TWI443695B - 積層陶瓷電子零件之製造方法 - Google Patents

Description

積層陶瓷電子零件之製造方法

本發明係關於積層陶瓷電子零件之製造方法，特別係關於用於在積層陶瓷電子零件中之內部電極側部形成保護區域之方法。

作為面向本發明之積層陶瓷電子零件，例如，有積層陶瓷電容器。為了製造積層陶瓷電容器，典型而言，如圖22(A)及(B)分別所示，實施將形成第一內部電極1之第一陶瓷生片3與形成第二內部電極2之第二陶瓷生片4交替地按多層積層之步驟。藉由該積層步驟，得到未加工之零件本體，於未加工之零件本體被燒製之後，於所燒結之零件本體之相對向之第一及第二端面形成第一及第二外部電極。由此，於第一及第二端面分別引出之第一及第二內部電極1及2，分別與第一及第二外部電極電性連接，從而完成積層陶瓷電容器。

近年來，積層陶瓷電容器一味追求小型化，另一方面，謀求獲取靜電容量高之電容器。為了滿足該需求，增加內部電極1及2分別佔有所積層之陶瓷生片3及4上之各有效面積，即增加內部電極1及2相互對向之面積較為有效。為了增加如此之有效面積，減少圖22所示之側部之保護區域5以及端部之保護區域6之尺寸很重要。

然而，若減少端部之保護區域6之尺寸，則雖非所希望，但第一外部電極與第二外部電極經由內部電極1及2之 任一個產生短路之危險性會提高。因此，可知：於考慮到積層陶瓷電容器之可靠性時，與減少端部之保護區域6之尺寸相比，更佳為減少側部之保護區域5之尺寸。

如上所述，作為減少側部之保護區域5之尺寸之有效之方法，有於專利文獻1中記載之方法。於專利文獻1中，記載了具有構成為具有處於未加工狀態之複數個陶瓷層與複數個內部電極之積層構造，且藉由準備處於在側面露出內部電極之狀態之積層體，並將該積層體浸漬於陶瓷漿料中來形成側部之保護區域。

然而，於上述專利文獻1中記載之技術中有以下之問題。

即，於陶瓷漿料中浸漬積層體時，於應成為側部之保護區域之面以外之例如積層體之主面上，亦會塗敷陶瓷漿料。又，於基於浸漬之陶瓷漿料之塗敷時，用於使所塗敷之陶瓷漿料之厚度均勻之控制並不容易。例如，如圖23所示，於對積層體7塗敷陶瓷漿料8時，由於作用於陶瓷漿料8之表面張力，於積層體7之角部9，陶瓷漿料8之塗敷厚度往往會變薄，確保所希望之塗敷厚度較為困難。由於該等原因，自角部9易於浸入水分，有時可靠性會降低。又，所得到之積層陶瓷電容器之尺寸容易產生偏差。

再者，不侷限於在製造積層陶瓷電容器之情形時，於製造積層電容器以外之積層陶瓷電子零件之情形時亦可能會遇到同樣之問題。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平3-108306號公報

因此，本發明之目之在於，提供一種能夠解決上述問題之積層陶瓷電子零件之製造方法。

本發明為了解決上述技術問題，其特徵在於具有如下結構。

本發明之積層陶瓷電子零件之製造方法，於第一態樣中，首先具有：製作母板之步驟，母板包括被積層之複數個陶瓷生片、以及沿著陶瓷生片間之複數個界面而分別配置之內部電極圖案；切斷步驟，藉由沿著相互正交之第一方向之切斷線以及第二方向之切斷線切斷母板，從而得到複數個未加工晶片，該未加工晶片具有構成為包括處於未加工狀態之複數個陶瓷層與複數個內部電極之積層構造，且該未加工晶片處於在藉由沿著第一方向之切斷線之切斷而呈現之切斷側面露出內部電極之狀態。

其次，實施塗敷步驟，藉由於上述切斷側面塗敷陶瓷糊膏來形成未加工之陶瓷保護層，由此得到未加工之零件本體之後，實施燒製未加工之零件本體之步驟。

然後，於本發明之第一態樣中，為了解決上述之技術問題，其特徵在於上述塗敷步驟包括：準備保持有陶瓷糊膏之塗敷板之步驟；使未加工晶片之切斷側面接觸塗敷板保 持之陶瓷糊膏之步驟；及糊膏轉移步驟，藉由一面使未加工晶片自塗敷板離開，一面於陶瓷糊膏與未加工晶片與塗敷板兩者連接之狀態下，使未加工晶片與塗敷板於切斷側面之延伸方向上相對移動，從而使陶瓷糊膏轉移至未加工晶片之切斷側面。

於上述切斷步驟中被切斷之複數個未加工晶片，呈按行及列方向排列之狀態，塗敷步驟進而包括轉動步驟，於該轉動步驟中，於擴寬了呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片相互之間之間隔之狀態下，使複數個未加工晶片轉動，由此將複數個未加工晶片各自之切斷側面一齊作為開放面，於塗敷步驟中，轉動步驟之結果係，較佳為於作為開放面之複數個未加工晶片之切斷側面同時塗敷陶瓷糊膏。

本發明之積層陶瓷電子零件之製造方法，於第二態樣中，具有：製作母板之步驟，母板包括被積層之複數個陶瓷生片、以及沿著陶瓷生片間之複數個界面而分別配置之內部電極圖案；第一切斷步驟，藉由沿著第一方向之切斷線來切斷母板，從而得到複數個棒狀之未加工塊體，該未加工塊體具有構成為包括處於未加工狀態之複數個陶瓷層與複數個內部電極之積層構造，且未加工塊體處於在藉由沿著第一方向之切斷線之切斷而呈現之切斷側面露出內部電極之狀態；塗敷步驟，藉由於切斷側面塗敷陶瓷糊膏來形成未加工之陶瓷保護層；第二切斷步驟，藉由沿著與第一方向正交之第二方向之切斷線來切斷形成有未加工之陶 瓷保護層之棒狀之未加工塊體，從而得到複數個未加工之零件本體；及燒製未加工之零件本體之步驟。

然後，於本發明之第二態樣中，為了解決所述技術問題，其特徵在於上述塗敷步驟包括：準備保持有陶瓷糊膏之塗敷板之步驟；使棒狀之未加工塊體之切斷側面接觸塗敷板保持之陶瓷糊膏之步驟；及糊膏轉移步驟，藉由一面使棒狀之未加工塊體自塗敷板離開，一面於陶瓷糊膏與棒狀之未加工塊體與所述塗敷板兩者連接之狀態下，使棒狀之未加工塊體與塗敷板於切斷側面之延伸方向上相對移動，從而使陶瓷糊膏轉移至棒狀之未加工塊體之切斷側面。

較佳為，於第一切斷步驟中被切斷之複數個所述棒狀之未加工塊體，呈按特定方向排列之狀態，塗敷步驟進而包括轉動步驟，於該轉動步驟中，於擴寬了呈按特定方向排列之狀態之複數個棒狀之未加工塊體相互之間之間隔之狀態下，使複數個棒狀之未加工塊體轉動，由此將複數個棒狀之未加工塊體各自之切斷側面一齊作為開放面，於塗敷步驟中，轉動步驟之結果係，於作為開放面之複數個棒狀之未加工塊體之切斷側面同時塗敷陶瓷糊膏。

於本發明中，作為上述塗敷板，較佳為使用具有與未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面抵接之塗敷面，並於塗敷面形成用於保持陶瓷糊膏之凹部，且處於在凹部填充有陶瓷糊膏之狀態。

又，陶瓷糊膏較佳為具有於E型黏度計10 rpm之值之條 件下為100~10000 mPa之黏度。

製作上述母板之步驟，於較佳之實施方式中，具有：準備複數個陶瓷生片之步驟；於各陶瓷生片上形成內部電極圖案之步驟；及一面於特定方向上錯開特定間隔，一面積層陶瓷生片之步驟。

於本發明之積層陶瓷電子零件之製造方法中，進而亦可實施：於零件本體之特定之面上形成外部電極，以使與特定之內部電極電性連接之步驟。

根據本發明，由於藉由使用塗敷板於未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面塗敷陶瓷糊膏，因此，能夠使得難以產生因於除此以外之面上附著陶瓷糊膏而引起之尺寸偏差。

又，一面使未加工晶片或棒狀之未加工塊體自塗敷板離開，一面於使塗敷糊膏與未加工晶片或棒狀之未加工塊體與塗敷板兩者連接之狀態下，藉由使未加工晶片或棒狀之未加工塊體與塗敷板於切斷側面之延伸方向上相對移動，從而使陶瓷糊膏轉移到切斷側面，因此，能夠使塗覆到未加工晶片或棒狀之未加工塊體之切斷側面上之陶瓷糊膏之厚度更均勻。

上述之塗敷步驟若使用具有與未加工晶片或棒狀之未加工塊體之內部電極露出之面抵接之塗敷面、並於塗敷面形成用於保持陶瓷糊膏之凹部、且處於在凹部填充有陶瓷糊膏之狀態之塗敷板來實施，則能夠更可靠地僅於未加工晶 片或棒狀之未加工塊體之切斷側面塗敷陶瓷糊膏。

作為陶瓷糊膏，若使用具有於E型黏度計10 rpm之值之條件下為100~10000 mPa之黏度，則針對藉由塗敷陶瓷糊膏所形成之未加工之陶瓷保護層能夠得到良好之保形性。又，於使用塗敷板之情形時，能夠順利地進行陶瓷糊膏自塗敷板向未加工晶片或棒狀之未加工塊體之轉移。

於本發明之第一態樣中，若上述陶瓷糊膏之塗敷於按行及列方向排列之狀態下，針對朝向將各自之切斷側面一齊作為開放面之方向之複數個未加工晶片一起實施，則與針對第二態樣之棒狀之未加工塊體實施塗敷步驟之情形相同，能夠有效率地進行塗敷步驟，並且能夠使得未加工晶片間之陶瓷糊膏之塗敷厚度難以產生偏差。

又，於本發明之第二態樣中，藉由實施上述第一切斷步驟而得到之複數個棒狀之未加工塊體於處於按特定方向排列之狀態時，於塗敷步驟中，實施轉動步驟，該轉動步驟於擴寬了呈按特定方向排列之狀態之複數個棒狀之未加工塊體之彼此之間隔之狀態下，使複數個棒狀之未加工塊體轉動，由此，將複數個棒狀之未加工塊體各自之切斷側面一齊作為開放面，於塗敷步驟中，轉動步驟之結果係，若於作為開放面之複數個棒狀之未加工塊體之切斷側面同時塗敷陶瓷糊膏，則能夠更有效地進行塗敷步驟，並且可使於第二切斷步驟中所得到之未加工之零件本體間之陶瓷糊膏之塗敷厚度更難以產生偏差。

以下，為了說明用於實施本發明之方式，作為積層陶瓷電子零件而例示積層陶瓷電容器。

圖1至圖15係用於說明本發明之第一實施方式之圖。

首先，如圖1所示，積層陶瓷電容器11具有零件本體12。零件本體12於圖2中單獨表示。零件本體12具有：相互對向之一對主面13及14；相互對向之一對側面15及16；及相互對向之一對端面17及18，且呈長方體狀或大致長方體狀。

於說明零件本體12之詳細情況時，亦參照表示為了得到零件本體12所準備之未加工晶片19之外觀之圖3。再者，零件本體12，如自後面之說明所明確般，相當於在圖3所示之未加工晶片19之相互對向之一對之側面(以下，稱為「切斷側面」)20及21上，燒製分別形成未加工之陶瓷保護層22及23而得到的。於以後之說明中，將自燒製後之零件本體12中之未加工晶片19得來之部分稱為積層部24。

零件本體12中之積層部24具有積層構造，該積層構造構成為具有：於主面13及14之方向延伸且於與主面13及14正交方向上積層之複數個陶瓷層25；及沿陶瓷層25之間之界面形成之複數個第一及第二內部電極26及27。又，零件本體12具有以分別分配到其側面15及16之方式配置於積層部24之切斷側面20及21上之一對陶瓷保護層22及23。陶瓷保護層22及23，較佳為彼此厚度相同。

再者，於圖1等中，雖然明確地圖示有積層部24與陶瓷保護層22及23之各個邊界，但明確地圖示邊界係為了便於 說明，實際上，如此之邊界係不會明確顯現的。

第一內部電極26與第二內部電極27隔著陶瓷層25相互對向。基於該對向而會顯現電特性。即，於該積層陶瓷電容器11之情形時，會形成靜電電容。

第一內部電極26具有於零件本體12之第一端面17處露出之露出端，第二內部電極27具有於零件本體12之第二端面18處露出之露出端。然而，由於配置有上述陶瓷保護層22及23，因此內部電極26及27於零件本體12之側面15及16處不露出。

積層陶瓷電容器11進而具有外部電極28及29，其以與內部電極26及27之各自之露出端分別電性連接之方式分別形成於零件本體12之至少一對端面17及18上。

作為用於內部電極26及27之導電材料，例如，能夠使用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。

作為構成陶瓷層25與陶瓷保護層22及23之陶瓷材料，例如，能夠使用將BaTiO₃ 、CaTiO₃ 、SrTiO₃ 、CaZrO₃ 等作為主成分之電介質陶瓷。

構成陶瓷保護層22及23之陶瓷材料，較佳為至少主成分與構成陶瓷層25之陶瓷材料相同。於此情形時，最佳為陶瓷層25與陶瓷保護層22及23雙方使用相同組成之陶瓷材料。

再者，本發明亦能夠適用於積層陶瓷電容器以外之積層陶瓷電子零件。於積層陶瓷電子零件例如係壓電零件之情形時，使用PZT系陶瓷等壓電體陶瓷，於係熱敏電阻之情 形時，使用尖晶石系陶瓷等半導體陶瓷。

外部電極28及29，如上所述，雖然分別形成於零件本體12之至少一對端面17及18上，但於該實施方式中，具有繞入至主面13及14與側面15及16之各一部分之部分。

外部電極28及29，雖然未圖示，但較佳為由基底層與形成於基底層上之鍍層構成。作為用於基底層之導電材料，例如，能夠使用Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。基底層可藉由採用於未燒製之零件本體12上塗敷導電性糊膏而與零件本體12同時燒製之共燒(co-firing)法來形成，亦可藉由採用於燒製後之零件本體12上塗敷導電性糊膏而焙燒之後燒製(post firing)法來形成。或者，基底層可藉由直接鍍敷來形成，亦可藉由使包含熱硬化性樹脂之導電性樹脂硬化來形成。

形成於基底層上之鍍層，較佳為鍍Ni以及於其上鍍Sn之兩層構造。

其次，進而一面參照圖4至圖15，一面針對上述積層陶瓷電容器11之製造方法進行說明。

首先，如圖4表示其一部分般，準備應成為陶瓷層25之陶瓷生片31。更詳細而言，於未圖示之承載膜上，使用直接塗敷、凹版塗敷、微型凹版塗敷等，來形成陶瓷生片31。陶瓷生片31之厚度較佳為3 μm以下。

其次，同樣如圖4所示，於陶瓷生片31上，以特定圖案來印刷導電性糊膏。由此，得到形成有應分別成為內部電極26及27之內部電極圖案32之陶瓷生片31。更具體而言， 於陶瓷生片31上形成複數行之帶狀之內部電極圖案32。內部電極圖案32之厚度，較佳為1.5 μm以下。

於圖5中，圖示有帶狀之內部電極圖案32延伸之長邊方向(圖5之左右方向)之切斷線33以及與此正交之寬度方向(圖5之上下方向)之切斷線34之各一部分。帶狀之內部電極圖案32中，兩部分之內部電極26及27用各自之引出部彼此進行了連結，且具有沿長邊方向連接之形狀。再者，圖5與圖4相比被放大。

其次，將如上所述地形成有內部電極圖案32之陶瓷生片31如圖5(A)與(B)所示，沿寬度方向以每次錯開特定間隔，即以每次錯開內部電極圖案32之寬度方向尺寸之一半之方式積層特定片數，且於其上下將未印刷導電性糊膏之外層用陶瓷生片積層特定片數。由於圖5(A)及(B)中共同圖示出切斷線33及34，因此若對照圖5(A)與(B)，則容易理解陶瓷生片31之積層時之錯開方法。

上述積層步驟之結果係，得到圖6(1)所示之母板35。於圖6中，以虛線表示位於母板35之內部之最上方之內部電極圖案32或內部電極26。

其次，母板35藉由靜水壓衝壓機等裝置向積層方向擠壓。

其次，母板35沿彼此正交之第一方向之切斷線34以及第二方向之切斷線33被切斷，如圖6(1)所示，得到呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片19。該切斷適用切割、壓切、雷射切割等。再者，於圖6(1)等之附圖中，由 於附圖製作上之問題，故而一個母板35雖然被設定為從中能取出六個未加工晶片19之尺寸，但實際上被設定為能取出更多個未加工晶片19之尺寸。

各未加工晶片19，如圖3單獨所示，具有構成為包括處於未加工狀態之複數個陶瓷層25與複數個內部電極26及27之積層構造。未加工晶片19之切斷側面20及21，係藉由沿著第一方向之切斷線34之切斷而呈現之面，端面36及37係藉由第二方向之切斷線33之切斷而呈現之面。於切斷側面20及21，露出有內部電極26及27之全部。又，於一個端面36上，僅露出第一內部電極26，於另一個端面37上，僅露出第二內部電極27。

如圖6(1)所示，呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片19，被黏貼於具有延展性之黏接片38上。並且，黏接片38藉由未圖示之延展裝置，以如箭頭39所示之方式延展。由此，如圖6(2)所示，呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片19，被設為擴寬了彼此間隔之狀態。

此時，於後面所實施之轉動步驟中，以複數個未加工晶片19彼此之間不會相碰而能夠順利轉動之程度來延展黏接片38。雖然要基於未加工晶片19之尺寸，但作為一個示例，黏接片38被延展為原來尺寸之160%左右。

作為上述黏接片38，例如，採用包含氯化乙烯樹脂、用丙烯系黏接劑形成黏接層之黏接片。該黏接片38具有一旦被延展就不會完全恢復回原來形態之可塑性。因此，被延展後之黏接片38易於操縱。例如，藉由切斷母板35而得到 複數個未加工晶片19之後，由於未加工晶片19所含有之黏接劑，有可能會使相鄰之未加工晶片19之切斷側面20及21彼此之間或端面36及37彼此之間再黏接，但黏接片38一旦被延展，就不會完全恢復回原來之形態，故而切斷側面20及21彼此之間或端面36及37彼此之間不會接觸，因此，能夠避免再黏接之類之情形。

其次，使複數個未加工晶片19轉動，由此，實施將複數個未加工晶片19各自之第一切斷側面20一齊作為開放面之轉動步驟。

因此，如圖7(1)所示，複數個未加工晶片19與黏接片38一起被放置於支撐台40上，另一方面，轉動作用板41被置於相對於未加工晶片19能自上方進行作用之狀態。支撐台40以及轉動作用板41，較佳為由矽橡膠構成。

其次，支撐台40相對於轉動作用板41向箭頭42方向移動。由此，如圖7(2)所示，複數個未加工晶片19一齊旋轉90度，並將其第一切斷側面20設定為朝向上方之狀態。若於該狀態下去除轉動作用板41，則第一切斷側面20會成為開放面。

再者，為了更順利地產生上述未加工晶片19之轉動，亦可於將未加工晶片19自黏接片38轉移到黏接性橡膠片上之後進行轉動操作。於此情形時，黏接性橡膠片較佳為彈性率於50 MPa以下且厚度為5 mm以下。

其次，如圖8所示，實施於成為開放面之未加工晶片19之第一切斷側面20上塗敷陶瓷糊膏43來形成未加工之第一 陶瓷保護層22(參照圖2)之塗敷步驟。

為此，準備圖8及圖9所示之塗敷板44。塗敷板44具有與未加工晶片19之切斷側面20抵接之塗敷面45，於塗敷面上，形成有用於保持陶瓷糊膏43之凹部46，於凹部46中，填充有陶瓷糊膏43。於該實施方式中，凹部46如圖9所示，由複數個槽形成。

為了實施塗敷步驟，如圖8所示，實施：使未加工晶片19之切斷側面20與塗敷板44之塗敷面45抵接，並且使填充於凹部46中之陶瓷糊膏43接觸之步驟；以及使未加工晶片19自塗敷板44離開，並使填充於凹部46中之陶瓷糊膏43轉移到未加工晶片19之切斷側面20之步驟。於此情形時，亦藉由毛細管現象等作用，於未加工晶片19之切斷側面20整個面上塗敷陶瓷糊膏43，另一方面，於切斷側面20以外之面上不賦予陶瓷糊膏43。陶瓷糊膏43之塗敷厚度能夠藉由凹部46之寬度、厚度或排列間距、或陶瓷糊膏43之黏度或者其中含有之固體濃度等來調整。又，亦可將未加工晶片19側設為下，將陶瓷糊膏43側設為上，以使陶瓷糊膏43利用重力易於被轉移到未加工晶片19側。

再者，僅藉由未加工晶片19向塗敷板44之單純之接近/離開動作，於離開動作時，由於陶瓷糊膏43會產生拉絲，因此，切斷側面20之中央部會較厚、四角部較薄，會產生賦予陶瓷糊膏43、或使切斷側面20與塗敷面45於接觸之部分殘留接觸痕之類之不良，故而有時無法以均勻之厚度來塗敷陶瓷糊膏43。

為了降低此種不良，於使未加工晶片19自塗敷板44離開時，於陶瓷糊膏43與未加工晶片19和塗敷板44兩者連接之狀態下，實施於切斷側面20之延長方向上使未加工晶片19與塗敷板44相對移動之步驟。

作為上述之相對移動之方式，如圖10所示，可係切斷側面20之長邊方向之往返運動47、短邊方向之往返運動48、對角線方向之往返運動49或50、圓或橢圓運動51、將該等複合之運動、或者隨機方向之運動等。尤其，藉由將對角線方向之往返運動49與對角線方向之往返運動50進行組合，容易使直至陶瓷糊膏之塗敷厚度常常變薄之切斷側面20之四角部都遍佈充分之陶瓷糊膏。因此，容易確保四角部之陶瓷糊膏之厚度為特定以上，能夠期待所得到之積層陶瓷電容器11之耐濕性之提高。

又，為了以均勻之厚度塗敷陶瓷糊膏43，亦可實施多次塗敷步驟。例如，於以殘留有塗敷板44之接觸痕之狀態使陶瓷糊膏43乾燥一次後，若進而於平板上具有均勻厚度而形成之陶瓷糊膏膜中浸漬未加工晶片19之切斷側面20側，則塗敷板44之接觸痕會消失，能夠以均勻之厚度塗敷陶瓷糊膏。

較佳為陶瓷膏43之黏度低至自凹部46內向未加工晶片19能順利轉移之程度，而另一方面，高至使由陶瓷糊膏43形成之未加工之陶瓷保護層22之形狀不會因表面張力而流動之程度。較佳之黏度係E型黏度計10 rpm之值為100~10000 mPa。再者，陶瓷糊膏43之黏度能夠藉由其中所含有之溶 劑與黏接劑比率之調整、或黏接劑之種類等來進行調整。

於圖11中示出如下狀態：複數個未加工晶片19隔著黏接片38由支撐台40支撐，且作為上述塗敷步驟之結果，於未加工晶片19之第一切斷側面20形成有未加工之第一陶瓷保護層22。

於塗敷步驟之後，根據需要而實施乾燥步驟。於乾燥步驟中，形成有第一陶瓷保護層22之未加工晶片19，例如，被放入設定為120℃之烤爐5分鐘。此時，若使用熱風式烤爐，則自形成陶瓷保護層22之陶瓷糊膏43之表面開始進行乾燥，而自厚度較薄之周邊部分起逐漸變乾，塗敷厚度易於變得不均勻。為了減少如此之不良，較佳為使用將遠紅外線加熱器或近紅外線加熱器作為熱源之烤爐。藉由遠紅外線加熱器或近紅外線加熱器，由於可大致均勻加熱至陶瓷糊膏43之內部，因此能夠抑制塗敷厚度變得不均勻。

其次，實施與參照圖7說明之步驟相同之轉動步驟。即，實施使複數個未加工晶片19轉動，由此，將複數個未加工晶片19各自之第二切斷側面21一齊作為開放面之轉動步驟。

因此，如圖12(1)所示，將轉動作用板41置於對隔著黏接片38由支撐台40所支撐之複數個未加工晶片19能夠自上方進行作用之狀態。

其次，相對於轉動作用板41向箭頭52方向移動支撐台40。由此，重複兩次將複數個未加工晶片19一齊旋轉90度之動作，如圖12(2)所示，使複數個未加工晶片19處於將各 自之第二切斷側面21朝向上方之狀態。若於該狀態下去除了轉動作用板41，則第二切斷側面21成為開放面。

其次，如圖13所示，實施如下塗敷步驟：於被作為開放面之未加工晶片19之第二切斷側面21塗敷陶瓷糊膏43，來形成未加工之第二陶瓷保護層23(參照圖2)。於該步驟中，與參照圖8所述之步驟之情況相同，準備塗敷板44，使未加工晶片19之切斷側面21抵接於塗敷板44之塗敷面45，並且接觸填充於凹部46之陶瓷糊膏43，其次，一面使未加工晶片19自塗敷板44離開，一面使填充於凹部46之陶瓷糊膏43轉移至未加工晶片19之切斷側面21。

於上述第二次塗敷步驟中，當使未加工晶片19自塗敷板44離開時，實施如下步驟：於陶瓷糊膏43與未加工晶片19和塗敷板44兩者連接之狀態下，使未加工晶片19與塗敷板44於切斷側面21之延長方向上相對移動。

於圖14中示出如下之未加工之零件本體12，即：複數個未加工晶片19隔著黏接片38由支撐台40支撐，且作為上述兩次塗敷步驟之結果，處於在未加工晶片19之第一及第二切斷側面20及21各自上形成有第一及第二陶瓷保護層22及23之狀態。

於第二次塗敷步驟之後，亦根據需要實施乾燥步驟。

其次，複數個未加工之零件本體12與黏接片38一起自支撐台40卸下之後，如圖15所示，藉由自未加工之零件本體12剝離黏接片38，來回收未加工之零件本體12。於該步驟中，藉由使未加工之零件本體12呈自黏接片38垂下之狀 態，且將刀刃53自上方壓觸黏接片38，使黏接片38彎曲為向下方突出。未加工之零件本體12，藉由彎曲黏接片38，從而被自黏接片38剝離，向下方落下，被回收。

其次，燒製未加工之零件本體12。燒製溫度雖然亦取決於積層用陶瓷生片31以及陶瓷糊膏43所含有之陶瓷材料或內部電極26及27所含有之金屬材料，但例如被選擇於900~1300℃之範圍內。

其次，對燒製後之零件本體12之兩端面17以及18塗敷導電性糊膏，進行燒附，並且根據需要實施電鍍，藉此形成外部電極28以及29。再者，導電性糊膏之塗敷係對未加工之零件本體12實施，於燒製未加工之零件本體12時，亦可同時進行導電性糊膏之燒附。

如此，完成圖1所示之積層陶瓷電容器11。

以上，雖然與特定之實施方式關聯地說明了本發明，但於本發明之範圍內，可有其他各種變形例。

例如，針對圖8、圖9以及圖13所示之塗敷板44，亦可有如下之變形例。圖16、圖17、圖18以及圖19分別表示塗敷板之第一、第二、第三以及第四變形例。於圖16至圖19中，對相當於圖8、圖9以及圖13所示之要素賦予相同之參照符號，省略重複之說明。

圖16所示之塗敷板44a具有與未加工晶片之側面抵接之塗敷面45，於該塗敷面45上，形成有平面形狀例如呈圓形之複數個凹部46。複數個凹部46於塗敷面45中大致分佈為等間隔。於凹部46中填充有陶瓷糊膏43。

圖17所示之塗敷板44b雖然具有與未加工晶片之側面抵接之塗敷面45，但該塗敷面45由平面形狀例如呈圓形之複數個凸部之上表面來形成。複數個凸部分佈於塗敷板44b之面方向上，凸部以外之部分被作為凹部46。於凹部46中填充有陶瓷糊膏43。

圖18所示之塗敷板44c與圖16所示之塗敷板44a之情況相同，具有與未加工晶片之側面抵接之塗敷面45，於該塗敷面45上形成複數個凹部46，且複數個凹部46於塗敷面45中大致等間隔分佈。該塗敷板44c之特徵在於，係藉由貫通孔來賦予凹部46，並且，塗敷板44c被配置為使收容陶瓷糊膏43之糊膏槽54之上表面開口關閉。

根據圖18所示之塗敷板44c，與上述之塗敷板44、44a以及44b相比，於凹部46沒有底面，由此能夠減小凹部46內之陶瓷糊膏43與塗敷板44c之接觸面積，因此，能夠使陶瓷糊膏43更容易向未加工晶片19側轉移。

圖19所示之塗敷板44d僅僅係平板形狀，於其上方主面上形成有包含陶瓷糊膏43之較薄之層。藉由使由假想線所示之未加工晶片19接觸包含陶瓷糊膏43之層，而能夠於未加工晶片19之例如第一切斷側面20塗敷陶瓷糊膏43。

又，內部電極以及內部電極圖案，例如，亦能夠以如下方式進行變更。圖20係與圖3對應之圖，係表示未加工晶片19a之外觀之立體圖，圖21係與圖5對應之圖，係表示為了得到圖20所示之未加工晶片19a而準備之形成有內部電極圖案32a之陶瓷生片31a之平面圖。

如圖20所示，未加工晶片19a具有積層構造，該積層構造構成為具有處於未加工狀態之複數個陶瓷層25a與複數個內部電極26a及27a。第一內部電極26a與第二內部電極27a於積層方向上交替配置。

另一方面，如圖21所示，於陶瓷生片31a上所形成之內部電極圖案32a具有網狀，且具有作為內部電極26a之主要部分之應成為對向部之部分與作為內部電極27a之主要部分之應成為對向部之部分於上下方向交替連結且連接之方式。

於圖21中，圖示有：第一方向即左右方向之切斷線34a、以及相對於其正交之第二方向即上下方向之切斷線33a。於上述未加工晶片19a中，切斷側面20a及21a係藉由沿著第一方向之切斷線34a之切斷而呈現之面，端面36a及37a係藉由第二方向之切斷線33a之切斷而呈現之面。於切斷面20a及21a，露出有內部電極26a及27a之全部。又，於一個端面36a，僅露出第一內部電極26a，於另一個端面37a，僅露出第二內部電極27a。

於圖21所示之網狀之內部電極圖案32a中，於未形成內部電極圖案之上下方向以交錯狀(千鳥狀)配置長邊之八角形狀之空孔部65。內部電極26a及27a之應成為引出部之部分位於在上下方向相鄰之空孔部65之間。

於積層陶瓷生片31a時，如圖21(A)、圖(B)所示，使積層陶瓷生片31a一面以每次將內部電極圖案32a於左右方向上錯開空孔部65之左右方向之間隔量之方式錯開，一面積 層。

由上述積層所得到之母板，沿圖21所示之切斷線33a及34a被切斷，得到如圖20所示之未加工晶片19a。各個第二方向之切斷線33a定位為於左右方向上將空孔部65二等分，第一方向之切斷線34a定位為其兩條線橫切一個空孔部65。

於參照圖20以及圖21來說明之實施方式中，內部電極26a及27a之各個引出部，具有比各個對向部更窄之寬度，並且以一定之寬度而延伸。又，於對向部之與引出部連接之區域，寬度逐漸變窄，以使與引出部之寬度變成相等。

於上述實施方式中，能夠藉由變更空孔部65之形狀，而對內部電極26a及27a之引出部以及與其相連之對向部之端部之形狀進行各種變更。例如，亦能夠將空孔部65之形狀變更為長方形。

又，於上述之實施方式中，雖然實施了自母板35沿著圖5所示之各個切斷線33以及34之切斷步驟，從而得到複數個未加工晶片19，然後，實施了對切斷側面20及21塗敷用於形成陶瓷保護層22及23之陶瓷糊膏43之步驟，但亦能夠如下進行變更。

即，得到母板35之後，首先實施如下第一切斷步驟：藉由僅沿圖5所示之第一方向之切斷線34切斷母板35，而得到處於在藉由沿著第一方向之切斷線34之切斷而呈現之切斷側面20及21露出了內部電極26及27之狀態之複數個棒狀之未加工塊體。

其次，棒狀之未加工塊體黏貼於具有延展性之黏接片，藉由參照圖7至圖14實施包括與包含上述轉動步驟之塗敷步驟實質上相同之轉動步驟之塗敷步驟，於切斷側面20及21塗敷陶瓷糊膏43，且於棒狀之未加工塊體上形成未加工之陶瓷保護層22以及23。

其次，實現如下第二切斷步驟，即：藉由沿著與上述第一方向正交之第二方向之切斷線33來切斷形成有未加工之陶瓷保護層22及23之棒狀之未加工塊體，得到複數個未加工之零件本體12。

之後，與上述之實施方式之情況相同，燒製未加工之零件本體12，實施以後相同之步驟，藉此完成積層陶瓷電容器11。

11‧‧‧積層陶瓷電容器

12‧‧‧零件本體

19、19a‧‧‧未加工晶片

20、21、20a、21a‧‧‧未加工晶片之切斷側面

22、23‧‧‧陶瓷保護層

24‧‧‧積層部

25、25a‧‧‧陶瓷層

26、27、26a、27a‧‧‧內部電極

28、29‧‧‧外部電極

31、31a‧‧‧陶瓷生片

32、32a‧‧‧內部電極圖案

33、34、33a、34a‧‧‧切斷線

35‧‧‧母板

38‧‧‧黏接片

40‧‧‧支撐台

41‧‧‧轉動作用板

43‧‧‧陶瓷糊膏

44、44a、44b、44c‧‧‧塗敷板

45‧‧‧塗敷面

46‧‧‧凹部

圖1係表示作為利用本發明之第一實施方式之製造方法而得到之積層陶瓷電子零件之一個示例之積層陶瓷電容器11之外觀之立體圖。

圖2係表示圖1所示之積層陶瓷電容器11所具有之零件本體12之外觀之立體圖。

圖3係表示為了得到圖2所示之零件本體12而準備之未加工晶片19之外觀之立體圖。

圖4係表示為了得到圖3所示之未加工晶片19而準備之形成有內部電極圖案32之陶瓷生片31之平面圖。

圖5(A)、(B)係用於說明一面將圖4所示之陶瓷生片31錯開特定間隔、一面進行積層之步驟之平面圖。

圖6(1)係表示切斷由使用圖5來說明之積層步驟所得到之母板35而得到之複數個未加工晶片19之平面圖，(2)係表示對於(1)中呈按行及列方向排列之狀態之複數個未加工晶片19彼此之間隔進行了擴寬之狀態之平面圖。

圖7(1)、(2)係用於說明使圖6(2)所示之複數個未加工晶片19轉動之轉動步驟之圖，係自未加工晶片19之端面方向表示之圖。

圖8係用於說明圖7所示之轉動步驟之結果，於作為開放面之未加工晶片19之第一切斷側面20塗敷陶瓷糊膏43來形成未加工之第一陶瓷保護層22之塗敷步驟之圖，係自未加工晶片19之主面方向表示之圖。

圖9係圖8所示之塗敷板44之平面圖。

圖10係用於說明使於圖8所示之塗敷步驟中所實施之未加工晶片19與塗敷板44於切斷側面20之延長之方向上相對地移動之步驟之圖，係自生片19之切斷側面方向表示之圖。

圖11係自未加工晶片19之端面方向表示圖8所示之塗敷步驟之結果，於未加工晶片19之第一切斷側面20形成未加工之第一陶瓷保護層22之狀態之圖。

圖12(1)、(2)係用於說明再次使圖11所示之複數個未加工晶片19轉動之轉動步驟之圖，係自未加工晶片19之端面方向表示之圖。

圖13係用於說明圖12所示之轉動步驟之結果，於成為開放面之未加工晶片19之第二切斷側面21塗敷陶瓷糊膏43來 形成未加工之第二陶瓷保護層23之塗敷步驟之圖，係自未加工晶片19之主面方向表示之圖。

圖14係自端面方向表示圖13所示之塗敷步驟之結果，藉由於未加工晶片19之第二切斷側面21形成未加工之第二陶瓷保護層23所得到之未加工之零件本體12之圖。

圖15係自未加工之零件本體12之端面方向表示自圖14所示之黏接片38回收未加工之零件本體12之步驟之圖。

圖16係用於說明本發明之第二實施方式之圖，係表示作為第一變形例之塗敷板44a之平面圖。

圖17係用於說明本發明之第三實施方式之圖，係表示作為第二變形例之塗敷板44b之平面圖。

圖18係用於說明本發明之第四實施方式之圖，係表示作為第三變形例之塗敷板44c之剖面圖。

圖19係用於說明本發明之第五實施方式之圖，係表示作為第四變形例之塗敷板44d之正面圖。

圖20係用於說明本發明之第六實施方式之圖，係表示未加工晶片19a之外觀之立體圖。

圖21(A)、(B)係表示為了得到圖20所示之未加工晶片19a所準備之形成有內部電極圖案32a之陶瓷生片31a之平面圖。

圖22(A)、(B)係用於說明先前之積層陶瓷電容器之一般之製造方法之圖，係表示形成有第一內部電極1之第一陶瓷生片3與形成有第二內部電極2之第二陶瓷生片4之平面圖。

圖23係用於說明於先前之積層陶瓷電容器之製造方法中可能會遇到之問題，表示於對積層體7塗敷陶瓷漿料8時可能會產生之現象之積層體7之剖面圖。

19‧‧‧未加工晶片

20‧‧‧第一切斷側面

21‧‧‧第二切斷側面

38‧‧‧黏接片

40‧‧‧支撐台

43‧‧‧陶瓷糊膏

44‧‧‧塗敷板

45‧‧‧塗敷面

46‧‧‧凹部

Claims (8)

1. 一種積層陶瓷電子零件之製造方法，包括：製作母板之步驟，該母板包括經積層之複數個陶瓷生片、以及沿著上述陶瓷生片間之複數個界面而分別配置之內部電極圖案；切斷步驟，藉由沿著相互正交之第一方向之切斷線以及第二方向之切斷線切斷上述母板，從而得到複數個未加工晶片，該未加工晶片具有構成為包括處於未加工狀態之複數個陶瓷層與複數個內部電極之積層構造，並且該未加工晶片處於在藉由沿著上述第一方向之切斷線之切斷而呈現之切斷側面露出上述內部電極之狀態；塗敷步驟，藉由於所述切斷側面塗敷陶瓷糊膏來形成未加工之陶瓷保護層，從而得到未加工之零件本體；及燒製所述未加工之零件本體之步驟；上述塗敷步驟包括：準備保持有上述陶瓷糊膏之塗敷板之步驟；使上述未加工晶片之所述切斷側面接觸上述塗敷板所保持之上述陶瓷糊膏之步驟；及糊膏轉移步驟，藉由一面使上述未加工晶片自上述塗敷板離開，一面於上述陶瓷糊膏與上述未加工晶片和上述塗敷板兩者連接之狀態下使上述未加工晶片與上述塗敷板於上述切斷側面之延伸方向上相對移動，從而使上述陶瓷糊膏轉移至上述未加工晶片之上述切斷側面，其中使上述未加工晶片自上述塗敷板離開之 方向、及上述切斷側面之延伸方向為不同之方向。
2. 如請求項1之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中於上述切斷步驟中被切斷之複數個上述未加工晶片，呈按行及列方向排列之狀態，上述塗敷步驟進而包括轉動步驟，於該轉動步驟中，於擴寬了呈按上述行及列方向排列之狀態之複數個上述未加工晶片相互之間之間隔之狀態下，使複數個上述未加工晶片轉動，由此將複數個上述未加工晶片各自之上述切斷側面一齊作為開放面，於上述塗敷步驟中，上述轉動步驟之結果係，於作為上述開放面之複數個上述未加工晶片之上述切斷側面同時塗敷上述陶瓷糊膏。
3. 一種積層陶瓷電子零件之製造方法，包括：製作母板之步驟，上述母板包括經積層之複數個陶瓷生片、以及沿著上述陶瓷生片間之複數個界面而分別配置之內部電極圖案；第一切斷步驟，藉由沿著第一方向之切斷線來切斷上述母板，從而得到複數個棒狀之未加工塊體，該未加工塊體具有構成為包括處於未加工狀態之複數個陶瓷層與複數個內部電極之積層構造，並且該未加工塊體處於在藉由沿著上述第一方向之切斷線切斷而呈現之切斷側面露出上述內部電極之狀態；塗敷步驟，對上述切斷側面塗敷陶瓷糊膏，來形成未加工之陶瓷保護層； 第二切斷步驟，藉由沿著與上述第一方向正交之第二方向之切斷線切斷形成了上述未加工之陶瓷保護層之上述棒狀之未加工塊體，從而得到複數個未加工之零件本體；及燒製上述未加工之零件本體之步驟；上述塗敷步驟包括：準備保持有上述陶瓷糊膏之塗敷板之步驟；使上述棒狀之未加工塊體之上述切斷側面接觸上述塗敷板所保持之上述陶瓷糊膏之步驟；及糊膏轉移步驟，藉由一面使上述棒狀之未加工塊體自上述塗敷板離開，一面於上述陶瓷糊膏與上述棒狀之未加工塊體和上述塗敷板兩者連接之狀態下，使上述棒狀之未加工塊體與上述塗敷板於上述切斷側面之延伸方向上相對移動，從而使上述陶瓷糊膏轉移至上述棒狀之未加工塊體之上述切斷側面，其中使上述棒狀之未加工塊體自上述塗敷板離開之方向、及上述切斷側面之延伸方向為不同之方向。
4. 如請求項3之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中於上述第一切斷步驟中被切斷之複數個上述棒狀之未加工塊體，處於按特定方向排列之狀態，上述塗敷步驟進而包括轉動步驟，於該轉動步驟中，於擴寬了呈按上述特定方向排列之狀態之複數個上述棒狀之未加工塊體相互之間之間隔之狀態下，使複數個上述棒狀之未加工塊體轉動，由此將複數個上述棒狀之未 加工塊體各自之上述切斷側面一齊作為開放面，於上述塗敷步驟中，上述轉動步驟之結果係，於作為上述開放面之複數個上述棒狀之未加工塊體之上述切斷側面同時塗敷上述陶瓷糊膏。
5. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中上述塗敷板具有與上述切斷側面抵接之塗敷面，並於上述塗敷面形成用於保持上述陶瓷糊膏之凹部，且處於在上述凹部填充有上述陶瓷糊膏之狀態。
6. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中所述陶瓷糊膏具有於E型黏度計10rpm之值之條件下為100~10000mPa之黏度。
7. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其中製作上述母板之步驟包括：準備複數個上述陶瓷生片之步驟；於各上述陶瓷生片上形成內部電極圖案之步驟；及一面於特定方向上錯開特定間隔，一面積層上述陶瓷生片之步驟。
8. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電子零件之製造方法，其進而包括：於上述零件本體之特定之面上形成外部電極，以使與特定之上述內部電極電性連接之步驟。