JP5218219B2 - 積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、たとえば積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品の製造方法に関する。

たとえば積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品の製造方法としては、たとえば、グリーンシートと内部パターンを積層してシート積層体を形成し、これを焼成し、焼成された積層体を切断することによって棒状の積層体を形成し、棒状の積層体に外部電極を導電ペースト塗布等によって形成し、棒状の積層体をさらに切断して個片にする製造方法が知られている（特許文献１および特許文献２等を参照）。

しかし、従来技術に係る製造方法では、一つの棒状の積層体ごとに導電ペーストを塗布等することによって外部電極を形成しているため、外部電極の形成に手間がかかり、生産効率に問題がある。

特開平６−９６９９０号公報 特開平１０−４０２４号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、生産効率を改善した積層セラミック電子部品の製造方法を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、
焼成後に内部電極層となる内部電極パターンと、焼成後にセラミック層となるグリーンシートとが積層してあるシート積層体を準備する工程と、
前記シート積層体を焼成および切断することによって、前記内部電極層が露出する切断面と、前記シート積層体の積層方向に略垂直な側面とを有しており、長手方向に細長い複数の棒状積層体を形成する工程と、
前記複数の棒状積層体を再配列し、前記複数の棒状積層体の前記側面が互いに密着しており、前記複数の棒状積層体の前記切断面が略同一の平面に沿って配置された積層体集合体を形成する工程と、
前記積層体集合体を構成する前記棒状積層体の一部を切除し、前記棒状積層体の前記切断面に溝部を形成する工程と、
前記積層体集合体における前記複数の棒状積層体の前記切断面に外部電極を薄膜形成する工程と、
前記棒状積層体を個片状に切断する工程と、を有する。

本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、複数の棒状積層体を再配列した積層体集合体を形成することによって、複数の棒状積層体に対して同時に外部電極を薄膜形成することができる。複数の棒状積層体に対して一度に外部電極の形成ができるため、本発明に係る製造方法は生産効率が良い。また、側面を密着させることによって、外部電極を構成する材料が棒状積層体の側面に回り込むことを防止できる。また、棒状積層体の切断面に溝部を形成することによって、形成される外部電極の面積を増加させることができる。本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法によって得られた電子部品は、外部電極の面積が広いため、高い実装強度を有する。

また、本発明に係る積層電子部品の製造方法では、前記溝部の形状を制御する工程をさらに有していてもよく、これによって製造される電子部品の実装強度等を調整または制御することができる。

また、例えば、前記溝部を形成する工程において、前記溝部は、前記積層体集合体における前記複数の棒状積層体の長手方向に略直交する方向に延在するように形成されてもよい。また、前記溝部を形成する工程において、略Ｖ字状の前記溝部を形成してもよい。

また、例えば、本発明に係る積層電子部品の製造方法では、前記棒状積層体を個片状に切断する工程において、前記積層体集合体を構成する前記複数の棒状積層体を、前記溝部に沿って切断してもよい。これによって、切断時または切断後における電子部品の角部欠けおよび割れ等を防止することができる。また、前記溝部に沿って切断することにより、切断時の位置精度を向上させることができる。

また、本発明に係る積層電子部品の製造方法では、前記シート積層体の表面を平滑化する工程をさらに有してもよい。これにより、棒状積層体の側面が平滑化されるため、外部電極を薄膜形成する際に、外部電極を構成する材料が棒状積層体の側面に回り込むことを効果的に防止できる。

本発明の第２の観点に係る積層電子部品の製造方法では、
焼成後に内部電極層となる内部電極パターンと、焼成後にセラミック層となるグリーンシートとが積層してあるシート積層体を準備する工程と、
前記シート積層体の一部を切除し、前記シート積層体の表面に溝部を形成する工程と、
前記シート積層体を焼成および前記溝部に沿って切断することによって、前記内部電極層が露出する切断面と、前記シート積層体の積層方向に略垂直な側面とを有しており、長手方向に細長い複数の棒状積層体を形成する工程と、
前記複数の棒状積層体を再配列し、前記複数の棒状積層体の前記側面が互いに密着しており、前記複数の棒状積層体の前記切断面が略同一の平面に沿って配置された積層体集合体を形成する工程と、
前記積層体集合体における前記複数の棒状積層体の前記切断面に外部電極を薄膜形成する工程と、
前記棒状積層体を個片状に切断する工程と、を有する。

本発明の第２の観点に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、第１の観点に係る製造方法と同様に、複数の棒状積層体に対して一括で外部電極の形成を行うため、生産効率が良い。また、棒状積層体の切断面に溝部を形成することによって、外部電極が形成される面積を増加させ、製造される電子部品の実装強度を向上させることができる。さらに、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、切断時または切断後における電子部品の角部欠けおよび割れ等を防止することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る方法により製造される積層セラミックコンデンサの斜視図と概略断面図である。 図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサを製造する過程で得られるシート積層体の斜視図である。 図３は、図２に示すシート積層体の要部断面図である。 図４は、シート積層体における切断位置マークの検出工程を示す斜視図である。 図５は、シート積層体への切断線マーキングを行う工程を示す斜視図である。 図６は、焼成後のシート積層体に形成された切断線の位置を検出している工程を示す斜視図である。 図７は、シート切断工程を示す斜視図である。 図８は、切断されたシート積層体の部分斜視図である。 図９は、積層体集合体を形成する工程において、棒状積層体の向きを変える様子を説明した斜視図である。 図１０は、積層体集合体を形成する工程を示す斜視図である。 図１１は、溝部を形成する工程を示す斜視図である。 図１２は、外部電極を薄膜形成する工程および最終切断工程を示す斜視図である。 図１３は、最終切断後の積層セラミックコンデンサの斜視図である。 図１４は、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの実装例を説明する斜視図である。

第１実施形態
まず、本発明の実施形態に係る方法により製造される積層型電子部品の一実施形態として、セラミック層としての誘電体層を有する積層セラミックコンデンサの全体構成について説明する。

図１（Ａ）に示すように、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、素子本体４と、第１外部電極６と第２外部電極８とを有する。素子本体４は、図１（Ｂ）に示すように、第１内部電極層１２および第２内部電極層１３を有し、第１内側誘電体層１０および第２内側誘電体層１１の間に、これらの内部電極層１２，１３が交互に積層してある。

素子本体４は、その積層方向の両端面に、外側誘電体層１４を有する。交互に積層される一方の第１内部電極層１２は、素子本体４の第１端部の外側に形成してある第１外部電極６の内側に対して電気的に接続してある。また、交互に積層される他方の第２内部電極層１３は、素子本体４の第２端部の外側に形成してある第２外部電極８の内側に対して電気的に接続してある。

第１および第２内側誘電体層１０，１１および外側誘電体層１４の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムおよび／またはチタン酸バリウムなどの誘電体材料で構成される。各内側誘電体層１０，１１の厚みは、特に限定されないが、数μｍ〜数十μｍのものが一般的である。また、外側誘電体層１４からなる外層部の厚みは、特に限定されないが、好ましくは１０〜２００μｍの範囲である。

第１および第２外部電極６，８の材質も特に限定されないが、通常、Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｓｎ，Ｔｉ等の少なくとも１種、又はそれらの合金を用いることができる。通常は、Ｃｕ，Ｃｕ合金、Ｎｉ又はＮｉ合金等や、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｉｎ−Ｇａ合金等が使用される。外部電極６，８の厚みも特に限定されないが、例えば、５〜３０μｍ程度とすることができる。

積層セラミックコンデンサ２の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。積層セラミックコンデンサ２は、通常、縦０．２〜５．７ｍｍ×横０．１〜５．０ｍｍ×厚み０．１〜３．２ｍｍ程度である。

次に、本発明の一実施形態としての積層セラミックコンデンサ２の製造方法について説明する。

まず、図２〜図５に示すシート積層体４ａを形成する。このシート積層体４ａを形成するために、図３に示すように、第１内部電極パターン１２ａが形成される第１グリーンシート１０ａと、第２内部電極パターン１３ａが形成される第２グリーンシート１１ａを交互に積層し、シート積層体４ａを形成する。

グリーンシート１０ａ，１１ａを形成するための誘電体用ペーストは、通常、セラミック粉末と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。本実施形態では、これらのペーストは、有機溶剤系ペーストであることが好ましい。

なお、有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。

内部電極パターン１２ａ，１３ａは、グリーンシート１０ａ，１１ａの表面に形成される。内部電極パターン１２ａ，１３ａを形成するための内部電極用ペーストは、各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。なお、内部電極用ペーストには、必要に応じて、共材としてセラミック粉末が含まれていても良い。共材は、焼成過程において導電性粉末の焼結を抑制する作用を奏する。

グリーンシート１０ａ，１１ａは、上記の誘電体用ペーストを用いたドクターブレード法などで形成される。また、グリーンシート１０ａ，１１ａの各表面に内部電極パターン１２ａ，１３ａを形成するには、上記の内部電極用ペーストを用いてスクリーン印刷などを行えばよい。

シート積層体４ａにおける第１グリーンシート１０ａは、最終的には図１に示す第１内側誘電体層１０となる部分であり、第２グリーンシート１１ａは、最終的には図１に示す第２内側誘電体層１１となる部分である。また、第１内部電極パターン１２ａは、最終的には図１に示す第１内部電極層１２となる部分であり、第２内部電極パターン１３ａは、最終的には図１に示す第２内部電極層１３となる部分である。

図３では、図示の容易化のために、シート積層体４ａにおける内部電極パターン１２ａおよび１３ａの積層数を少なく図示してあるが、数層から数百層と自由に設定することができる。

なお、図２および図３に示すように、シート積層体４ａにおける積層方向Ｚの両端部には、外側誘電体層１４となるべきグリーンシート１４ａが積層してある。シート積層体４ａにおける積層方向Ｚの厚みは、焼成後において、図１に示す素子本体４の厚みに対応する。

図２および図３に示すように、シート積層体４ａにおいて、第１内部電極パターン１２ａと第２内部電極パターン１３ａとは、パターン１２ａ，１３ａの電極長手方向Ｘ（以下、Ｘ軸とも言う）に沿って、半パターンずらしてある長方形の繰り返しパターンである。

また、パターン１２ａ，１３ａの電極長手方向Ｘと積層方向Ｚ（以下、Ｚ軸とも言う）との双方に垂直であるシート積層体４ａの電極切断方向Ｙ（以下、Ｙ軸または積層体長手方向Ｙとも言う）に沿って見れば、第１内部電極パターン１２ａと第２内部電極パターン１３ａとは、同じピッチ長さの分離した長方形パターン（図２参照）である。

なお、図２に示すように、これらの第１内部電極パターン１２ａおよび第２内部電極パターン１３ａは、シート積層体４ａのＹ軸に沿って両端位置には形成されない領域が存在し、その領域が端部切り捨て部分２６となる。

図２および図３では、シート積層体４ａと素子本体要素４ｂとの関係を分かりやすくするために、最終的な切断予定線３０ｘ，３０ｙを図示してある。なお、素子本体要素４ｂは、図１に示す素子本体４となる部分である。図２および図３に示す切断予定線３０ｘ，３０ｙの通りに最終的に切断するために、この実施形態では、図４に示すように、シート積層体４ａの最外表面４ｆ（積層方向Ｚに直交する表面）に、電極ペーストによる印刷法で、切断位置マーク３０ａを形成してある。

それらの切断位置マーク３０ａを複数のカメラ３２で読み取ることにより、シート積層体４ａの位置合わせを行い、図５に示すように、マーキング用押切刃３４で、シート積層体４ａの表面に、マーキング用切り溝３０ｘａ，３０ｙａを形成する。

この実施形態では、図５に示すマーキング用切り溝３０ｘａ，３０ｙａは、図２および図３に示す切断予定線３０ｘ，３０ｙに対応し、マトリックス状に形成される。マーキング用切り溝３０ｘａ，３０ｙａの溝深さは、特に限定されず、シート積層体４ａを焼成後にも、それらのマーキング用切り溝３０ｘａ，３０ｙａをカメラにより認識できる程度であればよい。

次に、この実施形態では、マーキング用切り溝３０ｘａ，３０ｙａが形成されたシート積層体４ａに対して、脱バインダ処理および焼成処理を施し、図６に示す焼結後のシート積層体４ｃを得る。脱バインダ処理および焼成処理の諸条件は特に限定されないが、焼成温度としては、たとえば１０００〜１４００°Ｃである。

その後に、図６に示すように、焼結後のシート積層体４ｃの表面に形成してある切断位置マーク３０ａを、複数のカメラ３２で読み取り、シート積層体４ｃの位置決めを行う。その後に、図７に示すように、スライサーの回転切断刃３６を用いて、焼結後のシート積層体４ｃを、マーキング用切り溝３０ｙａに沿って切断分離し、図８および図９に示す複数の棒状積層体４ｄを得る。

図８は、焼結後のシート積層体４ｃを、マーキング用切り溝３０ｙａに沿って切断した直後の状態を示す斜視図である。棒状積層体４ｄは、電極切断方向Ｙと一致する積層体長手方向Ｙに細長い棒状の形状を有している。切断された直後のマーキング用切り溝３０ｙａは、図２および図３に示す切断予定線３０ｙに対応し、棒状積層体４ｄの第１切断面３０ｂには、内部電極層１２または１３が露出する。すなわち、棒状積層体４ｄの一方の第１切断面３０ｂには、第２内部電極層１３が露出しており、他方の第１切断面３０ｂには、第１内部電極層１２が露出している。

また、棒状積層体４ｄは、内部電極層１２，１３に略平行であって、積層方向Ｚに略垂直な側面３０ｃを有する。側面３０ｃは、切断前のシート積層体４ｃにおいて、積層方向Ｚに垂直な最外表面４ｆであった面である。

なお、本実施形態では、シート積層体４ａを焼結した後に、焼結後のシート積層体４ｃを、マーキング用切り溝３０ｙａに沿って切断したが、焼結および切断は、これと逆の順番であってもよい。すなわち、シート積層体４ａを、マーキング用切り溝３０ｙａに沿って切断した後に焼結することによって、棒状積層体４ｄを作製してもよい。

次に、本実施形態に係る製造方法では、複数の棒状積層体４ｄを、再配列して、図１０に示す積層体集合体４ｅを作製する。積層体集合体４ｅを作製するために、まず、図８に示す棒状積層体４ｄを、図９に示すように回転させて、棒状積層体４ｄの側面３０ｃおよび第１切断面３０ｂの向きを変更する。

図８に示すように、棒状積層体４ｄの姿勢を変更する前において、棒状積層体４ｄの側面３０ｃは、棒状積層体４ｄの設置面に対して略平行であり、第１切断面３０ｂは、設置面に対して略垂直である。図９に示すように、棒状積層体４ｄの姿勢を変更させた後において、棒状積層体４ｄの側面３０ｃは、棒状積層体４ｄの設置面に対して略垂直であり、第１切断面３０ｂは、設置面に対して略平行である。

さらに、姿勢を変更させた棒状積層体４ｄを、互いに側面３０ｃが密着するように配列して、積層体集合体４ｅを作製する。各棒状積層体４ｄの寸法は略同一であるため、棒状積層体４ｄの第１切断面３０ｂは、図１０に示すように、略同一の平面に沿って配列される。したがって、積層体集合体４ｅの一方の面は、第２内部電極層１３が露出する第１切断面３０ｂによって構成され、積層体集合体４ｅの他方の面は、第１内部電極層１２が露出する第１切断面３０ｂによって構成される。

積層体集合体４ｅには、図１１に示すように、溝部５２が形成される。溝部５２は、積層体集合体４ｅを構成する棒状積層体４ｄの第１切断面３０ｂに形成される。溝部５２は、例えばＶ字状のカッター、ブラスト、レーザー等によって、積層体集合体４ｅの一部を切除することによって形成する。

溝部５２は、棒状積層体４ｄの電極長手方向Ｘ（Ｘ軸方向）および積層体長手方向切Ｙ（Ｙ軸方向）に直交する積層方向Ｚ（Ｚ軸方向）に沿って形成される。また、溝部５２は、図２に示す切断予定線３０ｘに沿って形成される。したがって、溝部５２は、図１１に示すように、各棒状積層体４ｄのマーキング用切り溝３０ｘａを通過する。

本実施形態に係る製造方法において、溝部５２は、棒状積層体４ｄの第１切断面３０ｂのうち、第１内部電極層１２が露出している第１切断面３０ｂと、第２内部電極層１３が露出している第１切断面３０ｂの両方に形成される。第１切断面３０ｂに形成される溝部５２の形状としては、特に限定されないが、溝部５２の側部５２ｂが、切断予定線３０ｘの近傍から切断予定線３０ｘへ向かって傾斜する略Ｖ字状の形状を有することが好ましい。また、溝部５２は、最終切断工程で使用する回転切断刃３６の刃幅や、溝部５２の表面に形成される外部電極６，８の厚さ等を考慮して、平坦な底部５２ａを有していても良い。

溝部５２の形状は、溝部５２を形成する前に、溝部５２を形成するためのブレードの形状等を変更したり、ブラストまたはレーザー等の出力を調整することによって、変更・制御してもよい。溝部５２の形状を制御することによって、最終的に得られるセラミックコンデンサ２における外部電極６，８の形状が変わるため、セラミックコンデンサ２の実装強度を最適化することができる。例えば、溝部５２の形状を制御し、外部電極６，８の面積を拡大することによって、実装時におけるセラミックコンデンサ２の固着強度（セラミックコンデンサ２が実装基板から剥がれないでくっついている耐性）を高めることができる。また、溝部５２の形状を制御し、外部電極６，８の面積拡大を抑制することによって、実装時におけるセラミックコンデンサ２の撓み強度（セラミックコンデンサ２が実装された基板が外力で撓む場合に、セラミックコンデンサ２と実装基板の電気的接続が維持される耐性。固着強度とトレードオフとなる場合がある。）を高めることができる。

本実施形態に係る製造方法では、図１２に示すように、棒状積層体４ｄの第１切断面３０ｂに溝部５２を形成した後、積層体集合体４ｅを構成する棒状積層体４ｄの第１切断面３０ｂに、外部電極６，８を薄膜形成する。外部電極６，８を薄膜形成する方法としては、特に限定されないが、例えばスパッタ法や、蒸着法等を用いることができる。なお、積層方向Ｚに沿って溝部５２を形成した後に、外部電極６，８の形成を行うことによって、例えば焼成時において内部電極１２，１３の引き込みが発生した場合にでも、内部電極１２，１３と、外部電極６，８を導通させることができる。第１切断面３０ｂを切除して溝部５２を形成することによって、焼成時に引き込まれた内部電極１２，１３を露出させることができるからである。

外部電極６，８を形成した後に、最終切断工程を行う。最終切断工程では、図１２に示すように、外部電極６，８が形成された棒状積層体４ｄを、スライサーの回転切断刃３６によって、図２に示す切断予定線３０ｘに沿って切断し、図１３に示す個片状のセラミックコンデンサ２を得る。

本実施形態に係る製造方法では、棒状積層体４ｄによって積層体集合体４ｅを構成した状態で、最終切断工程を行う。溝部５２は、切断予定線３０ｘ（図２参照）に沿って形成されているので、最終切断工程では、図１２に示すように、棒状積層体４ｄを、溝部５２に沿って切断する。

本実施形態に係る最終切断工程では、溝部５２に沿って棒状積層体４ｄを切断するため、個片状に切断する際にセラミックコンデンサ２の角部が欠けたり、角部付近に割れが発生したりすることを効果的に防止することができる。また、本実施形態に係る製造方法によって得られるセラミックコンデンサ２は、図１３に示すように、セラミックコンデンサ２の角部が面取りされた形状を有しているため、輸送時等における割れ・欠け等の発生を抑制できる。

なお、本実施形態に係る製造方法では、外部電極６，８を形成した後に、最終切断工程を行ったが、外部電極６，８の形成は、最終切断工程の後に行っても良い。すなわち、図１１に示す積層体集合体４ｅを、溝部５２に沿って切断した後、個片に分離する前に、外部電極６，８を薄膜形成しても良い。

図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）は、セラミックコンデンサ２をランド５４に対して配置する配置例を示した図である。セラミックコンデンサ２は、図１４（Ａ）に示すように、棒状積層体４ｄの側面３０ｃであった面がランド５４の実装面と略垂直となり、最終切断工程によって発生した面である第２切断面３０ｅが実施面と略平行となるように配置することができる。また、セラミックコンデンサ２は、図１４（Ｂ）に示すように、棒状積層体４ｄの側面３０ｃであった面がランド５４の実装面と略平行となり、第２切断面３０ｅが実装面と略垂直になるように配置することもできる。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２の製造方法では、複数の棒状積層体４ｄを再配列した積層体集合体４ｅを形成することによって、複数の棒状積層体４ｄに対して同時に外部電極６，８を薄膜形成することができる。複数の棒状積層体４ｄに対して一括で外部電極６，８の形成ができるため、本発明に係る製造方法は生産効率が良い。また、棒状積層体４ｄの側面３０ｃを密着させることによって、外部電極６，８を構成する材料が、棒状積層体４ｄの側面３０ｃに回り込むことを防止できる。そのため、回り込み防止のためにマスキング等の対策を行う工程を省略することができ、効率的な生産が可能である。

本実施形態に係る製造方法によって得られるセラミックコンデンサ２は、直方体形状の対向面にのみ外部電極が形成されている従来技術に係るセラミックコンデンサに比べて、外部電極６，８の面積が広い。したがって、図１２に示すセラミックコンデンサ２は、従来技術に係るセラミックコンデンサに比べて実装強度が高い。

また、本発明に係る積層電子部品の製造方法では、最終切断工程において、積層体集合体４ｅを構成する複数の棒状積層体４ｄを、溝部５２に沿って切断する。これによって、切断時または切断後におけるセラミックコンデンサ２の角部欠けおよび割れ等を防止することができる。また、溝部５２に沿って切断することにより、切断時の位置精度を向上させることができる。

その他の実施形態
第１実施形態に係る製造方法では、図１１に示すように、棒状積層体４ｄの切断面に溝部５２を形成したが、溝部５２と同様の溝部を、焼成後のシート積層体４ｃに形成してもよい。この場合、図７に示す焼成後のシート積層体４ｃにおける最外表面４ｆに、切断予定線３０ｙに沿って、溝部を形成することができる。

焼成後のシート積層体４ｃを、最外表面４ｆに形成された溝部に沿って切断し、棒状積層体４ｄを得ることによって、切断時の割れ、欠けを防止することができる。または、その後、第１実施形態と同様にして、セラミックコンデンサを作製することができる。このように作製されたセラミックコンデンサは、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ２と同様に、外部電極の面積が広く、従来技術に係るセラミックコンデンサに比べて実装強度が高い。

また、セラミックコンデンサ２の製造方法は、第１実施形態に係る製造方法に含まれる工程に加えて、棒状積層体４ｄの側面３０ｃまたは焼成後のシート積層体４ｃの最外表面４ｆを平滑化する工程を有していても良い。図１０に示す積層体集合体を形成する前に、棒状積層体４ｄの側面３０ｃまたは焼成後のシート積層体４ｃの最外表面４ｆを平滑化することによって、隣接する棒状積層体４ｄの側面３０ｃ同士の密着性を高めることができる。隣接する棒状積層体４ｄの側面３０ｃ同士の密着性を高めることによって、外部電極６，８を形成する工程において、側面３０ｃに外部電極６，８の材料が付着することを防止することができる。

棒状積層体４ｄの側面３０ｃまたは焼成後のシート積層体４ｃの最外表面４ｆを平滑化する工程は、棒状積層体４ｄの側面３０ｃまたは焼成後のシート積層体４ｃの最外表面４ｆを、機械的または化学的に研磨等することによって実施される。

また、第１実施形態に係る製造方法では、図７に示す溝部５２を形成する工程において、隣接する２つの溝部５２は、棒状積層体４ｄの積層体長手方向Ｙに１つの素子本体要素４ｂを挟むように形成される。しかし、他の実施形態に係る製造方法では、溝部５２を形成する工程において、隣接する２つの溝部５２は、棒状積層体４ｄの積層体長手方向Ｙに２つの素子本体要素４ｂを挟むように形成されてもよい。このようにして得られたセラミックコンデンサは、図１１に示すセラミックコンデンサ２とは異なり、片側の２つの辺のみが面取りされた形状を有しているが、セラミックコンデンサ２と同様の効果を有する。

２… 積層セラミックコンデンサ
４… 素子本体
４ａ… シート積層体
４ｂ… 素子本体要素
４ｄ… 棒状積層体
６… 第１外部電極
８… 第２外部電極
１０… 第１内側誘電体層
１０ａ… 第１グリーンシート
１１… 第２内側誘電体層
１１ａ… 第２グリーンシート
１２… 第１内部電極層
１２ａ… 第１内部電極パターン
１３… 第２内部電極層
１３ａ… 第２内部電極パターン
３０ｂ… 第１切断面
３０ｃ… 側面
３０ｘ，３０ｙ… 切断予定線
３０ｘａ，３０ｙａ… マーキング用切り溝
５２… 溝部

Claims (6)

1. 焼成後に内部電極層となる内部電極パターンと、焼成後にセラミック層となるグリーンシートとが積層してあるシート積層体を準備する工程と、
   前記シート積層体を焼成および切断することによって、前記内部電極層が露出する切断面と、前記シート積層体の積層方向に略垂直な側面とを有しており、長手方向に細長い複数の棒状積層体を形成する工程と、
   前記複数の棒状積層体を再配列し、前記複数の棒状積層体の前記側面が互いに密着しており、前記複数の棒状積層体の前記切断面が略同一の平面に沿って配置された積層体集合体を形成する工程と、
   前記積層体集合体を構成する前記棒状積層体の一部を切除し、前記棒状積層体の前記切断面に溝部を形成する工程と、
   前記溝部が形成された前記積層体集合体における前記複数の棒状積層体の前記切断面に外部電極を薄膜形成する工程と、
   前記棒状積層体を個片状に切断する工程と、を有する
   積層セラミック電子部品の製造方法。
2. 前記溝部を形成する工程において、前記溝部は、前記積層体集合体における前記複数の棒状積層体の長手方向に略直交する方向に延在するように形成されることを特徴とする請求項１に記載された積層セラミック電子部品の製造方法。
3. 前記溝部を形成する工程において、略Ｖ字状の前記溝部を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載された積層セラミック電子部品の製造方法。
4. 前記溝部の形状を制御する工程をさらに有する
   請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載された積層セラミック電子部品の製造方法。
5. 前記棒状積層体を個片状に切断する工程において、前記積層体集合体を構成する前記複数の棒状積層体を、前記溝部に沿って切断することを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載された積層セラミック電子部品の製造方法。
6. 焼成された前記シート積層体の表面を平滑化する工程をさらに有する
   請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載された積層セラミック電子部品の製造方法。

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