JP2002328472A - ポジ型感光性樹脂前駆体組成物及びそれを用いた電子部品ならびに表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】アルカリ現像可能なポジ型の感光性樹脂前駆体
組成物を提供する。 【解決手段】（ａ）と、（ｂ１）または（ｂ２）と、
（ｃ）を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂前
駆体組成物。 （ａ）アルカリ水溶液に可溶性のポリアミド酸エステル
および／またはポリアミド酸ポリマー。 （ｂ１）フェノール性水酸基含有熱架橋性化合物であっ
て、一般式（１）で表される有機基Ｒ¹で置換されたメ
チロール基を含有する化合物（但し、Ｒ¹が水素原子の
場合を除く）。 【化１】 （ｂ２）熱架橋性化合物であって、一般式（２）で表さ
れる有機基Ｒ¹で置換された尿素系有機基を含有する化
合物。 【化２】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の表面
保護膜、層間絶縁膜、有機電界発光素子の絶縁層などに
適した、紫外線で露光した部分がアルカリ水溶液に溶解
するポジ型の感光性ポリイミド前駆体組成物及びそれを
用いた電子部品、表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】露光した部分がアルカリ現像により溶解
するポジ型の耐熱性樹脂前駆体組成物としては、ポリア
ミド酸にナフトキノンジアジドを添加したもの（特開昭
５２−１３３１５号公報）、水酸基を有した可溶性ポリ
イミドにナフトキノンジアジドを添加したもの（特開昭
６４−６０６３０号公報）、水酸基を有したポリアミド
にナフトキノンジアジドを添加したもの（特開昭５６−
２７１４０号公報）などが知られていた。

【０００３】通常のポリアミド酸にナフトキノンジアジ
ドを添加したものではナフトキノンジアジドのアルカリ
に対する溶解阻害効果よりポリアミド酸のカルボキシル
基の溶解性が高いために、ほとんどの場合希望するパタ
ーンを得ることが出来ないという問題点があった。そこ
で、ポリアミド酸のアルカリ溶解性のコントロールにす
るために、ポリアミド酸のカルボキシル基を、エステル
基で保護したポリアミド酸誘導体が開発された。しかし
ながら、このポリアミド酸誘導体にナフトキノンジアジ
ドを添加したものでは、ナフトキノンジアジドのアルカ
リに対する溶解阻害効果が非常に大きくなり、ほとんど
の場合、希望するパターンを得ることはできるが、非常
に大きな感度低下を招くという問題点があった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】これに対して、このポ
リアミド酸誘導体にナフトキノンジアジドを添加したも
のに、種々のフェノール性水酸基を有する化合物を添加
することが検討されたが、この場合感度上昇は容易に達
成されるが、ポリイミド膜を形成するキュアの過程にお
いて、該化合物が飛散してしまい、キュア後の収縮率を
大きくするなどの弊害があり、この両特性を両立するに
は問題があった。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、
（ａ）と、（ｂ１）または（ｂ２）と、（ｃ）を含有す
ることを特徴とするポジ型感光性樹脂前駆体組成物。 （ａ）アルカリ水溶液に可溶性のポリアミド酸エステル
および／またはポリアミド酸ポリマー。 （ｂ１）フェノール性水酸基含有熱架橋性化合物であっ
て、一般式（１）で表される有機基Ｒ¹で置換されたメ
チロール基を含有する化合物（但し、Ｒ¹が水素原子の
場合を除く）。

【０００６】

【化８】

【０００７】（ｂ２）熱架橋性化合物であって、一般式
（２）で表される有機基Ｒ¹で置換された尿素系有機基
を含有する化合物。

【０００８】

【化９】

【０００９】（ｃ）エステル化したキノンジアジド化合
物。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明は感度向上とキュア後の熱
収縮を抑えるという両方の特性を両立するために、ポリ
イミド前駆体及びナフトキノンジアジド化合物に、特定
の有機基を含有する熱架橋性化合物を添加することに特
徴を有し、本発明によって得られた樹脂組成物が、露光
前はアルカリ現像液にほとんど溶解せず、露光すると容
易にアルカリ現像液に溶解するために、現像による膜減
りが少なく、かつ短時間に現像できること、さらに本発
明で用いた熱架橋性化合物で架橋したことによってキュ
ア後の収縮率を少なく押さえることができるものであ
る。

【００１１】本発明におけるアルカリ水溶液に可溶性の
ポリアミド酸エステルおよび／またはポリアミド酸ポリ
マー（ａ）とは、加熱あるいは適当な触媒により、イミ
ド環、オキサゾール環、その他の環状構造を有するポリ
マーとなり得るものである。環構造となることで、耐熱
性、耐溶剤性が飛躍的に向上する。

【００１２】本発明で使用されるポリマー（ａ）として
は、一般式（３）および／または下記一般式（８）〜
（１１）で表される構造単位を主成分とするポリマーで
ある。

【００１３】

【化１０】

【００１４】（式中、Ｒ³は、少なくとも２個以上の炭
素原子を有する２価から８価の有機基、Ｒ⁴は、少なく
とも２個以上の炭素原子を有する２価から６価の有機
基、Ｒ⁵は水素、または炭素数１から２０までの有機基
を示す。ｎは１０から１０００００までの整数、ｍは０
から２までの整数、ｐ、ｑは０から４までの整数を示
す。ただしｐ+ｑ＞０である。）

【００１５】

【化１１】

【００１６】式中Ｒ¹⁹は４価の有機基、Ｒ²⁰は２から４
価の有機基、Ｒ²¹は水素、または炭素数１から２０まで
の有機基、Ｒ²²は２価の有機基、Ｘ，Ｙは、カルボキシ
ル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基
より選ばれる基を少なくとも一つ有する２から８価の有
機基を示す。ｎ１は１０から１０００００までの整数、
ｍ１は０から１０までの整数を示す。

【００１７】これらは、ポリマー主鎖内部またはポリマ
ー主鎖末端に、ポリアミド酸由来のカルボキシル基以外
のアルカリ可溶性基を有しており、このアルカリ可溶性
基の存在のために、アルカリ水溶液に対する溶解性がア
ルカリ可溶性基を有さないポリアミド酸よりも良好にな
る。

【００１８】本発明における上記一般式（３）は、ポリ
マー主鎖内部にポリアミド酸由来のカルボキシル基以外
のアルカリ可溶性基を有するものに属する。

【００１９】アルカリ可溶性基の中でも、特に、フェノ
ール性の水酸基がアルカリ水溶液に対する溶解性がより
好ましい。また、一般式（３）は、フッ素原子を、式中
に１０重量％以上有することで、アルカリ水溶液で現像
する際に、膜の界面に撥水性が適度に出るために、界面
のしみこみなどが抑えられる。しかしながら、フッ素原
子含有量が２０重量％を越えると、アルカリ水溶液に対
する溶解性が低下すること、熱処理により環状構造にし
たポリマーの耐有機溶媒性が低下すること、発煙硝酸に
対する溶解性が低下するために好ましくない。このよう
に、フッ素原子は１０重量％以上２０重量％以下含まれ
ることが好ましい。

【００２０】上記一般式（３）中、Ｒ³は酸二無水物の
構造成分を表しており、この酸二無水物は芳香族環を含
有し、かつ、水酸基を１個〜４個有した、少なくとも２
個以上の炭素原子を有する２価〜８価の有機基であるこ
とが好ましく、炭素数６〜３０の３価または４価の有機
基がさらに好ましい。

【００２１】具体的には、一般式（４）に示されるよう
な構造のものが好ましく、この場合、Ｒ⁶、Ｒ⁸は得られ
るポリマーの耐熱性のため芳香族環を含んだものが好ま
しく、その中でも特に好ましい構造としてトリメリット
酸、トリメシン酸、ナフタレントリカルボン酸残基のよ
うなものを挙げることができる。またＲ⁷は炭素数３〜
２０より選ばれる水酸基を有した３価〜６価の有機基が
好ましい。

【００２２】

【化１２】

【００２３】さらに、水酸基はアミド結合と隣り合った
位置にあることが好ましい。このような例として、フッ
素原子を含んだ、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３−ヒドロキ
シ−４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、フ
ッ素原子を含まない、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、ビス（３−ヒドロキシ−４−ア
ミノフェニル）プロパン、３，３’−ジアミノ−４，
４’−ジヒドロキシビフェニル、３，３’−ジアミノ−
４，４’−ジヒドロキシビフェニル、２，４−ジアミノ
−フェノール、２，５−ジアミノフェノール、１，４−
ジアミノ−２，５−ジヒドロキシベンゼンのアミノ基が
結合したものなどを挙げることができる。

【００２４】また、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は同じでも異なっていて
もよく、水素、あるいは炭素数１〜２０までの有機基が
良い。炭素数が２０より大きくなるとアルカリ現像液に
対する溶解性が低下する。ｏ、ｓは１または２をあらわ
しており、ｒは１〜４までの整数を表している。ｒが５
以上になると、得られる耐熱性樹脂膜の特性が低下す
る。

【００２５】一般式（３）のＲ³（ＣＯＯＲ⁵）ｍ（Ｏ
Ｈ）ｐが一般式（４）で表される化合物の中で、好まし
い化合物を例示すると、特にこれらに限定されないが、
下記に示したような構造のものが挙げられる。

【００２６】

【化１３】

【００２７】また、アルカリに対する溶解性、感光性
能、耐熱性を損なわない範囲で、水酸基を有していない
テトラカルボン酸、ジカルボン酸で変性することもでき
る。この例としては、ピロメリット酸、ベンゾフェノン
テトラカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ジフ
ェニルエーテルテトラカルボン酸、ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸などの芳香族テトラカルボン酸やその
カルボキシル基２個をメチル基やエチル基にしたジエス
テル化合物、ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタン
テトラカルボン酸などの脂肪族のテトラカルボン酸やそ
のカルボキシル基２個をメチル基やエチル基にしたジエ
ステル化合物、テレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニ
ルエーテルジカルボン酸、ナフタレンジカルボン酸など
の芳香族ジカルボン酸、アジピン酸などの脂肪族ジカル
ボン酸などを挙げることができる。これらは、酸成分の
５０モル％以下の変性が好ましいが、さらに好ましくは
３０モル％以下である。５０モル％以上の変性を行う
と、アルカリに対する溶解性、感光性が損なわれる恐れ
がある。

【００２８】上記一般式（３）中、Ｒ⁴はジアミンの構
造成分を表している。この中で、Ｒ⁴の好ましい例とし
ては、得られるポリマーの耐熱性のため芳香族を有し、
かつ水酸基を有するものが好ましく、具体的な例として
はフッ素原子を有した、ビス（アミノ−ヒドロキシ−フ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン、フッ素原子を有さな
い、ジアミノジヒドロキシピリミジン、ジアミノジヒド
ロキシピリジン、ヒドロキシ−ジアミノ−ピリミジン、
ジアミノフェノール、ジヒドロキシベンチジンなどの化
合物や一般式（５）、（６）、（７）に示す構造のもの
をあげることができる。

【００２９】

【化１４】

【００３０】Ｒ¹¹、Ｒ¹³は炭素数２〜２０より選ばれる
水酸基を有した３価〜４価の有機基を示し、Ｒ¹²は炭素
数２〜３０より選ばれる２価の有機基を示す。ｔ、ｕは
１あるいは２の整数を示す。

【００３１】

【化１５】

【００３２】Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁶は炭素数２〜２０までの２価の
有機基を示し、Ｒ¹⁵は、炭素数３〜２０より選ばれる水
酸基を有した３価〜６価の有機基を示す。ｖは１〜４ま
での整数を示す。

【００３３】

【化１６】

【００３４】Ｒ¹⁷は炭素数２〜２０より選ばれる２価の
有機基を示し、Ｒ¹⁸は、炭素数３〜２０より選ばれる水
酸基を有した３価〜６価の有機基を示す。ｗは１〜４ま
での整数を示す。

【００３５】この中で、一般式（５）のＲ¹¹、Ｒ¹³、一
般式（６）のＲ¹⁵、一般式（７）のＲ¹⁸は、得られるポ
リマーの耐熱性のため芳香族環、および水酸基を有した
有機基が好ましい。一般式（５）のＲ¹²、一般式（６）
のＲ¹⁴、Ｒ¹⁶、一般式（７）のＲ¹⁷は、得られるポリマ
ーの耐熱性のため芳香族環を有した有機基が好ましい。
また一般式（５）のｔ、ｕは１あるいは２の整数を示
し、一般式（６）のｖ、一般式（７）のｗは１〜４まで
の整数を示す。

【００３６】一般式（３）のＲ⁴（ＯＨ）ｑが一般式
（５）で表される具体例を下記に示す。

【００３７】

【化１７】

【００３８】また、一般式（３）のＲ⁴（ＯＨ）ｑが一
般式（６）で表される具体例を下記に示す。

【００３９】

【化１８】

【００４０】一般式 （３）のＲ⁴（ＯＨ）ｑが一般式
（７）で表される具体例を下記に示す。

【００４１】

【化１９】

【００４２】一般式（５）において、Ｒ¹¹、Ｒ¹³は炭素
数２〜２０より選ばれる水酸基を有した３価〜４価の有
機基を示しており、得られるポリマーの耐熱性のために
芳香族環を有したものが好ましい。具体的にはヒドロキ
シフェニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナ
フチル基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロキシビフェ
ニル基、ジヒドロキシビフェニル基、ビス（ヒドロキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン基、ビス（ヒドロキ
シフェニル）プロパン基、ビス（ヒドロキシフェニル）
スルホン基、ヒドロキシジフェニルエーテル基、ジヒド
ロキシジフェニルエーテル基などを表す。また、ヒドロ
キシシクロヘキシル基、ジヒドロキシシクロヘキシル基
などの脂肪族の基も使用することができる。Ｒ¹²は炭素
数２〜３０までの２価の有機基を表している。得られる
ポリマーの耐熱性のためには芳香族を有した２価の基が
よく、このような例としてはフェニル基、ビフェニル
基、ジフェニルエーテル基、ジフェニルヘキサフルオロ
プロパン基、ジフェニルプロパン基、ジフェニルスルホ
ン基などをあげることができるが、これ以外にも脂肪族
のシクロヘキシル基なども使用することができる。

【００４３】一般式（６）において、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁶は炭素
数２〜２０までの２価の有機基を表している。得られる
ポリマーの耐熱性のために芳香族を有した２価の基がよ
く、このような例としてはフェニル基、ビフェニル基、
ジフェニルエーテル基、ジフェニルヘキサフルオロプロ
パン基、ジフェニルプロパン基、ジフェニルスルホン基
などをあげることができるが、これ以外にも脂肪族のシ
クロヘキシル基なども使用することができる。Ｒ¹⁵は、
炭素数３〜２０より選ばれる水酸基を有した３価〜６価
の有機基を示しており、得られるポリマーの耐熱性のた
めに芳香族環を有したものが好ましい。具体的にはヒロ
ドキシフェニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒドロキ
シナフチル基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロキシビ
フェニル基、ジヒドロキシビフェニル基、ビス（ヒドロ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン基、ビス（ヒド
ロキシフェニル）プロパン基、ビス（ヒドロキシフェニ
ル）スルホン基、ヒドロキシジフェニルエーテル基、ジ
ヒドロキシジフェニルエーテル基などを表す。また、ヒ
ドロキシシクロヘキシル基、ジヒドロキシシクロヘキシ
ル基などの脂肪族の基も使用することができる。

【００４４】一般式（７）においてＲ¹⁷は炭素数２〜２
０より選ばれる２価の有機基を表している。得られるポ
リマーの耐熱性から芳香族を有した２価の基がよく、こ
のような例としてはフェニル基、ビフェニル基、ジフェ
ニルエーテル基、ジフェニルヘキサフルオロプロパン
基、ジフェニルプロパン基、ジフェニルスルホン基など
をあげることができるが、これ以外にも脂肪族のシクロ
ヘキシル基なども使用することができる。Ｒ¹⁸は炭素数
３〜２０より選ばれる水酸基を有した３価〜６価の有機
基を示しており、得られるポリマーの耐熱性のために芳
香族環を有したものが好ましい。具体的にはヒドロキシ
フェニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフ
チル基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロキシビフェニ
ル基、ジヒドロキシビフェニル基、ビス（ヒドロキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン基、ビス（ヒドロキシ
フェニル）プロパン基、ビス（ヒドロキシフェニル）ス
ルホン基、ヒドロキシジフェニルエーテル基、ジヒドロ
キシジフェニルエーテル基などを表す。また、ヒドロキ
シシクロヘキシル基、ジヒドロキシシクロヘキシル基な
どの脂肪族の基も使用することができる。

【００４５】また、１〜４０モル％の範囲の、他のジア
ミン成分を用いて変性することもできる。これらの例と
しては、フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエー
テル、アミノフェノキシベンゼン、ジアミノジフェニル
メタン、ジアミノジフェニルスルホン、ビス（トリフル
オロメチル）ベンチジン、ビス（アミノフェノキシフェ
ニル）プロパン、ビス（アミノフェノキシフェニル）ス
ルホンあるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲ
ン原子で置換した化合物などを挙げることができる。こ
のような例として、フェニレンジアミン、ジアミノジフ
ェニルエーテル、アミノフェノキシベンゼン、ジアミノ
ジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ビス
（トリフルオロメチル）ベンチジン、ビス（アミノフェ
ノキシフェニル）プロパン、ビス（アミノフェノキシフ
ェニル）スルホンあるいはこれらの芳香族環にアルキル
基やハロゲン原子で置換した化合物など、脂肪族のシク
ロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミ
ンなどが挙げられる。このようなジアミン成分を４０モ
ル％より多く共重合すると得られるポリマーの耐熱性が
低下する。

【００４６】一般式（３）のＲ⁵は水素、または炭素数
１〜２０の有機基を表している。得られるポジ型感光性
樹脂前駆体溶液の安定性からは、Ｒ⁵は有機基が好まし
いが、アルカリ水溶液の溶解性より見ると水素が好まし
い。本発明においては、水素原子とアルキル基を混在さ
せることができる。このＲ⁵の水素と有機基の量を制御
することで、アルカリ水溶液に対する溶解速度が変化す
るので、この調整により適度な溶解速度を有したポジ型
感光性樹脂前駆体組成物を得ることができる。好ましい
範囲は、Ｒ⁵の１０％〜９０％が水素原子であることで
ある。Ｒ⁵の炭素数が２０を越えるとアルカリ水溶液に
溶解しなくなる。以上よりＲ⁵は、好ましくは炭素数１
〜１６までの炭化水素基を少なくとも１つ以上含有し、
その他は水素原子であることがよい。

【００４７】また一般式（３）のｍはカルボキシル基の
数を示しており、０〜２までの整数を示している。一般
式（３）のｎは本発明のポリマーの構造単位の繰り返し
数を示しており、１０〜１０００００の範囲であること
が好ましい。

【００４８】ポリアミド酸と類似の耐熱性高分子前駆体
としてポリヒドロキシアミドをポリアミド酸の代わりに
使用することも出来る。このようなポリヒドロキシアミ
ドの製造方法としては、ビスアミノフェノール化合物と
ジカルボン酸を縮合反応させることで得ることが出来
る。具体的には、ジシクロヘキシルカルボジイミド（Ｄ
ＣＣ）のような脱水縮合剤と酸を反応させ、ここにビス
アミノフェノール化合物を加える方法やピリジンなどの
３級アミンを加えたビスアミノフェノール化合物の溶液
にジカルボン酸ジクロリドの溶液を滴下するなどがあ
る。

【００４９】ポリヒドロキシアミドを使用する場合、ポ
リヒドロキシアミドの溶液にナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステルのような感光剤を加えることで、紫外線
で露光した部分をアルカリ水溶液で除去できるポジ型の
感光性耐熱性樹脂前駆体組成物を得ることが出来る。

【００５０】さらに、基板との接着性を向上させるため
に、耐熱性を低下させない範囲で一般式（３）のＲ³、
Ｒ⁴にシロキサン構造を有する脂肪族の基を共重合して
もよい。具体的には、ジアミン成分として、ビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ
−アミノ−フェニル）オクタメチルペンタシロキサンな
どを１〜１０モル％共重合したものなどがあげられる本
発明の（ａ）成分のうち、ポリマー主鎖内部にアルカリ
可溶性基を有するものは、一般式（３）で表される構造
単位のみからなるものであっても良いし、他の構造単位
との共重合体あるいはブレンド体であっても良い。その
際、一般式（３）で表される構造単位を９０モル％以上
含有していることが好ましい。共重合あるいはブレンド
に用いられる構造単位の種類および量は最終加熱処理に
よって得られるポリイミド系ポリマの耐熱性を損なわな
い範囲で選択することが好ましい。

【００５１】本発明の上記一般式（３）で表されるポリ
マーは公知の方法により合成される。例えば、低温中で
テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を反応させ
る方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによ
りジエステルを得、その後アミンと縮合剤の存在下で反
応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコール
とによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸を
酸クロリド化し、アミンと反応させる方法などで合成す
ることができる。

【００５２】本発明における上記一般式（８）〜（１
１）は、ポリマー主鎖末端にポリアミド酸由来のカルボ
キシル基以外のアルカリ可溶性基を有するものに属す
る。

【００５３】上記一般式（８）〜（１１）中、Ｒ¹⁹は酸
二無水物の構造成分を表しており、この酸二無水物は芳
香族環又は脂肪族環を含有する４価の有機基であり、な
かでも炭素原子数５〜４０の有機基であることが好まし
い。

【００５４】酸二無水物としては具体的には、ピロメリ
ット酸二無水物、３，３’、４，４’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，
２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキ
シフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビ
ス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水
物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無
水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン
二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エー
テル二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカ
ルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物などの
芳香族テトラカルボン酸二無水物や、ブタンテトラカル
ボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテト
ラカルボン酸二無水物などの脂肪族のテトラカルボン酸
二無水物などを挙げることができる。これらのうち、
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、
２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパ
ン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エタン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカル
ボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジ
カルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、２，２
−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン二無水物が好ましい。これらは単独で又は２
種以上を組み合わせて使用される。

【００５５】上記一般式（８）〜（１１）のＲ²⁰は、ジ
アミンの構造成分を表しており、このジアミンとして
は、芳香族環又は脂肪族環を含有する２〜４価の有機基
を表し、中でも炭素原子数５〜４０の有機基が好まし
い。

【００５６】ジアミンの具体的な例としては、３，４’
−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−
ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフ
ェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルヒ
ド、４，４’−ジアミノジフェニルスルヒド、１，４−
ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、ベンジン、ｍ
−フェニレンジアミン、Ｐ−フェニレンジアミン、１，
５−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレンジアミ
ン、ビス（４−アミノフェノキシフェニル）スルホン、
ビス（３−アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス
（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス｛４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル｝エーテル、１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２’−ジメ
チル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジエ
チル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメ
チル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジエ
チル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’，３，
３’−テトラメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、
３，３’，４，４’−テトラメチル−４，４’−ジアミ
ノビフェニル、２，２’−ジ（トリフルオロメチル）−
４，４’−ジアミノビフェニル、あるいはこれらの芳香
族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物や、
脂肪族のシクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロ
ヘキシルアミンなどが挙げられる。

【００５７】これらのうち、３，４’−ジアミノジフェ
ニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−
ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェ
ニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホ
ン、３，４’−ジアミノジフェニルスルヒド、４，４’
−ジアミノジフェニルスルヒド、ｍ−フェニレンジアミ
ン、Ｐ−フェニレンジアミン、１，４−ビス（４−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン等が好ましい。特に好ましくは
３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェ
ニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジ
アミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノ
フェノキシ）ベンゼンである。これらは単独で又は２種
以上を組み合わせて使用される。

【００５８】一般式（８）〜（１１）のＲ²¹は水素、ま
たは炭素数１〜２０の有機基を表している。得られるポ
ジ型感光性樹脂前駆体溶液の安定性からは、Ｒ²¹は有機
基が好ましいが、アルカリ水溶液の溶解性より見ると水
素が好ましい。本発明においては、水素原子とアルキル
基を混在させることができる。このＲ²¹の水素と有機基
の量を制御することで、アルカリ水溶液に対する溶解速
度が変化するので、この調整により適度な溶解速度を有
したポジ型感光性樹脂前駆体組成物を得ることができ
る。好ましい範囲は、Ｒ²¹の１０％〜９０％が水素原子
であることである。またＲ²¹の炭素数が２０を越えると
アルカリ水溶液に溶解しなくなる。以上よりＲ²¹は、炭
素数１〜１６までの炭化水素基を少なくとも１つ以上含
有し、その他は水素原子であることがより好ましい。

【００５９】一般式（８）、一般式（９）の構造成分で
ある−ＮＨ−（Ｒ²²）_m1−Ｘは、下記一般式（１２）で
示されることが好ましく、これらは、末端封止剤である
１級モノアミンに由来する成分である。Ｘは、フェノー
ル性水酸基、スルホン酸基、チオール基より選ばれる基
を少なくとも一つ有する２から８価の有機基が好まし
く、さらに好ましくは、フェノール性水酸基、チオール
基より選ばれる基を少なくとも一つ有する２から８価の
有機基が好ましい。

【００６０】

【化２０】

【００６１】また、一般式（１０）、一般式（１１）の
構造成分である−ＣＯ−（Ｒ²²）_m1−Ｙは、一般式（１
２）、一般式（１３）で示されることが好ましく、これ
らは、末端封止剤である酸無水物、モノカルボン酸、モ
ノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物から選ば
れるものに由来する成分である。Ｙはカルボキシル基、
フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基より選
ばれる基を少なくとも一つ有する２から８価の有機基が
好ましく、さらに好ましくはフェノール性水酸基、チオ
ール基より選ばれる基を少なくとも一つ有する２から８
価の有機基が好ましい。また一般式（１０）、一般式
（１１）を構成するＹは一般式（１３）で表される末端
封止基のみ、一般式（１４）で表される末端封止基の
み、一般式（１３）、一般式（１４）の両方を含むもの
のいずれであってもよい。

【００６２】

【化２１】

【００６３】一般式（１２）、一般式（１３）、一般式
（１４）中、Ｒ²²は−ＣＲ²⁸Ｒ²⁹−、−ＣＨ₂Ｏ−、−
ＣＨ₂ＳＯ₂−より選ばれる２価の基を示し、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹
は水素原子、水酸基、炭素数１から１０までの炭化水素
基より選ばれる１価の基を示す。Ｒ⁷は水素原子、炭素
数１から１０までの炭化水素基より選ばれる１価の基を
示す。なかでも水素原子、炭素数１から４の炭化水素基
が好ましく、特に好ましくは水素原子、メチル基、ｔ−
ブチル基である。Ｒ²⁶、Ｒ²⁷は、水素原子、炭素数１か
ら４までの炭化水素基より選ばれる１価の基、あるい
は、Ｒ²⁶とＲ²⁷が直接結合した環構造を示す（例えばナ
ジイミド環等）。また、Ｒ²³、Ｒ²⁴は水素原子、水酸
基、カルボキシル基、スルホン酸基、チオール基、炭素
数１から１０までの炭化水素基より選ばれ、少なくとも
一つは水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、チオー
ル基を示す。Ａ１、Ｂ１、Ｃ１は炭素原子、または窒素
原子であり、各々同じでも異なっていてもよい。ｍ１は
０から１０まで整数であり、好ましくは０から４の整数
である。ｌ１は０または１であり、好ましくは０であ
る。ｐ１は０または１であり、好ましくは０である。ｑ
１は１〜３までの整数であり、好ましくは１及び２であ
る。ｒ１、ｓ１、ｔ１は０または１である。

【００６４】一般式（１２）に関する１級モノアミンと
は、具体的には、５−アミノ−８−ヒドロキシキノリ
ン、４−アミノ−８−ヒドロキシキノリン、１−ヒドロ
キシ−８−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−７−ア
ミノナフタレン、１−ヒドロキシ−６−アミノナフタレ
ン、１−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、１−ヒド
ロキシ−４−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−３−
アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−２−アミノナフタ
レン、１−アミノ−７−ヒドロキシナフタレン、２−ヒ
ドロキシ−７−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−６
−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−５−アミノナフ
タレン、２−ヒドロキシ−４−アミノナフタレン、２−
ヒドロキシ−３−アミノナフタレン、１−アミノ−２−
ヒドロキシナフタレン、１−カルボキシ−８−アミノナ
フタレン、１−カルボキシ−７−アミノナフタレン、１
−カルボキシ−６−アミノナフタレン、１−カルボキシ
−５−アミノナフタレン、１−カルボキシ−４−アミノ
ナフタレン、１−カルボキシ−３−アミノナフタレン、
１−カルボキシ−２−アミノナフタレン、１−アミノ−
７−カルボキシナフタレン、２−カルボキシ−７−アミ
ノナフタレン、２−カルボキシ−６−アミノナフタレ
ン、２−カルボキシ−５−アミノナフタレン、２−カル
ボキシ−４−アミノナフタレン、２−カルボキシ−３−
アミノナフタレン、１−アミノ−２−カルボキシナフタ
レン、２−アミノニコチン酸、４−アミノニコチン酸、
５−アミノニコチン酸、６−アミノニコチン酸、４−ア
ミノサリチル酸、５−アミノサリチル酸、６−アミノサ
リチル酸、３−アミノ−ｏ−トルイック酸、アメライ
ド、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−ア
ミノ安息香酸、２−アミノベンゼンスルホン酸、３−ア
ミノベンゼンスルホン酸、４−アミノベンゼンスルホン
酸、３−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、２
−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミ
ノフェノール、５−アミノ−８−メルカプトキノリン、
４−アミノ−８−メルカプトキノリン、１−メルカプト
−８−アミノナフタレン、１−メルカプト−７−アミノ
ナフタレン、１−メルカプト−６−アミノナフタレン、
１−メルカプト−５−アミノナフタレン、１−メルカプ
ト−４−アミノナフタレン、１−メルカプト−３−アミ
ノナフタレン、１−メルカプト−２−アミノナフタレ
ン、１−アミノ−７−メルカプトナフタレン、２−メル
カプト−７−アミノナフタレン、２−メルカプト−６−
アミノナフタレン、２−メルカプト−５−アミノナフタ
レン、２−メルカプト−４−アミノナフタレン、２−メ
ルカプト−３−アミノナフタレン、１−アミノ−２−メ
ルカプトナフタレン、３−アミノ−４，６−ジメルカプ
トピリミジン、２−アミノチオフェノール、３−アミノ
チオフェノール、４−アミノチオフェノール等が挙げら
れる。

【００６５】これらのうち、５−アミノ−８−ヒドロキ
シキノリン、１−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、
１−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、１−ヒドロキ
シ−５−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−４−アミ
ノナフタレン、２−ヒドロキシ−７−アミノナフタレ
ン、２−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、２−ヒド
ロキシ−５−アミノナフタレン、１−カルボキシ−７−
アミノナフタレン、１−カルボキシ−６−アミノナフタ
レン、１−カルボキシ−５−アミノナフタレン、２−カ
ルボキシ−７−アミノナフタレン、２−カルボキシ−６
−アミノナフタレン、２−カルボキシ−５−アミノナフ
タレン、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４
−アミノ安息香酸、４−アミノサリチル酸、５−アミノ
サリチル酸、６−アミノサリチル酸、２−アミノベンゼ
ンスルホン酸、３−アミノベンゼンスルホン酸、４−ア
ミノベンゼンスルホン酸、３−アミノ−４，６−ジヒド
ロキシピリミジン、２−アミノフェノール、３−アミノ
フェノール、４−アミノフェノール、２−アミノチオフ
ェノール、３−アミノチオフェノール、４−アミノチオ
フェノール等が好ましい。これらは単独で又は２種以上
を組み合わせて使用される。

【００６６】一般式（１３）及び一般式（１４）に関す
る酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、
モノ活性エステル化合物の具体例は、無水フタル酸、無
水マレイン酸、ナジック酸、シクロヘキサンジカルボン
酸無水物、３−ヒドロキシフタル酸無水物等の酸無水
物、２−カルボキシフェノール、３−カルボキシフェノ
ール、４−カルボキシフェノール、２−カルボキシチオ
フェノール、３−カルボキシチオフェノール、４−カル
ボキシチオフェノール、１−ヒドロキシ−８−カルボキ
シナフタレン、１−ヒドロキシ−７−カルボキシナフタ
レン、１−ヒドロキシ−６−カルボキシナフタレン、１
−ヒドロキシ−５−カルボキシナフタレン、１−ヒドロ
キシ−４−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−３
−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−２−カルボ
キシナフタレン、１−メルカプト−８−カルボキシナフ
タレン、１−メルカプト−７−カルボキシナフタレン、
１−メルカプト−６−カルボキシナフタレン、１−メル
カプト−５−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−
４−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−３−カル
ボキシナフタレン、１−メルカプト−２−カルボキシナ
フタレン、２−カルボキシベンゼンスルホン酸、３−カ
ルボキシベンゼンスルホン酸、４−カルボキシベンゼン
スルホン酸等のモノカルボン酸類及びこれらのカルボキ
シル基が酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物及び、
テレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、シクロヘキサン
ジカルボン酸、３−ヒドロキシフタル酸、５−ノルボル
ネン−２，３−ジカルボン酸、１，２−ジカルボキシナ
フタレン、１，３−ジカルボキシナフタレン、１，４−
ジカルボキシナフタレン、１，５−ジカルボキシナフタ
レン、１，６−ジカルボキシナフタレン、１，７−ジカ
ルボキシナフタレン、１，８−ジカルボキシナフタレ
ン、２，３−ジカルボキシナフタレン、２，６−ジカル
ボキシナフタレン、２，７−ジカルボキシナフタレン等
のジカルボン酸類のモノカルボキシル基だけが酸クロリ
ド化したモノ酸クロリド化合物、モノ酸クロリド化合物
とＮ−ヒドロキシベンゾトリアゾールやＮ−ヒドロキシ
−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドとの
反応により得られる活性エステル化合物、が挙げられ
る。

【００６７】これらのうち、無水フタル酸、無水マレイ
ン酸、ナジック酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水
物、３−ヒドロキシフタル酸無水物等の酸無水物、３−
カルボキシフェノール、４−カルボキシフェノール、３
−カルボキシチオフェノール、４−カルボキシチオフェ
ノール、１−ヒドロキシ−７−カルボキシナフタレン、
１−ヒドロキシ−６−カルボキシナフタレン、１−ヒド
ロキシ−５−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−
７−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−６−カル
ボキシナフタレン、１−メルカプト−５−カルボキシナ
フタレン、３−カルボキシベンゼンスルホン酸、４−カ
ルボキシベンゼンスルホン酸等のモノカルボン酸類及び
これらのカルボキシル基が酸クロリド化したモノ酸クロ
リド化合物及びテレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、
シクロヘキサンジカルボン酸、１，５−ジカルボキシナ
フタレン、１，６−ジカルボキシナフタレン、１，７−
ジカルボキシナフタレン、２，６−ジカルボキシナフタ
レン等のジカルボン酸類のモノカルボキシル基だけが酸
クロリド化したモノ酸クロリド化合物、モノ酸クロリド
化合物とＮ−ヒドロキシベンゾトリアゾールやＮ−ヒド
ロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミ
ドとの反応により得られる活性エステル化合物等が好ま
しい。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用
される。一般式（１２）で表される成分（一般式
（８）、（９）のＸ成分）の導入割合は、その元成分で
ある末端封止剤の１級モノアミン成分で換算すると、全
アミン成分に対して、０．１〜６０モル％の範囲が好ま
しく、特に好ましくは５〜５０モル％である。

【００６８】一般式（１３）や一般式（１４）で表され
る成分（一般式（１０）、（１１）のＹ成分）の導入割
合は、その元成分である末端封止剤の酸無水物、モノカ
ルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化
合物成分で換算すると、ジアミン成分に対して、０．１
〜６０モル％の範囲が好ましく、特に好ましくは５〜５
５モル％である。

【００６９】一般式（８）及び一般式（９）または一般
式（１０）及び一般式（１１）のｎｎは本発明のポリマ
ーの構造単位の繰り返し数を示しており、１０〜１００
０００の範囲であることが好ましい。

【００７０】さらに、基板との接着性を向上させるため
に、耐熱性を低下させない範囲でＲ¹⁹、Ｒ²⁰にシロキサ
ン構造を有する脂肪族の基を共重合してもよい。具体的
には、ジアミン成分として、ビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ−アミノ−フ
ェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどを１〜１０
モル％共重合したものなどがあげられる。

【００７１】本発明の（ａ）成分ポリマーのうち、ポリ
マー主鎖末端にアルカリ可溶性基を有するものは、一般
式（８）および／または一般式（９）、あるいは一般式
（１０）および／または一般式（１１）で表される構造
単位のみからなるものであっても良いし、他の構造単位
との共重合体あるいはブレンド体であっても良い。その
際、一般式（８）および／または一般式（９）、あるい
は一般式（１０）および／または一般式（１１）で表さ
れる構造単位を５０モル％以上含有していることが好ま
しい。共重合あるいはブレンドに用いられる構造単位の
種類および量は最終加熱処理によって得られるポリイミ
ド系ポリマーの耐熱性を損なわない範囲で選択すること
が好ましい。

【００７２】本発明の上記一般式（８）〜（１１）で表
される（ａ）成分ポリマーは、ジアミンの一部をモノア
ミンである末端封止剤に置き換えてまたは、酸二無水物
を、モノカルボン酸、酸無水物、モノ酸クロリド化合
物、モノ活性エステル化合物である末端封止剤に置き換
えて、公知の方法を利用して合成される。例えば、低温
中でテトラカルボン酸２無水物とジアミン化合物（一部
をモノアミンである末端封止剤に置換）を反応させる方
法、低温中でテトラカルボン酸二無水物（一部を酸無水
物またはモノ酸クロリド化合物あるいはモノ活性エステ
ル化合物である末端封止剤に置換）とジアミン化合物を
反応させる方法、テトラカルボン酸２無水物とアルコー
ルとによりジエステルを得、その後ジアミン（一部をモ
ノアミンである末端封止剤に置換）と縮合剤の存在下で
反応させる方法、テトラカルボン酸２無水物とアルコー
ルとによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸
を酸クロリド化し、ジアミン（一部をモノアミンである
末端封止剤に置換）と反応させる方法などの方法を利用
して合成することができる。

【００７３】また、ポリマー中に導入された、本発明に
使用の末端封止剤は、以下の方法で容易に検出できる。
例えば、末端封止剤が導入されたポリマーを、酸性溶液
に溶解し、ポリマーの構成単位であるアミン成分と酸無
水成分に分解、これをガスクロマトグラフィー（ＧＣ）
や、ＮＭＲ測定することにより、本発明に使用の末端封
止剤を容易に検出できる。これとは別に、末端封止剤が
導入されたポリマー成分を直接、熱分解ガスクロクロマ
トグラフ（ＰＧＣ）や赤外スペクトル及びＣ１３ＮＭＲ
スペクトル測定でも、容易に検出可能である。

【００７４】本発明の（ａ）成分のポリマーは、上記一
般式（３）、一般式（８）〜（１１）で表される構造単
位を主成分としており、これらのうち、好ましくは、上
記一般式（３）で表される構造単位を主成分としている
ものである。また、特に好ましくは、一般式（３）で表
される構造単位を含有しかつ、一般式（８）〜（１１）
で表される構造単位から選ばれる１種以上を含有する構
造単位を主成分とするものである。

【００７５】この場合、一般式（３）表される構造単位
と、一般式（８）〜（１１）で表される構造単位は共重
合体あるいはブレンド体であっても良い。その際、一般
式（３）で表される単位を１モル％以上含有しているこ
とが好ましく、特に好ましくは、５モル％以上である。

【００７６】本発明で使用される一般式（１）で表され
る基を含有する熱架橋性化合物（ｂ）としては、たとえ
ば、上記有機基を１つ有するものとしてＭＬ−２６Ｘ、
ＭＬ−２４Ｘ、ＭＬ−２３６ＴＭＰ、４−メチロール３
Ｍ６Ｃ、ＭＬ−ＭＣ、ＭＬ−ＴＢＣ（商品名、本州化学
工業（株）製）等、２つ有するものとしてＤＭ−ＢＩ２
５Ｘ−Ｆ、４６ＤＭＯＣ、４６ＤＭＯＩＰＰ、４６ＤＭ
ＯＥＰ（商品名、旭有機材工業（株）製）、ＤＭＬ−Ｍ
ＢＰＣ、ＤＭＬ−ＭＢＯＣ、ＤＭＬ−ＯＣＨＰ、ＤＭＬ
−ＰＣ、ＤＭＬ−ＰＣＨＰ、ＤＭＬ−ＰＴＢＰ、ＤＭＬ
−３４Ｘ、ＤＭＬ−ＥＰ、ＤＭＬ−ＰＯＰ、ＤＭＬ−Ｏ
Ｃ、ジメチロール−Ｂｉｓ−Ｃ、ジメチロール−Ｂｉｓ
ＯＣ−Ｐ、ＤＭＬ−ＢｉｓＯＣ−Ｚ、ＤＭＬ−ＢｉｓＯ
ＣＨＰ−Ｚ、ＤＭＬ−ＰＦＰ、ＤＭＬ−ＰＳＢＰ、ＤＭ
Ｌ−ＭＢ２５、ＤＭＬ−ＭＴｒｉｓＰＣ、ＤＭＬ−Ｂｉ
ｓ２５Ｘ−３４ＸＬ、ＤＭＬ−Ｂｉｓ２５Ｘ−ＰＣＨＰ
（商品名、本州化学工業（株）製）、”ニカラック”Ｍ
Ｘ−２９０（商品名、（株）三和ケミカル製）、２，６
−ジメトキシメチル−４−ｔ−ブチルフェノール、２，
６−ジメトキシメチル−ｐ−クレゾール、２，６−ジア
セトキシメチル−ｐ−クレゾール等、３つ有するものと
してＴｒｉＭＬ−Ｐ、ＴｒｉＭＬ−３５ＸＬ、ＴｒｉＭ
Ｌ−ＴｒｉｓＣＲ−ＨＡＰ（商品名、本州化学工業
（株）製）等、４つ有するものとしてＴＭ−ＢＩＰ−Ａ
（商品名、旭有機材工業（株）製）、ＴＭＬ−ＢＰ、Ｔ
ＭＬ−ＨＱ、ＴＭＬ−ｐｐ−ＢＰＦ、ＴＭＬ−ＢＰＡ、
ＴＭＯＭ−ＢＰ（商品名、本州化学工業（株）製）、”
ニカラック”ＭＸ−２８０、”ニカラック”ＭＸ−２７
０（商品名、（株）三和ケミカル製）等、６つ有するも
のとしてＨＭＬ−ＴＰＰＨＢＡ、ＨＭＬ−ＴＰＨＡＰ
（商品名、本州化学工業（株）製）が挙げられる。

【００７７】これらのうち、本発明では一般式（１）で
表される基を少なくとも２つ含有するものが好ましく、
特に好ましくは、２つ有するものとして４６ＤＭＯＣ、
４６ＤＭＯＥＰ（商品名、旭有機材工業（株）製）、Ｄ
ＭＬ−ＭＢＰＣ、ＤＭＬ−ＭＢＯＣ、ＤＭＬ−ＯＣＨ
Ｐ、ＤＭＬ−ＰＣ、ＤＭＬ−ＰＣＨＰ、ＤＭＬ−ＰＴＢ
Ｐ、ＤＭＬ−３４Ｘ、ＤＭＬ−ＥＰ、ＤＭＬ−ＰＯＰ、
ジメチロール−ＢｉｓＯＣ−Ｐ、ＤＭＬ−ＰＦＰ、ＤＭ
Ｌ−ＰＳＢＰ、ＤＭＬ−ＭＴｒｉｓＰＣ（商品名、本州
化学工業（株）製）、”ニカラック”ＭＸ−２９０（商
品名、（株）三和ケミカル製）、２，６−ジメトキシメ
チル−４−ｔ−ブチルフェノール、２，６−ジメトキシ
メチル−ｐ−クレゾール、２，６−ジアセトキシメチル
−ｐ−クレゾール等、３つ有するものとしてＴｒｉＭＬ
−Ｐ、ＴｒｉＭＬ−３５ＸＬ（商品名、本州化学工業
（株）製）等、４つ有するものとしてＴＭ−ＢＩＰ−Ａ
（商品名、旭有機材工業（株）製）、ＴＭＬ−ＢＰ、Ｔ
ＭＬ−ＨＱ、ＴＭＬ−ｐｐ−ＢＰＦ、ＴＭＬ−ＢＰＡ、
ＴＭＯＭ−ＢＰ（商品名、本州化学工業（株）製）、”
ニカラック”ＭＸ−２８０、”ニカラック”ＭＸ−２７
０（商品名、（株）三和ケミカル製）等、６つ有するも
のとしてＨＭＬ−ＴＰＰＨＢＡ、ＨＭＬ−ＴＰＨＡＰ
（商品名、本州化学工業（株）製）等が挙げられる。ま
た、さらに好ましくは上記一般式（２）で表される基を
有する化合物である”ニカラック”ＭＸ−２８０、”ニ
カラック”ＭＸ−２７０（商品名、（株）三和ケミカル
製）等が挙げられる。

【００７８】これらの熱架橋化合物を添加することで、
得られる樹脂組成物は、露光前はアルカリ現像液にほと
んど溶解せず、露光すると容易にアルカリ現像液に溶解
するために、現像による膜減りが少なく、かつ短時間で
現像ができ、加えて、キュア後の収縮率が少なくなる。

【００７９】特に熱架橋化合物が一般式（２）で表され
る基を含有する化合物の場合、芳香族の熱架橋化合物と
比較して、露光波長の光に対して吸収がきわめて小さ
く、それ故、露光すると感光剤の感光効率が上がり、容
易にアルカリ現像液に溶解するようになり、短時間で現
像ができる。また、脂肪族系に比較して脂環式系である
ために耐熱性に優れる。

【００８０】これら架橋性化合物は、以下のように、ベ
ンゼン環に直接付加する反応機構によって架橋する。

【００８１】

【化２２】

【００８２】下記に本発明で使用するのに特に好ましい
代表的な熱架橋性化合物の構造を示した。

【００８３】

【化２３】

【００８４】このような熱架橋性化合物の添加量として
は、ポリマー１００重量部に対して、好ましくは０．５
から５０重量部であり、さらに好ましくは３から４０重
量部の範囲である。

【００８５】本発明に添加される（ｃ）のエステル化し
たキノンジアジド化合物としては、フェノール性水酸基
を有する化合物にナフトキノンジアジドのスルホン酸が
エステルで結合した化合物が好ましい。ここで用いられ
るフェノール性水酸基を有する化合物としては、Ｂｉｓ
−Ｚ、ＢｉｓＰ−ＥＺ、ＴｅｋＰ−４ＨＢＰＡ、Ｔｒｉ
ｓＰ−ＨＡＰ、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ、ＢｉｓＯＣＨＰ−
Ｚ、ＢｉｓＰ−ＭＺ、ＢｉｓＰ−ＰＺ、ＢｉｓＰ−ＩＰ
Ｚ、ＢｉｓＯＣＰ−ＩＰＺ、ＢｉｓＰ−ＣＰ、ＢｉｓＲ
Ｓ−２Ｐ、ＢｉｓＲＳ−３Ｐ、ＢｉｓＰ−ＯＣＨＰ、メ
チレントリス−ＦＲ−ＣＲ、ＢｉｓＲＳ−２６Ｘ、ＤＭ
Ｌ−ＭＢＰＣ、ＤＭＬ−ＭＢＯＣ、ＤＭＬ−ＯＣＨＰ、
ＤＭＬ−ＰＣＨＰ、ＤＭＬ−ＰＣ、ＤＭＬ−ＰＴＢＰ、
ＤＭＬ−３４Ｘ、ＤＭＬ−ＥＰ，ＤＭＬ−ＰＯＰ、ジメ
チロール−ＢｉｓＯＣ−Ｐ、ＤＭＬ−ＰＦＰ、ＤＭＬ−
ＰＳＢＰ、ＤＭＬ−ＭＴｒｉｓＰＣ、ＴｒｉＭＬ−Ｐ、
ＴｒｉＭＬ−３５ＸＬ、ＴＭＬ−ＢＰ、ＴＭＬ−ＨＱ、
ＴＭＬ−ｐｐ−ＢＰＦ、ＴＭＬ−ＢＰＡ、ＴＭＯＭ−Ｂ
Ｐ、ＨＭＬ−ＴＰＰＨＢＡ、ＨＭＬ−ＴＰＨＡＰ（商品
名、本州化学工業（株）製）、ＢＩＲ−ＯＣ、ＢＩＰ−
ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＴＢＰ、ＢＩＲ−ＰＣ
ＨＰ、ＢＩＰ−ＢＩＯＣ−Ｆ、４ＰＣ、ＢＩＲ−ＢＩＰ
Ｃ−Ｆ、ＴＥＰ−ＢＩＰ−Ａ、４６ＤＭＯＣ、４６ＤＭ
ＯＥＰ、ＴＭ−ＢＩＰ−Ａ（商品名、旭有機材工業
（株）製）、２，６−ジメトキシメチル−４−ｔ−ブチ
ルフェノール、２，６−ジメトキシメチル−ｐ−クレゾ
ール、２，６−ジアセトキシメチル−ｐ−クレゾール、
ナフトール、テトラヒドロキシベンゾフェノン、没食子
酸メチルエステル、ビスフェノールＡ、メチレンビスフ
ェノール、ＢｉｓＰ−ＡＰ（商品名、本州化学工業
（株）製）などの化合物に４−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸あるいは５−ナフトキノンジアジドスルホン酸
をエステル結合で導入したものが好ましいものとして例
示することが出来るが、これ以外の化合物を使用するこ
ともできる。

【００８６】また、本発明で用いるナフトキノンジアジ
ド化合物の分子量が１０００より大きくなると、その後
の熱処理においてナフトキノンジアジド化合物が十分に
熱分解しないために、得られる膜の耐熱性が低下する、
機械特性が低下する、接着性が低下するなどの問題が生
じる可能性がある。このような観点より見ると、好まし
いナフトキノンジアジド化合物の分子量は１０００以下
であり、より好ましくは８００以下である。また同様に
して好ましい分子量の下限は３００以上、より好ましく
は３５０以上である。このようなナフトキノンジアジド
化合物の添加量としては、ポリマー１００重量部に対し
て、好ましくは１から５０重量部である。

【００８７】本発明においては、４−ナフトキノンジア
ジドスルホニルエステル化合物、５−ナフトキノンジア
ジドスルホニルエステル化合物のどちらも好ましく使用
することが出来るが、露光する波長によって４−ナフト
キノンジアジドスルホニル、エステル化合物、５−ナフ
トキノンジアジドスルホニルエステル化合物を選択する
ことが好ましい。また、同一分子中に４−ナフトキノン
ジアジドスルホニル基、５−ナフトキノンジアジドスル
ホニル基を併用した、ナフトキノンジアジドスルホニル
エステル化合物を得ることもできるし、４−ナフトキノ
ンジアジドスルホニルエステル化合物と５−ナフトキノ
ンジアジドスルホニルエステル化合物を混合して使用す
ることもできる。

【００８８】本発明のナフトキノンジアジド化合物は、
フェノール性水酸基を有する化合物と、キノンジアジド
スルホン酸化合物とのエステル化反応によって、合成す
ることが可能であって、公知の方法により合成すること
ができる。

【００８９】このようなナフトキノンジアジドを使用す
ることで解像度、感度、残膜率が向上する。

【００９０】また、必要に応じて上記、感光性耐熱性前
駆体組成物の感度を向上させる目的で、フェノール性水
酸基を有する化合物を添加することができる。

【００９１】このフェノール性水酸基を有する化合物と
しては、たとえば、Ｂｉｓ−Ｚ、ＢｉｓＯＣ−Ｚ、Ｂｉ
ｓＯＰＰ−Ｚ、ＢｉｓＰ−ＣＰ、Ｂｉｓ２６Ｘ−Ｚ、Ｂ
ｉｓＯＴＢＰ−Ｚ、ＢｉｓＯＣＨＰ−Ｚ、ＢｉｓＯＣＲ
−ＣＰ、ＢｉｓＰ−ＭＺ、ＢｉｓＰ−ＥＺ、Ｂｉｓ２６
Ｘ−ＣＰ、ＢｉｓＰ−ＰＺ、ＢｉｓＰ−ＩＰＺ、Ｂｉｓ
ＣＲ−ＩＰＺ、ＢｉｓＯＣＰ−ＩＰＺ、ＢｉｓＯＩＰＰ
−ＣＰ、Ｂｉｓ２６Ｘ−ＩＰＺ、ＢｉｓＯＴＢＰ−Ｃ
Ｐ、ＴｅｋＰ−４ＨＢＰＡ（テトラキスＰ−ＤＯ−ＢＰ
Ａ）、ＴｒｉｓＰ−ＨＡＰ、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ、Ｂｉｓ
ＯＦＰ−Ｚ、ＢｉｓＲＳ−２Ｐ、ＢｉｓＰＧ−２６Ｘ、
ＢｉｓＲＳ−３Ｐ、ＢｉｓＯＣ−ＯＣＨＰ、ＢｉｓＰＣ
−ＯＣＨＰ、Ｂｉｓ２５Ｘ−ＯＣＨＰ、Ｂｉｓ２６Ｘ−
ＯＣＨＰ、ＢｉｓＯＣＨＰ−ＯＣ、Ｂｉｓ２３６Ｔ−Ｏ
ＣＨＰ、メチレントリス−ＦＲ−ＣＲ、ＢｉｓＲＳ−２
６Ｘ、ＢｉｓＲＳ−ＯＣＨＰ（商品名、本州化学工業
（株）製）、ＢＩＲ−ＯＣ、ＢＩＰ−ＰＣ、ＢＩＲ−Ｐ
Ｃ、ＢＩＲ−ＰＴＢＰ、ＢＩＲ−ＰＣＨＰ、ＢＩＰ−Ｂ
ＩＯＣ−Ｆ、４ＰＣ、ＢＩＲ−ＢＩＰＣ−Ｆ、ＴＥＰ−
ＢＩＰ−Ａ（商品名、旭有機材工業（株）製）が挙げら
れる。

【００９２】これらのうち、本発明の好ましいフェノー
ル性水酸基を有する化合物としては、たとえば、Ｂｉｓ
−Ｚ、ＢｉｓＰ−ＥＺ、ＴｅｋＰ−４ＨＢＰＡ、Ｔｒｉ
ｓＰ−ＨＡＰ、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ、ＢｉｓＯＣＨＰ−
Ｚ、ＢｉｓＰ−ＭＺ、ＢｉｓＰ−ＰＺ、ＢｉｓＰ−ＩＰ
Ｚ、ＢｉｓＯＣＰ−ＩＰＺ、ＢｉｓＰ−ＣＰ、ＢｉｓＲ
Ｓ−２Ｐ、ＢｉｓＲＳ−３Ｐ、ＢｉｓＰ−ＯＣＨＰ、メ
チレントリス−ＦＲ−ＣＲ、ＢｉｓＲＳ−２６Ｘ、ＢＩ
Ｐ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＴＢＰ、ＢＩＲ−
ＢＩＰＣ−Ｆ等が挙げられる。これらのうち、特に好ま
しいフェノール性水酸基を有する化合物としては、たと
えば、Ｂｉｓ−Ｚ、ＴｅｋＰ−４ＨＢＰＡ、ＴｒｉｓＰ
−ＨＡＰ、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ、ＢｉｓＲＳ−２Ｐ、Ｂｉ
ｓＲＳ−３Ｐ、ＢＩＲ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＴＢＰ、ＢＩ
Ｒ−ＢＩＰＣ−Ｆである。このフェノール性水酸基を有
する化合物を添加することで、得られる樹脂組成物は、
露光前はアルカリ現像液にほとんど溶解せず、露光する
と容易にアルカリ現像液に溶解するために、現像による
膜減りが少なく、かつ短時間で現像が容易になる。

【００９３】このようなフェノール性水酸基を有する化
合物の添加量としては、ポリマー１００重量部に対し
て、好ましくは１から５０重量部であり、さらに好まし
くは３から４０重量部の範囲である。さらに、必要に応
じて上記、感光性耐熱性前駆体組成物と基板との塗れ性
を向上させる目的で界面活性剤、乳酸エチルやプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエス
テル類、エタノールなどのアルコール類、シクロヘキサ
ノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンなどのエ−テル類を混合して
も良い。また、２酸化ケイ素、２酸化チタンなどの無機
粒子、あるいはポリイミドの粉末などを添加することも
できる。

【００９４】また、シリコンウエハーなどの下地基板と
の接着性を高めるために、シランカップリング剤、チタ
ンキレート剤などを感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワ
ニスに０．５から１０重量％添加したり、下地基板をこ
のような薬液で前処理したりすることもできる。

【００９５】ワニスに添加する場合、メチルメタクリロ
キシジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、などのシランカップリング剤、チタンキレー
ト剤、アルミキレート剤をワニス中のポリマーに対して
０．５から１０重量％添加する。

【００９６】基板を処理する場合、上記で述べたカップ
リング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノー
ル、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルな
どの溶媒に０．５から２０重量％溶解させた溶液をスピ
ンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などで表面処
理をする。場合によっては、その後５０℃から３００℃
までの温度をかけることで、基板と上記カップリング剤
との反応を進行させる。

【００９７】しかしながら上記感光性耐熱性前駆体組成
物はアルカリ水溶液に対する（ａ）成分の溶解を阻害す
る効果のある化合物として、オニウム塩、ジアリル化合
物又はテトラアルキルアンモニウム塩等は含有してはい
けない。これらを含有した場合、その後の熱処理でその
化合物分解が起こり、酸または塩基が発生し、これが原
因で膜が劣化し、得られる膜の耐熱性が低下する、機械
特性が低下する、接着性が低下する等の問題が生じる可
能性がある。

【００９８】次に、本発明の感光性耐熱性前駆体組成物
を用いて耐熱性樹脂パターンを形成する方法について説
明する。

【００９９】感光性耐熱性前駆体組成物を基板上に塗布
する。基板としてはシリコンウエハー、セラミックス
類、ガリウムヒ素などが用いられるが、これらに限定さ
れない。塗布方法としてはスピンナを用いた回転塗布、
スプレー塗布、ロールコーティングなどの方法がある。
また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘
度などによって異なるが通常、乾燥後の膜厚が、０．１
から１５０μｍになるように塗布される。

【０１００】次に感光性耐熱性前駆体組成物を塗布した
基板を乾燥して、感光性耐熱性前駆体組成物皮膜を得
る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使
用し、５０度から１５０度の範囲で１分から数時間行う
のが好ましい。

【０１０１】次に、この感光性耐熱性前駆体組成物皮膜
上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照
射し、露光する。露光に用いられる化学線としては紫外
線、可視光線、電子線、Ｘ線などがあるが、本発明では
水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ
線（４３６ｎｍ）を用いるのが好ましい。

【０１０２】耐熱性樹脂のパタ−ンを形成するには、露
光後、現像液を用いて露光部を除去することによって達
成される。現像液としては、テトラメチルアンモニウム
の水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノ
ール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミ
ン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミ
ノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性
を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によって
は、これらのアルカリ水溶液にＮ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラ
クロン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコー
ル類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソ
ブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を
組み合わせたものを添加してもよい。現像後は水にてリ
ンス処理をする。ここでもエタノール、イソプロピルア
ルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステ
ル類などを水に加えてリンス処理をしても良い。

【０１０３】現像後、２００度から５００度の温度を加
えて耐熱性樹脂皮膜に変換する。この加熱処理は温度を
選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的
に昇温しながら５分から５時間実施する。一例として
は、１３０度、２００度、３５０度で各３０分づつ熱処
理する。あるいは室温より４００度まで２時間かけて直
線的に昇温するなどの方法が挙げられる。

【０１０４】本発明による感光性耐熱性前駆体組成物に
より形成した耐熱性樹脂皮膜は、半導体のパッシベーシ
ョン膜、半導体素子の保護膜、高密度実装用多層配線の
層間絶縁膜などの用途に用いられる。

【０１０５】また本発明の組成物を用いて表示装置に形
成される絶縁層は、基板上に形成された第一電極と、前
記第一電極に対向して設けられた第二電極とを含む表示
装置に関するものであり、具体的には例えば、ＬＣＤ、
ＥＣＤ、ＥＬＤ、有機電界発光素子を用いた表示装置
（有機電界発光装置）などが該当する。有機電界発光装
置とは、基板上に形成された第一電極と、第一電極上に
形成された少なくとも有機化合物からなる発光層を含む
薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機
電界発光素子からなる表示装置である。

【０１０６】

【実施例】以下実施例および技術をあげて本発明を説明
するが、本発明はこれらの例によって限定されるもので
はない。なお、実施例中の感光性耐熱性樹脂前駆体組成
物の評価は以下の方法により行った。

【０１０７】感光性ポリイミド前駆体膜の作製 ６インチシリコンウエハー上に、感光性耐熱性樹脂前駆
体組成物（以下ワニスと呼ぶ）をプリベーク後の膜厚が
７μｍとなるように塗布し、ついでホットプレート（東
京エレクトロン（株）製Ｍａｒｋ−７）を用いて、１２
０℃で３分プリベークすることにより、感光性ポリイミ
ド前駆体膜を得た。

【０１０８】膜厚の測定方法 大日本スクリーン製造（株）製ラムダエースＳＴＭ−６
０２を使用し、屈折率１．６４で測定を行った。 露光 露光機（ＧＣＡ社製ｉ線ステッパーＤＳＷ−８０００）
に、パターンの切られたレチクルをセットし、露光時間
を変化させ（３６５ｎｍの強度）てｉ線露光を行った。 現像 東京エレクトロン（株）製Ｍａｒｋ−７の現像装置を用
い、５０回転で水酸化テトラメチルアンモニウムの２．
３８％水溶液を１０秒間噴霧した。この後、０回転で６
０秒間静置し、４００回転で水にてリンス処理、３００
０回転で１０秒振り切り乾燥した。

【０１０９】残膜率の算出 残膜率は以下の式に従って算出した。 残膜率（％）＝現像後の膜厚÷プリベーク後の膜厚×１
００ 感度の算出 露光、現像後、５０μｍのライン・アンド・スペースパ
ターン（１Ｌ／１Ｓ）を１対１の幅に形成する露光時間
（以下、これを最適露光時間という）を求めた。 解像度の算出 露光、現像後、５０μｍのライン・アンド・スペースパ
ターン（１Ｌ／１Ｓ）を１対１の幅に形成する最適露光
時間における最小のパターン寸法を解像度とした。

【０１１０】収縮率の算出 作製された感光性ポリイミド前駆体膜を、光洋リンドバ
ーグ（株）製イナートオーブンＩＮＨ−２１ＣＤを用い
て、窒素気流下（酸素濃度２０ｐｐｍ以下）、１４０℃
で３０分、その後３５０℃まで１時間で昇温して３５０
℃で１時間熱処理をし、キュア膜を作製した。収縮率は
以下の式に従って算出した。 収縮率（％）＝（プリベーク後の膜厚−キュア後の膜
厚）÷プリベーク後の膜厚×１００。

【０１１１】合成例１ ヒドロキシル基含有酸無水物
（ａ）の合成 乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（ＢＡＨＦ）
１８．３ｇ（０．０５モル）とアリルグリシジルエーテ
ル３４．２ｇ（０．３モル）をガンマブチロラクトン
（ＧＢＬ）１００ｇに溶解させ、−１５℃に冷却した。
ここにＧＢＬ５０ｇに溶解させた無水トリメリット酸ク
ロリド２２．１ｇ（０．１１モル）を反応液の温度が０
℃を越えないように滴下した。滴下終了後、０℃で４時
間反応させた。この溶液をロータリーエバポレーターで
濃縮して、トルエン１ｌに投入して酸無水物（ａ）を得
た。

【０１１２】

【化２４】

【０１１３】合成例２ ヒドロキシル基含有ジアミン化
合物（ｂ）の合成 ＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５モル）をアセトン１００
ｍｌ、プロピレンオキシド１７．４ｇ（０．３モル）に
溶解させ、−１５℃に冷却した。ここに４−ニトロベン
ゾイルクロリド２０．４ｇ（０．１１モル）をアセトン
１００ｍｌに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、
−１５℃で４時間反応させ、その後室温に戻した。析出
した白色固体をろ別し、５０℃で真空乾燥した。

【０１１４】固体３０ｇを３００ｍｌのステンレスオー
トクレーブに入れ、メチルセルソルブ２５０ｍｌに分散
させ、５％パラジウム−炭素を２ｇ加えた。ここに水素
を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約２時間
後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終
了させた。反応終了後、ろ過して触媒であるパラジウム
化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、ジ
アミン化合物（ｂ）を得た。得られた固体をそのまま反
応に使用した。

【０１１５】

【化２５】

【０１１６】合成例３ ヒドロキシル基含有ジアミン化
合物（ｃ）の合成 ２−アミノ−４−ニトロフェノール１５．４ｇ（０．１
モル）をアセトン５０ｍｌ、プロピレンオキシド３０ｇ
（０．３４モル）に溶解させ、−１５℃に冷却した。こ
こにイソフタル酸クロリド１１．２ｇ（０．０５５モ
ル）をアセトン６０ｍｌに溶解させた溶液を徐々に滴下
した。滴下終了後、−１５℃で４時間反応させた。その
後、室温に戻して生成している沈殿をろ過で集めた。

【０１１７】この沈殿をＧＢＬ２００ｍｌに溶解させ
て、５％パラジウム−炭素３ｇを加えて、激しく攪拌し
た。ここに水素ガスを入れた風船を取り付け、室温で水
素ガスの風船がこれ以上縮まない状態になるまで攪拌を
続け、さらに２時間水素ガスの風船を取り付けた状態で
攪拌した。攪拌終了後、ろ過でパラジウム化合物を除
き、溶液をロータリーエバポレーターで半量になるまで
濃縮した。ここにエタノールを加えて、再結晶を行い、
目的の化合物の結晶を得た。

【０１１８】

【化２６】

【０１１９】合成例４ ヒドロキシル基含有ジアミン化
合物（ｄ）の合成 ２−アミノ−４−ニトロフェノール１５．４ｇ（０．１
モル）をアセトン１００ｍｌ、プロピレンオキシド１
７．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、−１５℃に冷却し
た。ここに４−ニトロベンゾイルクロリド２０．４ｇ
（０．１１モル）をアセトン１００ｍｌに溶解させた溶
液を徐々に滴下した。滴下終了後、−１５℃で４時間反
応させた。その後、室温に戻して生成している沈殿をろ
過で集めた。この後、合成例２と同様にして目的の化合
物の結晶を得た。

【０１２０】

【化２７】

【０１２１】合成例５ キノンジアジド化合物（１）の
合成 乾燥窒素気流下、ＢｉｓＲＳ−２Ｐ（商品名、本州化学
工業（株）製）１６．１０ｇ（０．０５モル）と５−ナ
フトキノンジアジドスルホニル酸クロリド２６．８６ｇ
（０．１モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解さ
せ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと
混合させたトリエチルアミン１０．１２ｇを系内が３５
℃以上にならないように滴下した。滴下後３０℃で２時
間攪拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に
投入させた。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。こ
の沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、キノンジアジド化合物
（１）を得た。

【０１２２】

【化２８】

【０１２３】合成例６ キノンジアジド化合物（２）の
合成 乾燥窒素気流下、ＴｒｉｓＰ−ＨＡＰ（商品名、本州化
学工業（株）製）、１５．３１ｇ（０．０５モル）と５
−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド４０．２
８ｇ（０．１５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに
溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５
０ｇと混合させたトリエチルアミン１５．１８ｇを用
い、合成例５と同様にしてキノンジアジド化合物（２）
を得た。

【０１２４】

【化２９】

【０１２５】合成例７ キノンジアジド化合物（３）の
合成 乾燥窒素気流下、ＢＩＲ−ＰＴＢＰ（商品名、旭有機材
工業（株）製）１９．７２ｇ（０．０５モル）と４−ナ
フトキノンジアジドスルホニル酸クロリド２６．８６ｇ
（０．１モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解さ
せ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと
混合させたトリエチルアミン１０．１２ｇを用い、合成
例５と同様にしてキノンジアジド化合物（３）を得た。

【０１２６】

【化３０】

【０１２７】合成例８ キノンジアジド化合物（４）の
合成 乾燥窒素気流下、ビスフェノールＡ １１．４１ｇ
（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニ
ル酸クロリド２６．８６ｇ（０．１モル）を１，４−ジ
オキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、
１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミ
ン１０．１２ｇを用い、合成例５と同様にしてキノンジ
アジド化合物（４）を得た。

【０１２８】

【化３１】

【０１２９】合成例９ ２，２−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物のジ
エチルエステルジクロリド溶液（ａ）の合成 乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物３５．５４
ｇ（０．０８モル）、エチルアルコール３６．９ｇ
（０．８モル）を９５℃６時間攪拌反応させた。余剰の
エタノールを減圧下、留去して、ピロメリット酸ジエチ
ルエステルを得た。ついで塩化チオニルを９５．１７ｇ
（０．８モル）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）７０ｇ
を仕込み４０℃で３時間反応させた。つづいて、Ｎ−メ
チルピロピドン３３１ｇを添加し、減圧により、余剰の
塩化チオニル及びＴＨＦを除去し、ピロメリット酸ジエ
チルエステルジクロリド溶液（ｂ）３７６．８６ｇ
（０．０８モル）を得た。

【０１３０】合成例１０ ３，３’、４，４’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸ジエチルエステルジクロリド
溶液（ｂ）の合成の合成 乾燥窒素気流下、３，３’、４，４’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物２５．７８ｇ（０．０８モ
ル）、エタノール３６．９０ｇ（０．８モル）を９５℃
６時間攪拌反応させた。余剰のエタノールを減圧下、留
去して、３，３’、４，４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸ジエチルエステルを得た。ついで塩化チオニル
を９５．１７ｇ（０．８モル）、テトラヒドロフラン
（ＴＨＦ）７０ｇを仕込み４０℃で３時間反応させた。
つづいて、Ｎ−メチルピロピドン２００ｇを添加し、減
圧により、余剰の塩化チオニル及びＴＨＦを除去し、
３，３’、４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
ジエチルエステルジクロリド溶液（ｂ）２３３．１５ｇ
（０．０８モル）を得た。

【０１３１】各実施例、比較例に使用したフェノール性
水酸基を有する化合物を下記に示した。

【０１３２】

【化３２】

【０１３３】実施例１ 乾燥窒素気流下、４，４’−ジアミノフェニルエーテル
５．０１ｇ（０．０２５モル）、１，３−ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ
（０．００５モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ
ＭＰ）５０ｇに溶解させた。ここに合成例１で得られた
ヒドロキシ基含有酸無水物（ａ）２１．４ｇ（０．０３
モル）をＮＭＰ１４ｇとともに加えて、２０℃で１時間
反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。その後、
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール７．
１４ｇ（０．０６モル）をＮＭＰ５ｇで希釈した溶液を
１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間攪拌し
た。

【０１３４】得られた溶液４０ｇに合成例５で得られた
キノンジアジド化合物（１）２ｇ、熱架橋性化合物”ニ
カラック”ＭＸ−２７０（商品名、（株）三和ケミカル
製）１．２ｇを加えて感光性ポリイミド前駆体組成物の
ワニスＡを得た。得られたワニスを用いて前記のよう
に、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を
作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、
収縮率について評価を行った。

【０１３５】実施例２ 乾燥窒素気流下、合成例２で得られたヒドロキシル基含
有ジアミン（ｂ）１５．１ｇ（０．０２５モル）をＮ−
メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに溶解させ
た。ここに合成例１で得られたヒドロキシ基含有酸無水
物（ａ）１７．５ｇ（０．０２５モル）をピリジン３０
ｇとともに加えて、６０℃で６時間反応させた。反応終
了後、溶液を水２ｌに投入して、ポリマー固体の沈殿を
ろ過で集めた。ポリマー固体を８０℃の真空乾燥機で２
０時間乾燥した。

【０１３６】このようにして得たポリマーの固体１０ｇ
を計り、合成例６で得られたキノンジアジド化合物
（２）２ｇ、熱架橋性化合物ＤＭＬ−ＭＢＰＣ（商品
名、本州化学工業（株）製）２ｇ、Ｂｉｓ−Ｚ（商品
名、本州化学工業（株）製）１．５ｇ、ビニルトリメト
キシシラン１ｇとをＧＢＬ３０ｇに溶解させて感光性ポ
リイミド前駆体組成物のワニスＢを得た。得られたワニ
スを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感光性
ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感
度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行った。

【０１３７】実施例３ 乾燥窒素気流下、合成例３で得られたヒドロキシル基含
有ジアミン化合物（ｃ）１７ｇ（０．０４５モル）、
１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン１．２４ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ５０ｇ
に溶解させた。ここに３，３’，４，４’−ジフェニル
エーテルテトラカルボン酸無水物１２．４ｇ（０．０４
モル）をＮＭＰ２１ｇとともに加えて、２０℃で１時間
反応させ、次いで５０℃で２時間反応させた。ここに無
水マレイン酸０．９８ｇ（０．０１モル）を加え、５０
℃で２時間攪拌後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジエ
チルアセタール１４．７ｇ（０．１モル）をＮＭＰ５ｇ
で希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０
℃で３時間攪拌した。

【０１３８】得られた溶液３０ｇに合成例７で得られた
キノンジアジド化合物（３）１．６ｇ、熱架橋性化合物
ＴＭＬ−ＨＱ（商品名、本州化学工業（株）製）１ｇを
溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＣを
得た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコン
ウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、
現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率につい
て評価を行った。

【０１３９】実施例４ 乾燥窒素気流下、合成例４で得られたヒドロキシル基含
有ジアミン化合物（ｄ）６．０８ｇ（０．０２５モル）
と４，４’−ジアミノジフェニルエーテル４．５１ｇ
（０．０２２５モル）と１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン０．６２ｇ（０．００
２５モル）をＮＭＰ７０ｇに溶解させた。ヒドロキシル
基含有酸無水物２４．９９ｇ（０．０３５モル）、３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸２無水物
４．４１ｇ（０．０１５モル）を室温でＮＭＰ２５ｇと
ともに加え、そのまま室温で１時間、その後５０℃で２
時間攪拌した。ついで、グリシジルメチルエーテル１
７．６ｇ（０．２モル）をＮＭＰ１０ｇで希釈した溶液
を加え、７０℃で６時間攪拌した。

【０１４０】このポリマー溶液４０ｇに合成例８で得ら
れたキノンジアジド化合物（４）２．５ｇ、熱架橋性化
合物ＨＭＬ−ＴＰＨＡＰ（商品名、本州化学工業（株）
製）１．５ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成
物のワニスＤを得た。得られたワニスを用いて前記のよ
うに、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜
を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像
度、収縮率について評価を行った。

【０１４１】実施例５ 実施例３で得られたポリマー溶液５０ｇに実施例１で用
いたキノンジアジド化合物（１）２．５ｇ、熱架橋性化
合物ジメチロール−ＢｉｓＯＣ−Ｐ（商品名、本州化学
工業（株）製）２ｇ、ＢｉｓＲＳ−２Ｐ（商品名、本州
化学工業（株）製）２ｇを溶解させて感光性ポリイミド
前駆体組成物のワニスＥを得た。得られたワニスを用い
て前記のように、シリコンウエハー上に感光性ポリイミ
ド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜
率、解像度、収縮率について評価を行った。

【０１４２】実施例６ 実施例１で得られたポリマー溶液４０ｇに実施例２で用
いたキノンジアジド化合物（２）２ｇ、熱架橋性化合物
ＤＭＬ−ＰＯＰ（商品名、本州化学工業（株）製）２．
５ｇ、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（商品名、本州化学工業（株）
製）２．５ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成
物のワニスＦを得た。得られたワニスを用いて前記のよ
うに、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜
を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像
度、収縮率について評価を行った。

【０１４３】実施例７ 実施例４で得られたポリマー溶液４０ｇに実施例２で用
いたキノンジアジド化合物（２）２ｇ、熱架橋性化合物
ＤＭＬ−ＭＴｒｉｓＰＣ（商品名、本州化学工業（株）
製）２ｇ、ＢＩＲ−ＰＣ（商品名、旭有機材工業（株）
製）２．５ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成
物のワニスＧを得た。得られたワニスを用いて前記のよ
うに、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜
を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像
度、収縮率について評価を行った。

【０１４４】実施例８ 実施例４で得られたポリマー溶液４０ｇに実施例２で用
いたキノンジアジド化合物（２）２ｇ、熱架橋性化合物
２，６−ジアセトキシメチル−ｐ−クレゾール１．５
ｇ、ＢＩＲ−ＰＣ（商品名、旭有機材工業（株）製）
１．５ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物の
ワニスＨを得た。得られたワニスを用いて前記のよう
に、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を
作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、
収縮率について評価を行った。

【０１４５】実施例９ 実施例３で得られた溶液３０ｇに合成例７で得られたキ
ノンジアジド化合物（３）１．６ｇ、熱架橋性化合物Ｍ
Ｌ−２６Ｘ（商品名、本州化学工業（株）製）２ｇを溶
解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＩを得
た。得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウ
エハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現
像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について
評価を行った。

【０１４６】実施例１０ 乾燥窒素気流下、４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル１０．８９ｇ（０．０５４モル）、１，３−ビス（３
−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．８６
ｇ（０．００７モル）、末端封止剤として、３−アミノ
フェノール（東京化成工業（株）製）２．０５ｇ（０．
０１９モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）
２０ｇに溶解させた。ここにビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）エーテル二無水物２３．２７ｇ（０．０７
５モル）をＮＭＰ１５ｇとともに加えて、２０℃で１時
間反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。その
後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール
１５．１９ｇ（０．１２７モル）をＮＭＰ４ｇで希釈し
た溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時
間攪拌した。続いてＮＭＰ４６．０ｇを加え、これをポ
リマー溶液を得た。

【０１４７】得られたポリマー溶液に上記に示したナフ
トキノンジアジド化合物（１）７ｇ、熱架橋性化合物と
して”ニカラック”ＭＸ−２７０（商品名、（株）三和
ケミカル製）３．５ｇ、フェノール性水酸基を有する化
合物としてＢｉｓ−Ｚ（商品名、本州化学工業（株）
製）４ｇを加えて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニ
スＪを得た。得られたワニスを用いて前記のように、シ
リコンウエハ上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露
光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について評
価を行った。

【０１４８】実施例１１ 乾燥窒素気流下、３，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル１０．１４ｇ（０．０５１モル）、１，３−ビス（３
−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．８６
ｇ（０．０７５モル）、末端封止剤として、４−アミノ
チオフェノール（東京化成工業（株）製）４．２６ｇ
（０．０３４モル）、ピリジン１１．９３ｇ（０．１５
１モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０
ｇに溶解させた。ここに、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物の
ジエチルエステルジクロリド溶液（ａ）３５８．０３
（０．０７６モル）を、系内が１０℃以上にならないよ
うに滴下した。滴下後、室温で６時間攪拌した。反応終
了後、溶液を水２ｌに投入して、ポリマー固体の沈殿を
ろ過で集めた。ポリマー固体を８０℃の真空乾燥機で２
０時間乾燥した。

【０１４９】このようにして得たポリマー固体１０ｇを
計り、上記に示したナフトキノンジアジド化合物（２）
２．９ｇ、熱架橋性化合物として、”ニカラック”ＭＸ
−２８０（商品名、（株）三和ケミカル製）０．８ｇ、
フェノール性水酸基を有する化合物としてＢｉｓＲＳ−
２Ｐ（商品名、本州化学工業（株）製）１．３ｇ、ビニ
ルトリメトキシシラン０．３ｇとをガンマブチロラクト
ン２３ｇに溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物の
ワニスＫを得た。得られたワニスを用いて前記のよう
に、シリコンウエハ上に感光性ポリイミド前駆体膜を作
製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度につ
いて評価を行った。

【０１５０】実施例１２ 乾燥窒素気流下、４，４’−ジアミノジフェニルスルホ
ン３．９７ｇ（０．０１６モル）、１，３−ビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．３９ｇ
（０．００５６モル）、ピリジン６．１６ｇ（０．０７
８モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０
ｇに溶解させ、室温で２時間反応した。ここに、３，
３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジエ
チルエステルジクロリド溶液（ｂ）１１３．６６ｇ
（０．０３９モル）を、系内が１０℃以上にならないよ
うに滴下した。滴下後、室温で４時間攪拌した。つづい
て、末端封止剤として、無水マレイン酸２．７２ｇ
（０．０２７８モル）を添加し、５０℃で３時間攪拌反
応した。反応終了後、溶液を水２ｌに投入して、ポリマ
ー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を８０℃の
真空乾燥機で２０時間乾燥した。

【０１５１】このようにして得られたポリマーの固体１
０ｇに上記にしめしたナフトキノンジアジド化合物
（３）２ｇ、熱架橋性化合物としてＴＭＯＭ−ＢＰ（商
品名、本州化学工業（株）製）０．４２ｇ、ＴｒｉｓＰ
−ＰＡ（商品名、本州化学工業（株）製）１．０ｇをＮ
ＭＰ２２ｇに溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物
のワニスＬを得た。得られたワニスを用いて前記のよう
に、シリコンウエハ上に感光性ポリイミド前駆体膜を作
製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度につ
いて評価を行った。 実施例１３ 乾燥窒素気流下、合成例２で得られたヒドロキシル基含
有ジアミン（ｂ）２．１３ｇ（０．００３５モル）、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル１０．１８ｇ
（０．０５０５モル）、１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン１．８６ｇ（０．００
７モル）、末端封止剤として、３−アミノフェノール
（東京化成工業（株）製）２．０５ｇ（０．０１９モ
ル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに
溶解させた。ここにビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エーテル二無水物２３．２７ｇ（０．０７０５モ
ル）をＮＭＰ３０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反
応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。その後、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール１
５．１９ｇ（０．１２７モル）をＮＭＰ１０ｇで希釈し
た溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時
間攪拌した。反応終了後、溶液を水２ｌに投入して、ポ
リマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を８０
℃の真空乾燥機で２０時間乾燥した。

【０１５２】このようにして得たポリマーの固体１０ｇ
を計り、上記に示したナフトキノンジアジド化合物
（１）２ｇ、熱架橋性化合物として、”ニカラック”Ｍ
Ｘ−２７０（商品名、（株）三和ケミカル製）２．０
ｇ、フェノール性水酸基を有する化合物としてＢＩＲ−
ＰＣ（商品名、旭有機材工業（株）製）１．５ｇ、ビニ
ルトリメトキシシラン０．３ｇをＧＢＬ３０ｇに溶解さ
せて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＭを得た。
得られたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハ
上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、
ワニスの感度、残膜率、解像度について評価を行った。

【０１５３】実施例１４ 乾燥窒素気流下、合成例２で得られたヒドロキシル基含
有ジアミン（ｂ）２９．５８ｇ（０．０４８６モル）、
３，４’−ジアミノジフェニルエーテル１．０９ｇ
（０．００５４モル）、１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン１．８６ｇ（０．００
７モル）、末端封止剤として、３−アミノフェノール
（東京化成工業（株）製）２．０５ｇ（０．０１９モ
ル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに
溶解させた。ここにビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エーテル二無水物２３．２７ｇ（０．０７０５モ
ル）をＮＭＰ３０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反
応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。その後、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール１
５．１９ｇ（０．１２７モル）をＮＭＰ１０ｇで希釈し
た溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時
間攪拌した。反応終了後、溶液を水２ｌに投入して、ポ
リマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を８０
℃の真空乾燥機で２０時間乾燥した。

【０１５４】このようにして得たポリマーの固体１０ｇ
を計り、上記に示したナフトキノンジアジド化合物
（１）２ｇ、熱架橋性化合物として、２，６−ジメトキ
シメチル−４−ｔ−ブチルフェノール（商品名、本州化
学工業（株）製）２．０ｇ、フェノール性水酸基を有す
る化合物としてＴｒｉｓＰ−ＰＡ（商品名、本州化学工
業（株）製）１．５ｇ、ビニルトリメトキシシラン０．
３ｇとをＧＢＬ３０ｇに溶解させて感光性ポリイミド前
駆体組成物のワニスＮを得た。得られたワニスを用いて
前記のように、シリコンウエハ上に感光性ポリイミド前
駆体膜を作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、
解像度について評価を行った。

【０１５５】実施例１５ 実施例２で得られたポリマー固体５ｇを計り、実施例１
１で得られたポリマー固体５ｇを計り、上記に示したナ
フトキノンジアジド化合物（２）２．９ｇ、熱架橋性化
合物として、２，６−ジアセトキシメチル−ｐ−クレゾ
ール２．０ｇ、フェノール性水酸基を有する化合物とし
て４ＰＣ（商品名、旭有機材工業（株）製）３．５ｇ、
ビニルトリメトキシシラン０．３ｇとをガンマブチロラ
クトン３０ｇに溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成
物のワニスＰを得た。得られたワニスを用いて前記のよ
うに、シリコンウエハ上に感光性ポリイミド前駆体膜を
作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度に
ついて評価を行った。

【０１５６】実施例１６ 乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１８．３ｇ
（０．０５モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）５０ｇ、グリシジルメチルエーテル２６．４ｇ
（０．３モル）に溶解させ、溶液の温度を−１５℃まで
冷却した。ここにジフェニルエーテルジカルボン酸ジク
ロリド７．３８ｇ（０．０２５モル）、イソフタル酸ジ
クロリド５．０８ｇ（０．０２５モル）をＧＢＬ２５ｇ
に溶解させた溶液を内部の温度が０℃を越えないように
滴下した。滴下終了後、６時間、−１５℃で攪拌を続け
た。

【０１５７】反応終了後、溶液を水３ｌに投入して白色
の沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗
浄した後、８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥した。

【０１５８】このようにして得られたポリマー粉体１０
ｇにキノンジアジド化合物（２）２．０ｇ、熱架橋性化
合物ＴＭ−ＢＩＰ−Ａ（商品名、旭有機材工業（株）
製）１ｇをＮＭＰ３０ｇに溶解させて感光性ポリベンゾ
オキサゾール前駆体組成物のワニスＱを得た。得られた
ワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に感
光性ポリベンゾオキサゾール前駆体膜を作製、露光、現
像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について
評価を行った。

【０１５９】実施例１７ 乾燥窒素気流下、合成例２で得られたヒドロキシル基含
有ジアミン（ｂ）１５．１ｇ（０．０２５モル）をＮ−
メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに溶解させ
た。ここに合成例１で得られたヒドロキシ基含有酸無水
物（ａ）１７．５ｇ（０．０２５モル）をピリジン３０
ｇとともに加えて、６０℃で６時間反応させた。反応終
了後、溶液を水２ｌに投入して、ポリマー固体の沈殿を
ろ過で集めた。ポリマー固体を８０℃の真空乾燥機で２
０時間乾燥した。

【０１６０】このようにして得たポリマーの固体１０ｇ
を計り、合成例６で得られたキノンジアジド化合物
（２）２ｇ、熱架橋性化合物”ニカラック”ＭＸ−２８
０（商品名、（株）三和ケミカル製）２ｇ、Ｂｉｓ−Ｚ
（商品名、本州化学工業（株）製）１．５ｇ、ビニルト
リメトキシシラン１ｇとをＧＢＬ３０ｇに溶解させて感
光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＲを得た。得られ
たワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上に
感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワニ
スの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行っ
た。

【０１６１】実施例１８ 厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラス表面にスパッタリン
グ蒸着法によって厚さ１３０ｎｍのＩＴＯ透明電極膜が
形成されたガラス基板を１２０×１００ｍｍの大きさに
切断した。ＩＴＯ基板上にフォトレジストを塗布して、
通常のフォトリソグラフィ法による露光・現像によって
パターニングした。ＩＴＯの不要部分をエッチングして
除去した後、フォトレジストを除去することで、ＩＴＯ
膜をストライプ形状にパターニングした。このストライ
プ状第一電極は１００μｍピッチである。

【０１６２】次に、実施例１で得られたワニスＡの濃度
調整をＮＭＰを用いて行い、スピンコート法により第一
電極を形成した基板上に塗布し、ホットプレート上で１
２０℃で３分間プリベークした。この膜にフォトマスク
を介してＵＶ露光した後、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液で
露光部分のみを溶解させることで現像し、純水でリンス
した。得られたポリイミド前駆体パターンをクリーンオ
ーブン中の窒素雰囲下で１７０℃、３０分、さらに、３
２０℃で６０分加熱してキュアし、絶縁層を第一電極の
エッジを覆うように形成した。絶縁層の厚さは約１μｍ
であった。

【０１６３】次に、絶縁層を形成した基板を用いて有機
電界発光装置の作製を行った。発光層を含む薄膜層は、
抵抗線加熱方式による真空蒸着法によって形成した。基
板有効エリア全面に蒸着して正孔輸送層を形成し、シャ
ドーマスクを用いて発光層、第二電極のアルミニウムを
形成した。

【０１６４】得られた上記基板を蒸着機から取り出し、
基板と封止用ガラス板とを硬化性エポキシ樹脂を用いて
貼り合わせることで封止した。このようにしてＩＴＯス
トライプ状第一電極上に、パターニングされた発光層が
形成され、第一電極と直交するようにストライプ状第二
電極が配置された単純マトリクス型カラー有機電界発光
装置を作製した。本表示装置を線順次駆動したところ、
良好な表示特性を得ることができた。絶縁層の境界部分
で薄膜層や第二電極が、薄くなったり段切れを起こすよ
うなこともなく、スムーズに成膜されたので、発光領域
内での輝度ムラは認められず、安定な発光が得られた。
まだ断面は順テーパーになっていた。

【０１６５】実施例１９ 実施例２で得られたワニスＢを用い、キュア条件を２３
０℃で３０分にした他は、実施例１８と同様にして、単
純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本
表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認められ
ず良好な表示特性を得ることができた。

【０１６６】実施例２０ 実施例５で得られたワニスＥを用い、キュア条件を２３
０℃で３０分にした他は、実施例１８と同様にして、単
純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本
表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認められ
ず良好な表示特性を得ることができた。

【０１６７】実施例２１ 実施例８で得られたワニスＨを用い、キュア条件を２５
０℃で３０分にした他は、実施例１８と同様にして、単
純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本
表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認められ
ず良好な表示特性を得ることができた。

【０１６８】実施例２２ 実施例１７で得られたワニスＲを用い、キュア条件を２
３０℃で３０分にした他は、実施例１８と同様にして、
単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。
本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認めら
れず良好な表示特性を得ることができた。

【０１６９】実施例２３ 実施例１０で得られたワニスＪを用い、キュア条件を２
５０℃で３０分にした他は、実施例１８と同様にして、
単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。
本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認めら
れず良好な表示特性を得ることができた。

【０１７０】実施例２４ 実施例１３で得られたワニスＭを用い、キュア条件を２
３０℃で６０分にした他は、実施例１８と同様にして、
単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。
本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認めら
れず良好な表示特性を得ることができた。

【０１７１】実施例２５ キュア条件をオーブンの空気雰囲気で２３０℃で３０分
加熱、絶縁層の厚さを３μｍにした以外は実施例１８と
同様の方法で、第一電極を形成した基板上に感光性ポリ
イミドからなる絶縁層を形成した。体積抵抗率は少なく
とも５×１０¹⁰Ωｃｍあることを確認した。絶縁層の境
界部分の断面は、順テーパー形状であり、テーパー角度
は約４５°であった。また、絶縁層の赤外吸収スペクト
ルを反射配置で測定したところ、１７８０ｃｍ^-1付近、
１３７７ｃｍ^-1付近にポリイミドに起因するイミド構造
の吸収ピークが検出された。

【０１７２】次に、絶縁層を形成した基板を用いて有機
電界発光装置の作製を行った。絶縁層を形成したガラス
基板上に、酸素プラズマまたはＵＶ照射処理をした。そ
の後、アルコールに溶解した正孔注入材料または正孔輸
送材料を、基板上にスピンコートして製膜した。オーブ
ンを用いて、２００℃で３０分の加熱を行った。

【０１７３】さらに、インクジェット法を用いて、トル
エンに溶解した有機発光材料（赤色、青色、緑色の各材
料）を各開口部にパターン塗布した。オーブンを用い
て、８０℃で３０分の加熱を行った。最後に、実施例１
８と同様の方法で、第二電極を形成し、封止を行った。

【０１７４】このようにして幅８０μｍ、ピッチ１００
μｍ、本数８１６本のＩＴＯストライプ状第一電極上
に、パターニングされた緑色発光層、赤色発光層および
青色発光層が形成され、第一電極と直交するように幅２
５０μｍ、ピッチ３００μｍのストライプ状第二電極が
２００本配置された単純マトリクス型カラー有機電界発
光装置を作製した。赤、緑、青の３つの発光領域が１画
素を形成するので、本発光装置は３００μｍピッチで２
７２×２００画素を有する。絶縁層が第一電極を露出せ
しめる部分のみが発光するので、１つの発光領域は幅７
０μｍ、長さ２５０μｍの長方形である。

【０１７５】本表示装置を線順次駆動したところ、良好
な表示特性を得ることができた。第一電極のエッジ部分
が絶縁層で覆われているために、電界集中による短絡は
認められなかった。また、断面が順テーパー形状である
ことから、絶縁層の境界部分で薄膜層や第二電極が、薄
くなったり段切れを起こすようなこともなく、スムーズ
に成膜されたので、発光領域内での輝度ムラは認められ
ず、安定な発光が得られた。また、耐久性試験として、
８５℃で２５０時間保持した後の発光特性を評価したと
ころ、初期と比べて発光領域が小さくなることなく良好
な発光を示した。

【０１７６】実施例２６ スイッチング素子を有する基板（ＴＦＴ基板）の平坦化
膜上に、平坦化膜上にあるソース・ドレイン電極に接触
した、所望のパターンのＩＴＯ電極（画素）を設けた。

【０１７７】本基板を用いて、実施例２５と同様に、絶
縁層、正孔注入材料または正孔輸送材料、発光材料、第
２電極を形成し、封止を行った。

【０１７８】本表示装置をアクティブマトリックス方式
で駆動したところ、良好な表示特性を得ることができ
た。第一電極のエッジ部分が絶縁層で覆われているため
に、電界集中による短絡は認められなかった。また、断
面が順テーパー形状であることから、絶縁層の境界部分
で薄膜層や第二電極が、薄くなったり段切れを起こすよ
うなこともなく、スムーズに成膜されたので、発光領域
内での輝度ムラは認められず、安定な発光が得られた。
また、耐久性試験として、８５℃で２５０時間保持した
後の発光特性を評価したところ、初期と比べて発光領域
が小さくなることなく良好な発光を示した。

【０１７９】比較例１ 実施例１と同様に合成したポリイミド前駆体溶液４０ｇ
に実施例１で用いたキノンジアジド化合物（１）２．０
ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニス
Ａ１を得た。得られたワニスを用いて前記のように、シ
リコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、
露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率
について評価を行った。

【０１８０】比較例２ 実施例１と同様に合成したポリイミド前駆体溶液４０ｇ
に実施例１で用いたキノンジアジド化合物（１）２ｇ、
ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（商品名、本州化学工業（株）製）１
ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニス
Ａ２を得た。得られたワニスを用いて前記のように、シ
リコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、
露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、収縮率
について評価を行った。

【０１８１】比較例３ 実施例３と同様に合成したポリイミド前駆体溶液３０ｇ
に実施例３で用いたキノンジアジド化合物（３）１．６
ｇ、ＢｉｓＰ−ＡＰ（商品名、本州化学工業（株）製）
０．８ｇを溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物の
ワニスＡ３を得た。得られたワニスを用いて前記のよう
に、シリコンウエハー上に感光性ポリイミド前駆体膜を
作製、露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度、
収縮率について評価を行った。

【０１８２】比較例４ 実施例４で得られたポリマー溶液４０ｇに実施例２で用
いたキノンジアジド化合物（２）２ｇ、本発明とは異な
る熱架橋性化合物メラミン１．０ｇ、ＢＩＲ−ＰＣ（商
品名、旭有機材工業（株）製）１．０ｇを溶解させて感
光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＡ４を得た。得ら
れたワニスを用いて前記のように、シリコンウエハー上
に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、露光、現像し、ワ
ニスの感度、残膜率、解像度、収縮率について評価を行
った。

【０１８３】比較例５ 実施例１０の熱架橋性化合物を用いない他は、実施例１
０と同様に行い、感光性ポリイミド前駆体組成物のワニ
スＡ５を得た。得られたワニスを用いて前記のように、
シリコンウエハ上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、
露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について
評価を行った。

【０１８４】比較例６ 実施例１３の熱架橋性化合物を用いない他は、実施例１
３と同様に行い、感光性ポリイミド前駆体組成物のワニ
スＡ６を得た。得られたワニスを用いて前記のように、
シリコンウエハ上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、
露光、現像し、ワニスの感度、残膜率、解像度について
評価を行った。

【０１８５】比較例７ 実施例１５の熱架橋性化合物を用いない他は、実施例１
５と同様に行い、感光性ポリイミド前駆体組成物のワニ
スＡ７を得た。得られたワニスを用いて前記のように、
シリコンウエハ上に感光性ポリイミド前駆体膜を作製、
露光、現像し、 比較例８ 比較例１で得られたワニスＡ１を用いて、キュア条件を
３００℃で６０分にした他は、実施例１８と同様にし
て、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製し
た。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラは認
められなかったが、発光表示部のエッジ部に発光ムラが
多数認められ、良好な表示特性を得ることができなかっ
た。

【０１８６】比較例９ 比較例２で得られたワニスＡ２を用いて、キュア条件を
２３０℃で３０分にした他は、実施例１８と同様にし
て、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製し
た。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラは認
められなかったが、発光表示部のエッジ部に発光ムラが
多数認められ、良好な表示特性を得ることができなかっ
た。

【０１８７】比較例１０ 比較例４で得られたワニスＡ４を用いて、キュア条件を
２５０℃で３０分にした他は、実施例１８と同様にし
て、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製し
た。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラは認
められなかったが、発光表示部のエッジ部に発光ムラが
多数認められ、良好な表示特性を得ることができなかっ
た。

【０１８８】比較例１１ 比較例５で得られたワニスＡ５を用いて、キュア条件を
２５０℃で３０分にした他は、実施例１８と同様にし
て、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製し
た。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラは認
められなかったが、発光表示部のエッジ部に発光ムラが
多数認められ、良好な表示特性を得ることができなかっ
た。

【０１８９】比較例１２ 比較例６で得られたワニスＡ６を用いて、キュア条件を
２３０℃で３０分にした他は、実施例１８と同様にし
て、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製し
た。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラは認
められなかったが、発光表示部のエッジ部に発光ムラが
多数認められ、良好な表示特性を得ることができなかっ
た。

【０１９０】比較例１３ 比較例７で得られたワニスＡ７を用いて、キュア条件を
２３０℃で３０分にした他は、実施例１８と同様にし
て、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製し
た。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラは認
められなかったが、発光表示部のエッジ部に発光ムラが
多数認められ、良好な表示特性を得ることができなかっ
た。

【０１９１】比較例１４ 実施例１と同様に合成したポリイミド前駆体溶液４０ｇ
に実施例１で用いたキノンジアジド化合物（１）２．０
ｇ、オニウム塩であるＤＰＩ−ＴＦ（商品名、東洋合成
工業（株）社製）０．５ｇを溶解させて得られたワニス
Ａ８を用いて、キュア条件を２５０℃で３０分にした他
は、実施例１８と同様にして、単純マトリクス型カラー
有機電界発光装置を作製した。本表示装置を線順次駆動
したところ、輝度ムラが認められかつ、発光表示部のエ
ッジ部に発光ムラが多数認められ、良好な表示特性を得
ることができなかった。

【０１９２】

【化３３】

【０１９３】実施例１〜１７、比較例１〜７の評価結果
については以下の表１に示した。

【０１９４】

【表１】

【０１９５】

【発明の効果】本発明によれば、アルカリ水溶液で現像
でき、解像度、感度に優れ、なかでも未露光部の膜減り
が小さく（残膜率が小さく）、さらにキュア後の収縮率
が小さいという優れたポジ型の感光性樹脂前駆体組成物
を得ることができ、得られた組成物は特に、半導体素子
の保護膜、層間絶縁膜、ディスプレイの絶縁層に好適に
用いることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AB16 AC01 AD03 BE01 CB25 CB26 CB45 CB52 CC20 FA03 FA17 FA29 4J043 PA04 PA19 PB03 PB04 PB23 PB24 PC025 PC065 PC145 PC205 QB15 QB26 QB32 RA06 SA05 SA06 SA54 SA62 SA71 SA82 SA83 SB01 SB02 TA02 TA12 TA14 TA21 TA22 TA32 TA72 TA75 TA76 UA032 UA041 UA042 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA261 UA361 UA381 UA762 UB011 UB012 UB021 UB022 UB061 UB062 UB122 UB131 UB141 UB152 UB221 UB231 UB232 UB301 UB302 UB401 UB402 VA011 VA012 VA021 VA022 VA051 VA052 VA061 VA062 VA071 VA081 VA082 XB06 XB07 XB09 ZA02 ZA12 ZA21 ZA51 ZB22 5F058 AA10 AC02 AF04 AG01 AH02 AH03

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）と、（ｂ１）または（ｂ２）と、
   （ｃ）を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂前
   駆体組成物。 （ａ）アルカリ水溶液に可溶性のポリアミド酸エステル
   および／またはポリアミド酸ポリマー。 （ｂ１）フェノール性水酸基含有熱架橋性化合物であっ
   て、一般式（１）で表される有機基Ｒ¹で置換されたメ
   チロール基を含有する（但し、Ｒ¹が水素原子の場合を
   除く）化合物。 【化１】 （ｂ２）熱架橋性化合物であって、一般式（２）で表さ
   れる有機基Ｒ¹で置換された尿素系有機基を含有する化
   合物。 【化２】 （ｃ）エステル化したキノンジアジド化合物。
2. 【請求項２】Ｒ¹が、炭素数１から２０までのアルキル
   基、または、Ｒ²ＣＯ基（Ｒ²は炭素数１から２０までの
   アルキル基を示す）である請求項１記載のポジ型感光性
   樹脂前駆体組成物。
3. 【請求項３】（ａ）成分のポリマーが、一般式（３）で
   表される構造単位を主成分とする請求項１記載のポジ型
   感光性樹脂前駆体組成物。 【化３】 （式中、Ｒ³は、少なくとも２個以上の炭素原子を有す
   る２価から８価の有機基、Ｒ⁴は、少なくとも２個以上
   の炭素原子を有する２価から６価の有機基、Ｒ⁵は水
   素、または炭素数１から２０までの有機基を示す。ｎは
   １０から１０００００までの整数、ｍは０から２までの
   整数、ｐ、ｑは０から４までの整数を示す。ただしｐ+
   ｑ＞０である。）
4. 【請求項４】一般式（３）のＲ³（ＣＯＯＲ⁵）ｍ（Ｏ
   Ｈ）ｐが、一般式（４）で表されることを特徴とする請
   求項３記載のポジ型感光性樹脂前駆体組成物。 【化４】 （Ｒ⁶、Ｒ⁸は炭素数２〜２０より選ばれる２価〜４価の
   有機基を示し、Ｒ⁷は、炭素数３〜２０より選ばれる水
   酸基を有した３価〜６価の有機基を示し、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は
   水素、炭素数１〜２０までの有機基を示す。ｏ、ｓは０
   から２までの整数、ｒは１〜４までの整数を示す。）
5. 【請求項５】一般式（３）のＲ⁴（ＯＨ）ｑが、一般式
   （５）で表されることを特徴とする請求項３記載のポジ
   型感光性樹脂前駆体組成物。 【化５】 （Ｒ¹¹、Ｒ¹³は炭素数２〜２０より選ばれる水酸基を有
   した３価〜４価の有機基を示し、Ｒ¹²は炭素数２〜３０
   より選ばれる２価の有機基を示す。ｔ、ｕは１あるいは
   ２の整数を示す。）
6. 【請求項６】一般式（３）のＲ⁴（ＯＨ）ｑが、一般式
   （６）で表されることを特徴とする請求項３記載のポジ
   型感光性樹脂前駆体組成物。 【化６】 （Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁶は炭素数２〜２０までの２価の有機基を示
   し、Ｒ¹⁵は、炭素数３〜２０より選ばれる水酸基を有し
   た３価〜６価の有機基を示す。ｖは１〜４までの整数を
   示す。）
7. 【請求項７】一般式（３）のＲ⁴（ＯＨ）ｑが、一般式
   （７）で表されることを特徴とする請求項３記載のポジ
   型感光性樹脂前駆体組成物。 【化７】 （Ｒ¹⁷は炭素数２〜２０より選ばれる２価の有機基を示
   し、Ｒ¹⁸は、炭素数３〜２０より選ばれる水酸基を有し
   た３価〜６価の有機基を示す。ｗは１〜４までの整数を
   示す。）
8. 【請求項８】請求項１〜７いずれか記載のポジ型感光性
   樹脂前駆体組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、
   露光する工程、アルカリ現像液を用いて現像する工程お
   よび加熱処理する工程を含むレリーフパターンの製造
   法。
9. 【請求項９】請求項８記載の製造法により得られるレリ
   ーフパターンを表面保護膜または層間絶縁膜として有し
   てなる半導体用電子部品。
10. 【請求項１０】基板上に形成された第一電極と、第一電
    極を部分的に露出せしめるように第一電極上に形成され
    た絶縁層と、第一電極に対向して設けられた第二電極と
    を含む表示装置であって、前記絶縁層が請求項８記載の
    製造法により得られるレリーフパターンからなることを
    特徴とする有機電界発光素子用表示装置。
11. 【請求項１１】前記絶縁層が第一電極のエッジ部分を覆
    うように形成されることを特徴とする請求項１０記載の
    表示装置。
12. 【請求項１２】絶縁層が第一電極を露出せしめる境界部
    分における前記絶縁層の断面が順テーパー形状であるこ
    とを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
13. 【請求項１３】表示装置が、基板上に形成された第一電
    極と、第一電極上に形成された少なくとも有機化合物か
    らなる発光層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第
    二電極とを含む有機電界発光素子からなる表示装置であ
    ることを特徴とする請求項１０記載の表示装置。