TW535462B - Electric circuit device and method for making the same - Google Patents

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[發明領域] 五、發明說明（1 ) 本發明為關於電路裝置以及其製诰太i ^ ^ a 久兴表k方法，尤其關於不 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 需要支撐基板之薄型之電路裝置以及其製造方法。 [以往技術] 以往’設置於電子機器之雷路裝著去 路哀置，為了用於攜帶電 話、攜帶型電腦，而有小型化、薄型化、輕巧化之要求。 例如，以作為電路裝置之半導體裝置為例說明時作 為-般之半導體裝置，有以往常見之以移轉模塑（transfer mold)方法密封之封裝型半導體裝置❶此種半導體裝置j 係如第24圖所示，安裝於印刷基板Ps。 再者’此種封裝型半導體i，係半導體晶片2之周圍 由樹脂層3被覆，然後從該樹脂層3之側部導出外部連接 用之引線端子4。 但是，此種封裝型半導體裝置1，其引線端子4由樹 脂層3向外導出，結果使整體之尺寸增大，因此無法滿足 小型化、薄型化以及輕巧化之要求。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於此，各製造廠競爭開發種種構造，以求達成小型 化、薄型化以及輕巧化，最近已見到稱為CSP(Chip Size Package)之與晶片尺寸相同之晶圓尺寸CSP，或略大於晶 片尺寸之CSP。 第25圖係表示支撐基板採用玻璃環氧樹脂基板5之略 大於晶片尺寸CSP 6。以下由電晶體晶片τ安裝於玻璃環 氧樹脂基板5之情況說明。 在此種玻璃環氧樹脂基板5之表面，分別形成第一電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 312056 祕462 A7 五、發明說明（2 ) 7 姑 、第二電極8以及晶片座（die pad) 9，背面分別形成第 背面電極1 〇以及第二背面電極11。並且經過穿孔TH， 使則述第一電極7與第一背面電極1〇作電氣連接，第二電 極8與第二背面電極11作電氣連接。再者，在晶片座9 上固疋韵述裸電晶體晶片Τ’電晶體之射極電極與第一電 極7透過金屬細線12連接，電晶體之基極電極與第二電極 8透過金屬細線12連接。再者，以覆蓋電晶體晶片τ之方 式在破璃環氧樹脂基板5上設置樹脂層13。 前述CSP 6雖採用玻璃環氧樹脂基板5，但不同於晶 圓尺寸CSP，由晶片Τ至外部連接用之背面電極1〇、u 之延伸構造非常簡單，而具有製造成本低之優點。 再者，前述CSP 6係如第24圖所示，安裝於印刷電 路基板PS。在印刷電路基板PS上，設有構成電氣迴路之 電極、配線，且以電氣連接的方式固定有前述CSP 6、封 裝型半導體裝置1、晶片電阻Cr或晶片電容器CC等。 然後，將此印刷電路基板所構成之電路安裝於各種裝 置中。 其次，參照第26圖以及第27圖說明該CSP之製造方 法。並且，參照第27圖中以中央之玻璃環氧樹脂/撓性基 板為標題之流程圖。 首先，準備作為基材（支撐基板）之玻璃環氧樹脂基板 5 ’對於其兩面使用絕緣接合劑壓接銅箔2〇、2 i (以上參照 第26A圖）。 續之，分別在對應於第一電極7、第二電極8、晶片座 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tx——Μ-----線 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 2 312056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 535462 A7 B7 五、發明說明（3 ) 9、第一背面電極10以及第二背面電極11之銅箔20、21 上被覆耐蝕刻性之阻止膜（resist) 22，由此使銅箔20、21 圖型化（patterning)。並且，圖型化可以對於表面與背面分 別施行（以上參照第26B圖）。 續之，使用鑽床或雷射在玻璃環氧樹脂基板上形成作 為穿孔TH之孔，並在該孔施行電鍍，由此形成穿孔TH。 透過TH使第一電極7與第一背面電極1〇，第二電極8與 第二背面電極11作電氣連接（以上參照第26圖）。 再者，圖中雖未表示，但在成為焊接柱（bonding post) 之第一電極7、第二電極8上鍍鎳或鍍金，同時在成為晶 片焊接柱之晶片座9上鍍鋼，以進行接合電晶體晶片τ之 晶片接合（die bonding)作業。 最後，分別以金屬細線12連接電晶體晶片T之射極 電極與第一電極7,電晶體晶片τ之基極電極與第二電極8 後，以樹脂層13加以被覆（以上參照第26D圖）。 然後，依需要進行切割作業（dicing)使其分離成為個別 之電氣元件。在第26圖中，玻璃環氧樹脂基板5上僅設置 1個電晶體晶片T，實際上有複數個電晶體晶片τ以矩陣 狀設置。因此，最後以切割裝置使之各自分離。 經過以上所述之製造方法，完成採用支撐基板5之 CSP型之電氣元件。此種製造方法在採用撓性板（flexible sheet)作為支撐基板時亦相同。 另一方面’採用陶瓷基板之製造方法表示於第27圖之 左側流程圖。首先準備作為支持基板之陶瓷基板後，形穿 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝--------訂---------線_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 3 312056 535462

五、發明說明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 孔’然後’使用導電糊漿（paste)，印刷表面與背之電極， 施行燒結。然後，一直到前述製造方法之樹脂層之被覆前 與第26圖之製造方法相同，但由於陶瓷基板相當易脆，不 同於撓性板或玻璃環氧樹脂基板，略為不小心即可能破 損’因此具有無法使用金屬模具施行模塑之問題。由於此， 先由密封樹脂施行灌注（potting)，硬化後，經過研磨使密 封樹脂面平滑化，最後使用切割裝置使之成為個別分離之 狀態。 在第25圖中，電晶體晶片T、連接構件7至12以及 樹脂層13在與外部之電氣連接以及電晶體之保護上為重 要之構成要件，但僅依賴此等構成要件，難以提供小型化、 薄型化、輕巧化之電路裝置。 首先’成為支撐基板之玻璃環氧樹脂基板5係如前所 述’為本來即不必要的東西。但是在以往之製造方法上， 由於需要貼合電極，用作支撐基板，結果根本無法省略此 種玻璃環氧樹脂基板5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，採用此種玻璃環氧樹脂基板5將使成本上昇， 而且由於玻璃環氧樹脂基板5之厚度，使電路裝置之厚度 增加’而使小型化、薄型化、輕巧化受到限制。 再者，就玻璃環氧樹脂基板或陶瓷基板而言，連接兩 面之電極之穿孔形成步驟為不可或缺之步驟，因而有製程 變長之問題。 弟28圖係表示形成於玻璃環氧樹脂基板、陶兗基板或 金屬基板之圖型化之圖。此種圖型通常形成有1C電路，以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 312056 535462 A7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（5 ) 安袭電晶體晶片21、1C晶片22、晶片電容器23及/或晶 片電阻24 〇在此種電晶體晶片21或1C晶片22之周圍’ 开/成與配線25連成一體之焊墊（bonding pag) 26，經過金 屬細線28使晶片2卜22與焊墊26形成電氣連接。再者， 配線29形成為與外部引線墊（lead pad) 30連成一體。此等 配線25、29，係在基板中以彎曲延伸，並依需要在IC晶 片中以細線狀形成〇因此，此種細小之配線與基板之接觸 面積相當小，容易引起配線剝離或翹起等問題。再者，焊 墊1 26分為電力用之焊墊與小信號用之焊墊，尤其小信號用 之蟬塾的接合面積小，容易形成薄膜剝離之原因。 再者’外部引線雖固定在外部引線墊上，但外力施加 在外部引線上時，亦有外部引線墊剝離之問題。 [發明之概要] 本發明係有鏗於前述之問題而研發者，其目的在於提 供一種容易製造而且高精確度高可靠性之半導體電路裝置 及其製造方法。 本發明之電路裝置包括：複數個導電路；連接於前述 導電路之電路元件；由被覆前述電路元件以及前逑導電路 而體地支撐前述電路元件與前述導電路之絕緣樹脂所構 成之包封體；以及露出於前述包封體之一全面之外部連 用引線端子。 最理想之狀況為，前述導電路由金屬之壓延體所構 成 再者，在本發明，由於用以形成導電路圖型之導電拓 312056 本紙張尺度適票準（CNS)A4規格_ (21〇 χ 297 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 62 五、發明說明（6 ) 係以1片板狀體作為原始的从 的材料，經過沖床加工或半蝕刻 加工形成分離槽以形成導電 ^ ^ ^ ^电路，因此可以形成片（sheet)電 阻小而且緻密之表面之平$布a 度尚之導電路。因此，焊接精 碟度高，即使在於高積體脊 ^ 化電路裝置之安裝中，仍可以達 成南精確度以及高可靠度。 再者，尤其在使用金屬之厭 ’之壓延體時，粒界為隨機配置， 片電阻小，可以形成緻穷； 益而且表面之平坦度從微觀的角度 看相當高之導電路。 在此導電路為電鍍獏時’在形成能夠作為導電路之 充^膜厚的情況下，膜厚之不均句性變大，結果無法充分 獲得表面之平坦性。例如欲形成2〇至1〇〇微米⑺幻程 度之電鍍膜時，膜厚之不均勻性變大而使焊接強度大幅度 降低。相對於此，本發明之蝕刻銅等壓延金屬以形成導電 路，可以獲得非常平坦而且焊接強度以及焊接精讀度甚高 之電路裝置。 但是，以電鍍膜作為導電路時，使電鍍成長面成為鏡 面’並去除支撐體，將成長面側用作焊接面時，可以略為 改善平坦性。但是，與使用鋼等金屬之壓延體之情況相較， 其精確度仍相當低。 再者，在以下之各點具有其優點。藉由薄型封裝特有 的翹曲性，可以財受所發生之應力。再者，亦可以防止由 於擴散等所產生之電路連接部之污染。再者，因為剛性提 高，所以具有提昇作業性之優點。 例如，4述導電路由以鐵-錄為主成分之壓延體形成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裳--------訂---------線| 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 312056 535462 A7 B7 五、發明說明（7 ) 時’可以具有防止熱膨脹係數之不匹配（mismatch)之效 果。其原因亦即為矽晶片與鐵_鎳之熱膨脹係數之值非常接 近所致。因此，晶片尺寸大之情況下仍可以防止翹曲之發 生。 再者’亦可以由以鋁為主成分之壓延體構成前述導電 路’由此可以達成較銅、鐵-鎳更為輕巧化之效果。使用鋁 線或金線之情況下，具有無需電鍍膜即可進行焊接之效 再者’前述導電路由於表面成為平坦之狀態使粒界隨 機配置，由此具有可提高耐彎曲性、剛性，防止導電路劣 化之效果。 再者，藉由在前述導電路之電路元件搭載面上形成以 不同於導電路之金屬材料製成之導電被臈，即可防止應力 所引起之導電路之翹曲、斷線，而且可提昇晶片焊接部與 元件之間之電氣連接部之可靠度。 再者’前述導電被膜由鍍鎳構成時，可進行鋁的絲焊 (wire bonding)，而且可形成具有強度之凸簷。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，例如第1，由於包括：電氣分離的複數個導電 路；固定在所求之該導電路上之複數個電路元件；以及被 覆前述電路元件且一體地支撐前述導電路之絕緣性樹脂， 並且在前述複數導電路内至少丨個係設成前述複數個電路 元件構成電路所需之配線，並使其側面彎曲而使其與前迷 絕緣性樹知嵌合，藉此使構成元件成為最小限度而且成為 配線不易從前述絕緣性樹脂脫出之構造，結果可以解決、 312056 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 535462 A7 B7 五、發明說明（8 ) 往之問題。 第2，由於包括：以分離槽電氣分離之複數個導電路； 固疋在所希望的導電路上之複數個電路元件；以及被覆前 述電路元件且填充於前述導電路間之分離槽内以一體支撐 月ίι述導電路之絕緣性樹脂，並且在前述複數個導電路之内 至少1個係設成前述電路元件構成電路所需之配線，使其 侧面彎曲而使之與前述絕緣性樹脂嵌合，並由填充於分離 槽内之絕緣性樹脂一體支撐複數個導電路，尤其可以防止 配線之拔脫，結果可以解決以往之問題。 第3’由於包括：以分離槽電路分離之複數個導電路； 固定在所希望的導電路上之複數個電路元件；以及被覆該 電路元件且填充於前述導電路間之前述分離槽内並露出於 前述導電路之背面以-體支撐前述導電路之絕緣性樹脂， 並且前述複數個導電路中至少1個係設成前述複數之電路 元件構^路所需之配線，使其側面弯曲面使之與前述絕 緣性树脂嵌合，使導電路之背面 3 167 了以用作外部連接用電 極，因此不需要穿孔，並且可以 j M防止作為導電路之一種之 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁}

配線之拔脫，結果可以解決以往之問題。 I 第4,提供一種電路裝置之製造方法，包括： 準備導電箱，並至少在成為導電路 導電镇上，形成比前述導電箱之厚度淺之分^外之^ 側面彎曲之導電路之步驟； ^而开7成 使複數個電路元件固定在 驟； Η之刖4導電路上之步 本紙張尺度咖Τ關家標準（CNS)A4驗 312056 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 535462 五、發明說明（9 ) 以被覆前述電路元件前充填於前述分離梯 、 AA. 曰4方式以银 緣性樹脂進行模塑，而使前述導電路與前述絕緣性、 合之步驟；以及 脂歲

將沒有設置前述分離槽之厚度部分的前述導電箔除 去，以形成至少由前述複數個導電路與前述複數個2 一 件構成之電路之步驟， A 並且形成導電路之導電箔成為開始之材料，一直到絕 緣性樹脂模塑以前導電箔發揮支撐功能，模塑後由絕緣性 樹脂發揮支撐功能，由此不需要支撐基板，結果可以解決 以往之問題。 、 第5，提供一種電路裝置之製造方法，包括： 準備導電箔，並至少在成為導電路之區域以外之前述 導電落上，形成比較前述導電箔之厚度淺之分離槽，而形 成側面彎曲之導電路之步驟； 使複數個電路元件固定於所希望之前述導電路上之步 驟； 形成用以電氣連接前述電路元件之電極與所希望之前 述導電路之連接裝置之步驟； 以被覆前述電路元件，並充填於前述分離槽之方式以 絕緣性樹脂進行模塑，而使前述導電路與前述絕緣性樹脂 欲合之步驟；以及 從背面將沒有設置前述分離槽之厚度部分之導電箔同 等地去除，使前述導電路之背面與前述分離槽間之前述絕 緣性樹脂成為實質上之平坦面，以形成至少由前述複數個 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

▼裝--------tl.---------線 I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 9 312056 535462 A7 五、發明說明（1G ) 導電路與前述複數個雷敗^ 因笔路疋件所構成之電路之步驟， 由此可以大量峰吝θ 座具有抑制拔脫之細小配線之電路壯 置，結果可以解決以往之問題。 再者，在本發明，作為形成導電路圖型所需之導電 板以1個板狀體作為開始材料，以及將此材料經過沖壓加 工或半餘刻加J1形成分離槽由此形成導電路圖型，因此可 3 :吏：J 成开’成為緻密而且表面之平坦度高之導電 路。因此，接合精確度高，即使在於安裝高積體化電電 仍可以達成高精確度及高可靠度。 再者尤其在使用金屬之壓延體，成為晶界配置為隨 意狀時，由此可以形成為片電阻小，緻密而且表面之平坦 度由微視看甚简之導電路。 在此，電鍍臈時，以作為導電路可以獲得充分之膜厚 之程度形成得較厚之情況下，膜厚之偏差變化大，無法獲 得表面之充分之平坦性0例如欲形成20至30微米程度之 電鍍膜時，膜厚之偏差變化大，接合強度大幅度降低。相 對於此，本發明所示之蝕刻鋼等壓延金屬而形成之情況 下’可以獲得非常平坦之接合強度以及接合精確度甚高之 電路裝置。 [圖式簡單說明] 第 1 圖（A)、（B) 第 2 圖（A)、（B) 圖。 第3圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r--------tr.---------線‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (C)說明本發明之電路裝置之圖。 (C)、（D)說明本發明之電路裝置^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 312056 535462 A7 B7 五、發明說明（11 ) 第4圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 第5圖（A)、（B)說明本發明之電路装置之製造方法之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖。 第6圖說明本發明之電路裝置之繁造方法之圖。 第7圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 第8圖說明本發明之電路裝置之圖。 第9圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 第10圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 第11圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 第12圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 弟13圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 第14圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 第15圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 第16圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 第17圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 第18圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 第19圖說明本發明之電路裝置之製造方法之圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第20圖說明本發明之電路装置之製造方法之圖。 第21圖說明本發明之電路裝置之圖。 第22圖說明本發明之電路裝置之圖。 第23圖（A)、（B)說明本發明之電路裝置之安裝方法之 圖。 第24圖說明以往之電路裝置之安裝構造之圖。 第25圖說明以往之電路裝置之圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 312056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 535462 A7 _ B7 五、發明説明（12 ) 第26圖（A) § (D)說明以往之電路裝置之製造方法之 圖。 第27圖說明以往與本發明之電路裝置之製造方法之 圖。 第28圖以往與本發明之電路裝置所用的1C電路之圖 型圖。 第29圖說明半導體製造廠與安裝製造廠之位置關係 之圖。 [符號說明] -----------裝--------tx---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 封裝型半導體裝置 2 半導體晶片 3 > 13樹脂層 4 引線端子 5 環氧樹脂基板 7 第一電極 8 第二電極 9 晶片座 10 第一背面電極 11 第二背面電極 12 金屬細線 20 ^ 21銅箔 22 阻止膜 26 焊墊 30 外部引線墊 50 絕緣性樹脂 51 導電路 51A 、51D晶片座 51B 、51C、51E、51F、51G、 51H、 511、51J外部連接用電極 52 電路元件 52A 半導體晶片 52B 、82被動元件 53 - 56、81、83、90電路裝置 54 ' 61分離槽 55A 金屬細線 55B 銲材 55C 導電糊漿 55H 、551電極 57 導電被膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12 312056 535462 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（13 ) 58 凸簷 59 彎曲構造 59S 直線構造 60 導電箔 70 第二材料 80 面向下型元件 84 安裝基板 91 電路元件 93 斜線 LI、L2 、L3、25、29 配 T 電晶體晶片 TH 穿孔 TR1至TR4電晶體 CSP 晶片尺寸封裝 PR 光阻止膜 PS 晶片基板 cc 晶片電容器 [實施例] 1 1實施例（說明電路裝置） 首先參照第1圖說明本發明之電路裝置之構造。 第1圖中顯示，具備埋入絕緣性樹脂50之導電路51, 在前述導電路51上固定電路元件52，由前述絕緣性樹脂 50支撐導電路51所形成之電路裝置53。而且導電路51 之側面具有彎曲構造59。 本構造係由電路元件52A、52B，複數個導電路51A、 51B、51C，以及使該導電路51A、51B、51C埋入其中之 絕緣性樹脂50之3種材料構成，導電路51間，設有由該 絕緣性樹脂50所填充之分離槽54，並且由絕緣性樹脂5〇 支撐具有彎曲構造59之前述導電路51。 作為絕緣性樹脂，可以使用環氧樹脂等熱硬化性樹 脂，聚醢亞胺（polyimide)樹脂、聚苯硫（p〇iypllenyiene sulfide)等熱可塑性樹脂。再者，絕緣性樹脂可以採用使用 --------------------訂‘---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13 312056 535462 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（14 ) 金屬模具而固化之樹脂' 可以由含浸、 Μ田#反堂布而被覆之樹脂 等全部之樹脂。再者’亦可以使用纖維含浸膜，亦即使用

Prepreg(—種纖維含浸材料）。 再者’作為導電路51，可以使用以鋼作為主材料之導 電羯、以銘作為主材料之導電绪、或鐵.錄等合金構成之導 電箔。當然亦可以使用其他之導電材料，尤其可以餘刻之 導電材料，可以用雷射使之蒸發之導電材料最好。 本發明中，尤其採用乾㈣或濕餘刻而施行非向異性 之蝕刻，使導電路51之側面成為彎曲構造59,由此產生 錨定效果。此種結果，達成不會由絕緣性樹脂5〇拔脫之導 電路51之構造。 再者’電路元件52之連接裝置分別為金屬細線55入、 鲜接材料構成之導電球、扁平之導電球、辉錫等鲜接材料 55B、銀塗漿等導電塗漿55C、導電被膜或向異性導電性 樹脂等。&等連接裝置係依電路元件之種類，轉元件之 安裝形態而選擇。例如為裸露之半導體元件時，表面電極 與導電路之連接選擇金屬細線’為csp時選擇鲜錫球:鲜 錫塊（bump)。再者，為晶片電阻、晶片電容器時則選擇銲 鍚55B。再者，經過封裝的電路元件，例如BGA等相對於 導電路51之安裝亦無問題’採用此種電路元件時，連接裝 置選擇銲錫。 再者，電路元件與導電路51A之固定，在不需要作電 氣連接時，選擇絕緣性接合劑，再者，需要電氣連接之= 況下，採用導電被臈。在此，導電被膜為至少有一層即口 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 零裳--------訂---------線· A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 535462 五、發明說明（15 足夠。 可以考慮作為導電被膜之材料有，銀、金、白金或把 (Pd)等，藉由蒸鍍、濺鍍（Spattering)、CVD等低真空或高 真空下之沈積、電鍍或燒結等而被覆。 例如，銀可以與金接合，而且也可以與銲材接合。因 此，晶片背面被覆有金薄膜時，可以由該狀態直接使銀被 膜、金被膜、銲錫被膜被覆於導電路51A而可以對晶片施 行熱壓接，再者亦可以透過銲錫等銲材固定晶片^在此， 前述導電被膜亦可以形成於積層為複數層之導電被膜之最 上層。例如，可在銅之導電路5 1A之上面，形成依序被覆 鎳被膜、金被膜之2層導電被膜，依序被覆鎳被膜、鋼被 膜、鲜錫被膜之3層導電被膜’依序被覆銀被膜、鎳被膜 之2層導電被膜等。並且，此等導電被膜之種類、積層構 造除了前所述以外有多數種類，但在此不多說明。 本電路裝置係以密封樹脂之絕緣性樹脂50支撐導電 路51，因此不需要支撐基板，而可由導電路51、電路元件 52以及絕緣性樹脂50構成。此種構成亦即為本發明之特 徵。例如在以往技術中所說明，以往之電路裝置之導電路 係由支撐基板支撐，或由引線框（lead frame)支撐，因此等 於追加在本來之性能上不需要之構成。但是，本電路裝置 由必要之最低限度之構成元件構成，不需要支撐基板，而 具有薄型以及廉償之特徵。 再者，除了前述構成外，亦具備被覆電路元件52而且 填充於前述導電路51間之前述分離槽54以一體支撐電路 -----------·裝--------訂----------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 15 312056 535462 五、發明說明（16 ) 元件52及導電路51之絕緣性樹脂5〇。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此種彎曲構造59之導電路51間係成為分離槽54，藉 由將絕緣性樹脂5 0填充於該分離槽$ 〇，可以具有防止導 電路51之拔脫而且可以達成導電路間互相絕緣之優點。 再者，亦具備被覆電路元件52且填充導電路51間之 勿離槽54而僅使導電路51背面露出以一體支撐導電元件 52及導電路5 1之絕緣性樹脂5〇。 露出此種導電路之背面之丨點為本發明之特徵之一。 由此可以使導電路之背面作為與外部連接之用，具有可省 略如第25圖所示之以往構造之穿孔THi特徵。 而且電路元件透過桿材、金、銀等導電被膜直接固定 之情況下’由於露出導電路之背面，因此可以使電路元件 52A所產生之熱經過導電路51A向安裝基板傳導。藉由散 熱，可有效改善半導體晶片之驅動電流之上昇等特性。 再者，本電路裝置係形成為分離槽54之表面盘導電路 5!之表面成為實質上一致之構造。本構造成為本發明之特 徵，由於不設置第25圖所示之背面電極1〇、丨】之段差， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此具有可以使電路裝置53直接以水平狀態移動之又 徵。 第1圖係由複數個電路元件構成IC電路，尤其是 電路儿件與電路元件之導電路，具有配線之機能’而 1B圖所不’實質上成為陸(!and)狀之形狀。但是 形狀係如第2圖或第28圖所示，成為更為複雜之形狀不之 另外，本發明之變形例，係第1C圖所示， ----— 彳％路5 1 K紙張尺度適用ϋϋ準（CNS)A4規袼⑵Q χ撕公髮） 1〇 312056 535462 Α7 Β7 五、發明說明（17 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 間成為直線構造59S，由此對於分離槽填充絕緣性樹脂 50。此種構造亦與前述第1實施例相同，可以改善導電路 5 1間之絕緣性。至於防止拔脫之效果則比前述第1實施例 略差。 第2實施例（說明電路裝置） 其次說明第2圖所示之電路裝置53。 本構造係如第2B圖所示，形成作為導電路51之配線 L1、L2,除此之外則與第1圖實質相同。以下說明配線L1、 L2 ° 如前所述，1C電路上有大規模之1C電路至小規模之 1C電路。但是在此，為了簡化圖面，僅在第2A圖中顯示 小規範的電路。該電路連接有常用於聲頻（audio)的放大電 路之差動放大電路與電流鏡電路。前述差動放大電路係如 第2A圖所示，由TR1與TR2構成，前述電流鏡電路則主 要由TR3與TR4構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2B圖為第2A圖之電路實施於本電路裝置時之俯視 圖，第2C圖為第2B圖之A-A線之剖視圖，第2D圖為 B-B線之剖視圖。在第2B圖之左側，設置安裝有TIU與 TR3之晶片座5 1A，右側設置安裝有TR2與TR4之晶片座 51D。在晶片座51A、51D之上側，設置外部連接用之電 極 51B、51E、51F、51G，下側設置電極 51C、51H、511、 51J。並且，由於TR1之射極與TR2之射極共同連接，因 此使配線L2與電極51E、51G連成一體。再者，由於TR3 之基極與TR4之基極，TR3之射極與TR4之射極共同連 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17 312056 535462 A7 五、發明說明（Μ ) 接，因此配線L1與電極51c、55J連成一體，配線^3與 電極55H、551連成一體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本發明之第2實施例之特徵在於該配線l丨、L2、L3。 以第28圖說明時，配線25、配線29與配線以至。相當。 該配線雖依本電路裝置之集積度而異，但其實度為25私斑 之非常狹窄的寬度。並且，此25 # m係採用濕蝕刻時之數 值，如採用乾蝕刻則其寬度更為狹窄。 由第2D圖可以知，配線L1僅露出背面，背面以外的 侧面，則具有彎曲構造且由絕緣性樹脂5〇支撐。又若以其 他方式表示的話，可說成配線係埋入絕緣性樹脂5()。由 此，不同於第25圖所示之配線僅貼合於支撐基板之情況， 可以防止配線之拔脫、翹曲。尤其由後述之製造方法可以 明瞭，藉由使導電路之側面成為粗面，而且形成為彎曲構 造，以及在導電路之表面形成凸簷時，產生錨定效果，結 果成為前述導電路無法由絕緣性樹脂拔脫之構造。 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 再者，外部連接用之電極51B、51C、51E至51J係如 前所述，由於埋入絕緣性樹脂，因此成為即使對固定的外 部引線施加外力，亦不容易剝離之構造。 第3實施例（說明電路裝置） 其次說明第8圖所不之電路裝置。 本構造係除了在導電路51之表面形成導電被臈57 外’與第1圖或第2圖之構造實質相同。在此，仍然以導 電路上形成該導電被膜57之處為中心說明。 第1特徵在於，為防止導電路或電路裝置之翹曲而設 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18 312056 535462 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7

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535462 五、發明說明（2G ) 件82之電路裝置83的形態實施。再者 丹有，亦可以在2個導 電路間連接金屬細線，然後加以密 山对之衣置的形態實施。 此種裝置可以用作熔絲（fuse)。 、 用以說明電路裝置之製造方法之第丨實施例 其次使用第3圖至第7圖以及第1圖說明電路裝置53 之製造方法。 首先’如第3圖所示，準備片狀之導電箱6〇。該導電 落60係考慮及銲材之附著性、焊接性、電鍍性而選擇其材 料，可以採用以鋼為主材料之導電箔，以鋁為主材料之導 電箔，或鐵-鎳等合金所構成之導電箔等作為其材料。或亦 可以使用鋼與銘之積層板。 導電箔之厚度為，考慮及以後之蝕刻宜採用1〇am| 300/zm程度，在此採用70/zm(2盎司）之鋼箔。但是3〇() μπι以上或10/zm以下基本上仍無不可。在此僅要求如後 所述，可以形成比導電箔之厚度淺之分離槽61即可。 並且，片狀之導電箔60，以預定之寬度捲繞成滾筒狀 的方式準備好，可以以此種狀態向後述之各製程搬送，或 亦可以準備截斷為預定大小之導電箔，向後述之各製程搬 送。 後績之製程有，至少從成為導電路51之區域以外的導 電箔60，除去比導電箔60之厚度薄的薄層之步驟，在前 述導電箔60上安裝電路元件之步驟以及在藉由該除去步 驟而形成之分離槽61及導電箔60上被覆絕緣性樹脂5〇， 以密封電路元件之步驟。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 20 312056 535462 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（刀 首先，如第4圖所示，在鋼箔6〇上形成光阻上膜pR(耐 蝕刻罩），以使成為導電路51之區域以外的導電箔⑼露出 之方式進行光阻止膜PRi圖型化。並且，如第5入圖所示， 隔著前述光阻止膜PR施行蝕刻。 本製造方法係以能夠各向異性地進行蝕刻的方式設定 濕蝕刻或乾蝕刻的蝕刻條件。藉此，使導電箔6〇的側面成 為粗面，而且具有-曲之特徵。並且經過姓刻形成之分離 槽61之深度為大约5〇至7〇以m。 濕蝕刻之情況下，蝕刻劑採用氯化鐵或氣化鋼，前述 導電V自為含浸於該蝕刻劑中，或以蝕刻劑對導電箔澆淋。 尤其如第5B圖所示，在成為蝕刻罩之光阻止臈？尺之 正下方，橫方向之蝕刻不容易進行，而比該正下方部分更 深之部分向橫方向進行蝕刻。如圖所示由分離槽61之側面 之位置隨著向上方，對應於該位置之開口部之開口直徑減 小時’形成為反推拔構造，由此成為具有錨狀構造之構造。 再者採用澆淋之方法時，向深度方向進行蝕刻，由於橫方 向之蝕刻受到抑制，此種錨狀構造更為顯著出現。 再者，在乾蝕刻之情況下，向異性、各向異性之蝕刻 均有可能。目前之觀點為，銅無法由反應性離子之蝕刻去 除，但可以由喷賤法去除。再者，由於喷濺法之條件，向 異性或各向異性餘刻均可以施行斂刻。 並且，在第5圖中，除了光阻止膜外亦可以將對於蝕 刻液具有耐蝕性之導電被膜以選擇性被覆。設如對於成為 導電路之部分以選擇性被覆時該導電被膜成為蝕刻保護 表紙張尺f適用中闕家標準（CNS)A4規格⑵Q χ 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·*裝 -------訂---------線· 535462 535462 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ ___ B7 五、發明說明（22 ) 臈，可以不必採用阻止膜施行分離槽之蝕刻。可以考慮作 為該導電被膜之材料有銀、金'白金、鈀或鎳等。而且此 等耐蝕性之導電被膜具有可以直接活用為晶片座、焊墊之 特徵。 例如銀被膜可以與金接合，亦可以與焊材接合。因此， 晶片背面被覆銅被膜時，可以直接將晶片熱壓接在導電路 51上之銀被膜上，再者可以透過銲鍚等銲材固定晶片。再 者，銀之導電被膜上可以接合金細線，因此亦可以施行絲 焊（wire bonding)。由此具有此等導電被膜直接活用為晶片 座、焊墊等之優點。 續之，如第6圖所示，具有在形成有分離槽61之導電 治60上電氣連接電路元件52之安裝步驟。 所謂電路元件52為電晶體、二極體、ic晶片等半導 體元件52A、晶片電容器、晶片電阻等被動元件52B。再 者，雖然厚度會增加，但亦可以安裝CSP、BGA等面向下 之半導體元件。 在此’將裸電晶體晶片52A黏接在導電路51A上，然 後透過以熱壓接之球形焊接（ball bonding)或超音波之楔型 接合（wedge bonding)固定之金屬細線55A連接射極電極與 導電路51B、基極電極與導電路51B。再者，52B為晶片 電容器或被動元件，以銲錫等銲材或導電糊漿5 5B加以固 定。 再者’第28圖所示圖型應用於本實施例時，焊墊26 的尺寸非常小，但與導電箔60連成一體。因此，具有可以 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I 薷 裝--------訂---------線秦 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 22 312056 535462 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（23 ) 傳達接合工具（bonding tool)之能量，而使接合性提高之優 點。再者，在接合後之金屬細線之截斷中，一般情況為將 金屬細線拉斷。此時，由於焊墊與導電箔一體形成，因 此可以消除使焊墊浮起之現象，而使拉斷性提高。 再者’如第7圖所示，具有在前述導電箔6〇以及彎曲 之分離槽61上附著絕緣性樹脂5〇之步驟。此一步驟可以 由移轉模塑，射出成型，含浸或塗布而達成。在樹脂材料 方面，環氧樹脂等熱硬化性樹脂可採用移轉模塑法聚醯亞 胺樹脂、聚苯硫等熱可塑性樹脂可採用射出成型法。 在本實施例中，被覆於導電箔6〇表面之絕緣性樹脂之 厚度係經過調整，使之被覆至金屬細線55A之頂部的上方 大约100 # m。此一厚度可考慮電路裝置之強度而增加厚度 或滅少厚度。 本步驟之特徵在於一直到被覆絕緣性樹脂5()前，係以 形成為導電路51之導電箔60作為支撐基板。以往係如第 26圖所示，採用本來不需要之支撐基板5以形成導電路7 至11，但在本發明中，作為支撐基板之導電箔6〇為成為 電極材料必需之材料。因此，具有可極力節省構成材料而 施行作業之優點，而且亦可以降低成本。 再者，分離槽61由於形成得比導電箔之厚度還淺，因 此導電箔60所形成導電路51不會個別分離。由於此，片 狀之導電箔60可以一體處理，具有在模塑絕緣性樹脂時， 對於金屬模具之搬送，對於金屬模具之安裝作業非常容易 之特徵。 ί請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁} 裝--------訂--------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 23 312056 535462 A7 B7 五、發明說明（24 ) 再者，由於在具有彎曲構造59之分離槽61填充絕緣 性樹脂50，因此由該部分產生錨定效果，可以防止絕緣性 樹脂50之剝離，可以防止分離之導電路5丨在以後之步驟 中之拔脫。 並且，被覆該絕緣性樹脂5〇前，例如為了保護半導體 晶片或金屬細線之連接部可以灌注②“丨化幻矽樹脂。 續之，具有以化學或物理的方式去除導電箔6〇之背 面，而使導電路51分離之步驟。其中該去除步騾可以研 磨、研削、蝕刻、雷射之金屬蒸發等方法施行。 在本發明之實驗中，以研磨裝置或研削裝置將整個面 削除30# m左右，即可使絕緣性樹脂5〇 在第7圖以虛線表示露出之面。结果，成為大二::二 厚度之導電路51而分離。再者，在露出絕緣性樹脂”之 前，對導電籍60施行整面之濕蝕刻，其後，經過研磨或研 削裝置削除整面，由此露出絕緣性樹脂5〇亦可。再者，亦 可僅藉由濕蝕刻使導電路5 1分離。 μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 結果，成為導電路51之表面露出於絕緣性樹脂5〇之 構造。然後，削除分離槽61，由此成為第i圖之分離槽5 上參照第7圖）。 1 最後’視需要在露出之導電路51上被覆銲錫等導電 料，而元成如第1圖所示之電路裝置。 並且，在導電路51之背面被覆導電被膜時，亦 第3圖之導電箔之背面，預先形成導電被膜。此時，。兩 選擇性地被覆對應於導電路之部分即可。被覆方 ^舄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} __-- 成為例如 312056 24 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 25 535462 Α7 _____ Β7 五、發明說明（25 ) 電鍍。再者，此種導電被膜宜採用對於蝕刻有耐性材料。 再者’採用此種導電被膜時，可不經過研磨而只藉由餘刻 使導電箔分離為導電路51。 並且，本製造方法中，雖僅在導電箔60上安裝電晶體 與晶片電阻，但以之為1單位而將之配置成矩陣狀亦可， 以第2圖或第28圖所示之電路作為丨單位而配置成矩陣狀 亦可。此種情況下，係以如後述之分割裝置分割為一個一 個。 藉由以上之製造方法’將導電路51埋入絕緣性樹脂 5〇,由此可以達成絕緣性樹脂5〇之背面與導電路5ι之背 面一致之平坦之電路裝置56。 本製造方法之特徵在於活用絕緣性樹脂5〇以之作為 支撐基板而可以施行導電路51之分離作業。絕緣性樹脂 5〇為作為埋入導電路51之材料之必需材料因此不需要 第26圖之以往之製造方法’使用不必要之支撐基板5。因 而’可以以最低限度之材料製造， ^ /、有可以降低成本之特 徵0 並且，從導電路51表面算起 异匙之浥緣性樹脂之厚度，係 可以在W-步驟之絕緣性㈣之附著時調整。因此雖由 於所安裝之電路元件而不相同 霞_ ‘ 士'上 $ U仁冤路裝置56具有可以使 厚度增加或減少之特徵。在此， ,,m Μ命 u格衮置56係成為在400 # m厚度之絕緣性樹脂 -从 私111之導電路51盥雷路 兀件之電路裝置（以上參照第i圖）。 ^ 實屋复(說明電路裝置之製造方法） 1 本紙張尺錢財_ $鮮（CNS)A4遞⑵q χ观 312056 C請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁}

C ----訂---------線上 535462 A7 五、發明說明（26 ) 其次，參照第 國至弟13圖，以及第8圖說 簷58之電路裝置56 園月，、有凸 裂w方法。亚且，除了成為 第二材料7 0之被霜w^ 詹之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 卜，與第1實施例（第1圖、第2ΡΠ 實質上相同，因此省略^ ^ 2 *> π 坪細之說明。 首先，如第9圖所千，嘴很 準備在第一材料所成之導電嗜 60之上面被覆有蝕刻率 由 j羊較小之弟二材料7❹之導電箔6{)。 例如在銅箔之上面祜蕹 錮黧a 被㈣^可以利_氯化鐵或氯化 銅等同時#刻鋼與鎳，藉由 ^ co 、曰、 稽甶於蝕刻率之是值，使鎳成為凸 詹58而形成取為適宜。蘭由 3中粗的貝線亦即為鎳所成之導電 被膜70,其膜厚為1至^ ^ ^ 10Wm程度乘好。再者，鎳之臈厚 愈厚時，愈容易形成凸詹58。 再者，第二材料亦可為被覆在第一#料上時可對第一 材料施行選擇性㈣之材料。此種情況下，首先以由第二 材料製成之被膜被覆導電路51之形成區域之方式施行圖 型化，然後以該被覆作為遮罩對第一材料進行蝕刻即可形 成凸簷58。作為第二材料，可以考慮使用銘、銀、纪、金 等（以上參照第9圖）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 續之，具有至少將成為導電路51之區域以外之導電箔 60去除，使該部分之厚度比導電镇6〇之原厚度薄之步驟。 如第10圖所示’在鎳70之上面形成光阻止膜pR，以 鎳7〇在成為導電路51之區域以外之區域露出之方式使光 阻止膜PR圖型化，如第U圖所示狀，隔著前述光阻止膜 P R施行餘刻即可。 如前所述’採用氯化鐵、氣化鋼之餘刻劑施行蚀刻時， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 26 312056 535462

由於鎳7G之㈣率小於鋼6〇之_率，因此隨著蚀刻之 進行進凸簷凸出。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 並且’在形成有前述分離槽61之導電箔上安裝電路元 件52之步驟（第12圖），在前述導電落6〇以及分離槽61 上被覆絕緣性樹脂50’以化學或物理的方式去除導電箔6〇 之背面，使導電箔60分離成為導電路51之步驟（第13圖）， 以及在導電路背面形成導電被覆至完成之步驟（第8圖）為 同於前述製造方法而省略其說明。 第3實施你說明電路裝置之製造方法） 續之，參照第4圖至第20圖說明由複數種類之電路元 件、配線、晶片座、焊墊等所構成之導電路構成之ic電路 作為一單位配置成矩陣狀，封裝後各自分離，由此構成ic 電路而成為電路裝置之製造方法參照第14圖至第2〇圖說 明。並且，在此依據第2圖之構造，尤其使用第2C；圖之 剖視圖說明。再者，因本製造方法幾乎同於第一實施例、 第二實施例，因此對於相同部分僅簡單說明。 首先如第14圖所示，準備片狀之導電箔6〇。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 並且，片狀之導電箔60以預定之寬度捲繞於滾筒，可 以直接以此種狀態向後述之各步驟搬送，或準備截斷為預 疋之大小之導電泊’由此狀態向後述之各步驟搬送α 續之’具有至少將成為導電路51之區域以外之導電 60去除使其厚度比導電箔60之原厚度薄之步驟。 首先，如第15圖所示，在銅箔60之上面形成光阻止 膜PR，以成為導電路51之區域以外之導電落60露出之方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 27 312056 535462 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（28 式施行光阻止膜PR之圖型化。然後，如第16圖所示，隔 著前述光阻止膜PR施行蝕刻。 由蝕刻形成之分離槽61之深度例如為5〇#m，其側面 由於成為粗面而使其與絕緣性樹脂5〇之接合性提高。 再者，此種分離槽61之侧壁，由於以各向異性施行蝕 刻而成為彎曲狀。此種去除步驟中，濕蝕刻、乾蝕刻均可 以採用，並且由於此種彎曲構造成為發生錨定效果之構造 (詳細參照用以說明電路裝置之製造方法之第i實施例）。 並且’在第15圖中’替代光阻止膜PR亦可選擇性地 被覆對於餘刻液有耐姓性之導電被膜。設如選擇性地被覆 成為導電路之部分時，該被覆膜成為蝕刻保護膜，可以不 使用阻止膜而蝕刻分離槽。 續之，如第17圖所示，具有在形成有分離槽61之導 電箱60上電氣連接電路元件52之安裝電路元件之步 作為電路元件52A，分別有電晶體、二極體、ic晶片 等半導體元件、晶片電容器、晶片電阻等被動元件。再者， 雖然厚度會增加，亦可以安裝CSP、BGA等面向下之半導 體元件。 在此，將裸電晶體晶片52A黏接在導電路51A上，然 後透過金屬細線5 5 A連接射極電極與導電路5 1B、基極電 極與導電路51B。 再者’如第18圖所示，具有在前述導電箔60以及分 離槽61上附著絕緣性樹脂5〇之步驟。此步驟可以由移轉 --------------------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（cns)A4規格（210 X 297公釐） 28 312056 535462 A7 五、發明說明（29 ) 模塑、射出成型或含浸而達成。 在本實施例，被覆於導電箔60之表而* μ * <衣面之絕緣性樹脂之 厚度係調整為比所安裝之電路元件之昜古 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) π取呵部位高約100私 m程度。此種厚度可考慮電路裝置之強 找度而增加厚度或減 少厚度。 本製程之特徵在於在被覆絕緣性樹脂時，以形成導電 路51之導電羯60作為支撐基板。以往係如第％圖所示， 採用本來不需要之支撐基板5以形成導電路7至u，但在 本發明，作為支撐基板之導電落60為成為電極材料必需之 材料。因此，具有可以極力節省構成材料以施行作業之優 點，並且亦可以降低成本。 再者，分離槽61由於形成得比導電羯之厚度淺因此 導電落60所形成之導電路51不會各自分離。因而可以以 片狀之導電绪60 —體處理，在模塑絕緣性樹脂時，對於金 屬模具之搬送，對於金屬模具之安裝等作業非常容易施行 為其特徵。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 續之，具有以化學或物理方式去除導電箔6〇之背面， 使導電箔60分離成為導電路51之步驟。在此前述之去除 步驟，可以藉由研磨、研削、蝕刻、雷射之金屬蒸發等施 行。 經過本發明之實驗使用研磨裝置或研削裝置整面削除 30 v m程度，即可使絕緣性樹脂50露出。在第18圖中由 虛線表示該露出之面。結果，形成為大約4〇Mm之厚度之 導電路51而分離。再者，亦可以在露出絕緣性樹脂5〇前， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 29 312056 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 535462 A7 B7 五、發明說明（3G ) 對導電箔整面施行濕蝕刻，然後使用研磨或研削裝置削除 整面，由此使絕緣性樹脂50露出。 結果，成為導電路5 1之表面露出於絕緣性樹脂5Q之 構造。 再者，如第19圖所示，對於露出之導電路被覆銲錫等 導電材。 最後，如第20圖所示，具有使每丨電路元件分離而完 成電路裝置之步驟。 分離線為箭頭所示之處，可以由分割（dicing)、截斷、 沖床加工、巧克力分離等達成。並且，採用巧克力分離時， 以被覆絕緣性樹脂時使分離線進入槽中之方式在金屬模具 形成突出部即可。 尤其是分割為一般之半導體裝置之製造方法常用之方 法由於即使在非常小尺寸之物體亦可以分離，因此非常 合適。 以上之第1至第8實施例所說明之製造方法亦可用於 第28圖所示複雜之圖型。尤其是呈曲折狀，與焊墊26一 體形成，另一端與電路元件電氣連接之配線，其寬度狹小， 而且長度長。因此，熱所引起翹曲非常大，在以往構造常 由於剝離而成為問題。但是，本發明中，由於配線埋入絕 緣性樹脂而得到支撐，因此可以防止配線本身之趨曲、剝 離、以及拔脫。再者，由於焊墊本身的平面面積小，在以 往之構造，常發生焊墊之剝離，而本發明則如前所述埋入 絕緣性樹脂中，更由具有錨定效果之絕緣性樹脂加以支 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂----- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽x四7公髮） 30 312056 5462 A7 B7 五、發明說明（31 ) 撐，因此具有可以防止拔脫之優點。 再者，亦具有可以達成電路埋入絕緣性樹脂50中之電 路裝置之優點。由以往構造說明時，猶如電路安裝在印刷 電路基板、陶瓷基板中之狀態。關於此在後面之安裝方 法中說明。 第27圖之右側表示簡單整理本發明之流程圖。圖中經 過9個步驟完成電路裝置，9個步驟包括：銅荡之準備、 銀或鎳之電鍍、半㈣、晶片接合、絲坪、移轉模塑背 面銅猪去除、導電路之背面處理以及分割。而I，支撐基 板可以不必由其他製造薇購入，全部製程可以由 處理。 订 复^L(說明電路裝置之種類以及其安裝方法） 第21圖為表示安裝有面向下型之電路元件肋之電路 裝置8卜作為電路元件8G，有裸半導體晶片、密封表面之 SP或BGA等。再者，第22圖為表示安裝有晶片電容器 或晶片電阻等之被動元件82之電路裝置83。上述電路裝 置皆因不需要支撐基板而薄型化，而且由絕緣性樹腊密 封，因此耐環境性甚為優異。 第23圖係用以說明實層構造之圖。第23A圖係在开, 成於印刷電路基板或金屬基板，㈣基板等安裝基板84 之導電路85上安裝至今所說明之本發明之電路裝置 8卜 83 〇 尤其’在固定料導體晶片52f面之導電路5ia，係 由於與安裝基板84之導電路85作熱的結合，因此可以使 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線在 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 297公釐） 31 312056 5462 A7 B7 五、發明說明（32 ) 電路裝置之熱經由前述導電路85而發散。再者，採用金屬 基板作為安裝基板84時，由於金屬基板之散熱性之輔助可 以更為降低半導體晶片52之溫度。因此，可以提昇半導體 晶片之驅動能力。 曰例如對於功率M〇s、IGBT、SIT、大電流驅動用之電 曰曰體、大電流驅動用之IC(M〇s型、Βιρ型、型） 記憶元件等，前述方法非常合適。 再者，宜採用鋁基板、鋼基板、鐵基板作為金屬基板， 再者考慮與導電路85之短路，可形成絕緣性樹脂及/或氧 化膜等。 再者’第23B圖表示將本電路裝置9〇活用為第23 A 圖之基板84之一例。此為本發明之最大特徵。亦即，以往 之印刷電路基板、陶瓷基板最多只作到在基板中形成穿孔 TH之程度，但在本發明，具有達成内裝有ic電路之基板 模組之特徵。例如在印刷電路基板中至少内裝有1個電路 (亦可以作為系統而内裝）。 再者’以往需要作為支撐基板之印刷電路基板、陶瓷 基板’但在本發明，不再需要該支撐基板即可以達成基板 模組。因此相較於由印刷電路基板、陶瓷基板或金屬基板 構成之複合基板，其厚度可以變薄，且其重量可以減輕。 再者’由於將本電路裝置90活用為支撐基板，並在露 出之導電路上安裝電路元件，因此可以達成高性能之基板 模組。尤其以本電路裝置作為支撐基板，在其上面安裝本 電路裝置91時，作為基板模组可以達成更為輕巧而薄型化 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

，裝--------訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 32 312056 W5462

之模組。 因此 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 子機酱"ϊ】此等安裝形態，可使用以安裝該楔虹之電 機器更為小型及輕巧。 又’由符號93所示的斜線部分為絕緣性 ;採用鲜錫阻止膜等高分子膜。藉由形成此絕緣 可以防止埋人基㈣中之㈣路與形成於電 之電極之短路件91等 ^再者，使用第29圖說明本電路裝置之優點。在以往 安裝方法中，半導體製造廠形成封裝型半導體装置 型晶片(mP chip)，安裝製造廠將半導體製造廠所供給 ^體裝置與零件製造廠所供給之被動元件安裝於印刷電路 基板，將此作為模組組裝於裝置中而成為電子機器。伸是， 本電路裝置為，由於本身可以採用為安裝基板，因此半導 體製造廠可以利用後段製程完成安裝基板模組，而供應給 女裝製造廠。因此，安裝製造廠可以大幅度簡省對於基板 之元件安裝。 [發明效果] 由以上說明可以明瞭，本發明係由最小限度之電路裝 置、導電路以及絕緣性樹脂所構成，可以成為不浪費資源 之電路裝置。籍此’到完成為止不存在多餘之構成元件， 可以達成大幅度減低成本之電路裝置。再者，藉由使絕緣 性樹脂之被覆膜厚'導電箔之厚度成為最適宜值，可以達 成非常小型化、薄型化以及輕巧化之電路裝置。再者，由 於將翹曲或剝離現象顯著之配線埋入絕緣性樹脂而加以支 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ 312〇56 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) ，裝----

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五、發明說明（34 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 樓’因此可以解決此等問題。 、再者，僅使導電路之背面由絕緣性樹脂露出，因此可 以將導電路之背面直接 y 且接用於與外部之連接，具有不必要以 住裝置之第25圖所示之背面電極以及穿孔之優點。 而且，電路疋件經由銲材、金、銀等導電被膜直接固 疋時:由於導電路之背面露出，因此由電路元件產生之熱 可以經過導電路直接向安裝基板傳遞，尤其經過此種散 熱，較大功率之元件之安裝亦有可能。 再者，本電路裝置係具有使分離槽之表面與導電路之 表面成為實質-致之平坦表面之構造，即使將狹小節矩 QFP等由第23圖所示狀安裝於支撐基板時，由於可以使 電路本身直接以水平移動，因此引線偏移之修正極為容 易。 再者 $ ^路之表面側由於形成有第二材料，因此可 以抑制由於熱膨脹係數之不相同所引起之安裝基板之翹 曲，尤其可以抑制細長配線之翹曲或剝離。 再者，導電路之側面形成彎曲構造，更由於導電路之 表面形成第二材料所成之被膜，可以形成被覆於導電路之 凸詹。藉此可以產生錨定效果，可以防止導電路之翹曲， 以及拔脫。 再者’本發明之電路裝置之製造方法，使成為導電路 之材料之導電箔本身具有支撐基板之機能，一直到分離槽 之形成時或電路元件之安裝，絕緣性樹脂之被覆時由導電 猪支撐整體’並在導電箔分離成為導電路時，由絕緣性樹 £— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 34 312056 535462 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（35 ) 脂發生支撐基板之機能。因此，電路元件' 導電箔、絕緣 性樹脂等可以由所需要之最低限度製造。在以往例中已說 明’在電路裝置之構成上不需要之支撐基板在本發明中不 必採用，由此可以降低成本。再者由於不需要支撐基板， 導電路埋入於絕緣性樹脂中，以及絕緣性樹脂與導電箔之 厚度可以調整等，亦具有可以形成非常薄之電路裝置之優 點。再者，可在分離槽之形成步驟中形成彎曲構造，同時 可以達成具有錨定效果之構造。 再者，由第27圖可以明瞭，可以省去穿孔之形成步 驟、導體之印刷步驟（陶瓷基板之情況）等，因此相較於以 往技術，可以大幅度縮短製程，而且具有全製程可以在廠 内實施之優點。再者框架金屬模具等一概不需要，成為非 常縮短交貨期間之製造方法。 其次一直到去除導電箔使其厚度較原厚度薄之步驟 (例如為半蚀刻）為止，不必將導電路個別分離處理，因此 在以後之絕緣性樹脂之被覆步驟中，可以提昇作業性亦為 其特徵之一。 再者’導電路與絕緣性樹脂在同一面形成，所安裝之 電路裝置可以不撞及安裝基板上之導電路側面而偏移。尤 其對於安裝時已發生位置偏移之電路裝置可以向水平方向 偏移而修正其配置。再者，安裝電路裝置後，使銲材熔解， 而使女裝之電路裝置偏移而藉由溶解之銲材之表面張力自 行回至導電路上部，由此使電路裝置本身之再配置成為可 能。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝--------訂---------線j 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公餐） 35 312056 535462 A7 _B7 五、發明說明（36 ) 最後，將本電路裝置活用為支撐基板，可以使電路元 件安裝於露出之導電路，可以達成高機能之基板模组。尤 其是以本電路裝置作為支撐基板，在其上面安裝作為元件 之本電路裝置91時，可以達成作為基板模組更為輕巧而薄 化之模組。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 36 312056

Claims (1)

1. _HI 第901 00830號專利申請案 申請專利範圍修正本 I ’-:： ^ |(幻年1月7丨日） 包裝置，包括：複數個導電路；兩 :::路元件，·由被覆前述電路元件以及前述導電二 土支撐料電路元件與前述導電路之絕緣性樹脂 2成之包封件’·以及露出於前述包封件之-主面之外 部連接用引線端子。 2·=::利範圍"項之電路裝置’其中，前述導電路 係由金屬之壓延體所構成。 3·如申請專利範圍第1 电路裝置’其中，前述複數個 ^路中之至少！個形成有用以與絕緣性樹脂 彎曲面。 4·如申明專利範圍第3項之電路 ^ ., 电峪裝置，其中，前述分離槽 係猎由蝕刻而形成者。 5·如申請專利範圍第1項電 电峪衣置，其中，前述電路元 件包括複數個電路元件。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 6. 如申請專利範圍第i項至第5項之任何―項之電 置，其中，前述導電路的厚度在2〇微米至_ 範圍内。 彳又卞《 7. 如申請專利範圍第2項之 , 俗表置其中，前述導電路 係由以銅為主成分之壓延體所構成。 8·如申料㈣圍第2項之電路以，其巾，前述導電路 係由以鐵-鎳為主成分之壓延體所構成。 9.如申請專利^置’其中，前述導電路 本紙張尺度適用中國國家iiTSTs) Μ規格(2l^T^iy 535462 係由以鋁為主成分之壓延體所構成 10·如申請專利範圍第2項之 1 係w 塔裝置’其中’前述導電路 ’、：吏表面成為平坦面之方式使晶界隨意配置者。 .如申請專利範圍第1項之電路 ^^ 峪裝置，其中，在前述導電 路之電路元件搭載面形成由 电 絲祖“、f 乂田不同於别述導電路之金屬 材枓所成之導電被膜。 其争，前述導電 其中，前述導電 12.如申請專利範圍第u項之電路裝置 被膜係由鍍鎳構成。 !3·如申請專利範圍第n項之電路裝置 被膜係由錢金構成。 其中，前述導電 4 ·如申明專利範圍第1 1項之電路裝置 被膜係由鍍銀構成。 15.如申請專利範圍第1項之 义 4路裝置，别述電路元件係由 牛¥體積體電路晶片所構成。 16·如申請專利範圍第j項之 件係由晶片零件所構成。置其中’則述電路元 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 17.2請專利範㈣i項之電路裝置，其中，前述電路元 件與前述導電路之連接係藉由接合細線而進行。 18. 如申請專利範圍第17項之電路裝置，其中，前 元件與前述導電路之連接係藉由直接接合而進行。 19. 如申請專利範圍第i項之電路裝置，其中，前述導電路 之背面與前述絕緣性樹脂之背面構成實質上之同— 面。 20. 如t請專利範圍第1項之電路裝置，其中，前述導電路 之为面述絕緣性樹脂之表面突出。 本紙張尺lit时關家g (CNS) A4規格αΐ?7297^Τ、 2 312056 21·如申請專利範圍第2〇 ^ 、電路衣置，其中，前述絕緣 2月曰述導電路之背面突出，而在凹部形成 有用以與外部電路連接之銲錫球。 22.—種電路裝置之製造方法，包括： 準備V電性板之步驟； 以至少留下成為導電路之區域之方式在前述導電 性板上形成比前述導電性 導電路用圖型之步驟之厂子度淺之分離槽，以形成 將電路元件固宗#斗、+、@ 槽形成面侧之步驟；、月4電路用圖型之前述分離 以絕緣性樹脂模塑前述電路元件與 步驟，以及 八離;Γ前述電路元件搭载面之對向面側至到達前述 =之深度除去前述導電性板，而以形成前述導電路 之方式使前述導電性板分離之步驟。 “電路 23:申請專利範圍第22項之電路裝置之製造方法，包 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 準備導電性板之步驟； ^以至少留下成為導電路之區域之方式在前述導中 ^形成比前述導電性板之厚度淺之分離槽，：二 複數早位之導電路用圖型之步驟； 乂成 /將電路元件搭載於前述導電路用圖型之 槽形成面側之步驟； 刀離 以絕緣性樹脂槎齒# 步驟；以及 逑電路元件與前述導電路之 本紐尺度翻' 3 312〇56 ΌΖ. Η3 以從前述電路元搭载面之 離槽之深度去除#、f $ 、向面側至到達前述分 1又方陈刖述導電栂钇 方式使前述導電性板分離，/以形成前述導電路之 驟。 刀 以形成複數個電路裝置之步 24·如申請專利範圍第22項 法，1 ± 、仕 A弟23項之電路裝置之製芒方 法，其中，準備前述導電性柘夕丰挪 每方 驟。 v驟包括屢延金屬之步 2 5 ·如申δ月專利範圍第 中，針… 電路裝置之製造方法，盆 之方式渺$形成步驟包括以形成彎曲側面 1万式形成導電路之步驟。 26·如申請專利範圍第22 巾，#、之電路裝置之製造方法，其 Τ 刖迷導電路用圖都之报士、土 前述導雷政之形成步驟係利用半蝕刻形成使 月如電路電氣分離之分離槽之步驟。 27·:申料利範圍第22項之電路裝置之製造方法，盆 成使1述Λ電路用圖型之形成步驟係利用半沖壓方法形 成使則述―電路電氣分離之分離槽之步驟。 2 8 ·如申請專利範圖楚 ^ 22項之電路裝置之製造方法，豆 經濟部中央標準局員工福利委員會印制衣 ’固定前述電路元件之步驟包括固定複數個電路元件 之步驟。 A如申：專利範圍第22項之電路裝置之製造方法，其 中刚述導電路用圖型之形成步驟係形成深度為2〇微 米至1 〇〇微米之分離槽之步驟。 30·如申明專利範圍第22項之電路裝置之製造方法，其 、、丨述準備‘電性板之步驟包括以熱間壓延法對以銅 _狀體進行壓延處理之步驟。 本紙張尺度適用中國國Α4規袼---- A H3 31·如申請專利範圍第22項之電路裝置之製造方法，盆 中，前述準備導電性板之步驟包括以熱間壓延法f/以鐵 鎳作為主成分之板狀體進行壓延處理之步驟。 •如申請專利範圍第22項之電路裝置之製造方法，其 :，前述準備導電性板之步驟包括以熱間壓延法對以铭 為主成分之板狀體進行壓延處理之步驟。 33‘：申請專利範圍第22項之電路裝置之製造方法，盆 ^前述準備導電性板之㈣包括料錢表面成為平 34之方式使晶界成為隨意配置之板狀體之步驟。 •申請專利範圍第22項之電路裝置之製造方法，直 I:前述準備導電性板之步驟包括在前述導電路之電路 ^载面之至少—部分形成不同於前述導電路之金 蜀材料所成之導電被膜之步驟。 、’ 5‘如申請專利範圍帛33 ,之電路裝置之 %中，前述形成導電被膜之步驟包括链鎳步驟。其 其 .如申^專利範圍第33項之電路裝置之製造方法 中’前述形成導電被膜之步驟包括鐘金步驟。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 其 •如申請專利範圍第33項之電路袈置之製造方法 中’前述形成導電被膜之步驟包括鑛銀步驟。， 8·如申請專利範圍第22項之電路裝置之製 令’剛述固定電路元件之步驟包括在前述、、 半導體積體晶片之步驟。 ^路上搭载 3 9.如申請專利範m 2項之電路裝置之製 :’刖述固定電路元件之步驟包括在前述路： 晶片零件之步驟。 路上連接 本紙張尺度適⑵ 535462 40.如申請專利範圍第 由^_ 項之電路裝置之製造方法，A 中，珂述固定電路元件步 其 之步驟。 '驟包括以接合細線進行絲焊 41_如_請專利範圍第4〇 由^ 員之電路裝置之製造方法，复 中1述固定電路元件之步驟係以直接接合方式谁： 42.如申請專利範圍第 工進仃。 中，, 弟22項之電路裝置之製造方法，其 :’…成電路之步驟包 面 前述絕緣性樹脂之皆而春併L 、♦电峪之月面與 钱刻之步驟。 Λ貝冑成同一面之方式進行 I申：專利範圍第22項之電路装置之製造方法，1 别述形成電路之步Μ㈣ :絕緣性樹脂表面突出之方式進行㈣二， 44. :申I專利範圍第22項之電路裝置之製造方法，其 /I述：成電路之步驟包括以使前述絕緣性樹脂表面 則，¥電路之背面突出之方式進行钱刻之步驟。 45. 如申:青專利範圍第22項之電路裝置之製造方法其 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 述形成電路之步驟包括以使前述絕緣性樹脂表面 比琢述導電路之背面突出之方式進行_之步驟，以及 在触到所形成之凹部形成用以與外部連接之 步驟。 46·如申請專利範圍第22項之電路裝置之製造方法，其 »匕括，戴斷前述絕緣性樹脂以分離為個別之電路 裝置之步驟。 47.— =半導體模组，包括：半導體裝置，由複數個導電路、 路電氣連接之第1電路元件二支撐前述第! 、又 ^^^i^TcNS) A4規格（210 X 297 公釐） '~〆 535462 H3 "L牛1、則述複數個導電路之絕緣性樹脂所構成，及 第2電路元件，將前述半導體裝置的背面作為安裝 面，與露出於半導體裝置背面的電極連接。 48.一種半導體模組，包括：半導體裝置，具有複數個導電 Γ與前料電料氣連接之第1電路元件，支撐前述 弟1電路元件與前述複數個導電路之絕緣性樹脂所構 成，及 奸電路元件，與路出於設在前述半導體裝置背面 的絕緣被膜之電極連接。 49·如申^專利範圍第47項或第❿員之半導體模組，其 中，前述第1電路元件以及/或者前述第2電路元件， 係從電晶體、二極體、積體電路IC ( Integrated Circuit) 晶片、晶片電組器、晶片電阻、晶片尺寸封裝csp(chip Sue Package)或球格陣列BGA (BaU㈣八叫）型 的半導體封裝方法中至少選擇其中一種。 · 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 50.如申f專利範圍第47項或第48項之半導體模組其 中三則述半導體裝置係具有由複數個電路元件、配線、 電氣連接部分所構成的電極，將前述半導體裝置的背面 作為支撐機構，安裝前述第2電路元件，而構成電路或 系統。 51-種半導體模組之製造方法，準備具有：複數個導電 路’與前述導電路電氣連接之第U路元件，支撐前述 第1電路元件與前述複數個導電路之絕緣性樹脂的半 導體裝置，並且 -半導體裝置的背面作為安裝面，並且在露出 本紙張尺度顧中國國家標準（〇iS) A4規格（21())< 297公幻一----- 7 H3 於半‘體裝置背面的電極 52-種半導體模組之製造方法H2電路元件。 路，盥义 準備具有··複數個導# 路’與前料電路電氣連接 第1電路开杜ώ义 电路元件’支撐前述 導體裝置，並1 ^路之絕緣性樹脂的半 將絕緣被膜設在前述半導 於前述•邑緣被腺…广的背面’並在露出 53如申Μ 的電極上安Μ 2電路元件。 3·如申#專利範圍第 方法’盆中，前…：項之半導體模組之製造 路开杜 弟電路元件以及/或者前述第2電 路几件，係從電晶體、二極體 a μ ^ 4 ®儿日日片、晶片電容器、 :⑨、晶片尺寸封裳CSP或球格陣列bg 導體封裝方法中至少選擇其中_種。 的+ 54.如申請專利範圍第51 飞弟52項之+導體模組之製造 令’前述半導體裝置係具有由複數個第i電路 凡件、配線、電氣連接部分所構成的電極，將前述 體袭置的背面作為支撐機構，藉由安裝前述第2電路元 件’而構成電路或系統。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 55·:種基板模μ之製造方法，準備將複數個電路元件及前 述电路7G件電氣連接之配線藉由絕緣樹脂而内裝之基 板，並且 i 在露出於前述基板一方之面，與前述配線電氣連接 之安裝用電極上安裝前述電路元件與另一電路元件。 56 —種基板模組之製造方法，準備將複數個電路元 ’ X月u 述電路元件電氣連接之配線藉由絕緣樹脂而内裝之基 板，並且 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS ) A4規格（210 X 297公爱） R ?τ?056 535462

   將絕緣被膜設在前述基板一方之面上， 述絕緣被膜，盥义、+、給&斤广 出於則 趿膜與則述配線電氣連接之安裝用電極上 前述電路元件與另一電路元件。 装 如申明專利範圍第55項或第％項之基板模組之製造方 法，其中，前述電路元件以及/或者前述另—電路元件， 係從電晶體、二極體、IC晶片、晶片電容器、晶片電 阻、晶片尺寸封裝CSP或球格陣列BGA型的半導體封 裝方法中至少選擇其中一種。 58·如申請專利範圍第55項或第％項之基板模組之製造方 法其中，刖述基板係具有由複數個電路元件、配線、 =乱連接部分所構成的電極，將前述基板的一面作為支 撐機構’藉由安裝前述另—電路^件，而構成電路或系 統0

   經濟部中央標準局員工福利委員會印製 本紙張尺度適用中關家標準（CNS) A4規袼^“撕公髮）