TWI528393B - 積層陶瓷電子零件之製造方法 - Google Patents

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堂岡稔
高島浩嘉
岡島健一
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Description

積層陶瓷電子零件之製造方法
本發明係關於積層陶瓷電子零件之製造方法，特別係關於用於在積層陶瓷電子零件中之內部電極之側部形成保護區域之方法。
作為面向本發明之積層陶瓷電子零件，例如，有積層陶瓷電容器。為了製造積層陶瓷電容器，典型而言，如圖21(A)及(B)分別所示，實施將形成有第一內部電極1之第一陶瓷生片3與形成有第二內部電極2之第二陶瓷生片4交替地按複數層積層之步驟。藉由該積層步驟，得到未加工之零件本體，於未加工之零件本體被燒製之後，於所燒結之零件本體之相對向之第一及第二端面形成第一及第二外部電極。由此，於第一及第二端面分別引出之第一及第二內部電極1及2分別與第一及第二外部電極電性連接，完成積層陶瓷電容器。
近年，積層陶瓷電容器一味追求小型化，另一方面，謀求獲取靜電容量高之電容器。為了滿足該等需求，增加內部電極1及2分別佔有所積層之陶瓷生片3及4上之各有效面積，即增加內部電極1及2相互對向之面積係有效的。為了增加如此之有效面積，減少圖21所示之側部之保護區域5以及端部之保護區域6之尺寸很重要。
然而，若減少端部之保護區域6之尺寸，則雖非所希望，但第一外部電極與第二外部電極經由內部電極1及2之 任一個產生短路之危險性會提高。因此，可知：於考慮到積層陶瓷電容器之可靠性時，與減少端部之保護區域6之尺寸相比，更佳為減少側部之保護區域5之尺寸。
如上所述，作為減少側部之保護區域5之尺寸之有效之方法，有於專利文獻1中記載之方法。於專利文獻1中，記載有：將印刷有內部電極圖案之陶瓷生片進行複數片積層、壓接來製作母板，並藉由將母板切割為特定尺寸來獲取處於將內部電極露出於作為切斷面之側面之狀態之複數個陶瓷生片，之後，利用保持部(holder)來保持該等複數個陶瓷生片，且於該狀態下，藉由於各未加工晶片之側面黏貼側面用陶瓷生片來形成側面之保護區域。
然而，於上述專利文獻1中記載之技術中有以下之應解決之問題。
於專利文獻1中，未記載：為了用於在切斷母板而得到複數個未加工晶片之後，藉由保持部來保持該等複數個未加工晶片之狀態之具體之方法。
於切斷母板而得到之未加工晶片中，雖然於其端面，相互呈同極之複數個內部電極露出，但於其側面，所有內部電極，即相互呈不同極之複數個內部電極會露出。因此，於處理未加工晶片時，若不對其側面加以細心之注意，則相互呈不同極之內部電極彼此之間有時會產生所不希望之短路。特別地，積層用之陶瓷生片越薄，相互呈不同極之內部電極之間之距離越縮小，短路之危險性越高。若產生短路，則例如於積層陶瓷電容器之情形時，會引起短路不 良。
因此，於未加工晶片之側面，儘量不被觸碰較為重要。然而，於專利文獻1中，對於上述問題無任何教導，因此，對於切斷母板而得到之未加工晶片之良好處理方法並未提及。
再者，不侷限於在製造積層陶瓷電容器之情形時，於製造積層電容器以外之積層陶瓷電子零件之情形時亦可能會過到同樣之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平6-349669號公報
因此，本發明之目之在於提供一種能夠解決上述問題之積層陶瓷電子零件之製造方法。
本發明之積層陶瓷電子零件之製造方法之第一態樣，包括：製作母板之步驟，該母板包含被積層之複數個陶瓷生片、以及沿著陶瓷生片之間之複數個界面而分別配置之內部電極圖案；切斷步驟，藉由沿著相互正交之第一方向之切斷線以及第二方向之切斷線來切斷母板，而得到複數個未加工晶片，該未加工晶片具有構成為包括處於未加工狀態之複數個陶瓷層與複數個內部電極之積層構造，並且未加工晶片處於在藉由沿著第一方向之切斷線之切斷而呈現 之切斷側面露出內部電極之狀態；黏貼步驟，藉由於上述切斷側面黏貼側面用陶瓷生片來形成未加工之陶瓷保護層，而得到未加工之零件本體；以及燒製未加工之零件本體之步驟。
經過上述切斷步驟而得到之複數個未加工晶片，呈按行及列方向排列之狀態。
本發明之第一態樣之製造方法，為了解決上述之技術問題，其特徵在於，於上述黏貼步驟之前，實施使呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片相互間之間隔呈擴寬之狀態下，使複數個未加工晶片轉動，由此，使複數個未加工晶片各自之切斷側面一齊成為開放面之轉動步驟，黏貼步驟包括：於被作為開放面之未加工晶片之切斷側面黏貼側面用陶瓷生片之步驟。
於上述轉動步驟中，為了使呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片相互間之間隔呈擴寬之狀態，而將呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片黏貼於具有擴張性之黏接片上，且於該狀態下，實施將黏接片進行擴張之步驟。
本發明之積層陶瓷電子零件之製造方法之第二態樣之特徵在於，包括：製作母板之步驟，該母板包括被積層之複數個陶瓷生片、以及沿著陶瓷生片之間之複數個界面而分別配置之內部電極圖案；第一切斷步驟，藉由沿著第一方向之切斷線來切斷母板，而得到複數個棒狀之未加工塊體，上述未加工塊體具有構成為包括處於未加工狀態之複 數個陶瓷層與複數個內部電極之積層構造，並且上述未加工塊體處於在藉由沿著第一方向之切斷線切斷而呈現之切斷側面露出內部電極之狀態；黏貼步驟，對切斷側面黏貼側面用陶瓷生片，從而形成未加工之陶瓷保護層；第二切斷步驟，藉由沿著與第一方向正交之第二方向之切斷線切斷形成有未加工之陶瓷保護層之棒狀之未加工塊體，從而得到複數個未加工之零件本體；以及燒製未加工之零件本體之步驟；經過第一切斷步驟而得到之複數個棒狀之未加工塊體，呈按特定方向排列之狀態，於黏貼步驟之前，實施使呈按特定方向排列之狀態之複數個棒狀之未加工塊體相互間之間隔呈擴寬之狀態下，使複數個棒狀之未加工塊體轉動，由此，將複數個棒狀之未加工塊體各自之切斷側面一齊作為開放面之轉動步驟，黏貼步驟包括：於被作為開放面之棒狀之未加工塊體之切斷側面黏貼側面用陶瓷生片之步驟。
於本發明之第二態樣，較佳為，於上述轉動步驟中，為了使呈按特定方向排列之狀態之複數個棒狀之未加工塊體相互間之間隔呈擴寬之狀態，而將呈按特定方向排列之狀態之複數個棒狀之未加工塊體黏貼於具有擴張性之黏接片上，且於該狀態下，實施將黏接片進行擴張之步驟。
於本發明中，較佳為，進而包括於側面用陶瓷生片與未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面之間賦予黏接劑之步驟。
此外，於上述黏貼步驟中，較佳為，於黏貼用彈性體上 放置側面用陶瓷生片，以使黏貼用彈性體彈性變形之程度之力，將未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面按壓於側面用陶瓷生片，接著，於使側面用陶瓷生片附著於切斷側面之狀態下，將未加工晶片或棒狀之未加工塊體自黏貼用彈性體分離開。
於上述較佳之實施方式中，側面用陶瓷生片更佳為具有大於未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面之尺寸，將未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面按壓於側面用陶瓷生片時，藉由未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面之周邊來打穿上述側面用陶瓷生片。
此外，於本發明中，於側面用陶瓷生片具有大於未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面之尺寸之情形時，於上述黏貼步驟之後，進而實施去除側面用陶瓷生片之除了黏貼於未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面之部分以外之不需要部分之步驟。
本發明較佳為進而包括：於未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面黏貼側面用陶瓷生片而形成有未加工之陶瓷保護層之後，為了提高未加工晶片或棒狀之未加工塊體與未加工之陶瓷保護層之黏接性，而以200℃以下之溫度將其等相互進行加熱壓接之步驟。
本發明之積層陶瓷電子零件之製造方法亦可進而實施：以與特定之內部電極電性連接之方式，於零件本體之特定之面上形成外部電極之步驟。
本發明之積層陶瓷電子零件之製造方法之第三態樣之特 徵在於，包括：製作母板之步驟，上述母板包括被積層之複數個陶瓷生片、以及沿著陶瓷生片之間之複數個界面而分別配置之內部電極圖案；及切斷步驟，藉由沿著相互正交之第一方向之切斷線以及第二方向之切斷線切斷母板，而得到複數個未加工晶片，上述未加工晶片具有構成為包括處於未加工狀態之複數個陶瓷層與複數個內部電極之積層構造，並且上述未加工晶片處於在藉由沿著第一方向之切斷線切斷而呈現之切斷側面露出內部電極之狀態；經過切斷步驟而得到之複數個未加工晶片，呈按行及列方向排列之狀態，於切斷步驟之後，進而包括使呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片相互間之間隔呈擴寬之狀態下，使複數個未加工晶片轉動，由此，將複數個未加工晶片各自之切斷側面一齊作為開放面之轉動步驟。
根據本發明，由於在處理藉由切斷母板而得到之呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片或按特定方向排列之複數個棒狀之未加工塊體時，實施使呈排列之狀態之複數個未加工晶片或棒狀之未加工塊體相互間之間隔呈擴寬之狀態下，使複數個未加工晶片或棒狀之未加工塊體轉動，由此，將複數個未加工晶片或棒狀之未加工塊體各自之切斷側面一齊作為開放面之轉動步驟，因此能夠降低會對未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面產生所不希望之外力之可能性。因此，積層用陶瓷生片變薄，由此，即使相互異極之內部電極之間之距離縮短，亦能夠難以產 生短路。
此外，根據本發明之第一態樣，於作為開放面之未加工晶片之切斷側面黏貼側面用陶瓷生片，來形成未加工之陶瓷保護層之黏貼步驟，係對呈按行及列方向排列之狀態之、朝向使各自之切斷側面一齊成為開放面之方向之複數個未加工晶片一併實施的，因此，與對第二態樣之棒狀之未加工塊體實施黏貼步驟之情況相同，能夠有效率地進行黏貼步驟，並且，能夠使未加工晶片間之未加工之陶瓷保護層之厚度之偏差難以產生。
於本發明中，若於側面用陶瓷生片與未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面之間賦予黏接劑，則能夠提高側面用陶瓷生片與未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面之間之黏接性。因此，即使實施用於提高黏接性之加熱步驟，亦不需要那麼提高其加熱溫度。因此，能夠使由於加熱引起之側面用陶瓷生片以及未加工晶片或棒狀之未加工塊體之不希望之變形難以產生。
於本發明中，若於未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面黏貼側面用陶瓷生片來形成未加工之陶瓷保護層之後，以200℃以下之溫度將其等相互加熱壓接，則能夠抑制由於加熱產生之未加工晶片或棒狀之未加工塊體之不希望之變形，並且提高未加工晶片或棒狀之未加工塊體與未加工之陶瓷保護層之黏接性。
以下，於說明用於實施本發明之方式時，作為積層陶瓷 電子零件而例示積層陶瓷電容器。
圖1至圖16係用於說明本發明之第一實施方式之圖。
首先，如圖1所示，積層陶瓷電容器11具有零件本體12。零件本體12於圖2中單獨表示。零件本體12具有：相互對向之一對主面13及14；相互對向之一對側面15及16；及相互對向之一對端面17及18，且呈長方體狀或大致長方體狀。
於說明零件本體12之詳細情況時，亦參照表示為了得到零件本體12所準備之未加工晶片19之外觀之圖3。再者，零件本體12，如自後面之說明所明確般，相當於於圖3所示之未加工晶片19之相互對向之一對之側面(以下，稱為「切斷側面」)20及21上，燒製分別形成未加工之陶瓷保護層22及23而得到的。於以後之說明中，將自燒製後之零件本體12中之未加工晶片19得來之部分稱為積層部24。
零件本體12中之積層部24具有積層構造，該積層構造構成為具有：於主面13及14之方向延伸並且於與主面13及14正交方向上積層之複數個陶瓷層25；及沿陶瓷層25之間之界面形成之複數對第一及第二內部電極26及27。此外，零件本體12具有以分別分配到其側面15及16之方式配置於積層部24之切斷側面20及21上之一對陶瓷保護層22及23。陶瓷保護層22及23，較佳為相互厚度相同。
再者，於圖1等中，雖然明確地圖示有積層部24與陶瓷保護層22及23之各個邊界，但明確地圖示邊界係為了便於說明，實際上，如此之邊界係不會明確顯現的。
第一內部電極26與第二內部電極27隔著陶瓷層25相互對向。基於該對向而會顯現電特性。即，於該積層陶瓷電容器11之情形時，會形成靜電電容。
第一內部電極26具有於零件本體12之第一端面17處露出之露出端，第二內部電極27具有於零件本體12之第二端面18處露出之露出端。然而，由於配置有上述陶瓷保護層22及23，因此內部電極26及27於零件本體12之側面15及16處不露出。
積層陶瓷電容器11進而具有外部電極28及29，其以與內部電極26及27之各自之露出端分別電性連接之方式分別形成於零件本體12之至少一對端面17及18上。
作為用於內部電極26及27之導電材料，例如，能夠使用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。
作為構成陶瓷層25與陶瓷保護層22及23之陶瓷材料，例如，能夠使用將BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等作為主成分之電介質陶瓷。
構成陶瓷保護層22及23之陶瓷材料，較佳為至少主成分與構成陶瓷層25之陶瓷材料相同。於此情形時，最佳為，陶瓷層25與陶瓷保護層22及23雙方使用相同組成之陶瓷材料。
再者，本發明亦能夠適用於積層陶瓷電容器以外之積層陶瓷電子零件。於積層陶瓷電子零件例如係壓電零件之情形時，使用PZT系陶瓷等壓電體陶瓷，於係熱敏電阻之情形時，使用尖晶石系陶瓷等半導體陶瓷。
外部電極28及29，如上所述，雖然分別形成於零件本體12之至少一對端面17及18上，但於該實施方式中，具有繞入至主面13及14與側面15及16之各一部分之部分。
外部電極28及29，雖然未圖示，但較佳為由基底層與形成於基底層上之鍍層構成。作為用於基底層之導電材料，例如，能夠使用Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。基底層可藉由採用於未燒製之零件本體12上塗敷導電性糊膏而與零件本體12同時燒製之共燒(co-firing)法來形成，亦可藉由採用於燒製後之零件本體12上塗敷導電性糊膏而焙燒之後燒製(post firing)法來形成。或者，基底層可以藉由直接鍍敷來形成，亦可藉由使包含熱硬化性樹脂之導電性樹脂硬化來形成。
形成於基底層上之鍍層，較佳為鍍Ni以及於其上鍍Sn之兩層構造。
接著，進而一面參照圖4至圖16，一面針對上述積層陶瓷電容器11之製造方法進行說明。
首先，如圖4表示其一部分般，準備應成為陶瓷層25之積層用陶瓷生片31。更詳細而言，準備含有陶瓷粉末、黏接劑及溶劑之陶瓷漿料，於未圖示之承載膜上，使用直接塗敷、凹版塗敷、微型凹版塗敷等，來成形為薄片狀，由此得到積層用陶瓷生片31。積層用陶瓷生片31之厚度，較佳為3μm以下。
接著，同樣如圖4所示，於積層用陶瓷生片31上，以特定圖案來印刷導電性糊膏。由此，得到形成應分別成為內 部電極26及27之內部電極圖案32之積層用陶瓷生片31。更具體而言，於積層用陶瓷生片31上，形成複數行帶狀之內部電極圖案32。內部電極圖案32之厚度，較佳為1.5μm以下。
於圖5中，圖示有帶狀之內部電極圖案32延伸之長邊方向(圖5之左右方向)之切斷線33以及與此正交之寬度方向(圖5之上下方向)之切斷線34之各一部分。帶狀之內部電極圖案32中，兩部分之內部電極26及27用各自之引出部相互進行了連結，且具有沿長邊方向連接之形狀。再者，圖5與圖4相比被放大。
接著，將如上所述地形成有內部電極圖案32之積層用陶瓷生片31，如圖5(A)與(B)所示，沿寬度方向以每次錯開特定間隔，即以每次錯開內部電極圖案32之寬度方向尺寸之一半之方式積層特定片數，且於其上下將未印刷導電性糊膏之成為外層之積層用陶瓷生片積層特定片數。由於圖5(A)及(B)中共同圖示出切斷線33及34，因此若對照圖5(A)與(B)，則容易理解積層用陶瓷生片31之積層時之錯開方法。
上述積層步驟之結果係，得到圖6(1)所示之母板35。於圖6中，以虛線表示位於母板35之內部之最上面之內部電極圖案32或內部電極26。
接著，母板35藉由靜水壓衝壓機等裝置向積層方向擠壓。
接著，母板35沿相互正交之第一方向之切斷線34以及第 二方向之切斷線33被切斷，如圖6(1)所示，得到呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片19。該切斷適用切割、壓切、雷射切割等。再者，於圖6(1)等之附圖中，由於附圖製作上之問題，故而一個母板35雖然被設定為從中能取出六個未加工晶片19之尺寸，但實際上被設定為能取出更多個未加工晶片19之尺寸。
各未加工晶片19，如圖3單獨所示，具有構成為包括處於未加工狀態之複數個陶瓷層25與複數個內部電極26及27之積層構造。未加工晶片19之切斷側面20及21，係藉由沿著第一方向之切斷線34之切斷而呈現之面，端面36及37係藉由第二方向之切斷線33之切斷而呈現之面。此外，於切斷側面20及21，露出內部電極26及27之全部。此外，於一個端面36上，僅露出第一內部電極26，於另一個端面37上，僅露出第二內部電極27。
如圖6(1)所示，呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片19，被黏貼於具有擴張性之黏接片38上。而且，黏接片38藉由未圖示之擴張裝置，以如箭頭39所示之方式擴張。由此，如圖6(2)所示，呈按行及列排列之狀態之複數個未加工晶片19，被設為擴寬了相互之間之間隔之狀態。
此時，於後面所實施之轉動步驟中，以複數個未加工晶片19相互之間不會相碰而能夠順利轉動之程度來擴張黏接片38。雖然要基於未加工晶片19之尺寸，但作為一個示例，黏接片38被擴張為原來尺寸之160%左右。
作為上述黏接片38，例如，採用包含氯化乙烯樹脂、用丙烯系黏接劑形成黏接層之黏接片。該黏接片38具有一旦被擴張就不會完全恢復回原來形態之可塑性。因此，被擴張後之黏接片38易於操縱。例如，藉由切斷母板35而得到複數個未加工晶片19之後，由於未加工晶片19所含有之黏接劑，有可能會使相鄰之未加工晶片19之切斷側面20及21彼此之間或端面36及37彼此之間再黏接，但黏接片38一旦被擴張，就不會完全恢復回原來之形態，故而切斷側面20及21彼此之間或端面36及37彼此之間不會接觸，因此，能夠避免再黏接之類之情形。
接著，使複數個未加工晶片19旋轉，由此，實施將複數個未加工晶片19各自之第一切斷側面20一齊作為開放面之轉動步驟。
因此，如圖7(1)所示，複數個未加工晶片19與黏接片38一起被放置於支撐台40上，另一方面，轉動作用板41被置於相對於未加工晶片19能自上方進行作用之狀態。支撐台40以及轉動作用板41，較佳為由矽橡膠構成。
接著，支撐台40相對於轉動作用板41向箭頭42方向移動。由此，如圖7(2)所示，複數個未加工晶片19一齊旋轉90度，並將其第一切斷側面20設定為朝向上方之狀態。若於該狀態下去除旋轉作用板41，則第一切斷側面20會成為開放面。
再者，為了更順利地產生上述未加工晶片19之轉動，亦可於將未加工晶片19自黏接片38轉移到黏接性橡膠片上之 後進行轉動操作。於此情形時，黏接性橡膠片較佳為彈性率於50MPa以下且厚度為5mm以下。
接著，根據需要，如圖8所示，實施於成為開放面之未加工晶片19之第一切斷側面20上塗敷黏接劑43之黏接劑塗敷步驟。黏接劑43可係單一成分，亦可於溶劑中溶解樹脂，進而，亦可為於其中分散有陶瓷粒子之糊膏。
為了塗覆黏接劑43，而準備圖8及圖9所示之塗敷板44。 塗敷板44具有與未加工晶片19之切斷側面20抵接之塗敷面45，於塗敷面上，形成有用於保持黏接劑43之凹部46，於凹部46中，填充有黏接劑43。於該實施方式中，凹部46如圖9所示，由複數個槽形成。
為了實施黏接劑塗敷步驟，如圖8所示，實施：使未加工晶片19之切斷側面20與塗敷板44之塗敷面45抵接，並且使填充於凹部46中之黏接劑43接觸之步驟；以及使未加工晶片19自塗敷板44離開，並使填充於凹部46中之黏接劑43轉移到未加工晶片19之切斷側面20之步驟。於此情形時，亦藉由毛細管現象等作用，於未加工晶片19之切斷側面20整個面上塗敷黏接劑43，另一方面，於切斷側面20以外之面上不賦予黏接劑43。黏接劑43之塗敷厚度能夠藉由凹部46之寬度、厚度或排列間距、或黏接劑43之黏度等來調整。
接著，如圖10所示，實施以下黏貼步驟，於成為開放面之未加工晶片19之第一切斷側面20黏貼側面用陶瓷生片47來形成未加工之第一陶瓷保護層22。針對側面用陶瓷生片 47，與上述之積層用陶瓷生片31之情況相同，準備含有陶瓷粉末、黏接劑及溶劑之陶瓷漿料，該陶瓷漿料於未圖示之承載膜上，藉由使用直接塗敷、凹版塗敷、微型凹版塗敷等，以片狀成形而得到。
更詳細而言，首先，如圖10(1)所示，以與未加工晶片19之第一切斷側面20對向之狀態，配置側面用陶瓷生片47。側面用陶瓷生片47被置於黏貼用彈性體48上，黏貼用彈性體48被置於固定台49上。於該階段，側面用陶瓷生片47較佳為未由承載膜進行補強。側面用陶瓷生片47具有比未加工晶片19之第一切斷側面20大之尺寸。
再者，上述黏接劑塗敷亦可不對未加工晶片19實施，而應用例如噴霧法，對側面用陶瓷生片47實施。當然，亦可對未加工晶片與側面用陶瓷生片47兩者塗敷黏接劑。
接著，未加工晶片19靠近側面用陶瓷生片47，如圖10(2)所示，黏貼用彈性體48以彈性變形程度之力，使未加工晶片19之第一切斷側面20被按壓於側面用陶瓷生片47。 此時，較佳為，側面用陶瓷生片47藉由使來自未加工晶片19之切斷側面20之周邊之切斷力起作用，以切斷側面20之尺寸被打穿。於該打穿步驟中，雖然不需要特別加熱，但於被加熱之情形時，為了防止尚未完成打穿而側面用陶瓷生片47就被壓壞，而將溫度設定於使側面用陶瓷生片47軟化之轉化點以下之溫度。
上述之切斷力藉由向黏貼用彈性體48壓入未加工晶片19而產生。此時，未加工晶片19之稜線部處於保持結束圖6 所示之切斷步驟之狀態，即，處於未進行基於滾筒研磨之倒角之狀態，故而有銳利凸起，因此，能夠使切斷力集中於側面用陶瓷生片47之打穿部分。因此，能夠順利地進行側面用陶瓷生片47之打穿。
如上所述，側面用陶瓷生片47未由承載膜進行補強，因而能夠容易地進行其打穿。於此情形時，側面用陶瓷生片47之厚度較佳為10~50μm。若厚度小於10μm，則由於未由承載膜進行補強，因此會過軟，其操縱變得困難，另一方面，若厚度超過50μm，則打穿變得困難。
為了將上述之打穿進行得更順利，較佳為側面用陶瓷生片47之斷裂強度為1MPa以上且50MPa以下，斷裂應變為50%以下。此外，未加工晶片19之對黏貼用彈性體48之壓入量，較佳為設為未加工晶片19之厚度方向(圖10之左右方向)上之相鄰之未加工晶片19之間之間隔之一半以下。 若該壓入量過多，則對未加工晶片19帶來損傷。
此外，較佳為黏貼用彈性體48之彈性率為50MPa以下，厚度為5mm以下。側面用陶瓷生片47相對於黏貼用彈性體48之彈性率越低，越對未加工晶片19之切斷側面20之周邊部分易於施加切斷力，因此，能夠更難產生被打穿之側面用陶瓷生片47之缺損或毛刺，或者未加工晶片19之切斷側面20之周邊部分之破裂。
於未加工晶片19對側面用陶瓷生片47進行打穿時，不僅壓入一次，亦可複數次重複於側面用陶瓷生片47之彈性變形區域之壓入。藉由如此之方法，能夠抑制側面用陶瓷生 片47之塑性變形，因此，能夠降低因打穿後之側面用陶瓷生片47之不需要部分47a所引起之未加工晶片19之緊固力。該緊固力之降低，使得於此後要實施之自黏貼用彈性體48分離開圖10(3)所示之未加工晶片19之步驟中，容易除去側面用陶瓷生片47之不需要部分47a。
再者，於側面用陶瓷生片47之黏貼步驟中，亦可藉由以不產生因該側面用陶瓷生片47之可塑性增大而引起不希望之變形之程度進行加熱，使側面用陶瓷生片47與未加工晶片19之黏接性提高。
為了使側面用陶瓷生片47、或黏貼於該未加工晶片19之陶瓷保護層22之部分以外之不需要部分47a之處理變得容易，亦可於藉由承載膜進行了補強之狀態下處理側面用陶瓷生片47。
接著，如圖10(3)所示，於使側面用陶瓷生片47之成為陶瓷保護層22之部分附著於第一切斷側面20之狀態下，使未加工晶片19自黏貼用彈性體48分開。此時，打穿後之側面用陶瓷生片47之不需要部分47a殘留於黏貼用彈性體48側。如此，由於在黏貼用彈性體48側殘留不需要部分47a，故而不需要部分47a必須被固定於黏貼用彈性體48，該固定可以係基於不需要部分47a整體之黏接之固定，亦可係僅於未加工晶片19之排列區域之周圍部分之固定，亦可係於各個未加工晶片19之各個周圍部分之固定。
此外，為了容易地進行圖10(3)所示之側面用陶瓷生片47之不需要部分47a之去除，亦可應用如圖11所示之輥剝 離。即，不需要部分47a一面以輥狀捲入其端部，一面自未加工晶片19去除。
如上所述，隔著黏接片38由支撐台40所支撐之複數個未加工晶片19，被設為於其第一切斷側面20形成未加工之第一陶瓷保護層22之狀態。
再者，側面用陶瓷生片47亦可設為以不具有大於未加工晶片19之切斷側面之尺寸而具有與切斷側面20相同之尺寸之方式預先切斷後實施黏貼步驟。
接著，如圖12所示，準備保持於固定台51之壓接用彈性體52。如上所述，於第一切斷側面20形成未加工之第一陶瓷保護層22之後，為了提高未加工晶片19與未加工之陶瓷保護層22之黏接性，將未加工晶片19之陶瓷保護層22側壓入壓接用彈性體52，實施壓接步驟。此時，以200℃以下之溫度，較佳為以側面用陶瓷生片47軟化之轉化點以下之溫度加熱，以使於未加工晶片19以及側面用陶瓷生片47不產生所不希望之變形或開裂。壓接用彈性體52之彈性率，較佳為比側面用陶瓷生片47硬、比未加工晶片19軟之彈性率，例如為50MPa以下、厚度為5mm以下。
接著，實施與參照圖7說明之步驟相同之轉動步驟。 即，實施使複數個未加工晶片19轉動，由此，將複數個未加工晶片19各自之第二切斷側面21一齊作為開放面之轉動步驟。
因此，如圖13(1)所示，將轉動作用板41置於對隔著黏接片38由支撐台40所支撐之複數個未加工晶片19能夠自上 方進行作用之狀態。
接著，相對於轉動作用板41向箭頭53方向移動支撐台40。由此，重複兩次將複數個未加工晶片19一齊旋轉90度之動作，如圖13(2)所示，使複數個未加工晶片19處於將各自之第二切斷側面21朝向上方之狀態。若於該狀態下去除了轉動作用板41，則第二切斷側面21成為開放面。
圖14表示經過參照圖13說明之步驟而得到之狀態。即，表示複數個未加工晶片19一面隔著第一陶瓷保護層22來黏接於黏接片38，一面由支撐台40保持之狀態，將未加工晶片19之第二切斷側面21朝向下方之狀態。
於圖14所示之狀態下，對未加工晶片19之第二切斷側面21實施上述黏接劑塗敷步驟、側面用陶瓷生片黏貼步驟以及壓接步驟。由此，如圖15所示，複數個未加工晶片19隔著黏接片38由支撐台40支撐，並且兩次黏貼步驟之結果係，得到處於分別於未加工晶片19之第一及第二切斷側面20及21形成有未加工之第一及第二陶瓷保護層22及23之狀態之未加工之零件本體12。
再者，針對壓接步驟，僅於形成第二陶瓷保護層23之後實施，亦可針對第一及第二陶瓷保護層22及23兩者實施一次加熱壓接。
接著，複數個未加工之零件本體12與黏接片38一起自支撐台40被卸下之後，如圖16所示，藉由自未加工之零件本體12剝離黏接片38，而回收未加工之零件本體12。於該步驟中，藉由使未加工之零件本體12呈自黏接片38垂下之狀 態，且將刀刃54自上方壓觸黏接片38，而使黏接片38彎曲為向下方突出。未加工之零件本體12藉由彎曲黏接片38，而被自黏接片38剝離，向下方落下，被回收。
接著，燒製未加工之零件本體12。燒製溫度雖然亦取決於積層用陶瓷生片31以及陶瓷保護層22及23所含有之陶瓷材料或內部電極26及27所含有之金屬材料，但例如可選擇於900~1300℃之範圍內。上述之側面用陶瓷生片47於燒製前厚度例如為25~40μm，於燒製後，其厚度收縮為20~30μm左右。
接著，對燒製後之零件本體12之兩端面17以及18塗敷導電性糊膏，進行烘烤，進而，根據需要實施鍍敷，藉此形成外部電極28以及29。再者，導電性糊膏之塗敷係對未加工之零件本體12實施，於燒製未加工之零件本體12時，亦可同時進行導電性糊膏之烘烤。
如此，完成圖1所示之積層陶瓷電容器11。
以上，雖然與特定之實施方式關聯地說明了本發明，但於本發明之範圍內，可有其它各種變形例。
例如，針對圖8、圖9所示之塗敷板44，可有如下之變形例。圖17以及圖18，分別表示塗敷板之第一以及第二變形例。於圖17及18中，對相當於圖8以及圖9所示之要素賦予相同之參照符號，省略重複之說明。
圖17所示之塗敷板44a具有與未加工晶片之切斷側面抵接之塗敷面45，於該塗敷面45上，形成有平面形狀例如呈圓形之複數個凹部46。複數個凹部46於塗敷面45中大致分 佈為等間隔。於凹部46中填充有黏接劑43。
圖18所示之塗敷板44b雖然具有與未加工晶片之切斷側面抵接之塗敷面45，但該塗敷面45由平面形狀例如呈圓形之複數個凸部之上面來形成。複數個凸部分佈於塗敷板44b之面方向上，凸部以外之部分被作為凹部46。於凹部46中填充有黏接劑43。
此外，內部電極以及內部電極圖案例如亦能夠如下進行變更。圖19係與圖3對應之圖，係表示未加工晶片19a之外觀之立體圖，圖20係與圖5對應之圖，係表示為了得到圖19所示之未加工晶片19a而準備之形成有內部電極圖案32a之積層用陶瓷生片31a之平面圖。
如圖19所示，未加工晶片19a具有積層構造，該積層構造具有處於未加工狀態之複數個陶瓷層25a與複數個內部電極26a及27a。第一內部電極26a與第二內部電極27a於積層方向上交替配置。
另一方面，如圖20所示，於積層用陶瓷生片31a上所形成之內部電極圖案32a具有網狀，且具有作為內部電極26a之主要部分之應成為對向部之部分與作為內部電極27a之主要部分之應成為對向部之部分於上下方向交替連結且連接之方式。
於圖20中，圖示有：第一方向即左右方向之切斷線34a、以及相對於其正交之第二方向即上下方向之切斷線33a。於上述未加工晶片19a中，切斷側面20a及21a係藉由沿著第一方向之切斷線34a之切斷而呈現之面，端面36a及 37a係藉由第二方向之切斷線33a之切斷而呈現之面。於切斷面20a及21a，露出有內部電極26a及27a之全部。此外，於一個端面36a，僅露出第一內部電極26a，於另一個端面37a，僅露出第二內部電極27a。
於圖20所示之網狀之內部電極圖案32a中，於未形成內部電極圖案之上下方向以交錯狀(千鳥狀)配置長邊之八角形狀之空孔部65。內部電極26a及27a之應成為引出部之部分位於在上下方向相鄰之空孔部65之間。
於對積層用陶瓷生片31a進行積層時，如圖20(A)、圖20(B)所示，使積層用陶瓷生片31a一面以每次將內部電極圖案32a於左右方向上錯開空孔部65之左右方向之間隔量之方式錯開，一面積層。
由上述積層所得到之母板，沿圖20所示之切斷線33a及34a被切斷，得到如圖19所示之未加工晶片19a。各個第二方向之切斷線33a定位為於左右方向上將空孔部65二等分，第一方向之切斷線34a定位為其兩條線橫切一個空孔部65。
於參照圖19以及圖20來說明之實施方式中，內部電極26a及27a之各個引出部，具有比各個對向部更窄之寬度，並且以一定之寬度而延伸。此外，於對向部之與引出部連接之區域，寬度逐漸變窄，以使與引出部之寬度變成相等。
於上述實施方式中，能夠藉由變更空孔部65之形狀，而對內部電極26a及27a之引出部以及與它相連之對向部之端 部之形狀進行各種變更。例如，亦能夠將空孔部65之形狀變更為長方形。
此外，於上述之實施方式中，雖然實施了自母板35沿著圖5所示之各個切斷線33以及34之切斷步驟，從而得到複數個未加工晶片19，然後，實施了對切斷側面20及21黏貼側面用陶瓷生片47之步驟，但亦能夠如下進行變更。
即，得到母板35之後，首先實施如下第一切斷步驟：藉由僅沿圖5所示之第一方向之切斷線34切斷母板35，而得到處於在藉由沿著第一方向之切斷線34之切斷而呈現之切斷側面20及21露出了內部電極26及27之狀態之複數個棒狀之未加工塊體。
接著，藉由參照圖7至圖15對棒狀之未加工塊體，實施與上述黏貼步驟及轉動步驟實質上相同之黏貼步驟及轉動步驟，而於切斷側面20及21黏貼側面用陶瓷生片47，且於棒狀之未加工塊體上形成未加工之陶瓷保護層22以及23。
接著，實現如下第二切斷步驟，即：藉由沿著與上述第一方向正交之第二方向之切斷線33來切斷形成有未加工之陶瓷保護層22及23之棒狀之未加工塊體，而得到複數個未加工之零件本體12。
之後，與上述之實施方式之情況相同，燒製未加工之零件本體12，實施以後相同之步驟，藉此完成積層陶瓷電容器11。
1‧‧‧第一內部電極
2‧‧‧第二內部電極
3‧‧‧第一陶瓷生片
4‧‧‧第二陶瓷生片
5、6‧‧‧保護區域
11‧‧‧積層陶瓷電容器
12‧‧‧零件本體
13、14‧‧‧主面
15、16‧‧‧側面
17、18、36、36a、37、37a‧‧‧端面
19、19a‧‧‧未加工晶片
20、20a、21、21a‧‧‧未加工晶片之切斷側面
22、23‧‧‧陶瓷保護層
24‧‧‧積層部
25、25a‧‧‧陶瓷層
26、26a、27、27a‧‧‧內部電極
28、29‧‧‧外部電極
31、31a‧‧‧積層用陶瓷生片
32、32a‧‧‧內部電極圖案
33、33a、34、34a‧‧‧切斷線
35‧‧‧母板
38‧‧‧黏接片
39、42、53‧‧‧箭頭
40‧‧‧支撐台
41‧‧‧轉動作用板
43‧‧‧黏接劑
44、44a、44b、44c‧‧‧塗敷板
45‧‧‧塗敷面
46‧‧‧凹部
47‧‧‧側面用陶瓷生片
47a‧‧‧不需要部分
48‧‧‧黏貼用彈性體
49、51‧‧‧固定台
52‧‧‧壓接用彈性體
54‧‧‧刀刃
65‧‧‧空孔部
圖1係用於說明本發明之第一實施方式，表示作為利用 本發明之製造方法而得到之積層陶瓷電子零件之一個示例之積層陶瓷電容器11之外觀之立體圖。
圖2係表示圖1所示之積層陶瓷電容器11具有之零件本體12之外觀之立體圖。
圖3係表示為了得到圖2所示之零件本體12而準備之未加工晶片(green chip)19之外觀之立體圖。
圖4係表示為了得到圖3所示之未加工晶片19所準備之形成有內部電極圖案32之積層用陶瓷生片31之平面圖。
圖5(A)、(B)係用於說明一面將圖4所示之積層用陶瓷生片31錯開特定間隔、一面進行積層之步驟之平面圖，與圖4相比進行了放大表示。
圖6(1)係表示切斷由使用圖5說明之積層步驟所得到之母板(mother block)35而得到之複數個未加工晶片19之平面圖，(2)係表示對於(1)中呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片19相互之間之間隔進行了擴寬之狀態之平面圖。
圖7(1)、(2)係用於說明使圖6(2)所示狀態之複數個未加工晶片19轉動之轉動步驟之圖，係自未加工晶片19之端面方向表示之圖。
圖8係用於說明圖7所示之轉動步驟之結果，於作為開放面之未加工晶片19之第一切斷側面20塗敷黏接劑43之步驟之圖，係自未加工晶片19之主面方向表示之圖。
圖9係圖8所示之塗敷板44之平面圖。
圖10(1)~(3)係用於說明於未加工晶片19之第一切斷側面 20黏貼側面用陶瓷生片47來形成未加工之第一陶瓷保護層22之黏貼步驟之圖，係自生片19之端面方向表示之圖。
圖11係自未加工晶片19之端面方向表示藉由輥剝離來去除了圖10(3)所示之側面用陶瓷生片47之不需要部分47a之狀態之圖。
圖12係自未加工晶片19之端面方向表示於第一切斷側面20形成未加工之第一陶瓷保護層22之後，未加工晶片19之將陶瓷保護層22側壓入壓接用彈性體52之壓接步驟之圖。
圖13(1)、(2)係用於說明圖12所示之壓接步驟之後，使複數個未加工晶片19再次轉動之轉動步驟之圖，係自未加工晶片19之端面方向表示之圖。
圖14係自未加工晶片19之端面方向表示經過圖13所示之轉動步驟所得到之狀態，即複數個未加工晶片19一面隔著第一陶瓷保護層22與黏接片38黏接，一面由支撐台40保持之狀態之圖。
圖15係於圖14所示之狀態下，自其端面方向表示再次實施黏接劑塗敷步驟、側面用陶瓷生片黏貼步驟以及壓接步驟之後得到之處於在未加工晶片19之第一及第二切斷側面20及21之各個上形成未加工之第一及第二陶瓷保護層22及23之狀態之未加工之零件本體12之圖。
圖16係自未加工之零件本體12之端面方向表示自圖15所示之黏接片38回收未加工之零件本體12之步驟之圖。
圖17係用於說明本發明之第二實施方式之圖，係表示作為第一變形例之塗敷板44a之平面圖。
圖18係用於說明本發明之第三實施方式之圖，係表示作為第二變形例之塗敷板44b之平面圖。
圖19係用於說明本發明之第四實施方式之圖，係表示未加工晶片19a之外觀之立體圖。
圖20(A)、(B)係表示為了得到圖19所示之未加工晶片19a所準備之形成了內部電極圖案32a之積層用陶瓷生片31a之平面圖。
圖21(A)、(B)係用於說明先前之積層陶瓷電容器之一般之製造方法之圖，係表示形成有第一內部電極1之第一陶瓷生片3與形成有第二內部電極2之第二陶瓷生片4之平面圖。
19‧‧‧未加工晶片
20、21‧‧‧未加工晶片之切斷側面
22‧‧‧陶瓷保護層
38‧‧‧黏接片
41‧‧‧轉動作用板
47‧‧‧側面用陶瓷生片
47a‧‧‧不需要部分
48‧‧‧黏貼用彈性體
49‧‧‧固定台

Claims (10)

  1. 一種積層陶瓷電子零件之製造方法，其包括：製作母板之步驟，上述母板包括經積層之複數個陶瓷生片、以及沿著上述陶瓷生片之間之複數個界面而分別配置之內部電極圖案；切斷步驟，藉由沿著相互正交之第一方向之切斷線以及第二方向之切斷線來切斷上述母板，而得到複數個未加工晶片，上述未加工晶片具有構成為包括處於未加工狀態之複數個陶瓷層與複數個內部電極之積層構造，並且上述未加工晶片處於在藉由沿著上述第一方向之切斷線切斷而呈現之切斷側面露出上述內部電極之狀態；黏貼步驟，藉由於上述切斷側面黏貼側面用陶瓷生片來形成未加工之陶瓷保護層，從而得到未加工之零件本體；以及燒製上述未加工之零件本體之步驟；經過上述切斷步驟而得到之複數個上述未加工晶片，呈按行及列方向排列之狀態，於上述黏貼步驟之前，實施於使呈按行及列方向排列之狀態之複數個上述未加工晶片相互間之間隔呈擴寬之狀態下，使複數個上述未加工晶片轉動，由此，使複數個上述未加工晶片各自之上述切斷側面一齊成為開放面之轉動步驟，上述黏貼步驟包括：於被作為上述開放面之上述未加工晶片之上述切斷側面黏貼上述側面用陶瓷生片之步 驟；於黏貼用彈性體上放置上述側面用陶瓷生片之步驟；以使上述黏貼用彈性體彈性變形之程度之力，將上述切斷側面按壓於上述側面用陶瓷生片之步驟；以及於使上述側面用陶瓷生片附著於上述切斷側面之狀態下，將上述未加工晶片自上述黏貼用彈性體分離開之步驟；一上述黏貼用彈性體係視各個晶片形狀而壓縮變形。
  2. 如請求項1之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中於上述轉動步驟中，為了使呈按行及列方向排列之狀態之複數個上述未加工晶片相互之間之間隔呈擴寬之狀態，而將呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片黏貼於具有擴張性之黏接片上，且於該狀態下，實施將黏接片進行擴張之步驟。
  3. 一種積層陶瓷電子零件之製造方法，其包括：製作母板之步驟，上述母板包括經積層之複數個陶瓷生片、以及沿著上述陶瓷生片之間之複數個界面而分別配置之內部電極圖案；第一切斷步驟，藉由沿著第一方向之切斷線切斷上述母板，而得到複數個棒狀之未加工塊體，上述未加工塊體具有構成為包括處於未加工狀態之複數個陶瓷層與複數個內部電極之積層構造，並且上述未加工塊體處於在藉由沿著上述第一方向之切斷線之切斷而呈現之切斷側面露出上述內部電極之狀態； 黏貼步驟，對上述切斷側面黏貼側面用陶瓷生片，從而形成未加工之陶瓷保護層；第二切斷步驟，藉由沿著與上述第一方向正交之第二方向之切斷線切斷形成有上述未加工之陶瓷保護層之上述棒狀之未加工塊體，而得到複數個未加工之零件本體；以及燒製上述未加工之零件本體之步驟；經過上述第一切斷步驟而得到之複數個上述棒狀之未加工塊體，呈按特定方向排列之狀態，於上述黏貼步驟之前，實施使呈按特定方向排列之狀態之複數個上述棒狀之未加工塊體相互間之間隔呈擴寬之狀態下，使複數個上述棒狀之未加工塊體轉動，由此，將複數個上述棒狀之未加工塊體各自之上述切斷側面一齊作為開放面之轉動步驟，上述黏貼步驟包括：於被作為上述開放面之上述棒狀之未加工塊體之上述切斷側面黏貼上述側面用陶瓷生片之步驟；於黏貼用彈性體上放置上述側面用陶瓷生片之步驟；以使上述黏貼用彈性體彈性變形之程度之力，將上述切斷側面按壓於上述側面用陶瓷生片之步驟；以及於使上述側面用陶瓷生片附著於上述切斷側面之狀態下，將上述棒狀之未加工塊體自上述黏貼用彈性體分離開之步驟；一上述黏貼用彈性體係視各個晶片形狀而壓縮變形。
  4. 如請求項3之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中於上述轉動步驟中，為了使呈按特定方向排列之狀態之複數個上述棒狀之未加工塊體相互間之間隔呈擴寬之狀態，而將呈按特定方向排列之狀態之複數個棒狀之未加工塊體黏貼於具有擴張性之黏接片上，且於該狀態下，實施將黏接片進行擴張之步驟。
  5. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其進而包括於上述側面用陶瓷生片與上述切斷側面之間賦予黏接劑之步驟。
  6. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中上述側面用陶瓷生片具有大於上述切斷側面之尺寸，將上述切斷側面按壓於側面用陶瓷生片之步驟包括：藉由上述切斷側面之周邊來打穿上述側面用陶瓷生片之步驟。
  7. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中上述側面用陶瓷生片具有大於上述切斷側面之尺寸，上述製造方法進而具備：於上述黏貼步驟之後，去除上述側面用陶瓷生片之除了黏貼於上述切斷側面之部分以外之不需要部分之步驟。
  8. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其進而包括：於上述切斷側面黏貼上述側面用陶瓷生片而形成上述未加工之陶瓷保護層之後，為了提高上述未加工晶片與上述未加工之陶瓷保護層之黏接性，而以200℃以下之溫度將上述未加工晶片與上述未加工之 陶瓷保護層相互進行加熱壓接之步驟。
  9. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其進而包括：以與特定之上述內部電極電性連接之方式，於上述零件本體之特定之面上形成外部電極之步驟。
  10. 一種積層陶瓷電子零件之製造方法，其包括：製作母板之步驟，上述母板包括經積層之複數個陶瓷生片、以及沿著上述陶瓷生片之間之複數個界面而分別配置之內部電極圖案；以及切斷步驟，藉由沿著相互正交之第一方向之切斷線以及第二方向之切斷線切斷上述母板，而得到複數個未加工晶片，上述未加工晶片具有構成為包括處於未加工狀態之複數個陶瓷層與複數個內部電極之積層構造，並且上述未加工晶片處於在藉由沿著上述第一方向之切斷線之切斷而呈現之切斷側面露出上述內部電極之狀態；黏貼步驟，藉由於上述切斷側面黏貼側面用陶瓷生片來形成未加工之陶瓷保護層，從而得到未加工之零件本體；經過上述切斷步驟而得到之複數個上述未加工晶片，呈按行及列方向排列之狀態，於上述切斷步驟之後，進而包括使呈按行及列方向排列之狀態之複數個上述未加工晶片相互間之間隔呈擴寬之狀態下，使複數個上述未加工晶片轉動，由此，將複數個上述未加工晶片各自之上述切斷側面一齊作為開放 面之轉動步驟，上述黏貼步驟包括：於被作為上述開放面之上述未加工晶片之上述切斷側面黏貼上述側面用陶瓷生片之步驟；於黏貼用彈性體上放置上述側面用陶瓷生片之步驟；以使上述黏貼用彈性體彈性變形之程度之力，將上述切斷側面按壓於上述側面用陶瓷生片之步驟；以及於使上述側面用陶瓷生片附著於上述切斷側面之狀態下，將上述未加工晶片自上述黏貼用彈性體分離開之步驟；一上述黏貼用彈性體係視各個晶片形狀而壓縮變形。
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Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5195900B2 (ja) * 2010-12-29 2013-05-15 株式会社村田製作所 電子部品製造装置及び電子部品の製造方法
JP5780169B2 (ja) * 2011-03-14 2015-09-16 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP5678905B2 (ja) * 2011-03-14 2015-03-04 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP5879913B2 (ja) * 2011-10-18 2016-03-08 株式会社村田製作所 セラミック電子部品の製造方法
JP5900449B2 (ja) 2012-12-28 2016-04-06 株式会社村田製作所 セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品
JP6131756B2 (ja) * 2013-07-26 2017-05-24 株式会社村田製作所 コンデンサ素子の製造方法
WO2015046042A1 (ja) * 2013-09-26 2015-04-02 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法、及び電子部品の製造装置
JP2015109410A (ja) * 2013-10-25 2015-06-11 株式会社村田製作所 セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法
JP6347152B2 (ja) * 2014-05-22 2018-06-27 株式会社村田製作所 整列装置
US10649497B2 (en) * 2014-07-23 2020-05-12 Apple Inc. Adaptive processes for improving integrity of surfaces
KR102109634B1 (ko) * 2015-01-27 2020-05-29 삼성전기주식회사 파워 인덕터 및 그 제조 방법
JP6298007B2 (ja) * 2015-04-24 2018-03-20 太陽誘電株式会社 チップ貼替装置、電子部品の製造装置、及び電子部品の製造方法
JP6531489B2 (ja) * 2015-05-25 2019-06-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP6346910B2 (ja) * 2015-05-29 2018-06-20 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP6573072B2 (ja) * 2015-08-27 2019-09-11 株式会社村田製作所 フィルム拡張装置およびそれを用いた電子部品の製造方法
JP6597082B2 (ja) * 2015-09-07 2019-10-30 株式会社村田製作所 シート付与装置およびそれを用いた電子部品の製造方法
JP6416744B2 (ja) 2015-12-15 2018-10-31 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP6449826B2 (ja) 2015-12-25 2019-01-09 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法
US10510487B2 (en) 2015-12-25 2019-12-17 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multi-layer ceramic electronic component and method of producing the same
JP6449798B2 (ja) * 2016-01-26 2019-01-09 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法、並びにセラミック素体
JP6426112B2 (ja) * 2016-01-26 2018-11-21 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
US10020117B2 (en) 2016-02-18 2018-07-10 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multi-layer ceramic capacitor and method of producing the same
JP6329978B2 (ja) * 2016-03-02 2018-05-23 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP6490024B2 (ja) * 2016-03-30 2019-03-27 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP6496271B2 (ja) 2016-04-14 2019-04-03 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
KR102538895B1 (ko) * 2016-04-19 2023-06-01 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품의 제조방법 및 적층 세라믹 전자부품
JP2018056464A (ja) 2016-09-30 2018-04-05 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP6745700B2 (ja) 2016-10-17 2020-08-26 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP2018098248A (ja) * 2016-12-08 2018-06-21 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP6828405B2 (ja) * 2016-12-08 2021-02-10 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP2018098247A (ja) * 2016-12-08 2018-06-21 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP6835561B2 (ja) * 2016-12-13 2021-02-24 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP6888324B2 (ja) * 2017-02-23 2021-06-16 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP6984197B2 (ja) * 2017-07-06 2021-12-17 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP6972715B2 (ja) * 2017-07-06 2021-11-24 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP7044534B2 (ja) 2017-12-11 2022-03-30 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP7312809B2 (ja) * 2017-12-26 2023-07-21 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP7150437B2 (ja) * 2018-01-17 2022-10-11 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサの製造方法
JP7109933B2 (ja) 2018-02-09 2022-08-01 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP7122121B2 (ja) * 2018-02-28 2022-08-19 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP7122129B2 (ja) * 2018-03-07 2022-08-19 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
US11049660B2 (en) 2018-03-28 2021-06-29 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multi-layer ceramic electronic component and method of producing the same
JP7125093B2 (ja) * 2018-04-11 2022-08-24 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP7262181B2 (ja) 2018-05-17 2023-04-21 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP7266969B2 (ja) 2018-05-21 2023-05-01 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP7155662B2 (ja) * 2018-06-27 2022-10-19 株式会社村田製作所 チップ型電子部品の製造方法
CN110797191A (zh) * 2018-08-03 2020-02-14 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器及制造多层陶瓷电容器的方法
KR102597153B1 (ko) * 2018-08-03 2023-11-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR102609156B1 (ko) * 2018-08-29 2023-12-04 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR102543977B1 (ko) * 2018-08-09 2023-06-15 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR102620526B1 (ko) * 2018-08-14 2024-01-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR102551219B1 (ko) 2018-08-29 2023-07-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR102662851B1 (ko) 2018-08-29 2024-05-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
JP7304686B2 (ja) * 2018-09-10 2023-07-07 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサの製造方法及び積層セラミックコンデンサ
JP7213644B2 (ja) * 2018-09-12 2023-01-27 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP7103904B2 (ja) 2018-09-26 2022-07-20 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品
JP7328749B2 (ja) 2018-10-24 2023-08-17 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法
KR20200075287A (ko) * 2018-12-18 2020-06-26 삼성전기주식회사 커패시터 부품
KR102632357B1 (ko) * 2018-12-21 2024-02-02 삼성전기주식회사 커패시터 부품
JP2020149996A (ja) 2019-03-11 2020-09-17 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP6858217B2 (ja) * 2019-04-26 2021-04-14 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサの製造方法
JP2020184593A (ja) * 2019-05-09 2020-11-12 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP7292101B2 (ja) 2019-05-20 2023-06-16 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品の製造方法
CN112242245A (zh) 2019-07-16 2021-01-19 太阳诱电株式会社 层叠陶瓷电子部件和层叠陶瓷电子部件的制造方法
JP7488045B2 (ja) 2019-11-27 2024-05-21 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP7484047B2 (ja) 2020-01-28 2024-05-16 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品
JP7432391B2 (ja) 2020-02-28 2024-02-16 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品およびその製造方法
JP7079511B2 (ja) * 2020-04-02 2022-06-02 株式会社クリエイティブコーティングス 電子部品の製造方法
JP7446896B2 (ja) 2020-04-09 2024-03-11 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP7327286B2 (ja) * 2020-06-02 2023-08-16 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP7314861B2 (ja) * 2020-06-02 2023-07-26 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP7143907B2 (ja) * 2021-01-20 2022-09-29 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
CN112979322B (zh) * 2021-02-20 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 陶瓷件及其制作方法
JP2022133553A (ja) 2021-03-02 2022-09-14 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
CN113669337B (zh) * 2021-07-29 2023-07-04 南京涵铭网络科技有限公司 用于船舶智能化应变片曲面环形粘贴设备
JP2023121883A (ja) 2022-02-22 2023-09-01 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
KR20240029978A (ko) 2022-08-29 2024-03-07 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품의 제조 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59222917A (ja) 1983-06-02 1984-12-14 松下電器産業株式会社 積層セラミツクコンデンサの製造方法
JPS61237413A (ja) 1985-04-12 1986-10-22 株式会社村田製作所 積層セラミツクコンデンサの製造方法
JPS61248413A (ja) 1985-04-25 1986-11-05 株式会社村田製作所 積層セラミツクコンデンサの製造方法
US4771520A (en) * 1985-04-25 1988-09-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of producing laminated ceramic capacitors
JP2869901B2 (ja) * 1990-11-30 1999-03-10 株式会社村田製作所 セラミック積層電子部品の製造方法
JPH06349669A (ja) * 1993-06-14 1994-12-22 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサの製造方法
JPH09153433A (ja) 1995-12-01 1997-06-10 Taiyo Yuden Co Ltd 積層電子部品の製造方法
JP2001226650A (ja) * 2000-02-16 2001-08-21 Nitto Denko Corp 放射線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
US6478091B1 (en) 2000-05-04 2002-11-12 Halliburton Energy Services, Inc. Expandable liner and associated methods of regulating fluid flow in a well
TW543052B (en) * 2001-03-05 2003-07-21 Nitto Denko Corp Manufacturing method of ceramic green sheet, manufacturing method of multilayer ceramic electronic components, and carrier sheet for ceramic green sheets
JP2002329965A (ja) * 2001-05-07 2002-11-15 New Create Kk 薄膜積層体の製造方法および製造装置
JP2003017851A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板の製造方法
JP3944144B2 (ja) * 2003-09-25 2007-07-11 Ｔｄｋ株式会社 セラミック電子部品及びその製造方法
JP4760899B2 (ja) * 2008-12-12 2011-08-31 株式会社村田製作所 チップ状電子部品の製造方法
JP5218219B2 (ja) * 2009-03-31 2013-06-26 Ｔｄｋ株式会社 積層セラミック電子部品の製造方法
JP2010267915A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Murata Mfg Co Ltd 積層型セラミック電子部品の製造方法
JP5121889B2 (ja) 2010-07-22 2013-01-16 ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー Ｘ線ｃｔ装置
JP2011055001A (ja) 2010-12-03 2011-03-17 Tokyo Electron Ltd 搬送室および基板処理装置
JP5780169B2 (ja) * 2011-03-14 2015-09-16 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法

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