロキ シフエ-ル) メチレン] ビス [ 3, 5 , 6— ト リ メチルフエノール]、 2 , 2 ' 一 [(4—ヒ ドロキシ _ 3—エ トキシフエニル) メチレン] ビス [3 , 5—ジメ チルフエノ一ル]、 4, 4, 一 [( 2—ヒ ドロキシ一 3—メ トキシフエ二ノレ) メ チレン] ビス [ 2— (メチルェチル) フエノール]、 4 , 4 ' - [(4ーヒ ドロ キシー 3—メ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 2— (メチルェチル) フエノ 一ル]、 2 , 2 ' - [( 2—ヒ ドロキシ一 3—メ トキシフエニル) メチレン] ビ ス [ 3, 5, 6— ト リ メチルフエノ一ル]、 2 , 2 ' 一 [(4ーヒ ドロキシー 3 ーメ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 3, 5 , 6— ト リ メチルフエノ一ル]、 4 , 4 ' 一 [(4—ヒ ドロキシー 3—エ トキシフエニノレ) メチレン] ビス [ 2— (メチノレエチノレ) フエノ一ノレ]、 2 , 2 ' - [(4ーヒ ドロキシー 3—エ トキシ フエニル) メチレン] ビス [ 3 , 5 , 6— ト リ メチルフエノーノレ]、 4 , 4 ' - [(4—ヒ ドロキシー 3—ェ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 2, 3 , 6— ト リ メチルフエノール]、 4 , 4 ' 一 [(4ーヒ ドロキシー 3—メ トキシフエ二ル) メチレン] ビス [ 2— ( 1, 1—ジメチルェチル) 一 5—メチルフエノール]、 4 , 4 ' 一 [( 2—ヒ ドロキシフエ二ノレ) メチレン] ビス [ 2—シクロへキシ 7レ フエノ一ル]、 4 , 4 ' 一 [(4ーヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2 - シク ロへキシルフェノール]、 4 , 4 ' 一 [( 2—ヒ ドロキシ一 3—メ トキシフ ェ-ノレ) メチレン] ビス [ 2—シクロへキシノレフエノーノレ]、 4 , 4, 一 [( 4 ーヒ ドロキシー 3—エ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 2— ( 1, 1 —ジメ チルェチル) 一 6—メチルフエノ一ル]、 4, 4, 一 [(4ーヒ ドロキシ一 3— エ トキシフエニル) メチレン] ビス [ 2—シク ロへキシルー 5—メチノレフエノ 一ル]、 4 , 4 ', 4 " —メチリデン ト リ ス [ 2—シク ロへキシル一 5—メチノレ フエノール]、 2 , 2 ' 一 [( 3 , 4—ジヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス
[ 3, 5—ジメチルフエノール]、 4, 4 ' 一 [( 3 , 4—ジヒ ドロキシフエ二 ル) メチレン] ビス [ 2— (メチルェチル) フエノール]、 2 , 2 ' ― [( 3 , 4—ジヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 3, 5 , 6— ト リ メチノレフエノ 一ル]、 4 , 4 ' - [( 3, 4ージヒ ドロキシフエニル) メチレン] ビス [ 2— シク ロへキシルフェノール]、 3, 3 ' 一 [( 2—ヒ ドロキシフエニル) メチレ ン] ビス [ 5—メチルベンゼン一 1, 2—ジォ一ル]、 4 , 4 ' 一 [4一 [[ビ ス (4—ヒ ドロキシー 2, 5 _ジメチノレフエ二ノレ) メチノレ] フエ二ノレ] メチレ ン] ビス [ 1 , 3—ベンゼンジオール]、 4 , 4 ' —メチレンビス [ 2— [ジ (4 —ヒ ドロキシ _ 3—メチノレフェニル)] メチル] フエノ一ノレ、 4 , 4 ' ーメチレ ンビス [ 2— [ジ ( 4—ヒ ドロキシー 2 , 5—ジメチルフエ二ル)] メチル] フ ェノール、 4 , 4 ' ーメチレンビス [2— [ジ (4ーヒ ドロキシー 3, 5—ジ メチルフエ二ル)] メチノレ] フエノール、 4 , 4 ' —メチレンビス [ 2— [ジ ( 3 —シク ロへキシル一 4—ヒ ドロキシ一 6—メチルフエ二ル)] メチル] フエノー ノレ、 4, 4 ' - ( 3, 5—ジメチルー 4ーヒ ドロキシフエニノレメチレン) 一ビ ス ( 2, 6—ジメチルフエノール) 等のトリァリールメタン骨格を有する水酸 基含有化合物が挙げられる。 これらの化合物は耐熱性に優れるため特に好まし い。 これらは単独でもしくは混合して用いられる。
熱発色性染料は、 1 2 0°Cより高温で熱発色する化合物が好ましく、 より好 ましくは 1 8 0 より高温で発色する熱発色性化合物が好ましい。 発色温度が 高い熱発色性化合物であるほど、 高温条件下での耐熱性に優れ、 また長時間の 紫外一可視光照射により退色することが少なく耐光性に優れる。
本発明で用いられる有機顔料としては、 発色性が高く耐熱性の高い顔料が好 ましく、 特にカーボンブラックおよび Zまたは 2種以上の有機顔料組み合わせ が好ましい。 上記カーボンブラックとしては、 例えば、 HC F、 MC F、 L F F、 R C F、 S AF、 I S AF、 HAF、 X C F、 F E F、 G P F、 S R F等 のファーネスブラック、 F T、 MT等のサーマルブラック、 チャンネノレブラッ ク、 およびアセチレンブラック等を挙げることができる。 これらのカーボンブ ラックは単独でまたは 2種以上混合して用いることができる。
本発明に用いる有機顔料としては、 耐熱性に優れた物が好ましい。 代表的な 顔料の具体的な例をカラーインデックス (C I ) ナンバーで示す。 黄色顔料の 例としては、 ビグメントイエロー 1 2、 1 3、 1 4、 1 7、 2 0、 2 4、 3 1、 5 5、 8 3、 8 6、 9 3、 9 4、 1 0 9、 1 1 0、 1 1 7、 1 2 5、 1 3 7、 1 3 8、 1 3 9、 1 4 7、 1 4 8、 1 5 0、 1 5 3、 1 5 4、 1 5 5、 1 6 6、 1 6 8、 1 7 3、 1 8 0、 1 8 5などが挙げられる。 橙色顔料の例としては、 ビグメントオレンジ 1 3、 3 1、 3 6、 3 8、 4 0、 4 2、 4 3、 5 1、 5 5、 5 9、 6 1、 6 4、 6 5、 7 1などが挙げられる。 赤色顔料の例としては、 ピ グメ ントレッ ド 9、 9 7、 1 2 2、 1 2 3、 1 4 4、 1 4 9、 1 6 6、 1 6 8、 1 7 6、 1 7 7、 1 8 0、 1 9 0、 1 9 2、 2 0 9、 2 1 5、 2 1 6、 2 2 4、 2 4 2、 2 5 4などが挙げられる。 紫色顔料の例としては、 ビグメントバイオ レッ ト 1 9、 2 3、 2 9、 3 2、 3 3、 3 6、 3 7、 3 8などが挙げられる。 青色顔料の例としてはピグメントブルー 1 5 ( 1 5 : 3、 1 5 : 4、 1 5 : 6 など)、 2 1、 2 2、 6 0、 6 4などが挙げられる。 緑色顔料の例としてはピグ メ ン トグリーン 7、 1 0、 3 6、 4 7、 などが挙げられる。
本発明で用いられる無機顔料は、 絶縁性金属化合物が好ましい。 電気絶縁性 に乏しい無機顔料を用いると、 有機電界発光表示装置の絶縁層としての機能が 不十分となり発光素子を作製した場合、 電気的短絡等を招き重大な問題を生じ る。 絶縁性金属化合物は、 マンガン酸化物、 チタン酸化物、 チタン酸窒化物、 クロム酸化物、 バナジウム酸化物、 鉄酸化物、 コバルト酸化物もしくはニオブ 酸化物等が挙げられる。 特にマンガン酸化物とチタン酸窒化物は本発明におい て好適に用いられる。 マンガン酸化物は、 一般に Mn xy ( 1 < y < X ≤ 2 ) の糸且成からなる。 具体的には" y — Mn O 2、 /3 — M n O 2、 一 M'n 02、 M n 2 O 3、 Mn 3 O 4などであり、 さらには、 非晶性の Mn xy ( 1 < y < x≤ 2 ) も用いられる。 マンガン酸化物粉末の一時粒子径 1 0 0 n m以下が好ましく、 より好ましくは 6 0 nm以下である。 なお一次粒子径は電子顕微鏡による算術 平均により求めることが出来る。
本発明において好適に用いられるチタン酸窒化物は一般に T i Na O 0 ( 0 < α < 2、 0. 1 < β < 2 ) の組成からなる。 チタン酸窒化物の一次粒子径は、 マンガン酸化物と同様に 1 0 0 n m以下、 より好ましくは 6 0 n m以下が好ま しレ、。
本発明で用いる( e )の着色剤の添加量は、 ( )成分 1 0 0重量部に対して、 0. 2〜 1 0 0重量部が好ましく、特に 0. 4〜 7 0重量部の使用が好ましい。 ( a ) 成分 1 0 0重量部に対する ( e ) 着色剤の添加量が 1 0 0重量部より大 きくなると、 樹脂比率が少なすぎるため、 感光性樹脂皮膜と基板の密着強度が 低下するという問題がある。 また、 0. 2重量部より少なくなると、 目隠し剤 としての機能を果たさなくなる。
本発明において、前記有機顔料および無機顔料は必要に応じて、口ジン処理、 酸性基処理、 塩基性基処理などの表面処理が施されているものを使用してもよ レ、。 また、 分散剤とともに使用することもできる。 分散剤としては、 例えば、 カチオン系、 ァニオン系、 非イオン系、 両性、 シリコーン系、 フッ素系の界面 活性剤を揚げることができる。
本発明に添加される (e ) 成分の着色剤は、 ソルダーレジス トゃ、 有機電界 発光表示装置や液晶表示装置の遮光性セパレーター、 ブラックマ ト リ クス、 目 隠し剤としての機能を発現するため、 用途に応じて、 赤外から紫外まで幅広い 吸収を示す方が好ましい場合がある。 着色方法としては、 1種以上の染料また は顔料を用いる方法、 染料または顔料を 2種以上組み合わせて用いる方法、 1 種以上の染料または顔料と 1種以上のそれら以外の染料または顔料を組み合わ せて用いる方法等が挙げられる。 ' その他、 該組成物のアルカリ現像性を制御する目的で、 フエノール性水酸基 を有する化合物を含有することができる。
本発明で使用することができるフエノール性水酸基を有する化合物としては、 たとえば、 B i s— Z、 B i s OC— Z、 B i s O P P— Z、 B i s P— C P、 B i s 2 6 X— Z、 B i s OT B P— Z、 B i s OCHP— Z、 B i s OCR -C P, B i s P— MZ、 B i s P— E 、 B i s 2 6 X - C P B i s P— P Z、 B i s P— I P Z、 B i s CR— I P Z、 B i s OC P_ I P Z、 B i s O I P P— C P、 B i s 26 X— I P Z、 B i s OTB P— C P、 T e k P 一 4HB PA (テ トラキス P— DO— B PA)ヽ T r i s P— HAP、 T r i s
P— PA、 B i s〇F P— Z、 B i s R S— 2 P、 B i s PG— 2 6 X、 B i s R S— 3 P、 B i s OC— OCHP、 B i s P C_OCHP、 B i s 2 5 X 一〇CHP、 B i s 2 6 X— OCHP、 B i s OCHP_OC、 B i s 2 3 6 T一 OCHP、 メチレン ト リ ス一 F R— CR、 B i s R S _ 2 6 X、 B i s R S— OCHP (以上、 商品名、 本州化学工業 (株) 製)、 B I R— O C、 B I P -P C, B I R— P C、 B I R— P T B P、 B I R— P CHP、 B I P— B I ◦ C— F、 4 P C、 B I R— B I P C— F、 TE P— B I P— A (以上、 商品 名、 旭有機材工業 (株) 製) が挙げられる。
これらのうち、 好ましいフエノール性水酸基を有する化合物は、 たとえば、 B i s— Z、 B i s P— E Z、 T e k P— 4HB PA、 T r i s P— HAP、 T r i s P— PA、 B i s OCHP— Z、 B i s P— MZ、 B i s P— P Z、 B i s P— I P Z、 B i s OC P— I P Z、 B i s P— C P、 B i s R S— 2 P、 B i s R S— 3 P、 B i s P— OCHP、 メチレン ト リ ス一 FR— CR、 B i s R S— 2 6 X、 B I P— P C、 B I R— P C、 B I R— P TB P、 B I R— B I P C— F等が挙げられる。 これらのうち、 特に好ましいフエノール性 水酸基を有する化合物は、 たとえば、 B i s _Z、 T e k P— 4 HB PA、 T r i s P— HAP、 T r i s P - P A, B i s S - 2 P , B i s R S— 3 P、 B I R— P C、 B I R— PTB P、 B I R— B I P C— Fである。 このフエノ ール性水酸基を有する化合物を添加することで、 得られる樹脂組成物は、 露光 前はアルカ リ現像液に容易に溶解し、露光するとアルカ リ現像液に難溶になり、 現像による膜減りが少なく、 短時間で現像が容易になる。
このようなフエノール性水酸基を有する化合物の添加量は、 ポリマー 1 0 0 重量部に対して、 好ましくは 1から 6 0重量部であり、 さらに好ましくは 3か ら 5 0重量部の範囲である。
さらに、 必要に応じて、 感光性樹脂組成物と基板との塗れ性を向上させる目 的で界面活性剤、 乳酸ェチルやプロピレングリ コールモノメチルエーテルァセ テートなどのエステル類、エタノールなどのァノレコール類、シク口へキサノン、 メチルイソプチルケトンなどのケトン類、 テトラヒ ドロフラン、 ジォキサンな どのエーテル類を混合しても良い。 また、 2酸化ケィ素、 2酸化チタンなどの 無機粒子、 あるいはポリイミ ドの粉末などを添加することもできる。
また、 シリ コンウェハーなどの下地基板との接着性を高めるために、 シラン カップリング剤、 チタンキレート剤などを感光性樹脂組成物のワニスに 0. 5 から 1 0重量%添加したり、 下地基板をこのよ うな薬液で前処理したりするこ ともできる。
ワニスに添加する場合、 メチルメタク リ ロキシジメ トキシシラン、 3—アミ ノプロビルト リメ トキシシラン、 などのシランカップリ ング剤、 チタンキレー ト剤、 アルミキレート剤をヮ-ス中のポリマーに対して 0 . 5から 1 0重量0 /0 添加する。
基板を処理する場合、 上記で述べたカップリ ング剤をイソプロパノール、 ェ タノール、 メタノール、 水、 テ トラヒ ドロフラン、 プロ ピレングリ コールモノ メチ/レエーテノレアセテー ト 、 プロピレングリ コールモノメチルエーテル、 季し酸 ェチル、 アジピン酸ジェチルなどの溶媒に 0 . 5から 2 0重量%溶解させた溶 液をスピンコート、 浸漬、 スプレー塗布、 蒸気処理などで表面処理をする。 場 合によっては、 その後 5 0 °Cから 3 0 0 °Cまでの温度をかけることで、 基板と 上記力ップリング剤との反応を進行させる。
なお本発明の感光性樹脂組成物はアルカ リ水溶液に対する ( a ) 成分の溶解 を阻害させる目的で、 ォニゥム塩、 ジァリル化合物又はテ トラアルキルアンモ -ゥム塩は含有しない。 これらを含有した場合、 その後の熱処理でその化合物 分解が起こ り、 酸または塩基が発生し、 これが原因で膜が劣化し、 得られる膜 の耐熱性が低下する、 機械特性が低下する、 接着性が低下する等の問題が生じ る可能性がある。
本発明の ( a ) 〜 ( e ) 成分およびフエノール性水酸基を有する化合物は、 有機溶剤に溶解およぴ/または分散した状態で用いられる。
ここで利用される有機溶剤は、 大気圧下沸点が 8 0 °C〜 2 5 0 °Cであるもの が好ましく用いられる。
本発明で利用される有機溶剤は、 エチレングリ ゴールモノメチルエーテル、 エチレングリ コールモノェチルエーテル、 プロピレングリ コールモノ メチルェ ール、 プロピレングリ コールモノェチルエーテル、 エチレングリ コーノレジメチ ノレエーテノレ、 エチレングリ コーノレジェチノレエーテノレ、 エチレングリ コーノレジブ チノレエ一テル等のエーテル類、 エチレングリ コーノレモノエチノレエーテノレァセテ ート、 プロピレングリ コーノレモノメチノレエーテルアセテート、 プロピノレアセテ ー ト、 ブチルアセテート、 イソブチルァセテ一ト、 3—メ トキシブチルァセテ ー ト、 3—メチルー 3—メ トキシブチルァセテート、乳酸メチル、乳酸ェチル、 乳酸ブチル等のアセテー ト類、 ァセチルアセ トン、 メチルプロピルケ トン、 メ チルプチルケ トン、 メチルイ ソブチノレケ トン、 シク口ペンタノン、 2—へプタ ノン等のケ トン類、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ペンタノール、 4ーメチルー 2 —ペンタノール、 3—メチノレ一 2—ブタノール、 3—メチノレー 3—メ トキシブタノール、ジァセ トンアルコール等のアルコール類、 トルエン、 キシレン等の芳香族炭化水素類、 その他、 N—メチル _ 2—ピロ リ ドン、 N— シクロへキシル一 2 _ピロリ ドン、 N, N—ジメチルホルムアミ ド、 N , N— ジメチルァセ トアミ ド、 ジメチルスルホキシド、 γ—ブチロラク トン、 が挙げ られる。 これらのうち、 (a ) 成分を溶解しかつ、 大気圧下沸点が 1 0 0 °C〜 1 8 0 °Cであるものが特に好ましレ、。沸点が 1 0 0 °Cを下回ると組成によっては、 組成物塗布時、 溶剤が揮発して塗布できない場合がある。 また、 1 8 0 °Cを越 えると、 組成物の熱処理温度が高くなり、 実使用上、 下地甚盤の材質に大きな 制約が生じ、 好ましくない場合がある。 また、 (a ) 成分を溶解する溶剤を用い ることによって、 下地基盤に均一性の良い塗膜を形成することが出来る。
特に好ましいものと して、 具体的には、 シクロペンタノン、 エチレングリ コ 一ノレモノメチノレエーテノレ、 エチレングリ コーノレモノェチルエーテノレ、 プロピレ ングリ コールモノメチルエーテル、 乳酸メチル、 乳酸ェチル、 ジアセ トンアル コ一ル、 3 —メチルー 3 —メ トキシブタノールが挙げられる。
また、本発明の樹脂組成物に使用される有機溶剤は、 ( a )成分のポリマー 1 0 0重量部に対して、 好ましくは、 2 0 〜 8 0 0重量部、 特に好ましくは、 3 0 〜 5 0 0重量部である。これらは単独あるいは混合して用いてもかまわない。 次に、 本発明の感光性組成物を用いて耐熱性樹脂パターンを形成する方法に ついて説明する。
感光性樹脂組成物を基板上に塗布する。 基板としてはシリ コンウェハー、 セ ラミ ックス類、 ガリ ウムヒ素などが用いられるが、 これらに限定されない。 塗 布方法としてはスピンナを用いた回転塗布、 スプレー塗布、 ロールコーティ ン グなどの方法がある。 また、 塗布膜厚は、 塗布手法、 組成物の固形分濃度、 粘 度などによって異なるが通常、 乾燥後の膜厚が、 1から 1 5 0 mになるよう に塗布される。
次に感光性樹脂組成物を塗布した基板を乾燥して、 感光性樹脂組成物皮膜を 得る。 乾燥はオーブン、 ホッ トプレー ト、 赤外線などを使用し、 5 0 °Cから 1 5 0 °Cの範囲で 1分から数時間行うのが好ましい。
次に、 この感光性樹脂組成物皮膜上に所望のパターンを有するマスクを通し て化学線を照射し、 露光する。 露光に用いられる化学線としては紫外線、 可視 光線、 電子線、 X線などがあるが、 本発明では水銀灯の i線 ( 3 6 5 n m)、 h 線 (4 0 5 n m )、 g線 (4 3 6 n m ) を用いるのが好ましい。
樹脂組成物のパターンを形成するには、 露光後、 現像液を用いて未露光部を 除去することによって達成される。
現像液としては、 例えば、. N—メチルー 2—ピロリ ドン、 N—ァセチル一 2 —ピロ リ ドン、 N , N—ジメチルホルムアミ ド、 N, N—ジメチルァセ トアミ ド、 ジメチルスルホキシド、 へキサメチルホスホルトリアミ ドなどを単独ある いはメ タノール、ェタノール、イ ソプロ ピルアルコール、メチルカルビ ト一ノレ、 ェチノレカノレビ トーノレ、 トノレエン、 キシレン、 乳酸ェチノレ、 ピゾレビン酸ェチノレ、 プロ ピレングリ コーノレモノメチノレエーテノレアセテー ト、 メチノレー 3ーメ トキシ プロ ピオネー ト、 ェチルー 3 _エ トキシプロ ピオネー ト、 2—ヘプタノ ン、 酢 酸ェチルなどの有機溶剤や、 テ トラメチルアンモニゥムの水溶液、 ジエタノー ルァミン、 ジェチルァミノエタノール、 水酸化ナトリ ウム、 水酸化力リ ウム、 炭酸ナ ト リ ウム、 炭酸力 リ ウム、 ト リェチルァミ ン、 ジェチルァミ ン、 メチル ァミ ン、 ジメチルァミ ン、 酢酸ジメチルアミ ノエチル、 ジメチルアミ ノエタノ — J ジメチノレアミ ノェチノレメタク リ レー ト、 シクロへキシノレアミ ン、 ェチレ ンジァミン、 へキサメチレンジァミンなどのアル力リ性を示す化合物の水溶液 が挙げられ、特に、テトラメチルアンモニゥムの水溶液、ジエタノールァミン、 ジェチルァミノエタノール、 水酸化ナトリ ウム、 水酸化力リ ウム、 炭酸ナトリ ゥム、 炭酸カリウム、 トリェチルァミン等のアルカリ性を示す化合物の水溶液 が好ましい。 また場合によっては、 これらのアルカ リ水溶液に N—メチル _ 2 一ピロ リ ドン、 N , N—ジメチルホルムアミ ド、 N, N—ジメチルァセ トアミ ド、 ジメチルスルホキシド、 γ—ブチロラクロン、 ジメチルアク リルアミ ドな どの極性溶媒、 メタノール、 エタノール、 イソプロパノールなどのアルコール 類、 乳酸ェチノレ、 プロピレングリ コールモノメチルエーテルアセテー トなどの エステ/レ類、 シクロペンタノン、 シクロへキサノン、 イソブチノレケトン、 メチ ルイソブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を組み合わせたも のを添加してもよい。現像後は水にてリンス処理をする。ここでもエタノール、 イソプロピルアルコールなどのアルコール類、 し酸ェチル、 プロ ピレングリ コ ールモノメチルエーテルァセテ一トなどのエステル類などを水に加えてリンス 処理をしても良い。
現像時のパターンの解像度が向上したり、 現像条件の許容幅が增大する場合 には、 現像前にべーク処理をする工程を取り入れても差し支えない。 この温度 としては 5 0〜1 8 0 °Cの範囲が好ましく、 特に 6 0〜 1 5 0 °Cの範囲がより 好ましい。 時間は 1 0秒〜数時間が好ましい。 この範囲を外れると、 反応が進 行しなかったり、 全ての領域が溶解しなくなるなどのおそれがあるので注意を 要する。
現像後、 1 2 0 °Cから 2 8 0 °Cの温度を加えて樹脂皮膜にする。 この加熱処 理は温度を選び、 段階的に昇温するか、 ある温度範囲を選び連続的に昇温しな がら 5分から 5時間実施する。 一例としては、 1 3 0 °C、 2 0 0 °C、 3 5 0 °C で各 3 0分づっ熱処理する。 あるいは室温より 4 0 0 °Cまで 2時間かけて直線 的に昇温するなどの方法が挙げられる。
本発明による感光性樹脂組成物により形成した耐熱性樹脂皮膜は、 半導体の パッシベーシヨ ン膜、 半導体素子の保護膜、 高密度実装用多層配線の層間絶縁 膜、 回路基板の配線保護絶縁膜などの用途に用いられる。
また本発明の組成物は、表示装置に形成される絶縁層に用いることもできる。 絶縁層を用いた表示装置は、 基板上に形成された第一電極と、 前記第一電極に 対向して設けられた第二電極とを含む表示装置が挙げられる。 具体的には、 L C D、 E C D、 E L D、 有機電界発光素子を用いた表示装置 (有機電界発光装 置) などが該当する。 実施例
本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。 なお、 感光性樹脂 組成物等の評価は以下の方法により行った。
ィミ ド化率の測定
用いたポリマーのイミ ド化率について以下のように算出した。 まず、 ポリマ 一の赤外吸収スぺク トルを測定、 ポリイミ ドに起因するイミ ド構造の吸収ピー ク ( 1 7 8 0 c m_ 1付近、 1 3 7 7 c m— 1付近) の存在を確認し、 次に、 そ のポリマーを 3 5 0 °Cで 1時間窒素雰囲気で熱処理し、 熱処理後の赤外吸収ス ベク トルを測定、 1 3 7 7 c m—1付近のピーク強度を熱処理前の強度と比較す ることによって、 熱処理前ポリマー中のィミ ド化率を算出した。
感光性樹脂膜の作製
6インチシリコンウェハー上に、 感光性樹脂組成物 (以下ワニスと呼ぶ) を プリベーク後の膜厚が 3 0 mとなるように塗布し、ついでホッ トプレート(東 京エレク トロン (株) 製 M a r k— 7 ) を用いて、 1 0 0 °Cで 2分プリベーク することにより、 感光性樹脂膜を得た。
膜厚の測定方法
大日本スク リーン製造 (株) 製ラムダエース S TM— 6 0 2を使用し、 屈折 率 1. 7 3で測定を行った。
露光
露光機 (ウルトラテック (株) 社製全波長ステッパー Spectrum 3e) に、 パ ターンの切られたレチクルをセッ トし、 露光量 7 0 0 m J c m2 ( i線換算) で全波長露光を行った。
露光後ベータ
露光膜について、 現像前に、 ホッ トプレート (東京エレク トロン (株) 製 M a r k— 7 ) を用いて、 6 0 °Cで 1分、 露光後ベータ処理を行った。
現像
東京エレク トロン (株) 製 M a r k - 7の現像装置を用い、 5 0回転で水酸 化テトラメチルアンモニゥムの 2. 3 8 %水溶液を 1 0秒間噴霧した。この後、
0回転で 6 0秒間静置し、 4 0 0回転で水にてリ ンス処理、 3 0 0 0回転で 1 0秒振り切り乾燥した。
熱処理 (キュア)
現像後膜について、 イナートオーブン I NH— 2 1 C D (光洋サーモシステ ム (株) 社製) を用いて、各実施例に記載された温度、 時間で熱処理を行った。 残膜率の算出
残膜率は以下の式に従って算出した。
残膜率 (<½) -現像後の膜厚 ÷プリべーク後の膜厚 X 1 0 0
収縮残膜率の算出
収縮残膜率は以下の式に従って算出した。
収縮残膜率 (%) =熱処理後の膜厚 ÷現像後の膜厚 X 1 0 0
クラック耐性
現像後膜を任意の'条件で熱処理し、 5 0 μ ιη口の抜きパターン ( 5 0 ^ mX 5 0 m正方形の抜きパターンを意味する) のコーナーについて、 クラックの 発生有無 (n = 5 ) を光学顕微鏡にて観察した。
ス ト レス耐性
現像後膜を任意の条件で熱処理し、 5 0 m口の残しパターン ( 5 0 mX 5 0 u m正方形の残しパターンを意味する) のコーナーについて、" しわ" の発 生有無 (n = 5) を光学顕微鏡にて観察した。
合成例 1 活性エステル化合物 ( I ) の合成
乾燥窒素気流下、 4—カルボキシ安息香酸クロリ ド 1 8 · 5 g ( 0. 1モル) と ヒ ドロキシベンゾ ト リ アゾール 1 3. 5 g ( 0. 1モル) をテ トラヒ ドロフ ラン (TH F) 1 0 0 gに溶解させ、 一 1 5 °Cに冷却した。 ここに TH F 5 0 gに溶解させたトリェチルァミ ン 1 0 g ( 0. 1モル) を反応液の温度が 0 °C を越えないように滴下した。 滴下終了後、 2 5 °Cで 4時間反応させた。 この溶 液をロータリ一エバポレータ一で濃縮して、活性エステル化合物( I )を得た。
Figure imgf000042_0001
( I ) 合成例 2 ヒ ドロキシル基含有酸無水物 (II) の合成
乾燥窒素気流下、 2, 2—ビス ( 3—アミノー 4—ヒ ドロキシフエニル) へ キサフルォロプロパン (BAHF) 1 8. 3 g (0. 0 5モル) とァリルグリ シジルエーテル 34. 2 g (0. 3モル) をガンマブチロラク トン (GB L) 1 0 0 gに溶解させ、 一 1 5 °Cに冷却した。 ここに GB L 5 0 gに溶解させた 無水トリメ リ ッ ト酸クロ リ ド 2 2. 1 g (0. 1 1モル) を反応液の温度が 0 °C を越えないように滴下した。 滴下終了後、 0 °Cで 4時間反応させた。 この溶液 をロータリーエバポレーターで濃縮して、 トルエン 1 Lに投入して酸無水物 (II) を得た。
Figure imgf000043_0001
合成例 3 ヒ ドロキシル基含有ジァミン化合物 (III) の合成
BAHF 1 8. 3 g (0. 0 5モル) をアセ トン 1 00mL、 プロピレンォ キシド 1 7. 4 g (0. 3モル) に溶解させ、 一 1 5°Cに冷却した。 ここに 4 —ニトロべンゾイルクロ リ ド 2 0. 4 g (0. 1 1モル) をアセ トン 1 0 0m Lに溶解させた溶液を滴下した。 滴下終了後、 一 1 5°Cで 4時間反応させ、 そ の後室温に戻した。 析出した白色固体をろ別し、 5 0°Cで真空乾燥した。
固体 3 0 gを 3 0 OmLのステンレスォー トク レープに入れ、 メチノレセノレソ ルブ 2 5 0 m Lに分散させ、 5 %パラジウム一炭素を 2 g加えた。 ここに水素 を風船で導入して、 還元反応を室温で行った。 約 2時間後、 風船がこれ以上し ぼまないことを確認して反応を終了させた。 反応終了後、 ろ過して触媒である パラジウム化合物を除き、 ロータリーエバポレーターで濃縮し、 ジァミン化合 物 (III) を得た。 得られた固体をそのまま反応に使用した。
Figure imgf000044_0001
同様に、 各実施例、 比較例に使用したフ ノール性水酸基を有する化合物を 下記に示した。
Figure imgf000045_0001
D L-PC D OM-PTBP
Tr i sP-PA
N N
Figure imgf000045_0002
B-a type benzoxazine BIR-PG
TML-HQ
Figure imgf000045_0003
IKALAC MW-100LM NIKALAC MX-270
Figure imgf000045_0004
実施例 1
乾燥窒素気流下、 4, 4 ' ージァミノジフエニルエーテル 1 1. 4 1 g ( 0. 5 7モル)、 1 , 3—ビス ( 3—ァミ ノプロピル) テ トラメチルジシロキサン . 24 g (0. 0 05モル)、 末端封止剤として、 3 _アミノフエノール (東 京化成工業 (株) 製) 8. 1 8 g (0. 0 7 5モル) を N—メチル— 2—ピロ リ ドン (NMP) 8 0 gに溶解させた。 ここにビス ( 3 , 4—ジカルボキシフ ェニル) エーテル二無水物 3 1. 0 2 g (0. 1モル) を NMP 2 0 gととも に加えて、 2 0 °Cで 1時間反応させ、 次いで 5 0 °Cで 4時間反応させた。 その 後、 キシレンを 1 5 g添加し、 水をキシレンとともに共沸しながら、 1 5 0°C で 5時間攪拌した。 攪拌終了後、 溶液を水 3 Lに投入して白色沈殿を集めた。 この沈殿をろ過で集めて、 水で 3回洗浄した後、 8 0 °Cの真空乾燥機で 2 0時 間乾燥した。得られたポリマー固体を、赤外吸収スぺク トルで測定したところ、 1 7 8 0 c m— 1付近、 1 3 7 7 c m—1付近にポリイミ ドに起因するィミ ド構造 の吸収ピークが検出された。 このよ うにして得られたポリマー固体について、 ィミ ド化率を調べた。
次に、 このポリマー固体 1 0 gに光重合開始剤のビス —イ ソニ トロソプ 口ピオフエノンォキシム) イソフタル 0. 5 g、 熱架橋性化合物の二力ラック (N I KALAC) MX- 2 70 (商品名、 (株) 三和ケミカル製) 1 g、 T r i s P— PA 2 g、 ト リ メチロールプロパンジアタ リ レート (不飽和二重結 合官能基からなる重合性基を有する化合物) 5 gを乳酸ェチル 1 2 gに溶解さ せて、 ネガ型感光性ポリイミ ド組成物のワニス Aを得た。 得られたワニスを用 いて前記のように、 シリ コンウェハー上に感光性ポリイミ ド膜を作製、 露光、 露光後べーク、 アルカリ現像、 1 7 0 °Cで 6 0分熱処理し、 ワニスのアルカリ 現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス ト レス耐性について評価を行 つた。
実施例 2
乾燥窒素気流下、合成例 3で得られたヒ ドロキシル基含ジァミン化合物(III)
4 9. 5 7 g (0. 0 8 2モル)、 末端封止剤として、 活性エステル化合物 ( I ) 9. 9 1 g (0. 0 3 5モル)を NMP 1 5 0 gに溶解させた。 ここにビス ( 3 ,
4ージカルポキシフエニル) エーテル二無水物 3 1. 0 2 g (0. 1モル) を
NMP 3 0 gとともに加えて、 20°Cで 1時間反応させ、 次いで 5 0°Cで 4時 間反応させた。 その後、 1 8 0°Cで 5時間攪拌した。 攪拌終了後、 溶液を水 3
Lに投入して白色沈殿を集めた。 この沈殿をろ過で集めて、 水で 3回洗浄した 後、 8 0 °Cの真空乾燥機で 2 0時間乾燥した。 得られたポリマー固体を、 赤外 吸収スペク トルで測定したところ、 1 7 8 0 c m— 1付近、 1 3 7 7 c m— 1付 近にポリィミ ドに起因するィミ ド構造の吸収ピークが検出された。 このように して得られたポリマー固体について、 イミ ド化率を調べた。
次に、 このポリマーの固体 1 0 gを計り、 光重合開始剤の 2—べンジルー 2 ージメチルァミ ノ一 1 一( 4一モルフォ リ ノ フエニル)ーブタノ ン一 1 を 2 g、 ペンタエリ ス リ トールト リ アタ リ レー ト (不飽和二重結合官能基からなる重合 性基を有する化合物) 5 g、 ビニルトリメ トキシシラン 1 gとを γ—ブチロラ タ トン 1 0 gに溶解させてネガ型感光性ポリイミ ド組成物のワニス Bを得た。 得られたワニスを用いて前記のように、 シリ コンウェハ一上に感光性ポリイ ミ ド膜を作製、露光、露光後ベータ、 アル力リ現像、 2 0 0 °Cで 6 0分熱処理し、 ワニスのアルカ リ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス ト レス耐性 について評価を行った。
実施例 3
乾燥窒素気流下、 合成例 3で得られたヒ ドロキシル基含有ジァミ ン (III) 4 6 . 5 5 g ( 0 . 0 7 7モル) を N M P 2 5 0 gに溶解させた。 ここに合成例 2で得られたヒ ドロキシ基含有酸無水物 (II) 7 1 . 4 5 g ( 0 . 1モル)、 末 端封止剤として、 3—ヒ ドロキシフタル酸無水物 (東京化成工業 (株)製) 7 . 3 8 g ( 0 . 0 4 5モル) を加えて、 6 0 °Cで 6時間反応させた。 その後、 キ シレンを 1 5 g添加し、 キシレンとともに反応水を共沸しながら、 1 5 0 °Cで 5時間攪拌した。 攪拌終了後、 溶液を水 2 Lに投入して白色沈殿を集めた。 こ の沈殿をろ過で集めて、 水で 3回洗浄した後、 8 0 °Cの真空乾燥機で 2 0時間 乾燥した。 得られたポリマー固体を、 赤外吸収スペク トルで測定したところ、 1 7 8 0 c m— 1付近、 1 3 7 7 c m一1付近にポリイミ ドに起因するィミ ド構 造の吸収ピークが検出された。このようにして得られたポリマー固体について、 ィミ ド化率を調べた。
次に、 このポリマー固体 1 0 gを計り、 光童合開始剤の 2—べンジル一 2 _ ジメチルアミ ノ ー 1— ( 4 _モルフォ リ ノ フエニル) 一ブタノ ン一 1 を 2 . 5 g、 ペンタエリスリ トールトリアタリ レート (不飽和二重結合官能基からなる 重合性基を有する化合物) 8 g、 熱架橋性化合物の DM L — P C (商品名、 本 州化学工業 (株) 製) 5 g、 ビニルトリメ トキシシラン 1 gとを 3—メチル 一 3—メ トキシブタノール 1 0 gに溶解させてネガ感光性ポリイミ ド組成物の ワニス Cを得た。 得られたワニスを用いて前記のように、 シリ コンウェハー上 に感光性ポリイミ ド膜を作製、 露光、 露光後ベータ、 アルカリ現像、 1 8 0 °C で 6 0分熱処理し、 ワニスのアルカリ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック 耐性、 ス トレス耐性について評価を行った。 '
実施例 4
乾燥窒素気流下、 合成例 3で得られたヒ ドロキシル基含有ジァミン化合物 (III) 4 0 . 5 g ( 0 . 0 6 7モル)、 1, 3—ビス ( 3 —ァミ ノプロピル) テ トラメチルジシロキサン 1 . 2 4 g ( 0 . 0 0 5モノレ) を NM P 1 3 0 gに 溶解させた。 ここに 3, 3 ' , 4 , 4 ' ービフエニルテトラカルボン酸二無水物 2 9 . 4 2 g ( 0 . 1モル) を NM P 2 0 gとともに加えて、 2 0 で 1時間 反応させ、 次いで 5 0 °Cで 2時間反応させた。 ここに 4 _アミノチオフエノー ル (東京化成工業 (株) 製) 6 . 8 9 g ( 0 . 0 5 5モル) を加え、 5 0。じで ' 2時間攪拌後、 1 8 0 °Cで 5時間攪拌した。 攪拌終了後、 溶液を水 3 Lに投入 して白色沈殿を集めた。 この沈殿をろ過で集めて、水で 3回洗浄した後、 8 0 °C の真空乾燥機で 2 0時間乾燥した。 得られたポリマー固体を、 赤外吸収スぺク トルで測定したところ、 1 7 8 0 c m— 1付近、 1 3 7 7 c m— 1付近にポリイ ミ ドに起因するイミ ド構造の吸収ピークが検出された。 このよ うにして得られ たポリマー固体について、 イミ ド化率を調べた。
次に、 このポリマーの固体 1 0 gを計り、 光重合開始剤の N—フエニルダリ シン 0 . 2 g、 ビス ( α—イ ソニ トロソプロピオフエノンォキシム) イソフタ ル 0 . 4 g、 熱架橋性化合物 TM L— H Q (商品名、 本州化学工業 (株) 製) 0 . 3 g、 ジメチロールートリシクロデカンジアタリ レート (不飽和二重結合 官能基からなる重合性基を有する化合物) 5 . 5 gをプロピレングリコールモ ノメチルエーテル 1 3 gに溶解させてネガ型感光性ポリイミ ド組成物のワニス
Dを得た。 得られたワニスを用いて前記のように、 シリ コンウェハー上に感光 性ポリイミ ド膜を作製、 露光、 露光後べーク、 アルカリ現像、 1 5 0 °Cで 6 0 分熱処理し、 ワニスのアルカ リ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス トレス耐性について評価を行った。
実施例 5
乾燥窒素気流下、 2 , 2—ビス ( 3—アミノー 4ーヒ ドロキシフ ニル) へ キサフルォロプロパン (BAHF) 3 0. 0 3 g ( 0. 0 8 2モル)、 1 , 3— ビス (3—ァミノプロピル) テ トラメチルジシロキサン 1. 24 g (0. 0 0 5モル)、 末端封止剤として、 3—ァミノフ ノール (東京化成工業 (株) 製) 2. 7 3 g (0. 0 2 5モル)を NMP 1 0 0 gに溶解させた。 ここにビス ( 3 , 4ージカルボキシフエニル) エーテル二無水物 3 1. 02 g (0. 1 0モル) を NMP 3 0 gとともに加えて、 2 0 °Cで 1時間反応させ、 次いで 5 0 °Cで 4 時間反応させた。 その後、 1 8 0°Cで 5時間攪拌した。 攪拌終了後、 溶液を水 3 Lに投入して白色沈殿を集めた。 この沈殿をろ過で集めて、 水で 3回洗浄し た後、 2 0 0 °Cの真空乾燥機で 5時間乾燥した。 得られたポリマー固体を、 赤 外吸収スペク トルで測定したところ、 1 7 8 0 c m— 1付近、 1 3 7 7 c m一1 付近にポリイミ ドに起因するイミ ド構造の吸収ピークが検出された。 このよ う にして得られたポリマー固体について、 イミ ド化率を調べた。
次に、 このポリマー固体 1 0 gに光重合開始剤の 1, 2—オクタンジオン, 1一 [ 4 - (フエ二ルチオ) フエ二 7レ] _, 2— ( o—べンゾィルォキシム) 0. 4 g、 熱架橋性化合物の二力ラック (N I KALAC) MW- 1 0 0 LM (商品名、 (株) 三和ケミカル製) 1. 5 g、 着色剤の A— DMA (商品名、 保 土谷化学工業 (株) 製) 0. 3 g、 トリメチロールプロパントリアタリ レート (不飽和二重結合官能基からなる重合性基を有する化合物) 1 0 gをジァセト ンアルコール 1 0 gに溶解させ、 ネガ型感光性ポリイミ ド組成物のワニス Eを 得た。 得られたワニスを用いて前記のように、 シリ コンウェハー上に感光性ポ リイミ ド膜を作製、 露光、 露光後べーク、 アルカ リ現像、 1 8 0°Cで 6 0分熱 処理し、 ヮエスのアルカリ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス ト レス耐性について評価を行つた。
実施例 6
実施例 3で得られたポリマー固体 1 ◦ gに光重合開始剤の 2—ベンジル— 2 —ジメチルァミ ノ一 1一( 4—モルフオ リ ノ フエ二ル)一プタノ ン一 1 を 3 g、 着色剤の O I L B L UE 2 N (商品名、 オリエン ト化学工業(株) 製) 0. l g、 着色剤の CV L (商品名、 保土谷化学工業 (株) 製) 0. 2 g、 ジメチ ロール一 トリシクロデカンジアタリ レー ト (不飽和二重結合官能基からなる重 合性基を有する化合物) 3 · 5 g、 トリメチロールプロパンジァクリ レート 1. 5 gを乳酸ェチル 1 3 gに溶解させてネガ型感光性ポリイミ ド組成物のワニス Fを得た。 得られたワニスを用いて前記のように、 シリ コンウェハー上に感光 性ポリイミ ド膜を作製、 露光、 露光後べーク、 アルカ リ現像、 2 0 0°Cで 6 0 分熱処理し、 ワニスのアルカ リ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス ト レス耐性について評価を行った。
実施例 7
実施例 4で得られたポリマー固体 1 0 gに光重合開始剤の 1—フエ二ルー 1 , 2—ブタンジオン一 2— ( o—メ トキシカルボニル) ォキシム l g、 熱架橋 性化合物 DMOM— P T B P (商品名、 本州化学工業 (株) 製) 1. 7 g、 B I R— P C (商品名、 旭有機材工業 (株) 製) 1. 5 g、 不飽和二重結合官能 基からなる重合性墓を有する化合物である N— ( 3—ジェチルァミノプロピル) メタク リルァミ ド 0. 7 g とジメチロール一 ト リ シク 口デカンジァク リ レー ト 4. 5 gを γ—プチロラク トン 1 2 g、 シクロペンタノン 8 gに溶解させてネ ガ型感光性ポリイミ ド組成物のワニス Gを得た。 得られたワニスを用いて前記 のように、 シリコンウェハー上に感光性ポリイミ ド膜を作製、 露光、 露光後べ ーク、 アルカ リ現像、 2 1 0 °Cで 3 0分熱処理し、 ワニスのアルカ リ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラ ック耐性、 ス ト レス耐性について評価を行った。 実施例 8
実施例 5で得られたポリマー固体 1 0 gに光重合開始剤の 1 一フエ二ルー 1 , 2—ブタンジオン一 2— ( o—メ トキシカノレポニル) ォキシム 0. 5 g、 熱架 橋性化合物の B— a型べンゾォキサジン (商品名、 四国化成工業(株) 製) 0.
8 g、 B I R— P C (商品名、 旭有機材工業 (株) 製) 2. 5 g、 不飽和二重 結合官能基からなる重合性基を有する化合物である N—ビニルカプロラクタム
4 gとジメチロール一 ト リシク口デカンジァクリ レー ト 2. 5 gをジァセトン アルコール 1 5 gに溶解させてネガ型感光性ポリイミ ド組成物のワニス Hを得 た。 得られたワニスを用いて前記のように、 シリ コンウェハー上に感光性ポリ イミ ド膜を作製、 露光、 露光後べーク、 アルカリ現像、 1 8 0°Cで 30分熱処 理し、 ワニスのアルカ リ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス トレ ス耐性について評価を行った。
実施例 9
厚さ 1. 1 mmの無アルカリガラス表面にスパッタリング蒸着法によって厚 さ 1 3 0 nmの I T O透明電極膜が形成されたガラス基板を 1 2 0 X 1 0 0m mの大きさに切断した。 I T O基板上にフォ トレジス トを塗布して、 通常のフ オトリ ソグラフィ法による露光 '現像によってパターエングした。 I TOの不 要部分をエッチングして除去した後、 フォ トレジス トを除去することで、 I T O膜をス トライプ形状にパターニングした。 このス トライプ状第一電極は 1 0 0 inピッチである。
次に、 実施例 1で得られたワニス Aの濃度調整を乳酸ェチルを用いて行い、 スピンコート法により第一電極を形成した基板上に塗布し、 ホッ トプレート上 で 1 00°Cで 3分間プリベータした。 この膜にフォ トマスクを介して UV露光 した後、 2.3 8 %TMAH水溶液で露光部分のみを溶解させることで現像し、 純水でリンスした。 得られたポリイミ ドパターンをクリーンオーブン中の窒素 雰囲下で 1 7 0°C、 3 0分、 さらに、 1 70 °Cで 6 0分加熱してキュアし、 絶 縁層を第一電極のエッジを覆うように形成した。 絶縁層の厚さは約 1 : mであ つ 7こ。
次に、 絶縁層を形成した基板を用いて有機電界発光装置の作製を行った。 発 光層を含む薄膜層は、 抵抗線加熱方式による真空蒸着法によって形成した。 基 板有効ェリァ全面に蒸着して正孔輸送層を形成し、 シャ ドーマスクを用いて発 光層おょぴ第二電極のアルミエゥムを形成した。
得られた上記基板を蒸着機から取り出し、 基板と封止用ガラス板とを硬化性 エポキシ樹脂を用いて貼り合わせることで封止した。 このようにして I TOス トライプ状第一電極上に、 パターニングされた発光層が形成され、 第一電極と 直交するようにス トライプ状第二電極が配置された単純マトリクス型カラー有 機電界発光装置を作製した。 本表示装置を線順次駆動したところ、 良好な表示 特性を得ることができた。 絶縁層の境界部分で薄膜層や第二電極が、 薄くなつ たり段切れを起こすようなこともなく、 スムーズに成膜されたので、 発光領域 内での輝度ムラは認められず、 安定な発光が得られた。 まだ断面は順テーパー になっていた。
実施例 1 0
実施例 3で得られたワニス Cを用い、 キュァ条件を 1 8 0 °Cで 3 0分にした 他は、 実施例 9と同様にして、 単純マ ト リ クス型カラー有機電界発光装置を作 製した。 本表示装置を線順次駆動したところ、 輝度ムラも認められず良好な表 示特性を得ることができた。
実施例 1 1
実施例 5で得られたワニス Eを用い、 キュア条件を 2 0 0 で 3 0分にした 他は、 実施例 9と同様にして、 単純マ ト リ クス型カラー有機電界発光装置を作 製した。 本表示装置を線順次駆動したところ、 輝度ムラも認められず良好な表 示特性を得ることができた。
実施例 1 2
実施例 7で得られたワニス Gを用い、 キュア条件を 2 3 0でで 3 0分にした 他は、 実施例 9と同様にして、 単純マ ト リ クス型カラー有機電界発光装置を作 製した。 本表示装置を線順次駆動したところ、 輝度ムラも認められず良好な表 示特性を得ることができた。
実施例 1 3
キュア条件をオーブンの空気雰囲気で 1 8 0 °Cで 3 0分加熱、 絶縁層の厚さ を 3 μ mにした以外は実施例 9 と同様の方法で、 第一電極を形成した基板上に 感光性ポリイミ ドからなる絶縁層を形成した。 体積抵抗率は少なく とも 5 X 1 0 1 ° Ω c mあることを確認した。 絶縁層の境界部分の断面は、 順テーパー形状 であり、 テーパー角度は約 4 5 ° であった。
次に、 絶縁層を形成した基板を用いて有機電界発光装置の作製を行った。 絶 縁層を形成したガラス基板上に、 酸素プラズマまたは U V照射処理をした。 そ の後、 アルコールに溶解した正孔注入材料または正孔輸送材料を、 基板上にス ピンコートして製膜した。 オーブンを用いて、 1 8 0 °Cで 3 0分の加熱を行つ た。
さらに、 インクジェッ ト法を用いて、 トルエンに溶解した有機発光材料 (赤 色、青色、緣色の各材料) を各開口部にパターン塗布した。 オーブンを用いて、 8 0 °Cで 3 0分の加熱を行った。 最後に、 実施例 9と同様の方法で、 第二電極 を形成し、 封止を行った。
このよ うにして幅 8 0 / m、 ピッチ 1 0 0 πι、 本 8 1 6本の Ι Τ Οス ト ライプ状第一電極上に、 パターニングされた緑色発光層、 赤色発光層おょぴ青 色発光層が形成され、 第一電極と直交するように幅 2 5 0 M m、 ピッチ 3 0 0 μ mのストライプ状第二電極が 2 0 0本配置された単純マトリクス型カラー有 機電界発光装置を作製した。 赤、 緑、 青の 3つの発光領域が 1画素を形成する ので、 本発光装置は 3 0 0 :01ピッチで 2 7 2 X 2 0 0画素を有する。 絶縁層 が第一電極を露出せしめる部分のみが発光するので、 1つの発光領域は幅 7 0 μ 長さ 2 5 0 /z mの長方开である。
本表示装置を線順次駆動したところ、 良好な表示特性を得ることができた。 第一電極のエッジ部分が絶縁層で覆われているために、 電界集中による短絡は 認められなかった。 また、 断面が順テーパー形状であることから、 絶縁層の境 界部分で薄膜層や第二電極が、薄くなったり段切れを起こすようなこともなく、 スムーズに成膜されたので、 発光領域内での輝度ムラは認められず、 安定な発 光が得られた。 また、 耐久性試験として、 8 5 °Cで 2 5 0時間保持した後の発 光特性を評価したところ、 初期と比べて発光領域が小さくなることなく良好な 発光を示した。
実施例 1 4
スイッチング素子を有する基板 (TFT基板) の平坦化膜上に、 '平坦化膜上 にあるソース ' ドレイン電極に接触した、 所望のパターンの I TO電極 (画素) を設けた。
本基板を用いて、 実施例 1 3 と同様に、 絶縁層、 正孔注入材料または正孔輸 送材料、 発光材料、 第 2電極を形成し、 封止を行った。
本表示装置をアクティブマトリックス方式で駆動したところ、 良好な表示特 性を得ることができた。第一電極のエツジ部分が絶縁層で覆われているために、 電界集中による短絡は認められなかった。 また、 断面が順テーパー形状である ことから、 絶縁層の境界部分で薄膜層や第二電極が、 薄くなつたり段切れを起 こすようなこともなく、 スムーズに成膜されたので、 発光領域内での輝度ムラ は認められず、 安定な発光が得られた。 また、 耐久性試験として、 8 5°Cで 2 5 0時間保持した後の発光特性を評価したところ、 初期と比べて発光領域が小 さくなることなく良好な発光を示した。
実施例 1 5
乾燥窒素気流下、 4, 4 ' ージァミノジフエニルエーテル 1 1. 4 1 g ( 0. 0 5 7モル)、 1 , 3—ビス ( 3—ァミノプロピル) テ トラメチルジシロキサン 1. 24 g (0. 00 5モル)、 末端封止剤と して、 3—アミ ノフエノール (東 京化成工業 (株) 製) 8. 1 8 g ( 0. 0 7 5モル) を NMP 8 0 gに溶解さ せた。 ここにビス (3, 4—ジカルボキシフエニル) エーテル二無水物 3 1. 0 2 g (0. 1モル) を NMP 2 0 g とともに加えて、 2 0でで 1時間反応さ せ、 次いで 5 0 °Cで 4時間反応させた。 その後、 N, N—ジメチルホルムアミ ドジメチルァセタ一ル 1 5. 1 9 g (0. 1 2 7モル) を NMP 4 gで希釈し た溶液を 1 0分かけて滴下した。 滴下後、 5 0 °Cで 3時間攪拌した。 反応終了 後、 溶液を水 2 Lに投入して、 ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。 この沈殿 をろ過で集めて、 水で 3回洗浄した後、 ポリマー固体を 8 0 °Cの真空乾燥機で 2 0時間乾燥した。 得られたポリマー固体を、 赤外吸収スペク トルで測定した ところ、 1 7 8 0 c m— 1付近、 1 3 7 7 c 1付近にポリイミ ドに起因する イミ ド構造の吸収ピークが検出され無かった。 次に、 このポリマー固体 8. 5 gと実施例 1で得られたポリマー固体 1. 5 gを混合し、ィミ ド化率を調べた。 次いで、 この混合ポリマー固体 1 0 gに光重合開始剤のビス (ひ一イソニト ロソプロピオフエノンォキシム) イソフタル 0. 5 g、 熱架橋性化合物の二力 ラック (N I KAL AC) MX— 2 7 0 (商品名、 (株)三和ケミカル製) 1 g、
T r i s P— PA 2 g、 トリメチロールプロパンジァクリ レート (不飽和二 重結合官能基からなる重合性基を有する化合物) 5 gを乳酸ェチル 1 2 gに溶 解させて、 ネガ型感光性ポリイミ ド組成物のワニス Jを得た。 得られたワニス を用いて前記のように、 シリ コンウェハー上に感光性ポリイミ ド膜を作製、 露 光、 露光後ベータ、 アルカリ現像、 1 7 0 °Cで 6 0分熱処理し、 ワニスのアル 力リ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス トレス耐性について評価 を行った。
実施例 1 6
乾燥窒素気流下、 2, 2—ビス ( 3 —アミノ ー 4 ーヒ ドロキシフエニル) へ キサフノレオ口プロノヽ0ン (B AHF) 3 0. 0 3 g ( 0. 0 8 2モ レ)、 1, 3 — ビス ( 3 —ァミ ノプロ ピル) テ トラメチルジシロキサン 1 . 2 4 g ( 0. 0 0 5モル)、 末端封止剤と して、 3—ァミ ノ フエノール (東京化成工業 (株) 製) 2. 7 3 g ( 0. 0 2 5モル)を NMP 1 0 0 gに溶解させた。ここにビス ( 3 , 4ージカノレボキシフエニル) エーテ /レニ無水物 3 1 . 0 2 g ( 0. 1 0モノレ) を NMP 3 0 gとともに加えて、 2 0 °Cで 1時間反応させ、 次いで 5 0 °Cで 4 時間反応させた。 その後、 N, N—ジメチルホルムアミ ドジメチルァセタール 1 5. 1 9 g ( 0. 1 2 7モル) を NMP 4 gで希釈した溶液を 1 0分かけて 滴下した。 滴下後、 5 0 °Cで 3時間攪拌した。 反応終了後、 溶液を水 2 Lに投 入して、 ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。 この沈殿をろ過で集めて、 水で 3回洗浄した後、 ポリマー固体を 8 0 °Cの真空乾燥機で 2 0時間乾燥した。 得 られたポリマー固体を、 赤外吸収スぺク トルで測定したところ、 1 7 8 0 c m 一 1付近、 1 3 7 7 c m— 1付近にポリイミ ドに起因するィミ ド構造の吸収ピー クが検出されなかった。 次に、 このポリマー固体 5 gと実施例 5で得られたポ リマー固体 5 gを混合し、 イミ ド化率を調べた。
次いで、 この混合ポリマー固体 1 0 gに光重合開始剤の 1, 2—オクタンジ オン, 1 — [ 4一 (フエュルチオ) フエニル] 一, 2 — ( o _ベンゾイノレオキ シム) 0. 4 g、 熱架橋性化合物の二カラック (N I KA L A C) MW- 1 0 0 LM (商品名、 (株) 三和ケミカル製) 1 . 5 g、 着色剤の A— DMA (商品 名、 保土谷化学工業 (株) 製) 0. 3 g、 トリメチロールプロパントリアタリ レート (不飽和二重結合官能基からなる重合性基を有する化合物) 1 0 gをジ ァセトンアルコール 1 0 gに溶解させ、 ネガ型感光性ポリイミ ド組成物のヮニ ス Kを得た。 得られたヮエスを用いて前記のように、 シリ コンウェハー上に感 光性ポリイミ ド膜を作製、 露光、 露光後ベータ、 アルカ リ現像、 1 8 0 °Cで 6 0分熱処理し、 ワニスのアルカリ現像性、残膜率、収縮残膜率、 クラ ック耐性、 ストレス耐性について評価を行った。
実施例 1 7
乾燥窒素気流下、 2 , 2—ビス ( 3—アミノー 4—ヒ ドロキシフヱニル) へ キサフノレオ口プロパン (B AHF) 3 0. 0 3 g ( 0. 0 8 2モル)、 1, 3— ビス ( 3—ァミ ノプロ ピル) テ トラメチルジシロキサン 1. 2 4 g ( 0. 0 0 5モル)、 末端封止剤として、 3—ァミノフエノール (東京化成工業 (株) 製) 2. 7 3 g ( 0. 0 2 5モル)を NMP l O O gに溶解させた。 ここにビス ( 3, 4ージカルボキシフエニル) エーテル二無水物 3 1. 0 2 g ( 0. 1 0モノレ) を NMP 3 0 gとともに加えて、 2 0 °Cで 1時間反応させ、 次いで 5 0 °Cで 4 時間反応させた。 その後、 N, N—ジメチルホルムアミ ドジメチルァセタール 1 5. 1 9 g ( 0. 1 2 7モル) を NM P 4 gで希釈した溶液を 1 0分かけて 滴下した。 滴下後、 8 0 °Cで 7時間攪拌した。 反応終了後、 溶液を水 2 Lに投 入して、 ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。 この沈殿をろ過で集めて、 水で 3回洗浄した後、 ポリマ一固体を 8 0 °Cの真空乾燥機で 2 0時間乾燥した。 得 られたポリマー固体を、 赤外吸収スぺク トルで測定したところ、 1 7 8 0 c m 一1付近、 1 3 7 7 c m— 1付近にポリイミ ドに起因するィミ ド構造の吸収ピー クが検出されなかった。 次に、 このポリマー固体 7 gと実施例 5で得られたポ リマー固体 3 gを混合し、 イミ ド化率を調べた。
次いで、この混合ポリマー固体 1 0 gを用いた他は実施例 1 6 と同様に行い、 ネガ型感光性ポリイミ ド組成物のワニス Lを得た。 得られたワニスを用いて前 記のように、 シリ コンウェハー上に感光性ポリイミ ド膜を作製、 露光、 露光後 ベータ、アル力リ現像、 1 8 0°Cで 6 0分熱処理し、ワニスのアル力リ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス ト レス耐性について評価を行った。 比較例 1
乾燥窒素気流下、 4 , 4 ' ージァミノジフエニルエーテル 1 1. 4 1 g ( 0.
0 5 7モル)、 1 , 3—ビス ( 3—ァミ ノプロ ピル) テ トラメチルジシロキサン
1. 2 4 g ( 0. 0 0 5モル)、 末端封止剤として、 3—ァミ ノ フエノール (東 京化成工業 (株) 製) 8. 1 8 g ( 0. 0 7 5モル) を NMP 8 0 gに溶解さ せた。 ここにビス (3 , 4—ジカルボキシフエニル) エーテル二無水物 3 1.
0 2 g (0. 1 0モル) を NMP 2 0 g とともに加えて、 2 0でで1時間反応 させ、 次いで 5 0°Cで 4時間反応させた。 その後、 N, N—ジメチルホルムァ ミ ドジメチルァセタール 1 5. 1 9 g (0. 1 2 7モル) を NMP 4 gで希釈 した溶液を 1 0分かけて滴下した。 滴下後、 5 0°Cで 3時間攪拌した。 反応終 了後、 溶液を水 2 1に投入して、 ポリマ一固体の沈殿をろ過で集めた。 この沈 殿をろ過で集めて、 水で 3回洗浄した後、 ポリマー固体を 8 0°Cの真空乾燥機 で 2 0時間乾燥した。 得られだポリマー固体を、 赤外吸収スペク トルで測定し たところ、 1 7 8 0 c m- 1付近、 1 3 7 7 c m— 1付近にポリイミ ドに起因す るィミ ド構造の吸収ピークが検出されなかった。 このようにして得られたポリ ィミ ド前駆体ポリマ一固体 1 0 gに光重合開始剤のビス ( α —イソニトロソプ 口ピオフ; cノンォキシム) イソフタル 0. 5 g、 熱架橋性化合物の二力ラック (N I KALAC) MX— 2 7 0 (商品名、 (株) 三和ケミカル製) 1 g、 T r i s P - P A 2 g、 不飽和二重結合官能基からなる重合性基を有する化合物 のトリメチロールプロパンジァクリ レート 5 gを乳酸ェチル 1 2 gに溶解さ せて、 ネガ型感光性ポリイミ ド前駆体組成物のワニス A 1を得た。 得られたヮ スを用いて前記のように、 シリコンウェハー上に感光性ポリイミ ド前駆体膜 を作製、 露光、 露光後ベータ、 アルカリ現像、 1 70°Cで 6 0分熱処理し、 ヮ ニスのアルカリ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス ト レス耐性に ついて評価を行った。
比較例 2
乾燥窒素気流下、 合成例 3で得られたヒ ドロキシル基含有ジァミン (III) 4 6. 5 5 g ( 0. 0 7 7モル) を NMP 2 5 0 gに溶解させた。 ここに合成例 2で得られたヒ ドロキシ基含有酸無水物 ( b ) 7 1. 4 5 g (0. 1モル)、 末 端封止剤として、 3—ヒ ドロキシフタル酸無水物 (東京化成工業(株) 製) 7.
3 8 g ( 0. 04 5モル) を加えて、 6 0 で 2時間反応させた。 その後、 N,
N—ジメチルホルムァミ ドジメチルァセタール 1 5. 1 9 g (0. 1 2 7モル) を NMP 4 gで希釈した溶液を 1 0分かけて滴下した。 滴下後、 5 0°Cで 3時 間攪拌した。 反応終了後、 溶液を水 2 Lに投入して白色沈殿を集めた。 この沈 殿をろ過で集めて、 水で 3回洗浄した後、 8 0 °Cの真空乾燥機で 2 0時間乾燥 した。 得られたポリマ一固体を、 赤外吸収スぺク トルで測定したところ、 1 7 8 0 c m - 1付近、 1 3 7 7 c m— 1付近にポリイミ ドに起因するィミ ド構造の 吸収ピークが検出されなかった。 このようにして得たポリイミ ド前駆体ポリマ 一の固体 1 0 gを計り、 光重合開始剤の 2—ベンジル一 2—ジメチルアミノー 1一 ( 4一モルフォ リ ノ フエニル) ーブタノンー 1を 2 . 5 g、 不飽和二重結 合官能基からなる重合性基を有する化合物のペンタエリス リ トールトリアタリ レー ト 8 g、 熱架橋性化合物の D M L— P C (商品名、 本州化学工業 (株) 製) 5 g、 ビニル ト リ メ トキシシラン l g とを 3 —メチルー 3 —メ トキシプタノ一 ル 1 0 gに溶解させて感光性ポリイミ ド前駆体組成物のワニス B 1を得た。 得 られたワニスを用いて前記のように、 シリコンウェハー上に感光性ポリイミ ド 前駆体膜を作製、 露光、 露光後ベータ、 アルカ リ現像、 1 8 0 °Cで 6 0分熱処 理し、 ワニスのアルカ リ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス ト レ ス而††生について I平価を行った。
比較例 3
比較例 2で得られたネガ型感光性ポリイミ ド前駆体組成物のワニス B 1を、 前記のように、シリコンウェハー上に感光性ポリィミ ド前駆体膜を作製、露光、 露光後ベータ、 アルカリ現像、 3 5 0 °Cで 6 0分熱処理し、 ワニスのアルカリ 現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス ト レス耐性について評価を行 つ 7こ。
比較例 4
末端封止剤として、 3 —ァミノフエノールを用いない他は、 実施例 1 と同様 にして、 ネガ型感光性ポリイミ ド組成物のワニス C 1を得た。 得られたワニス を用いて前記のように、 シリ コンウェハー上に感光性ポリイミ ド膜を作製、 露 光、 露光後べーク、 アルカ リ現像、 1 7 0 °Cで 6 0分熱処理し、 ワニスのアル カリ現像性、 残膜率、 収縮残膜率、 クラック耐性、 ス ト レス耐性について評価 を行った。
比較例 5 合成例 3で得られたヒ ドロキシル基含ジァミン化合物(I II)の添加量を 6 0 . 4 5 g ( 0 . 1モル) に変更し、 末端封止剤の活性エステル化合物 ( I ) を用 いない他は、 実施例 2と同様にして、 ネガ型感光性ポリイミ ド組成物のワニス D 1を得た。 得られたワニスを用いて前記のように、 シリ コンウェハー上に感 光性ポリイミ ド膜を作製、 露光、 露光後べーク、 アルカ リ現像、 2 0 0 °Cで 6 0分熱処理し、 ワニスのアルカ リ現像性、残膜率、収縮残膜率、 クラック耐性、 ストレス耐性について評価を行った。
比較例 6
比較例 1で得られたワニス A 1を用いて、 実施例 9と同様にして、 単純マト リタス型カラー有機電界発光装置を作製した。 本表示装置を線順次駆動したと ころ、 輝度ムラは認められなかったが、 発行表示部のエッジ部に発光ムラが多 数認められ、 良好な表示特性を得ることができなかった。
比較例 7
実施例 3で得られたポリイミ ドワニス Cに、 ォニゥム塩である D P I— T F (商品名、 東洋合成工業 (株) 製) 0 . 5 gを溶解させて得られたワニス E 1 を用いて、熱処理条件を 1 8 0 °Cで 3 0分にした他は、実施例 9と同様にして、 単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。 本表示装置を線順次駆 動したところ、 輝度ムラが認められかつ、 発行表示部のエッジ部に発光ムラが 多数認められ、 良好な表示特性を得ることができなかった。
Figure imgf000059_0001
CF3S03 _
DPI-TF 実施例 1〜 8、 1 5〜 1 7の組成については表 1 に、 比較例 1〜 5 の組成に ついては表 2に、 評価結果については表 3に示した。
Figure imgf000060_0001
表 2
ポリマー (a)
樹脂 重合性基を有する 光重合開始剤 (C) 熱架橋性 組成物 化合物 (b) 化合物 (d) ポリマー種 末端封止剤
ポリイミド前駆体 トリメチロールプロパンジ ビス α—イソニトロソプロ
二力ラック 比較例 1 A1 3—: ノフエノーレ ソ
100重量0 /o ァ リレ ト ピオフエノンォキシム)イ
MX— 70 フタル
2—ベンジルー 2—ジメ于
ポリイミド前駆体 3-ヒドロキシフタル酸 ペンタエリスリトールトリ ルァミノー 1一(4—モル
比較例 2 B1 PC
100重量0 /0 無水物 ァクりレー μ 1 " ォ I!ノ 一 Jし) '々ノ DMし一
ンー 1
2—ベンジル一 2—ジメチ
ド C!キシフタル酸 ペンタエリスリトールトリ ルァミノー 1一(4·—モル
比較例 3 B1 ポリイミ 前駆体 3-ヒド
DMし
100重量" ½ 無水物 ァクリレー卜 PG フォリノフエ二ル)一ブタノ 一 ンー 1
ビス( ソニトロソプロ ポリイミド トリメチロールプロパンジ —イ
二力ラック 比較例 4 C1 無し ピオフエノンォキシム)イソ
100重量0 /0 ァクリレー卜 MX— 270
フタル
2—ベンジルー 2—ジメチ
ポリイミド ペンタエリスリ) ^ ルトリ ルァミノー"!一(4—モル
比較例 5 D1 無し
100重量0 /0 ァクリレート フォリノフエニル)ーブタノ 無し
ン一 1
ポリマー (a)
樹脂 残膜率 熱処理条件 アルカリ現像性 組成物 イミド化率 (%)
ホリマ一種
実施例 1 A ポリイミド 3—アミノフエノ——ノレ 100 170°CX60分 アルカリ現像液に;谷解 90 実施例 2 B ホリイ 卜 活 'teエス丁ル(a) 100 200°C x 60分 アルカリ現像液に)谷解 88
3 -ヒドロキシフタル酸無
実施例 3 C ポリイミド 100 180 Cx 60分 ァゾレカリ現傢;夜に;谷角? 90 水物
4一アミノチオフエノー
実施例 4 D ホリイ 卜 100 150 C x 60分 7ルカリ現像液に Ϊ谷角竽 92 ル
実施例 5 E 7| 1 r* 0 Sノノエノ一ノレ 1 ι fυinυ 180 Cx 60分 アルカリ現像液に;谷解 91 実施例 6 F τίτΐ 1ノ に 3 -ヒドロキシフタル酸無
¾Γ 1 I η υηυ C X 6O77 / レカリ現 1家; レ谷 92
水物
->· 4-アミノチオフエノ一
夹腿1タ 7 Γ 1 ηη 1 Uし X oU 3 ノレ刀リ¾¾1家/佼 1 /· ^月 y 1 ル
夷她 1タ18 Π ^、ソ ¾Γ 0 一 1 1 I η υηυ I oUし X ノレ +刀1 ¾¾目 : 1 /合 ί月¾2半
ポリイミド前駆体
矣 5¾1タ 1 o J / ί夂 月牛
Ζポリイミド 一 π 1 Uし xり U刀 J 刀リ¾¾1
ポリイミド前駆体
実丽 Π6 K つマLz一 00 1 oUし oU r ゾレ刀リ現 1家/佼 /合 90
Ζポリイミド
ポリイミド前駆体
Figure imgf000062_0001
ゾ , 、
耒她例 1フ し 180 CX60分 アルカリ現像液に浴解 88
/ポリイミド
u早父 1タ1 J 1 A I ポリイミド前駆体 3-ァミノフエノール 0 I / Uし Xり U刀 j 刀リ ι¾¾目14家免/: ί夂 ι( /:合 Hi 00
3 -ヒ卜'口キシフタル酸無
比較例 2 B1 ポリイミド前駆体 0 180°CX60分 アルカリ現像液に溶解 83 水物
3 -ヒト'口キシフタル酸無
比較例 3 B1 ポリイミド前駆体 0 350°CX60分 アルカリ現像液に溶解 84
水物
比較例 4 C1 ポリイミド 無し 100 170°C X 60分 アルカリ現像液に不溶 100 比較例 5 D1 ポリイミド 無し 100 200°C X 60分 アルカリ現像液に不溶 100
本明細書中で引用した全ての刊行物、 特許及び特許出願をそのまま参考とし て本明細書中にと り入れるものとする。 産業上の利用の可能性
本発明は、 半導体素子の表面保護膜、 層間絶縁膜、 有機電界発光素子の絶縁 層、 回路基板の配線保護絶縁膜などに適した、 耐熱性樹脂組成物に関する。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . ( a ) ポリマー主鎖未端に、 カルボキシル基、 フエノール性水酸基、 ス ルホン酸基、チオール基より選ばれる基を少なく とも一つ有するポリイミ ドと、 ( b ) 不飽和二重結合官能基および/または不飽和三重結合官能基からなる重 合性基を有する化合物と、 ( c )光重合開始剤を含有することを特徴とする感光 性樹脂組成物。
2. ( d ) 熱架橋性化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第 1項記 載の感光性樹脂組成物。
3. ( e ) 着色剤を含有することを特徴とする請求の範囲第 1項または第 2 項記載の感光性樹脂組成物。
4. ( a ) 成分のポリイミ ドが、 一般式 ( 1 ) 〜 (4 ) で表される構造単位 を有する樹脂から選ばれた 1種以上のポリイミ ドであり、 且つ、 該ポリイミ. ド の含有量が、 前記組成物に含まれるポリマー全体に対し、 1 0重量%以上であ ることを特徴とする請求の範囲第 1項記載の感光性樹脂組成物。
Figure imgf000064_0001
Figure imgf000065_0001
(式中 R 1は 4から 1 4価の有機基、 R 2は 2から 1 2価の有機基、 R3、 R 5 は水素原子または、 フエノール性水酸基、 スルホン酸基、 チオール基、 炭素数 1から 2 0までの有機基より選ばれる基を少なくとも一つ有する有機基を示し. 同じでも異なっていてもよい。 R4は 2価の有機基を示す。 X、 Yは、 力ルポ キシル基、 フエノール性水酸基、 スルホン酸基、 チオール基より選ばれる基を 少なくとも一つ有する 2から 8価の有機基を示す。 nは 3から 2 0 0までの範 囲を示す。 m、 、 ]3は 0から 1 0までの整数を示す。)
5. —般式 ( 1 ) 〜 (4) の mが 0であることを特徴とする請求の範囲第 4項記載の感光性樹脂組成物。
6. (d) 成分の熱架橋性化合物が、 一般式 ( 5) で表される有機基を含 有することを特徴とする請求の範囲第 2項記載の感光性樹脂組成物。
Figure imgf000065_0002
(式中 R 6は水素原子、 炭素数 1から 2 0までのアルキル基、 炭素数 4から 2 0までの脂環式基または R 7 C O基を示す。 また、 R 7は、 炭素数 1から 2 0ま でのアルキル基を示す。)
7 . ( d ) 成分の熱架橋性化合物が、 ベンゾォキサジン化合物であること を特徴とする請求の範囲第 2項記載の感光性樹脂組成物。
8 . 請求の範囲第 1項〜第 7項のいずれか 1項記載の感光性樹脂組成物を 支持基板上に塗布し乾燥する工程、 露光する工程、 現像液を用いて現像するェ 程および加熱処理する工程を含む耐熱性樹脂の製造方法。
9 . 請求の範囲第 8項記載の製造方法により得られた耐熱性樹脂を表面保 護膜または層間絶縁膜として有する電子部品。
1 0 . 請求の範囲第 1項記載の感光性樹脂組成物を、 第一電極が形成された 基板上に塗布し、感光性樹脂膜を形成する工程、該感光性榭脂膜を乾燥、露光、 現像および加熱処理して絶縁層を形成する工程、 発光層を形成する工程、 及ぴ 第二電極を形成する工程を少なく とも含む有機電界発光装置の製造方法。
1 1 . 請求の範囲第 8項記載の製造方法により得られた耐熱性樹脂膜を有す る表示装置。
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Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006146244A (ja) * 2004-11-23 2006-06-08 E I Du Pont De Nemours & Co 低温硬化型感光性組成物
WO2006098291A1 (ja) 2005-03-15 2006-09-21 Toray Industries, Inc. 感光性樹脂組成物
JP2006308765A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
JP2007133377A (ja) * 2005-10-12 2007-05-31 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物
KR100736295B1 (ko) 2005-02-09 2007-07-06 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 표시 패널용 감광성 수지 조성물, 및 그의 경화물 및 표시패널용 스페이서
JP2008038141A (ja) * 2006-07-12 2008-02-21 Toray Ind Inc 耐熱性樹脂組成物およびそれを用いた金属樹脂複合体
JP2008133423A (ja) * 2006-10-24 2008-06-12 Toray Ind Inc 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2009217040A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Fujifilm Corp 感光性組成物、感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板
WO2009125845A1 (ja) * 2008-04-10 2009-10-15 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 フレキシブル配線板の製造方法
JP2010266814A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、リブパターンの形成方法及び電子部品
JP2011017897A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物、感光性樹脂組成物フィルムおよびそれを用いた多層配線基板
WO2012005079A1 (ja) 2010-07-09 2012-01-12 東レ株式会社 感光性接着剤組成物、感光性接着剤フィルムおよびこれらを用いた半導体装置
US8653202B2 (en) * 2005-06-06 2014-02-18 Toray Industries, Inc. Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device making use of the same and process for producing semiconductor device
JP2015087547A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 太陽インキ製造株式会社 感光性熱硬化性樹脂組成物およびフレキシブルプリント配線板
WO2017057143A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 東レ株式会社 ネガ型着色感光性樹脂組成物、硬化膜、素子および表示装置
KR20170108949A (ko) 2015-01-27 2017-09-27 도레이 카부시키가이샤 수지, 감광성 수지 조성물 및 그들을 사용한 전자 부품, 표시 장치
WO2017169574A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 東レ株式会社 感光性接着剤組成物、硬化物、感光性接着剤シート、積層基板および接着剤パターン付積層基板の製造方法
JPWO2017057281A1 (ja) * 2015-09-30 2018-05-10 東レ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜を具備する素子及び表示装置、並びにその製造方法
WO2018147316A1 (ja) * 2017-02-08 2018-08-16 東洋インキScホールディングス株式会社 光硬化性組成物およびディスプレイ
KR20180121871A (ko) 2016-03-30 2018-11-09 도레이 카부시키가이샤 네가티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막을 구비하는 표시 장치, 및 그의 제조 방법
JPWO2018173500A1 (ja) * 2017-03-24 2020-01-23 Dic株式会社 活性エステル組成物
WO2021020360A1 (ja) * 2019-07-30 2021-02-04 富士フイルム株式会社 着色樹脂組成物、膜、カラーフィルタ、固体撮像素子、及び、画像表示装置
KR20210040936A (ko) 2018-08-09 2021-04-14 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 시트, 그리고 그들의 경화막 및 그의 제조 방법, 전자 부품
JP2021107535A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 キヤノン株式会社 光硬化性組成物
WO2021227020A1 (zh) * 2020-05-15 2021-11-18 律胜科技股份有限公司 感光性聚酰亚胺树脂组合物及应用其的保护膜

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050282958A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Industrial Technology Research Institute Coating composition of positive photosensitive polyimide
KR101117987B1 (ko) 2005-06-07 2012-03-06 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조장치 및 방법
WO2009025283A1 (ja) * 2007-08-22 2009-02-26 Sony Chemical & Information Device Corporation 新規なポリイミド樹脂及び感光性ポリイミド樹脂組成物
KR100932770B1 (ko) * 2007-12-18 2009-12-21 전북대학교산학협력단 포지형 감광성 폴리이미드 수지 및 이의 조성물
US20100227269A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-09 Simpson Christopher D Imageable elements with colorants
KR20110031089A (ko) * 2009-09-18 2011-03-24 제이에스알 가부시끼가이샤 표시 소자용 보호막, 절연막 또는 스페이서로서의 경화물 형성용 감방사선성 수지 조성물, 경화물 및 그 형성 방법
JP5451570B2 (ja) * 2009-10-16 2014-03-26 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機el表示装置、及び、液晶表示装置
JP5252007B2 (ja) * 2011-03-08 2013-07-31 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
CN104641293B (zh) * 2012-09-18 2019-04-19 旭化成株式会社 感光性树脂组合物
WO2014045434A1 (ja) * 2012-09-24 2014-03-27 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
US9416229B2 (en) 2014-05-28 2016-08-16 Industrial Technology Research Institute Dianhydride and polyimide
KR102135064B1 (ko) * 2014-08-13 2020-07-17 동우 화인켐 주식회사 네가티브형 감광성 수지 조성물
JPWO2016143580A1 (ja) * 2015-03-06 2017-12-14 東レ株式会社 感光性樹脂組成物および電子部品
US9709710B2 (en) 2015-03-06 2017-07-18 Samsung Sdi Co., Ltd. Device including light blocking layer and method of patterning the light blocking layer
SG11201707415TA (en) * 2015-03-27 2017-10-30 Toray Industries Photosensitive resin composition, photosensitive resin composition film, cured product, insulating film and multilayer wiring board
KR101799819B1 (ko) * 2015-03-30 2017-11-21 도레이 카부시키가이샤 착색 수지 조성물, 착색막, 가식 기판 및 터치패널
CN108027563B (zh) * 2015-04-21 2021-12-03 富士胶片电子材料美国有限公司 光敏性聚酰亚胺组合物
JP6898031B2 (ja) * 2015-12-30 2021-07-07 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド 感光性積層構造体
WO2018051930A1 (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法
KR102492113B1 (ko) * 2016-09-30 2023-01-25 도레이 카부시키가이샤 네가티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막을 구비하는 소자 및 표시 장치, 및 그 제조 방법
CN110392864B (zh) * 2017-03-29 2023-05-23 东丽株式会社 负型感光性树脂组合物、固化膜、具备固化膜的元件及有机el显示器、以及其制造方法
KR102134377B1 (ko) * 2017-09-15 2020-07-15 주식회사 엘지화학 감광성 수지 조성물 및 이를 포함한 경화막
JP6769425B2 (ja) * 2017-11-21 2020-10-14 三菱マテリアル株式会社 絶縁皮膜形成用樹脂、ワニス、電着液、絶縁導体の製造方法
JP7111031B2 (ja) * 2018-03-23 2022-08-02 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法
JP2020531651A (ja) 2018-07-20 2020-11-05 エルジー・ケム・リミテッド ポリイミド樹脂およびこれを含むネガティブ型感光性樹脂組成物
CN109509678A (zh) * 2018-11-22 2019-03-22 漳州雅宝电子有限公司 一种熔点为236±2℃的耐高温热敏材料
CN111416039A (zh) * 2019-01-07 2020-07-14 纽多维有限公司 制剂和层
KR20220105005A (ko) 2021-01-19 2022-07-26 주식회사 엘지화학 폴리이미드 수지, 이를 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물 및 전자 소자
CN115011172A (zh) * 2022-06-23 2022-09-06 北京大华博科智能科技有限公司 一种可喷印绝缘结构墨水

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4927736A (en) 1987-07-21 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom
US5106720A (en) 1987-07-21 1992-04-21 Hoechst Celanese Corporation Base developable negative acting photoresists
JPH11282155A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及びこれを用いたソルダーレジストの製造法
JP2001174996A (ja) * 1999-12-20 2001-06-29 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、パタ−ンの製造法および電子部品
JP2002003715A (ja) * 2000-06-26 2002-01-09 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 組成物とそれを用いた感光性組成物及びカバーレイフィルム
JP2002116715A (ja) * 2000-06-28 2002-04-19 Toray Ind Inc 表示装置
WO2002032966A1 (fr) * 2000-10-16 2002-04-25 Kaneka Corporation Composition de resine photosensible, et reserve de soudage comprenant cette composition, film de couverture, et carte de circuit imprime
JP2002328472A (ja) * 2001-02-26 2002-11-15 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂前駆体組成物及びそれを用いた電子部品ならびに表示装置
JP2003021898A (ja) * 2001-07-10 2003-01-24 Nippon Kayaku Co Ltd 感光性樹脂組成物並びにその硬化物
JP2003043684A (ja) * 2001-08-03 2003-02-13 Nippon Kayaku Co Ltd 感光性樹脂組成物
JP2003077652A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
EP1296540A1 (en) 2000-06-28 2003-03-26 Toray Industries, Inc. Display
WO2003038526A1 (fr) * 2001-10-30 2003-05-08 Kaneka Corporation Composition de resine photosensible et films et stratifies photosensibles ainsi obtenus
JP2004043547A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Nippon Steel Chem Co Ltd イミド構造を有する熱硬化性樹脂、その硬化物及び熱硬化性樹脂組成物
JP2004133435A (ja) * 2002-09-17 2004-04-30 Toray Ind Inc ネガ型感光性樹脂前駆体組成物およびそれを用いた電子部品ならびに表示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54109828A (en) 1978-02-17 1979-08-28 Asahi Chemical Ind Heat resistant photoresist composition
DE2953553T1 (de) * 1979-02-26 1982-03-25 Xidex Corp Contrast colorant for photopolymerizable compositions
US4820779A (en) * 1986-07-01 1989-04-11 National Starch And Chemical Corporation Adduct of a carbinol-containing polyimide oligomer terminated with epoxide-reactive groups and a polyepoxide
EP0309190A3 (en) * 1987-09-22 1990-10-17 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Polyimide coating compositions
JP2678934B2 (ja) * 1989-01-20 1997-11-19 宇部興産株式会社 熱硬化性樹脂組成物およびその硬化物
US5204399A (en) * 1989-03-09 1993-04-20 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Thermoplastic film die attach adhesives
CA2025681A1 (en) 1989-09-22 1991-03-23 Allan E. Nader Photoreactive resin compositions developable in a semi-aqueous solution
JPH0427161A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Hitachi Ltd カラー固体撮像素子及びその製造方法
JPH10316751A (ja) 1997-05-15 1998-12-02 Mitsui Chem Inc 感光性ポリイミド
JPH1124268A (ja) 1997-07-07 1999-01-29 Hitachi Chem Co Ltd 感光性重合体組成物並びにこれを用いた電子部品及びその製造法
EP1199604B1 (en) 1999-05-31 2014-05-21 PI R & D Co., Ltd. Method for forming polyimide pattern using photosensitive polyimide and composition for use therein
JP4565769B2 (ja) * 2000-04-28 2010-10-20 三井化学株式会社 ポリイミドおよびポリアミド酸
US6294259B1 (en) * 2000-07-06 2001-09-25 3M Innovative Properties Company Polyimide hybrid adhesives
JP2002121207A (ja) * 2000-10-16 2002-04-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 組成物とそれを用いた感光性組成物及びカバーレイ
JP4665333B2 (ja) 2000-11-27 2011-04-06 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂前駆体組成物
JP2002182378A (ja) 2000-12-18 2002-06-26 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd アルカリネガ現像型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品
US6887643B2 (en) * 2002-08-05 2005-05-03 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin precursor composition

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5106720A (en) 1987-07-21 1992-04-21 Hoechst Celanese Corporation Base developable negative acting photoresists
US4927736A (en) 1987-07-21 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom
JPH11282155A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及びこれを用いたソルダーレジストの製造法
JP2001174996A (ja) * 1999-12-20 2001-06-29 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、パタ−ンの製造法および電子部品
JP2002003715A (ja) * 2000-06-26 2002-01-09 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 組成物とそれを用いた感光性組成物及びカバーレイフィルム
EP1296540A1 (en) 2000-06-28 2003-03-26 Toray Industries, Inc. Display
JP2002116715A (ja) * 2000-06-28 2002-04-19 Toray Ind Inc 表示装置
WO2002032966A1 (fr) * 2000-10-16 2002-04-25 Kaneka Corporation Composition de resine photosensible, et reserve de soudage comprenant cette composition, film de couverture, et carte de circuit imprime
JP2002328472A (ja) * 2001-02-26 2002-11-15 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂前駆体組成物及びそれを用いた電子部品ならびに表示装置
JP2003021898A (ja) * 2001-07-10 2003-01-24 Nippon Kayaku Co Ltd 感光性樹脂組成物並びにその硬化物
JP2003043684A (ja) * 2001-08-03 2003-02-13 Nippon Kayaku Co Ltd 感光性樹脂組成物
JP2003077652A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
WO2003038526A1 (fr) * 2001-10-30 2003-05-08 Kaneka Corporation Composition de resine photosensible et films et stratifies photosensibles ainsi obtenus
JP2004043547A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Nippon Steel Chem Co Ltd イミド構造を有する熱硬化性樹脂、その硬化物及び熱硬化性樹脂組成物
JP2004133435A (ja) * 2002-09-17 2004-04-30 Toray Ind Inc ネガ型感光性樹脂前駆体組成物およびそれを用いた電子部品ならびに表示装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1630605A4 *

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006146244A (ja) * 2004-11-23 2006-06-08 E I Du Pont De Nemours & Co 低温硬化型感光性組成物
KR100736295B1 (ko) 2005-02-09 2007-07-06 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 표시 패널용 감광성 수지 조성물, 및 그의 경화물 및 표시패널용 스페이서
EP1862855A4 (en) * 2005-03-15 2009-12-23 Toray Industries LIGHT-SENSITIVE RESIN COMPOSITION
WO2006098291A1 (ja) 2005-03-15 2006-09-21 Toray Industries, Inc. 感光性樹脂組成物
EP1862855A1 (en) * 2005-03-15 2007-12-05 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition
US7977400B2 (en) 2005-03-15 2011-07-12 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition
JP5092399B2 (ja) * 2005-03-15 2012-12-05 東レ株式会社 感光性樹脂組成物
JPWO2006098291A1 (ja) * 2005-03-15 2008-08-21 東レ株式会社 感光性樹脂組成物
JP2006308765A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
US8653202B2 (en) * 2005-06-06 2014-02-18 Toray Industries, Inc. Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device making use of the same and process for producing semiconductor device
JP2007133377A (ja) * 2005-10-12 2007-05-31 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物
JP2008038141A (ja) * 2006-07-12 2008-02-21 Toray Ind Inc 耐熱性樹脂組成物およびそれを用いた金属樹脂複合体
JP2008133423A (ja) * 2006-10-24 2008-06-12 Toray Ind Inc 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2009217040A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Fujifilm Corp 感光性組成物、感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板
WO2009125845A1 (ja) * 2008-04-10 2009-10-15 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 フレキシブル配線板の製造方法
JPWO2009125845A1 (ja) * 2008-04-10 2011-08-04 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 フレキシブル配線板の製造方法
JP2010266814A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、リブパターンの形成方法及び電子部品
JP2011017897A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物、感光性樹脂組成物フィルムおよびそれを用いた多層配線基板
WO2012005079A1 (ja) 2010-07-09 2012-01-12 東レ株式会社 感光性接着剤組成物、感光性接着剤フィルムおよびこれらを用いた半導体装置
US8759989B2 (en) 2010-07-09 2014-06-24 Toray Industries, Inc. Photosensitive adhesive composition, photosensitive adhesive film, and semiconductor device using each
JP2015087547A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 太陽インキ製造株式会社 感光性熱硬化性樹脂組成物およびフレキシブルプリント配線板
WO2015064163A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 太陽インキ製造株式会社 感光性熱硬化性樹脂組成物およびフレキシブルプリント配線板
KR20170108949A (ko) 2015-01-27 2017-09-27 도레이 카부시키가이샤 수지, 감광성 수지 조성물 및 그들을 사용한 전자 부품, 표시 장치
JP2019023728A (ja) * 2015-09-30 2019-02-14 東レ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜を具備する素子及び表示装置、並びにその製造方法
WO2017057143A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 東レ株式会社 ネガ型着色感光性樹脂組成物、硬化膜、素子および表示装置
JPWO2017057281A1 (ja) * 2015-09-30 2018-05-10 東レ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜を具備する素子及び表示装置、並びにその製造方法
JPWO2017057143A1 (ja) * 2015-09-30 2018-05-31 東レ株式会社 ネガ型着色感光性樹脂組成物、硬化膜、素子および表示装置
US10802401B2 (en) 2015-09-30 2020-10-13 Toray Industries, Inc. Negative-type photosensitive resin composition, cured film, element and display apparatus that include cured film, production method for the same
US10324376B2 (en) 2015-09-30 2019-06-18 Toray Industries, Inc. Negative type colored photosensitive resin composition, cured film, element, and display device
KR20180121871A (ko) 2016-03-30 2018-11-09 도레이 카부시키가이샤 네가티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막을 구비하는 표시 장치, 및 그의 제조 방법
WO2017169574A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 東レ株式会社 感光性接着剤組成物、硬化物、感光性接着剤シート、積層基板および接着剤パターン付積層基板の製造方法
WO2018147316A1 (ja) * 2017-02-08 2018-08-16 東洋インキScホールディングス株式会社 光硬化性組成物およびディスプレイ
JPWO2018173500A1 (ja) * 2017-03-24 2020-01-23 Dic株式会社 活性エステル組成物
JP7137152B2 (ja) 2017-03-24 2022-09-14 Dic株式会社 活性エステル組成物
KR20210040936A (ko) 2018-08-09 2021-04-14 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 시트, 그리고 그들의 경화막 및 그의 제조 방법, 전자 부품
WO2021020360A1 (ja) * 2019-07-30 2021-02-04 富士フイルム株式会社 着色樹脂組成物、膜、カラーフィルタ、固体撮像素子、及び、画像表示装置
JPWO2021020360A1 (ja) * 2019-07-30 2021-02-04
JP2021107535A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 キヤノン株式会社 光硬化性組成物
JP7237915B2 (ja) 2019-12-27 2023-03-13 キヤノン株式会社 光硬化性組成物
WO2021227020A1 (zh) * 2020-05-15 2021-11-18 律胜科技股份有限公司 感光性聚酰亚胺树脂组合物及应用其的保护膜

Also Published As

Publication number Publication date
TW200502320A (en) 2005-01-16
CN1833204A (zh) 2006-09-13
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