CN103247442B - 层叠陶瓷电子部件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种即使是陶瓷层薄的层叠陶瓷电子部件也很难产生第1及第2内部电极间的短路且能够很好地制造的方法。层叠在表面上形成了用于构成第1或第2内部电极(11、12)的导电膜(21)的陶瓷生片(20)，来制造陶瓷生片层叠体(22)。进行切断陶瓷生片层叠体(22)来形成使第1及第2内部电极(11、12)中的任一方露出的第1及第2端面(24e、24f)的第1切断工序。进行切断陶瓷生片层叠体(22)来形成使第1及第2内部电极(11、12)这两个电极露出的第1及第2侧面(24c、24d)的第2切断工序。在第2切断工序中，使切割刀刃(42)沿着长度方向或宽度方向移动来切削陶瓷生片层叠体(22)。

Description

层叠陶瓷电子部件的制造方法
技术领域
本发明涉及层叠陶瓷电子部件的制造方法。
背景技术
近几年，随着移动电话或便携式音乐播放器等电子设备的小型化的推进，搭载于电子设备的层叠陶瓷电容器等层叠陶瓷电子部件的小型化得到迅速发展。
例如，在专利文献1中作为层叠陶瓷电容器的制造方法而记载了如下方法：使沿着垂直于厚度方向的第1方向排列的切割刀刃在厚度方向上移动来切削在内部形成了内部电极形成用的导电膜的主陶瓷层叠体，在形成长条状之后，进一步使沿着厚度方向及垂直于第1方向的第2方向排列的切割刀刃在厚度方向上移动来切削所述主陶瓷层叠体，从而获得长方体状的电子部件主体。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】特开昭61-248413号公报
近几年，从实现层叠陶瓷电子部件的高性能化的观点出发，推进了位于第1内部电极与第2内部电极之间的陶瓷层的薄膜化。若通过专利文献1记载的制造方法制造该陶瓷层薄的层叠陶瓷电子部件，则存在容易产生第1内部电极和第2内部电极之间的短路的问题。
发明内容
本发明鉴于这一点而完成，其目的在于，提供一种即使是陶瓷层薄的层叠陶瓷电子部件也不易产生第1及第2内部电极间的短路且能够很好地制造的方法。
在本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，进行准备工序：准备具有长方体状的陶瓷层叠体主体、第1内部电极和第2内部电极的陶瓷层叠体，其中，所述陶瓷层叠体主体具有沿着长度方向及宽度方向延伸的第1及第2主面、沿着长度方向及厚度方向延伸的第1及第2侧面、和沿着宽度方向及厚度方向延伸的第1及第2端面；所述第1内部电极在陶瓷层叠体主体的内部被设置成与第1及第2主面平行，且露出于第1端面以及所述第1及第2侧面；所述第2内部电极在陶瓷层叠体主体的内部被设置成隔着陶瓷层在厚度方向上与第1内部电极对置，且露出于第2端面以及第1及第2侧面。在准备工序中，层叠在表面上形成了用于构成第1或第2内部电极的导电膜的陶瓷生片(greensheet)，来制造陶瓷生片层叠体。进行切断陶瓷生片层叠体来形成使第1及第2内部电极中的任一方露出的第1及第2端面的第1切断工序。进行切断陶瓷生片层叠体来形成使第1及第2内部电极这两个电极露出的第1及第2侧面的第2切断工序。在第2切断工序中，通过使切割刀刃沿着长度方向或宽度方向移动，从而切削陶瓷生片层叠体。
在本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件的制造方法的某一特定方式中，陶瓷生片的厚度在1.5μm以下。
在本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件的制造方法的其他特定方式中，在第1切断工序中，将陶瓷生片层叠体切断成长条状，在使长条体粘接在基盘上的状态下进行第2切断工序。
在本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件的制造方法的又一特定方式中，电子部件的制造方法在所述第1及第2切断工序之前，还具备切除陶瓷生片层叠体的外周部来使导电膜露出的工序。
【发明效果】
根据本发明，能够提供一种即使是陶瓷层薄的层叠陶瓷电子部件也不易产生第1及第2内部电极间的短路且能够很好地制造的方法。
附图说明
图1是第1实施方式中的层叠陶瓷电子部件的简略立体图。
图2是在图1中的II-II线切出的部分的简略剖视图。
图3是在图1中的III-III线切出的部分的简略剖视图。
图4是在图3中的IV-IV线切出的部分的简略剖视图。
图5是在图3中的V-V线切出的部分的简略剖视图。
图6是印刷了导电性糊剂的陶瓷生片的示意性俯视图。
图7是陶瓷生片层叠体的示意性分解侧视图。
图8是用于说明第2切断工序的示意性立体图。
图9是用于说明第2切断工序的示意性立体图。
图10是原始陶瓷层叠体的示意性立体图。
图11是原始陶瓷层叠体的简略剖视图。
图12是原始陶瓷层叠体的简略剖视图。
图13是原始陶瓷坯体的示意性立体图。
图14是用于说明在第2切断工序中沿着导电膜的层叠方向切断了陶瓷生片层叠体的情况的简略剖视图。
图15是第2实施方式中的陶瓷生片的示意性俯视图。
图16是第2实施方式中的陶瓷生片层叠体的示意性分解侧视图。
图17是用于说明第2实施方式的第1切断工序中的切割线的示意性俯视图。
图18是用于说明第2实施方式的第2切断工序中的切割线的示意性俯视图。
图19是用于说明第2实施方式的第2切断工序中的切割线的示意性侧视图。
图20是第3实施方式中的陶瓷生片的示意性俯视图。
图21是用于说明第3实施方式中的陶瓷生片的层叠工序的示意性俯视图。
图22是用于说明第3实施方式的第1切断工序中的切割线的示意性俯视图。
图23是用于说明第3实施方式的第2切断工序中的切割线的示意性俯视图。
【符号说明】
1...层叠陶瓷电子部件
9…电子部件主体
10…陶瓷坯体
10a…第1主面
10b…第2主面
10c…第1侧面
10d…第2侧面
10e…第1端面
10f…第2端面
10g…陶瓷层
10h…保护部
11…第1内部电极
12…第2内部电极
13…第1外部电极
14…第2外部电极
20…陶瓷生片
21...导电膜
22…陶瓷生片层叠体
23…陶瓷层叠体
24…陶瓷层叠体主体
24a…第1主面
24b…第2主面
24c…第1侧面
24d…第2侧面
24e…第1端面
24f…第2端面
24g…陶瓷层
29a、29b…保护部
30…陶瓷坯体
31...长条体
31a…第1侧面
31b…第2侧面
41、42…切割刀刃
43…基盘
50…陶瓷生片
50a…导电部
50b…线状陶瓷部
60…陶瓷生片
60a…导电部
60b…线状陶瓷部
60c…点状陶瓷部
具体实施方式
以下，说明实施了本发明的优选方式的一例。但是，下述的实施方式是简单的例示。本发明并不限于下述的实施方式。
此外，在实施方式等中参考的各附图中，对实质上具有同一功能的部件附加同一符号来进行参考。此外，在实施方式等中所参考的附图仅仅是示意性记载，附图中描绘的物体的尺寸的比率等有时不同于现实物体的尺寸的比率等。附图相互之间，有时物体的尺寸比率等也会不同。具体的物体的尺寸比率等应参考以下的说明来判断。
(第1实施方式)
(层叠陶瓷电子部件1的结构)
图1是第1实施方式中的层叠陶瓷电子部件的简略立体图。图2是在图1中的II-II线切出的部分的简略剖视图。图3是在图1中的III-III线切出的部分的简略剖视图。图4是在图3中的IV-IV线切出的部分的简略剖视图。图5是在图3中的V-V线切出的部分的简略剖视图。
首先，参照图1～图5，说明在本实施方式中制造的层叠陶瓷电子部件1的结构。
如图1～3所示，层叠陶瓷电子部件1具备长方体状的陶瓷坯体10。陶瓷坯体10具有沿着长度方向L及宽度方向W延伸的第1及第2主面10a、10b。如图1及图3所示，陶瓷坯体10具有沿着厚度方向T及长度方向L延伸的第1及第2侧面10c、10d。此外，如图2所示，具有沿着厚度方向T及宽度方向W延伸的第1及第2端面10e、10f。
另外，在本发明中，“长方体状”包括角部或棱角部圆滑的长方体。即，“长方体状”的部件意味着具有第1及第2主面、第1及第2侧面以及第1及第2端面的全部部件。此外，也可以在主面、侧面、端面的一部分或全部中形成凹凸等。
陶瓷坯体10的尺寸没有特别限定，例如，可以将陶瓷坯体10的高度尺寸、长度尺寸及宽度尺寸分别设为0.1mm～10mm左右。
陶瓷坯体10由适当的陶瓷制品构成。构成陶瓷坯体10的陶瓷制品的种类科根据期望的层叠陶瓷电子部件1的特性来适当选择。
例如，在层叠陶瓷电子部件1为电容器的情况下，可由电介质陶瓷形成陶瓷坯体10。作为电介质陶瓷的具体例，例如可列举BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等。
例如，在层叠陶瓷电子部件1为压电部件的情况下，可由压电陶瓷形成陶瓷坯体10。作为压电陶瓷的具体例，例如可列举PZT(锆钛酸铅陶瓷)系陶瓷等。
例如，在层叠陶瓷电子部件1为热敏电阻的情况下，可由半导体陶瓷形成陶瓷坯体10。作为半导体陶瓷的具体例，例如可列举尖晶石系陶瓷等。
例如，在层叠陶瓷电子部件1为电感器的情况下，可由磁性体陶瓷形成陶瓷坯体10。磁性体陶瓷的具体例，例如可列举铁氧体陶瓷等。
如图2及图3所示，在陶瓷坯体10的内部沿着厚度方向T以等间隔交替地配置大致长条状的多个第1及第2内部电极11、12。第1及第2内部电极11、12分别与第1及第2主面10a、10b平行。第1及第2内部电极11、12在厚度方向T上隔着陶瓷层10g而相互对置。
另外，陶瓷层10g的厚度优选在1.5μm以下。由此，通过使陶瓷层10g较薄，能够实现层叠陶瓷电子部件1的高性能化。
第1内部电极11露出于第1端面10e，在第1及第2主面10a、10b、第1及第2侧面10c、10d以及第2端面10f上并没有露出。另一方面，第2内部电极12露出于第2端面10f，在第1及第2主面10a、10b、第1及第2侧面10c、10d以及第1端面10e上并没有露出。因此，第1内部电极11和第2内部电极12在陶瓷坯体10的长度方向L的中央部且宽度方向W的中央部沿着厚度方向T对置。该第1内部电极11和第2内部电极12在厚度方向T上对置的部分构成实现层叠陶瓷电子部件1的功能的有效部。
如图3所示，在陶瓷坯体10的宽度方向W的两侧部分设有未设置第1及第2内部电极11、12的保护部10h。该保护部10h不对层叠陶瓷电子部件1的功能作贡献。因此，从实现层叠陶瓷电子部件1的高性能化的观点出发，优选保护部10h越薄越好。例如，在层叠陶瓷电子部件1为陶瓷电容器的情况下，保护部10h越薄，能够使静电电容越大。但是，若保护部10h过于薄或者不设置保护部10h，则从空气中水分侵入到第1内部电极11与第2内部电极12之间而导致耐湿性下降，因此是不优选的。
保护部10h沿着宽度方向W的尺寸例如优选在0.02mm～0.5mm左右。
第1及第2内部电极11、12可通过适当的导电材料构成。第1及第2内部电极11、12例如由合金(例如、Ag-Pd合金等)构成，该合金包含从由Ni、Cu、Ag、Pd及Au构成的组中选出的金属或从由Ni、Cu、Ag、Pd及Au构成的组中选出的一种以上的金属。
如图1及图2所示，层叠陶瓷电子部件1具备第1及第2外部电极13、14。如图2及图4所示，第1外部电极13与第1内部电极11连接。另一方面，如图2及图5所示，第2外部电极14与第2内部电极12连接。
如图1、图2、图4及图5所示，第1及第2外部电极13、14分别形成为从两端面10e、10f到达第1及第2主面10a、10b以及第1及第2侧面10c、10d。换言之，第1及第2外部电极13、14各自的一部分位于第1及第2主面10a、10b以及第1及第2侧面10c、10d上。
详细而言，第1外部电极13具有在第1端面10e上形成的第1部分13a、在第1主面10a上形成的第2部分13b、在第2主面10b上形成的第3部分13c、在第1侧面10c上形成的第4部分13d、和在第2侧面10d上形成的第5部分13e。第2外部电极14具有在第2端面10f上形成的第1部分14a、在第1主面10a上形成的第2部分14b、在第2主面10b上形成的第3部分14c、在第1侧面10c上形成的第4部分14d、和在第2侧面10d上形成的第5部分14e。
通过第2内部电极12和保护部10h，，使第1外部电极13的第4部分13d及第5部分13e电绝缘。通过第1内部电极11和保护部10h，使第2外部电极14的第4部分14d及第5部分14e电绝缘。
第1及第2外部电极13、14可通过适当的导电材料构成。此外，第1及第2外部电极13、14也可以由多层导电膜构成。
在本实施方式中，具体而言，第1及第2外部电极13、14分别具有在第1、第2端面10e、10f上形成的由1个或多个导电膜构成的基底层、和在基底层上形成的1个或多个镀覆层。
基底层例如可由导电性树脂层构成，该导电性树脂层由烧结金属层、镀覆层、或者向热固化性树脂或光固化性树脂添加导电性填料的导电性树脂构成。烧结金属层可以通过同时烧成第1及第2内部电极11、12的共烧(cofiring)形成，也可以通过涂敷导电性糊剂后进行烧尽的后烧(postfiring)形成。
包含在基底层中的导电材料并没有特别限定，作为包含在基底层中的导电材料的具体例，例如可以列举Cu、Ni、Ag、Pd、Au等金属、包含Ag-Pd等上述金属中的1种以上的合金等。
基底层的最大厚度例如可以设为20μm～100μm。
镀覆层例如可通过Cu、Ni、Sn，Ag、Pd、Au等金属、包含Ag-Pd等上述金属中的1种以上的合金等形成。
镀覆层每1层的最大厚度例如可设为1μm～10μm。
另外，在基底层与镀覆层之间可配置应力缓和用的树脂层。
(层叠陶瓷电子部件1的制造方法)
图6是印刷了导电性糊剂的陶瓷生片的示意性俯视图。图7是陶瓷生片层叠体的示意性分解侧视图。图8是用于说明第2切断工序的示意性立体图。图9是用于说明第2切断工序的示意性立体图。图10是原始陶瓷层叠体的示意性立体图。图11是原始陶瓷层叠体的简略剖视图。图12是原始陶瓷层叠体的简略剖视图。图13是原始陶瓷坯体的示意性立体图。图14是在第2切断工序中用于说明沿着导电膜的层叠方向切断了陶瓷生片层叠体的情况的简略剖视图。
接着，主要参照图6～图14，说明本实施方式中的层叠陶瓷电子部件1的制造方法。
首先，制造多个用于形成陶瓷坯体10的陶瓷生片20(参照图6)。陶瓷印刷电路基例如可通过以下的要领制作。首先，准备陶瓷粉末、分散剂、和根据需要包含粘合剂等的陶瓷糊剂。可以将该陶瓷糊剂以薄板状印刷成树脂薄膜等薄膜状，通过进行干燥来制造陶瓷生片20。另外，陶瓷糊剂的印刷例如可通过压膜法、螺旋辊涂法、微螺旋辊涂法等来进行。
另外，在本实施方式中，陶瓷生片20的厚度在1.5μm以下。由此，能够使陶瓷层10g较薄。因此，能够使层叠陶瓷电容器高电容化。
接着，在陶瓷生片20上形成用于形成内部电极11、12的导电膜21。具体而言，在x方向上相互隔着间隔以条纹状印刷多个导电膜21。导电膜21的印刷例如可通过丝网印刷法、喷墨印刷法、照相凹版印刷法等来进行。导电膜21的厚度例如在1.5μm。
接着，如图7所示，层叠多个未印刷导电膜21的陶瓷生片20之后，在垂直于导电膜21延伸的方向y的方向x上使彼此错开来层叠多个印刷了导电膜21的陶瓷生片20。接着，进一步在该基板上层叠多个未印刷导电膜21的陶瓷生片20。由此，完成陶瓷生片层叠体22。也可以根据需要在厚度方向z上对陶瓷生片层叠体22进行等静压压制。
通过将该陶瓷生片层叠体分割为多个，从而制作图10～图12所示的原始陶瓷层叠体23。通过以上的要领进行准备原始陶瓷层叠体23的准备工序。
原始陶瓷层叠体23具有长方体状的陶瓷层叠体主体24。陶瓷层叠体主体24具有第1及第2主面24a、24b、第1及第2侧面24c、24d、和第1及第2端面24e、24f。第1及第2主面24a、24b沿着长度方向L及宽度方向W延伸。第1及第2侧面24c、24d沿着长度方向L及厚度方向T延伸。第1及第2端面24e、24f沿着宽度方向W及厚度方向T延伸。
在陶瓷层叠体主体24的内部形成由导电膜21构成的第1及第2内部电极11、12。第1内部电极11与第1及第2主面24a、24b平行。第1内部电极11露出于第1端面24e以及第1及第2侧面24c、24d。第1内部电极11未露出于第2端面24f。
第2内部电极12与第1及第2主面24a、24b平行。第2内部电极12露出于第2端面24f以及第1及第2侧面24c、24d。第2内部电极12并未露出于第1端面24e。第1内部电极11和第2内部电极12隔着陶瓷层24g在厚度方向T上对置。
接着，如图13所示，在原始陶瓷层叠体23上设置保护部29a、29b。具体而言，首先，准备陶瓷粉末、分散剂、和根据需要包含粘合剂等的陶瓷糊剂。该陶瓷糊剂也可以是与在陶瓷生片20的形成中所使用的陶瓷糊剂相同种类的糊剂。接着，在原始陶瓷层叠体23的第1及第2侧面24c、24d的各个侧面上以覆盖第1及第2内部电极11、12的方式涂敷陶瓷糊剂，并使其干燥。由此，形成第1及第2保护部29a、29b，获得具有第1及第2保护部29a、29b、和原始陶瓷层叠体23的原始陶瓷坯体30。此外，也可以向陶瓷生片按压原始陶瓷层叠体23，并冲孔，将陶瓷生片粘贴到原始陶瓷层叠体23上，从而形成保护部。
对通过以上的要领制造的原始陶瓷坯体30进行烧成，从而能够完成原始陶瓷坯体30被烧成而形成的陶瓷坯体10、和具有第1及第2内部电极11、12的电子部件主体9。另外，保护部10h由保护部29a、29b被烧成而形成的陶瓷层构成。
最后，通过形成第1及第2外部电极13、14，能够完成层叠陶瓷电子部件1。第1及第2外部电极13、14的形成例如涂敷导电性糊剂并使其烧尽来形成，也可以通过镀覆法来形成。
接着，参照图7～图9，详细说明本实施方式中的分割陶瓷生片层叠体22的工序。
首先，通过切除陶瓷生片层叠体22的外周部，在陶瓷生片层叠体22的4个端面上使导电膜21或者切断用的位置标记露出。在切除了外周部的陶瓷生片层叠体22的x方向的两侧端面、和y方向两侧端面中，露出的导电膜21或者标记的形状不同。
因此，如本实施方式所示，通过预先切除陶瓷生片层叠体22的外周部，从而容易识别在陶瓷生片层叠体22内配置的导电膜21延伸的方向。
接着，进行第1切断工序。具体而言，使沿着在y方向上延伸的第1切割线CL1排列的切割刀刃41在z方向上移动，从而切削陶瓷生片层叠体22。由此，形成图10所示的第1及第2端面24e、24f。即，形成多个具有作为第1及第2端面24e、24f的第1及第2侧面31a、31b的长条体31。
接着，进行第2切断工序。具体而言，通过根据图8所示的切割线CL2切断长条体31，从而形成第1及第2侧面24c、24d，完成图10所示的原始陶瓷层叠体23。
在该第2切断工序中，使沿着z方向(层叠方向)排列的切割刀刃42在垂直于z方向(导电膜21的层叠方向)的x方向上移动，从而沿着z方向及x方向切削长条体31。
更具体而言，在由弹性体构成的基盘43上以第1侧面31a朝上的方式相互平行地保持多个长条体31。在该状态下，使沿这z方向及y方向排列的切割刀刃42(在图9中未图示)在x方向上移动，从而切削长条体31。通过反复进行该切削工序，从而由长条体31制造多个原始陶瓷层叠体23。另外，也可以同时切削多个长条体31。此时，进一步提高切断效率。如本实施方式所示，通过在由弹性体构成的基盘43上保持长条体31，从而例如即使在长条体31的上表面上形成因导电膜21引起的凸部，也能够很好地固定。因此，能够很好地进行第2切断工序。
但是，从制造容易性的观点出发，优选陶瓷生片层叠体22的分割在第2切断工序中也如图14所示那样使切割刀刃42沿着z方向移动来进行切削。这是因为此时在第1切断工序和第2切断工序之间，不需要进行使长条体31旋转后固定的工序，能够简化制造工序。
但是，在如本实施方式那样陶瓷层10g的厚度薄到1.5μm的情况下，切割刀刃42沿着z方向移动的同时，陶瓷生片20及导电膜21的切断部附近在z方向上产生位移。由此，有时要形成的第1及第2内部电极会短路。
相对于此，在本实施方式中，如图8所示，在第2切断工序中，使沿着z方向排列的切割刀刃42在垂直于层叠方向即z方向的x方向上移动，从而进行长条体31的切断。因此，切削的同时，导电膜21很难产生变形，很难产生第1及第2内部电极11、12间的短路。因此，即使是陶瓷层10g薄的层叠陶瓷电子部件1，也能够很好地以高成品率制造。特别是层叠陶瓷电子部件1为电容器的情况下，通过使陶瓷层10g较薄，从而获得高的电容，并且能够以高成品率制造。
以下，说明本发明的优选实施方式的其他例。在以下的说明中，对于与上述第1实施方式实质上具有共同功能的部件附加共同的符号，并省略说明。
(第2及第3实施方式)
图15是第2实施方式中的陶瓷生片的示意性俯视图。图16是第2实施方式中的陶瓷生片层叠体的示意性分解侧视图。图17是用于说明第2实施方式的第1切断工序中的切割线的示意性俯视图。图18是用于说明第2实施方式的第2切断工序中的切割线的示意性俯视图。图19是用于说明第2实施方式的第2切断工序中的切割线的示意性侧视图。图20是第3实施方式中的陶瓷生片的示意性俯视图。图21是用于说明第3实施方式中的陶瓷生片的层叠工序的示意性俯视图。图22是用于说明第3实施方式的第1切断工序中的切割线的示意性俯视图。图23是用于说明第3实施方式的第2切断工序中的切割线的示意性俯视图。
在上述第1实施方式中，说明了利用多个导电膜21形成为条纹状的陶瓷生片20形成陶瓷生片层叠体22的例。但是，本发明并不限于此。例如，也可以如以下那样形成陶瓷生片层叠体22。
在第2实施方式中，与图6所示的仅由陶瓷部构成的陶瓷生片20一起，如图15所示那样，准备具有导电部50a、和经过设置在导电部50a中的多个贯通孔后露出于表面的多个线状陶瓷部50b的陶瓷生片50。接着，如图16所示，在层叠了多个陶瓷生片20的基础上，以线状陶瓷部50b的位置沿着y方向交替地错开的方式层叠多个陶瓷生片50，进一步在这上面层叠多个陶瓷生片20，从而形成陶瓷生片层叠体22。此时，在第1切断工序中，如图17所示，使沿着在与线状陶瓷部50b延伸的方向平行的x方向上延伸的切割线CL11排列的切割刀刃在z方向上移动来切削陶瓷生片层叠体22，从而形成长条体31，在第2切断工序中，如图18及图19所示，使沿着在z方向上延伸的切割线CL12的切割刀刃42在与层叠方向即z方向垂直的y方向上移动，从而切削长条体31。此时，也与第1实施方式相同，即使是陶瓷层10g薄的高性能的层叠陶瓷电子部件1，也能够很好地以高成品率制造。
在第3实施方式中，与图6所示的仅由陶瓷部构成的陶瓷生片20一起，如图20所示那样，准备具有导电部60a、经过设置在导电部60a中的多个贯通孔后露出于表面的多个线状陶瓷部60b、和多个点状陶瓷部60c的陶瓷生片60。在y方向上相互隔着间隔排列多个线状陶瓷部60b。在y方向上相邻的线状陶瓷部60b之间，沿着x方向相互隔着间隔而排列多个点状陶瓷部60c。接着，在层叠了多个陶瓷生片20的基础上，如图21所示，将多个陶瓷生片60层叠成在z方向上与线状陶瓷部60b和点状陶瓷部60c重叠，并且在陶瓷生片60上层叠多个陶瓷生片20，从而形成陶瓷生片层叠体22。此时，在第1切断工序中，如图22所示那样，使沿着在与线状陶瓷部60b延伸的方向平行的x方向上延伸的切割线CL21排列的切割刀刃在z方向上移动，从而切削陶瓷生片层叠体22来形成长条体31，在第2切断工序中，如图23所示那样，使沿着在z方向上延伸的切割线CL22的切割刀刃42在垂直于层叠方向即z方向的y方向上移动，从而切削长条体31。此时，也与第1实施方式相同，即使是陶瓷层10g薄的高性能的层叠陶瓷电子部件1，也能够很好地以高成品率制造。
(实施例)
在第1实施方式所涉及的制造方法中，在下述的条件下约制造了3000个与第1实施方式所涉及的层叠陶瓷电子部件1相同的层叠陶瓷电子部件。接着，从约3000个样品中抽出200个样品，测量有无第1及第2内部电极11、12间的短路，计算出产生了短路的不合格率。结果如表1所示。
陶瓷坯体10的长度：1.2mm
陶瓷坯体10的宽度：0.6mm
陶瓷坯体10的厚度：0.6mm
内部电极的厚度：0.4μm
陶瓷生片的层叠数：500层
陶瓷生片的厚度：1.5μm、1.2μm、1.0μm或0.7μm
(比较例)
在第2切断工序中使切割刀刃沿着层叠方向即z方向移动来进行切削以外，与实施例相同地制造了约3000个层叠陶瓷电容器。
接着，从约3000个样品中抽出200个样品，测量有无第1及第2内部电极11、12间的短路，计算出产生了短路的不合格率。结果如表1所示。
【表1】
从表1所示的结果可知，在第2切断工序中通过使切割刀刃沿着垂直于层叠方向的方向移动进行切削，从而能够有效地抑制内部电极的短路。
此外，可知在陶瓷生片的厚度为1.5μm以上时，容易产生部电极间的短路。

Claims (5)

1.一种层叠陶瓷电子部件的制造方法，包括：准备工序，准备具有长方体状的陶瓷层叠体主体、第1内部电极和第2内部电极的陶瓷层叠体，其中，所述陶瓷层叠体主体具有沿着长度方向及宽度方向延伸的第1及第2主面、沿着长度方向及厚度方向延伸的第1及第2侧面、和沿着宽度方向及厚度方向延伸的第1及第2端面；所述第1内部电极在所述陶瓷层叠体主体的内部被设置成与所述第1及第2主面平行，且露出于所述第1端面以及所述第1及第2侧面；所述第2内部电极在所述陶瓷层叠体主体的内部被设置成隔着陶瓷层在厚度方向上与所述第1内部电极对置，且露出于所述第2端面以及所述第1及第2侧面，
所述准备工序包括：
层叠在表面上形成了用于构成所述第1或第2内部电极的导电膜的陶瓷生片，来制造陶瓷生片层叠体的工序；
切断所述陶瓷生片层叠体来形成使所述第1及第2内部电极中的任一方露出的所述第1及第2端面的第1切断工序；和
切断所述陶瓷生片层叠体来形成使所述第1及第2内部电极这两个电极露出的所述第1及第2侧面的第2切断工序，
在所述第2切断工序中，通过使切割刀刃从所述第1端面向所述第2端面移动，从而切削所述陶瓷生片层叠体。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其中，
所述陶瓷生片的厚度在1.5μm以下。
3.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其中，
在所述第1切断工序中，将所述陶瓷生片层叠体切断成长条状，在使所述长条体粘接在基盘上的状态下进行所述第2切断工序。
4.根据权利要求2所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其中，
在所述第1切断工序中，将所述陶瓷生片层叠体切断成长条状，在使所述长条体粘接在基盘上的状态下进行所述第2切断工序。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其中，
在所述第1及第2切断工序之前，还具备切除所述陶瓷生片层叠体的外周部来使所述导电膜露出的工序。
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